JP2021145129A - 高温プロセス用の金属接合されたバッキングプレートを有する静電パックアセンブリ - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- AlN又はAl2O3を含み、第1の熱膨張係数を有する上部パックプレートであって、1つ以上の加熱要素と、基板を静電的に固定するための1つ以上の電極とを更に含む上部パックプレートと、
第1の金属接合によって上部パックプレートに接合された下部パックプレートであって、
下部パックプレートは第1の熱膨張係数又は第2の熱膨張係数を有する材料を含み、
第2の熱膨張係数は第1の熱膨張係数から+/−10%まで変化している、下部パックプレートと、
第2の金属接合によって下部パックプレートに接合されたバッキングプレートであって、AlN又はAl2O3を含むバッキングプレートと、
バッキングプレートの外壁の少なくとも一部をコーティングする導電性金属コーティングであって、下部パックプレートへの高周波(RF)信号の経路を提供する導電性金属コーティングとを含む静電パックアセンブリ。 - AlN又はAl2O3を含み、第1の熱膨張係数を有する上部パックプレートであって、1つ以上の加熱要素と、基板を静電的に固定するための1つ以上の電極とを更に含む上部パックプレートと、
第1の金属接合によって上部パックプレートに接合された下部パックプレートであって、
下部パックプレートは第1の熱膨張係数又は第2の熱膨張係数を有する材料を含み、
第2の熱膨張係数は第1の熱膨張係数から+/−10%まで変化し、
下部パックプレートは、下部パックプレートの中心から複数の異なる距離で下部パックプレート上に分布する複数の構造体を含み、
複数の構造体の各々は複数の締結具のうちの1つを収容している、下部パックプレートと、
第2の金属接合によって下部パックプレートに接合されたバッキングプレートであって、
バッキングプレートはAlN又はAl2O3を含み、
バッキングプレートは、バッキングプレートを通って下部パックプレートの複数の構造体の少なくともいくつかへのアクセスを提供する1つ以上の穴を含んでいる、バッキングプレートとを含む静電パックアセンブリ。 - 上部パックプレートは3〜10mmの第1の厚さを有し、
バッキングプレートは3〜10mmの第2の厚さを有し、
下部パックプレートは、第1の厚さ及び第2の厚さ以上である第3の厚さを有している、請求項1又は2に記載の静電パックアセンブリ。 - 静電パックアセンブリは、静電パックアセンブリを損傷することなく最高300℃の温度で動作可能である、請求項1又は2に記載の静電パックアセンブリ。
- 下部パックプレートは、バッキングプレートの第2の外径と等しい第1の外径を有している、請求項1又は2に記載の静電パックアセンブリ。
- 上部パックプレートは、下部パックプレート又はバッキングプレートの少なくとも一方の第2外径よりも大きい第1の外径を有している、請求項1、2又は5に記載の静電パックアセンブリ。
- バッキングプレートの外壁上の導電性金属コーティングを覆う耐プラズマ性セラミックスコーティングを更に含む、請求項1に記載の静電パックアセンブリ。
- 下部パックプレートに穿孔された座ぐり貫通穴と、
座ぐり貫通穴に挿入された金属保護プラグとを更に含み、
金属保護プラグは座ぐり貫通穴の内部を1つ以上のガスへの曝露から保護している、請求項1又は2に記載の静電パックアセンブリ。 - 下部パックプレートは、a)モリブデン、b)Si、SiC、及びTiを含む金属マトリックス複合材料、又はc)AlSi合金で浸潤されたSiC多孔質体のうちの少なくとも1つを含んでいる、請求項1又は2に記載の静電パックアセンブリ。
- バッキングプレートに結合された冷却プレートと、
冷却プレートの上面に配置されたガスケットとを更に含み、
ガスケットは、冷却プレートとバッキングプレートとの間で圧縮され、
ガスケットは、冷却プレートとバッキングプレートとの間のサーマルチョークとして作用している、請求項1又は2に記載の静電パックアセンブリ。 - 静電パックアセンブリの底部に配置されたリング又はガスケットのうちの少なくとも1つを更に含み、
リング又はガスケットのうちの少なくとも1つは、複数の締結具によって作用される力を介して圧縮され、
複数の締結具は、
それぞれ等しい締結力を加えて冷却プレートを静電パックアセンブリに結合し、
リング又はガスケットのうちの少なくとも1つを圧縮し、
冷却プレートと下部パックプレートとの間を等しい離隔距離に維持して、冷却プレートと下部パックプレートとの間の均一な熱伝達を促進している、請求項2に記載の静電パックアセンブリ。 - ガスケット上に柔軟なグラファイト層を更に含む、請求項10又は11に記載の静電パックアセンブリ。
- 基板支持アセンブリであって、
多層スタックであって、
1つ以上の加熱要素と、基板を静電的に固定するための1つ以上の電極とを含む電気絶縁性上部パックプレートと、
第1の金属接合によって上部パックプレートに接合された下部パックプレートであって、
下部パックプレートは、下部パックプレートの中心から複数の異なる距離で下部パックプレートの底面上に分布する複数の構造体を含み、
複数の構造体の各々は複数の締結具のうちの1つを収容している、下部パックプレートとを含む多層スタックと、
複数の締結具によって多層スタックに結合されたベースプレートであって、
複数の締結具はそれぞれ等しい締結力を加えてベースプレートを多層スタックに結合し、
等しい締結力は冷却プレートと多層スタックとの間の均一な熱伝達を促進している、ベースプレートと、
多層スタックとベースプレート又は冷却プレートの少なくとも一方との間で圧縮されたリング又はガスケットのうちの少なくとも1つとを含む基板支持アセンブリ。 - 多層スタックは、第2の金属接合によって下部パックプレートに接合された電気絶縁性バッキングプレートを更に含み、
電気絶縁性バッキングプレートは、バッキングプレートを通って下部パックプレートの複数の構造体の少なくともいくつかへのアクセスを提供する1つ以上の穴を含んでいる、請求項13に記載の基板支持アセンブリ。 - 上部パックプレートはAlN又はAl2O3を含み、
バッキングプレートはAlN又はAl2O3を含み、
下部パックプレートは、a)モリブデン、b)Si、SiC、及びTiを含む金属マトリックス複合材料、又はc)AlSi合金で浸潤されたSiC多孔質体のうちの1つを含み、
リング又はガスケットのうちの少なくとも1つはポリイミドを含んでいる、請求項14に記載の基板支持アセンブリ。 - 冷却プレートは複数のばねによってベースプレートに結合され、
複数のばねは力を加えて冷却プレートを多層スタックに押し付け、
基板支持アセンブリは、多層スタックと冷却プレートとの間に配置された前記ガスケットを更に含み、
複数のばねはガスケットを圧縮し、
ガスケットは、冷却プレートと多層スタックとの間のサーマルチョークとして作用している、請求項13に記載の基板支持アセンブリ。 - ガスケット上に柔軟なグラファイト層を更に含む、請求項16に記載の基板支持アセンブリ。
- 前記リングを更に含み、
リングは、電気絶縁性上部パックプレートとベースプレートとの間で圧縮されたOリングである、請求項13に記載の基板支持アセンブリ。 - 静電パックアセンブリの製造方法であって、
AlN又はAl2O3を含み、第1の熱膨張係数を有する上部パックプレートを形成する工程であって、上部パックプレートは1つ以上の加熱要素と、基板を静電的に固定するための1つ以上の電極とを更に含んでいる、工程と、
第1の金属接合によって上部パックプレートに下部パックプレートを接合する工程であって、
下部パックプレートは第1の熱膨張係数又は第2の熱膨張係数を有し、
第2の熱膨張係数は第1の熱膨張係数から+/−10%まで変化している、工程と、
AlN又はAl2O3を含むバッキングプレートを第2の金属接合で下部パックプレートに接合する工程と、
バッキングプレートの外壁の少なくとも一部を導電性金属コーティングでコーティングする工程であって、導電性金属コーティングは下部パックプレートへの高周波(RF)信号の経路を提供している、工程とを含む方法。 - ガスケット又はOリングのうちの少なくとも1つを冷却プレートの上面へ配置する工程と、
冷却プレートの上面をバッキングプレートに固定する工程と、
Oリング又はガスケットのうちの少なくとも1つを圧縮し、冷却プレートとバッキングプレートとの間を等しい離隔距離に維持して、冷却プレートとバッキングプレートとの間の均一な熱伝達を促進する工程とを更に含む、請求項19に記載の方法。
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