JP2021130642A - シロキサン化合物の製造方法、新規なシロキサン化合物、およびそれらの用途 - Google Patents

Abstract

【課題】機能性化学品として有用なＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有するシロキサン化合物を効率的に製造する方法、新規なシロキサン化合物、および、シロキサン化合物の用途の提供。【解決手段】触媒の存在下で、Ｓｉ−ＯＣＯ結合（ＯＣＯはオキシカルボニル基のＯ−Ｃ（＝Ｏ）を示す。）を有する第１のアシロキシシランとＳｉ−ＯＨ結合を有する第１のシラノールとを反応させる第１の反応工程を含み、前記触媒が、下記（１）または（２）から選ばれる塩基性化合物である、シロキサン化合物の製造方法。（１）アルカリ金属の炭酸塩または酢酸塩。（２）共役酸のｐＫａが６〜５０である有機化合物、アミジン化合物、グアニジン化合物、脂肪族系の３級もしくは２級アミン、ホスファゼン化合物、または、それらの化合物に由来する基を有する、有機ポリマー系もしくは無機系の化合物。【選択図】なし

Description

本開示は、シロキサン化合物の効率的な製造方法、それにより得られる新規なシロキサン化合物、および、それらの用途に関する。

Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有する、ジシロキサン、トリシロキサン、ポリシロキサン等のシロキサン化合物は、オイル、ゴム、レジン等の形態で、建築、電気、自動車、医療、生活用品等、産業上のさまざまな分野で利用される機能性化学品および機能性材料である。そのようなケイ素系化学品およびケイ素系材料の高機能化および高性能化を図るためには、ケイ素原子の配列を精密に制御することが重要な課題であり、規則的構造を有するＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成する一つの方法として、二種類の異なるケイ素化合物をクロスカップリング形式で反応させる方法が考えられてきた。
そのようなクロスカップリング形式の反応を用いる方法としては、たとえば、（Ａ）クロロシランまたはアシロキシシランとシラノールとを、アシロキシシランまたはシラノールに対して当量以上の塩基を存在させて反応させる方法（特許文献１、非特許文献１）、（Ｂ）アミノシランまたはウレイドシランとシラノールとを反応させる方法（非特許文献２〜４）、（Ｃ）ヒドロシランまたはアルコキシシランとシラノールとを触媒存在下で反応させる方法（特許文献２、非特許文献４〜６）、（Ｄ）クロロシランとアルコキシシランとを触媒存在下で反応させる方法（特許文献３、非特許文献７）、（Ｅ）アシロキシシランとシラノールとを、塩基を存在させない条件下（無触媒あるいは酸触媒を用いる条件下）で反応させる方法（特許文献４）等が知られていた。

独国特許第１１５７６１１号明細書 特開２０１５−１９６６７２号公報 特開２０１４−２１８４４９号公報 特開２０１８−１８４３９５号公報

K.-A.T.Nguyen, S.R.Clarke, J.Matisons, B.W.Skelton, A.H.White, E.Markovic, Silicon, 6, 21 (2014) C.U.Pittman, Jr.,W.J.Patterson, S.P.Mcmanus, J. Polym. Sci., Polym. Chem. Ed., 14, 1715 (1976) G.N.Babu, S.S.Christopher, R.A.Newmarkt, Macromolecules, 20, 2654 (1987) D.Zhou, Y.Kawakami, Macromolecules, 38, 6902 (2005) Z.M.Michalska, Trans. Met. Chem., 5, 125 (1980) D.B.Thompson, M.A.Brook, J. Am. Chem. Soc., 130, 32 (2008) R.Wakabayashi, K.Kawahara, K.Kuroda, Angew. Chem. Int. Ed., 49, 5273 (2010)

しかし、それらの方法では、加水分解しやすく、腐食性の塩化水素を発生しやすいクロロシランを用いる必要がある（方法Ａ、Ｄ）；反応で生成する塩化水素またはカルボン酸
を捕捉するために塩基を大量（クロロシランまたはアシロキシシランに対して当量以上）使用する必要がある上、塩基との反応で生成する大量の塩を分離する必要がある（方法Ａ）；入手が容易でない場合も多い、アミノシラン、ウレイドシランもしくはアルコキシシラン、または、製造コストが高いヒドロシランを用いる必要がある（方法Ｂ、Ｃ、Ｄ）；アシロキシランおよびシラノールの種類またはその組み合わせによっては、反応速度が遅く、目的物を効率よく製造することが困難である（方法Ｅ）；などの問題点がある。
これらのことから、従来技術の問題点を解決できる、工業的により有利な方法が求められている。

本発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであって、規則的構造のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有するシロキサン化合物をより効率的に製造する方法、その方法等により得られる新規なシロキサン化合物、および、それらのシロキサン化合物の用途、を提供することを目的とするものである。

本発明者等は、前記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、カルボン酸の脱離を伴うアシロキシシランとシラノールのカップリング反応が、特定の塩基性化合物が触媒量存在する条件下において、効率よく進行することなどを見出し、本発明を完成させるに至った。
すなわち、従来、塩基を使用して反応を行う場合、共生成物であるカルボン酸の中和と捕捉のために、当量以上の塩基を使用していたが（たとえば、特許文献１では、２当量のジアセトキシシランと１当量のシランジオールの反応において、約２．１当量のピリジンを使用）、本発明者等は、さまざまな塩基性化合物による反応促進効果を検討した結果、特定の塩基性化合物を使用する場合には、微量の触媒量でも、効率よく反応が進行することを見出した。
また、生成したシロキサン化合物にアシロキシ基が残存する場合、水、アルコール等の修飾剤を添加することにより、アシロキシ基をヒドロキシ基またはアルコキシ基に変換することが可能である。さらに、ヒドロキシ基を有する修飾後のシロキサン化合物をシラノールとしてアシロキシシランと反応させることにより、配列を制御したオリゴシロキサンの製造を行うこともできる。
加えて、これらの反応で生成した化合物の用途に関して、アシロキシ基等を有するシロキサン化合物は、固体材料の表面処理剤として効果的に使用できる。

すなわち、この出願は以下の発明を提供するものである。
＜１＞
触媒の存在下で、Ｓｉ−ＯＣＯ結合（ＯＣＯはオキシカルボニル基のＯ−Ｃ（＝Ｏ）を示す。）を有する第１のアシロキシシランとＳｉ−ＯＨ結合を有する第１のシラノールとを反応させる第１の反応工程を含み、
前記触媒が、下記（１）または（２）から選ばれる塩基性化合物である、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有するシロキサン化合物の製造方法。
（１）アルカリ金属の炭酸塩または酢酸塩
（２）共役酸のｐＫａが６〜５０である有機化合物、アミジン化合物、グアニジン化合物、脂肪族系の３級もしくは２級アミン、ホスファゼン化合物、または、それらの化合物に由来する基を有する、有機ポリマー系もしくは無機系の化合物
＜２＞
前記（１）の塩基性化合物が、炭酸セシウム、炭酸ルビジウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸リチウム、酢酸セシウム、酢酸ルビジウム、酢酸カリウム、酢酸ナトリウム、および、酢酸リチウムから選ばれる化合物である、＜１＞に記載のシロキサン化合物の製造方法。
＜３＞
前記（２）の塩基性化合物が、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）；１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（ＤＢＮ）；７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン（ＭＴＢＤ）；トリエチルアミン；トリプロピルアミン；トリブチルアミン；トリヘキシルアミン；イソプロピルジメチルアミン；ジイソプロピルメチルアミン；ジシクロヘキシルメチルアミン；ジエチルアミン；ジブチルアミン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）；１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）；１−アザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＡＢＣＯ）；ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−トリ（ピロリジノ）ホスホラン（ＢＴＰＰ）；２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチルペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリン（ＢＥＭＰ）；１−ｔｅｒｔ−ブチル−２，２，４，４，４−ペンタキス（ジメチルアミノ）−２λ^５，４λ^５−カテナジ（ホスファゼン）（Ｐ２−ｔ−Ｂｕ）；１−ｔｅｒｔ−ブチル−４，４，４−トリス（ジメチルアミノ）−２，２−ビス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］−２λ^５，４λ^５−カテナジ（ホスファゼン）（Ｐ４−ｔ−Ｂｕ）；４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）；ヘキサメチレンテトラミン（ＨＭＴＡ）；および、トリメチルアミン、ジソプロピルメチルアミン、ＤＢＵ、ＭＴＢＤ、または、ＢＥＭＰに由来する基を有するポリマー；から選ばれる化合物である、＜１＞または＜２＞に記載のシロキサン化合物の製造方法。
＜４＞
前記第１のアシロキシシランが、下記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランである、＜１＞〜＜３＞の何れかに記載のシロキサン化合物の製造方法。
Ｒ^１Ｒ^２Ｓｉ（ＯＣＯＲ^３）_２ （ＩＡ）
（式中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよく；Ｒ^３は、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、前記炭素数１〜１０の炭化水素基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）

＜５＞
前記第１のシラノールが、下記一般式（ＩＩＡ１）または（ＩＩＡ２）で表されるシラノールである、＜１＞〜＜４＞の何れかに記載のシロキサン化合物の製造方法。
Ｒ^４ _ａＲ^５ _ｂＲ^６ _ｃＳｉ（ＯＨ）_{４−（ａ＋ｂ＋ｃ）} （ＩＩＡ１）
（式中、ａ、ｂ、およびｃは、それぞれ独立に、０以上３以下の整数であり；ａ＋ｂ＋ｃは、０以上３以下の整数であり；Ｒ^４、Ｒ^５、およびＲ^６は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
ＨＯ（ＳｉＲ^７Ｒ^８Ｏ）_ｄＨ (ＩＩＡ２)
（式中、ｄは、２以上４以下の整数であり；Ｒ^７およびＲ^８は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、またはヒドロキシ基であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
＜６＞
前記第１のアシロキシシランが、下記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランであり、
前記第１のシラノールが、下記一般式（ＩＩＡ２）で表されるシラノールであり、
前記第１の反応工程の反応生成物が、下記一般式（ＩＩＩＡ１）で表される環状シロキサン化合物である、＜１＞〜＜３＞の何れかに記載のシロキサン化合物の製造方法。
Ｒ^１Ｒ^２Ｓｉ（ＯＣＯＲ^３）_２ （ＩＡ）
（式中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよく；Ｒ^３は、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、前記炭素数１〜１０の炭化水素基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
ＨＯ（ＳｉＲ^７Ｒ^８Ｏ）_ｄＨ (ＩＩＡ２)
（式中、ｄは、２以上４以下の整数であり；Ｒ^７およびＲ^８は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、またはヒドロキシ基であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部が反応に関与しない基で置換されていてもよい。）

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^７、Ｒ^８、およびｄは、前記と同義である。）

＜７＞
前記第１のアシロキシシランが、下記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランであり、
前記第１のシラノールが、下記一般式（ＩＩＡ１）または（ＩＩＡ２）で表されるシラノールであり、
前記第１の反応工程の生成物が、下記一般式（ＩＩＡ１）または（ＩＩＡ２）で表されるシラノールのヒドロキシ基の水素原子の一部または全部を、下記一般式（ＩＶＡ）で表されるアシロキシシリル基で置換した構造を有するシロキサン化合物である、＜１＞〜＜３＞の何れかに記載のシロキサン化合物の製造方法。
Ｒ^１Ｒ^２Ｓｉ（ＯＣＯＲ^３）_２ （ＩＡ）
（式中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよく；Ｒ^３は、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、前記炭素数１〜１０の炭化水素基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
Ｒ^４ _ａＲ^５ _ｂＲ^６ _ｃＳｉ（ＯＨ）_{４−（ａ＋ｂ＋ｃ）} （ＩＩＡ１）
（式中、ａ、ｂ、およびｃは、それぞれ独立に、０以上３以下の整数であり；ａ＋ｂ＋ｃは、０以上３以下の整数であり；Ｒ^４、Ｒ^５、およびＲ^６は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
ＨＯ（ＳｉＲ^７Ｒ^８Ｏ）_ｄＨ (ＩＩＡ２)
（式中、ｄは、２以上４以下の整数であり；Ｒ^７およびＲ^８は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、またはヒドロキシ基であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
−ＳｉＲ^１Ｒ^２（ＯＣＯＲ^３） （ＩＶＡ）
（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、およびＲ^３は、前記と同義である。）
＜８＞
水または下記一般式（ＶＡ）で表されるアルコールとの反応により、前記アシロキシシリル基のアシロキシ基を下記一般式（ＶＩＡ）で表されるアルコキシ基に変換する修飾工程をさらに含む、＜７＞に記載のシロキサン化合物の製造方法。
ＲＯＨ （ＶＡ）
（式中、Ｒは、炭素数１〜６のアルキル基である。）
−ＯＲ （ＶＩＡ）
（式中、Ｒは、前記と同義である。）
＜９＞
前記第１の反応工程の反応生成物がアシロキシ基を有するシロキサン化合物であり、かつ、
水または下記一般式（ＶＡ）で表されるアルコールとの反応により、前記アシロキシ基をヒドロキシ基または下記一般式（ＶＩＡ）で表されるアルコキシ基に変換する修飾工程をさらに含む、＜１＞〜＜３＞の何れかに記載のシロキサン化合物の製造方法。
ＲＯＨ （ＶＡ）
（式中、Ｒは、炭素数１〜６のアルキル基である。）
−ＯＲ （ＶＩＡ）
（式中、Ｒは、前記と同義である。）
＜１０＞
前記修飾工程が、水との反応により、前記第１の反応工程の前記反応生成物のアシロキシ基をヒドロキシ基に変換する工程であり、
前記（１）または（２）から選ばれる塩基性化合物の存在下で、前記修飾工程の反応生成物とＳｉ−ＯＣＯ結合を有する第２のアシロキシシランとを反応させる第２の反応工程をさらに含む、＜９＞に記載のシロキサン化合物の製造方法。
＜１１＞
前記第１の反応工程の反応生成物がアシロキシ基を有し、かつ、
前記（１）または（２）から選ばれる塩基性化合物の存在下で、前記第１の反応工程の前記反応生成物とＳｉ−ＯＨ結合を有する第２のシラノールとを反応させる第３の反応工程をさらに含む、＜１＞〜＜３＞の何れかに記載のシロキサン化合物の製造方法。
＜１２＞
前記第１のアシロキシシランが、下記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランであり、
前記第１のシラノールが、下記一般式（ＩＩＡ１’）で表されるシラノールであり、
前記第１の反応工程の反応生成物が、１分子中にアシロキシ基を１個有するシロキサン化合物であり、かつ、
前記第１の反応工程の後に、
水との反応により、前工程で得たシロキサン化合物のアシロキシ基をヒドロキシ基に変換する修飾工程と、
前記（１）または（２）から選ばれる塩基性化合物の存在下で、前記修飾工程の反応生成物と下記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランとを反応させ、１分子中にアシロキシ基を１個有するシロキサン化合物を得る第４の反応工程と
を交互に行う、＜１＞〜＜３＞の何れかに記載のシロキサン化合物の製造方法。
Ｒ^１Ｒ^２Ｓｉ（ＯＣＯＲ^３）_２ （ＩＡ）
（式中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよく；Ｒ^３は、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、前記炭素数１〜１０の炭化水素基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
Ｒ^４ _ａＲ^５ _ｂＲ^６ _ｃＳｉＯＨ （ＩＩＡ１’）
（式中、ａ、ｂ、およびｃは、それぞれ独立に０以上３以下の整数であり；ａ＋ｂ＋ｃは、３であり；Ｒ^４、Ｒ^５、およびＲ^６は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
＜１３＞
前記第１のアシロキシシランが、下記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランであり、
前記第１のシラノールが、下記一般式（ＩＩＡ１’’）または（ＩＩＡ２）で表されるシラノールであり、かつ、
前記第１の反応工程の反応生成物が、Ｒ^３ＣＯ_２−[Ｓｉ]−Ｏ−（Ｓｉ）−Ｏ−[Ｓｉ]−ＯＣＯＲ^３で表される骨格を有するアシロキシ末端シロキサン化合物（前記第１のシラノール１分子に対して前記第１のアシロキシシラン２分子が反応して生成する構造であり；[Ｓｉ]は、前記第１のアシロキシシランに由来するシリレン基であり；（Ｓｉ）は、前記第１のシラノールに由来するシリレン基であり；Ｒ^３は、式（ＩＡ）中のＲ^３と同義である。）であり、かつ、
前記アシロキシ末端シロキサン化合物を、水および前記（１）または（２）から選ばれる塩基性化合物の存在下で反応させて、下記一般式（ＩＩＩＡ２）の構造を有する環状シロキサン化合物を製造する環化工程をさらに含む、＜１＞〜＜３＞の何れかに記載のシロキサン化合物の製造方法。
Ｒ^１Ｒ^２Ｓｉ（ＯＣＯＲ^３）_２ （ＩＡ）
（式中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよく；Ｒ^３は、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、前記炭素数１〜１０の炭化水素基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
Ｒ^４ _ａＲ^５ _ｂＳｉ（ＯＨ）_{４−（ａ＋ｂ）} （ＩＩＡ１’’）
（式中、ａおよびｂは、それぞれ独立に、０以上２以下の整数であり；ａ＋ｂは、０以上２以下の整数であり；Ｒ^４、Ｒ^５、およびＲ^６は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
ＨＯ（ＳｉＲ^７Ｒ^８Ｏ）_ｄＨ (ＩＩＡ２)
（式中、ｄは、２以上４以下の整数であり；Ｒ^７およびＲ^８は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、またはヒドロキシ基であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）

＜１４＞
下記一般式（ＩＩＩＢ１）〜（ＩＩＩＢ４）で表されるシロキサン化合物。
Ｒ^９Ｒ^１０Ｒ^１１Ｓｉ−Ｏ−ＳｉＲ^１２Ｒ^１３Ｘ^１ （ＩＩＩＢ１）
Ｒ^１４Ｒ^１５Ｒ^１６Ｓｉ−Ｏ−ＳｉＲ^１７Ｒ^１８−Ｏ−ＳｉＲ^１９Ｒ^２０Ｘ^２ （ＩＩＩＢ２）
Ｒ^２１Ｒ^２２Ｒ^２３Ｓｉ−Ｏ−ＳｉＲ^２４Ｒ^２５−Ｏ−ＳｉＲ^２６Ｒ^２７−Ｏ−ＳｉＲ^２
８Ｒ^２９Ｘ^３ （ＩＩＩＢ３）
Ｒ^３０Ｒ^３１Ｒ^３２Ｓｉ−Ｏ−ＳｉＲ^３３Ｒ^３４−Ｏ−ＳｉＲ^３５Ｘ^４−Ｏ−ＳｉＲ^３６Ｒ^３７Ｒ^３８ （ＩＩＩＢ４）
（これら式中、Ｒ^９〜Ｒ^３８は、それぞれ独立に、メチル基、エチル基、フェニル基、および、ビニル基の中から選ばれる基であり、Ｘ^１〜Ｘ^４は、それぞれ独立に、アセトキシ基、トリフルオロアセトキシ基、またはヒドロキシ基である。）
＜１５＞
＜１＞〜＜１３＞の何れかに記載の製造方法で得られるシロキサン化合物であって、アシロキシ基およびヒドロキシ基の少なくとも一方を有するシロキサン化合物、並びに＜１４＞に記載のシロキサン化合物から選ばれるシロキサン化合物を含有する組成物からなる、表面処理剤。
＜１６＞
＜１５＞に記載の表面処理剤を用いて、固体材料の表面処理を行う方法。

本発明により、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有するシロキサン化合物を従来の方法に比べより効率的に製造できるとともに、新規なシロキサン化合物、および、それらのシロキサン化合物の用途、を提供できるという効果を有する。

詳細には、本発明の一実施態様であるＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有するシロキサン化合物の製造方法（以下、「本実施態様に係る製造方法」と略す場合がある。）は、次のような特徴を有する。
（１）原料および触媒が入手し易く、取り扱いが容易で安全性も高い。
（２）室温程度の温和な条件でも反応が進行する。
（３）大量の塩などの廃棄物を生じない。
（４）固体触媒を使用する場合、触媒の分離、回収、および再利用を容易に行うことができる。
（５）ジシロキサン系の化合物だけでなく、トリシロキサン系、テトラシロキサン系など、さまざまな種類のシロキサン化合物を製造できる。
（６）アシロキシ基等を有するシロキサン化合物は、固体材料の表面処理剤として、効果的に利用できる。
本実施態様に係る製造方法は、製造プロセスの低コスト化、高効率化、新規なシロキサン化合物、それらの用途の提供等を可能にするもので、従来技術に比べて経済性、低環境負荷性、高性能高機能性化学品、高性能高機能性材料等の創出等の面で、大きな利点を有する。

以下、本発明について詳細に説明する。なお、特段の記載がない限り、本明細書中のある式中の記号が他の式においても用いられる場合、同一の記号は同一の意味を示す。

１．第１の反応工程
本発明の一実施態様に係るシロキサン化合物の製造方法は、Ｓｉ−ＯＣＯ結合を有する第１のアシロキシシランと、Ｓｉ−ＯＨ結合を有する第１のシラノールを、特定の塩基性化合物が存在する条件下において反応させ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有するシロキサン化合物を生成させる第１の反応工程を含む。
第１の反応工程は、触媒である塩基性化合物の存在下で、第１のアシロキシシランに対する第１のシラノールの求核的置換反応を行う工程であり、前記求核置換反応は、カルボン酸の脱離を伴いながら進行する。

１−１．第１のアシロキシシラン
本実施態様において、原料として使用することができる第１のアシロキシシランとしては、たとえば、下記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランが挙げられる。
Ｒ^１Ｒ^２Ｓｉ（ＯＣＯＲ^３）_２ （ＩＡ）

一般式（ＩＡ）において、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子であり、Ｒ^３は、炭素数１〜１０の炭化水素基である。前記炭素数１〜２０の炭化水素基、前記炭素数１〜２０のアルコキシ基および前記炭素数１〜１０の炭化水素基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。
炭化水素基の具体例としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基等が挙げられる。

Ｒ^１およびＲ^２で表される炭素数１〜２０の炭化水素基がアルキル基の場合、炭素数が好ましくは１〜１６、より好ましくは１〜１２である。アルキル基の炭素上の水素原子の一部または全部が反応に関与しない基で置換されていてもよい。なお、アルキル基は、直鎖状、分岐状および環状の何れであってもよい。
反応に関与しない基の具体例としては、炭素数が１〜６のアルコキシ基、炭素数が１〜６のアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子等が挙げられる。アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子をより具体的に示せば、メトキシ基、エトキシ基、ヘキソキシ基等のアルコキシ基；メトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；を挙げることができる。
反応に関与しない基で置換されていてもよいアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、デシル基、２−メトキシエチル基、３−エトキシプロピル基、２−メトキシカルボニルエチル基、トリフルオロメチル基、３−クロロプロピル基等が挙げられる。

また、Ｒ^１およびＲ^２で表される炭素数１〜２０の炭化水素基がアリール基の場合、炭化水素環系または複素環系の１価の芳香族有機基を使用できる。アリール基が炭化水素環系の場合、炭素数が好ましくは６〜１８、より好ましくは６〜１４である。それらアリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基等が挙げられる。また、アリール基が複素環系の場合、複素環中のヘテロ原子は硫黄、酸素原子等であり、炭素数が好ましくは４〜１２、より好ましくは４〜８であり、それらアリール基の具体例としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基等が挙げられる。
アリール基の水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。反応に関与しない基の具体例としては、前記のアルキル基の場合に示したもの等を挙げることができる。また、その他の反応に関与しない基として、環上の２つの炭素原子を結合させる２価の基であるオキシエチレン基、オキシエチレンオキシ基等が挙げられる。
反応に関与しない基で置換されていてもよいアリール基の具体例としては、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ヘキシルフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ブトキシフェニル基、オクトキシフェニル基、メチル（メトキシ）フェニル基、フルオロ（メチル）フェニル基、クロロ（メトキシ）フェニル基、ブロモ（メトキシ）フェニル基、２，３−ジヒドロベンゾフラニル基、１，４−ベンゾジオキサニル基等が挙げられる。

さらに、Ｒ^１およびＲ^２で表される炭素数１〜２０の炭化水素基がアラルキル基の場合には、炭素数が好ましくは７〜１９、より好ましくは７〜１５である。アラルキル基の炭素上の水素原子の一部または全部が反応に関与しない基で置換されていてもよい。反応に関与しない基の具体例としては、上記のアルキル基の場合について示したもの等を挙げる
ことができる。
反応に関与しない基で置換されていてもよいアラルキル基の具体例としては、ベンジル基、フェネチル基、２−ナフチルメチル基、９−アントリルメチル基、（４−クロロフェニル）メチル基、１−（４−メトキシフェニル）エチル基等が挙げられる。

また、Ｒ^１およびＲ^２で表される炭素数１〜２０の炭化水素基がアルケニル基の場合には、炭素数が好ましくは２〜１８、より好ましくは２〜１４である。アルケニル基の炭素上の水素原子の一部または全部が反応に関与しない基で置換されていてもよい。反応に関与しない基の具体例としては、前記のアルキル基の場合について示したもの等の他、前記に示したアリール基等を挙げることができる。
反応に関与しない基で置換されていてもよいアルケニル基の具体例としては、ビニル基、２−プロペニル基、３−ブテニル基、５−ヘキセニル基、９−デセニル基、２−フェニルエテニル基、２−（メトキシフェニル）エテニル基、２−ナフチルエテニル基、２−アントリルエテニル基等が挙げられる。

一方、Ｒ^１およびＲ^２で表される炭素数１〜２０の炭化水素基がアルコキシ基の場合は、炭素数が好ましくは１〜１６、より好ましくは１〜１２である。アルコキシ基の炭素上の水素原子の一部または全部が反応に関与しない基で置換されていてもよい。反応に関与しない基の具体例としては、前記のアルキル基の場合について示したもの等を挙げることができる。
反応に関与しない基を有していてもよいアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等が挙げられる。

Ｒ^３で表される炭素数１〜１０の炭化水素基は、炭素数が好ましくは１〜６、より好ましくは１〜３である。炭素数１〜１０の炭化水素基の具体例としては、Ｒ^１およびＲ^２で表される１〜２０の炭化水素基の具体例として挙げたものの中で、炭素数１〜１０のもの等が挙げられる。炭素数１〜１０の炭化水素基は、炭素上の水素原子の一部または全部が反応に関与しない基で置換されていてもよい。反応に関与しない基の具体例としては、Ｒ^１およびＲ^２で表される１〜２０の炭化水素基または炭素数１〜２０のアルコキシ基が有していてもよい反応に関与しない基として示した官能基等が挙げられる。
反応に関与しない基を有していてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、トリフルオロメチル基等が挙げられる。

したがって、それらの炭化水素基等を有する前記一般式（ＩＡ）のアシロキシシランの具体例としては、ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２）、ジアセトキシジエチルシラン（Ｅｔ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２）、ジアセトキシメチルフェニルシラン（ＭｅＰｈＳｉ（ＯＡｃ）_２）、ジアセトキシジフェニルシラン（Ｐｈ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２）、ジアセトキシ（ベンジル）メチルシラン（（ＰｈＣＨ_２）ＭｅＳｉ（ＯＡｃ）_２）、ジアセトキシメチルビニルシラン（ＭｅＶｉＳｉ（ＯＡｃ）_２）、ジアセトキシフェニルビニルシラン（ＰｈＶｉＳｉ（ＯＡｃ）_２）、ジアセトキシジビニルシラン（Ｖｉ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２）、ジアセトキシメチルシラン（ＨＭｅＳｉ（ＯＡｃ）_２）、ジメチルビス（トリフルオロアセトキシ）シラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＣＯＣＦ_３）_２）、メチルフェニルビス（トリフルオロアセトキシ）シラン（ＭｅＰｈＳｉ（ＯＣＯＣＦ_３）_２）等を挙げることができる。

１−２．第１のシラノール
前記第１のアシロキシシランと反応させる第１のシラノールとしては、たとえば、下記一般式（ＩＩＡ１）で表されるシラノール（以下、「シラノール（ＩＩＡ１）」と称することがある。）または下記一般式（ＩＩＡ２）で表されるシラノール（以下、「シラノール（ＩＩＡ２）」と称することがある。）が挙げられる。
Ｒ^４ _ａＲ^５ _ｂＲ^６ _ｃＳｉ（ＯＨ）_{４−（ａ＋ｂ＋ｃ）} （ＩＩＡ１）
ＨＯ（ＳｉＲ^７Ｒ^８Ｏ）_ｄＨ (ＩＩＡ２)
一般式（ＩＩＡ１）中、ａ、ｂ、およびｃは、それぞれ独立に、０以上３以下の整数であり、ａ＋ｂ＋ｃは、０以上３以下の整数である。また、Ｒ^４、Ｒ^５、およびＲ^６は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子である。前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。
さらに、一般式（ＩＩＡ２）中、ｄは、２以上４以下の整数である。また、Ｒ^７およびＲ^８は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、またはヒドロキシ基である。前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。

Ｒ^４〜Ｒ^８で表される炭素数１〜２０の炭化水素基の具体例としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基等が挙げられる。また反応に関与しない基の具体例としては、前記一般式（ＩＡ）中のＲ^１およびＲ^２で表される１〜２０の炭化水素基または炭素数１〜２０のアルコキシ基が有していてもよい反応に関与しない基と同様のものが挙げられる。
炭化水素基中の炭素数に関しては、炭化水素基がアルキル基の場合には、好ましくは１〜１６、より好ましくは１〜１２であり、さらに好ましくは１〜６であり；アリール基の場合には、好ましくは６〜１８、より好ましくは６〜１４であり、さらに好ましくは６〜１０であり；アラルキル基の場合には、好ましくは７〜１９、より好ましくは７〜１５であり；アルケニル基の場合には、好ましくは２〜１８、より好ましくは２〜１４であり、さらに好ましくは２〜８である。
アルキル基、アリール基、アラルキル基およびアルケニル基の具体例としては、前記一般式（ＩＡ）のＲ^１およびＲ^２の説明において示したもの等を挙げることができる。
Ｒ^４〜Ｒ^８で表される炭素数１〜２０のアルコキシ基は、炭素数が、好ましくは１〜１６、より好ましくは１〜１２であり、炭素上の水素原子の一部または全部が反応に関与しない基で置換されていてもよい。反応に関与しない基で置換されていてもよいアルコキシ基の具体例としては、前記一般式（ＩＡ）のＲ^１およびＲ^２の説明において示したもの等を挙げることができる。

したがって、シラノール（ＩＩＡ１）の具体例としては、トリメチルシラノール（Ｍｅ_３ＳｉＯＨ）、トリエチルシラノール（Ｅｔ_３ＳｉＯＨ）、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシラノール（^ｔＢｕＭｅ_２ＳｉＯＨ）、ジメチルフェニルシラノール（Ｍｅ_２ＰｈＳｉＯＨ）、メチルジフェニルシラノール（ＭｅＰｈ_２ＳｉＯＨ）、トリフェニルシラノール（Ｐｈ_３ＳｉＯＨ）、ジメチルシランジオール（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＨ）_２）、ジフェニルシランジオール（Ｐｈ_２Ｓｉ（ＯＨ）_２）、メチルフェニルシランジオール（ＭｅＰｈＳｉ（ＯＨ）_２）、メチルビニルシランジオール（ＭｅＶｉＳｉ（ＯＨ）_２）、フェニルビニルシランジオール（ＰｈＶｉＳｉ（ＯＨ）_２）、メチルシラントリオール（ＭｅＳｉ（ＯＨ）_３）、フェニルシラントリオール（ＰｈＳｉ（ＯＨ）_３）、ビニルシラントリオール（ＶｉＳｉ（ＯＨ）_３）、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラノール（（^ｔＢｕＯ）_３ＳｉＯＨ）、シランテトラオール（Ｓｉ（ＯＨ）_４）等が挙げられる。

また、シラノール（ＩＩＡ２）の具体例としては、１，３−ジヒドロキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（ＨＯ（ＳｉＭｅ_２Ｏ）_２Ｈ）、１，３−ジヒドロキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン（ＨＯ（ＳｉＰｈ_２Ｏ）_２Ｈ）、１，１，１，３，３，３−ヘキサヒドロキシジシロキサン（ＨＯ[Ｓｉ（ＯＨ）_２Ｏ]_２Ｈ）、１，５−ジヒドロキシ−１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルトリシロキサン（ＨＯ（Ｓ
ｉＭｅ_２Ｏ）_３Ｈ）等が挙げられる。

第１のアシロキシシランに対する第１のシラノールのモル比は任意に選ぶことができるが、シロキサン化合物の収率を向上させる観点から、通常０．０１以上５０以下であり、より好ましくは０．０２以上３０以下であり、さらに好ましくは０．０５以上１５以下である。

１−３．触媒
第１のアシロキシシランと第１のシラノールを反応させてシロキサン化合物を製造する第１の反応工程では、反応を促進するために、次の（１）または（２）から選ばれる塩基性化合物を触媒として使用する。
（１）アルカリ金属の炭酸塩または酢酸塩
（２）共役酸のｐＫａが６〜５０である有機化合物、アミジン化合物、グアニジン化合物、脂肪族系の３級もしくは２級アミン、ホスファゼン化合物、または、それらの化合物に由来する基（「基」には「ユニット」を含む。）を有する、ポリマー系もしくは無機系の化合物

（１）の塩基性化合物としては、たとえば、炭酸セシウム、炭酸ルビジウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸リチウム、酢酸セシウム、酢酸ルビジウム、酢酸カリウム、酢酸ナトリウム、酢酸リチウム等が挙げられる。

それらの中で、反応速度の点では、炭酸セシウム、炭酸ルビジウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、酢酸セシウム、酢酸ルビジウム、酢酸カリウム、または酢酸ナトリウムが好ましく、炭酸セシウム、炭酸ルビジウム、炭酸カリウム、酢酸セシウム、酢酸ルビジウム、または酢酸カリウムがより好ましく、炭酸セシウム、または酢酸セシウムがさらに好ましい。

（２）の塩基性化合物としては、たとえば、共役酸のｐＫａが６〜５０である有機化合物が挙げられる。ｐＫａの範囲については、好ましくは７〜４５、より好ましくは７〜４２である。

本明細書において、有機化合物の共役酸のｐＫａは、特に断りのない限り、水中２５℃で測定した数値に基づくものであるが、アセトニトリル等の有機溶媒中２５℃で測定した数値を使用することもできる。
共役酸のｐＫａが６〜５０の有機化合物については、従来公知の各種の文献に示されているものなどが挙げられる。それら文献の具体例としては、たとえば、下記の参考文献（Ａ）〜（Ｅ）が挙げられる。
（Ａ）化学便覧基礎編ＩＩ（改訂４版）、ＩＩ−３１７、丸善、１９９３
（Ｂ）Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅ．Ｓｏｃ．，７９，５４４１（１９５７）
（Ｃ）Ｂｅｉｌｓｔｅｉｎ Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，７，１７３（２０１１）
（Ｄ）Ｅｕｒ．Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４８５２（２００６）
（Ｅ）Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，７０，１０１９（２００５）
（Ｆ）メルク社ホームページのホスファゼン塩基の製品説明（https://www.sigmaaldrich.com/chemistry/chemical-synthesis/technology-spotlights/phosphazenes.html）

したがって、有機化合物の具体例としては（括弧内は、水中での共役酸のｐＫａの数値と前記文献の記号を示す。また、＊は、アセトニトリル中での共役酸のｐＫａの数値を示す。）、トリメチルアミン（９．８０、Ａ）、トリエチルアミン（１０．７２、Ａ）、ジエチルアミン（１０．９８、Ｂ）、ジプロピルアミン（１１．００、Ｂ）、ジブチルアミン（１１．２５、Ｂ）、ジイソプロピルアミン（１１．０５）、ジイソブチルアミン（１
０．５０）、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアミン（１１．２３，Ｂ）、ベンジルメチルアミン（９．５８、Ｂ）、ベンジルエチルアミン（９．６８、Ｂ）、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミン（１１．０１、Ｂ）、ジメチルエチルアミン（９．９９、Ｂ）、メチルジエチルアミン（１０．２９、Ｂ）、ジメチルプロピルアミン（９．９９、Ｂ）、ジメチルブチルアミン（１０．０２、Ｂ）、ジメチルイソブチルアミン（９．９１、Ｂ）、ジメチルイソプロピルアミン（１０．３０、Ｂ）、ジメチル−ｓｅｃ−ブチルアミン（１０．４０、Ｂ）、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルアミン（１０．５２、Ｂ）、トリプロピルアミン（１０．６５、Ｂ）、トリブチルアミン（１０．８９、Ｂ）、ベンジルジメチルアミン（８．９３、Ｂ）、ベンジルジエチルアミン（９．４８、Ｂ）、Ｎ−エチルピペリジン（１０．４０、Ｂ）、Ｎ−エチルモルホリン（７．７０、Ｂ）、Ｎ−メチルピペリジン（１０．０８、Ｂ）、Ｎ−メチルモルホリン（７．４１、Ｂ）、Ｎ−メチルトリメチレンイミン（１０．４０、Ｂ）、Ｎ−メチルピロリジン（１０．４６、Ｂ）、ジイソプロピルエチルアミン（１０．７５、Ｃ）、１−アザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＡＢＣＯ）（１０．７６、Ｄ）、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）（８．７２、Ｄ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）（９．４２、Ｄ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルトリメチレンジアミン（９．８１、Ｄ）、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）（２４．３４＊、Ｅ）、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン（ＭＴＢＤ）（２５．４９＊、Ｅ）、４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）（１７．９５＊、Ｅ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−トリ（ピロリジノ）ホスホラン（ＢＴＰＰ）（２８．４＊，Ｆ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホラン（Ｐ１−ｔ−Ｂｕ）（２６．９＊、Ｆ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチルペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリン（ＢＥＭＰ）（２７．６＊、Ｆ）、ｔｅｒｔ−オクチルイミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホラン（Ｐ１−ｔ−Ｏｃｔ）（２６．５＊、Ｆ）、１−エチル−２，２，４，４，４−ペンタキス（ジメチルアミノ）−２λ^５，４λ^５−カテナジ（ホスファゼン）（Ｐ２−Ｅｔ）（３２．９＊、Ｆ）、１−ｔｅｒｔ−ブチル−２，２，４，４，４−ペンタキス（ジメチルアミノ）−２λ^５，４λ^５−カテナジ（ホスファゼン）（Ｐ２−ｔ−Ｂｕ）（３３．５＊、Ｆ）、１−ｔｅｒｔ−ブチル−４，４，４−トリス（ジメチルアミノ）−２，２−ビス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］−２λ^５，４λ^５−カテナジ（ホスファゼン）（Ｐ４−ｔ−Ｂｕ）（４１．９＊、Ｆ）、１−ｔｅｒｔ−オクチル−４，４，４−トリス（ジメチルアミノ）−２，２−ビス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］−２λ^５，４λ^５−カテナジ（ホスファゼン）（Ｐ４−ｔ−Ｏｃｔ）（４２．７＊、Ｆ）等が挙げられる。

また、（２）の塩基性化合物としては、アミジン化合物、グアニジン化合物、脂肪族系の３級または２級アミン、およびホスファゼン化合物を挙げることもできる。なお、これらの塩基性化合物の共役酸のｐＫａは、特に限定されない。
アミジン化合物、グアニジン化合物、脂肪族系の３級または２級アミン、およびホスファゼン化合物の具体例としては、共役酸のｐＫａが６〜５０である有機化合物として例示した化合物に加え、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（ＤＢＮ）、トリヘキシルアミン、ジイソプロピルメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、ヘキサメチレンテトラミン（ＨＭＴＡ）等が挙げられる。

さらに、（２）の塩基性化合物としては、共役酸のｐＫａが６〜５０の範囲である有機化合物、アミジン化合物、グアニジン化合物、脂肪族系の３級もしくは２級アミン、またはホスファゼン化合物に由来する基を有する有機ポリマー系（以下、「有機系固体塩基」と称することがある。）または無機系の化合物（以下、「無機系固体塩基」と称することがある。）が挙げられ、各種市販品を用いることができる。
それらの具体例としては、トリメチルアミン、ジエチルメチルアミン、ジソプロピルメチルアミン、メチルピペリジン、ＤＢＵ、ＭＴＢＤ、ＢＥＭＰ、または、Ｐ２−ｔ−Ｂｕ
に由来する基等を有する、ポリスチレンゲル（スチレンとジビニルベンゼンの共重合体）、ポリアクリル酸アミド、ポリエチレン、あるいは、シリカゲル等が挙げられる。

有機ポリマー系の化合物について、市販品の具体例を示すと、トリメチルアミン、ジエチルメチルアミン、ジイソプロピルメチルアミン、Ｎ−メチルピペリジン、ＤＢＵ、ＭＴＢＤ、ＢＥＭＰ、または、Ｐ２−ｔ−Ｂｕに由来する基またはユニットを有するものとしては、メルク社より市販されている、それぞれ、製品番号３９２０５、製品番号３１８６６、製品番号５３８７３６、製品番号８０７２３、製品番号５９５１２８、製品番号３５８７５４、製品番号５３６４９０、または、製品番号７１４７７等の化合物が挙げられる。また、アルキル基で置換されたアミノ基を有するポリマーとしては、ダウ・ケミカル社より市販されている、アンバーリストＡ２１等、三菱ケミカル社より市販されている、ＷＡ１０、ＷＡ２１Ｊ等の化合物が挙げられる。

有機ポリマー系の化合物の中では、ジイソプロピルメチルアミン、ＤＢＵ、ＭＴＢＤ、または、ＢＥＭＰに由来する基を有する有機ポリマー系の化合物が好ましく、ＤＢＵ、ＭＴＢＤ、または、ＢＥＭＰに由来する基を有する有機ポリマー系の化合物がより好ましい。

有機系固体塩基は、それ自体を触媒として用いてもよく、シリカ等の無機物に担持させたものを触媒として用いてもよい。また、有機系固体塩基と無機系固体塩基とを複数組み合わせて使用してもよい。さらに、有機系固体塩基または無機系固体塩基は、共役酸のｐＫａが６〜５０の範囲である有機化合物、アミジン化合物、グアニジン化合物、脂肪族系の３級もしくは２級アミン、またはホスファゼン化合物と組み合わせて使用してもよい。

原料に対する触媒量は任意に決めることができるが、原料のアシロキシシランあるいはシラノールに対するモル比（固体塩基の場合、塩基性部位のモル比）または重量比では、通常０．０００１以上、好ましくは０．００１以上、また、通常２以下、好ましくは１以下、より好ましくは０．５以下、さらに好ましくは０．１以下である。

１−４．反応条件
第１の反応工程は、反応温度または反応圧力に応じて、液相または気相状態で行うことができる。また、反応装置の形態としては、バッチ型、フロー型等、従来知られている各種形態で行うことができる。
反応温度は、通常は−２０℃以上、好ましくは−１０〜３００℃、より好ましくは、−１０〜２００℃である。また、第１のアシロキシシランまたは第１のシラノールの反応性を制御するために、室温で反応を行う場合には、室温の温度範囲としては、通常は０〜４０℃、好ましくは５〜４０℃、より好ましくは１０〜３５℃である。
さらに、反応圧力は、通常は、０．１〜１００気圧で、好ましくは０．１〜５０気圧、より好ましくは０．１〜１０気圧である。
反応時間は、原料の量、触媒の量、反応温度、反応装置の形態等に依存するが、生産性および効率を考慮すると、通常は、１分〜７２時間、好ましくは１分〜４８時間、より好ましくは１分〜２４時間程度である。

反応を液相系で行う場合、溶媒の有無にかかわらず実施できるが、溶媒を用いる場合には、デカリン（デカヒドロナフタレン）、デカン等の炭化水素；クロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、１，３−ジクロロベンゼン、１，２，３−トリクロロベンゼン、１，２，４−トリクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素；ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル；アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、メチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド；アセト
ン、メチルイソブチルケトン等のケトン；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド；等、原料または触媒と反応するものを除いた各種の溶媒が使用可能で、２種以上混合して用いることもできる。
また、核磁気共鳴スペクトル分析で、反応液中の生成物を分析する場合、重アセトニトリル、重ベンゼン、重クロロホルム、重テトラヒドロフラン等、重水素化された化合物を反応溶媒として使用することができる。
さらに、反応を気相で行う場合には、窒素等の不活性ガスを混合して反応を行うこともできる。

第１の反応工程は、マイクロ波照射下で行うこともできる。本工程では、原料である第１のアシロキシシランおよび第１のシラノール等の誘電損失係数が比較的大きく、マイクロ波を効率よく吸収するため、マイクロ波照射下では原料、触媒等が活性化され、反応をより効率的に行うことができる。

マイクロ波照射反応では、接触式または非接触式の温度センサーを備えた各種の市販装置等を使用できる。また、マイクロ波照射の出力、キャビティの種類（マルチモード、シングルモード）、照射の形態（連続的、断続的）等は、反応のスケール、種類等に応じて任意に決めることができる。マイクロ波の周波数としては、通常、０．３〜３０ＧＨｚである。その中で好ましいのは、産業、科学、または医療分野で使用するために割り当てられたＩＭＳ周波数帯で、さらにその中でも、２．４５ＧＨｚ帯、５．８ＧＨｚ帯等がより好ましい。

また、マイクロ波照射反応では、反応系をより効率よく加熱するために、マイクロ波を吸収して発熱する加熱材（サセプター）を反応系に添加することができる。加熱材の種類としては、活性炭、黒鉛、炭化ケイ素、炭化チタン等、従来公知の各種のものを使用できる。また、先に記載した触媒と加熱材の粉末を混合して、セピオライト、ホルマイト等の適当なバインダーを利用して焼成加工した成形触媒を用いることもできる。

第１の反応工程は、密閉系の反応装置でも進行するが、反応装置を開放系にして、反応生成物を反応系外に連続的に除去することにより、反応をより効率的に進行させることもできる。

本実施態様において、固体触媒を用いる場合、反応後の触媒の分離および回収は、濾過、遠心分離等の方法により容易に行うことができる。
また、生成したシロキサン化合物の精製も、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の有機化学上通常用いられる手段により容易に達せられる。

２．修飾工程
本実施態様に係る製造方法は、第１の反応工程、または、後述する第２の反応工程、第３の反応工程、もしくは第４の反応工程の反応生成物が、アシロキシ基を有するシロキサン化合物である場合、その反応生成物に修飾剤を反応させることで、アシロキシ基を他の官能基に変換する修飾工程を含んでいてもよい。なお、各反応工程と、反応工程後に行う修飾工程は、精製したシロキサン化合物だけでなく、未精製のシロキサン化合物を用いて行うこともできる。すなわち、シロキサン化合物を含む反応液に、修飾剤を添加して、アシロキシ基を他の置換基にワンポットで変換することが可能である。

修飾工程において使用される修飾剤としては、アシロキシ基と反応するものであればとくに制限はなく、たとえば、水、アルコール等を挙げることができる。
修飾剤として水を用いることで、アシロキシ基をヒドロキシ基に変換することができ、修飾剤としてアルコールを用いることで、アシロキシ基をアルコキシ基に変換することが
できる。
アルコールとしては、たとえば、下記一般式（ＶＡ）で表されるアルコールが挙げられ、当該アルコールとの反応により、アシロキシ基は下記一般式（ＶＩＡ）で表されるアルコキシ基に変換される。
ＲＯＨ （ＶＡ）
−ＯＲ （ＶＩＡ）

一般式（ＶＡ）および（ＶＩＡ）において、Ｒは、炭素数１〜６のアルキル基である。アルキル基の炭素数は好ましくは１〜４、より好ましくは１〜３である。Ｒの具体例としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等を挙げることができる。それらの基を有する一般式（ＶＡ）のアルコールの具体例としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール等を挙げることができる。また、それらの基を有する一般式（ＶＩＡ）で表されるアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基等を挙げることができる。

また、修飾工程において、たとえば水を反応させる場合には、反応を促進するために、塩基性化合物等を共存させて反応を行うこともできる。そのような塩基性化合物としては、有機系および無機系のものが使用可能である。有機系化合物の具体例としては、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、ピリジン、ジメチルアニリン等を挙げることができる。無機系化合物の具体例としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、リン酸カリウム等を挙げることができる。
それらの塩基性化合物は、触媒量であってもよく、各反応工程において使用するものと同一でも異なっていてもよい。触媒として使用する場合、通常は、とくに塩基を添加することなく、水、アルコール等の修飾剤を、ワンポット的に添加することにより、アシロキシ基を、ヒドロキシ基、アルコキシ基等に変換できる。

修飾剤の量は任意に選ぶことができるが、アシロキシ基を有するシロキサン化合物中のアシロキシ基１個に対するモル比として、通常は１以上３０以下、好ましくは１以上２０以下、より好ましくは１以上１０以下である。また、反応温度も任意に選ぶことができるが、通常は−２０℃以上、好ましくは−１０〜３００℃、より好ましくは−１０〜２００℃である。反応時間は、アシロキシ基を有するシロキサン化合物の量、触媒の量、反応温度、反応装置の形態等に依存するが、生産性および効率を考慮すると、通常は、１分〜７２時間、好ましくは１分〜４８時間、より好ましくは１分〜２４時間程度である。

３．その他反応工程
本実施態様に係る製造方法は、第１の反応工程または修飾剤として水を用いた修飾工程の反応生成物がアシロキシ基またはヒドロキシ基を有するシロキサン化合物である場合には、第１の反応工程に準じ、当該反応生成物を、シラノールまたはアシロキシシランと反応させてもよい。また、それにより得られたシロキサン化合物がアシロキシ基またはヒドロキシ基を有している場合も同様である。また、アシロキシ基またはヒドロキシ基を有するシロキサン化合物を環化反応に供してもよい。このように、反応工程、修飾工程等を組み合わせることにより、多種多様なシロキサン化合物を製造することができる。
以下に、本実施態様に係る製造方法が、第１の反応工程以外にも含み得る反応工程の例を説明する。

３−１．第２の反応工程
第１の反応工程の反応生成物がアシロキシ基を有するシロキサン化合物であり、修飾剤
として水を用いた修飾工程により該アシロキシ基をヒドロキシ基に変換すると、シラノール基を有するシロキサン化合物が得られる。本実施態様に係る製造方法は、このシラノール基を有するシロキサンを、触媒の存在下でＳｉ−ＯＣＯ結合を有する第２のアシロキシシランと反応させる第２の反応工程を含んでいてもよい。

第２の反応工程は、第１の反応工程における第１のシラノールを、前記シラノール基を有するシロキサン化合物に変更したものである。従って、第２のアシロキシシランとしては、第１のアシロキシシランと同様のものが挙げられ、好ましい態様も同様である。また、第２の反応工程における触媒および反応条件としては、第１の反応工程における触媒および反応条件を採用することができる。
なお、第１の反応工程、修飾工程、および第２の反応工程を、ワンポットで連続的に行う場合、第２の反応工程の反応系内には、第１の反応工程の触媒が残存している。そのため、第２の反応工程を行う際に、反応系内に触媒をさらに添加してもよいが、触媒をさらに添加することなく、第１の反応工程の触媒をそのまま用いて第２の反応工程を行ってもよい。

３−２．第３の反応工程
第１の反応工程の反応生成物がアシロキシ基を有するシロキサン化合物の場合、このアシロキシ基を有するシロキサン化合物を、触媒の存在下でＳｉ−ＯＨ結合を有する第２のシラノール化合物と反応させる第３の反応工程を行ってもよい。

第３の反応工程は、第１の反応工程における第１のアシロキシシランを、前記アシロキシ基を有するシロキサン化合物に変更したものである。従って、第２のシラノールとしては、第１のシラノールと同様のものが挙げられ、好ましい態様も同様である。また、第３の反応工程における触媒および反応条件としては、第１の反応工程における触媒および反応条件を採用することができる。
なお、第１の反応工程および第３の反応工程を、ワンポットで連続的に行う場合、第３の反応工程の反応系内には、第１の反応工程の触媒が残存している。そのため、第３の反応工程を行う際に、反応系内に触媒をさらに添加してもよいが、触媒をさらに添加することなく、第１の反応工程の触媒をそのまま用いて第３の反応工程を行ってもよい。

３−３．第４の反応工程
第１の反応工程において、第１のアシロキシシランが上記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランであり、第１のシラノールが下記一般式（ＩＩＡ１’）で表されるシラノール（シラノール（ＩＩＡ１）において、ａ＋ｂ＋ｃが３である態様）であり、かつ、第１の反応工程の反応生成物が１分子中にアシロキシ基を１個有するシロキサン化合物である場合、修飾剤として水を用いた修飾工程により、該アシロキシ基をヒドロキシ基に変換してシラノール基を有するシロキサン化合物とした後に、このシラノール基を有するシロキサン化合物と上記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランとを、触媒の存在下で反応させる第４の反応工程を行ってもよい。
Ｒ^４ _ａＲ^５ _ｂＲ^６ _ｃＳｉＯＨ （ＩＩＡ１’）
そして、第４の反応工程の反応生成物が１分子中にアシロキシ基を１個有するシロキサン化合物であれば、さらに修飾剤として水を用いた修飾工程および第４の反応工程を交互に行うことで、配列の制御された所望のオリゴシロキサン化合物またはポリシロキサン化合物を得ることができる。

第４の反応工程は、第１の反応工程における第１のシラノールを、修飾工程により得られた前記シラノール基を有するシロキサン化合物に変更したものである。
第４の反応工程における触媒および反応条件としては、第１の反応工程における触媒および反応条件を採用することができる。
なお、第１の反応工程、修飾工程、第４の反応工程、ならびに必要に応じて修飾工程および第４の反応工程を交互に行う場合であって、これらの一連の反応をワンポットで行う場合、第４の反応工程の反応系内には、第１の反応工程の触媒が残存している。そのため、第４の反応工程を行う際に、反応系内に触媒をさらに添加してもよいが、触媒をさらに添加することなく、第１の反応工程の触媒をそのまま用いて第４の反応工程を行ってもよい。

３−４．環化工程
第１の反応工程において、上記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランと、下記一般式（ＩＩＡ１’’）で表されるシラノール（シラノール（ＩＩＡ１）において、ａおよびｂが、それぞれ独立に０以上２以下の整数であり、ａ＋ｂが０以上２以下の整数である態様）または上記一般式（ＩＩＡ２）で表されるシラノールとを１：２のモル比で反応させ、第１の反応工程の反応生成物としてＲ^３ＣＯ_２−[Ｓｉ]−Ｏ−（Ｓｉ）−Ｏ−[Ｓｉ]−ＯＣＯＲ^３で表される骨格を有するアシロキシ末端シロキサン化合物（[Ｓｉ]は、前記第１のアシロキシシランに由来する下記シリレン基であり；（Ｓｉ）は、前記第１のシラノールに由来する下記シリレン基であり；Ｒ^３は、式（ＩＡ）中のＲ^３と同義である。）を得た場合は、続けて環化工程を行ってもよい。
環化工程では、前記アシロキシ末端シロキサン化合物を水の存在下で反応させることで、一方の末端アシロキシ基がヒドロキシ基に変換し、続いて、触媒の存在下での分子内環化反応により、環状シロキサン化合物を合成する。かかる反応により、下記一般式（ＩＩＩＡ２）の構造を有する環状シロキサン化合物を製造することができる。

環化工程は、修飾剤として水を用いた修飾工程と同様に行うことができる。
また、本工程において用いる触媒としては、第１の反応工程における触媒を採用することができる。
なお、第１の反応工程および環化工程をワンポットで連続的に行う場合、環化工程の反応系内には、第１の反応工程の触媒が残存している。そのため、環化工程を行う際に、反応系内に触媒をさらに添加してもよいが、触媒をさらに添加することなく、第１の反応工程の触媒をそのまま用いて環化工程を行うことができる。

本工程において、添加する水の量は、とくに限定されないが、Ｒ^３ＣＯ_２−[Ｓｉ]−Ｏ−（Ｓｉ）−Ｏ−[Ｓｉ]−ＯＣＯＲ^３の骨格を有するシロキサン化合物に対する収率を考慮すれば、Ｒ^３ＣＯ_２−[Ｓｉ]−Ｏ−（Ｓｉ）−Ｏ−[Ｓｉ]−ＯＣＯＲ^３の１骨格当たり、好ましくは１〜５当量で、より好ましくは１〜３当量である。
また、とくに水を添加しなくても、第１のアシロキシシランと第１のシラノールとの反応を行う際に使用される溶媒に微量の水が含まれる場合は、その水によって分子内環化反応を進行させて、環状構造を有するシロキサン化合物を製造することもできる。

４．反応スキーム
以下に、本実施態様に係る製造方法により、所望のシロキサン化合物を得る際の具体的な反応スキームを示す。

４−１．スキーム１
ジアシロキシシランとシランモノオールとの反応は、たとえば、下記スキーム１で表すことができる。

４−２．スキーム２
アシロキシシランとして、アシロキシ基を２個有する化合物を使用し、シラノールとして、ヒドロキシ基を１〜４個有する化合物を使用する場合、ヒドロキシ基の一部または全部に、アシロキシシランが反応した化合物が生成する。
シラノールの１個のヒドロキシ基に対して、アシロキシ基を２個有するアシロキシシランを当量以上用いて反応させて得られるシロキサン化合物には、反応性のアシロキシ基が１個以上残存するため、適当な修飾剤を反応させて、アシロキシ基を変換したシロキサン化合物を製造することができる。
たとえば、下記スキーム２に示すように、アシロキシ基を２個有するアシロキシシランと、ヒドロキシ基を１個有するシランモノオールの反応で得られるシロキサン化合物（Ａ）において、修飾剤として水を用いた場合には、アシロキシ基をヒドロキシ基に変換したシロキサン化合物であるヒドロキシジシロキサン（Ｂ）が生成する。

４−３．スキーム３
下記のスキーム３に示すように、ジアシロキシシランにシランモノオールを反応させて得られる、１分子中に１個のアシロキシ基を有するシロキサン化合物（Ｃ）に、水を反応させて、アシロキシ基をヒドロキシ基に変換したシロキサン化合物（Ｄ）を製造した後、それをシラノールとして、別のジアシロキシシランを反応させることにより、シロキサン結合の鎖長を伸ばしたシロキサン化合物（Ｅ）が得られる。
このシラノールおよびジアルコキシシランの反応工程と水による修飾工程とを繰り返して行うことにより、シロキサン結合の鎖長を順次伸ばすことが可能である。たとえば、末端ケイ素原子上にアシロキシ基またはヒドロキシ基を有するテトラシロキサン化合物の（Ｇ）または（Ｈ）を得ることができる。
シラノールおよびジアルコキシシランの反応工程と修飾工程とを繰り返して行う工程は、ワンポット的な方法で行うことが可能であり、極めて簡便な操作で、配列を制御したオリゴシロキサン化合物を製造できる。

４−４．スキーム４
スキーム３に示したような、シラノールおよびジアルコキシシランの反応工程と修飾工程とを繰り返す工程において、アシロキシシランとしてトリアシロキシシランを用いることもできる。たとえば、スキーム４に示すように、スキーム３のシラノール（Ｄ）に、トリアシロキシシランとシランモノオールを反応させて得られるジアシロキシジシロキサン（Ｊ）を反応させることにより、内部ケイ素原子上にアシロキシ基を有するテトラシロキサン（Ｋ）を得ることができる。さらに、水による修飾工程を行うことで、内部ケイ素原子上にアシロキシ基を有するテトラシロキサン（Ｌ）を得ることもできる。

４−５．スキーム５
前記一般式（ＩＡ）のアシロキシシランと前記一般式（ＩＩＡ２）のシラノールを、１：１のモル比で反応させた場合、一般式（ＩＩＩＡ１）で表される環状シロキサン化合物を製造できる。

この反応では、まず、片方の末端ケイ素原子上にアシロキシ基が結合し、もう片方の末端ケイ素原子にはヒドロキシ基が結合したシロキサン化合物が生成すると考えられる。次いで、このシロキサン化合物は、分子内でアシロキシ基とヒドロキシ基が反応して、環状シロキサン化合物を与える。たとえば、前記一般式（ＩＩＡ２）において、ｄ＝２の場合は、アシロキシ基とヒドロキシ基を有するトリシロキサン化合物が生成した後、分子内環化反応を起こし、シクロトリシロキサン化合物が生成する。

４−６．スキーム６
同様の環状シロキサン化合物は、次のプロセスによっても製造できる。
前記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランと、下記一般式（ＩＩＡ１’’）で表されるシラノール（シラノール（ＩＩＡ１）において、ａおよびｂが、それぞれ独立に０以上２以下の整数であり、ａ＋ｂが０以上２以下の整数である態様）または上記一般式（ＩＩＡ２）表されるシラノールとを２：１のモル比で反応させて、Ｒ^３ＣＯ_２−[Ｓｉ]−Ｏ−（Ｓｉ）−Ｏ−[Ｓｉ]−ＯＣＯＲ^３で表される骨格を有するシロキサン化合物を製造し、そのシロキサン化合物を水及び触媒の存在下で反応させることにより、下記一般式（ＩＩＩＡ２）の構造を有する環状シロキサン化合物を製造できる。
Ｒ^４ _ａＲ^５ _ｂＳｉ（ＯＨ）_{４−（ａ＋ｂ）} （ＩＩＡ１’’）

なお、[Ｓｉ]−Ｏ−（Ｓｉ）−Ｏ−[Ｓｉ]は、シラノールのヒドロキシ基１個に対して１分子中に２個のアシロキシ基を有するアシロキシシランが１分子反応して生成する構造であり、[Ｓｉ]および（Ｓｉ）は、それぞれ、アシロキシシランおよびシラノールに由来するシリレン基を示す。

たとえば、ジアシロキシランとシランジオールの反応では、次のスキーム６に示すように、それらを１：１のモル比で反応させる場合、ジシロキサン型化合物（Ｍ）が生成するが、それらを２：１のモル比で反応させる場合は、そのジシロキサン化合物（Ｍ）に、ジアシロキシシランがさらに反応して、両末端にアシロキシ基を有するトリシロキサン化合物（Ｎ）が生成する。
このトリシロキサン化合物（Ｎ）は、水および触媒の存在下で反応させると、片方のアシロキシ基がヒドロキシ基に変換されるとともに、分子内環化反応が進行して、環状シロキサン化合物（Ｏ）が生成する。

環状シロキサン化合物の（Ｏ）を製造する際は、いったん（Ｎ）を精製してからそれに水を添加して反応させることもできるが、（Ｎ）を精製せずに、（Ｎ）を含む反応液に水を添加することにより、ワンポットで水を連続的に反応させて（Ｏ）を製造することもできる。

５．シロキサン化合物
以下、本実施態様に係る製造方法により製造されるシロキサン化合物について、より具体的に説明する。
第１のアシロキシシランおよび第１のシラノールが、それぞれ、前記一般式（ＩＡ）、および、前記一般式（ＩＩＡ１）または（ＩＩＡ２）で表される化合物である場合には、前記一般式（ＩＩＡ１）または（ＩＩＡ４）のヒドロキシ基の水素原子の一部または全部を、１価のシリル基のＲ^１ _ａＲ^２ _ｂ（Ｒ^３ＣＯ_２）_{３−（ａ＋ｂ）}Ｓｉ基（ａ、ｂ、Ｒ^１、Ｒ^２、およびＲ^３は、前記と同義である。）で置換した構造のシロキサン化合物を製造することができる。

したがって、前記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランと前記一般式（ＩＩＡ１）で表されるシラノールの反応で製造されるシロキサン化合物の具体例としては、１−アセトキシ−１，１−ジメチル−３，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈ_３）、１−アセトキシ−３，３，３−トリエチル−１，１−ジメチルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＥｔ_３）、１−アセトキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉ^ｔＢｕＭｅ_２）、１−アセトキシ−１，１，３，３−テトラメチル−３−フェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）、１−アセトキシ−１，１，３−トリメチル−３，３−ジフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＭｅＰｈ_２）、１−アセトキシ−１−メチル−１，３，３，３−テトラフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＰｈ_３）、１−アセトキシ−３，３，３−トリエチル−１−メチル−１−フェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＥｔ_３）、１−アセトキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３，３−トリメチル−１−フェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉ^ｔＢｕＭｅ_２）、１−アセトキシ−１，３，３−テトラメチル−１，３
−ジフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）、１−アセトキシ−１，３−ジメチル−１，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＭｅＰｈ_２）、１−アセトキシ−３，３，３−トリエチル−１，１−ジフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉＥｔ_３）、１−アセトキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−３，３−ジメチル−１，１−ジフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉ^ｔＢｕＭｅ_２）、１−アセトキシ−３，３−ジメチル−１，１，３−トリフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）、１−アセトキシ−３−メチル−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉＭｅＰｈ_２）、１−アセトキシ−１，３，３，３−テトラフェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＰｈ_３）、１−アセトキシ−３，３，３−トリエチル−１−フェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＥｔ_３）、１−アセトキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−３，３−ジメチル−１−フェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉ^ｔＢｕＭｅ_２）、１−アセトキシ−３，３−ジメチル−１，３−ジフェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）、１−アセトキシ−３−メチル−１，３，３−トリフェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＭｅＰｈ_２）、１−アセトキシ−３−ヒドロキシ−１，１−ジメチル−３，３−ジフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈ_２（ＯＨ））、１，５−ジアセトキシ−１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジフェニルトリシロキサン（［（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯ］_２ＳｉＰｈ_２）、１−アセトキシ−１，１，３，３，３−ペンタメチルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＭｅ_３）、１−アセトキシ−１，１，３，３，３−ペンタフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉＰｈ_３）、１−アセトキシ−１，３，３，３−テトラメチル−１−フェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＭｅ_３）、１−アセトキシ−３，３，３−トリメチル−１−フェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＭｅ_３）、１−アセトキシ−３，３，３−トリメチル−１，１−ジフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉＭｅ_３）、１，５−ジアセトキシ−１，１，５，５−テトラメチル−３−フェニル−３−ビニルトリシロキサン（［（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯ］_２ＳｉＰｈＶｉ）、１−アセトキシ−３−ヒドロキシ−１，１−ジメチル−３−フェニル−３−ビニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈＶｉ（ＯＨ））、１，５−ジアセトキシ−１，１，３，５，５−ペンタメチル−３−フェニルトリシロキサン（ＭｅＰｈＳｉ［ＯＳｉＭｅ_２（ＯＡｃ）］_２）、トリス（アセトキシジメチルシロキシ）フェニルシラン（ＰｈＳｉ［ＯＳｉＭｅ_２（ＯＡｃ）］_３）等を挙げることができる。

さらに、前記の方法で得られるシロキサン化合物にアシロキシ基（−ＯＣＯＲ^３）が残存している場合、修飾工程として、たとえば水を反応させて、残存しているアシロキシ基をヒドロキシ基に変換したシロキサン化合物を製造することができる。

たとえば、前記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランと、前記一般式（ＩＩＡ）で表されるシラノールを反応させて得られるシロキサン化合物に、水を反応させて得られるシロキサン化合物の具体例としては、１，１−ジメチル−１−ヒドロキシ−３，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈ_３）、１，１，１−トリエチル−３−ヒドロキシ−３，３−ジメチルジシロキサン（（ＨＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＥｔ_３）、１−ｔｅｒｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（（ＨＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉ^ｔＢｕＭｅ_２）、１−ヒドロキシ−１，１，３，３−テトラメチル−３−フェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）、１−ヒドロキシ−１，１，３−トリメチル−３，３−ジフェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＭｅＰｈ_２）、１−ヒドロキシ−１−メチル−１，３，３，３−テトラフェニルジシロキサン（（ＨＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＰｈ_３）、１，１，１−トリエチル−３−ヒドロキシ−３−メチル−３−フェニルジシロキサン（（ＨＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＥｔ_３）、１−ｔｅｒｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−１，１，３−トリメチル−３−フェニ
ルジシロキサン（（ＨＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉ^ｔＢｕＭｅ_２）、１−ヒドロキシ−１，３，３−トリメチル−１，３−ジフェニルジシロキサン（（ＨＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）、１−ヒドロキシ−１，３−ジメチル−１，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＨＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＭｅＰｈ_２）、１，１，１−トリエチル−３−ヒドロキシ−３，３−ジフェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉＥｔ_３）、１−ｔｅｒｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−１，１−ジメチル−３，３−ジフェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉ^ｔＢｕＭｅ_２）、１−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−１，１，３−トリフェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）、１−ヒドロキシ−３−メチル−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉＭｅＰｈ_２）、１−ヒドロキシ−１，３，３，３−テトラフェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＨＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＰｈ_３）、１，１，１−トリエチル−３−ヒドロキシ−３−フェニル−３−ビニルジシロキサン（（ＨＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＥｔ_３）、１−ｔｅｒｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−１，１−ジメチル−３−フェニル−３−ビニルジシロキサン（（ＨＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉ^ｔＢｕＭｅ_２）、１−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−１，３−ジフェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＨＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）、１−ヒドロキシ−３−メチル−１，３，３−トリフェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＨＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＭｅＰｈ_２）等を挙げることができる。

また、前記一般式（ＩＡ）のアシロキシシランに対して、前記一般式（ＩＩＡ２）のシラノールを１当量用いて反応させる場合には、前記一般式（ＩＩＩＡ１）で表される環状シロキサン化合物が生成する。たとえば、前記一般式（ＩＩＡ２）において、ｄ＝２の場合には、前記スキーム５に示すように、前記一般式（ＩＡ）と前記一般式（ＩＩＡ２）の反応で生成するアシロキシ基とヒドロキシ基を有するトリシロキサン化合物が、分子内環化反応により、シクロトリシロキサン化合物を与える

それらシクロトリシロキサンの具体例としては、１，１−ジメチル−３，３，５，５−テトラフェニルシクロトリシロキサン（（ＳｉＭｅ_２Ｏ）（ＳｉＰｈ_２Ｏ）_２）、１，３，３，５，５−ペンタメチル−１−ビニルシクロトリシロキサン（（ＳｉＭｅＶｉＯ）（ＳｉＭｅ_２Ｏ）_２）、１，１，３，３−テトラメチル−５−フェニル−５−ビニルシクロトリシロキサン（（ＳｉＰｈＶｉＯ）（ＳｉＭｅ_２Ｏ）_２）等を挙げることができる。

さらに、アシロキシシランが前記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランであり、シラノールが前記一般式（ＩＩＡ１）で表されるシラノールで、かつｄ＋ｅ＝０、１、または２、およびｆ＝０を満たすシラノールである反応の場合、ＲＣＯ_２−[Ｓｉ]−Ｏ−（Ｓｉ）−Ｏ−[Ｓｉ]−ＯＣＯＲの骨格を有するシロキサン化合物（シラノールのヒドロキシ基１個に対してアシロキシシランが１分子反応して生成する構造で、[Ｓｉ]および（Ｓｉ）は、それぞれ、アシロキシシランおよびシラノールに由来する２価のシリレン基を示す。）が生成するが、これに水を反応させることにより、分子内環化反応が進行して、前記一般式（ＩＩＩＡ２）で表されるシクロトリシロキサン構造を有するシロキサン化合物を製造することができる。

前記のＲＣＯ_２−[Ｓｉ]−Ｏ−（Ｓｉ）−Ｏ−[Ｓｉ]−ＯＣＯＲの骨格を有する化合物の具体例としては、１，５−ジアセトキシ−１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジフェニルトリシロキサン（Ｐｈ_２Ｓｉ［ＯＳｉＭｅ_２（ＯＡｃ）］_２）、１，５−ジアセトキシ−１，１，３，５，５−ペンタメチル−３−フェニルトリシロキサン（ＭｅＰｈＳｉ［ＯＳｉＭｅ_２（ＯＡｃ）］_２）、１，１，５，５−テトラアセトキシ−１，５−ジメチル−３，３−ジフェニルトリシロキサン（Ｐｈ_２Ｓｉ［ＯＳｉＭｅ（ＯＡｃ）_２］_２）、テトラキス（アセトキシジメチルシロキシ）シラン（Ｓｉ［ＯＳｉＭｅ_２（ＯＡｃ）］_４）、１，７−ジアセトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−３，３，５，５−テトラフェニルテトラシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯ（ＳｉＰｈ_２Ｏ）_２ＳｉＭｅ_２（Ｏ
Ａｃ））等を挙げることができる。

また、それらの反応により製造される一般式（ＩＩＩＡ２）のシロキサン化合物の具体例としては、１，１，３，３−テトラメチル−５，５−ジフェニルシクロトリシロキサン（（ＳｉＭｅ_２Ｏ）_２（ＳｉＰｈ_２Ｏ））、１，１，３，３−テトラメチル−５−ジフェニル−５−ビニルシクロトリシロキサン（（ＳｉＭｅ_２Ｏ）_２（ＳｉＰｈＶｉＯ））、１，１，３，３，５−ペンタメチル−５−フェニルシクロトリシロキサン（（ＳｉＭｅＰｈＯ）（ＳｉＭｅ_２Ｏ）_２）、１，３，３，５，５−ペンタメチル−１−ビニルシクロトリシロキサン（（ＳｉＭｅＶｉＯ）（ＳｉＭｅ_２Ｏ）_２）、１，１，３，３−テトラメチル−５，５，７，７−テトラフェニルシクロテトラシロキサン（（ＳｉＭｅ_２Ｏ）_２（ＳｉＰｈ_２Ｏ）_２）等を挙げることができる。

また、本実施態様に係る製造方法等により、下記一般式（ＩＩＩＢ１）〜（ＩＩＩＢ４）で表されるシロキサン化合物が提供される。
Ｒ^９Ｒ^１０Ｒ^１１Ｓｉ−Ｏ−ＳｉＲ^１２Ｒ^１３Ｘ^１ （ＩＩＩＢ１）
Ｒ^１４Ｒ^１５Ｒ^１６Ｓｉ−Ｏ−ＳｉＲ^１７Ｒ^１８−Ｏ−ＳｉＲ^１９Ｒ^２０Ｘ^２ （ＩＩＩＢ２）
Ｒ^２１Ｒ^２２Ｒ^２３Ｓｉ−Ｏ−ＳｉＲ^２４Ｒ^２５−Ｏ−ＳｉＲ^２６Ｒ^２７−Ｏ−ＳｉＲ^２８Ｒ^２９Ｘ^３ （ＩＩＩＢ３）
Ｒ^３０Ｒ^３１Ｒ^３２Ｓｉ−Ｏ−ＳｉＲ^３３Ｒ^３４−Ｏ−ＳｉＲ^３５Ｘ^４−Ｏ−ＳｉＲ^３６Ｒ^３７Ｒ^３８ （ＩＩＩＢ４）

これら式中、Ｒ^９〜Ｒ^３８は、それぞれ独立に、メチル基、エチル基、フェニル基、および、ビニル基の中から選ばれる基であり、Ｘ^１〜Ｘ^４は、それぞれ独立に、アセトキシ基、トリフルオロアセトキシ基、またはヒドロキシ基である。

６．シロキサン化合物の用途
本実施態様に係る製造方法等により提供されるシロキサン化合物の中で、反応性が高い、アシロキシ基またはヒドロキシ基を有しているシロキサン化合物は、合成中間体、表面処理剤、ゾルゲル材料の原料等、機能性化学品として高い利用価値を有する。また、ポリマー性シロキサン化合物（ポリシロキサン）が生成する場合は、シリコーン系機能性材料として使用できる。

たとえば、本実施態様に係る製造方法により製造されるシロキサン化合物にアシロキシ基またはヒドロキシ基が存在している場合は、それらの基がガラス等の固体表面と反応性を有しているため、それらのシロキサン化合物を含有する組成物は、固体材料等の表面処理剤として用いることができる。表面処理においては、反応性が高いアシロキシ基が有利で、表面処理に適したアシロキシ基としては、アセトキシ基、トリフルオロアセトキシ基等が挙げられる。
それらのアシロキシ基が存在するシロキサン化合物を用いた表面処理は、固体表面との反応効率が高いため、ガラス等の固体材料に対して、一般に、室温で数分程度の温和な条件下で迅速に表面処理を行うことが可能である。加えて、使用するシロキサン化合物の種類に応じて、固体材料表面の親水性または疎水性を容易に制御することができる。
また、表面処理剤は、本実施態様に係る製造方法により製造されるシロキサン化合物を含有する組成物からなるところ、当該組成物は、単一のシロキサン化合物だけでなく、複数の種類のシロキサン化合物を含んでいてよい。
さらに、本実施態様に係るシロキサン化合物の製造方法では、入手容易な原料から、さまざまなシロキサン化合物を温和な条件下で簡便に製造できるため、生成したシロキサン化合物を含む反応液をそのまま表面処理剤として使用し、固体材料の表面を処理することもできる。
シロキサン化合物を含有する組成物は、必要に応じて、トルエン、ヘキサン、アセトン等のシロキサン化合物と反応しない有機溶剤を含有してもよい。
固体材料の表面処理の方法については、ディップ法（浸漬法）、キャスト法、スピンコート法、スプレーコート法等、従来公知の各種の方法により行うことができる。

次に、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はそれらの実施例に限定されるものではない。
なお、以下の実施例で使用した主な分析装置等は、以下の通りである。
・核磁気共鳴スペクトル分析（以下、ＮＭＲと称する場合がある。）：ブルカー製 ＡＶＡＮＣＥ III ＨＤ ６００ＭＨｚ（クライオプローブ装着）
・ガスクロマトグラフ分析（以下、ＧＣと称する場合がある。）：島津製作所製 ＧＣ−２０１４
・ガスクロマトグラフ質量分析（以下、ＧＣ−ＭＳと称する場合がある。）：島津製作所製 ＧＣＭＳ−ＱＰ２０１０Ｐｌｕｓ
・高分解能飛行時間型質量分析（以下、ＨＲ−ＴＯＦ−ＭＳと称する場合がある。）：ブルカー製 ｍｉｃｒＯＴＯＦII
・ショートパス蒸留：柴田科学製 ガラスチューブオーブンＧＴＯ−３５０ＲＤ
・分取ゲル浸透クロマトグラフ（以下、分取ＧＰＣと称する場合がある。）：日本分析工業製 ＬＣ−９０８
・接触角測定：協和界面科学製 自動接触角計ＤＭｅ−２０１

また、以下の実施例で使用したアシロキシシラン、シラノール、塩基性化合物等は、いずれも、市販品を用いて、容易に入手または製造できるものである。
たとえば、アシロキシシランのジアセトキシメチルフェニルシラン（ＭｅＰｈＳｉ（ＯＡｃ）_２）、ジアセトキシフェニルビニルシラン（ＰｈＶｉＳｉ（ＯＡｃ）_２）、および、ジアセトキシジフェニルシラン（Ｐｈ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２）、シラノールのメチルジフェニルシラノール（ＭｅＰｈ_２ＳｉＯＨ）、フェニルビニルシランジオール（ＰｈＶｉＳｉ（ＯＨ）_２）は、次の合成例等により、容易に製造できる。

（合成例１）
メチルジ（メトキシ）フェニルシラン（ＭｅＰｈＳｉ（ＯＭｅ）_２） １８ｍｍｏｌ、無水酢酸 ４５ｍｍｏｌ、および、ゼオライトＣＢＶ７８０（ゼオリスト社製） ７５ｍｇを反応容器に入れ、６０℃で３０分撹拌した。触媒を濾別後、トルエンで洗浄した（０．８ｍＬで１回）。濾液と洗浄液を合わせて減圧下で濃縮して、ショートパス蒸留（１００−１１０℃／１．５ｍｍＨｇ）を行った結果、ジアセトキシメチルフェニルシラン（ＭｅＰｈＳｉ（ＯＡｃ）_２）が、１６．４ｍｍｏｌ（収率９１％）得られた。
得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.83 (s, 3H, SiCH₃), 2.14 (s, 6H, COCH₃), 7.39-7.51 and 7.76-7.71 (each m, 5H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -3.0, 22.6, 128.1, 131.0, 131.3, 134.0, 170.6
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -11.7
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 223 (M⁺-15 (Me), 67), 181 (70), 161 (30), 139 (100), 137 (34), 121 (11), 119 (95), 91 (17), 77 (51), 45 (27), 43 (23)

（合成例２）
ジ（エトキシ）フェニルビニルシラン（ＰｈＶｉＳｉ（ＯＥｔ）_２） １２ｍｍｏｌ、無水酢酸 ３０ｍｍｏｌ、および、ゼオライトＣＢＶ７８０（ゼオリスト社製） １００ｍｇを反応容器に入れ、１００℃で２０分撹拌した。触媒を濾別後、トルエンで洗浄した（０．８ｍＬで１回）。濾液と洗浄液を合わせて減圧下で濃縮して、ショートパス蒸留（
１３０−１４０℃／１．５ｍｍＨｇ）を行った結果、ジアセトキシフェニルビニルシラン（ＰｈＶｉＳｉ（ＯＡｃ）_２）が、１０．８ｍｍｏｌ（収率９０％）得られた。
得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 2.18 (s, 6H, COCH₃), 6.13 (dd, J = 19.7, 4.0 Hz, 1H, SiCH=CH^a H ^b), 6.36 (dd, J = 15.1, 4.0 Hz, 1H, SiCH=CH ^aH^b), 6.42 (dd, J = 19.7, 15.1 Hz, 1H, SiCH=CH₂), 7.40-7.52 and 7.74-7.79 (each m, 5H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ 22.6, 128.1, 128.99, 129.00, 131.5, 134.8, 139.4, 170.3
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -29.7
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 250 (M⁺, 0.54), 223 (45), 190 (39), 181 (71), 173 (21), 149 (17), 148 (12), 139 (100), 131 (58), 123 (18), 121 (16), 104 (11), 89 (26), 77 (17), 45 (25), 43 (25)

（合成例３）
ジ（メトキシ）ジフェニルシラン（Ｐｈ_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２） １２ｍｍｏｌ、無水酢酸 ３０ｍｍｏｌ、および、ゼオライトＣＢＶ７８０（ゼオリスト社製） ２４０ｍｇを反応容器に入れ、１２０℃で３０分撹拌した。触媒を濾別後、トルエンで洗浄した（０．８ｍＬで２回）。濾液と洗浄液を合わせて減圧下で濃縮して、ショートパス蒸留（１５０−１６０℃／０．６ｍｍＨｇ）を行った結果、ジアセトキシジフェニルシラン（Ｐｈ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２）が、１１．３ｍｍｏｌ（収率９４％）得られた。
得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 2.23 (s, 6H, COCH₃), 7.45-7.57 and 7.84-7.89 (each m, 10H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ 22.7, 128.2, 129.3, 131.6, 135.3, 170.1
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -29.2
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 300 (M⁺, 0.12), 223 (100), 199 (14), 181 (97), 139 (87), 77 (15), 45 (11), 43 (11)

（合成例４）
（エトキシ）メチルジフェニルシラン（ＭｅＰｈ_２Ｓｉ（ＯＥｔ）） １３．４ｍｍｏｌ、水 １３４ｍｍｏｌ、ゼオライトＣＢＶ７８０（ゼオリスト社製） ８０ｍｇ、および、アセトニトリル ８ｍＬを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で１．５時間撹拌した。触媒を濾別後、アセトニトリルで洗浄した（０．５ｍＬで１回）。濾液と洗浄液を合わせて減圧下で濃縮して、ショートパス蒸留（１２５−１３５℃／０．５ｍｍＨｇ）を行った結果、メチルジフェニルシラノール（ＭｅＰｈ_２ＳｉＯＨ）が、１２．７ｍｍｏｌ（収率９５％）得られた。
得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.68 (s, 3H, CH₃), 3.75 (br s, 1H, OH), 7.41-7.52 and 7.65-7.69 (each m, 10H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -1.1, 128.0, 130.0, 134.2, 137.2
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -2.8
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 214 (M⁺, 15), 199 (100), 137 (15), 77 (14)

（合成例５）
ジ（エトキシ）フェニルビニルシラン（ＰｈＶｉＳｉ（ＯＥｔ）_２） １ｍｍｏｌ、水
２０ｍｍｏｌ、ゼオライトＣＢＶ７８０（ゼオリスト社製） ６ｍｇ、および、アセトニトリル ０．８ｍＬを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で１５分撹拌した。触媒を濾別後、アセトニトリルで洗浄した（０．５ｍＬで１回）。濾液と洗浄液を合わせて、約０℃付近で減圧下濃縮した結果、フェニルビニルシランジオール（ＰｈＶｉＳｉ（ＯＨ）_２）が、０．４５ｍｍｏｌ（収率９０％）得られた。
得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CD₃CN): δ 4.41 (s, 2H, OH), 5.90 (dd, J = 20.3, 4.2 Hz, 1H, SiCH=CH^a H ^b), 6.10 (dd, J = 15.0, 4.2 Hz, 1H, SiCH=CH ^aH^b), 6.20 (dd, J = 20.3, 15.0 Hz, 1H, SiCH=CH₂), 7.39-7.47 and 7.64-7.67 (each m, 5H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CD₃CN): δ 128.8, 130.9, 135.0, 135.4, 136.4, 137.4
²⁹Si-NMR (CD₃CN): δ -32.6
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 166 (M⁺, 22), 139 (100), 121 (19), 104 (81), 89 (13), 78 (15), 77 (23), 63 (18), 51 (17), 45 (22)

以下、それらのアシロキシシラン、シラノール等を用いて行ったシロキサン化合物の製造等に関する実施例を示す。

（実施例１）
ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） １．３ｍｍｏｌ、トリフェニルシラノール（Ｐｈ_３ＳｉＯＨ） １．２ｍｍｏｌ、炭酸セシウム ０．０１２ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ２ｍＬを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で１時間、振とう攪拌した。生成物の構造をＧＣ、ＧＣ−ＭＳ、およびＮＭＲで分析して、生成物の収率をＮＭＲで測定した結果、１−アセトキシ−１，１−ジメチル−３，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈ_３）が、９４％の収率で生成したことがわかった（表１−１）。また、その生成物のＮＭＲ等の測定結果は表２−１の通りであった。

（実施例２〜１０１）
反応条件（原料、触媒の種類、溶媒、温度、時間等）を変えて、実施例１と同様に反応および分析を行い、生成物の収率をＮＭＲで測定した結果を表１−１〜表１−６に示す。また、それらの生成物のＮＭＲおよび／またはＧＣ−ＭＳの測定結果は表２−１および表２−２の通りであった。

表１−１〜表１−６中の注釈を以下に示す。
1) Me₂Si(OAc)₂：ジアセトキシジメチルシラン
MePhSi(OAc)₂：ジアセトキシメチルフェニルシラン
PhViSi(OAc)₂：ジアセトキシフェニルビニルシラン
Ph₂Si(OAc)₂：ジアセトキシジフェニルシラン
2) Ph₃SiOH：トリフェニルシラノール
Me₃SiOH：トリメチルシラノール
Et₃SiOH：トリエチルシラノール
^tBuMe₂SiOH：tert-ブチルジメチルシラノール
Me₂PhSiOH：ジメチルフェニルシラノール
MePh₂SiOH：メチルジフェニルシラノール
Ph₂Si(OH)₂：ジフェニルシランジオール
PhViSi(OH)₂：フェニルビニルシランジオール
HO(SiPh₂O)₂H：1,3-ジヒドロキシ-1,1,3,3-テトラフェニルジシロキサン
HO(SiMe₂O)₂H：1,3-ジヒドロキシ-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン
3) Cs₂CO₃：炭酸セシウム
K₂CO₃：炭酸カリウム
Na₂CO₃：炭酸ナトリウム
AcOCs：酢酸セシウム
AcORb：酢酸ルビジウム
AcOK：酢酸カリウム
AcONa：酢酸ナトリウム
AcOLi：酢酸リチウム
Et₃N：トリエチルアミン
Pr₃N：トリプロピルアミン
Bu₃N：トリブチルアミン
Hex₃N：トリヘキシルアミン
ⁱPrMe₂N：イソプロピルジメチルアミン
ⁱPr₂MeN：ジイソプロピルメチルアミン
ⁱPr₂EtN：ジイソプロピルエチルアミン
Et₂NH：ジエチルアミン
Bu₂NH：ジブチルアミン
Cy₂MeN：ジシクロヘキシルメチルアミン
TMEDA：N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン
ABCO：1-アザビシクロ[2.2.2]オクタン
DABCO：1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン
HMTA：ヘキサメチレンテトラミン
DMAP：ジメチルアミノピリジン
DBU：1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン
DBN：1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン
MTBD：7-メチル-1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エン
BTPP：tert-ブチルイミノ-トリ(ピロリジノ)ホスホラン
P2-t-Bu：1-tert-ブチル-2,2,4,4,4-ペンタキス(ジメチルアミノ)-2λ⁵,4λ⁵-カテナジ(ホスファゼン)
P4-t-Bu：1-tert-ブチル-4,4,4-トリス(ジメチルアミノ)-2,2-ビス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]-2λ⁵,4λ⁵-カテナジ(ホスファゼン)
PhNH₂：アニリン
PhNMe₂：ジメチルアニリン
Py：ピリジン
MTBD-Pol：MTBDユニット含有ポリマー（メルク社製、製品番号358754）
BEMP-Pol：BEMPユニット含有ポリマー（メルク社製、製品番号536490）
DBU-Pol：DBUユニット含有ポリマー（メルク社製、製品番号595128）
ⁱPr₂N-Pol：ジイソプロピルアミノ基含有ポリマー（メルク社製、製品番号538736）
Amberlyst A21：ジメチルアミノ基含有ポリマー（ダウ・ケミカル社製、アンバーリストA21）
WA10：ジメチルアミノ基含有ポリマー（三菱ケミカル社製、ダイヤイオンWA10）
WA21J：アミノ基含有ポリマー（三菱ケミカル社製、ダイヤイオンWA21J）（ポリマー系の化合物は、減圧下、80℃で乾燥したものを使用）
4) 触媒が低分子の場合のモル数。触媒がポリマーの場合は、塩基性ユニットのモル数（三菱ケミカル製ダイヤイオン以外）または酸吸着量のモル数（三菱ケミカル製ダイヤイオン）。

5) CD₃CN：重アセトニトリル
Me₂CO：アセトン
MeCN：アセトニトリル
EtCN：プロピオニトリル、
DMF：N,N-ジメチルホルムアミド
DMAc：N,N-ジメチルアセトアミド
DMSO：ジメチルスルホキシド
NMP：N-メチル-2-ピロリドン
6) 25℃は、室温での反応を示す。
7) (AcO)Me₂SiOSiPh₃：1-アセトキシ-1,1-ジメチル-3,3,3-トリフェニルジシロキサン
(AcO)Me₂SiOSiMe₃：1-アセトキシ-1,1,3,3,3-ペンタメチルジシロキサン
(AcO)Me₂SiOSiEt₃：1-アセトキシ-3,3,3-トリエチル-1,1-ジメチルジシロキサン
(AcO)Me₂SiOSi^tBuMe₂：1-アセトキシ-3-tert-ブチル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン
(AcO)Me₂SiOSiMe₂Ph：1-アセトキシ-1,1,3,3-テトラメチル-3-フェニルジシロキサン
(AcO)Me₂SiOSiMePh₂：1-アセトキシ-1,1,3-トリメチル-3,3-ジフェニルジシロキサン
(AcO)MePhSiOSiMe₃：1-アセトキシ-1,3,3,3-テトラメチル-1-フェニルジシロキサン
(AcO)MePhSiOSiEt₃：1-アセトキシ-3,3,3-トリエチル-1-メチル-1-フェニルジシロキサン
(AcO)MePhSiOSi^tBuMe₂：1-アセトキシ-3-tert-ブチル-1,3,3-トリメチル-1-フェニルジシロキサン
(AcO)MePhSiOSiMe₂Ph：1-アセトキシ-1,3,3-トリメチル-1,3-ジフェニルジシロキサン
(AcO)MePhSiOSiMePh₂：1-アセトキシ-1,3-ジメチル-1,3,3-トリフェニルジシロキサン
(AcO)MePhSiOSiPh₃：1-アセトキシ-1-メチル-1,3,3,3-テトラフェニルジシロキサン
(AcO)PhViSiOSiMe₃：1-アセトキシ-3,3,3-トリメチル-1-フェニル-1-ビニルジシロキサン
(AcO)PhViSiOSiEt₃：1-アセトキシ-3,3,3-トリエチル-1-フェニル-1-ビニルジシロキサ
(AcO)PhViSiOSi^tBuMe₂：1-アセトキシ-3-tert-ブチル-3,3-ジメチル-1-フェニル-1-ビニルジシロキサン
(AcO)PhViSiOSiMe₂Ph：1-アセトキシ-3,3-ジメチル-1,3-ジフェニル-1-ビニルジシロキサン
(AcO)PhViSiOSiMePh₂：1-アセトキシ-3-メチル-1,3,3-トリフェニル-1-ビニルジシロキサン
(AcO)PhViSiOSiPh₃：1-アセトキシ-1,3,3,3-テトラフェニル-1-ビニルジシロキサン
(AcO)Ph₂SiOSiMe₃：1-アセトキシ-3,3,3-トリメチル-1,1-ジフェニルジシロキサン
(AcO)Ph₂SiOSiEt₃：1-アセトキシ-3,3,3-トリエチル-1,1-ジフェニルジシロキサン
(AcO)Ph₂SiOSi^tBuMe₂：1-アセトキシ-3-tert-ブチル-3,3-ジメチル-1,1-ジフェニルジシロキサン
(AcO)Ph₂SiOSiMe₂Ph：1-アセトキシ-3,3-ジメチル-1,1,3-トリフェニルジシロキサン
(AcO)Ph₂SiOSiMePh₂：1-アセトキシ-3-メチル-1,1,3,3-テトラフェニルジシロキサン
(AcO)Ph₂SiOSiPh₃：1-アセトキシ-1,1,3,3,3-ペンタフェニルジシロキサン
(AcO)Me₂SiOSiPh₂(OH)：1-アセトキシ-3-ヒドロキシ-1,1-ジメチル-3,3-ジフェニルジシロキサン
[(AcO)Me₂SiO]₂SiPh₂：1,5-ジアセトキシ-1,1,5,5-テトラメチル-3,3-ジフェニルトリシロキサン
(AcO)Me₂SiOSiPhVi(OH)：1-アセトキシ-3-ヒドロキシ-1,1-ジメチル-3-フェニル-3-ビニルジシロキサン
[(AcO)Me₂SiO]₂SiPhVi：1,5-ジアセトキシ-1,1,5,5-テトラメチル-3-フェニル-3-ビニルトリシロキサン
(SiMe₂O)(SiPh₂O)₂：1,1-ジメチル-3,3,5,5-テトラフェニルシクロトリシロキサン
(SiPhViO)(SiMe₂O)₂：1,1,3,3-テトラメチル-5-フェニル-5-ビニルシクロトリシロキサン
8) NMRによる収率（原料のシラノールに対するシロキサン生成物の収率）。

表２−１および表２−２中の注釈を以下に示す。
1) 各シロキサン化合物の名称は、表１−１〜表１−６の脚注７に記載。
2) ²⁹Si NMRの化学シフト値。NMR溶媒として、CD₃CNを使用。緩和試薬Cr(acac)₃（クロム(III)アセチルアセトナート）を添加して測定。括弧内はピーク面積の積分比に基づくケイ素原子の個数またはその比。
3) GC-MS：ガスクロマトグラフ質量分析、EI法：電子衝撃イオン化法（70eV）。
4) HR-TOF-MS：高分解能飛行時間型質量分析、ESI法：エレクトロスプレーイオン化法。

本発明のシロキサン化合物の製造方法では、アシロキシシシランとシラノールの反応が、塩基性合物を触媒として用いることにより効率よく進行するため、室温のような温和な条件でも、反応が短時間で終了する。
とくに、ジアシロキシシランとシラノールの反応では、触媒の使用が効果的である。たとえば、ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２）とトリフェニルシラノール（Ｐｈ_３ＳｉＯＨ）との反応では、触媒であるアルカリ金属の炭酸塩または酢酸塩の存在下において、アセトニトリル中、２５℃で１時間撹拌の条件で、シロキサン化合物（Ｍｅ_３ＳｉＯＳｉＰｈ_３）を６５〜９４％の収率で得ることができた（実施例１〜７）。一方、触媒が存在しない場合は、シロキサン化合物の収率は０．５％未満であった（比較例１）。
アセトン中で反応を行った場合も、触媒であるアルカリ金属の炭酸塩または酢酸塩の存在下では、２５℃で１時間撹拌の条件で、シロキサン化合物（Ｍｅ_３ＳｉＯＳｉＰｈ_３）を７６〜９３％の収率で得ることができたが（実施例９〜１４）、触媒が存在しない場合は、シロキサン化合物の収率は２０％であった（比較例２）。

また、ジアセトキシジメチルシランとトリフェニルシラノール以外のシラノールとの反応においても、触媒として炭酸セシウムを用いた場合は、無触媒の場合よりもはるかに高い収率でシロキサン化合物を与えることができた。たとえば、ジアセトキシジメチルシランとトリメチルシラノール（Ｍｅ_３ＳｉＯＨ）との反応では、シロキサン化合物の収率は、触媒を用いた場合には８９％であり（実施例１７）、触媒を用いない場合には１８％であった（比較例３）。ジアセトキシジメチルシランとトリエチルシラノール（Ｅｔ_３ＳｉＯＨ）との反応では、シロキサン化合物の収率は、触媒を用いた場合には９４％であり（実施例１８）、触媒を用いない場合には１３％であった（比較例４）。ジアセトキシジメチルシランとｔｅｒｔ−ブチルジメチルシラノール（^ｔＢｕＭｅ_２ＳｉＯＨ）との反応では、シロキサン化合物の収率は、触媒を用いた場合には９０％であり（実施例１９）、触媒を用いない場合には３％であった（比較例５）。また、ジアセトキシジメチルシランとジメチルフェニルシラノール（Ｍｅ_２ＰｈＳｉＯＨ）との反応では、シロキサン化合物の収率は、触媒を用いた場合には９５％であり（実施例２０）、触媒を用いない場合には１０％であった（比較例６）。このように、いずれのシラノールでも、触媒が存在する場合は存在しない場合よりはるかに高い収率でシロキサン化合物を得ることができた。

また、触媒として有機塩基を用いた場合、塩基の種類により大きな違いが観察された。
たとえば、ジアセトキシジメチルシランとトリフェニルシラノールとの反応において、共役酸のｐＫａが１０．６５のトリエチルアミンまたは２４．３４のＤＢＵを触媒とした場合、２５℃、１時間の反応で、対応するシロキサン化合物が、それぞれ９２％および９６％の収率で得られた（実施例４０、５５）。一方、アニリン、ジメチルアニリン、およびピリジンは、その共役酸のｐＫａが、それぞれ。４．６２、５．０７、および５．２５の塩基性が弱い化合物であり、それらの塩基を触媒として用いた場合は、シロキサン化合物の収率は、それぞれ、＜０．５％、＜０．５％、または２０％の低い値であった（比較例７〜９）。したがって、共役酸のｐＫａとして６以上の塩基性を有する塩基性化合物を用いることで、反応を効率よく進行させることができると考えられる。

また、加熱条件下での反応でも、触媒の有無により大きな差が観察された。
たとえば、トリエチルアミンを触媒とした場合、０．２ｍｏｌ％のトリエチルアミン存在下、９０℃、１時間の反応で、対応するシロキサン化合物が９８％の収率で得られた（実施例６７）。一方、触媒が存在しない場合は、シロキサン化合物の収率は１８％であった（比較例１０）。

さらに、シラノールとしてシランジオールを用いた反応系でも、触媒の有無により生成物の種類において、大きな差が観察された。
たとえば、ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２）とジフェニルシランジオール（Ｐｈ_２Ｓｉ（ＯＨ）_２）とのモル比が２：１の反応系において、アセトン中、２５℃で１時間の反応条件で、酢酸ナトリウムまたは炭酸セシウムを触媒として用いた場合、ジアセトキシジメチルシランとジフェニルシランとが２：１のモル比で反応したシロキサン化合物が、それぞれ、７８％または７３％の収率で生成した（実施例９３、９４）。一方、触媒が存在しない場合は、当該シロキサン化合物は生成しなかった（比較例１１）。

また、上記以外の溶媒中での反応においても、触媒の有無による大きな差が観察された。
たとえば、重アセトニトリル中、２５℃、４時間の反応条件で、トリエチルアミンまたはＤＢＵを触媒にした場合、両者が２：１の比で反応したシロキサン化合物が、それぞれ、８１％および９２％の収率で生成した（実施例９５、９６）。一方、触媒が存在しない場合は、当該シロキサンは、４％の収率でしか生成しなかった（比較例１２）。

さらに、ジアシロキシシランと１，３−ジヒドロキシジシロキサンから環状シロキサン化合物を合成する反応系でも、触媒の有無による大きな差が見られた。
たとえば、ジアセトキシジメチルシランと１，３−ジヒドロキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサンとの反応系において、重アセトニトリル中、２５℃、１時間の反応条件で、触媒としてジエチルアミンが存在する場合は、シクロトリシロキサンが９７％の収率で生成した（実施例９９）。一方、触媒が存在しない場合、シクロトリシロキサンの収率はわずか１％であった（比較例１３）。

以上の結果は、本発明の製造方法による特定の塩基性触媒を用いることにより、シロキサン化合物を、室温等の温和な条件下、短時間で効率的に製造できることを示している。

本発明の製造方法によれば、触媒として、ポリマー等に塩基性基を担持した固体塩基を使用することにより、次の実施例に示すように、触媒の回収および再利用を容易に行うことができる。

（実施例１０２）
ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．２６４ｍｍｏｌ、トリフェニルシラノール（Ｐｈ_３ＳｉＯＨ） ０．２４ｍｍｏｌ、ＭＴＢＤユニット含有ポリマー（メルク社製、製品番号３５８７５４） ０．０００９６ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．２４ｍＬを反応容器に入れ、７０℃で２０分撹拌した。生成物の構造と収率をＮＭＲで分析した結果、１−アセトキシ−１，１−ジメチル−３，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈ_３）が、９７％の収率で生成したことがわかった。
固体触媒のポリマーを遠心分離で分離し、ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．２６４ｍｍｏｌ、トリフェニルシラノール（Ｐｈ_３ＳｉＯＨ） ０．２４ｍｍｏｌ、およびアセトニトリル ０．２４ｍＬの混合物を添加して、７０℃で２０分撹拌した。生成物を同様に分析した結果、同じシロキサン化合物が、９９％の収率で生成したことがわかった。
固体触媒の遠心分離と、再利用の反応を、さらに３回繰り返して行った結果、シロキサン化合物の収率は、９９％、９９％、および９６％であった。
これらの結果は、この固体触媒を用いた反応系では、収率の低下を伴わずに、触媒の回収と再利用を繰り返して行うことができることを示すものである。

生成したシロキサン化合物中にアシロキシ基が残存している場合は、修飾剤を添加することにより、アシロキシ基を他の置換基に容易に変換することができる。この修飾工程の反応は、精製したシロキサン化合物だけでなく、未精製のシロキサン化合物を用いて行うこともでき、シロキサン化合物を含む反応液に、修飾剤を添加して、アシロキシ基を他の置換基にワンポットで変換することも可能である。
とくに、修飾剤として、水、アルコール等を用いる場合は、反応工程で使用する塩基性化合物が、修飾工程においても触媒として作用し、修飾反応をより効率的に行うことができる。
修飾剤として、水またはメタノールを用いて、アシロキシ基が残存するシロキサン化合物の変換反応を行った結果を、次の実施例に示す。

（実施例１０３）
１−アセトキシ−１，１−ジメチル−３，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈ_３） ０．００６ｍｍｏｌ、水 ０．３ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．２ｍＬを反応容器に入れ、９０℃で１時間加熱した。生成物の構造と収率をＮＭＲで分析した結果、１−ヒドロキシ−１，１−ジメチル−３，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈ_３）が、≧９５％の収率で生成したことがわかった（表３−１）。また、その生成物のＮＭＲ等の測定結果は表４−１の通りであった。

（実施例１０４〜１２８）
反応条件（シロキサン化合物の種類等）を変えて、実施例１０３と同様に反応および分析を行い、生成物の収率をＮＭＲで測定した結果を表３−１および表３−２に示す。また、生成物のＮＭＲ等の測定結果は表４−１および表４−２の通りであった。

生成したシロキサン化合物の両末端にアシロキシ末端が残存している場合は、水の存在下での反応により、環状シロキサンを製造することが可能である。
実施例１０３〜１２６の修飾工程と同様の反応条件で、アシロキシ末端シロキサン化合物の環化反応を行った結果を、次の実施例に示す。

（実施例１２９〜１３３）
シロキサン化合物をアシロキシ末端シロキサン化合物に変え、反応条件を表３−２の通りに代えた以外は、実施例１０３〜１２６と同様の手順で反応を行い、環状シロキサン化合物を製造した。生成物の収率をＮＭＲで測定した結果を表３−２に示す。また、生成物のＮＭＲ等の測定結果は表４−２の通りであった。

表３−１および表３−２中の注釈を以下に示す。
1) アシロキシ基含有シロキサンは、表１−１〜表１−６の実施例または同様の条件の反応で生成したもので、精製後のアシロキシ基含有シロキサン化合物、または、それらを製造する反応で得られた反応溶液を用いて、修飾剤との反応を行った。
2) H₂O：水
MeOH：メタノール
3) 触媒の名称については、表１−１〜表１〜６の脚注3)を参照。
4) MeCN：アセトニトリル
CD₃CN：重アセトニトリル
5) 25℃は、室温での反応を示す。
6) (HO)Me₂SiOSiPh₃：1-ヒドロキシ-1,1-ジメチル-3,3,3-トリフェニルジシロキサン
(HO)Me₂SiOSiEt₃：1,１,１-トリエチル-3-ヒドロキシ-3,3-ジメチルジシロキサン
(HO)Me₂SiOSi^tBuMe₂：1-tert-ブチル-3-ヒドロキシ-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン
(HO)Me₂SiOSiMe₂Ph：1-ヒドロキシ-1,1,3,3-テトラメチル-3-フェニルジシロキサン
(HO)MePhSiOSiEt₃：1,1,1-トリエチル-3-ヒドロキシ-3-メチル-3-フェニルジシロキサン
(HO)MePhSiOSi^tBuMe₂：1-tert-ブチル-3-ヒドロキシ-1,1,3-トリメチル-3-フェニルジシロキサン
(HO)MePhSiOSiMe₂Ph：1-ヒドロキシ-1,3,3-トリメチル-1,3-ジフェニルジシロキサン
(HO)MePhSiOSiMePh₂：1-ヒドロキシ-1,3-ジメチル-1,3,3-トリフェニルジシロキサン
(HO)PhViSiOSiEt₃：1,1,1-トリエチル-3-ヒドロキシ-3-フェニル-3-ビニルジシロキサン
(HO)PhViSiOSi^tBuMe₂：1-tert-ブチル-3-ヒドロキシ-1,1-ジメチル-3-フェニル-3-ビニルジシロキサン
(HO)PhViSiOSiMe₂Ph：1-ヒドロキシ-3,3-ジメチル-1,3-ジフェニル-1-ビニルジシロキサン
(HO)PhViSiOSiMePh₂：1-ヒドロキシ-3-メチル-1,3,3-トリフェニル-1-ビニルジシロキサン
(HO)Ph₂SiOSiEt₃：1,1,1-トリエチル-3-ヒドロキシ-3,3-ジフェニルジシロキサン
(HO)Ph₂SiOSi^tBuMe₂：1-tert-ブチル-3-ヒドロキシ-1,1-ジメチル-3,3-ジフェニルジシロキサン
(HO)MePhSiOSiPh₃：1-ヒドロキシ-1-メチル-1,3,3,3-テトラフェニルジシロキサン
(HO)Ph₂SiOSiMe₂Ph：1-ヒドロキシ-3,3-ジメチル-1,1,3-トリフェニルジシロキサン
(SiMe₂O)₂(SiPh₂O)：1,1,3,3-テトラメチル-5,5-ジフェニルシクロトリシロキサン
(SiMe₂O)₂(SiPhViO)：1,1,3,3-テトラメチル-5-ジフェニル-5-ビニルシクロトリシロキサン
(MeO)Me₂SiOSiPh₃：1,1-ジメチル-1-メトキシ-3,3,3-トリフェニルジシロキサン
[(MeO)Me₂SiO]₂SiPh₂：1,1,5,5-テトラメチル-1,5-ジメトキシ-3,3-ジフェニルトリシロキサン
7) NMRによる収率（アシロキシ基含有シロキサンに対する収率）。

表４−１および表４−２中の注釈を以下に示す。
1) 各シロキサン化合物の名称は、表３−１および表３−２の脚注６に記載。
2) ²⁹Si NMRの化学シフト値。NMR溶媒として、CD₃CNを使用。緩和試薬Cr(acac)₃（クロム(III)アセチルアセトナート）を添加して測定。括弧内はピーク面積の積分比に基づくケイ素原子の個数またはその比。
3) GC-MS：ガスクロマトグラフ質量分析、EI法：電子衝撃イオン化法（70eV）。
4) HR-TOF-MS：高分解能飛行時間型質量分析、ESI法：エレクトロスプレーイオン化法。5) NMR溶媒として、CDCl₃を使用。
6) 表２−２中の化合物（(SiPhViO)(SiMe₂O)₂）と同一の化合物である。

本発明の製造方法を用いることにより、アシロキシランがシラノールと、効率的に高い選択率で反応し、高収率でシロキサン化合物が得られるため、生成したシロキサン化合物は、次の実施例に示すように、ショートパス蒸留等の簡便な操作によって、単離精製できる。

（実施例１３４）
ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） １．７ｍｍｏｌ、トリフェニルシラノール（Ｐｈ_３ＳｉＯＨ） １．６ｍｍｏｌ、酢酸セシウム ０．０１６ｍｍｏｌ、および、アセトン ２．５ｍLを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で４時間攪拌した。反応液を減圧下濃縮して、ショートパス蒸留（１７０−１８０℃／０．１５ｍｍＨｇ）を行った結果、１−アセトキシ−１，１−ジメチル−３，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈ_３）が、１．５０ｍｍｏｌ（収率９４％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.30 (s, 6H, SiCH₃), 1.92 (s, 3H, COCH₃), 7.36-7.46 and 7.60-7.63 (each m, 15H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -0.0, 22.7, 127.8, 130.0, 135.0, 135.3, 170.9
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -19.7, -6.8
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 377 (M⁺-15 (Me), 3), 315 (100), 273 (25), 257 (12), 195 (68), 43 (13)

（実施例１３５）
ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．７ｍｍｏｌ、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシラノール（^ｔＢｕＭｅ_２ＳｉＯＨ） ０．７ｍｍｏｌ、炭酸セシウム
０．００７ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル １．１ｍLを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で１時間攪拌した。反応液を減圧下濃縮して、ショートパス蒸留（１１０−１２０℃／４０ｍｍＨｇ）を行った結果、１−アセトキシ―３−ｔｅｒｔ−ブチル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉ^ｔＢｕＭｅ_２）が、０．５６ｍｍｏｌ（収率８０％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.083 and 0.28 (each s, 12H, SiCH₃), 0.90 (s, 9H, C(CH₃)₃), 2.08 (s, 3H, COCH₃)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -3.3, -0.2, 18.0, 22.9, 25.5, 170.9
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -9.7, 12.9
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 233 (M⁺-15 (Me), 10), 191 (71), 149 (100), 133 (38), 43 (22)

（実施例１３６）
ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） １．１ｍｍｏｌ、ジメチル
フェニルシラノール（Ｍｅ_２ＰｈＳｉＯＨ） １．１ｍｍｏｌ、炭酸セシウム ０．０１１ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ２．２ｍLを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で１時間攪拌した。反応液を減圧下濃縮して、ショートパス蒸留（１３５−１４５℃／９ｍｍＨｇ）を行った結果、１−アセトキシ−１，１，３，３−テトラメチル−３−フェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）が、０．９３５ｍｍｏｌ（収率８５％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.30 and 0.60 (each s, 12H, SiCH₃), 2.05 (s, 3H, COCH₃), 7.38-7.43 and 7.58-7.62 (each m, 5H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -0.2, 0.4, 22.8, 127.8, 129.4, 133.0, 139.2, 171.0
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -8.2, 0.1
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 253 (M⁺-15 (Me), 57), 211 (46), 195 (12), 193 (11), 191 (51), 149 (20), 133 (100), 43 (29)

（実施例１３７）
ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．５ｍｍｏｌ、メチルジフェニルシラノール（ＭｅＰｈ_２ＳｉＯＨ） ０．４ｍｍｏｌ、炭酸セシウム ０．００４ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．９ｍLを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で１時間攪拌した。反応液を減圧下濃縮して、ショートパス蒸留（１５０−１６０℃／０．２ｍｍＨｇ）を行った結果、１−アセトキシ−１，１，３−トリメチル−３，３−ジフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＭｅＰｈ_２）が、０．３６８ｍｍｏｌ（収率９２％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.33 (s, 6H, Si(CH₃)₂), 0.70 (s, 3H, SiCH₃), 2.00 (s, 3H, COCH₃), 7.39-7.47 and 7.60-7.64 (each m, 10H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -0.9, -0.1, 22.7, 127.8, 129.7, 133.9, 137.2, 170.9
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -10.0, -7.4
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 315 (M⁺-15 (Me), 12), 273 (11), 253 (100), 211 (25), 195 (56), 133 (31), 43 (18)

（実施例１３８）
ジアセトキシメチルフェニルシラン（ＭｅＰｈＳｉ（ＯＡｃ）_２） ０．５ｍｍｏｌ、トリエチルシラノール（Ｅｔ_３ＳｉＯＨ） ０．５ｍｍｏｌ、炭酸セシウム ０．００５ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル １．０ｍLを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で１時間攪拌した。反応液を減圧下濃縮して、ショートパス蒸留（１５０−１６０℃／８ｍｍＨｇ）を行った結果、１−アセトキシ−３，３，３−トリエチル−１−メチル−１−フェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＥｔ_３）が、０．４０ｍｍｏｌ（収率８０％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.59 (s, 3H, SiCH₃), 0.64 (q, J = 8.0 Hz, 6H, SiCH₂), 0.98 (t, J = 8.0 Hz, 9H, SiCCH₃), 2.11 (s, 3H, COCH₃), 7.38-7.49 and 7.66-7.71 (each m,
5H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -1.5, 6.0, 6.6, 22.9, 127.8, 130.3, 133.6, 134.8, 170.7
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -24.6, 14.0
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 295 (M⁺-15 (Me), 1), 281 (100), 239 (45), 181 (12), 161 (22), 133 (39), 105 (23), 43 (21)

（実施例１３９）
ジアセトキシメチルフェニルシラン（ＭｅＰｈＳｉ（ＯＡｃ）_２） ０．５ｍｍｏｌ、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシラノール（^ｔＢｕＭｅ_２ＳｉＯＨ） ０．５ｍｍｏｌ、炭酸セシウム ０．００５ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル １．０ｍLを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で１時間攪拌した。反応液を減圧下濃縮して、ショートパス蒸留（１４５−１５５℃／５３ｍｍＨｇ）を行った結果、１−アセトキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３，３−トリメチル−１−フェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉ^ｔＢｕＭｅ_２）が、０．４０５ｍｍｏｌ（収率８１％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.13 and 0.14 (each s, 6H, Si(CH^a ₃)(CH^b ₃)), 0.59 (s, 9H, C(CH₃)₃), 2.11 (s, 3H, COCH₃), 7.39-7.48 and 7.67-7.70 (each m, 5H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -3.2, -1.5, 18.1, 22.9, 25.6, 127.8, 130.4, 133.7, 134.7, 170.7
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -24.4, 14.3
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 295 (M⁺-15 (Me), 5), 253 (100), 211 (59), 195 (12), 133 (92), 43 (24)

（実施例１４０）
ジアセトキシメチルフェニルシラン（ＭｅＰｈＳｉ（ＯＡｃ）_２） ０．６ｍｍｏｌ、ジメチルフェニルシラノール（Ｍｅ_２ＰｈＳｉＯＨ） ０．６ｍｍｏｌ、炭酸セシウム ０．００６ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル １．２ｍLを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で１時間攪拌した。反応液を減圧下濃縮して、ショートパス蒸留（１７０−１８０℃／０．９ｍｍＨｇ）を行った結果、１−アセトキシ−１，３，３−トリメチル−１，３−ジフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）が、０．４８ｍｍｏｌ（収率８０％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.46 and 0.47 (each s, 6H, Si(CH^a ₃)(CH^b ₃)), 0.59 (s, 3H, SiCH₃), 2.07 (s, 3H, COCH₃), 7.39-7.49 and 7.62-7.70 (each m, 10H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -1.5, 0.46^*, 0.50^*, 22.8, 127.8, 127.9, 129.5, 130.5, 133.1, 133.7, 134.4, 138.9, 170.8 (^* Si(CH^a ₃)(CH^b ₃)のシグナル)
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -23.2, 1.4
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 315 (M⁺-15 (Me), 59), 273 (27), 253 (74), 211 (17), 195 (100), 133 (25), 91 (15), 43 (28)

（実施例１４１）
ジアセトキシメチルフェニルシラン（ＭｅＰｈＳｉ（ＯＡｃ）_２） ０．７ｍｍｏｌ、メチルジフェニルシラノール（ＭｅＰｈ_２ＳｉＯＨ） ０．７ｍｍｏｌ、炭酸セシウム ０．００７ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル １．４ｍLを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で１時間攪拌した。反応液を減圧下濃縮して、ショートパス蒸留（１９０−２００℃／０．１５ｍｍＨｇ）を行った結果、１−アセトキシ−１，３−ジメチル−１，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＭｅＰｈ_２）が、０．６３ｍｍｏｌ（収率９０％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.62 and 0.75 (each s, 6H, SiCH₃), 2.02 (s, 3H, COCH₃), 7.39-7.50 and 7.64-7.71 (each m, 15H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -1.5, -0.9, 22.7, 127.8, 127.9, 129.8, 130.5, 133.8, 134.0, 134.2, 137.0^*, 137.1^*, 170.7 (^* Si(C₆H₅)^a(C₆H₅)^bのipso位Cのシグナル)
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -22.4, -8.8
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 377 (M⁺-15 (Me), 9), 315 (100), 273 (20), 257 (48), 195 (54), 43 (16)

（実施例１４２）
ジアセトキシフェニルビニルシラン（ＰｈＶｉＳｉ（ＯＡｃ）_２） ０．４ｍｍｏｌ、トリエチルシラノール（Ｅｔ_３ＳｉＯＨ） ０．４ｍｍｏｌ、炭酸セシウム ０．００４ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．９ｍLを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で１時間攪拌した。反応液を減圧下濃縮して、ショートパス蒸留（１３０−１４０℃／１．２ｍｍＨｇ）を行った結果、１−アセトキシ−３，３，３−トリエチル−１−フェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＥｔ_３）が、０．３０ｍｍｏｌ（収率７５％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.65 (q, J = 8.0 Hz, 6H, SiCH₂), 0.98 (t, J = 8.0 Hz, 9H, SiCCH₃), 2.13 (s, 3H, COCH₃), 5.96 (dd, J = 20.4, 3.7 Hz, 1H, SiCH=CH^a H ^b), 6.21 (dd, J = 15.0, 3.7 Hz, 1H, SiCH=CH ^aH^b), 6.33 (dd, J = 20.4, 15.0 Hz, 1H, SiCH=CH₂),
7.39-7.49 and 7.68-7.72 (each m, 5H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ 6.1, 6.6, 22.8, 127.8, 130.5, 132.5, 132.8, 134.3, 136.7, 170.4
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -40.3, 14.8
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 293 (M⁺-29 (Et), 100), 251 (36), 223 (12), 195 (10), 173 (14), 147 (11), 145 (22), 117 (13), 43 (19)

（実施例１４３）
ジアセトキシフェニルビニルシラン（ＰｈＶｉＳｉ（ＯＡｃ）_２） ０．４ｍｍｏｌ、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシラノール（^ｔＢｕＭｅ_２ＳｉＯＨ） ０．４ｍｍｏｌ、炭酸セシウム ０．００４ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．９ｍLを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で１時間攪拌した。反応液を減圧下濃縮して、ショートパス蒸留（１４５−１５５℃／１．７ｍｍＨｇ）を行った結果、１−アセトキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−３，３−ジメチル−１−フェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉ^ｔＢｕＭｅ_２）が、０．３２ｍｍｏｌ（収率８０％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.138 and 0.144 (each s, 6H, Si(CH^a ₃)(CH^b ₃)), 0.93 (s, 9H, C(CH₃)₃), 2.14 (s, 3H, COCH₃), 5.95 (dd, J = 20.3, 3.7 Hz, 1H, SiCH=CH^a H ^b), 6.21 (dd, J = 15.0, 3.7 Hz, 1H, SiCH=CH ^aH^b), 6.32 (dd, J = 20.3, 15.0 Hz, 1H, SiCH=CH₂), 7.39-7.49 and 7.68-7.72 (each m, 5H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -3.15^*, -3.14^*, 18.2, 22.8, 25.6, 127.8, 130.5, 132.5, 132.7, 134.3, 136.9, 170.5 (^* Si(CH₃)^a(CH₃)^bのシグナル)
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -40.0, 15.1
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 307 (M⁺-15 (Me), 4), 265 (100), 223 (57), 195 (19), 145 (54), 119 (25), 43 (23)

（実施例１４４）
ジアセトキシフェニルビニルシラン（ＰｈＶｉＳｉ（ＯＡｃ）_２） ０．４ｍｍｏｌ、ジメチルフェニルシラノール（Ｍｅ_２ＰｈＳｉＯＨ） ０．４ｍｍｏｌ、炭酸セシウム ０．００４ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．９ｍLを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で１時間攪拌した。反応液を減圧下濃縮して、ショートパス蒸留（１６０−１７０℃／０．１３ｍｍＨｇ）を行った結果、１−アセトキシ−３，３−ジメチル−１，３−
ジフェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）が、０．３４ｍｍｏｌ（収率８５％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.470 and 0.473 (each s, 6H, Si(CH^a ₃)(CH^b ₃)), 2.08 (s, 3H, COCH₃), 5.95 (dd, J = 20.4, 3.6 Hz, 1H, SiCH=CH^a H ^b), 6.21 (dd, J = 15.0, 3.6 Hz, 1H, SiCH=CH ^aH^b), 6.34 (dd, J = 20.4, 15.0 Hz, 1H, SiCH=CH₂), 7.38-7.50 and 7.62-7.71 (each m, 10H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ 0.48^*, 0.51^*, 22.7, 127.78, 127.85, 129.5, 130.6, 132.2, 132.4, 133.1, 134.3, 137.1, 138.8, 170.6 (^* Si(CH₃)^a(CH₃)^bのシグナル)
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -39.0, 2.1
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 327 (M⁺-15 (Me), 82), 285 (25), 265 (100), 223 (21), 207 (65), 195 (38), 181 (21), 145 (21), 137 (14), 91 (10), 43 (34)

（実施例１４５）
ジアセトキシフェニルビニルシラン（ＰｈＶｉＳｉ（ＯＡｃ）_２） ０．４ｍｍｏｌ、メチルジフェニルシラノール（ＭｅＰｈ_２ＳｉＯＨ） ０．４ｍｍｏｌ、炭酸セシウム ０．００４ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．９ｍLを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で１時間攪拌した。反応液を減圧下濃縮して、ショートパス蒸留（１９５−２０５℃／０．２ｍｍＨｇ）を行った結果、１−アセトキシ−３−メチル−１，３，３−トリフェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＭｅＰｈ_２）が、０．３６ｍｍｏｌ（収率９０％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.74 (s, 3H, SiCH₃), 2.00 (s, 3H, COCH₃), 5.95 (dd, J = 20.4,
3.6 Hz, 1H, SiCH=CH^a H ^b), 6.20 (dd, J = 15.0, 3.6 Hz, 1H, SiCH=CH ^aH^b), 6.33 (dd,
J = 20.4, 15.0 Hz, 1H, SiCH=CH₂), 7.36-7.50 and 7.61-7.70 (each m, 15H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -0.9, 22.6, 127.8, 127.9, 129.8, 130.7, 132.0, 132.2, 134.1, 134.4, 136.89^*, 136.93^*, 137.4, 170.5 (^* Si(C₆H₅)^a(C₆H₅)^bのipso位Cのシグナル)
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -38.4, -8.2
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 389 (M⁺-15 (Me), 7), 327 (100), 285 (16), 269 (20), 257 (15), 207 (28), 181 (12), 43 (15)

（実施例１４６）
ジアセトキシジフェニルシラン（Ｐｈ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．４ｍｍｏｌ、トリエチルシラノール（Ｅｔ_３ＳｉＯＨ） ０．４ｍｍｏｌ、炭酸セシウム ０．００４ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．７ｍLを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で１時間攪拌した。反応液を減圧下濃縮して、ショートパス蒸留（１７０−１８０℃／０．１ｍｍＨｇ）を行った結果、１−アセトキシ−３，３，３−トリエチル−１，１−ジフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉＥｔ_３）が、０．２８ｍｍｏｌ（収率７０％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.66 (q, J = 8.0 Hz, 6H, SiCH₂), 0.96 (t, J = 7.9 Hz, 9H, SiCCH₃), 2.18 (s, 3H, COCH₃), 7.40-7.50 and 7.70-7.74 (each m, 10H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ 6.1, 6.6, 22.9, 127.8, 130.5, 133.0, 134.6, 170.2
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -39.6, 15.1
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 343 (M⁺-29 (Et), 100), 301 (19), 243 (11), 223 (20), 195 (35), 167 (29), 43 (20)

（実施例１４７）
ジアセトキシジフェニルシラン（Ｐｈ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．４ｍｍｏｌ、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシラノール（^ｔＢｕＭｅ_２ＳｉＯＨ） ０．４ｍｍｏｌ、炭酸セシウム ０．００４ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．７ｍLを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で１時間攪拌した。反応液を減圧下濃縮して、ショートパス蒸留（１５５−１６５℃／０．１２ｍｍＨｇ）を行った結果、１−アセトキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−３，３−ジメチル−１，１−ジフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉ^ｔＢｕＭｅ_２）が、０．３４ｍｍｏｌ（収率８５％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.14 (s, 6H, SiCH₃), 0.94 (s, 9H, C(CH₃)₃), 2.18 (s, 3H, COCH₃), 7.40-7.50 and 7.70-7.74 (each m, 10H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -3.1, 18.2, 22.9, 25.6, 127.8, 130.6, 132.8, 134.7, 170.1
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -39.3, 15.4
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 357 (M⁺-15 (Me), 3), 315 (100), 273 (31), 195 (86), 43 (18)

（実施例１４８）
ジアセトキシジフェニルシラン（Ｐｈ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．５ｍｍｏｌ、ジメチルフェニルシラノール（Ｍｅ_２ＰｈＳｉＯＨ） ０．５ｍｍｏｌ、炭酸セシウム ０．００５ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル １．０ｍLを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で１時間攪拌した。反応液を減圧下濃縮して、ショートパス蒸留（１８５−１９５℃／０．０８ｍｍＨｇ）を行った結果、１−アセトキシ−３，３−ジメチル−１，１，３−トリフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）が、０．４０ｍｍｏｌ（収率８０％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.48 (s, 6H, SiCH₃), 2.12 (s, 3H, COCH₃), 7.38-7.51 and 7.61-7.73 (each m, 15H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ 0.5, 22.8, 127.8, 127.9, 129.5, 130.7, 132.6, 133.2, 134.7, 138.7, 170.3
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -38.5, 2.4
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 377 (M⁺-15 (Me), 79), 335 (18), 315 (100), 273 (16), 257 (96), 195 (64), 91 (11), 43 (29)

（実施例１４９）
ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．４９ｍｍｏｌ、トリフェニルシラノール（Ｐｈ_３ＳｉＯＨ） ０．４６ｍｍｏｌ、ＭＴＢＤユニット含有ポリマー（メルク社製、製品番号３５８７５４） ０．００９２ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．４ｍLを反応容器に入れ、７０℃で１時間攪拌した。固体触媒のポリマーを濾別し、アセトニトリルで触媒を洗浄した（０．１５ｍＬで２回）。濾液と洗浄液を合わせて、反応液を減圧下濃縮して、ショートパス蒸留（１７０−１８０℃／０．１ｍｍＨｇ）を行った結果、１−アセトキシ−１，１−ジメチル−３，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈ_３）が、０．３７ｍｍｏｌ（収率８０％）得られた。

（実施例１５０）
ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．４５ｍｍｏｌ、トリエチルシラノール（Ｅｔ_３ＳｉＯＨ） ０．４０ｍｍｏｌ、ＭＴＢＤユニット含有ポリマー（メルク社製、製品番号３５８７５４） ０．００８ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル
０．８ｍLを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で１時間攪拌した。固体触媒のポリマーを濾別し、アセトニトリルで触媒を洗浄した（０．１３ｍＬで２回）。濾液と洗浄液を合わせて、反応液を減圧下濃縮して、ショートパス蒸留（１４０−１５０℃／５３ｍｍＨｇ）を行った結果、１−アセトキシ−３，３，３−トリエチル−１，１−ジメチルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＥｔ_３）が、０．３４ｍｍｏｌ（収率８５％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.26 (s, 6H, SiCH₃), 0.55 (q, J = 8.0 Hz, 6H, SiCH₂), 0.94 (t, J = 8.0 Hz, 9H, SiCCH₃), 2.05 (s, 3H, COCH₃)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -0.2, 6.0, 6.6, 22.9, 170.9
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -9.8, 12.7
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 233 (M⁺-15 (Me), 5.9), 219 (100), 177 (88), 149
(43), 121 (24), 119 (21), 105 (15), 75 (11), 43 (28)

また、アシロキシ基が残存するシロキサン化合物の修飾工程の反応において、水を修飾剤として用いた場合は、一般的に、ヒドロキシ基を含有する修飾シロキサン化合物が高収率で生成するため、下記の実施例に示すように、反応液の減圧下濃縮等の簡便な操作によって、修飾シロキサン化合物を単離精製できる。

（実施例１５１）
１−アセトキシ−１，１−ジメチル−３，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈ_３） ０．０６ｍｍｏｌ、水 ０．３ｍｍｏｌ、アセトニトリル ０．２ｍＬの混合物を反応容器に入れ、９０℃で１時間撹拌した。反応溶液を、減圧下濃縮した結果、１−ヒドロキシ−１，１−ジメチル−３，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈ_３）が、０．０６ｍｍｏｌ（収率１００％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.18 (s, 6H, SiCH₃), 2.22 (br s, 1H, OH), 7.38-7.50 and 7.62-7.69 (each m, 15H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ 0.5, 127.9, 130.0, 135.0, 135.7
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -20.9, -8.3
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 350 (M⁺, 9.3), 273 (40), 257 (36), 195 (100), 181 (14), 121 (11)
HR-TOF-MS (ESI): 計算値 C₂₀H₂₁O₂Si₂(M-H)^- 349.1075, 測定値 349.1072

（実施例１５２）
１−アセトキシ−１，１，３，３−テトラメチル−３−フェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ） ０．０６ｍｍｏｌ、水 １．２ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．２ｍＬを反応容器に入れ、９０℃で１時間撹拌した。反応溶液を、０℃付近で冷却しながら減圧下濃縮した結果、１−ヒドロキシ−１，１，３，３−テトラメチル−３−フェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）が、０．０５８ｍｍｏｌ（収率９７％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.16 and 0.40 (each s, 12H, SiCH₃), 2.08 (br s, 1H, OH), 7.38-7.42 and 7.59-7.62 (each m, 5H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ 0.5, 0.7, 127.8, 129.4, 133.0, 139.6
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -9.4, -1.7
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 211 (M⁺-15 (Me), 51), 133 (100), 89 (15)
HR-TOF-MS (ESI): 計算値 C₁₀H₁₇O₂Si₂(M-H)^- 225.0762, 測定値 225.0766

（実施例１５３）
１−アセトキシ−１，１，３−トリメチル−３，３−ジフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＭｅＰｈ_２） ０．０６ｍｍｏｌ、水 ０．６ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．２ｍＬを反応容器に入れ、６０℃で１時間撹拌した。反応溶液を、減圧下濃縮した結果、１−ヒドロキシ−１，１，３−トリメチル−３，３−ジフェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＭｅＰｈ_２）が、０．０６ｍｍｏｌ（収率１００％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.18 (s, 6H, Si(CH₃)₂), 0.68 (s, 3H, SiCH₃), 2.21 (br s, 1H, OH), 7.38-7.46 and 7.60-7.64 (each m, 10H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -0.6, 0.5, 127.9, 129.7, 133.9, 137.7
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -11.6, -8.7
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 288 (M⁺, 0.37), 273 (61), 195 (100), 133 (23), 91 (12)
HR-TOF-MS (ESI): 計算値 C₁₅H₁₉O₂Si₂(M-H)^- 287.0918, 測定値 287.0920

（実施例１５４）
１−アセトキシ−３，３，３−トリエチル−１−メチル−１−フェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＥｔ_３） ０．０６ｍｍｏｌ、水 ０．６ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．２ｍＬを反応容器に入れ、９０℃で０．５時間撹拌した。反応溶液を、減圧下濃縮した結果、３−ヒドロキシ−１，１，１−トリエチル−３−メチル−３−フェニルジシロキサン（（ＨＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＥｔ_３）が、０．０５９ｍｍｏｌ（収率９８％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.40 (s, 3H, SiCH₃), 0.62 (q, J = 7.9 Hz, 6H, SiCH₂), 0.98 (t, J = 8.0 Hz, 9H, SiCCH₃), 2.41 (br s, 1H, OH), 7.38-7.46 and 7.63-7.67 (each m,
5H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -1.0, 6.2, 6.7, 127.8, 129.9, 133.3, 137.5
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -24.6, 12.4
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 253 (M⁺-15 (Me), 0.94), 239 (100), 181 (11), 161 (36), 137 (16), 133 (84), 105 (47), 91 (17)
HR-TOF-MS (ESI): 計算値 C₁₃H₂₃O₂Si₂(M-H)^- 267.1231, 測定値 267.1232

（実施例１５５）
１−アセトキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３，３−トリメチル−１−フェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉ^ｔＢｕＭｅ_２） ０．０６ｍｍｏｌ、水 ０．６ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．２ｍＬを反応容器に入れ、６０℃で１時間撹拌した。反応溶液を、減圧下濃縮した結果、１−ｔｅｒｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−１，１，３−トリメチル−３−フェニルジシロキサン（（ＨＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉ^ｔＢｕＭｅ_２）が、０．０５８ｍｍｏｌ（収率９７％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.12 and 0.13 (each s, 6H, Si(CH^a ₃)(CH^b ₃)), 0.39 (s, 3H, SiCH₃), 0.94 (s, 9H, C(CH₃)₃), 2.54 (br s, 1H, OH), 7.38-7.46 and 7.63-7.67 (each m,
5H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -3.0, -0.9, 18.1, 25.7, 127.8, 129.9, 133.4, 137.4
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -24.3, 12.6
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 253 (M⁺-15 (Me), 0.63), 211 (52), 133 (100)
HR-TOF-MS (ESI): 計算値 C₁₃H₂₃O₂Si₂(M-H)^- 267.1242, 測定値 267.1247

（実施例１５６）
１−アセトキシ−１，３，３−トリメチル−１，３−ジフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ） ０．０６ｍｍｏｌ、水 ０．２ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．２ｍＬを反応容器に入れ、９０℃で０．５時間撹拌した。反応溶液を、減圧下濃縮した結果、１−ヒドロキシ−１，３，３−トリメチル−１，３−ジフェニルジシロキサン（（ＨＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）が、０．０５７ｍｍｏｌ（収率９５％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.39 (s, 3H, SiCH₃), 0.43 (s, 6H, Si(CH₃)₂), 2.39 (br s, 1H, OH), 7.38-7.47 and 7.60-7.66 (each m, 10H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -0.9, 0.69^*, 0.72^*, 127.8, 127.9, 129.5, 130.0, 133.0, 133.4, 137.0, 139.3 (^* Si(CH₃)^a(CH₃)^bのシグナル)
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -23.1, -0.3
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 288 (M⁺, 2.0), 273 (62), 195 (100), 137 (12), 133 (12), 120 (10), 91 (13)
HR-TOF-MS (ESI): 計算値 C₁₅H₁₉O₂Si₂(M-H)^- 287.0918, 測定値 287.0919

（実施例１５７）
１−アセトキシ−１，３−ジメチル−１，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＭｅＰｈ_２） ０．０６ｍｍｏｌ、水 １．２ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．２ｍＬを反応容器に入れ、９０℃で１時間撹拌した。反応溶液を、減圧下濃縮した結果、１−ヒドロキシ−１，３−ジメチル−１，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＨＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＭｅＰｈ_２が、０．０６ｍｍｏｌ（収率１００％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.40 and 0.71 (each s, 6H, SiCH₃), 2.42 (br s, 1H, OH), 7.36-7.47 and 7.61-7.66 (each m, 15H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -0.9, -0.6, 127.9, 129.8, 130.0, 133.4, 134.0, 136.8, 137.39^*, 137.41^* (^* Si(C₆H₅)^a(C₆H₅)^bのipso位Cのシグナル)
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -22.4, -10.2
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 350 (M⁺, 3.8), 335 (58), 257 (100), 195 (45), 91 (11), 78 (10)
HR-TOF-MS (ESI): 計算値 C₂₀H₂₁O₂Si₂(M-H)^- 349.1075, 測定値 349.1083

（実施例１５８）
１−アセトキシ−３，３，３−トリエチル−１−フェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＥｔ_３） ０．０６ｍｍｏｌ、水 ０．６ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．２ｍＬを反応容器に入れ、９０℃で０．５時間撹拌した。反応溶液を、減圧下濃縮した結果、１，１，１−トリエチル−３−ヒドロキシ−３−フェニル−３−ビニルジシロキサン（（ＨＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＥｔ_３）が、０．０５８ｍｍｏｌ（収率９７％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.63 (q, J = 7.9 Hz, 6H, SiCH₂), 0.98 (t, J = 7.9 Hz, 9H, SiCCH₃), 2.49 (br s, 1H, OH), 5.96 (dd, J = 19.7, 4.5 Hz, 1H, SiCH=CH^a H ^b), 6.14 (dd, J = 14.9, 4.5 Hz, 1H, SiCH=CH ^aH^b), 6.20 (dd, J = 19.7, 14.9 Hz, 1H, SiCH=CH₂),
7.38-7.47 and 7.64-7.70 (each m, 5H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ 6.3, 6.6, 127.8, 130.1, 134.0, 134.5, 135.5, 135.6
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -39.1, 13.2
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 251 (M⁺-29 (Et), 100), 223 (20), 195 (19), 173 (24), 167 (12), 147 (17), 145 (47), 123 (19), 119 (11), 117 (22), 91 (16)
HR-TOF-MS (ESI): 計算値 C₁₄H₂₃O₂Si₂(M-H)^- 279.1231, 測定値 279.1237

（実施例１５９）
１−アセトキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−３，３−ジメチル−１−フェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉ^ｔＢｕＭｅ_２） ０．０６ｍｍｏｌ、水
０．６ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．２ｍＬを反応容器に入れ、６０℃で１時間撹拌した。反応溶液を、減圧下濃縮した結果、１−ｔｅｒｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−１，１−ジメチル−３−フェニル−３−ビニルジシロキサン（（ＨＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉ^ｔＢｕＭｅ_２）が、０．０５９ｍｍｏｌ（収率９８％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.13 (s, 6H, SiCH₃), 0.94 (s, 9H, C(CH₃)₃), 2.59 (br s, 1H, OH), 5.96 (dd, J = 19.4, 4.9 Hz, 1H, SiCH=CH^a H ^b), 6.14 (dd, J = 14.9, 4.9 Hz, 1H,
SiCH=CH ^aH^b), 6.20 (dd, J = 19.4, 14.9 Hz, 1H, SiCH=CH₂), 7.38-7.47 and 7.65-7.69 (each m, 5H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -2.9, 18.1, 25.7, 127.8, 130.1, 134.0, 134.5, 135.5, 135.6
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -38.8, 13.5
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 265 (M⁺-15 (Me), 0.67), 223 (96), 195 (26), 145
(100), 133 (12), 119 (40), 75 (19)
HR-TOF-MS (ESI): 計算値 C₁₄H₂₃O₂Si₂(M-H)^- 279.1242, 測定値 279.1246

（実施例１６０）
１−アセトキシ−３，３−ジメチル−１，３−ジフェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ） ０．０６ｍｍｏｌ、水 ０．６ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．２ｍＬを反応容器に入れ、６０℃で０．５時間撹拌した。反応溶液を、減圧下濃縮した結果、１−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−１，３−ジフェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＨＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈが、０．０５７ｍｍｏｌ（収率９５％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.441 and 0.444 (each s, 6H, Si(CH^a ₃)(CH^b ₃)), 2.51 (br s, 1H,
OH), 5.96 (dd, J = 19.5, 4.7 Hz, 1H, SiCH=CH^a H ^b), 6.15 (dd, J = 14.9, 4.7 Hz, 1H, SiCH=CH ^aH^b), 6.20 (dd, J = 19.5, 14.9 Hz, 1H, SiCH=CH₂), 7.38-7.48 and 7.61-7.68 (each m, 10H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ 0.8, 127.8^*, 129.5, 130.2, 133.1, 134.0, 134.2, 135.2, 135.9, 139.2 (^* 2種類のSiC₆H₅のm位Cのシグナル (2C+2C))
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -37.8, 0.6
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 300 (M⁺, 0.18), 285 (56), 257 (12), 222 (56), 207 (100), 195 (35), 181 (29), 145 (16), 137 (27), 91 (12)
HR-TOF-MS (ESI): 計算値 C₁₆H₁₉O₂Si₂(M-H)^- 299.0918, 測定値 299.0918

（実施例１６１）
１−アセトキシ−３−メチル−１，３，３−トリフェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＡｃＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＭｅＰｈ_２） ０．０６ｍｍｏｌ、水 １．２ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．２ｍＬを反応容器に入れ、９０℃で１時間撹拌した。反応溶液を、減圧下濃縮した結果、１−ヒドロキシ−３−メチル−１，３，３−トリフェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＨＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＭｅＰｈ_２）が、０．０５８ｍｍｏｌ（収率９７％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.71 (s, 3H, SiCH₃), 2.49 (br s, 1H, OH), 5.95 (dd, J = 19.6,
4.5 Hz, 1H, SiCH=CH^a H ^b), 6.13 (dd, J = 14.9, 4.5 Hz, 1H, SiCH=CH ^aH^b), 6.19 (dd,
J = 19.6, 14.9 Hz, 1H, SiCH=CH₂), 7.36-7.47 and 7.61-7.67 (each m, 15H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -0.6, 127.8, 127.9, 129.8, 130.2, 134.0, 134.1^*, 134.9, 136.1, 137.3 (^* Si(C₆H₅)(OH)のo位C+SiCH=CH₂のCシグナル (2C+1C))
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -37.2, -9.5
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 362 (M⁺, 0.27), 347 (48), 284 (80), 269 (100), 257 (33), 243 (25), 207 (35), 199 (28), 195 (18), 181 (22), 165 (15), 137 (15), 121 (14), 78 (18), 77 (18)
HR-TOF-MS (ESI): 計算値 C₂₁H₂₁O₂Si₂(M-H)^- 361.1075, 測定値 361.1073

（実施例１６２）
１−アセトキシ−３，３，３−トリエチル−１，１−ジフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉＥｔ_３） ０．０６ｍｍｏｌ、水 ０．６ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．２ｍＬを反応容器に入れ、９０℃で１時間撹拌した。反応溶液を、減圧下濃縮した結果、１，１，１−トリエチル−３−ヒドロキシ−３，３−ジフェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉＥｔ_３）が、０．０５９ｍｍｏｌ（収率９８％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.64 (q, J = 7.9 Hz, 6H, SiCH₂), 0.96 (t, J = 7.9 Hz, 9H, SiCCH₃), 2.72 (br s, 1H, OH), 7.38-7.47 and 7.68-7.71 (each m, 10H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ 6.3, 6.7, 127.8, 130.1, 134.3, 135.6
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -38.3, 13.7
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 301 (M⁺-29 (Et), 100), 223 (39), 199 (12), 195 (76), 167 (49), 123 (17), 122 (16)
HR-TOF-MS (ESI): 計算値 C₁₈H₂₅O₂Si₂(M-H)^- 329.1388, 測定値 329.1400

（実施例１６３）
１−アセトキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−３，３−ジメチル−１，１−ジフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉ^ｔＢｕＭｅ_２） ０．０６ｍｍｏｌ、水 ０．６ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．２ｍＬを反応容器に入れ、９０℃で０．５時間撹拌した。反応溶液を、減圧下濃縮した結果、１−ｔｅｒｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−１，１−ジメチル−３，３−ジフェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉ^ｔＢｕＭｅ_２）が、０．０６ｍｍｏｌ（収率１００％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.12 (s, 6H, SiCH₃), 0.94 (s, 9H, C(CH₃)₃), 2.84 (br s, 1H, OH), 7.38-7.48 and 7.67-7.71 (each m, 10H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ -2.9, 18.2, 25.7, 127.8, 130.1, 134.3, 135.5
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -38.0, 14.0
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 315 (M⁺-15 (Me), 0.35), 273 (63), 195 (100)
HR-TOF-MS (ESI): 計算値 C₁₈H₂₅O₂Si₂(M-H)^- 329.1399, 測定値 329.1399

（実施例１６４）
１−アセトキシ−３，３−ジメチル−１，１，３−トリフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ） ０．０６ｍｍｏｌ、水 １．２ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．２ｍＬを反応容器に入れ、９０℃で１時間撹拌した。反応溶液を、減圧下濃縮した結果、１−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−１，１，３−トリフェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）が、０．０５９ｍｍｏｌ（収率９８％）得られた。

得られた化合物のスペクトルデータは、次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.43 (s, 6H, SiCH₃), 2.69 (br s, 1H, OH), 7.36-7.48 and 7.60-7.70 (each m, 15H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ 0.8, 127.9, 129.5, 130.2, 133.1, 134.3, 135.2, 139.1
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -37.0, 0.9
GC-MS (EI, 70eV): m/z (相対強度) 350 (M⁺, 3.9), 335 (64), 257 (100), 195 (34), 121 (11)
HR-TOF-MS (ESI): 計算値 C₂₀H₂₁O₂Si₂(M-H)^- 349.1075, 測定値 349.1085

本発明の製造方法は、前記の実施例に限定されるものではなく、生成するシロキサン化合物中にアシロキシ基またはヒドロキシ基が残存している場合には、それらの基を利用して、さらに他のシラノールまたはアシロキシシランと反応を行うことが可能で、次の実施例に示すように、複数の原料を用いて、シロキサン化合物を生成させる反応工程と、水を用いた修飾工程の反応を組み合わせて、段階的に反応を行うことにより、多種多様なシロキサン化合物を製造することができる。

（実施例１６５）
ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．４ｍｍｏｌ、ジメチルフェニルシラノール（Ｍｅ_２ＰｈＳｉＯＨ） ０．４ｍｍｏｌ、炭酸セシウム ０．００４ｍｍｏｌ、および、重アセトニトリル ０．４５ｍＬを反応容器に入れ、約２５℃で２時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−アセトキシ−１，１，３，３−テトラメチル−３−フェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）が９３％の収率（ジメチルフェニルシラノールに対する収率で、以下の収率もそのシラノールに対する収率である。）で生成したことがわかった。
この反応溶液に、水 ０．４ｍｍｏｌを添加して、約２５℃で１２時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−ヒドロキシ−１，１，３，３−テトラメチル−３−フェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｐｈが９０％の収率で生成したことがわかった。
さらに、この反応溶液に、ジアセトキシメチルフェニルシラン（ＭｅＰｈＳｉ（ＯＡｃ）_２） ０．４ｍｍｏｌを添加して、約２５℃で７時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−アセトキシ−１，３，３，５，５−ペンタメチル−１，５−ジフェニルトリシロキサン（（ＡｃＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＭｅ_２ＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）が８８％の収率で生成したことがわかった。この化合物のＮＭＲデータ等は、表５−１の通りであった。
この反応溶液に、水 ０．４ｍｍｏｌを添加して、約２５℃で６時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−ヒドロキシ−１，３，３，５，５−ペンタメチル−１，５−ジフェニルトリシロキサン（（ＨＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＭｅ_２ＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）が７１％の収率で生成したことがわかった。
さらに、この反応溶液に、ジアセトキシフェニルビニルシラン（ＰｈＶｉＳｉ（ＯＡｃ）_２） ０．４ｍｍｏｌを添加して、約２５℃で６時間放置した。生成物の構造と収率を
ＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−アセトキシ−３，５，５，７，７−ペンタメチル−１，３，７−トリフェニル−１−ビニルテトラシロキサン（（ＡｃＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＭｅＰｈＯＳｉＭｅ_２ＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）が６１％の収率で生成したことがわかった。この化合物のＮＭＲデータ等は、表５−１の通りであった。

この反応は、次のスキーム７に示すように、段階的なワンポットプロセスで進行するため、各段階のシロキサン化合物を簡便に製造することが可能であった。

（実施例１６６）
ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．２ｍｍｏｌ、メチルジフェニルシラノール（ＭｅＰｈ_２ＳｉＯＨ） ０．２ｍｍｏｌ、酢酸セシウム ０．００２ｍｍｏｌ、および、重アセトニトリル ０．４５ｍＬを反応容器に入れ、６０℃で３０分加熱した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−アセトキシ−１，１，３−トリメチル−３，３−ジフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＭｅＰｈ_２）が８５％の収率（メチルジフェニルシラノールに対する収率で、以下の収率もそのシラノールに対する収率である。）で生成したことがわかった。
この反応溶液に、水 ０．２ｍｍｏｌを添加して、６０℃で３０分加熱した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−ヒドロキシ−１，１，３−トリメチル−３，３−ジフェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＭｅＰｈ_２）が８０％の収率で生成したことがわかった。
さらに、この反応溶液に、ジアセトキシメチルフェニルシラン（ＭｅＰｈＳｉ（ＯＡｃ）_２） ０．２ｍｍｏｌを添加して、６０℃で３０分加熱した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−アセトキシ−１，３，３，５−テトラメチル−１，５，５−トリフェニルトリシロキサン（（ＡｃＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＭｅ_２ＯＳｉＭｅＰｈ_２）が７５％の収率で生成したことがわかった。
この反応溶液に、水 ０．２ｍｍｏｌを添加して、６０℃で３０分加熱した。生成物の
構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−ヒドロキシ−１，３，３，５−テトラメチル−１，５，５−トリフェニルトリシロキサン（（ＨＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＭｅ_２ＯＳｉＭｅＰｈ_２）が７２％の収率で生成したことがわかった。

この反応は、次のスキーム８に示すように、段階的なワンポットプロセスで進行する反応系で、各段階のシロキサン化合物を簡便に製造できた。

（実施例１６７）
ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．３ｍｍｏｌ、トリエチルシラノール（Ｅｔ_３ＳｉＯＨ） ０．３ｍｍｏｌ、ＤＢＵ ０．００３ｍｍｏｌ、および、重アセトニトリル ０．４５ｍＬを反応容器に入れ、６０℃で１時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−アセトキシ−３，３，３−トリエチル−１，１−ジメチルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＥｔ_３）が８１％（トリエチルシラノールに対する収率で、以下の収率もそのシラノールに対する収率である。）の収率で生成したことがわかった。
この反応溶液に、水 ０．３ｍｍｏｌを添加して、６０℃で２時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−ヒドロキシ−３，３，３−トリエチル−１，１−ジメチルジシロキサン（（ＨＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＥｔ_３）が７０％の収率で生成したことがわかった。
さらに、この反応溶液に、トリアセトキシビニルシラン（ＶｉＳｉ（ＯＡｃ）_３） ０．３ｍｍｏｌを添加して、約２５℃で１時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１，１−ジアセトキシ−５，５，５−トリエチル−３，３−ジメチル−１−ビニルトリシロキサン（（ＡｃＯ）_２ＶｉＳｉＯＳｉＭｅ_２ＯＳｉＥｔ_３）が６０％の収率で生成したことがわかった。この化合物のＮＭＲデータ等は、表５−１の通りであった。
この反応溶液に、トリエチルチルシラノール（Ｅｔ_３ＳｉＯＨ） ０．３ｍｍｏｌを添加して、約２５℃で１日放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、３−アセトキシ−１，１，１，７，７，７−ヘキサエチル−５，５−ジメチル−３−ビニルテトラシロキサン（Ｅｔ_３ＳｉＯＳｉ（ＯＡｃ）ＶｉＯＳｉＭｅ_２ＳｉＥｔ_３）が５０％の収率で生成したことがわかった。この化合物のＮＭＲデータ等は、表５−１の通りであった。

この反応は、次のスキーム９に示すように、段階的なワンポットプロセスで進行する反
応系で、各段階のシロキサン化合物を簡便に製造できた。

（実施例１６８）
ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．３ｍｍｏｌ、トリフェニルシラノール（Ｐｈ_３ＳｉＯＨ） ０．３ｍｍｏｌ、ＤＢＵ ０．００３ｍｍｏｌ、および、重アセトニトリル ０．４５ｍＬを反応容器に入れ、約２５℃（室温）で２１時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−アセトキシ−１，１−ジメチル−３，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈ_３）が９９％の収率（トリフェニルシラノールに対する収率で、以下の収率もそのシラノールに対する収率である。）で生成したことがわかった。
この反応溶液に、水 ０．３ｍｍｏｌを添加して、約２５℃で２４時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−ヒドロキシ−１，１−ジメチル−３，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈ_３）が９２％の収率で生成したことがわかった。
さらに、この反応溶液に、トリアセトキシビニルシラン（ＶｉＳｉ（ＯＡｃ）_３） ０．３ｍｍｏｌを添加して、約２５℃で１時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１，１−ジアセトキシ−５，５，５−トリフェニル−３，３−ジメチル−１−ビニルトリシロキサン（（ＡｃＯ）_２ＶｉＳｉＯＳｉＭｅ_２ＯＳｉＰｈ_３）が７９％の収率で生成したことがわかった。この化合物のＮＭＲデータ等は、表５−１の通りであった。
この反応溶液に、ジメチルフェニルシラノール（Ｍｅ_２ＰｈＳｉＯＨ） ０．３ｍｍｏｌを添加して、約２５℃で２４時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、３−アセトキシ−１，１，５，５−テトラメチル−１，７，７，７−テトラフェニル−３−ビニルテトラシロキサン（Ｍｅ_２ＰｈＳｉＯＳｉ（ＯＡｃ）ＶｉＯＳｉＭｅ_２ＯＳｉＰｈ_３）が５５％の収率で生成したことがわかった。この化合物のＮＭＲデータ等は、表５−１の通りであった。

この反応は、次のスキーム１０に示すように、段階的なワンポットプロセスで進行する反応系で、各段階のシロキサン化合物を簡便に製造できた。

（実施例１６９）
ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．３ｍｍｏｌ、トリフェニルシラノール（Ｐｈ_３ＳｉＯＨ） ０．３ｍｍｏｌ、ＤＢＵ ０．００３ｍｍｏｌ、および、重アセトニトリル ０．４５ｍＬを反応容器に入れ、約２５℃で２１時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−アセトキシ−１，１−ジメチル−３，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈ_３）が９１％の収率（トリフェニルシラノールに対する収率で、以下の収率もそのシラノールに対する収率である。）で生成したことがわかった。
この反応溶液に、水 ０．３ｍｍｏｌを添加して、約２５℃で２４時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−ヒドロキシ−１，１−ジメチル−３，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈ_３）が８７％の収率で生成したことがわかった。
さらに、この反応溶液に、ジアセトキシフェニルビニルシラン（ＰｈＶｉＳｉ（ＯＡｃ）_２） ０．３ｍｍｏｌを添加して、約２５℃で２３時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−アセトキシ−３，３−ジメチル−１，５，５，５−テトラフェニル−１−ビニルトリシロキサン（（ＡｃＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＭｅ_２ＯＳｉＰｈ_３）が８５％の収率で生成したことがわかった。この化合物のＮＭＲデータ等は、表５−１の通りであった。
この反応溶液に、水 ０．３ｍｍｏｌを添加して、約２５℃で２４時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−１，５，５，５−テトラフェニル−１−ビニルトリシロキサン（（ＨＯ）ＰｈＶｉＳｉＯＳｉＭｅ_２ＯＳｉＰｈ_３）が８０％の収率で生成したことがわかった。この化合物のＮＭＲデータ等は、表５−１の通りであった。
さらに、この反応溶液に、ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．３ｍｍｏｌを添加して、約２５℃で２３時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−アセトキシ−１，１，５，５−テトラメチル−３，７，７，７−テトラフェニル−３−ビニルテトラシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈＶｉＯＳｉＭｅ_２ＯＳｉＰｈ_３）が７７％の収率で生成したことがわかった。この化合物のＮＭＲデータ等は、表５−１の通りであった。
この反応溶液に、水 ０．３ｍｍｏｌを添加して、約２５℃で２０時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−ヒドロキシ−１，１，５，５−テトラメチル−３，７，７，７−テトラフェニル−３−ビニルテトラシロキサン（（ＨＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈＶｉＯＳｉＭｅ_２ＯＳｉＰｈ_３）が６３％の収率で生成したこ
とがわかった。
なお、最後に生成したシロキサン化合物については、分取ＧＰＣ（溶出液トルエン）で、生成物を分離精製した結果、そのシロキサン化合物が、０．１５ｍｍｏｌ（収率５０％）得られた。

最終生成物のスペクトルデータは、表５−２および次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.113 (s, 6H, Si(CH₃)₂OH), 0.115 and 0.127 (each s, 6H, Si(CH^a ₃)(CH^b ₃)OSi), 2.00 (br s, 1H, OH), 5.85 (dd, J = 19.4, 4.7 Hz, SiCH=CH^a H ^b), 6.04 (dd, J = 14.9, 4.7 Hz, SiCH=CH ^aH^b), 6.08 (dd, J = 19.4, 14.9 Hz, SiCH=CH₂), 7.28-7.46 and 7.54-7.63 (each m, C₆H₅, 15H)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ 0.36, 1.39, 1.41, 127.7, 127.8, 129.85, 129.91, 133.9, 134.8, 135.1, 135.2, 135.6, 135.8
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -48.6, -21.3, -18.4, -9.4
HR-TOF-MS (ESI): 計算値 C₃₀H₃₆O₄Si₄Na (M+Na)⁺ 595.1583, 測定値 595.1578

この反応は、次のスキーム１１に示すように、段階的なワンポットプロセスで進行する反応系で、各段階のシロキサン化合物を簡便に製造できた。

（実施例１７０）
ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．３ｍｍｏｌ、トリフェニルシラノール（Ｐｈ_３ＳｉＯＨ） ０．３ｍｍｏｌ、ＤＢＵ ０．００３ｍｍｏｌ、および、重アセトニトリル ０．４５ｍＬを反応容器に入れ、６０℃で１時間加熱した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−アセトキシ−１，１−ジメチル−３，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈ_３）が９５％の収率（トリフェニルシラノールに対する収率で、以下の収率もそのシラノールに対する収率である。）で生成したことがわかった。
この反応溶液に、水 ０．３ｍｍｏｌを添加して、６０℃で２時間加熱した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−ヒドロキシ−１，１−ジメチル−３，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈ_３）が９０％の収率で生成したことがわかった。
さらに、この反応溶液に、ジアセトキシメチルフェニルシラン（ＭｅＰｈＳｉ（ＯＡｃ）_２） ０．３ｍｍｏｌを添加して、６０℃で１時間加熱した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−アセトキシ−１，３，３−トリメチル−１，５，５，５−テトラフェニルトリシロキサン（（ＡｃＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＭｅ_２ＯＳｉＰｈ_３）が７５％の収率で生成したことがわかった。この化合物のＮＭＲデータ等は、表５−２の通りであった。
この反応溶液に、水 ０．３ｍｍｏｌを添加して、６０℃で１時間加熱した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−ヒドロキシ−１，３，３−トリメチル−１，５，５，５−テトラフェニルトリシロキサン（（ＨＯ）ＭｅＰｈＳｉＯＳｉＭｅ_２ＯＳｉＰｈ_３）が７３％の収率で生成したことがわかった。この化合物のＮＭＲデータ等は、表５−２の通りであった。
さらに、この反応溶液に、ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．３ｍｍｏｌを添加して、約２５℃で１５時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−アセトキシ−１，１，３，５，５−ペンタメチル−３，７，７，７−テトラフェニルテトラシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＭｅＰｈＯＳｉＭｅ_２ＯＳｉＰｈ_３）が６０％の収率で生成したことがわかった。この化合物のＮＭＲデータ等は、表５−２の通りであった。

この反応は、次のスキーム１２に示すように、段階的なワンポットプロセスで進行する反応系で、各段階のシロキサン化合物を簡便に製造できた。

（実施例１７１）
ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．３ｍｍｏｌ、トリエチルシラノール（Ｅｔ_３ＳｉＯＨ） ０．３ｍｍｏｌ、ＤＢＵ ０．００３ｍｍｏｌ、および、重アセトニトリル ０．４５ｍＬを反応容器に入れ、約２５℃で２時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−アセトキシ−３，３，３−トリエチル−１，１−ジメチルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＥｔ_３）が８４％の収率（トリエチルシラノールに対する収率で、以下のトリエチルシリル基を含む化合物の収率も、そのシラノールに対する収率である。）で生成したことがわかった。
この反応溶液に、水 ０．３ｍｍｏｌを添加して、約２５℃で１９時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１，１，１−トリエチル−３−ヒドロキシ−３，３−ジメチルジシロキサン（（ＨＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＥｔ_３）が７５％の収率で生成したことがわかった。この反応溶液を、反応溶液Ａとする。
次に、ビニルトリアセトキシシラン（ＶｉＳｉ（ＯＡｃ）_３） ０．３ｍｍｏｌ、トリフェニルシラノール（Ｐｈ_３ＳｉＯＨ） ０．３ｍｍｏｌ、重アセトニトリル ０．４５ｍＬを別の反応容器に入れ、約２５℃で１時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１，１−ジアセトキシ−３，３，３−トリフェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＡｃＯ）_２ＶｉＳｉＯＳｉＰｈ_３）が９５％の収率（トリフェニルシラノールに対する収率）で生成したことがわかった。この反応溶液を、反応溶液Ｂとする。この化合物のＮＭＲデータ等は、表５−２の通りであった。
先に得られた反応溶液Ａと反応溶液Ｂを混合して、約２５℃で２２時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、３−アセトキシ−７，７，７−トリエチル−５，５−ジメチル−１，１，１−トリフェニル−３−ビニルテトラシロキサン（Ｐｈ_３ＳｉＯＳｉ（ＯＡｃ）ＶｉＯＳｉＭｅ_２ＯＳｉＥｔ_３）が７０％の収率で生成したことがわかった。この化合物のＮＭＲデータ等は、表５−２の通りであった。
この反応溶液に、水 ０．３ｍｍｏｌを添加して、約２５℃で３日放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、７，７，７−トリエチル−３−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−１，１，１−トリフェニル−３−ビニルテトラシロキサン（Ｐｈ_３ＳｉＯＳｉ（ＯＨ）ＶｉＯＳｉＭｅ_２ＯＳｉＥｔ_３）が６６％の収率で生成したことがわかった。
なお、最後に生成したシロキサン化合物については、分取ＧＰＣ（溶出液トルエン）で、生成物を分離精製した結果、そのシロキサン化合物が、０．１８ｍｍｏｌ（収率６０％）得られた。

最終生成物のスペクトルデータは、表５−２および次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.001 and 0.006 (each s, 6H, Si(CH^a ₃)(CH^b ₃)), 0.50 (q, J = 7.8 Hz, 6H, SiCH₂), 0.90 (t, J = 7.8 Hz, 9H, SiCCH₃), 5.86-6.00 (m, 3H, SiCH=CH₂),
2.24 (br s, 1H, OH), 7.33-7.45 and 7.58-7.65 (each m, 15H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ 0.92, 0.94, 6.1, 6.7, 127.8, 129.9, 131.7, 135.1, 135.4, 135.5
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -70.2, -20.7, -20.2, -10.6
HR-TOF-MS (ESI): 計算値 C₂₈H₄₀O₄Si₄Na (M+Na)⁺ 575.1896, 測定値 575.1892

この反応は、次のスキーム１３に示すように、段階的なワンポットプロセスで進行する反応系で、各段階のシロキサン化合物を簡便に製造できた。

（実施例１７２）
ジアセトキシジフェニルシラン（Ｐｈ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．３ｍｍｏｌ、トリエチルシラノール（Ｅｔ_３ＳｉＯＨ） ０．３ｍｍｏｌ、ＤＢＵ ０．００３ｍｍｏｌ、および、重アセトニトリル ０．４５ｍＬを反応容器に入れ、約２５℃で２時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１−アセトキシ−３，３，３−トリエチル−１，１−ジフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉＥｔ_３）が８０％の収率（トリエチルシラノールに対する収率で、以下のトリエチルシリル基を含む化合物の収率も、そのシラノールに対する収率である。）で生成したことがわかった。
この反応溶液に、水 ０．３ｍｍｏｌを添加して、約２５℃で１９時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１，１，１−トリエチル−３−ヒドロキシ−３，３−ジフェニルジシロキサン（（ＨＯ）Ｐｈ_２ＳｉＯＳｉＥｔ_３）が７９％の収率で生成したことがわかった。この反応溶液を、反応溶液Ａとする。
次に、ビニルトリアセトキシシラン（ＶｉＳｉ（ＯＡｃ）_３） ０．３ｍｍｏｌ、トリフェニルシラノール（Ｐｈ_３ＳｉＯＨ） ０．３ｍｍｏｌ、および、重アセトニトリル ０．４５ｍＬを別の反応容器に入れ、約２５℃で１時間放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、１，１−ジアセトキシ−３，３，３−トリフェニル−１−ビニルジシロキサン（（ＡｃＯ）_２ＶｉＳｉＯＳｉＰｈ_３）が９５％の収率（トリフェニルシラノールに対する収率）で生成したことがわかった。この反応溶液を、反応溶液Ｂとする。この化合物のＮＭＲデータ等は、表５−２の通りであった。
先に得られた反応溶液Ａと反応溶液Ｂを混合して、約２５℃で３日放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、３−アセトキシ−７，７，７−トリエチル−１，１，１，５，５−ペンタフェニル−３−ビニルテトラシロキサン（Ｐｈ_３ＳｉＯＳｉ（ＯＡｃ）ＶｉＯＳｉＰｈ_２ＯＳｉＥｔ_３）が６５％の収率で生成したことがわかった。この化合物のＮＭＲデータ等は、表５−２の通りであった。
この反応溶液に、水 ０．３ｍｍｏｌを添加して、約２５℃で３日放置した。生成物の構造と収率をＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、７，７，７−トリエチル−３−ヒドロ
キシ−１，１，１，５，５−ペンタフェニル−３−ビニルテトラシロキサン（Ｐｈ_３ＳｉＯＳｉ（ＯＨ）ＶｉＯＳｉＰｈ_２ＯＳｉＥｔ_３）が６０％の収率で生成したことがわかった。
最後に生成したシロキサン化合物については、分取ＧＰＣ（溶出液トルエン）で、生成物を分離精製した結果、そのシロキサン化合物が、０．１６ｍｍｏｌ（収率５３％）得られた。

最終生成物のスペクトルデータは、表５−２および次の通りであった。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 0.53 (q, J = 7.9 Hz, 6H, SiCH₂), 0.85 (t, J = 7.9 Hz, SiCCH₃), 2.21 (br s, 1H, OH), 5.79-5.95 (m, 3H, SiCH=CH₂), 7.20-7.42 and 7.50-7.59 (each m, 25H, C₆H₅)
¹³C-NMR (CDCl₃): δ 6.2, 6.7, 127.6^*, 127.7^*, 127.8, 129.84^*, 129.86^*, 129.91,
131.3, 134.24^*, 134.28^*, 135.1, 135.2, 135.6^*, 135.7^*, 136.0 (^* Si(C ₆ H₅)^a(C ₆ H₅)^bのシグナル)
²⁹Si-NMR (CDCl₃): δ -70.1, -47.6, -19.8, -13.3
HR-TOF-MS (ESI): 計算値 C₃₈H₄₄O₄Si₄Na (M+Na)⁺ 699.2209, 測定値 699.2212

この反応は、次のスキーム１４に示すように、段階的なワンポットプロセスで進行する反応系で、各段階のシロキサン化合物を簡便に製造できた。

表５−１および表５−２中の注釈を以下に示す。
1) ²⁹Si NMRの化学シフト値（反応溶液中）。NMR溶媒として、CD₃CNを使用。緩和試薬Cr(acac)₃（クロム(III)アセチルアセトナート）を添加して測定。括弧内はピーク面積の積分比に基づくケイ素原子の個数またはその比。
2) GC-MS：ガスクロマトグラフ質量分析、EI法：電子衝撃イオン化法（70eV）。
3) HR-TOF-MS：高分解能飛行時間型質量分析、ESI法：エレクトロスプレーイオン化法。4) 2種類のジアステレオマー異性体の混合物（生成比は約1:1）。

さらに、本発明の製造方法により製造されるシロキサン化合物に、アシロキシ基、ヒドロキシ基等の反応性置換基が存在している場合は、次の実施例に示すように、それらのシロキサン化合物を固体材料の表面処理剤として用いることができる。

（実施例１７３）
ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） ０．６ｍｍｏｌ、トリフェニルシラノール（Ｐｈ_３ＳｉＯＨ） ０．６ｍｍｏｌ、トリエチルアミン ０．００６ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．５ｍLを反応容器に入れ、約２５℃で４時間攪拌した。生成物の構造と収率をＮＭＲで分析した結果、１−アセトキシ−１，１−ジメチル−３，３，３−トリフェニルジシロキサン（（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯＳｉＰｈ_３）が９５％の収率で生成したことがわかった。
この反応溶液をトルエンで希釈して、表面処理溶液（シロキサン化合物の濃度は約０．３Ｍ）を調製した。調製溶液にガラス板（ホウケイ酸ガラス、１．８×１．８ｃｍ、ガラス板は、使用前に、アルカリ洗浄液、硝酸水溶液、および純水で順次洗浄）を室温で１５分間浸漬し、トルエンおよびアセトンで順次洗浄し、８０℃で５分乾燥させた。ガラス板の水に対する接触角を、接触角計（協和界面科学製 自動接触角計 ＤＭｅ−２０１）で測定した結果、未処理の状態では約２０°であり、処理後の状態では７６°であった。これにより、ガラス板の表面が、シロキサン化合物により疎水的に修飾されたことが示された。

（実施例１７４）
ジアセトキシジメチルシラン（Ｍｅ_２Ｓｉ（ＯＡｃ）_２） １．２ｍｍｏｌ、ジフェニルシランジオール（Ｐｈ_２Ｓｉ（ＯＨ）_２ ０．６ｍｍｏｌ、トリエチルアミン ０．００６ｍｍｏｌ、および、アセトニトリル ０．５ｍLを反応容器に入れ、約２５℃で１時間攪拌した。生成物の構造と収率をＮＭＲで分析した結果、１，５−ジアセトキシ−１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジフェニルトリシロキサン（[（ＡｃＯ）Ｍｅ_２ＳｉＯ]_２ＳｉＰｈ_２）が９６％の収率で生成したことがわかった。
この反応溶液をトルエンで希釈して、表面処理溶液（シロキサン化合物の濃度は約０．３Ｍ）を調製した。この溶液を用いて、実施例１７１と同様に、ガラス板の表面処理を行い、水に対する接触角を測定した結果、未処理の状態では約２０°であり、処理後の状態では７０°であった。これにより、ガラス板の表面が、シロキサン化合物により疎水的に修飾されたことが示された。

本発明の製造方法により、機能性化学品および機能性材料として有用なさまざまなシロキサン化合物をより効率的かつ安全に製造できるとともに、新規なシロキサン化合物、それらの表面処理剤等としての用途を提供できるため、本発明の利用価値は高く、その工業的意義は多大である。

Claims (16)

1. 触媒の存在下で、Ｓｉ−ＯＣＯ結合（ＯＣＯはオキシカルボニル基のＯ−Ｃ（＝Ｏ）を示す。）を有する第１のアシロキシシランとＳｉ−ＯＨ結合を有する第１のシラノールとを反応させる第１の反応工程を含み、
   前記触媒が、下記（１）または（２）から選ばれる塩基性化合物である、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有するシロキサン化合物の製造方法。
   （１）アルカリ金属の炭酸塩または酢酸塩
   （２）共役酸のｐＫａが６〜５０である有機化合物、アミジン化合物、グアニジン化合物、脂肪族系の３級もしくは２級アミン、ホスファゼン化合物、または、それらの化合物に由来する基を有する、有機ポリマー系もしくは無機系の化合物
2. 前記（１）の塩基性化合物が、炭酸セシウム、炭酸ルビジウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸リチウム、酢酸セシウム、酢酸ルビジウム、酢酸カリウム、酢酸ナトリウム、および、酢酸リチウムから選ばれる化合物である、請求項１に記載のシロキサン化合物の製造方法。
3. 前記（２）の塩基性化合物が、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）；１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（ＤＢＮ）；７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン（ＭＴＢＤ）；トリエチルアミン；トリプロピルアミン；トリブチルアミン；トリヘキシルアミン；イソプロピルジメチルアミン；ジイソプロピルメチルアミン；ジシクロヘキシルメチルアミン；ジエチルアミン；ジブチルアミン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）；１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）；１−アザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＡＢＣＯ）；ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−トリ（ピロリジノ）ホスホラン（ＢＴＰＰ）；２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチルペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリン（ＢＥＭＰ）；１−ｔｅｒｔ−ブチル−２，２，４，４，４−ペンタキス（ジメチルアミノ）−２λ^５，４λ^５−カテナジ（ホスファゼン）（Ｐ２−ｔ−Ｂｕ）；１−ｔｅｒｔ−ブチル−４，４，４−トリス（ジメチルアミノ）−２，２−ビス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］−２λ^５，４λ^５−カテナジ（ホスファゼン）（Ｐ４−ｔ−Ｂｕ）；４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）；ヘキサメチレンテトラミン（ＨＭＴＡ）；および、トリメチルアミン、ジソプロピルメチルアミン、ＤＢＵ、ＭＴＢＤ、または、ＢＥＭＰに由来する基を有するポリマー；から選ばれる化合物である、請求項１または２に記載のシロキサン化合物の製造方法。
4. 前記第１のアシロキシシランが、下記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランである、請求項１〜３の何れか１項に記載のシロキサン化合物の製造方法。
   Ｒ^１Ｒ^２Ｓｉ（ＯＣＯＲ^３）_２ （ＩＡ）
   （式中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよく；Ｒ^３は、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、前記炭素数１〜１０の炭化水素基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
5. 前記第１のシラノールが、下記一般式（ＩＩＡ１）または（ＩＩＡ２）で表されるシラノールである、請求項１〜４の何れか１項に記載のシロキサン化合物の製造方法。
   Ｒ^４ _ａＲ^５ _ｂＲ^６ _ｃＳｉ（ＯＨ）_{４−（ａ＋ｂ＋ｃ）} （ＩＩＡ１）
   （式中、ａ、ｂ、およびｃは、それぞれ独立に、０以上３以下の整数であり；ａ＋ｂ＋ｃ
   は、０以上３以下の整数であり；Ｒ^４、Ｒ^５、およびＲ^６は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
   ＨＯ（ＳｉＲ^７Ｒ^８Ｏ）_ｄＨ (ＩＩＡ２)
   （式中、ｄは、２以上４以下の整数であり；Ｒ^７およびＲ^８は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、またはヒドロキシ基であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
6. 前記第１のアシロキシシランが、下記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランであり、
   前記第１のシラノールが、下記一般式（ＩＩＡ２）で表されるシラノールであり、
   前記第１の反応工程の反応生成物が、下記一般式（ＩＩＩＡ１）で表される環状シロキサン化合物である、請求項１〜３の何れか１項に記載のシロキサン化合物の製造方法。
   Ｒ^１Ｒ^２Ｓｉ（ＯＣＯＲ^３）_２ （ＩＡ）
   （式中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよく；Ｒ^３は、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、前記炭素数１〜１０の炭化水素基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
   ＨＯ（ＳｉＲ^７Ｒ^８Ｏ）_ｄＨ (ＩＩＡ２)
   （式中、ｄは、２以上４以下の整数であり；Ｒ^７およびＲ^８は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、またはヒドロキシ基であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部が反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
   

   

   （式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^７、Ｒ^８、およびｄは、前記と同義である。）
7. 前記第１のアシロキシシランが、下記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランであり、
   前記第１のシラノールが、下記一般式（ＩＩＡ１）または（ＩＩＡ２）で表されるシラノールであり、
   前記第１の反応工程の生成物が、下記一般式（ＩＩＡ１）または（ＩＩＡ２）で表されるシラノールのヒドロキシ基の水素原子の一部または全部を、下記一般式（ＩＶＡ）で表されるアシロキシシリル基で置換した構造を有するシロキサン化合物である、請求項１〜３の何れか１項に記載のシロキサン化合物の製造方法。
   Ｒ^１Ｒ^２Ｓｉ（ＯＣＯＲ^３）_２ （ＩＡ）
   （式中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよく；Ｒ^３は、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、前記炭素数１〜１０の炭化水素基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、
   反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
   Ｒ^４ _ａＲ^５ _ｂＲ^６ _ｃＳｉ（ＯＨ）_{４−（ａ＋ｂ＋ｃ）} （ＩＩＡ１）
   （式中、ａ、ｂ、およびｃは、それぞれ独立に、０以上３以下の整数であり；ａ＋ｂ＋ｃは、０以上３以下の整数であり；Ｒ^４、Ｒ^５、およびＲ^６は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
   ＨＯ（ＳｉＲ^７Ｒ^８Ｏ）_ｄＨ (ＩＩＡ２)
   （式中、ｄは、２以上４以下の整数であり；Ｒ^７およびＲ^８は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、またはヒドロキシ基であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
   −ＳｉＲ^１Ｒ^２（ＯＣＯＲ^３） （ＩＶＡ）
   （式中、Ｒ^１、Ｒ^２、およびＲ^３は、前記と同義である。）
8. 水または下記一般式（ＶＡ）で表されるアルコールとの反応により、前記アシロキシシリル基のアシロキシ基を下記一般式（ＶＩＡ）で表されるアルコキシ基に変換する修飾工程をさらに含む、請求項７に記載のシロキサン化合物の製造方法。
   ＲＯＨ （ＶＡ）
   （式中、Ｒは、炭素数１〜６のアルキル基である。）
   −ＯＲ （ＶＩＡ）
   （式中、Ｒは、前記と同義である。）
9. 前記第１の反応工程の反応生成物がアシロキシ基を有するシロキサン化合物であり、かつ、
   水または下記一般式（ＶＡ）で表されるアルコールとの反応により、前記アシロキシ基をヒドロキシ基または下記一般式（ＶＩＡ）で表されるアルコキシ基に変換する修飾工程をさらに含む、請求項１〜３の何れか１項に記載のシロキサン化合物の製造方法。
   ＲＯＨ （ＶＡ）
   （式中、Ｒは、炭素数１〜６のアルキル基である。）
   −ＯＲ （ＶＩＡ）
   （式中、Ｒは、前記と同義である。）
10. 前記修飾工程が、水との反応により、前記第１の反応工程の前記反応生成物のアシロキシ基をヒドロキシ基に変換する工程であり、
    前記（１）または（２）から選ばれる塩基性化合物の存在下で、前記修飾工程の反応生成物とＳｉ−ＯＣＯ結合を有する第２のアシロキシシランとを反応させる第２の反応工程をさらに含む、請求項９に記載のシロキサン化合物の製造方法。
11. 前記第１の反応工程の反応生成物がアシロキシ基を有し、かつ、
    前記（１）または（２）から選ばれる塩基性化合物の存在下で、前記第１の反応工程の前記反応生成物とＳｉ−ＯＨ結合を有する第２のシラノールとを反応させる第３の反応工程をさらに含む、請求項１〜３の何れか１項に記載のシロキサン化合物の製造方法。
12. 前記第１のアシロキシシランが、下記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランであり、
    前記第１のシラノールが、下記一般式（ＩＩＡ１’）で表されるシラノールであり、
    前記第１の反応工程の反応生成物が、１分子中にアシロキシ基を１個有するシロキサン化合物であり、かつ、
    前記第１の反応工程の後に、
    水との反応により、前工程で得たシロキサン化合物のアシロキシ基をヒドロキシ基に変換する修飾工程と、
    前記（１）または（２）から選ばれる塩基性化合物の存在下で、前記修飾工程の反応生成物と下記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランとを反応させ、１分子中にアシロキシ基を１個有するシロキサン化合物を得る第４の反応工程と
    を交互に行う、請求項１〜３の何れか１項に記載のシロキサン化合物の製造方法。
    Ｒ^１Ｒ^２Ｓｉ（ＯＣＯＲ^３）_２ （ＩＡ）
    （式中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよく；Ｒ^３は、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、前記炭素数１〜１０の炭化水素基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
    Ｒ^４ _ａＲ^５ _ｂＲ^６ _ｃＳｉＯＨ （ＩＩＡ１’）
    （式中、ａ、ｂ、およびｃは、それぞれ独立に０以上３以下の整数であり；ａ＋ｂ＋ｃは、３であり；Ｒ^４、Ｒ^５、およびＲ^６は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
13. 前記第１のアシロキシシランが、下記一般式（ＩＡ）で表されるアシロキシシランであり、
    前記第１のシラノールが、下記一般式（ＩＩＡ１’’）または（ＩＩＡ２）で表されるシラノールであり、かつ、
    前記第１の反応工程の反応生成物が、Ｒ^３ＣＯ_２−[Ｓｉ]−Ｏ−（Ｓｉ）−Ｏ−[Ｓｉ]−ＯＣＯＲ^３で表される骨格を有するアシロキシ末端シロキサン化合物（前記第１のシラノール１分子に対して前記第１のアシロキシシラン２分子が反応して生成する構造であり；[Ｓｉ]は、前記第１のアシロキシシランに由来するシリレン基であり；（Ｓｉ）は、前記第１のシラノールに由来するシリレン基であり；Ｒ^３は、式（ＩＡ）中のＲ^３と同義である。）であり、かつ、
    前記アシロキシ末端シロキサン化合物を、水および前記（１）または（２）から選ばれる塩基性化合物の存在下で反応させて、下記一般式（ＩＩＩＡ２）の構造を有する環状シロキサン化合物を製造する環化工程をさらに含む、請求項１〜３の何れか１項に記載のシロキサン化合物の製造方法。
    Ｒ^１Ｒ^２Ｓｉ（ＯＣＯＲ^３）_２ （ＩＡ）
    （式中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよく；Ｒ^３は、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、前記炭素数１〜１０の炭化水素基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
    Ｒ^４ _ａＲ^５ _ｂＳｉ（ＯＨ）_{４−（ａ＋ｂ）} （ＩＩＡ１’’）
    （式中、ａおよびｂは、それぞれ独立に、０以上２以下の整数であり；ａ＋ｂは、０以上２以下の整数であり；Ｒ^４、Ｒ^５、およびＲ^６は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または水素原子であり、前記炭素数１〜２０の炭化水素基および前記炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
    ＨＯ（ＳｉＲ^７Ｒ^８Ｏ）_ｄＨ (ＩＩＡ２)
    （式中、ｄは、２以上４以下の整数であり；Ｒ^７およびＲ^８は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、またはヒドロキシ基であり、前
    記炭素数１〜２０の炭化水素基および炭素数１〜２０のアルコキシ基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、反応に関与しない基で置換されていてもよい。）
    

    
14. 下記一般式（ＩＩＩＢ１）〜（ＩＩＩＢ４）で表されるシロキサン化合物。
    Ｒ^９Ｒ^１０Ｒ^１１Ｓｉ−Ｏ−ＳｉＲ^１２Ｒ^１３Ｘ^１ （ＩＩＩＢ１）
    Ｒ^１４Ｒ^１５Ｒ^１６Ｓｉ−Ｏ−ＳｉＲ^１７Ｒ^１８−Ｏ−ＳｉＲ^１９Ｒ^２０Ｘ^２ （ＩＩＩＢ２）
    Ｒ^２１Ｒ^２２Ｒ^２３Ｓｉ−Ｏ−ＳｉＲ^２４Ｒ^２５−Ｏ−ＳｉＲ^２６Ｒ^２７−Ｏ−ＳｉＲ^２８Ｒ^２９Ｘ^３ （ＩＩＩＢ３）
    Ｒ^３０Ｒ^３１Ｒ^３２Ｓｉ−Ｏ−ＳｉＲ^３３Ｒ^３４−Ｏ−ＳｉＲ^３５Ｘ^４−Ｏ−ＳｉＲ^３６Ｒ^３７Ｒ^３８ （ＩＩＩＢ４）
    （これら式中、Ｒ^９〜Ｒ^３８は、それぞれ独立に、メチル基、エチル基、フェニル基、および、ビニル基の中から選ばれる基であり、Ｘ^１〜Ｘ^４は、それぞれ独立に、アセトキシ基、トリフルオロアセトキシ基、またはヒドロキシ基である。）
15. 請求項１〜１３の何れか１項に記載の製造方法で得られるシロキサン化合物であって、アシロキシ基およびヒドロキシ基の少なくとも一方を有するシロキサン化合物、並びに請求項１４に記載のシロキサン化合物から選ばれるシロキサン化合物を含有する組成物からなる、表面処理剤。
16. 請求項１５に記載の表面処理剤を用いて、固体材料の表面処理を行う方法。