JP2021130571A - 窒化アルミニウム基板、電子装置及び電子モジュール - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 100
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract description 92
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 77
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
第1面と前記第1面の反対側に位置する第2面とを有し、窒化アルミニウム粒子と粒界相とを含む基板であり、
前記第1面に近く、厚さが前記基板の厚さの1/4以上、2/3以下である第1領域に位置する前記粒界相の質量比は、前記第2面に近く、厚さが前記基板の厚さの1/8以上、1/3以下である第2領域に位置する前記粒界相の質量比よりも小さい。
上記の窒化アルミニウム基板と、
前記窒化アルミニウム基板に搭載された電子部品と、
を備える。
上記の電子装置と、
前記電子装置が搭載されたモジュール用基板と、
を備える。
実施形態の窒化アルミニウム基板1の製造工程は、例えば、AlN原料に、イットリア(Y2O3)、エルビア(Er2O3)、酸化ガドリニウム(Gd2O3)等の焼結助剤を質量比0.3%〜8.5%、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート等のバインダを質量比10%〜20%含有させ、0.6μm〜2.0μm厚のグリーンシートに成形する工程と、成形されたグリーンシートを積層して基板の厚さの成形体を形成する工程と、成形体を酸素を含む雰囲気内で加熱し脱脂する工程と、カーボンバッチ炉で焼成する工程とを含む。製造工程には、焼成された基板の表面をジェットスクラブ等で研磨する工程が含まれてもよい。膜形状の材料に成形した段階で、基板の厚みに至っていれば、膜形状の材料を積層する工程は省かれる。
実施例の窒化アルミニウム基板1は上述した製造方法により製造される。実施例の窒化アルミニウム基板1について、図1(B)に示すように第1領域A1、第2領域A2、第3領域A3を設定し、各領域A1〜A3から複数の区域Q1〜Q9を抽出し、各区域Q1〜Q9における粒界相4の質量比率、径及び厚みを計測すると、次の計測結果1が得られた。ここで、粒界相4の径及び厚みは、それぞれ、上記のコンピュータソフトウェア「ImageJ」により取得された最大Feret長さ(Feret(max))と最小Feret長さ(Feret(min))とに相当する。最大Feret長さと最小Feret長さとは、平行な2直線で測定対象を様々な角度から挟んだときに最大となる幅と最小となる幅を意味する。
図4は、本開示の実施形態に係る電子装置及び電子モジュールを示す断面図である。
3 粒子(窒化アルミニウム粒子)
4 粒界相
4A 第1粒界相
10 配線基板
11 第1面
12 第2面
A1 第1領域
A2 第2領域
A3 第3領域
50 電子部品
60 電子装置
100 電子モジュール
110 モジュール用基板
Claims (6)
- 第1面と前記第1面の反対側に位置する第2面とを有し、窒化アルミニウム粒子と粒界相とを含む基板であり、
前記第1面に近く、厚さが前記基板の厚さの1/4以上2/3以下である第1領域に位置する前記粒界相の質量比は、前記第2面に近く、厚さが前記基板の厚さの1/8以上1/3以下である第2領域に位置する前記粒界相の質量比よりも小さい、
窒化アルミニウム基板。 - 前記第1領域と前記第2領域との間に位置する第3領域に、前記粒界相の質量比が前記第2領域に向かって漸増する領域が含まれる、
請求項1記載の窒化アルミニウム基板。 - 前記第2領域に位置する前記粒界相には、前記第2領域に位置する前記窒化アルミニウム粒子の平均粒径の3倍以上の長手方向の幅を有する第1粒界相が含まれる、
請求項1又は請求項2記載の窒化アルミニウム基板。 - 前記第2領域に位置する前記粒界相、並びに、前記第3領域に位置する前記粒界相には、前記第2領域及び前記第3領域に位置する前記窒化アルミニウム粒子の平均粒径の3倍以上の長手方向の幅を有する第1粒界相が含まれ、
前記第2領域に含まれる前記第1粒界相の単位面積当たりの個数が、前記第3領域に含まれる前記第1粒界相の単位面積当たりの個数よりも大きい、
請求項2又は請求項3記載の窒化アルミニウム基板。 - 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の窒化アルミニウム基板と、
前記窒化アルミニウム基板に搭載された電子部品と、
を備える電子装置。 - 請求項5記載の電子装置と、
前記電子装置が搭載されたモジュール用基板と、
を備える電子モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020025505A JP7441070B2 (ja) | 2020-02-18 | 2020-02-18 | 窒化アルミニウム基板、電子装置及び電子モジュール |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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JP2021130571A true JP2021130571A (ja) | 2021-09-09 |
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