JP2021109961A - ポリマー及びフォトレジスト組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
ポリ[p−ヒドロキシスチレン−co−スチレン−co−tert−ブチルアクリレート](A−1)、ポリ[p−ヒドロキシスチレン−co−スチレン−co−1−エチルシクロペンチルメタクリレート](A−2)、ポリ[p−ヒドロキシスチレン−co−ヘキサヒドロ−4,7−メタノインダン−5−オルアクリレート−co−tert−ブチルアクリレート](A−3)及びポリ[p−ヒドロキシスチレン−co−ヘキサヒドロ−4,7−メタノインダン−5−オルアクリレート−co−tert−ブチルアクリレート](A−4)を、Sheehanらの(特許文献4)に記載される方法を用いたフリーラジカル重合によって合成した。
500mLの丸底フラスコに33.1gのポリマーA−1及び380mLのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)を投入して溶液を形成した。反応フラスコを減圧して溶液を濃縮し、含水量を重量基準で200ppm未満にした。続いて、溶液を窒素で40分間パージした。3.25gのエチルビニルエーテル、続いて0.061gのトリフルオロ酢酸(TFA、PGMEA中20%溶液)を溶液に滴下注入した。続いて、反応混合物を室温(約23℃)で19時間撹拌した。得られた生成物溶液を塩基性アルミナのカラムで濾過し、次いでインラインPTFEメンブレンフィルター(0.2μm孔径、ACRO50として入手可能)で濾過した。減圧下で溶液を濃縮し、PGMEA中50重量%のテトラポリマーB−1溶液を生成した。ポリスチレン標準を用いたGPCによって判定して、テトラポリマーB−1は、21.0kg/モルのMw及び1.75のPDIを有していた。
1Lの丸底フラスコに41.8gのポリマーA−2及び500mLのPGMEAを投入して溶液を形成した。反応フラスコを減圧して、溶液を濃縮し、含水量を重量基準で200ppm未満にした。続いて、溶液を窒素で40分間パージした。4.47gのエチルビニルエーテル、続いて0.085gのトリフルオロ酢酸(TFA、PGMEA中20%溶液)を溶液に滴下注入した。続いて、反応混合物を室温(約23℃)で19時間撹拌した。得られた生成物溶液を塩基性アルミナのカラムで濾過し、次いでインラインPTFEメンブレンフィルター(0.2μm孔径、ACRO50として入手可能)で濾過した。減圧下で溶液を濃縮し、PGMEA中50重量%のテトラポリマーB−2溶液を生成した。ポリスチレン標準を用いたGPCによって判定して、テトラポリマーB−2は、18.5kg/モルのMw及び1.60のPDIを有していた。
ターポリマーA−5及びA−6をターポリマーA−1〜A−4と類似の方法で調製した。表1は、ターポリマーA−1〜A−6を調製するのに用いたモノマー及び対応するターポリマーの特性を示す。ターポリマー中の繰り返し単位の量は、モル%を単位とする。
本発明のテトラポリマーB−3〜B−7を比較実施例のテトラポリマーB−1及びB−2と同じ方法で調製した。表2は、テトラポリマーB−1〜B−7のそれぞれの単位を調製するのに用いたモノマー及び対応するテトラポリマーの特性を示す。テトラポリマー中の繰り返し単位の量は、モル%を単位とする。
実施例1(比較例)
17.525gのターポリマーA−1と、0.571gのPAG−Aと、2.209gの添加剤−Aと、1.767gの添加剤−Bと、0.008gの消光剤と、0.011gの界面活性剤とを22.327gのPGMEA、4.186gのプロピレングリコールメチルエーテル(PGME)及び1.395gのγ−ブチロラクトン(GBL)に溶解した。得られた混合物をローラー上で12時間ロールさせ、続いて1ミクロンの孔径を有するPTFEフィルタを通して濾過した。
KrF対比及びリソグラフィの評価は、TEL Mark8トラックを使用して200mmシリコンウェハ上で実施した。180℃/60秒の速度でシリコンウェハをヘキサメチルジシラザン(HMDS)でプライム処理した。HMDSでプライム処理したウェハを上記のフォトレジスト組成物でスピンコーティングし、150℃で70秒間ベークして、約15μmのフィルム厚さを得た。続いて、フォトレジストコーティングされたウェハを、ASML300KrFステッパによりブランクマスクを介して露光した。露光は、1.0mJ/cm2から始まり、1.0mJ/cm2の増分で増加して、ウェハ上の10×10アレイの100個のダイを露光した。露光されたウェハを、110℃で50秒間露光後ベークし、続いて0.26Nの水酸化テトラメチルアンモニウム溶液(CD−26)を使用して45秒間現像した。現像されたウェハに任意の残渣があるかを目視検査して、フィルムを完全にクリアにするために必要な最小線量であるクリアリング線量(E0)を判定した。
エッチング試験前に、HMDSでプライム処理したSiウェハ上にフォトレジスト配合物をスピンコーティングし、150℃で70秒間ベークした。表4に示すエッチング配合表に従い、Plasma−Therm LLC製790+RIEツールでエッチング試験を実施した。走査型電子顕微鏡(SEM)撮像のために、ウェハを劈開し、両面カーボンテープで補助することにより25mm×6mmのアルミニウム試料スタブに取り付けた。Denton Vacuum DV−502Aプラズマコーターを使用して、電子線下でイリジウムのコーティング(4nm)をスパッタリングして、試料に導電性を付与した。AMRAY4200を約10mmの作動距離下において15kVで稼働させて、フィルム内の表面粗さ及び空隙形成を評価した。
Claims (10)
- ヒドロキシ−アリール基を含むモノマーから誘導される第1の繰り返し単位と、
アセタール又はケタール基で保護されたヒドロキシ−アリール基を含むモノマーから誘導される第2の繰り返し単位と、
脂環式基を含む(メタ)アクリレートモノマーから誘導される第3の繰り返し単位と、
酸感受性基を含むモノマーから誘導される第4の繰り返し単位と
を含むポリマーであって、前記第1の繰り返し単位、前記第2の繰り返し単位、前記第3の繰り返し単位及び前記第4の繰り返し単位は、互いに異なる、ポリマー。 - 前記第1の繰り返し単位は、式(1)のモノマーから誘導され、
前記第2の繰り返し単位は、式(2)のモノマーから誘導され、
前記第3の繰り返し単位は、式(3)のモノマーから誘導され、及び
前記第4の繰り返し単位は、式(4a)又は(4b)のモノマーから誘導され、
Ra、Rb、Rc及びRdは、それぞれ独立して、水素、フッ素、置換若しくは非置換C1〜5アルキル又は置換若しくは非置換C1〜5フルオロアルキルであり、
R1、R2及びR8は、それぞれ独立して、それぞれ置換又は非置換である水素、直鎖若しくは分岐鎖C1〜20アルキル、直鎖若しくは分岐鎖C1〜20ヘテロアルキル、単環式若しくは多環式C3〜20シクロアルキル、単環式若しくは多環式C3〜20ヘテロシクロアルキル、単環式若しくは多環式C6〜20アリール、C7〜20アリールオキシアルキル又は単環式若しくは多環式C4〜20ヘテロアリールであり、任意選択的に、R1、R2及びR8の任意の2つは、共に単環を形成するか、又はR1、R2及びR8は、共に多環を形成し、
R3は、置換若しくは非置換の直鎖若しくは分岐鎖C1〜20アルキル、置換若しくは非置換の単環式若しくは多環式C3〜20シクロアルキル、置換若しくは非置換の単環式若しくは多環式C3〜20ヘテロシクロアルキル、置換若しくは非置換のC6〜14アリール、置換若しくは非置換のC3〜14ヘテロアリール、置換若しくは非置換のC7〜18アリールアルキル、置換若しくは非置換のC4〜18ヘテロアリールアルキル又は置換若しくは非置換のC1〜12ヘテロアルキルであり、
R4は、それぞれ非置換又は置換である単環式若しくは多環式C3〜30シクロアルキル又は単環式若しくは多環式C3〜30ヘテロシクロアルキルであるが、但し、R4は、カルボキシレート基の二価酸素原子に直接結合された三級炭素原子を含まないことを条件とし、
R9は、水素、置換若しくは非置換の直鎖若しくは分岐鎖C1〜20アルキル、置換若しくは非置換の単環式若しくは多環式C3〜20シクロアルキル、置換若しくは非置換の単環式若しくは多環式C3〜20ヘテロシクロアルキル、置換若しくは非置換のC6〜14アリール、置換若しくは非置換のC3〜14ヘテロアリール、置換若しくは非置換のC7〜18アリールアルキル、置換若しくは非置換のC4〜18ヘテロアリールアルキル又は置換若しくは非置換のC1〜12ヘテロアルキルであり、
任意選択的に、R1、R2又はR8の1つ及びR3又はR9の1つは、共に環を形成し、
Lは、少なくとも1つの炭素原子と、少なくとも1つのヘテロ原子とを含む連結単位であり、
R5、R6及びR7は、それぞれ独立して、それぞれ置換又は非置換である直鎖若しくは分岐鎖C1〜20アルキル、単環式若しくは多環式C3〜20シクロアルキル、単環式若しくは多環式C3〜20ヘテロシクロアルキル、直鎖若しくは分岐鎖C2〜20アルケニル、単環式若しくは多環式C3〜20シクロアルケニル、単環式若しくは多環式C3〜20ヘテロシクロアルケニル、単環式若しくは多環式C6〜20アリール又は単環式若しくは多環式C4〜20ヘテロアリールであり、且つR5、R6及びR7の任意の2つは、共に任意選択的に環を形成し、
各Aは、独立して、それぞれ置換又は非置換であるハロゲン、ヒドロキシ、カルボン酸若しくはエステル、チオール、直鎖若しくは分岐鎖C1〜20アルキル、単環式若しくは多環式C3〜20シクロアルキル、単環式若しくは多環式C3〜20フルオロシクロアルケニル、単環式若しくは多環式C3〜20ヘテロシクロアルキル、単環式若しくは多環式C6〜20アリール又は単環式若しくは多環式C4〜20ヘテロアリールであり、及び
各mは、独立して、0〜4の整数である、請求項1に記載のポリマー。 - 前記第1の繰り返し単位は、式(1a)
Ra及びRbは、それぞれ独立して、水素、フッ素、置換若しくは非置換C1〜5アルキル又は置換若しくは非置換C1〜5フルオロアルキルであり、
R1及びR2は、それぞれ独立して、それぞれ置換又は非置換である水素、直鎖若しくは分岐鎖C1〜20アルキル、直鎖若しくは分岐鎖C1〜20ヘテロアルキル、単環式若しくは多環式C3〜20シクロアルキル、単環式若しくは多環式C3〜20ヘテロシクロアルキル、単環式若しくは多環式C6〜20アリール、C7〜20アリールオキシアルキル又は単環式若しくは多環式C4〜20ヘテロアリールであるが、但し、R1及びR2の両方は、水素でないことを条件とし、且つ任意選択的に、R1及びR2は、共に環を形成し、及び
R3は、置換若しくは非置換C1〜12アルキル、置換若しくは非置換C6〜14アリール、置換若しくは非置換C3〜14ヘテロアリール、置換若しくは非置換C7〜18アリールアルキル、置換若しくは非置換C4〜18ヘテロアリールアルキル又は置換若しくは非置換C1〜12ヘテロアルキルであり、且つ任意選択的に、R3及びR1又はR2の1つは、共に環を形成する、請求項1又は2に記載のポリマー。 - それぞれ前記ポリマー中の100モルパーセントの総繰り返し単位を基準として、
45〜70モルパーセントの前記第1の繰り返し単位と、
5〜45モルパーセントの前記第2の繰り返し単位と、
3〜40モルパーセントの前記第3の繰り返し単位と、
5〜30モルパーセントの前記第4の繰り返し単位と
を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載のポリマー。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載のポリマーと、
光酸発生剤と、
溶媒と
を含むフォトレジスト組成物。 - 請求項5に記載のポリマーと異なる第2のポリマーを更に含み、前記第2のポリマーは、酸との反応時、0.26NのTMAH水溶液中における溶解性を不溶性から可溶性に切り替えることが可能である、請求項5に記載のフォトレジスト組成物。
- 可塑剤を更に含む、請求項5に記載のフォトレジスト組成物。
- パターンを形成する方法であって、
請求項5〜7のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物の層を基板に塗布する工程と、
前記塗布されたフォトレジスト組成物を乾燥させて、フォトレジスト組成物層を形成する工程と、
前記フォトレジスト組成物層を活性化放射線に露光する工程と、
前記露光されたフォトレジスト組成物層を加熱する工程と、
前記露光された組成物層を現像してレジストパターンを形成する工程と
を含む方法。 - 前記フォトレジスト組成物層は、少なくとも5マイクロメートルの厚さを有する、請求項8に記載の方法。
- 前記フォトレジスト組成物層をエッチングマスクとして使用して、前記基板中に階段パターンを形成する工程を更に含み、前記階段パターンは、複数の階段を含む、請求項8又は9に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/731,666 US20210200084A1 (en) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | Polymers and photoresist compositions |
US16/731,666 | 2019-12-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021109961A true JP2021109961A (ja) | 2021-08-02 |
JP7048711B2 JP7048711B2 (ja) | 2022-04-05 |
Family
ID=76547146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020204939A Active JP7048711B2 (ja) | 2019-12-31 | 2020-12-10 | ポリマー及びフォトレジスト組成物 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210200084A1 (ja) |
JP (1) | JP7048711B2 (ja) |
KR (1) | KR102590750B1 (ja) |
CN (1) | CN113121734A (ja) |
TW (1) | TWI833051B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7229149B2 (ja) * | 2019-01-31 | 2023-02-27 | 信越化学工業株式会社 | 導電性ポリマー用高分子化合物及びその製造方法 |
US20210108065A1 (en) * | 2019-10-15 | 2021-04-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Polymers and photoresist compositions |
US20230161257A1 (en) * | 2021-09-30 | 2023-05-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist compositions and pattern formation methods |
WO2024104989A1 (en) * | 2022-11-17 | 2024-05-23 | Merck Patent Gmbh | Thick film chemically amplified positive type resist composition and method for manufacturing resist film using the same |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006146242A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトレジスト組成物 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006018016A (ja) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
US9551930B2 (en) * | 2014-10-10 | 2017-01-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist composition and associated method of forming an electronic device |
JPWO2017104355A1 (ja) * | 2015-12-18 | 2018-09-20 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物、レジスト膜、マスクブランクス、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
US9758610B2 (en) * | 2015-12-18 | 2017-09-12 | Dow Global Technologies Llc | Acid-labile hyperbranched copolymer and associated photoresist composition and method of forming an electronic device |
EP3497519B1 (en) * | 2016-08-09 | 2020-11-25 | Merck Patent GmbH | Enviromentally stable, thick film, chemically amplified resist |
-
2019
- 2019-12-31 US US16/731,666 patent/US20210200084A1/en active Pending
-
2020
- 2020-12-02 CN CN202011398527.6A patent/CN113121734A/zh active Pending
- 2020-12-02 TW TW109142459A patent/TWI833051B/zh active
- 2020-12-10 KR KR1020200172045A patent/KR102590750B1/ko active IP Right Grant
- 2020-12-10 JP JP2020204939A patent/JP7048711B2/ja active Active
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JP2006146242A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトレジスト組成物 |
US20060172224A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-08-03 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist compositions |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102590750B1 (ko) | 2023-10-17 |
JP7048711B2 (ja) | 2022-04-05 |
US20210200084A1 (en) | 2021-07-01 |
CN113121734A (zh) | 2021-07-16 |
TWI833051B (zh) | 2024-02-21 |
KR20210086483A (ko) | 2021-07-08 |
TW202126709A (zh) | 2021-07-16 |
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Date | Code | Title | Description |
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