JP2021093495A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021093495A JP2021093495A JP2019224655A JP2019224655A JP2021093495A JP 2021093495 A JP2021093495 A JP 2021093495A JP 2019224655 A JP2019224655 A JP 2019224655A JP 2019224655 A JP2019224655 A JP 2019224655A JP 2021093495 A JP2021093495 A JP 2021093495A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coupling agent
- silane coupling
- concentration
- layer
- laminate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims abstract description 144
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 18
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 31
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 48
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 26
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 125000006297 carbonyl amino group Chemical group [H]N([*:2])C([*:1])=O 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- -1 rare earth compound Chemical class 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N decyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N octadecyltrimethoxysilane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- XHTWKNPMPDIELI-UHFFFAOYSA-N phenylmethoxysilane Chemical compound [SiH3]OCC1=CC=CC=C1 XHTWKNPMPDIELI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N triethoxy(hexyl)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFKCWAROGHMSTC-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(6-trimethoxysilylhexyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCCC[Si](OC)(OC)OC GFKCWAROGHMSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
- H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
- H01G2/065—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support for surface mounting, e.g. chip capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/224—Housing; Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10015—Non-printed capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3489—Composition of fluxes; Methods of application thereof; Other methods of activating the contact surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
【課題】フラックス実装による耐湿信頼性の低下が抑制された積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】本発明の積層セラミックコンデンサは、誘電体層及び内部電極層を含む積層体と、上記積層体の表面に設けられた外部電極と、を備える。上記積層体の表面のうちの少なくとも実装面には、シランカップリング剤層が設けられている。第１の態様において、上記シランカップリング剤層は、フッ素系シランカップリング剤からなり、上記実装面におけるシランカップリング剤濃度は、０．１以上３６５以下であり、かつ、上記実装面の対向面におけるシランカップリング剤濃度よりも高い。第２の態様において、上記シランカップリング剤層は、炭素系シランカップリング剤からなり、上記実装面におけるシランカップリング剤濃度は、０．９１以上３８．１０以下であり、かつ、上記実装面の対向面におけるシランカップリング剤濃度よりも高い。【選択図】図１
Description
本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
近年、携帯電話機や携帯音楽プレイヤーなどの電子機器の小型化や薄型化が進んでいる。電子機器には、積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品が多数搭載されているが、電子機器の小型化に伴って、基板に内蔵されたり、基板表面に実装されたりして電子機器に搭載される積層セラミック電子部品についても小型化や薄型化が進んできている。このような積層セラミック電子部品の薄型化に伴い、積層セラミック電子部品の強度の確保が課題となってきている。
特許文献１には、低背型の積層セラミック電子部品として、セラミック素体と、第１外部電極と、第２外部電極と、を具備する積層セラミック電子部品が開示されている。上記セラミック素体は、第１軸方向を向いた第１及び第２主面と、上記第１軸に直交する第２軸方向を向いた第１及び第２端面と、上記第１端面に引き出された第１内部電極と、上記第１内部電極に対向し、上記第２端面に引き出された第２内部電極と、を有し、上記第１及び第２軸に直交する第３軸方向に長尺に形成されている。上記第１外部電極は、上記第１端面を覆う第１被覆部と、上記第１被覆部から上記第２主面に延出する第１延出部と、を有する。上記第２外部電極は、上記第２端面を覆う第２被覆部と、上記第２被覆部から上記第２主面に延出する第２延出部と、を有する。特許文献１に記載の積層セラミック電子部品では、上記セラミック素体の上記第１軸方向の寸法をＴ１とし、上記第１及び第２延出部の上記第１方向の寸法をＴ２とすると、Ｔ１が８０μｍ以下であり、かつＴ２／（Ｔ１＋Ｔ２）が０．３２以下である。
特許文献１によれば、セラミック素体の長手方向に沿って第１及び第２外部電極が設けられているため、第１及び第２外部電極によってセラミック素体が補強されている。さらに、積層セラミック電子部品の厚さ（Ｔ１＋Ｔ２）に対する第１及び第２延出部の厚さＴ２の比率を０．３２以下とすることにより、セラミック素体及び外部電極の全体として長手方向における高い抗折強度を得ることができるとされている。
積層セラミックコンデンサなどの電子部品を基板に実装する際、従来は、導体を含有する半田ペーストを基板のランド上へ塗布した後、電子部品を搭載し、リフローを行うことで、基板と電子部品との間で電気的接続を得る。
一方、積層セラミックコンデンサ以外の電子部品を基板に実装する方法として、導体を含有する半田ペーストの代わりに、導体を含有しない熱硬化性樹脂のフラックスを使用して電子部品を基板に実装する、フラックス実装と呼ばれる方法がある。この方法では、リフローを通じて、電子部品が備える外部電極の溶融物がランドと外部電極との間を接続することにより電気的接続が取れる。また、フラックス自体は、フラックスに含有される有機酸によるランド表面や外部電極上の酸化物の除去や、電子部品とランドとの間の固着力の向上に寄与する。
導体を含有しない熱硬化性樹脂のフラックスを使用したフラックス実装では、導体を含有する半田ペーストを使用した半田実装と比較して、実装厚みの低減、及び、耐熱衝撃性の向上という効果が期待できる。
しかしながら、特許文献１に記載されているような積層セラミックコンデンサに対してフラックス実装を用いた場合には、積層セラミックコンデンサが腐食されてしまい、耐湿信頼性が低下するという問題が生じることが判明した。
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、フラックス実装による耐湿信頼性の低下が抑制された積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
本発明の積層セラミックコンデンサは、積層された複数の誘電体層及び複数の内部電極層を含む積層体と、上記積層体の表面に設けられ、上記内部電極層に電気的に接続された外部電極と、を備える。上記積層体の表面のうちの少なくとも実装面には、シランカップリング剤層が設けられている。
第１の態様において、上記シランカップリング剤層は、フッ素系シランカップリング剤からなり、上記積層体上のＦ原子のＢａ原子に対する濃度比Ｆ／Ｂａをシランカップリング剤濃度としたとき、上記実装面におけるシランカップリング剤濃度は、０．１以上３６５以下であり、かつ、上記実装面の対向面におけるシランカップリング剤濃度よりも高い。
第２の態様において、上記シランカップリング剤層は、炭素系シランカップリング剤からなり、上記積層体上のＳｉ原子のＢａ原子に対する濃度比Ｓｉ／Ｂａをシランカップリング剤濃度としたとき、上記実装面におけるシランカップリング剤濃度は、０．９１以上３８．１０以下であり、かつ、上記実装面の対向面におけるシランカップリング剤濃度よりも高い。
本発明によれば、フラックス実装による耐湿信頼性の低下が抑制された積層セラミックコンデンサを提供することができる。
以下、本発明の積層セラミックコンデンサについて説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
本発明の積層セラミックコンデンサとしては、例えば、２個の外部電極を備える２端子型の積層セラミックコンデンサや、３端子以上の多端子型の積層セラミックコンデンサ等が挙げられる。また、本発明の積層セラミックコンデンサは、ビア導体を備える積層セラミックコンデンサ、底面電極を備える積層セラミックコンデンサ等であってもよい。
図１は、本発明の積層セラミックコンデンサの一例を模式的に示す斜視図である。図２は、図１に示す積層セラミックコンデンサのＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、図１に示す積層セラミックコンデンサのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
図１に示す積層セラミックコンデンサ１０は、直方体状の積層体１２と、第１の外部電極１４と、第２の外部電極１５とを備える。
積層体１２は、積層方向ｘに相対する第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂと、積層方向ｘに直交する長さ方向ｙに相対する第１の側面１２ｃ及び第２の側面１２ｄと、積層方向ｘ及び長さ方向ｙに直交する幅方向ｚに相対する第３の側面１２ｅ及び第４の側面１２ｆとを有する。第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂは、各々、長さ方向ｙ及び幅方向ｚに沿って延在する。第１の側面１２ｃ及び第２の側面１２ｄは、各々、積層方向ｘ及び幅方向ｚに沿って延在する。第３の側面１２ｅ及び第４の側面１２ｆは、各々、積層方向ｘ及び長さ方向ｙに沿って延在する。
本明細書においては、積層セラミックコンデンサ１０又は積層体１２の長さ方向ｙ及び積層方向ｘに沿う面をＬＴ面といい、長さ方向ｙ及び幅方向ｚに沿う面をＬＷ面といい、積層方向ｘ及び幅方向ｚに沿う面をＷＴ面という。
図１に示す積層セラミックコンデンサ１０を基板に実装する際、積層体１２の第１の主面１２ａが実装面、第２の主面１２ｂが対向面とされる。
積層体１２は、角部及び稜線部に丸みが付けられていることが好ましい。ここで、角部は、積層体１２の３面が交わる部分であり、稜線部は、積層体１２の２面が交わる部分である。
図２及び図３に示すように、積層体１２は、積層方向ｘに積層された複数の誘電体層１６と、複数の第１の内部電極層１８ａと、複数の第２の内部電極層１８ｂとを含む。
誘電体層１６は、外層部１６ａと有効層部１６ｂとを含む。外層部１６ａは、積層体１２の第１の主面１２ａ側及び第２の主面１２ｂ側に位置し、第１の主面１２ａと最も第１の主面１２ａに近い内部電極層（図２では第２の内部電極層１８ｂ）との間に位置する誘電体層１６、及び、第２の主面１２ｂと最も第２の主面１２ｂに近い内部電極層（図２では第２の内部電極層１８ｂ）との間に位置する誘電体層１６である。片側の外層部１６ａの厚みは、３μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上１３μｍ以下であることがより好ましく、３μｍ以上９μｍ以下であることがさらに好ましい。そして、両外層部１６ａに挟まれた領域が有効層部１６ｂである。すなわち、有効層部１６ｂは、第１の内部電極層１８ａ及び第２の内部電極層１８ｂが積層されている領域である。
誘電体層１６は、例えば、誘電体材料により形成することができる。誘電体材料としては、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムカルシウム、又は、ジルコン酸カルシウムなどの主成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する積層セラミックコンデンサ１０の特性に応じて、例えば、Ｍｇ化合物、Ｍｎ化合物、Ｓｉ化合物、Ａｌ化合物、Ｖ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの主成分よりも含有量の少ない副成分を添加したものを用いてもよい。
第１の内部電極層１８ａ及び第２の内部電極層１８ｂに挟まれた誘電体層１６の平均厚みは、０．４μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましく、０．４μｍ以上０．８μｍ以下であることがより好ましく、０．４μｍ以上０．６μｍ以下であることがさらに好ましい。
積層体１２内においては、第１の内部電極層１８ａ及び第２の内部電極層１８ｂが、誘電体層１６を介して交互に積層されている。
第１の内部電極層１８ａは、誘電体層１６の表面に配置される。第１の内部電極層１８ａは、第１の引出部２２ａによって積層体１２の第１の側面１２ｃに引き出される。第１の内部電極層１８ａは、積層体１２の第２の側面１２ｄ、第３の側面１２ｅ及び第４の側面１２ｆには露出していない。
第２の内部電極層１８ｂは、第１の内部電極層１８ａが配置される誘電体層１６と異なる誘電体層１６の表面に配置される。第２の内部電極層１８ｂは、第２の引出部２２ｂによって積層体１２の第２の側面１２ｄに引き出される。第２の内部電極層１８ｂは、積層体１２の第１の側面１２ｃ、第３の側面１２ｅ及び第４の側面１２ｆには露出していない。
図２に示すように、積層体１２は、第２の内部電極層１８ｂの長さ方向ｙの一端と第１の側面１２ｃとの間、及び、第１の内部電極層１８ａの長さ方向ｙの他端と第２の側面１２ｄとの間に形成される積層体１２の側部（Ｌギャップ）２４ａを含む。積層体１２の側部（Ｌギャップ）２４ａの長さ方向ｙの平均長さは、１０μｍ以上７０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上２０μｍ以下であることがさらに好ましい。
図３に示すように、積層体１２は、第１の内部電極層１８ａ及び第２の内部電極層１８ｂの幅方向ｚの一端と第３の側面１２ｅとの間、及び、第１の内部電極層１８ａ及び第２の内部電極層１８ｂの幅方向ｚの他端と第４の側面１２ｆとの間に形成される積層体１２の側部（Ｗギャップ）２４ｂを含む。積層体１２の側部（Ｗギャップ）２４ｂの幅方向ｚの平均長さは、１０μｍ以上７０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上２０μｍ以下であることがさらに好ましい。
第１の内部電極層１８ａ及び第２の内部電極層１８ｂの材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の一種を含む例えばＡｇ−Ｐｄ合金などの合金により構成することができる。第１の内部電極層１８ａ及び第２の内部電極層１８ｂは、さらに、誘電体層１６に含まれるセラミックスと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。第１の内部電極層１８ａ及び第２の内部電極層１８ｂの積層枚数は、合計で１０枚以上８０枚以下であることが好ましい。第１の内部電極層１８ａ及び第２の内部電極層１８ｂの平均厚みは、各々、０．３μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましく、０．６μｍ以上１．０μｍ以下であることがより好ましい。
積層体１２の第１の側面１２ｃには、第１の外部電極１４が設けられている。第１の外部電極１４は、第１の内部電極層１８ａの第１の引出部２２ａに電気的に接続されている。
第１の外部電極１４は、第１の側面１２ｃにおいて第１の引出部２２ａを覆うように配置され、第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂの一部を覆うように配置されている。なお、第１の外部電極１４は、第２の主面１２ｂに配置されていなくてもよい。また、第１の外部電極１４は、第３の側面１２ｅ及び第４の側面１２ｆの一部を覆うように配置されていてもよい。
積層体１２の第２の側面１２ｄには、第２の外部電極１５が設けられている。第２の外部電極１５は、第２の内部電極層１８ｂの第２の引出部２２ｂに電気的に接続されている。
第２の外部電極１５は、第２の側面１２ｄにおいて第２の引出部２２ｂを覆うように配置され、第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂの一部を覆うように配置されている。なお、第２の外部電極１５は、第２の主面１２ｂに配置されていなくてもよい。また、第２の外部電極１５は、第３の側面１２ｅ及び第４の側面１２ｆの一部を覆うように配置されていてもよい。
積層体１２内においては、第１の内部電極層１８ａと第２の内部電極層１８ｂとが誘電体層１６を介して対向することにより、電気特性（例えば、静電容量）が発生する。そのため、第１の内部電極層１８ａが電気的に接続された第１の外部電極１４と第２の内部電極層１８ｂが電気的に接続された第２の外部電極１５との間に、静電容量を得ることができる。したがって、積層セラミックコンデンサ１０は、コンデンサとして機能する。
積層体１２の表面のうち、実装面である第１の主面１２ａには、シランカップリング剤層２６が設けられている。シランカップリング剤層２６は、第１の主面１２ａにおいて、第１の外部電極１４及び第２の外部電極１５が配置されない部分の全体又は一部に設けられていることが好ましい。
積層セラミックコンデンサ１０では、シランカップリング剤層２６は、積層体１２の表面のうち、少なくとも実装面に設けられていればよい。しかし、シランカップリング剤層２６は、積層体１２の表面のうち、実装面の対向面に設けられていてもよい。すなわち、シランカップリング剤層２６は、第１の主面１２ａに加えて、第２の主面１２ｂに設けられていてもよい。この場合、シランカップリング剤層２６は、第２の主面１２ｂにおいて、第１の外部電極１４及び第２の外部電極１５が配置されない部分の全体又は一部に設けられていることが好ましい。
さらに、積層セラミックコンデンサ１０では、シランカップリング剤層２６は、積層体１２の表面のうち、実装面及び対向面以外の表面に設けられていてもよい。すなわち、シランカップリング剤層２６は、第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂに加えて、第１の側面１２ｃ、第２の側面１２ｄ、第３の側面１２ｅ及び第４の側面１２ｆに設けられていてもよい。この場合、シランカップリング剤層２６は、第１の側面１２ｃ、第２の側面１２ｄ、第３の側面１２ｅ及び第４の側面１２ｆにおいて、第１の外部電極１４及び第２の外部電極１５が配置されない部分の全体又は一部に設けられていることが好ましい。
第１の外部電極１４及び第２の外部電極１５は、各々、積層体１２側から順に、下地電極層２８と、めっき層３０とを含むことが好ましい。
下地電極層２８のうち、第１の側面１２ｃ及び第２の側面１２ｄに形成される側面用の下地電極層は、焼付け電極層であることが好ましい。焼付け電極層は、ガラス及び金属を含む。焼付け電極層の金属としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。焼付け電極層は、複数層であってもよい。焼付け電極層は、ガラス及び金属を含む導電性ペーストを積層体１２に塗布して焼き付けることにより形成される。焼付け電極層は、誘電体層１６、第１の内部電極層１８ａ及び第２の内部電極層１８ｂと同時に焼成したものでもよく、誘電体層１６、第１の内部電極層１８ａ及び第２の内部電極層１８ｂを焼成した後に焼き付けたものでもよい。焼付け電極層の厚み（積層方向ｘと直交する方向の厚み、最も厚い部分の厚み）は、１μｍ以上６μｍ以下であることが好ましい。
下地電極層２８のうち、第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂに形成される主面用の下地電極層は、例えば、スパッタによりスパッタ電極として形成される。スパッタ電極の金属としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕを含有する。スパッタ電極の積層方向ｘの厚みは、５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、主面用の下地電極層は、焼付け電極層であってもよい。その場合、主面用の下地電極層は、例えば、Ｎｉを主成分とする外部電極ペーストをスクリーン印刷することによって形成される。主面上の焼付け電極層の積層方向ｘの厚みは、１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。
めっき層３０は、例えば、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどから選ばれる少なくとも１つを含む。めっき層３０は、複数層であってもよい。
図２に示す例では、めっき層３０は、下地電極層２８側から順に、Ｃｕめっき層３１と、Ｎｉめっき層３２と、Ｓｎめっき層３３とを含む。この場合、Ｃｕめっき層３１とＮｉめっき層３２との間にシランカップリング剤層２６が設けられていることが好ましい。
Ｎｉめっき層３２は、下地電極層２８が積層セラミックコンデンサ１０を実装する際の半田によって侵食されることを抑制することができる。Ｓｎめっき層３３は、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際の半田の濡れ性を向上させ、実装を容易にすることができる。
Ｃｕめっき層３１の平均厚みは、５μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。Ｎｉめっき層３２の平均厚みは、２μｍ以上４μｍ以下であることが好ましい。Ｓｎめっき層３３の平均厚みは、２μｍ以上４μｍ以下であることが好ましい。
図４は、本発明の積層セラミックコンデンサを構成する外部電極の別の一例を模式的に示す断面図である。
図４に示す積層セラミックコンデンサ１０Ａでは、第１の外部電極１４Ａ及び第２の外部電極１５Ａは、各々、下地電極層２８を含まず、めっき層３０を含む。めっき層３０は、積層体１２側から順に、Ｃｕめっき層３１と、Ｎｉめっき層３２と、Ｓｎめっき層３３とを含む。この場合、Ｃｕめっき層３１とＮｉめっき層３２との間にシランカップリング剤層２６が設けられていることが好ましい。
図４に示す積層セラミックコンデンサ１０Ａでは、第１の外部電極１４Ａ及び第２の外部電極１５Ａは、各々、下地電極層２８を含まず、めっき層３０を含む。めっき層３０は、積層体１２側から順に、Ｃｕめっき層３１と、Ｎｉめっき層３２と、Ｓｎめっき層３３とを含む。この場合、Ｃｕめっき層３１とＮｉめっき層３２との間にシランカップリング剤層２６が設けられていることが好ましい。
シランカップリング剤層２６は、フッ素系シランカップリング剤又は炭素系シランカップリング剤からなる。
シランカップリング剤層がフッ素系シランカップリング剤からなる場合、積層体上のＦ原子のＢａ原子に対する濃度比Ｆ／Ｂａをシランカップリング剤濃度としたとき、実装面におけるシランカップリング剤濃度は、０．１以上３６５以下であり、かつ、上記実装面の対向面におけるシランカップリング剤濃度よりも高いことを特徴とする。
一方、シランカップリング剤層が炭素系シランカップリング剤からなる場合、積層体上のＳｉ原子のＢａ原子に対する濃度比Ｓｉ／Ｂａをシランカップリング剤濃度としたとき、実装面におけるシランカップリング剤濃度は、０．９１以上３８．１０以下であり、かつ、上記実装面の対向面におけるシランカップリング剤濃度よりも高いことを特徴とする。
積層体の実装面にシランカップリング剤層を設けることにより、外部から積層体への水分やフラックスなどの浸入を防止することができる。したがって、フラックス実装時において、フラックスに含有される有機酸による腐食を抑制することができるため、耐湿信頼性の低下を抑制することができる。
その一方で、実装面におけるシランカップリング剤濃度が高くなるほど、外部電極のめっき付き性は低下する。そこで、実装面におけるシランカップリング剤濃度を上記の範囲にすることにより、耐湿信頼性の低下を抑制しつつ、めっき付き性の低下を抑制することができる。
また、実装面におけるシランカップリング剤濃度が対向面におけるシランカップリング剤濃度よりも高いということは、例えば、実装面のみにシランカップリング剤を塗布することでも効果が発現することを意味している。その場合、積層体の全面にシランカップリング剤を塗布する必要がなくなるため、積層体に負荷が掛からない塗布プロセス（例えば、積層体を支持体に固定した後の浸漬、スプレーコート、インクジェット、スピンコート等）を選定することが可能となる。
以上の理由により、フラックス実装が可能となるため、積層セラミックコンデンサを低背化することができ、さらに、耐熱衝撃性を向上させることができる。
シランカップリング剤層がフッ素系シランカップリング剤からなる場合、実装面におけるシランカップリング剤濃度は、０．１以上２９３以下であることが好ましい。実装面におけるシランカップリング剤濃度を上記の範囲にすることにより、めっき付き不良を確実に抑えることができる。
シランカップリング剤層がフッ素系シランカップリング剤又は炭素系シランカップリング剤からなる場合、実装面におけるシランカップリング剤濃度をＡ、対向面におけるシランカップリング剤濃度をＢとしたとき、シランカップリング剤の濃度比Ｂ／Ａは、０．５０以下であることが好ましい。このように、実装面に対して対向面におけるシランカップリング剤の濃度が低くても、上述した効果が発現する。
各原子濃度は、Ｘ線光電子分光法を用いた分析（以下、ＸＰＳ分析ともいう）により測定することができる。
シランカップリング剤層がフッ素系シランカップリング剤からなる場合、実装面におけるシランカップリング剤濃度Ａ、及び、対向面におけるシランカップリング剤濃度Ｂは、シランカップリング剤由来のＦ原子と積層体由来のＢａ原子の濃度比から、以下の式（１）及び（２）により算出される。さらに、（２）／（１）の比により、上記シランカップリング剤の濃度比Ｂ／Ａが算出される。
Ａ＝（実装面上のＦ原子濃度）／（実装面上のＢａ原子濃度）・・・（１）
Ｂ＝（対向面上のＦ原子濃度）／（対向面上のＢａ原子濃度）・・・（２）
Ａ＝（実装面上のＦ原子濃度）／（実装面上のＢａ原子濃度）・・・（１）
Ｂ＝（対向面上のＦ原子濃度）／（対向面上のＢａ原子濃度）・・・（２）
シランカップリング剤層が炭素系シランカップリング剤からなる場合、実装面におけるシランカップリング剤濃度Ａ、及び、対向面におけるシランカップリング剤濃度Ｂは、シランカップリング剤由来のＳｉ原子と積層体由来のＢａ原子の濃度比から、以下の式（３）及び（４）により算出される。さらに、（４）／（３）の比により、上記シランカップリング剤の濃度比Ｂ／Ａが算出される。
Ａ＝（実装面上のＳｉ原子濃度）／（実装面上のＢａ原子濃度）・・・（３）
Ｂ＝（対向面上のＳｉ原子濃度）／（対向面上のＢａ原子濃度）・・・（４）
Ａ＝（実装面上のＳｉ原子濃度）／（実装面上のＢａ原子濃度）・・・（３）
Ｂ＝（対向面上のＳｉ原子濃度）／（対向面上のＢａ原子濃度）・・・（４）
後述の実施例においては、Ｘ線光電子分光装置として、アルバック・ファイ社製Ｑｕａｎｔｕｍ２０００が用いられる。この場合、測定領域としては、直径５０μｍ、分析深さ数ｎｍの領域とする。Ｘ線源はＡｌＫα線である。サーベイ積算回数は３０回である。サーベイエネルギー範囲は０ｅＶ以上１２００ｅＶ以下である。
図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ及び図５Ｄは、ＸＰＳによる分析箇所を説明するための平面図である。
実装面及び対向面のそれぞれにおいて、以下の３点でＸＰＳ分析を行い、各元素比（各原子比）の平均値を算出する。
１．外部電極１４及び１５を外した積層体１２上の黒色の点線で囲まれた四角形の重心
２．上記四角形の隣り合う二辺の交点と重心との中点に位置し、同一対角線上に位置する二点
実装面及び対向面のそれぞれにおいて、以下の３点でＸＰＳ分析を行い、各元素比（各原子比）の平均値を算出する。
１．外部電極１４及び１５を外した積層体１２上の黒色の点線で囲まれた四角形の重心
２．上記四角形の隣り合う二辺の交点と重心との中点に位置し、同一対角線上に位置する二点
シランカップリング剤層に含まれるフッ素系シランカップリング剤は、
ＣＦ３−（ＣＦ２）ｎ１−Ｒ−Ｓｉ（Ｏ−Ｒ’）３
（ただし、ｎ１は、０以上の整数であり、Ｒは、ＳｉまたはＯを含む置換基あるいはアルキレン基であり、Ｒ’は、アルキル基である）
で表されるシランカップリング剤であることが好ましい。例えば、ｎ１は０以上７以下の整数であってよい。Ｒ’はメチル基あるいはエチル基であってよい。
ＣＦ３−（ＣＦ２）ｎ１−Ｒ−Ｓｉ（Ｏ−Ｒ’）３
（ただし、ｎ１は、０以上の整数であり、Ｒは、ＳｉまたはＯを含む置換基あるいはアルキレン基であり、Ｒ’は、アルキル基である）
で表されるシランカップリング剤であることが好ましい。例えば、ｎ１は０以上７以下の整数であってよい。Ｒ’はメチル基あるいはエチル基であってよい。
上記シランカップリング剤は、反応性基であるアルコキシ基を少なくとも１つ備える。また、上記シランカップリング剤は、パーフルオロアルキル基を１つ以上備える。
フッ素系シランカップリング剤としては、例えば、
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、
ＣＦ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、
ＣＦ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、
ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、
ＣＦ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、
ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）４ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、または、
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
を用いることができる。
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、
ＣＦ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、
ＣＦ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、
ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、
ＣＦ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、
ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）４ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、または、
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
を用いることができる。
シランカップリング剤層に含まれる炭素系シランカップリング剤は、
（ＲＯ）３Ｓｉ−（ＣＨ２）ｎ２−ＣＨ３
（ただし、ｎ２は０以上１７以下の整数であり、Ｒはメチル基あるいはエチル基である）
で表されるシランカップリング剤であることが好ましい。
（ＲＯ）３Ｓｉ−（ＣＨ２）ｎ２−ＣＨ３
（ただし、ｎ２は０以上１７以下の整数であり、Ｒはメチル基あるいはエチル基である）
で表されるシランカップリング剤であることが好ましい。
炭素系シランカップリング剤としては、例えば、
信越化学：ＫＢＭ−３１０３Ｃ（デシルトリメトキシシラン）、ＫＢＭ−１３（メチルトリメトキシシラン）、ＫＢＥ−１３（メチルトリエトキシシラン）、ＫＢＭ−３０３３（ｎ−プロピルトリメトキシシラン）、ＫＢＥ−３０３３（ｎ−プロピルトリエトキシシラン）、ＫＢＭ−３０６３（ヘキシルトリメトキシシラン）、ＫＢＥ−３０６３（ヘキシルトリエトキシシラン）、または、
東京化成工業（ＴＣＩ）：オクタデシルトリメトキシシラン
を用いることができる。
信越化学：ＫＢＭ−３１０３Ｃ（デシルトリメトキシシラン）、ＫＢＭ−１３（メチルトリメトキシシラン）、ＫＢＥ−１３（メチルトリエトキシシラン）、ＫＢＭ−３０３３（ｎ−プロピルトリメトキシシラン）、ＫＢＥ−３０３３（ｎ−プロピルトリエトキシシラン）、ＫＢＭ−３０６３（ヘキシルトリメトキシシラン）、ＫＢＥ−３０６３（ヘキシルトリエトキシシラン）、または、
東京化成工業（ＴＣＩ）：オクタデシルトリメトキシシラン
を用いることができる。
上記以外の炭素系シランカップリング剤としては、以下のシランカップリング剤を用いることもできる。
信越化学：ＫＢＭ−１０３（フェニルメトキシシラン）、ＫＢＭ−３０６６（１，６−ビス（トリメトキシシリル）ヘキサン）、ＫＢＭ−９６５９（トリス−（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート）
信越化学：ＫＢＭ−１０３（フェニルメトキシシラン）、ＫＢＭ−３０６６（１，６−ビス（トリメトキシシリル）ヘキサン）、ＫＢＭ−９６５９（トリス−（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート）
図２に示すように、積層体１２の第１の主面１２ａへ回り込んだ第１の外部電極１４の端部から積層体１２の第１の側面１２ｃまでの距離をＥＡ１、積層体１２の第２の主面１２ｂへ回り込んだ第１の外部電極１４の端部から積層体１２の第１の側面１２ｃまでの距離をＥＢ１としたとき、主面へ回り込んだ第１の外部電極の長さ比ＥＢ１／ＥＡ１は、０以上０．５以下であることが好ましい。さらに、積層体１２の第１の主面１２ａへ回り込んだ第２の外部電極１５の端部から積層体１２の第２の側面１２ｄまでの距離をＥＡ２、積層体１２の第２の主面１２ｂへ回り込んだ第２の外部電極１５の端部から積層体１２の第２の側面１２ｄまでの距離をＥＢ２としたとき、主面へ回り込んだ第２の外部電極の長さ比ＥＢ２／ＥＡ２は、０以上０．５以下であることが好ましい。図４に示す第１の外部電極１４Ａ及び第２の外部電極１５Ａにおいても同様である。ＥＢ１／ＥＡ１の比及びＥＢ２／ＥＡ２の比を上記の範囲とすることにより、フラックス実装時におけるツームストーンの発生を抑制することができる。そのため、基板との接続性が良好になる。なお、ツームストーンとは、基板に実装される際に積層セラミックコンデンサの一端側が浮き上がる現象である。
積層セラミックコンデンサの積層方向ｘの寸法Ｔは、５０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。積層セラミックコンデンサの強度の確保が課題となる寸法Ｔの上記の範囲において、フラックス実装による効果を充分に得ることができる。
なお、寸法Ｔ、寸法Ｌ及び寸法Ｗは、いずれも、積層体及び外部電極を含む寸法である。
上述したように、本発明の積層セラミックコンデンサは、フラックス実装を行うことが可能な構造を有しているが、従来の半田実装を行うことも可能である。
図６Ａ、図６Ｂ及び図６Ｃは、半田実装を説明するための模式図である。
半田実装では、図６Ａに示すように基板１００のランド１１０上へ半田ペースト１２０を塗布した後、図６Ｂに示すように積層セラミックコンデンサ１０を搭載する。その後、図６Ｃに示すようにリフローを行うことで、基板１００と積層セラミックコンデンサ１０との間で電気的接続が取れる。
半田実装では、図６Ａに示すように基板１００のランド１１０上へ半田ペースト１２０を塗布した後、図６Ｂに示すように積層セラミックコンデンサ１０を搭載する。その後、図６Ｃに示すようにリフローを行うことで、基板１００と積層セラミックコンデンサ１０との間で電気的接続が取れる。
図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃは、フラックス実装を説明するための模式図である。
フラックス実装では、図７Ａに示すように基板１００のランド１１０上へ熱硬化性樹脂のフラックス１３０を塗布した後、図７Ｂに示すように積層セラミックコンデンサ１０を搭載する。その後、図７Ｃに示すようにリフローを行うことで、積層セラミックコンデンサ１０が備える外部電極の溶融物がランド１１０と外部電極との間を接続することにより、基板１００と積層セラミックコンデンサ１０との間で電気的接続が取れる。
フラックス実装では、図７Ａに示すように基板１００のランド１１０上へ熱硬化性樹脂のフラックス１３０を塗布した後、図７Ｂに示すように積層セラミックコンデンサ１０を搭載する。その後、図７Ｃに示すようにリフローを行うことで、積層セラミックコンデンサ１０が備える外部電極の溶融物がランド１１０と外部電極との間を接続することにより、基板１００と積層セラミックコンデンサ１０との間で電気的接続が取れる。
以下、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法の一例について説明する。
図８は、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。
まず、セラミックグリーンシートと、内部電極用の導電性ペーストとを準備する（ステップＳ１、Ｓ２）。セラミックグリーンシートや内部電極用の導電性ペーストは、バインダ（例えば、公知の有機バインダなど）及び溶剤（例えば、有機溶剤など）を含む。
次に、セラミックグリーンシート上に、例えば、スクリーン印刷やグラビア印刷などによって、所定のパターンで導電性ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する（ステップＳ３）。具体的には、セラミックグリーンシート上に、導電性材料からなるペーストをスクリーン印刷やグラビア印刷などの方法で塗布することにより、導電性ペースト層が形成される。導電性材料からなるペーストは、例えば、金属粉末に有機バインダ及び有機溶剤が加えられたものである。また、内部電極パターンが印刷されていない外層用のセラミックグリーンシートも作製する。
内部電極パターンが形成されていない外層用のセラミックグリーンシートを積層し、その上に第１の内部電極層１８ａに対応する内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートと第２の内部電極層１８ｂに対応する内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートとを交互に積層し、さらに内部電極パターンが形成されていない外層用のセラミックグリーンシートを積層することによって、積層シートを作製する（ステップＳ４）。
作製した積層シートを静水圧プレスなどの手段により積層方向ｘにプレスして、積層ブロックを作製する（ステップＳ５）。
続いて、積層ブロックを所定のサイズにカットすることにより積層チップを作製する（ステップＳ６）。このとき、バレル研磨などにより、積層チップの角部及び稜線部に丸みが付けられてもよい（ステップＳ７）。積層チップは、未焼成の状態にある積層体１２である。
作製した積層チップに、未焼成の下地電極層２８を形成する（ステップＳ８）。具体的には、積層チップの第１の側面１２ｃ上にＮｉを主成分とする外部電極ペーストをローラー転写により塗布し、必要に応じて、積層チップの第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂなどの一部に回り込むように塗布する。同様に、積層チップの第２の側面１２ｄ上にＮｉを主成分とする外部電極ペーストをローラー転写により塗布し、必要に応じて、積層チップの第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂなどの一部に回り込むように塗布する。
その後、積層チップを焼成することにより、積層体１２を作製する（ステップＳ９）。焼成温度は、セラミックや内部電極の材料にもよるが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。この焼成により、導電性ペーストは焼き付けられて、内部電極層１８ａ及び１８ｂが形成される。また、外部電極ペーストは焼き付けられて、下地電極層２８が形成される。
そして、下地電極層２８の表面を覆うように、Ｃｕめっき層３１を形成する（ステップＳ１０）。
Ｃｕめっき層３１までが形成された積層体１２にシランカップリング剤層２６を形成する（ステップＳ１１）。
まず、シランカップリング剤溶液を準備する。シランカップリング剤溶液は、シランカップリング剤と、必要に応じて溶媒とを混合することにより準備することができる。
シランカップリング剤としては、上述したフッ素系シランカップリング剤又は炭素系シランカップリング剤を用いる。
溶媒は、例えば、メタノール、エタノール、またはイソプロパノールであってよい。
シランカップリング剤溶液中のシランカップリング剤の濃度は、例えば０．１体積％以上５体積％以下であってよい。
そして、このように準備したシランカップリング剤溶液を、Ｃｕめっき層３１までが形成された積層体１２に付着させる。シランカップリング剤溶液を積層体１２に付着させる方法は、積層体１２を発泡剥離シート等の支持体へ固定した状態での浸漬や、塗布、スピンコーティングやスプレー法であってよい。この際、積層体１２の支持体と反対側の面が実装面、支持体側の面が対向面となる。その後、シランカップリング剤溶液が付着した積層体１２を加熱することにより、積層体１２上にシランカップリング剤層２６を形成することができる。加熱温度は、６０℃以上１５０℃以下であってよい。加熱時間は６０分以上１２０分以下であってよい。
シランカップリング剤層２６を形成した後、Ｎｉめっき層３２を形成する（ステップＳ１２）。その後、Ｎｉめっき層３２の表面にＳｎめっき層３３を形成する（ステップＳ１３）。これにより、Ｃｕめっき層３１、Ｎｉめっき層３２及びＳｎめっき層を含むめっき層３０が形成される。その結果、下地電極層２８及びめっき層３０を含む、第１の外部電極１４及び第２の外部電極１５が形成される。
以上のようにして、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
なお、図４に示す積層セラミックコンデンサ１０Ａを製造する際には、ステップＳ８を省略すればよい。すなわち、下地電極層２８が形成されていない積層チップを焼成して積層体１２を作製し、積層体１２にＣｕめっき層３１を形成すればよい。これにより、めっき層３０を含む、第１の外部電極１４Ａ及び第２の外部電極１５Ａが形成される。
以下、本発明の積層セラミックコンデンサをより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
（実施例１）
図２に示す構造の外部電極を備える積層セラミックコンデンサ（ＥＢ１／ＥＡ１＝０、ＥＢ２／ＥＡ２＝０）を対象に、個片化された積層セラミックコンデンサを発泡剥離シートの支持体に固定した後、シランカップリング剤溶液に浸漬するシランカップリング剤処理を行った。シランカップリング剤の種類や濃度、シランカップリング剤溶液への浸漬回数を制御することにより、表１に示すように、実装面及び対向面に種々のシランカップリング剤濃度を有するサンプルを作製した。
図２に示す構造の外部電極を備える積層セラミックコンデンサ（ＥＢ１／ＥＡ１＝０、ＥＢ２／ＥＡ２＝０）を対象に、個片化された積層セラミックコンデンサを発泡剥離シートの支持体に固定した後、シランカップリング剤溶液に浸漬するシランカップリング剤処理を行った。シランカップリング剤の種類や濃度、シランカップリング剤溶液への浸漬回数を制御することにより、表１に示すように、実装面及び対向面に種々のシランカップリング剤濃度を有するサンプルを作製した。
（実施例２）
図４に示す構造の外部電極を備える積層セラミックコンデンサ（ＥＢ１／ＥＡ１＝０、ＥＢ２／ＥＡ２＝０）を対象に、個片化された積層セラミックコンデンサを発泡剥離シートの支持体に固定した後、シランカップリング剤溶液に浸漬するシランカップリング剤処理を行った。シランカップリング剤の種類や濃度、シランカップリング剤溶液への浸漬回数を制御することにより、表２に示すように、実装面及び対向面に種々のシランカップリング剤濃度を有するサンプルを作製した。
図４に示す構造の外部電極を備える積層セラミックコンデンサ（ＥＢ１／ＥＡ１＝０、ＥＢ２／ＥＡ２＝０）を対象に、個片化された積層セラミックコンデンサを発泡剥離シートの支持体に固定した後、シランカップリング剤溶液に浸漬するシランカップリング剤処理を行った。シランカップリング剤の種類や濃度、シランカップリング剤溶液への浸漬回数を制御することにより、表２に示すように、実装面及び対向面に種々のシランカップリング剤濃度を有するサンプルを作製した。
フッ素系シランカップリング剤の代表例として、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３（表１中、フッ素系１（Ｆ５）と示す）及びＣＦ３（ＣＦ２）４ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３（表１中、フッ素系２（Ｆ４）と示す）を用いた。また、炭素系シランカップリング剤の代表例として、（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ−ＣＨ３（表１中、炭素系１（Ｃ１）と示す）及び（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ−（ＣＨ２）１７−ＣＨ３（表１中、炭素系２（Ｃ１８）と示す）を用いた。
［シランカップリング剤濃度の算出］
上述した方法により、実装面におけるシランカップリング剤濃度Ａ、及び、対向面におけるシランカップリング剤濃度Ｂを算出した。得られたシランカップリング剤濃度Ａ及びＢから、シランカップリング剤の濃度比Ｂ／Ａを算出した。
上述した方法により、実装面におけるシランカップリング剤濃度Ａ、及び、対向面におけるシランカップリング剤濃度Ｂを算出した。得られたシランカップリング剤濃度Ａ及びＢから、シランカップリング剤の濃度比Ｂ／Ａを算出した。
［めっき付き性及び耐湿信頼性の評価］
各サンプルについて、めっき付き性を評価するとともに、耐湿負荷試験を実施して耐湿信頼性を評価した。いずれの評価項目についても、各サンプルの試料数を１００個とした。評価用基板への実装は熱硬化性樹脂からなるフラックス（ＮＣＸ ＰＲＬ−５０７）を使用し、リフロー条件はスズの融点以上である２５０℃、３ｍｉｎ、Ｎ２雰囲気下で実装を行った。
各サンプルについて、めっき付き性を評価するとともに、耐湿負荷試験を実施して耐湿信頼性を評価した。いずれの評価項目についても、各サンプルの試料数を１００個とした。評価用基板への実装は熱硬化性樹脂からなるフラックス（ＮＣＸ ＰＲＬ−５０７）を使用し、リフロー条件はスズの融点以上である２５０℃、３ｍｉｎ、Ｎ２雰囲気下で実装を行った。
めっき付き性については、顕微鏡観察により、めっき不着が認められたサンプルをＮＧ（不良）と判定し、めっき不着数を計数した。
耐湿信頼性については、温度１２５℃、湿度９５％の状態で３．２Ｖ以下を７２時間キープする耐湿負荷試験を実施した。耐湿負荷試験後の絶縁抵抗値が１ＭΩ未満となった試料をＮＧ（不良）と判定し、不良数を計数した。
めっき不着数が５／１００以下かつ耐湿信頼性での不良数が０／１００である条件をＧ（良）、その他をＮＧ（不良）と判定した。
表１及び表２に示すように、シランカップリング剤としてフッ素系シランカップリング剤を用いた場合には、実装面におけるシランカップリング剤濃度Ａ（Ｆ／Ｂａ）が０．１以上３６５以下の範囲においてＧとなり、炭素系シランカップリング剤を用いた場合には、実装面におけるシランカップリング剤濃度Ａ（Ｓｉ／Ｂａ）が０．９１以上３８．１０以下の範囲においてＧとなっている。
シランカップリング剤としてフッ素系シランカップリング剤を用いた場合、実装面におけるシランカップリング剤濃度Ａ（Ｆ／Ｂａ）が０．１以上２９３以下の範囲において、めっき不着が検出されることがなく、特に良い結果が得られている。
また、いずれのシランカップリング剤を用いた場合でも、対向面に対して実装面のカップリング剤濃度が高い結果となっており、シランカップリング剤の濃度比Ｂ／Ａが０．５０以下の範囲で良い結果が得られている。
一方、シランカップリング剤処理を施していないサンプルからは、いずれも耐湿信頼性の劣化が確認された。これは、フラックスに含有される有機酸による腐食が原因であると考えられる。
（実施例３）
［ランドとの電気的接続性の評価］
ＥＢ１／ＥＡ１及びＥＢ２／ＥＡ２が０、０．５又は１である電極構造を有する積層セラミックコンデンサを使用して、半田実装及びフラックス実装をそれぞれ行い、ランド−コンデンサ間の電気的接続性を比較した。評価対象の試料数をそれぞれ１００個とし、容量測定により電気的接続性を確認した。結果を表３に示す。
［ランドとの電気的接続性の評価］
ＥＢ１／ＥＡ１及びＥＢ２／ＥＡ２が０、０．５又は１である電極構造を有する積層セラミックコンデンサを使用して、半田実装及びフラックス実装をそれぞれ行い、ランド−コンデンサ間の電気的接続性を比較した。評価対象の試料数をそれぞれ１００個とし、容量測定により電気的接続性を確認した。結果を表３に示す。
表３に示すように、ＥＢ１／ＥＡ１及びＥＢ２／ＥＡ２が０．５を超える領域では、フラックス実装において一部接続不良が確認された。断面観察から、原因はツームストーンであると考えられる。一方、ＥＢ１／ＥＡ１及びＥＢ２／ＥＡ２が０．５以下の領域では、ツームストーンの発生は確認されず、接続不良も確認されなかった。
（実施例４）
［耐熱衝撃性の評価］
ＥＢ１／ＥＡ１及びＥＢ２／ＥＡ２が０である電極構造を有する積層セラミックコンデンサを使用して、半田実装及びフラックス実装をそれぞれ行い、耐熱衝撃性を比較した。評価対象の試料数をそれぞれ３０個とし、各実装方法で四層基板へ実装した試料に対して、−５５℃から１２５℃の温度範囲での熱衝撃試験を１００サイクル行った。内部構造の欠陥について、ＬＴ面を主面上の外部電極の幅方向１／２の位置まで研磨し、クラックの発生の有無を調べた。半田実装を行った場合、３０個中５個の試料からクラックが検出された。一方、フラックス実装を行った場合、クラックが検出された試料は３０個中０個であった。以上の結果から、フラックス実装を行うことで、半田実装と比較して耐熱衝撃性が向上することが確認できた。
［耐熱衝撃性の評価］
ＥＢ１／ＥＡ１及びＥＢ２／ＥＡ２が０である電極構造を有する積層セラミックコンデンサを使用して、半田実装及びフラックス実装をそれぞれ行い、耐熱衝撃性を比較した。評価対象の試料数をそれぞれ３０個とし、各実装方法で四層基板へ実装した試料に対して、−５５℃から１２５℃の温度範囲での熱衝撃試験を１００サイクル行った。内部構造の欠陥について、ＬＴ面を主面上の外部電極の幅方向１／２の位置まで研磨し、クラックの発生の有無を調べた。半田実装を行った場合、３０個中５個の試料からクラックが検出された。一方、フラックス実装を行った場合、クラックが検出された試料は３０個中０個であった。以上の結果から、フラックス実装を行うことで、半田実装と比較して耐熱衝撃性が向上することが確認できた。
（実施例５）
［実装厚み低減効果の評価］
ＥＢ１／ＥＡ１及びＥＢ２／ＥＡ２が０である電極構造を有する積層セラミックコンデンサを使用して、半田実装及びフラックス実装をそれぞれ行い、フラックス実装による実装厚み低減効果を確認した。対象試料としては、素体強度が特に課題となる寸法Ｔが５０μｍである積層セラミックコンデンサを使用して評価を行った。実装厚みの計測は、ＬＴ面を主面上の外部電極の幅方向１／２の位置まで研磨を行い、断面を観察した。フラックス実装を行った試料は、半田実装を行った試料と比較して実装厚みが２９％低減できた。以上の結果から、寸法Ｔが５０μｍである場合においても、フラックス実装を行うことで、半田実装に比べて実装厚みを低減できることが確認できた。実装厚みが低減される分だけ、素体の厚みを増加させることが可能であるため、抗折強度を向上させることが可能となる。同様の評価を、寸法Ｔが２００μｍである積層セラミックコンデンサに対して行った場合においても、同様の効果が確認できた。
［実装厚み低減効果の評価］
ＥＢ１／ＥＡ１及びＥＢ２／ＥＡ２が０である電極構造を有する積層セラミックコンデンサを使用して、半田実装及びフラックス実装をそれぞれ行い、フラックス実装による実装厚み低減効果を確認した。対象試料としては、素体強度が特に課題となる寸法Ｔが５０μｍである積層セラミックコンデンサを使用して評価を行った。実装厚みの計測は、ＬＴ面を主面上の外部電極の幅方向１／２の位置まで研磨を行い、断面を観察した。フラックス実装を行った試料は、半田実装を行った試料と比較して実装厚みが２９％低減できた。以上の結果から、寸法Ｔが５０μｍである場合においても、フラックス実装を行うことで、半田実装に比べて実装厚みを低減できることが確認できた。実装厚みが低減される分だけ、素体の厚みを増加させることが可能であるため、抗折強度を向上させることが可能となる。同様の評価を、寸法Ｔが２００μｍである積層セラミックコンデンサに対して行った場合においても、同様の効果が確認できた。
１０、１０Ａ 積層セラミックコンデンサ
１２ 積層体
１２ａ 第１の主面
１２ｂ 第２の主面
１２ｃ 第１の側面
１２ｄ 第２の側面
１２ｅ 第３の側面
１２ｆ 第４の側面
１４、１４Ａ 第１の外部電極
１５、１５Ａ 第２の外部電極
１６ 誘電体層
１６ａ 外層部
１６ｂ 有効層部
１８ａ 第１の内部電極層
１８ｂ 第２の内部電極層
２２ａ 第１の引出部
２２ｂ 第２の引出部
２４ａ 側部（Ｌギャップ）
２４ｂ 側部（Ｗギャップ）
２６ シランカップリング剤層
２８ 下地電極層
３０ めっき層
３１ Ｃｕめっき層
３２ Ｎｉめっき層
３３ Ｓｎめっき層
１００ 基板
１１０ ランド
１２０ 半田ペースト
１３０ フラックス
１２ 積層体
１２ａ 第１の主面
１２ｂ 第２の主面
１２ｃ 第１の側面
１２ｄ 第２の側面
１２ｅ 第３の側面
１２ｆ 第４の側面
１４、１４Ａ 第１の外部電極
１５、１５Ａ 第２の外部電極
１６ 誘電体層
１６ａ 外層部
１６ｂ 有効層部
１８ａ 第１の内部電極層
１８ｂ 第２の内部電極層
２２ａ 第１の引出部
２２ｂ 第２の引出部
２４ａ 側部（Ｌギャップ）
２４ｂ 側部（Ｗギャップ）
２６ シランカップリング剤層
２８ 下地電極層
３０ めっき層
３１ Ｃｕめっき層
３２ Ｎｉめっき層
３３ Ｓｎめっき層
１００ 基板
１１０ ランド
１２０ 半田ペースト
１３０ フラックス
Claims (6)
- 積層された複数の誘電体層及び複数の内部電極層を含む積層体と、
前記積層体の表面に設けられ、前記内部電極層に電気的に接続された外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサであって、
前記積層体の表面のうちの少なくとも実装面には、シランカップリング剤層が設けられており、
前記シランカップリング剤層は、フッ素系シランカップリング剤からなり、
前記積層体上のＦ原子のＢａ原子に対する濃度比Ｆ／Ｂａをシランカップリング剤濃度としたとき、前記実装面におけるシランカップリング剤濃度は、０．１以上３６５以下であり、かつ、前記実装面の対向面におけるシランカップリング剤濃度よりも高い、積層セラミックコンデンサ。 - 前記実装面におけるシランカップリング剤濃度は、０．１以上２９３以下である、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 積層された複数の誘電体層及び複数の内部電極層を含む積層体と、
前記積層体の表面に設けられ、前記内部電極層に電気的に接続された外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサであって、
前記積層体の表面のうちの少なくとも実装面には、シランカップリング剤層が設けられており、
前記シランカップリング剤層は、炭素系シランカップリング剤からなり、
前記積層体上のＳｉ原子のＢａ原子に対する濃度比Ｓｉ／Ｂａをシランカップリング剤濃度としたとき、前記実装面におけるシランカップリング剤濃度は、０．９１以上３８．１０以下であり、かつ、前記実装面の対向面におけるシランカップリング剤濃度よりも高い、積層セラミックコンデンサ。 - 前記実装面におけるシランカップリング剤濃度をＡ、前記対向面におけるシランカップリング剤濃度をＢとしたとき、シランカップリング剤の濃度比Ｂ／Ａは、０．５０以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記積層体は、積層方向に相対する第１の主面及び第２の主面と、前記積層方向に直交する長さ方向に相対する第１の側面及び第２の側面と、前記積層方向及び前記長さ方向に直交する幅方向に相対する第３の側面及び第４の側面とを有し、
前記積層体の第１の主面が実装面、第２の主面が対向面とされ、
前記外部電極は、前記積層体の第１の側面に設けられた第１の外部電極と、前記積層体の第２の側面に設けられた第２の外部電極とを含み、
前記積層体の第１の主面へ回り込んだ前記第１の外部電極の端部から前記積層体の第１の側面までの距離をＥＡ１、前記積層体の第２の主面へ回り込んだ前記第１の外部電極の端部から前記積層体の第１の側面までの距離をＥＢ１としたとき、主面へ回り込んだ第１の外部電極の長さ比ＥＢ１／ＥＡ１は、０以上０．５以下であり、
前記積層体の第１の主面へ回り込んだ前記第２の外部電極の端部から前記積層体の第２の側面までの距離をＥＡ２、前記積層体の第２の主面へ回り込んだ前記第２の外部電極の端部から前記積層体の第２の側面までの距離をＥＢ２としたとき、主面へ回り込んだ第２の外部電極の長さ比ＥＢ２／ＥＡ２は、０以上０．５以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 前記積層セラミックコンデンサの積層方向の寸法Ｔは、５０μｍ以上２００μｍ以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019224655A JP7115461B2 (ja) | 2019-12-12 | 2019-12-12 | 積層セラミックコンデンサ |
| CN202011413259.0A CN112992544B (zh) | 2019-12-12 | 2020-12-03 | 层叠陶瓷电容器 |
| US17/119,263 US11728096B2 (en) | 2019-12-12 | 2020-12-11 | Multilayer ceramic capacitor |
| US18/212,809 US20230352242A1 (en) | 2019-12-12 | 2023-06-22 | Multilayer ceramic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019224655A JP7115461B2 (ja) | 2019-12-12 | 2019-12-12 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021093495A true JP2021093495A (ja) | 2021-06-17 |
| JP7115461B2 JP7115461B2 (ja) | 2022-08-09 |
Family
ID=76312747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019224655A Active JP7115461B2 (ja) | 2019-12-12 | 2019-12-12 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11728096B2 (ja) |
| JP (1) | JP7115461B2 (ja) |
| CN (1) | CN112992544B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024090008A1 (ja) * | 2022-10-28 | 2024-05-02 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7003889B2 (ja) * | 2018-10-10 | 2022-01-21 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品およびその実装構造 |
| KR102293305B1 (ko) * | 2019-09-18 | 2021-08-25 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
| JP2022125514A (ja) * | 2021-02-17 | 2022-08-29 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品、回路基板およびセラミック電子部品の製造方法 |
| JP2022142214A (ja) | 2021-03-16 | 2022-09-30 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品、実装基板およびセラミック電子部品の製造方法 |
| JP2022142213A (ja) * | 2021-03-16 | 2022-09-30 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品、実装基板およびセラミック電子部品の製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033237A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| JP2016063079A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 株式会社村田製作所 | 抵抗素子およびその製造方法 |
| JP2017135239A (ja) * | 2016-01-27 | 2017-08-03 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
| JP2018014447A (ja) * | 2016-07-22 | 2018-01-25 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| JP2018121010A (ja) * | 2017-01-27 | 2018-08-02 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999026260A1 (en) | 1997-11-18 | 1999-05-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laminate and capacitor |
| JP5439954B2 (ja) * | 2009-06-01 | 2014-03-12 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| JP5459487B2 (ja) * | 2010-02-05 | 2014-04-02 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| JP5768471B2 (ja) * | 2010-05-19 | 2015-08-26 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品の製造方法 |
| JP5397341B2 (ja) * | 2010-07-23 | 2014-01-22 | 株式会社村田製作所 | バリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサ |
| JP5811114B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2015-11-11 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| US9390858B2 (en) * | 2014-04-03 | 2016-07-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component, method of manufacturing the same, and mount structure of electronic component |
| KR102097333B1 (ko) * | 2014-08-05 | 2020-04-06 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 |
| JP6852326B2 (ja) * | 2016-09-20 | 2021-03-31 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| JP7051283B2 (ja) * | 2016-10-17 | 2022-04-11 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| CN109721894A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-05-07 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 应用于电容器的陶瓷复合介电膜及其制备方法 |
-
2019
- 2019-12-12 JP JP2019224655A patent/JP7115461B2/ja active Active
-
2020
- 2020-12-03 CN CN202011413259.0A patent/CN112992544B/zh active Active
- 2020-12-11 US US17/119,263 patent/US11728096B2/en active Active
-
2023
- 2023-06-22 US US18/212,809 patent/US20230352242A1/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033237A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| JP2016063079A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 株式会社村田製作所 | 抵抗素子およびその製造方法 |
| JP2017135239A (ja) * | 2016-01-27 | 2017-08-03 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
| JP2018014447A (ja) * | 2016-07-22 | 2018-01-25 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| JP2018121010A (ja) * | 2017-01-27 | 2018-08-02 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024090008A1 (ja) * | 2022-10-28 | 2024-05-02 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112992544A (zh) | 2021-06-18 |
| CN112992544B (zh) | 2022-11-01 |
| US20230352242A1 (en) | 2023-11-02 |
| US11728096B2 (en) | 2023-08-15 |
| US20210183581A1 (en) | 2021-06-17 |
| JP7115461B2 (ja) | 2022-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2021093495A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP6806035B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| US10840021B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component | |
| US10615327B2 (en) | Monolithic ceramic electronic component | |
| US9911537B2 (en) | Ceramic electronic component | |
| US10276307B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component | |
| US10586653B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component including organic layers | |
| US20180174753A1 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| US10395838B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component including an organic layer | |
| US11062848B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component | |
| US10541085B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component including an organic layer | |
| JP2020088190A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP2021052129A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP2021093494A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2023122670A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2022093198A (ja) | 積層セラミック電子部品および樹脂電極用導電性ペースト |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210713 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220620 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220628 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220711 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7115461 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |