JP2021082730A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
[半導体発光素子の構成]
[半導体発光素子の駆動方法]
[作用及び効果]
[変形例]
(参考文献):国際公開2018−230612号
Claims (10)
- 活性層、前記活性層を挟む第1クラッド層及び第2クラッド層、並びに、前記活性層と前記第1クラッド層との間、又は前記活性層と前記第2クラッド層との間に設けられた光回折層を有する積層体と、
互いに離間するように前記第2クラッド層上に設けられた第1電極及び第2電極と、
前記積層体に対して前記第1電極及び前記第2電極とは反対側に設けられた少なくとも1つの対向電極と、を備え、
前記光回折層は、基本層と、前記基本層の屈折率とは異なる屈折率を有し、前記基本層において前記基本層の厚さ方向に垂直な平面に沿って周期的に配列された複数の異屈折率領域と、を有し、
前記第2電極は、前記積層体の積層方向に垂直な一の方向において前記第1電極の少なくとも一部の両側に位置するように配置されており、
前記積層体には、前記第1電極下の第1領域と前記第2電極下の第2領域との間を電気的に分離する分離領域が設けられており、
前記複数の異屈折率領域は、前記基本層において、前記積層方向から見た場合に前記第1領域と重なる部分に設けられている、半導体発光素子。 - 前記分離領域は、イオン注入領域、不純物拡散領域、前記第2クラッド層とは伝導型が異なる半導体領域、又は前記第2クラッド層とは不純物濃度が異なる半導体領域によって構成されている、請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記光回折層は、前記活性層と前記第2クラッド層との間に設けられており、
前記分離領域は、前記第2クラッド層から前記光回折層に至っている、請求項1又は2に記載の半導体発光素子。 - 半導体基板を更に備え、
前記積層体は、前記第1クラッド層が前記第2クラッド層に対して前記半導体基板側に位置するように、前記半導体基板上に配置されており、
前記光回折層は、前記活性層と前記第2クラッド層との間に設けられている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体発光素子。 - 前記複数の異屈折率領域は、前記基本層において、前記積層方向から見た場合に前記第1領域と重なる部分及び前記第2領域と重なる部分にわたって設けられている、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記第1電極は、直線状に延在する部分を有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記第1電極は、複数の第1直線状部を有し、
前記第2電極は、前記複数の第1直線状部と互い違いに配置された複数の第2直線状部を有している、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体発光素子。 - 前記第1電極は、前記積層方向から見た場合に、前記第2電極によって囲まれている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記基本層の厚さ方向に垂直な平面に沿って前記基本層に仮想的な格子点の群が設定された場合に、前記複数の異屈折率領域の各々の重心の前記格子点に対する位置は、所定の変調パターンに従って設定されている、請求項1〜8のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記第1領域は、前記第1電極と前記少なくとも1つの対向電極との間に順バイアスがかけられることにより、利得領域として機能し、
前記第2領域は、前記第2電極と前記少なくとも1つの対向電極との間に逆バイアスがかけられることにより、損失領域として機能する、請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
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