JP2021075493A - Ｏｌｅｄ素子形成用組成物及びｏｌｅｄ素子 - Google Patents

Abstract

【課題】素子の効率が十分に高く、溶解性が高い発光材料の提供。【解決手段】ピレン骨格を有する芳香族アミン誘導体であって、例えば下記化合物１で表される芳香族アミン誘導体。前記芳香族アミン誘導体を含有する有機電界発光素子用発光材料。【選択図】図１

Description

本発明は、ＯＬＥＤ素子形成用組成物及びＯＬＥＤ素子に関する。

近年、薄膜型の電界発光素子としては、無機材料を使用したものに代わり、有機薄膜を
用いた有機電界発光素子の開発が行われるようになっている。有機電界発光素子（ＯＬＥ
Ｄ）は、通常、陽極と陰極の間に、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層な
どを有し、この各層に適した材料が開発されつつあり、発光色も赤、緑、青と、それぞれ
に開発が進んでいる。また、従来の蒸着型と比較して材料利用効率が高く、製造コストを
下げることができる塗布型ＯＬＥＤの研究が進められている。

特に、中小型の高精細のディスプレイを作成する場合、塗布液量を減少させながら、同
じ膜厚を塗布する為、インク材料により高い溶解性が求められている。
しかしながら、青色発光素子は、低効率、短寿命であることが問題となっており、さら
に溶媒対して高い溶解性を有する化合物が少ないことが、塗布型ＯＬＥＤの開発の妨げと
なっていた。
特許文献１には、ピレン骨格を有する発行材料が開示されている。

ＷＯ２０１０−１２２８１０

特許文献１に開示された発光材料は、素子の効率が十分に高くない。また、塗布型ＯＬ
ＥＤの材料としては、溶解性の観点から改善の余地がある。
本発明では、素子の効率が十分に高く、溶解性が高い発光材料の提供を課題とした。

本発明者が鋭意検討した結果、窒素原子上の芳香環の２位にアルキル基を導入すると同
時に、さらに同芳香環に炭素数４以上のアルキル基を導入することで、素子の効率の向上
と高い溶解性を併せ持った化合物が得られることがわかった。この有機化合物を用いる事
により塗布型有機電界発光素子、とりわけ、高効率かつ長寿命なデバイスを得ることがで
きることがわかり、本発明に到達した。すなわち本発明の概要は以下の通りである。
下記式（１）で表される芳香族アミン誘導体。

［式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^２は、炭素数１０以下のアルキル基を表し、Ａｍ^１〜Ａｍ^２は、
各々独立に下記一般式（２）で表される置換基を表す。

式（２）中、アスタリクス（＊）は、式（１）との結合を表し、Ｘは、酸素原子、硫黄
原子、または−Ｃ（Ｒ^７）（Ｒ^８）−のいずれかを表し、Ｒ^３は、炭素数１０以下の直鎖
状のアルキル基を表し、Ｒ^４は炭素数４以上１０以下のアルキル基を表し、Ｒ^５〜Ｒ^８は
炭素数１０以下のアルキル基、または炭素数２０以下の芳香環基を表す。ｎは０から４の
整数を表し、ｍは０から３の整数を表す。Ｒ^１〜Ｒ^８は、置換基を有していても良い。］
［２］置換基Ｒ^４の置換位置が窒素原子に対して、メタ位またはパラ位である［１］に記
載の芳香族アミン誘導体。
［３］前記Ｘが酸素原子である［１］または［２］に記載の芳香族アミン誘導。
［４］［１］から［３］のいずれかに記載の芳香族アミン誘導を含有する有機電界発光素
子用発光材料。
［５］［４］に記載の有機電界発光素子用発光材料と、沸点が１５０度以上の溶媒を２種
以上含むＯＬＥＤ用組成物。

本発明によれば、素子の効率が十分に高く、溶解性が高い発光材料を提供することがで
きる。

本発明の有機電界発光素子の構造例を示す断面の模式図である。

下に、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形して実施することができる。
本発明において、単に「複素環」又は「炭化水素環」と称した場合には、芳香族性を有
する環及び芳香族性を有しない環のいずれをも含むものとする。
本発明において、単に「芳香環」と称した場合には、炭化水素芳香環及び複素芳香環のい
ずれも含むものとする。
本発明において、「置換基を有していてもよい」とは、置換基を１以上有していてもよい
ことを意味するものとする。

＜発光材料＞
本発明の一形態である発行材料は、下記式（１）で表される芳香族アミン誘導体である
。

［式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^２は、炭素数１０以下のアルキル基を表し、Ａｍ^１〜Ａｍ^２は、
各々独立に下記一般式（２）で表される置換基を表す。

式（２）中、アスタリクス（＊）は、式（１）との結合を表し、Ｘは、酸素原子、硫黄
原子、または−Ｃ（Ｒ^７）（Ｒ^８）−のいずれかを表し、Ｒ^３は、炭素数１０以下の直鎖
状のアルキル基を表し、Ｒ^４は炭素数４以上１０以下のアルキル基を表し、Ｒ^５〜Ｒ^８は
炭素数１０以下のアルキル基、または炭素数２０以下の芳香環基を表す。ｎは０から４の
整数を表し、ｍは０から３の整数を表す。Ｒ^１〜Ｒ^８は、置換基を有していても良い。］
本発明の下記一般式（１）で表される化合物は、ピレン骨格の１，６位にアルキル基を
有している。さらにアミン上のフェニル環の２位および同芳香環に炭素数が４以上のアル
キル基が導入されていることで溶解性を増加されており、また、公知例の点が素子の効率
向上の観点からも重要な役割を果たしていると考えられる。特にアルキル基を炭素数４以
上にすることが、会合を押さえ、高い溶解性与えている。

＜Ｒ^１〜Ｒ^３＞
式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^２は、炭素数１０以下のアルキル基を表す。炭素数１０以下のア
ルキル基の例としては、メチル基、エチル基と、分岐、直鎖、環状のプロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基である。化
合物の安定性の観点から、メチル基、エチル基、分岐、直鎖、環状のプロピル基、ブチル
基、が好ましく、特に好ましくは分岐状のプロピル基である。
Ｒ^３は、窒素原子（Ｎ）に対して２位（オルト位）にあることで、窒素原子と、フェニ
ル環の相互作用を適度に妨げることができ、耐熱性に悪影響を与えることなく素子の効率
を向上させることができると考えられる。

＜Ｒ^４＞
式（１）中、Ｒ^４は炭素数４以上１０以下のアルキル基を表す。炭素数４以上１０以下
のアルキル基の例としては、分岐、直鎖、環状のブチル基、ペンチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基である。耐熱性向上の観点から、好ましくは
、分岐、直鎖状のブチル基、分岐、直鎖、環状のペンチル基、ヘキシル基であり、溶解性
の観点から特に好ましくは直鎖状のブチル基、ペンチル基、ヘキシル基である。

Ｒ^４は、窒素原子に対してパラ位およびメタ位に置換することにより、化合物の溶解性
および膜安定性およびを向上させることができる。また、炭素数を４以上にすることによ
り、さらに溶解性および膜安定性を向上させることができる。Ｒ４の置換位置は特にメタ
位が好ましい。
Ｒ^３を窒素原子に対して、オルト位、Ｒ^４をパラ位に配置することで、素子の効率が十
分に高く、溶解性が高い発光材料とすることができる。

＜Ｘ＞
式（２）中のＸは、酸素原子、硫黄原子、または−Ｃ（Ｒ^７）（Ｒ^８）−のいずれかを
表す。化合物の安定性の観点から特に好ましくは、酸素原子である。

＜Ｒ^５〜Ｒ^８＞
式（２）中のＲ^５〜Ｒ^８は炭素数１０以下のアルキル基、または炭素数２０以下の芳香
環基を表す。炭素数１０以下のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基と、分岐、
直鎖、環状のプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基
、ノニル基、デシル基である。化合物の安定性の観点から、メチル基、エチル基、分岐、
直鎖、環状のプロピル基、ブチル基、が好ましく、特に好ましくは分岐状のプロピル基で
ある。

炭素数２０以下の芳香環基の例としては、芳香環の１価の置換基であり、芳香環の例と
しては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、クリセン環、
ピレン環、ベンゾアントラセン環、ペリレン環、ピリジン環、キノリン環、ベンゾフラン
環、カルバゾール環等である。化合物の溶解性の観点から、ベンゼン環、ナフタレン環が
好ましい。

＜Ｒ^１〜Ｒ^８が有していても良い置換基＞
Ｒ^１〜Ｒ^８が有していても良い置換基としては、例えば後述する置換基群Ｚの中から選
択することができる。
特に好ましくは、炭素数２０以下の芳香環基、炭素数３０以下のアラルキル基、炭素数
１０以下のアルキル基である。置換基がアルキル基である場合は、Ｒ^５〜Ｒ^８がアルキル
基の場合に置換される。

炭素数１０以下のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基と、分岐、直鎖、環状
のプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基
、デシル基である。化合物の安定性の観点から、メチル基、エチル基、分岐、直鎖、環状
のプロピル基、ブチル基、が好ましく、特に好ましくは分岐状のプロピル基である。
炭素数２０以下の芳香環基の例としては、芳香環の１価の置換基であり、芳香環の例と
しては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、クリセン環、
ピレン環、ベンゾアントラセン環、ペリレン環、ピリジン環、キノリン環、ベンゾフラン
環、カルバゾール環等である。化合物の溶解性の観点から、ベンゼン環、ナフタレン環が
好ましい。

炭素数３０以下のアラルキル基の例としては、ベンジル基、２−フェニルエチル基、２
−フェニルプロピル−２−イル基、２−フェニルブチル−２−イル基、３−フェニルペン
チル−３−イル基、３−フェニル−１−プロピル基、４−フェニル−１−ブチル基、５−
フェニル−１−ペンチル基、６−フェニル−１−ヘキシル基、７−フェニル−１−ヘプチ
ル基、８−フェニル−１−オクチル基等があげられる。

［置換基群Ｚ］
置換基群Ｚとして、以下の構造が挙げられる。
例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基
、ドデシル基等の、炭素数が通常１以上であり、好ましくは４以上であり、通常２４以下
、好ましくは１２以下である、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基；
例えば、ビニル基等の、炭素数が通常２以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以
下であるアルケニル基；
例えば、エチニル基等の、炭素数が通常２以上であり、通常２４以下、好ましくは１２
以下であるアルキニル基；
例えば、メトキシ基、エトキシ基等の、炭素数が通常１以上であり、通常２４以下、好
ましくは１２以下であるアルコキシ基；
例えば、フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の、炭素数が通常４以上、
好ましくは５以上であり、通常３６以下、好ましくは２４であるアリールオキシ基若しく
はヘテロアリールオキシ基；
例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、炭素数が通常２以上であ
り、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアルコキシカルボニル基；
例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、炭素数が通常２以上であり、通常
２４以下、好ましくは１２以下であるジアルキルアミノ基；
例えば、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、Ｎ−カルバゾリル基等の、炭素数が
通常１０以上、好ましくは１２以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下のジアリ
ールアミノ基；
例えば、フェニルメチルアミノ基等の、炭素数が通常７以上であり、通常３６以下、好
ましくは２４以下であるアリールアルキルアミノ基；
例えば、アセチル基、ベンゾイル基等の、炭素数が通常２以上であり、通常２４以下、
好ましくは１２以下であるアシル基；
例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；
例えば、トリフルオロメチル基等の、炭素数が通常１以上であり、通常１２以下、好ま
しくは６以下のハロアルキル基；
例えば、メチルチオ基、エチルチオ基等の、炭素数が通常１以上であり、通常２４以下
、好ましくは１２以下のアルキルチオ基；
例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の、炭素数が通常４以上
、好ましくは５以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下であるアリールチオ基；
例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の、炭素数が通常２以上、好ま
しくは３以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下であるシリル基；
例えば、トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の、炭素数が通常２以上、
好ましくは３以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下であるシロキシ基；
シアノ基；
例えば、フェニル基、ナフチル基等の、炭素数が通常６以上であり、通常３６以下、好
ましくは２４以下である芳香族炭化水素基；
例えば、チエニル基、ピリジル基等の、炭素数が通常３以上、好ましくは４以上であり
、通常３６以下、好ましくは２４以下である芳香族複素環基。

上記の置換基群Ｚの中でも、好ましくは、前記アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化
水素基、芳香族複素環基である。電荷輸送性の観点からは、置換基を有さないことがさら
に好ましい。
また、上記置換基群Ｚの各置換基は更に置換基を有していてもよい。それら置換基とし
ては、上記置換基（置換基群Ｚ）と同じのものを用いることができる。

＜具体例＞
以下に、式（１）で表される芳香族アミン誘導体の具体例を示すが、本発明はこれらに
限定されるものではない。

上記化合物の中で特に好ましい化合物の一つとして下記式（３）（後述の化合物１）、
下記式（４）で表される芳香族アミン誘導体が挙げられる。

式（３）、式（４）で表される芳香族アミン誘導体は、Ｒ^３が、窒素原子（Ｎ）に対し
て２位（オルト位）にあることで、窒素原子と、フェニル環の相互作用を適度に妨げるこ
とができ、耐熱性に悪影響を与えることなく効率を向上させることができる。また、Ｒ^４
が、窒素原子に対してメタ位、パラ位に置換することにより、化合物の溶解性および膜安
定性およびを向上させることができる。また、Ｒ^４の炭素数が４以上であるため、溶解性
および膜安定性を向上させることができる。

＜芳香族アミン誘導体の用途＞
本発明の芳香族アミン誘導体は、有機電界発光素子に用いられる材料、すなわち有機電
界発光素子の赤色発光材料として好適に使用可能であり、有機電界発光素子やその他の発
光素子等の発光材料としても好適に使用可能である。
［ＯＬＥＤ組成物］
本発明の芳香族アミン誘導体は、溶剤溶解性に優れることから、溶剤とともに使用され
ることが好ましい。以下、本発明の芳香族アミン誘導体と溶剤とを含有する組成物（以下
、「ＯＬＥＤ用組成物」又は単に「組成物」と称す場合がある。）について説明する。

本発明のＯＬＥＤ用組成物は、上述の芳香族アミン誘導体および溶剤を含有する。本発
明のＯＬＥＤ用組成物は通常湿式成膜法で層や膜を形成するために用いられ、特に有機電
界発光素子の有機層を形成するために用いられることが好ましい。該有機層は、特に発光
層であることが好ましい
つまり、本発明のＯＬＥＤ用組成物は、有機電界発光素子用組成物であることが好まし
く、更に発光層形成用組成物として用いられることが特に好ましい。

ＯＬＥＤ用組成物における本発明の芳香族アミン誘導体の含有量は、通常０．００１質
量％以上、好ましくは０．０１質量％以上、通常３０．０質量％以下、好ましくは２０．
０質量％以下である。組成物中の芳香族アミン誘導体をこの範囲とすることにより、隣接
する層（例えば、正孔輸送層や正孔阻止層）から発光層へ効率よく、正孔や電子の注入が
行われ、駆動電圧を低減することができる。なお、本発明の芳香族アミン誘導体は組成物
中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上が組み合わされて含まれていてもよい。

本発明のＯＬＥＤ用組成物を例えば有機電界発光素子用に用いる場合には、上述の芳香
族アミン誘導体や溶剤の他、有機電界発光素子、特に発光層に用いられる電荷輸送性化合
物を含有することができる。
本発明のＯＬＥＤ用組成物を用いて、有機電界発光素子の発光層を形成する場合には、
本発明の芳香族アミン誘導体を発光材料とし、他の電荷輸送性化合物を電荷輸送ホスト材
料として含むことが好ましい。

本発明のＯＬＥＤ用組成物に含有される溶剤は、湿式成膜により芳香族アミン誘導体を
含む層を形成するために用いる、揮発性を有する液体成分である。
該溶剤は、溶質である本発明のイリジウム錯体化合物が高い溶剤溶解性を有するために
、むしろ後述の電荷輸送性化合物が良好に溶解する有機溶剤であれば特に限定されない。
好ましい溶剤としては、例えば、ｎ−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、
デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類；トルエン、キシレン、メシチレン、フェニ
ルシクロヘキサン、テトラリン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼ
ン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；１，２−ジメトキシベンゼン
、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３
−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジ
メチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類；酢酸フェニル、プロピオ
ン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチ
ル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族
ケトン類；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類；メチルエ
チルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族
アルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエー
テル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂
肪族エーテル類；等が挙げられる。

中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類、芳香族エステル類であり、特に、
フェニルシクロヘキサンおよび、芳香族エステル類は、好ましい粘度と沸点を有している
。
これらの溶剤は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、お
よび比率で用いてもよい。

用いる溶剤の沸点は通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０
℃以上、また、通常３５０℃以下、好ましくは３３０℃以下、より好ましくは沸点３００
℃以下である。この範囲を下回ると、湿式成膜時において、組成物からの溶剤蒸発により
、成膜安定性が低下する可能性がある。この範囲を上回ると、湿式成膜時において、成膜
後の溶剤残留により、成膜安定性が低下する可能性がある。

特に、上記溶媒のうち、沸点が１５０度以上の溶媒を２種以上と組み合わせることによ
り、均一な塗布膜を作成することができる。沸点１５０度以上の溶媒が１つ以下であると
、塗布時に均一な膜が形成されない場合があると考えられる。
溶剤の含有量は、ＯＬＥＤ用組成物において好ましくは１質量％以上、より好ましくは
１０質量％以上、特に好ましくは５０質量％以上、また、好ましくは９９．９９質量％以
下、より好ましくは９９．９質量％以下、特に好ましくは９９質量％以下である。通常発
光層の厚みは３〜２００ｎｍ程度であるが、溶剤の含有量がこの下限を下回ると、組成物
の粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。一方、この上限を上回ると
、成膜後、溶剤を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難となる傾向
がある。

本発明のＯＬＥＤ用組成物が含有し得る他の電荷輸送性化合物としては、従来有機電界
発光素子用材料として用いられているものを使用することができる。例えば、ピリジン、
カルバゾール、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クリセン、ナフタセン、
フェナントレン、コロネン、フルオランテン、ベンゾフェナントレン、フルオレン、アセ
トナフトフルオランテン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼンおよび
それらの誘導体、キナクリドン誘導体、ＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎ
ｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ
−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテ
ン誘導体、アザベンゾチオキサンテン、アリールアミノ基が置換された縮合芳香族環化合
物、アリールアミノ基が置換されたスチリル誘導体等が挙げられる。

これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、および比
率で用いてもよい。
また、ＯＬＥＤ用組成物中の他の電荷輸送性化合物の含有量は、ＯＬＥＤ用組成物中の
本発明の芳香族アミン誘導体１質量部に対して、通常１０００質量部以下、好ましくは１
００質量部以下、さらに好ましくは５０質量部以下であり、また、通常０．０１質量部以
上、好ましくは０．１質量部以上、さらに好ましくは１質量部以上である。
本発明のＯＬＥＤ用組成物には、必要に応じて、上記の化合物等の他に、更に他の化合
物を含有していてもよい。好ましくは、酸化防止剤として知られているジブチルヒドロキ
シトルエンや、ジブチルフェノール等のフェノール類があげられる。

［有機電界発光素子］
本発明の芳香族アミン誘導体を用いて有機電界発光素子（以下、「本発明の有機電界発
光素子」と称す場合がある。）を製造することができる。以下に本発明の芳香族アミン誘
導体を含む本発明の有機電界発光素子について説明する。
本発明の有機電界発光素子は、好ましくは、基板上に少なくとも陽極、陰極及び前記陽
極と前記陰極の間に少なくとも１層の有機層を有するものであって、前記有機層のうち少
なくとも１層が本発明の芳香族アミン誘導体を含む。前記有機層は発光層を含む。

本発明の芳香族アミン誘導体を含む有機層は、本発明の組成物を用いて形成された層で
あることがより好ましく、湿式成膜法により形成された層であることがさらに好ましい。
前記湿式成膜法により形成された層は、該発光層であることが好ましい。
本発明において湿式成膜法とは、成膜方法、即ち、塗布方法として、例えば、スピンコ
ート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコ
ート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、ノズルプリンテ
ィング法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等、湿式で成膜される方
法を採用し、これらの方法で成膜された膜を乾燥して膜形成を行う方法をいう。

図１は本発明の有機電界発光素子１０に好適な構造例を示す断面の模式図であり、図１
において、符号１は基板、符号２は陽極、符号３は正孔注入層、符号４は正孔輸送層、符
号５は発光層、符号６は正孔阻止層、符号７は電子輸送層、符号８は電子注入層、符号９
は陰極を各々表す。
これらの構造に適用する材料は、公知の材料を適用することができ、特に制限はないが
、各層に関しての代表的な材料や製法を一例として以下に記載する。また、公報や論文等
を引用している場合、該当内容を当業者の常識の範囲で適宜、適用、応用することができ
るものとする。

＜基板１＞
基板１は、有機電界発光素子の支持体となるものであり、通常、石英やガラスの板、金
属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。これらのうち、ガラス板
や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合
成樹脂の板が好ましい。基板１は、外気による有機電界発光素子の劣化が起こり難いこと
からガスバリア性の高い材質とするのが好ましい。このため、特に合成樹脂製の基板等の
ようにガスバリア性の低い材質を用いる場合は、基板１の少なくとも片面に緻密なシリコ
ン酸化膜等を設けてガスバリア性を上げるのが好ましい。

＜陽極２＞
陽極２は、発光層側の層に正孔を注入する機能を担う。陽極２は、通常、アルミニウム
、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属；インジウム及び／又はスズの酸化物等
の金属酸化物；ヨウ化銅等のハロゲン化金属；カーボンブラック或いはポリ（３−メチル
チオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。

陽極２の形成は、通常、スパッタリング法、真空蒸着法等の乾式法により行われること
が多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金
属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、適当なバイ
ンダー樹脂溶液に分散させて、基板上に塗布することにより形成することもできる。また
、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に導電
性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，
６０巻，２７１１頁，１９９２年）。

陽極２は、通常、単層構造であるが、適宜、積層構造としてもよい。陽極２が積層構造
である場合、１層目の陽極上に異なる導電材料を積層してもよい。
陽極２の厚みは、必要とされる透明性と材質等に応じて、決めればよい。特に高い透明
性が必要とされる場合は、可視光の透過率が６０％以上となる厚みが好ましく、８０％以
上となる厚みが更に好ましい。陽極２の厚みは、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以
上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下とするのが好ましい
。一方、透明性が不要な場合は、陽極２の厚みは必要な強度等に応じて任意に厚みとすれ
ばよく、この場合、陽極２は基板１と同一の厚みでもよい。
陽極２の表面に成膜を行う場合は、成膜前に、紫外線＋オゾン、酸素プラズマ、アルゴ
ンプラズマ等の処理を施すことにより、陽極上の不純物を除去すると共に、そのイオン化
ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させておくのが好ましい。

＜正孔注入層３＞
陽極２側から発光層５側に正孔を輸送する機能を担う層は、通常、正孔注入輸送層又は
正孔輸送層と呼ばれる。そして、陽極２側から発光層５側に正孔を輸送する機能を担う層
が２層以上ある場合に、より陽極２側に近い方の層を正孔注入層３と呼ぶことがある。正
孔注入層３は、陽極２から発光層５側に正孔を輸送する機能を強化する点で、用いること
が好ましい。正孔注入層３を用いる場合、通常、正孔注入層３は、陽極２上に形成される
。

正孔注入層３の膜厚は、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常１０００
ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下である。
正孔注入層３の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよい。成膜性が優れる点
では、湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔注入層３は、正孔輸送性化合物を含むことが好ましく、正孔輸送性化合物と電子受
容性化合物とを含むことがより好ましい。更には、正孔注入層３中にカチオンラジカル化
合物を含むことが好ましく、カチオンラジカル化合物と正孔輸送性化合物とを含むことが
特に好ましい。

（正孔輸送性化合物）
正孔注入層形成用組成物は、通常、正孔注入層３となる正孔輸送性化合物を含有する。
また、湿式成膜法の場合は、通常、更に溶剤も含有する。正孔注入層形成用組成物は、正
孔輸送性が高く、注入された正孔を効率よく輸送できるのが好ましい。このため、正孔移
動度が大きく、トラップとなる不純物が製造時や使用時等に発生し難いのが好ましい。ま
た、安定性に優れ、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光に対する透明性が高いことが
好ましい。特に、正孔注入層３が発光層５と接する場合は、発光層５からの発光を消光し
ないものや発光層５とエキサイプレックスを形成して、発光効率を低下させないものが好
ましい。

正孔輸送性化合物としては、陽極２から正孔注入層３への電荷注入障壁の観点から、４
．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化
合物の例としては、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化
合物、オリゴチオフェン系化合物、ポリチオフェン系化合物、ベンジルフェニル系化合物
、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン系化合物、シラザン系化合物
、キナクリドン系化合物等が挙げられる。

上述の例示化合物のうち、非晶質性及び可視光透過性の点から、芳香族アミン化合物が
好ましく、芳香族三級アミン化合物が特に好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物と
は、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する
化合物も含む。
芳香族三級アミン化合物の種類は、特に制限されないが、表面平滑化効果により均一な
発光を得やすい点から、重量平均分子量が１０００以上１００００００以下の高分子化合
物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）を用いるのが好ましい。芳香族三級アミン高分
子化合物の好ましい例としては、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化
合物等が挙げられる。

（式（Ｉ）中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香
族基又は置換基を有していてもよい複素芳香族基を表す。Ａｒ^３〜Ａｒ^５は、それぞれ独
立して、置換基を有していてもよい芳香族基又は置換基を有していてもよい複素芳香族基
を表す。Ｑは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ^１〜Ａｒ^５の
うち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。
下記に連結基を示す。

（上記各式中、Ａｒ^６〜Ａｒ^１６は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香
族基又は置換基を有していてもよい複素芳香族基を表す。Ｒ^ａ〜Ｒ^ｂは、それぞれ独立し
て、水素原子又は任意の置換基を表す。）
Ａｒ^１〜Ａｒ^１６の芳香族基及び複素芳香族基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱
性、正孔注入輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェ
ン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ま
しい。
式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例とし
ては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のもの等が挙げられる。

（電子受容性化合物）
正孔注入層３には、正孔輸送性化合物の酸化により、正孔注入層３の導電率を向上させ
ることができるため、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
電子受容性化合物としては、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容す
る能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が
好ましく、電子親和力が５ｅＶ以上である化合物が更に好ましい。

このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン
化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリ
ールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物等が挙げ
られる。具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラ
ート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開第２００５／０８９０２４号）；塩化鉄
（ＩＩＩ）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高
原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物；トリス（ペンタフルオロ
フェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラー
レン誘導体及びヨウ素等が挙げられる。

（カチオンラジカル化合物）
カチオンラジカル化合物としては、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であ
るカチオンラジカルと、対アニオンとからなるイオン化合物が好ましい。但し、カチオン
ラジカルが正孔輸送性の高分子化合物由来である場合、カチオンラジカルは高分子化合物
の繰り返し単位から一電子取り除いた構造となる。

カチオンラジカルとしては、正孔輸送性化合物として前述した化合物から一電子取り除
いた化学種であることが好ましい。正孔輸送性化合物として好ましい化合物から一電子取
り除いた化学種であることが、非晶質性、可視光の透過率、耐熱性、及び溶解性などの点
から好適である。
ここで、カチオンラジカル化合物は、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混
合することにより生成させることができる。即ち、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性
化合物とを混合することにより、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物へと電子移動が
起こり、正孔輸送性化合物のカチオンラジカルと対アニオンとからなるカチオンイオン化
合物が生成する。

ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，２０００年，１２巻，４８１頁）やエメ
ラルジン塩酸塩（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．，１９９０年，９４巻，７７１６頁）等の高
分子化合物由来のカチオンラジカル化合物は、酸化重合（脱水素重合）することによって
も生成する。
ここでいう酸化重合は、モノマーを酸性溶液中で、ペルオキソ二硫酸塩等を用いて化学
的に、又は、電気化学的に酸化するものである。この酸化重合（脱水素重合）の場合、モ
ノマーが酸化されることにより高分子化されるとともに、酸性溶液由来のアニオンを対ア
ニオンとする、高分子の繰り返し単位から一電子取り除かれたカチオンラジカルが生成す
る。

（湿式成膜法による正孔注入層３の形成）
湿式成膜法により正孔注入層３を形成する場合、通常、正孔注入層３となる材料を可溶
な溶剤（正孔注入層用溶剤）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調
製し、この正孔注入層形成用組成物を正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２
）上に湿式成膜法により成膜し、乾燥させることにより形成させる。成膜した膜の乾燥は
、湿式成膜法による発光層５の形成における乾燥方法と同様に行うことができる。

正孔注入層形成用組成物中における正孔輸送性化合物の濃度は、本発明の効果を著しく
損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点では、低い方が好ましく、一方、正孔注
入層３に欠陥が生じ難い点では、高い方が好ましい。具体的には、０．０１質量％以上で
あるのが好ましく、０．１質量％以上であるのが更に好ましく、０．５質量％以上である
のが特に好ましく、また、一方、７０質量％以下であるのが好ましく、６０質量％以下で
あるのが更に好ましく、５０質量％以下であるのが特に好ましい。

溶剤としては、例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、ア
ミド系溶剤などが挙げられる。
エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレング
リコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート
（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル及び１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキ
シベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン
、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等
の芳香族エーテル等が挙げられる。

エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メ
チル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル等が
挙げられる。
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼ
ン、３−イソプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジ
イソプロピルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。

アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド等が挙げられる。
これらの他、ジメチルスルホキシド等も用いることができる。好ましくは、芳香族炭化
水素系溶剤と、芳香族エステル系溶剤である。
正孔注入層３の湿式成膜法による形成は、通常、正孔注入層形成用組成物を調製後に、
これを、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に塗布成膜し、乾燥する
ことにより行われる。正孔注入層３は、通常、成膜後に、加熱や減圧乾燥等により塗布膜
を乾燥させる。

（真空蒸着法による正孔注入層３の形成）
真空蒸着法により正孔注入層３を形成する場合には、通常、正孔注入層３の構成材料（
前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種類又は２種類以上を真空容器内に
設置された坩堝に入れ（２種類以上の材料を用いる場合は、通常各々を別々の坩堝に入れ
）、真空容器内を真空ポンプで１０^−４Ｐａ程度まで排気した後、坩堝を加熱して（２種
類以上の材料を用いる場合は、通常各々の坩堝を加熱して）、坩堝内の材料の蒸発量を制
御しながら蒸発させ（２種類以上の材料を用いる場合は、通常各々独立に蒸発量を制御し
ながら蒸発させ）、坩堝に向き合って置かれた基板上の陽極２上に正孔注入層３を形成さ
せる。なお、２種類以上の材料を用いる場合は、それらの混合物を坩堝に入れ、加熱、蒸
発させて正孔注入層３を形成することもできる。

蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１
×１０^−６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０^−４Ｐａ）以上、９．０×１０^−６Ｔｏｒｒ（１２
．０×１０^−４Ｐａ）以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限
定されないが、通常０．１Å／秒以上、５．０Å／秒以下である。蒸着時の成膜温度は、
本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上、５０℃以
下で行われる。

＜正孔輸送層４＞
正孔輸送層４は、陽極２側から発光層５側に正孔を輸送する機能を担う層である。正孔
輸送層４は、本発明の有機電界発光素子では、必須の層では無いが、陽極２から発光層５
に正孔を輸送する機能を強化する点では、この層を設けることが好ましい。正孔輸送層４
を設ける場合、通常、正孔輸送層４は、陽極２と発光層５の間に形成される。また、上述
の正孔注入層３がある場合は、正孔注入層３と発光層５の間に形成される。

正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、一方
、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
正孔輸送層４の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよい。成膜性が優れる点
では、湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔輸送層４は、通常、正孔輸送層４となる正孔輸送性化合物を含有する。正孔輸送層
４に含まれる正孔輸送性化合物としては、特に、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）
−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表される、２個以上の３級アミンを含み２個以上
の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）
、４，４’，４’’−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のス
ターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４巻、９８
５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅ
ｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２’，７，７’−テトラキス−（
ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈ．Ｍ
ｅｔａｌｓ，９１巻、２０９頁、１９９７年）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビ
フェニルなどのカルバゾール誘導体などが挙げられる。また、例えばポリビニルカルバゾ
ール、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−５３９５３号公報）、テトラフェニル
ベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン（Ｐｏｌｙｍ．Ａｄｖ．Ｔｅｃｈ
．，７巻、３３頁、１９９６年）等も好ましく使用できる。

（湿式成膜法による正孔輸送層４の形成）
湿式成膜法で正孔輸送層４を形成する場合は、通常、上述の正孔注入層３を湿式成膜法
で形成する場合と同様にして、正孔注入層形成用組成物の代わりに正孔輸送層形成用組成
物を用いて形成させる。
湿式成膜法で正孔輸送層４を形成する場合は、通常、正孔輸送層形成用組成物は、更に
溶剤を含有する。正孔輸送層形成用組成物に用いる溶剤は、上述の正孔注入層形成用組成
物で用いる溶剤と同様の溶剤を使用することができる。
正孔輸送層形成用組成物中における正孔輸送性化合物の濃度は、正孔注入層形成用組成
物中における正孔輸送性化合物の濃度と同様の範囲とすることができる。
正孔輸送層４の湿式成膜法による形成は、前述の正孔注入層３の成膜法と同様に行うこ
とができる。

（真空蒸着法による正孔輸送層４の形成）
真空蒸着法で正孔輸送層４を形成する場合についても、通常、上述の正孔注入層３を真
空蒸着法で形成する場合と同様にして、正孔注入層３の構成材料の代わりに正孔輸送層４
の構成材料を用いて形成させることができる。蒸着時の真空度、蒸着速度及び温度などの
成膜条件などは、前記正孔注入層３の真空蒸着時と同様の条件で成膜することができる。

＜発光層５＞
発光層５は、一対の電極間に電界が与えられた時に、陽極２から注入される正孔と陰極
９から注入される電子が再結合することにより励起され、発光する機能を担う層である。
発光層５は、陽極２と陰極９の間に形成される層であり、発光層５は、陽極２の上に正孔
注入層３がある場合は、正孔注入層３と陰極９の間に形成され、陽極２の上に正孔輸送層
４がある場合は、正孔輸送層４と陰極９との間に形成される。

発光層５の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜に欠陥が生
じ難い点では厚い方が好ましく、また、一方、薄い方が低駆動電圧としやすい点で好まし
い。このため、発光層５の膜厚は、３ｎｍ以上であるのが好ましく、５ｎｍ以上であるの
が更に好ましく、また、一方、通常２００ｎｍ以下であるのが好ましく、１００ｎｍ以下
であるのが更に好ましい。

発光層５は、少なくとも、発光の性質を有する材料（発光材料）を含有するとともに、
好ましくは、電荷輸送性を有する材料（電荷輸送性材料）とを含有する。発光材料として
は、いずれかの発光層に、本発明の芳香族アミン誘導体が含まれていればよく、適宜他の
発光材料を用いてもよい。以下、本発明の芳香族アミン誘導体以外の他の発光材料につい
て詳述する。

（発光材料）
発光材料は、所望の発光波長で発光し、本発明の効果を損なわない限り、式（１）で表
される芳香族アミン誘導体以外にも他の発行材料を併用することができる。発光材料は、
蛍光発光材料でも、燐光発光材料でもよいが、発光効率が良好である材料が好ましく、素
子の効率の観点から燐光発光材料が好ましい。

蛍光発光材料としては、例えば、以下の材料が挙げられる。
青色発光を与える蛍光発光材料（青色蛍光発光材料）としては、例えば、ナフタレン、
ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、クリセン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニ
ル）ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。
緑色発光を与える蛍光発光材料（緑色蛍光発光材料）としては、例えば、キナクリドン
誘導体、クマリン誘導体、Ａｌ（Ｃ_９Ｈ_６ＮＯ）_３などのアルミニウム錯体等が挙げられ
る。

黄色発光を与える蛍光発光材料（黄色蛍光発光材料）としては、例えば、ルブレン、ペ
リミドン誘導体等が挙げられる。
赤色発光を与える蛍光発光材料（赤色蛍光発光材料）としては、例えば、ＤＣＭ（４−
（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙ
ｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ロー
ダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる
。

また、燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限
り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）の第７〜１１族から
選ばれる金属を含む有機金属錯体等が挙げられる。周期表の第７〜１１族から選ばれる金
属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム
、イリジウム、白金、金等が挙げられる。

有機金属錯体の配位子としては、（ヘテロ）アリールピリジン配位子、（ヘテロ）アリ
ールピラゾール配位子などの（ヘテロ）アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナント
ロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾ
ール配位子が好ましい。ここで、（ヘテロ）アリールとは、アリール基又はヘテロアリー
ル基を表す。

好ましい燐光発光材料として、具体的には、例えば、トリス（２−フェニルピリジン）
イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジ
ン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）
オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム等のフェニルピリジン錯体及びオ
クタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウ
ムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等のポルフィリン錯体等が挙げ
られる。

高分子系の発光材料としては、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル
）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（４，４’−（
Ｎ−（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］、ポリ［（９，９−ジオク
チルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（１，４−ベンゾ−２｛２，１’−３｝−ト
リアゾール）］などのポリフルオレン系材料、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチルヘ
キシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］などのポリフェニレンビニレン系材料が
挙げられる。

（電荷輸送性材料）
電荷輸送性材料は、正電荷（正孔）又は負電荷（電子）輸送性を有する材料であり、本
発明の効果を損なわない限り、特に制限はなく、公知の材料を適用可能である。
電荷輸送性材料は、従来、有機電界発光素子の発光層５に用いられている化合物等を用
いることができ、特に、発光層５のホスト材料として使用されている化合物が好ましい。

電荷輸送性材料としては、具体的には、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合
物、ポルフィリン系化合物、オリゴチオフェン系化合物、ポリチオフェン系化合物、ベン
ジルフェニル系化合物、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン系化合
物、シラザン系化合物、シラナミン系化合物、ホスファミン系化合物、キナクリドン系化
合物等の正孔注入層３の正孔輸送性化合物として例示した化合物等が挙げられる他、アン
トラセン系化合物、ピレン系化合物、カルバゾール系化合物、ピリジン系化合物、フェナ
ントロリン系化合物、オキサジアゾール系化合物、シロール系化合物等の電子輸送性化合
物等が挙げられる。

また、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェ
ニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換
した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４’’−トリス（１
−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族
アミン系化合物（Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェ
ニルアミンの四量体から成る芳香族アミン系化合物（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７
５頁、１９９６年）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９
’−スピロビフルオレン等のフルオレン系化合物（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ，９１巻、
２０９頁、１９９７年）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバ
ゾール系化合物等の正孔輸送層４の正孔輸送性化合物として例示した化合物等も好ましく
用いることができる。また、この他、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャル
ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、２，５−ビス（
１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）などのオキサジアゾール系化
合物、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４
−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）等のシロール系化合物、バソフェナントロ
リン（ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロ
リン（ＢＣＰ、バソクプロイン）などのフェナントロリン系化合物等も挙げられる。

（湿式成膜法による発光層５の形成）
発光層５の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよいが、成膜性に優れること
から、湿式成膜法が好ましい。
湿式成膜法により発光層５を形成する場合は、通常、上述の正孔注入層３を湿式成膜法
で形成する場合と同様にして、正孔注入層形成用組成物の代わりに、発光層５となる材料
を可溶な溶剤（発光層用溶剤）と混合して調製した発光層形成用組成物を用いて形成させ
る。本発明においては、この発光層形成用組成物として、前述の本発明のＯＬＥＤ用組成
物を用いることが好ましい。

溶剤としては、例えば、正孔注入層３の形成について挙げたエーテル系溶剤、エステル
系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤の他、アルカン系溶剤、ハロゲン化芳香族
炭化水系溶剤、脂肪族アルコール系溶剤、脂環族アルコール系溶剤、脂肪族ケトン系溶剤
及び脂環族ケトン系溶剤などが挙げられる。用いる溶剤は、本発明のＯＬＥＤ用組成物の
溶剤としても例示した通りであり、以下に溶剤の具体例を挙げるが、本発明の効果を損な
わない限り、これらに限定されるものではない。

例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル
、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族
エーテル系溶剤；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソー
ル、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエ
ン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等
の芳香族エーテル系溶剤；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息
香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル系溶剤；トルエ
ン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン、３−イソプロピルビ
フェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、
メチルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤；ｎ−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘ
キサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン系溶剤；クロロベンゼン、ジクロロベ
ンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素系溶剤；ブタノール、ヘキサ
ノール等の脂肪族アルコール系溶剤；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環
族アルコール系溶剤；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン系溶剤；シ
クロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン系溶剤等が挙げられる
。これらのうち、アルカン系溶剤及び芳香族炭化水素系溶剤、芳香族エステル系溶剤が特
に好ましい。

また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発する
ことが好ましい。このため、用いる溶剤の沸点は、前述の通り、通常８０℃以上、好まし
くは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上、また、通常２７０℃以下、好ましくは
２５０℃以下、より好ましくは沸点２３０℃以下である。
溶剤の使用量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、発光層形成用組
成物、即ちＯＬＥＤ用組成物中の合計含有量は、低粘性なために成膜作業が行いやすい点
で多い方が好ましく、また、一方、厚膜で成膜しやすい点で低い方が好ましい。前述の通
り、溶剤の含有量は、ＯＬＥＤ用組成物において好ましくは１質量％以上、より好ましく
は１０質量％以上、特に好ましくは５０質量％以上、また、好ましくは９９．９９質量％
以下、より好ましくは９９．９質量％以下、特に好ましくは９９質量％以下である。

湿式成膜後の溶剤除去方法としては、加熱又は減圧を用いることができる。加熱方法に
おいて使用する加熱手段としては、膜全体に均等に熱を与えることから、クリーンオーブ
ン、ホットプレートが好ましい。
加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、乾
燥時間を短くする点では温度が高いほうが好ましく、材料へのダメージが少ない点では低
い方が好ましい。加温温度の上限は通常２５０℃以下であり、好ましくは２００℃以下、
さらに好ましくは１５０℃以下である。加温温度の下限は通常３０℃以上であり、好まし
くは５０℃以上であり、さらに好ましくは８０℃以上である。上記上限を超える温度は、
通常用いられる電荷輸送材料又は燐光発光材料の耐熱性より高く、分解や結晶化する可能
性があり好ましくない。上記下限未満では溶剤の除去に長時間を要するため、好ましくな
い。加熱工程における加熱時間は、発光層形成用組成物中の溶剤の沸点や蒸気圧、材料の
耐熱性、および加熱条件によって適切に決定される。

（真空蒸着法による発光層５の形成）
真空蒸着法により発光層５を形成する場合には、通常、発光層５の構成材料（前述の発
光材料、電荷輸送性化合物等）の１種類又は２種類以上を真空容器内に設置された坩堝に
入れ（２種類以上の材料を用いる場合は、通常各々を別々の坩堝に入れ）、真空容器内を
真空ポンプで１０^−４Ｐａ程度まで排気した後、坩堝を加熱して（２種類以上の材料を用
いる場合は、通常各々の坩堝を加熱して）、坩堝内の材料の蒸発量を制御しながら蒸発さ
せ（２種類以上の材料を用いる場合は、通常各々独立に蒸発量を制御しながら蒸発させ）
、坩堝に向き合って置かれた正孔注入層３又は正孔輸送層４の上に発光層５を形成させる
。なお、２種類以上の材料を用いる場合は、それらの混合物を坩堝に入れ、加熱、蒸発さ
せて発光層５を形成することもできる。

蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１
×１０^−６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０^−４Ｐａ）以上、９．０×１０^−６Ｔｏｒｒ（１２
．０×１０^−４Ｐａ）以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限
定されないが、通常０．１Å／秒以上、５．０Å／秒以下である。蒸着時の成膜温度は、
本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上、５０℃以
下で行われる。

＜正孔阻止層６＞
発光層５と後述の電子注入層８との間に、正孔阻止層６を設けてもよい。正孔阻止層６
は、発光層５の上に、発光層５の陰極９側の界面に接するように積層される層である。
この正孔阻止層６は、陽極２から移動してくる正孔を陰極９に到達するのを阻止する役
割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。
正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が
低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準
位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。

このような条件を満たす正孔阻止層６の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−
キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリノラト）アルミ
ニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特
開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特
開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０
−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５／０２２９６２号に
記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止
層６の材料として好ましい。

正孔阻止層６の形成方法に制限はなく、前述の発光層５の形成方法と同様にして形成す
ることができる。
正孔阻止層６の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．
３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上であり、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは
５０ｎｍ以下である。

＜電子輸送層７＞
電子輸送層７は素子の電流効率をさらに向上させることを目的として、発光層５又は正
孔素子層６と電子注入層８との間に設けられる。
電子輸送層７は、電界を与えられた電極間において陰極９から注入された電子を効率よ
く発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。電子輸送層７に用いら
れる電子輸送性化合物としては、陰極９又は電子注入層８からの電子注入効率が高く、か
つ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物である
ことが必要である。

このような条件を満たす電子輸送性化合物としては、具体的には、例えば、８−ヒドロ
キシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、
１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリ
ルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキ
シフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリス
ベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合
物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５
９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、
ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。

電子輸送層７の膜厚は、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上であり、また、一方、
通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
電子輸送層７は、発光層５と同様にして湿式成膜法、或いは真空蒸着法により発光層５
又は正孔阻止層６上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる
。

＜電子注入層８＞
電子注入層８は、陰極９から注入された電子を効率よく、電子輸送層７又は発光層５へ
注入する役割を果たす。
電子注入を効率よく行うには、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が
好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウム
などのアルカリ土類金属等が用いられる。

電子注入層８の膜厚は、０．１〜５ｎｍが好ましい。
また、陰極９と電子輸送層７との界面に電子注入層８として、ＬｉＦ、ＭｇＦ_２、Ｌｉ
_２Ｏ、Ｃｓ_２ＣＯ_３等の極薄絶縁膜（膜厚０．１〜５ｎｍ程度）を挿入することも、素子
の効率を向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７０巻，１５
２頁，１９９７年；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ．Ｄｅｖｉｃｅｓ，４４巻，１２４５頁，１９９７年；ＳＩＤ ０４ Ｄｉｇｅｓｔ
，１５４頁）。

さらに、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのア
ルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム
、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０
１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報
などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能
となるため好ましい。この場合の膜厚は通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上で、通
常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
電子注入層８は、発光層５と同様にして湿式成膜法或いは真空蒸着法により、発光層５
或いはその上の正孔阻止層６又は電子輸送層７上に積層することにより形成される。
湿式成膜法の場合の詳細は、前述の発光層５の場合と同様である。

＜陰極９＞
陰極９は、発光層５側の層（電子注入層８又は発光層５など）に電子を注入する役割を
果たす。陰極９の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能であ
るが、効率よく電子注入を行なう上では、仕事関数の低い金属を用いることが好ましく、
例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の金属又は
それらの合金などが用いられる。具体例としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグ
ネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数の合金電極など
が挙げられる。

素子の安定性の点では、陰極９の上に、仕事関数が高く、大気に対して安定な金属層を
積層して、低仕事関数の金属からなる陰極９を保護するのが好ましい。積層する金属とし
ては、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が挙げられ
る。
陰極の膜厚は通常、陽極２と同様である。

＜その他の構成層＞
以上、図１に示す層構成の素子を中心に説明してきたが、本発明の有機電界発光素子に
おける陽極２及び陰極９と発光層５との間には、その性能を損なわない限り、上記説明に
ある層の他にも、任意の層を有していてもよく、また発光層５以外の任意の層を省略して
もよい。

例えば、正孔阻止層８と同様の目的で、正孔輸送層４と発光層５の間に電子阻止層を設
けることも効果的である。電子阻止層は、発光層５から移動してくる電子が正孔輸送層４
に到達することを阻止することで、発光層５内で正孔との再結合確率を増やし、生成した
励起子を発光層５内に閉じこめる役割と、正孔輸送層４から注入された正孔を効率よく発
光層５の方向に輸送する役割がある。

電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯ
ＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。
また、発光層５を湿式成膜法で形成する場合、電子阻止層も湿式成膜法で形成することが
、素子製造が容易となるため、好ましい。
このため、電子阻止層も湿式成膜適合性を有することが好ましく、このような電子阻止
層に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフ
ェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号）等が挙げられる。

なお、図１とは逆の構造、即ち、基板１上に陰極９、電子注入層８、電子輸送層７、正
孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、正孔注入層３、陽極２の順に積層することも可能
であり、少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設
けることも可能である。
さらには、図１に示す層構成を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造
）とすることも可能である。その際には段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ
、陰極がＡｌの場合はその２層）の代わりに、例えばＶ２Ｏ５等を電荷発生層として用い
ると段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子
、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用すること
ができる。

［表示装置及び照明装置］
本発明の有機電界発光素子を用いて表示装置及び照明装置を製造することができる。本
発明の有機電界発光素子を用いた表示装置及び照明装置の形式や構造については特に制限
はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社、平成１６年８月２０日発刊、時任静士
、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で、本発明の有機電界発光素子
を用いて表示装置および照明装置を形成することができる。

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り
以下の実施例に限定されるものではない。なお、下記の実施例における各種の条件や評価
結果の値は、本発明の実施態様における上限または下限の好ましい値としての意味をもつ
ものであり、好ましい範囲は前記した上限または下限の値と下記実施例の値または実施例
同士の値との組合せで規定される範囲であってもよい。

＜化合物１の合成例＞
（中間体１の合成）

１，４−ジブチルベンゼン１９．２ｇをドライアイス−アセトン浴にて冷却し−約１０
℃で１０分間撹拌した。内温が−５℃を超えないように、濃硝酸７ｍＬと濃硫酸１５ｍＬ
の混酸を少しずつ添加し、内温が−１０℃〜−５℃になるように冷却したまま２０分間撹
拌した。反応溶液を室温に戻し、１時間攪拌した。反応溶液を氷水約１００ｍＬに少しず
つ添加した後、ジクロロメタンを加えて分液後、有機層を炭酸ナトリウム水溶液で洗浄後
、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、得られた残渣をジクロロメタンに溶かし
、シリカゲルにて濾過して溶媒を留去することで、中間体１の黄色油状体１８．０ｇを得
た。
（中間体２の合成）

中間体１ １８．０ｇと塩化アンモニウム１１．１ｇをエタノール１５０ｍＬとＨ_２Ｏ
５０ｍＬに加えた後、鉄粉１１．６ｇを加えてオイルバス１００℃で１時間還流した。
反応溶液を室温に冷却後、セライトでろ過し、ろ液の溶媒を留去した。残渣にジクロロメ
タンと水を加え、分液洗浄した。その後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
精製することで、中間体２のオレンジ色油状物１１．８ｇ得た。
（中間体３の合成）

窒素雰囲気下、Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３ＣＨＣｌ_３ ０．２７ｇとｄｐｐｆ ０．５７ｇを
トルエン（脱酸素）５ｍＬに溶解し、６０℃で撹拌することで触媒溶液を調製した。別途
、窒素雰囲気下、中間体２ ４．２８ｇ、４−ブロモジベンゾフラン５．１５ｇ、ナトリ
ウム−ｔ−ブトキシド５．４０ｇをトルエン（脱酸素）６０ｍＬに溶解して６０℃で撹拌
し、上記の触媒溶液をシリンジで加え、１００℃にて１時間撹拌した。反応溶液を室温に
冷却後、溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製す
ることで、中間体３の淡黄色油状物６．７０ｇを得た。
（化合物１の合成）

窒素雰囲気下、Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３ＣＨＣｌ_３ ８６ｍｇとａｍｐｈｏｓ １７７ｍｇ
をトルエン（脱酸素）５ｍＬに溶解し、６０℃で撹拌することで触媒溶液を調製した。別
途、窒素雰囲気下、中間体３ ２．１０ｇ、１，６−ジブロモ−３，８−ジイソプロピル
ピレン １．２３ｇ、ナトリウム−ｔ−ブトキシド１．２ｇをトルエン（脱酸素）５０ｍ
Ｌに溶解して６０℃で撹拌し、上記の触媒溶液をシリンジで加え、１００℃にて１．５時
間撹拌した。反応溶液を室温に冷却して活性白土とトルエンを加えて室温で１０分間撹拌
した。吸引濾過後、ろ液の溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで精製し、酢酸エチルで再結晶することで、化合物１を１．７２ｇ得た。

＜化合物２の合成例＞
（中間体４の合成）

窒素雰囲気下、２−ブロモ−５−ヨードベンゼン１３．０ｇをＴＨＦ（脱酸素）８０ｍ
Ｌに溶解して、ドライアイス−アセトン浴にて冷却し−７８℃で１０分間撹拌した。内温
が−６５℃を超えないように１．５５Ｍのｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液２８．５ｍ
Ｌを滴下し、ドライアイス−アセトン浴で冷却したまま２０分間撹拌した。ドライアイス
−アセトン浴を外して、反応溶液を室温に戻し、蒸留水約３０ｍＬを滴下した後、ジクロ
ロメタンと水を加えて分液洗浄後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルに
て濾過して溶媒を減圧留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精
製することで、中間体４の無色透明油状体２．７１ｇを得た。
（中間体５の合成）

窒素雰囲気下、Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３ＣＨＣｌ_３ １６８ｍｇとｄｐｐｆ ３６０ｍｇを
トルエン（脱酸素）１０ｍＬに溶解し、６０℃で撹拌することで触媒溶液を調製した。別
途、窒素雰囲気下、中間体４ ２．７１ｇ、４−アミノジベンゾフラン２．３９ｇ、ナト
リウム−ｔ−ブトキシド２．５０ｇをトルエン（脱酸素）４０ｍＬに溶解して６０℃で撹
拌し、上記の触媒溶液をシリンジで加え、１００℃にて３時間撹拌した。反応溶液を室温
に冷却後、溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製
することで、中間体５ ３．７７ｇを得た。
（化合物２の合成）

窒素雰囲気下、Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３ＣＨＣｌ_３ １５３ｍｇとａｍｐｈｏｓ ３５５ｍ
ｇをトルエン（脱酸素）１０ｍＬに溶解し、６０℃で撹拌することで触媒溶液を調製した
。別途、窒素雰囲気下、中間体５ ３．７７ｇ、１，６−ジブロモ−３，８−ジイソプロ
ピルピレン ２．４７ｇ、ナトリウム−ｔ−ブトキシド２．１４ｇをトルエン（脱酸素）
４０ｍＬに溶解して６０℃で撹拌し、上記の触媒溶液をシリンジで加え、１００℃にて１
．５時間撹拌した。反応溶液を室温に冷却して活性白土とトルエンを加えて室温で１０分
間撹拌した。吸引濾過後、ろ液の溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーおよびトルエンと酢酸エチルから再結晶したあと、酢酸エチルで懸濁洗浄すること
で、化合物２を２．４２ｇ得た。

＜比較化合物１の合成例＞
（中間体６の合成）

４−クミルフェノール４．６８ｇとエリエチルアミン５．５ｍＬをジクロロメタン８０
ｍＬに溶解させ、氷浴にて冷却し１０分間撹拌した。トリフルオロメタンスルホン酸無水
物４．５ｍＬをゆっくりと滴下し、氷浴で冷却したまま１時間撹拌した。反応溶液を室温
に戻し、水約２０ｍＬをゆっくり加えた後、ジクロロメタンを加えて分液後、有機層を硫
酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにて精製することで、中間体６の無色透明油状物７．４７ｇを得た。
（中間体７の合成）

窒素雰囲気下、Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３ＣＨＣｌ_３ １８３ｍｇとｄｐｐｆ ３９２ｍｇを
トルエン（脱酸素）５ｍＬに溶解し、６０℃で撹拌することで触媒溶液を調製した。別途
、窒素雰囲気下、中間体６ ５．１０ｇ、４−アミノジベンゾフラン２．５８ｇ、ナトリ
ウム−ｔ−ブトキシド２．７２ｇをトルエン（脱酸素）５０ｍＬに溶解して６０℃で撹拌
し、上記の触媒溶液をシリンジで加え、１００℃にて３時間撹拌した。反応溶液を室温に
冷却後、溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製す
ることで、中間体７ １．７４ｇを得た。
（比較化合物１の合成）

窒素雰囲気下、Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３ＣＨＣｌ_３ ３８ｍｇとａｍｐｈｏｓ ８２ｍｇを
トルエン（脱酸素）３ｍＬに溶解し、６０℃で撹拌することで触媒溶液を調製した。別途
、窒素雰囲気下、中間体７ １．６ｇ、１，６−ジブロモ−３，８−ジイソプロピルピレ
ン ０．８５ｇ、ナトリウム−ｔ−ブトキシド０．７４ｇをトルエン（脱酸素）４０ｍＬ
に溶解して６０℃で撹拌し、上記の触媒溶液をシリンジで加え、１００℃にて１．５時間
撹拌した。反応溶液を室温に冷却して活性白土とトルエンを加えて室温で１０分間撹拌し
た。吸引濾過後、ろ液の溶媒を留去した。残渣を酢酸エチルで懸濁洗浄することで、比較
化合物１を０．９７ｇ得た。

＜素子の作成と評価＞
以下、上記化合物を用いて素子を作成し、性能を評価した結果を示す。
［実施例１］
有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を５０ｎｍの厚さに堆積
したもの（三容真空社製、スパッタ成膜品）を通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エ
ッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。このように
ＩＴＯをパターン形成した基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水
洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最
後に紫外線オゾン洗浄を行った。
正孔注入層形成用組成物として、下記式（Ｐ１）の繰り返し構造を有する正孔輸送性高
分子化合物３．０重量％と、酸化剤（ＨＩ１）０．６重量％とを、安息香酸エチルに溶解
させた組成物を調製した。

この溶液を、大気中で上記基板上にスピンコートし、大気中ホットプレート２４０℃、
３０分で乾燥させ、膜厚４０ｎｍの均一な薄膜を形成し、正孔注入層とした。
次に、下記の構造式（ＨＴ−１）を有する電荷輸送性高分子化合物１００質量部を、シ
クロヘキシルベンゼンに溶解させ、２．０ｗｔ％の溶液を調製した。
この溶液を、上記正孔注入層を塗布成膜した基板上に窒素グローブボックス中でスピン
コートし、窒素グローブボックス中のホットプレートで２３０℃、３０分間乾燥させ、膜
厚２５ｎｍの均一な薄膜を形成し、正孔輸送層とした。

引続き、発光層の材料として、下記の構造式（Ｈ−１）を９５質量部、（Ｄ−１）を５
質量部秤量し、シクロヘキシルベンゼンに溶解させ４．０ｗｔ％の溶液を調製した。ここ
で、Ｄ−１は、前述の化合物１である。

この溶液を、上記正孔輸送層を塗布成膜した基板上に窒素グローブボックス中でスピン
コートし、窒素グローブボックス中のホットプレートで１２０℃、２０分間乾燥させ、膜
厚４０ｎｍの均一な薄膜を形成し、発光層とした。
発光層までを成膜した基板を真空蒸着装置に設置し、装置内を２×１０^−４Ｐａ以下に
なるまで排気した。

次に、下記の構造式（ＨＢ−１）および８−ヒドロキシキノリノラトリチウムを２：３
の膜厚比で、発光層上に真空蒸着法にて１Å／秒の速度で共蒸着し、膜厚３０ｎｍの正孔
阻止層を形成した。

続いて、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極の
ＩＴＯストライプとは直交するように基板に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置した
。そしで陰極として、アルミニウムをモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度１〜８
．６Å／秒で膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成して陰極を形成した。以上の様にして
、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。

［比較例１］
発光層組成を、（Ｈ−１）：（Ｄ−２）＝９５：５としたこと以外は、実施例１と同様
にして素子を作製した。ここで、Ｄ−２は、比較化合物１である。

［素子の評価］
得られた実施例１、および比較例１の有機電界発光素子を、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２で
発光させたときの電流効率（ｃｄ／Ａ）を測定し、比較例を１００としたときの相対値を
下記の表１に記した。表１の結果に表すが如く、本発明の有機電界素子は比較例の有機電
界素子より、効率が向上することが分かった。

［溶解性試験］
化合物１，２、比較化合物１の溶解性を評価した。
シクロヘキシルベンゼンに２．０重量％となるように化合物１，２、比較化合物１をそ
れぞれ混合し、７０℃で加熱した。固形分が残存した場合は、完全に溶解するまでシクロ
ヘキシルベンゼンを徐々に追加した。その結果、化合物１は、２重量％で、化合物２は、
１重量％で、比較化合物１は、０．４重量％で完全に溶解した。この結果を表１にまとめ
た。
これらの結果から、化合物１は比較化合物１よりも素子の効率が高いことがわかる。

これらの結果から、化合物１，２は比較化合物１よりも有機溶媒への溶解性が高いこと
がわかる。

１ 基板
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ 発光層
６ 正孔阻止層
７ 電子輸送層
８ 電子注入層
９ 陰極
１０ 有機電界発光素子

Claims (5)

1. 下記式（１）で表される芳香族アミン誘導体。
   

   

   ［式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^２は、炭素数１０以下のアルキル基を表し、Ａｍ^１〜Ａｍ^２は、
   各々独立に下記一般式（２）で表される置換基を表す。
   

   

   式（２）中、アスタリクス（＊）は、式（１）との結合を表し、Ｘは、酸素原子、硫黄
   原子、または−Ｃ（Ｒ^７）（Ｒ^８）−のいずれかを表し、Ｒ^３は、炭素数１０以下の直鎖
   状のアルキル基を表し、Ｒ^４は炭素数４以上１０以下のアルキル基を表し、Ｒ^５〜Ｒ^８は
   炭素数１０以下のアルキル基、または炭素数２０以下の芳香環基を表す。ｎは０から４の
   整数を表し、ｍは０から３の整数を表す。Ｒ^１〜Ｒ^８は、置換基を有していても良い。］
2. 置換基Ｒ^４の置換位置が窒素原子に対して、メタ位またはパラ位である請求項１に記載
   の芳香族アミン誘導体。
3. 前記Ｘが酸素原子である請求項１または請求項２に記載の芳香族アミン誘導。
4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の芳香族アミン誘導を含有する有機電界発光素
   子用発光材料。
5. 請求項４に記載の有機電界発光素子用発光材料と、沸点が１５０度以上の溶媒を２種以
   上含むＯＬＥＤ用組成物。

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