JP2021070852A - 成膜装置、ターゲットユニットの取り外し方法、及びターゲットユニットの取り付け方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract description 4
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 37
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 claims description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 8
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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-
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3417—Arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3423—Shape
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
Description
スパッタリングによって、ターゲットの構成原子による薄膜を基板上に形成する成膜装置において、
チャンバーと、
前記チャンバー内に設けられ、前記ターゲットを有するターゲットユニットと、
前記チャンバーの一部を構成し、かつ、前記ターゲットユニットにおける回転中心軸線方向の一端側の軸受機能を有する第1ケースユニットと、
前記チャンバーの一部を構成し、かつ、前記ターゲットユニットにおける回転中心軸線方向の他端側の軸受機能を有する第2ケースユニットと、
を備え、
前記ターゲットユニットを回転させる駆動系統は、前記第1ケースユニット内から、前記ターゲットユニットへと接続され、
前記ターゲットユニットに供給される冷却液の供給系統と、前記ターゲットに電圧を印加する電気系統は、前記第2ケースユニット内から前記ターゲットユニットへと接続されることを特徴とする。
まうことを抑制することができる。これにより、メンテナンス性を高めることができる。
図1〜図5を参照して、本発明の実施例に係る成膜装置について説明する。本実施例に係る成膜装置は、スパッタリングによって、ターゲットの構成原子による薄膜を基板上に形成する装置である。以下の説明において、ターゲットの回転中心軸線を単に「回転中心軸線」と称し、回転中心軸線に平行な方向を「回転中心軸線方向」と称する。
図1及び図2を参照して、本実施例に係る成膜装置1の全体構成について説明する。図1は本発明の実施例1に係る成膜装置の概略構成図であり、成膜装置全体を断面的に見た場合の概略構成を示している。なお、図1中の上方は、成膜装置1が使用される際の鉛直方向の上方に相当し、図1中の下方は、成膜装置1が使用される際の鉛直方向下方に相当する。図2は磁石の配置構成を示す概略図である。
22R2とを備えている。そして、内筒部122R2の内部の空間(径方向内側の空間)が冷却液の通路として利用され、外筒部121R2と内筒部122R2との間の環状空間(径方向外側の環状空間)に磁力発生部材としての磁石124R2が収容される。外筒部121R2と内筒部122R2との間の環状空間は、密閉空間となっており、冷却液が浸入することはない。
特に、図3を参照して、本実施例に係るロータリーカソード10について、より詳細に説明する。図3は本発明の実施例1に係るロータリーカソード10の概略構成図であり、ロータリーカソード10を断面的に見た場合の概略構成を示している。なお、図中、符号Bはボールベアリングなどの軸受であり、符号Gは相対的に静止した表面間を封止するガスケットであり、符号Sは相対的に運動する表面間を封止する密封装置である。これら軸受B,ガスケットG及び密封装置Sについては、説明に必要な個所に設けられたものについてのみ適宜説明し、その他の個所に設けられたものについては特に説明は行わない。
、ターゲットユニット100に供給される冷却液の供給系統と、ターゲット110R1に電圧を印加する電気系統とを備えている。これら駆動系統、供給系統、及び電気系統は、いずれも複数の部材により構成される。また、ロータリーカソード10は、各種装置の駆動制御を行う制御装置600も備えている。
を第1磁力ユニット用支持軸230R2に対して着脱自在に構成するための構造について、図示の例に限定されることはなく、適宜、公知技術を採用することができる。
軸330R2)がサポートブロック300に対して回転中心軸線方向にスライドする際には、第2支持軸部と共に移動可能に構成されている。この軸受ユニット350の端部に設けられた挿通孔351内に、第2磁力ユニット用支持軸330R2の端部に設けられた軸部332R2が挿通され、軸受Bによって、第2磁力ユニット用支持軸330R2は軸受ユニット350に対して回転自在に軸支されている。
駆動系統について、より詳細に説明する。駆動系統は、ターゲット110R1を回転させる第1駆動機構と、磁力ユニット120R2を回転させる第2駆動機構とを備えている。本実施例においては、駆動源であるモータ500によって、第1駆動機構と第2駆動機構の両者を駆動させることができるように構成されている。なお、第1駆動機構によって、回転中心軸線を中心に回転する各種部材については数字の符号の後に「R1」を付している。同様に、第2駆動機構によって、回転中心軸線を中心に回転する各種部材については数字の符号の後に「R2」を付している。
できる。
供給系統を構成する第1配管710と第2配管720は、軸受ユニット350に接続されている。軸受ユニット350には、第2磁力ユニット用支持軸330R2の内部に設けられた冷却液の通路と、第1配管710の管内、及び第2配管720の管内とを繋ぐための貫通孔352,353がそれぞれ設けられている。なお、第2磁力ユニット用支持軸330R2の内部に設けられた冷却液の通路のうち、径方向に向かう通路は、放射状に伸びるように複数設けられている。そして、貫通孔352の両側と貫通孔353の両側に、それぞれ密封装置Sが設けられている。このような構成により、いわゆるロータリージョイントが構成され、静止状態にある軸受ユニット350、第1配管710及び第2配管720と、回転する第2磁力ユニット用支持軸330R2との間において、冷却液が外部に漏れることなく、冷却液を循環させることが可能となっている。なお、ロータリージョイントについては、公知技術であるので、その詳細な説明は省略する。
ット用支持軸320R1が回転しても、スリップリング820を通じて第2ターゲット用支持軸320R1に電圧が印加される。また、第2ターゲット用支持軸320R1とターゲット110R1も接しているため、ターゲット110R1にも電圧が印加されることになる。
制御装置600によるロータリーカソード10の動作制御について説明する。スパッタリングを行う場合には、基板40の形状等に応じて、薄膜を形成させる部位が異なることがある。そして、薄膜を形成させる部位は、プラズマを集中させる位置を変えることで設定することができる。本実施例に係るロータリーカソード10によれば、磁力ユニット120R2を回転させて、ターゲット110R1に対する磁石124R2の向きを変えることで、プラズマを集中させる位置を変えることが可能となる。
ターゲット110R1等が長期使用により経時的に劣化した際に、ターゲット110R1等を交換する際のメンテナンスについて、特に、図4及び図5を参照して説明する。本実施例においては、ターゲットユニット100の着脱を、以下のように容易に行うことができる。すなわち、まず、固定具340R1が取り外される(ターゲットユニット100と第2支持軸部との固定を解除する工程)。そして、第2支持軸部(第2ターゲット用支持軸320R1及び第2磁力ユニット用支持軸330R2)と軸受ユニット350が、中心軸線方向にスライドされることで、これらはターゲットユニット100から離間した状態となる(第2支持軸部を第2ケースユニット(サポートブロック300)に対して回転中心軸線方向にスライドさせて、第2支持軸部をターゲットユニット100から離間させる工程(図4参照))。なお、第2ターゲット用支持軸320R1については、内筒部321R1のみがスライド移動し、外筒部322R1は移動しない。
本実施例に係る成膜装置によれば、ターゲットユニットにおける回転中心軸線方向の一方の側(例えば、エンドブロック200側)に、駆動系統と供給系統と電気系統が集中して配置されていないため、当該一方の側が大型化してしまうことを抑制することができる。これにより、メンテナンス性を高めることができる。
上記実施例においては、駆動源であるモータ500によって、第1駆動機構と第2駆動機構の両者を駆動させることができるように構成される場合を示した。しかしながら、本発明においては、そのような構成に限定されることはなく、第1駆動機構と第2駆動機構を別々の駆動源(モータ)によって駆動させる構成も適用可能である。
10 ロータリーカソード
20 チャンバー
30 載置台
40 基板
100 ターゲットユニット
110R1 ターゲット
120R2 磁力ユニット
121R2 外筒部
122R2 内筒部
123R2 貫通孔
124R2 磁石
200 エンドブロック
210 エンドブロック本体
211 挿通孔
233R2 ブレーキ
240R1 固定具
300 サポートブロック
310 サポートブロック本体
311 挿通孔
321R1 内筒部
322R1 外筒部
323R1 回り止め部材
331R2 配管部
332R2 軸部
340R1 固定具
350 軸受ユニット
351 挿通孔
352,353 貫通孔
400 支持部材
500 モータ
510 回転軸
520 軸受部材
550 クラッチ
600 制御装置
710 第1配管
720 第2配管
810 電気配線
820 スリップリング
B 軸受
G ガスケット
S 密封装置
Claims (16)
- スパッタリングによって、ターゲットの構成原子による薄膜を基板上に形成する成膜装置において、
チャンバーと、
前記チャンバー内に設けられ、前記ターゲットを有するターゲットユニットと、
前記チャンバーの一部を構成し、かつ、前記ターゲットユニットにおける回転中心軸線方向の一端側の軸受機能を有する第1ケースユニットと、
前記チャンバーの一部を構成し、かつ、前記ターゲットユニットにおける回転中心軸線方向の他端側の軸受機能を有する第2ケースユニットと、
を備え、
前記ターゲットユニットを回転させる駆動系統は、前記第1ケースユニット内から、前記ターゲットユニットへと接続され、
前記ターゲットユニットに供給される冷却液の供給系統と、前記ターゲットに電圧を印加する電気系統は、前記第2ケースユニット内から前記ターゲットユニットへと接続されることを特徴とする成膜装置。 - 前記ターゲットユニットは、
筒状の前記ターゲットと、
前記ターゲットの内部に設けられ、かつ、磁力を発生する磁力発生部材を有する磁力ユニットと、
を備えると共に、
前記駆動系統は、
前記ターゲットを回転させる第1駆動機構と、
前記磁力ユニットを回転させる第2駆動機構と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 - 前記磁力ユニットは、
径方向内側の空間が冷却液の通路として利用され、径方向外側の環状空間に前記磁力発生部材が収容される密閉空間となる2重管構造となっていることを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。 - 前記磁力ユニットにおける前記径方向内側の空間と、前記磁力ユニットと前記ターゲットとの間の環状隙間が連通されて、冷却液が流れる通路となっていることを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。
- 前記第1ケースユニットに回転自在に軸支される第1支持軸部と、
前記第2ケースユニットに回転自在に軸支される第2支持軸部と、
を備え、
前記ターゲットユニットは、これら第1支持軸部と第2支持軸部の双方に対して着脱自在に構成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の成膜装置。 - 前記ターゲットユニットは、
筒状の前記ターゲットと、
前記ターゲットの内部に設けられ、かつ、磁力を発生する磁力発生部材を有する磁力ユニットと、
を備えると共に、
前記第1支持軸部は、
前記ターゲットに着脱自在に構成される環状の第1ターゲット用支持軸と、
前記磁力ユニットに着脱自在に構成される第1磁力ユニット用支持軸と、
を備え、
前記第1磁力ユニット用支持軸は、前記第1ターゲット用支持軸に対して回転自在に軸支されていることを特徴とする請求項5に記載の成膜装置。 - 前記ターゲットユニットは、
筒状の前記ターゲットと、
前記ターゲットの内部に設けられ、かつ、磁力を発生する磁力発生部材を有する磁力ユニットと、
を備えると共に、
前記第2支持軸部は、
前記ターゲットに着脱自在に構成される環状の第2ターゲット用支持軸と、
前記磁力ユニットに着脱自在に構成される第2磁力ユニット用支持軸と、
を備え、
前記第2磁力ユニット用支持軸は、前記第2ターゲット用支持軸に対して回転自在に軸支されていることを特徴とする請求項5または6に記載の成膜装置。 - 前記第2磁力ユニット用支持軸の内部に冷却液の通路が設けられていることを特徴とする請求項7に記載の成膜装置。
- 前記第2ターゲット用支持軸を介して、前記ターゲットユニットとは反対側に、前記第2磁力ユニット用支持軸を回転自在に軸支する軸受ユニットが設けられており、
前記軸受ユニットは、前記駆動系統による回転駆動力は伝達されず、かつ、前記第2支持軸部が前記第2ケースユニットに対して回転中心軸線方向にスライドする際には、前記第2支持軸部と共に移動可能に構成されていることを特徴とする請求項7または8に記載の成膜装置。 - 前記軸受ユニットの内部に冷却液の通路が設けられており、該軸受ユニットに前記供給系統を構成する配管が接続されていることを特徴とする請求項9に記載の成膜装置。
- 前記配管は可撓性を有することを特徴とする請求項10に記載の成膜装置。
- 前記供給系統は、
電気配線と、
前記電気配線に接続され、かつ前記軸受ユニットに固定されると共に、前記第2ターゲット用支持軸に摺動するように設けられるスリップリングと、を備えることを特徴とする請求項9,10または11に記載の成膜装置。 - 前記電気配線は可撓性を有することを特徴とする請求項12に記載の成膜装置。
- 前記ターゲットユニットと前記第2支持軸部とが固定されていない状態においては、該第2支持軸部は、前記第2ケースユニットに対して回転中心軸線方向にスライド可能に構成されていることを特徴とする請求項5〜13のいずれか一つに記載の成膜装置。
- 請求項14に記載の成膜装置における前記ターゲットユニットの取り外し方法であって、
前記ターゲットユニットと前記第2支持軸部との固定を解除する工程と、
前記第2支持軸部を前記第2ケースユニットに対して回転中心軸線方向にスライドさせて、該第2支持軸部を前記ターゲットユニットから離間させる工程と、
前記ターゲットユニットと前記第1支持軸部との固定を解除する工程と、
を有することを特徴とするターゲットユニットの取り外し方法。 - 請求項14に記載の成膜装置における前記ターゲットユニットの取り付け方法であって、
前記ターゲットユニットと前記第1支持軸部とを固定する工程と、
前記第2支持軸部を前記第2ケースユニットに対して回転中心軸線方向にスライドさせて、該第2支持軸部を前記ターゲットユニットに近づける工程と、
前記ターゲットユニットと前記第2支持軸部とを固定する工程と、
を有することを特徴とするターゲットユニットの取り付け方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019199222A JP7362431B2 (ja) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | 成膜装置、ターゲットユニットの取り外し方法、及びターゲットユニットの取り付け方法 |
KR1020200140477A KR20210052301A (ko) | 2019-10-31 | 2020-10-27 | 성막 장치, 타겟 유닛의 분리 방법, 및 타겟 유닛의 부착 방법 |
CN202011190180.6A CN112746252B (zh) | 2019-10-31 | 2020-10-30 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019199222A JP7362431B2 (ja) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | 成膜装置、ターゲットユニットの取り外し方法、及びターゲットユニットの取り付け方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021070852A true JP2021070852A (ja) | 2021-05-06 |
JP7362431B2 JP7362431B2 (ja) | 2023-10-17 |
Family
ID=75648845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019199222A Active JP7362431B2 (ja) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | 成膜装置、ターゲットユニットの取り外し方法、及びターゲットユニットの取り付け方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7362431B2 (ja) |
KR (1) | KR20210052301A (ja) |
CN (1) | CN112746252B (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018131644A (ja) * | 2017-02-13 | 2018-08-23 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置用の回転式カソードユニット |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP6469432B2 (ja) | 2014-12-09 | 2019-02-13 | 株式会社アルバック | ロータリーカソード、および、スパッタ装置 |
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-
2019
- 2019-10-31 JP JP2019199222A patent/JP7362431B2/ja active Active
-
2020
- 2020-10-27 KR KR1020200140477A patent/KR20210052301A/ko unknown
- 2020-10-30 CN CN202011190180.6A patent/CN112746252B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018131644A (ja) * | 2017-02-13 | 2018-08-23 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置用の回転式カソードユニット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112746252A (zh) | 2021-05-04 |
JP7362431B2 (ja) | 2023-10-17 |
KR20210052301A (ko) | 2021-05-10 |
CN112746252B (zh) | 2023-08-11 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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