JP2021060296A - 半導体装置の良否判定方法 - Google Patents
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Abstract
Description
請求項2にかかる発明は、請求項1に記載の半導体装置の良否判定方法において、前記テスト電圧を前記抵抗素子の前記一端と接地との間に印加し、前記ダイパッドと前記接地との間に検出抵抗を接続し、該検出抵抗に流れる前記リーク電流の波形を観測することを特徴とする。
請求項3にかかる発明は、請求項2に記載の半導体装置の良否判定方法において、前記抵抗素子の他端を前記接地に接続したことを特徴とする。
請求項4にかかる発明は、請求項1、2又は3に記載の半導体装置の良否判定方法において、前記リーク電流の波形が前記テスト電圧の波形と相似形であるとき、前記半導体装置は良品であると判定することを特徴とする。
請求項5にかかる発明は、請求項1、2、3又は4に記載の半導体装置の良否判定方法において、前記テスト電圧は周波数が商用周波数で実効値が1kVであることを特徴とする。
130:抵抗チップ、131:半導体基板、132:絶縁層、133:分割抵抗素子、134:配線層、135:スルーホール、136:酸化膜、137:保護膜、181,182:接着剤
140:増幅チップ
150:誘電体部材
160:ダイパッド
Claims (5)
- 半導体基板の上面の絶縁層の上面に抵抗素子を配置した抵抗チップを、誘電体部材を介してダイパッドに接着した半導体装置の良否判定方法であって、
テスト電圧を印加したとき、前記抵抗素子の一端から前記ダイパッドに流れるリーク電流の波形を観測して、前記半導体装置の耐圧を確保する構造の出来栄えの良否を測定することを特徴とする半導体装置の良否判定方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の良否判定方法において、
前記テスト電圧を前記抵抗素子の前記一端と接地との間に印加し、前記ダイパッドと前記接地との間に検出抵抗を接続し、該検出抵抗に流れる前記リーク電流の波形を観測することを特徴とする半導体装置の良否判定方法。 - 請求項2に記載の半導体装置の良否判定方法において、
前記抵抗素子の他端を前記接地に接続したことを特徴とする半導体装置の良否判定方法。 - 請求項1、2又は3に記載の半導体装置の良否判定方法において、
前記リーク電流の波形が前記テスト電圧の波形と相似形であるとき、前記半導体装置は良品であると判定することを特徴とする半導体装置の良否判定方法。 - 請求項1、2、3又は4に記載の半導体装置の良否判定方法において、
前記テスト電圧は周波数が商用周波数で実効値が1kVであることを特徴とする半導体装置の良否判定方法。
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