KR20110086046A - 정전 척의 검사방법 및 정전 척 장치 - Google Patents

정전 척의 검사방법 및 정전 척 장치 Download PDF

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가부시키가이샤 크리에이티브 테크놀러지
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Abstract

쌍극형의 정전 척 내의 어느 흡착전극의 주변에서 정전 용량에 이상이 생겼는지를 판별할 수 있는 방법 및 장치를 제공한다.
이 검사방법에서는, 정전 척(4)의 유전체(6) 내에 양보조전극(12), 음보조전극(14)을 마련해 두고, 그들을 접지 전위부에 접속해 둔다. 그리고, 피흡착물(2)을 얹지 않은 상태로 척 전원(26)으로부터 정전 척(4)에의 직류 전압(+V,-V)을 인가하거나 또는 끊었을 때의, 흡착전극(8,10), 보조전극(12,14)에 흐르는 전류(I1~I4)의 과도 전류를 측정하는 동시에, 전류 I5(=I1-I2 또는 I3-I4)의 과도 전류를 산출하고, 얻어진 과도 전류를 소정의 기준값과 각각 비교하여 정전 척(4) 내의 정전 용량의 이상을 판정한다.

Description

정전 척의 검사방법 및 정전 척 장치{METHOD FOR INSPECTING ELECTROSTATIC CHUCK, AND ELECTROSTATIC CHUCK APPARATUS}
이 발명은 유전체 내에 2개의 흡착전극을 가지는 쌍극형의 정전 척과, 그것에 흡착용의 직류 전압을 공급하는 척 전원을 구비하는 정전 척 장치에서의 정전 척의 검사방법 및 정전 척 장치에 관한 것이다.
상기와 같은 쌍극형의 정전 척의 제조 후의 검사나, 상기 정전 척을 반도체 제조장치 등의 이용장치에 편입한 후의 검사 등에 있어서, 정전 척 내의 이상의 유무를 검사하는 것이 종래부터 행해지고 있다.
정전 척 내의 이상의 유무를 검사하는 방법으로서, 종래는 예를 들면 정전 척의 2개의 흡착전극과 척 전원 사이에 각각 마련한 2개의 전류계를 사용하여, 기판 등의 피흡착물을 얹지 않은 상태에서의 양쪽 흡착전극에 흐르는 누설 전류[전원 투입 후의 정상(定常) 전류(즉, 일정값에 안착된 전류)]를 측정함으로써 행하고 있었다.
또한 특허문헌 1에는, 정전 척 내의 이상의 유무를 검사하는 방법은 기재되어 있지 않지만, 상기와 동일한 2개의 전류계와, 그것에 흐르는 전류파형의 예가 기재되어 있다. 상기 누설 전류는, 이 특허문헌 1의 도 3 중에 기재되어 있는 기판을 배치하지 않는 경우의 전류의 정상 전류에 상당하고 있다.
그러나 이 특허문헌 1에 기재된 종래의 검사방법에서는, 직류적인 절연 불량의 유무는 알지만, 정전 척 내의 정전 용량의 이상을 판별할 수는 없다. 정전 척은 정전기에 의해 피흡착물을 흡착하는 것이므로, 정전 척 내의 정전 용량의 이상은 피흡착물에 대한 흡착력 이상의 원인이 된다. 또한 정전 척상에 피흡착물이 있는지 없는지, 혹은 피흡착물이 정상적으로 흡착되었는지 아닌지의 판정에도 악영향을 미친다. 따라서 직류적인 절연 불량이 아니라, 정전 용량의 이상을 검출하는 것이 중요하다.
또한 상기 특허문헌 1의 검사방법에서는, 상기 누설 전류의 대소에 따라, 정전 척 내의 어딘가에 절연 불량이 있는 것은 알지만, 어느 흡착전극의 주변에 이상이 있는지는 판별할 수 없다. 예를 들면, 2개의 흡착전극 중 어느 것의 주변에 이상이 있는지, 혹은 양쪽 흡착전극간에 이상이 있는지는 판별할 수 없다. 2개의 전류계의 측정값에 차가 있을 경우, 어느 쪽의 흡착전극에 이상 개소가 보다 가까운지를 추측할 수 있는 경우가 있을지도 모르지만, 그 추측이 반드시 옳다고는 할 수 없다.
또한 상기 특허문헌 1과는 별도로, 하부 유전체층과 상부 유전체층 사이에 척 전극을 가지는 정전 척과, 이 정전 척의 아래쪽에 배치된 하부전극을 구비한 유리 기판의 배치대에 있어서, 정전 척의 사용 개시 전에 그 유전체층의 절연 상태를 진단하는 방법으로서, 정전 척의 척 전극에, 유리 기판을 흡착 유지하는 경우보다도 낮은 직류의 진단 전압을 인가하고, 이때의 정전 척의 전기적 특성(전압이나 전류)을 측정하여, 얻어진 측정 데이터와 미리 설정된 설정 데이터로부터 정전 척이 사용 가능한지 아닌지를 판정하는 방법이 제안되어 있다(특허문헌 2).
그러나 이 특허문헌 2에 기재된 정전 척의 진단방법에 있어서도, 측정 데이터를 설정 데이터와 비교함으로써, 특허문헌 1의 경우와 마찬가지로, 정전 척 내의 어딘가에 절연 불량이 있는지 아닌지는 판별할 수 있지만, 어느 흡착전극의 주변에 이상이 있는지는 판별할 수 없다.
일본국 공개특허공보 평11-330,220호(도 1, 도 3) 일본국 공개특허공보 2008-074,564호(도 1, 도 2)
그런데, 정전 척은 정전기에 의해 피흡착물을 흡착하는 것이기 때문에, 정전 척 내의 정전 용량의 이상은 피흡착물에 대한 흡착력 이상의 원인이 되고, 특히 유전체 내에 상기 유전체의 표면을 따라 배치된 양흡착전극 및 음흡착전극을 가지고 정전기에 의해 피흡착물을 흡착하는 쌍극형의 정전 척에 있어서, 2개의 흡착전극 중 어느 것의 주변에 이상이 있는지, 혹은 양쪽 흡착전극간에 이상이 있는지를 판별하는 것은, 제조시나 실동(實動)시에 있어서 정상 흡착의 보증이나 불량 개소의 추적에 도움이 되는 것 외에, 어느 전극에 있어서 단선(斷線)이나 전극의 결락, 어스에의 단락 등의 문제가 존재하는지를 용이하게 판정할 수 있으므로, 매우 중요한 것이다.
그리하여, 이 발명은, 쌍극형의 정전 척 내의 어느 흡착전극의 주변에서 정전 용량에 이상이 생겼는지를 판별할 수 있는 방법 및 장치를 제공하는 것을 주된 목적으로 하고 있다.
이 발명에 따른 정전 척의 검사방법은,
유전체 내에 상기 유전체의 표면을 따라 배치된 양흡착전극 및 음흡착전극을 가지고 정전기에 의해 피흡착물을 흡착하는 쌍극형의 정전 척과, 접지 전위부를 기준으로 하여, 상기 정전 척의 양흡착전극 및 음흡착전극에 양의 직류 전압 및 음의 직류 전압을 각각 공급하는 척 전원을 구비하고 있는 정전 척 장치에 있어서,
상기 정전 척의 유전체 내이며, 상기 양흡착전극 및 음흡착전극의 배면측에는, 이들 흡착전극과의 사이에 소정의 간격을 두고 각각 대향하도록 양보조전극 및 음보조전극을 마련하는 동시에 이들 보조전극을 상기 접지 전위부에 접속하고,
상기 정전 척상에 피흡착물을 얹지 않은 상태로 상기 척 전원으로부터 상기 정전 척에의 상기 양 및 음의 직류 전압을 인가하거나 또는 끊었을 때의,
(a)상기 정전 척의 양흡착전극과 상기 척 전원 사이를 흐르는 제1의 과도 전류, (b)상기 정전 척의 양보조전극과 상기 접지 전위부의 사이를 흐르는 제2의 과도 전류, (c)상기 정전 척의 음흡착전극과 상기 척 전원 사이를 흐르는 제3의 과도 전류, 및 (d)상기 정전 척의 음보조전극과 상기 접지 전위부 사이를 흐르는 제4의 과도 전류 중 적어도 3개의 과도 전류를 각각 측정하는 동시에, 상기 제1의 과도 전류와 제2의 과도 전류의 차 또는 상기 제3의 과도 전류와 제4의 과도 전류의 차인 제5의 과도 전류를 산출하여, 얻어진 각 과도 전류를 정상인 정전 척으로부터 얻어진 각 과도 전류의 기준값과 각각 비교하여, 상기 정전 척 내의 각 흡착전극의 주변에서의 정전 용량의 이상을 판정하는 판정 공정을 행하는 것을 특징으로 하고 있다.
이 발명에 따른 정전 척 장치는,
유전체 내에 상기 유전체의 표면을 따라 배치된 양흡착전극 및 음흡착전극을 가지고 정전기에 의해 피흡착물을 흡착하는 쌍극형의 정전 척과, 접지 전위부를 기준으로 하여, 상기 정전 척의 양흡착전극 및 음흡착전극에 양의 직류 전압 및 음의 직류 전압을 각각 공급하는 척 전원을 구비하고 있는 정전 척 장치에 있어서,
상기 정전 척의 유전체 내이며, 상기 양흡착전극 및 음흡착전극의 배면측에, 이들 흡착전극과의 사이에 소정의 간격을 두고 각각 대향하도록 배치된 양보조전극 및 음보조전극과, 상기 정전 척의 양흡착전극과 상기 척 전원의 사이에 접속되어 이들 사이를 흐르는 제1의 과도 전류를 측정하는 제1의 전류계와, 상기 정전 척의 양보조전극과 상기 접지 전위부 사이에 접속되어 이들 사이를 흐르는 제2의 과도 전류를 측정하는 제2의 전류계와, 상기 정전 척의 음흡착전극과 상기 척 전원의 사이에 접속되어 이들 사이를 흐르는 제3의 과도 전류를 측정하는 제3의 전류계와, 상기 정전 척의 음보조전극과 상기 접지 전위부 사이에 접속되어 이들 사이를 흐르는 제4의 과도 전류를 측정하는 제4의 전류계와, 상기 제1의 과도 전류와 제2의 과도 전류의 차 또는 상기 제3의 과도 전류와 제4의 과도 전류의 차로서 구해지는 제5의 과도 전류를 산출하는 연산 수단과,
상기 정전 척상에 피흡착물을 얹지 않은 상태로 상기 척 전원으로부터 상기 정전 척에의 상기 양 및 음의 직류 전압을 인가하거나 또는 끊었을 때에, 상기 제1 내지 제4의 전류계 중 적어도 3개의 전류계로 측정되는 상기 제1 내지 제4의 과도 전류 중 적어도 3개의 과도 전류를 측정하는 동시에, 상기 연산 수단으로 산출되는 상기 제5의 과도 전류를 산출하고, 얻어진 각 과도 전류를 정상인 정전 척으로부터 얻어진 각 과도 전류의 기준값과 각각 비교하여, 상기 정전 척 내의 정전 용량의 이상을 판정하는 기능을 구비한 판정장치를 구비하고 있는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 제1 또는 제2의 과도 전류는, 정전 척의 양흡착전극과 양보조전극 사이의 정전 용량의 크기에 따른 전류가 된다. 상기 제3 또는 제4의 과도 전류는, 정전 척의 음흡착전극과 음보조전극 사이의 정전 용량의 크기에 따른 전류가 된다. 상기 제5의 과도 전류는, 정전 척의 양흡착전극과 음흡착전극 사이의 정전 용량의 크기에 따른 전류가 된다.
따라서, 쌍극형의 정전 척 내의 어느 흡착전극의 주변에서 정전 용량에 이상이 생겼는지 아닌지의 판별은, 상기 제1 내지 제4의 과도 전류 중 적어도 3개의 과도 전류를 측정하고, 제1 또는 제2의 과도 전류, 제3 또는 제4의 과도 전류, 및 이들 제1의 과도 전류와 제2의 과도 전류의 차 혹은 제3의 과도 전류와 제4의 과도 전류의 차로서 구해지는 제5의 과도 전류를 소정의 기준값(상기 정전 척과 동일 사양의 정상인 정전 척으로부터 얻어진 대응하는 제1 내지 제5의 과도 전류)과 각각 비교하여 정전 용량의 이상의 유무를 판정함으로써 행할 수 있고, 쌍극형의 정전 척 내의 어느 흡착전극의 주변에서 정전 용량에 이상이 생겼는지 아닌지의 판별과 더불어, 양쪽 흡착전극간에서 정전 용량에 이상이 생겼는지 아닌지의 판별도 행할 수 있다.
또한 본 발명에 있어서는, 쌍극형의 정전 척에서의 정전 용량의 이상의 유무의 판별이, 측정되거나 혹은 산출된 제1 내지 제5의 과도 전류를 사용하여 행해지므로, 종래의 전압이나 전류를 사용하여 행할 경우와 비교하여, 정전 척이 그 기능을 발휘하기 위한 기본이 되는 정전 용량에 관한 많은 정보를 얻을 수 있다는 이점이 있다.
또한 본 발명에 있어서, 바람직하게는, 상기의 판정 공정(판정장치)은, 상기 척 전원으로부터 상기 정전 척에의 상기 양 및 음의 직류 전압을 인가했을 때의, (a)상기 제1 및 제2의 과도 전류의 적어도 한쪽의 과도 전류를 측정하고, 상기 과도 전류가 그 피크값의 소정 비율로 내려갈 때까지의 시간을, 각각에 대응하는 정상인 정전 척의 시간과 비교하여, 상기 정전 척의 양흡착전극과 양보조전극 사이의 정전 용량의 이상을 판정하는 제1의 공정(제1의 기능)과, (b)상기 제3 및 제4의 과도 전류의 적어도 한쪽의 과도 전류를 측정하고, 상기 과도 전류가 그 피크값의 소정 비율로 내려갈 때까지의 시간을, 그에 대응하는 정상인 정전 척의 시간과 비교하여, 상기 정전 척의 음흡착전극과 음보조전극 사이의 정전 용량의 이상을 판정하는 제2의 공정(제2의 기능)과, (c)상기 제1의 과도 전류와 제2의 과도 전류의 차 또는 제3의 과도 전류와 제4의 과도 전류의 차로서 구해진 제5의 과도 전류의 피크값을, 그에 대응하는 정상인 정전 척의 피크값과 비교하여, 상기 정전 척의 양흡착전극과 음흡착전극 사이의 정전 용량의 이상을 판정하는 제3의 공정(제2의 기능)을 포함하는 것이 좋다. 이와 같이, 측정된 과도 전류의 피크값이 소정 비율로 내려갈 때까지의 시간을 사용하여 정전 용량의 이상 유무의 판별을 행함으로써, 전원과 정전 척에의 배선의 임피던스나 주위의 전자계 소란(electromagnetic field disturbance)에 영향을 받기 어려우므로, 보다 정확한 판정이 가능해진다는 이점이 있다.
나아가 또한 본 발명에 있어서, 상기 정전 척의 양보조전극은 양흡착전극에 대응한 형상을 하고 있고, 또한 음보조전극은 음흡착전극에 대응한 형상을 하고 있는 것이 좋다. 이것에 의해, 각 흡착전극과 각 보조전극 사이의 정전 용량이 커지고, 그에 따라 상기 정전 용량을 통해 흐르는 상기 과도 전류도 크면서 완만해진다. 그 결과, 상기 과도 전류의 변화를 판정하기 쉬워지고, 나아가서는 상기 정전 용량의 이상을 판정하기 쉬워진다.
이 발명에 의하면, 상기 제1 내지 제4의 과도 전류 중 적어도 3개의 과도 전류를 측정하고, 또한 제5의 과도 전류를 구하여 각각 소정의 기준값과 비교하여 정전 용량의 이상을 판정함으로써, 쌍극형의 정전 척 내의 어느 흡착전극의 주변에서 정전 용량에 이상이 생겼는지를 판별할 수 있는 동시에, 양쪽 흡착전극간에서 정전 용량에 이상이 생긴 것을 판별할 수도 있다.
도 1은 이 발명에 따른 검사방법을 실시하는 정전 척 장치의 한 실시형태를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1 중의 정전 척의 개략 평면도이다.
도 3은 정상인 정전 척의 각 과도 전류의 시뮬레이션 결과의 일례를 나타내는 도면이다.
도 4는 정전 척의 양흡착전극과 양보조전극 사이의 정전 용량(C1)이 정상시보다도 클 경우의 각 과도 전류의 시뮬레이션 결과의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5는 정전 척의 양흡착전극과 양보조전극 사이의 정전 용량(C1)이 정상시보다도 작을 경우의 각 과도 전류의 시뮬레이션 결과의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6은 정전 척의 음흡착전극과 음보조전극 사이의 정전 용량(C2)이 정상시보다도 클 경우의 각 과도 전류의 시뮬레이션 결과의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7은 정전 척의 음흡착전극과 음보조전극 사이의 정전 용량(C2)이 정상시보다도 작을 경우의 각 과도 전류의 시뮬레이션 결과의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8은 정전 척의 양흡착전극과 음흡착전극 사이의 정전 용량(C3)이 정상시보다도 클 경우의 각 과도 전류의 시뮬레이션 결과의 일례를 나타내는 도면이다.
도 9는 정전 척의 양흡착전극과 음흡착전극 사이의 정전 용량(C3)이 정상시보다도 작을 경우의 각 과도 전류의 시뮬레이션 결과의 일례를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부 도면에 나타내는 실시예에 근거하여 본 발명을 구체적으로 설명한다.
또한 이하의 실시예에 있어서는, 척 전원으로부터 정전 척에의 양 및 음의 직류 전압을 인가했을 때의 과도 전류를 사용하여 정전 척의 검사를 행하는 경우에 대하여 설명하는데, 척 전원으로부터 정전 척에의 양 및 음의 직류 전압을 끊었을 때의 과도 전류를 사용하여 정전 척의 검사를 행하는 경우도, 동일하게 실시할 수 있다.
도 1은 이 발명에 따른 검사방법을 실시하는 정전 척 장치의 한 실시형태를 나타내는 도면이다. 도 2는 도 1 중의 정전 척의 개략 평면도이다.
이 정전 척 장치는, 정전기에 의해 피흡착물(예를 들면 웨이퍼 등의 기판)(2)을 흡착하는 쌍극형의 정전 척(4)과, 이 정전 척(4)의 양흡착전극(8) 및 음흡착전극(10)에, 접지 전위부(GND)를 기준으로 하여, 양의 직류 전압(+V) 및 음의 직류 전압(-V)을 각각 공급하는 척 전원(26)을 구비하고 있다.
정전 척(4)은, 예를 들면 세라믹스와 같은 유전체(6) 내의 표면 가까이에, 상기 표면을 따라 배치된 한쌍의 양흡착전극(8) 및 음흡착전극(10)을 가지고 있다. 양쪽 흡착전극(8,10)은, 이 실시형태에서는 도 2에 나타내는 예와 같이, 모두 반원형을 하고 있으면서, 동일 평면 내에서 서로 대향하여 원형을 이루도록 배치되어 있다. 단, 한쌍의 흡착전극(8,10)의 형상은 이에 한정되는 것은 아니며 그 밖의 형상, 예를 들면 빗형 등이어도 된다.
정전 척(4)의 유전체(6) 내이며 양흡착전극(8) 및 음흡착전극(10)의 배면측(바꿔 말하면 피흡착물(2)의 흡착면과는 반대측)에, 양쪽 흡착전극(8,10)에 사이를 두고 각각 대향시켜 양보조전극(12) 및 음보조전극(14)이 배치되어 있다. 양쪽 보조전극(12,14)은 반드시 흡착전극(8,10)에 대응한 형상을 하고 있을 필요는 없지만, 이 실시형태에서는, 양보조전극(12)은 양흡착전극(8)에 대응한 형상을 하고 있고, 음보조전극(14)은 음흡착전극(10)에 대응한 형상을 하고 있다. 보다 구체적으로는 이 실시형태에서는, 양쪽 보조전극(12,14)은 각각 흡착전극(8,10)과 거의 같은 치수의 반원형을 하고 있으면서, 동일 평면 내에서 서로 대향하여 원형을 이루도록 배치되어 있다.
또한 도 1에서는, 보조전극(12,14)을 흡착전극(8,10)보다도 작게 도시하고 있는데, 이것은 단지 도시의 형편상 그렇게 하고 있을 뿐이다. 도 2에서는, 보조전극(12,14)은 흡착전극(8,10)에 겹쳐 있으므로 도면에 나타나 있지 않다.
피흡착물(2)을 얹지 않은 상태에 있어서, 상기 양흡착전극(8)과 양보조전극(12) 사이에는 제1의 정전 용량(C1)이 형성되어 있고, 음흡착전극(10)과 음보조전극(14) 사이에는 제2의 정전 용량(C2)이 형성되어 있으며, 양흡착전극(8)과 음흡착전극(10) 사이에는 제3의 정전 용량(C3)이 형성되어 있다. 이들을 등가 회로적으로 도 1 중에 도시하고 있다.
정전 척(4)은, 이 실시형태에서는 상기 유전체(6) 등을 지지하는 지지대(16)를 가지고 있다. 지지대(16)가 금속 등의 도체로 이루어질 경우는, 지지대(16)는 통상은 전기적으로 접지되어 있다.
척 전원(26)은, 그 양출력단자(32)로부터 그라운드 단자(36)를 기준으로 하여 상기 양의 직류 전압(+V)을 출력하는 양전원(28)과, 음출력단자(34)로부터 그라운드 단자(36)를 기준으로 하여 상기 음의 직류 전압(-V)을 출력하는 음전원(30)을 가지고 있다. 양쪽 직류 전압(+V,-V)은 서로 크기가 동일하고 극성이 반대이다.
정전 척(4)의 양흡착전극(8)과 척 전원(26)(보다 구체적으로는 그 양출력단자(32))의 사이에는, 그 사이를 흐르는 제1의 과도 전류(I1)를 측정하는 제1의 전류계(21)가 접속되어 있다. 이 전류계(21)의 라인에는 전류 제한 저항(38)이 필요에 따라 직렬 접속된다.
정전 척(4)의 양보조전극(12)과 접지 전위부(GND) 사이에는, 그 사이를 흐르는 제2의 과도 전류(I2)를 측정하는 제2의 전류계(22)가 접속되어 있다. 바꾸어 말하면, 양보조전극(12)은 전류계(22)를 통해 접지 전위부(GND)에 접속(즉 접지)되어 있다. 또한 척 전원(26)의 그라운드 단자(36)도 접지 전위부(GND)에 접속되어 있으므로, 양보조전극(12)은 전류계(22)를 통해 척 전원(26)의 그라운드 단자(36)에 접속되어 있다고 할 수도 있다.
정전 척(4)의 음흡착전극(10)과 척 전원(26)(보다 구체적으로는 그 음출력단자(34)) 사이에는, 그 사이를 흐르는 제3의 과도 전류(I3)를 측정하는 제3의 전류계(23)가 접속되어 있다. 이 전류계(23)의 라인에는, 상기 전류 제한 저항(38)과 같은 저항값의 전류 제한 저항(40)이 필요에 따라 직렬 접속된다.
정전 척(4)의 음보조전극(14)과 접지 전위부(GND) 사이에는, 그 사이를 흐르는 제4의 과도 전류(I4)를 측정하는 제4의 전류계(24)가 접속되어 있다. 바꾸어 말하면, 음보조전극(14)은 전류계(24)를 통해 접지 전위부(GND)에 접속(즉 접지)되어 있다. 혹은 음보조전극(14)은 전류계(24)를 통해 척 전원(26)의 그라운드 단자(36)에 접속되어 있다고 할 수도 있다.
척 전원(26)은 직류 전원이므로, 상기 과도 전류(I1~I4)는, 본질적으로는 척 전원(26)을 투입했을 때에, 즉 척 전원(26)으로부터 정전 척(4)에 상기 양 및 음의 직류 전압(+V,-V)을 인가했을 때에 과도적으로 흐르는 전류이다. 이에 대해서는 나중에 도 3 이후를 참조하여 더 설명한다.
또한 척 전원(26)을 투입했을 때에는 상기 정전 용량(C3)을 통해 과도 전류(I5)가 흐른다. 이 과도 전류(I5)는, 키르히호프의 법칙에 의해, 상기 과도 전류 I1과 I2의 차 또는 상기 과도 전류 I3과 I4의 차의 전류이다. 구체적으로는 과도 전류(I5)는 다음의 수학식 1 또는 수학식 2에 의해 구할 수 있다.
Figure pct00001
Figure pct00002
전류계(21~24)로 측정한 과도 전류(I1~I4)의 데이터는 판정장치(42)에 공급된다. 판정장치(42)는, 이 실시형태에서는, 후술하는 기능을 가지고 있는 것 외에, 상기 수학식 1 또는 수학식 2에 따라 상기 과도 전류(I5)를 산출하는 연산 수단을 가지고 있다. 이 판정장치(42)는 예를 들면 컴퓨터를 사용하여 구성되어 있다.
정전 척(4)의 검사를 행하기 위해서는, 이 실시형태의 검사방법에서는 다음의 판정 공정을 행한다.
즉, 정전 척(4)상에 피흡착물(2)을 얹지 않은 상태로 척 전원(26)으로부터 정전 척(4)에 상기 양 및 음의 직류 전압(+V,-V)을 인가했을 때의 상기 과도 전류(I1~I5) 내의, 과도 전류(I5)를 포함하는 적어도 4개의 과도 전류를 각각 측정한다. 구체적으로는 표 1에 나타내는 조합의 적어도 4개의 과도 전류를 각각 측정한다. 5개 모두의 과도 전류(I1~I5)를 측정하고 또한 산출해도 된다. 그리고, 측정하고 또한 산출된 과도 전류를 소정의 기준값과 각각 비교하여 정전 척(4) 내의 정전 용량의 이상을 판정한다.
Figure pct00003
표 1 중의 I5 산출용의 과도 전류는 정전 용량(C1,C2,C3) 판정용의 과도 전류 외에, 상기 수학식 1 또는 수학식 2에 따라 과도 전류(I5)를 산출하는데 필요한 과도 전류이다.
상기 과도 전류(I1,I2)는 상기 정전 용량(C1)의 크기에 따른 전류가 된다. 상기 과도 전류(I3,I4)는 상기 정전 용량(C2)의 크기에 따른 전류가 된다. 상기 과도 전류(I5)는 상기 정전 용량(C3)의 크기에 따른 전류가 된다. 따라서, 상기와 같은 판정 공정을 행함으로써, 정전 척(4) 내의 어느 흡착전극(8,10)의 주변에서 정전 용량 C1 또는 C2에 이상이 생겼는지를 판별할 수 있는 동시에, 양쪽 흡착전극(8,10) 사이에서 정전 용량(C3)에 이상이 생긴 것을 판별할 수도 있다.
즉, 이 검사방법에 의하면, 양쪽 흡착전극(8,10)에 각각 대응하는 보조전극(12,14)을 마련함으로써, 양쪽 보조전극(12,14)으로부터의 리턴 전류인 과도 전류(I2,I4)를 측정할 수 있으므로, 또한 상기 수학식 1 또는 수학식 2에 따라, 양쪽 흡착전극(8,10) 사이를 흐르는 과도 전류(I5)도 산출할 수 있으므로, 정전 용량(C1~C3)의 변화를 파악하기 쉬워진다.
이상의 것을, 상기 판정 공정의 보다 구체예와 함께 이하에 더 설명한다. 상기 판정 공정은 이하의 실시형태에서는 다음의 제1 내지 제3의 공정으로 이루어진다.
(a)상기 과도 전류(I1 및 I2)의 적어도 한쪽의 과도 전류를 측정하고, 상기 과도 전류가 그 피크값의 소정 비율로 내려갈 때까지의 시간을, 그에 대응하는 시간이며 정전 척(4)과 동일 사양의 정상인 정전 척의 것의 시간과 비교하여, 정전 척(4)의 양흡착전극(8)과 양보조전극(12) 사이의 정전 용량(C1)의 이상을 판정하는 제1의 공정.
상기 피크값의 소정 비율은, 예를 들면 피크값의 1/e이다. e는 자연 대수(對數)의 베이스(base)이며, 2.718이다. 소정 비율은, 이에 한정되는 것은 아니지만, 이하에 있어서는 이것을 예로 설명한다. 다음의 제2의 공정에서의 소정 비율에 대해서도 동일하다.
또한 정전 용량(C1)의 판정에, 과도 전류(I1 및 I2)의 양쪽의 과도 전류를 측정하여 양자를 판정에 사용해도 된다. 그와 같이 하면 판정의 정확도가 높아진다. 다음의 제2의 공정에서의 과도 전류(I3 및 I4)에 대해서도 동일하다. 단 이하의 시뮬레이션에 있어서는, 정전 용량(C1)의 판정용으로 과도 전류(I1)를 사용하고, 정전 용량(C2)의 판정용으로 과도 전류(I3)를 사용할 경우를 예로 설명한다.
(b)상기 과도 전류(I3 및 I4)의 적어도 한쪽의 과도 전류를 측정하여, 상기 과도 전류가 그 피크값의 소정 비율로 내려갈 때까지의 시간을, 그에 대응하는 시간이며 정전 척(4)과 동일 사양의 정상인 정전 척의 것의 시간과 비교하여, 정전 척(4)의 음흡착전극(10)과 음보조전극(14) 사이의 정전 용량(C2)의 이상을 판정하는 제2의 공정.
(c)상기 과도 전류(I5)를 산출하여, 상기 과도 전류의 피크값을, 그에 대응하는 피크값이며 정전 척(4)과 동일 사양의 정상인 정전 척의 것의 피크값과 비교하여, 정전 척(4)의 양흡착전극(8)과 음흡착전극(10) 사이의 정전 용량(C3)의 이상을 판정하는 제3의 공정.
상기 제1 내지 제3의 공정을, 도 1에 나타내는 장치의 등가 회로를 사용하여 시뮬레이션을 행한 결과인 도 3~도 9, 및 판정 내용을 정리한 표 2를 참조하여 보다 상세하게 설명한다.
Figure pct00004
도 3은 정상인 정전 척(4)의 상기 과도 전류(I1~I5)의 일례를 나타낸다. 시간(0)의 시점에서 전원을 투입하고 있다. 다른 도면에 있어서도 동일하다. 과도 전류(I3)를 괄호로 표기한 것은, 과도 전류(I1)와 곡선이 겹쳐 있음을 나타내고 있다. 과도 전류(I4)에 대해서도 동일하다. 다른 도면에 있어서도 동일하다.
이러한 정상인 정전 척(4)의 과도 전류(I1,I3)가 그 피크값(P)의 1/e가 될 때까지의 시간(t1)을 미리 측정해 두고, 그것을 상기 제1 및 제2의 공정에서의 비교의 기준값으로 한다. 이 시간(t1)은, 예를 들면 상기 판정장치(42) 내에 기억해 두면 된다. 또한 과도 전류(I1~I4)의 피크값(P)은, 이하의 설명 및 도면에 있어서는 간략화를 위해 동일 부호(P)를 사용하고 있는데, 과도 전류(I1~I4)에 있어서 서로 동일값이 된다고는 한정할 수 없다.
또한 정상인 정전 척(4)의 과도 전류(I5)의 피크값(P1)을 미리 산출해 두고, 그것을 상기 제3의 공정에서의 비교의 기준값으로 한다. 이 피크값(P1)은 예를 들면 상기 판정장치(42) 내에 기억해 두면 된다.
또한 이 시뮬레이션에서는, 비교의 기준으로서, 도 3에 나타낸 정상인 정전 척(4)의 전류의 데이터를 사용하고 있는데, 정전 척(4)의 실제의 검사에서는, 검사하고자 하는 정전 척(4)과 동일 사양이 정상인 정전 척의 전류의 데이터를 사용한다. 양쪽 데이터는 실질적으로 같아지므로 이하의 설명에서는 양자를 구별하지 않기로 한다.
정전 척(4)에 있어서 정전 용량(C1)이 이상(異常)일 경우, 예를 들면 정상시(예를 들면 100nF)보다도 클 경우(예를 들면 150nF)의 예를 도 4에 나타내고, 정상시보다도 작을 경우(예를 들면 30nF)의 예를 도 5에 나타낸다. 도 3과 비교하면 알 수 있듯이 과도 전류(I1,I2)가 두드러지게 변화하고 있다.
상기 제1의 공정으로서, 과도 전류(I1)가 그 피크값(P)의 1/e로 내려갈 때까지의 시간(t2)(도 4의 경우), t3(도 5의 경우)을 측정하고, 그것을 정상인 정전 척(4)의 시간(t1)과 비교한다. 도 4의 예의 경우는 t1＜t2이기 때문에, 정전 용량(C1)이 정상시보다도 크다고 판정한다. 도 5의 예의 경우는 t1＞t3이기 때문에, 정전 용량(C1)이 정상시보다도 작다고 판정한다. 이것은 과도 현상에 있어서 잘 알려져 있는 바와 같이, 정전 용량에 직류 전원을 투입한 직후에 흐르는 과도 전류는, 정전 용량이 크면 그것에의 충전 시간이 길어져, 시간 경과에 수반하여 완만하게 감쇠하고, 정전 용량이 작으면 그것에의 충전 시간이 짧아져 시간 경과에 수반하여 급격히 감쇠하기 때문이다. 이와 같이 하여 정전 용량(Cl)의 이상을 판정할 수 있다.
정전 용량(C1)이 커지는 원인으로서는, 예를 들면 양흡착전극(8)과 양보조전극(12) 사이의 거리가 등가적으로 작아진 것을 들 수 있다. 이 원인으로서는, 예를 들면 유전체(6)가 열 수축한 경우, 양흡착전극(8)의 재료가 일렉트로 마이그레이션에 의해 주변에 확산한 경우, 양흡착전극(8)의 주변에서의 방전의 발생에 의해 전극 재료가 주변을 향해 용융 고화한 경우 등을 생각할 수 있다.
정전 용량(C1)이 작아지는 원인으로서는, 예를 들면 양흡착전극(8)에의 단선, 양흡착전극(8)과 양보조전극(12) 사이의 거리가 등가적으로 커진 것 등을 들 수 있다. 후자의 원인으로서는, 예를 들면 유전체(6)의 열에 의한 팽창, 양흡착전극(8)의 주변에서의 유전체(6)의 박리 등을 생각할 수 있다.
정전 척(4)에 있어서 정전 용량(C2)이 이상일 경우, 예를 들면 정상시(예를 들면 100nF)보다도 클 경우(예를 들면 150nF)의 예를 도 6에 나타내고, 정상시보다도 작을 경우(예를 들면 30nF)의 예를 도 7에 나타낸다. 도 3과 비교하면 알 수 있듯이 과도 전류(I3,I4)가 두드러지게 변화하고 있다.
상기 제2의 공정으로서, 과도 전류(I3)가 그 피크값(P)의 1/e로 내려갈 때까지의 시간 t4(도 6의 경우), t5(도7의 경우)를 측정하여, 그것을 정상인 정전 척(4)의 시간(t1)과 비교한다. 도 6의 예의 경우는 t1＜t4이기 때문에 정전 용량(C2)이 정상시보다도 크다고 판정한다. 도 7의 예의 경우는 t1＞t5이기 때문에, 정전 용량(C2)이 정상시보다도 작다고 판정한다. 이와 같이 하여 정전 용량(C2)의 이상을 판정할 수 있다.
정전 용량(C2)이 커지거나 작아지는 원인의 예는 정전 용량(C1)의 경우와 동일하다.
이와 같이, 상기 제1의 공정 및 제2의 공정에 의해, 정전 용량(C1)의 이상과 정전 용량(C2)의 이상은 서로 독립적으로 판정할 수 있으므로, 정전 척(4)의 양흡착전극(8)과 음흡착전극(10)의 어느 전극의 주변에서 정전 용량에 이상이 생겼는지를 용이하게 판별할 수 있다.
정전 척(4)에 있어서 정전 용량(C3)이 이상일 경우, 예를 들면 정상시(예를 들면 10nF)보다도 클 경우(예를 들면 30nF)의 예를 도 8에 나타내고, 정상시보다도 작을 경우(예를 들면 3nF)의 예를 도 9에 나타낸다. 도 3과 비교하면 알 수 있듯이 과도 전류(I5)가 두드러지게 변화하고 있다.
상기 제3의 공정으로서, 과도 전류(I5)의 피크값(P2)(도 8의 경우), P3(도 9의 경우)을 측정하여, 그것을 정상인 정전 척(4)의 피크값(P1)과 비교한다. 도 8의 예의 경우는 P1＜P2이기 때문에, 정전 용량(C3)이 정상시보다도 크다고 판정한다. 도 9의 예의 경우는 P1＞P3이기 때문에, 정전 용량(C3)이 정상시보다도 작다고 판정한다. 이와 같이 하여 정전 용량(C3)의 이상을 판정할 수 있다.
정전 용량(C3)이 커지는 원인으로서는, 예를 들면 (a)양쪽 흡착전극(8,10)간의 거리가 등가적으로 작아진 것, (b)양쪽 흡착전극(8,10)간의 유전체(6)의 유전율이 커진 것 등을 들 수 있다. (a)의 원인으로서는, 예를 들면 양쪽 흡착전극(8,10)의 재료가 일렉트로 마이그레이션에 의해 양쪽 흡착전극(8,10)간에 확산한 경우, 양쪽 흡착전극(8,10)간의 방전의 발생에 의해 전극 재료가 상대전극을 향해 용융 고화한 경우 등을 생각할 수 있다.
정전 용량(C3)이 작아지는 원인으로서는, 예를 들면 흡착전극(8,10)의 양쪽 또는 한쪽의 일부가 결손되었을 경우, 경시 변화 등에 의해 유전체(6)의 유전율이 작아진 경우 등을 들 수 있다.
이와 같이, 상기 제3의 공정에 의해, 양쪽 흡착전극(8,10)간에서 정전 용량에 이상이 생긴 것을 용이하게 판정할 수 있다.
또한 상술한 바와 같이, 정전 척(4)의 보조전극(12,14)은 흡착전극(8,10)에 각각 대응한 형상으로 해 두는 것이 바람직하다. 그렇게 해 두면, 상기 정전 용량(C1,C2)이 커지고, 그에 따라 상기 정전 용량(C1,C2)을 통해 흐르는 과도 전류(I2,I4)도 크면서 완만해지므로, 상기 과도 전류의 변화를 판정하기 쉬워지고, 나아가서는 상기 정전 용량(C1,C2)의 이상을 판정하기 쉬워진다.
상기 판정장치(42)는, 이 실시형태에서는 상술한 바와 같이 과도 전류(I5)를 산출하는 연산 수단을 가지고 있는 동시에, 상기 판정 공정과 실질적으로 같은 내용의 처리(즉, 과도 전류 측정, 비교 및 정전 용량의 이상 판정. 이하 동일)를 행하는 기능을 가지고 있다. 보다 구체적으로는 이 실시형태에서는, 상기 제1의 공정과 실질적으로 같은 내용의 처리를 행하는 제1의 기능, 상기 제2의 공정과 실질적으로 같은 내용의 처리를 행하는 제2의 기능, 및 상기 제3의 공정과 실질적으로 같은 내용의 처리를 행하는 제3의 기능을 가지고 있다. 바꾸어 말하면, 이러한 기능을 가지는 수단을 판정장치(42)는 구비하고 있다.
따라서, 상기 정전 척(4), 척 전원(26), 전류계(21~24) 및 판정장치(42)를 구비하고 있는 이 실시형태의 정전 척 장치에 있어서도, 상기 검사방법에 대하여 설명한 작용 효과와 동일한 작용 효과를 발휘할 수 있다.
2: 피흡착물 4: 정전 척
6: 유전체 8: 양흡착전극
10: 음흡착전극 12: 양보조전극
14: 음보조전극 21~24: 전류계
26: 척 전원 42: 판정장치
I1~I5: 전류 C1~C3: 정전 용량
+V: 양의 직류 전압 -V: 음의 직류 전압
GND: 접지 전위부

Claims (6)

  1. 유전체 내에 상기 유전체의 표면을 따라 배치된 양흡착전극 및 음흡착전극을 가지고 정전기에 의해 피흡착물을 흡착하는 쌍극형의 정전 척과, 접지 전위부를 기준으로 하여, 상기 정전 척의 양흡착전극 및 음흡착전극에 양의 직류 전압 및 음의 직류 전압을 각각 공급하는 척 전원을 구비하고 있는 정전 척 장치에 있어서,
    상기 정전 척의 유전체 내이며, 상기 양흡착전극 및 음흡착전극의 배면측에는, 이들 흡착전극과의 사이에 소정의 간격을 두고 각각 대향하도록 양보조전극 및 음보조전극을 마련하는 동시에, 이들 보조전극을 상기 접지 전위부에 접속하고,
    상기 정전 척상에 피흡착물을 얹지 않은 상태로 상기 척 전원으로부터 상기 정전 척에의 상기 양 및 음의 직류 전압을 인가하거나 또는 끊었을 때의, (a)상기 정전 척의 양흡착전극과 상기 척 전원 사이를 흐르는 제1의 과도 전류, (b)상기 정전 척의 양보조전극과 상기 접지 전위부 사이를 흐르는 제2의 과도 전류, (c)상기 정전 척의 음흡착전극과 상기 척 전원 사이를 흐르는 제3의 과도 전류, 및 (d)상기 정전 척의 음보조전극과 상기 접지 전위부 사이를 흐르는 제4의 과도 전류 중 적어도 3개의 과도 전류를 각각 측정하는 동시에, 상기 제1의 과도 전류와 제2의 과도 전류의 차 또는 상기 제3의 과도 전류와 제4의 과도 전류의 차인 제5의 과도 전류를 산출하고, 얻어진 각 과도 전류를 정상인 정전 척으로부터 얻어진 각 과도 전류의 기준값과 각각 비교하여, 상기 정전 척 내의 각 흡착전극의 주변에서의 정전 용량의 이상을 판정하는 판정 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 정전 척의 검사방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 판정 공정은, 상기 척 전원으로부터 상기 정전 척에의 상기 양 및 음의 직류 전압을 인가했을 때의,
    (a)상기 제1 및 제2의 과도 전류의 적어도 한쪽의 과도 전류를 측정하고, 상기 과도 전류가 그 피크값의 소정 비율로 내려갈 때까지의 시간을, 그에 대응하는 정상인 정전 척의 시간과 비교하여, 상기 정전 척의 양흡착전극과 양보조전극 사이의 정전 용량의 이상을 판정하는 제1의 공정과,
    (b)상기 제3 및 제4의 과도 전류의 적어도 한쪽의 과도 전류를 측정하고, 상기 과도 전류가 그 피크값의 소정 비율로 내려갈 때까지의 시간을, 그에 대응하는 정상인 정전 척의 시간과 비교하여, 상기 정전 척의 음흡착전극과 음보조전극 사이의 정전 용량의 이상을 판정하는 제2의 공정과,
    (c)상기 제1의 과도 전류와 제2의 과도 전류의 차 또는 제3의 과도 전류와 제4의 과도 전류의 차로서 구해진 제5의 과도 전류의 피크값을, 그에 대응하는 정상인 정전 척의 피크값과 비교하여, 상기 정전 척의 양흡착전극과 음흡착전극 사이의 정전 용량의 이상을 판정하는 제3의 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 척의 검사방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 정전 척의 양보조전극은 양흡착전극에 대응한 형상을 하고 있고, 음보조전극은 음흡착전극에 대응한 형상을 하고 있는 것을 특징으로 하는 정전 척의 검사방법.
  4. 유전체 내에 상기 유전체의 표면을 따라 배치된 양흡착전극 및 음흡착전극을 가지고 정전기에 의해 피흡착물을 흡착하는 쌍극형의 정전 척과, 접지 전위부를 기준으로 하여, 상기 정전 척의 양흡착전극 및 음흡착전극에 양의 직류 전압 및 음의 직류 전압을 각각 공급하는 척 전원을 구비하고 있는 정전 척 장치에 있어서,
    상기 정전 척의 유전체 내이며, 상기 양흡착전극 및 음흡착전극의 배면측에, 이들 흡착전극과의 사이에 소정의 간격을 두고 각각 대향하도록 배치된 양보조전극 및 음보조전극과,
    상기 정전 척의 양흡착전극과 상기 척 전원 사이에 접속되어 이들 사이를 흐르는 제1의 과도 전류를 측정하는 제1의 전류계와,
    상기 정전 척의 양보조전극과 상기 접지 전위부 사이에 접속되어 이들 사이를 흐르는 제2의 과도 전류를 측정하는 제2의 전류계와,
    상기 정전 척의 음흡착전극과 상기 척 전원 사이에 접속되어 이들 사이를 흐르는 제3의 과도 전류를 측정하는 제3의 전류계와,
    상기 정전 척의 음보조전극과 상기 접지 전위부 사이에 접속되어 이들 사이를 흐르는 제4의 과도 전류를 측정하는 제4의 전류계와,
    상기 제1의 과도 전류와 제2의 과도 전류의 차 또는 상기 제3의 과도 전류와 제4의 과도 전류의 차로서 구해지는 제5의 과도 전류를 산출하는 연산 수단과,
    상기 정전 척상에 피흡착물을 얹지 않은 상태로 상기 척 전원으로부터 상기 정전 척에의 상기 양 및 음의 직류 전압을 인가하거나 또는 끊었을 때에, 상기 제1 내지 제4의 전류계 중 적어도 3개의 전류계로 측정되는 상기 제1 내지 제4의 과도 전류 중 적어도 3개의 과도 전류를 측정하는 동시에, 상기 연산 수단으로 산출되는 상기 제5의 과도 전류를 산출하고, 얻어진 각 과도 전류를 정상인 정전 척으로부터 얻어진 각 과도 전류의 기준값과 각각 비교하여, 상기 정전 척 내의 정전 용량의 이상을 판정하는 기능을 구비한 판정장치를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 정전 척 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 판정장치는, 상기 척 전원으로부터 상기 정전 척에의 상기 양 및 음의 직류 전압을 인가했을 때의,
    (a)상기 제1 및 제2의 과도 전류의 적어도 한쪽의 과도 전류를 측정하고, 상기 과도 전류가 그 피크값의 소정 비율로 내려갈 때까지의 시간을, 그에 대응하는 정상인 정전 척의 시간과 비교하여, 상기 정전 척의 양흡착전극과 양보조전극 사이의 정전 용량의 이상을 판정하는 제1의 기능과,
    (b)상기 제3 및 제4의 과도 전류의 적어도 한쪽의 과도 전류를 측정하고, 상기 과도 전류가 그 피크값의 소정 비율로 내려갈 때까지의 시간을, 그에 대응하는 정상인 정전 척의 시간과 비교하여, 상기 정전 척의 음흡착전극과 음보조전극 사이의 정전 용량의 이상을 판정하는 제2의 기능과,
    (c)상기 제1의 과도 전류와 제2의 과도 전류의 차 또는 제3의 과도 전류와 제4의 과도 전류의 차로서 구해진 제5의 과도 전류의 피크값을, 그에 대응하는 정상인 정전 척의 피크값과 비교하여, 상기 정전 척의 양흡착전극과 음흡착전극 사이의 정전 용량의 이상을 판정하는 제3의 기능을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 척 장치.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 정전 척의 양보조전극은 양흡착전극에 대응한 형상을 하고 있고, 음보조전극은 음흡착전극에 대응한 형상을 하고 있는 것을 특징으로 하는 정전 척 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150045670A (ko) * 2013-10-21 2015-04-29 주식회사 미코 정전척
KR101967424B1 (ko) * 2018-10-02 2019-08-19 (주)제니스월드 세라믹 페이스트 조성물을 이용한 바이폴라 정전척의 제조방법

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5592833B2 (ja) * 2011-05-20 2014-09-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置および静電チャック装置
US8937487B2 (en) * 2011-05-27 2015-01-20 International Business Machines Corporation Correction for stress induced leakage current in dielectric reliability evaluations
CN103811261B (zh) * 2012-11-13 2016-08-24 中微半导体设备(上海)有限公司 降低晶圆漏电流的结构及设置该结构的等离子体处理室
US10324121B2 (en) * 2012-12-28 2019-06-18 Axcelis Technologies, Inc. Charge integration based electrostatic clamp health monitor
EP3153282B1 (de) * 2015-10-06 2021-12-08 J. Schmalz GmbH Greifvorrichtung und betriebsverfahren für eine greifvorrichtung
KR102581356B1 (ko) 2016-08-30 2023-09-21 삼성전자주식회사 기판 처리 장치의 이상 진단 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
US10636630B2 (en) * 2017-07-27 2020-04-28 Applied Materials, Inc. Processing chamber and method with thermal control
US10692749B2 (en) 2017-12-05 2020-06-23 Axcelis Technologies, Inc. Method to provide consistent electrostatic clamping through real time control of electrostatic charge deposition in an electrostatic chuck
KR102450476B1 (ko) * 2018-02-28 2022-10-05 주식회사 미코세라믹스 정전척 히터 및 그 제조 방법
JP7241540B2 (ja) * 2018-12-28 2023-03-17 東京エレクトロン株式会社 測定方法及び測定治具
CN111257714B (zh) * 2020-01-17 2022-11-29 上海华力集成电路制造有限公司 静电测量设备及静电测量方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4009009B2 (ja) * 1998-05-21 2007-11-14 株式会社アルバック 吸着状態判断方法
US6788506B1 (en) * 2000-11-13 2004-09-07 Standard Microsystems Corporation Integrated circuit and method of operation
JP2002305237A (ja) 2001-04-05 2002-10-18 Hitachi Ltd 半導体製造方法および製造装置
US7092231B2 (en) 2002-08-23 2006-08-15 Asml Netherlands B.V. Chuck, lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2004030197A1 (ja) * 2002-09-27 2004-04-08 Tsukuba Seiko Ltd. 静電保持装置及びそれを用いた静電ピンセット
DE102004055057A1 (de) * 2004-11-15 2006-05-24 Infineon Technologies Ag Ausgangsschaltung
KR100940549B1 (ko) * 2005-04-28 2010-02-10 신에츠 엔지니어링 가부시키가이샤 정전척 장치
JP2008047564A (ja) * 2006-08-10 2008-02-28 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置、静電チャックの診断方法及び記憶媒体
WO2008041293A1 (fr) * 2006-09-29 2008-04-10 Shin-Etsu Engineering Co., Ltd. Procédé de transfert de pièce, dispositif à mandrin électrostatique et procédé de jonction de carte
CN101523593B (zh) * 2006-09-29 2012-05-23 瑞萨电子株式会社 半导体装置制造方法以及半导体装置
JP5003102B2 (ja) * 2006-10-27 2012-08-15 東京エレクトロン株式会社 静電チャックの診断方法、真空処理装置及び記憶媒体

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150045670A (ko) * 2013-10-21 2015-04-29 주식회사 미코 정전척
KR101967424B1 (ko) * 2018-10-02 2019-08-19 (주)제니스월드 세라믹 페이스트 조성물을 이용한 바이폴라 정전척의 제조방법

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