JPH0786344A - 半導体素子測定方法 - Google Patents
半導体素子測定方法Info
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- JPH0786344A JPH0786344A JP25262293A JP25262293A JPH0786344A JP H0786344 A JPH0786344 A JP H0786344A JP 25262293 A JP25262293 A JP 25262293A JP 25262293 A JP25262293 A JP 25262293A JP H0786344 A JPH0786344 A JP H0786344A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子の微小電流測定を行なう際ケーブ
ルに発生する誘電吸収現象を抑制する。 【構成】 電気特性の測定対象となる半導体素子Ｒは半
導体装置基板に形成されており、且つ外部から深針可能
な少なくとも一対のパッド電極Ｘ，Ｙを備えている。一
対のプローブピン１ｘ，１ｙを各々対応するパッド電極
Ｘ，Ｙに接触させ所定の電圧を印加して微小電流を測定
する。一対のプローブピン１ｘ，１ｙは測定機本体３と
ケーブル２ｘ，２ｙで夫々接続されている。一方のケー
ブル２ｘ側は接地電位に対して正極性の電位に保持し、
他方のケーブル２ｙ側は接地電位に対して負極性の電位
に保持した状態で半導体素子Ｒに流れる微小電流の測定
を行なう。
ルに発生する誘電吸収現象を抑制する。 【構成】 電気特性の測定対象となる半導体素子Ｒは半
導体装置基板に形成されており、且つ外部から深針可能
な少なくとも一対のパッド電極Ｘ，Ｙを備えている。一
対のプローブピン１ｘ，１ｙを各々対応するパッド電極
Ｘ，Ｙに接触させ所定の電圧を印加して微小電流を測定
する。一対のプローブピン１ｘ，１ｙは測定機本体３と
ケーブル２ｘ，２ｙで夫々接続されている。一方のケー
ブル２ｘ側は接地電位に対して正極性の電位に保持し、
他方のケーブル２ｙ側は接地電位に対して負極性の電位
に保持した状態で半導体素子Ｒに流れる微小電流の測定
を行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置基板に形成さ
れており且つ外部から深針可能な少なくとも一対のパッ
ド電極を備えた素子の電気特性を測定する方法に関す
る。例えば、プロセスモニタ用に設けられたテスト素子
の微小電流測定方法に関する。
れており且つ外部から深針可能な少なくとも一対のパッ
ド電極を備えた素子の電気特性を測定する方法に関す
る。例えば、プロセスモニタ用に設けられたテスト素子
の微小電流測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６を参照して、従来の半導体素子測定
方法を簡潔に説明する。素子Ｒは半導体装置基板（ウエ
ハ）に形成されており且つ外部から深針可能な少なくと
も一対のパッド電極Ｘ，Ｙを備えている。ウエハは通常
帯電していないので接地電位（０Ｖ）にあると考えられ
る。素子Ｒは模式的に抵抗要素として表わされている
が、実際には薄膜トランジスタ素子等様々な要素が対象
になる。この半導体素子Ｒは、例えばプロセスモニタ用
に設けられたテスト素子である。一対のプローブピン１
ｘ，１ｙを各々対応するパッド電極Ｘ，Ｙに接触させ所
定の電圧を印加して微小電流を測定する。微小電流のオ
ーダは例えば１nA以下である。プローブピン１ｘ，１ｙ
は夫々ケーブル２ｘ，２ｙを介して測定機本体３に接続
されている。測定機本体３には微小電流測定用の電流計
４と定電圧源５が含まれている。図示の例では、電流計
４が接続されている一方のケーブル２ｘ側に所定の電圧
＋Ｈ（Ｖ）が印加され、他方のケーブル２ｙ側は接地電
位即ち０（Ｖ）に保持されている。この状態で半導体素
子Ｒに流れる微小電流を電流計４により測定する。
方法を簡潔に説明する。素子Ｒは半導体装置基板（ウエ
ハ）に形成されており且つ外部から深針可能な少なくと
も一対のパッド電極Ｘ，Ｙを備えている。ウエハは通常
帯電していないので接地電位（０Ｖ）にあると考えられ
る。素子Ｒは模式的に抵抗要素として表わされている
が、実際には薄膜トランジスタ素子等様々な要素が対象
になる。この半導体素子Ｒは、例えばプロセスモニタ用
に設けられたテスト素子である。一対のプローブピン１
ｘ，１ｙを各々対応するパッド電極Ｘ，Ｙに接触させ所
定の電圧を印加して微小電流を測定する。微小電流のオ
ーダは例えば１nA以下である。プローブピン１ｘ，１ｙ
は夫々ケーブル２ｘ，２ｙを介して測定機本体３に接続
されている。測定機本体３には微小電流測定用の電流計
４と定電圧源５が含まれている。図示の例では、電流計
４が接続されている一方のケーブル２ｘ側に所定の電圧
＋Ｈ（Ｖ）が印加され、他方のケーブル２ｙ側は接地電
位即ち０（Ｖ）に保持されている。この状態で半導体素
子Ｒに流れる微小電流を電流計４により測定する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述した様に通常帯電
のない状態では半導体素子Ｒが形成されたウエハは接地
電位にあると考えられる。従って電圧印加初期において
は、一方のケーブル２ｘに所定の電圧＋Ｈ（Ｖ）がその
まま印加され、他方のケーブル２ｙには殆ど電圧がかか
らない事になる。この場合一方のケーブル２ｘ側に誘電
吸収現象が発生する。この誘電吸収現象とは、要するに
ケーブルの芯線に電流が流れる事によって起こる芯線周
囲の誘電分極である。微小電流測定の際に誘電吸収現象
が引き起こされると、ケーブルにおける分極作用の為実
際以上の電流が過渡的に流れる。この現象を明らかにす
る為、図７に等価回路を示してある。等価回路上、ケー
ブル２ｘは浮遊容量Ｃｘとして表わされ、測定対象とな
る半導体素子Ｒに並列して介在する。この結果、一対の
パッド電極Ｘ，Ｙ間に所定の電圧＋Ｈ（Ｖ）を印加する
と、半導体素子Ｒに微小電流Ｉｍが流れるとともに、浮
遊容量Ｃｘにも過渡的に微小電流Ｉｐが流れる事にな
る。誘電吸収現象は当然の事ながらケーブルに印加され
る電圧が大きいほど影響が強く現れる。従来、一方のケ
ーブル２ｘ側に所定の電圧＋Ｈ（Ｖ）がそのまま印加さ
れるので誘電吸収現象の影響が無視できないほど大きく
なり、過渡微小電流Ｉｐが初期的に大量に流れる。従っ
て、電圧を印加したままケーブルの誘電分極が起こりき
るまで待機せざるを得ず測定サイクルが長期化するとい
う課題があった。この待機時間は数秒に及ぶ場合があっ
た。仮に過渡状態下で微小電流の測定を実施すると正味
の微小電流Ｉｍを測定する事ができず精度の悪化を招
く。
のない状態では半導体素子Ｒが形成されたウエハは接地
電位にあると考えられる。従って電圧印加初期において
は、一方のケーブル２ｘに所定の電圧＋Ｈ（Ｖ）がその
まま印加され、他方のケーブル２ｙには殆ど電圧がかか
らない事になる。この場合一方のケーブル２ｘ側に誘電
吸収現象が発生する。この誘電吸収現象とは、要するに
ケーブルの芯線に電流が流れる事によって起こる芯線周
囲の誘電分極である。微小電流測定の際に誘電吸収現象
が引き起こされると、ケーブルにおける分極作用の為実
際以上の電流が過渡的に流れる。この現象を明らかにす
る為、図７に等価回路を示してある。等価回路上、ケー
ブル２ｘは浮遊容量Ｃｘとして表わされ、測定対象とな
る半導体素子Ｒに並列して介在する。この結果、一対の
パッド電極Ｘ，Ｙ間に所定の電圧＋Ｈ（Ｖ）を印加する
と、半導体素子Ｒに微小電流Ｉｍが流れるとともに、浮
遊容量Ｃｘにも過渡的に微小電流Ｉｐが流れる事にな
る。誘電吸収現象は当然の事ながらケーブルに印加され
る電圧が大きいほど影響が強く現れる。従来、一方のケ
ーブル２ｘ側に所定の電圧＋Ｈ（Ｖ）がそのまま印加さ
れるので誘電吸収現象の影響が無視できないほど大きく
なり、過渡微小電流Ｉｐが初期的に大量に流れる。従っ
て、電圧を印加したままケーブルの誘電分極が起こりき
るまで待機せざるを得ず測定サイクルが長期化するとい
う課題があった。この待機時間は数秒に及ぶ場合があっ
た。仮に過渡状態下で微小電流の測定を実施すると正味
の微小電流Ｉｍを測定する事ができず精度の悪化を招
く。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題を解決する為以下の手段を講じた。即ち本発明は基本
的に、半導体装置基板に形成されており且つ外部から深
針可能な少なくとも一対のパッド電極を備えた素子の電
気特性を測定する方法である。特徴事項として、測定機
本体とケーブルで接続された一対のプローブピンを各々
対応するパッド電極に接触させ所定の電圧を印加して微
小電流を測定する際、一方のケーブル側は接地電位に対
して正極性の電位に保持し、他方のケーブル側は接地電
位に対して負極性の電位に保持した状態で該素子に流れ
る微小電流の測定を行なう。
題を解決する為以下の手段を講じた。即ち本発明は基本
的に、半導体装置基板に形成されており且つ外部から深
針可能な少なくとも一対のパッド電極を備えた素子の電
気特性を測定する方法である。特徴事項として、測定機
本体とケーブルで接続された一対のプローブピンを各々
対応するパッド電極に接触させ所定の電圧を印加して微
小電流を測定する際、一方のケーブル側は接地電位に対
して正極性の電位に保持し、他方のケーブル側は接地電
位に対して負極性の電位に保持した状態で該素子に流れ
る微小電流の測定を行なう。
【０００５】上記手段は微小電流測定に関するものであ
ったが、本発明はさらに四端子法による電圧降下量の測
定にも適応可能である。即ち、測定機本体とケーブルで
接続された一対のプローブピンを各々対応するパッド電
極に接触させ一定の微小電流を供給して素子端子間の電
圧降下量を測定する際、一方のケーブル側は接地電位に
対して正極性の電位に設定し、他方のケーブル側は接地
電位に対して負極性の電位に設定した状態で該素子に一
定の微小電流を供給する様にしている。
ったが、本発明はさらに四端子法による電圧降下量の測
定にも適応可能である。即ち、測定機本体とケーブルで
接続された一対のプローブピンを各々対応するパッド電
極に接触させ一定の微小電流を供給して素子端子間の電
圧降下量を測定する際、一方のケーブル側は接地電位に
対して正極性の電位に設定し、他方のケーブル側は接地
電位に対して負極性の電位に設定した状態で該素子に一
定の微小電流を供給する様にしている。
【０００６】本発明はさらに微小電流の測定用に用いら
れる電流計の接続方式を包含している。即ち、電流計を
含む測定機本体とケーブルで接続された一対のプローブ
ピンを各々対応するパッド電極に接触させ所定の電圧を
印加して微小電流を測定する際、該電流計に接続された
一方のケーブル側は接地電位に保持し、他方のケーブル
側は接地電位に対して負極性の電位に保持した状態で対
象素子に流れる微小電流の測定を行なう。
れる電流計の接続方式を包含している。即ち、電流計を
含む測定機本体とケーブルで接続された一対のプローブ
ピンを各々対応するパッド電極に接触させ所定の電圧を
印加して微小電流を測定する際、該電流計に接続された
一方のケーブル側は接地電位に保持し、他方のケーブル
側は接地電位に対して負極性の電位に保持した状態で対
象素子に流れる微小電流の測定を行なう。
【０００７】
【作用】本発明によれば、半導体素子の微小電流測定を
行なう際、一方のケーブル側は接地電位に対して正極性
の電位に保持し、他方のケーブル側は接地電位に対して
負極性の電位に保持する様にしている。従って、測定の
為に印加される電圧は両ケーブル側に分割されるので、
誘電吸収現象の影響が軽減され、測定ループを流れる微
小電流は速やかに定常状態に達する。従って従来に比し
待機時間を短縮化できる。同様に、四端子法を用いて半
導体素子に一定微小電流を供給しつつ素子端子間電圧降
下量を測定する際にも、両ケーブルに印加電圧を分散し
ている。この為、半導体素子に対して速やかに一定微小
電流を供給でき測定サイクルの短縮化が可能である。さ
らに本発明の別の側面によれば、微小電流測定を行なう
際電流計を接地電位側のケーブルに接続し、誘電吸収現
象による悪影響を抑制する様にしている。
行なう際、一方のケーブル側は接地電位に対して正極性
の電位に保持し、他方のケーブル側は接地電位に対して
負極性の電位に保持する様にしている。従って、測定の
為に印加される電圧は両ケーブル側に分割されるので、
誘電吸収現象の影響が軽減され、測定ループを流れる微
小電流は速やかに定常状態に達する。従って従来に比し
待機時間を短縮化できる。同様に、四端子法を用いて半
導体素子に一定微小電流を供給しつつ素子端子間電圧降
下量を測定する際にも、両ケーブルに印加電圧を分散し
ている。この為、半導体素子に対して速やかに一定微小
電流を供給でき測定サイクルの短縮化が可能である。さ
らに本発明の別の側面によれば、微小電流測定を行なう
際電流計を接地電位側のケーブルに接続し、誘電吸収現
象による悪影響を抑制する様にしている。
【０００８】
【実施例】以下図面を参照して本発明の好適な実施例を
詳細に説明する。図１は本発明にかかる半導体素子測定
方法の第１実施例を示す模式図である。測定系自体は図
６に示した従来例と類似しており、理解を容易にする為
対応する部分には対応する参照番号及び参照符号を付し
てある。図示する様に測定対象となる半導体素子Ｒは半
導体装置基板（ウエハ）に形成されており、外部から深
針可能な少なくとも一対のパッド電極Ｘ，Ｙを備えてい
る。なおウエハは通常帯電していないので接地電位にあ
ると考えられる。半導体素子Ｒの微小電流を測定する際
には、一対のプローブピン１ｘ，１ｙを各々対応するパ
ッド電極Ｘ，Ｙに接触させ所定の電圧を印加する。この
一対のプローブピン１ｘ，１ｙは夫々ケーブル２ｘ，２
ｙを介して測定機本体３に接続されている。測定機本体
３は微小電流測定用の電流計４と所定の電圧を印加する
為の定電圧源５を備えている。
詳細に説明する。図１は本発明にかかる半導体素子測定
方法の第１実施例を示す模式図である。測定系自体は図
６に示した従来例と類似しており、理解を容易にする為
対応する部分には対応する参照番号及び参照符号を付し
てある。図示する様に測定対象となる半導体素子Ｒは半
導体装置基板（ウエハ）に形成されており、外部から深
針可能な少なくとも一対のパッド電極Ｘ，Ｙを備えてい
る。なおウエハは通常帯電していないので接地電位にあ
ると考えられる。半導体素子Ｒの微小電流を測定する際
には、一対のプローブピン１ｘ，１ｙを各々対応するパ
ッド電極Ｘ，Ｙに接触させ所定の電圧を印加する。この
一対のプローブピン１ｘ，１ｙは夫々ケーブル２ｘ，２
ｙを介して測定機本体３に接続されている。測定機本体
３は微小電流測定用の電流計４と所定の電圧を印加する
為の定電圧源５を備えている。
【０００９】本発明の特徴事項として、一方のケーブル
２ｘ側は接地電位に対して正極性の電位に保持され、他
方のケーブル２ｙ側は接地電位に対して負極性の電位に
保持されている。具体的には、ケーブル２ｘ側には＋Ｈ
／２（Ｖ）が印加され、ケーブル２ｙ側には−Ｈ／２
（Ｖ）が印加される。従って、半導体素子Ｒには図６と
同様に予め設定された所定の電圧Ｈ（Ｖ）が印加される
事になる。即ち本例では、所定の印加電圧Ｈ（Ｖ）を両
ケーブル２ｘ，２ｙに対して均等に分割化している。従
って各ケーブル２ｘ，２ｙに引き起される誘電吸収現象
の程度が軽減可能である。一方、測定対象となる半導体
素子Ｒには所定の電圧Ｈ（Ｖ）がそのまま印加されるの
で、図６に示した従来例と同等の条件で微小電流測定が
可能である事はいうまでもない。
２ｘ側は接地電位に対して正極性の電位に保持され、他
方のケーブル２ｙ側は接地電位に対して負極性の電位に
保持されている。具体的には、ケーブル２ｘ側には＋Ｈ
／２（Ｖ）が印加され、ケーブル２ｙ側には−Ｈ／２
（Ｖ）が印加される。従って、半導体素子Ｒには図６と
同様に予め設定された所定の電圧Ｈ（Ｖ）が印加される
事になる。即ち本例では、所定の印加電圧Ｈ（Ｖ）を両
ケーブル２ｘ，２ｙに対して均等に分割化している。従
って各ケーブル２ｘ，２ｙに引き起される誘電吸収現象
の程度が軽減可能である。一方、測定対象となる半導体
素子Ｒには所定の電圧Ｈ（Ｖ）がそのまま印加されるの
で、図６に示した従来例と同等の条件で微小電流測定が
可能である事はいうまでもない。
【００１０】図２は、図１に示した測定系の等価回路を
表わしている。この回路図では、各ケーブル２ｘ，２ｙ
が等価的に浮遊容量Ｃｘ，Ｃｙで夫々表わされている。
一対の浮遊容量Ｃｘ，Ｃｙはパッド電極Ｘ，Ｙの間に介
在し、測定対象となる半導体素子Ｒに並列していると見
做す事ができる。直列接続した一対の浮遊容量Ｃｘ，Ｃ
ｙの合成容量は、仮にＣｘ＝Ｃｙとした時Ｃｘ／２で表
わされる。図７に示した従来例の等価回路と比較すれば
明らかな様に浮遊容量は半減している。従って、電圧印
加初期においてケーブル側に流れる過渡電流Ｉｐは少な
くなり、且つ速やかに飽和状態に達する。これにより、
正味の微小電流Ｉｍを測定するまでの待機時間を短縮化
できる。
表わしている。この回路図では、各ケーブル２ｘ，２ｙ
が等価的に浮遊容量Ｃｘ，Ｃｙで夫々表わされている。
一対の浮遊容量Ｃｘ，Ｃｙはパッド電極Ｘ，Ｙの間に介
在し、測定対象となる半導体素子Ｒに並列していると見
做す事ができる。直列接続した一対の浮遊容量Ｃｘ，Ｃ
ｙの合成容量は、仮にＣｘ＝Ｃｙとした時Ｃｘ／２で表
わされる。図７に示した従来例の等価回路と比較すれば
明らかな様に浮遊容量は半減している。従って、電圧印
加初期においてケーブル側に流れる過渡電流Ｉｐは少な
くなり、且つ速やかに飽和状態に達する。これにより、
正味の微小電流Ｉｍを測定するまでの待機時間を短縮化
できる。
【００１１】図３は初期において測定ループに流れる微
小電流の経時変化を示したグラフである。比較の為、図
１に示した本発明の場合をカーブ１００で表わし、従来
の場合をカーブ２００で表わしてある。グラフから明ら
かな様に、本発明にかかる測定方法を採用した場合微小
電流は速やかに定常状態に達する一方、従来の測定方法
では定常状態に達するまで時間を要する。例えば、従来
微小電流測定までの待機時間が１秒以上であったのに対
し、本発明によれば１秒以内に短縮化する事ができる。
小電流の経時変化を示したグラフである。比較の為、図
１に示した本発明の場合をカーブ１００で表わし、従来
の場合をカーブ２００で表わしてある。グラフから明ら
かな様に、本発明にかかる測定方法を採用した場合微小
電流は速やかに定常状態に達する一方、従来の測定方法
では定常状態に達するまで時間を要する。例えば、従来
微小電流測定までの待機時間が１秒以上であったのに対
し、本発明によれば１秒以内に短縮化する事ができる。
【００１２】図４は本発明にかかる半導体素子測定方法
の第２実施例を示す模式図である。本例は四端子法を用
いて半導体素子Ｒの電圧降下量ΔＶを測定するものであ
る。図示する様に測定対象となる半導体素子Ｒには一対
のパッド電極Ｘ１，Ｙ１と他の一対のパッド電極Ｘ２，
Ｙ２が設けられている。本例では測定機本体は定電流源
６と電圧計７を備えている。ケーブル２１を介して定電
流源６に接続された一対のプローブピン１１は各々対応
するパッド電極Ｘ１，Ｙ１に接触され、一定の微小電流
Ｉを半導体素子Ｒに供給する。一方ケーブル２２を介し
て電圧計７に接続された他の一対のプローブピン１２は
夫々対応するパッド電極Ｘ２，Ｙ２に接触され、半導体
素子Ｒの端子間に生ずる電圧降下量ΔＶを測定する。こ
の際、定電流源６に接続された一方のケーブル側は接地
電位に対して正極性の電位に設定され、同じく定電流源
６に接続された他方のケーブル側は接地電位に対して負
極性の電位に設定される。従って、測定ループに加わる
電圧は一対のケーブル２１に分割化される。各ケーブル
に印加される電圧が小さくなるので誘電吸収現象の程度
が軽減され、一定の微小電流Ｉを速やかに測定対象とな
る半導体素子Ｒに供給する事ができる。これにより、電
圧降下量の測定サイクルを短縮化できる。
の第２実施例を示す模式図である。本例は四端子法を用
いて半導体素子Ｒの電圧降下量ΔＶを測定するものであ
る。図示する様に測定対象となる半導体素子Ｒには一対
のパッド電極Ｘ１，Ｙ１と他の一対のパッド電極Ｘ２，
Ｙ２が設けられている。本例では測定機本体は定電流源
６と電圧計７を備えている。ケーブル２１を介して定電
流源６に接続された一対のプローブピン１１は各々対応
するパッド電極Ｘ１，Ｙ１に接触され、一定の微小電流
Ｉを半導体素子Ｒに供給する。一方ケーブル２２を介し
て電圧計７に接続された他の一対のプローブピン１２は
夫々対応するパッド電極Ｘ２，Ｙ２に接触され、半導体
素子Ｒの端子間に生ずる電圧降下量ΔＶを測定する。こ
の際、定電流源６に接続された一方のケーブル側は接地
電位に対して正極性の電位に設定され、同じく定電流源
６に接続された他方のケーブル側は接地電位に対して負
極性の電位に設定される。従って、測定ループに加わる
電圧は一対のケーブル２１に分割化される。各ケーブル
に印加される電圧が小さくなるので誘電吸収現象の程度
が軽減され、一定の微小電流Ｉを速やかに測定対象とな
る半導体素子Ｒに供給する事ができる。これにより、電
圧降下量の測定サイクルを短縮化できる。
【００１３】図５は本発明にかかる半導体素子測定方法
の第３実施例を示す模式図である。本例は微小電流測定
に関するものであり、特に電流計の接続方法を対象にし
ている。基本的な測定ループ構成は図６に示した従来例
と類似しており、対応する部分には対応する参照番号お
よび参照符号を付して理解を容易にしている。異なる点
は、電流計４に接続された一方のケーブル２ｘ側を接地
電位に保持し、他方のケーブル２ｙ側を接地電位に対し
て負極性の電位に保持した状態で、半導体素子Ｒに流れ
る微小電流の測定を行なう事である。本例では電流計４
側のケーブル２ｘには殆ど電圧が印加されない。従っ
て、誘電吸収現象が実質的に起らず、電流計４に対して
過渡的な悪影響を及ぼす事がない。
の第３実施例を示す模式図である。本例は微小電流測定
に関するものであり、特に電流計の接続方法を対象にし
ている。基本的な測定ループ構成は図６に示した従来例
と類似しており、対応する部分には対応する参照番号お
よび参照符号を付して理解を容易にしている。異なる点
は、電流計４に接続された一方のケーブル２ｘ側を接地
電位に保持し、他方のケーブル２ｙ側を接地電位に対し
て負極性の電位に保持した状態で、半導体素子Ｒに流れ
る微小電流の測定を行なう事である。本例では電流計４
側のケーブル２ｘには殆ど電圧が印加されない。従っ
て、誘電吸収現象が実質的に起らず、電流計４に対して
過渡的な悪影響を及ぼす事がない。
【００１４】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、測
定機本体とプローブピンの間に介在するケーブルにおい
て発生する誘電吸収現象の影響を顕著に軽減する事が可
能である。この為、高速で微小電流測定が可能になると
いう効果がある。従って測定サイクルを短縮化でき、半
導体装置の生産性が向上する。又誘電吸収現象により生
ずる過渡電流を抑制できるので例えば１nA以下の微小電
流の測定精度を改善する事ができるという効果がある。
さらに、従来に比し各ケーブルには低電圧が加わる為測
定作業における安全性が向上するという効果がある。加
えて各ケーブルでの誘電吸収現象が均等に引き起される
為、全てのケーブルについて経時劣化が同程度となり管
理保守が単純になるという効果がある。又、各ケーブル
の経時劣化が同等に進行する為、経時的な測定誤差を抑
制する事ができるという効果がある。
定機本体とプローブピンの間に介在するケーブルにおい
て発生する誘電吸収現象の影響を顕著に軽減する事が可
能である。この為、高速で微小電流測定が可能になると
いう効果がある。従って測定サイクルを短縮化でき、半
導体装置の生産性が向上する。又誘電吸収現象により生
ずる過渡電流を抑制できるので例えば１nA以下の微小電
流の測定精度を改善する事ができるという効果がある。
さらに、従来に比し各ケーブルには低電圧が加わる為測
定作業における安全性が向上するという効果がある。加
えて各ケーブルでの誘電吸収現象が均等に引き起される
為、全てのケーブルについて経時劣化が同程度となり管
理保守が単純になるという効果がある。又、各ケーブル
の経時劣化が同等に進行する為、経時的な測定誤差を抑
制する事ができるという効果がある。
【図１】本発明にかかる半導体素子測定方法の第１実施
例を示す模式図である。
例を示す模式図である。
【図２】図１に示した測定系の等価回路図である。
【図３】図１に示した測定方法により計測される微小電
流の過渡変化を示すグラフである。
流の過渡変化を示すグラフである。
【図４】本発明にかかる半導体素子測定方法の第２実施
例を示す模式図である。
例を示す模式図である。
【図５】本発明にかかる半導体素子測定方法の第３実施
例を示す模式図である。
例を示す模式図である。
【図６】従来の半導体素子測定方法の一例を示す模式図
である。
である。
【図７】図６に示した測定系の等価回路図である。
１ｘ プローブピン １ｙ プローブピン ２ｘ ケーブル ２ｙ ケーブル ３ 測定機本体 ４ 電流計 ５ 定電圧源 ６ 定電流源 ７ 電圧計 Ｒ 半導体素子 Ｘ パッド電極 Ｙ パッド電極
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置基板に形成されており且つ外
部から深針可能な少なくとも一対のパッド電極を備えた
素子の電気特性を測定する方法であって、 測定機本体とケーブルで接続された一対のプローブピン
を各々対応するパッド電極に接触させ所定の電圧を印加
して微小電流を測定する際、 一方のケーブル側は接地電位に対して正極性の電位に保
持し、他方のケーブル側は接地電位に対して負極性の電
位に保持した状態で該素子に流れる微小電流の測定を行
なう事を特徴とする半導体素子測定方法。 - 【請求項２】 半導体装置基板に形成されており且つ外
部から深針可能な複数のパッド電極を備えた素子の電気
特性を測定する方法であって、 測定機本体とケーブルで接続された一対のプローブピン
を各々対応するパッド電極に接触させ一定の微小電流を
供給して素子端子間の電圧降下量を測定する際、 一方のケーブル側は接地電位に対して正極性の電位に設
定し、他方のケーブル側は接地電位に対して負極性の電
位に設定した状態で該素子に一定の微小電流を供給する
様にした事を特徴とする半導体素子測定方法。 - 【請求項３】 半導体装置基板に形成されており且つ外
部から深針可能な少なくとも一対のパッド電極を備えた
素子の電気特性を測定する方法であって、 電流計を含む測定機本体とケーブルで接続された一対の
プローブピンを各々対応するパッド電極に接触させ所定
の電圧を印加して微小電流を測定する際、 該電流計に接続された一方のケーブル側は接地電位に保
持し、他方のケーブル側は接地電位に対して負極性の電
位に保持した状態で該素子に流れる微小電流の測定を行
なう事を特徴とする半導体素子測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25262293A JP3319078B2 (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 半導体素子測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25262293A JP3319078B2 (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 半導体素子測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786344A true JPH0786344A (ja) | 1995-03-31 |
| JP3319078B2 JP3319078B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=17239926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25262293A Expired - Fee Related JP3319078B2 (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 半導体素子測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3319078B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08184646A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路 |
-
1993
- 1993-09-14 JP JP25262293A patent/JP3319078B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08184646A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3319078B2 (ja) | 2002-08-26 |
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