JP2021044323A - Wiring board and method of manufacturing wiring board - Google Patents

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康裕 川合
Yasuhiro Kawai
康裕 川合
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Abstract

To provide a method of inhibiting warp of wiring boards that enable power-supply enhancement.SOLUTION: A wiring board 1a of an embodiment comprises a core substrate 10 that has a first face 10F and a second face 10B, a first build-up layer 11 that is provided on the first face 10F and is formed by alternatively laminating a first interlayer insulation layer 111 and a first conductor layer 112, and a second build-up layer 12 that is provided on the second face 10B and is formed by alternatively laminating a second interlayer insulation layer 121 and a second conductor layer 122. In the conductor layers positioned at the identical level from the core substrate 10 of the first conductor layer 112 and the second conductor layer 122, the area of the second conductor layer 122 is formed to be larger than the area of the first conductor layer 112, and the thickness of the second conductor layer 122 is formed to be larger than the thickness of the first conductor layer 112, and the core substrate 10 includes a first insulation layer 101 on the first face 10F side, a second insulation layer 102 on the second face 10B side, and a metal layer 100 that is sandwiched between the first insulation layer 101 and the second insulation layer 102.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は配線基板及び配線基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a wiring board and a method for manufacturing a wiring board.

特許文献1には、コア基板の上下面に、第1導体層とICチップを搭載するためのパッドを含む最上の導体層とを有する上側のビルドアップ層、及び、第2導体層とマザーボードに接続するためのパッドを含む最下の導体層とを有する下側のビルドアップ層が形成されている、プリント配線基板が開示されている。第1導体層の厚みと最上の導体層の厚みとの和は、第2導体層の厚みと最下の導体層の厚みとの和より大きい。 Patent Document 1 describes an upper build-up layer having a first conductor layer and an uppermost conductor layer including a pad for mounting an IC chip on the upper and lower surfaces of a core substrate, and a second conductor layer and a motherboard. A printed wiring board is disclosed in which a lower build-up layer is formed with a bottom conductor layer including a pad for connecting. The sum of the thickness of the first conductor layer and the thickness of the uppermost conductor layer is larger than the sum of the thickness of the second conductor layer and the thickness of the lowest conductor layer.

特開2014−45019号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-45019

特許文献1のプリント配線基板では、プリント配線基板のコア基板の上側に形成されている導体層の厚みの和が、コア基板の下側に形成されている導体層の厚みの和よりも大きい。すなわち、コア基板の上側と下側とで導体層を構成する銅などの金属の存在量に差があり、プリント配線基板の温度が変化する際に、コア基板の上側と下側とでの熱膨張量の差に起因してプリント配線基板に反りが発生し得ると考えられる。 In the printed wiring board of Patent Document 1, the sum of the thicknesses of the conductor layers formed on the upper side of the core substrate of the printed wiring board is larger than the sum of the thicknesses of the conductor layers formed on the lower side of the core substrate. That is, there is a difference in the abundance of metals such as copper constituting the conductor layer between the upper side and the lower side of the core board, and when the temperature of the printed wiring board changes, the heat between the upper side and the lower side of the core board changes. It is considered that the printed wiring board may be warped due to the difference in the amount of expansion.

本発明の配線基板は、第1面及び前記第1面と反対側の第2面を有し、前記第1面を構成する第1面側導体層及び前記第2面を構成する第2面側導体層を備えるコア基板と、前記コア基板の前記第1面上に設けられて第1層間絶縁層と前記第1層間絶縁層上の第1導体層とが交互に積層されてなる第1ビルドアップ層と、前記コア基板の前記第2面上に設けられて第2層間絶縁層と前記第2層間絶縁層上の第2導体層とが交互に積層されてなる第2ビルドアップ層と、を備えている。前記第1導体層及び前記第2導体層のうちの前記コア基板から同順位に位置する導体層において、前記第2導体層の面積が前記第1導体層の面積より大きく、かつ、前記第2導体層の厚さが前記第1導体層の厚さよりも大きく形成されており、前記コア基板は、前記第1面側の第1絶縁層、前記第2面側の第2絶縁層、及び前記第1絶縁層と前記第2絶縁層とに挟まれたメタル層を含んでいる。 The wiring board of the present invention has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and has a first surface side conductor layer constituting the first surface and a second surface forming the second surface. A first structure in which a core substrate provided with a side conductor layer and a first interlayer insulating layer provided on the first surface of the core substrate and a first conductor layer on the first interlayer insulating layer are alternately laminated. A build-up layer and a second build-up layer provided on the second surface of the core substrate and in which a second interlayer insulating layer and a second conductor layer on the second interlayer insulating layer are alternately laminated. , Is equipped. In the conductor layer of the first conductor layer and the second conductor layer located in the same order as the core substrate, the area of the second conductor layer is larger than the area of the first conductor layer, and the second conductor layer. The thickness of the conductor layer is formed to be larger than the thickness of the first conductor layer, and the core substrate includes the first insulating layer on the first surface side, the second insulating layer on the second surface side, and the core substrate. It contains a metal layer sandwiched between the first insulating layer and the second insulating layer.

本発明の配線基板の製造方法は、第1面と前記第1面とは反対側の第2面とを有し、前記第1面側に形成された第1面側導体層及び前記第2面側に形成された第2面側導体層を含むコア基板を設けることと、前記コア基板の第1面上及び第2面上に、第1層間絶縁層と前記第1層間絶縁層上の第1導体層とが交互に積層されてなる第1ビルドアップ層、及び、第2層間絶縁層と前記第2層間絶縁層上の第2導体層とが交互に積層されてなる第2ビルドアップ層をそれぞれ設けることと、を含んでいる。前記第1ビルドアップ層及び前記第2ビルドアップ層を設けることは、前記コア基板から同順位に位置する前記第1導体層及び前記第2導体層において、前記第1導体層よりも前記第2導体層の面積を大きく、かつ、厚さを大きく形成することを含み、前記コア基板を設けることは、前記第1面側の第1絶縁層及び前記第2面側の第2絶縁層に挟まれるメタル層を形成することを含んでいる。 The method for manufacturing a wiring board of the present invention has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and the first surface side conductor layer formed on the first surface side and the second surface. A core substrate including a second surface side conductor layer formed on the surface side is provided, and on the first surface and the second surface of the core substrate, on the first interlayer insulating layer and the first interlayer insulating layer. A first build-up layer in which the first conductor layers are alternately laminated, and a second build-up in which the second interlayer insulating layer and the second conductor layer on the second interlayer insulating layer are alternately laminated. Includes each layer being provided. Providing the first build-up layer and the second build-up layer means that in the first conductor layer and the second conductor layer located in the same order from the core substrate, the second conductor layer is more than the first conductor layer. Including forming a large area and a large thickness of the conductor layer, providing the core substrate is sandwiched between the first insulating layer on the first surface side and the second insulating layer on the second surface side. Includes forming a metal layer to be formed.

本発明の実施形態によれば、電源強化が図られるとともに、反りが抑制される、信頼性の高い配線基板が提供され得る。 According to the embodiment of the present invention, it is possible to provide a highly reliable wiring board in which the power supply is strengthened and the warp is suppressed.

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a wiring board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing another example of the wiring board according to the embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の配線基板のさらに他の例を示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing still another example of the wiring board according to the embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。The figure which shows an example of the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。The figure which shows an example of the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。The figure which shows an example of the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。The figure which shows an example of the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。The figure which shows an example of the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment of this invention.

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図1には、一実施形態の配線基板の一例である第1面1Fと第1面1Fとは反対側の第2面1Bとを有する配線基板1の断面図が示されている。配線基板1は、図1に示されるように第1面10Fと第1面10Fとは反対側の第2面10Bとを有するコア基板10と、コア基板10の第1面10F上の第1ビルドアップ層11と、コア基板10の第2面10B上の第2ビルドアップ層12とを含んでいる。図1の例では、2つのビルドアップ層(第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12)は、互いに同数の導体層及び絶縁層を含んでいる。 A wiring board according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a cross-sectional view of a wiring board 1 having a first surface 1F and a second surface 1B on the opposite side of the first surface 1F, which is an example of the wiring board of one embodiment. As shown in FIG. 1, the wiring board 1 includes a core substrate 10 having a first surface 10F and a second surface 10B opposite to the first surface 10F, and a first surface 10F on the first surface 10F of the core substrate 10. It includes a build-up layer 11 and a second build-up layer 12 on the second surface 10B of the core substrate 10. In the example of FIG. 1, the two build-up layers (first build-up layer 11 and second build-up layer 12) include the same number of conductor layers and insulating layers as each other.

第1ビルドアップ層11は、第1層間絶縁層111と第1層間絶縁層111上の第1導体層112とが交互に積層されて形成されている。図1の例では、第1ビルドアップ層11は、3つの第1導体層112及び3つの第1層間絶縁層111を含んでいる。第2ビルドアップ層12は、第2層間絶縁層121と第2層間絶縁層121上の第2導体層122とが交互に積層されて形成されている。図1の例では、第2ビルドアップ層12は、3つの第2導体層122及び3つの第2層間絶縁層121を含んでいる。なお、第1及び第2ビルドアップ層内の導体層及び層間絶縁層の数はそれぞれ3つに限定されず、任意の数の、例えば2以下の、又は、4もしくはそれ以上の数の導体層及び層間絶縁層が設けられてもよい。 The first build-up layer 11 is formed by alternately laminating the first interlayer insulating layer 111 and the first conductor layer 112 on the first interlayer insulating layer 111. In the example of FIG. 1, the first build-up layer 11 includes three first conductor layers 112 and three first interlayer insulating layers 111. The second build-up layer 12 is formed by alternately laminating a second interlayer insulating layer 121 and a second conductor layer 122 on the second interlayer insulating layer 121. In the example of FIG. 1, the second build-up layer 12 includes three second conductor layers 122 and three second interlayer insulating layers 121. The number of conductor layers and interlayer insulating layers in the first and second build-up layers is not limited to three, and any number, for example, two or less, or four or more conductor layers, is not limited to three. And an interlayer insulating layer may be provided.

コア基板10は、第1絶縁層101、第2絶縁層102、及び第1絶縁層101と第2絶縁層102とに挟まれたメタル層100を含んでいる。第1絶縁層101の上(メタル層100と反対側)、すなわちコア基板10の第1面10F側には、第1面側導体層103が形成され、第2絶縁層102の上(メタル層100と反対側)、すなわちコア基板10の第2面10B側には、第2面側導体層104が形成されている。コア基板10には、第1絶縁層101、メタル層100、及び第2絶縁層102を貫通するスルーホール用貫通孔105が形成されており、スルーホール用貫通孔105を導電体で埋めることによって第1面側導体層103と第2面側導体層104とを接続するスルーホール導体106が形成されている。 The core substrate 10 includes a first insulating layer 101, a second insulating layer 102, and a metal layer 100 sandwiched between the first insulating layer 101 and the second insulating layer 102. The first surface side conductor layer 103 is formed on the first insulating layer 101 (opposite to the metal layer 100), that is, on the first surface 10F side of the core substrate 10, and above the second insulating layer 102 (metal layer). The second surface side conductor layer 104 is formed on the side opposite to 100), that is, on the second surface 10B side of the core substrate 10. The core substrate 10 is formed with through-hole through-holes 105 that penetrate the first insulating layer 101, the metal layer 100, and the second insulating layer 102, and the through-hole through-holes 105 are filled with a conductor. A through-hole conductor 106 that connects the first surface side conductor layer 103 and the second surface side conductor layer 104 is formed.

なお、本実施形態の配線基板の説明では、配線基板の厚さ方向においてコア基板10の厚さ方向における中心から遠い側は「上側」、「外側」、又は単に「上」とも称され、コア基板10に近い側は「下側」、又は単に「下」とも称される。 In the description of the wiring board of the present embodiment, the side far from the center in the thickness direction of the core board 10 in the thickness direction of the wiring board is also referred to as "upper side", "outer side", or simply "upper", and the core. The side closer to the substrate 10 is also referred to as "lower side" or simply "lower side".

コア基板10に含まれるメタル層100は、例えば、銅又はアルミニウム等の金属の、比較的肉厚な金属板を用いて、第1絶縁層101及び第2絶縁層102の支持体として形成される。コア基板10がメタル層100を含んでいることで、配線基板1の放熱性及び強度が向上し得る。メタル層100には、スルーホール導体106が形成される位置に対応した開口が形成されており、これらの開口には第1絶縁層101及び第2絶縁層102から浸み出した樹脂が充填されている。詳しくは後述するように、コア基板10がメタル層100を有することで、配線基板1に生じ得る反りが抑制され得る。 The metal layer 100 included in the core substrate 10 is formed as a support for the first insulating layer 101 and the second insulating layer 102 by using a relatively thick metal plate of a metal such as copper or aluminum, for example. .. Since the core substrate 10 includes the metal layer 100, the heat dissipation and strength of the wiring board 1 can be improved. The metal layer 100 is formed with openings corresponding to the positions where the through-hole conductor 106 is formed, and these openings are filled with the resin exuded from the first insulating layer 101 and the second insulating layer 102. ing. As will be described in detail later, when the core substrate 10 has the metal layer 100, the warp that may occur in the wiring substrate 1 can be suppressed.

各導体層(第1面側導体層103、第2面側導体層104、第1導体層112、及び第2導体層122)には、それぞれ、所望の導体パターンが形成されている。図1の例において、第1面側導体層103及び第2面側導体層104は、金属箔層、無電解めっき膜層、電解めっき膜層の3層で形成されている。第1導体層112及び第2導体層122は、無電解めっき膜層、電解めっき膜層の2層で形成されている。しかし、各導体層のそれぞれを形成する層の数は図1の例に限定されず、例えば、第1導体層112や第2導体層122が、3層で形成されていてもよい。各導体層は、例えば、銅、ニッケルなどの任意の金属を単独で又は組み合わせて用いて形成され得る。 A desired conductor pattern is formed in each of the conductor layers (first surface side conductor layer 103, second surface side conductor layer 104, first conductor layer 112, and second conductor layer 122). In the example of FIG. 1, the first surface side conductor layer 103 and the second surface side conductor layer 104 are formed of three layers: a metal foil layer, an electroless plating film layer, and an electroplating film layer. The first conductor layer 112 and the second conductor layer 122 are formed of two layers, an electroless plating film layer and an electrolytic plating film layer. However, the number of layers forming each of the conductor layers is not limited to the example of FIG. 1, and for example, the first conductor layer 112 and the second conductor layer 122 may be formed of three layers. Each conductor layer can be formed, for example, by using any metal such as copper, nickel, etc. alone or in combination.

第1絶縁層101、第2絶縁層102、第1層間絶縁層111、及び第2層間絶縁層121は、任意の絶縁性材料を用いて形成される。絶縁性材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)又はフェノール樹脂などの樹脂材料が例示される。これらの樹脂材料を用いて形成される各絶縁層は、ガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材、及び/又は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。図1に示される例では、第1絶縁層101及び第2絶縁層102は補強材を含んでおり、その他の絶縁層は補強材を含んでいない。図1の例のように、各ビルドアップ層が複数の層間絶縁層を含んでいる場合、各ビルドアップ層内の各層間絶縁層は、各層間絶縁層同士を良好に密着させる観点から、同一の樹脂材料を用いて形成され得る。各層間絶縁層間の剥離が防止される場合がある。また、例えば、全ての層間絶縁層、すなわち第1ビルドアップ層11内の第1層間絶縁層111と第2ビルドアップ層12内の第2層間絶縁層121とが、同一の絶縁性の樹脂材料を用いて形成されてもよい。しかし、互いに異なる樹脂材料が用いられてもよい。 The first insulating layer 101, the second insulating layer 102, the first interlayer insulating layer 111, and the second interlayer insulating layer 121 are formed by using an arbitrary insulating material. Examples of the insulating material include resin materials such as epoxy resin, bismaleimide triazine resin (BT resin), and phenol resin. Each insulating layer formed using these resin materials may contain a reinforcing material such as glass fiber or aramid fiber and / or an inorganic filler such as silica. In the example shown in FIG. 1, the first insulating layer 101 and the second insulating layer 102 include a reinforcing material, and the other insulating layers do not contain a reinforcing material. When each build-up layer contains a plurality of interlayer insulating layers as in the example of FIG. 1, each interlayer insulating layer in each build-up layer is the same from the viewpoint of good adhesion between the interlayer insulating layers. Can be formed using the resin material of. In some cases, peeling between the insulating layers may be prevented. Further, for example, all the interlayer insulating layers, that is, the first interlayer insulating layer 111 in the first build-up layer 11 and the second interlayer insulating layer 121 in the second build-up layer 12 are made of the same insulating resin material. May be formed using. However, different resin materials may be used.

各層間絶縁層は、第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12においてそれぞれの層間絶縁層の両面に形成されている導体層同士を接続する、第1及び第2ビア導体113、123を含んでいる。第1層間絶縁層111は、第1ビア導体113を含み、第2層間絶縁層121は、第2ビア導体123を含んでいる。第1及び第2ビア導体113、123は、各層間絶縁層それぞれを貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成される所謂フィルドビアである。第1及び第2ビア導体113、123は、それぞれの上側(コア基板10と反対側)の導体層と一体的に形成されている。従って、第1及び第2ビア導体113、123と第1導体層111及び第2導体層122とは、同一の、例えば銅又はニッケルなどからなるめっき膜(無電解めっき膜及び電解めっき膜)によって形成されている。 Each interlayer insulating layer connects the conductor layers formed on both sides of the interlayer insulating layers in the first build-up layer 11 and the second build-up layer 12, and the first and second via conductors 113 and 123. Includes. The first interlayer insulating layer 111 includes a first via conductor 113, and the second interlayer insulating layer 121 includes a second via conductor 123. The first and second via conductors 113 and 123 are so-called filled vias formed by filling through holes penetrating each interlayer insulating layer with a conductor. The first and second via conductors 113 and 123 are integrally formed with the conductor layer on the upper side (opposite side of the core substrate 10) of each. Therefore, the first and second via conductors 113 and 123 and the first conductor layer 111 and the second conductor layer 122 are made of the same plating film (electroless plating film and electrolytic plating film) made of, for example, copper or nickel. It is formed.

図1に示される例では、コア基板10の両側の表面(第1面10F及び第2面10B)から、コア基板10の厚さ方向の中央部に向って縮径するテーパー形状を有するスルーホール導体106が形成され、第1面側導体層103と第2面側導体層104を接続している。スルーホール導体106は長さ方向において径の大きさが略同一に形成されてもよく、あるいは、片方の面から他方の面に向って(例えば、第1面10Fから第2面10Bに向って)縮径するテーパー形状を有してもよい。第1絶縁層101及び第2絶縁層102を貫通して形成されているスルーホール導体106は、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。 In the example shown in FIG. 1, a through hole having a tapered shape that reduces the diameter from the surfaces (first surface 10F and second surface 10B) on both sides of the core substrate 10 toward the central portion in the thickness direction of the core substrate 10. A conductor 106 is formed, and connects the first surface side conductor layer 103 and the second surface side conductor layer 104. The through-hole conductor 106 may be formed to have substantially the same diameter in the length direction, or may be formed from one surface toward the other surface (for example, from the first surface 10F to the second surface 10B). ) It may have a tapered shape that reduces the diameter. The through-hole conductor 106 formed through the first insulating layer 101 and the second insulating layer 102 is formed of an electroless plating film and an electrolytic plating film made of copper, nickel, or the like.

図1の例の配線基板1は、さらに、第1ビルドアップ層11上に形成されている第1ソルダーレジスト層13、及び、第2ビルドアップ層12上に形成されている第2ソルダーレジスト層14を含んでいる。第1ソルダーレジスト層13は最上層(コア基板10から最も遠い層)の第1導体層112を覆っており、第2ソルダーレジスト層14は最上層(コア基板10から最も遠い層)の第2導体層122を覆っている。第1及び第2ソルダーレジスト層13、14は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成される。 The wiring board 1 of the example of FIG. 1 further has a first solder resist layer 13 formed on the first build-up layer 11 and a second solder resist layer formed on the second build-up layer 12. Contains 14. The first solder resist layer 13 covers the first conductor layer 112 of the uppermost layer (the layer farthest from the core substrate 10), and the second solder resist layer 14 is the second layer of the uppermost layer (the layer farthest from the core substrate 10). It covers the conductor layer 122. The first and second solder resist layers 13 and 14 are formed by using, for example, an epoxy resin or a polyimide resin.

配線基板1の第1面1F上には、例えば半導体素子などの電子部品(図示せず)が実装され得る。配線基板1の第1ビルドアップ層11の最も外側の第1導体層112は、このような電子部品の端子に電気的に接続されるための複数の接続パッド112aを含んでいる。ソルダーレジスト層13は、接続パッド112aを露出させる開口を有している。一方、配線基板1の第2面1Bは、例えばマザーボードなどの外部の電気回路基板に接続され得る。配線基板1の第2ビルドアップ層12の最も外側の第2導体層122は、このような外部の基板の端子に電気的に接続されるための複数の接続パッド122aを含んでいる。ソルダーレジスト層14は、接続パッド122aを露出させる開口を有している。 Electronic components (not shown) such as semiconductor elements can be mounted on the first surface 1F of the wiring board 1. The outermost first conductor layer 112 of the first build-up layer 11 of the wiring board 1 includes a plurality of connection pads 112a for being electrically connected to the terminals of such electronic components. The solder resist layer 13 has an opening for exposing the connection pad 112a. On the other hand, the second surface 1B of the wiring board 1 can be connected to an external electric circuit board such as a motherboard. The outermost second conductor layer 122 of the second build-up layer 12 of the wiring board 1 includes a plurality of connection pads 122a for being electrically connected to the terminals of such an external board. The solder resist layer 14 has an opening that exposes the connection pad 122a.

配線基板1では、コア基板10の第1面10F側の第1ビルドアップ層11内の第1導体層112の面積(ここで、導体層の面積とは、導体層における導体の占有面積を意味する)とコア基板10の第2面10B側の第2ビルドアップ層12内の第2導体層122の面積とが異なる(以下、各導体層の材料が銅に限定されるわけではないが、配線基板1の面積に対する各導体層内の導体パターンの全面積の割合は、残銅率と称される)。図1に示される例では、コア基板10から同順位に位置する導体層において、第2面10B側の導体層の残銅率、すなわち第2導体層122の残銅率は、第1面10F側の導体層の残銅率、すなわち第1導体層112の残銅率よりも大きい。例えば、第2導体層122の残銅率が68%で、第1導体層112の残銅率が57%となっている。ここで「コア基板10から同順位に位置する導体層」は、コア基板10から配線基板1の第1面1F側又は第2面1B側に向かって各ビルドアップ層内の導体層に順序をつけた場合にそれぞれ同じ順位となる導体層同士を意味する。 In the wiring board 1, the area of the first conductor layer 112 in the first build-up layer 11 on the first surface 10F side of the core substrate 10 (here, the area of the conductor layer means the occupied area of the conductor in the conductor layer). The area of the second conductor layer 122 in the second build-up layer 12 on the second surface 10B side of the core substrate 10 is different (hereinafter, the material of each conductor layer is not limited to copper, but The ratio of the total area of the conductor pattern in each conductor layer to the area of the wiring board 1 is called the residual copper ratio). In the example shown in FIG. 1, in the conductor layers located in the same order from the core substrate 10, the residual copper ratio of the conductor layer on the second surface 10B side, that is, the residual copper ratio of the second conductor layer 122 is the first surface 10F. It is larger than the residual copper ratio of the conductor layer on the side, that is, the residual copper ratio of the first conductor layer 112. For example, the residual copper ratio of the second conductor layer 122 is 68%, and the residual copper ratio of the first conductor layer 112 is 57%. Here, the "conductor layers located in the same order from the core substrate 10" are ordered from the core substrate 10 to the conductor layers in each build-up layer from the first surface 1F side or the second surface 1B side of the wiring board 1. It means conductor layers that have the same order when attached.

図1に示される例では、さらに、コア基板10から同順位に位置する第1導体層112及び第2導体層122では、第2導体層122の厚さが第1導体層112の厚さより厚くなるように形成されている。例えば、第2ビルドアップ層12のうち最もコア基板10側に近接して第2層間絶縁層121上に積層されている第2導体層122の厚さは、第1ビルドアップ層11のうち最もコア基板10側に近接して第1層間絶縁層111上に積層されている第1導体層112の厚さよりも厚い。また、第2ビルドアップ層12の最も外側の第2導体層122の厚さは、第1ビルドアップ層11の最も外側の第1導体層112の厚さよりも厚い。例えば、第2導体層122の厚さが25μmで、第1導体層112の厚さが15μmとなっている。従って、配線基板1の第2面1B側における電流許容量が増加され得る。第2面1B側における電源ラインの電圧降下及び発熱が抑制され得る。従って、配線基板1の第1ビルドアップ層11内の導体パターンをファインピッチで形成しつつ、配線基板1の第2面1Bでの電源強化が図られると考えられる。 In the example shown in FIG. 1, in the first conductor layer 112 and the second conductor layer 122 located in the same order from the core substrate 10, the thickness of the second conductor layer 122 is thicker than the thickness of the first conductor layer 112. It is formed to be. For example, the thickness of the second conductor layer 122 laminated on the second interlayer insulating layer 121 closest to the core substrate 10 side of the second build-up layer 12 is the largest among the first build-up layers 11. It is thicker than the thickness of the first conductor layer 112 laminated on the first interlayer insulating layer 111 close to the core substrate 10 side. Further, the thickness of the outermost second conductor layer 122 of the second build-up layer 12 is thicker than the thickness of the outermost first conductor layer 112 of the first build-up layer 11. For example, the thickness of the second conductor layer 122 is 25 μm, and the thickness of the first conductor layer 112 is 15 μm. Therefore, the current allowable amount on the second surface 1B side of the wiring board 1 can be increased. The voltage drop and heat generation of the power supply line on the second surface 1B side can be suppressed. Therefore, it is considered that the power supply on the second surface 1B of the wiring board 1 can be strengthened while forming the conductor pattern in the first build-up layer 11 of the wiring board 1 at a fine pitch.

上述の第2ビルドアップ層12の第2導体層122と、第1ビルドアップ層11の第1導体層112との残銅率及び厚さの差は、すなわち第1ビルドアップ層11と第2ビルドアップ層12とにおける導体の存在量の差(体積差)となる。この体積差により、例えば、はんだリフロー等の温度変化の際に、第1ビルドアップ層11の熱膨張量と第2ビルドアップ層12の熱膨張量とに差異が生じることになる。この熱膨張量の差異は、配線基板1の反り(例えば、第2面1Bに向かって凸となる反り)を発生させ得る。この第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12での熱膨張量の差異に起因して配線基板1に生じる反りの程度は、配線基板1の構成要素の剛性、特に配線基板1の厚さ方向における中心部を構成するコア基板10の剛性によって変化し得る。本実施形態においては、比較的曲げ剛性の高いメタル層100をコア基板10に含んでいるため、発生する反りは抑制され得る。 The difference in the residual copper ratio and the thickness between the second conductor layer 122 of the second build-up layer 12 and the first conductor layer 112 of the first build-up layer 11 is that is, the first build-up layer 11 and the second. This is the difference (volume difference) in the abundance of conductors from the build-up layer 12. Due to this volume difference, for example, when the temperature changes such as solder reflow, the amount of thermal expansion of the first build-up layer 11 and the amount of thermal expansion of the second build-up layer 12 are different. This difference in the amount of thermal expansion may cause a warp of the wiring board 1 (for example, a warp that becomes convex toward the second surface 1B). The degree of warpage that occurs in the wiring board 1 due to the difference in the amount of thermal expansion between the first build-up layer 11 and the second build-up layer 12 is the rigidity of the components of the wiring board 1, particularly the thickness of the wiring board 1. It may change depending on the rigidity of the core substrate 10 forming the central portion in the longitudinal direction. In the present embodiment, since the core substrate 10 contains the metal layer 100 having a relatively high bending rigidity, the generated warpage can be suppressed.

第1ビルドアップ層11中の各第1導体層112のそれぞれの厚さは、等しくてもよく、また、異なっていてもよい。例えば、第1導体層112のそれぞれの厚さは、5μm以上であって、20μm以下である。また、第2ビルドアップ層12中の各第2導体層122のそれぞれの厚さは、等しくてもよく、また、異なっていてもよい。例えば、第2導体層122それぞれの厚さは、15μm以上であって、30μm以下である。上述のコア基板10に含まれるメタル層100は、第2導体層122の厚さよりも厚く、具体的には、第2導体層122それぞれの厚さが異なる場合には最も厚い第2導体層122よりも厚く形成され、例えば30μm以上であって、100μm以下の厚さを有し得る。 The thickness of each of the first conductor layers 112 in the first build-up layer 11 may be equal or different. For example, the thickness of each of the first conductor layers 112 is 5 μm or more and 20 μm or less. Further, the thickness of each of the second conductor layers 122 in the second build-up layer 12 may be equal or different. For example, the thickness of each of the second conductor layers 122 is 15 μm or more and 30 μm or less. The metal layer 100 included in the core substrate 10 described above is thicker than the thickness of the second conductor layer 122, and specifically, the thickest second conductor layer 122 when the thickness of each of the second conductor layers 122 is different. It can be formed thicker than, for example, 30 μm or more, and can have a thickness of 100 μm or less.

コア基板10の第1面側導体層103及び第2面側導体層104それぞれの厚さは、例えば、10μm以上であって、40μm以下である。図1の例では、第1面側導体層103の厚さと第2面側導体層104の厚さとは略等しい。しかしながら、第1面側導体層103の厚さと第2面側導体層104の厚さとは、異なっていてもよい。第1面側導体層103の厚さが第2面側導体層104の厚さよりも大きく形成されていることによって、上述した、第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12での熱膨張量の差異に起因する配線基板1の反りを低減できることがある。第1ビルドアップ層11と第2ビルドアップ層12とでの導体の存在量の差、すなわち、配線基板1における第1面1F側と第2面1B側とにおける導体の存在量の差を、第1面側導体層103の厚さを第2面側導体層104の厚さよりも大きくすることで補うことができる。これにより、配線基板1の反りを抑制することが可能となる。 The thickness of each of the first surface side conductor layer 103 and the second surface side conductor layer 104 of the core substrate 10 is, for example, 10 μm or more and 40 μm or less. In the example of FIG. 1, the thickness of the first surface side conductor layer 103 and the thickness of the second surface side conductor layer 104 are substantially equal to each other. However, the thickness of the first surface side conductor layer 103 and the thickness of the second surface side conductor layer 104 may be different. Since the thickness of the first surface side conductor layer 103 is formed to be larger than the thickness of the second surface side conductor layer 104, thermal expansion in the first build-up layer 11 and the second build-up layer 12 described above is performed. It may be possible to reduce the warp of the wiring board 1 due to the difference in amount. The difference in the abundance of conductors between the first build-up layer 11 and the second build-up layer 12, that is, the difference in the abundance of conductors between the first surface 1F side and the second surface 1B side of the wiring board 1. It can be supplemented by making the thickness of the first surface side conductor layer 103 larger than the thickness of the second surface side conductor layer 104. This makes it possible to suppress the warp of the wiring board 1.

図1に示されている例では、コア基板10から同順位に位置する第1導体層112及び第2導体層122で、第2導体層122の面積が第1導体層112の面積より大きく、かつ、第2導体層122の厚さが第1導体層112の厚さより厚い。しかしながら、全ての第2導体層122の面積が、対応する第1導体層112の面積のそれぞれより大きく、全ての第2導体層122の厚さが、対応する第1導体層112の厚さのそれぞれより厚い必要はない。一部の第2導体層122の面積及び厚さが対応する第1導体層112の面積及び厚さよりも大きく形成されていればよい。 In the example shown in FIG. 1, in the first conductor layer 112 and the second conductor layer 122 located in the same order from the core substrate 10, the area of the second conductor layer 122 is larger than the area of the first conductor layer 112. Moreover, the thickness of the second conductor layer 122 is thicker than the thickness of the first conductor layer 112. However, the area of all the second conductor layers 122 is larger than the area of each of the corresponding first conductor layers 112, and the thickness of all the second conductor layers 122 is the thickness of the corresponding first conductor layer 112. It doesn't have to be thicker than each. It is sufficient that the area and thickness of a part of the second conductor layer 122 is formed larger than the area and thickness of the corresponding first conductor layer 112.

第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12内の各層間絶縁層(第1層間絶縁層111、第2層間絶縁層121)それぞれの厚さは、例えば、15μm以上、60μm以下である。第1ビルドアップ層11内の第1層間絶縁層111はそれぞれ、同じ厚さで形成されていてもよく、また異なる厚さで形成されていてもよい。同様に、第2ビルドアップ層12内の第2層間絶縁層121のそれぞれも、同じ厚さで形成されていてもよく、また異なる厚さで形成されていてもよい。例えば、コア基板10から同順位に位置する第1層間絶縁層111及び第2層間絶縁層121において、第2層間絶縁層121の厚さが第1層間絶縁層111の厚さより厚くなるように形成されてもよい。なお、ここでコア基板10から同順位に位置する層間絶縁層とは、コア基板10から配線基板1の第1面1F側又は第2面1B側に向かって各ビルドアップ層内の層間絶縁層に順序をつけた場合にそれぞれ同じ順位となる層間絶縁層同士を意味する。 The thickness of each of the interlayer insulating layers (first interlayer insulating layer 111 and second interlayer insulating layer 121) in the first build-up layer 11 and the second build-up layer 12 is, for example, 15 μm or more and 60 μm or less. The first interlayer insulating layers 111 in the first build-up layer 11 may be formed to have the same thickness or may be formed to have different thicknesses. Similarly, each of the second interlayer insulating layers 121 in the second build-up layer 12 may be formed with the same thickness or may be formed with different thicknesses. For example, in the first interlayer insulating layer 111 and the second interlayer insulating layer 121 located in the same order from the core substrate 10, the thickness of the second interlayer insulating layer 121 is formed to be thicker than the thickness of the first interlayer insulating layer 111. May be done. Here, the interlayer insulating layers located in the same order from the core substrate 10 are the interlayer insulating layers in each build-up layer from the core substrate 10 toward the first surface 1F side or the second surface 1B side of the wiring board 1. Means the interlayer insulating layers having the same order when ordered.

図1に示される例においては、コア基板10の第1絶縁層101及び第2絶縁層102は略同じ厚さを有しており、メタル層100はコア基板10の厚さ方向における中心部に配置されている。すなわち、コア基板10の厚さ方向における中心と、メタル層100の厚さ方向における中心は略一致している。従って、配線基板1の厚さ方向の中心とメタル層100の厚さ方向における中心も略一致している。図1に示される例において、第1絶縁層101及び第2絶縁層102の厚さは、例えば70μm以上、90μm以下であり得る。しかし、第1絶縁層101の厚さと第2絶縁層102の厚さとは異なってもよい。メタル層100の厚さ方向における中心はコア基板10の厚さ方向における中心、すなわち配線基板1の厚さ方向の中心と一致せず、第1面10F又は第2面10B側に偏る構成とされてもよい。前述の配線基板1の反りが、より効果的に抑制されることがある。配線基板1の反りの抑制の観点から、第2絶縁層102の厚さを第1絶縁層101の厚さよりも大きくした例が、図2を参照して以下に説明される。 In the example shown in FIG. 1, the first insulating layer 101 and the second insulating layer 102 of the core substrate 10 have substantially the same thickness, and the metal layer 100 is located at the center of the core substrate 10 in the thickness direction. Have been placed. That is, the center of the core substrate 10 in the thickness direction and the center of the metal layer 100 in the thickness direction substantially coincide with each other. Therefore, the center of the wiring board 1 in the thickness direction and the center of the metal layer 100 in the thickness direction are substantially the same. In the example shown in FIG. 1, the thickness of the first insulating layer 101 and the second insulating layer 102 can be, for example, 70 μm or more and 90 μm or less. However, the thickness of the first insulating layer 101 and the thickness of the second insulating layer 102 may be different. The center in the thickness direction of the metal layer 100 does not coincide with the center in the thickness direction of the core substrate 10, that is, the center in the thickness direction of the wiring board 1, and is biased toward the first surface 10F or the second surface 10B. You may. The warpage of the wiring board 1 described above may be suppressed more effectively. An example in which the thickness of the second insulating layer 102 is made larger than the thickness of the first insulating layer 101 from the viewpoint of suppressing the warp of the wiring board 1 will be described below with reference to FIG.

図2に示されている配線基板1aは、コア基板10に含まれるメタル層100が第1面10F寄りに設けられている点で図1に示されている配線基板1と異なり、その他の構成は配線基板1と同様である。すなわち、コア基板10における第1面10F側の第1絶縁層101の厚さが、第2面10B側の第2絶縁層102の厚さよりも小さく形成されている。このようにメタル層100をコア基板10の厚さ方向における中心から第1面10F側寄りに配置する構成とすることによって、コア基板10の厚さ方向における中心から第1面10F側と第2面10B側とにおける導体の存在量の差異を補い得る。すなわち、メタル層100は、第1ビルドアップ層11と第2ビルドアップ層12とでの熱膨張量の差に起因する反りを、その剛性により抑制することに加えて、熱膨張量の差を補うことでさらに効果的に反りを抑制し得る。 The wiring board 1a shown in FIG. 2 is different from the wiring board 1 shown in FIG. 1 in that the metal layer 100 included in the core board 10 is provided closer to the first surface 10F, and has other configurations. Is the same as that of the wiring board 1. That is, the thickness of the first insulating layer 101 on the first surface 10F side of the core substrate 10 is formed to be smaller than the thickness of the second insulating layer 102 on the second surface 10B side. By arranging the metal layer 100 closer to the first surface 10F side from the center in the thickness direction of the core substrate 10 in this way, the first surface 10F side and the second surface from the center in the thickness direction of the core substrate 10 are arranged. The difference in the abundance of the conductor on the surface 10B side can be compensated. That is, the metal layer 100 suppresses the warpage caused by the difference in the amount of thermal expansion between the first build-up layer 11 and the second build-up layer 12 by its rigidity, and also suppresses the difference in the amount of thermal expansion. Warpage can be suppressed more effectively by supplementing.

第1絶縁層101の厚さは、例えば、20μm以上、40μm以下、第2絶縁層102の厚さは、例えば、40μm以上、100μm以下に形成され得る。第1絶縁層101及び第2絶縁層102の厚さは、第1面10F側と第2面側10B側との導体の存在量の差に基づき、適切に調整され得る。すなわち、コア基板10の中心から第1面10F側と第2面10B側とにおける導体の存在量の差を補うことができるように、コア基板10の厚さ方向における中心からのメタル層100の中心のずれの程度が調整され得る。なお、図2に示される配線基板1aにおいては、第1絶縁層101及び第2絶縁層102の厚さが異なる以外は図1に示される配線基板1と同様の構成を有しており、その構成についての具体的な説明は省略される。 The thickness of the first insulating layer 101 may be formed to be, for example, 20 μm or more and 40 μm or less, and the thickness of the second insulating layer 102 may be formed to be, for example, 40 μm or more and 100 μm or less. The thicknesses of the first insulating layer 101 and the second insulating layer 102 can be appropriately adjusted based on the difference in the abundance of conductors between the first surface 10F side and the second surface side 10B side. That is, the metal layer 100 from the center in the thickness direction of the core substrate 10 can compensate for the difference in the abundance of conductors between the first surface 10F side and the second surface 10B side from the center of the core substrate 10. The degree of center deviation can be adjusted. The wiring board 1a shown in FIG. 2 has the same configuration as the wiring board 1 shown in FIG. 1 except that the thicknesses of the first insulating layer 101 and the second insulating layer 102 are different. A specific description of the configuration is omitted.

図3には、図1に示される配線基板1に対して、スルーホール導体106の形状が異なる例が、配線基板1bとして示されている。第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12での熱膨張量の差異に起因する配線基板の反りの程度を低減する観点から、配線基板に形成されるスルーホール導体106の形状は適宜選択され得る。例えば、図3に配線基板1bとして示されるように、第1面10Fから第2面10Bに向かって縮径する形状のスルーホール導体106が形成されることで、配線基板における第1ビルドアップ層11と第2ビルドアップ層12との導体の存在量の差が補われ得る。 FIG. 3 shows an example in which the shape of the through-hole conductor 106 is different from that of the wiring board 1 shown in FIG. 1 as the wiring board 1b. The shape of the through-hole conductor 106 formed on the wiring board is appropriately selected from the viewpoint of reducing the degree of warpage of the wiring board due to the difference in the amount of thermal expansion between the first build-up layer 11 and the second build-up layer 12. Can be done. For example, as shown as a wiring board 1b in FIG. 3, a through-hole conductor 106 having a shape in which the diameter is reduced from the first surface 10F to the second surface 10B is formed, so that the first build-up layer in the wiring board is formed. The difference in the abundance of conductors between 11 and the second build-up layer 12 can be compensated.

つぎに、図1に示される配線基板1を例に、一実施形態の配線基板の製造方法が、図4A〜図4Eを参照して以下に説明される。先ず、所定の厚さの例えば銅又はアルミニウムからなる金属板が裁断され、所定の位置に必要な穴をあけたメタル板100Pが用意される。メタル板100Pの表面には、樹脂の密着性をよくするために粗化処理が施され得る。 Next, using the wiring board 1 shown in FIG. 1 as an example, a method for manufacturing the wiring board of one embodiment will be described below with reference to FIGS. 4A to 4E. First, a metal plate having a predetermined thickness, for example, copper or aluminum, is cut, and a metal plate 100P having necessary holes at a predetermined position is prepared. The surface of the metal plate 100P may be roughened in order to improve the adhesion of the resin.

続いて、図4Aに示されるように、メタル板100Pの両面に、例えばエポキシ樹脂等を含浸させた芯材を有する第1プリプレグ101P及び第2プリプレグ102Pが配置される。さらに、第1プリプレグ101Pの上に例えば銅箔である金属箔103P、第2プリプレグ102Pの上に例えば銅箔である金属箔104Pが積層され、加熱プレスによって一体化される。この一体化によって第1及び第2プリプレグ101P、102Pに含まれる樹脂はメタル板100Pに形成された穴に充填される。一体化により図4Bに示される、メタル板100Pからなるメタル層100が、プリプレグ101P、102Pが硬化してなる第1絶縁層101、及び第2絶縁層102に挟まれた出発基板10Pが得られる。 Subsequently, as shown in FIG. 4A, the first prepreg 101P and the second prepreg 102P having a core material impregnated with, for example, an epoxy resin are arranged on both sides of the metal plate 100P. Further, for example, a metal foil 103P which is a copper foil is laminated on the first prepreg 101P, and a metal foil 104P which is a copper foil, for example, is laminated on the second prepreg 102P, and they are integrated by a heating press. By this integration, the resin contained in the first and second prepregs 101P and 102P is filled in the holes formed in the metal plate 100P. By integration, the metal layer 100 made of the metal plate 100P shown in FIG. 4B is sandwiched between the first insulating layer 101 and the second insulating layer 102 obtained by curing the prepregs 101P and 102P, and the starting substrate 10P is obtained. ..

図4Aにおける第1プリプレグ101Pの厚さは第2プリプレグ102Pの厚さと略等しく、図4Bに示される出発基板10Pにおいては、第1絶縁層101の厚さは第2絶縁層102の厚さと略等しい。すなわち、メタル層100は出発基板10Pにおける厚さ方向の中心に形成されている。なお、図2に示される配線基板1aが製造される場合には、異なる厚さを有する第1及び第2プリプレグ101P、102Pが用いられ、第1プリプレグ101Pには第2プリプレグ102Pよりも厚さの小さいものが用いられる。 The thickness of the first prepreg 101P in FIG. 4A is substantially equal to the thickness of the second prepreg 102P, and in the starting substrate 10P shown in FIG. 4B, the thickness of the first insulating layer 101 is substantially equal to the thickness of the second insulating layer 102. equal. That is, the metal layer 100 is formed at the center of the starting substrate 10P in the thickness direction. When the wiring board 1a shown in FIG. 2 is manufactured, the first and second prepregs 101P and 102P having different thicknesses are used, and the first prepreg 101P is thicker than the second prepreg 102P. The smaller one is used.

続いて図4Cに示されるように、スルーホール用貫通孔105が、炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成され、例えばサブトラクティブ法を用いて、銅箔、銅の無電解めっき膜、及び電解めっき膜を含んでいて所望の導体パターンを有する第1面側導体層103及び第2面側導体層104がそれぞれコア基板10の第1面10F側及び第2面10B側に形成される。また、この無電解めっき膜及び電解めっき膜によりスルーホール用貫通孔105が充填されることによってスルーホール導体106が形成される。スルーホール用貫通孔105の形成にはドリル加工等の機械的加工が用いられてもよい。 Subsequently, as shown in FIG. 4C, a through hole 105 for a through hole is formed by irradiation with a carbon dioxide gas laser beam or the like, and for example, a copper foil, a copper electroless plating film, and electrolytic plating are performed by using a subtractive method. The first surface side conductor layer 103 and the second surface side conductor layer 104, which include a film and have a desired conductor pattern, are formed on the first surface 10F side and the second surface 10B side of the core substrate 10, respectively. Further, the through-hole conductor 106 is formed by filling the through-hole through holes 105 with the electroless plating film and the electrolytic plating film. Mechanical processing such as drilling may be used to form the through hole 105 for the through hole.

第1面側導体層103及び第2面側導体層104は、金属箔103P、104P及びめっき膜(無電解めっき膜及び電解めっき膜)によって、同時に形成される。第1面側導体層103が第2面側導体層104よりも厚く形成される場合には、第1面側導体層103及び第2面側導体層104の形成のために無電解めっき膜上に電解めっき膜を形成するときに、コア基板10の第1面10F側の電流密度が、第2面10B側の電流密度より高くなるように電圧が印加される。これにより、第1面10F側の電解めっき膜の厚みが第2面10B側の電解めっき膜の厚みより厚く形成され、第1面側導体層103の厚さは第2面側導体層104の厚さより大きく形成され得る。 The first surface side conductor layer 103 and the second surface side conductor layer 104 are simultaneously formed by the metal foils 103P and 104P and the plating film (electroless plating film and electrolytic plating film). When the first surface side conductor layer 103 is formed thicker than the second surface side conductor layer 104, it is formed on the electroless plating film for the formation of the first surface side conductor layer 103 and the second surface side conductor layer 104. When the electrolytic plating film is formed on the surface, a voltage is applied so that the current density on the first surface 10F side of the core substrate 10 is higher than the current density on the second surface 10B side. As a result, the thickness of the electrolytic plating film on the first surface 10F side is formed to be thicker than the thickness of the electrolytic plating film on the second surface 10B side, and the thickness of the first surface side conductor layer 103 is the thickness of the second surface side conductor layer 104. It can be formed larger than the thickness.

次いで、図4Dに示されるように、第1層間絶縁層111及び第2層間絶縁層121が形成される。また、第1導体層112が第1層間絶縁層111上に形成され、第1導体層111の形成と共に、第2導体層122が第2層間絶縁層121上に形成される。第1導体層112の形成において、第1ビア導体113が第1層間絶縁層111内に形成される。また、第2導体層122の形成において、第2層間絶縁層121内に第2ビア導体123が形成される。 Next, as shown in FIG. 4D, the first interlayer insulating layer 111 and the second interlayer insulating layer 121 are formed. Further, the first conductor layer 112 is formed on the first interlayer insulating layer 111, and the second conductor layer 122 is formed on the second interlayer insulating layer 121 together with the formation of the first conductor layer 111. In the formation of the first conductor layer 112, the first via conductor 113 is formed in the first interlayer insulating layer 111. Further, in the formation of the second conductor layer 122, the second via conductor 123 is formed in the second interlayer insulating layer 121.

第1及び第2層間絶縁層111、121は、例えば、半硬化状態のエポキシ樹脂及びガラス繊維などの補強材を含むプリプレグ、又は、フィルム状のエポキシ樹脂をコア基板10の両面に積層し、熱圧着することによって形成される。プリプレグの積層の際に、例えば銅からなる金属箔がプリプレグ上に重ねられ、プリプレグと共に圧着されてもよい。その後、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって、第1ビア導体113を形成するための貫通孔が、第1層間絶縁層111に形成される。同様に、第2ビア導体123を形成するための貫通孔が、第2層間絶縁層121に形成される。 For the first and second interlayer insulating layers 111 and 121, for example, a prepreg containing a semi-cured epoxy resin and a reinforcing material such as glass fiber, or a film-shaped epoxy resin is laminated on both sides of the core substrate 10 to heat the core substrate 10. It is formed by crimping. When laminating the prepreg, a metal foil made of, for example, copper may be laminated on the prepreg and crimped together with the prepreg. After that, for example, by irradiating carbon dioxide laser light, a through hole for forming the first via conductor 113 is formed in the first interlayer insulating layer 111. Similarly, a through hole for forming the second via conductor 123 is formed in the second interlayer insulating layer 121.

そして、例えば、セミアディティブ法を用いて、無電解銅めっきなどによる金属膜及びこの金属膜をシード層として用いて金属膜上に電解めっき膜が形成されて、所望の導体パターンを有する第1及び第2導体層112、122、ならびに、第1ビア導体113及び第2ビア導体123が形成される。図1の例の配線基板1では、第2導体層122は、第1導体層112よりも大きい厚さを有している。従って、第2面10B側の電解めっき膜の厚みが、第1面10F側の電解めっき膜の厚みより厚くなるように、電解めっき膜が形成される時、コア基板10の第2面10B側の電流密度が、第1面10F側の電流密度より高くなるように電圧が印加される。 Then, for example, using a semi-additive method, a metal film obtained by electroless copper plating or the like and an electrolytic plating film formed on the metal film using this metal film as a seed layer are formed, and the first and first one having a desired conductor pattern are formed. The second conductor layers 112 and 122, as well as the first via conductor 113 and the second via conductor 123 are formed. In the wiring board 1 of the example of FIG. 1, the second conductor layer 122 has a thickness larger than that of the first conductor layer 112. Therefore, when the electrolytic plating film is formed so that the thickness of the electrolytic plating film on the second surface 10B side is thicker than the thickness of the electrolytic plating film on the first surface 10F side, the second surface 10B side of the core substrate 10 is formed. The voltage is applied so that the current density of the first surface is higher than the current density on the first surface 10F side.

図4Eに示されるように、1導体層112上及び第2導体層122上に、さらに、第1層間絶縁層111及び第1導体層112、ならびに第2層間絶縁層121及び第2導体層122が形成されて、コア基板10の第1面10F上及び第2面10B上に第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12がそれぞれ形成される。積層された第1層間絶縁層111には、第1ビア導体113が形成されている。また、積層された第2層間絶縁層121には、第2ビア導体123が形成されている。 As shown in FIG. 4E, on the first conductor layer 112 and the second conductor layer 122, the first interlayer insulating layer 111 and the first conductor layer 112, and the second interlayer insulating layer 121 and the second conductor layer 122 are further formed. Is formed, and the first build-up layer 11 and the second build-up layer 12 are formed on the first surface 10F and the second surface 10B of the core substrate 10, respectively. A first via conductor 113 is formed on the laminated first interlayer insulating layer 111. A second via conductor 123 is formed on the laminated second interlayer insulating layer 121.

図4Eでは、それぞれ3層の層間絶縁層及び導体層からなる第1及び第2ビルドアップ層11、12がコア基板10の第1面10F側及び第2面10B側に形成されている。しかしながら、ビルドアップ層11、12内の層間絶縁層及び導体層それぞれの層数は、この例に限られるわけではなく、上述のプロセスを繰り返すことにより、より多くの層数を含むビルドアップ層が形成されてもよい。しかし、コア基板10の両側に積層される層間絶縁層及び導体層の層数にかかわらず、導体層の形成は、製造途中の配線基板においてコア基板10の第2面10B側の電流密度が、第1面10F側の電流密度より高くなるように電圧が印加されることを含む。従って、コア基板10から同順位に位置する少なくとも1組の導体層(第1導体112及び第2導体層122)において、コア基板10の第2面10B側に形成される第2導体層122の厚みは、第1面10F側に形成される第1導体層112の厚みよりも大きくなるよう形成されている。 In FIG. 4E, the first and second build-up layers 11 and 12, which are composed of three interlayer insulating layers and a conductor layer, are formed on the first surface 10F side and the second surface 10B side of the core substrate 10, respectively. However, the number of layers of the interlayer insulating layer and the conductor layer in the build-up layers 11 and 12 is not limited to this example, and by repeating the above process, a build-up layer containing a larger number of layers can be obtained. It may be formed. However, regardless of the number of layers of the interlayer insulating layer and the conductor layer laminated on both sides of the core substrate 10, the formation of the conductor layer has a current density on the second surface 10B side of the core substrate 10 in the wiring board during manufacturing. It includes applying a voltage so as to be higher than the current density on the first surface 10F side. Therefore, in at least one set of conductor layers (first conductor 112 and second conductor layer 122) located in the same order as the core substrate 10, the second conductor layer 122 formed on the second surface 10B side of the core substrate 10 The thickness is formed to be larger than the thickness of the first conductor layer 112 formed on the first surface 10F side.

その後、第1ビルドアップ層11上に第1ソルダーレジスト層13が形成され、第2ビルドアップ層12上に第2ソルダーレジスト層14が形成される。第1及び第2ソルダーレジスト層13、14は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切なパターンを有するマスクを用いた露光、及び現像とによって形成される。 After that, the first solder resist layer 13 is formed on the first build-up layer 11, and the second solder resist layer 14 is formed on the second build-up layer 12. The first and second solder resist layers 13 and 14 are formed by, for example, forming a resin layer containing a photosensitive epoxy resin, a polyimide resin, or the like, exposure using a mask having an appropriate pattern, and development. ..

第1及び第2ソルダーレジスト層13、14の開口にそれぞれ露出する接続パッド112a、122aには、必要に応じて、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Au、Ni/Au、Ni/Pd/Au、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜(図示せず)が形成されてもよい。以上の工程を経ることによって、図1の例の配線基板1が完成する。 The connection pads 112a and 122a exposed to the openings of the first and second solder resist layers 13 and 14, respectively, may be subjected to electroless plating, solder leveler, spray coating or the like, if necessary, to Au, Ni / Au, Ni. A surface protective film (not shown) made of / Pd / Au, solder, heat-resistant preflux, or the like may be formed. By going through the above steps, the wiring board 1 of the example of FIG. 1 is completed.

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、ならびに、本明細書において例示された構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、第1及び第2ビア導体113、123などは、コア基板10側に向って縮径する形状を有していなくてもよい。また、第1及び第2ソルダーレジスト層13、14が設けられなくてもよい。 The wiring board of the embodiment is not limited to the structure exemplified in each drawing and the structure, shape, and material exemplified in this specification. For example, the first and second via conductors 113, 123 and the like do not have to have a shape that reduces the diameter toward the core substrate 10 side. Further, the first and second solder resist layers 13 and 14 may not be provided.

また、実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して先に説明された方法に限定されない。例えば、コア基板10の第1面側及び第2面側導体層103、104は、金属箔を用いるセミアディティブ法を用いて形成されてもよい。第1及び第2ビルドアップ層11、12内の各導体層は、サブトラクティブ法を用いて形成されてもよい。先に説明された製造方法の条件や順序などは適宜変更され得る。現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。 Further, the method for manufacturing the wiring board of the embodiment is not limited to the method described above with reference to each drawing. For example, the conductor layers 103 and 104 on the first surface side and the second surface side of the core substrate 10 may be formed by using a semi-additive method using a metal foil. Each conductor layer in the first and second build-up layers 11 and 12 may be formed by using a subtractive method. The conditions and order of the manufacturing method described above can be changed as appropriate. Depending on the structure of the wiring board actually manufactured, some steps may be omitted or another step may be added.

1、1a、1b 配線基板
1F 配線基板の第1面
1B 配線基板の第2面
10 コア基板
10F コア基板の第1面
10B コア基板の第2面
11 第1ビルドアップ層
12 第2ビルドアップ層
13 第1ソルダーレジスト層
14 第2ソルダーレジスト層
100 メタル層
100P メタル板
101 第1絶縁層
101P 第1プリプレグ
102 第2絶縁層
102P 第2プリプレグ
103 第1面側導体層
104 第2面側導体層
105 スルーホール用貫通孔
106 スルーホール導体
111 第1層間絶縁層
112 第1導体層
113 第1ビア導体
121 第2層間絶縁層
122 第2導体層
123 第2ビア導体
1, 1a, 1b Wiring board 1F 1st side of wiring board 1B 2nd side of wiring board 10 core board 10F 1st side of core board 10B 2nd side of core board 11 1st build-up layer 12 2nd build-up layer 13 1st solder resist layer 14 2nd solder resist layer 100 metal layer 100P metal plate 101 1st insulating layer 101P 1st prepreg 102 2nd insulating layer 102P 2nd prepreg 103 1st surface side conductor layer 104 2nd surface side conductor layer 105 Through hole for through hole 106 Through hole conductor 111 1st interlayer insulating layer 112 1st conductor layer 113 1st via conductor 121 2nd interlayer insulating layer 122 2nd conductor layer 123 2nd via conductor

Claims (10)

第1面及び前記第1面と反対側の第2面を有し、前記第1面を構成する第1面側導体層及び前記第2面を構成する第2面側導体層を備えるコア基板と、
前記コア基板の前記第1面上に設けられて第1層間絶縁層と前記第1層間絶縁層上の第1導体層とが交互に積層されてなる第1ビルドアップ層と、
前記コア基板の前記第2面上に設けられて第2層間絶縁層と前記第2層間絶縁層上の第2導体層とが交互に積層されてなる第2ビルドアップ層と、
を備える配線基板であって、
前記第1導体層及び前記第2導体層のうちの前記コア基板から同順位に位置する導体層において、前記第2導体層の面積が前記第1導体層の面積より大きく、かつ、前記第2導体層の厚さが前記第1導体層の厚さよりも大きく形成されており、
前記コア基板は、前記第1面側の第1絶縁層、前記第2面側の第2絶縁層、及び前記第1絶縁層と前記第2絶縁層とに挟まれたメタル層を含んでいる。
A core substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and including a first surface side conductor layer constituting the first surface and a second surface side conductor layer forming the second surface. When,
A first build-up layer provided on the first surface of the core substrate and alternately laminated with a first interlayer insulating layer and a first conductor layer on the first interlayer insulating layer.
A second build-up layer provided on the second surface of the core substrate and in which a second interlayer insulating layer and a second conductor layer on the second interlayer insulating layer are alternately laminated.
It is a wiring board equipped with
In the conductor layer of the first conductor layer and the second conductor layer located in the same order as the core substrate, the area of the second conductor layer is larger than the area of the first conductor layer, and the second conductor layer is said. The thickness of the conductor layer is formed to be larger than the thickness of the first conductor layer.
The core substrate includes a first insulating layer on the first surface side, a second insulating layer on the second surface side, and a metal layer sandwiched between the first insulating layer and the second insulating layer. ..
請求項1記載の配線基板であって、前記第2絶縁層の厚さが前記第1絶縁層の厚さよりも大きい。 The wiring board according to claim 1, wherein the thickness of the second insulating layer is larger than the thickness of the first insulating layer. 請求項1記載の配線基板であって、前記コア基板における前記メタル層の厚さが前記第2導体層の厚さよりも大きい。 The wiring board according to claim 1, wherein the thickness of the metal layer in the core board is larger than the thickness of the second conductor layer. 請求項1記載の配線基板であって、前記第1面側導体層の厚さが前記第2面側導体層の厚さよりも大きい。 The wiring board according to claim 1, wherein the thickness of the first surface side conductor layer is larger than the thickness of the second surface side conductor layer. 請求項1記載の配線基板であって、前記コア基板には、前記第1絶縁層、前記メタル層、及び前記第2絶縁層を貫通するスルーホール導体が形成されており、前記スルーホール導体は前記第1面から前記第2面に向かって縮径している。 The wiring board according to claim 1, wherein a through-hole conductor penetrating the first insulating layer, the metal layer, and the second insulating layer is formed on the core substrate, and the through-hole conductor is formed. The diameter is reduced from the first surface to the second surface. 請求項1記載の配線基板であって、前記第1導体層のうちの最も外側の導体層には電子部品に接続される複数の接続パッドが形成されており、前記第2導体層のうちの最も外側の導体層には外部の電気回路基板に接続される複数の接続パッドが形成されている。 The wiring board according to claim 1, wherein a plurality of connection pads connected to electronic components are formed on the outermost conductor layer of the first conductor layer, and the second conductor layer of the second conductor layer. A plurality of connection pads connected to an external electric circuit board are formed on the outermost conductor layer. 第1面と前記第1面とは反対側の第2面とを有し、前記第1面側に形成された第1面側導体層及び前記第2面側に形成された第2面側導体層を含むコア基板を設けることと、
前記コア基板の第1面上及び第2面上に、第1層間絶縁層と前記第1層間絶縁層上の第1導体層とが交互に積層されてなる第1ビルドアップ層、及び、第2層間絶縁層と前記第2層間絶縁層上の第2導体層とが交互に積層されてなる第2ビルドアップ層をそれぞれ設けることと、
を含む配線基板の製造方法であって、
前記第1ビルドアップ層及び前記第2ビルドアップ層を設けることは、前記コア基板から同順位に位置する前記第1導体層及び前記第2導体層において、前記第1導体層よりも前記第2導体層の面積を大きく、かつ、厚さを大きく形成することを含み、
前記コア基板を設けることは、前記第1面側の第1絶縁層及び前記第2面側の第2絶縁層に挟まれるメタル層を形成することを含んでいる。
It has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and has a conductor layer on the first surface side formed on the first surface side and a second surface side formed on the second surface side. Providing a core substrate including a conductor layer and
A first build-up layer in which a first interlayer insulating layer and a first conductor layer on the first interlayer insulating layer are alternately laminated on the first surface and the second surface of the core substrate, and a first A second build-up layer in which a two-layer insulating layer and a second conductor layer on the second interlayer insulating layer are alternately laminated is provided.
It is a manufacturing method of a wiring board including
Providing the first build-up layer and the second build-up layer means that in the first conductor layer and the second conductor layer located in the same order from the core substrate, the second conductor layer is more than the first conductor layer. Including forming a large area and a large thickness of the conductor layer,
Providing the core substrate includes forming a metal layer sandwiched between the first insulating layer on the first surface side and the second insulating layer on the second surface side.
請求項7記載の配線基板の製造方法であって、前記メタル層を形成することは、前記第1絶縁層となる第1プリプレグと前記第2絶縁層となる第2プリプレグとによって前記メタル層を挟むことを含んでおり、前記第2プリプレグの厚さは前記第1プリプレグの厚さよりも大きい。 The method for manufacturing a wiring board according to claim 7, wherein the metal layer is formed by forming the metal layer by the first prepreg serving as the first insulating layer and the second prepreg serving as the second insulating layer. The thickness of the second prepreg is larger than the thickness of the first prepreg. 請求項7記載の配線基板の製造方法であって、前記コア基板を設けることは、前記コア基板の前記第1面側の電流密度が前記第2面側の電流密度よりも高くなるように電解めっきを行うことにより、前記第1面側導体層及び前記第2面側導体層を形成することを含んでいる。 The method for manufacturing a wiring board according to claim 7, wherein the core substrate is electroplated so that the current density on the first surface side of the core substrate is higher than the current density on the second surface side. It includes forming the first surface side conductor layer and the second surface side conductor layer by performing plating. 請求項7記載の配線基板の製造方法であって、前記第1ビルドアップ層及び前記第2ビルドアップ層を設けることは、前記第2導体層側の電流密度が前記第1導体層側の電流密度よりも高くなるように電解めっきを行なうことにより、前記第1導体層よりも前記第2導体層の厚さを大きく形成することを含んでいる。 In the method for manufacturing a wiring board according to claim 7, in providing the first build-up layer and the second build-up layer, the current density on the second conductor layer side is the current on the first conductor layer side. It includes forming the thickness of the second conductor layer larger than that of the first conductor layer by performing electroplating so as to be higher than the density.
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