JP2021044323A - Wiring board and method of manufacturing wiring board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は配線基板及び配線基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a wiring board and a method for manufacturing a wiring board.
特許文献1には、コア基板の上下面に、第1導体層とICチップを搭載するためのパッドを含む最上の導体層とを有する上側のビルドアップ層、及び、第2導体層とマザーボードに接続するためのパッドを含む最下の導体層とを有する下側のビルドアップ層が形成されている、プリント配線基板が開示されている。第1導体層の厚みと最上の導体層の厚みとの和は、第2導体層の厚みと最下の導体層の厚みとの和より大きい。 Patent Document 1 describes an upper build-up layer having a first conductor layer and an uppermost conductor layer including a pad for mounting an IC chip on the upper and lower surfaces of a core substrate, and a second conductor layer and a motherboard. A printed wiring board is disclosed in which a lower build-up layer is formed with a bottom conductor layer including a pad for connecting. The sum of the thickness of the first conductor layer and the thickness of the uppermost conductor layer is larger than the sum of the thickness of the second conductor layer and the thickness of the lowest conductor layer.
特許文献1のプリント配線基板では、プリント配線基板のコア基板の上側に形成されている導体層の厚みの和が、コア基板の下側に形成されている導体層の厚みの和よりも大きい。すなわち、コア基板の上側と下側とで導体層を構成する銅などの金属の存在量に差があり、プリント配線基板の温度が変化する際に、コア基板の上側と下側とでの熱膨張量の差に起因してプリント配線基板に反りが発生し得ると考えられる。 In the printed wiring board of Patent Document 1, the sum of the thicknesses of the conductor layers formed on the upper side of the core substrate of the printed wiring board is larger than the sum of the thicknesses of the conductor layers formed on the lower side of the core substrate. That is, there is a difference in the abundance of metals such as copper constituting the conductor layer between the upper side and the lower side of the core board, and when the temperature of the printed wiring board changes, the heat between the upper side and the lower side of the core board changes. It is considered that the printed wiring board may be warped due to the difference in the amount of expansion.
本発明の配線基板は、第1面及び前記第1面と反対側の第2面を有し、前記第1面を構成する第1面側導体層及び前記第2面を構成する第2面側導体層を備えるコア基板と、前記コア基板の前記第1面上に設けられて第1層間絶縁層と前記第1層間絶縁層上の第1導体層とが交互に積層されてなる第1ビルドアップ層と、前記コア基板の前記第2面上に設けられて第2層間絶縁層と前記第2層間絶縁層上の第2導体層とが交互に積層されてなる第2ビルドアップ層と、を備えている。前記第1導体層及び前記第2導体層のうちの前記コア基板から同順位に位置する導体層において、前記第2導体層の面積が前記第1導体層の面積より大きく、かつ、前記第2導体層の厚さが前記第1導体層の厚さよりも大きく形成されており、前記コア基板は、前記第1面側の第1絶縁層、前記第2面側の第2絶縁層、及び前記第1絶縁層と前記第2絶縁層とに挟まれたメタル層を含んでいる。 The wiring board of the present invention has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and has a first surface side conductor layer constituting the first surface and a second surface forming the second surface. A first structure in which a core substrate provided with a side conductor layer and a first interlayer insulating layer provided on the first surface of the core substrate and a first conductor layer on the first interlayer insulating layer are alternately laminated. A build-up layer and a second build-up layer provided on the second surface of the core substrate and in which a second interlayer insulating layer and a second conductor layer on the second interlayer insulating layer are alternately laminated. , Is equipped. In the conductor layer of the first conductor layer and the second conductor layer located in the same order as the core substrate, the area of the second conductor layer is larger than the area of the first conductor layer, and the second conductor layer. The thickness of the conductor layer is formed to be larger than the thickness of the first conductor layer, and the core substrate includes the first insulating layer on the first surface side, the second insulating layer on the second surface side, and the core substrate. It contains a metal layer sandwiched between the first insulating layer and the second insulating layer.
本発明の配線基板の製造方法は、第1面と前記第1面とは反対側の第2面とを有し、前記第1面側に形成された第1面側導体層及び前記第2面側に形成された第2面側導体層を含むコア基板を設けることと、前記コア基板の第1面上及び第2面上に、第1層間絶縁層と前記第1層間絶縁層上の第1導体層とが交互に積層されてなる第1ビルドアップ層、及び、第2層間絶縁層と前記第2層間絶縁層上の第2導体層とが交互に積層されてなる第2ビルドアップ層をそれぞれ設けることと、を含んでいる。前記第1ビルドアップ層及び前記第2ビルドアップ層を設けることは、前記コア基板から同順位に位置する前記第1導体層及び前記第2導体層において、前記第1導体層よりも前記第2導体層の面積を大きく、かつ、厚さを大きく形成することを含み、前記コア基板を設けることは、前記第1面側の第1絶縁層及び前記第2面側の第2絶縁層に挟まれるメタル層を形成することを含んでいる。 The method for manufacturing a wiring board of the present invention has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and the first surface side conductor layer formed on the first surface side and the second surface. A core substrate including a second surface side conductor layer formed on the surface side is provided, and on the first surface and the second surface of the core substrate, on the first interlayer insulating layer and the first interlayer insulating layer. A first build-up layer in which the first conductor layers are alternately laminated, and a second build-up in which the second interlayer insulating layer and the second conductor layer on the second interlayer insulating layer are alternately laminated. Includes each layer being provided. Providing the first build-up layer and the second build-up layer means that in the first conductor layer and the second conductor layer located in the same order from the core substrate, the second conductor layer is more than the first conductor layer. Including forming a large area and a large thickness of the conductor layer, providing the core substrate is sandwiched between the first insulating layer on the first surface side and the second insulating layer on the second surface side. Includes forming a metal layer to be formed.
本発明の実施形態によれば、電源強化が図られるとともに、反りが抑制される、信頼性の高い配線基板が提供され得る。 According to the embodiment of the present invention, it is possible to provide a highly reliable wiring board in which the power supply is strengthened and the warp is suppressed.
本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図1には、一実施形態の配線基板の一例である第1面1Fと第1面1Fとは反対側の第2面1Bとを有する配線基板1の断面図が示されている。配線基板1は、図1に示されるように第1面10Fと第1面10Fとは反対側の第2面10Bとを有するコア基板10と、コア基板10の第1面10F上の第1ビルドアップ層11と、コア基板10の第2面10B上の第2ビルドアップ層12とを含んでいる。図1の例では、2つのビルドアップ層(第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12)は、互いに同数の導体層及び絶縁層を含んでいる。
A wiring board according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a cross-sectional view of a wiring board 1 having a
第1ビルドアップ層11は、第1層間絶縁層111と第1層間絶縁層111上の第1導体層112とが交互に積層されて形成されている。図1の例では、第1ビルドアップ層11は、3つの第1導体層112及び3つの第1層間絶縁層111を含んでいる。第2ビルドアップ層12は、第2層間絶縁層121と第2層間絶縁層121上の第2導体層122とが交互に積層されて形成されている。図1の例では、第2ビルドアップ層12は、3つの第2導体層122及び3つの第2層間絶縁層121を含んでいる。なお、第1及び第2ビルドアップ層内の導体層及び層間絶縁層の数はそれぞれ3つに限定されず、任意の数の、例えば2以下の、又は、4もしくはそれ以上の数の導体層及び層間絶縁層が設けられてもよい。
The first build-
コア基板10は、第1絶縁層101、第2絶縁層102、及び第1絶縁層101と第2絶縁層102とに挟まれたメタル層100を含んでいる。第1絶縁層101の上(メタル層100と反対側)、すなわちコア基板10の第1面10F側には、第1面側導体層103が形成され、第2絶縁層102の上(メタル層100と反対側)、すなわちコア基板10の第2面10B側には、第2面側導体層104が形成されている。コア基板10には、第1絶縁層101、メタル層100、及び第2絶縁層102を貫通するスルーホール用貫通孔105が形成されており、スルーホール用貫通孔105を導電体で埋めることによって第1面側導体層103と第2面側導体層104とを接続するスルーホール導体106が形成されている。
The
なお、本実施形態の配線基板の説明では、配線基板の厚さ方向においてコア基板10の厚さ方向における中心から遠い側は「上側」、「外側」、又は単に「上」とも称され、コア基板10に近い側は「下側」、又は単に「下」とも称される。
In the description of the wiring board of the present embodiment, the side far from the center in the thickness direction of the
コア基板10に含まれるメタル層100は、例えば、銅又はアルミニウム等の金属の、比較的肉厚な金属板を用いて、第1絶縁層101及び第2絶縁層102の支持体として形成される。コア基板10がメタル層100を含んでいることで、配線基板1の放熱性及び強度が向上し得る。メタル層100には、スルーホール導体106が形成される位置に対応した開口が形成されており、これらの開口には第1絶縁層101及び第2絶縁層102から浸み出した樹脂が充填されている。詳しくは後述するように、コア基板10がメタル層100を有することで、配線基板1に生じ得る反りが抑制され得る。
The
各導体層(第1面側導体層103、第2面側導体層104、第1導体層112、及び第2導体層122)には、それぞれ、所望の導体パターンが形成されている。図1の例において、第1面側導体層103及び第2面側導体層104は、金属箔層、無電解めっき膜層、電解めっき膜層の3層で形成されている。第1導体層112及び第2導体層122は、無電解めっき膜層、電解めっき膜層の2層で形成されている。しかし、各導体層のそれぞれを形成する層の数は図1の例に限定されず、例えば、第1導体層112や第2導体層122が、3層で形成されていてもよい。各導体層は、例えば、銅、ニッケルなどの任意の金属を単独で又は組み合わせて用いて形成され得る。
A desired conductor pattern is formed in each of the conductor layers (first surface
第1絶縁層101、第2絶縁層102、第1層間絶縁層111、及び第2層間絶縁層121は、任意の絶縁性材料を用いて形成される。絶縁性材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)又はフェノール樹脂などの樹脂材料が例示される。これらの樹脂材料を用いて形成される各絶縁層は、ガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材、及び/又は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。図1に示される例では、第1絶縁層101及び第2絶縁層102は補強材を含んでおり、その他の絶縁層は補強材を含んでいない。図1の例のように、各ビルドアップ層が複数の層間絶縁層を含んでいる場合、各ビルドアップ層内の各層間絶縁層は、各層間絶縁層同士を良好に密着させる観点から、同一の樹脂材料を用いて形成され得る。各層間絶縁層間の剥離が防止される場合がある。また、例えば、全ての層間絶縁層、すなわち第1ビルドアップ層11内の第1層間絶縁層111と第2ビルドアップ層12内の第2層間絶縁層121とが、同一の絶縁性の樹脂材料を用いて形成されてもよい。しかし、互いに異なる樹脂材料が用いられてもよい。
The first
各層間絶縁層は、第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12においてそれぞれの層間絶縁層の両面に形成されている導体層同士を接続する、第1及び第2ビア導体113、123を含んでいる。第1層間絶縁層111は、第1ビア導体113を含み、第2層間絶縁層121は、第2ビア導体123を含んでいる。第1及び第2ビア導体113、123は、各層間絶縁層それぞれを貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成される所謂フィルドビアである。第1及び第2ビア導体113、123は、それぞれの上側(コア基板10と反対側)の導体層と一体的に形成されている。従って、第1及び第2ビア導体113、123と第1導体層111及び第2導体層122とは、同一の、例えば銅又はニッケルなどからなるめっき膜(無電解めっき膜及び電解めっき膜)によって形成されている。
Each interlayer insulating layer connects the conductor layers formed on both sides of the interlayer insulating layers in the first build-
図1に示される例では、コア基板10の両側の表面(第1面10F及び第2面10B)から、コア基板10の厚さ方向の中央部に向って縮径するテーパー形状を有するスルーホール導体106が形成され、第1面側導体層103と第2面側導体層104を接続している。スルーホール導体106は長さ方向において径の大きさが略同一に形成されてもよく、あるいは、片方の面から他方の面に向って(例えば、第1面10Fから第2面10Bに向って)縮径するテーパー形状を有してもよい。第1絶縁層101及び第2絶縁層102を貫通して形成されているスルーホール導体106は、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。
In the example shown in FIG. 1, a through hole having a tapered shape that reduces the diameter from the surfaces (
図1の例の配線基板1は、さらに、第1ビルドアップ層11上に形成されている第1ソルダーレジスト層13、及び、第2ビルドアップ層12上に形成されている第2ソルダーレジスト層14を含んでいる。第1ソルダーレジスト層13は最上層(コア基板10から最も遠い層)の第1導体層112を覆っており、第2ソルダーレジスト層14は最上層(コア基板10から最も遠い層)の第2導体層122を覆っている。第1及び第2ソルダーレジスト層13、14は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成される。
The wiring board 1 of the example of FIG. 1 further has a first solder resist
配線基板1の第1面1F上には、例えば半導体素子などの電子部品(図示せず)が実装され得る。配線基板1の第1ビルドアップ層11の最も外側の第1導体層112は、このような電子部品の端子に電気的に接続されるための複数の接続パッド112aを含んでいる。ソルダーレジスト層13は、接続パッド112aを露出させる開口を有している。一方、配線基板1の第2面1Bは、例えばマザーボードなどの外部の電気回路基板に接続され得る。配線基板1の第2ビルドアップ層12の最も外側の第2導体層122は、このような外部の基板の端子に電気的に接続されるための複数の接続パッド122aを含んでいる。ソルダーレジスト層14は、接続パッド122aを露出させる開口を有している。
Electronic components (not shown) such as semiconductor elements can be mounted on the
配線基板1では、コア基板10の第1面10F側の第1ビルドアップ層11内の第1導体層112の面積(ここで、導体層の面積とは、導体層における導体の占有面積を意味する)とコア基板10の第2面10B側の第2ビルドアップ層12内の第2導体層122の面積とが異なる(以下、各導体層の材料が銅に限定されるわけではないが、配線基板1の面積に対する各導体層内の導体パターンの全面積の割合は、残銅率と称される)。図1に示される例では、コア基板10から同順位に位置する導体層において、第2面10B側の導体層の残銅率、すなわち第2導体層122の残銅率は、第1面10F側の導体層の残銅率、すなわち第1導体層112の残銅率よりも大きい。例えば、第2導体層122の残銅率が68%で、第1導体層112の残銅率が57%となっている。ここで「コア基板10から同順位に位置する導体層」は、コア基板10から配線基板1の第1面1F側又は第2面1B側に向かって各ビルドアップ層内の導体層に順序をつけた場合にそれぞれ同じ順位となる導体層同士を意味する。
In the wiring board 1, the area of the
図1に示される例では、さらに、コア基板10から同順位に位置する第1導体層112及び第2導体層122では、第2導体層122の厚さが第1導体層112の厚さより厚くなるように形成されている。例えば、第2ビルドアップ層12のうち最もコア基板10側に近接して第2層間絶縁層121上に積層されている第2導体層122の厚さは、第1ビルドアップ層11のうち最もコア基板10側に近接して第1層間絶縁層111上に積層されている第1導体層112の厚さよりも厚い。また、第2ビルドアップ層12の最も外側の第2導体層122の厚さは、第1ビルドアップ層11の最も外側の第1導体層112の厚さよりも厚い。例えば、第2導体層122の厚さが25μmで、第1導体層112の厚さが15μmとなっている。従って、配線基板1の第2面1B側における電流許容量が増加され得る。第2面1B側における電源ラインの電圧降下及び発熱が抑制され得る。従って、配線基板1の第1ビルドアップ層11内の導体パターンをファインピッチで形成しつつ、配線基板1の第2面1Bでの電源強化が図られると考えられる。
In the example shown in FIG. 1, in the
上述の第2ビルドアップ層12の第2導体層122と、第1ビルドアップ層11の第1導体層112との残銅率及び厚さの差は、すなわち第1ビルドアップ層11と第2ビルドアップ層12とにおける導体の存在量の差(体積差)となる。この体積差により、例えば、はんだリフロー等の温度変化の際に、第1ビルドアップ層11の熱膨張量と第2ビルドアップ層12の熱膨張量とに差異が生じることになる。この熱膨張量の差異は、配線基板1の反り(例えば、第2面1Bに向かって凸となる反り)を発生させ得る。この第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12での熱膨張量の差異に起因して配線基板1に生じる反りの程度は、配線基板1の構成要素の剛性、特に配線基板1の厚さ方向における中心部を構成するコア基板10の剛性によって変化し得る。本実施形態においては、比較的曲げ剛性の高いメタル層100をコア基板10に含んでいるため、発生する反りは抑制され得る。
The difference in the residual copper ratio and the thickness between the
第1ビルドアップ層11中の各第1導体層112のそれぞれの厚さは、等しくてもよく、また、異なっていてもよい。例えば、第1導体層112のそれぞれの厚さは、5μm以上であって、20μm以下である。また、第2ビルドアップ層12中の各第2導体層122のそれぞれの厚さは、等しくてもよく、また、異なっていてもよい。例えば、第2導体層122それぞれの厚さは、15μm以上であって、30μm以下である。上述のコア基板10に含まれるメタル層100は、第2導体層122の厚さよりも厚く、具体的には、第2導体層122それぞれの厚さが異なる場合には最も厚い第2導体層122よりも厚く形成され、例えば30μm以上であって、100μm以下の厚さを有し得る。
The thickness of each of the first conductor layers 112 in the first build-
コア基板10の第1面側導体層103及び第2面側導体層104それぞれの厚さは、例えば、10μm以上であって、40μm以下である。図1の例では、第1面側導体層103の厚さと第2面側導体層104の厚さとは略等しい。しかしながら、第1面側導体層103の厚さと第2面側導体層104の厚さとは、異なっていてもよい。第1面側導体層103の厚さが第2面側導体層104の厚さよりも大きく形成されていることによって、上述した、第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12での熱膨張量の差異に起因する配線基板1の反りを低減できることがある。第1ビルドアップ層11と第2ビルドアップ層12とでの導体の存在量の差、すなわち、配線基板1における第1面1F側と第2面1B側とにおける導体の存在量の差を、第1面側導体層103の厚さを第2面側導体層104の厚さよりも大きくすることで補うことができる。これにより、配線基板1の反りを抑制することが可能となる。
The thickness of each of the first surface
図1に示されている例では、コア基板10から同順位に位置する第1導体層112及び第2導体層122で、第2導体層122の面積が第1導体層112の面積より大きく、かつ、第2導体層122の厚さが第1導体層112の厚さより厚い。しかしながら、全ての第2導体層122の面積が、対応する第1導体層112の面積のそれぞれより大きく、全ての第2導体層122の厚さが、対応する第1導体層112の厚さのそれぞれより厚い必要はない。一部の第2導体層122の面積及び厚さが対応する第1導体層112の面積及び厚さよりも大きく形成されていればよい。
In the example shown in FIG. 1, in the
第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12内の各層間絶縁層(第1層間絶縁層111、第2層間絶縁層121)それぞれの厚さは、例えば、15μm以上、60μm以下である。第1ビルドアップ層11内の第1層間絶縁層111はそれぞれ、同じ厚さで形成されていてもよく、また異なる厚さで形成されていてもよい。同様に、第2ビルドアップ層12内の第2層間絶縁層121のそれぞれも、同じ厚さで形成されていてもよく、また異なる厚さで形成されていてもよい。例えば、コア基板10から同順位に位置する第1層間絶縁層111及び第2層間絶縁層121において、第2層間絶縁層121の厚さが第1層間絶縁層111の厚さより厚くなるように形成されてもよい。なお、ここでコア基板10から同順位に位置する層間絶縁層とは、コア基板10から配線基板1の第1面1F側又は第2面1B側に向かって各ビルドアップ層内の層間絶縁層に順序をつけた場合にそれぞれ同じ順位となる層間絶縁層同士を意味する。
The thickness of each of the interlayer insulating layers (first
図1に示される例においては、コア基板10の第1絶縁層101及び第2絶縁層102は略同じ厚さを有しており、メタル層100はコア基板10の厚さ方向における中心部に配置されている。すなわち、コア基板10の厚さ方向における中心と、メタル層100の厚さ方向における中心は略一致している。従って、配線基板1の厚さ方向の中心とメタル層100の厚さ方向における中心も略一致している。図1に示される例において、第1絶縁層101及び第2絶縁層102の厚さは、例えば70μm以上、90μm以下であり得る。しかし、第1絶縁層101の厚さと第2絶縁層102の厚さとは異なってもよい。メタル層100の厚さ方向における中心はコア基板10の厚さ方向における中心、すなわち配線基板1の厚さ方向の中心と一致せず、第1面10F又は第2面10B側に偏る構成とされてもよい。前述の配線基板1の反りが、より効果的に抑制されることがある。配線基板1の反りの抑制の観点から、第2絶縁層102の厚さを第1絶縁層101の厚さよりも大きくした例が、図2を参照して以下に説明される。
In the example shown in FIG. 1, the first insulating
図2に示されている配線基板1aは、コア基板10に含まれるメタル層100が第1面10F寄りに設けられている点で図1に示されている配線基板1と異なり、その他の構成は配線基板1と同様である。すなわち、コア基板10における第1面10F側の第1絶縁層101の厚さが、第2面10B側の第2絶縁層102の厚さよりも小さく形成されている。このようにメタル層100をコア基板10の厚さ方向における中心から第1面10F側寄りに配置する構成とすることによって、コア基板10の厚さ方向における中心から第1面10F側と第2面10B側とにおける導体の存在量の差異を補い得る。すなわち、メタル層100は、第1ビルドアップ層11と第2ビルドアップ層12とでの熱膨張量の差に起因する反りを、その剛性により抑制することに加えて、熱膨張量の差を補うことでさらに効果的に反りを抑制し得る。
The
第1絶縁層101の厚さは、例えば、20μm以上、40μm以下、第2絶縁層102の厚さは、例えば、40μm以上、100μm以下に形成され得る。第1絶縁層101及び第2絶縁層102の厚さは、第1面10F側と第2面側10B側との導体の存在量の差に基づき、適切に調整され得る。すなわち、コア基板10の中心から第1面10F側と第2面10B側とにおける導体の存在量の差を補うことができるように、コア基板10の厚さ方向における中心からのメタル層100の中心のずれの程度が調整され得る。なお、図2に示される配線基板1aにおいては、第1絶縁層101及び第2絶縁層102の厚さが異なる以外は図1に示される配線基板1と同様の構成を有しており、その構成についての具体的な説明は省略される。
The thickness of the first insulating
図3には、図1に示される配線基板1に対して、スルーホール導体106の形状が異なる例が、配線基板1bとして示されている。第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12での熱膨張量の差異に起因する配線基板の反りの程度を低減する観点から、配線基板に形成されるスルーホール導体106の形状は適宜選択され得る。例えば、図3に配線基板1bとして示されるように、第1面10Fから第2面10Bに向かって縮径する形状のスルーホール導体106が形成されることで、配線基板における第1ビルドアップ層11と第2ビルドアップ層12との導体の存在量の差が補われ得る。
FIG. 3 shows an example in which the shape of the through-
つぎに、図1に示される配線基板1を例に、一実施形態の配線基板の製造方法が、図4A〜図4Eを参照して以下に説明される。先ず、所定の厚さの例えば銅又はアルミニウムからなる金属板が裁断され、所定の位置に必要な穴をあけたメタル板100Pが用意される。メタル板100Pの表面には、樹脂の密着性をよくするために粗化処理が施され得る。
Next, using the wiring board 1 shown in FIG. 1 as an example, a method for manufacturing the wiring board of one embodiment will be described below with reference to FIGS. 4A to 4E. First, a metal plate having a predetermined thickness, for example, copper or aluminum, is cut, and a
続いて、図4Aに示されるように、メタル板100Pの両面に、例えばエポキシ樹脂等を含浸させた芯材を有する第1プリプレグ101P及び第2プリプレグ102Pが配置される。さらに、第1プリプレグ101Pの上に例えば銅箔である金属箔103P、第2プリプレグ102Pの上に例えば銅箔である金属箔104Pが積層され、加熱プレスによって一体化される。この一体化によって第1及び第2プリプレグ101P、102Pに含まれる樹脂はメタル板100Pに形成された穴に充填される。一体化により図4Bに示される、メタル板100Pからなるメタル層100が、プリプレグ101P、102Pが硬化してなる第1絶縁層101、及び第2絶縁層102に挟まれた出発基板10Pが得られる。
Subsequently, as shown in FIG. 4A, the
図4Aにおける第1プリプレグ101Pの厚さは第2プリプレグ102Pの厚さと略等しく、図4Bに示される出発基板10Pにおいては、第1絶縁層101の厚さは第2絶縁層102の厚さと略等しい。すなわち、メタル層100は出発基板10Pにおける厚さ方向の中心に形成されている。なお、図2に示される配線基板1aが製造される場合には、異なる厚さを有する第1及び第2プリプレグ101P、102Pが用いられ、第1プリプレグ101Pには第2プリプレグ102Pよりも厚さの小さいものが用いられる。
The thickness of the
続いて図4Cに示されるように、スルーホール用貫通孔105が、炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成され、例えばサブトラクティブ法を用いて、銅箔、銅の無電解めっき膜、及び電解めっき膜を含んでいて所望の導体パターンを有する第1面側導体層103及び第2面側導体層104がそれぞれコア基板10の第1面10F側及び第2面10B側に形成される。また、この無電解めっき膜及び電解めっき膜によりスルーホール用貫通孔105が充填されることによってスルーホール導体106が形成される。スルーホール用貫通孔105の形成にはドリル加工等の機械的加工が用いられてもよい。
Subsequently, as shown in FIG. 4C, a through
第1面側導体層103及び第2面側導体層104は、金属箔103P、104P及びめっき膜(無電解めっき膜及び電解めっき膜)によって、同時に形成される。第1面側導体層103が第2面側導体層104よりも厚く形成される場合には、第1面側導体層103及び第2面側導体層104の形成のために無電解めっき膜上に電解めっき膜を形成するときに、コア基板10の第1面10F側の電流密度が、第2面10B側の電流密度より高くなるように電圧が印加される。これにより、第1面10F側の電解めっき膜の厚みが第2面10B側の電解めっき膜の厚みより厚く形成され、第1面側導体層103の厚さは第2面側導体層104の厚さより大きく形成され得る。
The first surface
次いで、図4Dに示されるように、第1層間絶縁層111及び第2層間絶縁層121が形成される。また、第1導体層112が第1層間絶縁層111上に形成され、第1導体層111の形成と共に、第2導体層122が第2層間絶縁層121上に形成される。第1導体層112の形成において、第1ビア導体113が第1層間絶縁層111内に形成される。また、第2導体層122の形成において、第2層間絶縁層121内に第2ビア導体123が形成される。
Next, as shown in FIG. 4D, the first
第1及び第2層間絶縁層111、121は、例えば、半硬化状態のエポキシ樹脂及びガラス繊維などの補強材を含むプリプレグ、又は、フィルム状のエポキシ樹脂をコア基板10の両面に積層し、熱圧着することによって形成される。プリプレグの積層の際に、例えば銅からなる金属箔がプリプレグ上に重ねられ、プリプレグと共に圧着されてもよい。その後、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって、第1ビア導体113を形成するための貫通孔が、第1層間絶縁層111に形成される。同様に、第2ビア導体123を形成するための貫通孔が、第2層間絶縁層121に形成される。
For the first and second
そして、例えば、セミアディティブ法を用いて、無電解銅めっきなどによる金属膜及びこの金属膜をシード層として用いて金属膜上に電解めっき膜が形成されて、所望の導体パターンを有する第1及び第2導体層112、122、ならびに、第1ビア導体113及び第2ビア導体123が形成される。図1の例の配線基板1では、第2導体層122は、第1導体層112よりも大きい厚さを有している。従って、第2面10B側の電解めっき膜の厚みが、第1面10F側の電解めっき膜の厚みより厚くなるように、電解めっき膜が形成される時、コア基板10の第2面10B側の電流密度が、第1面10F側の電流密度より高くなるように電圧が印加される。
Then, for example, using a semi-additive method, a metal film obtained by electroless copper plating or the like and an electrolytic plating film formed on the metal film using this metal film as a seed layer are formed, and the first and first one having a desired conductor pattern are formed. The second conductor layers 112 and 122, as well as the first via
図4Eに示されるように、1導体層112上及び第2導体層122上に、さらに、第1層間絶縁層111及び第1導体層112、ならびに第2層間絶縁層121及び第2導体層122が形成されて、コア基板10の第1面10F上及び第2面10B上に第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12がそれぞれ形成される。積層された第1層間絶縁層111には、第1ビア導体113が形成されている。また、積層された第2層間絶縁層121には、第2ビア導体123が形成されている。
As shown in FIG. 4E, on the
図4Eでは、それぞれ3層の層間絶縁層及び導体層からなる第1及び第2ビルドアップ層11、12がコア基板10の第1面10F側及び第2面10B側に形成されている。しかしながら、ビルドアップ層11、12内の層間絶縁層及び導体層それぞれの層数は、この例に限られるわけではなく、上述のプロセスを繰り返すことにより、より多くの層数を含むビルドアップ層が形成されてもよい。しかし、コア基板10の両側に積層される層間絶縁層及び導体層の層数にかかわらず、導体層の形成は、製造途中の配線基板においてコア基板10の第2面10B側の電流密度が、第1面10F側の電流密度より高くなるように電圧が印加されることを含む。従って、コア基板10から同順位に位置する少なくとも1組の導体層(第1導体112及び第2導体層122)において、コア基板10の第2面10B側に形成される第2導体層122の厚みは、第1面10F側に形成される第1導体層112の厚みよりも大きくなるよう形成されている。
In FIG. 4E, the first and second build-up
その後、第1ビルドアップ層11上に第1ソルダーレジスト層13が形成され、第2ビルドアップ層12上に第2ソルダーレジスト層14が形成される。第1及び第2ソルダーレジスト層13、14は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切なパターンを有するマスクを用いた露光、及び現像とによって形成される。
After that, the first solder resist
第1及び第2ソルダーレジスト層13、14の開口にそれぞれ露出する接続パッド112a、122aには、必要に応じて、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Au、Ni/Au、Ni/Pd/Au、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜(図示せず)が形成されてもよい。以上の工程を経ることによって、図1の例の配線基板1が完成する。
The
実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、ならびに、本明細書において例示された構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、第1及び第2ビア導体113、123などは、コア基板10側に向って縮径する形状を有していなくてもよい。また、第1及び第2ソルダーレジスト層13、14が設けられなくてもよい。
The wiring board of the embodiment is not limited to the structure exemplified in each drawing and the structure, shape, and material exemplified in this specification. For example, the first and second via
また、実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して先に説明された方法に限定されない。例えば、コア基板10の第1面側及び第2面側導体層103、104は、金属箔を用いるセミアディティブ法を用いて形成されてもよい。第1及び第2ビルドアップ層11、12内の各導体層は、サブトラクティブ法を用いて形成されてもよい。先に説明された製造方法の条件や順序などは適宜変更され得る。現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。
Further, the method for manufacturing the wiring board of the embodiment is not limited to the method described above with reference to each drawing. For example, the conductor layers 103 and 104 on the first surface side and the second surface side of the
1、1a、1b 配線基板
1F 配線基板の第1面
1B 配線基板の第2面
10 コア基板
10F コア基板の第1面
10B コア基板の第2面
11 第1ビルドアップ層
12 第2ビルドアップ層
13 第1ソルダーレジスト層
14 第2ソルダーレジスト層
100 メタル層
100P メタル板
101 第1絶縁層
101P 第1プリプレグ
102 第2絶縁層
102P 第2プリプレグ
103 第1面側導体層
104 第2面側導体層
105 スルーホール用貫通孔
106 スルーホール導体
111 第1層間絶縁層
112 第1導体層
113 第1ビア導体
121 第2層間絶縁層
122 第2導体層
123 第2ビア導体
1, 1a,
Claims (10)
前記コア基板の前記第1面上に設けられて第1層間絶縁層と前記第1層間絶縁層上の第1導体層とが交互に積層されてなる第1ビルドアップ層と、
前記コア基板の前記第2面上に設けられて第2層間絶縁層と前記第2層間絶縁層上の第2導体層とが交互に積層されてなる第2ビルドアップ層と、
を備える配線基板であって、
前記第1導体層及び前記第2導体層のうちの前記コア基板から同順位に位置する導体層において、前記第2導体層の面積が前記第1導体層の面積より大きく、かつ、前記第2導体層の厚さが前記第1導体層の厚さよりも大きく形成されており、
前記コア基板は、前記第1面側の第1絶縁層、前記第2面側の第2絶縁層、及び前記第1絶縁層と前記第2絶縁層とに挟まれたメタル層を含んでいる。 A core substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and including a first surface side conductor layer constituting the first surface and a second surface side conductor layer forming the second surface. When,
A first build-up layer provided on the first surface of the core substrate and alternately laminated with a first interlayer insulating layer and a first conductor layer on the first interlayer insulating layer.
A second build-up layer provided on the second surface of the core substrate and in which a second interlayer insulating layer and a second conductor layer on the second interlayer insulating layer are alternately laminated.
It is a wiring board equipped with
In the conductor layer of the first conductor layer and the second conductor layer located in the same order as the core substrate, the area of the second conductor layer is larger than the area of the first conductor layer, and the second conductor layer is said. The thickness of the conductor layer is formed to be larger than the thickness of the first conductor layer.
The core substrate includes a first insulating layer on the first surface side, a second insulating layer on the second surface side, and a metal layer sandwiched between the first insulating layer and the second insulating layer. ..
前記コア基板の第1面上及び第2面上に、第1層間絶縁層と前記第1層間絶縁層上の第1導体層とが交互に積層されてなる第1ビルドアップ層、及び、第2層間絶縁層と前記第2層間絶縁層上の第2導体層とが交互に積層されてなる第2ビルドアップ層をそれぞれ設けることと、
を含む配線基板の製造方法であって、
前記第1ビルドアップ層及び前記第2ビルドアップ層を設けることは、前記コア基板から同順位に位置する前記第1導体層及び前記第2導体層において、前記第1導体層よりも前記第2導体層の面積を大きく、かつ、厚さを大きく形成することを含み、
前記コア基板を設けることは、前記第1面側の第1絶縁層及び前記第2面側の第2絶縁層に挟まれるメタル層を形成することを含んでいる。 It has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and has a conductor layer on the first surface side formed on the first surface side and a second surface side formed on the second surface side. Providing a core substrate including a conductor layer and
A first build-up layer in which a first interlayer insulating layer and a first conductor layer on the first interlayer insulating layer are alternately laminated on the first surface and the second surface of the core substrate, and a first A second build-up layer in which a two-layer insulating layer and a second conductor layer on the second interlayer insulating layer are alternately laminated is provided.
It is a manufacturing method of a wiring board including
Providing the first build-up layer and the second build-up layer means that in the first conductor layer and the second conductor layer located in the same order from the core substrate, the second conductor layer is more than the first conductor layer. Including forming a large area and a large thickness of the conductor layer,
Providing the core substrate includes forming a metal layer sandwiched between the first insulating layer on the first surface side and the second insulating layer on the second surface side.
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