JP2020181867A - Wiring board and manufacturing method of wiring board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は配線基板及び配線基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a wiring board and a method for manufacturing a wiring board.
特許文献1には、コア基板の上下面及びコア基板の上下面に積層された絶縁層に異なる占有面積率で被着された導体層を含む、半導体素子等を搭載するための配線基板が開示されている。導体層は、コア基板を挟んで反対側の対応する導体層と比較して、占有面積率の大きい導体層の導体厚みが占有面積率の小さい導体層の導体厚みよりも薄くなるように形成されている。
特許文献1の導体層を含む配線基板では、コア基板の上下面の導体層ならびにコア基板を中心とした上面側及び下面側の導体層において、導体層は絶縁層に対する占有面積率に応じてその厚みが異なって形成される。コア基板の上面及び下面で、信号線の抵抗値が合わせにくくなるおそれがある。
In the wiring board including the conductor layer of
本発明の配線基板は、第1面と前記第1面とは反対側の第2面とを有し、コア絶縁層と第1面側導体層及び第2面側導体層とを含むコア基板と、前記コア基板の第1面上に設けられて第1層間絶縁層と前記第1層間絶縁層上の第1導体層とが交互に積層されてなる第1ビルドアップ層と、前記コア基板の第2面上に設けられて第2層間絶縁層と前記第2層間絶縁層上の第2導体層とが交互に積層されてなる第2ビルドアップ層と、を備えている。そして、前記第1ビルドアップ層の内の第1導体層の数と前記第2ビルドアップ層の内の第2導体層の数とが等しく、前記第1面側導体層及び前記第1導体層において導体が占める面積の総和は、前記第2面側導体層及び前記第2導体層において導体が占める面積の総和よりも大きく、前記配線基板の厚さ方向における中心線が、前記第1ビルドアップ層内又は前記第1面側導体層内にある。 The wiring board of the present invention has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and includes a core insulating layer, a first surface side conductor layer, and a second surface side conductor layer. A first build-up layer provided on the first surface of the core substrate and alternately laminated with a first interlayer insulating layer and a first conductor layer on the first interlayer insulating layer, and the core substrate. A second build-up layer is provided on the second surface of the above, and the second interlayer insulating layer and the second conductor layer on the second interlayer insulating layer are alternately laminated. Then, the number of the first conductor layers in the first build-up layer is equal to the number of the second conductor layers in the second build-up layer, and the first surface side conductor layer and the first conductor layer are equal to each other. The total area occupied by the conductors is larger than the total area occupied by the conductors in the second surface side conductor layer and the second conductor layer, and the center line in the thickness direction of the wiring board is the first build-up. It is in the layer or in the conductor layer on the first surface side.
本発明の配線基板の製造方法は、第1面と前記第1面とは反対側の第2面とを有し、コア絶縁層と第1面側導体層及び第2面側導体層とを含むコア基板を設けることと、前記コア基板の第1面上に、第1層間絶縁層と前記第1層間絶縁層上の第1導体層とが交互に積層されてなる第1ビルドアップ層を設けることと、前記コア基板の第2面上に、第2層間絶縁層と前記第2層間絶縁層上の第2導体層とが交互に積層されてなる第2ビルドアップ層を設けることと、を含んでいる。そして、前記第1ビルドアップ層を設けること及び前記第2ビルドアップ層を設けることは、同一の数の前記第1導体層及び前記第2導体層を形成することと、前記第1面側導体層及び前記第1導体層において導体が占める面積の総和を、前記第2面側導体層及び前記第2導体層において導体が占める面積の総和よりも大きくすることと、前記配線基板の厚さ方向における中心線が、前記第1ビルドアップ層内又は前記第1面側導体層内に位置するように前記コア絶縁層、前記第1層間絶縁層及び前記第2層間絶縁層の厚さを調整することとを含んでいる。 The method for manufacturing a wiring board of the present invention has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and has a core insulating layer, a first surface side conductor layer, and a second surface side conductor layer. A core substrate including the core substrate is provided, and a first build-up layer formed by alternately laminating a first interlayer insulating layer and a first conductor layer on the first interlayer insulating layer is provided on the first surface of the core substrate. A second build-up layer in which a second interlayer insulating layer and a second conductor layer on the second interlayer insulating layer are alternately laminated is provided on the second surface of the core substrate. Includes. The provision of the first build-up layer and the provision of the second build-up layer form the same number of the first conductor layer and the second conductor layer, and the first surface side conductor. Making the total area occupied by the conductors in the layer and the first conductor layer larger than the total area occupied by the conductors in the second surface side conductor layer and the second conductor layer, and in the thickness direction of the wiring substrate. The thickness of the core insulating layer, the first interlayer insulating layer, and the second interlayer insulating layer is adjusted so that the center line in the above is located in the first build-up layer or the first surface side conductor layer. It includes things.
本発明の実施形態によれば、コア基板の第1面側に設けられている導体層と、コア基板の第2面側に設けられている導体層とのあいだで、各導体層において導体が占める面積の総和が異なっていても、配線基板の反りが抑制され得ると考えられる。また、そのような信頼性の高い配線基板を製造することができる。 According to the embodiment of the present invention, a conductor is provided in each conductor layer between the conductor layer provided on the first surface side of the core substrate and the conductor layer provided on the second surface side of the core substrate. It is considered that the warp of the wiring board can be suppressed even if the total area occupied is different. Moreover, such a highly reliable wiring board can be manufactured.
本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図1には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板1の断面図が示されている。図1に示されるように、配線基板1は、第1面10Fと第1面10Fとは反対側の第2面10Bとを有するコア基板10と、コア基板10の第1面上の第1ビルドアップ層11と、コア基板10の第2面上の第2ビルドアップ層12とを含んでいる。2つのビルドアップ層(第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12)は、互いに同数の導体層を含んでいる。第1ビルドアップ層11は、第1層間絶縁層32と第1層間絶縁層32上の第1導体層31とが交互に積層されて形成されている。図1の例では、第1ビルドアップ層11は、2つの第1導体層31及び2つの第1層間絶縁層32を含んでいる。第2ビルドアップ層12は、第2層間絶縁層42と第2層間絶縁層42上の第2導体層41とが交互に積層されて形成されている。図1の例では、第2ビルドアップ層12は、2つの第2導体層41及び2つの第2層間絶縁層42を含んでいる。なお、第1及び第2のビルドアップ層内の導体層及び層間絶縁層の数はそれぞれ2つに限定されず、任意の数の、例えば1つの、又は、3もしくはそれ以上の数の導体層及び層間絶縁層が設けられてもよい。しかしながら、第1ビルドアップ層内に積層される第1導体層及び第1層間絶縁層の数は、第2ビルドアップ層内に積層される第2導体層及び第2層間絶縁層の数とそれぞれ同一に形成される。
A wiring board according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a cross-sectional view of a
コア基板10は、コア絶縁層5と、コア絶縁層5の両面上すなわちコア基板10の第1面10F側及び第2面10B側にそれぞれ形成されている第1面側導体層3a及び第2面側導体層4aを含んでいる。コア絶縁層5には、第1面側導体層3aと第2面側導体層4aとを接続するスルーホール導体50が形成されている。
The
各導体層(第1面側導体層3a、第2面側導体層4a、第1導体層31、及び第2導体層41)は、図1において単層構造を有するように示されているが、2つ又は3つなどの複数の層を有し得る。これら各導体層は、例えば、金属箔層、無電解めっき膜層、及び、電解めっき膜層を有し得る。各導体層は、例えば、銅、ニッケル、銀、パラジウムなどの任意の金属を単独で又は組み合わせて用いて形成され得る。
Although each conductor layer (first surface
コア絶縁層5、第1層間絶縁層32、及び第2層間絶縁層42は、任意の絶縁性材料を用いて形成される。絶縁性材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)又はフェノール樹脂などの樹脂材料が例示される。これらの樹脂材料を用いて形成される各絶縁層は、ガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材、及び/又は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。図1の例のように、各ビルドアップ層が複数の層間絶縁層を含んでいる場合、各ビルドアップ層内の各層間絶縁層は、同一の樹脂材料を用いて形成されてもよい。各層間絶縁層間の剥離が防止される場合がある。また、例えば、全ての層間絶縁層、すなわち第1ビルドアップ層11内の第1層間絶縁層32と第2ビルドアップ層12内の第2層間絶縁層42とが、同一の絶縁性の樹脂材料を用いて形成されてもよい。しかし、互いに異なる樹脂材料が用いられてもよい。
The
各層間絶縁層は、それぞれの層間絶縁層の両面に形成されている導体層同士を接続するビア導体51、52を含んでいる。第1層間絶縁層32は、ビア導体51を含み、第2層間絶縁層42は、ビア導体52を含んでいる。ビア導体51、52は、各層間絶縁層それぞれを貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成される所謂フィルドビアである。ビア導体51、52は、それぞれの上側の導体層と一体的に形成されている。従ってビア導体51、52は、例えば、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。なお、コア絶縁層5を貫通して形成されているスルーホール導体50も、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。
Each interlayer insulating layer includes via
図1の例の配線基板1は、さらに、第1ビルドアップ層11上に形成されている第1ソルダーレジスト層6、及び、第2ビルドアップ層12上に形成されている第2ソルダーレジスト層7を含んでいる。第1ソルダーレジスト層6は最上層の第1導体層31を覆っており、第2ソルダーレジスト層7は最上層の第2導体層41を覆っている。第1及び第2のソルダーレジスト層6、7は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成される。
The
第1ビルドアップ層11の最も外側の第1導体層31は、例えば電子部品や外部の配線板(図示せず)がその上に実装される接続パッド31aを含んでいる。ソルダーレジスト層6は、接続パッド31aを露出させる開口を有している。第2ビルドアップ層12の最も外側の第2導体層41は、接続パッド41aを含んでいる。接続パッド41aは例えば、配線基板1が用いられる電子機器のマザーボードやパッケージ基板などとの接続に用いられ得る。ソルダーレジスト層7は、接続パッド41aを露出させる開口を有している。
The outermost
各導体層(第1面側導体層3a、第2面側導体層4a、第1導体層31、及び第2導体層41)には、それぞれ、所望の導体パターンが形成されている。配線基板1では、コア絶縁層5の第1面10F側の導体層において導体が占める面積の和と第2面10B側の導体層において導体が占める面積の和とが異なる(以下、残銅率差とも称される。各導体層の材料が銅に限定されるわけではないが、配線基板1の面積に対する、各導体層内の導体パターンの全面積の割合は、単に残銅率と称される)。図1の例では、第1面10F側にある導体層において導体が占める導体面積の和、すなわち第1面側導体層3aの面積及び第1導体層31の面積の総和は、第2面10B側にある導体層において導体が占める導体面積の和、すなわち第2面側導体層4aの面積及び第2導体層41の面積の総和よりも大きい。例えば、第1面10F側の導体面積の和に対する第2面10B側の導体面積の和の割合は、1より大きく、2以下程度である。
A desired conductor pattern is formed in each of the conductor layers (first surface
このような配線基板では、樹脂材料からなる絶縁層と、任意の金属からなる導体層との熱膨張率差に起因して、残銅率が小さい側のビルドアップ層(第2ビルドアップ層12)の熱収縮量が、残銅率が大きい側のビルドアップ層(第1ビルドアップ層11)と比較して相対的に大きくなったり、小さくなったりする。したがって、熱収縮の際、例えば第2ビルドアップ層12が縮むように、すなわち上に凸の状態となるように応力が生じて、配線基板に反りが生じる可能性がある。反りによる実装性の低下が起こるおそれがある。
In such a wiring board, the build-up layer (second build-up layer 12) on the side where the residual copper ratio is small due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the insulating layer made of a resin material and the conductor layer made of an arbitrary metal. ) Has a relatively large or small amount of heat shrinkage as compared with the build-up layer (first build-up layer 11) on the side having a large residual copper ratio. Therefore, during heat shrinkage, stress may be generated so that, for example, the second build-
ビルドアップ層を形成する過程において生じ得る、コア基板10の両側、すなわちコア基板10からの第1面10F側及び第2面10B側における残銅率差に起因する反りを抑制するために、配線基板1においては、配線基板1の厚さ方向における中心線CCが第1ビルドアップ層11内又は第1面側導体層3a内を通るように調整されている。このため、第1ビルドアップ層11内の第1層間絶縁層32の厚さが、第2ビルドアップ層12内の第2層間絶縁層42の厚さよりも厚く形成されている。好ましくは、第1導体層31及び第2導体層41の内のコア基板から同順位に位置する少なくとも1つの導体層同士の下に形成される層間絶縁層について、第1層間絶縁層32の厚さが、第2層間絶縁層42の厚みよりも厚く形成されている。ここで導体層同士がコア基板10から同順位に位置するとは、コア基板10から第1面10F側の外側又は第2面10B側の外側へ向かって各ビルドアップ層内の導体層に順序をつけた場合にそれぞれ同じ順位となる導体層同士を意味する。また、コア絶縁層5の厚さは、第2層間絶縁層42の厚さよりも厚く形成されている。図1には、配線基板1の厚さ方向における中心線CCがコア基板10の第1面側導体層3a内を通っている例が示されている。この結果、配線基板1では、コア絶縁層5の第1面10F側及び第2面10B側における残銅率差によって生じ得る熱収縮量の差が、コア基板10のコア絶縁層5の厚さ方向の中心からの両側の絶縁層の厚さの和の差すなわち両側の樹脂量のアンバランスによって相殺され得る。したがって、残銅率の違いから生じる反りの発生が抑制されると考えられる。
Wiring to suppress warpage caused by the difference in residual copper ratio between both sides of the
第1面側導体層3a、第2面側導体層4a、第1導体層31及び第2導体層41それぞれの厚さは、たとえば、5μm以上であって、20μm以下である。好ましくは、第1面側導体層3aの導体厚さと第2面側導体層4aの導体厚さとが略等しい。また、好ましくは、第1導体層31及び第2導体層41のうち、コア基板10から同順位に位置する導体層同士の導体厚さも略等しい。例えば、第1ビルドアップ層11のうち最もコア基板10側に近接して位置している第1層間絶縁層32上に積層されている第1導体層31の導体厚さは、第2ビルドアップ層12のうち最もコア基板10側に近接して位置している第2層間絶縁層42上に積層されている第2導体層41の導体厚さと等しくされている。また、第1ビルドアップ層11の最も外側の第1導体層31の導体厚さは、第2ビルドアップ層12の最も外側の第2導体層41の導体厚さと等しくされている。本実施形態の配線基板1では、反りの低減のために、コア絶縁層5の第1面10F側及び第2面10B側における導体面積の差を、導体層の厚さを調整することによって相殺する必要がない。配線基板1において、コア基板10の第1面10F側と第2面10B側とで導体層の厚さの和に大きな差が生じない。配線基板1のコア基板10の第1面10F側と第2面10B側とで導体層のパターンによって形成される信号線の抵抗値が合わせにくくなるといった問題が生じにくいと考えられる。
The thickness of each of the first surface
図2には、一実施形態の配線基板の他の例である配線基板1aが示されている。図2の例では、配線基板1aは、コア絶縁層5の第2面10B側にアンテナ2を構成する第1放射素子21及び第2放射素子22を含んでいる。
FIG. 2 shows a
配線基板1aにおいて、第2面側導体層4aは、第1放射素子21を含んでいる。第2ビルドアップ層12の最も外側の第2導体層411は、第2放射素子22を含んでいる。第1放射素子21は第2面側導体層4aに形成された導体パターンによって構成されている。第2放射素子22は第2導体層411に形成された導体パターンによって構成されている。第1放射素子21と第2放射素子22との間には第2層間絶縁層42が介在している。第1放射素子21と第2放射素子22とは、アンテナ2を構成すべく、第2層間絶縁層42を介して対向している。第1放射素子21及び第2放射素子22は、互いに電磁的に結合することによってアンテナ2を構成し得る。
In the
第1放射素子21には、アンテナ2から送信されるべき信号又はアンテナ2によって受信されるべき外来の信号が伝えられる。このように、第1放射素子21は、アンテナ2において電気信号が供給されるべき、又は、外来電波に基づく電気信号を誘起させるべき給電素子であってもよい。
A signal to be transmitted from the
第2放射素子22は、第2放射素子22以外の導電体から絶縁されている。第2放射素子22には、他の導電体からの通電は行われ得ない。第2放射素子22は、図2の例のように、アンテナ2の使用時に通電されない無給電素子であってもよい。
The
図2の例において給電素子である第1放射素子21は、コア基板10の第2面側導体層4aに含まれており、アンテナ2によって送信されるべき信号は、第1ビルドアップ層11から第1放射素子21へと伝送される。また、アンテナ2によって受信された信号は、第1放射素子21から第1ビルドアップ層11へと伝送される。第1放射素子21は、スルーホール導体50を介してコア基板10の第1面側導体層3aに電気的に接続されている。第1面側導体層3aと第1導体層31とは、第1ビア導体51を介して電気的に接続されている。したがって、第1導体層31と第1放射素子21との間で、スルーホール導体50及び第1ビア導体51を介して、例えば高周波信号が双方向に伝送され得る。
In the example of FIG. 2, the
第1ビルドアップ層11の最も外側の第1導体層31には、接続パッド31aが形成されている。例えば、接続パッド31aに実装された電子部品(図示せず)で生成される信号は、接続パッド31aを介して、第1ビルドアップ層11内及び第1面側導体層3aを伝送されてアンテナ2から送信され得る。また、アンテナ2によって受信された信号は伝送されて、接続パッド31aに実装される電子部品(図示せず)に入力され、且つ、この電子部品によって処理され得る。
A
図2の例の配線基板1aは、第2ビルドアップ層12上に形成されているソルダーレジスト層71を含んでいる。ソルダーレジスト層71は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成される。ソルダーレジスト層71は、第2放射素子22を覆っている。
The
図2に示されるように、第1放射素子21と第2放射素子22との間には、第2層間絶縁層42だけが配置され、導体パターンは形成されていない。また、第1放射素子21は、第2面側導体層4aに形成され得る他の導体パターンと分離されている。すなわち、平面視において第1放射素子21の周囲には、第2面側導体層4aにおいて導体パターンの無い領域が設けられている。第2放射素子22も、第2導体層411に形成され得る他の導体パターンと分離されており、平面視において第2導体層411の第2放射素子22の周囲には、導体パターンの無い領域が設けられている。なお、「平面視」は、配線基板1aを外部から見るときの見方に関し、配線基板1aの厚さ方向と平行な視線で配線基板1aを見ることを意味している。
As shown in FIG. 2, only the second
すなわち、配線基板1aにおいて、第2面側導体層4aは、第1放射素子21の周囲に導体パターンの無い領域を含んでいる。また、第2導体層411は、第2放射素子22の周囲に導体パターンの無い領域を含んでいる。そして、第2面側導体層4a上の第2層間絶縁層42においても、第1及び第2の放射素子21、22の周囲と重なる部分には導体パターンは形成されていない。したがって、配線基板1aにおいてはコア絶縁層5の第1面10F側と第2面10B側とにおける導体面積の和の差(残銅率差)が、配線基板1の場合と比較してさらに大きくなっていると考えられる。しかしながら、配線基板1aにおいても配線基板1と同様に、第1ビルドアップ層11内の第1層間絶縁層32の厚さが、第2ビルドアップ層12内の第2層間絶縁層42の厚さよりも厚く形成されている。また、コア絶縁層5の厚さは、第2層間絶縁層42の厚さよりも厚く形成されている。したがって、配線基板1の厚さ方向における中心線CCが第1ビルドアップ層11内又は第1面側導体層3a内を通るように調整されている。この結果、片方のビルドアップ層内にアンテナ構造を含むような配線基板1aにおいても、配線基板1の場合と同様に、コア絶縁層5の第1面10F側及び第2面10B側における残銅率差によって生じ得る熱収縮量の差は、コア基板10のコア絶縁層5の厚さ方向の中心からの両側の絶縁層の厚さの和の差すなわち両側の樹脂量のアンバランスによって相殺されると考えられる。したがって、反りの発生が抑制されると考えられる。
That is, in the
つぎに、図1に示される配線基板1を例に、一実施形態の配線基板の製造方法が、図3A〜図3Dを参照して以下に説明される。
Next, using the
図3Aに示されるように、コア基板10を構成するコア絶縁層5、及びコア絶縁層5の両面に設けられた金属箔3eを有する積層板が用意される。例えば、銅からなる金属箔3eを有する両面銅張積層板が用意される。
As shown in FIG. 3A, a laminated plate having a core insulating
図3Bに示されるように、貫通孔10bが、炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成され、例えば銅箔を用いるセミアディティブ法を用いて、銅箔、銅の無電解めっき膜、及び電解めっき膜を含んでいて所望の導体パターンを有する第1面側導体層3a及び第2面側導体層4aがそれぞれコア基板10の第1面10F側及び第2面10B側に形成される。また、この無電解めっき膜及び電解めっき膜が貫通孔10b内に埋め込まれることによってスルーホール導体50が形成される。
As shown in FIG. 3B, the through
図3Cに示されるように、第1層間絶縁層32及び第2層間絶縁層42が形成される。また、第1導体層31が第1層間絶縁層32上に形成される。第1導体層31の形成と共に、第2導体層41が第2層間絶縁層42上に形成される。第1導体層31の形成において、第1ビア導体51が第1層間絶縁層32内に形成される。また、第2導体層41の形成において、第2層間絶縁層42内に第2ビア導体52が形成される。
As shown in FIG. 3C, the first
第1及び第2の層間絶縁層32、42は、例えば、半硬化状態のエポキシ樹脂及びガラス繊維などの補強材を含むプリプレグ、又は、フィルム状のエポキシ樹脂をコア基板10の両面に積層し、熱圧着することによって形成される。プリプレグの積層の際に、例えば銅からなる金属箔がプリプレグ上に重ねられ、プリプレグと共に圧着されてもよい。その後、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって、第1及び第2のビア導体51、52を形成するための貫通孔32a、42aが、第1及び第2の層間絶縁層32、42それぞれに形成される。
For the first and second
そして、例えば、セミアディティブ法を用いて、所望の導体パターンを有する第1及び第2の導体層31、41、並びに、第1及び第2のビア導体51、52が形成される。
Then, for example, the semi-additive method is used to form the first and second conductor layers 31 and 41 having a desired conductor pattern, and the first and second via
例えばセミアディティブ法を用いる一般的なビルドアップ配線板の製造方法を適用することにより、図3Cの第1導体層31上及び第2導体層41上に、さらに、第1層間絶縁層32及び第1導体層31、ならびに第2層間絶縁層42及び第2導体層41が形成されて、コア基板10の第1面10F上及び第2面10B上に第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12がそれぞれ形成される(図3D)。各層間絶縁層32、42にはビア導体51、52が形成されている。図3Dでは、それぞれ2層の層間絶縁層及び導体層からなる第1及び第2のビルトアップ層11、12がコア基板の第1面10F側及び第2面10B側に形成されている。
For example, by applying a general method for manufacturing a build-up wiring board using a semi-additive method, on the
その後、第1ビルドアップ層11上にソルダーレジスト層6が形成され、第2ビルドアップ層12上にソルダーレジスト層7が形成される。ソルダーレジスト層6、7は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切なパターンを有するマスクを用いた露光、及び現像とによって形成される。
After that, the solder resist
ソルダーレジスト層6、7の開口に露出する接続パッド31a、41aには、必要に応じて、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Au、Ni/Au、Ni/Pd/Au、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜(図示せず)が形成されてもよい。以上の工程を経ることによって、図1の例の配線基板1が完成する。
The
実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、ならびに、本明細書において例示された構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、第1ビア導体51などの各ビア導体は、コア基板10側に向って縮径する形状を有していなくてもよい。第2放射素子22は、ソルダーレジスト層7の開口に露出していてもよく、ソルダーレジスト層6、7そのものが設けられなくてもよい。
The wiring board of the embodiment is not limited to the structure exemplified in each drawing and the structure, shape, and material exemplified in this specification. For example, each via conductor such as the first via
また、実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して先に説明された方法に限定されない。たとえば、コア基板10は、サブトラクティブ法を用いて形成されてもよい。第1及び第2のビルドアップ層11、12内の各導体層は、フルアディティブ法を用いて形成されてもよい。先に説明された製造方法の条件や順序などは適宜変更され得る。現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。
Further, the method for manufacturing the wiring board of the embodiment is not limited to the method described above with reference to each drawing. For example, the
1 配線基板
1a 配線基板
5 コア絶縁層
10 コア基板
10F コア基板の第1面
10B コア基板の第2面
11 第1ビルドアップ層
12 第2ビルドアップ層
2 アンテナ
3a 第1面側導体層
4a 第2面側導体層
21 第1放射素子
22 第2放射素子
31 第1導体層
32 第1層間絶縁層
41 第2導体層
42 第2層間絶縁層
51 第1ビア導体
52 第2ビア導体
6、7 ソルダーレジスト層
1
Claims (7)
前記コア基板の第1面上に設けられて第1層間絶縁層と前記第1層間絶縁層上の第1導体層とが交互に積層されてなる第1ビルドアップ層と、
前記コア基板の第2面上に設けられて第2層間絶縁層と前記第2層間絶縁層上の第2導体層とが交互に積層されてなる第2ビルドアップ層と、
を備える配線基板であって、
前記第1ビルドアップ層の内の第1導体層の数と前記第2ビルドアップ層の内の第2導体層の数とが等しく、
前記第1面側導体層及び前記第1導体層において導体が占める面積の総和は、前記第2面側導体層及び前記第2導体層において導体が占める面積の総和よりも大きく、
前記配線基板の厚さ方向における中心線が、前記第1ビルドアップ層内又は前記第1面側導体層内にある。 A core substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and including a core insulating layer, a first surface side conductor layer, and a second surface side conductor layer.
A first build-up layer provided on the first surface of the core substrate and having a first interlayer insulating layer and a first conductor layer on the first interlayer insulating layer alternately laminated.
A second build-up layer provided on the second surface of the core substrate and having a second interlayer insulating layer and a second conductor layer on the second interlayer insulating layer alternately laminated.
It is a wiring board equipped with
The number of the first conductor layers in the first build-up layer is equal to the number of the second conductor layers in the second build-up layer.
The total area occupied by the conductors in the first surface side conductor layer and the first conductor layer is larger than the total area occupied by the conductors in the second surface side conductor layer and the second conductor layer.
The center line in the thickness direction of the wiring board is in the first build-up layer or in the first surface side conductor layer.
前記コア基板の第1面上に、第1層間絶縁層と前記第1層間絶縁層上の第1導体層とが交互に積層されてなる第1ビルドアップ層を設けることと、
前記コア基板の第2面上に、第2層間絶縁層と前記第2層間絶縁層上の第2導体層とが交互に積層されてなる第2ビルドアップ層を設けることと、
を含む配線基板の製造方法であって、
前記第1ビルドアップ層を設けること及び前記第2ビルドアップ層を設けることは、同一の数の前記第1導体層及び前記第2導体層を形成することと、前記第1面側導体層及び前記第1導体層において導体が占める面積の総和を、前記第2面側導体層及び前記第2導体層において導体が占める面積の総和よりも大きくすることと、前記配線基板の厚さ方向における中心線が、前記第1ビルドアップ層内又は前記第1面側導体層内に位置するように前記コア絶縁層、前記第1層間絶縁層及び前記第2層間絶縁層の厚さを調整することとを含んでいる。 A core substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface and including a core insulating layer, a first surface side conductor layer, and a second surface side conductor layer is provided.
A first build-up layer in which the first interlayer insulating layer and the first conductor layer on the first interlayer insulating layer are alternately laminated is provided on the first surface of the core substrate.
A second build-up layer in which a second interlayer insulating layer and a second conductor layer on the second interlayer insulating layer are alternately laminated is provided on the second surface of the core substrate.
It is a manufacturing method of a wiring board including
Providing the first build-up layer and the second build-up layer means forming the same number of the first conductor layer and the second conductor layer, and providing the first surface side conductor layer and the same number of conductor layers. Making the total area occupied by the conductors in the first conductor layer larger than the total area occupied by the conductors in the second surface side conductor layer and the second conductor layer, and the center in the thickness direction of the wiring substrate. Adjusting the thickness of the core insulating layer, the first interlayer insulating layer, and the second interlayer insulating layer so that the wire is located in the first build-up layer or the first surface side conductor layer. Includes.
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JP2019083083A JP2020181867A (en) | 2019-04-24 | 2019-04-24 | Wiring board and manufacturing method of wiring board |
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