JP2020181867A - Wiring board and manufacturing method of wiring board - Google Patents

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普崇 谷口
Hirotaka Taniguchi
普崇 谷口
武馬 足立
Takema Adachi
武馬 足立
英俊 野口
Hidetoshi Noguchi
英俊 野口
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Abstract

To suppress warpage of a wiring board.SOLUTION: A wiring board 1 comprises: a core board 10 including a core insulation layer 5, a first surface-side conductor layer 3a, and a second surface-side conductor layer 4a; a first build-up layer 11 in which first interlayer insulation layers 32 and first conductor layers 31 are alternately laminated; and a second build-up layer 12 in which second interlayer insulation layers 42 and second conductor layers 41 are alternately laminated. The number of the first conductor layers 31 is equal to that of the second conductor layers 41. The sum of the areas occupied by conductors in the first surface-side conductor layer 3a and the first conductor layers 31 is greater than the sum of the areas occupied by the conductors in the second surface-side conductor layer 4a and the second conductor layers 41. A center line in a thickness direction of the wiring board 1 is located in the first build-up layer 11 or the first surface-side conductor layer 3a.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は配線基板及び配線基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a wiring board and a method for manufacturing a wiring board.

特許文献1には、コア基板の上下面及びコア基板の上下面に積層された絶縁層に異なる占有面積率で被着された導体層を含む、半導体素子等を搭載するための配線基板が開示されている。導体層は、コア基板を挟んで反対側の対応する導体層と比較して、占有面積率の大きい導体層の導体厚みが占有面積率の小さい導体層の導体厚みよりも薄くなるように形成されている。 Patent Document 1 discloses a wiring board for mounting a semiconductor element or the like, which includes conductor layers adhered to the upper and lower surfaces of the core substrate and the insulating layers laminated on the upper and lower surfaces of the core substrate at different occupied area ratios. Has been done. The conductor layer is formed so that the conductor thickness of the conductor layer having a large occupied area ratio is thinner than the conductor thickness of the conductor layer having a small occupied area ratio as compared with the corresponding conductor layer on the opposite side of the core substrate. ing.

特開2016−139632号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-139632

特許文献1の導体層を含む配線基板では、コア基板の上下面の導体層ならびにコア基板を中心とした上面側及び下面側の導体層において、導体層は絶縁層に対する占有面積率に応じてその厚みが異なって形成される。コア基板の上面及び下面で、信号線の抵抗値が合わせにくくなるおそれがある。 In the wiring board including the conductor layer of Patent Document 1, in the conductor layers on the upper and lower surfaces of the core substrate and the conductor layers on the upper surface side and the lower surface side centering on the core substrate, the conductor layers are arranged according to the occupied area ratio with respect to the insulating layer. Formed with different thicknesses. It may be difficult to match the resistance values of the signal lines on the upper and lower surfaces of the core substrate.

本発明の配線基板は、第1面と前記第1面とは反対側の第2面とを有し、コア絶縁層と第1面側導体層及び第2面側導体層とを含むコア基板と、前記コア基板の第1面上に設けられて第1層間絶縁層と前記第1層間絶縁層上の第1導体層とが交互に積層されてなる第1ビルドアップ層と、前記コア基板の第2面上に設けられて第2層間絶縁層と前記第2層間絶縁層上の第2導体層とが交互に積層されてなる第2ビルドアップ層と、を備えている。そして、前記第1ビルドアップ層の内の第1導体層の数と前記第2ビルドアップ層の内の第2導体層の数とが等しく、前記第1面側導体層及び前記第1導体層において導体が占める面積の総和は、前記第2面側導体層及び前記第2導体層において導体が占める面積の総和よりも大きく、前記配線基板の厚さ方向における中心線が、前記第1ビルドアップ層内又は前記第1面側導体層内にある。 The wiring board of the present invention has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and includes a core insulating layer, a first surface side conductor layer, and a second surface side conductor layer. A first build-up layer provided on the first surface of the core substrate and alternately laminated with a first interlayer insulating layer and a first conductor layer on the first interlayer insulating layer, and the core substrate. A second build-up layer is provided on the second surface of the above, and the second interlayer insulating layer and the second conductor layer on the second interlayer insulating layer are alternately laminated. Then, the number of the first conductor layers in the first build-up layer is equal to the number of the second conductor layers in the second build-up layer, and the first surface side conductor layer and the first conductor layer are equal to each other. The total area occupied by the conductors is larger than the total area occupied by the conductors in the second surface side conductor layer and the second conductor layer, and the center line in the thickness direction of the wiring board is the first build-up. It is in the layer or in the conductor layer on the first surface side.

本発明の配線基板の製造方法は、第1面と前記第1面とは反対側の第2面とを有し、コア絶縁層と第1面側導体層及び第2面側導体層とを含むコア基板を設けることと、前記コア基板の第1面上に、第1層間絶縁層と前記第1層間絶縁層上の第1導体層とが交互に積層されてなる第1ビルドアップ層を設けることと、前記コア基板の第2面上に、第2層間絶縁層と前記第2層間絶縁層上の第2導体層とが交互に積層されてなる第2ビルドアップ層を設けることと、を含んでいる。そして、前記第1ビルドアップ層を設けること及び前記第2ビルドアップ層を設けることは、同一の数の前記第1導体層及び前記第2導体層を形成することと、前記第1面側導体層及び前記第1導体層において導体が占める面積の総和を、前記第2面側導体層及び前記第2導体層において導体が占める面積の総和よりも大きくすることと、前記配線基板の厚さ方向における中心線が、前記第1ビルドアップ層内又は前記第1面側導体層内に位置するように前記コア絶縁層、前記第1層間絶縁層及び前記第2層間絶縁層の厚さを調整することとを含んでいる。 The method for manufacturing a wiring board of the present invention has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and has a core insulating layer, a first surface side conductor layer, and a second surface side conductor layer. A core substrate including the core substrate is provided, and a first build-up layer formed by alternately laminating a first interlayer insulating layer and a first conductor layer on the first interlayer insulating layer is provided on the first surface of the core substrate. A second build-up layer in which a second interlayer insulating layer and a second conductor layer on the second interlayer insulating layer are alternately laminated is provided on the second surface of the core substrate. Includes. The provision of the first build-up layer and the provision of the second build-up layer form the same number of the first conductor layer and the second conductor layer, and the first surface side conductor. Making the total area occupied by the conductors in the layer and the first conductor layer larger than the total area occupied by the conductors in the second surface side conductor layer and the second conductor layer, and in the thickness direction of the wiring substrate. The thickness of the core insulating layer, the first interlayer insulating layer, and the second interlayer insulating layer is adjusted so that the center line in the above is located in the first build-up layer or the first surface side conductor layer. It includes things.

本発明の実施形態によれば、コア基板の第1面側に設けられている導体層と、コア基板の第2面側に設けられている導体層とのあいだで、各導体層において導体が占める面積の総和が異なっていても、配線基板の反りが抑制され得ると考えられる。また、そのような信頼性の高い配線基板を製造することができる。 According to the embodiment of the present invention, a conductor is provided in each conductor layer between the conductor layer provided on the first surface side of the core substrate and the conductor layer provided on the second surface side of the core substrate. It is considered that the warp of the wiring board can be suppressed even if the total area occupied is different. Moreover, such a highly reliable wiring board can be manufactured.

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。The cross-sectional view which shows an example of the wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。The cross-sectional view which shows the other example of the wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。The figure which shows an example of the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。The figure which shows an example of the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。The figure which shows an example of the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。The figure which shows an example of the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment of this invention.

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図1には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板1の断面図が示されている。図1に示されるように、配線基板1は、第1面10Fと第1面10Fとは反対側の第2面10Bとを有するコア基板10と、コア基板10の第1面上の第1ビルドアップ層11と、コア基板10の第2面上の第2ビルドアップ層12とを含んでいる。2つのビルドアップ層(第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12)は、互いに同数の導体層を含んでいる。第1ビルドアップ層11は、第1層間絶縁層32と第1層間絶縁層32上の第1導体層31とが交互に積層されて形成されている。図1の例では、第1ビルドアップ層11は、2つの第1導体層31及び2つの第1層間絶縁層32を含んでいる。第2ビルドアップ層12は、第2層間絶縁層42と第2層間絶縁層42上の第2導体層41とが交互に積層されて形成されている。図1の例では、第2ビルドアップ層12は、2つの第2導体層41及び2つの第2層間絶縁層42を含んでいる。なお、第1及び第2のビルドアップ層内の導体層及び層間絶縁層の数はそれぞれ2つに限定されず、任意の数の、例えば1つの、又は、3もしくはそれ以上の数の導体層及び層間絶縁層が設けられてもよい。しかしながら、第1ビルドアップ層内に積層される第1導体層及び第1層間絶縁層の数は、第2ビルドアップ層内に積層される第2導体層及び第2層間絶縁層の数とそれぞれ同一に形成される。 A wiring board according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a cross-sectional view of a wiring board 1 which is an example of a wiring board of one embodiment. As shown in FIG. 1, the wiring board 1 includes a core substrate 10 having a first surface 10F and a second surface 10B opposite to the first surface 10F, and a first surface on the first surface of the core substrate 10. It includes a build-up layer 11 and a second build-up layer 12 on the second surface of the core substrate 10. The two build-up layers (first build-up layer 11 and second build-up layer 12) include the same number of conductor layers as each other. The first build-up layer 11 is formed by alternately laminating the first interlayer insulating layer 32 and the first conductor layer 31 on the first interlayer insulating layer 32. In the example of FIG. 1, the first build-up layer 11 includes two first conductor layers 31 and two first interlayer insulating layers 32. The second build-up layer 12 is formed by alternately laminating a second interlayer insulating layer 42 and a second conductor layer 41 on the second interlayer insulating layer 42. In the example of FIG. 1, the second build-up layer 12 includes two second conductor layers 41 and two second interlayer insulating layers 42. The number of conductor layers and interlayer insulating layers in the first and second build-up layers is not limited to two, and any number, for example, one, or three or more conductor layers, is not limited to two. And an interlayer insulating layer may be provided. However, the number of the first conductor layer and the first interlayer insulating layer laminated in the first build-up layer is the same as the number of the second conductor layer and the second interlayer insulating layer laminated in the second build-up layer, respectively. Formed the same.

コア基板10は、コア絶縁層5と、コア絶縁層5の両面上すなわちコア基板10の第1面10F側及び第2面10B側にそれぞれ形成されている第1面側導体層3a及び第2面側導体層4aを含んでいる。コア絶縁層5には、第1面側導体層3aと第2面側導体層4aとを接続するスルーホール導体50が形成されている。 The core substrate 10 is formed on both sides of the core insulating layer 5 and the core insulating layer 5, that is, on the first surface 10F side and the second surface 10B side of the core substrate 10, respectively, the first surface side conductor layers 3a and the second. The surface side conductor layer 4a is included. The core insulating layer 5 is formed with a through-hole conductor 50 that connects the first surface side conductor layer 3a and the second surface side conductor layer 4a.

各導体層(第1面側導体層3a、第2面側導体層4a、第1導体層31、及び第2導体層41)は、図1において単層構造を有するように示されているが、2つ又は3つなどの複数の層を有し得る。これら各導体層は、例えば、金属箔層、無電解めっき膜層、及び、電解めっき膜層を有し得る。各導体層は、例えば、銅、ニッケル、銀、パラジウムなどの任意の金属を単独で又は組み合わせて用いて形成され得る。 Although each conductor layer (first surface side conductor layer 3a, second surface side conductor layer 4a, first conductor layer 31, and second conductor layer 41) is shown to have a single layer structure in FIG. It may have multiple layers, such as two or three. Each of these conductor layers may have, for example, a metal foil layer, an electroless plating film layer, and an electrolytic plating film layer. Each conductor layer can be formed, for example, with any metal such as copper, nickel, silver, palladium, alone or in combination.

コア絶縁層5、第1層間絶縁層32、及び第2層間絶縁層42は、任意の絶縁性材料を用いて形成される。絶縁性材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)又はフェノール樹脂などの樹脂材料が例示される。これらの樹脂材料を用いて形成される各絶縁層は、ガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材、及び/又は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。図1の例のように、各ビルドアップ層が複数の層間絶縁層を含んでいる場合、各ビルドアップ層内の各層間絶縁層は、同一の樹脂材料を用いて形成されてもよい。各層間絶縁層間の剥離が防止される場合がある。また、例えば、全ての層間絶縁層、すなわち第1ビルドアップ層11内の第1層間絶縁層32と第2ビルドアップ層12内の第2層間絶縁層42とが、同一の絶縁性の樹脂材料を用いて形成されてもよい。しかし、互いに異なる樹脂材料が用いられてもよい。 The core insulating layer 5, the first interlayer insulating layer 32, and the second interlayer insulating layer 42 are formed by using an arbitrary insulating material. Examples of the insulating material include resin materials such as epoxy resin, bismaleimide triazine resin (BT resin), and phenol resin. Each insulating layer formed by using these resin materials may contain a reinforcing material such as glass fiber or aramid fiber and / or an inorganic filler such as silica. When each build-up layer includes a plurality of interlayer insulating layers as in the example of FIG. 1, each interlayer insulating layer in each build-up layer may be formed by using the same resin material. Detachment between each interlayer insulation layer may be prevented. Further, for example, all the interlayer insulating layers, that is, the first interlayer insulating layer 32 in the first build-up layer 11 and the second interlayer insulating layer 42 in the second build-up layer 12 are made of the same insulating resin material. May be formed using. However, different resin materials may be used.

各層間絶縁層は、それぞれの層間絶縁層の両面に形成されている導体層同士を接続するビア導体51、52を含んでいる。第1層間絶縁層32は、ビア導体51を含み、第2層間絶縁層42は、ビア導体52を含んでいる。ビア導体51、52は、各層間絶縁層それぞれを貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成される所謂フィルドビアである。ビア導体51、52は、それぞれの上側の導体層と一体的に形成されている。従ってビア導体51、52は、例えば、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。なお、コア絶縁層5を貫通して形成されているスルーホール導体50も、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。 Each interlayer insulating layer includes via conductors 51 and 52 that connect conductor layers formed on both sides of the interlayer insulating layer. The first interlayer insulating layer 32 includes a via conductor 51, and the second interlayer insulating layer 42 includes a via conductor 52. The via conductors 51 and 52 are so-called filled vias formed by filling through holes penetrating each interlayer insulating layer with a conductor. The via conductors 51 and 52 are integrally formed with the respective upper conductor layers. Therefore, the via conductors 51 and 52 are formed of, for example, an electroless plating film and an electrolytic plating film made of copper, nickel, or the like. The through-hole conductor 50 formed through the core insulating layer 5 is also formed by an electroless plating film and an electrolytic plating film made of copper, nickel, or the like.

図1の例の配線基板1は、さらに、第1ビルドアップ層11上に形成されている第1ソルダーレジスト層6、及び、第2ビルドアップ層12上に形成されている第2ソルダーレジスト層7を含んでいる。第1ソルダーレジスト層6は最上層の第1導体層31を覆っており、第2ソルダーレジスト層7は最上層の第2導体層41を覆っている。第1及び第2のソルダーレジスト層6、7は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成される。 The wiring board 1 of the example of FIG. 1 further has a first solder resist layer 6 formed on the first build-up layer 11 and a second solder resist layer formed on the second build-up layer 12. 7 is included. The first solder resist layer 6 covers the first conductor layer 31 of the uppermost layer, and the second solder resist layer 7 covers the second conductor layer 41 of the uppermost layer. The first and second solder resist layers 6 and 7 are formed by using, for example, an epoxy resin or a polyimide resin.

第1ビルドアップ層11の最も外側の第1導体層31は、例えば電子部品や外部の配線板(図示せず)がその上に実装される接続パッド31aを含んでいる。ソルダーレジスト層6は、接続パッド31aを露出させる開口を有している。第2ビルドアップ層12の最も外側の第2導体層41は、接続パッド41aを含んでいる。接続パッド41aは例えば、配線基板1が用いられる電子機器のマザーボードやパッケージ基板などとの接続に用いられ得る。ソルダーレジスト層7は、接続パッド41aを露出させる開口を有している。 The outermost first conductor layer 31 of the first build-up layer 11 includes, for example, a connection pad 31a on which an electronic component or an external wiring board (not shown) is mounted. The solder resist layer 6 has an opening for exposing the connection pad 31a. The outermost second conductor layer 41 of the second build-up layer 12 includes a connection pad 41a. The connection pad 41a can be used, for example, for connecting to a motherboard or a package board of an electronic device in which the wiring board 1 is used. The solder resist layer 7 has an opening for exposing the connection pad 41a.

各導体層(第1面側導体層3a、第2面側導体層4a、第1導体層31、及び第2導体層41)には、それぞれ、所望の導体パターンが形成されている。配線基板1では、コア絶縁層5の第1面10F側の導体層において導体が占める面積の和と第2面10B側の導体層において導体が占める面積の和とが異なる(以下、残銅率差とも称される。各導体層の材料が銅に限定されるわけではないが、配線基板1の面積に対する、各導体層内の導体パターンの全面積の割合は、単に残銅率と称される)。図1の例では、第1面10F側にある導体層において導体が占める導体面積の和、すなわち第1面側導体層3aの面積及び第1導体層31の面積の総和は、第2面10B側にある導体層において導体が占める導体面積の和、すなわち第2面側導体層4aの面積及び第2導体層41の面積の総和よりも大きい。例えば、第1面10F側の導体面積の和に対する第2面10B側の導体面積の和の割合は、1より大きく、2以下程度である。 A desired conductor pattern is formed in each of the conductor layers (first surface side conductor layer 3a, second surface side conductor layer 4a, first conductor layer 31, and second conductor layer 41). In the wiring board 1, the sum of the areas occupied by the conductors in the conductor layer on the first surface 10F side of the core insulating layer 5 and the sum of the areas occupied by the conductors in the conductor layer on the second surface 10B side are different (hereinafter, the residual copper ratio). It is also called a difference. The material of each conductor layer is not limited to copper, but the ratio of the total area of the conductor pattern in each conductor layer to the area of the wiring board 1 is simply called the residual copper ratio. Ru). In the example of FIG. 1, the sum of the conductor areas occupied by the conductors in the conductor layer on the first surface 10F side, that is, the total area of the first surface side conductor layer 3a and the area of the first conductor layer 31 is the second surface 10B. It is larger than the sum of the conductor areas occupied by the conductors in the conductor layer on the side, that is, the sum of the areas of the second surface side conductor layer 4a and the area of the second conductor layer 41. For example, the ratio of the sum of the conductor areas on the second surface 10B side to the sum of the conductor areas on the first surface 10F side is larger than 1 and about 2 or less.

このような配線基板では、樹脂材料からなる絶縁層と、任意の金属からなる導体層との熱膨張率差に起因して、残銅率が小さい側のビルドアップ層(第2ビルドアップ層12)の熱収縮量が、残銅率が大きい側のビルドアップ層(第1ビルドアップ層11)と比較して相対的に大きくなったり、小さくなったりする。したがって、熱収縮の際、例えば第2ビルドアップ層12が縮むように、すなわち上に凸の状態となるように応力が生じて、配線基板に反りが生じる可能性がある。反りによる実装性の低下が起こるおそれがある。 In such a wiring board, the build-up layer (second build-up layer 12) on the side where the residual copper ratio is small due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the insulating layer made of a resin material and the conductor layer made of an arbitrary metal. ) Has a relatively large or small amount of heat shrinkage as compared with the build-up layer (first build-up layer 11) on the side having a large residual copper ratio. Therefore, during heat shrinkage, stress may be generated so that, for example, the second build-up layer 12 shrinks, that is, becomes an upwardly convex state, and the wiring board may warp. Deterioration of mountability may occur due to warpage.

ビルドアップ層を形成する過程において生じ得る、コア基板10の両側、すなわちコア基板10からの第1面10F側及び第2面10B側における残銅率差に起因する反りを抑制するために、配線基板1においては、配線基板1の厚さ方向における中心線CCが第1ビルドアップ層11内又は第1面側導体層3a内を通るように調整されている。このため、第1ビルドアップ層11内の第1層間絶縁層32の厚さが、第2ビルドアップ層12内の第2層間絶縁層42の厚さよりも厚く形成されている。好ましくは、第1導体層31及び第2導体層41の内のコア基板から同順位に位置する少なくとも1つの導体層同士の下に形成される層間絶縁層について、第1層間絶縁層32の厚さが、第2層間絶縁層42の厚みよりも厚く形成されている。ここで導体層同士がコア基板10から同順位に位置するとは、コア基板10から第1面10F側の外側又は第2面10B側の外側へ向かって各ビルドアップ層内の導体層に順序をつけた場合にそれぞれ同じ順位となる導体層同士を意味する。また、コア絶縁層5の厚さは、第2層間絶縁層42の厚さよりも厚く形成されている。図1には、配線基板1の厚さ方向における中心線CCがコア基板10の第1面側導体層3a内を通っている例が示されている。この結果、配線基板1では、コア絶縁層5の第1面10F側及び第2面10B側における残銅率差によって生じ得る熱収縮量の差が、コア基板10のコア絶縁層5の厚さ方向の中心からの両側の絶縁層の厚さの和の差すなわち両側の樹脂量のアンバランスによって相殺され得る。したがって、残銅率の違いから生じる反りの発生が抑制されると考えられる。 Wiring to suppress warpage caused by the difference in residual copper ratio between both sides of the core substrate 10, that is, the first surface 10F side and the second surface 10B side from the core substrate 10, which may occur in the process of forming the build-up layer. In the substrate 1, the center line CC in the thickness direction of the wiring board 1 is adjusted so as to pass through the first build-up layer 11 or the first surface side conductor layer 3a. Therefore, the thickness of the first interlayer insulating layer 32 in the first build-up layer 11 is formed to be thicker than the thickness of the second interlayer insulating layer 42 in the second build-up layer 12. Preferably, the thickness of the first interlayer insulating layer 32 is such that the interlayer insulating layer formed under at least one conductor layer located in the same order as the core substrate in the first conductor layer 31 and the second conductor layer 41 is formed. Is formed thicker than the thickness of the second interlayer insulating layer 42. Here, the fact that the conductor layers are located in the same order from the core substrate 10 means that the conductor layers in each build-up layer are ordered from the core substrate 10 toward the outside on the first surface 10F side or the outside on the second surface 10B side. It means conductor layers that have the same order when attached. Further, the thickness of the core insulating layer 5 is formed to be thicker than the thickness of the second interlayer insulating layer 42. FIG. 1 shows an example in which the center line CC in the thickness direction of the wiring board 1 passes through the inside of the first surface side conductor layer 3a of the core board 10. As a result, in the wiring board 1, the difference in the amount of heat shrinkage that can occur due to the difference in the residual copper ratio between the first surface 10F side and the second surface 10B side of the core insulating layer 5 is the thickness of the core insulating layer 5 of the core substrate 10. It can be offset by the difference in the sum of the thicknesses of the insulating layers on both sides from the center of the direction, that is, the imbalance in the amount of resin on both sides. Therefore, it is considered that the occurrence of warpage caused by the difference in the residual copper ratio is suppressed.

第1面側導体層3a、第2面側導体層4a、第1導体層31及び第2導体層41それぞれの厚さは、たとえば、5μm以上であって、20μm以下である。好ましくは、第1面側導体層3aの導体厚さと第2面側導体層4aの導体厚さとが略等しい。また、好ましくは、第1導体層31及び第2導体層41のうち、コア基板10から同順位に位置する導体層同士の導体厚さも略等しい。例えば、第1ビルドアップ層11のうち最もコア基板10側に近接して位置している第1層間絶縁層32上に積層されている第1導体層31の導体厚さは、第2ビルドアップ層12のうち最もコア基板10側に近接して位置している第2層間絶縁層42上に積層されている第2導体層41の導体厚さと等しくされている。また、第1ビルドアップ層11の最も外側の第1導体層31の導体厚さは、第2ビルドアップ層12の最も外側の第2導体層41の導体厚さと等しくされている。本実施形態の配線基板1では、反りの低減のために、コア絶縁層5の第1面10F側及び第2面10B側における導体面積の差を、導体層の厚さを調整することによって相殺する必要がない。配線基板1において、コア基板10の第1面10F側と第2面10B側とで導体層の厚さの和に大きな差が生じない。配線基板1のコア基板10の第1面10F側と第2面10B側とで導体層のパターンによって形成される信号線の抵抗値が合わせにくくなるといった問題が生じにくいと考えられる。 The thickness of each of the first surface side conductor layer 3a, the second surface side conductor layer 4a, the first conductor layer 31 and the second conductor layer 41 is, for example, 5 μm or more and 20 μm or less. Preferably, the conductor thickness of the first surface side conductor layer 3a and the conductor thickness of the second surface side conductor layer 4a are substantially equal to each other. Further, preferably, among the first conductor layer 31 and the second conductor layer 41, the conductor thicknesses of the conductor layers located in the same order from the core substrate 10 are substantially the same. For example, the conductor thickness of the first conductor layer 31 laminated on the first interlayer insulating layer 32, which is located closest to the core substrate 10 side of the first build-up layer 11, is the second build-up. It is equal to the conductor thickness of the second conductor layer 41 laminated on the second interlayer insulating layer 42, which is located closest to the core substrate 10 side of the layers 12. Further, the conductor thickness of the outermost first conductor layer 31 of the first build-up layer 11 is equal to the conductor thickness of the outermost second conductor layer 41 of the second build-up layer 12. In the wiring board 1 of the present embodiment, in order to reduce warpage, the difference in conductor area between the first surface 10F side and the second surface 10B side of the core insulating layer 5 is offset by adjusting the thickness of the conductor layer. You don't have to. In the wiring board 1, there is no large difference in the sum of the thicknesses of the conductor layers between the first surface 10F side and the second surface 10B side of the core substrate 10. It is considered that the problem that it becomes difficult to match the resistance values of the signal lines formed by the pattern of the conductor layer on the first surface 10F side and the second surface 10B side of the core substrate 10 of the wiring board 1 is unlikely to occur.

図2には、一実施形態の配線基板の他の例である配線基板1aが示されている。図2の例では、配線基板1aは、コア絶縁層5の第2面10B側にアンテナ2を構成する第1放射素子21及び第2放射素子22を含んでいる。 FIG. 2 shows a wiring board 1a which is another example of the wiring board of one embodiment. In the example of FIG. 2, the wiring board 1a includes a first radiating element 21 and a second radiating element 22 constituting the antenna 2 on the second surface 10B side of the core insulating layer 5.

配線基板1aにおいて、第2面側導体層4aは、第1放射素子21を含んでいる。第2ビルドアップ層12の最も外側の第2導体層411は、第2放射素子22を含んでいる。第1放射素子21は第2面側導体層4aに形成された導体パターンによって構成されている。第2放射素子22は第2導体層411に形成された導体パターンによって構成されている。第1放射素子21と第2放射素子22との間には第2層間絶縁層42が介在している。第1放射素子21と第2放射素子22とは、アンテナ2を構成すべく、第2層間絶縁層42を介して対向している。第1放射素子21及び第2放射素子22は、互いに電磁的に結合することによってアンテナ2を構成し得る。 In the wiring board 1a, the second surface side conductor layer 4a includes the first radiating element 21. The outermost second conductor layer 411 of the second build-up layer 12 includes a second radiating element 22. The first radiating element 21 is composed of a conductor pattern formed on the second surface side conductor layer 4a. The second radiating element 22 is composed of a conductor pattern formed on the second conductor layer 411. A second interlayer insulating layer 42 is interposed between the first radiating element 21 and the second radiating element 22. The first radiating element 21 and the second radiating element 22 face each other via the second interlayer insulating layer 42 in order to form the antenna 2. The first radiating element 21 and the second radiating element 22 may form the antenna 2 by electromagnetically coupling with each other.

第1放射素子21には、アンテナ2から送信されるべき信号又はアンテナ2によって受信されるべき外来の信号が伝えられる。このように、第1放射素子21は、アンテナ2において電気信号が供給されるべき、又は、外来電波に基づく電気信号を誘起させるべき給電素子であってもよい。 A signal to be transmitted from the antenna 2 or an external signal to be received by the antenna 2 is transmitted to the first radiating element 21. As described above, the first radiating element 21 may be a feeding element to which an electric signal should be supplied from the antenna 2 or to induce an electric signal based on an external radio wave.

第2放射素子22は、第2放射素子22以外の導電体から絶縁されている。第2放射素子22には、他の導電体からの通電は行われ得ない。第2放射素子22は、図2の例のように、アンテナ2の使用時に通電されない無給電素子であってもよい。 The second radiating element 22 is insulated from a conductor other than the second radiating element 22. The second radiating element 22 cannot be energized from another conductor. The second radiating element 22 may be a non-feeding element that is not energized when the antenna 2 is used, as in the example of FIG.

図2の例において給電素子である第1放射素子21は、コア基板10の第2面側導体層4aに含まれており、アンテナ2によって送信されるべき信号は、第1ビルドアップ層11から第1放射素子21へと伝送される。また、アンテナ2によって受信された信号は、第1放射素子21から第1ビルドアップ層11へと伝送される。第1放射素子21は、スルーホール導体50を介してコア基板10の第1面側導体層3aに電気的に接続されている。第1面側導体層3aと第1導体層31とは、第1ビア導体51を介して電気的に接続されている。したがって、第1導体層31と第1放射素子21との間で、スルーホール導体50及び第1ビア導体51を介して、例えば高周波信号が双方向に伝送され得る。 In the example of FIG. 2, the first radiating element 21 which is a feeding element is included in the second surface side conductor layer 4a of the core substrate 10, and the signal to be transmitted by the antenna 2 is transmitted from the first build-up layer 11. It is transmitted to the first radiating element 21. Further, the signal received by the antenna 2 is transmitted from the first radiating element 21 to the first build-up layer 11. The first radiating element 21 is electrically connected to the first surface side conductor layer 3a of the core substrate 10 via the through-hole conductor 50. The first surface side conductor layer 3a and the first conductor layer 31 are electrically connected via the first via conductor 51. Therefore, for example, a high frequency signal can be transmitted bidirectionally between the first conductor layer 31 and the first radiating element 21 via the through-hole conductor 50 and the first via conductor 51.

第1ビルドアップ層11の最も外側の第1導体層31には、接続パッド31aが形成されている。例えば、接続パッド31aに実装された電子部品(図示せず)で生成される信号は、接続パッド31aを介して、第1ビルドアップ層11内及び第1面側導体層3aを伝送されてアンテナ2から送信され得る。また、アンテナ2によって受信された信号は伝送されて、接続パッド31aに実装される電子部品(図示せず)に入力され、且つ、この電子部品によって処理され得る。 A connection pad 31a is formed on the outermost first conductor layer 31 of the first build-up layer 11. For example, a signal generated by an electronic component (not shown) mounted on the connection pad 31a is transmitted in the first build-up layer 11 and in the first surface side conductor layer 3a via the connection pad 31a to be an antenna. Can be transmitted from 2. Further, the signal received by the antenna 2 can be transmitted, input to an electronic component (not shown) mounted on the connection pad 31a, and processed by this electronic component.

図2の例の配線基板1aは、第2ビルドアップ層12上に形成されているソルダーレジスト層71を含んでいる。ソルダーレジスト層71は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成される。ソルダーレジスト層71は、第2放射素子22を覆っている。 The wiring board 1a in the example of FIG. 2 includes a solder resist layer 71 formed on the second build-up layer 12. The solder resist layer 71 is formed by using, for example, an epoxy resin or a polyimide resin. The solder resist layer 71 covers the second radiating element 22.

図2に示されるように、第1放射素子21と第2放射素子22との間には、第2層間絶縁層42だけが配置され、導体パターンは形成されていない。また、第1放射素子21は、第2面側導体層4aに形成され得る他の導体パターンと分離されている。すなわち、平面視において第1放射素子21の周囲には、第2面側導体層4aにおいて導体パターンの無い領域が設けられている。第2放射素子22も、第2導体層411に形成され得る他の導体パターンと分離されており、平面視において第2導体層411の第2放射素子22の周囲には、導体パターンの無い領域が設けられている。なお、「平面視」は、配線基板1aを外部から見るときの見方に関し、配線基板1aの厚さ方向と平行な視線で配線基板1aを見ることを意味している。 As shown in FIG. 2, only the second interlayer insulating layer 42 is arranged between the first radiating element 21 and the second radiating element 22, and no conductor pattern is formed. Further, the first radiating element 21 is separated from other conductor patterns that can be formed on the second surface side conductor layer 4a. That is, in a plan view, a region without a conductor pattern is provided in the second surface side conductor layer 4a around the first radiating element 21. The second radiating element 22 is also separated from other conductor patterns that can be formed on the second conductor layer 411, and in a plan view, there is no conductor pattern around the second radiating element 22 of the second conductor layer 411. Is provided. The "planar view" means that the wiring board 1a is viewed from the outside with a line of sight parallel to the thickness direction of the wiring board 1a.

すなわち、配線基板1aにおいて、第2面側導体層4aは、第1放射素子21の周囲に導体パターンの無い領域を含んでいる。また、第2導体層411は、第2放射素子22の周囲に導体パターンの無い領域を含んでいる。そして、第2面側導体層4a上の第2層間絶縁層42においても、第1及び第2の放射素子21、22の周囲と重なる部分には導体パターンは形成されていない。したがって、配線基板1aにおいてはコア絶縁層5の第1面10F側と第2面10B側とにおける導体面積の和の差(残銅率差)が、配線基板1の場合と比較してさらに大きくなっていると考えられる。しかしながら、配線基板1aにおいても配線基板1と同様に、第1ビルドアップ層11内の第1層間絶縁層32の厚さが、第2ビルドアップ層12内の第2層間絶縁層42の厚さよりも厚く形成されている。また、コア絶縁層5の厚さは、第2層間絶縁層42の厚さよりも厚く形成されている。したがって、配線基板1の厚さ方向における中心線CCが第1ビルドアップ層11内又は第1面側導体層3a内を通るように調整されている。この結果、片方のビルドアップ層内にアンテナ構造を含むような配線基板1aにおいても、配線基板1の場合と同様に、コア絶縁層5の第1面10F側及び第2面10B側における残銅率差によって生じ得る熱収縮量の差は、コア基板10のコア絶縁層5の厚さ方向の中心からの両側の絶縁層の厚さの和の差すなわち両側の樹脂量のアンバランスによって相殺されると考えられる。したがって、反りの発生が抑制されると考えられる。 That is, in the wiring board 1a, the second surface side conductor layer 4a includes a region without a conductor pattern around the first radiating element 21. Further, the second conductor layer 411 includes a region without a conductor pattern around the second radiating element 22. Further, also in the second interlayer insulating layer 42 on the second surface side conductor layer 4a, the conductor pattern is not formed in the portion overlapping the periphery of the first and second radiating elements 21 and 22. Therefore, in the wiring board 1a, the difference in the sum of the conductor areas (difference in the residual copper ratio) between the first surface 10F side and the second surface 10B side of the core insulating layer 5 is larger than that in the case of the wiring board 1. It is thought that it has become. However, also in the wiring board 1a, similarly to the wiring board 1, the thickness of the first interlayer insulating layer 32 in the first build-up layer 11 is larger than the thickness of the second interlayer insulating layer 42 in the second build-up layer 12. Is also thickly formed. Further, the thickness of the core insulating layer 5 is formed to be thicker than the thickness of the second interlayer insulating layer 42. Therefore, the center line CC in the thickness direction of the wiring board 1 is adjusted so as to pass through the first build-up layer 11 or the first surface side conductor layer 3a. As a result, even in the wiring board 1a in which the antenna structure is included in one of the build-up layers, the residual copper on the first surface 10F side and the second surface 10B side of the core insulating layer 5 is the same as in the case of the wiring board 1. The difference in the amount of heat shrinkage that can occur due to the difference in rate is offset by the difference in the sum of the thicknesses of the insulating layers on both sides from the center of the core insulating layer 5 in the thickness direction of the core substrate 10, that is, the imbalance in the amount of resin on both sides. It is thought that. Therefore, it is considered that the occurrence of warpage is suppressed.

つぎに、図1に示される配線基板1を例に、一実施形態の配線基板の製造方法が、図3A〜図3Dを参照して以下に説明される。 Next, using the wiring board 1 shown in FIG. 1 as an example, a method for manufacturing the wiring board of one embodiment will be described below with reference to FIGS. 3A to 3D.

図3Aに示されるように、コア基板10を構成するコア絶縁層5、及びコア絶縁層5の両面に設けられた金属箔3eを有する積層板が用意される。例えば、銅からなる金属箔3eを有する両面銅張積層板が用意される。 As shown in FIG. 3A, a laminated plate having a core insulating layer 5 constituting the core substrate 10 and metal foils 3e provided on both sides of the core insulating layer 5 is prepared. For example, a double-sided copper-clad laminate having a metal foil 3e made of copper is prepared.

図3Bに示されるように、貫通孔10bが、炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成され、例えば銅箔を用いるセミアディティブ法を用いて、銅箔、銅の無電解めっき膜、及び電解めっき膜を含んでいて所望の導体パターンを有する第1面側導体層3a及び第2面側導体層4aがそれぞれコア基板10の第1面10F側及び第2面10B側に形成される。また、この無電解めっき膜及び電解めっき膜が貫通孔10b内に埋め込まれることによってスルーホール導体50が形成される。 As shown in FIG. 3B, the through holes 10b are formed by irradiation with carbon dioxide gas laser light or the like, and a copper foil, a copper electroless plating film, and an electrolytic plating film are formed by using, for example, a semi-additive method using a copper foil. The first surface side conductor layer 3a and the second surface side conductor layer 4a, which include the above and have a desired conductor pattern, are formed on the first surface 10F side and the second surface 10B side of the core substrate 10, respectively. Further, the through-hole conductor 50 is formed by embedding the electroless plating film and the electrolytic plating film in the through hole 10b.

図3Cに示されるように、第1層間絶縁層32及び第2層間絶縁層42が形成される。また、第1導体層31が第1層間絶縁層32上に形成される。第1導体層31の形成と共に、第2導体層41が第2層間絶縁層42上に形成される。第1導体層31の形成において、第1ビア導体51が第1層間絶縁層32内に形成される。また、第2導体層41の形成において、第2層間絶縁層42内に第2ビア導体52が形成される。 As shown in FIG. 3C, the first interlayer insulating layer 32 and the second interlayer insulating layer 42 are formed. Further, the first conductor layer 31 is formed on the first interlayer insulating layer 32. Along with the formation of the first conductor layer 31, the second conductor layer 41 is formed on the second interlayer insulating layer 42. In the formation of the first conductor layer 31, the first via conductor 51 is formed in the first interlayer insulating layer 32. Further, in the formation of the second conductor layer 41, the second via conductor 52 is formed in the second interlayer insulating layer 42.

第1及び第2の層間絶縁層32、42は、例えば、半硬化状態のエポキシ樹脂及びガラス繊維などの補強材を含むプリプレグ、又は、フィルム状のエポキシ樹脂をコア基板10の両面に積層し、熱圧着することによって形成される。プリプレグの積層の際に、例えば銅からなる金属箔がプリプレグ上に重ねられ、プリプレグと共に圧着されてもよい。その後、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって、第1及び第2のビア導体51、52を形成するための貫通孔32a、42aが、第1及び第2の層間絶縁層32、42それぞれに形成される。 For the first and second interlayer insulating layers 32 and 42, for example, a prepreg containing a semi-cured epoxy resin and a reinforcing material such as glass fiber, or a film-shaped epoxy resin is laminated on both sides of the core substrate 10. It is formed by thermocompression bonding. When laminating the prepreg, a metal foil made of, for example, copper may be laminated on the prepreg and crimped together with the prepreg. After that, for example, by irradiating carbon dioxide laser light, through holes 32a and 42a for forming the first and second via conductors 51 and 52 are formed in the first and second interlayer insulating layers 32 and 42, respectively. Laser.

そして、例えば、セミアディティブ法を用いて、所望の導体パターンを有する第1及び第2の導体層31、41、並びに、第1及び第2のビア導体51、52が形成される。 Then, for example, the semi-additive method is used to form the first and second conductor layers 31 and 41 having a desired conductor pattern, and the first and second via conductors 51 and 52.

例えばセミアディティブ法を用いる一般的なビルドアップ配線板の製造方法を適用することにより、図3Cの第1導体層31上及び第2導体層41上に、さらに、第1層間絶縁層32及び第1導体層31、ならびに第2層間絶縁層42及び第2導体層41が形成されて、コア基板10の第1面10F上及び第2面10B上に第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12がそれぞれ形成される(図3D)。各層間絶縁層32、42にはビア導体51、52が形成されている。図3Dでは、それぞれ2層の層間絶縁層及び導体層からなる第1及び第2のビルトアップ層11、12がコア基板の第1面10F側及び第2面10B側に形成されている。 For example, by applying a general method for manufacturing a build-up wiring board using a semi-additive method, on the first conductor layer 31 and the second conductor layer 41 in FIG. 3C, the first interlayer insulating layer 32 and the first interlayer insulating layer 32 and the first are further formed. The first conductor layer 31, the second interlayer insulating layer 42, and the second conductor layer 41 are formed, and the first build-up layer 11 and the second build-up are formed on the first surface 10F and the second surface 10B of the core substrate 10. Layers 12 are formed respectively (FIG. 3D). Via conductors 51 and 52 are formed on the interlayer insulating layers 32 and 42. In FIG. 3D, the first and second built-up layers 11 and 12, which are composed of two interlayer insulating layers and a conductor layer, respectively, are formed on the first surface 10F side and the second surface 10B side of the core substrate.

その後、第1ビルドアップ層11上にソルダーレジスト層6が形成され、第2ビルドアップ層12上にソルダーレジスト層7が形成される。ソルダーレジスト層6、7は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切なパターンを有するマスクを用いた露光、及び現像とによって形成される。 After that, the solder resist layer 6 is formed on the first build-up layer 11, and the solder resist layer 7 is formed on the second build-up layer 12. The solder resist layers 6 and 7 are formed by, for example, forming a resin layer containing a photosensitive epoxy resin, a polyimide resin, or the like, exposure using a mask having an appropriate pattern, and development.

ソルダーレジスト層6、7の開口に露出する接続パッド31a、41aには、必要に応じて、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Au、Ni/Au、Ni/Pd/Au、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜(図示せず)が形成されてもよい。以上の工程を経ることによって、図1の例の配線基板1が完成する。 The connection pads 31a and 41a exposed to the openings of the solder resist layers 6 and 7 are subjected to electroless plating, solder leveler, spray coating or the like, if necessary, to form Au, Ni / Au, Ni / Pd / Au, or solder. , Or a surface protective film (not shown) made of heat-resistant preflux or the like may be formed. By going through the above steps, the wiring board 1 of the example of FIG. 1 is completed.

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、ならびに、本明細書において例示された構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、第1ビア導体51などの各ビア導体は、コア基板10側に向って縮径する形状を有していなくてもよい。第2放射素子22は、ソルダーレジスト層7の開口に露出していてもよく、ソルダーレジスト層6、7そのものが設けられなくてもよい。 The wiring board of the embodiment is not limited to the structure exemplified in each drawing and the structure, shape, and material exemplified in this specification. For example, each via conductor such as the first via conductor 51 does not have to have a shape that reduces the diameter toward the core substrate 10. The second radiating element 22 may be exposed to the opening of the solder resist layer 7, and the solder resist layers 6 and 7 themselves may not be provided.

また、実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して先に説明された方法に限定されない。たとえば、コア基板10は、サブトラクティブ法を用いて形成されてもよい。第1及び第2のビルドアップ層11、12内の各導体層は、フルアディティブ法を用いて形成されてもよい。先に説明された製造方法の条件や順序などは適宜変更され得る。現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。 Further, the method for manufacturing the wiring board of the embodiment is not limited to the method described above with reference to each drawing. For example, the core substrate 10 may be formed by using a subtractive method. Each conductor layer in the first and second build-up layers 11 and 12 may be formed by using the full additive method. The conditions and order of the manufacturing method described above can be changed as appropriate. Depending on the structure of the wiring board actually manufactured, some steps may be omitted or another step may be added.

1 配線基板
1a 配線基板
5 コア絶縁層
10 コア基板
10F コア基板の第1面
10B コア基板の第2面
11 第1ビルドアップ層
12 第2ビルドアップ層
2 アンテナ
3a 第1面側導体層
4a 第2面側導体層
21 第1放射素子
22 第2放射素子
31 第1導体層
32 第1層間絶縁層
41 第2導体層
42 第2層間絶縁層
51 第1ビア導体
52 第2ビア導体
6、7 ソルダーレジスト層
1 Wiring board 1a Wiring board 5 Core insulating layer 10 Core board 10F First side of core board 10B Second side of core board 11 First build-up layer 12 Second build-up layer 2 Antenna 3a First side conductor layer 4a First Two-sided conductor layer 21 First radiating element 22 Second radiating element 31 First conductor layer 32 First interlayer insulating layer 41 Second conductor layer 42 Second interlayer insulating layer 51 First via conductor 52 Second via conductors 6, 7 Solder resist layer

Claims (7)

第1面と前記第1面とは反対側の第2面とを有し、コア絶縁層と第1面側導体層及び第2面側導体層とを含むコア基板と、
前記コア基板の第1面上に設けられて第1層間絶縁層と前記第1層間絶縁層上の第1導体層とが交互に積層されてなる第1ビルドアップ層と、
前記コア基板の第2面上に設けられて第2層間絶縁層と前記第2層間絶縁層上の第2導体層とが交互に積層されてなる第2ビルドアップ層と、
を備える配線基板であって、
前記第1ビルドアップ層の内の第1導体層の数と前記第2ビルドアップ層の内の第2導体層の数とが等しく、
前記第1面側導体層及び前記第1導体層において導体が占める面積の総和は、前記第2面側導体層及び前記第2導体層において導体が占める面積の総和よりも大きく、
前記配線基板の厚さ方向における中心線が、前記第1ビルドアップ層内又は前記第1面側導体層内にある。
A core substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and including a core insulating layer, a first surface side conductor layer, and a second surface side conductor layer.
A first build-up layer provided on the first surface of the core substrate and having a first interlayer insulating layer and a first conductor layer on the first interlayer insulating layer alternately laminated.
A second build-up layer provided on the second surface of the core substrate and having a second interlayer insulating layer and a second conductor layer on the second interlayer insulating layer alternately laminated.
It is a wiring board equipped with
The number of the first conductor layers in the first build-up layer is equal to the number of the second conductor layers in the second build-up layer.
The total area occupied by the conductors in the first surface side conductor layer and the first conductor layer is larger than the total area occupied by the conductors in the second surface side conductor layer and the second conductor layer.
The center line in the thickness direction of the wiring board is in the first build-up layer or in the first surface side conductor layer.
請求項1記載の配線基板であって、前記第1導体層及び前記第2導体層の内のコア基板から同順位に位置する少なくとも1つの導体層同士の下に形成される層間絶縁層について、前記第1層間絶縁層の厚さが、前記第2層間絶縁層の厚みよりも厚い。 The wiring substrate according to claim 1, wherein the interlayer insulating layer formed under at least one conductor layer located in the same order as the core substrate in the first conductor layer and the second conductor layer. The thickness of the first interlayer insulating layer is thicker than the thickness of the second interlayer insulating layer. 請求項1記載の配線基板であって、前記第1層間絶縁層及び前記第2層間絶縁層が同一の樹脂材料により形成されている。 The wiring board according to claim 1, wherein the first interlayer insulating layer and the second interlayer insulating layer are formed of the same resin material. 請求項1記載の配線基板であって、前記第1面側導体層及び前記第2面側導体層同士の導体厚みが等しく、前記第1導体層及び前記第2導体層の内のコア基板から同順位に位置する導体層同士の導体厚みが等しい。 The wiring board according to claim 1, wherein the conductor thickness of the first surface side conductor layer and the second surface side conductor layer are the same, and the core substrate in the first conductor layer and the second conductor layer The conductor thicknesses of the conductor layers located in the same order are the same. 請求項1記載の配線基板であって、前記第2面側導体層及び/又は前記第2導体層にアンテナを構成する放射素子を有する。 The wiring board according to claim 1, further comprising a radiation element constituting an antenna on the second surface side conductor layer and / or the second conductor layer. 請求項1記載の配線基板であって、さらに、前記第1導体層を覆う第1ソルダーレジスト層と前記第2導体層を覆う第2ソルダーレジスト層とを備えている。 The wiring board according to claim 1, further comprising a first solder resist layer covering the first conductor layer and a second solder resist layer covering the second conductor layer. 第1面と前記第1面とは反対側の第2面とを有し、コア絶縁層と第1面側導体層及び第2面側導体層とを含むコア基板を設けることと、
前記コア基板の第1面上に、第1層間絶縁層と前記第1層間絶縁層上の第1導体層とが交互に積層されてなる第1ビルドアップ層を設けることと、
前記コア基板の第2面上に、第2層間絶縁層と前記第2層間絶縁層上の第2導体層とが交互に積層されてなる第2ビルドアップ層を設けることと、
を含む配線基板の製造方法であって、
前記第1ビルドアップ層を設けること及び前記第2ビルドアップ層を設けることは、同一の数の前記第1導体層及び前記第2導体層を形成することと、前記第1面側導体層及び前記第1導体層において導体が占める面積の総和を、前記第2面側導体層及び前記第2導体層において導体が占める面積の総和よりも大きくすることと、前記配線基板の厚さ方向における中心線が、前記第1ビルドアップ層内又は前記第1面側導体層内に位置するように前記コア絶縁層、前記第1層間絶縁層及び前記第2層間絶縁層の厚さを調整することとを含んでいる。
A core substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface and including a core insulating layer, a first surface side conductor layer, and a second surface side conductor layer is provided.
A first build-up layer in which the first interlayer insulating layer and the first conductor layer on the first interlayer insulating layer are alternately laminated is provided on the first surface of the core substrate.
A second build-up layer in which a second interlayer insulating layer and a second conductor layer on the second interlayer insulating layer are alternately laminated is provided on the second surface of the core substrate.
It is a manufacturing method of a wiring board including
Providing the first build-up layer and the second build-up layer means forming the same number of the first conductor layer and the second conductor layer, and providing the first surface side conductor layer and the same number of conductor layers. Making the total area occupied by the conductors in the first conductor layer larger than the total area occupied by the conductors in the second surface side conductor layer and the second conductor layer, and the center in the thickness direction of the wiring substrate. Adjusting the thickness of the core insulating layer, the first interlayer insulating layer, and the second interlayer insulating layer so that the wire is located in the first build-up layer or the first surface side conductor layer. Includes.
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