JP2021002538A - Wiring board and manufacturing method of wiring board - Google Patents

Wiring board and manufacturing method of wiring board Download PDF

Info

Publication number
JP2021002538A
JP2021002538A JP2019113945A JP2019113945A JP2021002538A JP 2021002538 A JP2021002538 A JP 2021002538A JP 2019113945 A JP2019113945 A JP 2019113945A JP 2019113945 A JP2019113945 A JP 2019113945A JP 2021002538 A JP2021002538 A JP 2021002538A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
conductor
wiring board
solder resist
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019113945A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
康裕 川合
Yasuhiro Kawai
康裕 川合
千朗 西脇
Senro Nishiwaki
千朗 西脇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibiden Co Ltd filed Critical Ibiden Co Ltd
Priority to JP2019113945A priority Critical patent/JP2021002538A/en
Publication of JP2021002538A publication Critical patent/JP2021002538A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

To simplify a structure and improve the reliability of a wiring board.SOLUTION: A wiring board 1 in an embodiment comprises: a first internal conductor layer 2 which includes a shield pattern 21; a first interlayer insulation layer 3 which is laminated on the first internal conductor layer 2; a first external conductor layer 4, formed on the first interlayer insulation layer 3, which includes a line pattern 41 having a predetermined line width; a first solder resist layer 5 which covers the first external conductor layer 4 and the first interlayer insulation layer 3; and a shield film 6, formed on the first solder resist layer 5, which covers at least the line pattern 41 so as to constitute, together with the shield pattern 21 and the line pattern 41, a strip line 40. The shield film 6 is a solidified product of conductive paste or conductive ink.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a wiring board and a method for manufacturing a wiring board.

特許文献1には、コア基板の一方の表面側に形成されたストリップライン構造を有する信号線を含むプリント配線板が開示されている。このプリント配線板において、ストリップライン構造を有する側の最外層の導体層はストリップライン構造のグランド層を構成している。 Patent Document 1 discloses a printed wiring board including a signal line having a stripline structure formed on one surface side of a core substrate. In this printed wiring board, the outermost conductor layer on the side having the stripline structure constitutes the ground layer of the stripline structure.

特開2004−342871号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-342871

特許文献1に開示のプリント配線板では、ストリップライン構造を形成すべく最外層の導体層としてグランド層が設けられるため、ストリップライン構造を有する信号線を含む導体層の上には、ひと組の絶縁層及び導体層が積層される。そのため、プリント配線板における導体層及び絶縁層の積層数が意図せず増加することがある。 In the printed wiring board disclosed in Patent Document 1, since a ground layer is provided as the outermost conductor layer in order to form a stripline structure, a set of conductor layers including a signal line having a stripline structure is placed on the ground layer. The insulating layer and the conductor layer are laminated. Therefore, the number of laminated conductor layers and insulating layers in the printed wiring board may unintentionally increase.

本発明の配線基板は、シールドパターンを含む内層導体層と、前記内層導体層の上に積層されている層間絶縁層と、前記層間絶縁層の上に形成されていて、所定の線路幅を有する線路パターンを含む外層導体層と、前記外層導体層及び前記層間絶縁層を覆うソルダーレジスト層と、前記ソルダーレジスト層上に形成されていて、少なくとも前記線路パターンを覆うことによって前記シールドパターン及び前記線路パターンと共にストリップ線路を構成するシールド膜と、を備えている。そして、前記シールド膜は、導電性ペースト又は導電性インクの固化物である。 The wiring board of the present invention is formed on an inner layer conductor layer including a shield pattern, an interlayer insulating layer laminated on the inner layer conductor layer, and the interlayer insulating layer, and has a predetermined line width. The shield pattern and the line are formed on the outer layer conductor layer including the line pattern, the solder resist layer covering the outer layer conductor layer and the interlayer insulating layer, and at least covering the line pattern. It includes a shield film that constitutes a strip line together with the pattern. The shield film is a solidified product of a conductive paste or a conductive ink.

本発明の配線基板の製造方法は、所定の導体パターンを含む導体層を形成することと、前記導体層上に絶縁層を形成することと、前記絶縁層の上に、所定の線路幅を有する線路パターンを含む導体層を形成することと、前記線路パターンを含む導体層及び前記絶縁層を覆うソルダーレジスト層を形成することと、前記線路パターンを覆う導体膜を前記ソルダーレジスト層上に形成することによって、前記導体膜と、前記線路パターンと、前記所定の導体パターンとによって構成されるストリップ線路を形成することと、を含んでいる。そして、前記導体膜を形成することは、導電性ペーストを印刷すること、又は、インクジェット方式により導電性インクを塗布することを含んでいる。 The method for manufacturing a wiring board of the present invention has a conductor layer including a predetermined conductor pattern, an insulating layer formed on the conductor layer, and a predetermined line width on the insulating layer. A conductor layer including the line pattern is formed, a solder resist layer including the line pattern and the insulating layer is formed, and a conductor film covering the line pattern is formed on the solder resist layer. This includes forming a strip line composed of the conductor film, the line pattern, and the predetermined conductor pattern. Then, forming the conductor film includes printing a conductive paste or applying a conductive ink by an inkjet method.

本発明の実施形態によれば、表面にストリップ線路を有する配線基板において、ストリップ線路を構成する信号伝送路を含む導体層を、配線基板内の導体層のうちの最外層に設けることができる。配線基板における導体層及び絶縁層の積層数を少なくし得ることがある。また、積層数の減少に伴って配線基板の信頼性が向上することがある。 According to the embodiment of the present invention, in a wiring board having a strip line on the surface, a conductor layer including a signal transmission line constituting the strip line can be provided on the outermost layer of the conductor layers in the wiring board. It may be possible to reduce the number of layers of the conductor layer and the insulating layer on the wiring board. In addition, the reliability of the wiring board may be improved as the number of layers is reduced.

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。The cross-sectional view which shows an example of the wiring board of one Embodiment of this invention. 図1の例の配線基板を示す平面図。The plan view which shows the wiring board of the example of FIG. 図1のIII部の拡大図。Enlarged view of Part III of FIG. 図1のストリップ線路の他の例を示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing another example of the strip line of FIG. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法における第1内層導体層の形成後の状態の一例を示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a state after formation of the first inner layer conductor layer in the method for manufacturing a wiring board according to an embodiment of the present invention. 一実施形態の配線基板の製造方法における第1外層導体層の形成後の状態の一例を示す断面図。The cross-sectional view which shows an example of the state after formation of the 1st outer layer conductor layer in the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment. 一実施形態の配線基板の製造方法におけるソルダーレジスト層の形成後の状態の一例を示す断面図。The cross-sectional view which shows an example of the state after formation of the solder resist layer in the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment. 一実施形態の配線基板の製造方法におけるシールド膜の形成工程の一例を示す断面図。The cross-sectional view which shows an example of the process of forming a shield film in the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment. 一実施形態の配線基板の製造方法における完成状態の配線基板の一例を示す断面図。The cross-sectional view which shows an example of the completed wiring board in the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment.

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図1及び図2には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板1の断面図及び平面図がそれぞれ示されている。図1は図2に示されるI−I線での断面図である。また、図3には、図1のIII部の拡大図が示されている。 A wiring board according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 and 2 show a cross-sectional view and a plan view of the wiring board 1 which is an example of the wiring board of one embodiment, respectively. FIG. 1 is a cross-sectional view taken along the line II shown in FIG. Further, FIG. 3 shows an enlarged view of part III of FIG.

図1〜図3に示されるように、配線基板1は、シールドパターン21を含む内層導体層(第1内層導体層2)と、第1内層導体層2の上に積層されている層間絶縁層(第1層間絶縁層3)と、第1層間絶縁層3の上に形成されている外層導体層(第1外層導体層4)と、さらに、第1外層導体層4及び第1層間絶縁層3を覆うソルダーレジスト層(第1ソルダーレジスト層5)と、を備えている。第1外層導体層4は、所定の線路幅を有する線路パターン41を含んでいる。第1内層導体層2のシールドパターン21は、線路パターン41に対する電磁シールドとして機能する。本実施形態の配線基板1は、さらに、第1ソルダーレジスト層5上に形成されているシールド膜6を備えている。シールド膜6は導電性を有する材料で形成されており、第1ソルダーレジスト層5を介して少なくとも線路パターン41を覆っている。シールド膜6は、線路パターン41を覆うことによって線路パターン41に対する電磁シールドとして機能し、シールドパターン21及び線路パターン41と共にストリップ線路40を構成している。図1の例において、シールド膜6は導電性ペースト又は導電性インクの固化物である。 As shown in FIGS. 1 to 3, the wiring board 1 has an inner layer conductor layer (first inner layer conductor layer 2) including a shield pattern 21 and an interlayer insulating layer laminated on the first inner layer conductor layer 2. (First interlayer insulating layer 3), an outer layer conductor layer (first outer layer conductor layer 4) formed on the first interlayer insulating layer 3, and further, a first outer layer conductor layer 4 and a first interlayer insulating layer. A solder resist layer (first solder resist layer 5) that covers 3 is provided. The first outer layer conductor layer 4 includes a line pattern 41 having a predetermined line width. The shield pattern 21 of the first inner layer conductor layer 2 functions as an electromagnetic shield for the line pattern 41. The wiring board 1 of the present embodiment further includes a shield film 6 formed on the first solder resist layer 5. The shield film 6 is made of a conductive material and covers at least the line pattern 41 via the first solder resist layer 5. The shield film 6 functions as an electromagnetic shield against the line pattern 41 by covering the line pattern 41, and constitutes the strip line 40 together with the shield pattern 21 and the line pattern 41. In the example of FIG. 1, the shield film 6 is a solidified product of a conductive paste or a conductive ink.

図1の例の配線基板1は、さらに、絶縁性を有するコア層10、第2内層導体層2b、第2層間絶縁層3b、第2外層導体層4b、及び、第2ソルダーレジスト層5bを備えている。コア層10は、厚さ方向と直交する二つの主面のうちの一方である第1面10a、及び、第1面10aと対向する第2面10bを有している。コア層10の第1面10a側に、少なくとも、第1外層導体層4、第1ソルダーレジスト層5、及び、シールド膜6が形成されている。図1の例では、第1層間絶縁層3及び第1内層導体層2も、第1面10a側に形成されている。一方、コア層10の第2面10b上に、第2内層導体層2b、第2層間絶縁層3b、第2外層導体層4b、及び、第2ソルダーレジスト層5bが形成されている。図1の例において、コア層10の第2面10b側、例えば第2ソルダーレジスト層5b上にはシールド膜は形成されていない。 The wiring board 1 of the example of FIG. 1 further includes an insulating core layer 10, a second inner layer conductor layer 2b, a second interlayer insulating layer 3b, a second outer layer conductor layer 4b, and a second solder resist layer 5b. I have. The core layer 10 has a first surface 10a, which is one of two main surfaces orthogonal to the thickness direction, and a second surface 10b facing the first surface 10a. At least the first outer layer conductor layer 4, the first solder resist layer 5, and the shield film 6 are formed on the first surface 10a side of the core layer 10. In the example of FIG. 1, the first interlayer insulating layer 3 and the first inner layer conductor layer 2 are also formed on the first surface 10a side. On the other hand, a second inner layer conductor layer 2b, a second interlayer insulating layer 3b, a second outer layer conductor layer 4b, and a second solder resist layer 5b are formed on the second surface 10b of the core layer 10. In the example of FIG. 1, the shield film is not formed on the second surface 10b side of the core layer 10, for example, on the second solder resist layer 5b.

なお、配線基板1の説明では、配線基板1の厚さ方向においてコア層10から遠い側は「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、コア層10に近い側は「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、コア層10と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア層10側を向く表面は「下面」とも称される。また、配線基板1の厚さ方向は、単に「Z方向」とも称される。 In the description of the wiring board 1, the side far from the core layer 10 in the thickness direction of the wiring board 1 is also referred to as "upper" or "upper", or simply "upper", and the side closer to the core layer 10 is "lower". Also referred to as "side" or "down", or simply "down". Further, in each conductor layer and each insulating layer, the surface facing the side opposite to the core layer 10 is also referred to as "upper surface", and the surface facing the core layer 10 side is also referred to as "lower surface". Further, the thickness direction of the wiring board 1 is also simply referred to as "Z direction".

本実施形態では、ストリップ線路40の信号伝送路である線路パターン41は、第1外層導体層4に含まれている。第1外層導体層4は、配線基板1におけるコア層10の第1面10a側の最外層の導体層である。すなわち、第1外層導体層4の上には、さらに導体層及び絶縁層は積層されていない。しかし、第1外層導体層4の線路パターン41の上には、第1ソルダーレジスト層5を介してシールド膜6が形成されている。シールド膜6を設けることによって、シールド膜6とシールドパターン21とで線路パターン41が挟まれてなるストリップ線路40を形成することができる。 In the present embodiment, the line pattern 41, which is the signal transmission line of the strip line 40, is included in the first outer layer conductor layer 4. The first outer layer conductor layer 4 is the outermost conductor layer on the first surface 10a side of the core layer 10 in the wiring board 1. That is, the conductor layer and the insulating layer are not further laminated on the first outer layer conductor layer 4. However, a shield film 6 is formed on the line pattern 41 of the first outer layer conductor layer 4 via the first solder resist layer 5. By providing the shield film 6, it is possible to form a strip line 40 in which the line pattern 41 is sandwiched between the shield film 6 and the shield pattern 21.

このように本実施形態では、ストリップ線路40の信号伝送路(線路パターン41)を含む導体層(第1外層導体層4)の上に絶縁層及び導体層を積層することなく、ストリップ線路40を形成することができる。ストリップライン構造を表層部に有する配線基板を少ない積層数で実現し得ることがある。配線基板の構造の単純化、コスト低減、及び/又は、積層数の低減に伴う信頼性の向上を実現し得ることがある。 As described above, in the present embodiment, the strip line 40 is provided without laminating the insulating layer and the conductor layer on the conductor layer (first outer layer conductor layer 4) including the signal transmission line (line pattern 41) of the strip line 40. Can be formed. A wiring board having a stripline structure on the surface layer may be realized with a small number of layers. It may be possible to realize a simplification of the structure of the wiring board, a cost reduction, and / or an improvement in reliability due to a reduction in the number of layers.

また、最外層の導体層である第1外層導体層4には、線路パターン41に加えて、電子部品などの外部部材(図示せず)のための接続パッドを設けることができる。例えば図1の配線基板1では、第1外層導体層4は、外部部材に対する接続パッド42(第1接続パッド)を含んでいる。配線基板1では、ストリップライン構造を備えるべく線路パターン41よりも外層側に形成されたグランド層に外部部材などのための搭載パッドが設けられる場合と比べて、搭載される電子部品などと内部の特定の導体パターンとを短い経路で接続し得ることがある。配線基板1を用いる電子機器の特性を向上させ得ることがある。 Further, in the first outer layer conductor layer 4, which is the outermost conductor layer, in addition to the line pattern 41, a connection pad for an external member (not shown) such as an electronic component can be provided. For example, in the wiring board 1 of FIG. 1, the first outer layer conductor layer 4 includes a connection pad 42 (first connection pad) for an external member. In the wiring board 1, the electronic components and the like to be mounted and the inside are compared with the case where the ground layer formed on the outer layer side of the line pattern 41 to have the stripline structure is provided with the mounting pads for the external members and the like. It may be possible to connect to a particular conductor pattern via a short path. It may be possible to improve the characteristics of the electronic device using the wiring board 1.

また、第1外層導体層4とシールド膜6との間に介在する第1ソルダーレジスト層5は、接続パッド42を露出させる開口52を備えている。接続パッド42への外部部材(図示せず)の搭載に係る短絡不良が第1ソルダーレジスト層5によって防がれる。また、シールド膜6と第1ソルダーレジスト層5とは、シールド膜6の材料を適切に選択することによって良好に密着し得る。例えば、シールド膜6と第1ソルダーレジスト層5とは、硬化後のソルダーレジスト層の上に導体層が積層される場合のソルダーレジスト層及び導体層よりも強固に密着し得る。第1ソルダーレジスト層5の上に導体層を設けることによってストリップライン構造が形成される場合と比べて、シールド膜6と第1ソルダーレジスト層5との間の剥離が生じ難いと推察される。配線基板1の信頼性向上に寄与し得ることがある。 Further, the first solder resist layer 5 interposed between the first outer layer conductor layer 4 and the shield film 6 is provided with an opening 52 for exposing the connection pad 42. The first solder resist layer 5 prevents short-circuit defects related to the mounting of an external member (not shown) on the connection pad 42. Further, the shield film 6 and the first solder resist layer 5 can be in good contact with each other by appropriately selecting the material of the shield film 6. For example, the shield film 6 and the first solder resist layer 5 can adhere to each other more firmly than the solder resist layer and the conductor layer when the conductor layer is laminated on the cured solder resist layer. It is presumed that peeling between the shield film 6 and the first solder resist layer 5 is less likely to occur as compared with the case where the stripline structure is formed by providing the conductor layer on the first solder resist layer 5. It may contribute to improving the reliability of the wiring board 1.

図1の例の配線基板1において、コア層10と、その両面それぞれに積層されている第1及び第2の内層導体層2、2bとによって配線基板1のコア基板が形成されている。このコア基板を挟んで、第1層間絶縁層3及び第1外層導体層4を含むビルドアップ層と、第2層間絶縁層3b及び第2外層導体層4bを含むビルドアップ層とが形成されている。コア層10には、第1内層導体層2と第2内層導体層2bとを接続するスルーホール導体10cが形成されている。配線基板1に含まれる導体層及び絶縁層の数は図1の例に限定されない。例えば、第1内層導体層2とコア層10の第1面10aとの間に、さらに一組以上の導体層及び絶縁層が形成されていてもよい。すなわち、第1内層導体層2は、必ずしもコア基板を構成する導体層でなくてもよく、第1面10a側のビルドアップ層中の導体層であってもよい。 In the wiring board 1 of the example of FIG. 1, the core board of the wiring board 1 is formed by the core layer 10 and the first and second inner layer conductor layers 2 and 2b laminated on both sides thereof. A build-up layer including the first interlayer insulating layer 3 and the first outer layer conductor layer 4 and a build-up layer including the second interlayer insulating layer 3b and the second outer layer conductor layer 4b are formed across the core substrate. There is. The core layer 10 is formed with a through-hole conductor 10c that connects the first inner layer conductor layer 2 and the second inner layer conductor layer 2b. The number of conductor layers and insulating layers included in the wiring board 1 is not limited to the example of FIG. For example, one or more sets of conductor layers and insulating layers may be further formed between the first inner layer conductor layer 2 and the first surface 10a of the core layer 10. That is, the first inner layer conductor layer 2 does not necessarily have to be the conductor layer constituting the core substrate, and may be the conductor layer in the build-up layer on the first surface 10a side.

各導体層(第1及び第2の内層導体層2、2b、並びに、第1及び第2の外層導体層4、4b)は、例えば、金属箔及びめっき膜を含み得る。各導体層は、例えば、銅、ニッケル、銀、パラジウムなどの任意の金属を単独で又は組み合わせて用いて形成され得る。 Each conductor layer (first and second inner layer conductor layers 2, 2b, and first and second outer layer conductor layers 4, 4b) may include, for example, a metal foil and a plating film. Each conductor layer can be formed, for example, with any metal such as copper, nickel, silver, palladium, alone or in combination.

各導体層は、それぞれ、任意の導体パターンを含み得る。例えば、第1内層導体層2は、少なくともシールドパターン21を含み、さらにシールドパターン21以外の任意の導体パターンを含み得る。しかし、第1内層導体層2は、シールドパターン21を含んでいるので、好ましくは、グランド用導体パターン又は電源用導体パターンなど、電位変動の少ない導体パターンだけを含んでいる。より好ましくは、第1内層導体層2は、グランド電位に接続される導体パターンだけを含んでいる。例えばシールドパターン21は、スルーホール導体10c用のパッド2aを除いて、第1内層導体層2の下層の絶縁層(図1の例ではコア層10)の上面の一面にベタ状に形成されていてもよい。 Each conductor layer may contain any conductor pattern. For example, the first inner layer conductor layer 2 may include at least a shield pattern 21, and may further include any conductor pattern other than the shield pattern 21. However, since the first inner layer conductor layer 2 contains the shield pattern 21, it preferably contains only a conductor pattern having little potential fluctuation, such as a ground conductor pattern or a power supply conductor pattern. More preferably, the first inner layer conductor layer 2 contains only a conductor pattern connected to the ground potential. For example, the shield pattern 21 is formed in a solid shape on one surface of the upper surface of the insulating layer (core layer 10 in the example of FIG. 1) under the first inner layer conductor layer 2 except for the pad 2a for the through-hole conductor 10c. You may.

第1外層導体層4は、少なくとも線路パターン41を含み、さらに、接続パッド42などの任意の導体パターンを含み得る。例えば、第1外層導体層4は、線路パターン41以外にも、ストリップ線路を構成する又は構成しない、任意の配線パターンを含んでいてもよい。図1の例では、線路パターン41及びストリップ線路40は、Z方向と直交する方向(図1におけるX方向)において配線基板1の中央部に設けられている接続パッド42の一群のX方向における両側に設けられている。 The first outer layer conductor layer 4 includes at least a line pattern 41, and may further include any conductor pattern such as a connection pad 42. For example, the first outer layer conductor layer 4 may include any wiring pattern that constitutes or does not form a strip line, in addition to the line pattern 41. In the example of FIG. 1, the line pattern 41 and the strip line 40 are on both sides of a group of connection pads 42 provided in the central portion of the wiring board 1 in the direction orthogonal to the Z direction (X direction in FIG. 1) in the X direction. It is provided in.

図1の例において、第2外層導体層4bは端子パッド4b2を含んでいる。端子パッド4b2は、例えば外部の配線基板などの外部部材(図示せず)と接続される導体パッドである。 In the example of FIG. 1, the second outer layer conductor layer 4b includes the terminal pad 4b2. The terminal pad 4b2 is a conductor pad connected to an external member (not shown) such as an external wiring board.

各導体層は、任意の厚さを有し得る。例えば、各導体層の厚さとしては、3μm以上、100μm以下程度の値が例示されるが、各導体層の厚さはこの範囲に限定されない。しかし、線路パターン41を含む第1外層導体層4は、線路パターン41を含むストリップ線路40が所定の特性インピーダンスを有するべく設定された厚さに形成される。線路パターン41は、ストリップ線路40が所定の特性インピーダンスを有するべく設定された所定の線路幅を有している。 Each conductor layer can have any thickness. For example, as the thickness of each conductor layer, values of about 3 μm or more and 100 μm or less are exemplified, but the thickness of each conductor layer is not limited to this range. However, the first outer layer conductor layer 4 including the line pattern 41 is formed to have a thickness set so that the strip line 40 including the line pattern 41 has a predetermined characteristic impedance. The line pattern 41 has a predetermined line width set so that the strip line 40 has a predetermined characteristic impedance.

第1層間絶縁層3は、第1層間絶縁層3を貫通し、第1外層導体層4と第1内層導体層2とを接続するビア導体31を含んでいる。同様に、第2層間絶縁層3bは、第2層間絶縁層3bを貫通し、第2外層導体層4bと第2内層導体層2bとを接続するビア導体31bを含んでいる。第1外層導体層4の接続パッド42と第2外層導体層4bの端子パッド4b2は、ビア導体31、スルーホール導体10c、及びビア導体31bを介して電気的に接続されている。 The first interlayer insulating layer 3 includes a via conductor 31 that penetrates the first interlayer insulating layer 3 and connects the first outer layer conductor layer 4 and the first inner layer conductor layer 2. Similarly, the second interlayer insulating layer 3b includes a via conductor 31b that penetrates the second interlayer insulating layer 3b and connects the second outer layer conductor layer 4b and the second inner layer conductor layer 2b. The connection pad 42 of the first outer layer conductor layer 4 and the terminal pad 4b2 of the second outer layer conductor layer 4b are electrically connected via the via conductor 31, the through-hole conductor 10c, and the via conductor 31b.

ビア導体31、31bは、第1及び第2の層間絶縁層3、3bそれぞれを貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成された、所謂フィルドビアである。ビア導体31、31bは、それぞれの上側の導体層と一体的に形成されている。ビア導体31、31bは、例えば、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。スルーホール導体10も、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。 The via conductors 31 and 31b are so-called filled vias formed by filling through holes penetrating each of the first and second interlayer insulating layers 3 and 3b with a conductor. The via conductors 31 and 31b are integrally formed with the respective upper conductor layers. The via conductors 31 and 31b are formed of, for example, an electroless plating film and an electrolytic plating film made of copper, nickel, or the like. The through-hole conductor 10 is also formed of an electroless plating film and an electrolytic plating film made of copper, nickel, or the like.

各絶縁層(第1及び第2の層間絶縁層3、3b)及びコア層10は、任意の絶縁性材料を用いて形成される。絶縁性材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)又はフェノール樹脂などが例示される。これらの樹脂を用いて形成される各絶縁層は、ガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材、及び/又は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。なお、ストリップ線路40の特性インピーダンスは、第1層間絶縁層3及び第1ソルダーレジスト層5それぞれの比誘電率と相関する。従って、第1層間絶縁層3には、ストリップ線路40が所定の特性インピーダンスを有するように選択された比誘電率を有する材料が用いられる。例えば、第1層間絶縁層3と第1ソルダーレジスト層5とは、略同じ比誘電率を有していてもよい。その場合、ストリップ線路40の設計が容易なため、設計値に近い特性インピーダンスが得られ易いと考えられる。 Each insulating layer (first and second interlayer insulating layers 3, 3b) and the core layer 10 are formed by using an arbitrary insulating material. Examples of the insulating material include epoxy resin, bismaleimide triazine resin (BT resin), and phenol resin. Each insulating layer formed by using these resins may contain a reinforcing material such as glass fiber or aramid fiber and / or an inorganic filler such as silica. The characteristic impedance of the strip line 40 correlates with the relative permittivity of each of the first interlayer insulating layer 3 and the first solder resist layer 5. Therefore, for the first interlayer insulating layer 3, a material having a relative permittivity selected so that the strip line 40 has a predetermined characteristic impedance is used. For example, the first interlayer insulating layer 3 and the first solder resist layer 5 may have substantially the same relative permittivity. In that case, since the strip line 40 can be easily designed, it is considered that a characteristic impedance close to the design value can be easily obtained.

各絶縁層は、任意の厚さを有し得る、例えば、各絶縁層は、10μm以上、200μm以下の厚さに形成される。ストリップ線路40の特性インピーダンスは、第1層間絶縁層3及び第1ソルダーレジスト層5の厚さとも相関する。従って、第1層間絶縁層3は、ストリップ線路40が所定の特性インピーダンスを有するべく設定された所定の厚さを有している。第1層間絶縁層3及び第1ソルダーレジスト層5は、互いに同じ厚さを有していてもよい。その場合、ストリップ線路40の設計が容易なため、設計値に近い特性インピーダンスが得られ易いと考えられる。 Each insulating layer can have an arbitrary thickness, for example, each insulating layer is formed to a thickness of 10 μm or more and 200 μm or less. The characteristic impedance of the strip line 40 also correlates with the thickness of the first interlayer insulating layer 3 and the first solder resist layer 5. Therefore, the first interlayer insulating layer 3 has a predetermined thickness set so that the strip line 40 has a predetermined characteristic impedance. The first interlayer insulating layer 3 and the first solder resist layer 5 may have the same thickness as each other. In that case, since the strip line 40 can be easily designed, it is considered that a characteristic impedance close to the design value can be easily obtained.

第1及び第2のソルダーレジスト層5、5bは、絶縁性を有する任意の材料を用いて形成され得る。第1及び第2のソルダーレジスト層5、5bは、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを主原料とする感光性樹脂を用いて形成される。第1ソルダーレジスト層5は、第1外層導体層4とシールド膜6との間に介在している。第1ソルダーレジスト層5の厚さ及び比誘電率は、ストリップ線路40の特性インピーダンスに関与する。第1ソルダーレジスト層5は、第1層間絶縁層3の比誘電率と略同じ比誘電率を有する材料を用いて形成されていてもよい。また、第1ソルダーレジスト層5は、第1層間絶縁層3と略同じ厚さに形成されていてもよい。前述したように、ストリップ線路40の特性インピーダンスに関する設計において有利なことがある。第2ソルダーレジスト層5bは、例えば、第1ソルダーレジスト層5と同じ材料を用いて、第1ソルダーレジスト層5と同じ厚さに形成される。 The first and second solder resist layers 5, 5b can be formed by using any material having an insulating property. The first and second solder resist layers 5, 5b are formed by using a photosensitive resin containing, for example, an epoxy resin or a polyimide resin as a main raw material. The first solder resist layer 5 is interposed between the first outer layer conductor layer 4 and the shield film 6. The thickness and relative permittivity of the first solder resist layer 5 are related to the characteristic impedance of the strip line 40. The first solder resist layer 5 may be formed by using a material having a relative permittivity substantially the same as that of the first interlayer insulating layer 3. Further, the first solder resist layer 5 may be formed to have substantially the same thickness as the first interlayer insulating layer 3. As mentioned above, it may be advantageous in the design regarding the characteristic impedance of the strip line 40. The second solder resist layer 5b is formed, for example, by using the same material as the first solder resist layer 5 and having the same thickness as the first solder resist layer 5.

図1の例において第1ソルダーレジスト層5は、開口52内に、接続パッド42の上面の一部を露出させている。図1の例の配線基板1は、接続パッド42の露出面上に形成されている導電性のバンプ42aを備えている。バンプ42aによって、例えば電子部品などの外部部材の端子(図示せず)と接続パッド42とが接合される。なお、第1ソルダーレジスト層5は、接続パッド42の上面の一部ではなく全体を開口52内に露出させていてもよい。 In the example of FIG. 1, the first solder resist layer 5 exposes a part of the upper surface of the connection pad 42 in the opening 52. The wiring board 1 of the example of FIG. 1 includes a conductive bump 42a formed on the exposed surface of the connection pad 42. The bump 42a joins a terminal (not shown) of an external member such as an electronic component to the connection pad 42. The first solder resist layer 5 may be exposed not only as a part of the upper surface of the connection pad 42 but as a whole in the opening 52.

第2ソルダーレジスト層5bにおける端子パッド4b2上には開口5b2が設けられており、開口5b2内に端子パッド4b2の一部が露出している。開口5b2に露出する端子パッド4b2上には導電性のバンプ4baが備えられている。バンプ4baによって、例えば、マザーボードなどの外部部材の端子と、端子パッド4b2とが接合される。接続パッド42上の導電性バンプ42a及び端子パッド4b2上の導電性バンプ4baは、例えば、はんだ、金、若しくは銅などの任意の金属、又は、導電性の粒子を含む樹脂を用いて形成される。 An opening 5b2 is provided on the terminal pad 4b2 in the second solder resist layer 5b, and a part of the terminal pad 4b2 is exposed in the opening 5b2. A conductive bump 4ba is provided on the terminal pad 4b2 exposed to the opening 5b2. The bump 4ba joins the terminal of an external member such as a motherboard to the terminal pad 4b2. The conductive bumps 42a on the connection pad 42 and the conductive bumps 4ba on the terminal pads 4b2 are formed using, for example, any metal such as solder, gold, or copper, or a resin containing conductive particles. ..

図1及び図2の例において、配線基板1は、平面視で、配線基板1の中央部分に、マトリクス状に並ぶ一群の接続パッド42を備えている。接続パッド42に接続される外部部材(図示せず)は、この一群の接続パッド42を包含する実装領域MAに配置される。図2に示されるように、図1及び図2の例の配線基板1では、シールド膜6は、実装領域MAを平面視において全周に渡って囲むように形成されており、枠状の平面形状を有している。枠状の平面形状のシールド膜6の4つの辺それぞれの下層に、線路パターン41が配置されている。 In the examples of FIGS. 1 and 2, the wiring board 1 is provided with a group of connection pads 42 arranged in a matrix in the central portion of the wiring board 1 in a plan view. An external member (not shown) connected to the connection pad 42 is arranged in a mounting area MA that includes this group of connection pads 42. As shown in FIG. 2, in the wiring board 1 of the examples of FIGS. 1 and 2, the shield film 6 is formed so as to surround the mounting region MA over the entire circumference in a plan view, and is a frame-shaped flat surface. It has a shape. A line pattern 41 is arranged under each of the four sides of the frame-shaped planar shield film 6.

図2に例示される配線基板1において、第1ソルダーレジスト層5の上に形成されている導電体はシールド膜6だけである。すなわち、第1ソルダーレジスト層5の上には、電気信号が伝送されたり、特定の回路ノード間を接続したりする導体パターンは形成されていない。図1及び図2の例では、第1層ソルダーレジスト層5の上面は、シールド膜6に覆われていない領域を有しているが、シールド膜6は、第1ソルダーレジスト層5の上面全面を覆うように形成されていてもよい。 In the wiring board 1 illustrated in FIG. 2, the only conductor formed on the first solder resist layer 5 is the shield film 6. That is, a conductor pattern for transmitting an electric signal or connecting specific circuit nodes is not formed on the first solder resist layer 5. In the examples of FIGS. 1 and 2, the upper surface of the first solder resist layer 5 has a region not covered by the shield film 6, but the shield film 6 is the entire upper surface of the first solder resist layer 5. It may be formed so as to cover.

図3を参照して、ストリップ線路40、及び、シールド膜6が、さらに詳細に説明される。シールド膜6は、第1ソルダーレジスト層5の表面上に形成され、第1ソルダーレジスト層5を介して線路パターン41を覆っている。図3の例においてシールド膜6は、第1ソルダーレジスト層5を貫通して第1外層導体層4に接している接続部61を有している。接続部61は、第1ソルダーレジスト層5に設けられた開口51を、シールド膜6を形成する材料で充填することによって形成されている。接続部61は、Z方向と直交する断面において任意の形状を有し得る。例えば、接続部61は、Z方向と直交する断面において略円形の形状を有し得る。シールド膜6における第1ソルダーレジスト層5の上の部分は、接続部61及びビア導体31を介してシールドパターン21に電気的に接続されている。シールド膜6による良好なシールド作用が得られると考えられる。 The strip line 40 and the shield film 6 will be described in more detail with reference to FIG. The shield film 6 is formed on the surface of the first solder resist layer 5 and covers the line pattern 41 via the first solder resist layer 5. In the example of FIG. 3, the shield film 6 has a connecting portion 61 that penetrates the first solder resist layer 5 and is in contact with the first outer layer conductor layer 4. The connecting portion 61 is formed by filling the opening 51 provided in the first solder resist layer 5 with a material forming the shield film 6. The connecting portion 61 may have an arbitrary shape in a cross section orthogonal to the Z direction. For example, the connecting portion 61 may have a substantially circular shape in a cross section orthogonal to the Z direction. The portion of the shield film 6 above the first solder resist layer 5 is electrically connected to the shield pattern 21 via the connecting portion 61 and the via conductor 31. It is considered that a good shielding action is obtained by the shielding film 6.

シールド膜6は、導電性を有する任意の材料を用いて形成され得る。シールド膜6は、図3の例のように第1ソルダーレジスト5の開口51を埋める部分(接続部61)を有し得るように、例えば、その形成途上において流動性を有し得る材料を用いて形成される。例えば、シールド膜6は、所謂導電性ペースト又は導電性インクのような、導電性粒子又は導電性繊維などの導電性素材を含むペースト状又は液状の樹脂を用いて形成される。従って、シールド膜6は、導電性ペーストの固化物又は導電性インクの固化物であってもよい。シールド膜6における第1ソルダーレジスト5の上の部分及び接続部61は同一の材料で一体的に形成されている。 The shield film 6 can be formed by using any conductive material. The shield film 6 uses, for example, a material that can have fluidity during its formation so that it can have a portion (connecting portion 61) that fills the opening 51 of the first solder resist 5 as in the example of FIG. Is formed. For example, the shield film 6 is formed by using a paste-like or liquid resin containing a conductive material such as conductive particles or fibers, such as a so-called conductive paste or conductive ink. Therefore, the shield film 6 may be a solidified product of the conductive paste or a solidified product of the conductive ink. The upper portion of the first solder resist 5 and the connecting portion 61 of the shield film 6 are integrally formed of the same material.

シールド膜6を形成するための材料としては、銀ペースト、錫・銀ペースト、又は銅ペーストなどの任意の導電性樹脂、又は、銀ナノ粒子などを含む導電性インクが例示される。従ってシールド膜6は、銀、錫、銅、ニッケル、アルミニウム、パラジウム、チタン、モリブデンなどの任意の金属粒子を含み得る。また、シールド膜6を形成する導電性ペーストを構成する樹脂としては、エポキシ、アクリル、フェノールなどが例示されるが、シールド膜6が含み得る樹脂はこれらに限定されない。なお、配線基板1は、任意の絶縁層に設けられた貫通穴に導電性樹脂を充填することによって形成される樹脂充填型のビア導体を有していてもよい。その場合、樹脂充填型のビア導体と同じ材料を用いてシールド膜6が形成されてもよい。 Examples of the material for forming the shield film 6 include any conductive resin such as silver paste, tin / silver paste, or copper paste, or conductive ink containing silver nanoparticles or the like. Therefore, the shield film 6 may contain arbitrary metal particles such as silver, tin, copper, nickel, aluminum, palladium, titanium and molybdenum. Examples of the resin constituting the conductive paste forming the shield film 6 include epoxy, acrylic, and phenol, but the resin that can be contained in the shield film 6 is not limited to these. The wiring board 1 may have a resin-filled via conductor formed by filling a through hole provided in an arbitrary insulating layer with a conductive resin. In that case, the shield film 6 may be formed by using the same material as the resin-filled via conductor.

図3の例において、シールド膜6における第1ソルダーレジスト層5側と反対側の表面6aは、第1ソルダーレジスト層5と反対の方向に向かって凸となるように湾曲している。すなわち、シールド膜6の厚さは、線路パターン41が延びる方向と直交する方向(図3におけるX方向)における中央部で最も厚くなっている。X方向においてシールド膜6の中央部に位置する線路パターン41に対する効果的なシールド作用が得られると考えられる。なお、シールド膜6の表面6aは、略平坦であってもよく、略全体に若しくは部分的に第1ソルダーレジスト層5側に凹んでいてもよく、また、第1ソルダーレジスト層5の開口51の真上で部分的に凹んでいてもよい。 In the example of FIG. 3, the surface 6a of the shield film 6 opposite to the first solder resist layer 5 side is curved so as to be convex in the direction opposite to the first solder resist layer 5. That is, the thickness of the shield film 6 is the thickest at the central portion in the direction orthogonal to the direction in which the line pattern 41 extends (the X direction in FIG. 3). It is considered that an effective shielding action on the line pattern 41 located at the center of the shield film 6 in the X direction can be obtained. The surface 6a of the shield film 6 may be substantially flat, may be recessed substantially entirely or partially on the side of the first solder resist layer 5, and the opening 51 of the first solder resist layer 5 may be recessed. It may be partially recessed just above.

ストリップ線路40の特性インピーダンスは、第1層間絶縁層3及び第1ソルダーレジスト層5それぞれの比誘電率、線路パターン41の厚さT、及び線路幅W、並びに、線路パターン41とシールドパターン21及びシールド膜6それぞれとの間隔H1、H2に基づいて定まる。従って、ストリップ線路40において所望の特性インピーダンスが得られるように、第1層間絶縁層3及び第1ソルダーレジスト層5の材料及び厚さが選択され、線路パターン41の厚さT(すなわち第1外層導体層4の厚さ)及び線路幅Wが決定される。例えば第1層間絶縁層3及び第1ソルダーレジスト層5は、ストリップ線路40が30Ω以上、150Ω以下の特性インピーダンスを有するべく選択された厚さ及び比誘電率を有している。 The characteristic impedance of the strip line 40 includes the relative permittivity of each of the first interlayer insulating layer 3 and the first solder resist layer 5, the thickness T of the line pattern 41, the line width W, and the line pattern 41 and the shield pattern 21. It is determined based on the distances H1 and H2 from each of the shield films 6. Therefore, the materials and thicknesses of the first interlayer insulating layer 3 and the first solder resist layer 5 are selected so that the desired characteristic impedance can be obtained in the strip line 40, and the thickness T of the line pattern 41 (that is, the first outer layer) is selected. The thickness of the conductor layer 4) and the line width W are determined. For example, the first interlayer insulating layer 3 and the first solder resist layer 5 have a thickness and a relative permittivity selected so that the strip line 40 has a characteristic impedance of 30 Ω or more and 150 Ω or less.

配線基板1は、図3に示されるように、少なくともシールド膜6を覆う表面保護膜8を備えていてもよい。表面保護膜8は、例えば、イミダゾールを主成分とする、水溶性プリフラックス、好ましくは耐熱性水溶性プリフラックスを用いて形成されている。図1〜図3の例においてシールド膜6は第1ソルダーレジスト層5の上に露出しているが、表面保護膜8を設けることによって、シールド膜6における酸化や錆の発生を防ぐことができる。 As shown in FIG. 3, the wiring board 1 may include at least a surface protective film 8 that covers the shield film 6. The surface protective film 8 is formed by using, for example, a water-soluble preflux containing imidazole as a main component, preferably a heat-resistant water-soluble preflux. In the examples of FIGS. 1 to 3, the shield film 6 is exposed on the first solder resist layer 5, but by providing the surface protective film 8, it is possible to prevent oxidation and rust from occurring in the shield film 6. ..

図4には、図1の配線基板1におけるストリップ線路40の変形例であるストリップ線路40aが示されている。図4に示されるように、ストリップ線路40aは、所定の間隔Gを開けて並走するように配置された2本の線路を有する線路パターン41aを含んでいる。すなわち、線路パターン41aを構成する2本の線路によって差動伝送路が形成されている。ストリップ線路40aは、例えば、微小振幅を有する高周波信号の伝送に有利である。本実施形態の配線基板1において、シールド膜6とシールドパターン21とは、差動伝送路である線路パターン41を互いの間に挟んでいてもよく、それにより、差動伝送路を含むストリップ線路40aが構成されていてもよい。 FIG. 4 shows a strip line 40a which is a modification of the strip line 40 in the wiring board 1 of FIG. As shown in FIG. 4, the strip line 40a includes a line pattern 41a having two lines arranged so as to run side by side with a predetermined interval G. That is, the differential transmission line is formed by the two lines forming the line pattern 41a. The strip line 40a is advantageous for, for example, transmitting a high frequency signal having a minute amplitude. In the wiring board 1 of the present embodiment, the shield film 6 and the shield pattern 21 may sandwich a line pattern 41 which is a differential transmission line between them, whereby a strip line including the differential transmission line may be sandwiched between them. 40a may be configured.

なお、図4の例では、図3の例における表面保護膜8は形成されていない。本実施形態の配線基板1は、図4に示されるように、シールド膜6を覆う表面保護膜を必ずしも備えていなくてもよい。 In the example of FIG. 4, the surface protective film 8 in the example of FIG. 3 is not formed. As shown in FIG. 4, the wiring board 1 of the present embodiment does not necessarily have to include a surface protective film that covers the shield film 6.

図4の例のストリップ線路40a及びその周囲の部分の構造は、線路パターン41aが差動伝送路である点及び表面保護膜8が形成されていない点を除いて、図3のストリップ線路40及びその周囲の部分と同様である。図3に示される構成要素と同様の構成要素には、図4において、図3に示される符号と同様の符号が付され、その説明は省略される。 The structure of the strip line 40a and its surrounding portion in the example of FIG. 4 includes the strip line 40 and the strip line 40 of FIG. 3 except that the line pattern 41a is a differential transmission line and the surface protective film 8 is not formed. It is the same as the surrounding part. The same components as those shown in FIG. 3 are designated by the same reference numerals as those shown in FIG. 3 in FIG. 4, and the description thereof will be omitted.

つぎに、図1に示される配線基板1を例に、一実施形態の配線基板の製造方法が、図5A〜図5Eを参照して説明される。 Next, the method for manufacturing the wiring board of one embodiment will be described with reference to FIGS. 5A to 5E, using the wiring board 1 shown in FIG. 1 as an example.

本実施形態の配線基板の製造方法は、図5Aに示されるように、所定の導体パターン21を含む導体層(第1内層導体層2)を絶縁層(コア層10)上に形成することを含んでいる。所定の導体パターン21は、後工程で形成される線路パターン41(図5B参照)に対する電磁シールドとして機能する導体パターンであり、以下では「シールドパターン21」とも称される。図5Aの例では、第1内層導体層2は、コア層10を構成する絶縁層が有する2つの主面のうちの一方(第1面10a)の上に形成されている。コア層10の他方の主面(第2面10b)上には、第2内層導体層2bが形成されている。 In the method for manufacturing a wiring board of the present embodiment, as shown in FIG. 5A, a conductor layer (first inner layer conductor layer 2) including a predetermined conductor pattern 21 is formed on an insulating layer (core layer 10). Includes. The predetermined conductor pattern 21 is a conductor pattern that functions as an electromagnetic shield for the line pattern 41 (see FIG. 5B) formed in a later process, and is also referred to as a "shield pattern 21" below. In the example of FIG. 5A, the first inner layer conductor layer 2 is formed on one of the two main surfaces (first surface 10a) of the insulating layer constituting the core layer 10. A second inner layer conductor layer 2b is formed on the other main surface (second surface 10b) of the core layer 10.

例えば、コア層10となる絶縁基板とその両面それぞれに積層された銅箔とを有する両面銅張積層板が用意される。両面銅張積層板には、レーザー加工によって、スルーホール導体10cを形成するための貫通孔が形成され、貫通孔の内壁及び両面銅張積層板の表面上に無電解めっき又はスパッタリングなどによって導体膜が形成される。そして、この導体膜をシード層及び給電層として用いる電解めっき、及び、適切なマスクを用いるエッチングなどを含むサブトラクティブ法によって、所望の導体パターンをそれぞれ有する第1内層導体層2及び第2内層導体層2b、並びにスルーホール導体10cが形成される。すなわち配線基板1のコア基板が形成される。なお、第1及び第2の内層導体層2、2b、並びにスルーホール導体10cは、セミアディティブ法によって形成されてもよい。また、本実施形態において、第1内層導体層2は、必ずしもコア層10を構成する絶縁層上に形成されなくてもよい。例えば、第1内層導体層2は、コア層以外の任意の層間絶縁層上に形成されてもよい。 For example, a double-sided copper-clad laminate having an insulating substrate to be the core layer 10 and copper foil laminated on both sides thereof is prepared. A through hole for forming a through-hole conductor 10c is formed in the double-sided copper-clad laminate by laser processing, and a conductor film is formed on the inner wall of the through hole and the surface of the double-sided copper-clad laminate by electroless plating or sputtering. Is formed. Then, by a subtractive method including electroplating using this conductor film as a seed layer and a feeding layer, and etching using an appropriate mask, the first inner layer conductor layer 2 and the second inner layer conductor having desired conductor patterns, respectively. The layer 2b and the through-hole conductor 10c are formed. That is, the core substrate of the wiring board 1 is formed. The first and second inner layer conductor layers 2, 2b and the through-hole conductor 10c may be formed by a semi-additive method. Further, in the present embodiment, the first inner layer conductor layer 2 does not necessarily have to be formed on the insulating layer constituting the core layer 10. For example, the first inner layer conductor layer 2 may be formed on any interlayer insulating layer other than the core layer.

図5Bに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、コア層10の第1面10a上及び第1内層導体層2上に絶縁層(第1層間絶縁層3)を形成することと、第1層間絶縁層3の上に導体層(第1外層導体層4)を形成することと、を含んでいる。第1外層導体層4は、線路パターン41を含むように形成される。線路パターン41は所定の線路幅を有するように形成される。図5Bの例では、第1外層導体層4を形成することには、外部部材(図示せず)に対する接続パッド42を形成することが含まれており、2つの線路パターン41の間に複数の接続パッド42が形成されている。第1層間絶縁層3には、第1層間絶縁層3を貫通し、第1内層導体層2と第1外層導体層4とを接続するビア導体31が形成される。 As shown in FIG. 5B, in the method for manufacturing a wiring board of the present embodiment, an insulating layer (first interlayer insulating layer 3) is further provided on the first surface 10a of the core layer 10 and on the first inner layer conductor layer 2. It includes forming and forming a conductor layer (first outer layer conductor layer 4) on the first interlayer insulating layer 3. The first outer layer conductor layer 4 is formed so as to include the line pattern 41. The line pattern 41 is formed so as to have a predetermined line width. In the example of FIG. 5B, forming the first outer layer conductor layer 4 includes forming a connection pad 42 for an external member (not shown), and a plurality of line patterns 41 are formed between the two line patterns 41. A connection pad 42 is formed. A via conductor 31 is formed in the first interlayer insulating layer 3 so as to penetrate the first interlayer insulating layer 3 and connect the first inner layer conductor layer 2 and the first outer layer conductor layer 4.

図5Bの例では、コア層10の第2面10b上及び第2内層導体層2b上には第2層間絶縁層3b及び第2外層導体層4bが形成されている。第2外層導体層4bは、端子パッド4b2を含むように形成される。また、第2層間絶縁層3bを貫通し、第2内層導体層2bと第2外層導体層4bとを接続するビア導体31bが形成されている。 In the example of FIG. 5B, the second interlayer insulating layer 3b and the second outer layer conductor layer 4b are formed on the second surface 10b and the second inner layer conductor layer 2b of the core layer 10. The second outer layer conductor layer 4b is formed so as to include the terminal pad 4b2. Further, a via conductor 31b is formed which penetrates the second interlayer insulating layer 3b and connects the second inner layer conductor layer 2b and the second outer layer conductor layer 4b.

第1及び第2の層間絶縁層3、3bは、例えばフィルム状のエポキシ樹脂を積層して熱圧着することによって形成される。第1及び第2の層間絶縁層3、3bの形成において、銅箔などの金属箔が、第1及び第2の層間絶縁層3、3bそれぞれの上に熱圧着されてもよい。第1及び第2の層間絶縁層3、3bには、所定の位置に、ビア導体31、31bの形成用の孔が、炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。 The first and second interlayer insulating layers 3 and 3b are formed by, for example, laminating a film-shaped epoxy resin and thermocompression bonding. In the formation of the first and second interlayer insulating layers 3, 3b, a metal foil such as a copper foil may be thermocompression bonded onto each of the first and second interlayer insulating layers 3, 3b. Holes for forming the via conductors 31 and 31b are formed at predetermined positions in the first and second interlayer insulating layers 3 and 3b by irradiation with carbon dioxide laser light or the like.

そして、例えばセミアディティブ法によって、第1層間絶縁層3の上に、少なくとも線路パターン41を含む第1外層導体層4が形成され、第1層間絶縁層3内にビア導体31が形成される。また、第1外層導体層4及びビア導体31の形成方法と同様の方法で、好ましくは第1外層導体層4の形成と同時に、第2層間絶縁層3bの上に所望の導体パターンを有する第2外層導体層4bが形成され、第2層間絶縁層3b内にビア導体31bが形成される。 Then, for example, by the semi-additive method, the first outer layer conductor layer 4 including at least the line pattern 41 is formed on the first interlayer insulating layer 3, and the via conductor 31 is formed in the first interlayer insulating layer 3. Further, a second layer having a desired conductor pattern on the second interlayer insulating layer 3b at the same time as the formation of the first outer layer conductor layer 4 is preferably performed by the same method as the method for forming the first outer layer conductor layer 4 and the via conductor 31. 2 The outer conductor layer 4b is formed, and the via conductor 31b is formed in the second interlayer insulating layer 3b.

図5Cに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、線路パターン41を含む第1外層導体層4と、第1層間絶縁層3とを覆うソルダーレジスト層(第1ソルダーレジスト層5)を形成することを含んでいる。図5Cの例では、コア層10の第2面10b側において、第2ソルダーレジスト層5bが、第2層間絶縁層3b及び第2外層導体層4bの上に形成されている。第1及び第2のソルダーレジスト層5、5bは、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む膜を、塗布、吹き付け、又は印刷などの方法で各導体層及び各絶縁層上に成膜することによって形成される。 As shown in FIG. 5C, the method for manufacturing a wiring board of the present embodiment further comprises a solder resist layer (first solder) that covers the first outer layer conductor layer 4 including the line pattern 41 and the first interlayer insulating layer 3. It includes forming a resist layer 5). In the example of FIG. 5C, the second solder resist layer 5b is formed on the second interlayer insulating layer 3b and the second outer layer conductor layer 4b on the second surface 10b side of the core layer 10. The first and second solder resist layers 5, 5b are formed on each conductor layer and each insulating layer by a method such as coating, spraying, or printing, for example, a film containing a photosensitive epoxy resin or polyimide resin. It is formed by forming a film.

図5Cに示されるように、第1ソルダーレジスト層5の形成は、第1外層導体層4の一部を露出させる開口51及び開口52を第1ソルダーレジスト層5に形成することを含み得る。開口51はビア導体31のビアパッド43を露出させ、開口52は接続パッド42の一部又は全部を露出させる。図5Cの例では、第2ソルダーレジスト層5bにも端子パッド4b2を露出させる開口5b2が形成されている。例えば、適切な露光マスクを用いる露光及び現像を行うことによって、開口51、開口52及び開口5b2が形成される。 As shown in FIG. 5C, the formation of the first solder resist layer 5 may include forming an opening 51 and an opening 52 in the first solder resist layer 5 that expose a part of the first outer layer conductor layer 4. The opening 51 exposes the via pad 43 of the via conductor 31, and the opening 52 exposes part or all of the connecting pad 42. In the example of FIG. 5C, the second solder resist layer 5b is also formed with an opening 5b2 for exposing the terminal pad 4b2. For example, the opening 51, the opening 52, and the opening 5b2 are formed by performing exposure and development using an appropriate exposure mask.

各開口51、52、5b2の形成後、第1及び第2のソルダーレジスト層5、5bは、例えば加熱により完全に硬化され得る。本実施形態の配線基板の製造方法では、各ソルダーレジスト層5、5b上には導体層(例えばストリップ線路のシールド層)が形成されない。従って、各ソルダーレジスト層5、5bが、ストリップ線路40(図5D参照)が形成される前に完全に硬化されても、導体層との界面における剥離に関する懸念は生じ得ない。 After the formation of the openings 51, 52, 5b2, the first and second solder resist layers 5, 5b can be completely cured, for example by heating. In the method for manufacturing a wiring board of the present embodiment, a conductor layer (for example, a shield layer of a strip line) is not formed on each of the solder resist layers 5 and 5b. Therefore, even if each solder resist layer 5, 5b is completely cured before the strip line 40 (see FIG. 5D) is formed, there can be no concern about peeling at the interface with the conductor layer.

図5Dに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、電磁シールドとして機能するシールド膜6となる導体膜を第1ソルダーレジスト層5の上に形成することを含んでいる。この導体膜は、線路パターン41を覆うように形成され、そのため線路パターン41に対する電磁シールドとして機能する。シールド膜6と線路パターン41とシールドパターン21とによってストリップ線路40が形成される。このように本実施形態の配線基板の製造方法は、第1ソルダーレジスト層5の上に導体膜を形成することによって、その導体膜からなるシールド膜6と、線路パターン41と、シールドパターン21とによって構成されるストリップ線路40を形成することを含んでいる。 As shown in FIG. 5D, the method for manufacturing a wiring board of the present embodiment further includes forming a conductor film to be a shield film 6 functioning as an electromagnetic shield on the first solder resist layer 5. .. This conductor film is formed so as to cover the line pattern 41, and therefore functions as an electromagnetic shield against the line pattern 41. The strip line 40 is formed by the shield film 6, the line pattern 41, and the shield pattern 21. As described above, in the method for manufacturing the wiring board of the present embodiment, by forming a conductor film on the first solder resist layer 5, a shield film 6 made of the conductor film, a line pattern 41, and a shield pattern 21 are formed. Includes forming a strip line 40 composed of.

シールド膜6は、導電性を有する任意の材料を第1ソルダーレジスト層5における線路パターン41の上方の部分に供給することよって形成される。シールド膜6の材料としては、第1ソルダーレジスト層5と良好に密着し得るものが好ましい。例えば、シールド膜6の材料は、第1ソルダーレジスト層5に用いられる樹脂と同種の樹脂、例えばエポキシ樹脂を含んでいてもよい。また、シールド膜6の導電性は金属粒子などの任意の導電性素材によって付与され得る。例えば、銀ペースト、錫・銀ペースト、若しくは銅ペーストなどの導電性ペースト、又は、銀ナノ粒子などを含む導電性インクを用いてシールド膜6が形成される。ペースト状又は液状の材料を用いることによって、第1ソルダーレジスト層5に対する良好な密着性が得られることがある。 The shield film 6 is formed by supplying an arbitrary material having conductivity to the upper portion of the line pattern 41 in the first solder resist layer 5. The material of the shield film 6 is preferably one that can adhere well to the first solder resist layer 5. For example, the material of the shield film 6 may contain a resin of the same type as the resin used for the first solder resist layer 5, for example, an epoxy resin. Further, the conductivity of the shield film 6 can be imparted by any conductive material such as metal particles. For example, the shield film 6 is formed by using a conductive paste such as silver paste, tin / silver paste, or copper paste, or a conductive ink containing silver nanoparticles or the like. By using a paste-like or liquid material, good adhesion to the first solder resist layer 5 may be obtained.

第1ソルダーレジスト層5の上へのシールド膜6の材料の供給には、任意の方法が用いられる。例えば、導電性ペーストのようなペースト状、又は液状の材料が用いられる場合、導体膜(シールド膜6)を形成することは、印刷マスクを介して導電性ペーストを印刷することを含んでいてもよい。或いは、導体膜(シールド膜6)を形成することは、図5Dに示されるように、インクジェット方式で第1ソルダーレジスト層5に導電性インク60を塗布することを含んでいてもよい。図5Dの例では、第1ソルダーレジスト層5の上に、シールド膜6の形成領域に対応する領域に適切な開口M1を有するマスクMが設けられる。開口M1は、少なくとも線路パターン41の真上の領域を含む領域に形成される。また、開口M1は、開口M1内に形成されるシールド膜6が線路パターン41に対する十分なシールド作用を奏し得る程度の大きさ(幅)に形成される。 Any method is used to supply the material of the shield film 6 onto the first solder resist layer 5. For example, when a paste-like or liquid material such as a conductive paste is used, forming the conductor film (shield film 6) may include printing the conductive paste through a printing mask. Good. Alternatively, forming the conductor film (shield film 6) may include applying the conductive ink 60 to the first solder resist layer 5 by an inkjet method, as shown in FIG. 5D. In the example of FIG. 5D, a mask M having an appropriate opening M1 in the region corresponding to the formation region of the shield film 6 is provided on the first solder resist layer 5. The opening M1 is formed in a region including at least a region directly above the line pattern 41. Further, the opening M1 is formed in a size (width) such that the shield film 6 formed in the opening M1 can exert a sufficient shielding action on the line pattern 41.

マスクMに向かって導電性インク60が塗布される。製造途上の配線基板1xが、図5Dにおいて矢印Aによって示される向きに動かされ、マスクMを介して塗布された導電性インク60が各開口M1内に堆積する。その結果、各開口M1内に、線路パターン41を覆うシールド膜6が形成される。なお、シールド膜6の形成中、コア層10の第2面10b側は、導電性インク60が意図せず付着しないように、レジストRなどの任意の保護膜に覆われてもよい。 The conductive ink 60 is applied toward the mask M. The wiring board 1x in the process of being manufactured is moved in the direction indicated by the arrow A in FIG. 5D, and the conductive ink 60 applied through the mask M is deposited in each opening M1. As a result, a shield film 6 covering the line pattern 41 is formed in each opening M1. During the formation of the shield film 6, the second surface 10b side of the core layer 10 may be covered with an arbitrary protective film such as resist R so that the conductive ink 60 does not unintentionally adhere.

図5Dの例では、マスクMの開口M1は、第1ソルダーレジスト層5の開口51を露出させる領域に設けられている。従って、導体膜(シールド膜6)の形成は、シールド膜6の一部(接続部61)を第1ソルダーレジスト層5の開口51内に形成することを含み得る。すなわち、シールド膜6の形成は、シールド膜6における第1ソルダーレジスト層5の上の部分と第1外層導体層4の一部とを接続部61によって接続することを含み得る。図5Dの例においてシールド膜6は、ビア導体31のビアパッド43に接続され、その結果、シールド膜6とシールドパターン21とが電気的に接続される。 In the example of FIG. 5D, the opening M1 of the mask M is provided in the region where the opening 51 of the first solder resist layer 5 is exposed. Therefore, the formation of the conductor film (shield film 6) may include forming a part (connection portion 61) of the shield film 6 in the opening 51 of the first solder resist layer 5. That is, the formation of the shield film 6 may include connecting a portion of the shield film 6 above the first solder resist layer 5 and a portion of the first outer layer conductor layer 4 by a connecting portion 61. In the example of FIG. 5D, the shield film 6 is connected to the via pad 43 of the via conductor 31, and as a result, the shield film 6 and the shield pattern 21 are electrically connected.

シールド膜6の形成後、マスクMが除去される。シールド膜6がペースト状又は液状の材料を用いて形成される場合、マスクMの除去の前又は後に、例えば加熱することによってシールド膜6が硬化されてもよい。なお、シールド膜6の材料は、印刷や、図5Dの例のようなインクジェットを用いる方法ではなく、樹脂ディスペンサのノズルからの吐出などによって供給されてもよい。 After forming the shield film 6, the mask M is removed. When the shield film 6 is formed using a paste-like or liquid material, the shield film 6 may be cured by heating, for example, before or after the removal of the mask M. The material of the shield film 6 may be supplied by printing or by ejecting from a nozzle of a resin dispenser instead of using an inkjet as in the example of FIG. 5D.

図5Eに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、シールド膜6上に表面保護膜8を形成することを含んでいてもよい。表面保護膜8は、シールド膜6上だけでなく、第1及び第2の外層導体層4、4bそれぞれの露出面上にも形成されてもよい。表面保護膜8は、例えば、水溶性プリフラックス、好ましくは耐熱性水溶性プリフラックスの溶液中に、シールド膜6の形成後の配線基板1xを浸漬することによって形成される。 As shown in FIG. 5E, the method for manufacturing a wiring board of the present embodiment may further include forming a surface protective film 8 on the shield film 6. The surface protective film 8 may be formed not only on the shield film 6 but also on the exposed surfaces of the first and second outer layer conductor layers 4 and 4b, respectively. The surface protective film 8 is formed, for example, by immersing the wiring board 1x after the formation of the shield film 6 in a solution of a water-soluble preflux, preferably a heat-resistant water-soluble preflux.

また、図5Eに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、接続パッド42上に導電性のバンプ42aを形成することを含んでいてもよい。同様に、端子パッド4b2上に、導電性のバンプ4baが形成されてもよい。バンプ42a及びバンプ4baは、例えばはんだボールを接続パッド42及び端子パッド4b2に配置して加熱溶融することによって形成される。なお、バンプ42a及びバンプ4baは、シールド膜6の形成の前に形成されてもよい。以上の工程を経ることによって、図1の配線基板1が完成する。 Further, as shown in FIG. 5E, the method for manufacturing the wiring board of the present embodiment may further include forming a conductive bump 42a on the connection pad 42. Similarly, a conductive bump 4ba may be formed on the terminal pad 4b2. The bumps 42a and 4ba are formed, for example, by arranging solder balls on the connection pad 42 and the terminal pad 4b2 and heating and melting them. The bumps 42a and 4ba may be formed before the formation of the shield film 6. By going through the above steps, the wiring board 1 of FIG. 1 is completed.

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示された構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、配線基板1は接続パッド42を含んでいなくてもよい。ストリップ線路40は、平面視で配線基板1の任意の位置に設けられ得る。シールド膜6とシールドパターン21とは、必ずしも、線路パターン41の近傍で接続されていなくてもよい。配線基板1は、コア層を有さず一方向に導体層と絶縁層とが積層された所謂コアレス基板であってもよい。また、ビア導体31及び31b、シールド膜6の接続部61、並びにスルーホール導体10cは、必ずしも形成されていなくてもよい。 The wiring board of the embodiment is not limited to the structure exemplified in each drawing and the structure, shape, and material exemplified in this specification. For example, the wiring board 1 does not have to include the connection pad 42. The strip line 40 may be provided at an arbitrary position on the wiring board 1 in a plan view. The shield film 6 and the shield pattern 21 do not necessarily have to be connected in the vicinity of the line pattern 41. The wiring board 1 may be a so-called coreless substrate in which a conductor layer and an insulating layer are laminated in one direction without having a core layer. Further, the via conductors 31 and 31b, the connecting portion 61 of the shield film 6, and the through-hole conductor 10c do not necessarily have to be formed.

実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば、第1及び第2の外層導体層4、4bがサブトラクティブ法でパターニングされてもよい。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。 The method for manufacturing the wiring board of the embodiment is not limited to the method described with reference to each drawing. For example, the first and second outer conductor layers 4, 4b may be patterned by the subtractive method. In addition to each of the above-mentioned steps, any step may be added to the method for manufacturing the wiring board of the embodiment, or a part of the above-mentioned steps may be omitted.

1 配線基板
10 コア層
10a 第1面
10b 第2面
2 第1内層導体層
21 シールドパターン(所定の導体パターン)
3 第1層間絶縁層
31、31b ビア導体
4 第1外層導体層
40、40a ストリップ線路
41、41a 線路パターン
42 接続パッド(第1接続パッド)
42a バンプ
5 第1ソルダーレジスト層
51、52 開口
6 シールド膜
61 接続部
6a シールド膜の表面
8 表面保護膜
1 Wiring board 10 Core layer 10a First surface 10b Second surface 2 First inner layer Conductor layer 21 Shield pattern (predetermined conductor pattern)
3 First interlayer insulating layer 31, 31b Via conductor 4 First outer layer conductor layer 40, 40a Strip line 41, 41a Line pattern 42 Connection pad (first connection pad)
42a Bump 5 First solder resist layer 51, 52 Aperture 6 Shield film 61 Connection part 6a Shield film surface 8 Surface protective film

Claims (11)

シールドパターンを含む内層導体層と、
前記内層導体層の上に積層されている層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の上に形成されていて、所定の線路幅を有する線路パターンを含む外層導体層と、
前記外層導体層及び前記層間絶縁層を覆うソルダーレジスト層と、
前記ソルダーレジスト層上に形成されていて、少なくとも前記線路パターンを覆うことによって前記シールドパターン及び前記線路パターンと共にストリップ線路を構成するシールド膜と、
を備える配線基板であって、
前記シールド膜は、導電性ペースト又は導電性インクの固化物である。
The inner conductor layer including the shield pattern and
An interlayer insulating layer laminated on the inner conductor layer and
An outer conductor layer formed on the interlayer insulating layer and including a line pattern having a predetermined line width,
A solder resist layer covering the outer conductor layer and the interlayer insulating layer,
A shield film formed on the solder resist layer and forming a strip line together with the shield pattern and the line pattern by covering at least the line pattern.
It is a wiring board equipped with
The shield film is a solidified product of a conductive paste or a conductive ink.
請求項1記載の配線基板であって、前記シールド膜における前記ソルダーレジスト層側と反対側の表面は、前記ソルダーレジスト層と反対の方向に向かって凸となるように湾曲している。 In the wiring board according to claim 1, the surface of the shield film on the side opposite to the solder resist layer side is curved so as to be convex in the direction opposite to the solder resist layer. 請求項1記載の配線基板であって、前記外層導体層は外部部材に対する接続パッドをさらに含んでおり、
前記ソルダーレジスト層は前記接続パッドを露出させる開口を備えている。
The wiring board according to claim 1, wherein the outer conductor layer further includes a connection pad for an outer member.
The solder resist layer has an opening that exposes the connection pad.
請求項1記載の配線基板であって、前記シールド膜は、前記ソルダーレジスト層を貫通して前記外層導体層に接している接続部を有している。 The wiring board according to claim 1, wherein the shield film has a connecting portion that penetrates the solder resist layer and is in contact with the outer conductor layer. 請求項4記載の配線基板であって、
前記層間絶縁層は前記層間絶縁層を貫通するビア導体を含み、
前記シールド膜は前記接続部及び前記ビア導体を介して前記シールドパターンに電気的に接続されている。
The wiring board according to claim 4.
The interlayer insulating layer includes a via conductor penetrating the interlayer insulating layer.
The shield film is electrically connected to the shield pattern via the connection portion and the via conductor.
請求項1記載の配線基板であって、前記シールド膜を覆う表面保護膜をさらに備えている。 The wiring board according to claim 1, further comprising a surface protective film that covers the shield film. 請求項1記載の配線基板であって、前記ソルダーレジスト層は、前記ストリップ線路が30Ω以上、150Ω以下の特性インピーダンスを有するべく選択された厚さ及び比誘電率を有している。 The wiring board according to claim 1, wherein the solder resist layer has a thickness and a relative permittivity selected so that the strip line has a characteristic impedance of 30 Ω or more and 150 Ω or less. 所定の導体パターンを含む導体層を形成することと、
前記導体層上に絶縁層を形成することと、
前記絶縁層の上に、所定の線路幅を有する線路パターンを含む導体層を形成することと、
前記線路パターンを含む導体層及び前記絶縁層を覆うソルダーレジスト層を形成することと、
前記線路パターンを覆う導体膜を前記ソルダーレジスト層上に形成することによって、前記導体膜と、前記線路パターンと、前記所定の導体パターンとによって構成されるストリップ線路を形成することと、
を含んでいる配線基板の製造方法であって、
前記導体膜を形成することは、導電性ペーストを印刷すること、又は、インクジェット方式により導電性インクを塗布することを含んでいる。
Forming a conductor layer containing a predetermined conductor pattern and
Forming an insulating layer on the conductor layer and
Forming a conductor layer including a line pattern having a predetermined line width on the insulating layer,
Forming a conductor layer including the line pattern and a solder resist layer covering the insulating layer,
By forming a conductor film covering the line pattern on the solder resist layer, a strip line composed of the conductor film, the line pattern, and the predetermined conductor pattern can be formed.
Is a method of manufacturing a wiring board that includes
Forming the conductor film includes printing a conductive paste or applying a conductive ink by an inkjet method.
請求項8記載の配線基板の製造方法であって、
前記ソルダーレジスト層を形成することは、前記ソルダーレジスト層に前記線路パターンを含む導体層の一部を露出させる開口を形成することを含んでおり、
前記導体膜を形成することは、前記導体膜の一部を前記開口内に形成することによって、前記導体膜と前記線路パターンを含む前記導体層とを接続することを含んでいる。
The method for manufacturing a wiring board according to claim 8.
Forming the solder resist layer includes forming an opening in the solder resist layer that exposes a part of the conductor layer including the line pattern.
Forming the conductor film includes connecting the conductor film and the conductor layer including the line pattern by forming a part of the conductor film in the opening.
請求項8記載の配線基板の製造方法であって、前記導体膜上に表面保護膜を形成することをさらに含んでいる。 The method for manufacturing a wiring board according to claim 8, further comprising forming a surface protective film on the conductor film. 請求項8記載の配線基板の製造方法であって、
前記線路パターンを含む導体層を形成することは、外部部材に対する接続パッドを形成することを含んでいる。
The method for manufacturing a wiring board according to claim 8.
Forming a conductor layer containing the line pattern includes forming a connecting pad to an external member.
JP2019113945A 2019-06-19 2019-06-19 Wiring board and manufacturing method of wiring board Pending JP2021002538A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019113945A JP2021002538A (en) 2019-06-19 2019-06-19 Wiring board and manufacturing method of wiring board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019113945A JP2021002538A (en) 2019-06-19 2019-06-19 Wiring board and manufacturing method of wiring board

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021002538A true JP2021002538A (en) 2021-01-07

Family

ID=73995572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019113945A Pending JP2021002538A (en) 2019-06-19 2019-06-19 Wiring board and manufacturing method of wiring board

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2021002538A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI507096B (en) Multilayer printed circuit board and method for manufacturing same
US9332658B2 (en) Wiring board, semiconductor device, and method for manufacturing wiring board
KR20110076803A (en) Multilayer wiring substrate
KR20160059125A (en) Element embedded printed circuit board and method of manufacturing the same
US10945334B2 (en) Wiring substrate
US11277910B2 (en) Wiring substrate
US6455783B1 (en) Multilayer printed wiring board and method for manufacturing the same
JP3856743B2 (en) Multilayer wiring board
US11792937B2 (en) Component built-in wiring substrate
US10966326B2 (en) Wiring substrate and method for manufacturing wiring substrate
JP2023056335A (en) wiring board
JP2021002538A (en) Wiring board and manufacturing method of wiring board
JP5370883B2 (en) Wiring board
JP2021077680A (en) Wiring board and manufacturing method of wiring board
JP2021002536A (en) Wiring board and manufacturing method of wiring board
JP7496251B2 (en) Component-embedded wiring board and method for manufacturing the component-embedded wiring board
US20230135774A1 (en) Interconnect substrate, method of manufacturing the same, and semiconductor apparatus
US20220248530A1 (en) Wiring substrate
JP2023078819A (en) Wiring board and method for manufacturing wiring board
JP2021168349A (en) Component built-in wiring board
JP2023010236A (en) Wiring board and method for manufacturing wiring board
JP2023119420A (en) wiring board
JP2023111607A (en) wiring board
JP2023170480A (en) wiring board
JP2023010237A (en) Wiring board and method for manufacturing wiring board