JP2023119420A - wiring board - Google Patents

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伊久哉 寺内
Ikuya Terauchi
外茂也 台蔵
Tomoya Taizo
裕康 能登
Hiroyasu NOTO
展久 黒田
Nobuhisa Kuroda
功 大野
Isao Ono
恵介 清水
Keisuke Shimizu
公輔 池田
Kosuke Ikeda
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Ibiden Co Ltd
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Abstract

To improve quality of a wiring board.SOLUTION: A wiring boar 1 of the embodiment has a first interlayer insulating layer 2, a first conductor layer 3 formed on the first interlayer insulating layer 2 and including a conductor pad 3a, a second conductor layer 4 formed on the opposite side of the first conductor layer 3 through the first interlayer insulating layer 2, and a solder resist layer 7 formed on the first interlayer insulating layer 2. The solder resist layer 7 has apertures 7a to expose the surface 3f1 and side surface 3f2 on the opposite side of the first interlayer insulating layer 2 in the conductor pad 3a. The wiring board 1 of the embodiment is further provided with a conductor pattern 5 formed between the first conductor layer 3 and the second conductor layer 4 so as to overlap the outer edge of the conductor pad 3a.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、配線基板に関する。 The present invention relates to wiring boards.

特許文献1には、絶縁層上に形成されていて半導体素子に接合されるパッド部を有する多層配線基板が開示されている。絶縁層上にはソルダーレジストが設けられており、パッド部は、ソルダーレジストの開口中にソルダーレジストから離れた状態となるように配置されている。 Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2004-100000 discloses a multilayer wiring board having a pad portion formed on an insulating layer and bonded to a semiconductor element. A solder resist is provided on the insulating layer, and the pads are arranged in the openings of the solder resist so as to be separated from the solder resist.

特開2004-22713号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-22713

特許文献1に開示のパッド部のように絶縁層上に形成された導体パッド及びその下層の絶縁層には、導体パッドと絶縁層との熱膨張率の相違や、導体パッドに接続される外部の部品から加わる外力などによって応力が生じることがある。そのため、導体パッド及びその近傍の絶縁層では、この応力によるクラックなどの不具合が生じ易いと考えられる。 As in the pad portion disclosed in Patent Document 1, a conductor pad formed on an insulating layer and an underlying insulating layer have a difference in coefficient of thermal expansion between the conductor pad and the insulating layer, and an external contact connected to the conductor pad. Stress may be generated by the external force applied from other parts. Therefore, it is considered that problems such as cracks due to this stress are likely to occur in the conductor pads and the insulating layer in the vicinity thereof.

本発明に係る配線基板は、第1層間絶縁層と、前記第1層間絶縁層上に形成され、導体パッドを含む第1導体層と、前記第1層間絶縁層を介して前記第1導体層とは反対側に形成されている第2導体層と、前記第1層間絶縁層上に形成されているソルダーレジスト層と、を備えている。そして、前記ソルダーレジスト層は、前記導体パッドにおける前記第1層間絶縁層とは反対側の面および側面を露出させる開口を有し、前記配線基板は、さらに、前記導体パッドの外縁部と重なるように、前記第1導体層と前記第2導体層との間に形成されている導体パターンを備えている。 A wiring board according to the present invention comprises a first interlayer insulating layer, a first conductor layer formed on the first interlayer insulating layer and including a conductor pad, and the first conductor layer via the first interlayer insulating layer. and a solder resist layer formed on the first interlayer insulating layer. The solder resist layer has an opening that exposes a surface and a side surface of the conductor pad opposite to the first interlayer insulating layer, and the wiring board further overlaps the outer edge of the conductor pad. and a conductor pattern formed between the first conductor layer and the second conductor layer.

本発明の実施形態によれば、配線基板に設けられる導体パッドの周辺部の絶縁層におけるクラックなどの不具合の発生が生じ難い、高い品質の配線基板を提供することができると考えられる。 According to the embodiments of the present invention, it is possible to provide a high-quality wiring board in which defects such as cracks are less likely to occur in the insulating layer around the conductor pads provided on the wiring board.

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing an example of a wiring board according to one embodiment of the present invention; FIG. 図1のII部の拡大図。The enlarged view of the II section of FIG. 図1のA方向から見た矢視図。The arrow directional view seen from the A direction of FIG. 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a state during a manufacturing process of a wiring board according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a state during a manufacturing process of a wiring board according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a state during a manufacturing process of a wiring board according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a state during a manufacturing process of a wiring board according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a state during a manufacturing process of a wiring board according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a state during a manufacturing process of a wiring board according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a state during a manufacturing process of a wiring board according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a state during a manufacturing process of a wiring board according to one embodiment of the present invention;

本発明の実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図1は、本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図である。図2は、図1のII部の拡大図である。図3は、図1のA方向から見た矢視図である。なお、図3では、便宜上、ソルダーレジスト層7の図示を省略している。 A wiring board according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a wiring board according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged view of part II of FIG. FIG. 3 is a view in the direction of arrow A in FIG. 3, illustration of the solder resist layer 7 is omitted for the sake of convenience.

本明細書では、後述する配線基板1の厚さ方向においてコア絶縁層20から遠い側は「上側」若しくは「外側」、「上方」、または単に「上」とも称され、コア絶縁層20に近い側は「下側」若しくは「内側」、「下方」、または単に「下」とも称される。さらに、各導体層および各層間絶縁層において、コア絶縁層20と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア絶縁層20側を向く表面は「下面」とも称される。また、配線基板1の厚さ方向は、「厚さ方向Z」または、単に「Z方向」とも称される。 In this specification, the side farther from the core insulating layer 20 in the thickness direction of the wiring board 1 to be described later is also referred to as "upper" or "outer", "upper", or simply "upper", and is closer to the core insulating layer 20. The side is also referred to as "underside" or "inside", "lower", or simply "lower". Further, in each conductor layer and each interlayer insulating layer, the surface facing away from the core insulating layer 20 is also called "upper surface", and the surface facing the core insulating layer 20 side is also called "lower surface". Further, the thickness direction of the wiring board 1 is also called "thickness direction Z" or simply "Z direction".

図1に示されるように、配線基板1は、配線基板1の厚さ方向Zと直交する方向に広がる2つの表面として、第1面11と、第1面11に対して反対側の面である第2面12とを有している。 As shown in FIG. 1, the wiring board 1 has two surfaces extending in a direction perpendicular to the thickness direction Z of the wiring board 1, namely a first surface 11 and a surface opposite to the first surface 11. a certain second surface 12;

まず、配線基板1の概略的な構成が説明される。図1に示される例では、配線基板1は、配線基板1において厚さ方向Zの中央部に位置する絶縁層20(以下、コア絶縁層20とも称する)と、コア絶縁層20の両面(コア絶縁層20におけるその厚さ方向Zにおいて対向する2つの主面(第1主面20aおよび第2主面20b))のそれぞれに交互に積層された導体層および絶縁層とを含んでいる。コア絶縁層20の第1主面20a上には、3つの導体層31のそれぞれと2つの絶縁層21(以下、層間絶縁層21とも称する)のそれぞれとが交互に積層され、その上に、さらに絶縁層23(以下、層間絶縁層23とも称する)が積層され、層間絶縁層23上に導体層33が形成されている。層間絶縁層23上には、ソルダーレジスト層70が形成されている。なお、コア絶縁層20の第1主面20a上に積層される導体層および絶縁層の層数は、上述の層数に限定されるものではなく、任意の層数とすることが可能である。 First, a schematic configuration of the wiring board 1 will be described. In the example shown in FIG. 1, the wiring board 1 includes an insulating layer 20 (hereinafter also referred to as a core insulating layer 20) located in the central portion of the wiring board 1 in the thickness direction Z, and both sides of the core insulating layer 20 (core insulating layer 20). Two main surfaces (first main surface 20a and second main surface 20b) of insulating layer 20 facing each other in thickness direction Z include conductor layers and insulating layers alternately laminated. On the first main surface 20a of the core insulating layer 20, each of three conductor layers 31 and each of two insulating layers 21 (hereinafter also referred to as interlayer insulating layers 21) are alternately laminated, and thereon, Furthermore, an insulating layer 23 (hereinafter also referred to as an interlayer insulating layer 23 ) is laminated, and a conductor layer 33 is formed on the interlayer insulating layer 23 . A solder resist layer 70 is formed on the interlayer insulating layer 23 . The number of conductor layers and insulating layers laminated on the first main surface 20a of the core insulating layer 20 is not limited to the number of layers described above, and may be an arbitrary number. .

一方、コア絶縁層20における第1主面20aとは反対側の面である第2主面20b上には、2つの導体層32および第2導体層4のそれぞれと2つの絶縁層22(以下、層間絶縁層22とも称する)のそれぞれとが交互に積層され、その上に、さらに絶縁層(第1層間絶縁層)2が積層され、第1層間絶縁層2上に導体層(第1導体層)3が形成されている。第1層間絶縁層2上にはソルダーレジスト層7が形成されている。なお、コア絶縁層20の第2主面20b上に積層される導体層および絶縁層の層数は、上述の層数に限定されるものではなく、任意の層数とすることが可能である。 On the other hand, on the second main surface 20b of the core insulating layer 20 opposite to the first main surface 20a, the two conductor layers 32 and the second conductor layer 4 and the two insulating layers 22 (hereinafter referred to as , and an interlayer insulating layer 22) are laminated alternately, and an insulating layer (first interlayer insulating layer) 2 is further laminated thereon, and a conductor layer (first conductor layer) 3 is formed. A solder resist layer 7 is formed on the first interlayer insulating layer 2 . The number of conductor layers and insulating layers laminated on the second main surface 20b of the core insulating layer 20 is not limited to the number of layers described above, and may be an arbitrary number. .

コア絶縁層20には、導体層31と導体層32とを接続するスルーホール導体20cが形成されている。コア絶縁層20、第1主面20a上の導体層31、および第2主面20b上の導体層32は、配線基板1のコア基板を構成している。第1層間絶縁層2および層間絶縁層21~23それぞれには、第1層間絶縁層2および層間絶縁層21~23それぞれを挟む導体層同士を接続するビア導体6(以下、ビア6とも称する)が形成されている。 Through-hole conductors 20 c are formed in the core insulating layer 20 to connect the conductor layers 31 and 32 . Core insulating layer 20 , conductor layer 31 on first main surface 20 a , and conductor layer 32 on second main surface 20 b constitute a core substrate of wiring board 1 . Via conductors 6 (hereinafter also referred to as vias 6) for connecting the conductor layers sandwiching the first interlayer insulating layer 2 and the interlayer insulating layers 21 to 23 are provided in the first interlayer insulating layer 2 and the interlayer insulating layers 21 to 23, respectively. is formed.

コア絶縁層20、第1層間絶縁層2および層間絶縁層21~23は、それぞれ、たとえばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)またはフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成される。なお、コア絶縁層20、第1層間絶縁層2および層間絶縁層21~23は、ガラス繊維、アラミド繊維、または、アラミド不織布などの補強材(芯材)および/またはシリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。 Core insulating layer 20, first interlayer insulating layer 2 and interlayer insulating layers 21-23 are each formed using an insulating resin such as epoxy resin, bismaleimide triazine resin (BT resin), or phenol resin. The core insulating layer 20, the first interlayer insulating layer 2, and the interlayer insulating layers 21 to 23 contain a reinforcing material (core material) such as glass fiber, aramid fiber, or aramid nonwoven fabric and/or an inorganic filler such as silica. You can stay.

本実施形態では、第1導体層3、第2導体層4および導体層31~33、ビア6、スルーホール導体20c、および後述の導体パターン5は、銅またはニッケルなどの任意の金属を用いて形成され、たとえば、銅箔などの金属箔、および/または、めっき若しくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成される。第1導体層3、第2導体層4および導体層31~33、ビア6、スルーホール導体20cおよび導体パターン5は、図1では単層構造で示されているが、2つ以上の金属層を有する多層構造を有し得る。たとえば、コア絶縁層20の第1主面20aおよび第2主面20b側にそれぞれに形成されている導体層31および導体層32は、金属箔、無電解めっき膜、および電解めっき膜を含む3層構造を有し得る。また、第1導体層3、第2導体層4、導体層31~33、ビア6、スルーホール導体20c、および導体パターン5は、たとえば無電解めっき膜および電解めっき膜を含む2層構造または3層構造を有し得る(図2参照)。 In this embodiment, the first conductor layer 3, the second conductor layer 4, the conductor layers 31 to 33, the vias 6, the through-hole conductors 20c, and the conductor pattern 5 described later are made of any metal such as copper or nickel. formed by, for example, a metal foil such as a copper foil and/or a metal film formed by plating, sputtering, or the like. Although the first conductor layer 3, the second conductor layer 4 and the conductor layers 31-33, the via 6, the through-hole conductor 20c and the conductor pattern 5 are shown in FIG. can have a multi-layered structure with For example, the conductor layer 31 and the conductor layer 32 formed on the first main surface 20a and the second main surface 20b sides of the core insulating layer 20 respectively include a metal foil, an electroless plated film, and an electrolytic plated film. It can have a layered structure. Also, the first conductor layer 3, the second conductor layer 4, the conductor layers 31 to 33, the vias 6, the through-hole conductors 20c, and the conductor pattern 5 each have a two-layer structure or a three-layer structure including, for example, an electroless plated film and an electrolytic plated film. It may have a layered structure (see Figure 2).

本実施形態では、第1層間絶縁層2、導体層3、およびソルダーレジスト層7は、配線基板1の第2面12側に形成されており、配線基板1の第2面12側の表層部を形成している。第2面12は、第1層間絶縁層2、導体層3、およびソルダーレジスト層7それぞれにおける、Z方向に直交する露出面によって構成されている。 In this embodiment, the first interlayer insulating layer 2, the conductor layer 3, and the solder resist layer 7 are formed on the second surface 12 side of the wiring board 1, and the surface layer portion on the second surface 12 side of the wiring board 1 forming The second surface 12 is composed of exposed surfaces orthogonal to the Z direction in each of the first interlayer insulating layer 2, the conductor layer 3, and the solder resist layer 7. As shown in FIG.

また、配線基板1において、層間絶縁層23、導体層33、およびソルダーレジスト層70は配線基板1の第1面11側に形成されており、配線基板1の第1面11側の表層部を形成している。第1面11は、層間絶縁層23、導体層33、およびソルダーレジスト層70それぞれにおける、Z方向に直交する露出面によって構成されている。 In wiring board 1 , interlayer insulating layer 23 , conductor layer 33 , and solder resist layer 70 are formed on first surface 11 side of wiring board 1 . forming. The first surface 11 is composed of exposed surfaces orthogonal to the Z direction in each of the interlayer insulating layer 23, the conductor layer 33, and the solder resist layer 70. As shown in FIG.

次に、本実施形態に係る配線基板1が、より詳細に説明される。図1および図2に示されるように、本実施形態に係る配線基板1は、第1導体層3と、第1層間絶縁層2と、第2導体層4と、導体パターン5とを備えている。また、本実施形態では、配線基板1は、ビア(ビア導体)6をさらに備えている。また、本実施形態では、配線基板1は、ソルダーレジスト層7を備えている。 Next, the wiring board 1 according to this embodiment will be described in more detail. As shown in FIGS. 1 and 2, a wiring board 1 according to this embodiment includes a first conductor layer 3, a first interlayer insulating layer 2, a second conductor layer 4, and a conductor pattern 5. there is Further, in this embodiment, the wiring board 1 further includes vias (via conductors) 6 . Moreover, in this embodiment, the wiring board 1 is provided with the solder resist layer 7 .

第1導体層3は、第1層間絶縁層2上に形成され、導体パッド3aを含んでいる。本実施形態では、第1導体層3は複数の導体パッド3aを含んでいる。そのため、本実施形態では、配線基板1は第2面12に複数の導体パッド3aを備えている。第1導体層3は、所定の形状および大きさの導体パッド3aを有するようにパターニングされている。図1および図3に示される配線基板1では、第1導体層3は複数の導体パッド3aを有するようにパターニングされている。導体パッド3aは、図3に示される例では、略円形の平面形状を有している。「平面形状」は、導体パッド3aのような対象物の平面視における形状であり、「平面視」は、対象物をZ方向と平行な視線で見ることを意味している。なお、導体パッド3aの形状は、略円形に限定されるものでなく、たとえば、略矩形に形成されていてもよい。 The first conductor layer 3 is formed on the first interlayer insulating layer 2 and includes conductor pads 3a. In this embodiment, the first conductor layer 3 includes a plurality of conductor pads 3a. Therefore, in this embodiment, the wiring board 1 is provided with a plurality of contact pads 3a on the second surface 12 thereof. The first conductor layer 3 is patterned to have conductor pads 3a of a predetermined shape and size. In the wiring board 1 shown in FIGS. 1 and 3, the first conductor layer 3 is patterned to have a plurality of conductor pads 3a. The conductor pad 3a has a substantially circular planar shape in the example shown in FIG. The "planar shape" is the shape of an object such as the contact pad 3a in plan view, and the "planar view" means viewing the object with a line of sight parallel to the Z direction. In addition, the shape of the conductor pad 3a is not limited to a substantially circular shape, and may be formed in a substantially rectangular shape, for example.

なお、図1に示される例の配線基板1において、第2面12は、後述する第1面11と同様に、半導体集積回路装置のような電子部品が実装される部品実装面であってもよい。また第2面12は、外部の配線基板、たとえば任意の電気機器のマザーボードなどの外部要素S1に配線基板1自体が実装される場合に、外部要素S1に接続される接続面であってもよい。すなわち、配線基板1は、たとえば第1面11に実装される半導体集積回路などの部品E1のパッケージの一部を構成してもよい。その場合、配線基板1は、図1に示されるように第2面12を外部要素S1に向けて外部要素S1に部品E1と共に実装されてもよい。 In the wiring board 1 of the example shown in FIG. 1, the second surface 12 may be a component mounting surface on which electronic components such as a semiconductor integrated circuit device are mounted, like the first surface 11 described later. good. Also, the second surface 12 may be a connection surface that is connected to an external element S1 when the wiring board 1 itself is mounted on an external element S1 such as an external wiring board, for example, a motherboard of any electrical equipment. . That is, the wiring board 1 may form part of a package for a component E1 such as a semiconductor integrated circuit mounted on the first surface 11, for example. In that case, the wiring board 1 may be mounted together with the component E1 on the external element S1 with the second surface 12 facing the external element S1 as shown in FIG.

第2面12が外部要素S1との接続面である場合、第2面12は、外部要素S1との接続部を備え得る。図1に示される例の配線基板1は、導体パッド3aにおいて外部要素S1と接続される。したがって、図1に示される例の導体パッド3aは、配線基板1において外部要素S1に接続される接続パッドである。 When the second surface 12 is the connection surface with the external element S1, the second surface 12 may comprise a connection with the external element S1. The wiring board 1 in the example shown in FIG. 1 is connected to the external element S1 at the conductor pads 3a. Accordingly, the conductor pad 3a in the example shown in FIG. 1 is a connection pad that is connected to the external element S1 on the wiring substrate 1.

図1に示される例では、導体パッド3aは、第1導体層3に含まれる、導体パッド3a以外の他の導体パッドおよび/または配線パターンと直接接続されていない。すなわち、図1に示される例の導体パッド3aは、いわゆる独立パッドである。また、図1に示される例では、導体パッド3aは、第1層間絶縁層2を挟む導体層(第1導体層3および第2導体層4)同士を接続するビア導体6に接続されている。したがって、図1に示される例の導体パッド3aは、いわゆるビアパッドでもある。 In the example shown in FIG. 1, the conductor pad 3a is not directly connected to other conductor pads and/or wiring patterns included in the first conductor layer 3 other than the conductor pad 3a. That is, the conductor pad 3a in the example shown in FIG. 1 is a so-called independent pad. In the example shown in FIG. 1, the conductor pads 3a are connected to via conductors 6 that connect the conductor layers (the first conductor layer 3 and the second conductor layer 4) sandwiching the first interlayer insulating layer 2. . Therefore, the conductor pad 3a in the example shown in FIG. 1 is also a so-called via pad.

導体パッド3aは、たとえば、はんだなどの接合材によって外部要素S1の電極S11に電気的および機械的に接続され得る。外部要素S1は、上述したように、任意の電気機器を構成するマザーボードであってもよく、配線基板1よりも大きなパッケージサイズを有する任意の電子部品であってもよい。導体パッド3aは、これらに限定されない任意の基板、電気部品、または機構部品などと接続され得る。 Conductive pad 3a can be electrically and mechanically connected to electrode S11 of external element S1 by a bonding material such as solder, for example. The external element S<b>1 may be, as described above, a motherboard constituting any electrical device, or any electronic component having a package size larger than that of the wiring board 1 . The contact pads 3a can be connected to any substrate, electrical component, mechanical component, or the like, but not limited to these.

図2に示される例では、導体パッド3aは、第1導体層3を構成する導電膜によって構成されている。具体的には、導体パッド3aは、第1層間絶縁層2上に所定のパターンで形成された無電解めっき膜111と、無電解めっき膜111上に形成された電解めっき膜112とを備えている。なお、図2に示される例では、導体パッド3aは、無電解めっき膜111および電解めっき膜112の露出部分を覆うように形成された金属膜113をさらに備えているが、金属膜113を備えていなくてもよい。 In the example shown in FIG. 2, the conductor pad 3a is composed of the conductive film that constitutes the first conductor layer 3. As shown in FIG. Specifically, the conductor pad 3 a includes an electroless plated film 111 formed in a predetermined pattern on the first interlayer insulating layer 2 and an electrolytic plated film 112 formed on the electroless plated film 111 . there is In the example shown in FIG. 2, the conductor pad 3a further includes the metal film 113 formed to cover the exposed portions of the electroless plated film 111 and the electrolytic plated film 112. It doesn't have to be.

本実施形態では、配線基板1の第1面11側(図1参照)において、導体層33は、層間絶縁層23上に形成され、複数の部品実装パッド33aを含んでいる。また、各導体層31、32、33は、所定の形状および大きさの導体パッドおよび/または配線パターンを有するようにパターニングされている。各部品実装パッド33aは、配線基板1の使用時に配線基板1に実装される部品E1がその表面に載置される導体パッドである。すなわち第1面11は配線基板1の部品実装面である。部品実装パッド33aには、たとえば、はんだなどの図示しない接合材を介して部品E1の電極E2が電気的および機械的に接続される。 In this embodiment, on the first surface 11 side (see FIG. 1) of the wiring board 1, the conductor layer 33 is formed on the interlayer insulating layer 23 and includes a plurality of component mounting pads 33a. Also, each conductor layer 31, 32, 33 is patterned to have a conductor pad and/or wiring pattern of a predetermined shape and size. Each component mounting pad 33a is a conductor pad on which a component E1 to be mounted on the wiring board 1 is mounted when the wiring board 1 is used. That is, the first surface 11 is the component mounting surface of the wiring board 1 . The electrode E2 of the component E1 is electrically and mechanically connected to the component mounting pad 33a via a bonding material (not shown) such as solder.

部品E1としては、たとえば、半導体集積回路装置やトランジスタなどの能動部品、および、電気抵抗などの受動部品のような電子部品が例示されるが、部品E1は、これらに限定されない。部品E1は、たとえば、半導体基板上に形成された微細配線を含む配線材であってもよい。 Examples of the components E1 include active components such as semiconductor integrated circuit devices and transistors, and electronic components such as passive components such as electrical resistors, but the components E1 are not limited to these. The component E1 may be, for example, a wiring material including fine wiring formed on a semiconductor substrate.

第1層間絶縁層2は、その外側(上側)に第1導体層3が形成される層である。本実施形態では、配線基板1の第2面12側において、1または複数の層間絶縁層のうち最も外側(最も上側)に位置する層間絶縁層(第1層間絶縁層2)は、2層構造を有している。第1層間絶縁層2は、第1層間絶縁層2の下の層間絶縁層22上に積層されている第2絶縁層202と、第2絶縁層202の上の第1絶縁層201とを含んでいる。すなわち、第2絶縁層202は、配線基板1の厚さ方向Zにおいて第2導体層4側に位置する。第1絶縁層201は、配線基板1の厚さ方向Zにおいて第1導体層3側に位置する。導体パターン5は、第2絶縁層202上に形成されていて第1絶縁層201に覆われている。すなわち、第1絶縁層201は、第2絶縁層202上に形成された導体パターン5を覆うように設けられている。第1絶縁層201と第2絶縁層202とは、同じ樹脂材料により構成されていてもよく、異なる樹脂材料により構成されていてもよい。 The first interlayer insulating layer 2 is a layer on which the first conductor layer 3 is formed on the outer side (upper side). In the present embodiment, the outermost (uppermost) interlayer insulating layer (first interlayer insulating layer 2) among one or more interlayer insulating layers on the second surface 12 side of the wiring board 1 has a two-layer structure. have. The first interlayer insulating layer 2 includes a second insulating layer 202 laminated on the interlayer insulating layer 22 under the first interlayer insulating layer 2 and a first insulating layer 201 on the second insulating layer 202 . I'm in. That is, the second insulating layer 202 is located on the second conductor layer 4 side in the thickness direction Z of the wiring board 1 . The first insulating layer 201 is located on the first conductor layer 3 side in the thickness direction Z of the wiring board 1 . The conductor pattern 5 is formed on the second insulating layer 202 and covered with the first insulating layer 201 . That is, the first insulating layer 201 is provided so as to cover the conductor pattern 5 formed on the second insulating layer 202 . The first insulating layer 201 and the second insulating layer 202 may be made of the same resin material, or may be made of different resin materials.

また、本実施形態では、配線基板1の第1面11側において、1または複数の層間絶縁層のうち最も外側(最も上側)に位置する層間絶縁層23は、2層構造を有している。2層構造は、層間絶縁層23の下の層間絶縁層21上に積層されている第2絶縁層232と、第2絶縁層232の上の第1絶縁層231とを含んでいる。図1に示される例では、層間絶縁層23には、導体パターンが形成されていない。なお、層間絶縁層23において導体パターンが形成されていてもよい。たとえば、第2絶縁層232上に導体パターンが形成されていてもよい。 Further, in the present embodiment, the outermost (uppermost) interlayer insulating layer 23 among one or more interlayer insulating layers on the first surface 11 side of the wiring substrate 1 has a two-layer structure. . The two-layer structure includes a second insulating layer 232 laminated on the interlayer insulating layer 21 under the interlayer insulating layer 23 and a first insulating layer 231 on the second insulating layer 232 . In the example shown in FIG. 1, no conductor pattern is formed on the interlayer insulating layer 23 . A conductor pattern may be formed in the interlayer insulating layer 23 . For example, a conductor pattern may be formed on the second insulating layer 232 .

第2導体層4は、第1層間絶縁層2を介して第1導体層3とは反対側に形成されている。図1および図2に示される例では、第2導体層4は、第1層間絶縁層2の下の層間絶縁層22上に形成されている。第2導体層4は、第1層間絶縁層2の下の層間絶縁層22に形成されているビア6と連続するパターンとして、層間絶縁層22上に形成されている。第2導体層4は、第1層間絶縁層2に形成されたビア6を介して、第1導体層3と電気的に接続されている。 The second conductor layer 4 is formed on the side opposite to the first conductor layer 3 with the first interlayer insulating layer 2 interposed therebetween. In the example shown in FIGS. 1 and 2 , the second conductor layer 4 is formed on the interlayer insulating layer 22 under the first interlayer insulating layer 2 . The second conductor layer 4 is formed on the interlayer insulating layer 22 as a pattern continuous with the vias 6 formed in the interlayer insulating layer 22 below the first interlayer insulating layer 2 . The second conductor layer 4 is electrically connected to the first conductor layer 3 through vias 6 formed in the first interlayer insulating layer 2 .

第1導体層3と一体的に形成されるビア6は、第1導体層3と第2導体層4とを接続する。本実施形態では、ビア6は、第1層間絶縁層2を貫通する貫通孔内に形成されている。本実施形態では、ビア6は、配線基板1の厚さ方向Zにおいて、外側から内側に向かって次第に直径が小さくなるような錐台状に形成されている。なお、ビア6の形状は、これに限定されず、たとえば、配線基板1の厚さ方向Zにおいて、幅が略一定の柱状に形成されていてもよい。他の層間絶縁層に形成されるビア6も同様である。 A via 6 integrally formed with the first conductor layer 3 connects the first conductor layer 3 and the second conductor layer 4 . In this embodiment, vias 6 are formed in through-holes penetrating through first interlayer insulating layer 2 . In this embodiment, the vias 6 are formed in a frustum shape such that the diameter gradually decreases from the outside to the inside in the thickness direction Z of the wiring board 1 . The shape of the vias 6 is not limited to this. For example, the vias 6 may be formed in a columnar shape having a substantially constant width in the thickness direction Z of the wiring board 1 . The same applies to vias 6 formed in other interlayer insulating layers.

本実施形態では、ビア6は、導体パターン5における環の内側に形成されている。すなわち、本実施形態では、配線基板1の厚さ方向Zにおいて、ビア6の直径(外径)は、略環状に形成される導体パターン5の内径よりも小さい。 In this embodiment, the via 6 is formed inside the ring of the conductor pattern 5 . That is, in the present embodiment, the diameter (outer diameter) of the via 6 in the thickness direction Z of the wiring board 1 is smaller than the inner diameter of the conductor pattern 5 formed in a substantially annular shape.

導体パターン5は、導体パッド3aの外縁部と重なるように、第1導体層3と第2導体層4との間に形成されている。導体パターン5は、第1層間絶縁層2に応力が生じることにより、導体パッド3aの周辺部の第1層間絶縁層2にクラックが生じた場合に、そのクラックが第1層間絶縁層2内で拡張しないように機能する。第1層間絶縁層2に生じる応力は、たとえば、第1層間絶縁層2と、第1層間絶縁層2上に形成された導体パッド3aとの熱膨張率の相違や、導体パッド3aに接続される外部の部品(たとえば、電気機器のマザーボードなどの外部要素S1)から加わる外力などに起因する応力である。 The conductor pattern 5 is formed between the first conductor layer 3 and the second conductor layer 4 so as to overlap the outer edge of the conductor pad 3a. In the conductor pattern 5, when stress is generated in the first interlayer insulating layer 2 and cracks are generated in the first interlayer insulating layer 2 around the conductor pads 3a, the cracks are generated in the first interlayer insulating layer 2. Works not to expand. The stress generated in the first interlayer insulating layer 2 is caused by, for example, the difference in thermal expansion coefficient between the first interlayer insulating layer 2 and the conductor pads 3a formed on the first interlayer insulating layer 2, or the It is stress caused by an external force applied from an external component (for example, an external element S1 such as a motherboard of an electric device).

すなわち、導体パターン5は、導体パッド3aの周辺に位置する第1層間絶縁層2にクラックが生じた場合において、クラックの拡張を防止するストッパーとして機能する。たとえば、上述の応力により、第1層間絶縁層2において、導体パッド3aの外縁部に接触する位置から、配線基板1の厚さ方向Zにおける内側(コア絶縁層20側)に向かってクラックが生じた場合であっても、配線基板1では、導体パターン5を備えることにより、クラックの拡張を防ぐことができる。 In other words, the conductor pattern 5 functions as a stopper that prevents the crack from expanding when the crack occurs in the first interlayer insulating layer 2 positioned around the conductor pad 3a. For example, due to the stress described above, a crack occurs in the first interlayer insulating layer 2 from the position in contact with the outer edge of the conductive pad 3a toward the inner side (toward the core insulating layer 20) in the thickness direction Z of the wiring board 1. Even in such a case, the wiring board 1 can prevent the crack from expanding by providing the conductor pattern 5 .

すなわち、上述の応力は、第1層間絶縁層2において、導体パッド3aと接触している領域と、導体パッド3aと接触していない領域との境界部分、すなわち、第1層間絶縁層2において導体パッド3aの外縁部と接触する位置に集中的に生じやすいと考えられる。そして、第1層間絶縁層2は、集中応力に耐え切れずに、導体パッド3aの外縁部と接触する部分からクラックが生じる可能性がある。しかし、本実施形態では、導体パターン5が、導体パッド3aの外縁部と重なるように、第1導体層3と第2導体層4との間に形成されているので、第1層間絶縁層2においてクラックが生じた場合に、そのクラックの拡張を堰き止めることが可能となる。 That is, the above-mentioned stress is applied to the boundary between the region in contact with the conductor pad 3a and the region not in contact with the conductor pad 3a in the first interlayer insulation layer 2, that is, the conductor stress in the first interlayer insulation layer 2. It is conceivable that it tends to occur intensively at the position where it contacts the outer edge of the pad 3a. Then, the first interlayer insulating layer 2 cannot withstand the concentrated stress, and cracks may occur from the portion in contact with the outer edge of the conductor pad 3a. However, in this embodiment, the conductor pattern 5 is formed between the first conductor layer 3 and the second conductor layer 4 so as to overlap the outer edge of the conductor pad 3a. When a crack occurs in the , it is possible to dam the expansion of the crack.

導体パターン5の構成について、より詳細に説明する。導体パターン5は、配線基板1の厚さ方向Zにおいて導体パッド3aの外縁部と重なるように、配線基板1の厚さ方向Zにおいて第1導体層3と第2導体層4との間に形成されている。図1~図3に示される例では、導体パターン5は、配線基板1の厚さ方向Zにおいて、第1導体層3と所定の間隔をあけて形成されている。すなわち、導体パターン5は、配線基板1の厚さ方向Zにおいて、導体パッド3aと所定の間隔をあけて形成されている。所定の間隔は、たとえば、導体パターン5と第1導体層3との間の絶縁に必要な距離である。 The configuration of the conductor pattern 5 will be described in more detail. The conductor pattern 5 is formed between the first conductor layer 3 and the second conductor layer 4 in the thickness direction Z of the wiring board 1 so as to overlap the outer edge of the conductor pad 3a in the thickness direction Z of the wiring board 1. It is In the examples shown in FIGS. 1 to 3, the conductor pattern 5 is formed with a predetermined gap from the first conductor layer 3 in the thickness direction Z of the wiring board 1. As shown in FIG. That is, the conductor pattern 5 is formed with a predetermined gap from the conductor pad 3a in the thickness direction Z of the wiring board 1 . The predetermined spacing is, for example, the distance required for insulation between the conductor pattern 5 and the first conductor layer 3 .

図1~図3に示される例では、導体パターン5は、略環状に形成されている。なお、導体パターン5が、導体パッド3aの外縁部と重なるように、第1導体層3と第2導体層4との間に形成されているのであれば、導体パターン5の形状および大きさは特に限定されない。配線基板1の厚さ方向Zに沿った方向(たとえば方向A)から見て、導体パッド3aの外縁部が導体パターン5の内周と外周との間に位置していればよい。たとえば、導体パターン5は、配線基板1の厚さ方向Zに沿った方向から見て、導体パターン5におけるリングの幅方向の中央部(リングの内周縁と外周縁との間の中央部)が導体パッド3aの外縁部に沿うような形状であってもよい。たとえば、導体パッド3aが略円形状である場合には、導体パターン5は、略円環状であってもよいし(図3参照)、外周および/または内周が多角形状である環状であってもよい。また、導体パターン5は、環の周方向全体において連続するように形成されていてもよいし、環の周方向の一部において不連続となるように(断続的に)形成されていてもよい。 In the examples shown in FIGS. 1 to 3, the conductor pattern 5 is formed in a substantially ring shape. If the conductor pattern 5 is formed between the first conductor layer 3 and the second conductor layer 4 so as to overlap the outer edge of the conductor pad 3a, the shape and size of the conductor pattern 5 are It is not particularly limited. When viewed from the direction along the thickness direction Z of the wiring board 1 (for example, the direction A), the outer edge portion of the conductor pad 3a may be positioned between the inner circumference and the outer circumference of the conductor pattern 5 . For example, in the conductor pattern 5, when viewed from the direction along the thickness direction Z of the wiring board 1, the central portion of the conductor pattern 5 in the width direction of the ring (the central portion between the inner peripheral edge and the outer peripheral edge of the ring) is It may have a shape along the outer edge of the conductor pad 3a. For example, when the conductor pad 3a is substantially circular, the conductor pattern 5 may be substantially circular (see FIG. 3), or may be circular with polygonal outer and/or inner circumferences. good too. Moreover, the conductor pattern 5 may be formed so as to be continuous in the entire circumferential direction of the ring, or may be formed so as to be discontinuous (intermittently) in a part of the circumferential direction of the ring. .

また、図1~図3に示される例では、導体パターン5は、配線基板1の厚さ方向Zにおいて、第2導体層4と所定の間隔をあけて形成されている。所定の間隔は、たとえば、導体パターン5と第2導体層4との間の絶縁に必要な距離である。すなわち、本実施形態では、導体パターン5は、他の導体(第1導体層3、第2導体層4およびビア6)と電気的に接続されないように形成されている。なお、導体パターン5は、電気的に特に問題が生じないのであれば、他の導体(たとえば、第1導体層3および第2導体層4のいずれかの一部または両方の一部)と電気的に接続され得るように形成されていてもよい。また、図3に示される例では、第1導体層3は、複数の導体パッド3aを含んでいる。導体パターン5は、導体パッド3a毎に設けられている。導体パッド3a毎に設けられている導体パターン5同士は、互いに独立している。すなわち、本実施形態では、それぞれが各導体パッド3aの外縁部と重なる複数の導体パターン5が、互いに接続されずに形成されている。 1 to 3, the conductor pattern 5 is formed with a predetermined gap from the second conductor layer 4 in the thickness direction Z of the wiring board 1. As shown in FIG. The predetermined interval is, for example, the distance required for insulation between the conductor pattern 5 and the second conductor layer 4 . That is, in this embodiment, the conductor pattern 5 is formed so as not to be electrically connected to other conductors (first conductor layer 3, second conductor layer 4 and via 6). In addition, the conductor pattern 5 may be electrically connected to other conductors (for example, a part of either one of the first conductor layer 3 and the second conductor layer 4 or a part of both of them) if no particular electrical problem occurs. It may be formed so as to be directly connectable. Also, in the example shown in FIG. 3, the first conductor layer 3 includes a plurality of conductor pads 3a. The conductor pattern 5 is provided for each conductor pad 3a. The conductor patterns 5 provided for each conductor pad 3a are independent of each other. That is, in this embodiment, a plurality of conductor patterns 5 each overlapping the outer edge of each conductor pad 3a are formed without being connected to each other.

ソルダーレジスト層7は、第1層間絶縁層2上に形成されている。ソルダーレジスト層7は、第1層間絶縁層2上に形成されることにより、第1層間絶縁層2を保護する機能を有する。ソルダーレジスト層7は、たとえばエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などを用いて形成されている。ソルダーレジスト層7は、図1~図3に示されるように、導体パッド3aを露出させる開口7aを有している。詳細には、図2に示されるように、ソルダーレジスト層7は、導体パッド3aにおける第1層間絶縁層2とは反対側の面(正面)3f1および側面3f2を露出させる開口7aを有している。図2に示される例では、ソルダーレジスト層7は、各導体パッド3aの周縁部(外縁部)を覆わないように、当該周縁部から離間している。これにより、開口7aでは、各導体パッド3aにおける第1層間絶縁層2とは反対側の面3f1および側面3f2が露出している。したがって、配線基板1と外部要素S1とが大きな面積で強固に接続され得る。 Solder resist layer 7 is formed on first interlayer insulating layer 2 . Solder resist layer 7 has a function of protecting first interlayer insulating layer 2 by being formed on first interlayer insulating layer 2 . Solder resist layer 7 is formed using, for example, epoxy resin or polyimide resin. The solder resist layer 7 has openings 7a that expose the conductor pads 3a, as shown in FIGS. Specifically, as shown in FIG. 2, the solder resist layer 7 has openings 7a that expose a surface (front surface) 3f1 of the conductor pad 3a opposite to the first interlayer insulating layer 2 and a side surface 3f2. there is In the example shown in FIG. 2, the solder resist layer 7 is spaced apart from the periphery (outer edge) of each conductor pad 3a so as not to cover the periphery. As a result, the surface 3f1 and the side surface 3f2 of each conductor pad 3a opposite to the first interlayer insulating layer 2 are exposed at the opening 7a. Therefore, the wiring board 1 and the external element S1 can be firmly connected over a large area.

同様に、ソルダーレジスト層70(図1参照)は、部品実装パッド33aを露出させる開口70aを有している。詳細には、ソルダーレジスト層70は、部品実装パッド33aの表面のうち層間絶縁層23とは反対側の面(正面)だけを露出させる開口70aを有している。図1に示される例では、ソルダーレジスト層70は、各部品実装パッド33aの周縁部を覆うように設けられている。これにより、開口70aでは、各部品実装パッド33aにおける層間絶縁層23とは反対側の面の一部のみが露出している。 Similarly, the solder resist layer 70 (see FIG. 1) has openings 70a that expose the component mounting pads 33a. Specifically, the solder resist layer 70 has openings 70a that expose only the surface (front surface) of the surface of the component mounting pad 33a opposite to the interlayer insulating layer 23. As shown in FIG. In the example shown in FIG. 1, the solder resist layer 70 is provided so as to cover the periphery of each component mounting pad 33a. As a result, only a part of the surface of each component mounting pad 33a opposite to the interlayer insulating layer 23 is exposed in the opening 70a.

次に、本実施形態に係る配線基板1の製造方法について、図1~図11を参照しつつ説明する。図4~図11は、本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図である。 Next, a method for manufacturing the wiring board 1 according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 11. FIG. 4 to 11 are cross-sectional views showing an example of the state during the manufacturing process of the wiring board according to one embodiment of the present invention.

図1~図3に示される配線基板1は、一般的な配線基板の製造方法によって製造され得る。たとえば、コア絶縁層20(図1参照)を含む両面銅張積層板が用意される。そしてサブトラクティブ法などによって、所定の配線パターンを含む導体層31がコア絶縁層20の第1主面20aに形成され、所定の配線パターンを含む導体層32がコア絶縁層20の第2主面20bに形成される。それとともに、コア絶縁層20に設けられた貫通孔内を導体で埋めることによってスルーホール導体20cが形成され、配線基板1のコア基板が用意される。 The wiring board 1 shown in FIGS. 1 to 3 can be manufactured by a general wiring board manufacturing method. For example, a double-sided copper-clad laminate including a core insulating layer 20 (see FIG. 1) is prepared. Then, by a subtractive method or the like, a conductor layer 31 including a predetermined wiring pattern is formed on the first main surface 20a of the core insulating layer 20, and a conductor layer 32 including a predetermined wiring pattern is formed on the second main surface of the core insulating layer 20. 20b. At the same time, the through-hole conductors 20c are formed by filling the through-holes provided in the core insulating layer 20 with conductors, and the core substrate of the wiring substrate 1 is prepared.

コア絶縁層20の第1主面20a側に層間絶縁層21が積層され、その層間絶縁層21上に導体層31が形成される。同様に、コア絶縁層20の第2主面20b側に、層間絶縁層22が積層され、その層間絶縁層22上に導体層32が形成される。そしてコア基板の両面において、各層間絶縁層の積層と導体層の形成とが繰り返される。層間絶縁層21およびその上の導体層31、層間絶縁層22およびその上の導体層32、ならびに導体層4は、たとえば一般的なビルドアップ基板の製造方法によって、それぞれ形成される。たとえば各層間絶縁層は、フィルム状のエポキシ樹脂を、コア基板または先に形成されている各層間絶縁層および各導体層上に熱圧着することによって形成される。また、各導体層は、たとえば、めっきレジストの形成およびパターンめっきなどを含むセミアディティブ法やフルアディティブ法などの導体パターンの任意の形成方法を用いて形成される。セミアディティブ法などの導体パターンの形成方法を用いる各導体層の形成では、ビア6が各層間絶縁層内に形成され得る。 An interlayer insulating layer 21 is laminated on the first main surface 20 a side of the core insulating layer 20 , and a conductor layer 31 is formed on the interlayer insulating layer 21 . Similarly, an interlayer insulation layer 22 is laminated on the second main surface 20 b side of the core insulation layer 20 , and a conductor layer 32 is formed on the interlayer insulation layer 22 . Lamination of each interlayer insulating layer and formation of a conductor layer are repeated on both surfaces of the core substrate. Interlayer insulating layer 21 and conductor layer 31 thereon, interlayer insulating layer 22 and conductor layer 32 thereon, and conductor layer 4 are each formed by, for example, a general buildup board manufacturing method. For example, each interlayer insulation layer is formed by thermocompression bonding a film-like epoxy resin onto the core substrate or each interlayer insulation layer and each conductor layer formed in advance. Moreover, each conductor layer is formed by using any method of forming a conductor pattern, such as a semi-additive method or a full-additive method including formation of a plating resist and pattern plating. In forming each conductor layer using a method for forming a conductor pattern such as a semi-additive method, vias 6 can be formed in each interlayer insulating layer.

コア絶縁層20の第1主面20a側および第2主面20b側に、それぞれ、最表層の絶縁層(層間絶縁層23および第1層間絶縁層2)が形成される。本実施形態では、第1層間絶縁層2の形成において、導体パターン5が形成される。導体パターン5は、導体パターン5の形成よりも後の工程で形成される導体パッド3aの外縁部と重なるように、第1導体層3と第2導体層4との間に形成される。 Outermost insulating layers (interlayer insulating layer 23 and first interlayer insulating layer 2) are formed on the first main surface 20a side and the second main surface 20b side of core insulating layer 20, respectively. In this embodiment, the conductor pattern 5 is formed in the formation of the first interlayer insulating layer 2 . The conductor pattern 5 is formed between the first conductor layer 3 and the second conductor layer 4 so as to overlap the outer edge of the conductor pad 3a formed in a step after the formation of the conductor pattern 5. As shown in FIG.

なお、図1に示される例では、層間絶縁層23には導体パターンが形成されないが、層間絶縁層23に導体パターンが形成されてもよい。層間絶縁層23に導体パターンが形成される場合、当該導体パターンは、当該導体パターンの形成よりも後の工程で形成される部品実装パッド33aの外縁部と重なるように、導体層31と導体層33との間に形成される。 In the example shown in FIG. 1, no conductor pattern is formed on the interlayer insulating layer 23, but a conductor pattern may be formed on the interlayer insulating layer 23. FIG. When a conductor pattern is formed on the interlayer insulating layer 23, the conductor pattern is placed between the conductor layer 31 and the conductor layer so that the conductor pattern overlaps with the outer edge of the component mounting pad 33a formed in a step subsequent to the formation of the conductor pattern. 33.

詳細には、図4に示されるように、配線基板1における最も外側の層間絶縁層22が形成され、層間絶縁層22内にビア6が形成され、層間絶縁層22上に第2導体層4が形成される。 Specifically, as shown in FIG. 4, the outermost interlayer insulating layer 22 in the wiring board 1 is formed, the vias 6 are formed in the interlayer insulating layer 22, and the second conductor layer 4 is formed on the interlayer insulating layer 22. is formed.

図4に示される例では、ビア形成用の貫通孔を含む層間絶縁層22上および当該貫通孔内面に、無電解めっきなどにより、シード金属膜となる無電解めっき膜111が形成される。そして、ビア形成用の貫通孔内には電解めっき膜112が充填される。層間絶縁層22上の無電解めっき膜111上に電解めっき膜112が形成される。層間絶縁層22上の電解めっき膜112と、ビア形成用の貫通孔内の電解めっき膜112とは一体に形成される。ビア形成用の貫通孔内の無電解めっき膜111および電解めっき膜112により、ビア6が形成される。層間絶縁層22上の無電解めっき膜111および電解めっき膜112により、第2導体層4が形成される。 In the example shown in FIG. 4, an electroless plated film 111, which serves as a seed metal film, is formed by electroless plating or the like on the interlayer insulating layer 22 including through holes for via formation and on the inner surfaces of the through holes. Electroplated film 112 is filled in the through hole for via formation. Electroplated film 112 is formed on electroless plated film 111 on interlayer insulating layer 22 . The electrolytic plated film 112 on the interlayer insulating layer 22 and the electrolytic plated film 112 inside the through hole for via formation are integrally formed. A via 6 is formed by the electroless plated film 111 and the electrolytic plated film 112 in the through hole for via formation. Electroless plated film 111 and electrolytic plated film 112 on interlayer insulating layer 22 form second conductor layer 4 .

その後、図5に示されるように、層間絶縁層22および第2導体層4上に、第1層間絶縁層2の一部の層である第2絶縁層202が形成される。その後、図6に示されるように、第2絶縁層202上に導体パターン5が形成される。導体パターン5は、導体パターン5の形成よりも後の工程において形成される導体パッド3a(図9~図11参照)の外縁部と重なるように、第2絶縁層202上に形成される。本実施形態では、導体パターン5は、略環状に形成される。また、導体パターン5は、導体パターン5の形成よりも後の工程において形成されるビア6(第1導体層3と第2導体層4とを接続するビア、図9~図11参照)が、導体パターン5における環の内側に形成されるような領域に形成される。 After that, as shown in FIG. 5 , a second insulating layer 202 which is a part of the first interlayer insulating layer 2 is formed on the interlayer insulating layer 22 and the second conductor layer 4 . After that, a conductor pattern 5 is formed on the second insulating layer 202, as shown in FIG. The conductor pattern 5 is formed on the second insulating layer 202 so as to overlap the outer edge of the conductor pad 3a (see FIGS. 9 to 11) formed in a step after the formation of the conductor pattern 5. FIG. In this embodiment, the conductor pattern 5 is formed in a substantially annular shape. In addition, the conductor pattern 5 has a via 6 (a via connecting the first conductor layer 3 and the second conductor layer 4, see FIGS. 9 to 11) formed in a step after the formation of the conductor pattern 5. It is formed in a region that is formed inside the ring of the conductor pattern 5 .

詳細には、導体パターン5は、導体パターン5を含むような適切な開口パターンを有するめっきレジスト(図示せず)を用いるセミアディティブ法などの任意の導体パターンの形成方法を用いて形成される。すなわち、第2絶縁層202上の全面に、無電解めっきなどにより、シード金属膜となる無電解めっき膜111が形成される。その後、無電解めっき膜111上に、上記開口パターンを有するめっきレジストが形成される。その後、無電解めっき膜111上においてめっきレジストが形成されていない領域に、電解めっきにより電解めっき膜112が形成される。その後、めっきレジストが除去される。その後、めっきレジストの除去によって露出した無電解めっき膜111がエッチング処理により除去される。第2絶縁層202上に残った無電解めっき膜111および電解めっき膜112により、導体パターン5が構成される。 Specifically, the conductor pattern 5 is formed using any conductor pattern formation method such as a semi-additive method using a plating resist (not shown) having an appropriate opening pattern to include the conductor pattern 5 . That is, the electroless plated film 111 serving as the seed metal film is formed on the entire surface of the second insulating layer 202 by electroless plating or the like. After that, a plating resist having the opening pattern is formed on the electroless plated film 111 . After that, an electrolytic plated film 112 is formed by electrolytic plating in a region on the electroless plated film 111 where the plating resist is not formed. After that, the plating resist is removed. After that, the electroless plated film 111 exposed by removing the plating resist is removed by etching. Electroless plated film 111 and electrolytic plated film 112 remaining on second insulating layer 202 form conductor pattern 5 .

その後、図7に示されるように、第2絶縁層202および導体パターン5上に第1絶縁層201が形成される。第1絶縁層201および第2絶縁層202により、第1層間絶縁層2が構成される。第1絶縁層201と第2絶縁層202とは、同じ樹脂材料により構成されてもよく、異なる樹脂材料により構成されてもよい。 After that, the first insulating layer 201 is formed on the second insulating layer 202 and the conductor pattern 5, as shown in FIG. First insulating layer 201 and second insulating layer 202 constitute first interlayer insulating layer 2 . The first insulating layer 201 and the second insulating layer 202 may be made of the same resin material, or may be made of different resin materials.

その後、図8に示されるように、貫通孔203がレーザ光の照射などにより第1層間絶縁層2に形成される。貫通孔203は、第2導体層4を露出させるように形成される。その後、図9に示されるように、第1層間絶縁層2上にさらに第1導体層3が形成される。第1導体層3は、導体パッド3aを含むような適切な開口パターンを有するめっきレジスト8を用いるセミアディティブ法などの任意の導体パターンの形成方法を用いて形成される。貫通孔203の内面に、無電解めっきなどにより、無電解めっき膜111が形成される。貫通孔203内には電解めっき膜112が充填される。層間絶縁層22上の無電解めっき膜111上に電解めっき膜112が形成される。貫通孔203内の無電解めっき膜111および電解めっき膜112により、ビア6が構成される。第1層間絶縁層2上において、無電解めっき膜111および電解めっき膜112は、その外縁部が配線基板1の厚さ方向Zに沿った方向から見て導体パターン5と重なるように形成される。 After that, as shown in FIG. 8, a through hole 203 is formed in the first interlayer insulating layer 2 by laser light irradiation or the like. The through hole 203 is formed to expose the second conductor layer 4 . After that, as shown in FIG. 9, a first conductor layer 3 is further formed on the first interlayer insulating layer 2 . The first conductor layer 3 is formed using any conductor pattern forming method such as a semi-additive method using a plating resist 8 having an appropriate opening pattern to include the conductor pads 3a. An electroless plated film 111 is formed on the inner surface of the through hole 203 by electroless plating or the like. Electroplated film 112 is filled in through hole 203 . Electroplated film 112 is formed on electroless plated film 111 on interlayer insulating layer 22 . Vias 6 are formed by electroless plated film 111 and electrolytic plated film 112 in through hole 203 . Electroless plated film 111 and electrolytic plated film 112 are formed on first interlayer insulating layer 2 so that their outer edges overlap conductor pattern 5 when viewed from the direction along thickness direction Z of wiring board 1 . .

同様に、最表層の層間絶縁層23(図1参照)上にさらに最表層の導体層33が形成される。最表層の導体層33は、部品実装パッド33aを含むような適切な開口パターンを有するめっきレジスト(図示せず)を用いるセミアディティブ法などの任意の導体パターンの形成方法を用いて形成される。 Similarly, the outermost conductor layer 33 is further formed on the outermost interlayer insulating layer 23 (see FIG. 1). The outermost conductor layer 33 is formed using any conductor pattern forming method such as a semi-additive method using a plating resist (not shown) having an appropriate opening pattern to include component mounting pads 33a.

その後、図10に示されるように、めっきレジスト8が除去される。その後、めっきレジスト8の除去によって露出した無電解めっき膜111がエッチング処理により除去される。その後、図11に示されるように、ソルダーレジスト層7が第1層間絶縁層2上に形成される。ソルダーレジスト層7には、開口7aが設けられる。ソルダーレジスト層7は、たとえば、感光性のエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などを塗布したり噴霧したりフィルム状で積層したりすることによって形成される。そして、たとえば露光および現像、またはレーザ加工などによって、開口7aが形成される。開口7aは、図10における無電解めっき膜111および電解めっき膜112の露出面の全面、すなわち、第1導体層3における第1層間絶縁層2とは反対側の面(正面)112f1および側面112f2を露出させるように形成される。 After that, as shown in FIG. 10, the plating resist 8 is removed. After that, the electroless plated film 111 exposed by removing the plating resist 8 is removed by an etching process. Thereafter, as shown in FIG. 11, solder resist layer 7 is formed on first interlayer insulating layer 2 . The solder resist layer 7 is provided with openings 7a. Solder-resist layer 7 is formed by, for example, applying or spraying a photosensitive epoxy resin or polyimide resin, or laminating it in the form of a film. Then, opening 7a is formed by, for example, exposure and development, laser processing, or the like. The opening 7a covers the entire exposed surface of the electroless plated film 111 and the electrolytic plated film 112 in FIG. is formed to expose the

同様に、ソルダーレジスト層70(図1参照)が最表層の層間絶縁層23上に形成される。ソルダーレジスト層70には、開口70aが設けられる。ソルダーレジスト層70は、ソルダーレジスト層7を形成する方法と同様の方法で形成され得る。 Similarly, a solder resist layer 70 (see FIG. 1) is formed on the outermost interlayer insulating layer 23 . The solder resist layer 70 is provided with openings (70a). The solder-resist layer 70 can be formed by a method similar to the method for forming the solder-resist layer 7 .

その後、図2に示されるように、電解めっき膜112および無電解めっき膜111の露出部分の表面に、金属膜113が形成される。金属膜113はたとえば、無電解めっきにより形成される。これにより、導体パッド3aを含む第1導体層3が形成される。以上の工程を経ることにより図2に例示される導体パターン5を含む、配線基板1が完成する。 After that, as shown in FIG. 2, a metal film 113 is formed on the surface of the exposed portions of electrolytic plated film 112 and electroless plated film 111 . Metal film 113 is formed, for example, by electroless plating. Thereby, the first conductor layer 3 including the conductor pads 3a is formed. Through the above steps, the wiring board 1 including the conductor pattern 5 illustrated in FIG. 2 is completed.

本実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造や、本明細書において例示された構造や材料を備えるものに限定されない。本実施形態の配線基板は、任意の積層構造を有し得る。また、本実施形態の配線基板は、コア基板を含まないコアレス基板であってもよい。本実施形態の配線基板は任意の数の導体層および絶縁層を含み得る。たとえば、第1導体層3には、導体パッド3aの他にも異なる導体パターンが含まれ得る。 The wiring board of this embodiment is not limited to the structure illustrated in each drawing, or the structure and materials illustrated in this specification. The wiring board of this embodiment may have any laminated structure. Also, the wiring board of the present embodiment may be a coreless board that does not include a core board. The wiring substrate of this embodiment can include any number of conductor layers and insulating layers. For example, the first conductor layer 3 may include different conductor patterns in addition to the conductor pads 3a.

1 配線基板
2 第1層間絶縁層
3 第1導体層
3a 導体パッド
3f1 導体パッドにおける第1層間絶縁層とは反対側の面
3f2 側面
4 第2導体層
5 導体パターン
6 ビア導体(ビア)
7 ソルダーレジスト層
7a 開口
231 第1絶縁層
232 第2絶縁層
Z 配線基板の厚さ方向
REFERENCE SIGNS LIST 1 wiring board 2 first interlayer insulation layer 3 first conductor layer 3a conductor pad 3f1 surface of the conductor pad opposite to the first interlayer insulation layer 3f2 side surface 4 second conductor layer 5 conductor pattern 6 via conductor (via)
7 solder resist layer 7a opening 231 first insulating layer 232 second insulating layer Z thickness direction of wiring board

Claims (6)

第1層間絶縁層と、
前記第1層間絶縁層上に形成され、導体パッドを含む第1導体層と、
前記第1層間絶縁層を介して前記第1導体層とは反対側に形成されている第2導体層と、
前記第1層間絶縁層上に形成されているソルダーレジスト層と、を備える配線基板であって、
前記ソルダーレジスト層は、前記導体パッドにおける前記第1層間絶縁層とは反対側の面および側面を露出させる開口を有し、
前記配線基板は、さらに、前記導体パッドの外縁部と重なるように、前記第1導体層と前記第2導体層との間に形成されている導体パターンを備えている。
a first interlayer insulating layer;
a first conductor layer formed on the first interlayer insulating layer and including a conductor pad;
a second conductor layer formed on the side opposite to the first conductor layer with the first interlayer insulating layer interposed therebetween;
A wiring board comprising a solder resist layer formed on the first interlayer insulating layer,
The solder resist layer has an opening that exposes a surface and a side surface of the conductor pad opposite to the first interlayer insulating layer,
The wiring board further includes a conductor pattern formed between the first conductor layer and the second conductor layer so as to overlap the outer edge of the conductor pad.
請求項1に記載の配線基板であって、
前記第1導体層と前記第2導体層とを接続するビアをさらに備える。
The wiring board according to claim 1,
A via connecting the first conductor layer and the second conductor layer is further provided.
請求項2に記載の配線基板であって、
前記導体パターンは、略環状に形成され、
前記ビアは、前記導体パターンにおける環の内側に形成されている。
The wiring board according to claim 2,
The conductor pattern is formed in a substantially annular shape,
The via is formed inside the ring of the conductor pattern.
請求項1に記載の配線基板であって、
前記第1層間絶縁層は、
前記配線基板の厚さ方向において前記第2導体層側に位置する第2絶縁層と、
前記配線基板の厚さ方向において前記第1導体層側に位置する第1絶縁層と、を含み、
前記導体パターンは、前記第2絶縁層上に形成されていて前記第1絶縁層に覆われている。
The wiring board according to claim 1,
The first interlayer insulating layer is
a second insulating layer located on the second conductor layer side in the thickness direction of the wiring board;
a first insulating layer located on the first conductor layer side in the thickness direction of the wiring board,
The conductor pattern is formed on the second insulating layer and covered with the first insulating layer.
請求項4に記載の配線基板であって、
前記第1絶縁層と前記第2絶縁層とは、同じ樹脂材料により構成されている。
The wiring board according to claim 4,
The first insulating layer and the second insulating layer are made of the same resin material.
請求項1に記載の配線基板であって、
前記第1導体層は、複数の前記導体パッドを含み、
前記導体パターンは、前記導体パッド毎に設けられ、
前記導体パッド毎に設けられている前記導体パターン同士は、互いに独立している。
The wiring board according to claim 1,
The first conductor layer includes a plurality of the conductor pads,
The conductor pattern is provided for each conductor pad,
The conductor patterns provided for each conductor pad are independent of each other.
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