JP2023119420A - wiring board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、配線基板に関する。 The present invention relates to wiring boards.
特許文献1には、絶縁層上に形成されていて半導体素子に接合されるパッド部を有する多層配線基板が開示されている。絶縁層上にはソルダーレジストが設けられており、パッド部は、ソルダーレジストの開口中にソルダーレジストから離れた状態となるように配置されている。 Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2004-100000 discloses a multilayer wiring board having a pad portion formed on an insulating layer and bonded to a semiconductor element. A solder resist is provided on the insulating layer, and the pads are arranged in the openings of the solder resist so as to be separated from the solder resist.
特許文献1に開示のパッド部のように絶縁層上に形成された導体パッド及びその下層の絶縁層には、導体パッドと絶縁層との熱膨張率の相違や、導体パッドに接続される外部の部品から加わる外力などによって応力が生じることがある。そのため、導体パッド及びその近傍の絶縁層では、この応力によるクラックなどの不具合が生じ易いと考えられる。
As in the pad portion disclosed in
本発明に係る配線基板は、第1層間絶縁層と、前記第1層間絶縁層上に形成され、導体パッドを含む第1導体層と、前記第1層間絶縁層を介して前記第1導体層とは反対側に形成されている第2導体層と、前記第1層間絶縁層上に形成されているソルダーレジスト層と、を備えている。そして、前記ソルダーレジスト層は、前記導体パッドにおける前記第1層間絶縁層とは反対側の面および側面を露出させる開口を有し、前記配線基板は、さらに、前記導体パッドの外縁部と重なるように、前記第1導体層と前記第2導体層との間に形成されている導体パターンを備えている。 A wiring board according to the present invention comprises a first interlayer insulating layer, a first conductor layer formed on the first interlayer insulating layer and including a conductor pad, and the first conductor layer via the first interlayer insulating layer. and a solder resist layer formed on the first interlayer insulating layer. The solder resist layer has an opening that exposes a surface and a side surface of the conductor pad opposite to the first interlayer insulating layer, and the wiring board further overlaps the outer edge of the conductor pad. and a conductor pattern formed between the first conductor layer and the second conductor layer.
本発明の実施形態によれば、配線基板に設けられる導体パッドの周辺部の絶縁層におけるクラックなどの不具合の発生が生じ難い、高い品質の配線基板を提供することができると考えられる。 According to the embodiments of the present invention, it is possible to provide a high-quality wiring board in which defects such as cracks are less likely to occur in the insulating layer around the conductor pads provided on the wiring board.
本発明の実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図1は、本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図である。図2は、図1のII部の拡大図である。図3は、図1のA方向から見た矢視図である。なお、図3では、便宜上、ソルダーレジスト層7の図示を省略している。
A wiring board according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a wiring board according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged view of part II of FIG. FIG. 3 is a view in the direction of arrow A in FIG. 3, illustration of the
本明細書では、後述する配線基板1の厚さ方向においてコア絶縁層20から遠い側は「上側」若しくは「外側」、「上方」、または単に「上」とも称され、コア絶縁層20に近い側は「下側」若しくは「内側」、「下方」、または単に「下」とも称される。さらに、各導体層および各層間絶縁層において、コア絶縁層20と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア絶縁層20側を向く表面は「下面」とも称される。また、配線基板1の厚さ方向は、「厚さ方向Z」または、単に「Z方向」とも称される。
In this specification, the side farther from the
図1に示されるように、配線基板1は、配線基板1の厚さ方向Zと直交する方向に広がる2つの表面として、第1面11と、第1面11に対して反対側の面である第2面12とを有している。
As shown in FIG. 1, the
まず、配線基板1の概略的な構成が説明される。図1に示される例では、配線基板1は、配線基板1において厚さ方向Zの中央部に位置する絶縁層20(以下、コア絶縁層20とも称する)と、コア絶縁層20の両面(コア絶縁層20におけるその厚さ方向Zにおいて対向する2つの主面(第1主面20aおよび第2主面20b))のそれぞれに交互に積層された導体層および絶縁層とを含んでいる。コア絶縁層20の第1主面20a上には、3つの導体層31のそれぞれと2つの絶縁層21(以下、層間絶縁層21とも称する)のそれぞれとが交互に積層され、その上に、さらに絶縁層23(以下、層間絶縁層23とも称する)が積層され、層間絶縁層23上に導体層33が形成されている。層間絶縁層23上には、ソルダーレジスト層70が形成されている。なお、コア絶縁層20の第1主面20a上に積層される導体層および絶縁層の層数は、上述の層数に限定されるものではなく、任意の層数とすることが可能である。
First, a schematic configuration of the
一方、コア絶縁層20における第1主面20aとは反対側の面である第2主面20b上には、2つの導体層32および第2導体層4のそれぞれと2つの絶縁層22(以下、層間絶縁層22とも称する)のそれぞれとが交互に積層され、その上に、さらに絶縁層(第1層間絶縁層)2が積層され、第1層間絶縁層2上に導体層(第1導体層)3が形成されている。第1層間絶縁層2上にはソルダーレジスト層7が形成されている。なお、コア絶縁層20の第2主面20b上に積層される導体層および絶縁層の層数は、上述の層数に限定されるものではなく、任意の層数とすることが可能である。
On the other hand, on the second
コア絶縁層20には、導体層31と導体層32とを接続するスルーホール導体20cが形成されている。コア絶縁層20、第1主面20a上の導体層31、および第2主面20b上の導体層32は、配線基板1のコア基板を構成している。第1層間絶縁層2および層間絶縁層21~23それぞれには、第1層間絶縁層2および層間絶縁層21~23それぞれを挟む導体層同士を接続するビア導体6(以下、ビア6とも称する)が形成されている。
Through-
コア絶縁層20、第1層間絶縁層2および層間絶縁層21~23は、それぞれ、たとえばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)またはフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成される。なお、コア絶縁層20、第1層間絶縁層2および層間絶縁層21~23は、ガラス繊維、アラミド繊維、または、アラミド不織布などの補強材(芯材)および/またはシリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。
本実施形態では、第1導体層3、第2導体層4および導体層31~33、ビア6、スルーホール導体20c、および後述の導体パターン5は、銅またはニッケルなどの任意の金属を用いて形成され、たとえば、銅箔などの金属箔、および/または、めっき若しくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成される。第1導体層3、第2導体層4および導体層31~33、ビア6、スルーホール導体20cおよび導体パターン5は、図1では単層構造で示されているが、2つ以上の金属層を有する多層構造を有し得る。たとえば、コア絶縁層20の第1主面20aおよび第2主面20b側にそれぞれに形成されている導体層31および導体層32は、金属箔、無電解めっき膜、および電解めっき膜を含む3層構造を有し得る。また、第1導体層3、第2導体層4、導体層31~33、ビア6、スルーホール導体20c、および導体パターン5は、たとえば無電解めっき膜および電解めっき膜を含む2層構造または3層構造を有し得る(図2参照)。
In this embodiment, the
本実施形態では、第1層間絶縁層2、導体層3、およびソルダーレジスト層7は、配線基板1の第2面12側に形成されており、配線基板1の第2面12側の表層部を形成している。第2面12は、第1層間絶縁層2、導体層3、およびソルダーレジスト層7それぞれにおける、Z方向に直交する露出面によって構成されている。
In this embodiment, the first
また、配線基板1において、層間絶縁層23、導体層33、およびソルダーレジスト層70は配線基板1の第1面11側に形成されており、配線基板1の第1面11側の表層部を形成している。第1面11は、層間絶縁層23、導体層33、およびソルダーレジスト層70それぞれにおける、Z方向に直交する露出面によって構成されている。
In
次に、本実施形態に係る配線基板1が、より詳細に説明される。図1および図2に示されるように、本実施形態に係る配線基板1は、第1導体層3と、第1層間絶縁層2と、第2導体層4と、導体パターン5とを備えている。また、本実施形態では、配線基板1は、ビア(ビア導体)6をさらに備えている。また、本実施形態では、配線基板1は、ソルダーレジスト層7を備えている。
Next, the
第1導体層3は、第1層間絶縁層2上に形成され、導体パッド3aを含んでいる。本実施形態では、第1導体層3は複数の導体パッド3aを含んでいる。そのため、本実施形態では、配線基板1は第2面12に複数の導体パッド3aを備えている。第1導体層3は、所定の形状および大きさの導体パッド3aを有するようにパターニングされている。図1および図3に示される配線基板1では、第1導体層3は複数の導体パッド3aを有するようにパターニングされている。導体パッド3aは、図3に示される例では、略円形の平面形状を有している。「平面形状」は、導体パッド3aのような対象物の平面視における形状であり、「平面視」は、対象物をZ方向と平行な視線で見ることを意味している。なお、導体パッド3aの形状は、略円形に限定されるものでなく、たとえば、略矩形に形成されていてもよい。
The
なお、図1に示される例の配線基板1において、第2面12は、後述する第1面11と同様に、半導体集積回路装置のような電子部品が実装される部品実装面であってもよい。また第2面12は、外部の配線基板、たとえば任意の電気機器のマザーボードなどの外部要素S1に配線基板1自体が実装される場合に、外部要素S1に接続される接続面であってもよい。すなわち、配線基板1は、たとえば第1面11に実装される半導体集積回路などの部品E1のパッケージの一部を構成してもよい。その場合、配線基板1は、図1に示されるように第2面12を外部要素S1に向けて外部要素S1に部品E1と共に実装されてもよい。
In the
第2面12が外部要素S1との接続面である場合、第2面12は、外部要素S1との接続部を備え得る。図1に示される例の配線基板1は、導体パッド3aにおいて外部要素S1と接続される。したがって、図1に示される例の導体パッド3aは、配線基板1において外部要素S1に接続される接続パッドである。
When the
図1に示される例では、導体パッド3aは、第1導体層3に含まれる、導体パッド3a以外の他の導体パッドおよび/または配線パターンと直接接続されていない。すなわち、図1に示される例の導体パッド3aは、いわゆる独立パッドである。また、図1に示される例では、導体パッド3aは、第1層間絶縁層2を挟む導体層(第1導体層3および第2導体層4)同士を接続するビア導体6に接続されている。したがって、図1に示される例の導体パッド3aは、いわゆるビアパッドでもある。
In the example shown in FIG. 1, the
導体パッド3aは、たとえば、はんだなどの接合材によって外部要素S1の電極S11に電気的および機械的に接続され得る。外部要素S1は、上述したように、任意の電気機器を構成するマザーボードであってもよく、配線基板1よりも大きなパッケージサイズを有する任意の電子部品であってもよい。導体パッド3aは、これらに限定されない任意の基板、電気部品、または機構部品などと接続され得る。
図2に示される例では、導体パッド3aは、第1導体層3を構成する導電膜によって構成されている。具体的には、導体パッド3aは、第1層間絶縁層2上に所定のパターンで形成された無電解めっき膜111と、無電解めっき膜111上に形成された電解めっき膜112とを備えている。なお、図2に示される例では、導体パッド3aは、無電解めっき膜111および電解めっき膜112の露出部分を覆うように形成された金属膜113をさらに備えているが、金属膜113を備えていなくてもよい。
In the example shown in FIG. 2, the
本実施形態では、配線基板1の第1面11側(図1参照)において、導体層33は、層間絶縁層23上に形成され、複数の部品実装パッド33aを含んでいる。また、各導体層31、32、33は、所定の形状および大きさの導体パッドおよび/または配線パターンを有するようにパターニングされている。各部品実装パッド33aは、配線基板1の使用時に配線基板1に実装される部品E1がその表面に載置される導体パッドである。すなわち第1面11は配線基板1の部品実装面である。部品実装パッド33aには、たとえば、はんだなどの図示しない接合材を介して部品E1の電極E2が電気的および機械的に接続される。
In this embodiment, on the
部品E1としては、たとえば、半導体集積回路装置やトランジスタなどの能動部品、および、電気抵抗などの受動部品のような電子部品が例示されるが、部品E1は、これらに限定されない。部品E1は、たとえば、半導体基板上に形成された微細配線を含む配線材であってもよい。 Examples of the components E1 include active components such as semiconductor integrated circuit devices and transistors, and electronic components such as passive components such as electrical resistors, but the components E1 are not limited to these. The component E1 may be, for example, a wiring material including fine wiring formed on a semiconductor substrate.
第1層間絶縁層2は、その外側(上側)に第1導体層3が形成される層である。本実施形態では、配線基板1の第2面12側において、1または複数の層間絶縁層のうち最も外側(最も上側)に位置する層間絶縁層(第1層間絶縁層2)は、2層構造を有している。第1層間絶縁層2は、第1層間絶縁層2の下の層間絶縁層22上に積層されている第2絶縁層202と、第2絶縁層202の上の第1絶縁層201とを含んでいる。すなわち、第2絶縁層202は、配線基板1の厚さ方向Zにおいて第2導体層4側に位置する。第1絶縁層201は、配線基板1の厚さ方向Zにおいて第1導体層3側に位置する。導体パターン5は、第2絶縁層202上に形成されていて第1絶縁層201に覆われている。すなわち、第1絶縁層201は、第2絶縁層202上に形成された導体パターン5を覆うように設けられている。第1絶縁層201と第2絶縁層202とは、同じ樹脂材料により構成されていてもよく、異なる樹脂材料により構成されていてもよい。
The first
また、本実施形態では、配線基板1の第1面11側において、1または複数の層間絶縁層のうち最も外側(最も上側)に位置する層間絶縁層23は、2層構造を有している。2層構造は、層間絶縁層23の下の層間絶縁層21上に積層されている第2絶縁層232と、第2絶縁層232の上の第1絶縁層231とを含んでいる。図1に示される例では、層間絶縁層23には、導体パターンが形成されていない。なお、層間絶縁層23において導体パターンが形成されていてもよい。たとえば、第2絶縁層232上に導体パターンが形成されていてもよい。
Further, in the present embodiment, the outermost (uppermost)
第2導体層4は、第1層間絶縁層2を介して第1導体層3とは反対側に形成されている。図1および図2に示される例では、第2導体層4は、第1層間絶縁層2の下の層間絶縁層22上に形成されている。第2導体層4は、第1層間絶縁層2の下の層間絶縁層22に形成されているビア6と連続するパターンとして、層間絶縁層22上に形成されている。第2導体層4は、第1層間絶縁層2に形成されたビア6を介して、第1導体層3と電気的に接続されている。
The
第1導体層3と一体的に形成されるビア6は、第1導体層3と第2導体層4とを接続する。本実施形態では、ビア6は、第1層間絶縁層2を貫通する貫通孔内に形成されている。本実施形態では、ビア6は、配線基板1の厚さ方向Zにおいて、外側から内側に向かって次第に直径が小さくなるような錐台状に形成されている。なお、ビア6の形状は、これに限定されず、たとえば、配線基板1の厚さ方向Zにおいて、幅が略一定の柱状に形成されていてもよい。他の層間絶縁層に形成されるビア6も同様である。
A via 6 integrally formed with the
本実施形態では、ビア6は、導体パターン5における環の内側に形成されている。すなわち、本実施形態では、配線基板1の厚さ方向Zにおいて、ビア6の直径(外径)は、略環状に形成される導体パターン5の内径よりも小さい。
In this embodiment, the via 6 is formed inside the ring of the
導体パターン5は、導体パッド3aの外縁部と重なるように、第1導体層3と第2導体層4との間に形成されている。導体パターン5は、第1層間絶縁層2に応力が生じることにより、導体パッド3aの周辺部の第1層間絶縁層2にクラックが生じた場合に、そのクラックが第1層間絶縁層2内で拡張しないように機能する。第1層間絶縁層2に生じる応力は、たとえば、第1層間絶縁層2と、第1層間絶縁層2上に形成された導体パッド3aとの熱膨張率の相違や、導体パッド3aに接続される外部の部品(たとえば、電気機器のマザーボードなどの外部要素S1)から加わる外力などに起因する応力である。
The
すなわち、導体パターン5は、導体パッド3aの周辺に位置する第1層間絶縁層2にクラックが生じた場合において、クラックの拡張を防止するストッパーとして機能する。たとえば、上述の応力により、第1層間絶縁層2において、導体パッド3aの外縁部に接触する位置から、配線基板1の厚さ方向Zにおける内側(コア絶縁層20側)に向かってクラックが生じた場合であっても、配線基板1では、導体パターン5を備えることにより、クラックの拡張を防ぐことができる。
In other words, the
すなわち、上述の応力は、第1層間絶縁層2において、導体パッド3aと接触している領域と、導体パッド3aと接触していない領域との境界部分、すなわち、第1層間絶縁層2において導体パッド3aの外縁部と接触する位置に集中的に生じやすいと考えられる。そして、第1層間絶縁層2は、集中応力に耐え切れずに、導体パッド3aの外縁部と接触する部分からクラックが生じる可能性がある。しかし、本実施形態では、導体パターン5が、導体パッド3aの外縁部と重なるように、第1導体層3と第2導体層4との間に形成されているので、第1層間絶縁層2においてクラックが生じた場合に、そのクラックの拡張を堰き止めることが可能となる。
That is, the above-mentioned stress is applied to the boundary between the region in contact with the
導体パターン5の構成について、より詳細に説明する。導体パターン5は、配線基板1の厚さ方向Zにおいて導体パッド3aの外縁部と重なるように、配線基板1の厚さ方向Zにおいて第1導体層3と第2導体層4との間に形成されている。図1~図3に示される例では、導体パターン5は、配線基板1の厚さ方向Zにおいて、第1導体層3と所定の間隔をあけて形成されている。すなわち、導体パターン5は、配線基板1の厚さ方向Zにおいて、導体パッド3aと所定の間隔をあけて形成されている。所定の間隔は、たとえば、導体パターン5と第1導体層3との間の絶縁に必要な距離である。
The configuration of the
図1~図3に示される例では、導体パターン5は、略環状に形成されている。なお、導体パターン5が、導体パッド3aの外縁部と重なるように、第1導体層3と第2導体層4との間に形成されているのであれば、導体パターン5の形状および大きさは特に限定されない。配線基板1の厚さ方向Zに沿った方向(たとえば方向A)から見て、導体パッド3aの外縁部が導体パターン5の内周と外周との間に位置していればよい。たとえば、導体パターン5は、配線基板1の厚さ方向Zに沿った方向から見て、導体パターン5におけるリングの幅方向の中央部(リングの内周縁と外周縁との間の中央部)が導体パッド3aの外縁部に沿うような形状であってもよい。たとえば、導体パッド3aが略円形状である場合には、導体パターン5は、略円環状であってもよいし(図3参照)、外周および/または内周が多角形状である環状であってもよい。また、導体パターン5は、環の周方向全体において連続するように形成されていてもよいし、環の周方向の一部において不連続となるように(断続的に)形成されていてもよい。
In the examples shown in FIGS. 1 to 3, the
また、図1~図3に示される例では、導体パターン5は、配線基板1の厚さ方向Zにおいて、第2導体層4と所定の間隔をあけて形成されている。所定の間隔は、たとえば、導体パターン5と第2導体層4との間の絶縁に必要な距離である。すなわち、本実施形態では、導体パターン5は、他の導体(第1導体層3、第2導体層4およびビア6)と電気的に接続されないように形成されている。なお、導体パターン5は、電気的に特に問題が生じないのであれば、他の導体(たとえば、第1導体層3および第2導体層4のいずれかの一部または両方の一部)と電気的に接続され得るように形成されていてもよい。また、図3に示される例では、第1導体層3は、複数の導体パッド3aを含んでいる。導体パターン5は、導体パッド3a毎に設けられている。導体パッド3a毎に設けられている導体パターン5同士は、互いに独立している。すなわち、本実施形態では、それぞれが各導体パッド3aの外縁部と重なる複数の導体パターン5が、互いに接続されずに形成されている。
1 to 3, the
ソルダーレジスト層7は、第1層間絶縁層2上に形成されている。ソルダーレジスト層7は、第1層間絶縁層2上に形成されることにより、第1層間絶縁層2を保護する機能を有する。ソルダーレジスト層7は、たとえばエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などを用いて形成されている。ソルダーレジスト層7は、図1~図3に示されるように、導体パッド3aを露出させる開口7aを有している。詳細には、図2に示されるように、ソルダーレジスト層7は、導体パッド3aにおける第1層間絶縁層2とは反対側の面(正面)3f1および側面3f2を露出させる開口7aを有している。図2に示される例では、ソルダーレジスト層7は、各導体パッド3aの周縁部(外縁部)を覆わないように、当該周縁部から離間している。これにより、開口7aでは、各導体パッド3aにおける第1層間絶縁層2とは反対側の面3f1および側面3f2が露出している。したがって、配線基板1と外部要素S1とが大きな面積で強固に接続され得る。
Solder resist
同様に、ソルダーレジスト層70(図1参照)は、部品実装パッド33aを露出させる開口70aを有している。詳細には、ソルダーレジスト層70は、部品実装パッド33aの表面のうち層間絶縁層23とは反対側の面(正面)だけを露出させる開口70aを有している。図1に示される例では、ソルダーレジスト層70は、各部品実装パッド33aの周縁部を覆うように設けられている。これにより、開口70aでは、各部品実装パッド33aにおける層間絶縁層23とは反対側の面の一部のみが露出している。
Similarly, the solder resist layer 70 (see FIG. 1) has
次に、本実施形態に係る配線基板1の製造方法について、図1~図11を参照しつつ説明する。図4~図11は、本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図である。
Next, a method for manufacturing the
図1~図3に示される配線基板1は、一般的な配線基板の製造方法によって製造され得る。たとえば、コア絶縁層20(図1参照)を含む両面銅張積層板が用意される。そしてサブトラクティブ法などによって、所定の配線パターンを含む導体層31がコア絶縁層20の第1主面20aに形成され、所定の配線パターンを含む導体層32がコア絶縁層20の第2主面20bに形成される。それとともに、コア絶縁層20に設けられた貫通孔内を導体で埋めることによってスルーホール導体20cが形成され、配線基板1のコア基板が用意される。
The
コア絶縁層20の第1主面20a側に層間絶縁層21が積層され、その層間絶縁層21上に導体層31が形成される。同様に、コア絶縁層20の第2主面20b側に、層間絶縁層22が積層され、その層間絶縁層22上に導体層32が形成される。そしてコア基板の両面において、各層間絶縁層の積層と導体層の形成とが繰り返される。層間絶縁層21およびその上の導体層31、層間絶縁層22およびその上の導体層32、ならびに導体層4は、たとえば一般的なビルドアップ基板の製造方法によって、それぞれ形成される。たとえば各層間絶縁層は、フィルム状のエポキシ樹脂を、コア基板または先に形成されている各層間絶縁層および各導体層上に熱圧着することによって形成される。また、各導体層は、たとえば、めっきレジストの形成およびパターンめっきなどを含むセミアディティブ法やフルアディティブ法などの導体パターンの任意の形成方法を用いて形成される。セミアディティブ法などの導体パターンの形成方法を用いる各導体層の形成では、ビア6が各層間絶縁層内に形成され得る。
An interlayer insulating
コア絶縁層20の第1主面20a側および第2主面20b側に、それぞれ、最表層の絶縁層(層間絶縁層23および第1層間絶縁層2)が形成される。本実施形態では、第1層間絶縁層2の形成において、導体パターン5が形成される。導体パターン5は、導体パターン5の形成よりも後の工程で形成される導体パッド3aの外縁部と重なるように、第1導体層3と第2導体層4との間に形成される。
Outermost insulating layers (
なお、図1に示される例では、層間絶縁層23には導体パターンが形成されないが、層間絶縁層23に導体パターンが形成されてもよい。層間絶縁層23に導体パターンが形成される場合、当該導体パターンは、当該導体パターンの形成よりも後の工程で形成される部品実装パッド33aの外縁部と重なるように、導体層31と導体層33との間に形成される。
In the example shown in FIG. 1, no conductor pattern is formed on the
詳細には、図4に示されるように、配線基板1における最も外側の層間絶縁層22が形成され、層間絶縁層22内にビア6が形成され、層間絶縁層22上に第2導体層4が形成される。
Specifically, as shown in FIG. 4, the outermost
図4に示される例では、ビア形成用の貫通孔を含む層間絶縁層22上および当該貫通孔内面に、無電解めっきなどにより、シード金属膜となる無電解めっき膜111が形成される。そして、ビア形成用の貫通孔内には電解めっき膜112が充填される。層間絶縁層22上の無電解めっき膜111上に電解めっき膜112が形成される。層間絶縁層22上の電解めっき膜112と、ビア形成用の貫通孔内の電解めっき膜112とは一体に形成される。ビア形成用の貫通孔内の無電解めっき膜111および電解めっき膜112により、ビア6が形成される。層間絶縁層22上の無電解めっき膜111および電解めっき膜112により、第2導体層4が形成される。
In the example shown in FIG. 4, an electroless plated
その後、図5に示されるように、層間絶縁層22および第2導体層4上に、第1層間絶縁層2の一部の層である第2絶縁層202が形成される。その後、図6に示されるように、第2絶縁層202上に導体パターン5が形成される。導体パターン5は、導体パターン5の形成よりも後の工程において形成される導体パッド3a(図9~図11参照)の外縁部と重なるように、第2絶縁層202上に形成される。本実施形態では、導体パターン5は、略環状に形成される。また、導体パターン5は、導体パターン5の形成よりも後の工程において形成されるビア6(第1導体層3と第2導体層4とを接続するビア、図9~図11参照)が、導体パターン5における環の内側に形成されるような領域に形成される。
After that, as shown in FIG. 5 , a second insulating
詳細には、導体パターン5は、導体パターン5を含むような適切な開口パターンを有するめっきレジスト(図示せず)を用いるセミアディティブ法などの任意の導体パターンの形成方法を用いて形成される。すなわち、第2絶縁層202上の全面に、無電解めっきなどにより、シード金属膜となる無電解めっき膜111が形成される。その後、無電解めっき膜111上に、上記開口パターンを有するめっきレジストが形成される。その後、無電解めっき膜111上においてめっきレジストが形成されていない領域に、電解めっきにより電解めっき膜112が形成される。その後、めっきレジストが除去される。その後、めっきレジストの除去によって露出した無電解めっき膜111がエッチング処理により除去される。第2絶縁層202上に残った無電解めっき膜111および電解めっき膜112により、導体パターン5が構成される。
Specifically, the
その後、図7に示されるように、第2絶縁層202および導体パターン5上に第1絶縁層201が形成される。第1絶縁層201および第2絶縁層202により、第1層間絶縁層2が構成される。第1絶縁層201と第2絶縁層202とは、同じ樹脂材料により構成されてもよく、異なる樹脂材料により構成されてもよい。
After that, the first insulating
その後、図8に示されるように、貫通孔203がレーザ光の照射などにより第1層間絶縁層2に形成される。貫通孔203は、第2導体層4を露出させるように形成される。その後、図9に示されるように、第1層間絶縁層2上にさらに第1導体層3が形成される。第1導体層3は、導体パッド3aを含むような適切な開口パターンを有するめっきレジスト8を用いるセミアディティブ法などの任意の導体パターンの形成方法を用いて形成される。貫通孔203の内面に、無電解めっきなどにより、無電解めっき膜111が形成される。貫通孔203内には電解めっき膜112が充填される。層間絶縁層22上の無電解めっき膜111上に電解めっき膜112が形成される。貫通孔203内の無電解めっき膜111および電解めっき膜112により、ビア6が構成される。第1層間絶縁層2上において、無電解めっき膜111および電解めっき膜112は、その外縁部が配線基板1の厚さ方向Zに沿った方向から見て導体パターン5と重なるように形成される。
After that, as shown in FIG. 8, a through
同様に、最表層の層間絶縁層23(図1参照)上にさらに最表層の導体層33が形成される。最表層の導体層33は、部品実装パッド33aを含むような適切な開口パターンを有するめっきレジスト(図示せず)を用いるセミアディティブ法などの任意の導体パターンの形成方法を用いて形成される。
Similarly, the
その後、図10に示されるように、めっきレジスト8が除去される。その後、めっきレジスト8の除去によって露出した無電解めっき膜111がエッチング処理により除去される。その後、図11に示されるように、ソルダーレジスト層7が第1層間絶縁層2上に形成される。ソルダーレジスト層7には、開口7aが設けられる。ソルダーレジスト層7は、たとえば、感光性のエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などを塗布したり噴霧したりフィルム状で積層したりすることによって形成される。そして、たとえば露光および現像、またはレーザ加工などによって、開口7aが形成される。開口7aは、図10における無電解めっき膜111および電解めっき膜112の露出面の全面、すなわち、第1導体層3における第1層間絶縁層2とは反対側の面(正面)112f1および側面112f2を露出させるように形成される。
After that, as shown in FIG. 10, the plating resist 8 is removed. After that, the electroless plated
同様に、ソルダーレジスト層70(図1参照)が最表層の層間絶縁層23上に形成される。ソルダーレジスト層70には、開口70aが設けられる。ソルダーレジスト層70は、ソルダーレジスト層7を形成する方法と同様の方法で形成され得る。
Similarly, a solder resist layer 70 (see FIG. 1) is formed on the outermost
その後、図2に示されるように、電解めっき膜112および無電解めっき膜111の露出部分の表面に、金属膜113が形成される。金属膜113はたとえば、無電解めっきにより形成される。これにより、導体パッド3aを含む第1導体層3が形成される。以上の工程を経ることにより図2に例示される導体パターン5を含む、配線基板1が完成する。
After that, as shown in FIG. 2, a
本実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造や、本明細書において例示された構造や材料を備えるものに限定されない。本実施形態の配線基板は、任意の積層構造を有し得る。また、本実施形態の配線基板は、コア基板を含まないコアレス基板であってもよい。本実施形態の配線基板は任意の数の導体層および絶縁層を含み得る。たとえば、第1導体層3には、導体パッド3aの他にも異なる導体パターンが含まれ得る。
The wiring board of this embodiment is not limited to the structure illustrated in each drawing, or the structure and materials illustrated in this specification. The wiring board of this embodiment may have any laminated structure. Also, the wiring board of the present embodiment may be a coreless board that does not include a core board. The wiring substrate of this embodiment can include any number of conductor layers and insulating layers. For example, the
1 配線基板
2 第1層間絶縁層
3 第1導体層
3a 導体パッド
3f1 導体パッドにおける第1層間絶縁層とは反対側の面
3f2 側面
4 第2導体層
5 導体パターン
6 ビア導体(ビア)
7 ソルダーレジスト層
7a 開口
231 第1絶縁層
232 第2絶縁層
Z 配線基板の厚さ方向
REFERENCE SIGNS
7 solder resist
Claims (6)
前記第1層間絶縁層上に形成され、導体パッドを含む第1導体層と、
前記第1層間絶縁層を介して前記第1導体層とは反対側に形成されている第2導体層と、
前記第1層間絶縁層上に形成されているソルダーレジスト層と、を備える配線基板であって、
前記ソルダーレジスト層は、前記導体パッドにおける前記第1層間絶縁層とは反対側の面および側面を露出させる開口を有し、
前記配線基板は、さらに、前記導体パッドの外縁部と重なるように、前記第1導体層と前記第2導体層との間に形成されている導体パターンを備えている。 a first interlayer insulating layer;
a first conductor layer formed on the first interlayer insulating layer and including a conductor pad;
a second conductor layer formed on the side opposite to the first conductor layer with the first interlayer insulating layer interposed therebetween;
A wiring board comprising a solder resist layer formed on the first interlayer insulating layer,
The solder resist layer has an opening that exposes a surface and a side surface of the conductor pad opposite to the first interlayer insulating layer,
The wiring board further includes a conductor pattern formed between the first conductor layer and the second conductor layer so as to overlap the outer edge of the conductor pad.
前記第1導体層と前記第2導体層とを接続するビアをさらに備える。 The wiring board according to claim 1,
A via connecting the first conductor layer and the second conductor layer is further provided.
前記導体パターンは、略環状に形成され、
前記ビアは、前記導体パターンにおける環の内側に形成されている。 The wiring board according to claim 2,
The conductor pattern is formed in a substantially annular shape,
The via is formed inside the ring of the conductor pattern.
前記第1層間絶縁層は、
前記配線基板の厚さ方向において前記第2導体層側に位置する第2絶縁層と、
前記配線基板の厚さ方向において前記第1導体層側に位置する第1絶縁層と、を含み、
前記導体パターンは、前記第2絶縁層上に形成されていて前記第1絶縁層に覆われている。 The wiring board according to claim 1,
The first interlayer insulating layer is
a second insulating layer located on the second conductor layer side in the thickness direction of the wiring board;
a first insulating layer located on the first conductor layer side in the thickness direction of the wiring board,
The conductor pattern is formed on the second insulating layer and covered with the first insulating layer.
前記第1絶縁層と前記第2絶縁層とは、同じ樹脂材料により構成されている。 The wiring board according to claim 4,
The first insulating layer and the second insulating layer are made of the same resin material.
前記第1導体層は、複数の前記導体パッドを含み、
前記導体パターンは、前記導体パッド毎に設けられ、
前記導体パッド毎に設けられている前記導体パターン同士は、互いに独立している。 The wiring board according to claim 1,
The first conductor layer includes a plurality of the conductor pads,
The conductor pattern is provided for each conductor pad,
The conductor patterns provided for each conductor pad are independent of each other.
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