JP2024061418A - Wiring Board - Google Patents

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Abstract

【課題】絶縁層への応力を緩和及びクラックの発生の抑制。【解決手段】実施形態の配線基板1は、絶縁層113と、絶縁層113の表面上に形成されている導体層123と、絶縁層113の表面上及び導体層123上に形成されているソルダーレジスト層114と、を含んでいる。導体層123が、導体パッドP1を含み、ソルダーレジスト層114が、導体パッドP1における絶縁層113と反対側を向く表面及び導体パッドP1の側面全体を露出させる開口114aを有し、ソルダーレジスト層114の開口114aの内側面のうちの絶縁層側の部分である第1部分114a1が、絶縁層113の開口114aに露出する表面に対して、30°以上、75°以下である第1角度の部分を含んでいる。【選択図】図2[Problem] Relieving stress on an insulating layer and suppressing the occurrence of cracks. [Solution] A wiring board (1) of an embodiment includes an insulating layer (113), a conductor layer (123) formed on the surface of the insulating layer (113), and a solder resist layer (114) formed on the surface of the insulating layer (113) and on the conductor layer (123). The conductor layer (123) includes a conductor pad (P1), the solder resist layer (114) has an opening (114a) that exposes the surface of the conductor pad (P1) facing away from the insulating layer (113) and the entire side surface of the conductor pad (P1), and a first portion (114a1) that is a portion of the inner side surface of the opening (114a) of the solder resist layer (114) on the insulating layer side includes a portion that forms a first angle of 30° or more and 75° or less with respect to the surface exposed in the opening (114a) of the insulating layer (113). [Selected Figure] Figure 2

Description

本発明は、配線基板に関する。 The present invention relates to a wiring board.

特許文献1には、ソルダーレジスト層が、絶縁層上に形成されている導体パッドの表面及び側面全体を露出させる開口を有する配線基板が開示されている。開口の内側面は、絶縁層と反対側に向かって拡がるように形成されている。 Patent document 1 discloses a wiring board in which a solder resist layer has an opening that exposes the entire surface and side of a conductor pad formed on an insulating layer. The inner surface of the opening is formed so as to expand toward the opposite side to the insulating layer.

特開2004-22713号公報JP 2004-22713 A

特許文献1に開示の配線基板では、配線基板に加わる応力が、ソルダーレジストの内側面と接触する絶縁層の接触部の近傍に集中することがある。この集中した応力により、接触部の近傍の絶縁層にクラックが発生することがある。 In the wiring board disclosed in Patent Document 1, stress applied to the wiring board may concentrate near the contact portion of the insulating layer that comes into contact with the inner surface of the solder resist. This concentrated stress may cause cracks to occur in the insulating layer near the contact portion.

本発明の配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層の表面上に形成されている導体層と、前記絶縁層の前記表面上及び前記導体層上に形成されているソルダーレジスト層と、を含んでいる。そして、前記導体層が、導体パッドを含み、前記ソルダーレジスト層が、前記導体パッドにおける前記絶縁層と反対側を向く表面及び前記導体パッドの側面全体を露出させる開口を有し、前記ソルダーレジスト層の前記開口の内側面のうちの前記絶縁層側の部分である第1部分が、前記絶縁層の前記開口に露出する前記表面に対して、30°以上、75°以下である第1角度の部分を含んでいる。 The wiring board of the present invention includes an insulating layer, a conductor layer formed on the surface of the insulating layer, and a solder resist layer formed on the surface of the insulating layer and on the conductor layer. The conductor layer includes a conductor pad, the solder resist layer has an opening that exposes the surface of the conductor pad facing away from the insulating layer and the entire side of the conductor pad, and a first portion of the inner side of the opening of the solder resist layer that is on the insulating layer side includes a portion that forms a first angle of 30° or more and 75° or less with respect to the surface exposed in the opening of the insulating layer.

本発明の実施形態によれば、絶縁層への応力を緩和し、クラックの発生を抑制することがある。 According to an embodiment of the present invention, stress on the insulating layer can be alleviated, and the occurrence of cracks can be suppressed.

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a wiring board according to an embodiment of the present invention. 図1中の部分IIの拡大図。An enlarged view of part II in FIG. 本発明の一実施形態の配線基板の他の一例を示す拡大断面図。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing another example of the wiring board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。5A to 5C are cross-sectional views showing an example of a manufacturing process for the wiring board according to the embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。5A to 5C are cross-sectional views showing an example of a manufacturing process for the wiring board according to the embodiment of the present invention 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。5A to 5C are cross-sectional views showing an example of a manufacturing process for the wiring board according to the embodiment of the present invention 本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す配線基板の断面写真。1 is a cross-sectional photograph of a wiring board showing an example of a wiring board according to an embodiment of the present invention.

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図1は、一実施形態の配線基板の一例である配線基板1の断面図を示しており、図2は、図1に示される配線基板1の一点鎖線で囲われる部分IIを上下逆にして拡大図で示している。なお、以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、実施形態の特徴が理解され易いように描かれている。図示される配線基板1は、本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。実施形態の配線基板の積層構造、並びに、導体層及び絶縁層それぞれの数は、図示される配線基板1の積層構造、並びに配線基板1に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。 A wiring board according to one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a cross-sectional view of wiring board 1, which is an example of a wiring board according to one embodiment, and FIG. 2 shows an enlarged view of part II of wiring board 1 surrounded by a dashed line in FIG. 1, turned upside down. Note that the drawings referred to below are not intended to show the exact ratio of each component, but are drawn so that the characteristics of the embodiment can be easily understood. The illustrated wiring board 1 is merely an example of the wiring board according to this embodiment. The laminated structure of the wiring board according to the embodiment, and the number of each of the conductor layers and insulating layers are not limited to the laminated structure of wiring board 1 shown in the drawings, and the number of each of the conductor layers and insulating layers included in wiring board 1.

図1に示されるように、配線基板1は、第1主面1F及び第2主面1Sを有しており、第1主面1F及び第2主面1Sのうちの少なくとも一方側(図1の例では、第1主面1F側)に、第1導体パッドP1(単に「導体パッドP1」とも称される)を有する導体層123と、開口114aを有するソルダーレジスト層114とを含んでいる。本実施形態の配線基板1では、特に、その詳細が後述されるように、ソルダーレジスト層114の開口114aが、所定の形状を有することによって、第1導体パッドP1における表面及び側面全体を露出させている。図1の例では、配線基板1は、所謂、多層配線基板である。しかし、実施形態の配線基板は、所謂、両面配線基板であってもよい。 1, the wiring board 1 has a first main surface 1F and a second main surface 1S, and includes a conductor layer 123 having a first conductor pad P1 (also simply referred to as "conductor pad P1") and a solder resist layer 114 having an opening 114a on at least one side of the first main surface 1F and the second main surface 1S (the first main surface 1F side in the example of FIG. 1). In particular, in the wiring board 1 of this embodiment, as will be described in detail later, the opening 114a of the solder resist layer 114 has a predetermined shape, thereby exposing the entire surface and side surface of the first conductor pad P1. In the example of FIG. 1, the wiring board 1 is a so-called multilayer wiring board. However, the wiring board of the embodiment may be a so-called double-sided wiring board.

図1の例では、配線基板1は、コア基板100と、コア基板100の一方の主面(後述する第1面100F)上に形成されている第1配線構造10と、コア基板100の他方の主面(後述する第2面100S)上に形成されている第2配線構造20と、を含んでいる。 In the example of FIG. 1, the wiring board 1 includes a core substrate 100, a first wiring structure 10 formed on one main surface (first surface 100F described below) of the core substrate 100, and a second wiring structure 20 formed on the other main surface (second surface 100S described below) of the core substrate 100.

なお、本実施形態の配線基板の説明においては、コア基板100から遠い側を、「上」、「上側」、「外側」、又は「外」と称し、コア基板100に近い側を、「下」、「下側」、「内側」、又は「内」と称する。また、各構成要素において、コア基板100と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア基板100側を向く表面は「下面」とも称される。 In the description of the wiring board of this embodiment, the side farther from the core substrate 100 is referred to as "top", "upper side", "outside", or "outer", and the side closer to the core substrate 100 is referred to as "bottom", "lower side", "inside", or "inner". In addition, in each component, the surface facing away from the core substrate 100 is also referred to as the "top surface", and the surface facing the core substrate 100 is also referred to as the "bottom surface".

図1の例では、コア基板100は、絶縁層(コア絶縁層)101と、コア絶縁層101の両面に形成された導体層(コア導体層)102と、を含んでいる。コア導体層102は、所定の導体パターンを有するようにパターニングされている。コア基板100のコア絶縁層101には、コア基板100における第1面100Fを構成する導体層102の導体パターンと、第2面100Sを構成する導体層102の導体パターンと、を接続するスルーホール導体103が形成されている。筒状のスルーホール導体103の内部は、例えば、エポキシ樹脂などの任意の樹脂を含む樹脂体104で充填されている。 In the example of FIG. 1, the core substrate 100 includes an insulating layer (core insulating layer) 101 and a conductor layer (core conductor layer) 102 formed on both sides of the core insulating layer 101. The core conductor layer 102 is patterned to have a predetermined conductor pattern. The core insulating layer 101 of the core substrate 100 is formed with a through-hole conductor 103 that connects the conductor pattern of the conductor layer 102 constituting the first surface 100F of the core substrate 100 to the conductor pattern of the conductor layer 102 constituting the second surface 100S. The inside of the cylindrical through-hole conductor 103 is filled with a resin body 104 containing any resin such as an epoxy resin.

図1の例では、第1配線構造10は、コア基板100の第1面100F上に交互に積層されている絶縁層11及び導体層12を含んでいる。具体的には、第1配線構造10は、コア基板100の第1面100F側から順に、絶縁層111、導体層121、絶縁層112、導体層122、絶縁層113、導体層123、ソルダーレジスト層114が積層された多層配線構造を有している。第1配線構造10の導体層121、122、123及びコア基板100のコア導体層102は、導体層121、122、123、102間に介在する絶縁層111、112、113に含まれる接続導体(所謂、ビア導体)13によって相互に接続されている。第1配線構造10の最外の導体層123及びソルダーレジスト層114の露出面によって、配線基板1の第1主面1Fが構成されている。 In the example of FIG. 1, the first wiring structure 10 includes insulating layers 11 and conductor layers 12 that are alternately stacked on the first surface 100F of the core substrate 100. Specifically, the first wiring structure 10 has a multilayer wiring structure in which an insulating layer 111, a conductor layer 121, an insulating layer 112, a conductor layer 122, an insulating layer 113, a conductor layer 123, and a solder resist layer 114 are stacked in this order from the first surface 100F side of the core substrate 100. The conductor layers 121, 122, and 123 of the first wiring structure 10 and the core conductor layer 102 of the core substrate 100 are connected to each other by a connection conductor (so-called via conductor) 13 included in the insulating layers 111, 112, and 113 interposed between the conductor layers 121, 122, 123, and 102. The first main surface 1F of the wiring substrate 1 is constituted by the exposed surfaces of the outermost conductor layer 123 and the solder resist layer 114 of the first wiring structure 10.

図1の例では、第2配線構造20は、コア基板100の第2面100S上に交互に積層されている絶縁層21及び導体層22を含んでいる。具体的には、第2配線構造20は、コア基板100の第2面100S側から順に、絶縁層211、導体層221、絶縁層212、導体層222、絶縁層213、導体層223、ソルダーレジスト層214が積層された多層配線構造を有している。第2配線構造20の導体層221、222、223及びコア基板100のコア導体層102は、導体層221、222、223、102間に介在する絶縁層211、212、213に含まれる接続導体(所謂、ビア導体)23によって相互に接続されている。第2配線構造20の最外の導体層223及びソルダーレジスト層214の露出面によって、配線基板1の第2主面1Sが構成されている。 In the example of FIG. 1, the second wiring structure 20 includes an insulating layer 21 and a conductor layer 22 that are alternately stacked on the second surface 100S of the core substrate 100. Specifically, the second wiring structure 20 has a multilayer wiring structure in which an insulating layer 211, a conductor layer 221, an insulating layer 212, a conductor layer 222, an insulating layer 213, a conductor layer 223, and a solder resist layer 214 are stacked in this order from the second surface 100S side of the core substrate 100. The conductor layers 221, 222, and 223 of the second wiring structure 20 and the core conductor layer 102 of the core substrate 100 are connected to each other by a connection conductor (so-called via conductor) 23 included in the insulating layers 211, 212, and 213 interposed between the conductor layers 221, 222, 223, and 102. The second main surface 1S of the wiring substrate 1 is constituted by the exposed surfaces of the outermost conductor layer 223 and the solder resist layer 214 of the second wiring structure 20.

導体層12、22、ビア導体13、23、スルーホール導体103は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され、例えば、銅箔などの金属箔、及び/又は、めっきもしくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成され得る。導体層12、22、ビア導体13、23、スルーホール導体103は、図1では単層構造で示されているが、2つ以上の金属層を有する多層構造を有し得る。例えば、絶縁層101の表面上に形成されている導体層102は、金属箔(好ましくは銅箔)、無電解めっき膜(好ましくは無電解銅めっき膜)、及び電解めっき膜(好ましくは電解銅めっき膜)を含み得る。また、導体層12、22、ビア導体13、23、スルーホール導体103は、例えば、無電解めっき膜及び電解めっき膜を含み得る。 The conductor layers 12, 22, the via conductors 13, 23, and the through-hole conductors 103 are formed using any metal such as copper or nickel, and may be composed of, for example, a metal foil such as copper foil, and/or a metal film formed by plating or sputtering. The conductor layers 12, 22, the via conductors 13, 23, and the through-hole conductors 103 are shown as single-layer structures in FIG. 1, but may have a multi-layer structure having two or more metal layers. For example, the conductor layer 102 formed on the surface of the insulating layer 101 may include a metal foil (preferably copper foil), an electroless plating film (preferably electroless copper plating film), and an electrolytic plating film (preferably electrolytic copper plating film). The conductor layers 12, 22, the via conductors 13, 23, and the through-hole conductors 103 may also include, for example, an electroless plating film and an electrolytic plating film.

第1配線構造10が有する各導体層121、122、123は、所定の導体パターンを有するようにパターニングされている。特に、第1配線構造10における最外の導体層123は、第1導体パッドP1を有している。第1導体パッドP1は、配線基板1が使用されるときに、配線基板1と接続され得る外部の要素(外部要素)E1の接続パッドE1pと電気的に接続され得る。また、図1の例では、第2配線構造20における最外の導体層223は、第2導体パッドP2を有している。第2導体パッドP2は、外部要素E2の接続パッドE2pと接続され得る。 Each of the conductor layers 121, 122, and 123 in the first wiring structure 10 is patterned to have a predetermined conductor pattern. In particular, the outermost conductor layer 123 in the first wiring structure 10 has a first conductor pad P1. The first conductor pad P1 can be electrically connected to a connection pad E1p of an external element (external element) E1 that can be connected to the wiring board 1 when the wiring board 1 is used. Also, in the example of FIG. 1, the outermost conductor layer 223 in the second wiring structure 20 has a second conductor pad P2. The second conductor pad P2 can be connected to a connection pad E2p of the external element E2.

第1導体パッドP1は、例えば、はんだなどの接合材によって外部要素E1の接続パッドE1pに電気的及び機械的に接続され得る。外部要素E1は、特に限定されることはないが、例えば、マザーボード、又は、配線基板1よりも大きいサイズを有する任意の電子部品であり得る。すなわち、この場合、第1面1Fは、外部要素E1に接続される接続面である。第2導体パッドP2もまた、例えば、はんだなどの接合材によって外部要素E2の接続パッドE2pに電気的及び機械的に接続され得る。外部要素E2は、特に限定されることはないが、半導体素子、又は、配線基板1よりも小さいサイズを有する任意の電子部品であり得る。すなわち、この場合、第2面1Sは、部品が実装される部品実装面である。図1の例では、第1導体パッドP1は、第2導体パッドP2のいずれよりも大きい。外部要素E2よりも大きな外部要素E1と配線基板1とが、より大きな面積で強固に接続される場合がある。 The first conductor pad P1 may be electrically and mechanically connected to the connection pad E1p of the external element E1 by, for example, a bonding material such as solder. The external element E1 is not particularly limited, but may be, for example, a motherboard or any electronic component having a size larger than the wiring board 1. That is, in this case, the first surface 1F is a connection surface connected to the external element E1. The second conductor pad P2 may also be electrically and mechanically connected to the connection pad E2p of the external element E2 by, for example, a bonding material such as solder. The external element E2 is not particularly limited, but may be, for example, a semiconductor element or any electronic component having a size smaller than the wiring board 1. That is, in this case, the second surface 1S is a component mounting surface on which components are mounted. In the example of FIG. 1, the first conductor pad P1 is larger than either of the second conductor pads P2. There are cases in which the external element E1 larger than the external element E2 and the wiring board 1 are firmly connected over a larger area.

図1の例では、第1導体パッドP1は、平面視において、同じ位置に配置されている複数のビア導体13を介して、コア導体層102の導体パターンと接続されている。換言すれば、図1の例では、ビア導体13は、所謂、スタックビア導体である。ここで、「平面視」は、配線基板1の第1主面1F又は第2主面1Sに垂直な方向と平行な視線で、対象物を見ることを意味している。この場合、導体層102、121、122、123の導体パターン同士が短い経路で接続し易くなるので、意図通りの電気的特性が得られ易いと考えられる。しかし、第1導体パッドP1は、平面視において、異なる位置に配置されている複数のビア導体13を介して、コア導体層102の導体パターンと接続されていてもよい。また、図1の例では、第2導体パッドP2は、ビア導体23を介して、コア導体層102の導体パターンと接続されている。 1, the first conductor pad P1 is connected to the conductor pattern of the core conductor layer 102 through a plurality of via conductors 13 arranged at the same position in a plan view. In other words, in the example of FIG. 1, the via conductors 13 are so-called stacked via conductors. Here, "plan view" means viewing an object with a line of sight parallel to a direction perpendicular to the first main surface 1F or the second main surface 1S of the wiring board 1. In this case, it is considered that the conductor patterns of the conductor layers 102, 121, 122, and 123 are easily connected to each other through a short path, so that the intended electrical characteristics are easily obtained. However, the first conductor pad P1 may be connected to the conductor pattern of the core conductor layer 102 through a plurality of via conductors 13 arranged at different positions in a plan view. Also, in the example of FIG. 1, the second conductor pad P2 is connected to the conductor pattern of the core conductor layer 102 through the via conductor 23.

図1では省略されているが、第1導体パッドP1及び第2導体パッドP2は、その表面に表面処理層(図2の第1導体パッドP1の表面処理層P11参照)を含み得る。表面処理層P11はそれぞれ、例えば、第1導体パッドP1及び第2導体パッドP2の露出部分の防食処理及び/又は防錆処理によって形成される被膜である。表面処理層P11によって、導体パッドP1、P2のコア部分の腐食や酸化などが防がれ得る。表面処理層P11は、例えば、導体パッドP1、P2のコア部分とは異なる金属を含む金属被膜や、イミダゾール化合物などの有機物を含む有機被膜である。導体パッドP1、P2のコア部分が銅で形成されている場合、表面処理層P11は、ニッケル、パラジウム、銀、金、もしくはこれらの合金、又ははんだなどによって形成され得る。 Although omitted in FIG. 1, the first conductor pad P1 and the second conductor pad P2 may include a surface treatment layer (see the surface treatment layer P11 of the first conductor pad P1 in FIG. 2) on their surfaces. The surface treatment layer P11 is, for example, a coating formed by anticorrosion treatment and/or antirust treatment of the exposed parts of the first conductor pad P1 and the second conductor pad P2. The surface treatment layer P11 can prevent corrosion and oxidation of the core parts of the conductor pads P1 and P2. The surface treatment layer P11 is, for example, a metal coating containing a metal different from the core parts of the conductor pads P1 and P2, or an organic coating containing an organic substance such as an imidazole compound. When the core parts of the conductor pads P1 and P2 are formed of copper, the surface treatment layer P11 can be formed of nickel, palladium, silver, gold, or an alloy thereof, or solder, etc.

配線基板1を構成する絶縁層101、11、21はそれぞれ、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成され得る。各絶縁層101、11、21は、ガラス繊維などの補強材(芯材)、及び/又は、シリカ、アルミナなどの無機フィラーを含み得る。ソルダーレジスト層114、214は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成され得る。 The insulating layers 101, 11, 21 constituting the wiring board 1 may each be formed using an insulating resin such as an epoxy resin, a bismaleimide triazine resin (BT resin), or a phenolic resin. Each insulating layer 101, 11, 21 may contain a reinforcing material (core material) such as glass fiber, and/or an inorganic filler such as silica or alumina. The solder resist layers 114, 214 may be formed using, for example, a photosensitive epoxy resin or a polyimide resin.

実施形態の配線基板1では、第1配線構造10におけるソルダーレジスト層114は、第1導体パッドP1を露出させる開口114aを有している。具体的には、開口114aは、第1導体パッドP1における絶縁層113と反対側を向く表面(上面)及び第1導体パッドP1の側面全体を露出させている。すなわち、第1導体パッドP1は、その上面及び側面の全体が開口114a内に露出している。他方、図1の例では、第2配線構造20におけるソルダーレジスト層214は、第2導体パッドP2の周縁部を覆っており、開口214aは、第2導体パッドP2の周縁部以外の部分(上面の一部)のみを露出させている。しかし、第2配線構造20におけるソルダーレジスト層214の開口214aもまた、第1配線構造10におけるソルダーレジスト層114の開口114aと同様に、第2導体パッドP2における絶縁層213と反対側を向く表面(上面)及び第2導体パッドP2の側面全体を露出させてもよい。 In the wiring board 1 of the embodiment, the solder resist layer 114 in the first wiring structure 10 has an opening 114a that exposes the first conductor pad P1. Specifically, the opening 114a exposes the surface (top surface) of the first conductor pad P1 facing away from the insulating layer 113 and the entire side surface of the first conductor pad P1. That is, the entire top surface and side surface of the first conductor pad P1 are exposed in the opening 114a. On the other hand, in the example of FIG. 1, the solder resist layer 214 in the second wiring structure 20 covers the peripheral portion of the second conductor pad P2, and the opening 214a exposes only the portion other than the peripheral portion of the second conductor pad P2 (part of the top surface). However, like the opening 114a of the solder resist layer 114 in the first wiring structure 10, the opening 214a of the solder resist layer 214 in the second wiring structure 20 may also expose the surface (upper surface) of the second conductor pad P2 facing away from the insulating layer 213 and the entire side surface of the second conductor pad P2.

図2に示されるように、実施形態の配線基板1では、特に、ソルダーレジスト層114の開口114aの内側面のうちの絶縁層113側の部分である第1部分(例えば、ソルダーレジスト層114の下半分)114a1は、絶縁層113の開口114aに露出する表面に対して、例えば30°以上、75°以下である第1角度θ1の部分を含んでいる。 As shown in FIG. 2, in the wiring board 1 of the embodiment, in particular, the first portion 114a1 (e.g., the lower half of the solder resist layer 114), which is the portion of the inner surface of the opening 114a of the solder resist layer 114 facing the insulating layer 113, includes a portion that is at a first angle θ1, for example, greater than or equal to 30° and less than or equal to 75°, with respect to the surface exposed in the opening 114a of the insulating layer 113.

ソルダーレジスト層114が第1導体パッドP1の上面及び側面を露出させる開口114aを有する場合、絶縁層113には、上述のように、例えば、絶縁層113とソルダーレジスト層114との間の熱膨張率の相違や、第1導体パッドP1及びソルダーレジスト層114にかかる外力などによって応力が生じ得る。このような場合には、特に、応力は、絶縁層113の表面上において、ソルダーレジスト層114の開口114aの内側面との接触部A1に集中する場合がある。そして、集中する応力に耐え切れずに、絶縁層113側の接触部A1にクラックが生じることがある。 When the solder resist layer 114 has an opening 114a exposing the top and side surfaces of the first conductor pad P1, as described above, the insulating layer 113 may be subjected to stress due to, for example, the difference in thermal expansion coefficient between the insulating layer 113 and the solder resist layer 114, or an external force acting on the first conductor pad P1 and the solder resist layer 114. In such a case, the stress may be concentrated on the contact portion A1 on the surface of the insulating layer 113 with the inner side surface of the opening 114a of the solder resist layer 114. Then, the contact portion A1 on the insulating layer 113 side may be unable to withstand the concentrated stress and may crack.

実施形態の配線基板1では、上述のように、第1部分114a1が、絶縁層113の開口114aに露出する表面に対して、30°以上、75°以下である第1角度θ1を含んでいる。この場合、例えば、開口の内側面のうちの絶縁層側の部分が、絶縁層の開口に露出する表面に対して、略90°の角度θの部分のみからなる場合と比較して、絶縁層113にかかる応力が、角度θの部分の存在によって、緩和されることがある。これにより、絶縁層113へのクラックの発生が抑制されることがある。第1角度θ1は、35°以上、70°以下であることがより好ましく、45°以上、70°以下であることがさらに好ましい。開口114aの内側面の角度は、後述されるように、例えば、ソルダーレジスト層114の露光条件又は現像条件などによって調整され得る。 In the wiring board 1 of the embodiment, as described above, the first portion 114a1 includes a first angle θ1 that is 30° or more and 75° or less with respect to the surface exposed to the opening 114a of the insulating layer 113. In this case, for example, compared to a case in which the portion of the inner surface of the opening on the insulating layer side is composed only of a portion with an angle θ of approximately 90° with respect to the surface exposed to the opening of the insulating layer, the stress applied to the insulating layer 113 may be alleviated by the presence of the portion with the angle θ. This may suppress the occurrence of cracks in the insulating layer 113. It is more preferable that the first angle θ1 is 35° or more and 70° or less, and even more preferable that it is 45° or more and 70° or less. The angle of the inner surface of the opening 114a can be adjusted, for example, by the exposure conditions or development conditions of the solder resist layer 114, as described later.

なお、図2の例では、第1導体パッドP1は、第1導体パッドP1が含まれる導体層123以外の他の導体層121及び/又は導体層122(図1参照)同士を接続するビア導体13に接続されている。換言すれば、図2の例では、第1導体パッドP1は、所謂、ビアパッドである。第1導体パッドP1がビアパッドであることで、第1導体パッドP1に係り得る外力がビア導体13に分散され、これにより、絶縁層113におけるクラックの発生がさらに抑制されることがある。しかし、第1導体パッドは、他の導体層及び/又は導体層と直接接続されていなくてもよい。換言すれば、第1導体パッドは、所謂独立パッドであってもよい。 2, the first conductor pad P1 is connected to a via conductor 13 that connects the other conductor layers 121 and/or conductor layers 122 (see FIG. 1) other than the conductor layer 123 in which the first conductor pad P1 is included. In other words, in the example of FIG. 2, the first conductor pad P1 is a so-called via pad. By using the first conductor pad P1 as a via pad, an external force that may be applied to the first conductor pad P1 is distributed to the via conductor 13, which may further suppress the occurrence of cracks in the insulating layer 113. However, the first conductor pad does not have to be directly connected to the other conductor layers and/or conductor layers. In other words, the first conductor pad may be a so-called independent pad.

第1角度θ1の部分は、第1部分114a1の一部であればよく、配線基板1の厚さ方向において、第1部分114a1において、好ましくは、50%以上の部分である。第1角度θ1の部分は、第1部分114a1において、ソルダーレジスト層114と絶縁層113との接触部から離れた部分であってもよい。 The portion of the first angle θ1 may be a part of the first portion 114a1, and is preferably 50% or more of the first portion 114a1 in the thickness direction of the wiring board 1. The portion of the first angle θ1 may be a portion of the first portion 114a1 that is away from the contact portion between the solder resist layer 114 and the insulating layer 113.

第1角度θ1の部分以外の部分は、絶縁層113の開口114aに露出する表面に対して、第1角度θ1の部分と異なる角度を有していてもよい。図2の例では、ソルダーレジスト層114の開口114aの内側面のうちの絶縁層113と反対側の部分である第2部分(例えば、ソルダーレジスト層114の上半分)114a2は、絶縁層113の開口114aに露出する表面に対して、第1角度θ1より大きい角度である第2角度θ2(図2の例では、第2角度θ2は略90°である)の部分を含んでいる。この場合、第2部分114a2において、開口114aの幅が広くなるので、より大きなはんだ又は導電性接着剤などの接合材によって、配線基板1の第1導体パッドP1と外部要素E1の接続パッドE1p(図1参照)とを接続することができると考えられる。そのため、配線基板1と外部要素E1との接続信頼性が向上すると考えられる。しかし、図3に示されるように、第2部分114a2は、絶縁層113の開口114aに露出する表面に対して、第1部分114a1と同じ角度であってもよい。 The portion other than the portion of the first angle θ1 may have an angle different from the portion of the first angle θ1 with respect to the surface exposed to the opening 114a of the insulating layer 113. In the example of FIG. 2, the second portion (e.g., the upper half of the solder resist layer 114) 114a2, which is the portion of the inner surface of the opening 114a of the solder resist layer 114 opposite the insulating layer 113, includes a portion of the second angle θ2 (in the example of FIG. 2, the second angle θ2 is approximately 90°) that is an angle larger than the first angle θ1 with respect to the surface exposed to the opening 114a of the insulating layer 113. In this case, since the width of the opening 114a is wider in the second portion 114a2, it is considered that the first conductor pad P1 of the wiring board 1 and the connection pad E1p of the external element E1 (see FIG. 1) can be connected by a bonding material such as a larger solder or conductive adhesive. Therefore, it is considered that the connection reliability between the wiring board 1 and the external element E1 is improved. However, as shown in FIG. 3, the second portion 114a2 may be at the same angle as the first portion 114a1 with respect to the surface exposed in the opening 114a of the insulating layer 113.

第2部分114a2は、第1部分114a1と曲面で接続されていてもよい。この場合、配線基板1の第1導体パッドP1と外部要素E1の接続パッドE1p(図1参照)とを接続する接合材が、第1部分114a1と第2部分114a2との接続部と接触する接触部において、曲面の形状となり易くなると考えらえる。そのため、当該接触部において、接合材の内部応力が集中することなく緩和されるため、接合材にクラック等が生じにくくなると考えられる。 The second portion 114a2 may be connected to the first portion 114a1 via a curved surface. In this case, it is considered that the bonding material connecting the first conductor pad P1 of the wiring board 1 and the connection pad E1p of the external element E1 (see FIG. 1) is likely to have a curved shape at the contact portion where the first portion 114a1 and the second portion 114a2 come into contact. Therefore, at the contact portion, the internal stress of the bonding material is relaxed without concentrating, and it is considered that cracks, etc. are less likely to occur in the bonding material.

実施形態の配線基板は、任意の一般的な配線基板の製造方法によって製造され得る。図1及び図4A~図4Dなどを参照して、図1及び図2(又は図3)に示される配線基板1が製造される場合を例に、実施形態の配線基板の製造方法が説明される。なお、図4A~図4Dでは、図2と同様に、図1中の部分IIが、上下逆にして拡大図で示されている。 The wiring board of the embodiment can be manufactured by any general method for manufacturing a wiring board. With reference to FIG. 1 and FIG. 4A to FIG. 4D, etc., the method for manufacturing the wiring board of the embodiment will be described using an example in which the wiring board 1 shown in FIG. 1 and FIG. 2 (or FIG. 3) is manufactured. Note that in FIG. 4A to FIG. 4D, part II in FIG. 1 is shown upside down and enlarged, similar to FIG. 2.

先ず、図1に示されるようなコア基板100が用意される。コア基板100の用意では、例えば、コア絶縁層101の表面に金属箔が設けられた両面銅張積層板が用意される。両面銅張積層板に貫通孔101hが例えばドリル加工によって形成され、貫通孔101hの内壁及び金属箔の上面に、例えば無電解めっき膜が形成され、この無電解めっき膜の上に、この無電解めっき膜を給電層として用いて電解めっき膜が形成される。 First, a core substrate 100 as shown in FIG. 1 is prepared. In preparing the core substrate 100, for example, a double-sided copper-clad laminate having a metal foil provided on the surface of the core insulating layer 101 is prepared. A through hole 101h is formed in the double-sided copper-clad laminate by, for example, drilling, and an electroless plating film is formed on the inner wall of the through hole 101h and the upper surface of the metal foil, and an electrolytic plating film is formed on the electroless plating film using the electroless plating film as a power supply layer.

貫通孔101hの内壁に形成されるスルーホール導体103の内側には、例えばエポキシ樹脂を注入することによって、スルーホール導体103の内部が樹脂体104で充填される。充填された樹脂体104が固化された後、樹脂体104及び電解めっき膜の上面に、さらに無電解めっき膜及び電解めっき膜が形成される。この結果、金属箔、無電解めっき膜、電解めっき膜、無電解めっき膜、及び電解めっき膜の5層構造を有する導体層102が、絶縁層101の両面に形成される。そして、サブトラクティブ法によって導体層102をパターニングすることで、所定の導体パターンを備えたコア基板100が得られる。 The inside of the through-hole conductor 103 formed on the inner wall of the through hole 101h is filled with a resin body 104 by, for example, injecting epoxy resin. After the filled resin body 104 is solidified, an electroless plating film and an electrolytic plating film are further formed on the upper surface of the resin body 104 and the electrolytic plating film. As a result, a conductor layer 102 having a five-layer structure of a metal foil, an electroless plating film, an electrolytic plating film, an electroless plating film, and an electrolytic plating film is formed on both sides of the insulating layer 101. Then, the conductor layer 102 is patterned by a subtractive method to obtain a core substrate 100 with a predetermined conductor pattern.

次いで、図1に示されるように、コア基板100の第1面100F上に、複数の絶縁層11及び導体層12が交互に積層され、第2面100S上には、複数の絶縁層21及び導体層22が交互に積層される。例えば、コア基板100の第1面100F上の各絶縁層111、112、113及び第2面100S上の各絶縁層211、212、213はそれぞれ、フィルム状の絶縁性樹脂を、コア基板100上に順次、熱圧着することによって形成され得る。 Next, as shown in FIG. 1, a plurality of insulating layers 11 and conductor layers 12 are alternately laminated on the first surface 100F of the core substrate 100, and a plurality of insulating layers 21 and conductor layers 22 are alternately laminated on the second surface 100S. For example, each of the insulating layers 111, 112, and 113 on the first surface 100F of the core substrate 100 and each of the insulating layers 211, 212, and 213 on the second surface 100S can be formed by sequentially thermocompressing a film-like insulating resin onto the core substrate 100.

導体層12、22は、絶縁層11、21に例えばレーザー光によって形成され得る開口を充填するビア導体13、23と同時に、セミアディティブ法などの任意の導体パターンの形成方法を用いて形成される。複数の絶縁層11、21及び導体層12、22の形成が繰り返され、図示されるように、第1面100F側の最外の絶縁層113、及び、第2面100S側の最外の絶縁層213が積層された状態となる。 The conductor layers 12, 22 are formed using any conductor pattern forming method such as a semi-additive method at the same time as the via conductors 13, 23 that fill the openings that can be formed in the insulating layers 11, 21, for example, by laser light. The formation of multiple insulating layers 11, 21 and conductor layers 12, 22 is repeated, and as shown in the figure, the outermost insulating layer 113 on the first surface 100F side and the outermost insulating layer 213 on the second surface 100S side are stacked.

次いで、図4Aに示されるように、最外の絶縁層113の表面上に、第1導体パッドP1を含む導体層(最外の導体層)123が形成される。また、最外の絶縁層213の表面上に、第2導体パッドP2を含む導体層(最外の導体層)223が形成される(図1参照)。第1導体パッドP1の表面及び側面には、表面処理層P11が形成され得る。例えば、スプレーイングによって耐熱性の有機物を塗布することにより、イミダゾール化合物などの有機物を含む有機被膜が形成され得る。又は、例えば、無電解めっきなどによって、ニッケル、パラジウム、金などの金属を析出させることにより金属被膜が形成され得る。図示しないが、第2導体パッドP2の表面及び側面(図1参照)にも同様に、表面処理層が形成され得る。 Next, as shown in FIG. 4A, a conductor layer (outermost conductor layer) 123 including a first conductor pad P1 is formed on the surface of the outermost insulating layer 113. Also, a conductor layer (outermost conductor layer) 223 including a second conductor pad P2 is formed on the surface of the outermost insulating layer 213 (see FIG. 1). A surface treatment layer P11 may be formed on the surface and side of the first conductor pad P1. For example, an organic coating including an organic substance such as an imidazole compound may be formed by applying a heat-resistant organic substance by spraying. Alternatively, a metal coating may be formed by depositing a metal such as nickel, palladium, or gold by electroless plating, for example. Although not shown, a surface treatment layer may also be formed on the surface and side of the second conductor pad P2 (see FIG. 1).

次いで、図4Bに示されるように、絶縁層113及び導体層123の表面上に、感光性膜114pが形成される。感光性膜114pは、例えば感光性のエポキシ樹脂から構成され、スプレーコーティング、カーテンコーティング、又はラミネーションなどによって形成され得る。 Next, as shown in FIG. 4B, a photosensitive film 114p is formed on the surfaces of the insulating layer 113 and the conductor layer 123. The photosensitive film 114p is made of, for example, a photosensitive epoxy resin, and can be formed by spray coating, curtain coating, lamination, or the like.

次いで、図4Cに示されるように、感光性膜114pの上方に、開口114a(図2参照)の形状に応じた所定のパターンを有するフィルム状のマスクMが配置され、マスクMを介して、感光性膜114p上に露光光Lが照射される。なお、感光性膜114pは、マスクを用いずに、露光光Lによって直接描画されてもよい。感光性膜114pの露光では、感光性膜114pのうちの絶縁層113と反対側の部分114p2と比較して、感光性膜114pのうちの絶縁層113側の部分114p1は、露光による硬化が進行しにくいことがある。この露光の進行の相違によって、現像の際の条件を適切に選択することで、絶縁層113と反対側の部分114p2と比較して、絶縁層113側の部分114p1を現像液によって多く除去させ得ることがある。このような現像条件として、露光光Lの強度、現像液の現像能力又は現像温度の調整が例示され得る。これにより、図2(又は図3)のような形状を有する開口114aを備えたソルダーレジスト層114が形成される。 Next, as shown in FIG. 4C, a film-like mask M having a predetermined pattern corresponding to the shape of the opening 114a (see FIG. 2) is placed above the photosensitive film 114p, and exposure light L is irradiated onto the photosensitive film 114p through the mask M. The photosensitive film 114p may be directly drawn by the exposure light L without using a mask. In the exposure of the photosensitive film 114p, the portion 114p1 of the photosensitive film 114p on the insulating layer 113 side may be less likely to be cured by exposure than the portion 114p2 of the photosensitive film 114p on the opposite side to the insulating layer 113. Due to this difference in the progress of exposure, by appropriately selecting the conditions during development, it may be possible to remove more of the portion 114p1 on the insulating layer 113 side by the developer than the portion 114p2 on the opposite side to the insulating layer 113. Examples of such development conditions include the intensity of the exposure light L, the development ability of the developer, or the development temperature. This results in the formation of a solder resist layer 114 having an opening 114a shaped as shown in FIG. 2 (or FIG. 3).

なお、図示しないが、コア基板100の第2面100S側のソルダーレジスト層214(図1参照)もまた、感光性膜の露光及び現像などの任意の一般的なソルダーレジスト層214の形成方法によって形成される。コア基板100の第2面100S側のソルダーレジスト層214がコア基板100の第1面100F側のソルダーレジスト層114と同様な形状を有する場合には、ソルダーレジスト層214は、上述のソルダーレジスト層114の形成方法と同様の方法によって形成され得る。以上のような製造工程を経て、図1に示される配線基板1が製造され得る。 Although not shown, the solder resist layer 214 (see FIG. 1) on the second surface 100S side of the core substrate 100 is also formed by any general method for forming the solder resist layer 214, such as exposing and developing a photosensitive film. If the solder resist layer 214 on the second surface 100S side of the core substrate 100 has a shape similar to that of the solder resist layer 114 on the first surface 100F side of the core substrate 100, the solder resist layer 214 can be formed by a method similar to the method for forming the solder resist layer 114 described above. Through the manufacturing process described above, the wiring substrate 1 shown in FIG. 1 can be manufactured.

図5は、光学顕微鏡による実施形態の配線基板の断面写真を示している。図5に示されるように、第1部分114a1が、絶縁層113の開口114aに露出する表面に対して、30°以上、75°以下である第1角度の部分を含んでいる。 Figure 5 shows a cross-sectional photograph of the wiring board of the embodiment taken with an optical microscope. As shown in Figure 5, the first portion 114a1 includes a portion that has a first angle of 30° or more and 75° or less with respect to the surface exposed in the opening 114a of the insulating layer 113.

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。実施形態の配線基板では、第1主面及び第2主面のうちの少なくとも一方側のソルダーレジスト層の開口の形状が、絶縁層側の部分において、絶縁層の開口に露出する表面に対して、30°~75°の角度の部分を含んでいる。例えば、実施形態の配線基板において、ソルダーレジスト層の開口は、配線基板の厚さ方向の全長において、連続的な曲面から形成されるなど、任意の形状を有し得る。 The wiring board of the embodiment is not limited to those having the structure illustrated in each drawing, and the structure, shape, and material illustrated in this specification. In the wiring board of the embodiment, the shape of the opening of the solder resist layer on at least one of the first and second main surfaces includes a portion on the insulating layer side that is angled at 30° to 75° with respect to the surface exposed in the opening of the insulating layer. For example, in the wiring board of the embodiment, the opening of the solder resist layer can have any shape, such as being formed from a continuous curved surface over the entire length of the wiring board in the thickness direction.

1 配線基板
100 コア基板
101 コア絶縁層
102 コア導体層
103 スルーホール導体
11、111~113 絶縁層
114 ソルダーレジスト層
114a 開口
114a1 第1部分
114a2 第2部分
12、121~123 導体層
13 ビア導体
A1 接触部
P1 (第1)導体パッド
θ1 第1角度
θ2 第2角度
REFERENCE SIGNS LIST 1 wiring board 100 core board 101 core insulating layer 102 core conductor layer 103 through-hole conductor 11, 111 to 113 insulating layer 114 solder resist layer 114a opening 114a1 first portion 114a2 second portion 12, 121 to 123 conductor layer 13 via conductor A1 contact portion P1 (first) conductor pad θ1 first angle θ2 second angle

Claims (6)

絶縁層と、
前記絶縁層の表面上に形成されている導体層と、
前記絶縁層の前記表面上及び前記導体層上に形成されているソルダーレジスト層と、
を含む配線基板であって、
前記導体層が、導体パッドを含み、
前記ソルダーレジスト層が、前記導体パッドにおける前記絶縁層と反対側を向く表面及び前記導体パッドの側面全体を露出させる開口を有し、
前記ソルダーレジスト層の前記開口の内側面のうちの前記絶縁層側の部分である第1部分が、前記絶縁層の前記開口に露出する前記表面に対して、30°以上、75°以下である第1角度の部分を含んでいる。
An insulating layer;
a conductor layer formed on a surface of the insulating layer;
a solder resist layer formed on the surface of the insulating layer and on the conductor layer;
A wiring board comprising:
the conductor layer includes a conductor pad;
the solder resist layer has an opening that exposes a surface of the conductor pad facing away from the insulating layer and an entire side surface of the conductor pad;
A first portion, which is the portion of the inner surface of the opening of the solder resist layer facing the insulating layer, includes a portion that forms a first angle of 30° or more and 75° or less with respect to the surface of the insulating layer exposed in the opening.
請求項1記載の配線基板であって、
前記第1角度が、45°以上、70°以下である。
2. The wiring board according to claim 1,
The first angle is greater than or equal to 45° and less than or equal to 70°.
請求項1記載の配線基板であって、
前記ソルダーレジスト層の前記開口の内側面のうちの前記絶縁層と反対側の部分である第2部分が、前記絶縁層の前記開口に露出する前記表面に対して、前記第1角度よりも大きい第2角度の部分を含んでいる。
2. The wiring board according to claim 1,
A second portion of the inner surface of the opening of the solder resist layer, which is the portion opposite the insulating layer, includes a portion that forms a second angle greater than the first angle with respect to the surface of the insulating layer exposed in the opening.
請求項3記載の配線基板であって、
前記第2角度の部分が、前記第1角度の部分と曲面で接続されている。
4. The wiring board according to claim 3,
The second angle portion is connected to the first angle portion by a curved surface.
請求項3記載の配線基板であって、
前記第2角度が、略90°である。
4. The wiring board according to claim 3,
The second angle is approximately 90 degrees.
請求項1記載の配線基板であって、
前記配線基板が、第1面及び前記第1面の反対面である第2面を有し、
前記第2面が、部品が実装される部品実装面であり、前記導体層が、前記第1面側に形成されている。
2. The wiring board according to claim 1,
the wiring board has a first surface and a second surface opposite to the first surface,
The second surface is a component mounting surface on which components are mounted, and the conductor layer is formed on the first surface side.
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