JP2021036615A - トランジスタ - Google Patents
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Abstract
Description
る。または、本発明の一態様は、電子機器に関する。
の一態様は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様
は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・オブ・マ
ター)に関するものである。
置全般を指す。表示装置(液晶表示装置、発光表示装置など)、投影装置、照明装置、電
気光学装置、蓄電装置、記憶装置、半導体回路、撮像装置および電子機器などは、半導体
装置を有すると言える場合がある。
集積回路(IC)や画像表示装置(単に表示装置とも表記する)等の電子デバイスに広く
応用されている。トランジスタに適用可能な半導体薄膜としてシリコン系半導体材料が広
く知られているが、その他の材料として酸化物半導体が注目されている。
るトランジスタを用いて、表示装置を作製する技術が開示されている(特許文献1及び特
許文献2参照)。
する技術が公開されている(特許文献3参照)。また、記憶装置だけでなく、演算装置等
も、酸化物半導体を有するトランジスタによって作製されてきている。
物半導体中の不純物及び酸素欠損によって、その電気特性が変動しやすく、信頼性が低い
という問題点が知られている。例えば、バイアス−熱ストレス試験(BT試験)前後にお
いて、トランジスタのしきい値電圧は変動してしまうことがある。
する。または、本発明の一態様は、微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供する
ことを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、生産性の高い半導体装置を提供す
ることを課題の一つとする。
ることを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、情報の書き込み速度が速い半導
体装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、設計自由度が高
い半導体装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、消費電力
を抑えることができる半導体装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の
一態様は、新規な半導体装置を提供することを課題の一つとする。
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、
図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
に重ねた構造を有する。別言すると、本発明の一態様は、チャネルが形成される層が、バ
ンドギャップの異なる薄膜層を交互に重ねた多層構造を有する。該多層構造は、超格子構
造のような構造でもよい。当該構造とすることで、高性能なトランジスタを実現できる。
より詳細には、以下の通りである。
、金属酸化物を有し、ゲート絶縁体は、ゲート電極と金属酸化物との間に位置し、ゲート
電極は、ゲート絶縁体を介して、金属酸化物と重なる領域を有し、第1の導電体および第
2の導電体は、金属酸化物の上面および側面と接する領域を有し、金属酸化物は、膜厚方
向に第1のバンドギャップを有する酸化物(酸化物層)と、第1のバンドギャップを有す
る酸化物に接する第2のバンドギャップを有する酸化物(酸化物層)と、が交互に重なる
積層構造を有し、金属酸化物は、第1のバンドギャップを有する酸化物を、2層以上を有
し、第1のバンドギャップは、第2のバンドギャップより小さく、ゲート電圧が0Vを保
持した状態において、第2のバンドギャップを有する酸化物の伝導帯下端とフェルミレベ
ルとの差は、第1のバンドギャップを有する酸化物の伝導帯下端とフェルミレベルとの差
より大きいトランジスタである。
絶縁体と、金属酸化物を有し、ゲート絶縁体は、ゲート電極と金属酸化物との間に位置し
、ゲート電極は、ゲート絶縁体を介して、金属酸化物と重なる領域を有し、第1の導電体
および第2の導電体は、金属酸化物の上面および側面と接する領域を有し、金属酸化物は
、膜厚方向に第1のバンドギャップを有する酸化物と、第1のバンドギャップを有する酸
化物に接する第2のバンドギャップを有する酸化物と、が交互に重なる積層構造を有し、
金属酸化物は、第1のバンドギャップを有する酸化物を、2層以上を有し、第1のバンド
ギャップは、第2のバンドギャップより小さく、ゲート電圧に正の電圧が印加された状態
において、第2のバンドギャップを有する酸化物の伝導帯下端は、第1のバンドギャップ
を有する酸化物の伝導帯下端よりエネルギーが低く、ゲート電圧に負の電圧が印加された
状態において、第2のバンドギャップを有する酸化物の伝導帯下端は、第1のバンドギャ
ップを有する酸化物の伝導帯下端よりエネルギーが高いトランジスタである。
10層以下を有すると好ましい。
絶縁体と、第1の金属酸化物と、第2の金属酸化物と、第3の金属酸化物を有し、ゲート
絶縁体は、ゲート電極と第1の金属酸化物との間に位置し、ゲート電極は、ゲート絶縁体
および第1の金属酸化物を介して、第2の金属酸化物と重なる領域を有し、第1の導電体
および第2の導電体は、第2の金属酸化物の上面および側面と接する領域を有し、第2の
金属酸化物は、第3の金属酸化物の上面と接する領域を有し、第2の金属酸化物は、膜厚
方向に第1のバンドギャップを有する酸化物と、第1のバンドギャップを有する酸化物に
接する第2のバンドギャップを有する酸化物と、が交互に重なる積層構造を有し、第2の
金属酸化物は、第1のバンドギャップを有する酸化物を、2層以上を有し、第1のバンド
ギャップは、第2のバンドギャップより小さく、ゲート電圧が0Vを保持した状態におい
て、第2のバンドギャップを有する酸化物の伝導帯下端とフェルミレベルとの差は、第1
のバンドギャップを有する酸化物の伝導帯下端とフェルミレベルとの差より大きいトラン
ジスタである。
絶縁体と、第1の金属酸化物と、第2の金属酸化物と、第3の金属酸化物を有し、ゲート
絶縁体は、ゲート電極と第1の金属酸化物との間に位置し、ゲート電極は、ゲート絶縁体
および第1の金属酸化物を介して、第2の金属酸化物と重なる領域を有し、第1の導電体
および第2の導電体は、第2の金属酸化物の上面および側面と接する領域を有し、第2の
金属酸化物は、第3の金属酸化物の上面と接する領域を有し、第2の金属酸化物は、膜厚
方向に第1のバンドギャップを有する酸化物と、第1のバンドギャップを有する酸化物に
接する第2のバンドギャップを有する酸化物と、が交互に重なる積層構造を有し、第2の
金属酸化物は、第1のバンドギャップを有する酸化物を、2層以上を有し、第1のバンド
ギャップは、第2のバンドギャップより小さく、第1の金属酸化物は、第1のバンドギャ
ップを有する酸化物よりバンドギャップが大きいトランジスタである。
成領域のチャネル幅方向において、第1の金属酸化物は、第2の金属酸化物を覆う様に配
されると好ましい。
を、3層以上10層以下を有すると好ましい。
のバンドギャップは、第2の金属酸化物のバンドギャップより大きいと好ましい。
り、第1のバンドギャップを有する酸化物は、n型であると好ましい。
以上10nm以下の領域を有すると好ましい。
以上2.0nm以下の領域を有すると好ましい。
以上10nm以下の領域を有すると好ましい。
以上3.0nm以下の領域を有すると好ましい。
合う距離は、10nm以上300nm以下であると好ましい。
ましい。
×1018cm−3以上5×1020cm−3以下であると好ましい。
ましい。
鉛の一方または双方を有すると好ましい。
鉛の一方または双方と、元素Mを有し、元素Mは、アルミニウム、ガリウム、シリコン、
ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニ
ウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタ
ル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一、または複数を含むと好ましい。
、及び上述の元素Mを有すると好ましい。
ップを有する酸化物より、元素Mが多いことが好ましい。
ップを有する酸化物より多くの水素を含むと好ましい。
19cm−3より大きいと好ましい。
発明の一態様により、微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供できる。または、
本発明の一態様により、生産性の高い半導体装置を提供できる。
供できる。または、本発明の一態様により、情報の書き込み速度が速い半導体装置を提供
できる。または、本発明の一態様により、設計自由度が高い半導体装置を提供できる。ま
たは、本発明の一態様により、消費電力を抑えることができる半導体装置を提供できる。
または、本発明の一態様により、新規な半導体装置を提供できる。
一態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書
、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項
などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
なる態様で実施することが可能であり、趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形
態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発
明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を
模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。また、図面にお
いて、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用
い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターン
を同じくし、特に符号を付さない場合がある。
であり、工程順又は積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第1の」を「第2
の」又は「第3の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記
載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない
場合がある。
置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関
係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明し
た語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
装置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶
装置は、半導体装置の一態様である。撮像装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、電
気光学装置、発電装置(薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む)、および電子機器は
、半導体装置を有する場合がある。
む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン(ドレイン端子、ドレイ
ン領域またはドレイン電極)とソース(ソース端子、ソース領域またはソース電極)の間
にチャネル形成領域を有しており、チャネル形成領域を介して、ソースとドレインとの間
に電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル形成領域と
は、電流が主として流れる領域をいう。
動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明
細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとす
る。
素の含有量が多いものであって、好ましくは酸素が55原子%以上65原子%以下、窒素
が1原子%以上20原子%以下、シリコンが25原子%以上35原子%以下、水素が0.
1原子%以上10原子%以下の濃度範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化シリコン
膜とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、好ましくは窒素
が55原子%以上65原子%以下、酸素が1原子%以上20原子%以下、シリコンが25
原子%以上35原子%以下、水素が0.1原子%以上10原子%以下の濃度範囲で含まれ
るものをいう。
替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変
更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」
という用語に変更することが可能な場合がある。
度で配置されている状態をいう。したがって、−5°以上5°以下の場合も含まれる。ま
た、「略平行」とは、二つの直線が−30°以上30°以下の角度で配置されている状態
をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されて
いる状態をいう。したがって、85°以上95°以下の場合も含まれる。また、「略垂直
」とは、二つの直線が60°以上120°以下の角度で配置されている状態をいう。
す。
場合は、XとYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている
場合と、XとYとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとす
る。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定され
ず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているもの
とする。
層、など)であるとする。
能とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダ
イオード、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYとの間に接続されていない場合で
あり、XとYとの電気的な接続を可能とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容
量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など)を介さず
に、XとYとが、接続されている場合である。
能とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダ
イオード、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYとの間に1個以上接続されること
が可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、ス
イッチは、導通状態(オン状態)、または、非導通状態(オフ状態)になり、電流を流す
か流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択
して切り替える機能を有している。なお、XとYとが電気的に接続されている場合は、X
とYとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
能とする回路(例えば、論理回路(インバータ、NAND回路、NOR回路など)、信号
変換回路(DA変換回路、AD変換回路、ガンマ補正回路など)、電位レベル変換回路(
電源回路(昇圧回路、降圧回路など)、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など
)、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路(信号振幅または電流量などを大きく出来
る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など)、信号生
成回路、記憶回路、制御回路など)が、XとYとの間に1個以上接続されることが可能で
ある。なお、一例として、XとYとの間に別の回路を挟んでいても、Xから出力された信
号がYへ伝達される場合は、XとYとは機能的に接続されているものとする。なお、Xと
Yとが機能的に接続されている場合は、XとYとが直接的に接続されている場合と、Xと
Yとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
とが電気的に接続されている場合(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟ん
で接続されている場合)と、XとYとが機能的に接続されている場合(つまり、XとYと
の間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合)と、XとYとが直接接続されてい
る場合(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合)
とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明
示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場
合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
介さず)、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、
Z2を介して(又は介さず)、Yと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソー
ス(又は第1の端子など)が、Z1の一部と直接的に接続され、Z1の別の一部がXと直
接的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z2の一部と直接
的に接続され、Z2の別の一部がYと直接的に接続されている場合では、以下のように表
現することが出来る。
2の端子など)とは、互いに電気的に接続されており、X、トランジスタのソース(又は
第1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yの順序で電気的
に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース(又は
第1の端子など)は、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子
など)はYと電気的に接続され、X、トランジスタのソース(又は第1の端子など)、ト
ランジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yは、この順序で電気的に接続されてい
る」と表現することができる。または、「Xは、トランジスタのソース(又は第1の端子
など)とドレイン(又は第2の端子など)とを介して、Yと電気的に接続され、X、トラ
ンジスタのソース(又は第1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子な
ど)、Yは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同
様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラ
ンジスタのソース(又は第1の端子など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区
別して、技術的範囲を決定することができる。
)は、少なくとも第1の接続経路を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の接続経路
は、第2の接続経路を有しておらず、前記第2の接続経路は、トランジスタを介した、ト
ランジスタのソース(又は第1の端子など)とトランジスタのドレイン(又は第2の端子
など)との間の経路であり、前記第1の接続経路は、Z1を介した経路であり、トランジ
スタのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の接続経路を介して、Yと電
気的に接続され、前記第3の接続経路は、前記第2の接続経路を有しておらず、前記第3
の接続経路は、Z2を介した経路である。」と表現することができる。または、「トラン
ジスタのソース(又は第1の端子など)は、少なくとも第1の接続経路によって、Z1を
介して、Xと電気的に接続され、前記第1の接続経路は、第2の接続経路を有しておらず
、前記第2の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイ
ン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の接続経路によって、Z2を介して、Yと
電気的に接続され、前記第3の接続経路は、前記第2の接続経路を有していない。」と表
現することができる。または、「トランジスタのソース(又は第1の端子など)は、少な
くとも第1の電気的パスによって、Z1を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の電
気的パスは、第2の電気的パスを有しておらず、前記第2の電気的パスは、トランジスタ
のソース(又は第1の端子など)からトランジスタのドレイン(又は第2の端子など)へ
の電気的パスであり、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第
3の電気的パスによって、Z2を介して、Yと電気的に接続され、前記第3の電気的パス
は、第4の電気的パスを有しておらず、前記第4の電気的パスは、トランジスタのドレイ
ン(又は第2の端子など)からトランジスタのソース(又は第1の端子など)への電気的
パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構
成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース(又は第1の端
子など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区別して、技術的範囲を決定するこ
とができる。
X、Y、Z1、Z2は、対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜
、層、など)であるとする。
いる場合であっても、1つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も
ある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、お
よび電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書におけ
る電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持ってい
る場合も、その範疇に含める。
る機能を有する膜のことであり、該バリア膜に導電性を有する場合は、導電性バリア膜と
呼ぶことがある。
の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体(透明酸化物導電体を含む
)、酸化物半導体(Oxide Semiconductorまたは単にOSともいう)
などに分類される。例えば、トランジスタの活性層に金属酸化物を用いた場合、当該金属
酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用
、及びスイッチング作用の少なくとも1つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物
半導体(metal oxide semiconductor)、略してOSと呼ぶこ
とができる。また、OS FETと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半
導体を有するトランジスタと換言することができる。
l)、及びCAC(cloud−aligned composite)と記載する場合
がある。なお、CAACは結晶構造の一例を表し、CACは機能、または材料の構成の一
例を表す。
(matrix composite)、または金属マトリックス複合材(metal
matrix composite)と称する場合もある。従って、CAC−OSを、C
loud−Aligned Composite−OSと称してもよい。
材料の一部では導電体の機能と、材料の一部では誘電体(または絶縁体)の機能とを有し
、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、CAC−OSまたはCAC−me
tal oxideを、トランジスタの半導体層に用いる場合、導電体の領域は、キャリ
アとなる電子(またはホール)を流す機能を有し、誘電体の領域は、キャリアとなる電子
を流さない機能を有する。導電体としての機能と、誘電体としての機能とを、それぞれ相
補的に作用させることで、スイッチングさせる機能(On/Offさせる機能)をCAC
−OSまたはCAC−metal oxideに付与することができる。CAC−OSま
たはCAC−metal oxideにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双
方の機能を最大限に高めることができる。
導電体領域、及び誘電体領域を有する。導電体領域は、上述の導電体の機能を有し、誘電
体領域は、上述の誘電体の機能を有する。また、材料中において、導電体領域と、誘電体
領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電体領域と、誘電体領域
とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電体領域は、周辺がぼけてクラウ
ド状に連結して観察される場合がある。
材(matrix composite)、または金属マトリックス複合材(metal
matrix composite)と呼称することもできる。
誘電体領域とは、それぞれ0.5nm以上10nm以下、好ましくは0.5nm以上3n
m以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
<トランジスタの構成1>
図1(A)は、本発明の一態様であるトランジスタの上面図である。また、図1(B)
は、図1(A)にA3−A4の一点鎖線で示す部位の断面図である。つまりトランジスタ
のチャネル形成領域におけるチャネル幅方向の断面図を示す。図1(C)は、図1(A)
にA1−A2の一点鎖線で示す部位の断面図である。つまりトランジスタのチャネル長方
向の断面図を示す。図1(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図
示している。
、絶縁体401a上の絶縁体401b上に配置される。また、トランジスタは、絶縁体4
01b上の導電体310および絶縁体301と、導電体310上および絶縁体301上の
絶縁体302と、絶縁体302上の絶縁体303と、絶縁体303上の絶縁体402と、
絶縁体402上の酸化物406aと、酸化物406a上の酸化物406bと、酸化物40
6bの上面および側面と接する領域を有する導電体416a1および導電体416a2と
、導電体416a1の側面、導電体416a2の側面および酸化物406bの上面と接す
る領域を有する酸化物406cと、酸化物406c上の絶縁体412と、酸化物406c
と絶縁体412を介して互いに重なる領域を有する導電体404と、を有する。また、絶
縁体301が開口部を有していて、開口部内に導電体310が配置される。
よび絶縁体410が、トランジスタ上に設けられる。
ことができる。
、導電体404は、酸素の透過を抑制する機能を有する導電体と積層構造とすることがで
きる。例えば酸素の透過を抑制する機能を有する導電体を下層に成膜することで導電体4
04の酸化による電気抵抗値の増加を防ぐことができる。絶縁体412は第1のゲート絶
縁体としての機能を有する。
しての機能を有する。また、導電体416a1および導電体416a2は、酸素の透過を
抑制する機能を有する導電体と積層構造とすることができる。例えば酸素の透過を抑制す
る機能を有する導電体を上層に成膜することで導電体416a1および導電体416a2
の酸化による電気抵抗値の増加を防ぐことができる。なお、導電体の電気抵抗値の測定は
、2端子法などを用いて測定することができる。
酸素の透過を抑制する機能を有する。バリア膜417a1は、導電体416a1上にあっ
て、導電体416a1への酸素の拡散を防止する。バリア膜417a2は、導電体416
a2上にあって、導電体416a2への酸素の拡散を防止する。
線で囲まれた部分100bを拡大した断面図を図3(A)に示す。また、図1(C)中の
一点鎖線で囲まれた部分100aを拡大した断面図を図3(B)に示す。尚、図3(A)
はトランジスタのチャネル幅方向の断面図、図3(B)は、トランジスタのチャネル長方
向の断面図である。尚、図3では一部の構成を省略して示す。
と、第2のバンドギャップを有する酸化物406bwと、を交互に積層する構造を有して
いる。第1のバンドギャップは、第2のバンドギャップよりも小さく、第1のバンドギャ
ップと第2のバンドギャップの差は、0.1eV以上2.5eV以下、または0.3eV
以上1.3eV以下とする。また、第1のバンドギャップを有する酸化物406bnが有
するキャリア密度は、第2のバンドギャップを有する酸化物406bwが有するキャリア
密度よりも大きい。また、第2のバンドギャップを有する酸化物406bwにおける伝導
帯下端とフェルミ準位の差は、第1のバンドギャップを有する酸化物406bnにおける
伝導帯下端とフェルミ準位の差より大きい。
化物406bn_1の上面に接するように酸化物406bw_1が配される。同様に、第
1のバンドギャップを有する酸化物406bn_2、第2のバンドギャップを有する酸化
物406bw_2が順に積層され、酸化物406bの最上部は第1のバンドギャップを有
する酸化物406bn_nが配される。つまり酸化物406bは、2×n−1層(nは自
然数)の積層構造を有する。また、酸化物406bの最上部は第2のバンドギャップを有
する酸化物406bw_nが配される構成としても良い。この場合の酸化物406bは、
2×n層の積層構造を有する(図4参照。)。nは2以上、好ましくは3以上10以下と
する。
以下、好ましくは0.5nm以上2.0nm以下である。また、第2のバンドギャップを
有する酸化物406bwの膜厚は、0.1nm以上5.0nm以下、好ましくは0.1n
m以上3.0nm以下である。
に配される。さらに、第1のゲート電極としての機能を有する導電体404は、第1のゲ
ート絶縁体としての機能を有する絶縁体412を介して酸化物406bの全体を覆うよう
に配される。
ランジスタのチャネル長は、10nm以上300nm以下であるものとする、代表的には
20nm以上180nm以下であるものとする。また、第1のゲート電極としての機能を
有する導電体404の幅は、10nm以上300nm以下であるものとする。代表的には
20nm以上180nm以下であるものとする。
は、元素M(元素Mは、Al、Ga、Si、B、Y、Ti、Fe、Ni、Ge、Zr、M
o、La、Ce、Nd、Hf、Ta、W、Mg、V、Be、またはCuのいずれか一つ、
または複数)を含む酸化物であり、例えば、酸化ガリウム、酸化ホウ素などを用いること
ができる。
を含むことが好ましい。また、窒素が含まれる構成としてもよい。例えば、インジウム酸
化物、インジウム亜鉛酸化物、窒素を含むインジウム亜鉛酸化物、インジウム亜鉛窒化物
、窒素を含むインジウムガリウム亜鉛酸化物などを用いることができる。
ジウムガリウム亜鉛酸化物または、元素M(元素Mは、Al、Ga、Si、B、Y、Ti
、Fe、Ni、Ge、Zr、Mo、La、Ce、Nd、Hf、Ta、W、Mg、V、Be
、またはCuのいずれか一つ、または複数)を含むことが好ましい。例えば、酸化ガリウ
ム、酸化ホウ素などを用いることができる。
によって、酸化物406bの抵抗を制御することができる。即ち、導電体404に印加す
る電位によって、ソース電極またはドレイン電極としての機能を有する導電体416a1
と導電体416a2との間の導通(トランジスタがオン状態)・非導通(トランジスタが
オフ状態)を制御することができる。
nと、ソース電極またはドレイン電極としての機能を有する導電体416a1と導電体4
16a2とは、酸化物406bn_nの上面の一部および側面の一部または酸化物406
bw_nの上面の一部および側面の一部において接している。酸化物406bn_nまた
は酸化物406bw_n以外の各層は、該各層の側面の一部において、導電体416a1
および導電体416a2と接している。従って、ソース電極またはドレイン電極としての
機能を有する導電体416a1と導電体416a2と酸化物406bの各層とは、電気的
に接続されている。
6bnと、第2のバンドギャップを有する酸化物406bwとが、交互に積層されている
構造の、トランジスタのオン状態について説明する。
化物406bwとが、交互に積層された構造におけるバンド図を示す。伝導帯下端部(以
下、Ec端と表記する)、価電子帯上端部(以下、Ev端と表記する)およびフェルミ準
位(以下、Efと表記する)近傍のバンド図を図13および図14に示す。図13は、酸
化物406cのバンドギャップが第1のバンドギャップより大きく、第2のバンドギャッ
プより小さい一例を示す。図14は、酸化物406cのバンドギャップが第1のバンドギ
ャップおよび第2のバンドギャップより大きい一例を示す。
Ev端のエネルギー準位の測定について説明する。図12に本発明の一態様のトランジス
タに用いる酸化物のエネルギーバンドの一例を示す。図12に示すように、真空準位と価
電子帯上端のエネルギーとの差であるイオン化ポテンシャルIpおよびバンドギャップE
gからEc端のエネルギー準位およびEv端のエネルギー準位を求めることができる。バ
ンドギャップEgは、分光エリプソメータ(HORIBA JOBIN YVON社 U
T−300)を用いて測定できる。また、イオン化ポテンシャルIpは、紫外線光電子分
光分析(UPS:Ultraviolet Photoelectron Spectr
oscopy)装置(PHI社 VersaProbe)を用いて測定できる。
のバンドギャップを有する酸化物406bwよりバンドギャップが相対的に狭いので、第
1のバンドギャップを有する酸化物406bnのEc端のエネルギー準位は、第2のバン
ドギャップを有する酸化物406bwのEc端のエネルギー準位よりも相対的に低い位置
に存在する。また、第2のバンドギャップを有する酸化物406bwは、Ec端のエネル
ギー準位とEfのエネルギー準位の差が、第1のバンドギャップを有する酸化物406b
nより大きい。また、酸化物406cのバンドギャップは第1のバンドギャップより大き
く、第2のバンドギャップより小さいので、酸化物406cのEc端のエネルギー準位は
、第1のバンドギャップを有する酸化物406bnのEc端のエネルギー準位と第2のバ
ンドギャップを有する酸化物406bwのEc端のエネルギー準位との間に存在する。ま
た、図14(A)は、酸化物406cのバンドギャップが第1のバンドギャップおよび第
2のバンドギャップより大きいので、酸化物406cのEc端のエネルギー準位は、第2
のバンドギャップを有する酸化物406bwのEc端のエネルギー準位より相対的に高い
位置に存在する。
ギャップを有する酸化物406bwとの接合部は、酸化物の凝集形態や組成に揺らぎが生
じていること、または、第2のバンドギャップを有する酸化物406bwの一部が、第1
のバンドギャップを有する酸化物406bn中に含まれることがあるので、Ec端のエネ
ルギー準位およびEv端のエネルギー準位はそれぞれ不連続ではなく図13(B)および
図14(B)のように連続的に変化している。
を有する酸化物406bnと第2のバンドギャップを有する酸化物406bwとが電気的
に相互作用を及ぼすため、トランジスタをオン状態にする電位が第1のゲート電極の機能
を有する導電体404に印加されるとEc端のエネルギー準位が低い第1のバンドギャッ
プを有する酸化物406bnが主な伝導経路となり電子が流れると同時に、第2のバンド
ギャップを有する酸化物406bwにも電子が流れる。これは、第2のバンドギャップを
有する酸化物406bwのEc端のエネルギー準位が、第1のバンドギャップを有する酸
化物406bnのEc端のエネルギー準位よりも大きく下方に下がるためである。よって
、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流および高い電
界効果移動度を得ることができる。
化物を主成分とした移動度の高い金属酸化物を用いることが好ましい。キャリア密度は、
6×1018cm−3以上5×1020cm−3以下とする。また、酸化物406bnは
縮退していてもよい。
リウム亜鉛酸化物などを含む酸化物を用いることが好ましい。
とで、第2のバンドギャップを有する酸化物406bwは、誘電体(絶縁性を有する酸化
物)として振る舞うので、酸化物406bw中の伝導経路は遮断される。また、第1のバ
ンドギャップを有する酸化物406bnは、上下に第2のバンドギャップを有する酸化物
406bwが接している。第2のバンドギャップを有する酸化物406bwは、自らに加
えて第1のバンドギャップを有する酸化物406bnへ電気的に相互作用を及ぼし、第1
のバンドギャップを有する酸化物406bn中の伝導経路すらも遮断する。これは、第2
のバンドギャップを有する酸化物406bwのEc端のエネルギー準位が、第1のバンド
ギャップを有する酸化物406bnのEc端のエネルギー準位よりも大きく上方に上がる
ためである。また、これで酸化物406b全体が非導通状態となり、トランジスタはオフ
状態となる。
び導電体416a2と接する領域を有する。また、図3(A)に示すように、酸化物40
6cは、酸化物406bの全体を覆うように配される。さらに、第1のゲート電極の機能
を有する導電体404は、第1のゲート絶縁体の機能を有する絶縁体412を介して酸化
物406bの全体を覆うように配される。従って、第1のゲート電極としての機能を有す
る導電体404の電界によって、酸化物406b全体を電気的に取り囲むことができる。
第1のゲート電極の電界によって、チャネル形成領域を電気的に取り囲むトランジスタの
構造を、surrounded channel(s−channel)構造とよぶ。そ
のため、酸化物406bの第1のバンドギャップを有する酸化物406bn全体にチャネ
ルを形成することができるので、上述の構造により、ソース−ドレイン間に大電流を流す
ことができ、導通時の電流(オン電流)を大きくすることができる。また、酸化物406
bの第2のバンドギャップを有する酸化物406bw全体が、導電体404の電界によっ
て取り囲まれていることから、上述の構造により非導通時の電流(オフ電流)を小さくす
ることができる。
ス電極またはドレイン電極としての機能を有する導電体416a1および導電体416a
2と、は重なる領域を有することで、導電体404と、導電体416a1と、で形成され
る寄生容量および、導電体404と、導電体416a2と、で形成される寄生容量を有す
る。
2、酸化物406cに加えて、バリア膜417a1を有していることで、該寄生容量を小
さくすることができる。同様に、導電体404と、導電体416a2と、の間には、絶縁
体412、酸化物406cに加えて、バリア膜417a2を有していることで、該寄生容
量を小さくすることができる。よって、トランジスタは、周波数特性に優れたトランジス
タとなる。
体404と、導電体416a1または導電体416a2との間に電位差が生じた時に、導
電体404と、導電体416a1または導電体416a2と、の間のリーク電流を低減ま
たは防止することができる。
は、酸素の透過を抑制する機能を有する導電体を含む多層膜とすることもできる。酸素の
透過を抑制する機能を有する導電体を含む多層膜とすることで導電体310の酸化による
導電率の低下を防ぐことができる。
有する。導電体310へ印加する電位によって、トランジスタのしきい値電圧を制御する
ことができる。
基板400としては、例えば、絶縁体基板、半導体基板または導電体基板を用いればよ
い。絶縁体基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、安定化ジル
コニア基板(イットリア安定化ジルコニア基板など)、樹脂基板などがある。また、半導
体基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウムなどの単体半導体基板、または炭化シ
リコン、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、酸化亜鉛、酸化ガリ
ウムからなる化合物半導体基板などがある。さらには、前述の半導体基板内部に絶縁体領
域を有する半導体基板、例えばSOI(Silicon On Insulator)基
板などがある。導電体基板としては、黒鉛基板、金属基板、合金基板、導電性樹脂基板な
どがある。または、金属の窒化物を有する基板、金属の酸化物を有する基板などがある。
さらには、絶縁体基板に導電体または半導体が設けられた基板、半導体基板に導電体また
は絶縁体が設けられた基板、導電体基板に半導体または絶縁体が設けられた基板などがあ
る。または、これらの基板に素子が設けられたものを用いてもよい。基板に設けられる素
子としては、容量素子、抵抗素子、スイッチ素子、発光素子、記憶素子などがある。
ンジスタを設ける方法としては、非可とう性の基板上にトランジスタを作製した後、トラ
ンジスタを剥離し、可とう性基板である基板400に転置する方法もある。その場合には
、非可とう性基板とトランジスタとの間に剥離層を設けるとよい。なお、基板400とし
て、繊維を編みこんだシート、フィルムまたは箔などを用いてもよい。また、基板400
が伸縮性を有してもよい。また、基板400は、折り曲げや引っ張りをやめた際に、元の
形状に戻る性質を有してもよい。または、元の形状に戻らない性質を有してもよい。基板
400は、例えば、5μm以上700μm以下、好ましくは10μm以上500μm以下
、さらに好ましくは15μm以上300μm以下の厚さとなる領域を有する。基板400
を薄くすると、トランジスタを有する半導体装置を軽量化することができる。また、基板
400を薄くすることで、ガラスなどを用いた場合にも伸縮性を有する場合や、折り曲げ
や引っ張りをやめた際に、元の形状に戻る性質を有する場合がある。そのため、落下など
によって基板400上の半導体装置に加わる衝撃などを緩和することができる。即ち、丈
夫な半導体装置を提供することができる。
またはそれらの繊維などを用いることができる。可とう性基板である基板400は、線膨
張率が低いほど環境による変形が抑制されて好ましい。可とう性基板である基板400と
しては、例えば、線膨張率が1×10−3/K以下、5×10−5/K以下、または1×
10−5/K以下である材質を用いればよい。樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポ
リオレフィン、ポリアミド(ナイロン、アラミドなど)、ポリイミド、ポリカーボネート
、アクリルなどがある。特に、アラミドは、線膨張率が低いため、可とう性基板である基
板400として好適である。
なお、トランジスタを、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶
縁体で囲うことによって、トランジスタの電気特性を安定にすることができる。例えば絶
縁体401a、絶縁体401b、絶縁体408aおよび絶縁体408bとして、水素など
の不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体を用いればよい。
ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩
素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオ
ジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層で、または積層で用いればよい。
bとしては、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、
酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムま
たは酸化タンタルなどの金属酸化物、窒化酸化シリコンまたは窒化シリコンなどを用いれ
ばよい。なお、絶縁体401a、絶縁体401b、絶縁体408aおよび絶縁体408b
は、酸化アルミニウムを有することが好ましい。
る絶縁体412へ酸素を添加することができる。添加された酸素は絶縁体412で過剰酸
素となり、加熱処理などを行うことで、該過剰酸素は絶縁体412を通り、酸化物406
a、酸化物406bおよび酸化物406cへ添加されることによって、酸化物406a中
、酸化物406b中および酸化物406c中の酸素欠陥を修復することができる。
ニウムを有することで、酸化物406a、酸化物406bおよび酸化物406cに水素な
どの不純物が混入することを抑制することができる。また、例えば、絶縁体401a、絶
縁体401b、絶縁体408aおよび絶縁体408bが酸化アルミニウムを有することで
、上述の酸化物406a、酸化物406bおよび酸化物406cへ添加された過剰酸素の
外方拡散を低減することができる。
は、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコ
ン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ラ
ンタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層で、または積層で用
いればよい。例えば、絶縁体301、絶縁体302、絶縁体303、絶縁体402および
絶縁体412としては、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを有することが好ましい。
い絶縁体を有することが好ましい。例えば、絶縁体302、絶縁体303、絶縁体402
および絶縁体412は、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウム
を有する酸化物、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化窒化物、シリコンおよびハ
フニウムを有する酸化物、またはシリコンおよびハフニウムを有する酸化窒化物などを有
することが好ましい。または、絶縁体302、絶縁体303、絶縁体402および絶縁体
412は、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンと、比誘電率の高い絶縁体と、の積層構
造を有することが好ましい。酸化シリコンおよび酸化窒化シリコンは、熱的に安定である
ため、比誘電率の高い絶縁体と組み合わせることで、熱的に安定かつ比誘電率の高い積層
構造とすることができる。例えば、酸化アルミニウム、酸化ガリウムまたは酸化ハフニウ
ムを酸化物406c側に有することで、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンに含まれる
シリコンが、酸化物406bに混入することを抑制することができる。また、例えば、酸
化シリコンまたは酸化窒化シリコンを酸化物406c側に有することで、酸化アルミニウ
ム、酸化ガリウムまたは酸化ハフニウムと、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンと、の
界面にトラップセンターが形成される場合がある。該トラップセンターは、電子を捕獲す
ることでトランジスタのしきい値電圧をプラス方向に変動させることができる場合がある
。
0は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添
加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリ
コン、空孔を有する酸化シリコンまたは樹脂などを有することが好ましい。または、絶縁
体410は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ
素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸
化シリコンまたは空孔を有する酸化シリコンと、樹脂と、の積層構造を有することが好ま
しい。酸化シリコンおよび酸化窒化シリコンは、熱的に安定であるため、樹脂と組み合わ
せることで、熱的に安定かつ比誘電率の低い積層構造とすることができる。樹脂としては
、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド(ナイロン、アラミドなど)、ポ
リイミド、ポリカーボネートまたはアクリルなどがある。
の透過を抑制する機能を有する絶縁体を用いればよい。バリア膜417a1およびバリア
膜417a2によって、絶縁体410中の過剰酸素が、導電体416a1および導電体4
16a2への拡散することを防止することができる。
酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニ
ウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムまたは酸化タンタルなどの金属酸化
物、窒化酸化シリコンまたは窒化シリコンなどを用いればよい。なお、バリア膜417a
1およびバリア膜417a2は、酸化アルミニウムを有することが好ましい。
導電体404、導電体310、導電体416a1、導電体416a2としては、アルミ
ニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タング
ステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベ
リリウム、インジウムなどから選ばれた金属元素を1種以上含む材料を用いることができ
る。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が
高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。
金属元素および窒素を含む導電性材料を用いてもよい。例えば、窒化チタン、窒化タンタ
ルなどの窒素を含む導電性材料を用いてもよい。また、インジウム錫酸化物(ITO:I
ndium Tin Oxide)、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タ
ングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタ
ンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、シリコンを添加したインジウム錫
酸化物を用いてもよい。また、窒素を含むインジウムガリウム亜鉛酸化物を用いてもよい
。
金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層構造としてもよい
。また、前述した金属元素を含む材料と、窒素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層
構造としてもよい。また、前述した金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料と、窒
素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層構造としてもよい。
述した金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層構造を用い
ることが好ましい。この場合は、酸素を含む導電性材料をチャネル形成領域側に設けると
よい。酸素を含む導電性材料をチャネル形成領域側に設けることで、当該導電性材料から
離脱した酸素がチャネル形成領域に供給されやすくなる。
図1に示すトランジスタと異なる構成のトランジスタを図2に示す。図2(A)は、本
発明の一態様であるトランジスタの上面図である。また、図2(B)は、図2(A)にA
3−A4の一点鎖線で示す部位の断面図である。つまりトランジスタのチャネル形成領域
におけるチャネル幅方向の断面図を示す。図2(C)は、図2(A)にA1−A2の一点
鎖線で示す部位の断面図である。つまりトランジスタのチャネル長方向の断面図を示す。
図2(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
物406cを有さない点が異なる。図2(B)および(C)において、トランジスタは、
基板400上の絶縁体401aと絶縁体401a上の絶縁体401b上に配置される。ま
た、トランジスタは、絶縁体401b上の導電体310および絶縁体301と、導電体3
10上および絶縁体301上の絶縁体302と、絶縁体302上の絶縁体303と、絶縁
体303上の絶縁体402と、絶縁体402上の酸化物406bと、酸化物406bの上
面および側面と接する領域を有する導電体416a1および導電体416a2と、導電体
416a1の側面、導電体416a2の側面および酸化物406bの上面と接する領域を
有する絶縁体412と、絶縁体412を介して酸化物406bと互いに重なる領域を有す
る導電体404と、を有する。また、絶縁体301が開口部を有していて、開口部内に導
電体310が配置される。
よび絶縁体410が、トランジスタ上に設けられる。
、導電体404は、酸素の透過を抑制する機能を有する導電体と積層構造とすることがで
きる。例えば酸素の透過を抑制する機能を有する導電体を下層に成膜することで導電体4
04の酸化による電気抵抗値の増加を防ぐことができる。絶縁体412は第1のゲート絶
縁体としての機能を有する。
しての機能を有する。また、導電体416a1および導電体416a2は、酸素の透過を
抑制する機能を有する導電体と積層構造とすることができる。例えば酸素の透過を抑制す
る機能を有する導電体を上層に成膜することで導電体416a1および導電体416a2
の酸化による電気抵抗値の増加を防ぐことができる。なお、導電体の電気抵抗値の測定は
、2端子法などを用いて測定することができる。
酸素の透過を抑制する機能を有する。バリア膜417a1は、導電体416a1上にあっ
て、導電体416a1への酸素の拡散を防止する。バリア膜417a2は、導電体416
a2上にあって、導電体416a2への酸素の拡散を防止する。
線で囲まれた部分100bを拡大した断面図を図5(A)に示す。また、図2(C)中の
一点鎖線で囲まれた部分100aを拡大した断面図を図5(B)に示す。尚、図5(A)
はトランジスタのチャネル幅方向の断面図、図5(B)は、トランジスタのチャネル長方
向の断面図である。尚、図5では一部の構成を省略して示す。
と、第2のバンドギャップを有する酸化物406bwと、を交互に積層する構造を有して
いる。第1のバンドギャップは、第2のバンドギャップよりも小さく、第1のバンドギャ
ップと第2のバンドギャップの差は、0.1eV以上3.5eV以下、または0.3eV
以上1.3eV以下とする。また、第1のバンドギャップを有する酸化物406bnが有
するキャリア密度は、第2のバンドギャップを有する酸化物406bwが有するキャリア
密度よりも大きい。
物406bw_1の上面に接するように酸化物406bn_1が配される。同様に、第2
のバンドギャップを有する酸化物406bw_2、第1のバンドギャップを有する酸化物
406bn_2が順に積層され、酸化物406bの最上部は第2のバンドギャップを有す
る酸化物406bw_nが配される。つまり酸化物406bは、2×n−1層(nは自然
数)の積層構造を有する。また、酸化物406bの最上部は第1のバンドギャップを有す
る酸化物406bn_nが配される構成としても良い。この場合の酸化物406bは、2
×n層の積層構造を有する。nは2以上、好ましくは3以上10以下とする。
以下、好ましくは0.5nm以上2.0nm以下である。また、第2のバンドギャップを
有する酸化物406bwの膜厚は、0.1nm以上5.0nm以下である、好ましくは0
.1nm以上3.0nm以下である。
は、第1のゲート絶縁体としての機能を有する絶縁体412を介して酸化物406bの全
体を覆うように配される。
ランジスタのチャネル長は、10nm以上300nm以下であるるものとする、代表的に
は20nm以上180nm以下であるものとする。また、第1のゲート電極としての機能
を有する導電体404の幅は、10nm以上300nm以下であるものとする。代表的に
は20nm以上180nm以下である。
を含むことが好ましい。また、窒素が含まれる構成としてもよい。例えば、インジウム酸
化物、インジウム亜鉛酸化物、窒素を含むインジウム亜鉛酸化物、インジウム亜鉛窒化物
、窒素を含むインジウムガリウム亜鉛酸化物などを用いることができる。
ジウムガリウム亜鉛酸化物または、元素M(元素Mは、Al、Ga、Si、B、Y、Ti
、Fe、Ni、Ge、Zr、Mo、La、Ce、Nd、Hf、Ta、W、Mg、V、Be
、またはCuのいずれか一つ、または複数)を含むことが好ましい。例えば、酸化ガリウ
ム、酸化ホウ素などを用いることができる。
によって、酸化物406bの抵抗を制御することができる。即ち、導電体404に印加す
る電位によって、ソース電極またはドレイン電極としての機能を有する導電体416a1
と導電体416a2との間の導通(トランジスタがオン状態)・非導通(トランジスタが
オフ状態)を制御することができる。
nと、ソース電極またはドレイン電極としての機能を有する導電体416a1と導電体4
16a2とは、酸化物406bw_nの上面の一部および側面の一部または酸化物406
bn_nの上面の一部および側面の一部と接している。酸化物406bw_nまたは酸化
物406bn_n以外の各層は、該各層の側面の一部において、導電体416a1および
導電体416a2と接している。従って、ソース電極またはドレイン電極としての機能を
有する導電体416a1と導電体416a2と酸化物406bの各層とは、電気的に接続
されている。
6bnと、第2のバンドギャップを有する酸化物406bwとが、交互に積層されている
構造の、トランジスタのオン状態について説明する。
化物406bwとが、交互に積層された構造におけるバンド図を示す。Ec端、Ev端お
よびEf近傍のバンド図を図15および図16に示す。図15は、酸化物406bの最上
部に第2のバンドギャップを有する酸化物406bw_nが配される場合のバンド図であ
る。また、図16は、酸化物406bの最上部に第1のバンドギャップを有する酸化物4
06bn_nが配される場合のバンド図である。
のバンドギャップを有する酸化物406bwよりバンドギャップが相対的に狭いので、第
1のバンドギャップを有する酸化物406bnのEc端のエネルギー準位は、第2のバン
ドギャップを有する酸化物406bwのEc端のエネルギー準位よりも相対的に低い位置
に存在する。また、第2のバンドギャップを有する酸化物406bwは、Ec端のエネル
ギー準位とEfのエネルギー準位の差は、第1のバンドギャップを有する酸化物406b
nのEc端のエネルギー準位とEfのエネルギー準位の差より大きい。
ギャップを有する酸化物406bwとの接合部は、酸化物の凝集形態や組成に揺らぎが生
じていること、または、第2のバンドギャップを有する酸化物406bwの一部が、第1
のバンドギャップを有する酸化物406bn中に含まれることがあるので、Ec端のエネ
ルギー準位及びEv端のエネルギー準位はそれぞれ不連続ではなく図15(B)および図
16(B)のように連続的に変化している。
を有する酸化物406bnと第2のバンドギャップを有する酸化物406bwとが電気的
に相互作用を及ぼすため、トランジスタをオン状態にする電位が第1のゲート電極の機能
を有する導電体404に印加されるとEc端のエネルギー準位の低い第1のバンドギャッ
プを有する酸化物406bnが主な伝導経路となり電子が流れると同時に、第2のバンド
ギャップを有する酸化物406bwにも電子が流れる。これは、第2のバンドギャップを
有する酸化物406bwのEc端のエネルギー準位が、第1のバンドギャップを有する酸
化物406bnのEc端のエネルギー準位よりも大きく下方に下がるためである。よって
、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流および高い電
界効果移動度を得ることができる。
化物を主成分とした移動度の高い金属酸化物を用いることが好ましい。キャリア密度は、
6×1018cm−3以上5×1020cm−3以下とする。また、酸化物406bnは
縮退していてもよい。
リウム亜鉛酸化物などを含む酸化物を用いることが好ましい。
とで、第2のバンドギャップを有する酸化物406bwは、誘電体(絶縁性を有する酸化
物)として振る舞うので、酸化物406bw中の伝導経路は遮断される。また、第1のバ
ンドギャップを有する酸化物406bnは、上下に第2のバンドギャップを有する酸化物
406bwが接している。第2のバンドギャップを有する酸化物406bwは、自らに加
えて第1のバンドギャップを有する酸化物406bnへ電気的に相互作用を及ぼし、第1
のバンドギャップを有する酸化物406bn中の伝導経路すらも遮断する。これは、第2
のバンドギャップを有する酸化物406bwのEc端のエネルギー準位が、第1のバンド
ギャップを有する酸化物406bnのEc端のエネルギー準位よりも大きく上方に上がる
ためである。これで酸化物406b全体が非導通状態となり、トランジスタはオフ状態と
なる。
び導電体416a2と接する領域を有する。また、図5(A)に示すように、第1のゲー
ト電極の機能を有する導電体404は、第1のゲート絶縁体の機能を有する絶縁体412
を介して酸化物406bの全体を覆うように配される。従って、第1のゲート電極として
の機能を有する導電体404の電界によって、酸化物406b全体を電気的に取り囲むこ
とができる。第1のゲート電極の電界によって、チャネル形成領域を電気的に取り囲むト
ランジスタの構造を、surrounded channel(s−channel)構
造とよぶ。そのため、酸化物406bの第1のバンドギャップを有する酸化物406bn
全体にチャネルを形成することができるので、上述の構造により、ソース−ドレイン間に
大電流を流すことができ、導通時の電流(オン電流)を大きくすることができる。また、
酸化物406bの第2のバンドギャップを有する酸化物406bw全体が、導電体404
の電界によって取り囲まれていることから、上述の構造により非導通時の電流(オフ電流
)を小さくすることができる。
図1に示すトランジスタと異なる構成のトランジスタを図6に示す。図6(A)はトラ
ンジスタの上面図である。また、図6(B)は、図6(A)にA3−A4の一点鎖線で示
す部位の断面図である。つまりトランジスタのチャネル形成領域におけるチャネル幅方向
の断面図を示す。図6(C)は、図6(A)にA1−A2の一点鎖線で示す部位の断面図
である。つまりトランジスタのチャネル長方向の断面図を示す。図6(A)の上面図では
、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
ート電極の構造が異なる。図6(B)および(C)において、トランジスタは、基板40
0上の絶縁体401aと、絶縁体401a上の絶縁体401b上に配置される。また、ト
ランジスタは、絶縁体401b上の導電体310および絶縁体301と、導電体310上
および絶縁体301上の絶縁体302と、絶縁体302上の絶縁体303と、絶縁体30
3上の絶縁体402と、絶縁体402上の酸化物406aと、酸化物406a上の酸化物
406bと、酸化物406bの上面および側面と接する領域を有する導電体416a1お
よび導電体416a2と、導電体416a1の側面、導電体416a2の側面および酸化
物406bの上面と接する領域を有する酸化物406cと、酸化物406c上の絶縁体4
12と、酸化物406cと絶縁体412を介して互いに重なる領域を有する導電体404
と、を有する。絶縁体410は開口部を有していて、該開口部の側面と酸化物406cお
よび絶縁体412を介して導電体404と重なる領域を有する。また、絶縁体301は開
口部を有していて、開口部内に導電体310が配置される。
リア膜417a2が設けられる。また、絶縁体410上、導電体404上、酸化物406
c上および絶縁体412上に絶縁体408aおよび絶縁体408bが順に設けられる。
、導電体404は、酸素の透過を抑制する機能を有する導電体と積層構造とすることがで
きる。例えば酸素の透過を抑制する機能を有する導電体を下層に成膜することで導電体4
04の酸化による電気抵抗値の増加を防ぐことができる。絶縁体412は第1のゲート絶
縁体としての機能を有する。
しての機能を有する。また、導電体416a1および導電体416a2は、酸素の透過を
抑制する機能を有する導電体と積層構造とすることができる。例えば酸素の透過を抑制す
る機能を有する導電体を上層に成膜することで導電体416a1および導電体416a2
の酸化による電気抵抗値の増加を防ぐことができる。なお、導電体の電気抵抗値の測定は
、2端子法などを用いて測定することができる。
酸素の透過を抑制する機能を有する。バリア膜417a1は、導電体416a1上にあっ
て、導電体416a1への酸素の拡散を防止する。バリア膜417a2は、導電体416
a2上にあって、導電体416a2への酸素の拡散を防止する。
される開口部を埋めるように自己整合(self align)的に形成されるので、T
GSA s−channel FET(Trench Gate Self Align
s−channel FET)と呼ぶこともできる。
412および酸化物406cを介して、酸化物406bの上面と平行に面する領域の長さ
をゲート線幅と定義する。該ゲート線幅は、絶縁体410の酸化物406bに達する開口
部よりも小さくすることができる。即ち、ゲート線幅を最小加工寸法よりも小さくするこ
とができる。具体的には、ゲート線幅は、10nm以上300nm以下とすることができ
る。代表的には20nm以上180nm以下とすることができる。
図17(A)は、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ100の上面図であ
り、図17(B)は、図17(A)に示す一点鎖線X1−X2間における切断面の断面図
に相当し、図17(C)は、図17(A)に示す一点鎖線Y1−Y2間における切断面の
断面図に相当する。なお、図17(A)において、煩雑になることを避けるため、トラン
ジスタ100の構成要素の一部(ゲート絶縁体として機能する絶縁体等)を省略して図示
している。また、一点鎖線X1−X2方向をチャネル長方向、一点鎖線Y1−Y2方向を
チャネル幅方向と呼称する場合がある。なお、トランジスタの上面図においては、以降の
図面においても図17(A)と同様に、構成要素の一部を省略して図示する場合がある。
ンジスタである。
4と、絶縁体104上の酸化物108と、酸化物108上の絶縁体110と、絶縁体11
0上の導電体112と、絶縁体104、酸化物108、及び導電体112上の絶縁体11
6と、を有する。
おいて、領域108nを有する。領域108nは、先に説明した酸化物108が、n型化
した領域である。なお、領域108nは、絶縁体116と接し、絶縁体116は、窒素ま
たは水素を有する。そのため、絶縁体116中の窒素または水素が領域108nに添加さ
れることで、キャリア密度が高くなりn型となる。
、118に設けられた開口部141aを介して、領域108nに電気的に接続される導電
体120aと、絶縁体116、118に設けられた開口部141bを介して、領域108
nに電気的に接続される導電体120bと、を有していてもよい。
、導電体106は、第2のゲート電極(ボトムゲート電極ともいう)としての機能を有す
る。また、絶縁体110は、第1のゲート絶縁体としての機能を有し、絶縁体104は、
第2のゲート絶縁体としての機能を有する。また、導電体120aは、ソース電極として
の機能を有し、導電体120bは、ドレイン電極としての機能を有する。
、導電体112に電気的に接続されている。従って、導電体106と導電体112には、
同じ電位が与えられる。なお、開口部143を設けずに、導電体106と、導電体112
と、に異なる電位を与えてもよい。
れている。また、酸化物108のチャネル幅方向の側面の一方は、絶縁体110を間に挟
んで導電体112と対向している。このような構成を有することで、トランジスタ100
に含まれる酸化物108を、第1のゲート電極として機能する導電体112及び第2のゲ
ート電極として機能する導電体106の電界によって電気的に取り囲むことができる。
るための電界を効果的に酸化物108に印加することができるため、トランジスタ100
の電流駆動能力が向上し、高いオン電流特性を得ることが可能となる。また、オン電流を
高くすることが可能であるため、トランジスタ100を微細化することが可能となる。
、酸化物108中に過剰酸素を供給することができる。よって、酸化物108中に形成さ
れうる酸素欠損を過剰酸素により補填することができるため、信頼性の高い半導体装置を
提供することができる。
れる絶縁体104に過剰酸素を供給してもよい。この場合、絶縁体104中に含まれる過
剰酸素は、領域108nにも供給されうる。領域108n中に過剰酸素が供給されると、
領域108n中の抵抗が高くなり、好ましくない。一方で、酸化物108の上方に形成さ
れる絶縁体110に過剰酸素を有する構成とすることで、導電体112と重畳する領域に
のみ選択的に過剰酸素を供給させることが可能となる。
る。本実施の形態では、絶縁体104として、窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜と
の積層構造を用いる。このように、絶縁体104を積層構造として、下層側に窒化シリコ
ン膜を用い、上層側に酸化窒化シリコン膜を用いることで、酸化物108中に効率よく酸
素を導入することができる。
は200nm以上1000nm以下とすることができる。絶縁体104を厚くすることで
、絶縁体104の酸素放出量を増加させることができると共に、絶縁体104と酸化物1
08との界面における界面準位、並びに酸化物108に含まれる酸素欠損を低減すること
が可能である。
。導電体106としては、実施の形態1の導電体310と同じ材料を用いることができる
。
l)、金(Au)、銀(Ag)、亜鉛(Zn)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)
、チタン(Ti)、タングステン(W)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、鉄(F
e)、コバルト(Co)から選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合
金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いてそれぞれ形成することができる。
化物(In−Sn酸化物)、インジウムとタングステンとを有する酸化物(In−W酸化
物)、インジウムとタングステンと亜鉛とを有する酸化物(In−W−Zn酸化物)、イ
ンジウムとチタンとを有する酸化物(In−Ti酸化物)、インジウムとチタンと錫とを
有する酸化物(In−Ti−Sn酸化物)、インジウムと亜鉛とを有する酸化物(In−
Zn酸化物)、インジウムと錫とシリコンとを有する酸化物(In−Sn−Si酸化物)
、インジウムとガリウムと亜鉛とを有する酸化物(In−Ga−Zn酸化物)等の酸化物
導電体または金属酸化物を適用することもできる。
(OxideConductor)と呼称してもよい。酸化物導電体としては、例えば、
金属酸化物に酸素欠損を形成し、該酸素欠損に水素を添加すると、伝導帯近傍にドナー準
位が形成される。この結果、金属酸化物は、導電性が高くなり導電体化する。導電体化さ
れた金属酸化物を、酸化物導電体ということができる。一般に、金属酸化物は、エネルギ
ーギャップが大きいため、可視光に対して透光性を有する。一方、酸化物導電体は、伝導
帯近傍にドナー準位を有する金属酸化物である。したがって、酸化物導電体は、ドナー準
位による吸収の影響は小さく、可視光に対して金属酸化物と同程度の透光性を有する。
加することができるので好適である。
きる。なお、絶縁体110を、2層の積層構造または3層以上の積層構造としてもよい。
(ESR:ElectronSpinResonance)で観察されるシグナルが少な
い方が好ましい。例えば、上述のシグナルとしては、g値が2.001に観察されるE’
センターが挙げられる。なお、E’センターは、シリコンのダングリングボンドに起因す
る。絶縁体110としては、E’センター起因のスピン密度が、3×1017spins
/cm3以下、好ましくは5×1016spins/cm3以下である酸化シリコン膜、
または酸化窒化シリコン膜を用いればよい。
17は、酸化物108が、下から順に、酸化物108a、108b、108cの3層の積
層からなる例を示している。酸化物108aおよび酸化物108cを実施の形態1に示す
第1のバンドギャップを有する酸化物とし、酸化物108bを実施の形態1に示す第2の
バンドギャップを有する酸化物としてもよい。または、酸化物108aおよび酸化物10
8cを実施の形態1に示す第2のバンドギャップを有する酸化物とし、酸化物108bを
実施の形態1に示す第1のバンドギャップを有する酸化物としてもよい。
縁体が挙げられる。該窒化物絶縁体としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒
化シリコン等を用いて形成することができる。絶縁体116に含まれる水素濃度は、1×
1022atoms/cm3以上であると好ましい。また、絶縁体116は、酸化物10
8の領域108nと接する。したがって、絶縁体116と接する領域108n中の不純物
(窒素または水素)濃度が高くなり、領域108nのキャリア密度を高めることができる
。
ては、酸化物絶縁体と、窒化物絶縁体との積層膜を用いることができる。絶縁体118と
して、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、
酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはGa−Zn酸化物などを用いればよい。
ることが好ましい。
m以下とすることができる。
図18(A)は、トランジスタ500の上面図であり、図18(B)は、図18(A)
に示す一点鎖線X1−X2間における切断面の断面図に相当し、図18(C)は、図18
(A)に示す一点鎖線Y1−Y2間における切断面の断面図に相当する。
導電体504上の絶縁体506と、絶縁体506上の絶縁体507と、絶縁体507上の
酸化物508と、酸化物508上の導電体512aと、酸化物508上の導電体512b
と、酸化物508、及び導電体512a、512b上の絶縁体514と、絶縁体514上
の絶縁体516と、絶縁体516上の絶縁体518と、絶縁体518上の導電体520a
、520bと、を有する。
第1のゲート絶縁体としての機能を有し、絶縁体514、516、518は、トランジス
タ500の第2のゲート絶縁体としての機能を有する。また、トランジスタ500におい
て、導電体504は、第1のゲート電極としての機能を有し、導電体520aは、第2の
ゲート電極としての機能を有し、導電体520bは、表示装置に用いる画素電極としての
機能を有する。また、導電体512aは、ソース電極としての機能を有し、導電体512
bは、ドレイン電極としての機能を有する。
516、518に設けられる開口部542b、542cにおいて、導電体504に接続さ
れる。よって、導電体520aと導電体504とは、同じ電位が与えられる。
を介して、導電体512bと接続される。
18は、酸化物508が、下から順に、酸化物508a、508b、508cの3層の積
層からなる例を示している。酸化物508aおよび酸化物508cを実施の形態1に示す
第1のバンドギャップを有する酸化物とし、酸化物508bを実施の形態1に示す第2の
バンドギャップを有する酸化物としてもよい。または、酸化物508aおよび酸化物50
8cを実施の形態1に示す第2のバンドギャップを有する酸化物とし、酸化物508bを
実施の形態1に示す第1のバンドギャップを有する酸化物としてもよい。
08nを有する。領域508nは、酸化物508が、n型化した領域である。酸化物50
8は、領域508nを有することで、導電体512a、512bとの間のコンタクト抵抗
を低減させることが可能になる。領域508nは、導電体512a、512bが、酸化物
508の酸素を引き抜くことで形成される。酸素の引き抜きは、高い温度で加熱するほど
起こりやすい。トランジスタの作製工程には、いくつかの加熱工程があることから、領域
508nには酸素欠損が形成される。また、加熱により該酸素欠損のサイトに水素が入り
こみ、領域508nに含まれるキャリア濃度が増加する。その結果、領域508nが低抵
抗化する。
0aに覆われている。また、酸化物508のチャネル幅方向の側面の一方は、絶縁体51
6、514を間に挟んで導電体520aと対向している。このような構成を有することで
、トランジスタ500に含まれる酸化物508を、導電体504及び導電体520aの電
界によって電気的に取り囲むことができる。
せるための電界を効果的に酸化物508に印加することができるため、トランジスタ50
0の電流駆動能力が向上し、高いオン電流特性を得ることが可能となる。また、オン電流
を高くすることが可能であるため、トランジスタ500を微細化することが可能となる。
適宜組み合わせて用いることができる。
<トランジスタの作製方法>
以下では、本発明に係る図1に示すトランジスタの作製方法を図1および図7乃至図1
0を用いて説明する。図1および図7乃至図10において、各図の(A)は上面図であり
、各図の(B)は、(A)に示す一点鎖線A3−A4に対応する断面図である。各図の(
C)は、(A)に示す一点鎖線A1−A2に対応する断面図である。
気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)法、分子線
エピタキシー(MBE:Molecular Beam Epitaxy)法、パルスレ
ーザ堆積(PLD:Pulsed Laser Deposition)法または原子層
堆積(ALD:Atomic Layer Deposition)法などを用いて行う
ことができる。
Enhanced CVD)法、熱を利用する熱CVD(TCVD:Thermal C
VD)法、光を利用する光CVD(Photo CVD)法などに分類できる。さらに用
いる原料ガスによって金属CVD(MCVD:Metal CVD)法、有機金属CVD
(MOCVD:Metal Organic CVD)法に分けることができる。
ズマを用いないため、被処理物へのプラズマダメージを小さくすることが可能な成膜方法
である。例えば、半導体装置に含まれる配線、電極、素子(トランジスタ、容量素子など
)などは、プラズマから電荷を受け取ることでチャージアップする場合がある。このとき
、蓄積した電荷によって、半導体装置に含まれる配線、電極、素子などが破壊される場合
がある。一方、プラズマを用いない熱CVD法の場合、こういったプラズマダメージが生
じないため、半導体装置の歩留まりを高くすることができる。また、熱CVD法では、成
膜中のプラズマダメージが生じないため、欠陥の少ない膜が得られる。
である。また、ALD法も、成膜中のプラズマダメージが生じないため、欠陥の少ない膜
が得られる。
は異なり、被処理物の表面における反応により膜が形成される成膜方法である。したがっ
て、被処理物の形状の影響を受けにくく、良好な段差被覆性を有する成膜方法である。特
に、ALD法は、優れた段差被覆性と、優れた厚さの均一性を有するため、アスペクト比
の高い開口部の表面を被覆する場合などに好適である。ただし、ALD法は、比較的成膜
速度が遅いため、成膜速度の速いCVD法などの他の成膜方法と組み合わせて用いること
が好ましい場合もある。
ことができる。例えば、CVD法およびALD法では、原料ガスの流量比によって、任意
の組成の膜を成膜することができる。また、例えば、CVD法およびALD法では、成膜
しながら原料ガスの流量比を変化させることによって、組成が連続的に変化した膜を成膜
することができる。原料ガスの流量比を変化させながら成膜する場合、複数の成膜室を用
いて成膜する場合と比べて、搬送や圧力調整に掛かる時間の分、成膜に掛かる時間を短く
することができる。したがって、半導体装置の生産性を高めることができる場合がある。
タリング法、CVD法、MBE法、PLD法またはALD法などを用いて行うことができ
る。次に絶縁体401b上に絶縁体301を成膜する。絶縁体301の成膜は、スパッタ
リング法、CVD法、MBE法PLD法またはALD法などを用いて行うことができる。
口部なども含まれる。溝の形成はウエットエッチングを用いてもよいが、ドライエッチン
グを用いるほうが微細加工には好ましい。また、絶縁体401bは、絶縁体301をエッ
チングして溝を形成する際のエッチングストッパ膜として機能する絶縁体を選択すること
が好ましい。例えば、溝を形成する絶縁体301に酸化シリコン膜を用いた場合は、絶縁
体401bは窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜を用いるとよい。
し、絶縁体401bとして、スパッタリング法を用いて酸化アルミニウムを成膜する。
酸素の透過を抑制する機能を有する導電体を含むことが望ましい。たとえば、窒化タンタ
ル、窒化タングステン、窒化チタンなどを用いることができる。またはタンタル、タング
ステン、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、モリブデンタングステン合金との積層
膜とすることができる。導電体310となる導電体の成膜は、スパッタリング法、CVD
法、MBE法、PLD法またはALD法などを用いて行うことができる。
タンタルを成膜し、該窒化タンタル上にCVD法によって窒化チタンを成膜し、該窒化チ
タン上にCVD法によってタングステンを成膜する。
g:CMP)を行うことで、絶縁体301上の導電体310となる導電体を除去する。そ
の結果、溝部のみに、導電体310となる導電体が残存することで上面が平坦な導電体3
10を形成することができる。
成膜は、スパッタリング法、CVD法、MBE法、PLD法またはALD法などを用いて
行うことができる。
ング法、CVD法、MBE法、PLD法またはALD法などを用いて行うことができる。
ング法、CVD法、MBE法、PLD法またはALD法などを用いて行うことができる。
下、好ましくは450℃以上600℃以下、さらに好ましくは520℃以上570℃以下
で行えばよい。第1の加熱処理は、不活性ガス雰囲気、または酸化性ガスを10ppm以
上、1%以上もしくは10%以上含む雰囲気で行う。第1の加熱処理は減圧状態で行って
もよい。または、第1の加熱処理は、不活性ガス雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸
素を補うために酸化性ガスを10ppm以上、1%以上または10%以上含む雰囲気で加
熱処理を行ってもよい。第1の加熱処理によって、絶縁体402に含まれる水素や水など
の不純物を除去することなどができる。または、第1の加熱処理において、減圧状態で酸
素を含むプラズマ処理を行ってもよい。酸素を含むプラズマ処理は、例えばマイクロ波を
用いた高密度プラズマを発生させる電源を有する装置を用いることが好ましい。または、
基板側にRF(Radio Frequency)を印加する電源を有してもよい。高密
度プラズマを用いることより高密度の酸素ラジカルを生成することができ、基板側にRF
を印加することで高密度プラズマによって生成された酸素ラジカルを効率よく絶縁体40
2内に導くことができる。または、この装置を用いて不活性ガスを含むプラズマ処理を行
った後に脱離した酸素を補うために酸素を含むプラズマ処理を行ってもよい。尚、第1の
加熱処理は行わなくても良い場合がある。
パッタリング法、CVD法、MBE法、PLD法またはALD法などを用いて行うことが
できる。
理としては、例えば、イオン注入法、プラズマ処理法などがある。なお、酸化物406a
1に添加された酸素は、過剰酸素となる。
)。酸化物406b1の成膜は、スパッタリング法を用いることが好ましい。本実施の形
態では、第1のバンドギャップを有する酸化物406b1nの膜厚および第2のバンドギ
ャップを有する酸化物406b1wの膜厚を1nmとし、第1のバンドギャップを有する
酸化物406b1nを10層成膜する。従って酸化物406b1は、19層の積層膜とな
り、合計の膜厚は、19nmとなる。
装置の成膜室について説明する。
ゲット11aと、スパッタリングターゲット12と、切欠き部67(またはスリット部と
いうこともできる。)が設けられたシャッタ66と、を有している。また、スパッタリン
グターゲット11a及びスパッタリングターゲット12に対向して基板400を配置する
ことができる。スパッタリングターゲット11aは、バッキングプレート50a上に配置
される。同様に、スパッタリングターゲット12はバッキングプレート50c上に配置さ
れる。
プを有する酸化物406b1nを成膜する。スパッタリングターゲット12は絶縁性材料
(誘電性材料ということもできる。)を含み、第2のバンドギャップを有する酸化物40
6b1wを成膜する。導電性材料としては、インジウムおよび/または亜鉛などを含むこ
とが好ましい。また、導電性材料としては、インジウムおよび/または亜鉛の酸化物、窒
化物および/または酸窒化物を含むことが好ましい。絶縁性材料としては、上記の元素M
(元素Mは、Ga、Al、Si、B、Y、Ti、Fe、Ni、Ge、Zr、Mo、La、
Ce、Nd、Hf、Ta、W、Mg、V、Be、またはCuのいずれか一つ、または複数
)を含むことが好ましい。また、絶縁性材料としては、元素Mの酸化物、窒化物および/
または酸窒化物を含むことが好ましい。
ターゲット12が元素Mの酸化物を含む構成とすればよい。
2と、基板400(基板400が配置される基板ホルダと言い換えることもできる。)と
の間に位置する。
な軸という場合がある。)を回転軸として、回転させることができる構成とすることが好
ましい。シャッタ66を回転させることにより、切欠き部67を介して基板400(基板
ホルダ)と対向されるスパッタリングターゲットを選択することができる。
ゲット11aと重なっている期間は、基板400にスパッタリングターゲット11aから
弾き出されたスパッタリング粒子が主に堆積される。同様に、切欠き部67がスパッタリ
ングターゲット12と重なっている期間は、基板400にスパッタリングターゲット12
から弾き出されたスパッタリング粒子が主に堆積される。
材料を主成分とする酸化物406b1nと、スパッタリングターゲット12に含まれる絶
縁性材料を主成分とする酸化物406b1wと、を繰り返し積層することができる。これ
により、第1のバンドギャップを有する酸化物406b1nと第2のバンドギャップを有
する酸化物406b1wが繰り返し積層された多層構造を有する酸化物406b1を成膜
することができる。
切欠き部67が重なっていないターゲットから弾き出されたスパッタリング粒子が、基板
400に堆積されることもある。つまり、酸化物406b1wに導電性材料が含まれる場
合、または酸化物406b1nに絶縁性材料が含まれる場合がある。
30℃以下とすればよい。基板400の温度を100℃以上130℃以下とすることによ
り、酸化物中の水を除去することができる。このように不純物である水を除去することで
、電界効果移動度の向上を図りながら、信頼性の向上を図ることができる。
中の浅い欠陥準位(sDOSともいう)の低減を図ることができる。
入すればよい。なお、アルゴンガスに代えてヘリウム、キセノン、クリプトン等の不活性
ガスを用いてもよい。
移動度を高めることができる。酸素流量比は、酸化物の用途に応じた好ましい特性を得る
ために、0%以上30%以下の範囲で適宜設定することができる。このとき、例えば、成
膜ガスをアルゴンガスと酸素ガスの混合ガスにすることができる。さらに、成膜ガスに酸
素ガスを含ませることにより、成膜される酸化物の酸素欠損量を低減することができる。
このように、酸素欠損量を低減することで、酸化物の信頼性向上を図ることができる。
以下の範囲で適宜設定することができる。このとき、例えば、成膜ガスを窒素ガスとアル
ゴンガスの混合ガスにすることができる。また、成膜ガスを、窒素ガスと酸素ガスの混合
ガスとしてもよいし、窒素ガスと酸素ガスとアルゴンガスの混合ガスとしてもよい。
て用いる酸素ガス、窒素ガス、及びアルゴンガスは、露点が−40℃以下、好ましくは−
80℃以下、より好ましくは−100℃以下、より好ましくは−120℃以下にまで高純
度化したガスを用いることで酸化物に水分等が取り込まれることを可能な限り防ぐことが
できる。
バーは、クライオポンプのような吸着式の真空排気ポンプを用いて高真空(5×10−7
Paから1×10−4Pa程度まで)排気することが好ましい。または、ターボ分子ポン
プとコールドトラップを組み合わせて排気系からチャンバー内に気体が逆流しないように
しておくことが好ましい。
ばよい。
ができる。第2の加熱処理によって、酸化物406b1の結晶性を高めることや、水素や
水などの不純物を除去することなどができる。好ましくは、窒素雰囲気にて400℃の温
度で1時間の処理を行なった後に、連続して酸素雰囲気にて400℃の温度で1時間の処
理を行う。
化物406b1および酸化物406a1をエッチングする。酸化物406b1および酸化
物406a1のエッチングは、ドライエッチング法を用いることができる。酸化物406
b1は、第1のバンドギャップを有する酸化物と第2のバンドギャップを有する酸化物と
が、交互に積層された構造を有する。第1のバンドギャップを有する酸化物のエッチング
条件と第2のバンドギャップを有する酸化物のエッチング条件と、を構造に合わせて、適
宜エッチング条件を切り替えることが容易なドライエッチング装置を用いることが好まし
い。また、第1のバンドギャップを有する酸化物と第2のバンドギャップを有する酸化物
とを同一条件でエッチング出来る場合がある。酸化物406b1のエッチングに続けて、
酸化物406a1のエッチングを行ない、酸化物406bおよび酸化物406aを形成す
る(図8(A)乃至(C)参照。)。
、露光された領域を、現像液を用いて除去または残存させてレジストマスクを形成する。
次に、当該レジストマスクを介してエッチング処理することで導電体、半導体または絶縁
体などを所望の形状に加工することができる。例えば、KrFエキシマレーザ光、ArF
エキシマレーザ光、EUV(Extreme Ultraviolet)光などを用いて
、レジストを露光することでレジストマスクを形成すればよい。また、基板と投影レンズ
との間に液体(例えば水)を満たして露光する、液浸技術を用いてもよい。また、前述し
た光に代えて、電子ビームやイオンビームを用いてもよい。なお、電子ビームやイオンビ
ームを用いる場合には、フォトマスクは不要となる。なお、レジストマスクの除去には、
アッシングなどのドライエッチング処理を行う、ウエットエッチング処理を行う、ドライ
エッチング処理後にウエットエッチング処理を行う、またはウエットエッチング処理後に
ドライエッチング処理を行うことができる。
:Capacitively Coupled Plasma)エッチング装置を用いる
ことができる。平行平板型電極を有する容量結合型プラズマエッチング装置は、平行平板
型電極の一方の電極に高周波電源を印加する構成でもよい。または平行平板型電極の一方
の電極に複数の異なった高周波電源を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それ
ぞれに同じ周波数の高周波電源を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それぞれ
に周波数の異なる高周波電源を印加する構成でもよい。または高密度プラズマ源を有する
ドライエッチング装置を用いることができる。高密度プラズマ源を有するドライエッチン
グ装置は、例えば、誘導結合型プラズマ(ICP:Inductively Coupl
ed Plasma)エッチング装置などを用いることができる。
膜する。導電体416a1および導電体416a2となる導電体の成膜は、スパッタリン
グ法、CVD法、MBE法、PLD法またはALD法などを用いて行うことができる。導
電体416a1および導電体416a2となる導電体として、導電性を有する酸化物、例
えば、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステ
ンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含む
インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、シリコンを添加したインジウム錫酸化物、
または窒素を含むインジウムガリウム亜鉛酸化物を成膜し、該酸化物上に、アルミニウム
、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン
、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウ
ム、インジウムなどから選ばれた金属元素を1種以上含む材料、または、リン等の不純物
元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半導体、ニッケルシリ
サイドなどのシリサイドを成膜してもよい。
してくる水素を捕獲する機能を有する場合があり、トランジスタの電気特性および信頼性
が向上することがある。または、該酸化物の代わりにチタンを用いても同様の機能を有す
る場合がある。
およびバリア膜417a2となるバリア膜を成膜する。バリア膜417a1およびバリア
膜417a2となるバリア膜の成膜は、スパッタリング法、CVD法、MBE法、PLD
法またはALD法などを用いて行うことができる。本実施の形態では、バリア膜417a
1およびバリア膜417a2となるバリア膜として、酸化アルミニウムを成膜する。
膜417a1およびバリア膜417a2を形成する。(図9(A)乃至(C)参照。)。
てもよい。希釈フッ酸液とは、純水にフッ化水素酸を約70ppmの濃度で混合させた溶
液のことである。次に、第3の加熱処理を行う。加熱処理の条件は、上述の第1の加熱処
理の条件を用いることができる。好ましくは、窒素雰囲気にて400℃の温度で1時間の
処理を行なった後に、連続して酸素雰囲気にて400℃の温度で1時間の処理を行う。
酸化物406aおよび酸化物406bなどの表面または内部に付着または拡散することが
ある。不純物としては、例えば、フッ素または塩素などがある。
物406a膜中および酸化物406b膜中の水分濃度および水素濃度を低減することがで
きる。
、スパッタリング法、CVD法、MBE法、PLD法またはALD法などを用いて行うこ
とができる。特にスパッタリング法を用いて成膜することが好ましい。また、スパッタリ
ング条件としては、酸素とアルゴンの混合ガスを用いて、好ましくは酸素分圧の高い条件
、より好ましくは酸素100%を用いた条件を用いて、室温または100℃以上200℃
以下の温度で成膜する。
6a、酸化物406bおよび絶縁体402に過剰酸素を注入することができて好ましい。
412となる絶縁体の成膜は、スパッタリング法、CVD法、MBE法、PLD法または
ALD法などを用いて行うことができる。
ることができる。好ましくは、窒素雰囲気にて400℃の温度で1時間の処理を行なった
後に、連続して酸素雰囲気にて400℃の温度で1時間の処理を行う。該加熱処理によっ
て、絶縁体412となる絶縁体中の水分濃度および水素濃度を低減させることができる。
パッタリング法、CVD法、MBE法、PLD法またはALD法などを用いて行うことが
できる。
406cとなる酸化物と同様の条件を用いて成膜することで絶縁体412となる絶縁体へ
酸素を添加することができる。絶縁体412となる絶縁体に添加された酸素は過剰酸素と
なる。
化物の電気抵抗値を低下させることができる。
る。次に、酸化物406cとなる酸化物および絶縁体412となる絶縁体をリソグラフィ
ー法によって、加工し、酸化物406cおよび絶縁体412を形成する(図10(A)乃
至(C)参照。)。尚、本実施の形態では、導電体404を形成した後に酸化物406c
および絶縁体412を形成する一例を示しているが、酸化物406cおよび絶縁体412
を形成した後に、導電体404を形成しても構わない。
体408aおよび絶縁体408bの成膜は、スパッタリング法、CVD法、MBE法、P
LD法またはALD法などを用いて行うことができる。絶縁体408bとしては、ALD
法を用いた酸化アルミニウムを成膜することで、絶縁体408aの上面および側面に、ピ
ンホールが少なく、かつ膜厚が均一に成膜できるので、導電体404の酸化を防止するこ
とができる。
リング法、CVD法、MBE法、PLD法またはALD法などを用いて行うことができる
。または、スピンコート法、ディップ法、液滴吐出法(インクジェット法など)、印刷法
(スクリーン印刷、オフセット印刷など)、ドクターナイフ法、ロールコーター法または
カーテンコーター法などを用いて行うことができる。
法を用いて成膜する。プラズマCVD法による成膜では、絶縁体を成膜するステップ1と
酸素を有する雰囲気でのプラズマ処理を行うステップ2と、を繰り返し行ってもよい。ス
テップ1とステップ2と、を複数回繰り返すことで過剰酸素を含む絶縁体410を形成す
ることができる。
は、成膜直後に上面が平坦性を有していてもよい。または、例えば、絶縁体410は、成
膜後に基板裏面などの基準面と平行になるよう絶縁体などを上面から除去していくことで
平坦性を有してもよい。このような処理を、平坦化処理と呼ぶ。平坦化処理としては、C
MP処理、ドライエッチング処理などがある。ただし、絶縁体410の上面が平坦性を有
さなくても構わない。
ができる。好ましくは、窒素雰囲気にて400℃の温度で1時間の処理を行なった後に、
連続して酸素雰囲気にて400℃の温度で1時間の処理を行う。該加熱処理を行うことに
よって、絶縁体410中の水分濃度および水素濃度を低減させることができる。以上によ
り、図1に示すトランジスタを作製することができる(図1(A)乃至(C)参照。)。
適宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、半導体装置の一形態を、図19および図20を用いて説明する。
本発明の一態様である半導体装置を使用した、記憶装置の一例を図19および図20に
示す。
ランジスタ700、および容量素子600を有している。
トランジスタである。ここで図19および図20に示す、絶縁体712は絶縁体401a
に、絶縁体714は絶縁体401bに、絶縁体716は絶縁体301に、絶縁体720は
絶縁体302に、絶縁体722は絶縁体303に、絶縁体724は絶縁体402に、絶縁
体772は絶縁体408aに、絶縁体774は絶縁体408bに、絶縁体780は絶縁体
410に対応する。
ジスタである。トランジスタ700は、オフ電流が小さいため、これを記憶装置に用いる
ことにより長期にわたり記憶内容を保持することが可能である。つまり、リフレッシュ動
作を必要としない、あるいは、リフレッシュ動作の頻度が極めて少ないため、記憶装置の
消費電力を十分に低減することができる。
700のオフ電流をより小さくすることができる。この場合、トランジスタ700のバッ
クゲート電圧を維持できる構成とすることにより、電源の供給なしで長期間の記憶保持が
可能となる。
することができるトランジスタである。トランジスタ900は、絶縁体716を有し、絶
縁体716が開口部を有していて、開口部内に導電体310a、導電体310b、導電体
310cが配置され、導電体310a、導電体310b、導電体310cおよび絶縁体7
16上の、絶縁体720、絶縁体722および絶縁体724と、絶縁体724上の酸化物
406dと、酸化物406d上の絶縁体412aと、絶縁体412a上の導電体404a
と、を有する。ここで、導電体310a、導電体310bおよび導電体310cは導電体
310と同じ層で、酸化物406dは酸化物406cと同じ層で、絶縁体412aは絶縁
体412と同じ層で、導電体404aは導電体404と同じ層で形成される。
開口を介して酸化物406dと接している。よって、導電体310aまたは導電体310
cは、ソース電極又はドレイン電極のいずれかとして機能できる。また、導電体404a
または導電体310bの一方は、ゲート電極として機能でき、他方はバックゲート電極と
して機能できる。
同様に、酸素欠損が低減され、水素または水などの不純物が低減されている。これにより
、トランジスタ900のしきい値電圧を0Vより大きくし、オフ電流を低減し、Icut
を非常に小さくすることができる。ここで、Icutとは、バックゲート電圧及びトップ
ゲート電圧が0Vのときのドレイン電流のことを指す。
えば、トランジスタ900のトップゲート及びバックゲートをソースとダイオード接続し
、トランジスタ900のソースとトランジスタ700のバックゲートを接続する構成とす
る。この構成でトランジスタ700のバックゲートの負電位を保持するとき、トランジス
タ900のトップゲートーソース間の電圧および、バックゲートーソース間の電圧は、0
Vになる。トランジスタ900のIcutは非常に小さいので、この構成とすることによ
り、トランジスタ700およびトランジスタ900に電源供給をしなくてもトランジスタ
700のバックゲートの負電位を長時間維持することができる。これにより、トランジス
タ700及びトランジスタ900を有する記憶装置は、長期にわたり記憶内容を保持する
ことが可能である。
に接続され、配線3002はトランジスタ800のドレインと電気的に接続されている。
また、配線3003はトランジスタ700のソースおよびドレインの一方と電気的に接続
され、配線3004はトランジスタ700のトップゲートと電気的に接続され、配線30
06はトランジスタ700のバックゲートと電気的に接続されている。そして、トランジ
スタ800のゲート、およびトランジスタ700のソースおよびドレインの他方は、容量
素子600の電極の一方と電気的に接続され、配線3005は容量素子600の電極の他
方と電気的に接続されている。配線3007はトランジスタ900のソースと電気的に接
続され、配線3008はトランジスタ900のトップゲートと電気的に接続され、配線3
009はトランジスタ900のバックゲートと電気的に接続され、配線3010はトラン
ジスタ900のドレインと電気的に接続されている。ここで、配線3006、配線300
7、配線3008、及び配線3009が電気的に接続されている。
図19、および図20に示す記憶装置は、トランジスタ800のゲートの電位が保持可
能という特性を有することで、以下に示すように、情報の書き込み、保持、読み出しが可
能である。
スタ700が導通状態となる電位にして、トランジスタ700を導通状態とする。これに
より、配線3003の電位が、トランジスタ800のゲート、および容量素子600の電
極の一方と電気的に接続するノードFGに与えられる。即ち、トランジスタ800のゲー
トには、所定の電荷が与えられる(書き込み)。ここでは、異なる二つの電位レベルを与
える電荷(以下Lowレベル電荷、Highレベル電荷という。)のどちらかが与えられ
るものとする。その後、配線3004の電位を、トランジスタ700が非導通状態となる
電位にして、トランジスタ700を非導通状態とすることにより、ノードFGに電荷が保
持される(保持)。
持される。
状態で、配線3005に適切な電位(読み出し電位)を与えると、配線3002は、ノー
ドFGに保持された電荷量に応じた電位をとる。これは、トランジスタ800をnチャネ
ル型とすると、トランジスタ800のゲートにHighレベル電荷が与えられている場合
の見かけ上のしきい値電圧Vth_Hは、トランジスタ800のゲートにLowレベル電
荷が与えられている場合の見かけ上のしきい値電圧Vth_Lより低くなるためである。
ここで、見かけ上のしきい値電圧とは、トランジスタ800を「導通状態」とするために
必要な配線3005の電位をいうものとする。したがって、配線3005の電位をVth
_HとVth_Lの間の電位V0とすることにより、ノードFGに与えられた電荷を判別
できる。例えば、書き込みにおいて、ノードFGにHighレベル電荷が与えられていた
場合には、配線3005の電位がV0(>Vth_H)となれば、トランジスタ800は
「導通状態」となる。一方、ノードFGにLowレベル電荷が与えられていた場合には、
配線3005の電位がV0(<Vth_L)となっても、トランジスタ800は「非導通
状態」のままである。このため、配線3002の電位を判別することで、ノードFGに保
持されている情報を読み出すことができる。
セルアレイを構成することができる。
み出さなくてはならない。例えば、メモリセルアレイがNOR型の構成の場合、情報を読
み出さないメモリセルのトランジスタ800を非導通状態にすることで、所望のメモリセ
ルの情報のみを読み出すことができる。この場合、ノードFGに与えられた電荷によらず
トランジスタ800が「非導通状態」となるような電位、つまり、Vth_Hより低い電
位を、情報を読み出さないメモリセルと接続される配線3005に与えればよい。または
、例えば、メモリセルアレイがNAND型の構成の場合、情報を読み出さないメモリセル
のトランジスタ800を導通状態にすることで、所望のメモリセルの情報をのみ読み出す
ことができる。この場合、ノードFGに与えられた電荷によらずトランジスタ800が「
導通状態」となるような電位、つまり、Vth_Lより高い電位を、情報を読み出さない
メモリセルと接続される配線3005に与えればよい。
図19、および図20に示す記憶装置は、トランジスタ800を有さない構成としても
よい。トランジスタ800を有さない場合も、先に述べた記憶装置と同様の動作により情
報の書き込みおよび保持動作が可能である。
る。トランジスタ700が導通状態になると、浮遊状態である配線3003と容量素子6
00とが導通し、配線3003と容量素子600の間で電荷が再分配される。その結果、
配線3003の電位が変化する。配線3003の電位の変化量は、容量素子600の電極
の一方の電位(または容量素子600に蓄積された電荷)によって、異なる値をとる。
003が有する容量成分をCB、電荷が再分配される前の配線3003の電位をVB0と
すると、電荷が再分配された後の配線3003の電位は、(CB×VB0+CV)/(C
B+C)となる。したがって、メモリセルの状態として、容量素子600の電極の一方の
電位がV1とV0(V1>V0)の2つの状態をとるとすると、電位V1を保持している
場合の配線3003の電位(=(CB×VB0+CV1)/(CB+C))は、電位V0
を保持している場合の配線3003の電位(=(CB×VB0+CV0)/(CB+C)
)よりも高くなることがわかる。
きる。
されたトランジスタを用い、トランジスタ700として、酸化物半導体が適用されたトラ
ンジスタを駆動回路上に積層して配置する構成とすればよい。
することで、長期にわたって記憶内容を保持することが可能となる。つまり、リフレッシ
ュ動作が不要となるか、またはリフレッシュ動作の頻度を極めて低くすることが可能とな
るため、消費電力の低い記憶装置を実現することができる。また、電力の供給がない場合
(ただし、電位は固定されていることが好ましい)であっても、長期にわたって記憶内容
を保持することが可能である。
りにくい。例えば、従来の不揮発性メモリのように、フローティングゲートへの電子の注
入や、フローティングゲートからの電子の引き抜きを行わないため、絶縁体の劣化といっ
た問題が生じない。即ち、本発明の一態様に係る記憶装置は、従来の不揮発性メモリとは
異なり書き換え可能回数に制限はなく、信頼性が飛躍的に向上した記憶装置である。さら
に、トランジスタの導通状態、非導通状態によって、情報の書き込みが行われるため、高
速な動作が可能となる。
性層として用いており、大きいオン電流を得ることができる。これにより、さらに情報の
書き込み速度を向上させ、高速な動作が可能となる。
本発明の一態様の記憶装置の一例を、図19に示す。記憶装置は、トランジスタ900
、トランジスタ800、トランジスタ700、容量素子600を有する。トランジスタ7
00はトランジスタ800の上方に設けられ、容量素子600はトランジスタ800、お
よびトランジスタ700の上方に設けられている。
811の一部からなる半導体領域812、およびソース領域またはドレイン領域として機
能する低抵抗領域818a、および低抵抗領域818bを有する。
ドレイン領域となる低抵抗領域818a、および低抵抗領域818bなどにおいて、シリ
コン系半導体などの半導体を含むことが好ましく、単結晶シリコンを含むことが好ましい
。または、Ge(ゲルマニウム)、SiGe(シリコンゲルマニウム)、GaAs(ガリ
ウムヒ素)、GaAlAs(ガリウムアルミニウムヒ素)などを有する材料で形成しても
よい。結晶格子に応力を与え、格子間隔を変化させることで有効質量を制御したシリコン
を用いた構成としてもよい。またはGaAsとGaAlAs等を用いることで、トランジ
スタ800をHEMT(High Electron Mobility Transi
stor)としてもよい。
導体材料に加え、ヒ素、リンなどのn型の導電性を付与する元素、またはホウ素などのp
型の導電性を付与する元素を含む。
元素、もしくはホウ素などのp型の導電性を付与する元素を含むシリコンなどの半導体材
料、金属材料、合金材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を用いることができる
。
できる。具体的には、導電体に窒化チタンや窒化タンタルなどの材料を用いることが好ま
しい。さらに導電性と埋め込み性を両立するために導電体にタングステンやアルミニウム
などの金属材料を積層として用いることが好ましく、特にタングステンを用いることが耐
熱性の点で好ましい。
れず、回路構成や駆動方法に応じて適切なトランジスタを用いればよい。
縁体826が順に積層して設けられている。
化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、
酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウムなどを用いればよい。
平坦化する平坦化膜として機能を有していてもよい。例えば、絶縁体822の上面は、平
坦性を高めるためにCMP法等を用いた平坦化処理により平坦化されていてもよい。
スタ700及びトランジスタ900が設けられる領域に、水素や不純物が拡散しないよう
なバリア性を有する膜を用いることが好ましい。ここで、バリア性とは、水素、および水
に代表される不純物の拡散を抑制する機能とする。例えば、350℃または400℃の雰
囲気下において、バリア性を有する膜中の一時間当たりの水素の拡散距離が50nm以下
であればよい。好ましくは、350℃または400℃の雰囲気下において、バリア性を有
する膜中における一時間当たりの水素の拡散距離が30nm以下、さらに好ましくは20
nm以下であるとよい。
コンを用いることができる。ここで、トランジスタ700等の酸化物半導体を有する半導
体素子に、水素が拡散することで、該半導体素子の特性が低下する場合がある。従って、
トランジスタ700及びトランジスタ900と、トランジスタ800との間に、水素の拡
散を抑制する膜を用いることが好ましい。水素の拡散を抑制する膜とは、具体的には、水
素の脱離量が少ない膜とする。
824の水素の脱離量は、TDS分析において、50℃から500℃の範囲において、水
素分子に換算した脱離量が、絶縁体824の面積当たりに換算して、2×1015mol
ecules/cm2以下、好ましくは1×1015molecules/cm2以下、
より好ましくは5×1014molecules/cm2以下であればよい。
縁体826の比誘電率は4未満が好ましく、3未満がより好ましい。また例えば、絶縁体
824の比誘電率は、絶縁体826の比誘電率の0.7倍以下が好ましく、0.6倍以下
がより好ましい。誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低
減することができる。
600、またはトランジスタ700と電気的に接続する導電体828、および導電体83
0等が埋め込まれている。なお、導電体828、および導電体830はプラグ、または配
線として機能を有する。また、後述するが、プラグまたは配線として機能を有する導電体
は、複数の構造をまとめて同一の符号を付与する場合がある。また、本明細書等において
、配線と、配線と電気的に接続するプラグとが一体物であってもよい。すなわち、導電体
の一部が配線として機能する場合、および導電体の一部がプラグとして機能する場合もあ
る。
材料、合金材料、金属窒化物材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を、単層また
は積層して用いることができる。耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンな
どの高融点材料を用いることが好ましく、タングステンを用いることが好ましい。または
、アルミニウムや銅などの低抵抗導電性材料で形成することが好ましい。低抵抗導電性材
料を用いることで配線抵抗を低くすることができる。
いて、絶縁体850、絶縁体852、及び絶縁体854が順に積層して設けられている。
また、絶縁体850、絶縁体852、及び絶縁体854には、導電体856が形成されて
いる。導電体856は、プラグ、または配線として機能を有する。なお導電体856は、
導電体828、および導電体830と同様の材料を用いて設けることができる。
る絶縁体を用いることが好ましい。また、導電体856は、水素に対するバリア性を有す
る導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体850が有
する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成される。当該構成により、ト
ランジスタ800とトランジスタ700及びトランジスタ900とは、バリア層により分
離することができ、トランジスタ800からトランジスタ700及びトランジスタ900
への水素の拡散を抑制することができる。
るとよい。また、窒化タンタルと導電性が高いタングステンを積層することで、配線とし
ての導電性を保持したまま、トランジスタ800からの水素の拡散を抑制することができ
る。この場合、水素に対するバリア性を有する窒化タンタル層が、水素に対するバリア性
を有する絶縁体850と接する構造であることが好ましい。
よび絶縁体716が、順に積層して設けられている。絶縁体858、絶縁体710、絶縁
体712、絶縁体714、および絶縁体716のいずれかは、酸素や水素に対してバリア
性のある物質を用いることが好ましい。
、またはトランジスタ800を設ける領域などから、トランジスタ700及びトランジス
タ900を設ける領域に、水素や不純物が拡散しないようなバリア性を有する膜を用いる
ことが好ましい。従って、絶縁体824と同様の材料を用いることができる。
ンを用いることができる。ここで、トランジスタ700等の酸化物半導体を有する半導体
素子に、水素が拡散することで、該半導体素子の特性が低下する場合がある。従って、ト
ランジスタ700及びトランジスタ900と、トランジスタ800との間に、水素の拡散
を抑制する膜を用いることが好ましい。水素の拡散を抑制する膜とは、具体的には、水素
の脱離量が少ない膜とする。
714には、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどの金属酸化物を用い
ることが好ましい。
素、水分などの不純物、の両方に対して膜を透過させない遮断効果が高い。したがって、
酸化アルミニウムは、トランジスタの作製工程中および作製後において、水素、水分など
の不純物のトランジスタ700及びトランジスタ900への混入を防止することができる
。また、トランジスタ700を構成する酸化物からの酸素の放出を抑制することができる
。そのため、トランジスタ700及びトランジスタ900に対する保護膜として用いるこ
とに適している。
用いることができる。また、当該絶縁体に、比較的誘電率が低い材料を用いることで、配
線間に生じる寄生容量を低減することができる。例えば、絶縁体716として、酸化シリ
コン膜や酸化窒化シリコン膜などを用いることができる。
6には、導電体718、及びトランジスタ700及びトランジスタ900を構成する導電
体が埋め込まれている。なお、導電体718は、容量素子600、またはトランジスタ8
00と電気的に接続するプラグ、または配線としての機能を有する。導電体718は、導
電体828、および導電体830と同様の材料を用いて設けることができる。
は、酸素、水素、および水に対するバリア性を有する導電体であることが好ましい。当該
構成により、トランジスタ800とトランジスタ700とは、酸素、水素、および水に対
するバリア性を有する層で、完全に分離することができ、トランジスタ800からトラン
ジスタ700及びトランジスタ900への水素の拡散を抑制することができる。
る。トランジスタ700及びトランジスタ900の上方には、絶縁体782および絶縁体
784が設けられている。絶縁体782および絶縁体784は、絶縁体824と同様の材
料を用いることができる。これにより、絶縁体782および絶縁体784は、トランジス
タ700及びトランジスタ900に対する保護膜として機能する。さらに、図19に示す
ように、絶縁体716、720、722、724、772、774、780に開口を形成
して絶縁体714と絶縁体782が接する構成とすることが好ましい。このような構成と
することにより、絶縁体714と絶縁体782でトランジスタ700、トランジスタ90
0を封止することができ、水素または水などの不純物の浸入を防ぐことができる。
0と同様の材料を用いることができる。また、当該絶縁体に、比較的誘電率が低い材料を
用いることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。例えば、絶縁体610
として、酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜などを用いることができる。
縁体780、絶縁体782、絶縁体784および絶縁体610には、導電体785等が埋
め込まれている。
電気的に接続するプラグ、または配線として機能を有する。導電体785は、導電体82
8、および導電体830と同様の材料を用いて設けることができる。
導電体を含むことが好ましい。特に、過剰酸素領域を有する絶縁体724と接する領域に
、耐酸化性が高い導電体を設けることが好ましい。当該構成により、絶縁体724から過
剰な酸素を、導電体785が吸収することを抑制することができる。また、導電体785
は、水素に対するバリア性を有する導電体を含むことが好ましい。特に、過剰酸素領域を
有する絶縁体724と接する領域に、水素などの不純物に対するバリア性を有する導電体
を設けることで、導電体785中の不純物、および導電体785の一部の拡散や、外部か
らの不純物の拡散経路となることを抑制することができる。
などを設ける。なお、容量素子600は、導電体612と、絶縁体630、絶縁体632
、絶縁体634、および導電体616とを有する。導電体612、および導電体616は
、容量素子600の電極として機能を有し、絶縁体630、絶縁体632、および絶縁体
634は容量素子600の誘電体として機能を有する。
電気的に接続するプラグ、または配線として機能を有する。また、導電体612は、容量
素子600の電極の一方として機能を有する。なお、導電体787、および導電体612
は、同時に形成することができる。
ン、アルミニウム、銅、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素を含む金属膜
、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜(窒化タンタル膜、窒化チタン膜、窒化
モリブデン膜、窒化タングステン膜)等を用いることができる。又は、インジウム錫酸化
物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛
酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、イ
ンジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの導電性材料を適用
することもできる。
シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム
、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム、窒
化酸化ハフニウム、窒化ハフニウムなどを用いればよく、積層または単層で設けることが
できる。
いた場合、容量素子600は、単位面積当たりの容量を大きくすることができる。また、
絶縁体630、および絶縁体634には、酸化窒化シリコンなどの絶縁耐力が大きい材料
を用いるとよい。絶縁耐力が大きい絶縁体により、高誘電体を挟むことで、容量素子60
0の静電破壊を抑制し、かつ容量の大きな容量素子とすることができる。
電体612の側面、および上面を覆うように設ける。当該構成により、導電体612の側
面は、絶縁体を介して、導電体616に包まれる。当該構成とすることで、導電体612
の側面でも容量が形成されるため、容量素子の投影面積当たりの容量を増加させることが
できる。従って、記憶装置の小面積化、高集積化、および微細化が可能となる。
を用いることができる。耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融
点材料を用いることが好ましく、特にタングステンを用いることが好ましい。また、導電
体などの他の構造と同時に形成する場合は、低抵抗金属材料であるCu(銅)やAl(ア
ルミニウム)等を用いればよい。
50は、絶縁体820と同様の材料を用いて設けることができる。また、絶縁体650は
、その下方の凹凸形状を被覆する平坦化膜として機能してもよい。
ランジスタを用いた記憶装置において、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上
させることができる。または、オン電流が大きい酸化物半導体を有するトランジスタを提
供することができる。または、オフ電流が小さい酸化物半導体を有するトランジスタを提
供することができる。または、消費電力が低減された記憶装置を提供することができる。
記憶装置の変形例の一例を、図20に示す。図20は、図19と、トランジスタ800
の構成が異なる。
1の一部)が凸形状を有する。また、半導体領域812の側面および上面を、絶縁体81
4を介して、導電体816が覆うように設けられている。なお、導電体816は仕事関数
を調整する材料を用いてもよい。このようなトランジスタ800は半導体基板の凸部を利
用していることからFIN型トランジスタとも呼ばれる。なお、凸部の上部に接して、凸
部を形成するためのマスクとして機能する絶縁体を有していてもよい。また、ここでは半
導体基板の一部を加工して凸部を形成する場合を示したが、SOI基板を加工して凸形状
を有する半導体膜を形成してもよい。
小面積化、高集積化、微細化が可能となる。
、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させることができる。または、オン電
流が大きい酸化物半導体を有するトランジスタを提供することができる。または、オフ電
流が小さい酸化物半導体を有するトランジスタを提供することができる。または、消費電
力が低減された記憶装置を提供することができる。
み合わせて実施することができる。
12 スパッタリングターゲット
50a バッキングプレート
50c バッキングプレート
66 シャッタ
67 部
100 トランジスタ
100a 部分
100b 部分
102 基板
104 絶縁体
106 導電体
108 酸化物
108a 酸化物
108b 酸化物
108c 酸化物
108n 領域
110 絶縁体
112 導電体
116 絶縁体
118 絶縁体
120a 導電体
120b 導電体
141a 開口部
141b 開口部
143 開口部
301 絶縁体
302 絶縁体
303 絶縁体
310 導電体
310a 導電体
310b 導電体
310c 導電体
400 基板
401a 絶縁体
401b 絶縁体
402 絶縁体
404 導電体
404a 導電体
406a 酸化物
406a1 酸化物
406b 酸化物
406b1 酸化物
406b1n 酸化物
406b1w 酸化物
406bn 酸化物
406bn_n 酸化物
406bn_1 酸化物
406bn_2 酸化物
406bw 酸化物
406bw_n 酸化物
406bw_1 酸化物
406bw_2 酸化物
406c 酸化物
406d 酸化物
408a 絶縁体
408b 絶縁体
410 絶縁体
412 絶縁体
412a 絶縁体
416a1 導電体
416a2 導電体
417a1 バリア膜
417a2 バリア膜
500 トランジスタ
502 基板
504 導電体
506 絶縁体
507 絶縁体
508 酸化物
508a 酸化物
508b 酸化物
508c 酸化物
508n 領域
512a 導電体
512b 導電体
514 絶縁体
516 絶縁体
518 絶縁体
520a 導電体
520b 導電体
542a 開口部
542b 開口部
542c 開口部
600 容量素子
610 絶縁体
612 導電体
616 導電体
630 絶縁体
632 絶縁体
634 絶縁体
650 絶縁体
700 トランジスタ
710 絶縁体
712 絶縁体
714 絶縁体
716 絶縁体
718 導電体
720 絶縁体
722 絶縁体
724 絶縁体
772 絶縁体
774 絶縁体
780 絶縁体
782 絶縁体
784 絶縁体
785 導電体
787 導電体
800 トランジスタ
811 基板
812 半導体領域
814 絶縁体
816 導電体
818a 低抵抗領域
818b 低抵抗領域
820 絶縁体
822 絶縁体
824 絶縁体
826 絶縁体
828 導電体
830 導電体
850 絶縁体
852 絶縁体
854 絶縁体
856 導電体
858 絶縁体
900 トランジスタ
3001 配線
3002 配線
3003 配線
3004 配線
3005 配線
3006 配線
3007 配線
3008 配線
3009 配線
3010 配線
Claims (1)
- ゲート電極と、第1の導電体と、第2の導電体と、ゲート絶縁体と、金属酸化物を有し、
前記ゲート絶縁体は、前記ゲート電極と前記金属酸化物との間に位置し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁体を介して、前記金属酸化物と重なる領域を有し、
前記第1の導電体および前記第2の導電体は、前記金属酸化物の上面および側面と接する領域を有し、
前記金属酸化物は、膜厚方向に第1のバンドギャップを有する酸化物層と、前記第1のバンドギャップを有する酸化物層に接する第2のバンドギャップを有する酸化物層と、が交互に重なる積層構造を有し、
前記金属酸化物は、前記第1のバンドギャップを有する酸化物層を、2層以上を有し、
前記第1のバンドギャップは、前記第2のバンドギャップより小さく、
前記ゲート電圧が0Vを保持した状態において、前記第2のバンドギャップを有する酸化物層の伝導帯下端とフェルミレベルとの差は、前記第1のバンドギャップを有する酸化物層の伝導帯下端とフェルミレベルとの差より大きいことを特徴とするトランジスタ。
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