JP2021036606A - 荷電粒子ビーム誘起エッチング - Google Patents
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Abstract
Description
ビームを用いて加工物をエッチングする方法であって、
前記加工物の表面を前駆体ガスにさらすことであり、前記前駆体ガスが、ハロゲン化オキサリルおよびハロゲン化アセチルからなるグループから選択された少なくとも1種の化合物を含むことと、
前記前駆体ガスの存在下で、前記加工物の前記表面にビームを照射することであり、前記前駆体ガスが、前記ビームの存在下で反応して、前記加工物の前記表面から材料を除去することと
を含む方法。
[付記2]
前記前駆体ガスが、塩化オキサリルおよび臭化オキサリルからなるグループから選択された少なくとも1種のハロゲン化オキサリルを含む、付記1に記載の方法。
[付記3]
前記前駆体ガスが、塩化アセチルおよび臭化アセチルからなるグループから選択された少なくとも1種のハロゲン化アセチルを含む、付記1または2に記載の方法。
[付記4]
前記加工物が真空室内に置かれ、
前記加工物の前記表面にビームを照射することが、前記加工物の前記表面に集束イオン・ビームを照射することを含む、
付記1から3のいずれか一項に記載の方法。
[付記5]
前記加工物の前記表面にビームを照射することが、前記加工物の前記表面にレーザ・ビームを照射することを含む、付記1から4のいずれか一項に記載の方法。
[付記6]
室温よりも低い温度に前記加工物を冷却することをさらに含む、付記1から5のいずれか一項に記載の方法。
[付記7]
室温よりも低い温度に前記加工物を冷却することが、マイナス10℃以下の温度に前記加工物を冷却することを含む、付記6に記載の方法。
[付記8]
前記前駆体ガスがさらに、ガスの混合物を含む、付記1から7のいずれか一項に記載の方法。
[付記9]
前記ガスの混合物がアンモニア・ガスを含む、付記8に記載の方法。
[付記10]
前記加工物が、インジウムまたはガリウムを含むIII−V族化合物を含み、
前記前駆体ガスが、インジウム結晶またはガリウムの小滴の形成を防ぐ前駆体ガスを含む、
付記1から9のいずれか一項に記載の方法。
[付記11]
試料室と、
前記試料室内において加工物を支持するように構成されたステージと、
荷電粒子の源と、
前記荷電粒子を荷電粒子ビームにし、前記荷電粒子ビームを前記加工物上に導くように構成された荷電粒子ビーム・カラムと、
前記加工物の表面にガスを供給するガス注入システムと、
ハロゲン化オキサリルおよびハロゲン化アセチルからなるグループから選択された少なくとも1種の化合物を含む前駆体ガスの源と
を備え、前記前駆体ガスの前記源が、前記ガス注入システムに接続されており、前記前
駆体ガスが、前記荷電粒子ビームの存在下で反応して前記加工物から材料を除去する前駆体ガスである
荷電粒子ビーム・システム。
[付記12]
前記少なくとも1種の化合物が、塩化オキサリルおよび臭化オキサリルからなるグループから選択された少なくとも1種のハロゲン化オキサリルを含む、付記11に記載の荷電粒子ビーム・システム。
[付記13]
前記少なくとも1種の化合物が、塩化アセチルおよび臭化アセチルからなるグループから選択された少なくとも1種ハロゲン化アセチルを含む、付記11または12に記載の荷電粒子ビーム・システム。
[付記14]
前記前駆体ガスの前記源が、ガスの混合物の源を含む、付記11から13のいずれかに一項記載の荷電粒子ビーム・システム。
[付記15]
前記加工物の前記表面を冷却する冷却器をさらに備える、付記11から14のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム・システム。
[付記16]
前記ステージが、室温よりも低い温度に前記加工物を冷却するように構成されている、付記11から15のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム・システム。
[付記17]
前記荷電粒子ビームがイオン・ビームである、付記11から16のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム・システム。
[付記18]
前記前駆体ガスの前記源が容器を含み、前記前駆体ガスが、前記容器内に液体として貯蔵されている、付記11から17のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム・システム。
[付記19]
ビーム源と、
加工物を保持するステージと、
前記加工物上にビームを導くビーム光学カラムと、
前記加工物の表面にガスを供給するガス注入システムと、
ハロゲン化オキサリルおよびハロゲン化アセチルからなるグループから選択された少なくとも1種の化合物を含む前駆体ガスの源と
を備え、前記前駆体ガスの前記源が、前記ガス注入システムに接続されており、前記前駆体ガスが、前記ビームの存在下で反応して前記加工物から材料を除去する前駆体ガスである
ビーム・システム。
306 加工物表面
410 デュアル・ビーム・システム
411 集束イオン・ビーム・システム
414 イオン源
418 集束イオン・ビーム
419 システム・コントローラ
422 加工物
424 TEM試料ホルダ
425 X−Yステージ
Claims (17)
- 加工物をビーム誘起エッチングする方法であって、
前記加工物の表面を、塩化オキサリル、臭化オキサリル、それらの化合物を含む前駆体ガスにさらすことと、
ビームの存在下で前記ビームが前駆体ガスの分解を誘導するように、前記前駆体ガスの存在下で前記ビームを前記加工物の前記表面に照射することと
を含み、
前記前駆体ガスの分解生成物は、前記加工物の前記表面との反応を受けることによって、前記加工物をエッチングし、結果として前記加工物からの材料を含む揮発性化合物を形成し、前記揮発性化合物の形成は、前記加工物から材料を除去する、
方法。 - 前記加工物が真空室内に置かれ
前記加工物の前記表面にビームを照射することが、前記加工物の前記表面に集束イオン・ビームを照射することを含む、
請求項1記載の方法。 - 前記加工物の前記表面にビームを照射することが、前記加工物の前記表面にレーザ・ビームを照射することを含む、
請求項1記載の方法。 - 室温よりも低い温度に前記加工物を冷却することをさらに含む、
請求項1記載の方法。 - 室温よりも低い温度に前記加工物を冷却することが、マイナス10℃以下の温度に前記加工物を冷却することを含む、
請求項4記載の方法。 - 前記前駆体ガスがさらに、ガスの混合物を含む、
請求項1記載の方法。 - 前記ガスの混合物がアンモニア・ガスを含む、
請求項6記載の方法。 - 前記加工物が、インジウムまたはガリウムを含むIII−V族化合物を含み、
前記前駆体ガスが、インジウム結晶またはガリウムの小滴の形成を防ぐ前駆体ガスを含む、
請求項1記載の方法。 - 荷電ビームを用いて加工物をエッチングする方法であって
前記加工物の表面を前駆体ガスにさらすことであり、前記前駆体ガスが、ハロゲン化オキサリルおよびハロゲン化アセチルからなるグループから選択された少なくとも1種の化合物を含むことと、
前記前駆体ガスの存在下で、前記加工物の前記表面にビームを照射することであり、前記ビームが前駆体ガスの分解を誘導し、前記前駆体ガスが前記ビームの存在下で分解する、ことと
を含み、
前記前駆体ガスの分解生成物は、前記加工物の前記表面との反応を受けることによって、前記加工物をエッチングし、前記加工物からの材料を含む揮発性化合物を形成し、前記揮発性化合物の形成は、前記加工物から材料を除去する、
方法。 - 前記前駆体ガスが、塩化アセチルおよび臭化アセチルからなるグループから選択された少なくとも1種の化合物を含む、
請求項9記載の方法。 - 前記加工物が真空室内に置かれ、
前記加工物の前記表面にビームを照射することが、前記加工物の前記表面に集束イオン・ビームを照射することを含む、
請求項10記載の方法。 - 前記加工物の前記表面にビームを照射することが、前記加工物の前記表面にレーザ・ビームを照射することを含む、
請求項10記載の方法。 - 室温よりも低い温度に前記加工物を冷却することをさらに含む、
請求項10記載の方法。 - 室温よりも低い温度に前記加工物を冷却することが、マイナス10℃以下の温度に前記加工物を冷却することを含む、
請求項13記載の方法。 - 前記前駆体ガスがさらに、ガスの混合物を含む、
請求項10記載の方法。 - 前記ガスの混合物がアンモニア・ガスを含む、
請求項15記載の方法。 - 前記ビームを前記加工物の前記表面に照射することは、インジウムまたはガリウムを含むIII−V族化合物を含む加工物を照射することを含む、
前記前駆体ガスが、インジウム結晶またはガリウムの小滴の形成を防ぐ前駆体ガスを含む、
請求項10記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/993,665 | 2016-01-12 | ||
US14/993,665 US10103008B2 (en) | 2016-01-12 | 2016-01-12 | Charged particle beam-induced etching |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017001221A Division JP6794269B2 (ja) | 2016-01-12 | 2017-01-06 | 荷電粒子ビーム誘起エッチング |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021036606A true JP2021036606A (ja) | 2021-03-04 |
JP7048703B2 JP7048703B2 (ja) | 2022-04-05 |
Family
ID=57755218
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017001221A Active JP6794269B2 (ja) | 2016-01-12 | 2017-01-06 | 荷電粒子ビーム誘起エッチング |
JP2020187819A Active JP7048703B2 (ja) | 2016-01-12 | 2020-11-11 | 荷電粒子ビーム誘起エッチング |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017001221A Active JP6794269B2 (ja) | 2016-01-12 | 2017-01-06 | 荷電粒子ビーム誘起エッチング |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10103008B2 (ja) |
EP (1) | EP3193351B1 (ja) |
JP (2) | JP6794269B2 (ja) |
CN (1) | CN107039228B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6724060B2 (ja) * | 2018-04-16 | 2020-07-15 | 株式会社日本製鋼所 | プレス成形機 |
US10930514B2 (en) * | 2018-06-11 | 2021-02-23 | Fei Company | Method and apparatus for the planarization of surfaces |
CN112313770B (zh) | 2018-06-22 | 2024-03-15 | 株式会社日立高新技术 | 离子铣削装置 |
US20220305584A1 (en) * | 2021-03-24 | 2022-09-29 | Fei Company | In-situ laser redeposition reduction by a controlled gas flow and a system for reducing contamination |
US20230023396A1 (en) * | 2021-07-26 | 2023-01-26 | Applied Materials Israel Ltd. | Temperature-controlled surface with a cryo-nanomanipulator for improved deposition rate |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0242722A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体のエッチング方法,電極形成方法,エッチドミラー,分離溝およびエッチドミラーレーザ |
JPH0262039A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Hitachi Ltd | 多層素子の微細加工方法およびその装置 |
JPH05343366A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
JPH065558A (ja) * | 1992-04-23 | 1994-01-14 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
JPH0831775A (ja) * | 1994-07-14 | 1996-02-02 | Nec Corp | 化合物半導体の微細加工方法 |
JPH1098024A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置の製造方法 |
US6242359B1 (en) * | 1997-08-20 | 2001-06-05 | Air Liquide America Corporation | Plasma cleaning and etching methods using non-global-warming compounds |
JP2002500444A (ja) * | 1997-12-31 | 2002-01-08 | アライドシグナル・インコーポレイテッド | フッ素化されたカルボニル化合物を用いるエッチング及びクリニングの方法 |
US20030100143A1 (en) * | 2001-11-28 | 2003-05-29 | Mulligan Rose A. | Forming defect prevention trenches in dicing streets |
JP2006074013A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-03-16 | Air Products & Chemicals Inc | 基板から炭素含有残渣類を除去する方法 |
JP2011530821A (ja) * | 2008-08-14 | 2011-12-22 | カールツァイス エスエムエス ゲーエムベーハー | ガリウムで汚染された層の電子ビーム誘起エッチング方法 |
JP2013197594A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Fei Co | 複数ガス注入システム |
JP2014232876A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 集束イオン・ビームを使用した半導体デバイスの平面デプロセッシング用の前駆体 |
JP2015029072A (ja) * | 2013-06-10 | 2015-02-12 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 電子ビーム誘起エッチング |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5683547A (en) | 1990-11-21 | 1997-11-04 | Hitachi, Ltd. | Processing method and apparatus using focused energy beam |
US5188705A (en) | 1991-04-15 | 1993-02-23 | Fei Company | Method of semiconductor device manufacture |
US5851413A (en) | 1996-06-19 | 1998-12-22 | Micrion Corporation | Gas delivery systems for particle beam processing |
US5874011A (en) | 1996-08-01 | 1999-02-23 | Revise, Inc. | Laser-induced etching of multilayer materials |
WO2000022670A1 (en) | 1998-10-09 | 2000-04-20 | Fei Company | Integrated circuit rewiring using gas-assisted fib etching |
US6268608B1 (en) | 1998-10-09 | 2001-07-31 | Fei Company | Method and apparatus for selective in-situ etching of inter dielectric layers |
US6322672B1 (en) | 2000-03-10 | 2001-11-27 | Fei Company | Method and apparatus for milling copper interconnects in a charged particle beam system |
US6838380B2 (en) | 2001-01-26 | 2005-01-04 | Fei Company | Fabrication of high resistivity structures using focused ion beams |
WO2003012551A1 (en) | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Fei Company | Electron beam processing |
US7504182B2 (en) | 2002-09-18 | 2009-03-17 | Fei Company | Photolithography mask repair |
CN1739066B (zh) | 2003-01-16 | 2010-06-02 | Fei公司 | 用于掩模修复的电子束处理技术 |
US7241361B2 (en) | 2004-02-20 | 2007-07-10 | Fei Company | Magnetically enhanced, inductively coupled plasma source for a focused ion beam system |
CN100461344C (zh) * | 2004-07-23 | 2009-02-11 | 气体产品与化学公司 | 从基板上清除含碳的残余物的方法 |
EP1630849B1 (en) | 2004-08-27 | 2011-11-02 | Fei Company | Localized plasma processing |
US7670956B2 (en) | 2005-04-08 | 2010-03-02 | Fei Company | Beam-induced etching |
US8835880B2 (en) | 2006-10-31 | 2014-09-16 | Fei Company | Charged particle-beam processing using a cluster source |
US8303833B2 (en) | 2007-06-21 | 2012-11-06 | Fei Company | High resolution plasma etch |
US8278220B2 (en) | 2008-08-08 | 2012-10-02 | Fei Company | Method to direct pattern metals on a substrate |
US8778804B2 (en) | 2009-01-30 | 2014-07-15 | Fei Company | High selectivity, low damage electron-beam delineation etch |
US8753517B2 (en) * | 2009-05-29 | 2014-06-17 | Petroleum Specialty Rental, Llc | Method and apparatus for removing metallic matter from an oil well circulating completion fluid stream |
US8524139B2 (en) | 2009-08-10 | 2013-09-03 | FEI Compay | Gas-assisted laser ablation |
US8617668B2 (en) | 2009-09-23 | 2013-12-31 | Fei Company | Method of using nitrogen based compounds to reduce contamination in beam-induced thin film deposition |
WO2011060444A2 (en) | 2009-11-16 | 2011-05-19 | Fei Company | Gas delivery for beam processing systems |
EP2402475A1 (en) | 2010-06-30 | 2012-01-04 | Fei Company | Beam-induced deposition at cryogenic temperatures |
US9090973B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-07-28 | Fei Company | Beam-induced deposition of low-resistivity material |
EP2749863A3 (en) | 2012-12-31 | 2016-05-04 | Fei Company | Method for preparing samples for imaging |
US9443697B2 (en) | 2012-01-31 | 2016-09-13 | Fei Company | Low energy ion beam etch |
-
2016
- 2016-01-12 US US14/993,665 patent/US10103008B2/en active Active
-
2017
- 2017-01-06 JP JP2017001221A patent/JP6794269B2/ja active Active
- 2017-01-09 EP EP17150603.3A patent/EP3193351B1/en active Active
- 2017-01-11 CN CN201710149550.3A patent/CN107039228B/zh active Active
-
2020
- 2020-11-11 JP JP2020187819A patent/JP7048703B2/ja active Active
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0242722A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体のエッチング方法,電極形成方法,エッチドミラー,分離溝およびエッチドミラーレーザ |
JPH0262039A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Hitachi Ltd | 多層素子の微細加工方法およびその装置 |
JPH065558A (ja) * | 1992-04-23 | 1994-01-14 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
JPH05343366A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
JPH0831775A (ja) * | 1994-07-14 | 1996-02-02 | Nec Corp | 化合物半導体の微細加工方法 |
JPH1098024A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置の製造方法 |
US6242359B1 (en) * | 1997-08-20 | 2001-06-05 | Air Liquide America Corporation | Plasma cleaning and etching methods using non-global-warming compounds |
JP2002500444A (ja) * | 1997-12-31 | 2002-01-08 | アライドシグナル・インコーポレイテッド | フッ素化されたカルボニル化合物を用いるエッチング及びクリニングの方法 |
US20030100143A1 (en) * | 2001-11-28 | 2003-05-29 | Mulligan Rose A. | Forming defect prevention trenches in dicing streets |
JP2006074013A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-03-16 | Air Products & Chemicals Inc | 基板から炭素含有残渣類を除去する方法 |
JP2011530821A (ja) * | 2008-08-14 | 2011-12-22 | カールツァイス エスエムエス ゲーエムベーハー | ガリウムで汚染された層の電子ビーム誘起エッチング方法 |
JP2013197594A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Fei Co | 複数ガス注入システム |
JP2014232876A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 集束イオン・ビームを使用した半導体デバイスの平面デプロセッシング用の前駆体 |
JP2015029072A (ja) * | 2013-06-10 | 2015-02-12 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 電子ビーム誘起エッチング |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017135375A (ja) | 2017-08-03 |
CN107039228A (zh) | 2017-08-11 |
CN107039228B (zh) | 2021-05-11 |
US20170200589A1 (en) | 2017-07-13 |
JP6794269B2 (ja) | 2020-12-02 |
EP3193351B1 (en) | 2018-09-19 |
JP7048703B2 (ja) | 2022-04-05 |
US10103008B2 (en) | 2018-10-16 |
EP3193351A1 (en) | 2017-07-19 |
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