JPH065558A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH065558A JPH065558A JP4316260A JP31626092A JPH065558A JP H065558 A JPH065558 A JP H065558A JP 4316260 A JP4316260 A JP 4316260A JP 31626092 A JP31626092 A JP 31626092A JP H065558 A JPH065558 A JP H065558A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣＦＣ（クロロフルオロカーボン）ガスを用
いずにＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ積層系の選択異方性エッ
チングを行う。 【構成】 ＨＥＭＴのゲート・リセス５ａの加工におい
て、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４上のｎ+ −ＧａＡｓ層５を
＞Ｃ＝Ｏ基，＞Ｓ＝Ｏ基，−Ｎ＝Ｏ基等の極性官能基を
有するハロゲン化合物を用いてエッチングする。レジス
ト・マスク６の分解生成物に由来する炭素系ポリマーに
上記の官能基、あるいはＣ−Ｃ結合よりも結合エネルギ
ーの大きいＣ−Ｏ結合，Ｃ−Ｓ結合，Ｃ−Ｎ結合等が導
入され、強固な側壁保護膜７が形成される。異方性加工
に必要な入射イオン・エネルギーと炭素系ポリマーの堆
積量を低減でき、高選択・低汚染エッチングが行える。
具体的なエッチング・ガス組成は、ＣＯＦ2 ／Ｃｌ2 ，
ＳＯＦ2 ／Ｓ2 Ｃｌ2 ，ＮＯＣｌ／ＳＦ6 等。
いずにＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ積層系の選択異方性エッ
チングを行う。 【構成】 ＨＥＭＴのゲート・リセス５ａの加工におい
て、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４上のｎ+ −ＧａＡｓ層５を
＞Ｃ＝Ｏ基，＞Ｓ＝Ｏ基，−Ｎ＝Ｏ基等の極性官能基を
有するハロゲン化合物を用いてエッチングする。レジス
ト・マスク６の分解生成物に由来する炭素系ポリマーに
上記の官能基、あるいはＣ−Ｃ結合よりも結合エネルギ
ーの大きいＣ−Ｏ結合，Ｃ−Ｓ結合，Ｃ−Ｎ結合等が導
入され、強固な側壁保護膜７が形成される。異方性加工
に必要な入射イオン・エネルギーと炭素系ポリマーの堆
積量を低減でき、高選択・低汚染エッチングが行える。
具体的なエッチング・ガス組成は、ＣＯＦ2 ／Ｃｌ2 ，
ＳＯＦ2 ／Ｓ2 Ｃｌ2 ，ＮＯＣｌ／ＳＦ6 等。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造等に適
用されるドライエッチング方法に関し、特にＨＥＭＴ
（高電子移動度トランジスタ）のゲート・リセス形成工
程におけるＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ選択エッチング等
を、パーティクル汚染を発生させずに行う方法に関す
る。
用されるドライエッチング方法に関し、特にＨＥＭＴ
（高電子移動度トランジスタ）のゲート・リセス形成工
程におけるＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ選択エッチング等
を、パーティクル汚染を発生させずに行う方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓＭＥＳ−ＦＥＴ（ｍｅｔａｌ
ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃ
ｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を単一基板上に集積化した
ＭＭＩＣ（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ｍｉｃｒｏｗａｖｅ
ＩＣ）は、高速高周波応答性、低雑音、低消費電力等
の特長を有し、近年、移動体通信や衛生通信用のデバイ
スとして利用されつつある。
ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃ
ｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を単一基板上に集積化した
ＭＭＩＣ（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ｍｉｃｒｏｗａｖｅ
ＩＣ）は、高速高周波応答性、低雑音、低消費電力等
の特長を有し、近年、移動体通信や衛生通信用のデバイ
スとして利用されつつある。
【０００３】１９８０年には、上記ＧａＡｓＭＥＳ−Ｆ
ＥＴのさらなる高速化を目指した研究から、ＨＥＭＴ
（ｈｉｇｈ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｏｂｉｌｉｔｙ ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が開発されている。これは、Ｇａ
Ａｓ化合物半導体のヘテロ接合界面における２次元電子
ガスが、不純物による散乱を受けることなく高速で移動
できることを利用したデバイスである。このＨＥＭＴに
ついても高集積化を実現するための研究が続けられてお
り、その加工を行うドライエッチング技術に対する要求
も、より高精度、より高選択比へと向かっている。
ＥＴのさらなる高速化を目指した研究から、ＨＥＭＴ
（ｈｉｇｈ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｏｂｉｌｉｔｙ ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が開発されている。これは、Ｇａ
Ａｓ化合物半導体のヘテロ接合界面における２次元電子
ガスが、不純物による散乱を受けることなく高速で移動
できることを利用したデバイスである。このＨＥＭＴに
ついても高集積化を実現するための研究が続けられてお
り、その加工を行うドライエッチング技術に対する要求
も、より高精度、より高選択比へと向かっている。
【０００４】中でも、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ積層系を
選択的にエッチングしてゲート・リセスを形成する工程
は、ＨＥＭＴ，ヘテロＭＩＳ構造ＦＥＴなどのヘテロ接
合ＦＥＴの閾値電圧を決める重要な技術である。それ
は、下層側のＡｌＧａＡｓ層における不純物濃度や厚さ
等が、上層側のＧａＡｓ層のみを除去すれば然るべき閾
値電圧をもつＦＥＴが構成できるように予め設定されて
いるからである。このＡｌＧａＡｓ層上におけるＧａＡ
ｓ層の選択エッチング方法としては、ＣＣｌ2 Ｆ2 等の
ＣＦＣ（クロロフルオロカーボン）ガスと希ガスの混合
ガスを用いる方法が代表的なものである。これは、Ｇａ
が主として塩化物、Ａｓがフッ化物および塩化物を形成
することによりＧａＡｓ層が除去される一方で、下地の
ＡｌＧａＡｓ層が露出した時点では蒸気圧の低いＡｌＦ
x （フッ化アルミニウム）が表面に形成されてエッチン
グ速度が低下し、高選択比が得られるからである。
選択的にエッチングしてゲート・リセスを形成する工程
は、ＨＥＭＴ，ヘテロＭＩＳ構造ＦＥＴなどのヘテロ接
合ＦＥＴの閾値電圧を決める重要な技術である。それ
は、下層側のＡｌＧａＡｓ層における不純物濃度や厚さ
等が、上層側のＧａＡｓ層のみを除去すれば然るべき閾
値電圧をもつＦＥＴが構成できるように予め設定されて
いるからである。このＡｌＧａＡｓ層上におけるＧａＡ
ｓ層の選択エッチング方法としては、ＣＣｌ2 Ｆ2 等の
ＣＦＣ（クロロフルオロカーボン）ガスと希ガスの混合
ガスを用いる方法が代表的なものである。これは、Ｇａ
が主として塩化物、Ａｓがフッ化物および塩化物を形成
することによりＧａＡｓ層が除去される一方で、下地の
ＡｌＧａＡｓ層が露出した時点では蒸気圧の低いＡｌＦ
x （フッ化アルミニウム）が表面に形成されてエッチン
グ速度が低下し、高選択比が得られるからである。
【０００５】たとえば、Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏ
ｌ．２０．，Ｎｏ．１１（１９８１），ｐ．Ｌ８４７〜
８５０には、ＣＣｌ2 Ｆ2 ／Ｈｅ混合ガスを用いて選択
比２００を達成した例が報告されている。
ａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏ
ｌ．２０．，Ｎｏ．１１（１９８１），ｐ．Ｌ８４７〜
８５０には、ＣＣｌ2 Ｆ2 ／Ｈｅ混合ガスを用いて選択
比２００を達成した例が報告されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ＣＣｌ2 Ｆ2 等のＣＦＣガスは、いわゆるフロン・ガス
と通称されている化合物の一種であり、周知のように地
球のオゾン層破壊の原因とされているため、近い将来に
も製造・使用が禁止される運びである。したがって、ド
ライエッチングの分野においても代替ガス、およびその
使用技術を開発することが急務となっている。
ＣＣｌ2 Ｆ2 等のＣＦＣガスは、いわゆるフロン・ガス
と通称されている化合物の一種であり、周知のように地
球のオゾン層破壊の原因とされているため、近い将来に
も製造・使用が禁止される運びである。したがって、ド
ライエッチングの分野においても代替ガス、およびその
使用技術を開発することが急務となっている。
【０００７】また、上述のＣＦＣガスは、エッチング反
応系内にフルオロカーボン系ポリマーを大量に生成させ
易い。このポリマーは、パターン側壁部に堆積して側壁
保護効果を発揮するので異方性加工に寄与しているが、
その反面、エッチング速度の不安定化やパーティクル・
レベルの悪化等を招き易い。そこで本発明は、アルミニ
ウム（Ａｌ）を含有する化合物半導体層（以下、Ａｌ含
有化合物半導体層と称する。）上におけるＡｌを含まな
い化合物半導体層（以下、非Ａｌ含有化合物半導体層と
称する。）の選択エッチングを、ＣＦＣガスを用いず、
しかもクリーンな条件下で行うことを可能とするドライ
エッチング方法を提供することを目的とする。
応系内にフルオロカーボン系ポリマーを大量に生成させ
易い。このポリマーは、パターン側壁部に堆積して側壁
保護効果を発揮するので異方性加工に寄与しているが、
その反面、エッチング速度の不安定化やパーティクル・
レベルの悪化等を招き易い。そこで本発明は、アルミニ
ウム（Ａｌ）を含有する化合物半導体層（以下、Ａｌ含
有化合物半導体層と称する。）上におけるＡｌを含まな
い化合物半導体層（以下、非Ａｌ含有化合物半導体層と
称する。）の選択エッチングを、ＣＦＣガスを用いず、
しかもクリーンな条件下で行うことを可能とするドライ
エッチング方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ方法は、上述の目的を達成するために提案されるもの
であり、Ａｌ含有化合物半導体層の上に積層された非Ａ
ｌ含有化合物半導体層を、分子内にカルボニル基, チオ
ニル基, スルフリル基, ニトロシル基, ニトリル基から
選ばれる少なくとも１種類の官能基に加えてフッ素原子
を有する化合物を含むエッチング・ガスを用いてエッチ
ングするものである。
グ方法は、上述の目的を達成するために提案されるもの
であり、Ａｌ含有化合物半導体層の上に積層された非Ａ
ｌ含有化合物半導体層を、分子内にカルボニル基, チオ
ニル基, スルフリル基, ニトロシル基, ニトリル基から
選ばれる少なくとも１種類の官能基に加えてフッ素原子
を有する化合物を含むエッチング・ガスを用いてエッチ
ングするものである。
【０００９】本発明はまた、前記エッチング・ガスがさ
らに塩素系化合物もしくは臭素系化合物の少なくとも一
方を含むものである。
らに塩素系化合物もしくは臭素系化合物の少なくとも一
方を含むものである。
【００１０】本発明はまた、別のエッチング・ガス組成
として、分子内にカルボニル基, チオニル基, スルフリ
ル基, ニトロシル基, ニトリル基から選ばれる少なくと
も１種類の官能基に加えて塩素原子もしくは臭素原子の
少なくとも一方を有する化合物と、フッ素系化合物とを
含む混合系を使用するものである。
として、分子内にカルボニル基, チオニル基, スルフリ
ル基, ニトロシル基, ニトリル基から選ばれる少なくと
も１種類の官能基に加えて塩素原子もしくは臭素原子の
少なくとも一方を有する化合物と、フッ素系化合物とを
含む混合系を使用するものである。
【００１１】本発明はまた、上述のエッチング工程を非
Ａｌ含有化合物半導体層を実質的にその層厚分だけエッ
チングするジャストエッチング工程と、この非Ａｌ含有
化合物半導体層の残余部をエッチングするオーバーエッ
チング工程の２工程に分け、後者のオーバーエッチング
工程においてプラズマ中におけるフッ素系化学種の生成
比が高まるように前記エッチング・ガスの成分混合比を
変更するものである。
Ａｌ含有化合物半導体層を実質的にその層厚分だけエッ
チングするジャストエッチング工程と、この非Ａｌ含有
化合物半導体層の残余部をエッチングするオーバーエッ
チング工程の２工程に分け、後者のオーバーエッチング
工程においてプラズマ中におけるフッ素系化学種の生成
比が高まるように前記エッチング・ガスの成分混合比を
変更するものである。
【００１２】本発明はさらに、前記エッチング・ガスが
放電解離条件下でプラズマ中に遊離のイオウを生成する
ものである。
放電解離条件下でプラズマ中に遊離のイオウを生成する
ものである。
【００１３】
【作用】脱ＣＦＣプロセスを確立しようとする場合、異
方性加工に必要な側壁保護膜を構成する炭素系ポリマー
を気相中から供給しないとすれば、その供給源はレジス
ト・マスクに求めざるを得ない。しかし、レジスト・マ
スクの分解生成物を大量に供給すべく高い入射エネルギ
ー有するイオンでこれをスパッタしたのでは、レジスト
選択性が必然的に低下する上、下地へのダメージ発生や
パーティクル汚染も防止できない。
方性加工に必要な側壁保護膜を構成する炭素系ポリマー
を気相中から供給しないとすれば、その供給源はレジス
ト・マスクに求めざるを得ない。しかし、レジスト・マ
スクの分解生成物を大量に供給すべく高い入射エネルギ
ー有するイオンでこれをスパッタしたのでは、レジスト
選択性が必然的に低下する上、下地へのダメージ発生や
パーティクル汚染も防止できない。
【００１４】本発明のポイントは、炭素系ポリマー自身
の膜質を強化することにより、その堆積量を減少させて
も十分に高い側壁保護効果または表面保護効果を発揮さ
せ、結果として高選択性、低ダメージ性、低汚染性を達
成する点にある。
の膜質を強化することにより、その堆積量を減少させて
も十分に高い側壁保護効果または表面保護効果を発揮さ
せ、結果として高選択性、低ダメージ性、低汚染性を達
成する点にある。
【００１５】炭素系ポリマー自身の膜質を強化する方法
として、本発明では分子中にカルボニル基（＞Ｃ＝
Ｏ）, チオニル基（＞Ｓ＝Ｏ），スルフリル基（＞ＳＯ
2 ），ニトロシル基（−Ｎ＝Ｏ），ニトリル基（−ＮＯ
2 ）のいずれかの官能基を有する化合物を用いる。上記
の官能基は、Ｃ原子，Ｓ原子，もしくはＮ原子が正電
荷、Ｏ原子が負電荷を帯びるごとく分極した構造をとる
ことができ、高い重合促進活性を有している。したがっ
て、かかる官能基もしくはこれに由来する原子団がプラ
ズマ中に存在することにより、炭素系ポリマーの重合度
が上昇し、イオン入射やラジカルの攻撃に対する耐性を
高めることができる。さらに、炭素系ポリマーに上述の
官能基が導入されると、単に−ＣＸ2 −（Ｘはハロゲン
原子を表す。）の繰り返し構造からなる従来の炭素系ポ
リマーよりも化学的，物理的安定性が増すことも、近年
の研究により明らかとなっている。これは、２原子間の
結合エネルギーを比較すると、Ｃ−Ｏ結合（１０７７ｋ
Ｊ／ｍｏｌ），Ｃ−Ｓ結合（７１３ｋＪ／ｍｏｌ），Ｃ
−Ｎ結合（７７０ｋＪ／ｍｏｌ）がいずれもＣ−Ｃ結合
（６０７ｋＪ／ｍｏｌ）より大きいことからも直観的に
理解される。
として、本発明では分子中にカルボニル基（＞Ｃ＝
Ｏ）, チオニル基（＞Ｓ＝Ｏ），スルフリル基（＞ＳＯ
2 ），ニトロシル基（−Ｎ＝Ｏ），ニトリル基（−ＮＯ
2 ）のいずれかの官能基を有する化合物を用いる。上記
の官能基は、Ｃ原子，Ｓ原子，もしくはＮ原子が正電
荷、Ｏ原子が負電荷を帯びるごとく分極した構造をとる
ことができ、高い重合促進活性を有している。したがっ
て、かかる官能基もしくはこれに由来する原子団がプラ
ズマ中に存在することにより、炭素系ポリマーの重合度
が上昇し、イオン入射やラジカルの攻撃に対する耐性を
高めることができる。さらに、炭素系ポリマーに上述の
官能基が導入されると、単に−ＣＸ2 −（Ｘはハロゲン
原子を表す。）の繰り返し構造からなる従来の炭素系ポ
リマーよりも化学的，物理的安定性が増すことも、近年
の研究により明らかとなっている。これは、２原子間の
結合エネルギーを比較すると、Ｃ−Ｏ結合（１０７７ｋ
Ｊ／ｍｏｌ），Ｃ−Ｓ結合（７１３ｋＪ／ｍｏｌ），Ｃ
−Ｎ結合（７７０ｋＪ／ｍｏｌ）がいずれもＣ−Ｃ結合
（６０７ｋＪ／ｍｏｌ）より大きいことからも直観的に
理解される。
【００１６】さらに、これらの官能基は炭素系ポリマー
に取り込まれることでその極性を増大させ、負に帯電し
ているエッチング中のウェハに対して該炭素系ポリマー
の静電吸着力を高める働きをする。このことによって
も、炭素系ポリマーの表面保護効果は向上する。
に取り込まれることでその極性を増大させ、負に帯電し
ているエッチング中のウェハに対して該炭素系ポリマー
の静電吸着力を高める働きをする。このことによって
も、炭素系ポリマーの表面保護効果は向上する。
【００１７】このように、炭素系ポリマー自身の膜質が
強化されることにより、異方性加工に必要な入射イオン
・エネルギーを低減させることができ、レジスト選択性
を向上させることができる。このことは、比較的薄いフ
ォトレジスト塗膜からも十分に実用に耐えるエッチング
・マスクが形成できるようになり、加工寸法変換差の発
生を防止できる一方で、フォトリソグラフィにおける高
解像度を達成できるという副次的効果も生む。また、入
射イオン・エネルギーの低減は、当然ながら下地選択性
の向上にもつながる。さらに、高異方性、高選択性を達
成するために必要な炭素系ポリマーの堆積量を低減でき
るので、従来技術に比べてパーティクル汚染を減少させ
ることができる。
強化されることにより、異方性加工に必要な入射イオン
・エネルギーを低減させることができ、レジスト選択性
を向上させることができる。このことは、比較的薄いフ
ォトレジスト塗膜からも十分に実用に耐えるエッチング
・マスクが形成できるようになり、加工寸法変換差の発
生を防止できる一方で、フォトリソグラフィにおける高
解像度を達成できるという副次的効果も生む。また、入
射イオン・エネルギーの低減は、当然ながら下地選択性
の向上にもつながる。さらに、高異方性、高選択性を達
成するために必要な炭素系ポリマーの堆積量を低減でき
るので、従来技術に比べてパーティクル汚染を減少させ
ることができる。
【００１８】ところで、上記の官能基を有する化合物分
子内に含まれるハロゲン原子は、フッ素（Ｆ），塩素
（Ｃｌ），臭素（Ｂｒ）のいずれかである。これらのハ
ロゲン原子は、非Ａｌ含有化合物半導体層の主エッチン
グ種として寄与する。ただし、非Ａｌ含有／Ａｌ含有化
合物半導体層の積層系のエッチングにおける下地選択性
の達成が原理的にＡｌＦx の生成にもとづいている以
上、エッチング反応系にはＦ* 等のフッ素系化学種が存
在することが必要である。
子内に含まれるハロゲン原子は、フッ素（Ｆ），塩素
（Ｃｌ），臭素（Ｂｒ）のいずれかである。これらのハ
ロゲン原子は、非Ａｌ含有化合物半導体層の主エッチン
グ種として寄与する。ただし、非Ａｌ含有／Ａｌ含有化
合物半導体層の積層系のエッチングにおける下地選択性
の達成が原理的にＡｌＦx の生成にもとづいている以
上、エッチング反応系にはＦ* 等のフッ素系化学種が存
在することが必要である。
【００１９】かかる要件を満たすエッチング・ガスとし
て、本発明ではまず分子内に上述の官能基の少なくとも
いずれか１種類とＦ原子とを有する化合物を用いる。こ
れにより、原理的には単一組成のエッチング・ガスで選
択異方性加工が実現する。
て、本発明ではまず分子内に上述の官能基の少なくとも
いずれか１種類とＦ原子とを有する化合物を用いる。こ
れにより、原理的には単一組成のエッチング・ガスで選
択異方性加工が実現する。
【００２０】しかし、エッチング反応系に存在するハロ
ゲン系化学種がフッ素系化学種のみでは、化合物半導体
層の構成元素によっては蒸気圧の高い反応生成物が得ら
れず、エッチング速度が大幅に低下する虞れがある。そ
こで本発明ではさらに、上記の官能基を有する化合物に
Ｃｌ系化合物もしくはＢｒ系化合物の少なくとも一方を
添加することを提案する。これにより、エッチング反応
系にＣｌ* ，Ｂｒ* 等の化学種が寄与できるようにな
り、エッチングが高速化できる他、炭素系ポリマーとし
てもＣＣｌx ，ＣＢｒx 等のより堆積し易い組成のもの
が期待できるようになる。
ゲン系化学種がフッ素系化学種のみでは、化合物半導体
層の構成元素によっては蒸気圧の高い反応生成物が得ら
れず、エッチング速度が大幅に低下する虞れがある。そ
こで本発明ではさらに、上記の官能基を有する化合物に
Ｃｌ系化合物もしくはＢｒ系化合物の少なくとも一方を
添加することを提案する。これにより、エッチング反応
系にＣｌ* ，Ｂｒ* 等の化学種が寄与できるようにな
り、エッチングが高速化できる他、炭素系ポリマーとし
てもＣＣｌx ，ＣＢｒx 等のより堆積し易い組成のもの
が期待できるようになる。
【００２１】本発明ではまた、別のエッチング・ガス組
成として、上記の構成成分間でハロゲン原子を入れ換え
たものも提案する。すなわち、上述の官能基を有する化
合物分子の方にＣｌ原子もしくはＢｒ原子が含まれてお
り、これにＦ系化合物を添加するのである。このガス組
成によっても、ほぼ上述のような効果が期待できる。
成として、上記の構成成分間でハロゲン原子を入れ換え
たものも提案する。すなわち、上述の官能基を有する化
合物分子の方にＣｌ原子もしくはＢｒ原子が含まれてお
り、これにＦ系化合物を添加するのである。このガス組
成によっても、ほぼ上述のような効果が期待できる。
【００２２】本発明は、以上のような考え方を基本とし
ているが、さらに一層の低汚染化と低ダメージ化を目指
す方法も提案する。そのひとつは、エッチングをジャス
トエッチング工程とオーバーエッチング工程とに２段階
化し、オーバーエッチング工程においてプラズマ中にお
けるＦ系化学種の生成比を高めることである。オーバー
エッチング工程では非Ａｌ含有化合物半導体層の大部分
は除去され、被エッチング領域の多くの部分には下地の
Ａｌ含有化合物半導体層が露出している。そこで、この
段階でＦ系化学種の生成量を増やせば、その露出面上で
ＡｌＦx の生成が促進されるのである。
ているが、さらに一層の低汚染化と低ダメージ化を目指
す方法も提案する。そのひとつは、エッチングをジャス
トエッチング工程とオーバーエッチング工程とに２段階
化し、オーバーエッチング工程においてプラズマ中にお
けるＦ系化学種の生成比を高めることである。オーバー
エッチング工程では非Ａｌ含有化合物半導体層の大部分
は除去され、被エッチング領域の多くの部分には下地の
Ａｌ含有化合物半導体層が露出している。そこで、この
段階でＦ系化学種の生成量を増やせば、その露出面上で
ＡｌＦx の生成が促進されるのである。
【００２３】Ｆ系化学種の生成比を高める最も現実的で
簡便な方法は、エッチング・ガスの構成成分のうち、Ｆ
系化学種を放出し得る化合物の流量比をジャストエッチ
ング工程に比べて高めることである。
簡便な方法は、エッチング・ガスの構成成分のうち、Ｆ
系化学種を放出し得る化合物の流量比をジャストエッチ
ング工程に比べて高めることである。
【００２４】また、もうひとつの方法としては、炭素系
ポリマーに加えてイオウ（Ｓ）を側壁保護に利用するこ
とを提案する。Ｓの堆積は、放電解離条件下でプラズマ
中に遊離のＳを放出できる組成のエッチング・ガスを用
いることにより可能となる。Ｓは、条件にもよるが、ウ
ェハがおおよそ室温以下に温度制御されていればその表
面へ堆積することができる。この場合、Ｓは上述のＦ系
化合物，Ｃｌ系化合物，Ｂｒ系化合物のいずれかからハ
ロゲン系化学種と同時に供給されても、あるいは別に添
加されたイオウ系化合物から供給されても、どちらでも
構わない。いずれにしても、Ｓの堆積が期待できる分だ
け異方性の確保に要する炭素系ポリマーの堆積量は少な
くて済むので、レジスト・マスクをスパッタするイオン
の入射エネルギーを低減でき、レジスト選択比を向上さ
せることができる。また、炭素系ポリマーの減少により
パーティクル汚染を低減することができる。しかも、Ｓ
はウェハをおおよそ９０℃以上の温度に加熱すれば容易
に昇華するため、自身がパーティクル汚染源となる懸念
は一切ない。
ポリマーに加えてイオウ（Ｓ）を側壁保護に利用するこ
とを提案する。Ｓの堆積は、放電解離条件下でプラズマ
中に遊離のＳを放出できる組成のエッチング・ガスを用
いることにより可能となる。Ｓは、条件にもよるが、ウ
ェハがおおよそ室温以下に温度制御されていればその表
面へ堆積することができる。この場合、Ｓは上述のＦ系
化合物，Ｃｌ系化合物，Ｂｒ系化合物のいずれかからハ
ロゲン系化学種と同時に供給されても、あるいは別に添
加されたイオウ系化合物から供給されても、どちらでも
構わない。いずれにしても、Ｓの堆積が期待できる分だ
け異方性の確保に要する炭素系ポリマーの堆積量は少な
くて済むので、レジスト・マスクをスパッタするイオン
の入射エネルギーを低減でき、レジスト選択比を向上さ
せることができる。また、炭素系ポリマーの減少により
パーティクル汚染を低減することができる。しかも、Ｓ
はウェハをおおよそ９０℃以上の温度に加熱すれば容易
に昇華するため、自身がパーティクル汚染源となる懸念
は一切ない。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。
する。
【００２６】実施例１ 本実施例は、本発明をＨＥＭＴのゲート・リセス加工に
適用し、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層上のｎ+ −ＧａＡｓ層を
ＣＯＦ2 （フッ化カルボニル）／Ａｒ混合ガスを用いて
エッチングした例である。このプロセスを、図１
（ａ），（ｃ），（ｄ）を参照しながら説明する。
適用し、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層上のｎ+ −ＧａＡｓ層を
ＣＯＦ2 （フッ化カルボニル）／Ａｒ混合ガスを用いて
エッチングした例である。このプロセスを、図１
（ａ），（ｃ），（ｄ）を参照しながら説明する。
【００２７】本実施例においてエッチング・サンプルと
して使用したウェハは、図１（ａ）に示されるように、
半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にエピタキシャル成長により
形成され、バッファ層として機能する厚さ約５００ｎｍ
のｅｐｉ−ＧａＡｓ層２、厚さ約２ｎｍのＡｌＧａＡｓ
層３、Ｓｉ等のｎ型不純物がドープされた厚さ約３０ｎ
ｍのｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４、同様にｎ型不純物を含む
厚さ約１００ｎｍのｎ+ −ＧａＡｓ層５、所定の形状に
パターニングされたレジスト・マスク（ＰＲ）６が順次
積層されてなるものである。上記レジスト・マスク６の
パターニングは、電子ビーム描画法による露光と現像処
理により行われており、開口部６ａの開口径は約３００
ｎｍである。
して使用したウェハは、図１（ａ）に示されるように、
半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にエピタキシャル成長により
形成され、バッファ層として機能する厚さ約５００ｎｍ
のｅｐｉ−ＧａＡｓ層２、厚さ約２ｎｍのＡｌＧａＡｓ
層３、Ｓｉ等のｎ型不純物がドープされた厚さ約３０ｎ
ｍのｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４、同様にｎ型不純物を含む
厚さ約１００ｎｍのｎ+ −ＧａＡｓ層５、所定の形状に
パターニングされたレジスト・マスク（ＰＲ）６が順次
積層されてなるものである。上記レジスト・マスク６の
パターニングは、電子ビーム描画法による露光と現像処
理により行われており、開口部６ａの開口径は約３００
ｎｍである。
【００２８】このウェハをＲＦバイアス印加型の有磁場
マイクロ波プラズマ・エッチング装置のウェハ載置電極
にセットし、一例として下記の条件で上記ｎ+ −ＧａＡ
ｓ層５をエッチングした。 ＣＯＦ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ Ａｒ流量 ３０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ４０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ このエッチング過程では、ＣＯＦ2 から生成するＦ* が
ｎ+ −ＧａＡｓ層５中のＡｓをＡｓＦ3 ，ＡｓＦ5 等の
形で、またＧａをＧａＦ3 等の形で引き抜く。ただし、
ＧａＦ3 は通常のエッチング反応系では蒸気圧が低いた
め、上記の条件ではＡｒ+ ，Ｃ+ ，ＣＯ+ ，ＣＯＦ+ 等
の入射イオン・エネルギーを若干高め、イオン・スパッ
タ作用によりこれを除去するようにしてある。
マイクロ波プラズマ・エッチング装置のウェハ載置電極
にセットし、一例として下記の条件で上記ｎ+ −ＧａＡ
ｓ層５をエッチングした。 ＣＯＦ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ Ａｒ流量 ３０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ４０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ このエッチング過程では、ＣＯＦ2 から生成するＦ* が
ｎ+ −ＧａＡｓ層５中のＡｓをＡｓＦ3 ，ＡｓＦ5 等の
形で、またＧａをＧａＦ3 等の形で引き抜く。ただし、
ＧａＦ3 は通常のエッチング反応系では蒸気圧が低いた
め、上記の条件ではＡｒ+ ，Ｃ+ ，ＣＯ+ ，ＣＯＦ+ 等
の入射イオン・エネルギーを若干高め、イオン・スパッ
タ作用によりこれを除去するようにしてある。
【００２９】またこれと同時に、レジスト・マスク６の
分解生成物に由来してＣＦx が生成し、さらにカルボニ
ル基やＣ−Ｏ結合等がその構造中に取り込まれて強固な
炭素系ポリマーが生成した。この炭素系ポリマーは、生
成量こそ従来プロセス程多くはないが、パターン側壁部
に堆積して図１（ｃ）に示されるような側壁保護膜７を
形成し、少量でも高いエッチング耐性を発揮し、異方性
加工に寄与した。この結果、垂直壁を有するリセス５ａ
が形成された。ただし、図中の側壁保護膜７は図示の都
合上、厚く描かれているが、実際には極めて薄い膜であ
る。このとき、下地のｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４が露出し
た部分では、その表面にＡｌＦx が形成され、エッチン
グ速度を大幅に低下させる役割を果たした。
分解生成物に由来してＣＦx が生成し、さらにカルボニ
ル基やＣ−Ｏ結合等がその構造中に取り込まれて強固な
炭素系ポリマーが生成した。この炭素系ポリマーは、生
成量こそ従来プロセス程多くはないが、パターン側壁部
に堆積して図１（ｃ）に示されるような側壁保護膜７を
形成し、少量でも高いエッチング耐性を発揮し、異方性
加工に寄与した。この結果、垂直壁を有するリセス５ａ
が形成された。ただし、図中の側壁保護膜７は図示の都
合上、厚く描かれているが、実際には極めて薄い膜であ
る。このとき、下地のｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４が露出し
た部分では、その表面にＡｌＦx が形成され、エッチン
グ速度を大幅に低下させる役割を果たした。
【００３０】次に、上記のウェハについてＯ2 プラズマ
処理を行ったところ、図１（ｄ）に示されるように、側
壁保護膜７が燃焼除去された。
処理を行ったところ、図１（ｄ）に示されるように、側
壁保護膜７が燃焼除去された。
【００３１】この後のゲート電極の形成は、従来公知の
方法にしたがって行えば良い。このプロセスを、図２を
参照しながら説明する。すなわち、上記ウェハに対して
Ａｌの電子ビーム蒸着を行うことにより、一例として厚
さ約２００ｎｍのＡｌ層を形成した。この蒸着は、微細
な開口径を有するリセス５ａの内部おいてステップ・カ
バレッジ（段差被覆性）が劣化することを利用したもの
であり、図２（ａ）に示されるように、レジスト・マス
ク６の表面には上部Ａｌ層８ａ、リセス５ａ底部には下
部Ａｌ層８ｂがそれぞれ形成された。
方法にしたがって行えば良い。このプロセスを、図２を
参照しながら説明する。すなわち、上記ウェハに対して
Ａｌの電子ビーム蒸着を行うことにより、一例として厚
さ約２００ｎｍのＡｌ層を形成した。この蒸着は、微細
な開口径を有するリセス５ａの内部おいてステップ・カ
バレッジ（段差被覆性）が劣化することを利用したもの
であり、図２（ａ）に示されるように、レジスト・マス
ク６の表面には上部Ａｌ層８ａ、リセス５ａ底部には下
部Ａｌ層８ｂがそれぞれ形成された。
【００３２】次に、レジスト・マスク６をリフト・オフ
すると、図２（ｂ）に示されるように上部Ａｌ層８ａも
同時に除去され、リセス５ａ底部にゲート電極となる下
部Ａｌ層８ｂのみを残すことができた。
すると、図２（ｂ）に示されるように上部Ａｌ層８ａも
同時に除去され、リセス５ａ底部にゲート電極となる下
部Ａｌ層８ｂのみを残すことができた。
【００３３】実施例２ 本実施例では、同じｎ+ −ＧａＡｓ層を、ＳＯＦ2 ／Ａ
ｒ混合ガスを用いてエッチングした。エッチング条件
は、ＣＯＦ2 をＳＯＦ2 に代えた他は実施例１と同じで
ある。本実施例において、Ｆ* を主エッチング種とする
ｎ+ −ＧａＡｓ層５のエッチング機構、および側壁保護
機構、下地選択性の達成機構等は、ほぼ実施例１で上述
したとおりである。ただし本実施例では、チオニル基や
Ｃ−Ｓ結合等を取り込んだ炭素系ポリマーが側壁保護膜
７の形成に寄与することになる。
ｒ混合ガスを用いてエッチングした。エッチング条件
は、ＣＯＦ2 をＳＯＦ2 に代えた他は実施例１と同じで
ある。本実施例において、Ｆ* を主エッチング種とする
ｎ+ −ＧａＡｓ層５のエッチング機構、および側壁保護
機構、下地選択性の達成機構等は、ほぼ実施例１で上述
したとおりである。ただし本実施例では、チオニル基や
Ｃ−Ｓ結合等を取り込んだ炭素系ポリマーが側壁保護膜
７の形成に寄与することになる。
【００３４】実施例３ 本実施例では、同じｎ+ −ＧａＡｓ層を、ＣＯＦ2 ／Ｃ
ｌ2 混合ガスを用いてエッチングした。以下に、エッチ
ング条件の一例を示す。 ＣＯＦ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ Ｃｌ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ２０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃
ｌ2 混合ガスを用いてエッチングした。以下に、エッチ
ング条件の一例を示す。 ＣＯＦ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ Ｃｌ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ２０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃
【００３５】このエッチング過程では、ＣＯＦ2 から生
成するＦ* とＣｌ2 から生成するＣｌ* が主エッチング
種となり、Ａｓを主としてＡｓＦ3 ，ＡｓＦ5 ，ＡｓＣ
ｌ3等の形で、またＧａを主としてＧａＣｌ3 等の形で
引き抜いた。本実施例では、Ｇａを蒸気圧の高い塩化物
の形で除去できるため、実施例１に比べてＲＦバイアス
・パワーが半減されているにもかかわらず、高速エッチ
ングが進行した。
成するＦ* とＣｌ2 から生成するＣｌ* が主エッチング
種となり、Ａｓを主としてＡｓＦ3 ，ＡｓＦ5 ，ＡｓＣ
ｌ3等の形で、またＧａを主としてＧａＣｌ3 等の形で
引き抜いた。本実施例では、Ｇａを蒸気圧の高い塩化物
の形で除去できるため、実施例１に比べてＲＦバイアス
・パワーが半減されているにもかかわらず、高速エッチ
ングが進行した。
【００３６】また、レジスト・マスク６の分解生成物に
由来してＣＣｌx が生成し、これにカルボニル基やＣ−
Ｏ結合が導入されて強固な側壁保護膜７が形成された。
このときの分解生成物の供給量は、ＲＦバイアス・パワ
ーの低減により実施例１よりも少ないが、ＣＣｌx の堆
積性がＣＦx よりも優れているため、側壁保護効果が何
ら低下することはなかった。
由来してＣＣｌx が生成し、これにカルボニル基やＣ−
Ｏ結合が導入されて強固な側壁保護膜７が形成された。
このときの分解生成物の供給量は、ＲＦバイアス・パワ
ーの低減により実施例１よりも少ないが、ＣＣｌx の堆
積性がＣＦx よりも優れているため、側壁保護効果が何
ら低下することはなかった。
【００３７】本実施例によっても、良好な異方性形状を
有するリセス５ａを形成することができた。本実施例に
おいて、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４に対する選択比は約５
０であった。
有するリセス５ａを形成することができた。本実施例に
おいて、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４に対する選択比は約５
０であった。
【００３８】なお、上記のＣｌ2 の代わりにＨＢｒを用
いても、同様に良好な異方性加工を行うことができた。
この場合、炭素系ポリマーとしてＣＢｒx が生成するの
で、レジスト・マスク６に対する選択性をさらに向上さ
せることができた。
いても、同様に良好な異方性加工を行うことができた。
この場合、炭素系ポリマーとしてＣＢｒx が生成するの
で、レジスト・マスク６に対する選択性をさらに向上さ
せることができた。
【００３９】実施例４ 本実施例では、同じｎ+ −ＧａＡｓ層を、ＳＯＦ2 ／Ｃ
ｌ2 混合ガスを用いてエッチングした。エッチング条件
は、ＣＯＦ2 をＳＯＦ2 に代えた他は実施例３と同じで
ある。本実施例において、Ｆ* ，Ｃｌ* を主エッチング
種とするｎ+ −ＧａＡｓ層５のエッチング機構、および
側壁保護機構、下地選択性の達成機構等は、ほぼ実施例
３で上述したとおりである。ただし本実施例では、チオ
ニル基やＣ−Ｓ結合等を取り込んだ炭素系ポリマーが側
壁保護膜７の構成成分として含まれることになる。本実
施例では、ＳＯＦ2 ／Ａｒ系を用いた実施例２に比べて
ＲＦバイアス・パワーが半減されているにもかかわら
ず、高速異方性エッチングが進行した。
ｌ2 混合ガスを用いてエッチングした。エッチング条件
は、ＣＯＦ2 をＳＯＦ2 に代えた他は実施例３と同じで
ある。本実施例において、Ｆ* ，Ｃｌ* を主エッチング
種とするｎ+ −ＧａＡｓ層５のエッチング機構、および
側壁保護機構、下地選択性の達成機構等は、ほぼ実施例
３で上述したとおりである。ただし本実施例では、チオ
ニル基やＣ−Ｓ結合等を取り込んだ炭素系ポリマーが側
壁保護膜７の構成成分として含まれることになる。本実
施例では、ＳＯＦ2 ／Ａｒ系を用いた実施例２に比べて
ＲＦバイアス・パワーが半減されているにもかかわら
ず、高速異方性エッチングが進行した。
【００４０】本実施例において、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層
４に対する選択比は約５０であった。
４に対する選択比は約５０であった。
【００４１】なお、上記のＣｌ2 の代わりにＨＢｒを用
いても、同様に良好な異方性加工を行うことができた。
この場合、炭素系ポリマーとしてＣＢｒx が生成するの
で、レジスト・マスク６に対する選択性をさらに向上さ
せることができた。
いても、同様に良好な異方性加工を行うことができた。
この場合、炭素系ポリマーとしてＣＢｒx が生成するの
で、レジスト・マスク６に対する選択性をさらに向上さ
せることができた。
【００４２】実施例５ 本実施例では、同じｎ+ −ＧａＡｓ層を、ＮＯ2 Ｆ（フ
ッ化ニトリル）／Ｃｌ2 混合ガスを用いてエッチングし
た。エッチング条件の一例を以下に示す。 ＮＯ2 Ｆ流量 ２０ ＳＣＣＭ Ｃｌ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ２０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃
ッ化ニトリル）／Ｃｌ2 混合ガスを用いてエッチングし
た。エッチング条件の一例を以下に示す。 ＮＯ2 Ｆ流量 ２０ ＳＣＣＭ Ｃｌ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ２０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃
【００４３】このエッチング過程では、ＮＯ2 Ｆから生
成するＦ* とＣｌ2 から生成するＣｌ* が主エッチング
種となり、エッチング反応が進行した。また、レジスト
・マスク６の分解生成物に由来するＣＣｌx ポリマーが
生成し、これにニトリル基やＣ−Ｎ結合が導入されて強
固な側壁保護膜７が形成された。本実施例によっても、
良好な異方性形状を有するリセス５ａを形成することが
できた。
成するＦ* とＣｌ2 から生成するＣｌ* が主エッチング
種となり、エッチング反応が進行した。また、レジスト
・マスク６の分解生成物に由来するＣＣｌx ポリマーが
生成し、これにニトリル基やＣ−Ｎ結合が導入されて強
固な側壁保護膜７が形成された。本実施例によっても、
良好な異方性形状を有するリセス５ａを形成することが
できた。
【００４４】実施例６ 本実施例では、同じｎ+ −ＧａＡｓ層を、ＣＯＣｌ
2 （塩化カルボニル）／ＮＦ3 混合ガスを用いてエッチ
ングした。エッチング条件の一例を以下に示す。 ＣＯＣｌ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ ＮＦ3 流量 ２０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ２０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ このエッチング過程では、ＣＯＣｌ2 から生成するＣｌ
* とＮＦ3 から生成するＦ* が主エッチング種となって
エッチングが進行した。炭素系ポリマーの強化の機構
は、ほぼＣＯＦ2 ／Ｃｌ2 系を用いた実施例３について
上述したとおりである。
2 （塩化カルボニル）／ＮＦ3 混合ガスを用いてエッチ
ングした。エッチング条件の一例を以下に示す。 ＣＯＣｌ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ ＮＦ3 流量 ２０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ２０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ このエッチング過程では、ＣＯＣｌ2 から生成するＣｌ
* とＮＦ3 から生成するＦ* が主エッチング種となって
エッチングが進行した。炭素系ポリマーの強化の機構
は、ほぼＣＯＦ2 ／Ｃｌ2 系を用いた実施例３について
上述したとおりである。
【００４５】実施例７ 本実施例では、同じｎ+ −ＧａＡｓ層を、ＳＯＣｌ
2 （塩化チオニル）／ＮＦ3 混合ガスを用いてエッチン
グした例である。エッチング条件は、ＣＯＣｌ2 に代え
てＳＯＣｌ2 を用いた他は実施例６と同じである。ただ
し、ＳＯＣｌ2 は常温で液体物質であるため、Ｈｅガス
・バブリングにより気化させた後、エッチング・チャン
バ内へ導入した。
2 （塩化チオニル）／ＮＦ3 混合ガスを用いてエッチン
グした例である。エッチング条件は、ＣＯＣｌ2 に代え
てＳＯＣｌ2 を用いた他は実施例６と同じである。ただ
し、ＳＯＣｌ2 は常温で液体物質であるため、Ｈｅガス
・バブリングにより気化させた後、エッチング・チャン
バ内へ導入した。
【００４６】このエッチング過程では、ＳＯＣｌ2 から
生成するＣｌ* とＮＦ3 から生成するＦ* が主エッチン
グ種となってエッチングが進行した。炭素系ポリマーの
強化の機構は、ほぼＳＯＦ2 ／Ｃｌ2 系う用いた実施例
４について上述したとおりである。
生成するＣｌ* とＮＦ3 から生成するＦ* が主エッチン
グ種となってエッチングが進行した。炭素系ポリマーの
強化の機構は、ほぼＳＯＦ2 ／Ｃｌ2 系う用いた実施例
４について上述したとおりである。
【００４７】実施例８ 本実施例では、同じｎ+ −ＧａＡｓ層を、ＣＯＢｒ
2 （臭化カルボニル）／ＮＦ3 混合ガスを用いてエッチ
ングした。エッチング条件の一例は、下記のとおりであ
る。 ＣＯＢｒ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ ＮＦ3 流量 ２０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー １５ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ ただし、ＣＯＢｒ2 は常温で液体物質であるため、Ｈｅ
ガス・バブリングにより気化させた後、エッチング・チ
ャンバ内へ導入した。
2 （臭化カルボニル）／ＮＦ3 混合ガスを用いてエッチ
ングした。エッチング条件の一例は、下記のとおりであ
る。 ＣＯＢｒ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ ＮＦ3 流量 ２０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー １５ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ ただし、ＣＯＢｒ2 は常温で液体物質であるため、Ｈｅ
ガス・バブリングにより気化させた後、エッチング・チ
ャンバ内へ導入した。
【００４８】このエッチング過程では、ＣＯＢｒ2 から
生成するＢｒ* とＮＦ3 から生成するＦ* が主エッチン
グ種となってエッチングが進行し、Ａｓは主としてＡｓ
Ｆ3，ＡｓＢｒ3 、Ｇａは主としてＧａＢｒ3 の形で除
去された。また、本実施例では炭素系ポリマーとして上
述のＣＣｌx よりもさらに蒸気圧の低いＣＢｒx が生成
し、このＣＢｒx にカルボニル基やＣ−Ｏ結合が取り込
まれて強固な側壁保護膜７が形成された。したがって、
実施例６あるいは実施例７よりもＲＦバイアス・パワー
が低減されているにもかかわらず、良好な異方性加工が
実現した。また、ＣＢｒx はレジスト・マスク６の表面
を被覆することによりこれを保護するので、レジスト選
択性も実施例６あるいは実施例７に比べて向上した。
生成するＢｒ* とＮＦ3 から生成するＦ* が主エッチン
グ種となってエッチングが進行し、Ａｓは主としてＡｓ
Ｆ3，ＡｓＢｒ3 、Ｇａは主としてＧａＢｒ3 の形で除
去された。また、本実施例では炭素系ポリマーとして上
述のＣＣｌx よりもさらに蒸気圧の低いＣＢｒx が生成
し、このＣＢｒx にカルボニル基やＣ−Ｏ結合が取り込
まれて強固な側壁保護膜７が形成された。したがって、
実施例６あるいは実施例７よりもＲＦバイアス・パワー
が低減されているにもかかわらず、良好な異方性加工が
実現した。また、ＣＢｒx はレジスト・マスク６の表面
を被覆することによりこれを保護するので、レジスト選
択性も実施例６あるいは実施例７に比べて向上した。
【００４９】実施例９ 本実施例では、同じｎ+ −ＧａＡｓ層を、ＳＯＢｒ
2 （臭化チオニル）／ＮＦ3 混合ガスを用いてエッチン
グした。本実施例のエッチング条件は、ＣＯＢｒ2 に代
えてＳＯＢｒ2 を用いた他は、実施例８と同じである。
ＳＯＢｒ2 も常温で液体物質であるため、Ｈｅガス・バ
ブリングにより気化させた後、エッチング・チャンバ内
へ導入した。
2 （臭化チオニル）／ＮＦ3 混合ガスを用いてエッチン
グした。本実施例のエッチング条件は、ＣＯＢｒ2 に代
えてＳＯＢｒ2 を用いた他は、実施例８と同じである。
ＳＯＢｒ2 も常温で液体物質であるため、Ｈｅガス・バ
ブリングにより気化させた後、エッチング・チャンバ内
へ導入した。
【００５０】本実施例において、Ｆ* ，Ｂｒ* を主エッ
チング種とするｎ+ −ＧａＡｓ層５のエッチング機構、
および側壁保護機構、下地選択性の達成機構等は、ほぼ
実施例８で上述したとおりである。ただし本実施例で
は、チオニル基やＣ−Ｓ結合等を取り込んだ炭素系ポリ
マーが側壁保護膜７の構成成分として含まれることにな
る。
チング種とするｎ+ −ＧａＡｓ層５のエッチング機構、
および側壁保護機構、下地選択性の達成機構等は、ほぼ
実施例８で上述したとおりである。ただし本実施例で
は、チオニル基やＣ−Ｓ結合等を取り込んだ炭素系ポリ
マーが側壁保護膜７の構成成分として含まれることにな
る。
【００５１】実施例１０ 本実施例では、同じｎ+ −ＧａＡｓ層を、ＮＯ2 Ｂｒ
（臭化ニトリル）／ＮＦ3 混合ガスを用いてエッチング
した。本実施例のエッチング条件は、ＣＯＢｒ2 に代え
てＮＯ2 Ｂｒを用いた他は実施例８と同じである。本実
施例では、ニトリル基やＣ−Ｎ結合等で強化されたＣＢ
ｒx ポリマーが強固な側壁保護膜７を形成するため、低
バイアス条件下で良好な高選択異方性加工を行うことが
できた。
（臭化ニトリル）／ＮＦ3 混合ガスを用いてエッチング
した。本実施例のエッチング条件は、ＣＯＢｒ2 に代え
てＮＯ2 Ｂｒを用いた他は実施例８と同じである。本実
施例では、ニトリル基やＣ−Ｎ結合等で強化されたＣＢ
ｒx ポリマーが強固な側壁保護膜７を形成するため、低
バイアス条件下で良好な高選択異方性加工を行うことが
できた。
【００５２】実施例１１ 本実施例では、同じｎ+ −ＧａＡｓ層を、ＮＯＣｌ（塩
化ニトロシル）／ＳＦ6 混合ガスを用いてエッチングし
た。エッチング条件の一例を以下に示す。 ＮＯＣｌ流量 ２０ ＳＣＣＭ ＳＦ6 流量 ２０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ２０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ このエッチング過程では、ニトロシル基やＣ−Ｎ結合等
で強化されたＣＣｌx・ポリマーが強固な側壁保護膜７
を形成した。また、１分子から大量のＦ* を放出できる
ＳＦ6 が用いられていることにより、下地選択性も向上
した。
化ニトロシル）／ＳＦ6 混合ガスを用いてエッチングし
た。エッチング条件の一例を以下に示す。 ＮＯＣｌ流量 ２０ ＳＣＣＭ ＳＦ6 流量 ２０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ２０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ このエッチング過程では、ニトロシル基やＣ−Ｎ結合等
で強化されたＣＣｌx・ポリマーが強固な側壁保護膜７
を形成した。また、１分子から大量のＦ* を放出できる
ＳＦ6 が用いられていることにより、下地選択性も向上
した。
【００５３】実施例１２ 本実施例では、エッチング工程を２段階化し、ＣＯＣｌ
2 ／ＮＦ3 混合ガスを用いてｎ+ −ＧａＡｓ層をジャス
トエッチングした後、上記混合ガス中のＮＦ3の流量比
を高めてｎ+ −ＧａＡｓ層の残余部を除去するためのオ
ーバーエッチングを行った。このプロセスを、図１
（ａ），（ｂ），（ｃ）を参照しながら説明する。
2 ／ＮＦ3 混合ガスを用いてｎ+ −ＧａＡｓ層をジャス
トエッチングした後、上記混合ガス中のＮＦ3の流量比
を高めてｎ+ −ＧａＡｓ層の残余部を除去するためのオ
ーバーエッチングを行った。このプロセスを、図１
（ａ），（ｂ），（ｃ）を参照しながら説明する。
【００５４】まず、図１（ａ）に示されるウェハについ
て、一例として下記の条件でｎ+ −ＧａＡｓ層５をジャ
ストエッチングした。 ＣＯＣｌ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ ＮＦ3 流量 ２０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比５０％） ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー １０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ ジャストエッチング終了時のウェハの状態は図１（ｂ）
に示されるとおりであり、リセス５ａの底部に若干のｎ
+ −ＧａＡｓ層５の残余部５ｂが残った状態であった。
て、一例として下記の条件でｎ+ −ＧａＡｓ層５をジャ
ストエッチングした。 ＣＯＣｌ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ ＮＦ3 流量 ２０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比５０％） ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー １０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ ジャストエッチング終了時のウェハの状態は図１（ｂ）
に示されるとおりであり、リセス５ａの底部に若干のｎ
+ −ＧａＡｓ層５の残余部５ｂが残った状態であった。
【００５５】次に、エッチング条件を一例として下記の
ように切り替え、上記残余部５ｂを除去するためのオー
バーエッチングを行った。 ＣＯＣｌ2 流量 １０ ＳＣＣＭ ＮＦ3 流量 ３０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比７５％） ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー １０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ このオーバーエッチング工程では、ＮＦ3 の含量比がジ
ャストエッチング工程に比べて増大されていることによ
り、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４の露出面上においてＡｌＦ
x の生成が促進された。また、ＲＦバイアス・パワーも
ジャストエッチング工程に比べて半減させた。この結
果、図１（ｃ）に示されるように、残余部５ｂを除去し
た後にも下地のｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４には何ら悪影響
が及ぶことはなかった。本実施例において、ｎ+ −Ａｌ
ＧａＡｓ層４に対する選択比は１００以上に向上した。
ように切り替え、上記残余部５ｂを除去するためのオー
バーエッチングを行った。 ＣＯＣｌ2 流量 １０ ＳＣＣＭ ＮＦ3 流量 ３０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比７５％） ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー １０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ このオーバーエッチング工程では、ＮＦ3 の含量比がジ
ャストエッチング工程に比べて増大されていることによ
り、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４の露出面上においてＡｌＦ
x の生成が促進された。また、ＲＦバイアス・パワーも
ジャストエッチング工程に比べて半減させた。この結
果、図１（ｃ）に示されるように、残余部５ｂを除去し
た後にも下地のｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４には何ら悪影響
が及ぶことはなかった。本実施例において、ｎ+ −Ａｌ
ＧａＡｓ層４に対する選択比は１００以上に向上した。
【００５６】実施例１３ 本実施例はＳＯ2 Ｃｌ2 （塩化スルフリル）／ＮＦ3 混
合ガスを用いる２段階エッチングの例であり、オーバー
エッチング工程ではジャストエッチング工程に比べてそ
の組成中のＮＦ3 の流量比を高めた。ジャストエッチン
グ工程、オーバーエッチング工程共、エッチング条件は
ＣＯＣｌ2 に代えてＳＯ2 Ｃｌ2 を用いた他は実施例１
２とすべて同じである。ＳＯ2 Ｃｌ2 は常温で液体物質
であるため、Ｈｅガス・バブリングにより気化させた
後、エッチング・チャンバ内へ導入した。
合ガスを用いる２段階エッチングの例であり、オーバー
エッチング工程ではジャストエッチング工程に比べてそ
の組成中のＮＦ3 の流量比を高めた。ジャストエッチン
グ工程、オーバーエッチング工程共、エッチング条件は
ＣＯＣｌ2 に代えてＳＯ2 Ｃｌ2 を用いた他は実施例１
２とすべて同じである。ＳＯ2 Ｃｌ2 は常温で液体物質
であるため、Ｈｅガス・バブリングにより気化させた
後、エッチング・チャンバ内へ導入した。
【００５７】ＳＯ2 Ｃｌ2 は、実施例７で前述したＳＯ
Ｃｌ2 に比べて分子内のＯ原子数が１個多いため、本実
施例ではＯ* による燃焼作用により炭素系ポリマーの堆
積量が若干減少した。しかし、スルフリル基、そのフラ
グメントであるチオニル基、Ｃ−Ｓ結合等を含む強固な
炭素系ポリマーが生成し、側壁保護効果が何ら低下する
ことはなかった。もちろん、パーティクル汚染の懸念も
さらに減少した。
Ｃｌ2 に比べて分子内のＯ原子数が１個多いため、本実
施例ではＯ* による燃焼作用により炭素系ポリマーの堆
積量が若干減少した。しかし、スルフリル基、そのフラ
グメントであるチオニル基、Ｃ−Ｓ結合等を含む強固な
炭素系ポリマーが生成し、側壁保護効果が何ら低下する
ことはなかった。もちろん、パーティクル汚染の懸念も
さらに減少した。
【００５８】本実施例でも、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４に
対する選択比は１００以上であった。
対する選択比は１００以上であった。
【００５９】実施例１４ 本実施例はＮＯＣｌ／ＳＦ6 混合ガスを用いる２段階エ
ッチングの例であり、オーバーエッチング工程ではジャ
ストエッチング工程に比べてその組成中のＳＦ6 の流量
比を高めた。ジャストエッチング工程のエッチング条件
の一例は、以下のとおりである。
ッチングの例であり、オーバーエッチング工程ではジャ
ストエッチング工程に比べてその組成中のＳＦ6 の流量
比を高めた。ジャストエッチング工程のエッチング条件
の一例は、以下のとおりである。
【００６０】 ＮＯＣｌ流量 ２０ ＳＣＣＭ ＳＦ6 流量 ２０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比５０％） ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ２０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃
・ガス中の含量比５０％） ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ２０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃
【００６１】次に、エッチング条件を一例として下記の
ように切り替え、残余部５ｂを除去するためのオーバー
エッチングを行った。 ＮＯＣｌ流量 １０ ＳＣＣＭ ＳＦ6 流量 ３０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比７５％） ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー １０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ このオーバーエッチング工程では、１分子当たりのＦ*
生成量が元々多いＳＦ6 の流量比がさらに増大されるた
めに、エッチング反応系中のＦ* の生成量は極めて多く
なり、高い下地選択性が達成された。
ように切り替え、残余部５ｂを除去するためのオーバー
エッチングを行った。 ＮＯＣｌ流量 １０ ＳＣＣＭ ＳＦ6 流量 ３０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比７５％） ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー １０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ このオーバーエッチング工程では、１分子当たりのＦ*
生成量が元々多いＳＦ6 の流量比がさらに増大されるた
めに、エッチング反応系中のＦ* の生成量は極めて多く
なり、高い下地選択性が達成された。
【００６２】実施例１５ 本実施例はＮＯＦ／Ｃｌ2 混合ガスを用いる２段階エッ
チングの例であり、オーバーエッチング工程ではジャス
トエッチング工程に比べてその組成中のＮＯＦの流量比
を高めた。ジャストエッチング工程のエッチング条件の
一例は、以下のとおりである。
チングの例であり、オーバーエッチング工程ではジャス
トエッチング工程に比べてその組成中のＮＯＦの流量比
を高めた。ジャストエッチング工程のエッチング条件の
一例は、以下のとおりである。
【００６３】 ＮＯＦ流量 ２０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比５０％） Ｃｌ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ２０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃
・ガス中の含量比５０％） Ｃｌ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ２０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃
【００６４】次に、エッチング条件を一例として下記の
ように切り替え、上記残余部５ｂを除去するためのオー
バーエッチングを行った。 ＮＯＦ流量 ３０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比７５％） Ｃｌ2 流量 １０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ５ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ 本実施例が前述の実施例１２〜実施例１４と異なる点
は、選択性の達成に寄与する化学種（ここではＦ* とニ
トロシル基）を供給する化合物（ここではＮＯＦ）の流
量と、主エッチング種を供給する化合物（ここてはＣｌ
2 ）の流量が、独立に制御されている点である。つま
り、オーバーエッチング時にＦ* を増加させようとすれ
ばニトロシル基も同時に増加し、一方、主エッチング種
の相対含量は低下する。したがって、実施例１４に比べ
てオーバーエッチング時のＲＦバイアス・パワーをさら
に減じた条件下でも、良好な選択異方性加工を行うこと
ができた。
ように切り替え、上記残余部５ｂを除去するためのオー
バーエッチングを行った。 ＮＯＦ流量 ３０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比７５％） Ｃｌ2 流量 １０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ５ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ 本実施例が前述の実施例１２〜実施例１４と異なる点
は、選択性の達成に寄与する化学種（ここではＦ* とニ
トロシル基）を供給する化合物（ここではＮＯＦ）の流
量と、主エッチング種を供給する化合物（ここてはＣｌ
2 ）の流量が、独立に制御されている点である。つま
り、オーバーエッチング時にＦ* を増加させようとすれ
ばニトロシル基も同時に増加し、一方、主エッチング種
の相対含量は低下する。したがって、実施例１４に比べ
てオーバーエッチング時のＲＦバイアス・パワーをさら
に減じた条件下でも、良好な選択異方性加工を行うこと
ができた。
【００６５】実施例１６ 本実施例では、同じｎ+ −ＧａＡｓ層を、ＣＯＦ2 ／Ｓ
2 Ｃｌ2 混合ガスを用いて１段階プロセスによりエッチ
ングした。エッチング条件の一例は、下記のとおりであ
る。 ＣＯＦ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ Ｓ2 Ｃｌ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー １５ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ このエッチング過程では、カルボニル基等の導入により
強化された炭素系ポリマーの他に、Ｓ2 Ｃｌ2 から解離
生成するＳも側壁保護膜７の構成成分に加わった。した
がって、ＣＯＦ2 ／Ｃｌ2 系を用いた実施例３に比べて
ＲＦバイアス・パワーを若干下げた条件下でも良好な異
方性エッチングが進行し、レジスト・マスク６に対する
選択性が向上した。また、炭素系ポリマーの生成量を相
対的に減少させることができたので、パーティクル汚染
が効果的に抑制された。Ｓは、側壁保護膜７の除去を行
うためのＯ2 プラズマ処理を行うと容易に昇華除去もし
くは燃焼除去され、何らウェハ上に残存することはなか
った。
2 Ｃｌ2 混合ガスを用いて１段階プロセスによりエッチ
ングした。エッチング条件の一例は、下記のとおりであ
る。 ＣＯＦ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ Ｓ2 Ｃｌ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー １５ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ このエッチング過程では、カルボニル基等の導入により
強化された炭素系ポリマーの他に、Ｓ2 Ｃｌ2 から解離
生成するＳも側壁保護膜７の構成成分に加わった。した
がって、ＣＯＦ2 ／Ｃｌ2 系を用いた実施例３に比べて
ＲＦバイアス・パワーを若干下げた条件下でも良好な異
方性エッチングが進行し、レジスト・マスク６に対する
選択性が向上した。また、炭素系ポリマーの生成量を相
対的に減少させることができたので、パーティクル汚染
が効果的に抑制された。Ｓは、側壁保護膜７の除去を行
うためのＯ2 プラズマ処理を行うと容易に昇華除去もし
くは燃焼除去され、何らウェハ上に残存することはなか
った。
【００６６】実施例１７ 本実施例では、同じｎ+ −ＧａＡｓ層を、ＳＯＦ2 ／Ｓ
2 Ｃｌ2 混合ガスを用いてエッチングした。本実施例に
おけるエッチング条件は、ＣＯＦ2 に代えてＳＯＦ2 を
用いた他は、実施例１６と同じである。エッチング反応
機構、下地選択性の達成機構等はほほ実施例１６で述べ
たとおりであるが、本実施例では、チオニル基，Ｃ−Ｓ
結合等の導入により強化された炭素系ポリマーにＳが加
わり、効果的な側壁保護が行われた。
2 Ｃｌ2 混合ガスを用いてエッチングした。本実施例に
おけるエッチング条件は、ＣＯＦ2 に代えてＳＯＦ2 を
用いた他は、実施例１６と同じである。エッチング反応
機構、下地選択性の達成機構等はほほ実施例１６で述べ
たとおりであるが、本実施例では、チオニル基，Ｃ−Ｓ
結合等の導入により強化された炭素系ポリマーにＳが加
わり、効果的な側壁保護が行われた。
【００６７】実施例１８ 本実施例は、ＣＯＣｌ2 ／Ｓ2 Ｆ2 混合ガスを用いた２
段階エッチングの例であり、オーバーエッチング工程で
はジャストエッチング工程に比べて上記混合ガス中のＳ
2 Ｆ2 の流量比を高めた。ジャストエッチング工程の条
件は、一例として下記のとおりである。
段階エッチングの例であり、オーバーエッチング工程で
はジャストエッチング工程に比べて上記混合ガス中のＳ
2 Ｆ2 の流量比を高めた。ジャストエッチング工程の条
件は、一例として下記のとおりである。
【００６８】 ＣＯＣｌ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ Ｓ2 Ｆ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比５０％） ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー １５ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ このジャストエッチング工程では、強化された炭素系ポ
リマーとＳ2 Ｆ2 から生成するＳとにより側壁保護膜７
が形成された。したがって、ＣＯＣｌ2 ／ＮＦ3 系を用
いた実施例１２のジャストエッチング工程に比べて低バ
イアス化された条件下でも、良好な異方性エッチングが
進行した。
・ガス中の含量比５０％） ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー １５ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ このジャストエッチング工程では、強化された炭素系ポ
リマーとＳ2 Ｆ2 から生成するＳとにより側壁保護膜７
が形成された。したがって、ＣＯＣｌ2 ／ＮＦ3 系を用
いた実施例１２のジャストエッチング工程に比べて低バ
イアス化された条件下でも、良好な異方性エッチングが
進行した。
【００６９】次に、エッチング条件を一例として下記の
ように切り替え、残余部５ｂを除去するためのオーバー
エッチングを行った。 ＣＯＣｌ2 流量 １０ ＳＣＣＭ Ｓ2 Ｆ2 流量 ３０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比７５％） ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ５ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ このオーバーエッチング工程では、Ｓ2 Ｆ2 の含量比が
ジャストエッチング工程に比べて増大されることによ
り、Ｆ* とＳの生成量がジャストエッチング工程に比べ
て増大し、高選択エッチングを行うことができた。
ように切り替え、残余部５ｂを除去するためのオーバー
エッチングを行った。 ＣＯＣｌ2 流量 １０ ＳＣＣＭ Ｓ2 Ｆ2 流量 ３０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比７５％） ガス圧 １．３ Ｐａ（＝１０ ｍＴｏ
ｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ５ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ このオーバーエッチング工程では、Ｓ2 Ｆ2 の含量比が
ジャストエッチング工程に比べて増大されることによ
り、Ｆ* とＳの生成量がジャストエッチング工程に比べ
て増大し、高選択エッチングを行うことができた。
【００７０】実施例１９ 本実施例では、ジャストエッチング工程でＳＯＣｌ2 ／
Ｓ2 Ｆ2 混合ガスを用い、オーバーエッチング工程で上
記混合ガス中のＳ2 Ｆ2 の流量比を高めた。本実施例の
エッチング条件は、ＣＯＣｌ2 をＳＯＣｌ2 に代えた他
は、ジャストエッチング工程、オーバーエッチング工程
共、実施例１８と同じである。
Ｓ2 Ｆ2 混合ガスを用い、オーバーエッチング工程で上
記混合ガス中のＳ2 Ｆ2 の流量比を高めた。本実施例の
エッチング条件は、ＣＯＣｌ2 をＳＯＣｌ2 に代えた他
は、ジャストエッチング工程、オーバーエッチング工程
共、実施例１８と同じである。
【００７１】本実施例によっても、極めて優れた選択異
方性エッチングを行うことができた。
方性エッチングを行うことができた。
【００７２】以上、本発明を１９例の実施例にもとづい
て説明したが、本発明はこれらに何ら限定されるもので
はない。まず、上述の各実施例では化合物半導体層の積
層系としてＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ積層系を例示した
が、本発明は下層側にＡｌが含まれていれば従来公知の
他の化合物半導体の積層系にも適用可能である。たとえ
ば、ＧａＰ／ＡｌＧａＰ、ＩｎＰ／ＡｌＩｎＰ、ＧａＮ
／ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ等の２元素系／
３元素系の積層系、さらにあるいは３元素系／４元素系
等の積層系等のエッチングにも適用できる。
て説明したが、本発明はこれらに何ら限定されるもので
はない。まず、上述の各実施例では化合物半導体層の積
層系としてＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ積層系を例示した
が、本発明は下層側にＡｌが含まれていれば従来公知の
他の化合物半導体の積層系にも適用可能である。たとえ
ば、ＧａＰ／ＡｌＧａＰ、ＩｎＰ／ＡｌＩｎＰ、ＧａＮ
／ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ等の２元素系／
３元素系の積層系、さらにあるいは３元素系／４元素系
等の積層系等のエッチングにも適用できる。
【００７３】さらに本発明は、非Ａｌ含有／Ａｌ含有化
合物半導体の積層系の選択エッチングが必要とされるプ
ロセスであれば、上述のようなＨＥＭＴの製造に限られ
ず、たとえば量子ホールや半導体レーザー素子の加工等
にも適用可能である。
合物半導体の積層系の選択エッチングが必要とされるプ
ロセスであれば、上述のようなＨＥＭＴの製造に限られ
ず、たとえば量子ホールや半導体レーザー素子の加工等
にも適用可能である。
【００７４】本発明では、各実施例で述べた各種の化合
物の他、次のような化合物を用いることができる。ま
ず、分子内にカルボニル基とハロゲン原子を有する化合
物としては、上述のＣＯＦ2 ，ＣＯＣｌ2 ，ＣＯＢｒ2
の他、ＣＯＣｌＦ（塩化フッ化カルボニル），ＣＯＢｒ
Ｆ（臭化フッ化カルボニル），ＣＯＩＦ（ヨウ化フッ化
カルボニル）等が使用できる。さらに、分子内のカルボ
ニル基の数は１とは限らず、たとえばＣ2 Ｏ2 Ｆ2 （フ
ッ化オキサリル），Ｃ2 Ｏ2 Ｃｌ2 （塩化オキサリ
ル），Ｃ2Ｏ2 Ｂｒ2 （臭化オキサリル）等のようにカ
ルボニル基を２個有する化合物も使用できる。この場
合、炭素系ポリマーの強化が促進されることが期待でき
る。
物の他、次のような化合物を用いることができる。ま
ず、分子内にカルボニル基とハロゲン原子を有する化合
物としては、上述のＣＯＦ2 ，ＣＯＣｌ2 ，ＣＯＢｒ2
の他、ＣＯＣｌＦ（塩化フッ化カルボニル），ＣＯＢｒ
Ｆ（臭化フッ化カルボニル），ＣＯＩＦ（ヨウ化フッ化
カルボニル）等が使用できる。さらに、分子内のカルボ
ニル基の数は１とは限らず、たとえばＣ2 Ｏ2 Ｆ2 （フ
ッ化オキサリル），Ｃ2 Ｏ2 Ｃｌ2 （塩化オキサリ
ル），Ｃ2Ｏ2 Ｂｒ2 （臭化オキサリル）等のようにカ
ルボニル基を２個有する化合物も使用できる。この場
合、炭素系ポリマーの強化が促進されることが期待でき
る。
【００７５】分子内にチオニル基とハロゲン原子とを有
する化合物としては、上述のＳＯＦ2 ，ＳＯＣｌ2 ，Ｓ
ＯＢｒ2 の他、ＳＯＦ4 （四フッ化チオニル），ＳＯＣ
ｌＢｒ（塩化臭化チオニル）等を使用することができ
る。分子内にスルフリル基とハロゲン原子とを有する化
合物としては、上述のＳＯ2 Ｃｌ2 の他、ＳＯ2 ＣｌＦ
（塩化フッ化スルフリル），ＳＯ2 ＢｒＦ（臭化フッ化
スルフリル）等を使用することができる。
する化合物としては、上述のＳＯＦ2 ，ＳＯＣｌ2 ，Ｓ
ＯＢｒ2 の他、ＳＯＦ4 （四フッ化チオニル），ＳＯＣ
ｌＢｒ（塩化臭化チオニル）等を使用することができ
る。分子内にスルフリル基とハロゲン原子とを有する化
合物としては、上述のＳＯ2 Ｃｌ2 の他、ＳＯ2 ＣｌＦ
（塩化フッ化スルフリル），ＳＯ2 ＢｒＦ（臭化フッ化
スルフリル）等を使用することができる。
【００７６】分子内にニトロシル基とハロゲン原子とを
有する化合物としては、上述のＮＯＦ，ＮＯＣｌの他、
ＮＯＣｌ2 （二塩化ニトロシル），ＮＯＣｌ3 （三塩化
ニトロシル），ＮＯＢｒ（臭化ニトロシル），ＮＯＢｒ
2 （二臭化ニトロシル），ＮＯＢｒ3 （三臭化ニトロシ
ル）等を使用することができる。さらに、分子内にニト
リル基とハロゲン原子とを有する化合物としては、上述
のＮＯ2 Ｆ，ＮＯ2 Ｂｒの他、ＮＯ2 Ｃｌ（塩化ニトリ
ル）も使用できる。
有する化合物としては、上述のＮＯＦ，ＮＯＣｌの他、
ＮＯＣｌ2 （二塩化ニトロシル），ＮＯＣｌ3 （三塩化
ニトロシル），ＮＯＢｒ（臭化ニトロシル），ＮＯＢｒ
2 （二臭化ニトロシル），ＮＯＢｒ3 （三臭化ニトロシ
ル）等を使用することができる。さらに、分子内にニト
リル基とハロゲン原子とを有する化合物としては、上述
のＮＯ2 Ｆ，ＮＯ2 Ｂｒの他、ＮＯ2 Ｃｌ（塩化ニトリ
ル）も使用できる。
【００７７】塩素系化合物としては、上述のＣｌ2 ，Ｓ
2 Ｃｌ2 の他、ＨＣｌ，ＢＣｌ3 ，およびＳ3 Ｃｌ2 ，
ＳＣｌ2 等の他の塩化イオウ等を使用することができ
る。このうち、塩化イオウはＳの供給源を兼ねる。臭素
系化合物としては、上述のＨＢｒの他、Ｂｒ2 ，ＢＢｒ
3 ，およびＳ3 Ｂｒ2 ，Ｓ2 Ｂｒ2 ，ＳＢｒ2 等の臭化
イオウ等を使用することができる。このうち、臭化イオ
ウはＳの供給源を兼ねる。
2 Ｃｌ2 の他、ＨＣｌ，ＢＣｌ3 ，およびＳ3 Ｃｌ2 ，
ＳＣｌ2 等の他の塩化イオウ等を使用することができ
る。このうち、塩化イオウはＳの供給源を兼ねる。臭素
系化合物としては、上述のＨＢｒの他、Ｂｒ2 ，ＢＢｒ
3 ，およびＳ3 Ｂｒ2 ，Ｓ2 Ｂｒ2 ，ＳＢｒ2 等の臭化
イオウ等を使用することができる。このうち、臭化イオ
ウはＳの供給源を兼ねる。
【００７８】フッ素系化合物としては、上述のＮＦ3 ，
ＳＦ6 ，Ｓ2 Ｆ2 の他、ＣｌＦ3 ，およびＳＦ2 ，ＳＦ
4 ，Ｓ2 Ｆ10等の他のフッ化イオウ等を使用することが
できる。このうち、フッ化イオウはＳの供給源を兼ね
る。Ｓ供給源としては、上述のフッ化イオウ，塩化イオ
ウ，臭化イオウのようにハロゲン系化学種も同時に供給
し得る化合物の他、Ｈ2 Ｓも使用できる。
ＳＦ6 ，Ｓ2 Ｆ2 の他、ＣｌＦ3 ，およびＳＦ2 ，ＳＦ
4 ，Ｓ2 Ｆ10等の他のフッ化イオウ等を使用することが
できる。このうち、フッ化イオウはＳの供給源を兼ね
る。Ｓ供給源としては、上述のフッ化イオウ，塩化イオ
ウ，臭化イオウのようにハロゲン系化学種も同時に供給
し得る化合物の他、Ｈ2 Ｓも使用できる。
【００７９】本発明で使用するエッチング・ガスには、
スパッタリング効果，希釈効果，冷却効果等を期待する
意味で、Ａｒ，Ｈｅ等の希ガスが適宜添加されていても
良い。その他、サンプル・ウェハの構成、エッチング条
件、使用するエッチング装置、各種官能基を有する化合
物とハロゲン化合物の組合せ等が適宜変更可能であるこ
とは、言うまでもない。
スパッタリング効果，希釈効果，冷却効果等を期待する
意味で、Ａｒ，Ｈｅ等の希ガスが適宜添加されていても
良い。その他、サンプル・ウェハの構成、エッチング条
件、使用するエッチング装置、各種官能基を有する化合
物とハロゲン化合物の組合せ等が適宜変更可能であるこ
とは、言うまでもない。
【００８０】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明を適用すれば、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ積層系に代表
される非Ａｌ含有／Ａｌ含有化合物半導体の積層系の選
択異方性エッチングにおいて、各種の極性官能基を含む
エッチング・ガスを使用することにより、炭素系ポリマ
ーの膜質を強化し、その堆積量を減少させても高異方
性、高選択性を達成することが可能となる。
明を適用すれば、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ積層系に代表
される非Ａｌ含有／Ａｌ含有化合物半導体の積層系の選
択異方性エッチングにおいて、各種の極性官能基を含む
エッチング・ガスを使用することにより、炭素系ポリマ
ーの膜質を強化し、その堆積量を減少させても高異方
性、高選択性を達成することが可能となる。
【００８１】したがって本発明は、たとえば化合物半導
体を利用した半導体装置を微細なデザイン・ルールにも
とづいて製造する上で極めて有効であり、さらにこれを
高集積化してＭＭＩＣ等を構成することにも多大な貢献
をなすものである。もちろん、本発明が優れた脱ＣＦＣ
対策を提供するものであることは、言うまでもない。
体を利用した半導体装置を微細なデザイン・ルールにも
とづいて製造する上で極めて有効であり、さらにこれを
高集積化してＭＭＩＣ等を構成することにも多大な貢献
をなすものである。もちろん、本発明が優れた脱ＣＦＣ
対策を提供するものであることは、言うまでもない。
【図１】本発明をＨＥＭＴのゲート・リセス加工に適用
したプロセス例をその工程順にしたがって説明する概略
断面図であり、（ａ）はｎ+ −ＧａＡｓ層の上にレジス
ト・マスクが形成された状態、（ｂ）はｎ+ −ＧａＡｓ
層が側壁保護膜の形成を伴いながらエッチングされ、リ
セスが形成されると共に、ｎ+ −ＧａＡｓ層の残余部が
発生した状態、（ｃ）はＡｌＦx 層が選択的にエッチン
グされた状態、あるいは残余部が除去された状態、
（ｄ）は側壁保護膜が除去された状態をそれぞれ表す。
したプロセス例をその工程順にしたがって説明する概略
断面図であり、（ａ）はｎ+ −ＧａＡｓ層の上にレジス
ト・マスクが形成された状態、（ｂ）はｎ+ −ＧａＡｓ
層が側壁保護膜の形成を伴いながらエッチングされ、リ
セスが形成されると共に、ｎ+ −ＧａＡｓ層の残余部が
発生した状態、（ｃ）はＡｌＦx 層が選択的にエッチン
グされた状態、あるいは残余部が除去された状態、
（ｄ）は側壁保護膜が除去された状態をそれぞれ表す。
【図２】リセス内部へのゲート電極の形成工程をその工
程順にしたがって説明する概略断面図であり、（ａ）は
レジスト・マスクの表面とリセスの底面に、上部Ａｌ層
と下部Ａｌ層がそれぞれ被着された状態、（ｂ）はレジ
スト・マスクとその表面の上部Ａｌ層が除去され、リセ
スの底面にのみ下部Ａｌ層（ゲート電極）が残された状
態を示す概略断面図である。
程順にしたがって説明する概略断面図であり、（ａ）は
レジスト・マスクの表面とリセスの底面に、上部Ａｌ層
と下部Ａｌ層がそれぞれ被着された状態、（ｂ）はレジ
スト・マスクとその表面の上部Ａｌ層が除去され、リセ
スの底面にのみ下部Ａｌ層（ゲート電極）が残された状
態を示す概略断面図である。
１ ・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２ ・・・ｅｐｉ−ＧａＡｓ層 ３ ・・・ＡｌＧａＡｓ層 ４ ・・・ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層 ５ ・・・ｎ+ −ＧａＡｓ層 ５ａ・・・リセス ５ｂ・・・（ｎ+ −ＧａＡｓ層の）残余部 ６ ・・・レジスト・マスク ６ａ・・・開口部 ７ ・・・側壁保護膜 ８ａ・・・上部Ａｌ層 ８ｂ・・・下部Ａｌ層（ゲート電極）
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/812
Claims (5)
- 【請求項１】 アルミニウムを含む化合物半導体層の上
に積層されたアルミニウムを含まない化合物半導体層
を、分子内にカルボニル基, チオニル基, スルフリル
基, ニトロシル基, ニトリル基から選ばれる少なくとも
１種類の官能基に加えてフッ素原子を有する化合物を含
むエッチング・ガスを用いて選択的にエッチングするこ
とを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項２】 前記エッチング・ガスが塩素系化合物も
しくは臭素系化合物の少なくとも一方を含むことを特徴
とする請求項１記載のドライエッチング方法。 - 【請求項３】 アルミニウムを含む化合物半導体層の上
に積層されたアルミニウムを含まない化合物半導体層
を、分子内にカルボニル基, チオニル基, スルフリル
基, ニトロシル基, ニトリル基から選ばれる少なくとも
１種類の官能基に加えて塩素原子もしくは臭素原子の少
なくとも一方を有する化合物と、フッ素系化合物とを含
むエッチング・ガスを用いて選択的にエッチングするこ
とを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項４】 請求項２もしくは請求項３に記載のエッ
チング・ガスを用いて前記アルミニウムを含まない化合
物半導体層を実質的にその層厚分だけエッチングするジ
ャストエッチング工程と、プラズマ中におけるフッ素系
化学種の生成比を前記ジャストエッチング工程における
よりも相対的に高め得るごとく前記エッチング・ガスの
成分混合比を変更し、前記アルミニウムを含まない化合
物半導体層の残余部をエッチングするオーバーエッチン
グ工程とを有することを特徴とするドライエッチング方
法。 - 【請求項５】 前記エッチング・ガスが、放電解離条件
下でプラズマ中に遊離のイオウを生成することを特徴と
する請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のド
ライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31626092A JP3186264B2 (ja) | 1992-04-23 | 1992-10-31 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10468792 | 1992-04-23 | ||
| JP4-104687 | 1992-04-24 | ||
| JP10688292 | 1992-04-24 | ||
| JP4-106882 | 1992-04-24 | ||
| JP31626092A JP3186264B2 (ja) | 1992-04-23 | 1992-10-31 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065558A true JPH065558A (ja) | 1994-01-14 |
| JP3186264B2 JP3186264B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=27310290
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31626092A Expired - Fee Related JP3186264B2 (ja) | 1992-04-23 | 1992-10-31 | ドライエッチング方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3186264B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6886573B2 (en) | 2002-09-06 | 2005-05-03 | Air Products And Chemicals, Inc. | Plasma cleaning gas with lower global warming potential than SF6 |
| JP2011510501A (ja) * | 2008-01-23 | 2011-03-31 | ゾルファイ フルーオル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 太陽電池の製造方法 |
| JP2016516287A (ja) * | 2012-12-18 | 2016-06-02 | シースター ケミカルズ インク． | 薄膜堆積反応器及び薄膜層をインサイチューで乾式浄化するプロセス及び方法 |
| JP2017135375A (ja) * | 2016-01-12 | 2017-08-03 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 荷電粒子ビーム誘起エッチング |
| JP2021132118A (ja) * | 2020-02-19 | 2021-09-09 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2022015689A1 (en) * | 2020-07-13 | 2022-01-20 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Selective thermal etching methods of metal or metal-containing materials for semiconductor manufacturing |
| CN114242583A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-03-25 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | AlGaN材料的刻蚀方法及其应用 |
-
1992
- 1992-10-31 JP JP31626092A patent/JP3186264B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6886573B2 (en) | 2002-09-06 | 2005-05-03 | Air Products And Chemicals, Inc. | Plasma cleaning gas with lower global warming potential than SF6 |
| JP2011510501A (ja) * | 2008-01-23 | 2011-03-31 | ゾルファイ フルーオル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 太陽電池の製造方法 |
| JP2016516287A (ja) * | 2012-12-18 | 2016-06-02 | シースター ケミカルズ インク． | 薄膜堆積反応器及び薄膜層をインサイチューで乾式浄化するプロセス及び方法 |
| US10240230B2 (en) | 2012-12-18 | 2019-03-26 | Seastar Chemicals Inc. | Process and method for in-situ dry cleaning of thin film deposition reactors and thin film layers |
| JP2017135375A (ja) * | 2016-01-12 | 2017-08-03 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 荷電粒子ビーム誘起エッチング |
| JP2021036606A (ja) * | 2016-01-12 | 2021-03-04 | エフ イー アイ カンパニＦｅｉ Ｃｏｍｐａｎｙ | 荷電粒子ビーム誘起エッチング |
| JP2021132118A (ja) * | 2020-02-19 | 2021-09-09 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2022015689A1 (en) * | 2020-07-13 | 2022-01-20 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Selective thermal etching methods of metal or metal-containing materials for semiconductor manufacturing |
| CN114242583A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-03-25 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | AlGaN材料的刻蚀方法及其应用 |
| CN114242583B (zh) * | 2021-12-22 | 2023-03-21 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | AlGaN材料的刻蚀方法及其应用 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3186264B2 (ja) | 2001-07-11 |
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