JP2021034624A - トレンチゲート型のスイッチング素子の製造方法 - Google Patents
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Images
Abstract
Description
20 :ソース領域
24 :ボディ領域
26 :ドリフト領域
28 :ドレイン領域
40 :トレンチ
40a :側面
40b :角部
42 :ゲート絶縁膜
44 :ゲート電極
46 :層間絶縁膜
60 :金属層
62 :ニッケルシリサイド層
63 :アルミニウムシリサイド層
64 :ソース電極
66 :ドレイン電極
90 :熱酸化膜
91 :上面酸化膜
92 :側面酸化膜
210 :スイッチング素子
212 :SiC基板
220 :ソース領域
224 :ボディ領域
226 :ドリフト領域
228 :ドレイン領域
230 :酸化膜
232 :レジスト層
234 :開口部
234a :凹凸
236 :開口部
236a :凹凸
240 :トレンチ
240a :凹凸
240b :側面
240c :凹部
240d :表面
240e :表面
242 :ゲート絶縁膜
244 :ゲート電極
246 :層間絶縁膜
264 :ソース電極
266 :ドレイン電極
Claims (2)
- トレンチゲート型のスイッチング素子の製造方法であって、
SiC基板の上面にトレンチを形成する工程と、
前記トレンチ内に、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜によって前記SiC基板から絶縁されたゲート電極と、前記ゲート電極の上面を覆う層間絶縁膜を形成する工程であって、前記層間絶縁膜の上面が前記トレンチの内部に位置するように前記層間絶縁膜を形成する工程と、
前記SiC基板を酸化することによって、前記SiC基板の前記上面を覆う上面酸化膜と、前記層間絶縁膜の前記上面よりも上側の前記トレンチの側面を覆うとともに前記上面酸化膜よりも厚い側面酸化膜を形成する工程と、
エッチングによって、前記上面酸化膜を除去するとともに前記側面酸化膜を残存させる工程と、
前記SiC基板の前記上面と前記側面酸化膜に接するニッケル含有層を形成する工程と、
前記SiC基板を加熱することによって、前記ニッケル含有層と前記SiC基板の界面にニッケルシリサイド層を形成する工程、
を有する製造方法。 - トレンチゲート型スイッチング素子の製造方法であって、
SiC基板の表面にマスクを形成する工程であって、前記SiC基板の前記表面が前記SiC基板の(000−1)面に対する角度が10°未満の面により構成されており、前記マスクが前記SiC基板の[1−100]方向に対する角度が30°未満の方向に沿って直線状に伸びる開口部を有しており、前記開口部の側面が凹凸を有することを特徴とする工程と、
前記開口部内で前記SiC基板をエッチングすることによって前記SiC基板の前記表面にトレンチを形成する工程であって、前記トレンチの側面に前記トレンチの深さ方向に沿って伸びる複数の凹部が形成されることを特徴とする工程と、
前記トレンチの前記側面を等方性エッチングすることによって、前記トレンチの前記側面の前記各凹部の表面に、前記[1−100]方向に対して60°傾斜する表面と前記[1−100]方向に対して120°傾斜する表面を露出させる工程と、
前記トレンチの前記側面を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記トレンチ内に、前記ゲート絶縁膜によって前記SiC基板から絶縁されたゲート電極を形成する工程、
を有する製造方法。
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- 2019-08-27 JP JP2019154924A patent/JP7259642B2/ja active Active
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