JP2021028948A - 電子部品及び電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】設計される範囲よりも過度に広い範囲に亘って成膜されることを抑制できる電子部品及びその製造方法を提供する。【解決手段】コア２０よりも絶縁性の高い材質である第１絶縁層５０Ａが、コア２０の表面を部分的に覆っている。第１絶縁層５０Ａの表面には、第１電極７５Ａとして機能する第１めっき層７０Ａが積層されている。第１絶縁層５０Ａの面積は第１めっき層７０Ａの面積よりも広く、第１絶縁層５０Ａの範囲内において、第１めっき層７０Ａが積層されている。【選択図】図１

Description

本開示は、電子部品及び電子部品の製造方法に関する。

特許文献１に記載の電子部品のコアは、巻線が巻回される柱状の巻芯部と、巻芯部の端に接続された鍔部とを、備えている。鍔部の一面には、絶縁層が積層されている。絶縁層の表面には、電極として機能するめっき層が積層されている。

実開平６−３１１１２号公報

特許文献１に記載のようなコアにおいて、電極をめっきで成膜しようとすると、成膜途中の電極がコアの表面に触れるまで成長してしまうことがある。仮に、成膜途中の電極がコアの表面に触れると、めっきで成膜する際にコアに流れる微小な電流によって電極の成膜が促進されるため、設計される範囲よりも過度に広い範囲に亘って電極が成膜されてしまう虞がある。なお、同様の課題は、コアの形状に拘らず、コアに電極が成膜される電子部品には同様に生じる。

上記課題を解決するため、本開示の一態様は、部品本体と、前記部品本体よりも絶縁性の高い材質で構成され、前記部品本体の表面を部分的に覆う絶縁層と、前記絶縁層の表面に積層された電極と、を備えている電子部品であって、前記電極は、絶縁層の表面に積層された下地電極と、前記下地電極の表面に積層されためっき層と、を有し、前記絶縁層の面積は前記電極の面積よりも広く、前記絶縁層の縁から離れた位置において前記電極が積層されている。

上記課題を解決するため、本開示の一態様は、部品本体と、前記部品本体よりも絶縁性の高い材質で構成され、前記部品本体の表面を部分的に覆う絶縁層と、前記絶縁層の表面に積層された電極と、を備えている電子部品の製造方法であって、前記部品本体よりも絶縁性の高い絶縁体を準備する工程と、前記部品本体の一部を前記絶縁体に没入させ、前記部品本体の表面に、前記絶縁体を部分的に塗布する絶縁体塗布工程と、前記部品本体の表面に塗布された前記絶縁体の表面の一部を、前記導電体に没入させ、前記絶縁体の表面の一部に前記導電体を塗布する導電体塗布工程と、前記絶縁体を硬化させ絶縁層にするとともに前記導電体を硬化させ下地電極にする硬化工程と、前記下地電極の表面に電極をめっきするめっき工程と、を有し、前記導電体塗布工程では、前記部品本体の表面に塗布された前記絶縁体の縁から離れた位置に前記導電体を塗布する。

上記各構成によれば、部品本体表面が露出している部分と電極の縁の少なくとも一部の縁とが離れている。したがって、電極が部品本体に流れる微小な電流によって過度に成長することを抑制できる。

本開示の一態様である電子部品及び電子部品の製造方法によれば、過度に広い範囲に亘って電極が成膜されることを抑制できる。

第１実施形態の電子部品の斜視図。 第１実施形態の電子部品の側面図。 第１実施形態の電子部品の拡大断面図。 第１実施形態の絶縁体塗布工程の説明図。 第１実施形態の絶縁体塗布工程の説明図。 第１実施形態の導電体塗布工程の説明図。 第２実施形態の電子部品の側面図。 第２実施形態の電子部品の拡大断面図。 第２実施形態の絶縁体塗布工程の説明図。 第２実施形態の導電体塗布工程の説明図。 コアの大きさの一覧表。

以下、電子部品及び電子部品の製造方法の各実施形態を、図面を参照して説明する。なお、図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図面中のものと異なる場合がある。

＜第１実施形態＞
先ず、電子部品及び電子部品の製造方法の第１実施形態について説明する。
図１に示すように、電子部品である巻線型のインダクタ部品１０は、例えば、回路基板等に実装される表面実装型のインダクタ部品１０である。インダクタ部品１０は、インダクタ部品１０の部品本体であるコア２０と、コア２０に巻回された巻線８０とを備えている。コア２０の材質は、ニッケル−亜鉛系フェライトのような磁性体である。コア２０は、粉末状の上記磁性体を圧縮した成形体を焼成することにより成形される。なお、図１を除く図面では、インダクタ部品１０における巻線８０の図示を省略している。

コア２０は、正四角柱状の巻芯部３０と、巻芯部３０の中心軸線ＣＡ方向の第１端に接続されている第１鍔部４１と、巻芯部３０の中心軸線ＣＡ方向の第２端に接続されている第２鍔部４２と、を備えている。なお、以下の説明では、巻芯部３０の中心軸線ＣＡ方向を長さ方向Ｌｄとする。

第１鍔部４１は、長さ方向Ｌｄの寸法が小さい扁平な直方体状となっている。第１鍔部４１は、長さ方向Ｌｄから視たときに正方形となっている。また、長さ方向Ｌｄから視たときに、第１鍔部４１の正方形の各辺は、巻芯部３０の各外周面と平行になっている。第１鍔部４１は、長さ方向Ｌｄから視たときに、重心が巻芯部３０の中心軸線ＣＡと一致している。第１鍔部４１の大きさは、長さ方向Ｌｄから視たときに、巻芯部３０よりも大きくなっている。すなわち、第１鍔部４１の外周側の一部は、巻芯部３０の外周面よりも外側に突出している。第２鍔部４２は、巻芯部３０の第２端に接続されているという点を除いて、第１鍔部４１と同一の構成になっている。なお、インダクタ部品１０は、基板等に実装される際、第１鍔部４１の４つの外周面のうちの１つが基板等に向く実装側の面になっている。以下の説明では、この第１鍔部４１における実装側の面が位置する側を高さ方向Ｔｄの下側とする。また、長さ方向Ｌｄ及び高さ方向Ｔｄのいずれに対しても直交する方向を幅方向Ｗｄとする。図１では、インダクタ部品１０の高さ方向を、上下方向に一致させて図示している。

図２に示すように、コア２０の表面は、部分的に絶縁層５０によって覆われている。絶縁層５０は、第１絶縁層５０Ａと、第２絶縁層５０Ｂとに大別される。なお、図１及び図２など、図面の一部では、絶縁層５０についてドットを付して図示している。絶縁層５０の材質は、シリコン酸化物を含むガラスとなっている。すなわち、絶縁層５０の材質は、コア２０の材質よりも絶縁性が高い材質となっている。

第１絶縁層５０Ａは、コア２０の長さ方向Ｌｄの一方側を覆っている。具体的には、第１絶縁層５０Ａは、第１鍔部４１の表面全体と、巻芯部３０の長さ方向Ｌｄの第１端側から巻芯部３０の長さ方向Ｌｄの全長の略３分の１の範囲の表面と、を覆っている。また、同様に、第２絶縁層５０Ｂは、コア２０の長さ方向Ｌｄの第２端側を覆っている。すなわち、第２絶縁層５０Ｂは、第２鍔部４２の表面全体と、巻芯部３０の長さ方向Ｌｄの第２端側から巻芯部３０の長さ方向Ｌｄの全長の略３分の１の範囲の表面と、を覆っている。一方で、絶縁層５０は、巻芯部３０の長さ方向Ｌｄの中央部分の、巻芯部３０の長さ方向Ｌｄの全長の略３分の１の範囲の表面を覆っておらず、巻芯部３０の表面が露出している。すなわち、コア２０の表面のうち、第１絶縁層５０Ａに覆われている部分と第１絶縁層５０Ａに覆われていない部分との第１境界Ｌ１は、巻芯部３０に位置している。第１境界Ｌ１は、巻芯部３０の中心軸線ＣＡと平行な４つの外周面に亘って、巻芯部３０を一周するように延びている。同様に、コア２０の表面のうち、第２絶縁層５０Ｂに覆われている部分と第２絶縁層５０Ｂに覆われていない部分との第２境界Ｌ２は、巻芯部３０に位置している。

上述したとおり、絶縁層５０は、第１鍔部４１及び第２鍔部４２の表面全体と、巻芯部３０の長さ方向Ｌｄの両端側の全長の略３分の１の範囲の表面と、を覆っている。したがって、図３に示すように、第１絶縁層５０Ａは、巻芯部３０の外周面と第１鍔部４１のうちの巻芯部３０の外周面から外側に突出している部分である第１突出部４３Ａとの第１接続箇所２１Ａも覆っている。そして、インダクタ部品１０を、巻芯部３０の中心軸線ＣＡを含む断面で視たときに、第１絶縁層５０Ａのうち第１接続箇所２１Ａを覆う部分の表面の曲率は、第１接続箇所２１Ａの曲率より小さくなっている。なお、図３においては、第１接続箇所２１Ａにおける曲率が極めて大きいものとして、第１接続箇所２１Ａを略直角に図示している。また、同様に、図示は省略するが、第１実施形態において、第２鍔部４２のうちの巻芯部３０の外周面から外側に突出している突出部である第２突出部４３Ｂとの第２接続箇所においても、第２絶縁層５０Ｂのうち第２接続箇所を覆う部分の表面の曲率は、第２接続箇所の曲率より小さくなっている。本実施形態において、各接続箇所における曲率は、インダクタ部品１０の各接続箇所を含むとともに幅方向Ｗｄに垂直な断面を研磨した後に、顕微鏡によって、３００倍の倍率で観察することで測定されている。そして、各接続箇所における曲率は、幅方向Ｗｄに垂直な断面について観察する視野内において、３つの測定データの平均値としている。

第１鍔部４１のうちの第１突出部４３Ａの絶縁層５０の表面には、第１下地電極６０Ａが積層されている。第１下地電極６０Ａは、第１突出部４３Ａのうち、巻芯部３０よりも下側の部分において、下側略３分の１の表面を覆っている。そのため、第１下地電極６０Ａの面積は、第１絶縁層５０Ａの面積よりも狭い。また、第１下地電極６０Ａは、第１絶縁層５０Ａの縁から離れた位置に配置されている。すなわち、第１下地電極６０Ａは、第１絶縁層５０Ａの範囲内に配置されている。第１下地電極６０Ａの厚さは、第１絶縁層５０Ａの厚さよりも小さくなっている。第１下地電極６０Ａの材質は、シリコン酸化物と導電体である銀とを含む成分となっている。したがって、第１下地電極６０Ａは、全体としてある程度の導電性を有する。また、第１下地電極６０Ａの成分と第１絶縁層５０Ａの成分とには、共通する無機成分であるケイ素が含まれている。また、同様に、図示は省略するが、第１実施形態において、第２鍔部４２のうちの第２突出部４３Ｂの第２絶縁層５０Ｂの表面には、第２下地電極が積層されている。第２下地電極の面積は、第２絶縁層５０Ｂの面積よりも狭い。また、第２下地電極は、第２絶縁層５０Ｂの縁から離れた位置に配置されている。

第１下地電極６０Ａの表面上には、第１めっき層７０Ａが積層されている。すなわち、第１鍔部４１のうち、第１鍔部４１の高さ方向Ｔｄの下側面から、高さ方向Ｔｄにおいて巻芯部３０の下端よりも下側の位置まで、インダクタ部品１０の表面は、第１めっき層７０Ａによって構成されている。そのため、第１めっき層７０Ａの面積は、第１絶縁層５０Ａの面積よりも狭い。また、第１めっき層７０Ａは、第１絶縁層５０Ａの縁から離れた位置に配置されている。すなわち、第１めっき層７０Ａは、第１絶縁層５０Ａの範囲内に配置されている。同様に、第１実施形態において、第２下地電極の表面上には、第２めっき層７０Ｂが積層されている。第２めっき層７０Ｂの面積は、第２絶縁層５０Ｂの面積よりも狭い。また、第２めっき層７０Ｂは、第２絶縁層５０Ｂの縁から離れた位置に配置されている。なお、第１実施形態においては、第１下地電極６０Ａと第１めっき層７０Ａとで第１電極７５Ａが構成されている。第１電極７５Ａの面積は、第１絶縁層５０Ａの面積よりも狭い。また、第１電極７５Ａは、第１絶縁層５０Ａの縁から離れた位置に配置されている。すなわち、第１電極７５Ａは、第１絶縁層５０Ａの範囲内に配置されている。また、図示は省略するが、第２下地電極と第２めっき層７０Ｂとで第２電極７５Ｂが構成されている。第２電極７５Ｂの面積は、第２絶縁層５０Ｂの面積よりも狭い。また、第２電極７５Ｂは、第２絶縁層５０Ｂの縁から離れた位置に配置されている。すなわち、第２電極７５Ｂは、第２絶縁層５０Ｂの範囲内に配置されている。

図３に示すように、第１めっき層７０Ａの厚さＴＭは、第１実施形態においては、約２０マイクロメートルとなっている。本実施形態において、第１めっき層７０Ａの厚さは、インダクタ部品１０の断面を研磨した後に、顕微鏡によって、３００倍の倍率で観察することで測定されている。そして、第１めっき層７０Ａの厚さＴＭは、観察する視野内において、第１下地電極６０Ａの端から第１めっき層７０Ａの厚さを３点測定し、それらの平均値となっている。

第１絶縁層５０Ａの厚さは、第１下地電極６０Ａの縁から第１絶縁層５０Ａの縁の側へ第１めっき層７０Ａの厚さＴＭの０．６倍の距離だけ離れた位置Ｘにおいて、１０ナノメートル以上１．５マイクロメートル以下となっている。すなわち、位置Ｘにおける第１絶縁層５０Ａの最小厚さは１０ナノメートル以上であるとともに、位置Ｘにおける第１絶縁層５０Ａの最大厚さは１．５マイクロメートル以下となっている。なお、図面においては、第１絶縁層５０Ａの厚さを誇張して図示している。また、位置Ｘにおける第１絶縁層５０Ａの厚さは、第１めっき層７０Ａとコア２０との間に介在する第１絶縁層５０Ａの厚さＴＢと同一となっている。そして、当該第１絶縁層５０Ａの厚さＴＢと第１接続箇所２１Ａにおける第１絶縁層５０Ａの厚さＴＣとを比べると、第１接続箇所２１Ａにおける第１絶縁層５０Ａの厚さＴＣは、第１めっき層７０Ａとコア２０との間に介在する第１絶縁層５０Ａの厚さである厚さＴＢよりも大きい。なお、第１実施形態において、図示は省略するが、第１絶縁層５０Ａと第２絶縁層５０Ｂとの厚さは同一となっており、第１めっき層７０Ａと第２めっき層７０Ｂとの厚さも同一となっている。本実施形態において、位置Ｘにおける第１絶縁層５０Ａの厚さは、インダクタ部品１０の位置Ｘを含むとともに高さ方向Ｔｄに垂直な断面を研磨した後に、顕微鏡によって、３００倍の倍率で観察することで測定されている。そして、第１絶縁層５０Ａの厚さは、幅方向Ｗｄに垂直な断面について観察する視野内において、コア２０の端から第１絶縁層５０Ａの厚さを３点測定し、それらの平均値となっている。

インダクタ部品１０の長さ方向Ｌｄの寸法は、８００マイクロメートルとなっている。また、インダクタ部品１０の高さ方向Ｔｄの寸法及び幅方向Ｗｄの寸法は、４００マイクロメートルとなっている。さらに、巻芯部３０を長さ方向Ｌｄから視たときの正方形の一辺の長さは、２４０マイクロメートルとなっている。

ここで、巻芯部３０の中心軸線ＣＡに直交する方向において、巻芯部３０の中心軸線ＣＡと平行な外周面のうち、高さ方向Ｔｄ下側の面である底面３０Ｄから第１鍔部４１及び第２鍔部４２の高さ方向Ｔｄにおける突出先端までの長さを鍔高さＨＴとする。底面３０Ｄが、巻芯部３０の中心軸線ＣＡと平行な外周面のうちの一面として機能している。鍔高さＨＴは、６５マイクロメートルである。同様に、巻芯部３０の他の３つの外周面から対応する第１鍔部４１及び第２鍔部４２の突出先端面までの鍔高さＨＴも６５マイクロメートルである。なお、鍔高さＨＴである６５マイクロメートルを、巻芯部３０の高さ方向Ｔｄの寸法ＨＭ、すなわち巻芯部３０の正方形の一辺の長さである２４０マイクロメートルで除した値は、０．２７となっている。

本実施形態において、鍔高さＨＴは、インダクタ部品１０の幅方向Ｗｄに垂直な断面を研磨した後に、顕微鏡によって、３００倍の倍率で観察することで測定されている。鍔高さＨＴは、観察する視野内において、底面３０Ｄの端から第１鍔部４１の先端までの寸法を３点測定し、それらの平均値となっている。

図１に示すように、コア２０の巻芯部３０には、巻線８０が巻回されている。巻線８０の一端は第１鍔部４１の第１電極７５Ａに、巻線８０の他端は第２鍔部４２の第２電極７５Ｂに接続されている。

次に、インダクタ部品１０の製造方法について説明する。
インダクタ部品１０の製造方法は、コア準備工程と、絶縁体塗布工程と、導電体塗布工程と、加熱工程と、めっき工程と、を有する。

先ず、コア準備工程では、コア２０は、粉末状の磁性体を金型によって圧縮した成形体を焼成して形成される。第１実施形態では、金型によってコア２０を成形するときに、巻芯部３０と、第１鍔部４１と、第２鍔部４２と、が成形される。

コア準備工程の次に、絶縁体塗布工程を行う。図４に示すように、絶縁体塗布工程は、第１塗布工程及び第２塗布工程の２度の塗布工程に大別できる。第１塗布工程では、コア２０の長さ方向Ｌｄの第１端側に対して、金属アルコキシドを含む絶縁体用ゾルＰ１を塗布する。具体的には、第１鍔部４１全体と、巻芯部３０のうち長さ方向Ｌｄの第１端側から巻芯部３０の長さ方向Ｌｄの全長の略３分の１の範囲に対して、絶縁体用ゾルＰ１を塗布する。絶縁体用ゾルＰ１は、溶液状態のゾルとなっており、ゾルを乾燥させるとゾルよりも粘度の高い状態のゲルとなり、ゲルをさらに乾燥させると固形化する材料である。なお、この絶縁体用ゾルＰ１は、後述する加熱工程によって、シリコン酸化物を含む絶縁層５０を形成する。

次に、図５に示すように、第２塗布工程では、コア２０の長さ方向Ｌｄの第２端側に対して、絶縁体用ゾルＰ１を塗布する。具体的には、第２鍔部４２全体と、巻芯部３０のうち長さ方向Ｌｄの他方側から巻芯部３０の長さ方向Ｌｄの全長の略３分の１の範囲に対して、絶縁体用ゾルＰ１を塗布する。そして、コア２０に塗布された絶縁体用ゾルＰ１を乾燥させる。

次に、図６に示すように、導電体塗布工程では、第１突出部４３Ａ及び第２突出部４３Ｂのうち、コア２０の高さ方向Ｔｄの下側に位置する第１電極７５Ａ及び第２電極７５Ｂを設ける部分に対して、金属アルコキシドを含む導電体用ゾルＰ２を塗布する。具体的には、絶縁体用ゾルＰ１の表面上、すなわちコア２０の表面に塗布された絶縁体用ゾルＰ１の範囲内であって、コア２０の表面に塗布された絶縁体用ゾルＰ１の縁から離れた位置に導電体用ゾルＰ２を塗布する。換言すると、絶縁体用ゾルＰ１より狭く導電体用ゾルＰ２を塗布する。そのため、塗布された導電体用ゾルＰ２の縁と、塗布された絶縁体用ゾルＰ１の縁とは、離れている。そして、コア２０に塗布された導電体用ゾルＰ２を乾燥させる。なお、導電体用ゾルＰ２は、溶液状態のゾルとなっており、ゾルを乾燥させるとゾルよりも粘度の高い状態のゲルとなり、ゲルをさらに乾燥させると固形化する材料である。塗布された導電体用ゾルＰ２は、後述する加熱工程によってシリコン酸化物及び導電体である銀を含む第１下地電極６０Ａ及び第２下地電極を形成する。

次に、加熱工程において、絶縁体用ゾルＰ１及び導電体用ゾルＰ２が塗布されたコア２０を加熱する。加熱工程は、硬化工程として機能しており、絶縁体用ゾルＰ１と導電体用ゾルＰ２をともに加熱する。これにより、コア２０の表面を部分的に覆う第１絶縁層５０Ａ及び第２絶縁層５０Ｂが焼成されるとともに、第１絶縁層５０Ａ及び第２絶縁層５０Ｂの表面に配置された第１下地電極６０Ａ及び第２下地電極が焼成される。すなわち、加熱工程によって、絶縁体用ゾルＰ１を硬化させ第１絶縁層５０Ａ及び第２絶縁層５０Ｂにするとともに、導電体用ゾルＰ２を硬化させ第１下地電極６０Ａ及び第２下地電極にする。

次に、めっき工程では、第１下地電極６０Ａ及び第２下地電極の部分に対して、電気めっきを行う。これによって、第１下地電極６０Ａの表面に第１めっき層７０Ａが形成されるとともに、第２下地電極の表面に第２めっき層７０Ｂが形成される。第１めっき層７０Ａ及び第２めっき層７０Ｂは、図示は省略するが、３層構造となっており、ニッケル、銅、錫の層が積層されている。

次に、上記第１実施形態の作用及び効果を説明する。
（１）例えば、絶縁層５０で覆われていないコア２０に対して、第１下地電極６０Ａに通電して、第１めっき層７０Ａを成長させる場合には、基本的には、めっき工程において、第１めっき層７０Ａは第１下地電極６０Ａ上で成長する。しかし、コア２０には、不純物として銅などの導電性物質が含まれているため、コア２０にも微小な電流が流れてしまう。そのため、第１めっき層７０Ａは、第１下地電極６０Ａ上だけでなく、コア２０上を当該コア２０の表面に沿った方向にも成長する。この場合、第１めっき層７０Ａは、第１電極７５Ａを形成するために塗布した第１下地電極６０Ａの範囲を過度に超えて形成されてしまう。

上記第１実施形態によれば、コア２０よりも絶縁性の高い絶縁層５０が、コア２０の表面を部分的に覆っている。また、第１電極７５Ａとして機能する第１めっき層７０Ａの面積及び第２電極７５Ｂとして機能する第２めっき層７０Ｂの面積より広くなっている。さらに、絶縁層５０の範囲内において、絶縁層５０の縁から離れた位置に第１めっき層７０Ａ及び第２めっき層７０Ｂが積層されている。そのため、コア２０の表面が露出している部分と第１めっき層７０Ａの縁とが離れている。同様に、コア２０の表面が露出している部分と第２めっき層７０Ｂの縁とが離れている。したがって、第１めっき層７０Ａ及び第２めっき層７０Ｂがコア２０に流れる微小な電流によって過度に成長することを抑制できる。

（２）巻線型のインダクタ部品１０では、巻芯部３０に巻線８０を巻回すため、巻線８０の一部が第１めっき層７０Ａ及び第２めっき層７０Ｂの近傍に位置する。そのため、第１めっき層７０Ａ及び第２めっき層７０Ｂが過度に成長すると、第１めっき層７０Ａ及び第２めっき層７０Ｂが、巻芯部３０に巻回されている巻線８０に接触しやすい。このような接触を避けるためには、第１めっき層７０Ａ及び第２めっき層７０Ｂの寸法には、より高い正確性が求められる。上記第１実施形態のようなコア２０の形状において、第１めっき層７０Ａ及び第２めっき層７０Ｂがコア２０の表面に沿って過度に成長することを抑制することは、非常に好適である。

（３）上記第１実施形態では、鍔高さＨＴを、巻芯部３０の高さ方向Ｔｄの寸法ＨＭで除した値は、０．２７となっており、巻芯部３０の一辺の長さに対する鍔高さＨＴの大きさは相応に小さい。また、鍔高さＨＴは６５マイクロメートルと相応に小さい。そのため、例えば、第１鍔部４１の少なくとも一部に積層される第１めっき層７０Ａが、コア２０の表面に沿って巻芯部３０の近傍まで過度に成長すると、巻芯部３０に巻回された巻線８０と特に接触しやすい。上記第１実施形態によれば、第１めっき層７０Ａ及び第２めっき層７０Ｂがコア２０の表面に沿って過度に成長することが抑制されるため、鍔高さＨＴが相応に小さいにも拘らず、第１めっき層７０Ａ及び第２めっき層７０Ｂの巻線８０に対する接触を防ぐことができる。

（４）上記第１実施形態では、第１絶縁層５０Ａが、第１鍔部４１の表面全体を覆っている。そのため、第１下地電極６０Ａのコア２０の表面に沿った方向における縁から第１絶縁層５０Ａの縁までの長さは、第１めっき層７０Ａの厚さＴＭに対して、極めて大きい。よって、めっき工程において、第１めっき層７０Ａがコア２０の表面に沿った方向に意図せず成長しても、第１めっき層７０Ａがコア２０における第１絶縁層５０Ａから露出している部分に触れてしまうことをより確実に抑制できる。

（５）上記第１実施形態によれば、第１絶縁層５０Ａに覆われている部分と絶縁層５０に覆われていない部分との第１境界Ｌ１が巻芯部３０に位置しており、第１鍔部４１における長さ方向Ｌｄの外側の端面を含め、第１鍔部４１の表面全体が、第１絶縁層５０Ａに覆われている。そのため、第１鍔部４１の表面における微細な傷やクラックが第１絶縁層５０Ａによって埋められて、インダクタ部品１０の強度の向上が期待できる。

（６）上記第１実施形態では、第１接続箇所２１Ａが角状になっていて、当該第１接続箇所２１Ａには応力が集中しやすい。上記第１実施形態によれば、第１絶縁層５０Ａは第１接続箇所２１Ａを覆っていることで強度が向上している。また、第１絶縁層５０Ａのうち第１接続箇所２１Ａを覆う部分の表面の曲率は、巻芯部３０の中心軸線を含む断面で視たときに、第１絶縁層５０Ａの曲率が、第１接続箇所２１Ａの曲率より小さくなっている。そのため、第１接続箇所２１Ａに作用する外力を分散させやすい。したがって、インダクタ部品１０が第１接続箇所２１Ａにおいて破損することが防げる。

（７）上記第１実施形態では、第１接続箇所２１Ａにおける絶縁層５０の厚さＴＣは、第１めっき層７０Ａとコア２０との間に介在する第１絶縁層５０Ａの厚さである厚さＴＢよりも大きい。そのため、インダクタ部品１０に作用する外力が集中しやすい第１接続箇所２１Ａが、比較的に厚い第１絶縁層５０Ａによって覆われている。よって、第１接続箇所２１Ａにおいて絶縁層５０による強度向上効果を効果的に得られる。

（８）絶縁層５０で覆われていないコア２０に対して、第１下地電極６０Ａに通電して第１めっき層７０Ａを成長させる場合には、第１めっき層７０Ａの厚さの０．６倍の距離の範囲内で、第１めっき層７０Ａが第１下地電極６０Ａの縁から成長することが、実験等により分かっている。上記第１実施形態によれば、第１下地電極６０Ａの縁から第１絶縁層５０Ａの縁の側へ第１めっき層７０Ａの厚さＴＭの０．６倍の距離だけ離れた位置における第１絶縁層５０Ａの最小厚さは１０ナノメートルである。そのため、仮に第１絶縁層５０Ａがなかったとしたときに、第１めっき層７０Ａが成長する範囲を仮想範囲としたとき、この仮想範囲を含むように、第１めっき層７０Ａとコア２０との導電を防ぐことのできる厚さの第１絶縁層５０Ａが配置されている。よって、第１めっき層７０Ａがコア２０の表面に沿って成長することを抑制できる。

（９）上記第１実施形態によれば、第１下地電極６０Ａの縁から第１絶縁層５０Ａの縁の側へ第１めっき層７０Ａの厚さＴＭの０．６倍の距離だけ離れた位置における第１絶縁層５０Ａの最大厚さは１．５マイクロメートルと、相応の小ささとなっている。そのため、過度にインダクタ部品１０が大型化することを抑制できる。

（１０）上記第１実施形態によれば、絶縁層５０と第１下地電極６０Ａ及び第２下地電極とには、共通の無機成分であるケイ素が含まれている。そのため、絶縁体用ゾルＰ１及び導電体用ゾルＰ２を焼結させる際に、同一の加熱条件で焼結ができる。よって、別々の加熱工程を設けることなく、一度の加熱工程によって、絶縁層５０と第１下地電極６０Ａ及び第２下地電極とを焼結することで、工程の数を減らすことができる。

＜第２実施形態＞
次に、電子部品及び電子部品の製造方法の第２実施形態について説明する。なお、以下の第２実施形態の説明では、第１実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して、具体的な説明を省略又は簡略化する。

図７に示すように、第２実施形態では、インダクタ部品１１０では、コア２０の表面のうち、絶縁層１５０が覆っている部分が異なる。絶縁層１５０は、第１鍔部４１及び第２鍔部４２のうち、高さ方向Ｔｄにおいて、巻芯部３０の外周面の下側の面より下側の部分のうち、高さ方向Ｔｄにおける下側略３分の２の範囲を覆っている。その結果、コア２０の表面のうち、絶縁層１５０によって覆われている部分と絶縁層１５０に覆われていない部分との第１境界Ｌ１１及び第２境界Ｌ１２は、第１突出部４３Ａ及び第２突出部４３Ｂに位置している。そして、第１境界Ｌ１１及び第２境界Ｌ１２から第１鍔部４１及び第２鍔部４２における突出先端である第１鍔部４１及び第２鍔部４２の高さ方向Ｔｄの下端までが絶縁層１５０に覆われている。

図８に示すように、第１絶縁層１５０Ａの表面に積層されている第１めっき層７０Ａの厚さＴＭは、約２０マイクロメートルである。また、第１下地電極６０Ａの縁から第１絶縁層５０Ａの縁までの距離の最小値である最小距離ＬＺは、約２０マイクロメートルである。よって、第１めっき層７０Ａの厚さＴＭは、最小距離ＬＺの１．５倍以内である約１．０倍となっている。また、第２絶縁層５０Ｂの厚さＴＭも同様となっている。

次に、インダクタ部品１１０の製造方法について説明する。
図９に示すように、コア準備工程によってコア２０を成形した後に、絶縁体塗布工程において、コア２０の高さ方向Ｔｄの下側部分に対して金属アルコキシドを含む絶縁体用ゾルＰ１を塗布する。具体的には、第１鍔部４１及び第２鍔部４２のうち、巻芯部３０の外周面より突出している部分の高さ方向Ｔｄの下側略３分の２の範囲に対して、絶縁体用ゾルＰ１を塗布する。このとき、コア２０の高さ方向Ｔｄの下側を、絶縁体用ゾルＰ１に没入させることで、一度の没入で、第１鍔部４１及び第２鍔部４２のいずれにも、絶縁体用ゾルＰ１を塗布する。そして、絶縁体用ゾルＰ１を乾燥させる。

その後、図１０に示すように、導電体塗布工程を行うことで、絶縁体用ゾルＰ１の塗布された範囲の高さ方向Ｔｄの下側の一部分に、金属アルコキシドを含む導電体用ゾルＰ２を塗布する。具体的には、導電体用ゾルＰ２の塗布する範囲の上端が、コア２０に塗布された絶縁体用ゾルＰ１の上端よりも下側に位置するように、導電体用ゾルＰ２を塗布する。そして、コア２０に塗布された導電体用ゾルＰ２を乾燥させる。その後、加熱工程及びめっき工程を行う。

次に、上記第２実施形態の作用及び効果を説明する。上記第２実施形態の（１）〜（３）、（８）〜（１０）の効果に加えて、以下の効果を奏する。
（１１）上記第２実施形態によれば、コア２０の表面のうち、絶縁層５０によって覆われる範囲が、第１突出部４３Ａ及び第２突出部４３Ｂの一部分である。そのため、絶縁体塗布工程において、絶縁体用ゾルＰ１の塗布範囲が相応に小さい。よって、使用する絶縁体用ゾルＰ１の量が少なくて済む。

（１２）上記第２実施形態によれば、第１めっき層７０Ａの厚さＴＭは、第１下地電極６０Ａの縁から第１絶縁層５０Ａの縁までの距離の最小値である最小距離ＬＺの１．５倍以内となっている。そのため、第１めっき層７０Ａの厚さＴＭが相応に小さいことで、インダクタ部品１１０全体の大きさが大型化することを抑制できる。

（１３）上記第２実施形態においては、絶縁体塗布工程において、コア２０の高さ方向Ｔｄの下端から一定の範囲内を、絶縁体用ゾルＰ１に没入させることで塗布する。そのため、一度の没入で、第１鍔部４１及び第２鍔部４２のいずれにも、絶縁体用ゾルＰ１を塗布することができる。よって、絶縁体塗布工程における塗布工程を１回で済ますことができる。

上記各実施形態は以下のように変更して実施することができる。各実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせて実施することができる。
・各実施形態において、絶縁層５０と第１下地電極６０Ａとの材質は、上記各実施形態の例に限られない。絶縁層５０の材質は、コア２０よりも絶縁性の高い材質であればよく、例えば、結晶性のガラスや樹脂、無機酸化物、セラミックス等であってもよい。第１下地電極６０Ａの材質は、めっき工程において、電気が流れて第１めっき層７０Ａが積層されればよく、例えば、銀のみでもよいし、銅を含んでいてもよい。さらに、第１下地電極６０Ａの材質は、樹脂と金属の混合体であってもよい。この点、絶縁層５０と第２下地電極との材質についても同様である。また、第１下地電極６０Ａと第２下地電極との材質が異なっていてもよい。

・各実施形態において、絶縁層５０の材質と第１下地電極６０Ａの材質との関係は、上記各実施形態の例に限られない。例えば、絶縁層５０の材質がチタンを含むガラス成分であるとともに、第１下地電極６０Ａの材質がチタンと銀を含む成分であってもよい。この場合、チタンが共通の無機成分となっている。さらに、絶縁層５０の材質と第１下地電極６０Ａの材質とで、共通の無機成分を有していなくてもよい。絶縁層５０の材質と第１下地電極６０Ａの材質は、加熱工程によって焼結される焼結体であってもよい。この点、絶縁層５０の材質と第２下地電極の材質との関係についても同様である。

・各実施形態において、絶縁層５０の厚さは、上記各実施形態の例に限られない。例えば、第１下地電極６０Ａの縁から第１絶縁層５０Ａの縁の側へ第１めっき層７０Ａの厚さの０．６倍だけ離れた位置における第１絶縁層５０Ａの最大厚さが１．５マイクロメートルより大きくてもよいし、当該位置における絶縁層５０の最小厚さが１０ナノメートル未満であってもよい。例えば、インダクタ部品１０として許容される重量や、第１めっき層７０Ａを成層する際に印加する電圧等を勘案して、第１絶縁層５０Ａの厚さを設計すればよい。

・上記第１実施形態において、第１接続箇所２１Ａ及び第２接続箇所を覆う絶縁層５０の曲率は、コア２０の接続箇所の曲率と同一であってもよいし、大きくてもよい。なお、第１接続箇所２１Ａ及び第２接続箇所を覆う絶縁層５０の曲率が、コア２０の接続箇所の曲率と同じ場合、絶縁層５０の厚さは、コア２０の表面に沿って、均一となる。

・上記第１実施形態において、第１接続箇所２１Ａ及び第２接続箇所を覆う絶縁層５０の厚さは、上記第１実施形態の例に限られない。例えば、第１接続箇所２１Ａを覆う第１絶縁層５０Ａの厚さは、第１めっき層７０Ａとコア２０との間に介在する第１絶縁層５０Ａの厚さと同じであってもよいし、それ以下であってもよい。

・上記第１実施形態において、第１境界Ｌ１の位置は、上記第１実施形態の例に限られない。例えば、第１境界Ｌ１が、第１鍔部４１に位置していてもよいし、第１境界Ｌ１が第１鍔部４１と巻芯部３０とに亘って位置していてもよい。この場合、第１絶縁層５０Ａが覆う範囲に応じて、第１電極７５Ａの配置も変更すればよい。この点、第２境界Ｌ２の位置についても同様である。

・上記各実施形態において、絶縁層５０が覆うコア２０の範囲は、上記各実施形態に限られない。例えば、第１実施形態において、第２鍔部４２側を第２絶縁層５０Ｂが覆っていなくてもよい。

・上記各実施形態において、第１絶縁層５０Ａと第２絶縁層５０Ｂとが部分的に重複していてもよい。この場合、コア２０の一部に絶縁層５０から露出している部分があれば、第１めっき層７０Ａ又は第２めっき層７０Ｂがその露出している部分に接触して過度に広い範囲に成膜されてしまうという問題は生じ得る。

・上記各実施形態において、第１めっき層７０Ａの構成は、３層構造でなくてもよい。また、第１めっき層７０Ａの材質も、第１電極７５Ａとして機能できる材質であれば問わない。これらの点、第２めっき層７０Ｂの構成についても同様である。

・上記実施形態において、第１めっき層７０Ａの位置は、上記各実施形態に限られない。例えば、第１めっき層７０Ａの位置は、第１鍔部４１の長さ方向Ｌｄの端面に配置されていてもよい。少なくとも、第１めっき層７０Ａ及び第２めっき層７０Ｂは、絶縁層５０の範囲内において配置されていればよい。また、第１下地電極６０Ａの縁と第１絶縁層５０Ａの縁とが部分的に一致していてもよい。このように、第１下地電極６０Ａの縁と第１絶縁層５０Ａの縁とが一致している箇所では、第１めっき層７０Ａが、コア２０における第１絶縁層５０Ａから露出している部分に接触する虞がある。とはいえ、その箇所が、巻線８０が接触しにくい箇所なのであれば、仮に第１めっき層７０Ａが過度に成膜されても問題は生じにくい。この点、第２下地電極の位置についても同様である。

・上記各実施形態において、第１めっき層７０Ａの厚さＴＭは、上記各実施形態の例に限られない。第１めっき層７０Ａの厚さＴＭは、第１下地電極６０Ａの縁から第１絶縁層５０Ａの縁までの最小距離ＬＺの１．５倍以下であると、第１めっき層７０Ａの厚さが過度に厚くないため、インダクタ部品１０全体の大きさや重量が増大することを抑制できるため好適である。例えば、第１めっき層７０Ａの厚さＴＭが、第１下地電極６０Ａの縁から第１絶縁層５０Ａの縁までの最小距離ＬＺの１．０倍以内であると、第１めっき層７０Ａの厚さがより薄くなるため、インダクタ部品１０全体のさらなる小型化に対応できる。なお、第１めっき層７０Ａの厚さＴＭが、第１下地電極６０Ａの縁から第１絶縁層５０Ａの縁までの最小距離ＬＺの１．５倍より大きかったとしても、第１めっき層７０Ａがコア２０の表面に沿って過度に成長することは抑制できるため、差支えはない。例えば、第１めっき層７０Ａの厚さＴＭが、第１下地電極６０Ａの縁から第１絶縁層５０Ａの縁までの最小距離ＬＺの３．０倍以内であると、第１めっき層７０Ａがコア２０の表面に沿って過度に成長することは、ほとんど抑制できる。この点、第２めっき層７０Ｂの厚さＴＭについても同様である。

・上記各実施形態において、コア２０の大きさは、上記各実施形態の例に限られず、様々な大きさが許容される。例えば、図１１に例示するようなコア２０の大きさ及び鍔高さＨＴであってもよい。

・上記各実施形態において、第１鍔部４１の大きさは、上記各実施形態の例に限られない。例えば、図１１に示すような鍔高さＨＴであってもよい。その結果、鍔高さＨＴを巻芯部３０の高さ方向Ｔｄの寸法ＨＭで除した値は、上記実施形態の例に限られない。例えば、当該値が、図１１に示すように０．０４以上０．４８以下であると、巻芯部３０の底面３０Ｄから第１鍔部４１の高さ方向Ｔｄにおける突出先端までの距離が比較的に短い。そのため、巻線８０と第１めっき層７０Ａとが接触しやすいため、上記各実施形態の技術を適用するには好適である。なお、鍔高さＨＴを巻芯部３０の高さ方向Ｔｄの寸法ＨＭで除した値が０．０４未満や０．４８より大きくても、第１めっき層７０Ａがコア２０の表面に沿って過度に成長することは抑制できるため、差支えはない。この点、第２鍔部４２の大きさについても同様である。

・上記各実施形態において、コア２０の形状は、上記各実施形態の例に限られない。例えば、巻芯部３０の形状が、円柱状や、四角形以外の多角形柱状であってもよいし、巻芯部３０の角部が面取りされたもの、角部が丸められたもの、各辺の一部が曲線状のものであってもよい。また、第１鍔部４１及び第２鍔部４２の形状が球状であってもよいし、長さ方向Ｌｄから視たときに長方形状であってもよいし、第１鍔部４１及び第２鍔部４２の角部が面取りされたのもの、角部が丸められたもの、各辺の一部が曲線状のものであってもよい。さらに、第１鍔部４１又は第２鍔部４２のどちらか一方のみが備わっていてもよい。他にも、円柱状の巻芯部３０の周面に、円環状の第１鍔部４１及び円環状の第２鍔部４２が円柱の中心軸方向に離れて設けられていてもよい。この場合に、円柱の中心軸方向から視て、巻芯部３０と第１鍔部４１及び第２鍔部４２の重心は一致していてもよいし、一致していなくてもよい。

・上記各実施形態において、鍔高さＨＴは、上記各実施形態の例に限られない。上述したように、第１鍔部４１及び第２鍔部４２の大きさや形状によっては、鍔高さＨＴも変化する。例えば、鍔高さＨＴが３００マイクロメートル以下であると、上記各実施形態の技術を適用するには好適である。

・上記各実施形態において、上記技術が適用される電子部品は、インダクタ部品１０に限られない。少なくとも、部品本体とその表面に積層される第１めっき層７０Ａ及び第２めっき層７０Ｂを備えている電子部品であれば、上記各実施形態の技術を適用できる。

・上記第２実施形態において、第１境界Ｌ１１の位置は、上記第２実施形態に限られない。例えば、第１境界Ｌ１１の位置は、第１鍔部４１の第１突出部４３Ａのうち、高さ方向Ｔｄの上側に突出する部分に位置していてもよい。また、巻芯部３０の中心軸線ＣＡの高さ方向Ｔｄの位置に位置していてもよい。この点、第２境界Ｌ１２についても同様である。

・上記各実施形態において、コア２０の材質は、上記各実施形態の例に限られない。例えば、コア２０の材質は、マンガン−亜鉛フェライトや、銅−亜鉛フェライトであってもよい。コア２０の材質が微小な電流を流す材質であれば、第１めっき層７０Ａ及び第２めっき層７０Ｂが過度に広い範囲で成膜されてしまうという課題は生じる。

・上記各実施形態において、絶縁層５０の塗布の仕方は、上記各実施形態に限られない。例えば、印刷等によって絶縁体及び導電体をコア２０の表面に積層させてもよい。この点、第１下地電極６０Ａ及び第２下地電極の塗布の仕方についても同様である。

・上記各実施形態において、導電体塗布工程の塗布回数は、上記各実施形態に限られない。例えば、各実施形態において、第１下地電極６０Ａ及び第２下地電極が覆う範囲に応じて、塗布回数や塗布場所を変更してもよい。この点、絶縁体塗布工程についても同様である。

・上記各実施形態において、絶縁体用ゾルＰ１を硬化させ第１絶縁層５０Ａ及び第２絶縁層５０Ｂにする工程は、加熱工程に限られない。絶縁体用ゾルＰ１を硬化させて第１絶縁層５０Ａ及び第２絶縁層５０Ｂとする硬化工程であればよい。例えば、紫外線照射による硬化工程であってもよい。

１０…インダクタ部品、２０…コア、２１Ａ…第１接続箇所、３０…巻芯部、４１…第１鍔部、４２…第２鍔部、４３Ａ…突出部、４３Ｂ…突出部、５０…絶縁層、５０Ａ…第１絶縁層、５０Ｂ…第２絶縁層、６０Ａ…第１下地電極、７０Ａ…第１めっき層、７０Ｂ…第２めっき層、７５Ａ…第１電極、７５Ｂ…第２電極、８０…巻線、１１０…インダクタ部品、１５０…絶縁層、１５０Ａ…第１絶縁層、１５０Ｂ…第２絶縁層、ＣＡ…中心軸線、ＨＴ…鍔高さ、Ｌ１…第１境界、Ｌ２…第２境界、Ｌ１１…第１境界、Ｌ１２…第２境界、Ｐ１…絶縁体用ゾル、Ｐ２…導電体用ゾル、Ｌｄ…長さ方向、Ｔｄ…高さ方向、Ｗｄ…幅方向。

Claims (15)

1. 部品本体と、
   前記部品本体よりも絶縁性の高い材質で構成され、前記部品本体の表面を部分的に覆う絶縁層と、
   前記絶縁層の表面に積層された電極と、を備えている電子部品であって、
   前記電極は、絶縁層の表面に積層された下地電極と、前記下地電極の表面に積層されためっき層と、を有し、
   前記絶縁層の面積は前記電極の面積よりも広く、前記絶縁層の縁から離れた位置において前記電極が積層されている
   電子部品。
2. 前記めっき層の厚さは、前記下地電極の縁から前記絶縁層の縁までの最小距離の１．５倍以内である
   請求項１に記載の電子部品。
3. 前記部品本体は、柱状の巻芯部と、前記巻芯部の中心軸線方向の端に接続される鍔部と、を有しており、
   前記鍔部は、前記巻芯部の前記中心軸線方向と平行な外周面のうちの一面よりも外側に突出している突出部を含んでおり、
   前記巻芯部には、巻線が巻回されており、
   前記絶縁層は、少なくとも前記突出部の一部を覆っており、
   前記電極は、前記鍔部のうちの前記突出部に設けられている
   請求項１又は請求項２に記載の電子部品。
4. 前記鍔部は、前記巻芯部の前記中心軸線方向の第１端に接続された第１鍔部と、前記巻芯部の前記中心軸線方向の第２端に接続された第２鍔部と、を含み、
   前記突出部は、前記第１鍔部及び前記第２鍔部にそれぞれ設けられ、
   前記電極は、前記第１鍔部に設けられた前記突出部及び前記第２鍔部に設けられた前記突出部にそれぞれ設けられている
   請求項３に記載の電子部品。
5. 前記絶縁層は、前記突出部の突出する方向の先端の少なくとも一部を覆っており、
   前記中心軸線に直交する方向において、前記一面から前記先端までの長さを鍔高さとした場合、
   前記鍔部における前記絶縁層に覆われている部分の前記鍔高さを、前記巻芯部の中心軸線に直交する方向の寸法で除した値が、０．０４以上０．４８以下である
   請求項３又は請求項４に記載の電子部品。
6. 前記絶縁層は、前記突出部の前記中心軸線に直交する方向の先端の少なくとも一部を覆っており、
   前記中心軸線に直交する方向において、前記一面から前記突出部の先端までの長さを鍔高さとした場合、
   前記鍔部における前記絶縁層に覆われている部分の前記鍔高さが３００マイクロメートル以下である
   請求項３〜請求項５のいずれか１項に記載の電子部品。
7. 前記絶縁層は、前記鍔部を覆っており、
   前記絶縁層に覆われている部分と、前記絶縁層に覆われていない部分との境界が、前記巻芯部上に位置している
   請求項３〜請求項６のいずれか１項に記載の電子部品。
8. 前記絶縁層は、前記一面と前記突出部との接続箇所を覆っており、
   前記絶縁層のうち前記接続箇所を覆う部分の表面の曲率は、前記巻芯部の前記中心軸線を含む断面で視たときに、前記接続箇所の曲率より小さくなっている
   請求項３〜請求項７のいずれか１項に記載の電子部品。
9. 前記絶縁層は、前記一面と前記突出部との接続箇所を覆っており、
   前記電極と前記部品本体との間に介在する絶縁層の厚さよりも、前記接続箇所を覆う前記絶縁層の厚さが大きい
   請求項３〜請求項７のいずれか１項に記載の電子部品。
10. 前記絶縁層に覆われている部分と、前記絶縁層に覆われていない部分との境界が、前記鍔部における前記突出部に位置しており、
    前記境界から前記突出部の先端までは前記絶縁層に覆われている
    請求項３〜請求項６のいずれか１項に記載の電子部品。
11. 前記下地電極の縁から前記絶縁層の縁の側へ前記めっき層の厚さの０．６倍の距離だけ離れた位置における前記絶縁層の最小厚さは１０ナノメートル以上である
    請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の電子部品。
12. 前記下地電極の縁から前記絶縁層の縁の側へ前記めっき層の厚さの０．６倍の距離だけ離れた位置における前記絶縁層の最大厚さは１．５マイクロメートル以下である
    請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の電子部品。
13. 前記電極は、前記絶縁層の表面に積層された下地電極と、前記下地電極の表面に積層されためっき層と、を備えており、
    前記絶縁層の材質と前記下地電極の材質とには、共通の無機成分が含まれている
    請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の電子部品。
14. 部品本体と、
    前記部品本体よりも絶縁性の高い材質で構成され、前記部品本体の表面を部分的に覆う絶縁層と、
    前記絶縁層の表面に積層された電極と、を備えている電子部品の製造方法であって、
    前記部品本体よりも絶縁性の高い絶縁体及び前記絶縁体よりも導電性の高い導電体を準備する工程と、
    前記部品本体の一部を前記絶縁体に没入させ、前記部品本体の表面に、前記絶縁体を部分的に塗布する絶縁体塗布工程と、
    前記部品本体の表面に塗布された前記絶縁体の表面の一部を、前記導電体に没入させ、前記絶縁体の表面の一部に前記導電体を塗布する導電体塗布工程と、
    前記絶縁体を硬化させ絶縁層にするとともに前記導電体を硬化させ下地電極にする硬化工程と、
    前記下地電極の表面に電極をめっきするめっき工程と、を有し、
    前記導電体塗布工程では、前記絶縁層より狭く前記導電体を塗布する
    電子部品の製造方法。
15. 前記絶縁体は、熱硬化性の絶縁体であり、
    前記導電体は熱硬化性の導電体であって、
    前記硬化工程において、前記絶縁体と前記導電体をともに加熱することにより前記絶縁体を絶縁層にするとともに前記導電体を下地電極にする
    請求項１４に記載の電子部品の製造方法。