JP2021022611A - インダクタ部品 - Google Patents

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Abstract

【課題】高周波での高Ｑ化を可能とし、かつ強度を高めたインダクタ部品を提供する。【解決手段】インダクタ部品１は、絶縁体材料からなる素体１０と、素体内に配置されたコイル配線２１とを備える。絶縁体材料は、Ｂ、Ｓｉ、ＯおよびＫを含む非晶質材料からなる母材と、結晶性フィラーとを含有し、かつコイル配線に沿った位置にフィラー低含有ガラス部１０１を含む。フィラー低含有ガラス部１０１における結晶性フィラーの含有率は、フィラー低含有ガラス部以外の素体における結晶性フィラーの含有率に比べ低い。【選択図】図２

Description

本発明は、インダクタ部品に関する。
近年、携帯電話などの通信機器の高周波数化に伴い、これらの送信部および受信部にはＧＨｚ帯の高周波に対応した表面実装型の小型積層コイル（以下、インダクタ部品と記載する）が多数採用されている。特に、これらのインダクタ部品は、高周波に対応するために、絶縁部は低誘電率、低誘電損失であることが要求され、導体部は低抵抗、低損失であることが要求される。このような要求を満たすためにインダクタ部品の材料や形状が選択される。例えば、インダクタ部品の材料としては、低誘電率、低誘電損失である非晶質材料のガラス系絶縁材料や、低抵抗、低損失である良導体材料（例えば、Ａｇ、Ｃｕなど）が広く一般的に用いられている。
例えば、特開２０１８−１３１３５３号公報（特許文献１）では、ガラス系絶縁材料を含む素体と、素体内に配置された内部電極とを備えるインダクタ部品が記載されている。
特開２０１８−１３１３５３号公報
インダクタ部品がガラス系絶縁材料を含むと、インダクタ部品の強度が低下し、マウント実装時の衝撃や基板たわみ時の応力でインダクタ部品の素体にクラックが発生する場合がある。このような問題に対して、例えば、ガラス系絶縁材料に結晶性フィラーを添加する対策がなされている。特許文献１において、素体部は、ガラス系絶縁材料と、結晶性フィラーとを含むガラスセラミックスである。結晶性フィラーは、としてアルミナ粒子およびジルコニア粒子をそれぞれ特定の含有量で含む。
しかし、結晶性フィラーの添加は、ガラス系絶縁材料の強度を向上させる一方で、Ｑ値を十分に高めることができないという新たな問題を生じさせる。例えば、結晶性フィラーの添加は、結晶性フィラーの誘電率が比較的高いため、誘電損失を増加させる。また、結晶性フィラーの添加は、インダクタ部品の製造の焼結工程において、結晶性フィラーの融点が高いため、液化ガラス相のレオロジーを高温域で上昇させる。その結果、導体表面の平滑化を阻害して損失を増加させる。
そこで、本開示の目的は、高周波での高Ｑ化を可能とし、かつ強度を高めたインダクタ部品を提供することにある。
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討し、要求される物性に応じて非晶質材料および結晶性フィラーをインダクタ部品の各部分に偏在させることに着目した。結晶性フィラーをインダクタ部品の素体に含ませることで、強度を高めることができる。さらに、非晶性材料をインダクタ部品の内部電極周辺に存在させ、結晶性フィラーを内部電極周辺において少なくさせることで、内部電極周辺の誘電損失を低下させることができる。その結果、高Ｑ化を可能とし、かつ強度を高めることができることに想到した。すなわち、本開示は、以下の実施形態を含む。
前記課題を解決するため、本開示の一態様であるインダクタ部品は、
絶縁体材料からなる素体と、
前記素体内に配置された内部電極と
を備え、
前記絶縁体材料は、Ｂ、Ｓｉ、ＯおよびＫを含む非晶質材料からなる母材と、結晶性フィラーとを含有し、かつ前記内部電極に沿った位置にフィラー低含有ガラス部を含み、
前記フィラー低含有ガラス部における前記結晶性フィラーの含有率は、前記フィラー低含有ガラス部以外の前記素体における前記結晶性フィラーの含有率に比べ、低い。
本明細書において、フィラー低含有ガラス部は、結晶性フィラーの含有率が比較的小さい部分である。詳しくは、フィラー低含有ガラス部とは、結晶性フィラーの含有率が、素体の中心部における結晶性フィラーの含有率に対して、５０％以下である部分をいう。結晶性フィラーの含有率は、素体の断面における単位面積当たりの結晶性フィラーの面積である。素体の中心部とは、素体の断面における素体の中心点から半径１０μｍ以内の部分をいう。中心点とは、例えば、素体が長方形である場合、素体の長さ、幅、および高さがすべて半分となる点である。当該半径１０μｍ以内の部分が内部電極で占められ、結晶性フィラーの含有率を算出できない場合、中心部を、中心点から半径２０μｍ以内の部分に拡張する。なお、上記結晶性フィラーの含有率を算出する素体の断面は、素体が積層体である場合は、当該積層体の積層方向に直交する断面が好ましい。
前記態様によれば、素体は、結晶性フィラーを含有する。このため、素体は、マウント実装時の衝撃や基板たわみ時の応力によりクラックの発生を抑制することができる。よって、前記態様に係るインダクタ部品は、強度を高めることができる。
また、前記態様によれば、フィラー低含有ガラス部は内部電極に沿った位置にある。すなわち、内部電極の周辺では、誘電率の比較的大きな結晶性フィラーの含有率を低下させている。このため、前記態様に係るインダクタ部品は、誘電損失を低減することができ、高周波での高Ｑ化を可能とする。
さらに、フィラー低含有ガラス部は内部電極に沿った位置にあるため、インダクタ部品の製造方法の焼結工程において、レオロジーの低下した液化ガラス相が内部電極周辺に存在したと考えられる。すなわち、焼結工程では、内部電極周辺で液相焼結が起こっていたと考えられる。よって、前記態様に係るインダクタ部品は、内部電極の表面の平滑性が高まり、高周波での高Ｑ化を可能とする。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記内部電極は、Ｂ、Ｓｉ、ＯおよびＫを含む非晶質材料を部分的に内包する。
本明細書において、内部電極が非晶質材料を部分的に内包するとは、非晶質材料が内部電極に完全に埋没せず、非晶質材料の一部が内部電極の外周面から露出している状態をいう。
前記実施形態によれば、内部電極が非晶質材料を部分的に内包する。このため、インダクタ部品の製造方法の焼結工程において、非晶質材料が内部電極の内部から表面に到達する程度に、液相焼結が進行したと考えられる。このため、本実施形態に係るインダクタ部品は、内部電極の平滑性がさらに高まり、高周波での高Ｑ化がさらに可能となる。
さらに、高周波電流は、表皮効果により内部電極の表面を優先的に流れる。このため、内部電極が非晶質材料を部分的に内包すると、内部電極の表面積が増加し、電気抵抗が低減される。よって、本実施形態に係るインダクタ部品は、高周波での高Ｑ化がさらに可能となる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記内部電極は、Ｂ、Ｓｉ、ＯおよびＫを含む非晶質材料を完全に内包する。
本明細書において、内部電極が非晶質材料を完全に内包するとは、非晶質材料が内部電極に完全に埋没して、非晶質材料が内部電極の外周面から露出していない状態をいう。
前記実施形態によれば、内部電極が非晶質材料を完全に内包すると、内部電極内に内部電極と非晶質材料との界面が形成される。このため、内部電極の表面積が増加し、高周波での表皮効果により電気抵抗が低減される。よって、本実施形態に係るインダクタ部品は、高周波での高Ｑ化をさらに可能とする。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記結晶性フィラーは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｍｇ、ＦｅおよびＭｎの何れかを含む。
前記実施形態によれば、結晶性フィラーがＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｍｇ、ＦｅおよびＭｎの何れかを含むと、本実施形態に係るインダクタ部品は、強度をさらに向上させることができる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記フィラー低含有ガラス部における前記結晶性フィラーの含有率は、前記素体の中心部における前記結晶性フィラーの含有率に対して、１０％以下である。
前記実施形態によれば、誘電率の比較的大きな結晶性フィラーが内部電極の周辺からさらに少なくなるため、インダクタ部品の誘電損失をさらに低減し、高Ｑ化をさらに可能とする。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記フィラー低含有ガラス部は、前記内部電極を被覆する。
前記実施形態によれば、フィラー低含有ガラス部が内部電極を被覆すると、誘電率の比較的大きな結晶性フィラーが内部電極の周辺からさらに少なくなるため、インダクタ部品の誘電損失をさらに低減し、高Ｑ化をさらに可能とする。なお、内部電極を被覆する、とは内部電極を完全に覆うことを意味する。また、内部電極を覆うとは、内部電極の周囲に沿って配置されることを意味する。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記内部電極は、螺旋状に巻回された巻回部を有するコイルであり、
前記コイルの巻回軸に垂直な平面において、前記フィラー低含有ガラス部は前記コイルの前記巻回部の外縁に接触する第１フィラー低含有ガラス部と、前記巻回部の内縁に接触する第２フィラー低含有ガラス部とを有し、
前記第１フィラー低含有ガラス部の厚みは、前記第２フィラー低含有ガラスの厚みに比べ薄い。
前記実施形態によれば、インダクタ部品の外表面から近い位置には結晶性フィラーが比較的多く含まれ、強度が比較的高い。よって、本実施形態に係るインダクタ部品は、外部衝撃によるクラックの発生を低減し、強度をさらに高めることができる。
また、かかる場合、コイルの内縁側では、フィラー低含有ガラス部が多く存在し、結晶性フィラーが比較的少ない。そして、高周波電流は、表皮効果によってコイルの内縁を優先的に流れる、すなわち、結晶性フィラーが比較的少ない部分を優先的に流れる。よって、本実施形態に係るインダクタ部品は、誘電損失を低減し、高Ｑ化をさらに可能とする。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記内部電極と電気的に接続している外部電極をさらに備え、
前記内部電極は、螺旋状に巻回された巻回部と、前記巻回部および前記外部電極を電気的に接続させる引き出し電極とを有するコイルであり、
前記フィラー低含有ガラス部は、前記巻回部の少なくとも一部と接触する第１部と、前記引き出し電極の少なくとも一部と接触する第２部とを有し、
前記第２部の厚みは、前記第１部の厚みに比べ薄い。
前記実施形態によれば、インダクタ部品の外表面から近い位置には、結晶性フィラーが比較的多く含まれ、強度が比較的高い。よって、本実施形態に係るインダクタ部品は、外部衝撃によるクラックの発生を抑制することができる。
前記内部電極と電気的に接続している外部電極をさらに備え、
前記内部電極は、螺旋状に巻回された巻回部と、前記巻回部および前記外部電極を電気的に接続させる引き出し電極とを有するコイルであり、
前記フィラー低含有ガラス部は、前記巻回部の少なくとも一部と接触する第１部と、前記外部電極の少なくとも一部と接触する第３部とを有し、
前記第３部の厚みは、前記第１部の厚みに比べ薄い。
前記実施形態によれば、インダクタ部品の外表面から近い位置には、結晶性フィラーが比較的多く含まれ、強度が比較的高い。よって、本実施形態に係るインダクタ部品は、外部衝撃によるクラックの発生を抑制することができる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記素体は、コイル導体層が形成された絶縁層が複数積層した積層体であり、
複数の前記絶縁層のうち、コイル軸方向の最下層および最上層の絶縁層におけるフィラー低含有ガラス部の厚みは、前記最下層および前記最上層以外の絶縁層におけるフィラー低含有ガラス部の厚みに比べ薄い。
前記実施形態によれば、インダクタ部品の外表面からより近い位置には、結晶性フィラーが比較的多く含まれ、強度が比較的高い。よって、本実施形態に係るインダクタ部品は、外部衝撃によるクラックの発生を低減することができる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記内部電極は、平滑な表面を有する。
内部電極が平滑な表面を有すると、内部電極に流れる電流の損失を抑制することができる。特に、高周波電流は表皮効果により内部電極の表面を優先的に流れるため、電流の損失をさらに抑制することができる。本実施形態に係るインダクタ部品は、高Ｑ化をさらに可能とする。
本明細書において、平滑な表面とは、内部電極に内包される空隙や非晶質材料について、完全に内包されるものが、部分的に内包されるものよりも多い状態を指す。
本開示の一態様であるインダクタ部品によれば、高周波での高Ｑ化を可能とし、かつ強度を高めることができる。
インダクタ部品の第１実施形態を示す透視斜視図である。 インダクタ部品の第１実施形態を示す分解斜視図である。 図２のＡ−Ａ断面図である。 図３のＡ部の拡大図である。 インダクタ部品の製造方法について説明する説明図である。 インダクタ部品の製造方法について説明する説明図である。 インダクタ部品の製造方法について説明する説明図である。 インダクタ部品の実施例の画像図である。 インダクタ部品の実施例の画像図である。 インダクタ部品の第２実施形態を示す断面図である。 インダクタ部品の第３実施形態を示す断面図である。 インダクタ部品の第４実施形態を示す断面図である。 インダクタ部品の第５実施形態を示す断面図である。
以下、本開示の一態様であるインダクタ部品を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。
（第１実施形態）
（構成）
図１は、インダクタ部品の第１実施形態を示す透視斜視図である。図２は、インダクタ部品の第１実施形態を示す分解斜視図である。図３は、図１のＡ−Ａ断面図である。図４は、図３の一部拡大図（Ａ部の拡大図）である。
図１と図２に示すように、インダクタ部品１は、素体１０と、素体１０内に配置された内部電極であるコイル２０と、コイル２０と電気的に接続された第１外部電極３０および第２外部電極４０とを備える。図１では、素体１０は、素体１０の内部構造（特に、コイル２０の構造）を容易に理解できるよう、透明に描かれている。また、図１では、素体１０の内部構造を容易に理解できるように、フィラー低含有ガラス部を記載していない。
インダクタ部品１は、第１、第２外部電極３０、４０を介して、図示しない回路基板の配線に電気的に接続される。インダクタ部品１は、例えば、高周波回路のインピーダンス整合用コイル（マッチングコイル）として用いられ、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジタルカメラ、ＴＶ、携帯電話、カーエレクトロニクス、医療用・産業用機械などの電子機器に用いられる。ただし、インダクタ部品１の用途はこれに限られず、例えば、同調回路、フィルタ回路や整流回路などにも用いることができる。
素体１０は、略直方体状に形成されている。素体１０の表面は、第１端面１５と、第１端面１５に対向する第２端面１６と、第１端面１５と第２端面１６の間に接続された底面１７と、底面１７に対向する天面１８とを有する。なお、図示するように、Ｘ方向は、第１端面１５および第２端面１６に直交する方向であり、Ｙ方向は、第１端面１５、第２端面１６および底面１７に平行な方向であり、Ｚ方向は、Ｘ方向およびＹ方向に直交する方向であり、底面１７に直交する方向である。インダクタ部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。
素体１０は、絶縁層１１が複数積層した積層体である。絶縁層１１の積層方向は、素体１０の第１、第２端面１５，１６および底面１７に、平行な方向（Ｙ方向）である。すなわち、絶縁層１１は、ＸＺ平面に広がった層状である。本明細書において、「平行」とは、厳密な平行関係に限定されず、現実的なばらつきの範囲を考慮し、実質的な平行関係も含む。なお、素体１０は、焼結などによって、複数の絶縁層１１同士の界面が明確となっていない場合がある。
素体１０は、絶縁性材料からなる。絶縁性材料は、Ｂ、Ｓｉ、ＯおよびＫを含む非晶質材料からなる母材と、結晶性フィラーとを含有する。素体１０が結晶性フィラーを含有すると、素体１０は、マウント実装時の衝撃や基板たわみ時の応力によりクラックの発生を抑制することができる。かかる場合、本実施形態に係るインダクタ部品１は、強度を高めることができる。Ｂ、Ｓｉ、ＯおよびＫを含む非晶質材料は、例えば、Ｂ、Ｓｉ、ＯおよびＫを含む硼珪酸ガラスである。非晶質材料は、硼珪酸ガラス以外に、例えば、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、ＣａＯ、ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３、および／またはＡｌ２Ｏ３などを含むガラス、例えば、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｋ２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ−Ｃａ系ガラス、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ−ＣａＯ−ＺｎＯ系ガラス、またはＢｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系ガラスを含んでもよい。これらのガラスが、２種以上組み合わせたものでもよい。
結晶性フィラーは、例えば、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｍｇ、ＦｅおよびＭｎの何れかを含むことが好ましい。結晶性フィラーが上記元素の何れかを含むと、インダクタ部品１の強度をさらに向上させることができる。
第１外部電極３０および第２外部電極４０は、例えば、ＡｇまたはＣｕなどの導電性材料から構成される。第１外部電極３０は、例えば、第１端面１５と底面１７に渡って設けられたＬ字形状である。第２外部電極４０は、例えば、第２端面１６と底面１７に渡って設けられたＬ字形状である。このことから、底面１７は、素体１０の表面のうち、第１外部電極３０および第２外部電極４０が設けられる面、第１端面１５は第１外部電極３０のみが設けられる面、第２端面１６は第２外部電極４０のみが設けられる面、とそれぞれ定義できる。
コイル２０は、例えば、第１、第２外部電極３０，４０と同様の導電性材料および非晶質材料から構成される。コイル２０は、絶縁層１１の積層方向に沿って、螺旋状に巻回されている。コイル２０の第１端は、第１外部電極３０に接続され、コイル２０の第２端は、第２外部電極４０に接続されている。なお、本実施形態では、コイル２０と第１、第２外部電極３０、４０とは一体化されており、明確な境界は存在しないが、これに限られず、コイル２０と外部電極とが異種材料や異種工法で形成されることにより、境界が存在してもよい。
コイル２０は、軸方向からみて、略長円形に形成されているが、この形状に限定されない。コイル２０の形状は、例えば、円形、楕円形、長方形、その他の多角形、これらの組み合わせなどであってもよい。コイル２０の軸方向とは、コイル２０が巻き回された螺旋の中心軸に平行な方向を指す。インダクタ部品１においては、コイル２０の軸方向と絶縁層１１の積層方向とは、同一方向を指す。ただし、コイル２０の軸方向は、絶縁層１１の積層方向と垂直であってもよい。
コイル２０は、螺旋状に巻回された巻回部２１ａと、巻回部２１ａおよび外部電極３０，４０を電気的に接続させる引き出し電極２１ｂとを有する。コイル２０は、平面に沿って巻回されたコイル配線２１を含む。複数のコイル配線２１は軸方向に沿って積層されている。コイル配線２１は、軸方向に直交する絶縁層１１の主面（ＸＺ平面）上に巻回されて形成される。積層方向に隣り合うコイル配線２１は、絶縁層１１を厚み方向（Ｙ方向）に貫通するビア配線（ビアホール導体）２６を介して、電気的に直列に配列される。このように、複数のコイル配線２１は、互いに電気的に直列に接続しながら螺旋を構成している。具体的には、コイル２０は、互いに電気的に接続され、巻回数が１周未満の複数のコイル配線２１が積層した構成を有し、コイル２０はヘリカル形状である。コイル配線２１は、１層のコイル導体層２５から構成される。コイル配線２１は、平面に沿って巻回された巻回部２１ａと、巻回部２１ａおよび外部電極３０，４０を電気的に接続させる引き出し電極２１ｂとを有する。また、コイル配線２１（コイル導体層２５）は、絶縁層１１に形成されている。
図３および図４に示すように、コイル２０は、平滑な表面を有する。すなわち、コイル２０の表面は、平滑性を有する。コイル２０が平滑な表面を有すると、コイル２０に流れる電流の損失を抑制することができる。特に、高周波電流は表皮効果によりコイル２０の表面を優先的に流れるため、電流の損失をさらに抑制することができる。かかる場合、インダクタ部品１は、高Ｑ化をさらに可能とする。
コイル２０は、略正方形の断面形状を有するが、この形状に限定されない。コイル２０の断面形状は、例えば、円形、楕円形、長方形、その他の多角形、これらの組み合わせなどであってもよい。コイル２０の断面形状が高アスペクト比を有する略長方形であると、コイル２０の断面積が増加し高周波電流に対する抵抗を低下させるため、高Ｑ化をさらに可能にする。アスペクト比とは、（コイル導体層２５の厚みｔ）／（コイル導体層２５の幅ｗ）である。コイル導体層２５の幅ｗとは、コイル導体層２５の延伸方向に直交する断面におけるコイル２０の軸方向と直交する方向の幅を示す。コイル導体層２５の厚みｔとは、コイル導体層２５の延伸方向に直交する断面におけるコイル２０の軸方向の厚みを示す。
コイル２０は、非晶質材料（以下、フィラー低含有ガラス部１０１と記載する）で覆われている。すなわち、素体１０の絶縁体材料は、コイル２０に沿った位置にフィラー低含有ガラス部１０１を含む。フィラー低含有ガラス部１０１がコイル２０に接触して配置されている。フィラー低含有ガラス部１０１は、結晶性フィラーの含有率が比較的小さい部分である。言い換えると、フィラー低含有ガラス部１０１における結晶性フィラーの含有率は、フィラー低含有ガラス部以外の素体における結晶性フィラーの含有率に比べ、低い。詳しくは、フィラー低含有ガラス部１０１とは、結晶性フィラーの含有率が、素体１０の中心部１０３における結晶性フィラーの含有率に対して、５０％以下である部分をいう。
フィラー低含有ガラス部１０１は、コイル２０に沿った位置にある。すなわち、コイル２０の周辺では、誘電率の比較的大きな結晶性フィラーの含有率を低下させている。このため、インダクタ部品１は、誘電損失を低減することができ、高周波での高Ｑ化を可能とする。
また、フィラー低含有ガラス部１０１は、インダクタ部品１の製造方法の焼結工程において、レオロジーの低下した液化ガラス相がコイル２０周辺に存在していたと考えられる。よって、インダクタ部品１は、コイル２０の表面の平滑性が高まり、高周波での高Ｑ化を可能とする。
結晶性フィラーの含有率は、素体１０の断面における単位面積当たりの結晶性フィラーの面積である。素体１０断面は、素体１０の中心部１０３の断面、およびフィラー低含有ガラス部１０１の断面である。素体１０の中心部１０３とは、素体１０の断面における素体１０の中心点から半径１０μｍ以内の部分をいう。中心点とは、底面１７のＸ方向およびＹ方向の半分、ならびに第１端面１５のＺ方向の半分となる点である。なお、中心点から半径１０μｍ以内の部分がコイル２０等で占められ、結晶性フィラーの含有率を算出できない場合、中心部１０３を、中心点から半径２０μｍ以内の部分に拡張する。
結晶性フィラーの含有率は、以下のようにして算出する。積層方向に直交するＸＺ平面に平行な中心部１０３の断面画像（ＳＥＭ画像）から単位面積当たりの結晶性フィラーの面積（基準面積）を得る。同様にして、測定対象（フィラー低含有ガラス部１０１）の断面画像から単位面積当たりの結晶性フィラーの面積（対象面積）を得る。対象面積を基準面積で割ることで、面積比（％）を得る。得られた面積比が結晶性フィラーの含有率に相当する。
フィラー低含有ガラス部１０１における結晶性フィラーの含有率は、素体１０の中心部１０３における結晶性フィラーの含有率に対して、好ましくは４０％以下、より好ましくは３０％以下、さらに好ましくは２０％以下、特に好ましくは１０％以下である。フィラー低含有ガラス部１０１における結晶性フィラーの含有率が素体１０の中心部１０３における結晶性フィラーの含有率に対して１０％以下であると、誘電率の比較的大きな結晶性フィラーがコイル２０の周辺においてさらに少なくなるため、インダクタ部品１の誘電損失をさらに低減し、高Ｑ化をさらに可能とする。
フィラー低含有ガラス部１０１は、コイル２０を被覆する。本明細書において、フィラー低含有ガラス部１０１がコイル２０を被覆する、とは、フィラー低含有ガラス部１０１がコイル２０を完全に覆うことを意味する。コイル２０がフィラー低含有ガラス部１０１に被覆されると、誘電率の比較的大きな結晶性フィラーがコイル２０の周辺においてさらに少なくなるため、インダクタ部品１の誘電損失を低減し、高Ｑ化をさらに可能とする。
また、コイル２０がフィラー低含有ガラス部１０１に被覆されると、インダクタ部品１の製造方法の焼結工程において、レオロジーの低下した液化ガラス相がコイル２０周辺に存在していたと考えられる。かかる場合、本実施形態に係るインダクタ部品１は、コイル２０の表面の平滑性が高まり、高周波での高Ｑ化を可能とする。
なお、フィラー低含有ガラス部１０１は、コイル２０を部分的に覆ってもよい。つまり、絶縁性材料は、コイル２０の一部分に沿った位置にフィラー低含有ガラス部１０１を有してもよい。より具体的には、フィラー低含有ガラス部１０１は、コイル２０の内周側だけ覆ってもよい。つまり、絶縁性材料は、コイル２０の内周に沿った位置にフィラー低含有ガラス部１０１を有してもよい。すなわち、フィラー低含有ガラス部１０１は、コイル２０の内縁に接触してもよい。また、フィラー低含有ガラス部１０１は、コイル２０の外周側だけ覆ってもよい。つまり、絶縁性材料は、コイル２０の外周に沿った位置にフィラー低含有ガラス部１０１を有してもよい。すなわち、フィラー低含有ガラス部１０１は、コイル２０の外縁に接触してもよい。
コイル２０は、非晶質材料（以下、露出ガラス１０７と記載する）を部分的に内包する。高周波電流は、表皮効果によりコイル２０の表面を優先的に流れる。このため、コイル２０が露出ガラス１０７を部分的に内包すると、コイル２０の表面に凹部が形成され、コイル２０の表面積が増加する。これにより電気抵抗が低減される。よって、本実施形態に係るインダクタ部品１は、高周波での高Ｑ化がさらに可能となる。
また、コイル２０が露出ガラス１０７を部分的に内包すると、インダクタ部品１の製造方法の焼結工程において、非晶質材料がコイル２０の内部から表面に到達する程度に、液層焼結が進行したと考えられる。このため、本実施形態に係るインダクタ部品１は、コイル２０の平滑性がさらに高まり、高周波での高Ｑ化がさらに可能となる。
コイル２０は、非晶質材料（以下、内包ガラス１０５と記載する）を完全に内包することができる。コイル２０が内包ガラス１０５を完全に内包すると、コイル２０内にコイル２０と内包ガラス１０５との界面が形成される。このため、コイル２０の表面積が増加し、高周波での表皮効果により電気抵抗が低減される。よって、本実施形態に係るインダクタ部品１は、高周波での高Ｑ化をさらに可能とする。
（インダクタ部品の製造方法）
以下、図２を参照して、インダクタ部品の製造方法の一例を説明する。インダクタ部品の製造方法は、マザー積層体を形成するマザー積層体形成工程と、マザー積層体を切断し積層体を形成する切断工程と、積層体を焼結する焼結工程と、焼結した積層体を研磨する研磨工程とを含む。
［マザー積層体形成工程］
マザー積層体は、複数の積層体が一括して形成された集合体である。以下、集合状態にある部材についても、分割された後の部材と同様の名称および符号を付して説明する。
マザー積層体形成工程は、絶縁層１１を形成し、絶縁層１１上に導体層を形成する。この工程を繰り返し、導体層を有する複数の絶縁層１１を積層する。これによりマザー積層体を形成する。以下、スクリーン印刷法およびフォトグラフィー法を用いたマザー積層体形成工程を説明する。
（１．ペーストの準備）
感光性の絶縁ペーストと感光性の導電ペーストおよび外部電極用導電ペーストとを調製する。絶縁ペーストは、フィラー材（結晶性フィラーの一例）と非晶質材料からなるガラス材（母材の一例；より具体的には、ガラス粉）と、溶媒とを含む。非晶質材料は、例えば、硼珪酸ガラスである。結晶性フィラーは、例えば、セラミックスである。絶縁ペーストは、有機材料や複合材料をさらに含んでもよく、これらの中でも誘電率や誘電損失が小さい材料が好ましい。有機材料は、例えば、ポリマー（より具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂およびフッ素樹脂等）である。複合材料は、例えば、ガラスエポキシ樹脂である。
導電ペーストは、非晶質材料からなるガラス材と、導電材（より具体的には、金属粉）と、溶媒とを含む。導電材は、良導電材料が好ましく、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、およびＡｕである。外部電極用導電ペーストは、導電材と、溶媒とを含み、非晶質材料からなるガラス材を含まない。
（２．外層用絶縁層の形成）
外層用絶縁層（絶縁ペースト層）１１は、図２では、下から２番目の絶縁層１１に対応する。スクリーン印刷法を用いて、図示しないキャリアフィルムなどの基材上に絶縁ペーストを塗布する。これを繰り返して、所定の厚さを有する外層用絶縁層１１を形成する。
（３．導体層を備える絶縁層（１層目）の形成）
スクリーン印刷法を用いて、外層用絶縁層１１上に絶縁ペーストを塗布し、絶縁層１１を形成する。絶縁層１１は、図２では、下から３番目の絶縁層１１に対応する。
次いで、スクリーン印刷法を用いて絶縁層１１上に感光性導電ペーストを塗布し、感光性導電ペースト層を形成する。フォトリソグラフィー法を用いて、感光性導電ペースト層をパターンニングして導体層を形成する。具体的には、所望のコイルパターンに沿ったフォトマスクを介して、感光性導電ペースト層に活性エネルギー線（より具体的には、紫外線等）を照射して露光する。活性エネルギー線は、高精細なパターンを形成する観点から、波長が短く直進性の高いことが好ましい。露光する際の光源は、水銀灯（ｇ線、ｉ線）、ＬＥＤ、エキシマーレーザー、ＥＵＶ光源、Ｘ線、電子線などであってよい。露光後、現像液（より具体的には、アルカリ溶液等）で現像する。これにより、所望のコイルパターンを有するコイル導体層２５を形成する。同様にして、外部電極用導電ペーストを用いて、所望のパターンを有する外部導電層を形成する。その結果、コイル導体層２５および外部導体層を備える絶縁層１１を形成する。
（４．導体層を備える絶縁層（２層目）の形成）
導体層を備える２層目の絶縁層１１を形成する。この絶縁層１１は、図２では、下から４番目の絶縁層１１に対応する。２層目の絶縁層１１は、１層目の絶縁層１１に比べて、開口とビアホールを有し、コイル導体層２５を有しない点に相違する。
１層目の絶縁層１１上に感光性絶縁ペーストを塗布し、絶縁ペースト層を形成する。フォトリソグラフィー法を用いて、開口およびビアホールを備える絶縁層１１を形成する。スクリーン印刷法を用いて開口内およびビアホール内に導電層を形成する。これにより、導体層およびビアホール導体２６を備える絶縁層１１を形成する。
（５．導電層を備える絶縁層（３層目）の形成）
導体層を備える３層目の絶縁層１１を形成する。この絶縁層１１は、図２では、下から５番目の絶縁層１１に対応する。３層目の絶縁層１１は、２層目の絶縁層１１に比べ、コイル導体層２５を有する点で相違する。
フォトリソグラフィー法を用いて、２層目の絶縁層１１上に開口およびビアホールを備える絶縁層を形成する。感光性導電ペーストを塗布し、フォトリソグラフィー法を用いて導体層を形成する。これにより、ビアホール内および絶縁層１１上にコイル導体層２５が形成され、開口内に外部導体層が形成される。３層目の絶縁層１１を形成する。
（６．積層）
２層目および３層目の絶縁層１１を形成する工程を繰り返して、４層目以降の絶縁層１１を形成する。４層目以降の絶縁層１１は、図２では、下から６〜１１番目の絶縁層１１に対応する。その後、外層用絶縁層１１を形成する。外層用絶縁層１１は、図２では、下から１２番目の絶縁層１１に相当する。このようにしてマザー積層体を製造する。
なお、外層用絶縁層１１を形成する前および後に、マーク層１２を形成してもよい。マーク層１２は、例えば、絶縁ペーストにフィラーを混ぜて着色したものである。
また、スクリーン印刷法に代えてスピンコート法およびスプレー塗布法を用いてもよい。
また、マザー積層体は、導体層を有しない絶縁層１１を最下層に備えてもよい。
また、開口やビアホールは、絶縁材料シートの圧着やスピンコート、スプレー塗布後にレーザーやドリル加工で形成してもよい。
導体層の形成では、導体層を複数形成して重ねて、高アスクペクト比の断面形状（長方形）を有する導体層を形成してもよい。導体層の複数形成は、上記スクリーン印刷法およびフォトリソグラフィー法を複数回行ってもよく、他の方法を組み合わせて行ってもよい。
なお、感光性導電ペースト層に代えて、スパッタ法、蒸着法、および箔の圧着法等を用いて導体層を形成してもよい。また、導体層のパターンニングは、上記サブトラクティブ法（より具体的には、フォトリソグラフィー法等）に限定されず、アディティブ法（より具体的には、印刷積層法、およびセミアディティブ法等）を用いてもよい。セミアディティブ法は、例えば、ネガパターンを形成した後に、めっき膜を形成し、不要部分を除去する方法である。印刷積層法は、例えば、所望のコイルパターンに沿ったスクリーン版を用いる方法である。
また、マザー積層体形成工程では、図２に示す下から３番目、５番目、７番目、９番目、１１番目の絶縁層１１および外層用絶縁層１１を形成して、マザー積層体を製造してもよい。この方法で製造されるインダクタ部品１は、コイル導体層を備える絶縁層が直接積層された構造を有する。
［切断工程］
切断工程は、マザー積層体を切断し積層体を形成する。例えば、外部導体層が切断面から露出するように、ダイシング等によりマザー積層体を切断して複数の未焼結の積層体を形成する。
［焼結工程］
焼結工程は、積層体を焼結する。図５Ａ〜図５Ｃを参照して、焼結工程におけるコイル導体層２５の形成を説明する。図５Ａ〜図５Ｃは、焼結工程におけるコイル導体層２５の変化を示す断面図である。図５Ａに示すように、焼結前のコイル導体層２５は、光硬化した感光性導体ペーストであって、金属粉１１１とガラス粉１１３とがワニス１９中に分散する状態である。
この状態で焼結を開始すると、図５Ｂに示すように、溶媒の燃焼飛散が進み、隣接する金属粉１１１が局部収縮（necking）して焼結し、金属部１１５になる。このときガラス粉１１３は軟化し、金属部１１５の間を流動してガラス部１１７になる。
この際、図５Ｃに示すように、軟化したガラス部１１７が金属粉１１１の収縮により外側に押し出され、コイル導体層２５の外周縁へ移動する。これにより、コイル導体層２５表面は押し出された軟化ガラス（ガラス部１１７）中、すなわち液相中で焼結されるため、さらに焼結が促進され、表面の平滑化や、結晶成長が起きやすい。これにより、電流の流れを阻害する結晶粒界の数が減少し、損失につながる電気抵抗が低減する。その結果、インダクタ部品１の高Ｑ化がさらに可能となる。また、この際、ガラス部１１７として、内包ガラス１０５と、露出ガラス１０７と、フィラー低含有ガラス部１０１とが形成される。内包ガラス１０５は、コイル導体層２５の外周縁より遠い位置にあったガラス部１１７が押し出されずにコイル導体層２５内に留まった結果形成されたものである。露出ガラス１０７は、コイル導体層２５の外周縁に比較的近い位置にあったガラス部１１７が完全には押し出されず、コイル導体層２５表面付近に留まった結果形成されたものであるフィラー低含有ガラス部１０１は、コイル導体層２５の外周縁付近にあったガラス部１１７が完全に押し出された結果形成されたものである。したがって、形成されるコイル導体層２５は、後述する図６に示すように、金属部１１５とガラス部１１７とを含み、ガラス部１１７が内包ガラス１０５及び露出ガラス１０７を含む。逆に言うと、コイル導体層２５に沿った位置にフィラー低含有ガラス部１０１が存在する場合、コイル導体層２５表面は、液相中で焼結されたことを意味し、金属部１１５及び露出ガラス１０７で構成される外周縁は平滑化される。これにより、第１実施形態に係るインダクタ部品１を製造することができる。
なお、ガラス部１１７のうち、内包ガラス１０５の割合は、露出ガラス１０７が押し出される量（フィラー低含有ガラス部１０１が形成される量）次第であるため、焼結の進行度、より具体的には金属粉１１１の体積を基準とした収縮度を指標として制御することが可能である。金属粉１１１の収縮度は、例えば、焼成時の温度、時間によって制御される。
なお、焼結の進行度をより高めると、コイル導体層２５の外周縁は、押し出されたガラス部（フィラー低含有ガラス部１０１）で被覆される。すなわち、フィラー低含有ガラス部１０１は、コイル２０を被覆する。これによりコイル導体層２５の外周縁がより平滑化する。このように、コイル２０の表面の平滑性は、焼成の進行度で制御することが可能である。ただし、インダクタ部品１では、フィラー低含有ガラス部１０１はコイル２０を完全に覆う必要は無く、コイル２０に沿った位置にあればよく、当該沿った位置でコイル２０の表面が平滑化される。すなわち、フィラー低含有ガラス部１０１がコイル２０に接触していれば、部分的に位置していてもよく、例えば、コイル２０の内周側だけ、外周側だけに位置していてもよい。フィラー低含有ガラス部１０１は、コイル２０の巻回部２１ａの外縁および内縁に沿って位置してもよい。
［研磨工程］
研磨工程では、例えば、バレル加工により焼結した積層体を研磨する。
［その他の工程］
インダクタ部品１の製造方法は、さらにめっき工程を含んでもよい。めっき工程は、研磨工程の後に実施され、積層体の外表面に露出する外部導体層にめっき加工を施す。また、研磨工程の後でめっき工程の前に、導電ペーストを用いたディッピング法やスパッタ法等により積層体の外部導体層上にさらに導体層を設けてもよい。
（実施例）
実施例のインダクタ部品１は、コイル導体層２５を備える絶縁層１１が直接積層された構造を有する。
［マザー積層体形成工程］
硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布することを繰り返して、絶縁ペースト層を形成した。絶縁ペースト層は、コイル導体層２５よりも積層方向の外側に位置する外層用絶縁層である。なお、硼珪酸ガラスは、Ｂ，Ｓｉ，ＯおよびＫを含んでいた。
感光性導体ペースト層を外層用絶縁層上に塗布形成し、フォトリソグラフィー工程によりコイル導体層２５および外部導体層を形成した。具体的には、Ａｇを金属主成分とする感光性導電ペーストをスクリーン印刷により塗布して、感光性導体ペースト層を形成した。さらに、フォトマスクを介して紫外線等を感光性導体ペースト層に照射し、アルカリ溶液等で現像した。フォトマスクにより所望のパターンを有するコイル導体層２５および外部導体層を形成することができる。これによりコイル導体層２５および外部導体層を備える絶縁ペースト層を形成した。
フォトリソグラフィー工程により、開口およびビアホールが設けられた絶縁ペースト層を形成した。具体的には、感光性絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布して絶縁ペースト層上に形成した。さらに、感光性絶縁ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液用で現像した。これにより、絶縁ペースト層を形成した。
フォトリソグラフィー工程により、コイル導体層２５、外部導体層、外部導体層を接続する導体層およびビアホール導体２６を絶縁ペースト層上に形成した。具体的には、Ａｇを金属主成分とする感光性導電ペーストをスクリーン印刷により絶縁ペースト層上に塗布して、感光性導体ペースト層を形成した。さらに、フォトマスクを介して紫外線等を感光性導体ペースト層に照射し、アルカリ溶液等で現像した。これにより、開口内に導体層が形成され、ビアホール内にビアホール導体２６が形成され、絶縁ペースト層上および開口内にコイル導体層２５が形成された。これにより、コイル導体層２５、外部導体層、同体層、およびビアホール導体２６を備える絶縁ペースト層を形成した。
上記工程を繰り返すことにより、絶縁ペースト層上およびその内部（開口およびビアホール）にコイル導体層２５および外部導体層等を形成した。
絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布することを繰り返して、絶縁ペースト層を形成した。この絶縁ペースト層は、コイル導体層２５よりも外側に位置する外層用絶縁層である。以上の工程を経て、マザー積層体を得た。
［切断工程］
ダイシング等によりマザー積層体を複数の未焼結の積層体にカットした。マザー積層体のカット工程では、カットにより形成されるカット面において外部電極３０，４０を積層体から露出させた。
［焼結工程］
未焼結の積層体を所定の条件で焼結し、積層体を得た。焼結後の積層体が、後述する図６で示すコイル２０を有するように、焼結条件を調製した。
［研磨工程］
得られた積層体に対して研磨加工を施した。
外部電極３０，４０が積層体から露出している部分に、２μｍ〜１０μｍの厚さを有するＮｉめっきおよび２μｍ〜１０μｍの厚さを有するＳｎめっきを施した。
以上の工程を経て、０．４ｍｍ×０．２ｍｍ×０．２ｍｍの電子部品を製造した。
図６は、インダクタ部品１の実施例の断面画像図である。図６は、図４に示したようなコイル２０の断面の拡大図である。コイル２０は、内包ガラス１０５を完全に内包し、露出ガラス１０７を部分的に内包する。また、コイル２０は、フィラー低含有ガラス部１０１に被覆されている。
図７は、インダクタ部品１の実施例の断面画像図である。図７は図１に示すコイル配線２１（コイル導体層２５）およびビアホール導体２６をＹＺ平面で切断した断面図である。素体１０は、無数の白い点を含む領域、すなわちフィラー低含有ガラス部１０１以外の領域を含む。白い点は結晶性フィラーを示す。また、素体１０は、黒い領域を示すフィラー低含有ガラス部１０１を含む。フィラー低含有ガラス部１０１は、結晶性フィラーをほとんど含んでいない。フィラー低含有ガラス部１０１は、コイル配線２１およびビアホール導体２６を被覆する。
（第２実施形態）
図８は、インダクタ部品１Ａの第２実施形態を示す断面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、コイル導体層２５の外縁側と内縁側とでフィラー低含有ガラス部１０１の厚みが異なる点で相違する。この相違する構成を以下で説明する。なお、第２実施形態において、第１実施形態と同一の符号は、第１実施形態を同じ構成であるため、その説明を省略する。
図８に示すように、第２実施形態のインダクタ部品１Ａは、第１フィラー低含有ガラス部１０１Ａと第２フィラー低含有ガラス部１０１Ｂを有する。コイル２０の巻回軸に垂直な平面において、第１フィラー低含有ガラス部１０１Ａはコイル配線２１の外縁に接触し、第２フィラー低含有ガラス部１０１Ｂはコイル配線２１の内縁に接触する。つまり、第１フィラー低含有ガラス部１０１Ａは、コイル２０の外縁に沿った位置に配置され、コイル２０の巻回部２１ａの外縁に接触する。第２フィラー低含有ガラス部１０１Ｂは、コイル２０の内縁に沿った位置に配置され、コイル２０の巻回部２１ａの内縁に接触する。第１フィラー低含有ガラス部１０１Ａの厚みは、第２フィラー低含有ガラス部１０１Ｂの厚みに比べ薄い。
かかる場合、インダクタ部品１Ａの外表面から近い位置には結晶性フィラーが多く含まれ、強度が比較的高い。よって、本実施形態に係るインダクタ部品１Ａは、外部衝撃によるクラックの発生を低減し、強度をさらに高めることができる。
また、かかる場合、コイル配線２１の内縁側では、フィラー低含有ガラス部１０１が多く存在し、結晶性フィラーが比較的少ない。そして、高周波電流は、表皮効果によってコイル２０の内縁を優先的に流れる、すなわち、結晶性フィラーが比較的少ない部分を優先的に流れる。よって、本実施形態に係るインダクタ部品１Ａは、誘電損失を低減し、高Ｑ化をさらに可能とする。
コイル配線２１の外縁と内縁とでフィラー低含有ガラス部１０１の厚みが異なる態様を実現する方法は、例えば、コイル２０の軸方向に垂直な平面において、コイル導体層２５の内縁側と外縁側とで非晶性材料の濃度勾配を設ける方法である。具体的には、コイル導体層２５を外縁側と内縁側とに分け、この２つの領域に非晶性材料の濃度が異なるコイル導体層２５を形成する。
まず、非晶性材料の濃度が比較的低い第１感光性導体ペーストを調製する。絶縁層１１上にスクリーン印刷等を用いて塗布して第１感光性導体ペースト層を形成する。フォトリソグラフィー法を用いて第１感光導体ペースト層に露光および現像して、外縁側のコイル導体層２５を形成する。次いで、非晶性材料の濃度が比較的高い第２感光性導体ペーストを調製し、上記と同様にして第２感光性導体ペースト層を形成する。フォリソグラフィー法を用いて第２感光性導体ペースト層を露光および現像して、内縁側のコイル導体層２５を形成する。
このように、コイル２０の軸方向に垂直な平面において、コイル導体層２５の内縁側と外縁側とで非晶性材料の濃度勾配を設けることにより、後の焼結工程において、コイル導体層２５の外周面から浸出する非晶性材料の量を調整することが可能となる。これにより、コイル配線２１の外縁と内縁とでフィラー低含有ガラス部１０１の厚みに差を設けることが可能となる。なお、上記方法では、コイル導体層２５を内縁側と外縁側とで二分割したが、三以上に分割してもよい。
（第３実施形態）
図９は、インダクタ部品の第３実施形態を示す断面図である。第３実施形態は、第１実施形態とは、引き出し電極２１ｂと接触する第２部１０１Ｄの厚みが巻回部２１ａと接触する第１部１０１Ｃの厚みに比べ薄い点で相違する。この相違する構成を以下で説明する。なお、第３実施形態において、第１実施形態と同一の符号は、第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
図９に示すように、第３実施形態のインダクタ部品１Ｂでは、フィラー低含有ガラス部１０１は、第１部１０１Ｃと第２部１０１Ｄとを有する。第１部１０１Ｃは、巻回部２１ａの少なくとも一部と接触する。より具体的には、第１部１０１Ｃは、巻回部２１ａを被覆する。第２部１０１Ｄは、引き出し電極２１ｂの少なくとも一部と接触する。より具体的には、第２部１０１Ｄは、引き出し電極２１ｂを被覆する。
また、第２部１０１Ｄの厚みは、第１部１０１Ｃの厚みに比べ、薄い。かかる場合、インダクタ部品１Ｂの外表面に近い位置には、結晶性フィラーが比較的多く含まれ、強度が比較的高い。このため、本実施形態に係るインダクタ部品１Ｂは、外部衝撃によるクラックの発生を抑制することができる。
第２実施形態に記載の濃度勾配を設ける方法を用いて、第２部１０１Ｄの厚みを第１部１０１Ｃに比べ薄くすることができる。具体的には、引き出し電極２１ｂにおける非晶性材料の濃度を、巻回部２１ａにおける非晶性材料の濃度よりも低くすることで実現できる。
（第４実施形態）
図１０は、インダクタ部品の第４実施形態を示す断面図である。第４実施形態は、第１実施形態とは、複数の絶縁層１１においてフィラー低含有ガラス部１０１の厚みが異なる点で相違する。この相違する構成を以下で説明する。なお、第４実施形態において、第１実施形態と同一の符号は、第１実施形態を同じ構成であるため、その説明を省略する。
図１０に示すように、より具体的には、素体１０は５層の絶縁層１１が積層した積層体である（絶縁層１１間の界面は不図示）。このように、素体１０は、絶縁層１１が複数積層した積層体である。
また、絶縁層１１の積層方向の最下層および最上層の第３フィラー低含有ガラス部１０１Ｅの厚みは、最下層および最上層以外の第４フィラー低含有ガラス部１０１Ｆの厚みに比べ、薄い。このように、複数の絶縁層１１のうち、コイル軸方向の最下層および最上層の絶縁層１１におけるフィラー低含有ガラス部の厚みは、最下層および最上層以外の絶縁層におけるフィラー低含有ガラス部の厚みに比べ薄い。かかる場合、インダクタ部品１Ｃの外表面から近い位置には、結晶性フィラーが比較的多く含まれ、強度が比較的高い。よって、本実施形態に係るインダクタ部品１Ｃは、外部衝撃によるクラックの発生を低減することができる。
第２実施形態に記載の濃度勾配を設ける方法を用いて、第３フィラー低含有ガラス部１０１Ｅの厚みを第４フィラー低含有ガラス部１０１Ｆの厚みに比べ薄くすることができる。具体的には、最上層および最下層の絶縁層１１におけるコイル導体層２５Ｅにおける非晶性材料の濃度を、最上層および最下層以外の絶縁層１１におけるコイル導体層２５Ｆにおける非晶性材料の濃度よりも低くすることで実現することができる。
なお、本開示にかかるインダクタ部品は、上記説明した第１〜第４実施形態に限られず、公知公用の技術を適宜組み合わせてもよいし、一部を変形、除去してもよい。また、上記説明した第１〜第４実施形態は、その一部または全部を適宜組み合わせてもよい。また、第１外部電極３０及び第２外部電極４０がともに設けられる底面１７は、コイル２０の軸方向と平行な面であったが、これに限られず、底面１７が、コイル２０の軸方向に垂直な面であってもよい。
また、上記実施形態では、内部電極としてコイルを備えたが、コイルは内部電極の一例であって、内部電極は他の電気素子を構成する電極であってもよい。
（第５実施形態）
図１１は、インダクタ部品の第５実施形態を示す断面図である。第５実施形態は、第３実施形態とは、フィラー低含有ガラス部１０１がさらに第３部１０１Ｇを有し、第１，第２外部電極３０，４０と接触する第３部１０１Ｇの厚みが巻回部２１ａと接触する第１部１０１Ｃの厚みに比べ薄い点で相違する。この相違する構成を以下で説明する。なお、第５実施形態において、第１，第３実施形態と同一の符号は、それぞれ第１，第３実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
図１１に示すように、第５実施形態のインダクタ部品１Ｄでは、フィラー低含有ガラス部１０１は、第１部１０１Ｃおよび第２部１０１Ｄに加え、さらに第３部１０１Ｇを有する。第３部１０１Ｇは、第１，第２外部電極３０，４０の少なくとも一部と接触する。より具体的には、第３部１０１Ｇは、第１，第２外部電極３０，４０の内縁を被覆する。
また、第３部１０１Ｇの厚みは、第１部１０１Ｃの厚みに比べ、薄い。かかる場合、インダクタ部品１Ｄの外表面に近い位置には、結晶性フィラーが比較的多く含まれ、強度が比較的高い。このため、本実施形態に係るインダクタ部品１Ｄは、外部衝撃によるクラックの発生を抑制することができる。
インダクタ部品１Ｄの製造方法では、外部電極用導電ペーストに代えて導電ペーストを用いて外部電極層を形成すること以外は、第３実施形態のインダクタ部品１Ｂの製造方法と同様にする。第２実施形態に記載の濃度勾配を設ける方法を用いて、第３部１０１Ｇの厚みを第１部１０１Ｃに比べ薄くすることができる。具体的には、第１，第２外部電極３０，４０における非晶性材料の濃度を、巻回部２１ａにおける非晶性材料の濃度よりも低くすることで実現できる。これにより、フィラー低含有ガラス部１０１は、コイル２０を被覆するだけでなく、第１，第２外部電極３０，４０の内縁の一部に接触するように形成される。
なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。また、第１〜第５実施形態の特徴点を様々に組み合わせてもよい。
前記実施形態では、フィラー低含有ガラス部は、外部電極の少なくとも一部に接触する第３部を有するが、例えば、第１，第２実施形態において、フィラー低含有ガラス部は第３部を有してもよい。
前記実施形態では、第３部の厚みが第１部の厚みに比べ薄いが、例えば、第１，第２実施形態において第３部を有する場合、第１部と第３部の厚みの関係は限定されない。
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ インダクタ部品
１０ 素体
１１ 絶縁層
２０ コイル
２１ コイル配線
２１ａ 巻回部
２１ｂ 引き出し電極
２５，２５Ｅ，２５Ｆ コイル導体層
２６ ビア配線（ビアホール導体）
３０ 第１外部電極
４０ 第２外部電極
１０１ フィラー低含有ガラス部
１０１Ａ 第１フィラー低含有ガラス部
１０１Ｂ 第２フィラー低含有ガラス部
１０１Ｃ 第１部
１０１Ｄ 第２部
１０１Ｅ 第３フィラー低含有ガラス部
１０１Ｆ 第４フィラー低含有ガラス部
１０３ 中心部
１０５ 内包ガラス
１０７ 露出ガラス
１１１ 金属粉
１１３ ガラス粉
１１５ 金属部
１１７ ガラス部

Claims (11)

  1. 絶縁体材料からなる素体と、
    前記素体内に配置された内部電極と
    を備え、
    前記絶縁体材料は、Ｂ、Ｓｉ、ＯおよびＫを含む非晶質材料からなる母材と、結晶性フィラーとを含有し、かつ前記内部電極に沿った位置にフィラー低含有ガラス部を含み、
    前記フィラー低含有ガラス部における前記結晶性フィラーの含有率は、前記フィラー低含有ガラス部以外の前記素体における前記結晶性フィラーの含有率に比べ、低い、インダクタ部品。
  2. 前記内部電極は、Ｂ、Ｓｉ、ＯおよびＫを含む非晶質材料を部分的に内包する、請求項１に記載のインダクタ部品。
  3. 前記内部電極は、Ｂ、Ｓｉ、ＯおよびＫを含む非晶質材料を完全に内包する、請求項１に記載のインダクタ部品。
  4. 前記結晶性フィラーは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｍｇ、ＦｅおよびＭｎの何れかを含む、請求項１〜３の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  5. 前記フィラー低含有ガラス部における前記結晶性フィラーの含有率は、前記素体の中心部における前記結晶性フィラーの含有率に対して、１０％以下である、請求項１〜４の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  6. 前記フィラー低含有ガラス部は、前記内部電極を被覆する、請求項１〜５の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  7. 前記内部電極は、螺旋状に巻回された巻回部を有するコイルであり、
    前記コイルの巻回軸に垂直な平面において、前記フィラー低含有ガラス部は前記コイルの前記巻回部の外縁に接触する第１フィラー低含有ガラス部と、前記巻回部の内縁に接触する第２フィラー低含有ガラス部とを有し、
    前記第１フィラー低含有ガラス部の厚みは、前記第２フィラー低含有ガラスの厚みに比べ薄い、請求項１〜６の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  8. 前記内部電極と電気的に接続している外部電極をさらに備え、
    前記内部電極は、螺旋状に巻回された巻回部と、前記巻回部および前記外部電極を電気的に接続させる引き出し電極とを有するコイルであり、
    前記フィラー低含有ガラス部は、前記巻回部の少なくとも一部と接触する第１部と、前記引き出し電極の少なくとも一部と接触する第２部とを有し、
    前記第２部の厚みは、前記第１部の厚みに比べ薄い、請求項１〜７の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  9. 前記内部電極と電気的に接続している外部電極をさらに備え、
    前記内部電極は、螺旋状に巻回された巻回部と、前記巻回部および前記外部電極を電気的に接続させる引き出し電極とを有するコイルであり、
    前記フィラー低含有ガラス部は、前記巻回部の少なくとも一部と接触する第１部と、前記外部電極の少なくとも一部と接触する第３部とを有し、
    前記第３部の厚みは、前記第１部の厚みに比べ薄い、請求項１〜８の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  10. 前記素体は、コイル導体層が形成された絶縁層が複数積層した積層体であり、
    複数の前記絶縁層のうち、コイル軸方向の最下層および最上層の絶縁層におけるフィラー低含有ガラス部の厚みは、前記最下層および前記最上層以外の絶縁層におけるフィラー低含有ガラス部の厚みに比べ薄い、請求項１〜９の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  11. 前記内部電極は、平滑な表面を有する、請求項１〜１０の何れか一つに記載のインダクタ部品。
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