JP2021015931A - 基板浮上型レーザ処理装置及び浮上量の測定方法 - Google Patents
基板浮上型レーザ処理装置及び浮上量の測定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021015931A JP2021015931A JP2019130992A JP2019130992A JP2021015931A JP 2021015931 A JP2021015931 A JP 2021015931A JP 2019130992 A JP2019130992 A JP 2019130992A JP 2019130992 A JP2019130992 A JP 2019130992A JP 2021015931 A JP2021015931 A JP 2021015931A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- levitation
- amount
- stage
- floating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 326
- 238000005339 levitation Methods 0.000 title claims abstract description 250
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 title abstract description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000008713 feedback mechanism Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 34
- 230000032258 transport Effects 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G19/00—Conveyors comprising an impeller or a series of impellers carried by an endless traction element and arranged to move articles or materials over a supporting surface or underlying material, e.g. endless scraper conveyors
- B65G19/02—Conveyors comprising an impeller or a series of impellers carried by an endless traction element and arranged to move articles or materials over a supporting surface or underlying material, e.g. endless scraper conveyors for articles, e.g. for containers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0608—Height gauges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B17/00—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations
- G01B17/02—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations for measuring thickness
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C5/00—Measuring height; Measuring distances transverse to line of sight; Levelling between separated points; Surveyors' levels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02592—Microstructure amorphous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02691—Scanning of a beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
Description
実施形態1に係る基板浮上型レーザ処理装置を説明する。本実施形態に係る基板浮上型レーザ処理装置は、例えば、ポリシリコン膜を形成するエキシマレーザアニール(Excimer Laser Anneal)装置である。なお、基板浮上型レーザ処理装置は、基板50を浮上させてレーザ処理を行う装置であれば、エキシマレーザアニール装置に限らない。本実施形態の基板浮上型レーザ処理装置は、基板の浮上量を測定する浮上量測定装置を備えている。例えば、基板浮上型レーザ処理装置の組み立て後、または、レーザ処理前の条件設定において、浮上量測定装置を用いて、基板の浮上量を測定する。
ステージ10は、基板50を浮上させて搬送する。ステージ10は、上方を向いた上面を有している。ステージ10の上面をステージ面10aと呼ぶ。ステージ面10aは、上方から見て、例えば、X軸方向及びY軸方向に端辺が沿った矩形である。ステージ10は、複数の浮上ユニット11を有している。なお、図1〜図3において、図が煩雑にならないように、いくつかの浮上ユニット11のみに符号を付している。また、いくつかの構成を省略する場合もある。
基板50は、例えば、ガラス基板である。基板50は、シリコン基板等の半導体基板でもよい。基板50は、半導体膜を含んでもよい。半導体膜は、例えば、非晶質シリコン(アモルファスシリコン)である。レーザ処理は、基板50における半導体膜の多結晶化、単結晶化、改質化、不純物の不活性化、不純物の安定化を目的とする。例えば、レーザ光の照射によって、非晶質の半導体膜の少なくとも一部は、多結晶に変質する。なお、レーザ処理は、これらを目的とする処理に限らない。基板50にレーザ光を照射して熱処理を行ういかなる処理を含んでもよい。また、基板50は、レーザ処理が施されるものであれば、ガラス基板及び半導体基板に限らない。
レーザ照射部20は、レーザ光を照射する。レーザ照射部20は、基板50に対して、例えば、エキシマレーザ光を照射する。なお、レーザ照射部20が照射するレーザ光は、エキシマレーザ光に限らず、目的のレーザ処理に応じたレーザ光を照射してもよい。レーザ照射部20が基板50に対して照射したレーザ光の照射スポット21は、例えば、Y軸方向に延びたライン状である。
図4は、実施形態1に係る基板浮上型レーザ処理装置において、浮上量測定装置が測定する浮上量を例示した図である。図4に示すように、浮上量測定装置30は、基板50の浮上量Hを測定する。基板50の浮上量Hは、ステージ面10aから基板50の下面50bまでの距離を呼ぶ。浮上量測定装置30から基板50の上面50aまでの距離を距離L1と呼び、浮上量測定装置30から基板50の下面50bまでの距離を距離L2と呼び、浮上量測定装置30からステージ面10a、すなわち、ユニット面11aまでの距離を距離L3と呼ぶ。そうすると、基板50の浮上量Hは、浮上量H=距離L3−距離L2となる。
浮上量測定装置30は、例えば、レーザ変位計31及び高さ調整ステージ32を含む。レーザ変位計31は、レーザ光を基板50及びステージ10に照射するとともに、レーザ光が基板50及びステージ10によって反射した反射光を受光する。レーザ変位計31は、レーザ光が基板50の上面50aで反射した反射光、基板50の下面50bで反射した反射光、ステージ面10aで反射した反射光における反射率の違いから、距離L1、距離L2及び距離L3を同時に測定する。これにより、レーザ変位計31は、浮上量Hを測定することができる。このように、基板50の浮上量Hは、レーザ光を基板50に照射することによって測定される。
次に、比較例に係る基板浮上型レーザ処理装置の浮上量測定装置を説明する。図5は、比較例に係る基板浮上型レーザ処理装置の浮上量測定装置を例示した図である。図5に示すように、比較例の浮上量測定装置130も、レーザ変位計131、高さ調整ステージ132、平行移動ステージ33を備えている。比較例に係る基板浮上型レーザ処理装置101のステージ10、レーザ照射部20は、実施形態1の基板浮上型レーザ処理装置1おけるステージ10、レーザ照射部20と同様である。
次に、本実施形態の基板浮上型レーザ処理装置1における浮上量測定装置を説明する。図6は、実施形態1に係る基板浮上型レーザ処理装置において、浮上量測定装置及びコントローラを例示した構成図である。図6に示すように、本実施形態の浮上量測定装置30は、コントローラ40に接続されている。浮上量測定装置30は、レーザ変位計31及び高さ調整ステージ32を含む。コントローラ40は、例えば、レーザ変位計コントローラ41、ステージコントローラ42及びサーボアンプ43を含む。
次に、基板50の浮上量の測定方法を説明する。図7は、実施形態1に係る基板浮上型レーザ処理装置を用いた基板の浮上量の測定方法を例示したフローチャート図である。
基板50の浮上量Hの測定方法の例として、静的な基板50の浮上量Hの測定方法を説明する。静的とは、基板50を搬送させずに、基板50の浮上量Hを測定する場合である。図8は、実施形態1に係る基板浮上型レーザ処理装置において、静的な基板の浮上量の測定方法を模式的に例示した斜視図である。
次に、基板50の浮上量Hの測定方法の例として、動的な基板50の浮上量Hの測定方法を説明する。動的とは、基板50を搬送させながら、基板50の浮上量Hを測定する場合である。図9は、実施形態1に係る基板浮上型レーザ処理装置において、動的な基板の浮上量の測定方法を模式的に例示した斜視図である。
次に、実施形態2に係る基板浮上型レーザ処理装置を説明する。本実施形態では、浮上量測定装置は、カメラを含んでいる。図10及び図11は、実施形態2に係る基板浮上型レーザ処理装置において、浮上量測定装置が基板の浮上量を測定する動作を模式的に例示した図である。
次に、実施形態3に係る基板浮上型レーザ処理装置を説明する。本実施形態では、浮上量測定装置は、測長器を含んでいる。図12及び図13は、実施形態3に係る基板浮上型レーザ処理装置において、浮上量測定装置が基板の浮上量を測定する動作を模式的に例示した図である。
10 ステージ
10a ステージ面
11 浮上ユニット
11a ユニット面
20 レーザ照射部
21 照射スポット
30 浮上量測定装置
31 レーザ変位計
32 高さ調整ステージ
33、34 平行移動ステージ
40 コントローラ
41 レーザ変位計コントローラ
42 ステージコントローラ
43 サーボアンプ
50 基板
50a 上面
50b 下面
60 浮上量測定装置
61 カメラ
62 高さ調整ステージ
70 浮上量測定装置
71 測長器
Claims (26)
- 下記を含む基板浮上型レーザ処理装置:
基板を浮上させて搬送するステージ;及び
前記基板の浮上量を測定する浮上量測定装置、
ここで、測定した浮上量に応じて前記浮上量測定装置と前記基板との距離を自動的に調整可能とする。 - 前記基板の浮上量は、レーザ光を前記基板及び前記ステージに照射することによって測定される、
請求項1に記載の基板浮上型レーザ処理装置。 - 測定した前記基板の浮上量を入力するフィードバック機構を用いて前記浮上量測定装置と前記基板との距離を調整する、
請求項1に記載の基板浮上型レーザ処理装置。 - 前記浮上量測定装置は、前記レーザ光を前記基板及び前記ステージに照射するとともに、前記レーザ光が前記基板及び前記ステージによって反射した反射光を受光するレーザ変位計を含み、
前記レーザ変位計は、前記レーザ光が前記基板の下面で反射した反射光及び前記レーザ光が前記ステージの上面で反射した反射光から、前記基板の浮上量を測定する、
請求項2に記載の基板浮上型レーザ処理装置。 - 前記浮上量測定装置は、前記基板の上面を撮像するカメラを含み、
前記カメラは、前記基板を前記ステージに接触させた場合に前記基板の上面に焦点が合う位置、及び、前記基板を前記ステージ上に浮上させた場合に前記基板の上面に焦点が合う位置から、前記基板の浮上量を測定する、
請求項1に記載の基板浮上型レーザ処理装置。 - 前記浮上量測定装置は、前記基板の上面を撮像するカメラを含み、
前記カメラは、前記基板の上面または下面に焦点が合う位置、及び、前記ステージの上面に焦点が合う位置から、前記基板の浮上量を測定する、
請求項1に記載の基板浮上型レーザ処理装置。 - 前記浮上量測定装置は、前記基板の上面までの距離を測定する測長器を含み、
前記測長器は、前記基板を前記ステージに接触させた場合の前記基板の上面までの距離、及び、前記基板を前記ステージ上に浮上させた場合の前記基板の上面までの距離から、前記基板の浮上量を測定する、
請求項1に記載の基板浮上型レーザ処理装置。 - 前記浮上量測定装置は、前記ステージの上方の水平面において一方向に延びた平行移動ステージを含み、
前記浮上量測定装置は、前記一方向に沿って前記基板の浮上量を測定する、
請求項1に記載の基板浮上型レーザ処理装置。 - 前記平行移動ステージは、前記ステージの上方の水平面において前記一方向に直交する他方向に移動可能である、
請求項8に記載の基板浮上型レーザ処理装置。 - 前記ステージは、前記基板を浮上させるエアを噴出する複数の浮上ユニットを有し、
前記ステージの上面は、前記複数の前記浮上ユニットの上面を含む、
請求項1に記載の基板浮上型レーザ処理装置。 - 測定した浮上量を前記浮上量測定装置から入力されるコントローラをさらに備え、
前記コントローラは、予め設定された目標値と、入力された前記浮上量とに基づいて、前記浮上量測定装置と前記基板との距離を調整する、
請求項1に記載の基板浮上型レーザ処理装置。 - 前記コントローラは、前記目標値と、入力された前記浮上量との差分が所定の範囲を超える場合には、前記入力された前記浮上量を前記距離の調整用データから除外する、
請求項11に記載の基板浮上型レーザ処理装置。 - 前記コントローラは、前記浮上量測定装置と前記ステージとの間隔を記憶した記憶部を含み、
前記コントローラは、前記記憶部が記憶した前記間隔を用いて、測定した前記基板の浮上量を補正する、
請求項11に記載の基板浮上型レーザ処理装置。 - 基板を浮上させて搬送するステージ上に配置された前記基板の浮上量を測定する浮上量測定装置を用いて、前記基板の浮上量を測定するステップと、
測定した前記浮上量に応じて前記浮上量測定装置と前記基板との距離を自動的に調整するステップと、
を備えた浮上量の測定方法。 - 前記基板の浮上量を測定するステップにおいて、
前記基板の浮上量を、レーザ光を前記基板及び前記ステージに照射することによって測定する、
請求項14に記載の浮上量の測定方法。 - 前記自動的に調整するステップにおいて、
測定した前記基板の浮上量を入力するフィードバック機構を用いて前記浮上量測定装置と前記基板との距離を調整する、
請求項14に記載の浮上量の測定方法。 - 前記浮上量測定装置は、前記レーザ光を前記基板及び前記ステージに照射するとともに、前記レーザ光が前記基板及び前記ステージによって反射した反射光を受光するレーザ変位計を含み、
前記基板の浮上量を測定するステップにおいて、
前記レーザ変位計は、前記レーザ光が前記基板の下面で反射した反射光及び前記レーザ光が前記ステージの上面で反射した反射光から、前記基板の浮上量を測定する、
請求項15に記載の浮上量の測定方法。 - 前記浮上量測定装置は、前記基板の上面を撮像するカメラを含み、
前記基板の浮上量を測定するステップにおいて、
前記カメラは、前記基板を前記ステージに接触させた場合に前記基板の上面に焦点が合う位置、及び、前記基板を前記ステージ上に浮上させた場合に前記基板の上面に焦点が合う位置から、前記基板の浮上量を測定する、
請求項14に記載の浮上量の測定方法。 - 前記浮上量測定装置は、前記基板の上面を撮像するカメラを含み、
前記基板の浮上量を測定するステップにおいて、
前記カメラは、前記基板の上面または下面に焦点が合う位置、及び、前記ステージの上面に焦点が合う位置から、前記基板の浮上量を測定する、
請求項14に記載の浮上量の測定方法。 - 前記浮上量測定装置は、前記基板の上面までの距離を測定する測長器を含み、
前記基板の浮上量を測定するステップにおいて、
前記測長器は、前記基板を前記ステージに接触させた場合の前記基板の上面までの距離、及び、前記基板を前記ステージ上に浮上させた場合の前記基板の上面までの距離から、前記基板の浮上量を測定する、
請求項14に記載の浮上量の測定方法。 - 前記浮上量測定装置は、前記ステージの上方の水平面において一方向に延びた平行移動ステージを含み、
前記基板の浮上量を測定するステップにおいて、
前記浮上量測定装置は、前記一方向に沿って前記基板の浮上量を測定する、
請求項14に記載の浮上量の測定方法。 - 前記基板の浮上量を測定するステップにおいて、
前記平行移動ステージは、前記ステージの上方の水平面において前記一方向に直交する他方向に移動可能である、
請求項21に記載の浮上量の測定方法。 - 前記ステージは、前記基板を浮上させるエアを噴出する複数の浮上ユニットを有し、
前記ステージの上面は、前記複数の前記浮上ユニットの上面を含む、
請求項14に記載の浮上量の測定方法。 - 測定した浮上量を前記浮上量測定装置から入力されるコントローラをさらに備え、
前記自動的に調整するステップにおいて、
前記コントローラは、予め設定された目標値と、入力された前記浮上量とに基づいて、前記浮上量測定装置と前記基板との距離を調整する、
請求項14に記載の浮上量の測定方法。 - 前記自動的に調整するステップにおいて、
前記コントローラは、前記目標値と、入力された前記浮上量との差分が所定の範囲を超える場合には、前記入力された前記浮上量を前記距離の調整用データから除外する、
請求項24に記載の浮上量の測定方法。 - 前記浮上量測定装置と前記ステージとの間隔を記憶した記憶部をさらに備え、
前記自動的に調整するステップにおいて、
前記コントローラは、前記記憶部が記憶した前記間隔を用いて、測定した前記基板の浮上量を補正する、
請求項24に記載の浮上量の測定方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019130992A JP2021015931A (ja) | 2019-07-16 | 2019-07-16 | 基板浮上型レーザ処理装置及び浮上量の測定方法 |
US16/888,612 US11749545B2 (en) | 2019-07-16 | 2020-05-29 | Substrate-floatation-type laser processing apparatus and method for measuring floating height |
CN202010669196.9A CN112242335A (zh) | 2019-07-16 | 2020-07-13 | 基板悬浮型激光处理装置和悬浮高度的测量方法 |
US18/216,668 US20230343618A1 (en) | 2019-07-16 | 2023-06-30 | Substrate-floatation-type laser processing apparatus and method for measuring floating height |
JP2023150030A JP2023175829A (ja) | 2019-07-16 | 2023-09-15 | 基板浮上型レーザ処理装置及び浮上量の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019130992A JP2021015931A (ja) | 2019-07-16 | 2019-07-16 | 基板浮上型レーザ処理装置及び浮上量の測定方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023150030A Division JP2023175829A (ja) | 2019-07-16 | 2023-09-15 | 基板浮上型レーザ処理装置及び浮上量の測定方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021015931A true JP2021015931A (ja) | 2021-02-12 |
Family
ID=74170617
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019130992A Pending JP2021015931A (ja) | 2019-07-16 | 2019-07-16 | 基板浮上型レーザ処理装置及び浮上量の測定方法 |
JP2023150030A Pending JP2023175829A (ja) | 2019-07-16 | 2023-09-15 | 基板浮上型レーザ処理装置及び浮上量の測定方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023150030A Pending JP2023175829A (ja) | 2019-07-16 | 2023-09-15 | 基板浮上型レーザ処理装置及び浮上量の測定方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11749545B2 (ja) |
JP (2) | JP2021015931A (ja) |
CN (1) | CN112242335A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102278091B1 (ko) * | 2021-03-26 | 2021-07-16 | (주)코썸사이언스 | 롤투롤 레이저 가공장치 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021015931A (ja) * | 2019-07-16 | 2021-02-12 | 株式会社日本製鋼所 | 基板浮上型レーザ処理装置及び浮上量の測定方法 |
CN113340224B (zh) * | 2021-06-08 | 2023-01-03 | 彩虹(合肥)液晶玻璃有限公司 | 一种基于纵向扫描的板材翘曲变形在线检测装置 |
CN114694519B (zh) * | 2022-04-24 | 2023-10-20 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 面板拼接系统和面板拼接方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006170640A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Tokyo Cathode Laboratory Co Ltd | 間隔自動追従装置 |
JP2009220142A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Sony Corp | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 |
JP2011237243A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Ihi Corp | 反り量測定装置、該反り量測定装置を有する浮上搬送コンベア、及び反り量測定方法 |
JP2014014840A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板加工方法及び装置 |
JP2016035960A (ja) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 搬送装置 |
JP2017089894A (ja) * | 2016-12-07 | 2017-05-25 | 株式会社日本製鋼所 | ガス浮上ワーク支持装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4570545B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2010-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP4673180B2 (ja) * | 2005-10-13 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置及び塗布方法 |
JP4755233B2 (ja) * | 2008-09-11 | 2011-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP6754266B2 (ja) | 2016-10-14 | 2020-09-09 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP2021015931A (ja) * | 2019-07-16 | 2021-02-12 | 株式会社日本製鋼所 | 基板浮上型レーザ処理装置及び浮上量の測定方法 |
-
2019
- 2019-07-16 JP JP2019130992A patent/JP2021015931A/ja active Pending
-
2020
- 2020-05-29 US US16/888,612 patent/US11749545B2/en active Active
- 2020-07-13 CN CN202010669196.9A patent/CN112242335A/zh active Pending
-
2023
- 2023-06-30 US US18/216,668 patent/US20230343618A1/en active Pending
- 2023-09-15 JP JP2023150030A patent/JP2023175829A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006170640A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Tokyo Cathode Laboratory Co Ltd | 間隔自動追従装置 |
JP2009220142A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Sony Corp | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 |
JP2011237243A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Ihi Corp | 反り量測定装置、該反り量測定装置を有する浮上搬送コンベア、及び反り量測定方法 |
JP2014014840A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板加工方法及び装置 |
JP2016035960A (ja) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 搬送装置 |
JP2017089894A (ja) * | 2016-12-07 | 2017-05-25 | 株式会社日本製鋼所 | ガス浮上ワーク支持装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102278091B1 (ko) * | 2021-03-26 | 2021-07-16 | (주)코썸사이언스 | 롤투롤 레이저 가공장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210020481A1 (en) | 2021-01-21 |
JP2023175829A (ja) | 2023-12-12 |
US11749545B2 (en) | 2023-09-05 |
US20230343618A1 (en) | 2023-10-26 |
CN112242335A (zh) | 2021-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2021015931A (ja) | 基板浮上型レーザ処理装置及び浮上量の測定方法 | |
JP4843212B2 (ja) | レーザー処理装置及びレーザー処理方法 | |
US20110139756A1 (en) | Device for structuring a solar module | |
JP5078460B2 (ja) | レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法 | |
US11264259B2 (en) | Workpiece conveyance apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and workpiece conveyance method | |
WO2013038606A1 (ja) | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 | |
US11325205B2 (en) | Laser processing method | |
JP2017107201A (ja) | 動的オートフォーカスシステム | |
CN112207463B (zh) | 激光加工装置 | |
TW200305269A (en) | Chip scale marker and marking method | |
JP2011131229A (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置並びにソーラパネル製造方法 | |
JP6196884B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
KR20100086944A (ko) | 기판처리장치 | |
CN111001539A (zh) | 基片处理装置和基片处理方法 | |
KR101511645B1 (ko) | 레이저빔의 조사위치 보정방법 | |
CN116275471B (zh) | 一种激光加工装置及方法 | |
JP6928527B2 (ja) | 高さ測定装置、高さ測定方法および基板作業装置 | |
CN110062914B (zh) | 接近式曝光装置以及接近式曝光方法 | |
JP2006098774A (ja) | 近接露光装置 | |
JP2017092131A (ja) | 画像生成装置、実装装置及び画像生成方法 | |
JP2022057219A (ja) | 外観検査装置 | |
JP2005026439A (ja) | 電子線描画装置 | |
JP4558665B2 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
CN114101925A (zh) | 激光加工装置和聚光点位置的校正方法 | |
JP2010225602A (ja) | レーザ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20220317 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220413 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230314 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230725 |