JP2021015870A - SiC半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Description
図1は、SiC基板4上に酸化膜を形成するためのバッチ式拡散炉1の構成図である。バッチ式拡散炉1は、ガス導入ライン2、チューブ3、およびボート12を備えている。チューブ3は処理室に相当する。ガス導入ライン2は、チューブ3内に酸化ガスを導入するためのラインである。酸化ガスとは、熱酸化処理に用いられるガスであり、例えば酸素(O2)ガスまたはオゾン(O3)ガスである。複数のSiC基板4は、酸化ガスの流下方向、すなわちチューブ3の上下方向に沿って、互いに間隔を空けて配列した状態でボート12に保持され、チューブ3内に収容される。
式(1)に示すように、SiC基板4では、二酸化珪素(SiO2)膜の形成とともに二酸化炭素(CO2)ガスが発生する。発生したCO2ガスが、チューブ3内の高温下において可逆的に分解して、以下の式(2)に示す反応を起こすことにより、一酸化炭素(CO)ガスが排出されるとともに、再度、O2ガスが生成されると推定される。
図3と図4は、熱酸化処理時のSiC基板4の断面図である。図4は、図3よりもSiC基板4の口径が大きい場合を示している。
図6は、MOSFET(Metal−Oxide−Semiconductor Field Effect Transistor)100の断面図である。MOSFET100は、SiC−MOSFETである。以下、実施の形態1のSiC半導体装置の製造方法として、SiC−MOSFETのゲート絶縁膜形成工程について説明する。しかし、実施の形態1のSiC半導体装置の製造方法は、MOSFETの他、pnダイオード、SBD(Schottky Barrier diode)、BJT(Bipolar Junction Transistor)、JFET(Junction FET)、またはIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等、他のデバイスにも適用可能であるし、メタル電極の熱処理工程等、バッチ式装置での熱処理を行う他の工程にも適用可能である。
実施の形態1のSiC半導体装置の製造方法では、図1に示すように、バッチ式拡散炉1内にSiC基板4のみを配置した。これに対して実施の形態2のSiC半導体装置の製造方法では、図22に示すように、バッチ式拡散炉1内にSiC基板4とダミー基板5を配置する。なお、図22ではガス導入ライン2とチューブ3の図示を省略している。
Claims (14)
- 複数のSiC基板を準備し、
複数の前記SiC基板の各C面に、基板中央部において基板端部におけるよりも大きい膜厚を有し、熱酸化処理の温度に耐える、無機膜を形成し、
複数の前記SiC基板を、各前記C面を同じ方向に揃え、間隔を空けてバッチ式拡散炉内に配置し、
前記熱酸化処理を行い、各前記SiC基板のSi面に熱酸化膜を形成する、
SiC半導体装置の製造方法。 - 前記無機膜の形成は、基板中央部における膜厚が0.6μm以上の前記無機膜を形成することである、
請求項1に記載のSiC半導体装置の製造方法。 - 前記無機膜の形成は、基板中央部における膜厚が0.2μm以上0.6μm以下の前記無機膜を形成することである、
請求項1に記載のSiC半導体装置の製造方法。 - 前記SiC基板は、口径が4インチ以上8インチ以下の基板である、
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のSiC半導体装置の製造方法。 - 前記無機膜は、熱酸化膜、CVD酸化膜、金属酸化膜、PSG、BPSG、または窒化膜である、
請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のSiC半導体装置の製造方法。 - 複数の前記SiC基板の、前記バッチ式拡散炉内における配置間隔は、4.5mm以上5.5mm以下である、
請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のSiC半導体装置の製造方法。 - 複数のSiC基板とダミー基板を準備し、
複数の前記SiC基板の各C面と、前記ダミー基板の第1主面とに、基板中央部において基板端部におけるよりも大きい膜厚を有し、熱酸化処理の温度に耐える、無機膜を形成し、
複数の前記SiC基板を、各前記C面を同じ方向に揃え、間隔を空けてバッチ式拡散炉内に配置し、
複数の前記SiC基板のうち、他の前記SiC基板の前記C面に対向しないSi面を有する前記SiC基板の前記Si面に、前記無機膜が形成された第1主面が対向するように、間隔を空けて前記バッチ式拡散炉内に前記ダミー基板を配置し、
前記熱酸化処理を行い、各前記SiC基板の前記Si面に熱酸化膜を形成する、
SiC半導体装置の製造方法。 - 前記ダミー基板はSiCからなる基板であり、
前記第1主面はC面である、
請求項7に記載のSiC半導体装置の製造方法。 - 前記ダミー基板はSiからなる基板である、
請求項7に記載のSiC半導体装置の製造方法。 - 前記無機膜の形成は、基板中央部における膜厚が0.6μm以上の前記無機膜を形成することである、
請求項7から請求項9のいずれか1項に記載のSiC半導体装置の製造方法。 - 前記無機膜の形成は、基板中央部における膜厚が0.2μm以上0.6μm以下の前記無機膜を形成することである、
請求項7から請求項9のいずれか1項に記載のSiC半導体装置の製造方法。 - 前記SiC基板および前記ダミー基板は、口径が4インチ以上8インチ以下の基板である、
請求項7から請求項11のいずれか1項に記載のSiC半導体装置の製造方法。 - 前記無機膜は、熱酸化膜、CVD酸化膜、金属酸化膜、PSG、BPSG、または窒化膜である、
請求項7から請求項12のいずれか1項に記載のSiC半導体装置の製造方法。 - 前記バッチ式拡散炉内における、複数の前記SiC基板の配置間隔、および複数の前記SiC基板と前記ダミー基板の配置間隔は、4.5mm以上5.5mm以下である、
請求項7から請求項13のいずれか1項に記載のSiC半導体装置の製造方法。
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