JP2021009970A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の向上を図ることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１１ａは、内部の空間３０に第１部分４１ａおよび第１部分４１ａと離れて配置される第２部分４２ａを有するケース２０と、回路パターン１６ａ，１６ｂを有し、ケース２０内に配置される基板１７ａ，１７ｂと、半導体チップ２１ａ〜２１ｆ，２２ａ〜２２ｆと、基板１７ａ，１７ｂおよび半導体チップ２１ａ〜２１ｆ，２２ａ〜２２ｆを覆う充填剤４０と、基板１７ａ，１７ｂの板厚方向に見て、第１部分４１ａから第２部分４２ａに至る流路４３ａを形成する仕切り部２８ａ〜２８ｄと、を備える。仕切り部２８ａ〜２８ｄは、第１部分４１ａから第２部分４２ａに至るように第１部分４１ａからケース２０内の空間３０に充填剤４０を供給した場合に、流路４３ａを形成しない場合よりも第１部分４１ａから供給した充填剤４０の流速が上がるように流路４３ａを形成する。【選択図】図１

Description

本開示は、半導体装置に関するものである。

回路パターンが形成された基板上に半導体チップを実装した半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。半導体装置は、基板を取り囲むケースを含む。ケースによって取り囲まれた空間に樹脂（充填剤）が配置される。

特開２０１７−１８３６５６号公報

ケース内の空間には、充填剤が充填される。充填剤の中に気泡が含まれると、半導体装置の絶縁破壊を引き起こすおそれがある。このような半導体装置は、安定した動作が確保できず、信頼性が損なわれることになる。

そこで、信頼性の向上を図ることができる半導体装置を提供することを目的の１つとする。

本開示に従った半導体装置は、内部の空間に第１部分および第１部分と離れて配置される第２部分を有するケースと、回路パターンを有し、ケース内に配置される基板と、回路パターン上に配置される半導体チップと、基板および半導体チップを覆う充填剤と、第１部分から第２部分に至る流路を形成する仕切り部と、を備える。仕切り部は、第１部分から第２部分に至るように第１部分からケース内の空間に充填剤を供給した場合に、流路を形成しない場合よりも第１部分から供給した充填剤の流速が上がるように流路を形成する。

上記半導体装置によれば、信頼性の向上を図ることができる。

図１は、実施の形態１における半導体装置を放熱板の板厚方向に見た場合の概略平面図である。 図２は、図１に示す半導体装置の概略斜視図である。 図３は、図１に示す半導体装置の概略断面図である。 図４は、図１に示す半導体装置の製造に用いる治具を半導体装置に併せて図示した概略斜視図である。 図５は、図４に示す治具を半導体装置に取り付けた状態を示す概略斜視図である。 図６は、実施の形態２における半導体装置の概略斜視図である。 図７は、図６に示す半導体装置の製造に用いる治具を半導体装置に併せて図示した状態を示す概略斜視図である。 図８は、実施の形態３における半導体装置の概略斜視図である。 図９は、図８に示す半導体装置において、半導体装置に含まれる蓋部を破線で示した概略斜視図である。 図１０は、実施の形態４における半導体装置の概略平面図である。 図１１は、実施の形態５における半導体装置の概略斜視図である。

［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。本開示に係る半導体装置は、内部の空間に第１部分および第１部分と離れて配置される第２部分を有するケースと、回路パターンを有し、ケース内に配置される基板と、回路パターン上に配置される半導体チップと、基板および半導体チップを覆う充填剤と、基板の板厚方向に見て、第１部分から第２部分に至る流路を形成する仕切り部と、を備える。仕切り部は、第１部分から第２部分に至るように第１部分からケース内の空間に充填剤を供給した場合に、流路を形成しない場合よりも第１部分から供給した充填剤の流速が上がるように流路を形成する。

ケースの外部からケース内の空間に充填剤を充填する際に、周囲にある空気を巻き込んでケース内に供給してしまうおそれがある。また、例えば半導体チップを回路パターン上に配置した基板の形状が複雑であると、充填剤が微細な部分に回り込みにくくなり、気泡が残存するおそれがある。充填剤が充填される空間内に気泡が存在すると、半導体装置の絶縁破壊を引き起こしやすくなる。よって、半導体装置の安定した動作を確保して半導体装置の信頼性を向上する観点から、充填剤が充填される空間内から気泡を取り除くことが求められる。

本開示の半導体装置によると、上記仕切り部を含むため、第１部分から第２部分に至るように充填剤を供給した場合に、流路を形成しない場合よりも第１部分から供給した充填剤の流速を上げて、充填剤が充填される空間内に存在する気泡を下流側である第２部分側へ流しやすくすることができる。よって、充填剤が充填される空間内の気泡をケース外へ排出しやすくすることができる。その結果、半導体装置の安定した動作を確保して、半導体装置の信頼性を向上することができる。

上記半導体装置において、流路は、基板を全域にわたって覆うように形成されていてもよい。このようにすることにより、気泡が残存するおそれを低減しながら、基板上を全て充填剤によって覆うようにすることができる。

上記半導体装置において、流路は、第１部分から第２部分に至るまで、分岐することなく繋がっていてもよい。このようにすることにより、充填剤を供給する入り口を第１部分とし、充填剤が最後に到達する領域を第２部分として、第１部分から第２部分に至るまでの流路において確実に充填剤の流速を上げることができる。よって、気泡が残存するおそれをより低減することができる。

上記半導体装置において、基板の板厚方向に見て、半導体チップは、流路上に配置されてもよい。半導体チップが配置される部分は充填剤が回り込みにくく、気泡が残存しやすい。このようにすることにより、半導体チップが配置される部分における流速を上げることができ、気泡が残存するおそれを確実に低減することができる。

上記半導体装置において、仕切り部は、平板状であって、基板に対して垂直に配置されていてもよい。このようにすることにより、基板の板厚方向において、流路内の狭い部分と広い部分とが形成されるおそれを低減することができ、充填剤の流速が部分的に遅くなることを回避することができる。よって、気泡が残存するおそれをより確実に低減することができる。なお、基板に対して「垂直」とは幾何学的に厳密に基板に対して９０度の角度をなすことに限らず、例えば基板に対する仕切り部の角度が８５度以上９５度以下のものも含むものである。

上記半導体装置において、仕切り部は、ケースの内壁面に接続されていてもよい。このようにすることにより、仕切り部を容易に形成することができる。

上記半導体装置において、基板の板厚方向に見て、ケースの内壁面は、長方形の形状を有してもよい。ケースの内壁面は、第１内壁面と、第１内壁面に対向する第２内壁面と、第１内壁面および第２内壁面と連なる第３内壁面と、を含んでもよい。半導体装置は、複数の仕切り部を備えてもよい。複数の仕切り部は、平板状の第１の仕切り部と、平板状の第２の仕切り部と、を含んでもよい。第１の仕切り部は、第１内壁面に対して垂直になるよう第１内壁面に接続されてもよい。第２の仕切り部は、第２内壁面に対して垂直になるよう第２内壁面に接続されてもよい。このようにすることにより、第１内壁面と第２内壁面との間の流路を折り返すようにして形成することができ、充填剤の流速を上げる流路を形成することが容易になる。なお、長方形の形状については、厳密に幾何学的に長方形の形状を有するもののみならず、長方形の四つの角部のうちの少なくとも一部が直角ではないものや丸みを帯びているもの、対向する辺同士が厳密に平行でないもの、直交する辺によって形成される角部の角度が厳密に９０度でないものも含むものである。

上記半導体装置において、流路は、基板の板厚方向に見て、第１の仕切り部と第２の仕切り部とによって挟まれる第１領域を有してもよい。半導体チップは、第１領域に配置されてもよい。このようにすることにより、半導体チップが配置される部分における流速を確実に上げて、気泡が残存するおそれを低減することができる。

上記半導体装置において、基板の板厚方向に見て、ケースの内壁面は、長方形の形状を有してもよい。ケースの内壁面は、第１内壁面と、第１内壁面に対向する第２内壁面と、第１内壁面および第２内壁面と連なる第３内壁面と、第１内壁面および第２内壁面と連なり、第３内壁面と対向する第４内壁面と、を含んでもよい。仕切り部は、板状であって、仕切り部は、第１内壁面に接続され、第３内壁面と間隔をあけて第３内壁面に沿って配置され、第１内壁面に接続される端部から第２内壁面側に位置する端部までの長さが第１内壁面と第２内壁面との距離よりも短い領域である第１仕切り領域と、第１仕切り領域の、第１内壁面と接続される端部と反対側の端部に接続され、第２内壁面と間隔をあけて第２内壁面に沿って配置され、第１仕切り領域と接続される端部から第４内壁面側に位置する端部までの長さが第１仕切り領域と第４内壁面との距離よりも短い領域である第２仕切り領域と、第２仕切り領域の、第１仕切り領域と接続される端部と反対側の端部に接続され、第４内壁面と間隔をあけて第４内壁面に沿って配置され、第２仕切り領域と接続される端部から第１内壁面側に位置する端部までの長さが第１仕切り領域の長さよりも短い領域である第３仕切り領域と、第３仕切り領域の、第２仕切り領域と接続される端部と反対側の端部に接続され、第１内壁面と間隔をあけて第１内壁面に沿って配置され、第３仕切り領域と接続される端部から第１仕切り領域側に位置する端部までの長さが第２仕切り領域の長さよりも短い領域である第４仕切り領域と、を含んでもよい。第１部分および第２部分のうちの一方は、第１仕切り領域と第３内壁面との間に配置されてもよい。第１部分および第２部分のうちの他方は、第２仕切り領域と第４仕切り領域との間に配置されてもよい。

このようにすることにより、第１部分および第２部分のうちの一方を長方形の角部付近とし、第１部分および第２部分のうちの他方を長方形の中央部付近として、渦巻き状に充填剤を充填させることができる。このようにすることによっても、充填剤が充填される空間内に気泡が残存するおそれを低減することができる。

［本開示の実施形態の詳細］
次に、本開示の半導体装置の一実施形態を、図面を参照しつつ説明する。以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付しその説明は繰り返さない。

（実施の形態１）
本開示の実施の形態１における半導体装置の構成について説明する。図１は、実施の形態１における半導体装置を放熱板の板厚方向に見た場合の概略平面図である。図２は、図１に示す半導体装置の概略斜視図である。図３は、図１に示す半導体装置の概略断面図である。図３は、半導体チップを含み、Ｘ−Ｚ平面に平行な面で切断した場合の断面図である。図３において、後述する仕切り部の図示を省略している。

図１、図２および図３を参照して、実施の形態１における半導体装置１１ａは、放熱板１２と、放熱板１２上に配置される枠体１３と、放熱板１２上に配置される基板１７ａ，１７ｂと、板状の電極（バスバー）１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄと、端子１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄと、半導体チップ２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ，２２ｆと、充填剤４０と、を備える。放熱板１２および枠体１３によって、半導体装置１１ａに備えられるケース２０が構成される。ケース２０は、内部の空間３０に第１部分４１ａおよび第１部分４１ａと離れて配置される第２部分４２ａを有する。図１中の一点鎖線で、第１部分４１ａを示す。図１中の二点鎖線で、第２部分４２ａを示す。第１部分４１ａおよび第２部分４２ａについては、後述する。

放熱板１２は、金属製である。放熱板１２は、例えば銅製である。放熱板１２の表面には、ニッケルめっき処理が施されてもよい。放熱板１２は、板厚方向に見て、Ｘ方向に延びる辺を長辺とし、Ｙ方向に延びる辺を短辺とした長方形である。基板１７ａ，１７ｂは、放熱板１２の一方の主面１２ａ上に図示しないはんだによって接合される。放熱板１２の他方の主面１２ｂには、例えば、放熱を効率的に行う放熱フィン（図示しない）等が取り付けられる場合がある。放熱板１２の板厚方向および基板１７ａ，１７ｂの板厚方向は、Ｚ方向である。

枠体１３は、例えば絶縁性を有する樹脂製である。枠体１３は、第１の壁部１３ａと、第２の壁部１３ｂと、第３の壁部１３ｃと、第４の壁部１３ｄと、を含む。第１の壁部１３ａと第２の壁部１３ｂとは、放熱板１２の板厚方向に見て放熱板１２の短辺に対応する方向（Ｙ方向）において対向して配置される。第３の壁部１３ｃと第４の壁部１３ｄとは、放熱板１２の板厚方向に見て放熱板１２の長辺に対応する方向（Ｘ方向）において対向して配置される。ケース２０の内壁面２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄを構成する枠体１３の内壁面２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄは、放熱板１２の板厚方向に見て、長方形である。具体的には、枠体１３は、第１内壁面２７ａと、第１内壁面２７ａに対向する第２内壁面２７ｂと、第１内壁面２７ａおよび第２内壁面２７ｂと連なる第３内壁面２７ｃと、第１内壁面２７ａおよび第２内壁面２７ｂと連なり、第３内壁面２７ｃと対向する第４内壁面２７ｄと、を含む。枠体１３は、放熱板１２の一方の主面１２ａ上に配置される。枠体１３は、例えば接着剤により放熱板１２に固定される。

基板１７ａは、絶縁性を有する絶縁板１４ａと、回路パターン１６ａと、を有する。絶縁板１４ａは、例えばセラミック製である。絶縁板１４ａは、具体的にはＡｌＮ、ＳｉＮまたはＡｌ_２Ｏ_３から構成される。絶縁板１４ａは、ガラス製であってもよい。回路パターン１６ａは、絶縁板１４ａの上に配置される。基板１７ａは、絶縁板１４ａの上に回路パターン１６ａを積層した構成である。回路パターン１６ａは、複数の回路板から構成される。本実施形態においては、回路パターン１６ａは、第１回路板１５ａと、第２回路板１５ｂと、第３回路板１５ｃと、第４回路板１５ｄと、を含む。本実施形態においては、回路パターン１６ａは、銅配線である。同様に基板１７ｂは、絶縁性を有する絶縁板１４ｂと、銅配線である回路パターン１６ｂと、を有する。回路パターン１６ｂは、絶縁板１４ｂの上に配置される。回路パターン１６ｂは、第５回路板１５ｅと、第６回路板１５ｆと、第７回路板１５ｇと、を含む。

半導体チップ２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ，２２ｂ，２２ｃは、回路パターン１６ａの第１回路板１５ａ上に配置される。半導体チップ２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ，２２ｄ，２２ｅ，２２ｆは、回路パターン１６ｂの第５回路板１５ｅ上に配置される。半導体チップ２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ，２２ｆは、ワイドバンドギャップ半導体を含む。ワイドバンドギャップ半導体としては、例えば、ＳｉＣ、ＧａＮ等といった化合物半導体が挙げられる。半導体チップ２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆは、例えばショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）である。半導体チップ２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ，２２ｆは、例えば金属−酸化物−半導体電界効果型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）である。

電極１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄはそれぞれ、板状であって、金属製である。電極１９ａ，１９ｂは、第３の壁部１３ｃに取り付けられている。電極１９ｃ，１９ｄは、第４の壁部１３ｄに取り付けられている。電極１９ａ〜１９ｄは、それぞれ屈曲した帯状の形状を有する。本実施形態においては、電極１９ａ〜１９ｄは、それぞれ例えば、帯状の銅板を折り曲げて形成される。半導体装置１１ａは、電極１９ａ〜１９ｄによって外部との電気的な接続を確保する。なお、端子１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄも外部との電気的な接続を確保するために設けられている。端子１８ａ，１８ｂは、第４の壁部１３ｄに取り付けられている。端子１８ｃ，１８ｄは、第３の壁部１３ｃに取り付けられている。

電極１９ａと第１回路板１５ａとは、ワイヤ２３ａで接続されている。電極１９ｂと第２回路板１５ｂとは、ワイヤ２３ｂで接続されている。電極１９ｃと第５回路板１５ｅとは、ワイヤ２３ｃで接続されている。電極１９ｄと第５回路板１５ｅとは、ワイヤ２３ｄで接続されている。半導体チップ２１ａと半導体チップ２２ａとは、ワイヤ２４ａで接続されている。半導体チップ２１ｂと半導体チップ２２ｂとは、ワイヤ２４ｂで接続されている。半導体チップ２１ｃと半導体チップ２２ｃとは、ワイヤ２４ｃで接続されている。半導体チップ２１ｄと半導体チップ２２ｄとは、ワイヤ２４ｄで接続されている。半導体チップ２１ｅと半導体チップ２２ｅとは、ワイヤ２４ｅで接続されている。半導体チップ２１ｆと半導体チップ２２ｆとは、ワイヤ２４ｆで接続されている。半導体チップ２２ａと第４回路板１５ｄとは、ワイヤ２５ａで接続されている。半導体チップ２２ｂと第４回路板１５ｄとは、ワイヤ２５ｂで接続されている。半導体チップ２２ｃと第４回路板１５ｄとは、ワイヤ２５ｃで接続されている。半導体チップ２２ｄと第６回路板１５ｆとは、ワイヤ２５ｄで接続されている。半導体チップ２２ｅと第６回路板１５ｆとは、ワイヤ２５ｅで接続されている。半導体チップ２２ｆと第６回路板１５ｆとは、ワイヤ２５ｆで接続されている。

第２回路板１５ｂと第６回路板１５ｆとは、ワイヤ２９ａで接続されている。第４回路板１５ｄと第５回路板１５ｅとは、ワイヤ２９ｂで接続されている。端子１８ａと第３回路板１５ｃとは、ワイヤ２６ａで接続されている。端子１８ｂと第４回路板１５ｄとは、ワイヤ２６ｂで接続されている。端子１８ｃと第６回路板１５ｆとはワイヤ２６ｃで接続されている。端子１８ｄと第７回路板１５ｇとは、ワイヤ２６ｄで接続されている。また、半導体チップ２２ａ，２２ｂ，２２ｃと第３回路板１５ｃとは、それぞれワイヤで接続されており、半導体チップ２２ｄ，２２ｅ，２２ｆと第７回路板１５ｇとは、それぞれワイヤで接続されている。ワイヤには、アルミニウム太線を採用してもよいし、リボンワイヤを採用してもよい。

半導体装置１１ａは、基板１７ａ，１７ｂの板厚方向に見て、図１中の一点鎖線で示す第１部分４１ａから図１中の二点鎖線で示す第２部分４２ａに至る流路４３ａを形成する複数の仕切り部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄを含む。仕切り部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄは、第１部分４１ａから第２部分４２ａに至るように第１部分４１ａからケース２０内の空間３０に充填剤４０を供給した場合に、流路４３ａを形成しない場合よりも第１部分４１ａから供給した充填剤４０の流速が上がるように流路４３ａを形成する。なお、後述する図５中の複数の矢印によって流路４３ａにおいて充填剤４０が流れる向きを示す。

仕切り部２８ａ〜２８ｄはそれぞれ、平板状であって、基板１７ａ，１７ｂに対して垂直に配置されている。仕切り部２８ａ〜２８ｄは、Ｘ方向に間隔をあけてＹ−Ｚ平面に平行になるよう形成されている。仕切り部２８ａ〜２８ｄは、ケース２０の内壁面２７ａ〜２７ｄ、本実施形態においては、枠体１３の内壁面２７ａ〜２７ｄに接続されている。具体的には、第１の仕切り部２８ａおよび第３の仕切り部２８ｃはそれぞれ、第１内壁面２７ａに対して垂直になるよう第１内壁面２７ａに接続されている。第２の仕切り部２８ｂおよび第４の仕切り部２８ｄはそれぞれ、第２内壁面２７ｂに対して垂直になるよう第２内壁面２７ｂに接続されている。本実施形態においては、枠体１３と仕切り部２８ａ〜２８ｄは一体である。仕切り部２８ａ〜２８ｄのＺ方向の長さは、枠体１３のＺ方向の長さと同じである。仕切り部２８ａ〜２８ｄによって形成される流路４３ａは、ケース２０内における基板１７ａ，１７ｂ上の空間３０の全域にわたっている。流路４３ａは、第１部分４１ａから第２部分４２ａに至るまで、分岐することなく繋がっている。

第１の仕切り部２８ａおよび第２の仕切り部２８ｂは、基板１７ａの板厚方向に見て基板１７ａと重なるように形成されている。第３の仕切り部２８ｃおよび第４の仕切り部２８ｄは、基板１７ｂの板厚方向に見て基板１７ｂと重なるように形成されている。流路４３ａは、基板１７ａ，１７ｂの板厚方向に見て、第１の仕切り部２８ａと第２の仕切り部２８ｂとによって挟まれる第１領域４４ａを有する。半導体チップ２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ，２２ｂ，２２ｃは、第１領域４４ａに配置される。流路４３ａは、基板１７ａ，１７ｂの板厚方向に見て、第３の仕切り部２８ｃと第４の仕切り部２８ｄとによって挟まれる第１領域４５ａを有する。半導体チップ２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ，２２ｄ，２２ｅ，２２ｆは、第１領域４５ａに配置される。

次に、半導体装置１１ａの製造方法について、簡単に説明する。図４は、図１に示す半導体装置１１ａの製造に用いる治具を半導体装置１１ａに併せて図示した概略斜視図である。図５は、図４に示す治具を半導体装置１１ａに取り付けた状態を示す概略斜視図である。

図４および図５を参照して、まず治具の構成について説明する。治具３１ａは、板状部３２ａと、筒状部３３ａ，３４ａと、を含む。板状部３２ａは、板状部３２ａの板厚方向に見て、長方形である。板状部３２ａの板厚方向の一方の面３５ａを枠体１３のＺ方向の端面と接触させて治具３１ａを枠体１３に取り付けることができる。一方の筒状部３３ａは、板状部３２ａの板厚方向において一方の面３５ａおよび他方の面３６ａからＺ方向に突出している。筒状部３３ａは、長方形の形状の板状部３２ａにおいて、一つの角部に近い位置に形成されている。筒状部３３ａは、板状部３２ａの板厚方向に貫通する貫通孔３７ａを有する。筒状部３４ａは、他方の面３６ａから突出している。筒状部３４ａは、長方形状の板状部３２ａにおいて、筒状部３３ａが形成された角部と対角線上に位置する角部に近い位置に形成される。筒状部３４ａは、板状部３２ａの板厚方向に貫通する貫通孔３８ａを有する。

このような構成の治具３１ａを用意して枠体１３上に取り付ける。図５において、取り付けた治具３１ａを、破線で示す。まず、板状部３２ａの一方の面３５ａと枠体１３の端面とが接触するように治具３１ａを取り付け、枠体１３の上面を押さえる。この時、基板１７ａ，１７ｂの板厚方向に見て、一方の筒状部３３ａが位置する部分が、第１部分４１ａとなり、他方の筒状部３４ａが位置する部分が、第２部分４２ａとなる。このようにしてケース２０の空間３０を治具３１ａによって覆う。

一方の筒状部３３ａの貫通孔３７ａから充填剤を注入する。注入された充填剤は、図５中の矢印に示す流路４３ａに沿って基板１７ａ，１７ｂ上を流れる。すなわち、充填剤は第３の壁部１３ｃの内壁面２７ｃと第１の仕切り部２８ａとの間の流路４３ａをＹ方向に進み、第２の壁部１３ｂの内壁面２７ｂに到達した後、Ｙ方向に折り返し、第１の仕切り部２８ａと第２の仕切り部２８ｂとの間に形成される流路４３ａをＹ方向に進む。第１の壁部１３ａの内壁面２７ａに到達した後、Ｙ方向に折り返し、第２の仕切り部２８ｂと第３の仕切り部２８ｃとの間に形成される流路４３ａをＹ方向に進む。第２の壁部１３ｂの内壁面２７ｂに到達した後、Ｙ方向に折り返し、第３の仕切り部２８ｃと第４の仕切り部２８ｄとの間に形成される流路４３ａをＹ方向に進む。第１の壁部１３ａの内壁面２７ａに到達した後、Ｙ方向に折り返し、第４の仕切り部２８ｄと第４の壁部１３ｄの内壁面２７ｄとの間に形成される流路４３ａをＹ方向に進む。

充填剤は、第２部分４２ａに到達する。このようにして、充填剤は、基板１７ａ，１７ｂおよび半導体チップ２１ａ〜２１ｆ、２２ａ〜２２ｆを覆うようにしてケース２０の空間３０を満たす。ここで、第２部分４２ａには筒状部３４ａが設けられているため、空間３０内の気泡は筒状部３４ａに形成される貫通孔３８ａから外部へ排出される。他方の筒状部３４ａが形成された第２部分４２ａに充填剤が到達すると、治具３１ａを取り外す。その後、充填剤を加熱等により硬化させる。このようにして、実施の形態１における半導体装置１１ａを得る。

上記半導体装置１１ａでは、上記仕切り部２８ａ〜２８ｄを含むため、第１部分４１ａから第２部分４２ａに至るように充填剤を供給した場合に、流路４３ａを形成しない場合よりも第１部分４１ａから供給した充填剤の流速を上げて、充填剤が充填される空間３０内に存在する気泡を下流側である第２部分４２ａ側へ流しやすくすることができる。よって、充填剤が充填される空間３０内の気泡をケース２０外へ排出しやすくすることができる。その結果、半導体装置１１ａは、安定した動作を確保することができ、信頼性が向上した半導体装置となっている。

上記半導体装置１１ａにおいて、流路４３ａは、基板１７ａ，１７ｂを全域にわたって覆うように形成されている。よって、上記半導体装置１１ａは、気泡が残存するおそれを低減しながら、基板１７ａ，１７ｂ上を全て充填剤によって覆うようにすることができる半導体装置となっている。

上記半導体装置１１ａにおいて、流路４３ａは、第１部分４１ａから第２部分４２ａに至るまで、分岐することなく繋がっている。よって、充填剤を供給する入り口を第１部分４１ａとし、充填剤が最後に到達する領域を第２部分４２ａとして、第１部分４１ａから第２部分４２ａに至るまでの流路４３ａにおいて確実に充填剤の流速を上げることができる。よって、このような半導体装置１１ａは、気泡が残存するおそれをより低減することができる半導体装置となっている。

上記半導体装置１１ａにおいて、基板１７ａ，１７ｂの板厚方向に見て、半導体チップ２１ａ〜２１ｆ、２２ａ〜２２ｆは、流路４３ａ上に配置されている。半導体チップ２１ａ〜２１ｆ、２２ａ〜２２ｆが配置される部分は充填剤が回り込みにくく、気泡が残存しやすい。上記半導体装置１１ａは、半導体チップ２１ａ〜２１ｆ、２２ａ〜２２ｆが配置される部分における流速を上げることができ、気泡が残存するおそれを確実に低減することができる半導体装置となっている。

上記半導体装置１１ａにおいて、仕切り部２８ａ〜２８ｄは、平板状であって、基板１７ａ，１７ｂに対して垂直に配置されている。よって、基板１７ａ，１７ｂの板厚方向において、流路４３ａ内の狭い部分と広い部分とが形成されるおそれを低減することができ、充填剤の流速が部分的に遅くなることを回避することができる。したがって、上記半導体装置１１ａは、気泡が残存するおそれをより確実に低減することができる半導体装置となっている。

上記半導体装置１１ａにおいて、仕切り部２８ａ〜２８ｄは、ケース２０の内壁面２７ａ〜２７ｄに接続されている。よって、上記半導体装置１１ａは、仕切り部２８ａ〜２８ｄを容易に形成することができる半導体装置となっている。

上記半導体装置１１ａにおいて、第１の仕切り部２８ａは、第１内壁面２７ａに対して垂直になるよう第１内壁面２７ａに接続されている。第２の仕切り部２８ｂは、第２内壁面２７ｂに対して垂直になるよう第２内壁面２７ｂに接続されている。よって、第１内壁面２７ａと第２内壁面２７ｂとの間の流路４３ａを折り返すようにして形成することができる。したがって、上記半導体装置１１ａは、充填剤の流速を上げる流路４３ａを形成することが容易となっている。

（実施の形態２）
次に、他の実施の形態である実施の形態２について説明する。図６は、実施の形態２における半導体装置の概略斜視図である。図７は、図６に示す半導体装置の製造に用いる治具を半導体装置に併せて図示した状態を示す概略斜視図である。実施の形態２における半導体装置において、実施の形態２の半導体装置は、仕切り部２８ａ〜２８ｄが接続されている壁部が異なる点において実施の形態１の場合とは異なっている。

まず図６を参照して、実施の形態２における半導体装置１１ｂは、仕切り部２８ｅ、２８ｆ、２８ｇを含む。仕切り部２８ｅ〜２８ｇはそれぞれ、平板状であって、基板１７ａ，１７ｂに対して垂直に配置されている。仕切り部２８ｅ〜２８ｇは、Ｙ方向に間隔をあけてＸ−Ｚ平面に平行になるよう形成されている。仕切り部２８ｅ〜２８ｇは、ケース２０の内壁面２７ａ〜２７ｄ、本実施形態においては、枠体１３の内壁面２７ａ〜２７ｄに接続されている。具体的には、第１の仕切り部２８ｅおよび第３の仕切り部２８ｇはそれぞれ、第４内壁面２７ｄに対して垂直になるよう第４内壁面２７ｄに接続されている。第２の仕切り部２８ｆは、第３内壁面２７ｃに対して垂直になるよう第３内壁面２７ｃに接続されている。本実施形態においては、枠体１３と仕切り部２８ｅ〜２８ｇは一体である。仕切り部２８ｅ〜２８ｇのＺ方向の長さは、枠体１３のＺ方向の長さと同じである。

仕切り部２８ｅ，２８ｇはそれぞれ、基板１７ａの板厚方向に見て基板１７ａの一部および基板１７ｂと重なるように形成されている。仕切り部２８ｆは、基板１７ａの板厚方向に見て基板１７ａおよび基板１７ｂの一部と重なるように形成されている。流路４３ｂは、基板１７ａ，１７ｂの板厚方向に見て、第１の仕切り部２８ｅと第２の仕切り部２８ｆとによって挟まれる第１領域４４ｂを有する。半導体チップ２１ａ〜２１ｆは、第１領域４４ｂに配置される。流路４３ｂは、基板１７ａ，１７ｂの板厚方向に見て、第２の仕切り部２８ｆと第３の仕切り部２８ｇとによって挟まれる第１領域４５ｂを有する。半導体チップ２２ａ〜２２ｆは、第１領域４５ｂに配置される。

次に、半導体装置１１ｂの製造方法について、簡単に説明する。まず治具の構成について説明する。治具３１ｂは、板状部３２ｂと、筒状部３３ｂ，３４ｂと、を含む。板状部３２ｂは、板状部３２ｂの板厚方向に見て、長方形である。板状部３２ｂの板厚方向の一方の面３５ａを枠体１３のＺ方向の端面と接触させて治具３１ｂを枠体１３に取り付けることができる。一方の筒状部３３ｂは、板状部３２ｂの板厚方向において一方の面３５ａおよび他方の面３６ａからＺ方向に突出している。筒状部３３ｂは、長方形の形状の板状部３２ｂにおいて、一つの角部に近い位置に形成されている。筒状部３３ｂは、板状部３２ｂの板厚方向に貫通する貫通孔３７ｂを有する。筒状部３４ｂは、他方の面３６ａから突出している。筒状部３４ｂは、長方形状の板状部３２ｂにおいて、筒状部３３ｂが形成された角部とＹ方向において隣り合う角部に近い位置に形成される。筒状部３４ｂは、板状部３２ｂの板厚方向に貫通する貫通孔３８ｂを有する。

このような構成の治具３１ｂを用意して枠体１３上に取り付け、枠体１３の上面を押さえる。この時、一方の筒状部３３ｂが位置する部分が、第１部分４１ｂとなり、他方の筒状部３４ｂが位置する部分が、第２部分４２ｂとなる。一方の筒状部３３ｂの貫通孔３７ｂから充填剤を注入する。注入された充填剤は、図６中の矢印に沿って基板１７ａ，１７ｂ上を流れる。そして、他方の筒状部３４ｂが形成された領域に充填剤が到達する。充填剤で基板１７ａ，１７ｂの全面が覆われた後、治具３１ｂを取り外す。その後、充填剤を硬化させて、実施の形態２における半導体装置１１ｂを得る。

このような構成の半導体装置１１ｂにおいても、上記仕切り部２８ｅ〜２８ｇを含むため、第１部分４１ｂから第２部分４２ｂに至るように充填剤を供給した場合に、流路４３ｂを形成しない場合よりも第１部分４１ｂから供給した充填剤の流速を上げて、充填剤が充填される空間３０内に存在する気泡を下流側である第２部分４２ｂ側へ流しやすくすることができる。その結果、半導体装置１１ｂは、安定した動作を確保することができ、信頼性が向上した半導体装置となっている。

（実施の形態３）
次に、さらに他の実施の形態である実施の形態３について説明する。図８は、実施の形態３における半導体装置の概略斜視図である。図９は、図８に示す半導体装置において、半導体装置に含まれる蓋部を破線で示した概略斜視図である。実施の形態３の半導体装置は、半導体装置が蓋部を含む点において実施の形態１の場合とは異なっている。

図８および図９を参照して、実施の形態３における半導体装置１１ｃは、図１に示す半導体装置１１ａに加え、蓋部３１ｃを含む。蓋部３１ｃは、板状部３２ｃと、筒状部３３ｃ，３４ｃとを含む。蓋部３１ｃの構成は、筒状部３３ｃ，３４ｃにおいて、一方の面３５ａおよび他方の面３６ａから突出する長さが異なる以外は、基本的に上記した実施の形態２に示す治具３１ａと同様である。

蓋部３１ｃを用意して枠体１３上に取り付け、枠体１３の上面を押さえる。この時、一方の筒状部３３ｃが位置する部分が、第１部分となり、他方の筒状部３４ｃが位置する部分が、第２部分となる。一方の筒状部３３ｃの貫通孔３７ｃから充填剤を注入する。注入された充填剤は、図９中の矢印に沿って基板１７ａ，１７ｂ上を流れる。そして、他方の筒状部３４ｃが形成された領域に充填剤が到達する。この時、例えば、充填剤が筒状部３４ｃに到達したことを、貫通孔３８ｃからあふれ出る充填剤によって検知する。その後、充填剤の注入を停止する。次に、蓋部３１ｃを取り外さずに充填剤を硬化させて、実施の形態３における半導体装置１１ｃを得る。

上記半導体装置１１ｃは、安定した動作を確保することができ、信頼性が向上した半導体装置となっている。本実施形態においては、半導体装置１１ｃは、蓋部３１ｃを含むため、充填剤を確実にケース２０内の空間に封入することができる。

（実施の形態４）
次に、さらに他の実施の形態である実施の形態４について説明する。図１０は、実施の形態４における半導体装置の概略平面図である。実施の形態４の半導体装置は、半導体装置に含まれる仕切り部の数および配置が実施の形態１の場合とは異なっている。

図１０を参照して、実施の形態４における半導体装置１１ｄは、それぞれＸ方向に間隔をあけて配置される第１の仕切り部２８ｈと、第２の仕切り部２８ｉと、第３の仕切り部２８ｊと、第４の仕切り部２８ｋと、第５の仕切り部２８ｌと、第６の仕切り部２８ｍと、第７の仕切り部２８ｎと、第８の仕切り部２８ｏと、を含む。第１の仕切り部２８ｈ、第３の仕切り部２８ｊ、第５の仕切り部２８ｌおよび第７の仕切り部２８ｎはそれぞれ、第１内壁面２７ａに対して垂直になるよう第１内壁面２７ａに接続されている。第２の仕切り部２８ｉ、第４の仕切り部２８ｋ、第６の仕切り部２８ｍおよび第８の仕切り部２８ｏはそれぞれ、第２内壁面２７ｂに対して垂直になるよう第２内壁面２７ｂに接続されている。

第１の仕切り部２８ｈと第２の仕切り部２８ｉによって挟まれる第１領域に、半導体チップ２１ａ，２２ａが配置される。第２の仕切り部２８ｉと第３の仕切り部２８ｊによって挟まれる第１領域に、半導体チップ２１ｂ，２２ｂが配置される。第３の仕切り部２８ｊと第４の仕切り部２８ｋによって挟まれる第１領域に、半導体チップ２１ｃ，２２ｃが配置される。第５の仕切り部２８ｌと第６の仕切り部２８ｍによって挟まれる第１領域に、半導体チップ２１ｄ，２２ｄが配置される。第６の仕切り部２８ｍと第７の仕切り部２８ｎによって挟まれる第１領域に、半導体チップ２１ｅ，２２ｅが配置される。第７の仕切り部２８ｎと第８の仕切り部２８ｏによって挟まれる第１領域に、半導体チップ２１ｆ，２２ｆが配置される。

上記半導体装置１１ｄは、安定した動作を確保することができ、信頼性が向上した半導体装置となっている。本実施形態においては、流路４３ｄを実施の形態１における流路４３ａよりも狭くすることができ、充填剤の流速を実施の形態１の場合よりも上げて、充填剤が充填される空間３０内の気泡をケース２０外へ排出しやすくすることができる。その結果、半導体装置１１ｄは、より安定した動作を確保することができ、より信頼性が向上した半導体装置となっている。

（実施の形態５）
次に、さらに他の実施の形態である実施の形態５について説明する。図１１は、実施の形態３における半導体装置の概略斜視図である。実施の形態５の半導体装置は、半導体装置に含まれる仕切り部の形状が実施の形態１の場合とは異なっている。

図１１を参照して、実施の形態５における半導体装置１１ｅは、仕切り部５１ｅを含む。実施の形態１の場合と同様に、基板１７ａ，１７ｂの板厚方向に見て、ケース２０の内壁面２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄは、長方形の形状を有する。ケース２０の内壁面２７ａ〜２７ｄは、第１内壁面２７ａと、第１内壁面２７ａに対向する第２内壁面２７ｂと、第１内壁面２７ａおよび第２内壁面２７ｂと連なる第３内壁面２７ｃと、第１内壁面２７ａおよび第２内壁面２７ｂと連なり、第３内壁面２７ｃと対向する第４内壁面２７ｄと、を含む。

仕切り部５１ｅは、板状である。仕切り部５１ｅは、第１仕切り領域５３ａと、第２仕切り領域５３ｂと、第３仕切り領域５３ｃと、第４仕切り領域５３ｄと、を含む。第１仕切り領域５３ａは、第１内壁面２７ａに接続され、第３内壁面２７ｃと間隔をあけて第３内壁面２７ｃに沿って配置され、第１内壁面２７ａに接続される端部から第２内壁面２７ｂ側に位置する端部までの長さが第１内壁面２７ａと第２内壁面２７ｂとの距離よりも短い領域である。第２仕切り領域５３ｂは、第１仕切り領域５３ａの、第１内壁面２７ａと接続される端部と反対側の端部に接続され、第２内壁面２７ｂと間隔をあけて第２内壁面２７ｂに沿って配置され、第１仕切り領域５３ａと接続される端部から第４内壁面２７ｄ側に位置する端部までの長さが第１仕切り領域５３ａと第４内壁面２７ｄとの距離よりも短い領域である。第３仕切り領域５３ｃは、第２仕切り領域５３ｂの、第１仕切り領域５３ａと接続される端部と反対側の端部に接続され、第４内壁面２７ｄと間隔をあけて第４内壁面２７ｄに沿って配置され、第２仕切り領域５３ｂと接続される端部から第１内壁面２７ａ側に位置する端部までの長さが第１仕切り領域５３ａの長さよりも短い領域である。第４仕切り領域５３ｄは、第３仕切り領域５３ｃの、第２仕切り領域５３ｂと接続される端部と反対側の端部に接続され、第１内壁面２７ａと間隔をあけて第１内壁面２７ａに沿って配置され、第３仕切り領域５３ｃと接続される端部から第１仕切り領域５３ａ側に位置する端部までの長さが第２仕切り領域５３ｂの長さよりも短い領域である。

本実施形態においては、仕切り部５１ｅは、第５仕切り領域５３ｅと、第６仕切り領域５３ｆと、第７仕切り領域５３ｇと、第８仕切り領域５３ｈと、第９仕切り領域５３ｉと、第１０仕切り領域５３ｊと、を含む。第５仕切り領域５３ｅは、第４仕切り領域５３ｄの、第３仕切り領域５３ｃと接続される端部と反対側の端部に接続され、第１仕切り領域５３ａと間隔をあけて第１仕切り領域５３ａに沿って配置され、第４仕切り領域５３ｄと接続される端部から第２仕切り領域５３ｂ側に位置する端部までの長さが第３仕切り領域５３ｃの長さよりも短い領域である。第６仕切り領域５３ｆは、第５仕切り領域５３ｅの、第４仕切り領域５３ｄと接続される端部と反対側の端部に接続され、第２仕切り領域５３ｂと間隔をあけて第２仕切り領域５３ｂに沿って配置され、第５仕切り領域５３ｅと接続される端部から第３仕切り領域５３ｃ側に位置する端部までの長さが第４仕切り領域５３ｄの長さよりも短い領域である。第７仕切り領域５３ｇは、第６仕切り領域５３ｆの、第５仕切り領域５３ｅと接続される端部と反対側の端部に接続され、第３仕切り領域５３ｃと間隔をあけて第３仕切り領域５３ｃに沿って配置され、第６仕切り領域５３ｆと接続される端部から第４仕切り領域５３ｄ側に位置する端部までの長さが第５仕切り領域５３ｅの長さよりも短い領域である。第８仕切り領域５３ｈは、第７仕切り領域５３ｇの、第６仕切り領域５３ｆと接続される端部と反対側の端部に接続され、第４仕切り領域５３ｄと間隔をあけて第４仕切り領域５３ｄに沿って配置され、第７仕切り領域５３ｇと接続される端部から第５仕切り領域５３ｅ側に位置する端部までの長さが第６仕切り領域５３ｆの長さよりも短い領域である。第９仕切り領域５３ｉは、第８仕切り領域５３ｈの、第７仕切り領域５３ｇと接続される端部と反対側の端部に接続され、第５仕切り領域５３ｅと間隔をあけて第５仕切り領域５３ｅに沿って配置され、第８仕切り領域５３ｈと接続される端部から第６仕切り領域５３ｆ側に位置する端部までの長さが第７仕切り領域５３ｇの長さよりも短い領域である。第１０仕切り領域５３ｊは、第９仕切り領域５３ｉの、第８仕切り領域５３ｈと接続される端部と反対側の端部に接続され、第６仕切り領域５３ｆと間隔をあけて第６仕切り領域５３ｆに沿って配置され、第９仕切り領域５３ｉと接続される端部から第７仕切り領域５３ｇ側に位置する端部までの長さが第８仕切り領域５３ｈの長さよりも短い領域である。

第１部分は、長方形の角部付近、具体的には、第１仕切り領域５３ａと第３内壁面２７ｃとの間に配置される。第２部分は、長方形の中央部付近、具体的には、第２仕切り領域５３ｂと第４仕切り領域５３ｄとの間、より具体的には、第８仕切り領域５３ｈと第１０仕切り領域５３ｊとの間に配置される。

実施の形態５においては、充填剤を充填する際に、破線で示す治具３１ｅが取り付けられる。治具３１ｅは、板状部３２ｅと、筒状部３３ｅ，３４ｅとを含む。筒状部３３ｅには、貫通孔３７ｅが形成されており、筒状部３４ｅには、貫通孔３８ｅが形成されている。筒状部３３ｅは、板状部３２ｅの角部付近に形成され、筒状部３４ｅは、板状部３２ｅの中央部付近に形成される。筒状部３３ｅの貫通孔３７ｅから充填剤を供給し、ケース２０の空間３０内の気泡について、筒状部３４ｅの貫通孔３８ｅから排出する。

このようにすることにより、第１部分を長方形の角部付近とし、第２部分を長方形の中央部付近として、渦巻き状に充填剤を充填させることができる。このようにすることによっても、充填剤が充填される空間内に気泡が残存するおそれを低減することができる。

なお、上記の実施の形態において、第５仕切り領域５３ｅ〜第１０仕切り領域５３ｊの形成を省略してもよい。すなわち、仕切り部５１ｅは、第１仕切り領域５３ａ、第２仕切り領域５３ｂ、第３仕切り領域５３ｃおよび第４仕切り領域５３ｄから構成されていてもよい。

（他の実施の形態）
なお、上記の実施の形態においては、仕切り部は、ケースに含まれる枠体の内壁面に接続されていることとしたが、これに限らず、仕切り部は、例えば実施の形態３における蓋部に接続されていてもよい。

また、上記の実施の形態においては、第２部分から余剰の充填剤が流れ出るまで充填剤を供給し、流れ出た充填剤について、再び第１部分から供給するようにしてもよい。すなわち、充填剤を循環させて用いることにしてもよい。また、上記の実施の形態において、第１部分と第２部分との配置を入れ替える構成としてもよい。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、どのような面からも制限的なものではないと理解されるべきである。本開示の範囲は上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって規定され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本開示の半導体装置は、信頼性の向上が求められる場合に特に有利に適用され得る。

１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ 半導体装置
１２ 放熱板
１２ａ，１２ｂ 主面
１３ 枠体
１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ 壁部
１４ａ，１４ｂ 絶縁板
１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１５ｅ，１５ｆ，１５ｇ 回路板
１６ａ，１６ｂ 回路パターン、
１７ａ，１７ｂ 基板
１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ 端子
１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄ 端子
２０ ケース
２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ，２２ｆ 半導体チップ
２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ，２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ，２４ｅ，２４ｆ，２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ，２５ｅ，２５ｆ，２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２９ａ，２９ｂ ワイヤ
２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄ 内壁面
２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄ，２８ｅ，２８ｆ，２８ｇ，２８ｈ，２８ｉ，２８ｊ，２８ｋ，２８ｌ，２８ｍ，２８ｎ，２８ｏ，５１ｅ 仕切り部
３０ 空間
３１ａ，３１ｂ，３１ｅ 治具
３１ｃ 蓋部
３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｅ 板状部
３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｅ，３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｅ 筒状部
３５ａ，３６ａ 面
３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｅ，３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｅ 貫通孔
４０ 充填剤
４１ａ，４１ｂ 第１部分
４２ａ，４２ｂ 第２部分
４３ａ，４３ｂ 流路
４４ａ，４４ｂ，４５ａ，４５ｂ 第１領域
５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５３ｄ，５３ｅ，５３ｆ，５３ｇ，５３ｈ，５３ｉ，５３ｊ 仕切り領域

Claims (9)

1. 内部の空間に第１部分および前記第１部分と離れて配置される第２部分を有するケースと、
   回路パターンを有し、前記ケース内に配置される基板と、
   前記回路パターン上に配置される半導体チップと、
   前記基板および前記半導体チップを覆う充填剤と、
   前記基板の板厚方向に見て、前記第１部分から前記第２部分に至る流路を形成する仕切り部と、を備え、
   前記仕切り部は、前記第１部分から前記第２部分に至るように前記第１部分から前記ケース内の空間に前記充填剤を供給した場合に、前記流路を形成しない場合よりも前記第１部分から供給した前記充填剤の流速が上がるように前記流路を形成する、半導体装置。
2. 前記流路は、前記基板を全域にわたって覆うように形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記流路は、前記第１部分から前記第２部分に至るまで、分岐することなく繋がっている、請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記基板の板厚方向に見て、前記半導体チップは、前記流路上に配置される、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
5. 前記仕切り部は、平板状であって、前記基板に対して垂直に配置されている、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
6. 前記仕切り部は、前記ケースの内壁面に接続されている、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
7. 前記基板の板厚方向に見て、前記ケースの内壁面は、長方形の形状を有し、
   前記ケースの内壁面は、
   第１内壁面と、
   前記第１内壁面に対向する第２内壁面と、
   前記第１内壁面および前記第２内壁面と連なる第３内壁面と、を含み、
   前記半導体装置は、複数の前記仕切り部を備え、
   前記複数の仕切り部は、
   平板状の第１の仕切り部と、
   平板状の第２の仕切り部と、を含み、
   前記第１の仕切り部は、前記第１内壁面に対して垂直になるよう前記第１内壁面に接続され、
   前記第２の仕切り部は、前記第２内壁面に対して垂直になるよう前記第２内壁面に接続される、請求項６に記載の半導体装置。
8. 前記流路は、前記基板の板厚方向に見て、前記第１の仕切り部と前記第２の仕切り部とによって挟まれる第１領域を有し、
   前記半導体チップは、前記第１領域に配置される、請求項７に記載の半導体装置。
9. 前記基板の板厚方向に見て、
   前記ケースの内壁面は、長方形の形状を有し、
   前記ケースの内壁面は、
   第１内壁面と、
   前記第１内壁面に対向する第２内壁面と、
   前記第１内壁面および前記第２内壁面と連なる第３内壁面と、
   前記第１内壁面および前記第２内壁面と連なり、前記第３内壁面と対向する第４内壁面と、を含み、
   前記仕切り部は、板状であって、
   前記仕切り部は、前記第１内壁面に接続され、前記第３内壁面と間隔をあけて前記第３内壁面に沿って配置され、前記第１内壁面に接続される端部から前記第２内壁面側に位置する端部までの長さが前記第１内壁面と第２内壁面との距離よりも短い領域である第１仕切り領域と、
   前記第１仕切り領域の、前記第１内壁面と接続される端部と反対側の端部に接続され、前記第２内壁面と間隔をあけて前記第２内壁面に沿って配置され、前記第１仕切り領域と接続される端部から前記第４内壁面側に位置する端部までの長さが前記第１仕切り領域と第４内壁面との距離よりも短い領域である第２仕切り領域と、
   前記第２仕切り領域の、前記第１仕切り領域と接続される端部と反対側の端部に接続され、前記第４内壁面と間隔をあけて前記第４内壁面に沿って配置され、前記第２仕切り領域と接続される端部から前記第１内壁面側に位置する端部までの長さが前記第１仕切り領域の長さよりも短い領域である第３仕切り領域と、
   前記第３仕切り領域の、前記第２仕切り領域と接続される端部と反対側の端部に接続され、前記第１内壁面と間隔をあけて前記第１内壁面に沿って配置され、前記第３仕切り領域と接続される端部から前記第１仕切り領域側に位置する端部までの長さが前記第２仕切り領域の長さよりも短い領域である第４仕切り領域と、を含み、
   前記第１部分および前記第２部分のうちの一方は、前記第１仕切り領域と前記第３内壁面との間に配置され、
   前記第１部分および前記第２部分のうちの他方は、前記第２仕切り領域と前記第４仕切り領域との間に配置される、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
   

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