JP2021005732A - 半導体装置および実装基板 - Google Patents
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Abstract
Description
[1.半導体装置の構造]
以下、実施の形態に係る半導体装置の構造について説明する。実施の形態に係る半導体装置は、半導体基板に2つの縦型MOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタを形成した、フェイスダウン実装が可能なチップサイズパッケージ(Chip Size Package:CSP)型の半導体デバイスである。上記2つの縦型MOSトランジスタは、パワートランジスタであり、いわゆる、トレンチMOS型FET(Field Effect Transistor)である。
半導体装置1において、例えば、第1導電型をN型、第2導電型をP型として、第1のソース領域14、第2のソース領域24、半導体基板32、および、低濃度不純物層33はN型半導体であり、かつ、第1のボディ領域18および第2のボディ領域28はP型半導体であってもよい。
図3は、半導体装置1の、スマートホン、タブレット等のリチウムイオン電池パックで用いられる充放電回路への応用例を示す回路図である。この応用例において、半導体装置1は、制御IC2から、第1のゲート電極19および第2のゲート電極29に与えられる制御信号に応じて、電池3から負荷4への放電動作および負荷4から電池3への充電動作を制御する。このようにスマートホン、タブレット等のリチウムイオン電池パックで用いられる充放電回路として、半導体装置1が適用される場合、充電時間短縮や急速充電実現の制約から、半導体装置1のオン抵抗は、一例として、20V耐圧仕様として、2.2〜2.4mΩ以下が求められる。
ところで半導体装置1は、実装基板であるプリント配線基板上にフェイスダウンで実装されて使用される。
2 制御IC
3 電池
4 負荷
10 トランジスタ(第1の縦型MOSトランジスタ)
11 第1のソース電極
12、13、22、23 部分
14 第1のソース領域
15 第1のゲート導体
16 第1のゲート絶縁膜
18 第1のボディ領域
20 トランジスタ(第2の縦型MOSトランジスタ)
21 第2のソース電極
24 第2のソース領域
25 第2のゲート導体
26 第2のゲート絶縁膜
28 第2のボディ領域
30 金属層
32 半導体基板
33 低濃度不純物層
34 層間絶縁層
35 パッシベーション層
40 半導体層
50 プリント配線基板(実装基板)
51、52、53、1051、1053、1151、1153 配線パターン
54 クリアランス
60 トランジスタ(第3の縦型MOSトランジスタ)
70 トランジスタ(第4の縦型MOSトランジスタ)
90 中央線
90C 境界
91 一方の長辺
92 他方の長辺
93 一方の短辺
94 他方の短辺
111、111a、111b、111c、111d、111e、111f、1111 第1のソースパッド
119、119A,119B 第1のゲートパッド
121、121a、121b、121c、121d、121e、121f、1121 第2のソースパッド
129、129A、129B 第2のゲートパッド
171A、171B、172A、172B、173A、173B、174A、174B、175A、175B 層
176A、176B、177A、177B 接続部
191、291 第1の局所領域
192、292 第2の局所領域
511、511a、511b、511c、511d、511e、511f 第1の実装ソースパッド
519 第1の実装ゲートパッド
521、521a、521b、521c、521d、521e、521f 第2の実装ソースパッド
529 第2の実装ゲートパッド
901、902 領域
1014 第3のソース領域
1015 第3のゲート導体
1016 第3のゲート絶縁膜
1018 第3のボディ領域
2014 第4のソース領域
2015 第4のゲート導体
2016 第4のゲート絶縁膜
2018 第4のボディ領域
A1、A1001 第1の領域
A2、A1002 第2の領域
ZD1 第1の双方向ツェナーダイオード
ZD2 第2の双方向ツェナーダイオード
Claims (11)
- フェイスダウン実装が可能なチップサイズパッケージ型の半導体装置であって、
半導体層と、前記半導体層の裏面に接触して形成された金属層と、前記半導体層内の第1の領域に形成された第1の縦型MOSトランジスタと、前記半導体層の平面視において、前記半導体層内で前記第1の領域に隣接した第2の領域に形成された第2の縦型MOSトランジスタと、を有し、
前記半導体層は、半導体基板を有し、
前記第1の縦型MOSトランジスタと前記第2の縦型MOSトランジスタとのそれぞれは、前記半導体層の表面に、前記フェイスダウン実装時に実装基板に接合される、複数の第1のソースパッドおよび第1のゲートパッドと、複数の第2のソースパッドおよび第2のゲートパッドとを有し、
前記半導体基板は、前記第1の縦型MOSトランジスタおよび前記第2の縦型MOSトランジスタの共通ドレイン領域として機能し、
前記平面視において、
前記半導体層は矩形形状であり、
前記第1の縦型MOSトランジスタと前記第2の縦型MOSトランジスタとが第1の方向に並び、前記第1の方向に主電流が流れ、
前記平面視において、前記第1の方向における前記第1の領域と前記第2の領域との境界線はクランクしており、
前記第1のゲートパッドは、前記半導体層の4つの辺のうち、前記第1の方向に並行かつ最近接する第1の辺との間に、および、前記境界線のうち、前記第1の方向と直交する方向の部分との間に、前記複数の第1のソースパッドが一部でも挟まれないように配置され、
前記第2のゲートパッドは、前記半導体層の4つの辺のうち、前記第1の方向に並行かつ最近接する第2の辺との間に、および、前記境界線のうち、前記第1の方向と直交する方向の部分との間に、前記複数の第2のソースパッドが一部でも挟まれないように配置された、
半導体装置。 - 前記第2の辺は前記第1の辺と対向する辺である
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記平面視において、前記半導体層を、前記第1の方向に二等分する中央線に対して、前記第1のゲートパッドおよび前記第2のゲートパッドは、それぞれ前記中央線に接触するように配置された、
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第2の辺は前記第1の辺と同一の辺である
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記平面視において、
前記半導体層は、前記第1の方向を長辺とする長方形状であり、
前記複数の第1のソースパッドのそれぞれ、および、前記複数の第2のソースパッドのそれぞれは、長手方向が前記第1の方向と並行な長方形状又は長円形状であり、
前記複数の第1のソースパッドは、ストライプ状に配置され、
前記複数の第2のソースパッドは、ストライプ状に配置された、
請求項1に記載の半導体装置。 - さらに、前記第1の縦型MOSトランジスタと前記第2の縦型MOSトランジスタとのそれぞれは、前記複数の第1のソースパッドの下に前記複数の第1のソースパッドに接続された第1のソース電極と前記複数の第2のソースパッドの下に前記複数の第2のソースパッドに接続された第2のソース電極と、を有し、
前記平面視において、
前記半導体層の前記第1の方向の辺長は、前記第1の方向と直交する方向の辺長の2倍未満であり、
前記複数の第1のソースパッドのそれぞれ、および、前記複数の第2のソースパッドのそれぞれは、長手方向が前記第1の方向と直交する方向と並行な長方形状又は長円形状であり、
前記複数の第1のソースパッドは、ストライプ状に配置され、
前記複数の第2のソースパッドは、ストライプ状に配置された、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記複数の第1のソースパッドのそれぞれおよび前記複数の第2のソースパッドのそれぞれは、前記半導体層を前記第1の方向と直交する方向に二分する領域で二分割されて配置された、
請求項1に記載の半導体装置。 - 表面にチップサイズパッケージ型の半導体装置がフェイスダウン実装される実装領域を有する実装基板であって、
互いに電気的に分離された第1の配線パターンと第2の配線パターンとを有し、
前記実装領域は、前記実装基板の平面視において、第1の領域と、前記第1の領域に隣接した第2の領域と、を有し、
前記第1の領域と前記第2の領域とのそれぞれは、前記フェイスダウン実装時に前記半導体装置に接合される、複数の第1の実装ソースパッドおよび第1の実装ゲートパッドと、複数の第2の実装ソースパッドおよび第2の実装ゲートパッドとを有し、
前記第1の配線パターンは、前記複数の第1の実装ソースパッドと電気的に接続され、
前記第2の配線パターンは、前記複数の第2の実装ソースパッドと電気的に接続され、
前記平面視において、
前記実装領域は矩形形状であり、
前記第1の領域と前記第2の領域とが第1の方向に並び、
前記第1の実装ゲートパッドは、前記実装領域の4つの辺のうち、前記第1の方向に並行かつ最近接する第1の辺との間に、および、前記第1の方向における前記第1の領域と前記第2の領域との境界線のうち、前記第1の方向と直交する方向の部分との間に、前記複数の第1の実装ソースパッドが一部でも挟まれないように配置され、
前記第2の実装ゲートパッドは、前記実装領域の4つの辺のうち、前記第1の方向に並行かつ最近接する第2の辺との間に、および、前記境界線のうち、前記第1の方向と直交する方向の部分との間に、前記複数の第2の実装ソースパッドが一部でも挟まれないように配置された、
実装基板。 - 前記第2の辺は前記第1の辺と対向する辺である
請求項8に記載の実装基板。 - 前記平面視において、前記実装領域を、前記第1の方向に二等分する中央線に対して、前記第1の実装ゲートパッドおよび前記第2の実装ゲートパッドは、それぞれ前記中央線に接触するように配置された、
請求項9に記載の実装基板。 - 前記第2の辺は前記第1の辺と同一の辺である
請求項8に記載の実装基板。
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