JP2020533751A - 導電積層構造およびその製造方法、表示パネル - Google Patents

導電積層構造およびその製造方法、表示パネル Download PDF

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Abstract

本願は導電積層構造及びその製造方法、表示パネルを開示する。本願に係る導電積層構造は、基底と、前記基底上に位置するアンカー層と、前記アンカー層上に位置し、前記アンカー層を露出するように、第１の開口を有する金属ナノワイヤー層と、前記金属ナノワイヤー層上に位置し、前記アンカー層を露出するように、前記第１の開口と少なくとも部分的に重なる第２の開口を有する配線層と、前記配線層上に設けられ、前記第２の開口と前記第１の開口に充填されて、前記アンカー層に接続されている光学接着剤層とを備える。金属ナノワイヤー層は配線層と直接接触することにより、導通能力を向上させ、接触面積を減少するために、配線層は比較的狭くてもよく、狭額縁設計を実現することができる。また、アンカー層によって金属ナノワイヤー層の付着力を高めることができる。

Description

本願は、金属ナノワイヤー材料およびその応用分野に関し、特に、導電積層構造およびその製造方法、表示パネルに関する。
現在、透明導電材料は、酸化インジウムスズ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ、略称ＩＴＯ）をはじめ、優れた光透過率及び導電性を有する。しかしながら、このような透明導電材料は一般的にスパッタリングプロセスにより堆積されて構成され、製造温度が高く、そして、その中に希少金属を含有するので価格が高く、このような薄膜が折り曲げられる場合に破断しやすく、したがって、フレキシブルデバイスの製造に適用しないことにより、ＩＴＯの性能及び生産量に多くの制限が存在する。そのため、金属ナノワイヤー、例えば、銀ナノワイヤー（ｓｉｌｖｅｒ ｎａｎｏ ｗｉｒｅｓ、略称はＳＮＷ）１０（図２に示す）、ＩＴＯを代替して導電材料を製造する透明導電体として提案されている。ＩＴＯに比べて、金属ナノワイヤーは良好な光学、電気的及び力学性能だけでなく、金属ナノワイヤーの大きな表面積および量子サイズ効果などの特徴を有する。しかし、現在、金属ナノワイヤーは、付着性に劣り、金属ナノワイヤーを使用して形成された額縁が広い。
本願の発明者は、光学接着剤を介して金属ナノワイヤーは配線と接触するため、金属ナノワイヤーと配線との接触面積が一定の制限があり、額縁が広くになることを引き起こすことを見出した。そこで、本願の一つの目的は、狭額縁設計を実現する導電積層構造及びその製造方法を提供することにある。
また、本願の発明者は、金属ナノワイヤーの材料性質によって金属ナノワイヤーの付着性が悪いことを見出した。そこで、本願の他の目的は、金属ナノワイヤーの付着性を向上させる導電積層構造及びその製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本願の実施形態は導電積層構造を提供し、基底と、
前記基底上に位置するアンカー層と、
前記アンカー層上に位置し、第１の開口を有し、前記アンカー層を露出する金属ナノワイヤー層と、
前記金属ナノワイヤー層上に位置し、前記第１の開口と少なくとも部分的に重なり、前記アンカー層を露出する第２の開口を有する配線層と、
前記配線層上に設けられ、前記第２の開口と前記第１の開口に充填されて、前記アンカー層に接続されている光学接着剤層と、備える。
また、前記導電積層構造において、前記第２の開口の面積は前記第１の開口の面積より大きく、前記第１の開口は前記第２の開口の範囲内に落ち込んでもよい。
また、前記導電積層構造において、前記第２の開口の面積は前記第１の開口の面積より小さく、前記第２の開口は前記第１の開口の範囲内に落ち込んでもよい。
また、前記導電積層構造において、前記第１の開口と前記第２の開口は少なくとも部分的にずれてもよい。
また、前記第１の開口の面積は前記第２の開口の面積に等しく、前記第１の開口の境界は前記第２の開口の境界と一致してもよい。
また、前記導電積層構造において、前記基底上に複数の前記金属ナノワイヤー層が形成され、前記基底上に各前記金属ナノワイヤー層の平面視の形状は環状を呈して、前記環状の中心開口は前記第１の開口であってもよい。
また、前記導電積層構造において、前記環状の辺の幅は０.５μｍ-１.２μｍであってもよい。
また、前記導電積層構造において、前記アンカー層の厚さは１０ｎｍ-３００ｎｍであってもよい。
また、前記導電積層構造において、前記第１の開口と前記第２の開口いずれも複数であってもよい。
また、前記導電積層構造において、前記アンカー層の材料は、高分子重合体、絶縁材料、樹脂、透明な光学接着剤、酸化物、およびフォトレジストから選択される少なくとも１種であってもよい。
また、前記導電積層構造において、前記アンカー層の厚さは１０ｎｍ-３００ｎｍであってもよい。
本願の実施形態は、さらに導電積層構造の製造方法を提供し、
ひとつの基底を提供するステップと、
前記基底上にアンカー層を形成するステップと、
前記アンカー層を露出するように、前記アンカー層上に第１の開口を有する金属ナノワイヤー層形成するステップと、
前記アンカー層を露出するように、前記金属ナノワイヤー層上に前記第１の開口と少なくとも部分的に重なる第２の開口を有する配線層を形成するステップと、
前記配線層上に、前記第２の開口と前記第１の開口に充填されて、前記アンカー層に接続されている光学接着剤層を形成するステップと、を含む。
また、前記の導電積層構造の製造方法について、前記アンカー層上に金属ナノワイヤー層を形成するステップは、
金属ナノワイヤー溶液を塗布することと、
前記金属ナノワイヤー溶液の溶媒を蒸発させて、金属ナノワイヤー材料層を得るように、乾燥することと、
第１の開口を形成して、前記アンカー層を露出させて、前記金属ナノワイヤー層を形成するように、前記金属ナノワイヤー材料層をエッチングすることとを含んでもよい。
また、前記金属ナノワイヤー溶液に複数の金属ナノワイヤーを有し、前記金属ナノワイヤーは溶媒に分布してもよい。
また、前記金属ナノワイヤー溶液の濃度は０.０１ｍｇ/ｍＬ〜１０ｍｇ/ｍＬであってもよい。
また、前記金属ナノワイヤー溶液の溶媒は水、イオン溶液、塩溶液、超臨界流体または油のいずれか１種であってもよい。
また、前記溶媒にさらに分散剤、界面活性剤、架橋剤、湿潤剤または増粘剤のうちの少なくとも１種を含んでもよい。
また、前記金属ナノワイヤー溶液の溶媒を蒸発させる前記乾燥ステップで、前記乾燥は真空減圧または赤外線加熱または熱風加熱を用いて、前記乾燥の時間は５０ｓ〜１００ｓである。
本願の実施形態はさらに表示パネルを提供し、前記導電積層構造を備える。
また、前記表示パネルは配線領域を含み、複数の前記金属ナノワイヤー層は前記配線領域に設けられ、前記配線領域の延在方向に沿って配列されてもよい。
本願に係る導電積層構造は、基底と、前記基底上に位置するアンカー層と、前記アンカー層上に位置し、前記アンカー層を露出するように、第１の開口を有する金属ナノワイヤー層と、前記金属ナノワイヤー層上に位置し、前記アンカー層を露出するように、前記第１の開口と少なくとも部分的に重なる第２の開口を有する配線層と、前記配線層上に設けられ、前記第２の開口と前記第１の開口に充填されて、前記アンカー層に接続されている光学接着剤層とを備える。金属ナノワイヤー層は配線層と直接接触することにより、導通能力を向上させ、接触面積を減少するために、配線層は比較的狭くてもよく、狭額縁設計を実現することができる。また、アンカー層を利用して、金属ナノワイヤー層の付着力を高めることができ、開口に光学接着剤層が設けられることで、金属ナノワイヤー層に対するアンカー作用を強め、付着力を向上させることができる。
さらに、第１の開口と第２の開口の大きさと位置関係を調整することにより、第１の開口と第２の開口を階段状にする可能性があって、光学接着剤層と金属ナノワイヤー層と配線層との結合面積を増やして、結合力を高めて、金属ナノワイヤー層の付着力をより高めることができる。
本願の一実施形態における導電積層構造を示す概略図である。 金属ナノワイヤーのマイクロトポグラフの図である。 本願の一実施形態における金属ナノワイヤー層の局所平面概略図である。 本願の一実施形態における配線層の局所平面概略図である。 本願の一実施形態における光学接着剤層の局所平面概略図である。 本願の一実施形態における導電積層構造の製造方法のフローチャートである。 本願の一実施形態における基底を提供する断面概略図である。 本願の一実施形態におけるアンカー層を形成する断面概略図である。 本願の一実施形態における金属ナノワイヤー層を形成する断面概略図である。 本願の一実施形態における金属ナノワイヤー層を形成する平面概略図である。 本願の一実施形態における配線層を形成する断面概略図である。 本願の一実施形態における配線層を形成する平面概略図である。 本願の一実施形態における光学接着剤層を形成する断面概略図である。 本願の一実施形態における光学接着剤層を形成する平面概略図である。
以下、概略図を参照して本願の導電積層構造およびその製造方法をより詳細に説明する。
なお、以下の説明において、層（またはフィルム）、領域、パターンまたは構造を、基底、層（またはフィルム）、領域および/またはパターン「上」と呼ぶ場合に、他の層または基底上に直接位置してもよく、また、および/または挿入層が存在してもよい。また、層が他の層の「下」と称される場合に、他の層の下に直接位置してもよく、および/または１または複数の挿入層が存在してもよい。また、図面を参照して各層「上」および「下」についての指示を理解できる。
図１〜図５に示すように、本願の実施形態は、導電積層構造を提案しており、基底１と、前記基底上に位置するアンカー層２と、前記アンカー層２上に位置し、前記アンカー層２を露出するように、第１の開口４（図３に示すように）を有する金属ナノワイヤー層３と、前記金属ナノワイヤー層３上に位置し、前記アンカー層２を露出するように、前記第１の開口４と少なくとも部分的に重なる第２の開口６を有する配線層５と、および前記配線層５上に設けられ、前記第２の開口６と前記第１の開口４に充填されて、前記アンカー層２上に接続されている光学接着剤層７とを備える。
一実施形態では、前記第１の開口４と前記第２の開口６の数は１つに限らず、複数であってもよく、当業者は実際のニーズに応じて、第１の開口４と第２の開口６の数を調整してもよい。
一実施形態では、前記第１の開口４は前記第２の開口６に当てはまり、即ち、前記第１の開口４の面積は第２の開口６の面積に等しく、境界が一致する。（両者の形状と大きさとが一致し、境界が一致する）。製造プロセスの最適化に寄与し、マスクプレートを節約し、コストを低減することができる。
一実施形態では、前記第１の開口４と前記第２の開口は６階段状であってもよく、具体的には、例えば、前記第２の開口６の面積は前記第１の開口４の面積より大きく、前記第１の開口４は前記第２の開口６の範囲内に落ち込む。
あるいは、前記第２の開口６の面積は前記第１の開口４の面積より小さく、前記第２の開口６前記第１の開口４の範囲内に落ち込む。
あるいは、前記第１の開口４と前記第２の開口６は少なくとも部分的にずれる。
従って、第１の開口４と第２の開口６の階段状の設計により、光学接着剤層7と金属ナノワイヤー層３と配線層５の結合面積を増やして、結合力を高めて金属ナノワイヤー層３の付着力をより高めることができる。
前記基底上に複数の前記金属ナノワイヤー層３が形成され、前記基底上１に各前記金属ナノワイヤー層３の平面視の形状は環状を（角環または円環を含む）を呈し、前記環状の中心開口は前記第１の開口である。表示パネル（例えばタッチパネル）は配線領域を有し、複数の前記金属ナノワイヤー層３は前記配線領域に設けられ、前記配線領域の延在方向に沿って配置され、この場合に前記金属ナノワイヤー層３は、配線層５と他の電気的導通構造を導通するように、配線層５と接触して電気的接続するために用いられる。ここで、前記環状の辺の幅は０.５μｍ-１.２μｍであってもよく、狭額縁設計を実現することに寄与する。
一実施形態では、前記アンカー層の厚さは１０ｎｍ-３００ｎｍである。
さらに、本願の実施形態は、図６に示すように、導電積層構造の製造方法も提案しており、
ひとつの基底を提供するステップＳ１１と、
前記基底上にアンカー層を形成するステップＳ１２と、
前記アンカー層を露出するように、前記アンカー層上に第１の開口を有する金属ナノワイヤー層を形成するステップＳ１３と、
前記アンカー層を露出するように、前記金属ナノワイヤー層上に前記第１の開口と少なくとも部分的に重なる第２の開口を有する配線層を形成するステップ１４と、
前記配線層上に、前記第２の開口と前記第１の開口に充填されて、前記アンカー層に接続されている光学接着剤層を形成するステップ１５とを含む。
上述した方法を用いて、金属ナノワイヤー層は配線層と直接接触することにより、導通能力を向上させ、接触面積を減少するため、配線層は比較的狭くてもよく、狭額縁設計を実現することができる。また、アンカー層を利用して、金属ナノワイヤー層の付着力を高めることができ、開口に光学接着剤が設けられることで、金属ナノワイヤー層に対するアンカー作用を強め、付着力を向上させることができる。
以下、本願の内容を明らかに説明するために、前記導電積層構造及びその製造方法の好ましい実施形態を挙げる。なお、本願の内容は以下の実施形態に限定されるものではなく、当業者の一般的な技術的手段による改良も本願の思想の範囲内にある。
図7を参照して、ステップＳ１１、ひとつの基底１を提供する。一実施形態では、前記基底１は剛性材料によって形成された基底、例えば、ガラス基底、シリコン基底、金属基底等であってもよい。一実施形態では、前記基底１は柔軟性材料によって形成された基底であってもよい。前記基底１の材質は、アクリル、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリアクリロニトリル-ブタジエン-スチレン（ＡＢＳ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリベンゾイミダゾールポリブテン（ＰＢ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）、ポリエチレンオキサイド、ポリグリコール酸（ＰＧＡ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリウレタン（ＰＵ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）およびスチレン-アクリロニトリル（ＳＡＮ）等であってもよいが、これに限定されるものではない。本実施形態において、前記基底１は、例えば、ポリイミド基底等である。本願に記載した基板１は上述した形態に限定されるものではなく、他の材料からなるものであってもよい。
なお、好ましい態様では、その上の微粒子、有機物および金属イオンなどの不純物を除去するために、前記基底１を前処理する。
図8を参照して、ステップＳ１２において、前記基底１上にアンカー層２が形成される。
例えば、前記アンカー層２の厚さは１０ｎｍ-３００ｎｍである。
アンカー層２の材料は高分子重合体、絶縁材料、樹脂、透明な光学接着剤、酸化物、およびフォトレジストなどから選択することができ、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリアリーレン、ポリチオフェン、グラフェン、ペンタセン、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリ３，４-エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）、ポリ３-ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）、ポリ-３-オクチルチオフェン(Ｐ３ＯＴ)、ポリＣ-６１-酪酸メチル（ＰＣＢＭ）、ポリ[２-メトキシ-５-（２-エチル-ヘキシルオキシ）-１，４-フェニレンビニレン]（ＭＥＨ-ＰＰＶ）、窒化ケイ素、シリカを含むが、これらに限定されるものではない。
その後、図９と図１０を参照して、ステップＳ１３において、前記アンカー層２上に金属ナノワイヤー層３を形成し、前記金属ナノワイヤー層３は第１の開口４を有し、前記アンカー層２を露出させる。
一実施形態では、前記第１の開口４の数１つに限らず、複数であってもよく、当業者は実際のニーズに応じて、第１の開口４の数を調整してもよい。
前記アンカー層２と前記基底１との付着力は前記基底１と金属ナノワイヤー層３との間の付着力より大きく、前記アンカー層２と金属ナノワイヤー層３との付着力は前記基底１と金属ナノワイヤー層３との間の付着力より大きいため、アンカー層２を追加することで、金属ナノワイヤー層３を前記基底１上によく付着させ、金属ナノワイヤー層３同士が移動しにくくなり、スプライスがより固くなる。
図１０に示すように、前記第１の開口４は第１の開口境界４１を有する。例えば、前記第１の開口境界４１は方形、円形等を呈し、前記基底１上に複数の前記金属ナノワイヤー層３を形成し、前記基底１上に各前記金属ナノワイヤー層３の平面視の形状は環状（角環または円環を含む）を呈する。表示パネル（例えば、タッチパネル）は配線領域を含み、複数の前記金属ナノワイヤー層３は前記配線領域に設けられ、前記配線領域の延在方向に沿って配列され、なお、狭額縁設計を図ることができるために、環状の辺の幅は、０.５μｍ〜１.２μｍ、例えば０.8μｍ、０.９μｍ、１μｍなどであってもよい。
該ステップ（ステップＳ１３)は、具体的に以下を含み、まず、金属ナノワイヤー溶液を塗布する。
前記金属ナノワイヤー溶液に複数の金属ナノワイヤーを有し、これらの金属ナノワイヤーは溶媒に分布している。
前記金属ナノワイヤー溶液の濃度は０.０１ｍｇ/ｍＬ〜１０ｍｇ/ｍＬであってもよく、例えば、０.０５ｍｇ/ｍＬ、０.１ｍｇ/ｍＬ、０.５ｍｇ/ｍＬ、１ｍｇ/ｍＬ、２ｍｇ/ｍＬ、３ｍｇ/ｍＬ、４ｍｇ/ｍＬ、５ｍｇ/ｍＬ、６ｍｇ/ｍＬ、7ｍｇ/ｍＬ、8ｍｇ/ｍＬ、９ｍｇ/ｍＬ等。実際のプロセス能力及び製品ニーズに応じて、当業者は前記金属ナノワイヤー溶液の濃度を柔軟に選択することができる。
この溶媒は、水、水溶液、有機溶媒、無機溶媒、イオン溶液、塩溶液、超臨界流体、油またはこれらの混合物などであってよい。該溶媒にはさらに他の添加剤、例えば分散剤、界面活性剤、架橋剤、湿潤剤または増粘剤が含まれるが、これに限定されるものではない。
前記金属ナノワイヤー溶液における金属ナノワイヤーは、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、パラジウム（Ｐｄ）等のナノワイヤであってもよい。銀は導電性及び透光性に優れる等という特徴を有するため、前記金属ナノワイヤーは銀ナノワイヤー（即ち、銀ナノワイヤー１０、図３に示す）であることが好ましい。これに対して、前記金属ナノワイヤー溶液は銀ナノワイヤー溶液であることが好ましい。
前記金属ナノワイヤー溶液の塗布は、従来の技術を用いて、完了することができ、例えば、塗布の方法としては、インクジェット、散布、凹版印刷、凸版印刷、フレキソ印刷、ナノインプリント、スクリーン印刷、ドクターブレード塗布、スピンコート塗布、スタイラスコーティング（ｓｔｙｌｕｓ ｐｌｏｔｔｉｎｇ)、スリットコート塗布またはフローコート塗布などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
次に、溶媒を蒸発させて、金属ナノワイヤー材料層を得るように、乾燥する。
乾燥の方法は自然乾燥、単純な焼成または加熱硬化などであってもよい。一実施形態では、真空減圧または赤外線加熱または熱風加熱などの方法で乾燥してもよく、時間は約５０ｓ〜１００ｓ、例えば、５５ｓ、６０ｓ、7０ｓ等などである。
その後、前記金属ナノワイヤー材料層をエッチングして、第１の開口４を形成し、前記アンカー層２を露出させて、前記金属ナノワイヤー層３を形成する。
前記エッチングはレーザエッチングプロセスまたは他の実行可能な操作を用いてもよく、ここで詳細に説明しない。
図１１及び図１２を参照して、ステップＳ１４において、前記アンカー層２を露出するように、前記金属ナノワイヤー層３上に前記第１の開口４と少なくとも部分的に重なる第２の開口６を有する配線層５を形成する。
一実施形態では、前記第２の開口６の数は１つに限らず、複数であってもよく、当業者は実際のニーズに応じて、第２の開口６の数を調整してもよい。
前記配線層５は前記金属ナノワイヤー層３のみに形成されてもよく、ここで、配線層５が第１の開口４に形成されないように、マスク層を利用してもよい。例えば、前記配線層５は前記金属ナノワイヤー層３とよく積層されてもよい。
前記第２の開口６は第２の開口境界６１を有し、前記第２の開口境界６１は前記第１の開口境界４１と一致してもよい。これに対して、前記第２の開口６は前記第１の開口４と一致してもよく、即ち、前記第１の開口４は前記第２の開口６に当てはまる。両者の形状と大きさとが一致し、境界が一致する。これは、製造プロセスの最適化に寄与し、マスクプレートを節約し、コストを低減することができる。
なお、前記第２の開口境界６１と前記第１の開口境界４１とは完全に一致しなくてもよく、例えば、前記第２の開口境界６１は前記金属ナノワイヤー層３上に位置してもよい。
一実施形態では、前記第１の開口４と前記第２の開口６は階段状であってもよく、具体的には、例えば、 前記第２の開口６の面積は前記第１の開口４の面積より大きく、前記第１の開口４は前記第２の開口６の範囲内に落ち込む。
あるいは、前記第２の開口６の面積は前記第１の開口４の面積より小さく、前記第２の開口６は前記第１の開口４の範囲内に落ち込む。
あるいは、前記第１の開口４は前記第２の開口６と少なくとも部分的にずれる。
従って、第１の開口４と第２の開口６の階段状の設計により、後続の形成された光学接着剤層7（図１３参照）と金属ナノワイヤー層３と配線層５の結合面積を増やして、結合力を高めて金属ナノワイヤー層３の付着力をより高めることができる。
前記配線層５は金属ナノワイヤー層３と直接接触することにより、接触抵抗を減少し、導通能力を向上させ、さらに、小さな接触面積で導通を実現でき、狭額縁設計を実現することができる。
図１３および図１４を参照して、ステップＳ１５において、前記配線層５上に、前記第２の開口および前記第１の開口に充填されて前記アンカー層に接続される光学接着剤層7を形成する。本願における光学接着剤層7の具体的な位置構造をよりよく理解するために、ここで、図１４は破線枠で第２の開口境界６１を示す。
また、本願の一実施形態は、上述した前記導電積層構造を備える表示パネルを提供する。
前記表示パネルは携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲーターなどの表示機能を有する製品または部品に適用する可能性がある。
本願の実施形態は、上述した前記導電積層構造を備えるタッチパネルをさらに提供する。
前記タッチパネルは携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲーターなどのタッチ操作機能を有する製品または部品に適用することができる。
前記表示パネルは、例えば、前記タッチパネルを含んでもよい。
本願の一実施形態は、上述した前記導電積層構造を備える表示装置を提供する。例えば、前記表示装置は携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲーターなどの表示機能を有する製品または部品であってもよい。
上述によって、本願に係る導電積層構造は、基底と、前記基底上に位置するアンカー層と、前記アンカー層上に位置し、前記アンカー層を露出するように、第１の開口を有する金属ナノワイヤー層と、前記金属ナノワイヤー層上に位置し、前記アンカー層を露出するように、前記第１の開口と少なくとも部分的に重なる第２の開口を有する配線層と、前記配線層上に設けられ、前記第２の開口と前記第１の開口に充填されて、前記アンカー層に接続されている光学接着剤層とを備える。金属ナノワイヤー層は配線層に直接接触することにより、導通能力を向上させ、接触面積が０.１ｍｍ２以下であればよく、従来技術の接触面積が０.２５ｍｍ２より大きいことに比べて、接触面積を減らし、よって、配線層は比較的狭くであってもよく、狭額縁設計を実現できる。また、アンカー層を借りて、金属ナノワイヤー層の付着力を高めることができ、開口に光学接着剤層が設けられることで、金属ナノワイヤー層に対するアンカー作用を強め、付着力を向上させることができる。
さらに、第１の開口と第２の開口の大きさと位置関係を調整することにより、第１の開口と第２の開口を階段状にすることができ、光学接着剤層と金属ナノワイヤー層と配線層との結合面積を増やして、結合力を高めて金属ナノワイヤー層の付着力をより高めることができる。
顕然に、当業者であれば、本願の精神及び範囲から逸脱しないで本願に様々な修正及び変更できる。このように、本願のこれらの修正および変更が、本発明の請求項およびその均等の技術の範囲に属する場合に、本願はそのような修正および変更を含むことも意図される。

Claims (20)

  1. 導電積層構造であって
    基底と、
    前記基底上に位置するアンカー層と、
    前記アンカー層上に位置し、第１の開口を有し、前記アンカー層を露出する金属ナノワイヤー層と、
    前記金属ナノワイヤー層上に位置し、前記第１の開口と少なくとも部分的に重なり、前記アンカー層を露出する第２の開口を有する配線層と、
    前記配線層上に設けられ、前記第２の開口と前記第１の開口に充填されて、前記アンカー層に接続されている光学接着剤層と、備える導電積層構造。
  2. 前記第２の開口の面積は前記第１の開口の面積より大きく、前記第１の開口は前記第２の開口の範囲内に落ち込む請求項１に記載の導電積層構造。
  3. 前記第２の開口の面積は前記第１の開口の面積より小さく、前記第２の開口は前記第１の開口の範囲内に落ち込む請求項１に記載の導電積層構造。
  4. 前記第１の開口と前記第２の開口は少なくとも部分的にずれる請求項１に記載の導電積層構造。
  5. 前記第１の開口の面積は前記第２の開口の面積に等しく、前記第１の開口の境界は前記第２の開口の境界と一致する請求項１に記載の導電積層構造。
  6. 前記基底上に複数の前記金属ナノワイヤー層が形成され、前記基底上に各前記金属ナノワイヤー層の平面視の形状は環状を呈して、前記環状の中心開口は前記第１の開口である請求項１に記載の導電積層構造。
  7. 前記環状の辺の幅は０.５μｍ-１.２μｍである請求項６に記載の導電積層構造。
  8. 前記アンカー層の厚さは１０ｎｍ-３００ｎｍである請求項１に記載の導電積層構造。
  9. 前記第１の開口と前記第２の開口いずれも複数である請求項１に記載の導電積層構造。
  10. 前記アンカー層の材料は、高分子重合体、絶縁材料、樹脂、透明な光学接着剤、酸化物、およびフォトレジストの少なくとも１種である請求項１に記載の導電積層構造。
  11. 前記アンカー層の厚さは１０ｎｍ-３００ｎｍである請求項１０に記載の導電積層構造。
  12. 導電積層構造の製造方法であって、
    ひとつの基底を提供するステップと、
    前記基底上にアンカー層を形成するステップと、
    前記アンカー層を露出するように、前記アンカー層上に第１の開口を有する金属ナノワイヤー層形成するステップと、
    前記アンカー層を露出するように、前記金属ナノワイヤー層上に前記第１の開口と少なくとも部分的に重なる第２の開口を有する配線層を形成するステップと、
    前記配線層上に、前記第２の開口と前記第１の開口に充填されて、前記アンカー層に接続されている光学接着剤層を形成するステップとを含む導電積層構造の製造方法。
  13. 前記アンカー層上に金属ナノワイヤー層を形成するステップは、
    金属ナノワイヤー溶液を塗布することと、
    前記金属ナノワイヤー溶液の溶媒を蒸発させて、金属ナノワイヤー材料層を得るように、乾燥することと、
    第１の開口を形成して、前記アンカー層を露出させて前記金属ナノワイヤー層を形成するように、前記金属ナノワイヤー材料層をエッチングすることとを含む請求項１２に記載の導電積層構造の製造方法。
  14. 前記金属ナノワイヤー溶液に複数の金属ナノワイヤーを有し、前記金属ナノワイヤーは溶媒に分布していてる請求項１３に記載の導電積層構造の製造方法。
  15. 前記金属ナノワイヤー溶液の濃度は０.０１ｍｇ/ｍＬ〜１０ｍｇ/ｍＬである請求項１３に記載の導電積層構造の製造方法。
  16. 前記金属ナノワイヤー溶液の溶媒は水、イオン溶液、塩溶液、超臨界流体または油のいずれか１種である請求項１４に記載の導電積層構造の製造方法。
  17. 前記溶媒にさらに分散剤、界面活性剤、架橋剤、湿潤剤または増粘剤のうちの少なくとも１種を含む請求項１６に記載の導電積層構造の製造方法。
  18. 前記金属ナノワイヤー溶液の溶媒を蒸発させる前記乾燥ステップで、前記乾燥は真空減圧または赤外線加熱または熱風加熱を用いて、前記乾燥の時間は５０ｓ〜１００ｓである請求項１３に記載の導電積層構造の製造方法。
  19. 表示パネルであって、請求項１に記載の前記導電積層構造を備える表示パネル。
  20. 前記表示パネルは配線領域を含み、複数の前記金属ナノワイヤー層は前記配線領域に設けられ、前記配線領域の延在方向に沿って配列される請求項１９に記載の表示パネル。
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Families Citing this family (1)

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Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112005000224T5 (de) * 2004-01-30 2006-12-28 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Blatt zur Abschirmung elektromagnetischer Wellen und Verfahren zu dessen Herstellung
GB201007669D0 (en) * 2010-05-07 2010-06-23 Epigem Ltd Composite electrode for molecular electronic devices and method of manufacture thereof
KR101415589B1 (ko) * 2012-03-23 2014-07-04 엘지이노텍 주식회사 데코 인쇄 필름 및 터치 패널
US9268446B2 (en) 2013-02-06 2016-02-23 Nanchang O-Film Tech. Co., Ltd. Monitor, touchscreen sensing module thereof, and method for manufacturing the touchscreen sensing module
CN103105970B (zh) 2013-02-06 2014-09-17 南昌欧菲光科技有限公司 触摸屏感应模组及包含该触摸屏感应模组的显示器
CN103294271A (zh) 2013-05-30 2013-09-11 南昌欧菲光科技有限公司 触摸屏导电膜及其制作方法
CN106104444B (zh) * 2014-03-25 2019-03-08 凸版印刷株式会社 透明导电性层叠体及具备透明导电性层叠体的触摸面板
CN104020888A (zh) * 2014-05-30 2014-09-03 南昌欧菲光科技有限公司 触摸屏
CN105224150B (zh) * 2014-06-12 2019-03-01 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控面板
CN105183246B (zh) * 2014-06-12 2018-09-28 宸鸿科技(厦门)有限公司 电容式触控面板
CN105204695B (zh) 2014-06-12 2018-08-21 宸鸿科技(厦门)有限公司 纳米银线导电层叠结构及电容式触控面板
WO2016024760A1 (ko) 2014-08-14 2016-02-18 엘지이노텍 주식회사 터치윈도우
KR102522012B1 (ko) * 2015-12-23 2023-04-13 삼성전자주식회사 전도성 소자 및 이를 포함하는 전자 소자
CN207397244U (zh) * 2017-09-22 2018-05-22 昆山国显光电有限公司 电连接结构及应用其的触控屏、显示装置
TWI622917B (zh) * 2017-09-29 2018-05-01 友達光電股份有限公司 觸控裝置
CN107622990B (zh) * 2017-10-13 2021-04-06 京东方科技集团股份有限公司 一种触控基板及其制作方法、显示装置
CN108899110A (zh) * 2018-06-30 2018-11-27 云谷（固安）科技有限公司 导电层叠结构及其制备方法、显示面板

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