JP2020531873A5

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Publication number: JP2020531873A5
Application number: JP2018562619A
Authority: JP
Filing date: 2018-04-11
Publication date: 2021-05-13
Anticipated expiration: 2038-04-11

Description

しかしながら、クロック信号端子ＣＬＫからの信号が駆動トランジスタＭ３を介してシフトレジスタ回路の信号出力端子ＯＵＴＰＵＴに転送される場合、クロック信号端子ＣＬＫで発生したノイズは、駆動トランジスタＭ３を介してシフトレジスタ回路の信号出力端子ＯＵＴＰＵＴに結合することができる。このノイズは、等価的に次のように表すことができる。

アクティブ領域１０は、垂直及び水平に交差する複数のゲート線ＧＬ及び複数のデータ線ＤＬを含む。交差するゲート線ＧＬ及びデータ線ＤＬは、マトリクス状に配列された複数のサブ画素２２を定義する。アクティブ領域１０の中央部に位置するサブ画素２２は、複数の他のサブ画素２２によって囲まれる。しかしながら、アクティブ領域１０のエッジに位置するサブ画素２２の一側は、非アクティブ領域１１に近接しているため、アクティブ領域１０の非アクティブ領域１１に近接する側に位置する他のサブ画素２２によって囲まれていない。この場合、アレイ基板の製造工程の制約から、通常、アクティブ領域１０の中央部の複数のサブ画素２２のパターンと、アクティブ領域１０のエッジのサブ画素のパターンとは異なる。例えば、エッチング工程では、通常、アクティブ領域の中間部とエッジとのエッチング液の濃度が異なる。

いくつかの実施例において、この問題を解決するために、アクティブ領域１０内のゲート線ＧＬ及びデータ線ＤＬは、非アクティブ領域１１に延長することができ、これにより、非アクティブ領域１１のアクティブ領域１０に近接する部分内に、ゲート線ＧＬとデータ線ＤＬの延長部分によって定義された複数の行又は列のダミーサブ画素２１が形成される。このように、アクティブ領域１０のエッジに位置するサブ画素２２は、非アクティブ領域１１に近接する側に位置するダミーサブ画素２１によって取り囲まれる。これにより、エッチング工程において、アクティブ領域１０内のエッチング液の濃度の均一性が向上され、且つアクティブ領域１０内のサブ画素２２のパターンがより均一化される。

いくつかの実施例において、図３に示すように、ダミーサブ画素２１及びサブ画素２２の各々には、いずれも画素電極３０が設けられる。

いくつかの実施例において、アレイ基板は、非アクティブ領域１１内に位置されたゲート駆動回路２０をさらに含む。ゲート駆動回路２０は、ダミーサブ画素２１よりもアクティブ領域１０から離れる。

いくつかの実施例において、補助キャパシタ４０は、シフトレジスタ回路ＲＳ内のブーストラップキャパシタＣｓｔの少なくとも一部を形成する。例えば、ブーストラップキャパシタＣ_ｓｔの一部がシフトレジスタ回路内に配置され、他の一部が補助キャパシタ４０としてダミーサブ画素２１に配置される。いくつかの実施例において、ブーストラップキャパシタＣ_ｓｔの全体は、補助キャパシタ４０としてダミーサブ画素２１に配置される。このように、補助キャパシタ４０を有するダミーサブ画素２１の数を増やすことにより、ブーストラップキャパシタＣ_ｓｔの容量を向上させることができ、これにより、シフトレジスタ回路ＲＳに結合されたクロック信号端子から入力される信号に起因するシフトレジスタ回路ＲＳの信号出力端子ＯＵＴＰＵＴのカップリングノイズが低減される。また、ブーストラップキャパシタＣ_ｓｔ全体の一部又は全部が補助キャパシタ４０としてダミーサブ画素２１中に位置されるため、シフトレジスタ回路ＲＳ内のブーストラップキャパシタＣ_ｓｔの面積を小さくすることができ、非アクティブ領域１１の配線空間におけるブートストラップキャパシタＣ_ｓｔの占有面積が減少される。これにより、狭額縁設計が容易になる。補助キャパシタ４０は、ブートストラップ回路ＲＳのブーストラップキャパシタＣ_ｓｔの少なくとも一部を構成するため、シフトレジスタ回路ＲＳ内のブーストラップキャパシタＣ_ｓｔの容量が面積の減少に伴い減少されても、ダミーサブ画素２１の存在により、補助キャパシタ４０としてのブートストラップキャパシタＣ_ｓｔ全体の容量は減少せず、あえて増加している。また、ダミーサブ画素２１は表示に使用されないため、ダミーサブ画素２１に配置された補助キャパシタ４０は表示効果に影響を与えない。

共通電極３１と画素電極３０とは、異なる層に配置される。この場合、本開示は、画素電極３０及び共通電極３１が上層に位置するか、又は下層に位置するかについては限定されない。例えば、いくつかの実施例において、図５に示すように、画素電極３０と共通電極３１は、いずれもベース基板０１の上に位置する。共通電極３１は、画素電極のベース基板０１とは反対側に配置される。共通電極３１は帯状の電極からなり、画素電極３０は平面状の電極である。いくつかの実施例において、図６に示すように、画素電極３０と共通電極３１は、いずれもベース基板０１の上に位置する。画素電極３０は、共通電極３１のベース基板０１とは反対側に配置される。画素電極３０は帯状の電極からなり、共通電極３１は平面状の電極である。図６の画素電極３０と共通電極３１の上面図は、図３に示すようである。

また、いくつかの実施例において、上述したような異なる層に配置される共通電極３１と画素電極３０を有するアレイ基板は、ＡＤ−ＳＤＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ−Ｓｕｐｅｒ−ＤｉｍｅｎｓｉｏｎａｌＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）型の液晶表示装置の製造に適用することができる。図６に示すように、このＡＤ−ＳＤＳ型の液晶表示装置が表示する時、同一平面内に位置する画素電極３０の帯状電極の間に発生する平行電界、及び画素電極３０と共通電極３１の間に発生する縦電界は、多次元電界を形成することができる。このように、帯状電極間及び画素電極３０と共通電極３１との間に位置する液晶ボックス内の全ての配向液晶分子は、回転変換を起こすことにより、平面配向における液晶の操作効率を向上させ、光透過効率を向上させることができる。

本開示は実施例におけるトランジスタの種類を限定しない。いくつかの実施例において、トランジスタは、Ｎ型トランジスタ又はＰ型トランジスタである。いくつかの実施例において、上記のトランジスタの第１の電極はソース電極であり、第２の電極はドレイン電極である。駆動トランジスタＭ３がＮ型トランジスタである場合を例にすると、駆動トランジスタＭ３の第１の電極は、信号出力端子ＯＵＴＰＵＴに結合される。したがって、駆動トランジスタＭ３の第１の電極はソース電極である。駆動トランジスタＭ３の第２の電極はドレイン電極である。駆動トランジスタＭ３のドレイン電極は、クロック信号端子ＣＬＫに結合される。

いくつかの実施例において、パターニング工程は、フォトエッチング工程、又はフォトエッチング工程＋エッチングステップを含む。このパターニング工程は、プリセットパターンを形成するための印刷、インクジェット及び他の工程を含むこともできる。フォトエッチング工程は、成膜、露光、現像などのステップを含むことができ、これらのステップは、フォトレジスト、マスク板、露光機などを用いてパターンを形成する。本開示の実施例に形成された構造によって特定のパターニング工程を選択することができる。

この場合、第１のゲート駆動回路２０１及び第２のゲート駆動回路２０２において、同一段の２つのシフトレジスタ回路（例えば、ＲＳ１、ＲＳ１’）は、それぞれ同じゲート線（例えば、ＧＬ１）の両端に結合される。このように、第１のゲート駆動回路２０１と第２のゲート駆動回路２０２は、それぞれゲート線ＧＬの左端と右端にゲート駆動信号を入力し、ディスプレイの相対的に大きいサイズが大きいによる信号遅延の現象が減少される。