JP2020531813A - 帯電防止性防汚層の形状分析のための試片及びその製作方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、帯電防止性防汚層の形状を分析するための試片及びその製作方法に関するものであって、高分子基材上に形成された導電性高分子を含む帯電防止性防汚層上にＰｔをコーティングすることにより、導電性高分子によるＰｔの拡散及び防汚層の染色効果によって、高分子基材層と帯電防止性防汚層との明暗差を発生させた。これにより、ＴＥＭを用いて高分子基材上に形成された帯電防止性防汚層の形状をより明確に区分することができる。
Description
本願は、２０１７年１２月７日付の大韓民国特許出願１０−２０１７−０１６７１５１号に基づいた優先権の利益を主張し、当該大韓民国特許出願の文献に開示されたあらゆる内容は、本明細書の一部として含まれる。
本発明は、帯電防止性防汚層の形状分析に使われる試片及びその製作方法に係り、特に、ＴＥＭを用いて帯電防止性防汚層の形状分析に有用な試片及びその製作方法に関する。
偏光板保護フィルムは、ＬＣＤ製造工程で偏光板及びバックライトユニットに粘着させて、製品表面を保護する役割を果たす。前記偏光板保護フィルムとしては、一般的にＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）フィルムが使われるが、フィルムの汚染を防止するために、数十ｎｍの厚さの防汚層をコーティングして使用する。また、このような保護フィルムは、工程上、ＬＣＤモジュール（ＬＣＤ ｍｏｄｕｌｅ）生産過程の最後の段階で除去されるが、フィルム剥離時に発生する約１ｋＶから５ｋＶの弱い静電気のために、不良が発生し、不良率は、約２０％程度と知られている。したがって、静電気による不良を防止するために、ポリウレタン（ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）のようなバインダーにＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ［ｐｏｌｙ（３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ ｓｕｌｆｏｎａｔｅ］のような導電性高分子を混合して製造された帯電防止性防汚層をＰＥＴフィルムにコーティングして使用している。
本発明が解決しようとする課題は、高分子基材上に形成された帯電防止性防汚層の形状を、ＴＥＭを用いてより明確に分析することができる試片及びそれを製作する方法を提供するところにある。
また、本発明は、前記試片を使用して高分子基材上に形成された帯電防止性防汚層の形状を分析する方法を提供することである。
本発明は、前述した課題を解決するために、高分子基材；前記高分子基材上に形成された導電性高分子を含む帯電防止性防汚層；及び前記帯電防止性防汚層上に形成されたＰｔコーティング層；を含む帯電防止性防汚層の形状を分析するための試片を提供する。
一実施例によれば、前記Ｐｔコーティング層上に炭素保護層をさらに含みうる。
本発明は、また、帯電防止性防汚層の形状を分析するための試片の製作方法であって、高分子基材上に導電性高分子を含む帯電防止性防汚層を形成する段階；及び前記帯電防止性防汚層上に直接Ｐｔコーティング層を形成する段階；を含む方法を提供する。
一実施例によれば、前記Ｐｔコーティング層上に炭素保護層を形成する段階をさらに含みうる。
一実施例によれば、前記導電性高分子が、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを含むものである。
一実施例によれば、前記帯電防止性防汚層が、２〜２０重量％の導電性高分子及び８０〜９８重量％の高分子樹脂バインダーを含む組成物から製造されるものである。
一実施例によれば、前記帯電防止性防汚層の厚さが、３０〜２００ｎｍであり得る。
一実施例によれば、前記Ｐｔコーティング層の厚さが、５〜２０ｎｍであり得る。
また、本発明の他の課題を解決するために、前述した方法で製作された試片に対してＴＥＭを用いて帯電防止性防汚層の形状を分析する方法を提供する。
本発明は、高分子基材上に形成された導電性高分子を含む帯電防止性防汚層上にＰｔを直接にコーティングして、導電性高分子によるＰｔの拡散（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）及び防汚層の染色効果によって、高分子基材層と帯電防止性防汚層との明暗（ｃｏｎｔｒａｓｔ）差を発生させることにより、ＴＥＭを用いて高分子基材上に形成された帯電防止性防汚層の形状をより明確に区分可能にした。
本発明は、多様な変換を加え、さまざまな実施例を有することができるので、特定実施例を図面に例示し、詳細な説明で詳細に説明する。しかし、これは、本発明を特定の実施形態に対して限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる、あらゆる変換、均等物または代替物を含むものと理解しなければならない。本発明を説明するに当って、関連した公知技術についての具体的な説明が、本発明の要旨を不明にする恐れがあると判断される場合、その詳細な説明を省略する。
本発明は、ＴＥＭを用いて帯電防止性防汚層の形状をＴＥＭを用いて分析するのに有用な試片及びその製作方法に関するものである。
ここで、ＴＥＭとは、あらゆる種類の透過電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＴＥＭ）を含み、例えば、一般ＴＥＭ（Ｕｎｉｖｅｒｓｉａｌ ｄｅｓｉｇｎ ＴＥＭ）、ＳＴＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）、ＦＥ−ＴＥＭ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）などをいずれも含むものと理解しなければならない。
導電性高分子を含んだ帯電防止機能を有した防汚層をコーティングした偏光板保護フィルムは、防汚層の厚さによって、表面抵抗が変わる傾向を示すことができるが、このような防汚層の厚さと表面抵抗との相関関係を確認するために分析のためには、保護フィルム上に形成された帯電防止性防汚層の厚さが明確に測定されなければならない。
しかし、一般的に防汚層の厚さは、約５０ｎｍに非常に薄く、基材と防汚層いずれも炭素化合物であるために、明暗対比が小さくて、電子顕微鏡を活用した防汚層の観察が難しいという問題があった。
本発明は、このような従来の問題を解決するために、高分子基材；前記高分子基材上に形成された導電性高分子を含む帯電防止性防汚層；及び前記帯電防止性防汚層上に直接形成されたＰｔコーティング層；を含む帯電防止性防汚層の形状を分析するための試片を提供する。
望ましい実施例によれば、前記Ｐｔコーティング層上に炭素保護層をさらに含む。
また、本発明は、帯電防止性防汚層の形状を分析するための試片の製作方法であって、高分子基材上に導電性高分子を含む帯電防止性防汚層を形成する段階；及び前記帯電防止性防汚層上に直接Ｐｔコーティング層を形成する段階；を含む方法を提供する。
本発明によれば、帯電防止性防汚層の表面に直接Ｐｔをコーティングした後、ＴＥＭイメージを測定することにより、帯電防止性防汚層と基材とが明確に区別されて表われるようにする。
本発明において、Ｐｔコーティングは、スパッタリングのように当業者に公知の技術を使用し、特に制限されるものではない。
また、前記Ｐｔコーティング層上に炭素保護層を形成する段階をさらに含みうる。炭素保護層は、油性ペンのような有機物インクペンを使用して関心領域に引くように当業者に公知の技術を使用して形成され、特に制限されるものではない。
特に、ＴＥＭ分析のための試片の製作のために、集束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ：ＦＩＢ）を使用する場合、Ｐｔコーティング層上に炭素保護層を形成することが望ましい。
一般的に、高分子試料のＦＩＢを利用した薄片を製作する場合、イオンビーム（Ｉｏｎ ｂｅａｍ）に対して相対的に弱い高分子表面を保護するために、炭素保護層（ｃａｒｂｏｎ ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）を形成した以後、Ｐｔコーティングを進行する方法で前処理された。しかし、このような従来の方法では、高分子基材と防汚層とがいずれも炭素化合物からなって、明暗差が発生しないために、高分子基材上に形成された防汚層の厚さ及び形状の観察に難点があった。
本発明は、高分子試料のＴＥＭ薄片を製作する方法において、炭素保護層形成以後に進行したＰｔコーティングを防汚層上に直接に行うことにより、前記防汚層に含まれた導電性高分子によってＰｔが拡散及び染色される効果が得られ、このような効果によって、Ｐｔコーティング層、防汚層及び基材層の明暗が発生して、前記Ｐｔコーティング層、防汚層及び基材層の境界が明確に区分されることにより、基材上に形成された防汚層の形状及び厚さをより明確に測定することができる。
前記帯電防止性防汚層は、当業者に公知の方法で形成され、特に制限されるものではない。例えば、２〜２０重量％の導電性高分子及び８０〜９８重量％の高分子樹脂バインダーを含む組成物から製造可能であり、必要に応じて多様な添加剤をさらに含みうる。前記導電性高分子の含量は、防汚層形成用組成物の総重量を基準に２〜２０重量％、望ましくは、２〜１５重量％、より望ましくは、２〜１０重量％であり得る。
一実施例によれば、前記導電性高分子は、ポリチオフェン系、ポリピロール系、ポリスチレン系、及びポリアニリン系からなる群から選択される１つ以上であり、望ましくは、ポリチオフェン系、ポリスチレン系導電性高分子であり得る。
一般的に、前記帯電防止性防汚層に使われる導電性高分子としては、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）が分散されている水分散液にポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）をドーパント（ｄｏｐａｎｔ）で添加した形態の導電性高分子であるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳが主に使われ、帯電防止性防汚層にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ適用後、表面抵抗が低くなることを確認することができる。しかし、これらに限定されるものではなく、公知の導電性高分子を制限なしに使用することができる。
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは、下記化学式１で示したように、２つのアイオノマー（ｉｏｎｏｍｅｒ）が結合された高分子である。スルホン化ポリスチレン（Ｓｕｌｆｏｎａｔｅｄ ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）のスルホニル（ｓｕｌｆｏｎｙｌ）基が負電荷（ｎｅｇａｔｉｖｅ ｃｈａｒｇｅ）を、ＰＥＤＯＴのポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）部分が正電荷（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｃｈａｒｇｅ）を有し、簡単なドーピング（ｄｏｐｉｎｇ）のみで１０００Ｓ／ｃｍほどの高い電気伝導度を示すことができる。
［化学式１］
［化学式１］
また、前記高分子樹脂バインダーとしては、ポリエステル系、ポリウレタン系、アクリル樹脂系、ポリビニル系、ポリオレフィン系からなる群から選択される１つ以上の高分子樹脂を含むものであり、望ましくは、ポリウレタン系高分子を含むものである。
前記保護フィルムとして使われる高分子基材は、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリスルホン酸塩、ポリカーボネート、ポリアクリル酸、ポリエチレン、ポリプロピレンなどからなる群から選択される１つ以上の高分子を含むものである。
一実施例によれば、前記帯電防止性防汚層の厚さは、３０〜２００ｎｍ、望ましくは、３０〜１５０ｎｍであり得る。
一実施例によれば、前記Ｐｔコーティング層の厚さは、５〜２０ｎｍであり、望ましくは、５〜１５ｎｍ、より望ましくは、５〜１０ｎｍの厚さにコーティングされる。
本発明は、前記導電性高分子を含む帯電防止性防汚層にＰｔが直接にコーティングされることによって、前記Ｐｔコーティング層に含まれた防汚層内に拡散されながら、電子顕微鏡前処理技法のうち、染色のような前処理効果を与えて、基材と防汚層との間の明暗差を誘導することができる。例えば、防汚層内の導電性高分子であるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの負電荷とＰｔコーティング時に発生するＰｔ金属の正電荷とのイオン性相互作用（ｉｏｎｉｃ ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎ）が発生して、Ｐｔが防汚層内に拡散されて、基材との明暗差が発生しうる。
一実施例によれば、前記帯電防止性防汚層に含まれたＰｔの含量が、Ｐｔコーティング層との距離に関係なく防汚層全体の領域でほぼ一定の含量で分布される。前記防汚層内にＰｔ含量を分析した結果、テイル（ｔａｉｌ）状を示す一般的な拡散プロファイル（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｐｒｏｆｉｌｅ）とは異なって、防汚層の全体領域でほぼ一定の含量を保持していて、防汚層の端部領域でＰｔ含量が階段状に減少するプロファイル（ｐｒｏｆｉｌｅ）を示した。これは、単にＰｔが防汚層に拡散されたものではなく、一種の反応を通じて防汚層のみを染色させる効果を与えるということを示すものである。
以下、当業者が容易に実施できるように、本発明の実施例について詳しく説明する。しかし、本発明は、さまざまな異なる形態として具現可能であり、ここで説明する実施例に限定されるものではない。
＜分析装備＞
−Ｐｔ ｃｏａｔｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍ（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｅ−１０３０）
試料表面を保護し、チャージング（ｃｈａｒｇｉｎｇ）現象を減少させようとし、１００秒間スパッタリングを進行して、コーティング厚さは１０ｎｍに予想された。
試料表面を保護し、チャージング（ｃｈａｒｇｉｎｇ）現象を減少させようとし、１００秒間スパッタリングを進行して、コーティング厚さは１０ｎｍに予想された。
−炭素保護層は、有機物インクを使用する油性ペンを活用して観察しようとする関心領域上に引いて、塗布して形成した。
−Ｄｕａｌ ｂｅａｍ ｆｏｃｕｓｅｄ ｉｏｎ ｂｅａｍ（ＦＥＩ Ｈｅｌｉｏｓ４５０Ｆ１）
１００ｎｍの厚さ以下の薄い薄片を製作するために使用した。イオンビームの電流（ｃｕｒｒｅｎｔ）を９．３ｎＡ、８０ｐＡに低めながら、順次に加工した。
１００ｎｍの厚さ以下の薄い薄片を製作するために使用した。イオンビームの電流（ｃｕｒｒｅｎｔ）を９．３ｎＡ、８０ｐＡに低めながら、順次に加工した。
−ＴＥＭ（ＦＥ−ＳＴＥＭ、ＴＩＴＩＡＮ Ｇ２ ８０−２００ Ｃｈｅｍｉ−ＳＴＥＭ）
防汚層の観察のために使用した（加速電圧：８０〜２００ｋＶ、分解能：ｐｏｉｎｔ ｏｆ ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ（２４０ｐｍ）、Ｅｎｅｒｇｙ ｓｐｒｅａｄ：０．８Ｅｖ）。
防汚層の観察のために使用した（加速電圧：８０〜２００ｋＶ、分解能：ｐｏｉｎｔ ｏｆ ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ（２４０ｐｍ）、Ｅｎｅｒｇｙ ｓｐｒｅａｄ：０．８Ｅｖ）。
＜比較例１：ＰＥＴ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ−ＰＵ／ｃａｒｂｏｎ ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ／Ｐｔ＞
ＰＥＴ基材上にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ導電性高分子３重量％及びポリウレタン（ＰＵ）バインダー９７重量％を含む組成物を用いて帯電防止性防汚層を、約５０ｎｍの厚さを目標厚さに形成した。以後、前記帯電防止性防汚層の表面を保護するために、炭素保護層を行った後、前記炭素保護層上にＰｔコーティング層を１０ｎｍの厚さに形成して、ＰＥＴ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ−ＰＵ／ｃａｒｂｏｎ ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ／Ｐｔの順序で積層された積層体を製造した。ＦＩＢを用いてＴＥＭ測定のための前記積層体の試片を製作した。前記製造された試片のＦＥＴＥＭ ＳＴＥＭ ＢＦイメージを図１に示した。
前記のように前処理された試片の場合、防汚層が炭素（ｃａｒｂｏｎ）系の薄い層であり、ＰＥＴ及び炭素保護層も、炭素系の物質なので、ＴＥＭイメージ上で明暗差が発生せず、防汚層の区分の難点が分かる。
＜実施例１：ＰＥＴ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ−ＰＵ／Ｐｔ／ｃａｒｂｏｎ ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ＞
ＰＥＴ基材上にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ導電性高分子３重量％及びポリウレタン（ＰＵ）バインダー９７重量％を含む組成物を用いて帯電防止性防汚層を、約５０ｎｍの厚さを目標厚さにして形成した。前記帯電防止性防汚層上にＰｔコーティング層を１０ｎｍの厚さに形成した後、炭素保護層を形成して、ＰＥＴ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ−ＰＵ／Ｐｔ／ｃａｒｂｏｎ ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎの順序で積層された積層体を製造した。ＦＩＢを用いてＴＥＭ測定のための前記積層体の試片を製作した。前記製造された試片のＦＥＴＥＭ ＳＴＥＭ ＢＦイメージを図２に示した。
図２の結果から示されるように、炭素化合物に比べて相対的に暗く観察されるＰｔコーティング層のために、防汚層と炭素保護層との境界を区分することができた。また、Ｐｔコーティング層下のＰｔコーティング層と明暗が異なる層とが追加的に観察され、これは、防汚層ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）厚さと類似した約５０ｎｍに測定された。これにより、前記防汚層は、炭素化合物のみでなされた高分子基材であるＰＥＴ層と明確な明暗を示すことができるということが分かる。また、ＴＥＭイメージでＰＥＴ基材と防汚層との境界が平坦に観察され、全般的に層の厚さが一定に形成されたことを明確に区分することができた。
これにより、防汚層のＥＤＳ成分分析を進行して、防汚層内のＰｔ含量を分析した。前記分析結果を図３Ａ及び図３Ｂに示した。前記ＥＤＳ分析結果、防汚層内部でＰｔが検出され、ラインスキャン（ｌｉｎｅ ｓｃａｎ）結果、図３Ｂのように、防汚層内でＰｔコーティング層との距離に関係なく一定の含量のＰｔが検出されることを確認することができた。前記結果からＰｔコーティング層のＰｔが防汚層内に拡散され、Ｐｔの拡散のために、防汚層に相対的に暗い明暗が付与されて、高分子基材上に形成された防汚層を明確に観察することができるということが分かる。
また、本発明の一種の特異点としては、距離によって、その含量が次第に減少するテイル状を示す一般的な拡散特性とは異なって、前記防汚層内部から測定されたＰｔ含量が防汚層内部でほぼ一定していて、防汚層の端部領域でＰｔ含量が階段状に減少するプロファイルを示すということであるが、これは、単にＰｔが防汚層に単に拡散されるものではなく、一種の反応を通じて防汚層のみを染色させる効果を与えたと見られ、これは、防汚層に含まれたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳとの反応のためであると推測することができる。
＜比較例２：ＰＥＴ／ＰＵ／Ｐｔ／ｃａｒｂｏｎ ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ＞
ＰＥＴ基材上にポリウレタン（ＰＵ）バインダーを含む組成物を用いて帯電防止性防汚層を、約５０ｎｍの厚さを目標厚さにして形成した。前記帯電防止性防汚層上にＰｔコーティング層を１０ｎｍの厚さに形成した後、炭素保護層を形成して、ＰＥＴ／ＰＵ／Ｐｔ／ｃａｒｂｏｎ ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎの順序で積層された積層体を製造した。ＦＩＢを用いてＴＥＭ測定のための前記積層体の試片を製作した。前記製造された試片のＦＥＴＥＭ ＳＴＥＭ ＢＦイメージを図４に示した。
前記のように、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ導電性高分子なしにポリウレタン（ＰＵ）のみを同じ厚さにコーティングして得た試片では、図４で示されるように、防汚層が観察されず、Ｐｔコーティング層のみが確認された。
したがって、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳが、Ｐｔコーティング層のＰｔを防汚層に拡散させ、それと同時に、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳとの反応を誘導して、ＴＥＭイメージで防汚層を観察可能にしたことを確認することができる。前記拡散反応は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの負電荷とＰｔ（ｍｅｔａｌ）の正電荷とがイオン性相互作用によることを推測することができる。
＜実施例２：厚さ別の防汚層の傾向分析＞
５０ｎｍと１５０ｎｍのターゲット厚さにして、２種の試片を製作した。
ＰＥＴ基材上にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ導電性高分子３重量％及びポリウレタン（ＰＵ）バインダー９７重量％を含む組成物を用いて帯電防止性防汚層を、約５０ｎｍ及び１５０ｎｍの厚さを目標厚さにして形成した。前記帯電防止性防汚層上にＰｔコーティング層を１０ｎｍの厚さに形成した後、炭素保護層を形成して、ＰＥＴ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ−ＰＵ／Ｐｔ／ｃａｒｂｏｎ ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎの順序で積層された積層体を製造した。ＦＩＢを用いてＴＥＭ測定のための前記積層体の試片を製作した。
前記製造された試片のＴＥＭイメージを図５に示した。ターゲット５０ｎｍの厚さの試片は、約２５ｎｍに、ターゲット１５０ｎｍの厚さの試片は、約６０ｎｍに測定された。測定厚さが予想厚さよりも薄く測定されたが、これは、実験室で製作した試片であって、ターゲット厚さよりも薄くコーティングされたと予想することができる。しかし、厚さの差が約３倍程度に厚さの傾向が一致することを確認した。
前記結果からＰｔコーティングという単純な前処理を通じてＴＥＭイメージで防汚層を明確に観察するだけではなく、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳによってＰｔコーティング層のＰｔが防汚層に拡散されて反応したことが分かった。
以上、本発明の内容の特定の部分を詳しく記述したところ、当業者において、このような具体的記述は、単に望ましい実施態様であり、これにより、本発明の範囲が制限されるものではないという点は明白である。したがって、本発明の実質的な範囲は、下記の特許請求の範囲とそれらの等価物とによって定義される。
Claims (9)
- 高分子基材と、
前記高分子基材上に形成された導電性高分子を含む帯電防止性防汚層と、
前記帯電防止性防汚層上に直接形成されたＰｔコーティング層と、
を含む帯電防止性防汚層の形状を分析するための試片。 - 前記Ｐｔコーティング層上に炭素保護層をさらに含む請求項１に記載の帯電防止性防汚層の形状を分析するための試片。
- 前記導電性高分子が、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを含む請求項１または２に記載の帯電防止性防汚層の形状を分析するための試片。
- 前記帯電防止性防汚層が、導電性高分子２〜２０重量％及び高分子樹脂バインダー８０〜９８％を含む組成物から製造される請求項１から３のいずれか一項に記載の帯電防止性防汚層の形状を分析するための試片。
- 前記帯電防止性防汚層の厚さが、３０〜２００ｎｍである請求項１から４のいずれか一項に記載の帯電防止性防汚層の形状を分析するための試片。
- 前記Ｐｔコーティング層の厚さが、５〜２０ｎｍである請求項１から５のいずれか一項に記載の帯電防止性防汚層の形状を分析するための試片。
- 高分子基材上に導電性高分子を含む帯電防止性防汚層を形成する段階と、
前記帯電防止性防汚層上に直接Ｐｔコーティング層を形成する段階と、
を含む帯電防止性防汚層の形状を分析するための試片の製作方法。 - 前記Ｐｔコーティング層上に炭素保護層を形成する段階をさらに含む請求項７に記載の帯電防止性防汚層の形状を分析するための試片の製作方法。
- 請求項１から６のうち何れか一項に記載の試片に対してＴＥＭを用いて帯電防止性防汚層の形状を分析する方法。
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