JP2020528498A - 基板処理装置のガス噴射装置、基板処理装置、および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置のガス噴射装置、基板処理装置、および基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020528498A JP2020528498A JP2020503937A JP2020503937A JP2020528498A JP 2020528498 A JP2020528498 A JP 2020528498A JP 2020503937 A JP2020503937 A JP 2020503937A JP 2020503937 A JP2020503937 A JP 2020503937A JP 2020528498 A JP2020528498 A JP 2020528498A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- gas injection
- space
- injection space
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
- H01J2237/20214—Rotation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本発明は、第1ガス噴射空間に処理ガスを噴射する第1ガス噴射モジュール;および前記第1ガス噴射空間と異なる第2ガス噴射空間に処理ガスを噴射する第2ガス噴射モジュールを含む基板処理装置のガス噴射装置、基板処理装置、および基板処理方法に関するものである。
Description
本発明は、基板上に薄膜を堆積する堆積工程などの基板処理工程を行う基板処理装置に関するものである。
一般的に、太陽電池（Solar Cell）、半導体素子、フラットパネルディスプレイ等を製造するためには、基板上に所定の薄膜層、薄膜回路パターン、または光学的パターンを形成しなければならず、そのためには、基板上に特定物質の薄膜を堆積する薄膜堆積工程、感光性材料を用いて薄膜を選択的に露出させるフォト工程、選択的に露出させた部分の薄膜を除去してパターンを形成するエッチング工程などの半導体製造工程を行うことになる。
図1は、従来技術による基板処理装置の概念的な側面図である。
図1を参照すると、従来技術による基板処理装置１０は、基板支持部１１とガス噴射部１２を含む。
前記基板支持部１１は、基板（S）を支持するものである。前記基板支持部１１は、回転軸１１aを中心に回転することにより、前記基板（S）を、前記回転軸１１aを中心に回転させる。
前記ガス噴射部１２は、前記基板支持部１１に向かってプロセスガスを噴射するものである。前記ガス噴射部１２は、前記基板支持部１１に支持された基板（S）に向かってプロセスガスを噴射することにより、前記基板（S）に薄膜を堆積する処理工程を行う。
ここで、従来技術による基板処理装置１０は、前記基板支持部１１が回転することによる遠心力が、前記ガス噴射部１２が噴射したプロセスガスに作用することになる。これにより、前記基板（S）の内側の方には薄膜が比較的薄く堆積する。前記基板（S）の内側とは、前記基板（S）において、前記基板支持部１１の回転軸１１aに向かう方向側に位置する部分である。
したがって、従来技術による基板処理装置１０は、前記基板（S）の内側の方に向かって薄膜が相対的に薄く堆積されることによって、前記基板（S）に堆積される薄膜の均一性（Uniformity）が低下し、処理工程を経た基板の品質が低下するという問題がある。
本発明は、上述のような問題点を解決するために案出されたもので、基板の内側に薄膜が相対的に薄く堆積する程度を減少させることができる基板処理装置のガス噴射装置、基板処理装置、および基板処理方法を提供することである。
上述したような課題を解決するために、本発明は、下記のような構成を含むことができる。
本発明に係る基板処理装置のガス噴射装置は、第1ガス噴射空間に第1ガスを噴射する第1ガス噴射モジュール;前記第1ガス噴射空間と異なる第2ガス噴射空間に処理ガスを噴射する第2ガス噴射モジュール;並びに、前記第1ガス噴射空間および前記第2ガス噴射空間それぞれと異なる第3ガス噴射空間に第2ガスを噴射する第3ガス噴射モジュールを含むことができる。前記第2ガス噴射モジュールは、前記第1ガス噴射モジュールが、前記第1ガスを噴射するとき、前記第2ガス噴射空間に前記第1ガスを噴射し、前記第3ガス噴射モジュールが、前記第2ガスを噴射するとき、前記第2ガス噴射空間に前記第2ガスを噴射することができる。
本発明に係る基板処理装置のガス噴射装置は、第1ガス噴射空間に処理ガスを噴射する第1ガス噴射モジュール;および前記第1ガス噴射空間と異なる第2ガス噴射空間に処理ガスを噴射する第2ガス噴射モジュールを含むことができる。前記第2ガス噴射モジュールは、前記第1ガス噴射モジュールが、前記第1ガス噴射空間に処理ガスを噴射するとき、前記第1ガス噴射モジュールが噴射する処理ガスと同じ処理ガスを前記第2ガス噴射空間に噴射することができる。
本発明に係る基板処理装置は、処理チャンバー;複数の基板を支持するように前記処理チャンバー内に設置され、回転軸を中心に回転する基板支持部;前記処理チャンバーの上部を覆うチャンバーリード;および前記チャンバーリードに設置されて前記基板支持部の方に処理ガスを噴射するガス噴射部を含むことができる。前記ガス噴射部は、前記チャンバーリードに設置されてソースガスを噴射する第1ガス噴射モジュール、前記第1ガス噴射モジュールから離隔した位置で前記チャンバーリードに設けられた第2ガス噴射モジュール、および前記第1ガス噴射モジュールと前記第2ガス噴射モジュールそれぞれから離隔した位置で前記チャンバーリードに設置されて反応ガスを噴射する第3ガス噴射モジュールを含むことができる。前記第2ガス噴射モジュールは、前記第1ガス噴射モジュールが、ソースガスを噴射するときにソースガスを噴射し、前記第3ガス噴射モジュールが反応ガスを噴射するときに反応ガスを噴射することができる。
本発明に係る基板処理装置は、処理チャンバー;複数の基板を支持するように前記処理チャンバー内に設置され、回転軸を中心に回転する基板支持部;前記処理チャンバーの上部を覆うチャンバーリード;および前記チャンバーリードに設置されて前記基板支持部の方に処理ガスを噴射するガス噴射部を含むことができる。前記ガス噴射部は、前記チャンバーリードに設置されて処理ガスを噴射する第1ガス噴射モジュール、前記第1ガス噴射モジュールから離隔した位置で前記チャンバーリードに設置された第2ガス噴射モジュールを含むことができる。前記第2ガス噴射モジュールは、前記第1ガス噴射モジュールが処理ガスを噴射するとき、前記第1ガス噴射モジュールが噴射する処理ガスと同じ処理ガスを噴射することができる。
本発明に係る基板処理方法は、処理チャンバー内に処理ガスを噴射して基板を処理する方法として、前記処理チャンバーの第1ガス噴射空間と前記第1ガス噴射空間に隣接した第2ガス噴射空間にソースガスを噴射する工程;前記ソースガスをパージする工程;前記第1ガス噴射空間と異なる第3ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程;および前記反応ガスをパージする工程を含むことができる。
本発明に係る基板処理方法は、処理チャンバー内に処理ガスを噴射して基板を処理する方法として、前記処理チャンバーの第1ガス噴射空間と前記第1ガス噴射空間に隣接した第2ガス噴射空間にソースガスを噴射する工程;前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程;および前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程を含むことができる。
本発明に係る基板処理方法は、処理チャンバー内に処理ガスを噴射して基板を処理する方法として、処理チャンバー内に時間によって処理ガスを変更して噴射する時分割モードで基板を処理する時分割処理工程;および前記処理チャンバー内に空間別に異なる処理ガスを噴射する空間分割モードで基板を処理する空間分割処理工程を含むことができる。
本発明によると、次のような効果を図ることができる。
本発明は、基板に堆積した薄膜の均一性を向上させられるように具現することで、処理工程を経た基板の品質を向上させることができる。
本発明は、基板に対する処理工程を行う過程、プロセスガスを排気する過程などで、互いに異なるプロセスガスが混合することによるパーティクルの発生を減少させることができるので、処理工程の安定性を向上させることができる。
以下では、本発明に係る基板処理装置の実施例を添付の図を参照して詳細に説明する。本発明に係る基板処理装置のガス噴射装置は、本発明に係る基板処理装置に含まれ得るので、本発明に係る基板処理装置の実施例を説明しながら、一緒に説明する。
図2を参照すると、本発明に係る基板処理装置１は、基板（S）に対する処理工程を行うものである。例えば、本発明に係る基板処理装置１は、前記基板（S）に薄膜を堆積するための堆積工程を行うことができる。本発明に係る基板処理装置１は、処理チャンバー２、前記処理チャンバー２内に設置される基板支持部３、前記処理チャンバー２の上部を覆うチャンバーリード４、及び前記チャンバーリード４に設けられプロセスガスを噴射するガス噴射部５を含む。
図2を参照すると、前記処理チャンバー２は、前記の処理工程が行われる工程空間を提供するものである。前記処理チャンバー２には、前記基板支持部３および、前記チャンバーリード４が設置され得る。前記処理チャンバー２には、前記の工程空間に存在するガスなどを排気させるための排気部を設けることができる。
図2及び図3を参照すると、前記基板支持部３は、複数の基板（S）を支持するものである。前記基板（S）は、前記処理チャンバー２の外部に設置された搬入出装置（未図示）によって移送されたものである。前記基板（S）は、半導体基板またはウェハーであり得る。
前記基板支持部３は、前記処理チャンバー２の内部に位置するように、前記処理チャンバー２に設置され得る。前記基板支持部３は、前記処理チャンバー２に回転可能に設置され得る。前記基板支持部３は、第1回転方向（R1矢印の方向）に回転することができる。前記第1回転方向（R1、矢印の方向）は、前記基板支持部３の回転軸を中心に時計回りまたは反時計回りであり得る。この場合、前記基板（S）は、前記基板支持部３の回転軸を中心に前記第1回転方向（R1矢印の方向）に沿って互いに同じ角度で離隔して配置されるように前記基板支持部３に支持することができる。
図2及び図3を参照すると、前記チャンバーリード４は、前記処理チャンバー２の上部を覆うように、前記処理チャンバー２に設置される。前記チャンバーリード４は、前記工程空間を密閉させることができる。前記チャンバーリード４及び前記処理チャンバー２は、図2に示すように六角形構造で形成することができるが、これに限定されず、円筒形構造、楕円形構造、多角形構造などで形成することもできる。
図2〜図5を参照すると、前記ガス噴射部５は、プロセスガスを噴射するものである。前記ガス噴射部５は、本発明に係る基板処理装置のガス噴射装置に具現することができる。前記ガス噴射部５は、前記チャンバーリード４に設けて前記基板支持部３に向かってプロセスガスを噴射することができる。これにより、前記ガス噴射部５は、前記基板支持部３に支持された基板（S）に向かってプロセスガスを噴射することができる。前記ガス噴射部５は、前記基板支持部３の上側に位置するように、前記チャンバーリード４に設置することができる。
前記ガス噴射部５は、第1ガス噴射モジュール５１、第2ガス噴射モジュール５２、及び第3ガス噴射モジュール５３を含むことができる。以下では、前記第1ガス噴射モジュール５１、前記第3ガス噴射モジュール５３、及び前記第2ガス噴射モジュール５２の順序で説明する。「第1」、「第2」、「第3」などの用語は、1つの構成要素を他の構成要素から区別するためのものであり、これらの用語によって権利範囲が限定されてはならない。
前記第1ガス噴射モジュール５１は、プロセスガス中の第1ガスを噴射するものである。前記第1ガスは、ソースガスであり得る。前記第1ガス噴射モジュール５１は、前記チャンバーリード４に設置される。前記チャンバーリード４には、前記第1ガス噴射モジュール５１を設置するための第1設置孔４１（図2に示す）を形成することができる。前記第1ガス噴射モジュール５１は、前記第1設置孔４１に挿入することにより、前記チャンバーリード４に設置することができる。前記第1設置孔４１は、前記チャンバーリード４を貫通して形成することができる。
前記第1ガス噴射モジュール５１は、前記基板支持部３に向けて前記第1ガスを噴射するように、前記チャンバーリード４に設置される。前記第1ガス噴射モジュール５１は、前記基板支持部３の上側に位置するように、前記チャンバーリード４に設置され得る。前記基板支持部３が前記回転軸を中心に回転すると、前記基板支持部３に支持された基板（S）は、前記第1ガス噴射モジュール５１の下側を順に通過することができる。
前記第1ガス噴射モジュール５１は、第1ガス噴射空間５１０に前記第1ガスを噴射することができる。この場合、前記基板支持部３に支持された基板（S）は、前記基板支持部３が前記第1回転方向（R1矢印の方向）に回転することにより、前記第1ガス噴射空間５１０を通ることができる。これにより、前記第1ガス噴射モジュール５１は、前記第1ガス噴射空間５１０に位置する基板（S）に向かって前記第1ガスを噴射することができる。前記第1ガス噴射空間５１０は、前記第1ガス噴射モジュール５１および前記基板支持部３の間に位置することができる。
前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガス噴射空間５１０に前記第1ガスを噴射すると、前記第1ガスは、前記第1ガス噴射空間５１０を経て、前記第1ガス噴射空間５１０の外側に拡散することができる。これにより、前記第1ガス噴射モジュール５１が噴射した第1ガスによって、前記の工程空間全体を前記第1ガスで充たすことができる。したがって、前記第1ガス噴射モジュール５１は、前記第1ガス噴射空間５１０に前記第1ガスを噴射することにより、前記基板支持部３に支持された基板（S）全体に対して、前記第1ガスを用いた処理工程を行うように具現することができる。これにより、前記第1ガス噴射モジュール５１は、前記第1ガス噴射空間５１０に位置する基板（S）に対して集中的に前記第1ガスを用いた処理工程を行うと共に、前記第1ガス噴射空間５１０の外側に位置する基板（S）に対しても、前記第1ガスを用いた処理工程を行うように具現することができる。従って、本発明に係る基板処理装置１は、前記第1ガスを用いた処理工程にかかる時間を短縮することができる。
前記第1ガス噴射モジュール５１は、ガス供給部１００（図5に示す）に接続することができる。前記ガス供給部１００は、前記ガス噴射部５に前記プロセスガスを供給するものである。前記ガス供給部１００は、前記第1ガスを供給する第1ガス供給源１１０（図5に示す）を含むことができる。前記第1ガス噴射モジュール５１は、前記第1ガス供給源１１０から前記第1ガスの供給を受け、供給された第1ガスを前記第1ガス噴射空間５１０に供給することができる。前記第1ガス噴射モジュール５１は、配管、チューブなどを介して前記第1ガス供給源１１０に接続することができる。
前記第3ガス噴射モジュール５３は、プロセスガス中の第2ガスを噴射するものである。前記第2ガスは、前記第1ガスと異なる種類のプロセスガスであって、反応ガスであり得る。前記第3ガス噴射モジュール５３は、前記チャンバーリード４に設置される。前記第3ガス噴射モジュール５３は、前記第1ガス噴射モジュール５１から離隔した位置で前記チャンバーリード４に設置される。前記チャンバーリード４には、前記第3ガス噴射モジュール５３を設置するための第3設置孔４３（図2に示す）を形成することができる。前記第3ガス噴射モジュール５３は、前記第3設置孔４３に挿入することにより、前記チャンバーリード４に設置することができる。前記第3設置孔４３は、前記チャンバーリード４を貫通して形成することができる。
前記第3ガス噴射モジュール５３は、前記基板支持部３に向けて前記第2ガスを噴射するように前記チャンバーリード４に設置される。前記第3ガス噴射モジュール５３は、前記基板支持部３の上側に位置するように前記チャンバーリード４に設置することができる。前記基板支持部３が前記回転軸を中心に回転すると、前記基板支持部３に支持された基板（S）は、前記第3ガス噴射モジュール５３の下側および前記第1ガス噴射モジュール５１の下側を順に通過することができる。
前記第3ガス噴射モジュール５３は、第3ガス噴射空間５３０に前記第2ガスを噴射することができる。前記第3ガス噴射空間５３０および前記第1ガス噴射空間５１０は、互いに異なる空間である。前記第3ガス噴射空間５３０および前記第1ガス噴射空間５１０は、前記第3ガス噴射モジュール５３および前記第1ガス噴射モジュール５１が互いに離隔した距離に該当する分、互いに離隔され得る。この場合、前記基板支持部３に支持された基板（S）は、前記基板支持部３が前記第1回転方向（R1矢印の方向）に回転することにより、前記第3ガス噴射空間５３０を通ることができる。これにより、前記第3ガス噴射モジュール５３は、前記第3ガス噴射空間５３０に位置する基板（S）に向かって前記第2ガスを噴射することができる。前記第3ガス噴射空間５３０は、前記第3ガス噴射モジュール５３および前記基板支持部３の間に位置することができる。
前記第3ガス噴射モジュール５３が、前記第3ガス噴射空間５３０に前記第2ガスを噴射すると、前記第2ガスは、前記第3ガス噴射空間５３０を経て、前記第3ガス噴射空間５３０の外側に拡散することができる。これにより、前記第3ガス噴射モジュール５３が噴射した第2ガスによって、前記の工程空間全体を前記第2ガスで充たすことができる。したがって、前記第3ガス噴射モジュール５３は、前記第3ガス噴射空間５３０に前記第2ガスを噴射することにより、前記基板支持部３に支持された基板（S）全体に対して、前記第2ガスを用いた処理工程を行うように具現することができる。これにより、前記第3ガス噴射モジュール５３は、前記第3ガス噴射空間５３０に位置した基板（S）に対して集中的に前記第2ガスを用いた処理工程を行うとともに、前記第3ガス噴射空間５３０の外側に位置した基板（S）に対しても前記第2ガスを用いた処理工程を行うように具現することができる。従って、本発明に係る基板処理装置１は、前記第2ガスを用いた処理工程にかかる時間を短縮することができる。
前記第3ガス噴射モジュール５３が、前記第2ガスを噴射するとき、前記第1ガス噴射モジュール５１は、前記第1ガスの噴射を停止することができる。前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガスを噴射するとき、前記第3ガス噴射モジュール５３は、前記第2ガスの噴射を停止することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記処理工程を行う過程、前記プロセスガスを排気する過程などで、前記第1ガス及び前記第2ガスが互いに混合することによるパーティクルの発生を減少させることができる。また、本発明に係る基板処理装置１は、前記第1ガス及び前記第2ガスが互いに混合することによって処理工程を経た基板（S）の品質が低下することを防止することができる。
前記第3ガス噴射モジュール５３は、前記ガス供給部１００に接続することができる。前記ガス供給部１００は、前記第2ガスを供給する第2ガス供給源１２０（図5に示す）を含むことができる。前記第3ガス噴射モジュール５３は、前記第2ガス供給源１２０から前記第2ガスの供給を受け、供給された第2ガスを前記第3ガス噴射空間５３０に供給することができる。前記第3ガス噴射モジュール５３は、配管、チューブなどを介して前記第2ガス供給源１２０に接続することができる。
前記第2ガス噴射モジュール５２は、プロセスガスを噴射するものである。前記ガス噴射部５が、前記第1ガス噴射モジュール５１および前記第3ガス噴射モジュール５３を含む場合、前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第1ガス及び前記第2ガス中のいずれか一方を選択的に噴射することができる。前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガスを噴射するとき、前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第1ガスを噴射することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記工程空間で前記第1ガスが噴射される面積を増やすことで、前記第1ガスを用いた処理工程の処理効率を向上させることができる。前記第3ガス噴射モジュール５３が、前記第2ガスを噴射するとき、前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第2ガスを噴射することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記工程空間で前記第2ガスが噴射される面積を増やすことで、前記第2ガスを用いた処理工程の処理効率を向上させることができる。
前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記チャンバーリード４に設置される。前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第1ガス噴射モジュール５１および前記第3ガス噴射モジュール５３それぞれから離隔した位置で前記チャンバーリード４に設置される。前記チャンバーリード４には、前記第2ガス噴射モジュール５２を設置するための第2設置孔４２（図2に示す）を形成することができる。前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第2設置孔４２に挿入することにより、前記チャンバーリード４に設置することができる。前記第2設置孔４２は、前記チャンバーリード４を貫通して形成することができる。
前記第2ガス噴射モジュール５２は、第2ガス噴射空間５２０に前記プロセスガスを噴射することができる。前記第2ガス噴射空間５２０は、前記第1ガス噴射空間５１０および前記第3ガス噴射空間５３０それぞれに対して異なる空間である。前記第2ガス噴射空間５２０は、前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第1ガス噴射モジュール５１および前記第3ガス噴射モジュール５３それぞれから離隔した距離に該当する分、前記第1ガス噴射空間５１０および前記第3ガス噴射空間５３０から離隔した位置に配置することができる。前記第2ガス噴射空間５２０は、前記第1ガス噴射空間５１０に隣接して配置することができる。前記第2ガス噴射空間５２０は、前記第3ガス噴射空間５３０に隣接して配置することができる。前記第3ガス噴射空間５３０は、前記第1ガス噴射空間５１０と前記第2ガス噴射空間５２０それぞれに対して異なる空間であり得る。前記第2ガス噴射空間５２０は、前記第1ガス噴射空間５１０と前記第3ガス噴射空間５３０の間に配置することができる。
前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記基板支持部３に向かって前記プロセスガスを噴射するように、前記チャンバーリード４に設置される。前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記基板支持部３の上側に位置するように、前記チャンバーリード４に設置することができる。前記第2ガス噴射空間５２０は、前記第2ガス噴射モジュール５２および前記基板支持部３の間に位置するように配置することができる。
前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記基板（S）の回転経路に対して重畳しないように、前記チャンバーリード４に設置することができる。前記基板（S）の回転経路は、前記基板支持部３が前記回転軸を中心に回転することにより前記基板（S）が移動する経路を意味する。前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記基板（S）の回転経路に重畳しないように配置されるので、前記基板（S）は、前記回転経路に沿って移動しながら、前記第2ガス噴射モジュール５２の下側を通過しなくなる。この場合、前記第1ガス噴射モジュール５１および前記第3ガス噴射モジュール５３は、前記基板（S）の回転経路に重畳するように前記チャンバーリード４に設置することができる。これにより、前記基板（S）は、前記回転経路に沿って移動しながら、前記第1ガス噴射モジュール５１の下側と前記第3ガス噴射モジュール５３の下側を順に通過することになる。
前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記基板（S）が置かれていない前記基板支持部３の中央部分から上側に離隔した位置に配置されるように、前記チャンバーリード４に設置することができる。この場合、前記第1ガス噴射モジュール５１および前記第3ガス噴射モジュール５３は、前記基板支持部３の中央部分に対する外側部分から上側に離隔した位置に配置されるように、前記チャンバーリード４に設置することができる。
前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記基板支持部３の回転軸から上側に離隔した位置に配置されるように、前記チャンバーリード４に設置することができる。前記第2ガス噴射空間５２０は、前記第2ガス噴射モジュール５２および前記基板支持部３の回転軸との間に位置するように配置することができる。前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０に前記プロセスガスを噴射すると、前記プロセスガスは、前記第2ガス噴射空間５２０を経て、前記第2ガス噴射空間５２０の外側に拡散することができる。
前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０に前記第1ガスを噴射すると、前記第1ガスは、前記第1ガス噴射空間５１０に拡散することができる。この場合、前記第2ガス噴射モジュール５２が噴射した第1ガスは、第1ガス噴射空間５１０に位置する基板（S）の内側の方に供給されることができる。前記基板（S）の内側とは、前記基板（S）において、前記基板支持部３の回転軸の近い部分である。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第1ガス噴射モジュール５１だけを用いて、前記第1ガス噴射空間５１０に前記第1ガスを噴射する比較例と対比するとき、前記基板（S）の内側の方に供給される第1ガスの流量を増大させることができる。従って、本発明に係る基板処理装置１は、前記基板（S）の内側の方に薄膜が相対的に薄く堆積される比較例と対比すると、前記基板（S）の内側の方に堆積される薄膜の厚さを増大させることができるので、前記基板（S）に堆積した薄膜の均一性（Uniformity）を向上させることができる。
前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０に前記第2ガスを噴射すると、前記第2ガスは、前記第3ガス噴射空間５３０に拡散することができる。この場合、前記第2ガス噴射モジュール５２が噴射した第2ガスは、前記第3ガス噴射空間５３０に位置した基板（S）の内側の方に供給することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第3ガス噴射モジュール５３だけを用いて、前記第3ガス噴射空間５３０に前記第2ガスを噴射する比較例と対比すると、前記基板（S）の内側の方に供給される第2ガスの流量を増大させることができる。従って、本発明に係る基板処理装置１は、前記基板（S）の内側の方に薄膜が相対的に薄く堆積される比較例と対比すると、前記基板（S）の内側の方に堆積する薄膜の厚さを増大させることができるので、前記基板（S）に堆積した薄膜の均一性を向上させることができる。
前記第2ガス噴射モジュール５２が噴射したプロセスガスは、前記第1ガス噴射空間５１０および前記第3ガス噴射空間５３０を含む工程空間全体に拡散することができる。これにより、前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記工程空間全体が前記プロセスガスに充たされるよう補助することができる。したがって、前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第2ガス噴射空間５２０に前記プロセスガスを噴射することにより、前記基板支持部３に支持された基板（S）全体に対して前記プロセスガスを用いた処理工程を行うように具現することができる。
前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガスを噴射するとき、前記第2ガスの噴射を停止して前記第1ガスを噴射することができる。前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第3ガス噴射モジュール５３が、前記第2ガスを噴射するとき、前記第1ガスの噴射を停止して前記第2ガスを噴射することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記処理工程を行う過程で、前記プロセスガスを排気する過程などで、前記第1ガス及び前記第2ガスが互いに混合することによるパーティクルの発生を減少させることができる。また、本発明に係る基板処理装置１は、前記第1ガス及び前記第2ガスが互いに混合することによって処理工程を経た基板（S）の品質が低下することを防止することができる。
前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記ガス供給部１００に接続することができる。前記ガス供給部１００は、前記第1ガス供給源１１０及び前記第2ガス供給源１２０のそれぞれに接続することができる。前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第1ガス供給源１１０から前記第1ガスの供給を受け、供給された第1ガスを前記第2ガス噴射空間５２０に供給することができる。前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第2ガス供給源１２０から前記第2ガスの供給を受け、供給された第2ガスを前記第2ガス噴射空間５２０に供給することができる。前記第2ガス噴射モジュール５２は、配管、チューブなどを介して前記第1ガス供給源１１０及び前記第2ガス供給源１２０のそれぞれに接続することができる。
前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第1ガス噴射モジュール５１および前記第3ガス噴射モジュール５３の間に配置されるように前記チャンバーリード４に設置することができる。この場合、前記第1ガス噴射モジュール５１は、前記第2ガス噴射モジュール５２から一側に離隔した位置に配置されるように、前記チャンバーリード４に設置することができる。前記第3ガス噴射モジュール５３は、前記第2ガス噴射モジュール５２から他側に離隔した位置に配置されるように、前記チャンバーリード４に設置することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第2ガス噴射モジュール５２が噴射したプロセスガスが、前記第1ガス噴射空間５１０および前記第3ガス噴射空間５３０のそれぞれに供給されるように具現することができる。前記第2ガス噴射モジュール５２、前記第1ガス噴射モジュール５１、及び前記第3ガス噴射モジュール５３は、同一線上の上に配置されるように前記チャンバーリード４に設置することができる。
前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第1ガス噴射空間５１０に位置する基板（S）および前記第3ガス噴射空間５３０に位置した基板（S）のそれぞれから離隔した位置に配置されるように、前記チャンバーリード４に配置することができる。この場合、前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第1ガス噴射空間５１０に位置した基板（S）および前記第3ガス噴射空間５３０に位置した基板（S）のそれぞれに直接にプロセスガスを噴射しないように具現することができる。従って、本発明に係る基板処理装置１は、前記第1ガス噴射空間５１０に位置した基板（S）の内側および前記第3ガス噴射空間５３０に位置した基板（S）の内側のそれぞれに薄膜が過度の厚さで堆積することを防止することにより、前記基板（S）に堆積した薄膜の均一性を向上させることができる。
図2〜図6を参照すると、第2ガス噴射モジュール５２は、第1ガス噴射部材５２１（図6に示す）及び第2ガス噴射部材５２２（図6に示す）を含むことができる。
前記第1ガス噴射部材５２１は、前記第1ガスを噴射するためのものである。前記第1ガス噴射部材５２１は、前記第1ガス供給源１１０に接続することができる。前記第1ガス噴射部材５２１は、前記第1ガス供給源１１０から前記第1ガスの供給を受け、供給された第1ガスを前記第2ガス噴射空間５２０に噴射することができる。前記第1ガス噴射部材５２１には、複数の第1ガス噴射孔５２１a（図6に示す）を形成することができる。前記第1ガス噴射部材５２１は、前記第1ガス噴射孔５２１aを用いて、前記第2ガス噴射空間５２０に前記第1ガスを噴射することができる。前記第1ガス噴射孔５２１aは、互いに同じ間隔で離隔するように配置することができる。図6には、前記第1ガス噴射部材５２１に6つの第1ガス噴射孔５２１aを形成した例を示しているが、これに限定されず、前記第1ガス噴射部材５２１には、2〜5個または7個以上の第1ガス噴射孔５２１aを形成することもできる。前記第1ガス噴射部材５２１は、円盤形態に形成することができるが、これに限定されず、前記第2ガス噴射空間５２０に前記第1ガスを噴射することができる形態であれば四角板状などの他の形態で形成することもできる。
前記第2ガス噴射部材５２２は、前記第2ガスを噴射するためのものである。前記第2ガス噴射部材５２２は、前記第2ガス供給源１２０に接続することができる。前記第2ガス噴射部材５２２は、前記第2ガス供給源１２０から前記第2ガスの供給を受け、供給された第2ガスを前記第2ガス噴射空間５２０に噴射することができる。前記第2ガス噴射部材５２２には、複数の第2ガス噴射孔５２２a（図6に示す）を形成することができる。前記第2ガス噴射部材５２２は、前記第2ガス噴射孔５２２aを用いて、前記第2ガス噴射空間５２０に前記第2ガスを噴射することができる。前記第2ガス噴射孔５２２aは、互いに同じ間隔で離隔するように配置することができる。図6には、前記第2ガス噴射部材５２２に6つの第2ガス噴射孔５２２aを形成した例を示しているが、これに限定されず、前記第2ガス噴射部材５２２には、2〜5個または7個以上の第2ガス噴射孔５２２aを形成することもできる。前記第2ガス噴射部材５２２は、円盤形態に形成することができるが、これに限定されず、前記第2ガス噴射空間５２０に前記第2ガスを噴射することができる形態であれば四角板状などの他の形態で形成することもできる。
前記第2ガス噴射部材５２２と、前記第1ガス噴射部材５２１は、前記第2ガス噴射空間５２０内の異なる空間に前記プロセスガスを噴射するように配置することができる。例えば、前記第1ガス噴射部材５２１は、前記第2ガス噴射部材５２２の内側に位置するように配置することができる。例えば、前記第2ガス噴射部材５２２が、前記第1ガス噴射部材５２１の内側に位置するように配置することもできる。
前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第2ガス噴射部材５２２および前記第1ガス噴射部材５２１を介して前記第2ガス噴射空間５２０に前記第2ガス及び前記第1ガスを選択的に噴射することができる。前記第1ガス噴射モジュール５１および前記第1ガス噴射部材５２１がそれぞれ、前記第1ガスを噴射する場合には、前記第2ガス噴射部材５２２は、前記第2ガスの噴射を停止することができる。前記第3ガス噴射モジュール５３および前記第2ガス噴射部材５２２がそれぞれ、前記第2ガスを噴射する場合には、前記第1ガス噴射部材５２１は、前記第1ガスの噴射を停止することができる。
これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第2ガス噴射モジュール５２内でも、前記第1ガス及び前記第2ガスが互いに混合しないように具現することができる。従って、本発明に係る基板処理装置１は、前記処理工程を行う過程で前記プロセスガスを排気する過程などで、前記第1ガス及び前記第2ガスが互いに混合することによるパーティクルの発生を減少させることができる。また、本発明に係る基板処理装置１は、前記第1ガス及び前記第2ガスが互いに混合することによって処理工程を経た基板（S）の品質が低下することを防止することができる。
前記第2ガス噴射部材５２２および前記第1ガス噴射部材５２１は、前記第1ガス噴射モジュール５１および前記第3ガス噴射モジュール５３がそれぞれガス噴射するかどうかによって、プロセスガスを選択的に供給することができる。前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガスを噴射する場合には、前記第1ガス噴射部材５２１は、前記第1ガスを噴射するとともに、前記第2ガス噴射部材５２２は、前記第2ガスの噴射を停止することができる。前記第3ガス噴射モジュール５３が、前記第2ガスを噴射する場合には、前記第2ガス噴射部材５２２は、前記第2ガスを噴射するとともに、前記第1ガス噴射部材５２１は、前記第1ガスの噴射を停止することができる。前記第2ガス噴射モジュール５２は、バルブ（Valve）などを含み、前記第1ガス噴射部材５２１および前記第2ガス噴射部材５２２のそれぞれに接続した流路を選択的に開閉することにより、前記第1ガス噴射部材５２１および前記第2ガス噴射部材５２２のそれぞれが、プロセスガスを選択的に噴射するように具現することができる。
図2〜図8を参照すると、本発明に係る基板処理装置１は次のように動作して前記処理工程を行うことができる。図7及び図8でハッチングで表示された部分は直接的にプロセスガスが噴射される空間であり、ハッチングで表示されていない部分は、直接的にプロセスガスが噴射されない空間である。図7及び図8には、前記基板支持部３に4つの基板（S）が支持された例を示しているが、これに限定されず、前記基板支持部３には、2つ、3つ、または5つ以上の基板（S）を支持することもできる。
図7に示すように、第1ガス噴射空間５１０に前記第1ガスを噴射する場合には、前記第2ガス噴射空間５２０にも、前記第1ガスが噴射され得る。この場合、前記第3ガス噴射空間５３０には、前記第2ガスが噴射されない。前記第1ガス噴射空間５１０及び前記第2ガス噴射空間５２０に噴射された第1ガスは、第1ガス噴射空間５１０に位置する基板（S）側に多く分布するが、前記第3ガス噴射空間５３０を含む工程空間全体にも拡散することができる。
図8に示すように、前記第3ガス噴射空間５３０に前記第2ガスを噴射する場合には、前記第2ガス噴射空間５２０にも前記第2ガスが噴射され得る。この場合、前記第1ガス噴射空間５１０には、前記第1ガスが噴射されない。前記第3ガス噴射空間５３０及び前記第2ガス噴射空間５２０に噴射された第2ガスは、前記第3ガス噴射空間５３０に位置する基板（S）側に多く分布するが、前記第1ガス噴射空間５１０を含む工程空間全体にも拡散することができる。
図2〜図5を参照すると、前記ガス噴射部５は、パージガス噴射モジュール５４を含むことができる。
前記パージガス噴射モジュール５４は、パージガスを噴射するためのものである。前記パージガスは、前記工程空間に位置するプロセスガスをパージ（Purge）するガスである。前記工程空間に位置するプロセスガスは、前記パージガス噴射モジュール５４が噴射したパージガスにより前記処理チャンバー２から排気され得る。前記パージガス噴射モジュール５４は、前記チャンバーリード４に設置される。前記パージガス噴射モジュール５４は、前記第1ガス噴射モジュール５１、前記第3ガス噴射モジュール５３、及び前記第2ガス噴射モジュール５２のそれぞれから離隔した位置で前記チャンバーリード４に設置される。前記チャンバーリード４には、前記パージガス噴射モジュール５４を設置するための第4設置孔４４（図2に示す）を形成することができる。前記パージガス噴射モジュール５４は、前記第4設置孔４４に挿入することにより、前記チャンバーリード４に設置することができる。前記第4設置孔４４は、前記チャンバーリード４を貫通して形成することができる。
前記パージガス噴射モジュール５４は、前記基板支持部３の方に前記パージガスを噴射するように、前記チャンバーリード４に設置することができる。前記パージガス噴射モジュール５４は、前記基板支持部３の上側に位置するように、前記チャンバーリード４に設置することができる。前記基板支持部３が前記回転軸を中心に回転すると、前記基板支持部３に支持された基板（S）は、前記パージガス噴射モジュール５４の下側、前記第1ガス噴射モジュール５１の下側、及び前記第3ガス噴射モジュール５３の下側を順に通過することができる。
前記パージガス噴射モジュール５４は、パージガス噴射空間５４０に前記パージガスを噴射することができる。前記パージガス噴射空間５４０、前記第2ガス噴射空間５２０、前記第3ガス噴射空間５３０、及び前記第1ガス噴射空間５１０は、互いに異なる空間である。前記パージガス噴射空間５４０、前記第2ガス噴射空間５２０、前記第3ガス噴射空間５３０、及び前記第1ガス噴射空間５１０は、前記パージガス噴射モジュール５４、前記第2ガス噴射モジュール５２、前記第3ガス噴射モジュール５３、及び前記第1ガス噴射モジュール５１が互いに離隔した距離に該当する分、互いに離隔した位置に配置され得る。この場合、前記基板支持部３に支持された基板（S）は、前記基板支持部３が前記第1回転方向（R1矢印の方向）に回転することにより、前記パージガス噴射空間５４０を通ることができる。これにより、前記パージガス噴射モジュール５４は、前記パージガス噴射空間５４０に位置する基板（S）に向かって、前記パージガスを噴射することができる。前記パージガス噴射空間５４０は、前記パージガス噴射モジュール５４および前記基板支持部３の間に位置することができる。
前記パージガス噴射モジュール５４が、前記パージガス噴射空間５４０に前記パージガスを噴射すると、前記パージガスは、前記パージガス噴射空間５４０を経て、前記パージガス噴射空間５４０の外側に拡散することができる。これにより、前記パージガス噴射モジュール５４が噴射したパージガスによって、前記の工程空間全体を前記パージガスで充たすことができる。したがって、前記パージガス噴射モジュール５４は、前記パージガス噴射空間５４０に前記パージガスを噴射することにより、前記基板支持部３に支持された基板（S）全体に対して前記パージガスを用いた排気工程を行うように具現することができる。
前記パージガス噴射モジュール５４が、前記パージガスを噴射するとき、前記第1ガス噴射モジュール５１および前記第3ガス噴射モジュール５３は、それぞれプロセスガスの噴射を停止することができる。前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガスを噴射したときに、前記パージガス噴射モジュール５４は、前記パージガスの噴射を停止することができる。前記第3ガス噴射モジュール５３が、前記第2ガスを噴射したときに、前記パージガス噴射モジュール５４は、前記パージガスの噴射を停止することができる。
前記パージガス噴射モジュール５４は、前記ガス供給部１００に接続することができる。前記ガス供給部１００は、前記パージガスを供給するパージガス供給源１３０（図5に示す）を含むことができる。前記パージガス噴射モジュール５４は、前記パージガス供給源１３０から前記パージガスの供給を受け、供給されたパージガスを前記パージガス噴射空間５４０に供給することができる。前記パージガス噴射モジュール５４は、配管、チューブなどを介して前記パージガス供給源１３０に接続することができる。
前記パージガス噴射モジュール５４を備えた場合、前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記パージガス噴射モジュール５４が、前記パージガスを噴射するときにパージガスを噴射することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記工程空間で前記パージガスを噴射する面積を増やすことで、前記パージガスを用いた排気工程の処理効率を向上させることができる。
前記パージガス噴射モジュール５４を備えた場合、前記第2ガス噴射モジュール５２は、パージガス噴射部材５２３（図6に示す）を含むことができる。
前記パージガス噴射部材５２３は、前記パージガスを噴射するためのものである。前記パージガス噴射部材５２３は、前記パージガス供給源１３０に接続することができる。前記パージガス噴射部材５２３は、前記パージガス供給源１３０から前記パージガスの供給を受け、供給されたパージガスを前記第2ガス噴射空間５２０に噴射することができる。前記パージガス噴射部材５２３には、複数のパージガス噴射孔５２３a（図6に示す）を形成することができる。前記パージガス噴射部材５２３は、前記パージガス噴射孔５２３aを用いて、前記第2ガス噴射空間５２０に前記パージガスを噴射することができる。前記パージガス噴射孔５２３aは、互いに同じ間隔で離隔するように配置することができる。図6には、前記パージガス噴射部材５２３に6つのパージガス噴射孔５２３aが形成された例を示しているが、これに限定されず、前記パージガス噴射部材５２３には、2〜5個または7個以上のパージガス噴射孔５２３aを形成することもできる。前記パージガス噴射部材５２３は、円盤形態に形成することができるが、これに限定されず、前記第2ガス噴射空間５２０に前記パージガスを噴射することができる形態であれば四角板状などの他の形態で形成することもできる。
前記パージガス噴射部材５２３、前記第2ガス噴射部材５２２及び前記第1ガス噴射部材５２１は、前記第2ガス噴射空間５２０内の異なる空間に処理ガスを噴射するように配置することができる。処理ガスは、パージガス、プロセスガスを含み、プロセスガスは、第1ガス及び第2ガスを含むことができる。例えば、前記パージガス噴射部材５２３の内側に前記第2ガス噴射部材５２２が位置するように配置し、前記第2ガス噴射部材５２２の内側に前記第1ガス噴射部材５２１が位置するように配置することができる。例えば、前記パージガス噴射部材５２３の内側に前記第1ガス噴射部材５２１が位置するように配置し、前記第1ガス噴射部材５２１の内側に前記第2ガス噴射部材５２２が位置するように配置することができる。例えば、前記パージガス噴射部材５２３は、前記第1ガス噴射部材５２１の内側または前記第2ガス噴射部材５２２の内側に位置するように配置することもできる。
前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記パージガス噴射部材５２３、前記第2ガス噴射部材５２２、及び前記第1ガス噴射部材５２１を介して前記第2ガス噴射空間５２０に処理ガスを噴射することができる。この場合、前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記パージガス噴射部材５２３、前記第2ガス噴射部材５２２、及び前記第1ガス噴射部材５２１を介して前記第2ガス噴射空間５２０に前記パージガス、前記第2ガス、及び前記第1ガスを選択的に噴射することができる。前記第1ガス噴射モジュール５１および前記第1ガス噴射部材５２１がそれぞれ、前記第1ガスを噴射する場合、前記パージガス噴射部材５２３は、前記パージガスの噴射を停止することができる。この場合、前記第2ガス噴射部材５２２は、前記第2ガスの噴射を停止することができる。前記第3ガス噴射モジュール５３および前記第2ガス噴射部材５２２がそれぞれ、前記第2ガスを噴射する場合、前記パージガス噴射部材５２３は、前記パージガスの噴射を停止することができる。この場合、前記第1ガス噴射部材５２１は、前記第1ガスの噴射を停止することができる。前記パージガス噴射モジュール５４が、前記パージガスを噴射する場合、前記パージガス噴射部材５２３は、前記パージガスを噴射することができる。この場合、前記第1ガス噴射部材５２１および前記第2ガス噴射部材５２２は、それぞれ、前記第1ガス及び前記第2ガスの噴射を停止することができる。
前記パージガス噴射部材５２３、前記第2ガス噴射部材５２２および前記第1ガス噴射部材５２１は、前記第1ガス噴射モジュール５１、前記第3ガス噴射モジュール５３、および前記パージガス噴射モジュール５４それぞれのガス噴射の有無によって、プロセスガスとパージガスを選択的に供給することができる。前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガスを噴射する場合には、前記第1ガス噴射部材５２１は、前記第1ガスを噴射することができる。この場合、前記第2ガス噴射部材５２２は、前記第2ガスの噴射を停止すると共に前記パージガス噴射部材５２３は、前記パージガスの噴射を停止することができる。前記第3ガス噴射モジュール５３が、前記第2ガスを噴射する場合には、前記第2ガス噴射部材５２２は、前記第2ガスを噴射することができる。この場合、前記第1ガス噴射部材５２１は、前記第1ガスの噴射を停止すると共に前記パージガス噴射部材５２３は、前記パージガスの噴射を停止することができる。前記パージガス噴射モジュール５４が、前記パージガスを噴射する場合には、前記パージガス噴射部材５２３は、パージガスを噴射することができる。この場合、前記第1ガス噴射部材５２１は、前記第1ガスの噴射を停止すると共に前記第2ガス噴射部材５２２は、前記第2ガスの噴射を停止することができる。前記第2ガス噴射モジュール５２は、バルブなどを含み、前記第1ガス噴射部材５２１、前記第2ガス噴射部材５２２、及び前記パージガス噴射部材５２３のそれぞれに接続した流路を選択的に開閉することにより、前記第1ガス噴射部材５２１、前記第2ガス噴射部材５２２、及び前記パージガス噴射部材５２３のそれぞれが、プロセスガスとパージガスを選択的に噴射するように具現することができる。
前記パージガス噴射モジュール５４、前記第3ガス噴射モジュール５３、及び前記第1ガス噴射モジュール５１は、互いに同一の間隔で離隔して配置されるように前記チャンバーリード４に設置することができる。前記パージガス噴射モジュール５４、前記第3ガス噴射モジュール５３、及び前記第1ガス噴射モジュール５１は、前記基板支持部３の回転軸を基準にして、互いに同じ角度で離隔して配置することができる。前記ガス噴射部５は、前記パージガス噴射モジュール５４を複数個含むこともできる。この場合、前記パージガス噴射モジュール５４、５４’は、互いに異なるパージガス噴射空間５４０、５４０’にパージガスを噴射することができる。前記パージガス噴射モジュール５４、５４’、前記第3ガス噴射モジュール５３、及び前記第1ガス噴射モジュール５１は、互いに同一の間隔で離隔して配置されるように前記チャンバーリード４に設置することができる。前記パージガス噴射モジュール５４、５４’、前記第3ガス噴射モジュール５３、及び前記第1ガス噴射モジュール５１は、前記基板支持部３の回転軸を基準にして、互いに同じ角度で離隔して配置することができる。例えば、前記ガス噴射部５が、2つのパージガス噴射モジュール５４、５４’を含む場合には、前記パージガス噴射モジュール５４、５４’、前記第3ガス噴射モジュール５３ 、及び前記第1ガス噴射モジュール５１は、前記基板支持部３の回転軸を基準にして90度ずつ離隔して配置することができる。この場合、前記第1回転方向（R1矢印の方向）に沿って前記第1ガス噴射モジュール５１、前記パージガス噴射モジュール５４、前記第3ガス噴射モジュール５３、前記パージガス噴射モジュール５４’の順序で配置することができる。
前記パージガス噴射モジュール５４、５４’を備える場合、前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記パージガス噴射モジュール５４、５４’の間に配置されるように前記チャンバーリード４に設置することができる。この場合、前記パージガス噴射モジュール５４は、前記第2ガス噴射モジュール５２から一側に離隔した位置に配置されるように、前記チャンバーリード４に設置することができる。前記パージガス噴射モジュール５４’は、前記第2ガス噴射モジュール５２から他側に離隔した位置に配置されるように、前記チャンバーリード４に設置することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第2ガス噴射モジュール５２が噴射したプロセスガスが前記パージガス噴射空間５４０、５４０’のそれぞれに供給されるように具現することができる。前記パージガス噴射モジュール５４、５４’および前記第2ガス噴射モジュール５２は、同一線上に配置されるように前記チャンバーリード４に設置することができる。
図2〜図9を参照すると、本発明に係る基板処理装置１は、次のように動作して前記処理工程および前記排気工程を行うことができる。図7〜図9にハッチングが表示された部分は直接的にプロセスガスおよびパージガスが噴射される空間であり、ハッチングが表示されていない部分は、直接的にプロセスガスとパージガスが噴射されない空間である。
図7に示すように、前記第1ガス噴射空間５１０に前記第1ガスが噴射される場合、前記第2ガス噴射空間５２０にも、前記第1ガスが噴射され得る。この場合、前記第3ガス噴射空間５３０には、前記第2ガスが噴射されないのと同時に前記パージガス噴射空間に５４０、５４０’には、前記パージガスが噴射されない。前記第1ガス噴射空間５１０及び前記第2ガス噴射空間５２０に噴射された第1ガスは、前記第1ガス噴射空間５１０に位置した基板（S）側により多く分布するが、前記第3ガス噴射空間５３０及び前記パージガス噴射空間５４０、５４０’を含む工程空間全体にも拡散することができる。
図8に示すように、前記第3ガス噴射空間５３０に前記第2ガスが噴射される場合、前記第2ガス噴射空間５２０にも前記第2ガスが噴射され得る。この場合、前記第1ガス噴射空間５１０には、前記第1ガスが噴射されないのと同時に、前記パージガス噴射空間に５４０、５４０’には、前記パージガスが噴射されない。前記第3ガス噴射空間５３０及び前記第2ガス噴射空間５２０に噴射された第2ガスは、前記第3ガス噴射空間５３０に位置した基板（S）側により多く分布するが、前記第1ガス噴射空間５１０及び前記パージガス噴射空間５４０、５４０’を含む工程空間全体にも拡散することができる。
図9に示すように、前記パージガス噴射空間５４０、５４０’に前記パージガスが噴射される場合、前記第2ガス噴射空間５２０にも前記パージガスが噴射され得る。この場合、前記第1ガス噴射空間５１０には、前記第1ガスが噴射されないのと同時に、前記第3ガス噴射空間５３０には、前記第2ガスが噴射されない。前記パージガス噴射空間５４０、５４０’および前記第2ガス噴射空間５２０に噴射されたパージガスは、前記パージガス噴射空間５４０、５４０’により多く分布するが、前記第1ガス噴射空間５１０および前記第3ガス噴射空間５３０を含む工程空間全体にも拡散することができる。
図2及び図10を参照すると、本発明の変形された実施例に係る基板処理装置１において、前記第1ガス噴射モジュール５１は、プラズマを用いて前記第1ガスを活性化させて噴射することができる。前記第1ガス噴射モジュール５１は、第1接地電極５１１（図10に示す）および、第1プラズマ電極５１２（図10に示す）を含むことができる。
前記第1接地電極５１１は、前記第1ガスを噴射するものである。前記第1接地電極５１１は、前記チャンバーリード４に設置することができる。前記第1接地電極５１１は、前記第1設置孔４１に挿入することにより、前記チャンバーリード４に設置することができる。前記第1接地電極５１１は、第1ハウジング５１１１（図10に示す）、第1通過溝５１１２（図10に示す）、及び第1供給孔５１１３（図10に示す）を含むことができる。
前記第1ハウジング５１１１は、前記第1設置孔４１に挿入することにより、前記チャンバーリード４に設置することができる。前記第1ハウジング５１１１は、前記チャンバーリード４に電気的に接続することで、前記チャンバーリード４を介して電気的に接地される。前記第1ハウジング５１１１は、全体的に直方体形態に形成することができるが、これに限定されず、前記チャンバーリード４に設置して、第1ガスを噴射することができる形態であれば、円筒形態などの他の形態で形成することもできる。
前記第1通過溝５１１２は、前記第1ハウジング５１１１に形成することができる。前記第1通過溝５１１２は、前記第1ハウジング５１１１の内側に位置することができる。前記第1ハウジング５１１１は、前記第1通過溝５１１２を介して一側が開放された形態で形成することができる。前記第1ハウジング５１１１は、開放された一側が前記基板支持部３（図2に示す）を向くように、前記チャンバーリード４に設置することができる。
前記第1供給孔５１１３は、前記第1ハウジング５１１１を貫通して形成することができる。前記第1供給孔５１１３は、前記第1通過溝５１１２に連通するように形成することができる。前記第1供給孔５１１３は、前記第1ガス供給源１１０に接続することができる。前記第1ガス供給源１１０が供給した第1ガスは、前記第1供給孔５１１３を介して前記第1通過溝５１１２に供給することができる。前記第1ハウジング５１１１には、前記第1供給孔５１１３を複数個形成することもできる。この場合、前記第1供給孔５１１３は、前記第1プラズマ電極５１２の両側に位置することができる。
前記第1プラズマ電極５１２は、前記第1ハウジング５１１１に設置することができる。前記第1プラズマ電極５１２は、第1絶縁部材５１４に挿入して設置することにより、前記第1ハウジング５１１１に設置することができる。前記第1絶縁部材５１４は、前記第1ハウジング５１１１および前記第1プラズマ電極５１２を電気的に絶縁するものである。前記第1プラズマ電極５１２は、一部が前記第1通過溝５１１２に位置するように配置することができる。
前記第1プラズマ電極５１２は、第1プラズマ電源供給源５１３から印加されるプラズマ電源によって前記第1通過溝５１１２に供給される第1ガスからプラズマを生成する。この場合、プラズマは、プラズマ電源によって前記第1プラズマ電極５１２と、前記第1ハウジング５１１１の第1側壁５１１１aの間にかかる電界によって生成され得る。これにより、前記第1ガスは、プラズマによって活性化して噴射され得る。
図2及び図11を参照すると、前記第1ガス噴射モジュール５１は、プラズマ処理部２００からプラズマにより活性化された第1ガスの供給を受けることにより、プラズマによって活性化した第1ガスを噴射することもできる。この場合、前記第1ガス噴射モジュール５１１は、第1ハウジング５１１１（図11に示す）、第1通過溝５１１２（図11に示す）、及び第1供給孔５１１３（図11に示す）を含むことができる。
前記第1ハウジング５１１１は、前記第1設置孔４１に挿入することにより、前記チャンバーリード４に設置することができる。前記第1ハウジング５１１１は、前記プラズマ処理部２００からプラズマにより活性化された第1ガスを供給することができる。これにより、前記第1ハウジング５１１１は、プラズマによって活性化された第1ガスを噴射することができる。
前記第1通過溝５１１２は、前記第1ハウジング５１１１に形成することができる。前記第1通過溝５１１２は、前記第1ハウジング５１１１の内側に位置することができる。前記第1ハウジング５１１１は、前記第1通過溝５１１２を介して一側が開放された形態で形成することができる。前記第1ハウジング５１１１は、開放された一側が前記基板支持部３（図2に示す）を向くように、前記チャンバーリード４に設置することができる。
前記第1供給孔５１１３は、前記第1ハウジング５１１１を貫通して形成することができる。前記第1供給孔５１１３は、前記第1通過溝５１１２に連通するように形成することができる。前記第1供給孔５１１３は、前記プラズマ処理部２００に接続することができる。前記プラズマ処理部２００は、プラズマを用いて前記第1ガスを活性化させる第1プラズマ処理モジュール２１０を含むことができる。前記第1供給孔５１１３は、前記第1プラズマ処理モジュール２１０に接続することができる。前記第1プラズマ処理モジュール２１０を経て、活性化された第1ガスは、前記第1供給孔５１１３を介して前記第1通過溝５１１２に供給することができる。前記第1ハウジング５１１１には、前記第1供給孔５１１３を複数個形成することもできる。
上述したように、前記第1ガス噴射モジュール５１がプラズマを用いて前記第1ガスを活性化させて噴射する場合、前記第2ガス噴射モジュール５２もまた、プラズマを用いて前記第1ガスを活性させて噴射することができる。この場合、図に示していないが、前記第2ガス噴射モジュール５２は、第2接地電極および第2プラズマ電極を用いて前記第1ガスを活性化させて噴射するように具現することができる。前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第1プラズマ処理モジュール２１０を経て、活性化された第1ガスを噴射するように具現することもできる。
図2及び図12を参照すると、本発明の変形された実施例に係る基板処理装置１において、前記第3ガス噴射モジュール５３は、プラズマを用いて前記第2ガスを活性化させて噴射することができる。前記第3ガス噴射モジュール５３は、第3接地電極５３１（図12に示す）及び第3プラズマ電極５３２（図12に示す）を含むことができる。
前記第3接地電極５３１は、前記第2ガスを噴射するものである。前記第3接地電極５３１）は、前記チャンバーリード４に設置することができる。前記第3接地電極５３１は、前記第3設置孔４３に挿入することにより、前記チャンバーリード４に設置することができる。前記第3接地電極５３１は、第3ハウジング５３１１（図12に示す）、第3通過溝５３１２（図12に示す）、及び第3供給孔５３１３（図12に示す）を含むことができる。
前記第3ハウジング５３１１は、前記第3設置孔４３に挿入することにより、前記チャンバーリード４に設置することができる。前記第3ハウジング５３１１は、前記チャンバーリード４に電気的に接続することで、前記チャンバーリード４を介して電気的に接地する。前記第3ハウジング５３１１は、全体的に直方体形態に形成することができるが、これに限定されず、前記チャンバーリード４に設置して、第2ガスを噴射することができる形態であれば、円筒形態などの他の形態に形成することもできる。
前記第3通過溝５３１２は、前記第3ハウジング５３１１に形成することができる。前記第3通過溝５３１２は、前記第3ハウジング５３１１の内側に位置することができる。前記第3ハウジング５３１１は、前記第3通過溝５３１２を介して一側が開放された形態で形成することができる。前記第3ハウジング５３１１は、開放された一側が前記基板支持部３（図2に示す）を向くように、前記チャンバーリード４に設置することができる。
前記第3供給孔５３１３は、前記第3ハウジング５３１１を貫通して形成することができる。前記第3供給孔５３１３は、前記第3通過溝５３１２に連通するように形成することができる。前記第3供給孔５３１３は、前記第2ガス供給源１２０に接続することができる。前記第2ガス供給源１２０が供給した第2ガスは、前記第3供給孔５３１３を介して前記第3通過溝５３１２に供給することができる。前記第3ハウジング５３１１には、前記第3供給孔５３１３を複数個形成することもできる。この場合、前記第3供給孔５３１３は、前記第3プラズマ電極５３２の両側に位置することができる。
前記第3プラズマ電極５３２は、前記第3ハウジング５３１１に設置することができる。前記第3プラズマ電極５３２は、第3絶縁部材５３４に挿入して設置することにより、前記第3ハウジング５３１１に設置することができる。前記第3絶縁部材５３４は、前記第3ハウジング５３１１及び前記第3プラズマ電極５３２を電気的に絶縁するものである。前記第3プラズマ電極５３２は、一部が前記第3通過溝５３１２に位置するように配置することができる。
前記第3プラズマ電極５３２は、第2プラズマ電源５２３から印加されるプラズマ電源によって前記第3通過溝５３１２に供給される第2ガスからプラズマを生成する。この場合、プラズマは、プラズマ電源によって前記第3プラズマ電極５３２および前記第3ハウジング５３１１の第3側壁５３１１aの間にかかる電界によって生成され得る。これにより、前記第2ガスは、プラズマにより活性化して噴射することができる。
図2及び図13を参照すると、前記第3ガス噴射モジュール５３は、前記プラズマ処理部２００からプラズマにより活性化された第2ガスの供給を受けることによって、プラズマによって活性化した第2ガスを噴射することもできる。この場合、前記第3ガス噴射モジュール５３は、第3ハウジング５３１１（図13に示す）、第3通過溝５３１２（図13に示す）、及び第3供給孔５３１３（図13に示す）を含むことができる。
前記第3ハウジング５３１１は、前記第3設置孔４３に挿入することにより、前記チャンバーリード４に設置することができる。前記第3ハウジング５３１１は、前記プラズマ処理部２００からプラズマにより活性化した第2ガスの供給を受けることができる。これにより、前記第3ハウジング５３１１は、プラズマによって活性化した第2ガスを噴射することができる。
前記第3通過溝５３１２は、前記第3ハウジング５３１１に形成することができる。前記第3通過溝５３１２は、前記第3ハウジング５３１１の内側に位置することができる。前記第3ハウジング５３１１は、前記第3通過溝５３１２を介して一側が開放された形態で形成することができる。前記第3ハウジング５３１１は、開放された一側が前記基板支持部３（図2に示す）を向くように、前記チャンバーリード４に設置することができる。
前記第3供給孔５３１３は、前記第3ハウジング５３１１を貫通して形成することができる。前記第3供給孔５３１３は、前記第3通過溝５３１２に連通するように形成することができる。前記第3供給孔５３１３は、前記プラズマ処理部２００に接続することができる。前記プラズマ処理部２００は、プラズマを用いて前記第2ガスを活性化させる第2プラズマ処理モジュール２２０を含むことができる。前記第3供給孔５３１３は、前記第2プラズマ処理モジュール２２０に接続することができる。前記第2プラズマ処理モジュール２２０を経て、活性化した第2ガスは、前記第3供給孔５３１３を介して前記第3通過溝５３１２に供給することができる。前記第3ハウジング５３１１には、前記第3供給孔５３１３を複数個形成することもできる。
上述したように、前記第3ガス噴射モジュール５３がプラズマを用いて前記第2ガスを活性化させて噴射する場合、前記第2ガス噴射モジュール５２もまた、プラズマを用いて前記第2ガスを活性化して噴射することができる。この場合、図に示していないが、前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第2接地電極および前記第2プラズマ電極を用いて前記第2ガスを活性化して噴射するように具現することができる。前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第2プラズマ処理モジュール２２０を経て活性化した第2ガスを噴射するように具現することもできる。
図2及び図10を参照すると、本発明の変形された実施例に係るガス噴射部５は、前記第1ガス噴射モジュール５１および前記第2ガス噴射モジュール５２を含むことができる。本発明の変形された実施例に係るガス噴射部５は、上述したガス噴射部５の実施例と比較すると、前記第1ガス噴射モジュール５１および前記第2ガス噴射モジュール５２のみを用いて処理ガスを噴射するように具現することができる。この場合、本発明の変形された実施例に係るガス噴射部５は、前記第3ガス噴射モジュール５３を備えていないことがあり得る。本発明の変形された実施例に係るガス噴射部５は、前記第3ガス噴射モジュール５３を備え、前記第1ガス噴射モジュール５１および前記第2ガス噴射モジュール５２だけを用いて処理ガスを噴射している間、前記第3ガス噴射モジュール５３が処理ガスを噴射しないように具現することもできる。この場合、本発明の変形された実施例に係るガス噴射部５は、前記パージガス噴射モジュール５４をさらに備えることもでき、前記第1ガス噴射モジュール５１および前記第2ガス噴射モジュール５２だけを用いて処理ガスを噴射している間、前記パージガス噴射モジュール５４がパージガスを噴射しないように具現することもできる。
本発明の変形された実施例に係るガス噴射部５において、前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガス噴射空間５１０に処理ガスを噴射するとき、前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第1ガス噴射モジュール５１が噴射する処理ガスと同じ処理ガスを前記第2ガス噴射空間５２０に噴射することができる。
前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガス噴射空間５１０に前記処理ガスとして、ソースガスを噴射するとき、前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第2ガス噴射空間５２０にソースガスを噴射することができる。これにより、前記処理チャンバー２内では、ソースガスを用いた基板処理工程を行うことができる。
前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガス噴射空間５１０に前記処理ガスとして反応ガスを噴射するとき、前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第2ガス噴射空間５２０に反応ガスを噴射することができる。これにより、前記処理チャンバー２内では、反応ガスを用いた基板処理工程を行うことができる。
前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガス噴射空間５１０に前記処理ガスとしてパージガスを噴射するとき、前記第2ガス噴射モジュール５２は、前記第2ガス噴射空間５２０にパージガスを噴射することができる。これにより、前記処理チャンバー２内では、プロセスガスをパージする工程を行うことができる。
本発明の変形された実施例に係るガス噴射部５は、本発明の変形された実施例に係るガス噴射装置で具現することができる。一方、本発明の変形された実施例に係るガス噴射部５は、上述した本発明に係る基板処理装置１および、本発明の変形された実施例に係る基板処理装置１のそれぞれに適用することができる。
以下では、本発明に係る基板処理方法の実施例を添付の図を参照して詳細に説明する。
図2〜図13を参照すると、本発明に係る基板処理方法は、前記処理チャンバー２内に処理ガスを噴射して前記基板（S）を処理するものである。本発明に係る基板処理方法は、上述した本発明に係る基板処理装置１を介して行われ得る。本発明に係る基板処理方法は、次のような工程を含むことができる。
まず、ソースガスを噴射する。このような工程は、前記ガス噴射部５が、前記第1ガス噴射空間５１０と前記第2ガス噴射空間５２０にソースガスを噴射することによって行うことができる。前記ソースガスを噴射する工程は、前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガス噴射空間５１０にソースガスを噴射するとともに、前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０にソースガスを噴射することによって行うことができる。この場合、前記のソースガスを噴射する工程は、プラズマを用いて、ソースガスを活性化させて噴射することによって行うこともできる。前記ソースガスを噴射する工程を行う間、前記第3ガス噴射モジュール５３は、前記反応ガスの噴射を停止するとともに、前記パージガス噴射モジュール５４は、前記パージガスの噴射を停止することができる。前記ソースガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３が前記基板（S）を回転させる工程を並行して行うことができる。
次に、ソースガスをパージする。このような工程は、前記ガス噴射部５が前記パージガス噴射空間５４０と前記第2ガス噴射空間５２０にパージガスを噴射することによって行うことができる。前記ソースガスをパージする工程は、前記パージガス噴射モジュール５４が、前記パージガス噴射空間５４０にパージガスを噴射するとともに、前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０にパージガスを噴射することによって行うことができる。前記ソースガスをパージする工程を行う間、前記第1ガス噴射モジュール５１は、前記ソースガスの噴射を停止するとともに、前記第3ガス噴射モジュール５３は、前記反応ガスの噴射を停止することができる。前記ソースガスをパージする工程を行う間、前記基板支持部３が前記基板（S）を回転させる工程を並行して行うことができる。
次に、反応ガスを噴射する。このような工程は、前記ガス噴射部５が前記第3ガス噴射空間５３０と前記第2ガス噴射空間５２０に反応ガスを噴射することによって行うことができる。前記反応ガスを噴射する工程は、前記第3ガス噴射モジュール５３が、前記第3ガス噴射空間５３０に反応ガスを噴射するとともに、前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０に反応ガスを噴射することによって行うことができる。この場合、前記反応ガスを噴射する工程は、プラズマを用いて、反応ガスを活性化させて噴射することによって行うこともできる。前記反応ガスを噴射する工程を行う間、前記第1ガス噴射モジュール５１は、前記ソースガスの噴射を停止するとともに、前記パージガス噴射モジュール５４は、前記パージガスの噴射を停止することができる。前記反応ガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３が前記基板（S）を回転させる工程を並行して行うことができる。
次に、反応ガスをパージする。このような工程は、前記ガス噴射部５が前記パージガス噴射空間５４０と前記第2ガス噴射空間５２０にパージガスを噴射することによって行うことができる。前記反応ガスをパージする工程は、前記パージガス噴射モジュール５４が、前記パージガス噴射空間５４０にパージガスを噴射するとともに、前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０にパージガスを噴射することによって行うことができる。前記反応ガスをパージする工程を行う間、前記第1ガス噴射モジュール５１は、前記ソースガスの噴射を停止するとともに、前記第3ガス噴射モジュール５３は、前記反応ガスの噴射を停止することができる。前記反応ガスをパージする工程を行う間、前記基板支持部３が前記基板（S）を回転させる工程を並行して行うことができる。
図2〜図16を参照すると、本発明の変形された実施例による基板処理方法は、次のような工程を含むことができる。本発明の変形された実施例による基板処理方法は、上述した本発明の変形された実施例に係るガス噴射部５が適用された基板処理装置を介して行うことができる。図14〜図16でハッチングが表示された部分は直接的にプロセスガスおよびパージガスが噴射される空間であり、ハッチングが表示されていない部分は、直接的にプロセスガスおよびパージガスが噴射されない空間である。
まず、図14に示すように、前記第1ガス噴射空間５１０と前記第2ガス噴射空間５２０にソースガスを噴射する。このような工程は、前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガス噴射空間５１０にソースガスを噴射すると同時に、前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０にソースガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内では、ソースガスを用いた基板処理工程を行うことができる。前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間にソースガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
次に、図15に示すように、前記第1ガス噴射空間５１０および前記第2ガス噴射空間５２０にパージガスを噴射する。このような工程は、前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガス噴射空間５１０にパージガスを噴射すると同時に、前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０にパージガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内では、ソースガスをパージする工程を行うことができる。前記第1ガス噴射空間および前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
次に、図16に示すように、前記第1ガス噴射空間５１０と前記第2ガス噴射空間５２０に反応ガスを噴射する。このような工程は、前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガス噴射空間５１０に反応ガスを噴射すると同時に、前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０に反応ガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内では反応ガスを用いた基板処理工程を行うことができる。前記第1ガス噴射空間および前記第2ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
上述したような工程を介して、本発明の変形された実施例による基板処理方法は、前記基板（S）の処理工程を行うことができる。本発明の変形された実施例による基板処理方法は、前記第1ガス噴射空間５１０と前記第2ガス噴射空間５２０に反応ガスを噴射した後に、前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程をさらに含むことができる。
前記第1ガス噴射空間および前記第2ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程は、前記第1ガス噴射空間および前記第2ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程が完了した後、前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガス噴射空間５１０にパージガスを噴射すると同時に、前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０にパージガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内では反応ガスをパージする工程を行うことができる。前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
図2〜図17を参照すると、本発明の他の変形された実施例による基板処理方法は、次のような工程を含むことができる。図17でハッチングが表示された部分は直接的にプロセスガスおよびパージガスが噴射される空間であり、ハッチングが表示されていない部分は、直接的にプロセスガスおよびパージガスが噴射されない空間である。
まず、図17に示すように、前記第1ガス噴射空間５１０にソースガスを噴射する。このような工程は、前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガス噴射空間５１０にソースガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内で、前記第1ガス噴射空間５１０に位置する基板（S）に対しては、ソースガスを用いた基板処理工程を行うことができる。前記第1ガス噴射空間にソースガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
次に、図17に示すように、前記第2ガス噴射空間５２０にパージガスを噴射する。このような工程は、前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０にパージガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２の内部で前記第1ガス噴射空間５１０および、前記第3ガス噴射空間５３０をパージガスによって空間的に区画することができる。前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
次に、図17に示すように、前記第3ガス噴射空間５３０に反応ガスを噴射する。このような工程は、前記第3ガス噴射モジュール５３が、前記第3ガス噴射空間５３０に反応ガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内で、前記第3ガス噴射空間５３０に位置した基板（S）に対しては、反応ガスを用いた基板処理工程を行うことができる。前記第3ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
ここで、前記第1ガス噴射空間にソースガスを噴射する工程、前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程、及び前記第3ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程は、同時に行うことができる。これにより、前記パージガスによって前記第1ガス噴射空間５１０および前記第3ガス噴射空間５３０が空間的に区画された状態で、基板（S）には、前記第1ガス噴射空間５１０を通過しながら、ソースガスによる処理工程を行うと共に、前記第3ガス噴射空間５３０を通過しながら反応ガスによる処理工程を行うことができる。
上述したような工程を介して、本発明の他の変形された実施例による基板処理方法は、前記基板（S）に対する処理工程を行うことができる。本発明の他の変形された実施例による基板処理方法は、前記パージガス噴射空間にパージガスを噴射する工程をさらに含むことができる。
前記パージガス空間にパージガスを噴射する工程は、前記パージガス噴射モジュール５４が、前記パージガス噴射空間５４０、５４０’にパージガスを噴射することによって行うことができる。前記パージガス空間にパージガスを噴射する工程、前記第1ガス噴射空間にソースガスを噴射する工程、前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程、及び前記第3ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程は、同時に行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内で、前記第1ガス噴射空間５１０および前記第3ガス噴射空間５３０がパージガスによって空間的に区画される区画力が増大した状態で、基板（S）には、前記第1ガス噴射空間５１０を通過しながら、ソースガスによる処理工程を行うと共に、前記第3ガス噴射空間５３０を通過しながら反応ガスによる処理工程を行うことができる。
図2〜図17を参照すると、本発明のまた他の変形された実施例による基板処理方法は、時分割処理工程および空間分割処理工程を含むことができる。
前記時分割処理工程は、前記処理チャンバー２内に時間によって処理ガスを変更して噴射する時分割モードで基板を処理するものである。前記時分割処理工程を行うことにより、前記処理チャンバー２内では、ソースガスを用いた基板処理工程、ソースガスをパージする工程、反応ガスを用いた基板処理工程、及び反応ガスをパージする工程を順に行うことができる。
前記空間分割処理工程は、前記処理チャンバー２内に空間別に異なる処理ガスを噴射する空間分割モードで基板を処理するものである。前記空間分割処理工程を行うことにより、前記処理チャンバー２内ではパージガスを用いて、空間が区画された状態で、ソースガスを用いた基板処理工程および反応ガスを用いた基板処理工程を並行して行うことができる。
このように、本発明のまた他の変形された実施例による基板処理方法は、一つの基板処理装置１を用いて、時分割処理工程および空間分割処理工程を行うように具現することができる。これにより、本発明のまた他の変形された実施例による基板処理方法は、前記時分割処理工程を介してPure ALD（Atomic Layer Deposition）工程を行うことができると同時に、前記空間分割処理工程を介してALD工程の生産性を高めることができる。
本発明のまた他の変形された実施例による基板処理方法は、繰り返し処理工程をさらに含むことができる。前記繰り返し処理工程は、前記時分割処理工程および前記空間分割処理工程を交互に繰り返して行うものである。これにより、本発明のまた他の変形された実施例による基板処理方法は、一つの基板処理装置１を用いて前記時分割処理工程および空間分割処理工程を交互に繰り返して行うように具現することができる。
ここで、前記時分割処理工程は、以下のような工程を含むように具現することができる。
まず、図14に示すように、前記第1ガス噴射空間５１０と前記第2ガス噴射空間５２０にソースガスを噴射する。このような工程は、前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガス噴射空間５１０にソースガスを噴射すると同時に、前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０にソースガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内では、ソースガスを用いた基板処理工程を行うことができる。前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間にソースガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
次に、図15に示すように、前記第1ガス噴射空間５１０と前記第2ガス噴射空間５２０にパージガスを噴射する。このような工程は、前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガス噴射空間５１０にパージガスを噴射すると同時に、前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０にパージガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内では、ソースガスをパージする工程を行うことができる。前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
次に、図16に示すように、前記第1ガス噴射空間５１０と前記第2ガス噴射空間５２０に反応ガスを噴射する。このような工程は、前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガス噴射空間５１０に反応ガスを噴射すると同時に、前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０に反応ガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内では反応ガスを用いた基板処理工程を行うことができる。前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
上述したような工程を介して、前記時分割処理工程を行うことができる。前記時分割処理工程は、前記第1ガス噴射空間５１０と前記第2ガス噴射空間５２０に反応ガスを噴射した後、前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程をさらに含むことができる。
前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程は、前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程が完了した後、前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガス噴射空間５１０にパージガスを噴射すると同時に、前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０にパージガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内では反応ガスをパージする工程を行うことができる。前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
ここで、前記時分割処理工程は、以下のような工程を含むように具現することができる。
まず、図7に示すように、前記第1ガス噴射空間５１０及び前記第2ガス噴射空間５２０にソースガスを噴射する。このような工程は、前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガス噴射空間５１０にソースガスを噴射するとともに、前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０にソースガスを噴射することによって行うことができる。前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間にソースガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
次に、図9に示すように、ソースガスをパージする。このような工程は、前記ガス噴射部５が前記パージガス噴射空間５４０と前記第2ガス噴射空間５２０にパージガスを噴射することによって行うことができる。前記ソースガスをパージする工程は、前記パージガス噴射モジュール５４が、前記パージガス噴射空間５４０にパージガスを噴射するとともに、前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０にパージガスを噴射することによって行うことができる。前記ソースガスをパージする工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
次に、図8に示すように、前記第3ガス噴射空間５３０と前記第2ガス噴射空間５２０に反応ガスを噴射する。このような工程は、前記第3ガス噴射モジュール５３が、前記第3ガス噴射空間５３０に反応ガスを噴射するとともに、前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０に反応ガスを噴射することによって行うことができる。前記第3ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
次に、図9に示すように反応ガスをパージする。このような工程は、前記ガス噴射部５が前記パージガス噴射空間５４０と前記第2ガス噴射空間５２０にパージガスを噴射することによって行うことができる。前記反応ガスをパージする工程は、前記パージガス噴射モジュール５４が、前記パージガス噴射空間５４０にパージガスを噴射するとともに、前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０にパージガスを噴射することによって行うことができる。前記反応ガスをパージする工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
ここで、前記空間分割処理工程は、以下のような工程を含むように具現することができる。
まず、図17に示すように、前記第1ガス噴射空間５１０にソースガスを噴射する。このような工程は、前記第1ガス噴射モジュール５１が、前記第1ガス噴射空間５１０にソースガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内で、前記第1ガス噴射空間５１０に位置する基板（S）に対しては、ソースガスを用いた基板処理工程を行うことができる。前記第1ガス噴射空間にソースガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
次に、図17に示すように、前記第2ガス噴射空間５２０にパージガスを噴射する。このような工程は、前記第2ガス噴射モジュール５２が、前記第2ガス噴射空間５２０にパージガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２の内部で前記第1ガス噴射空間５１０および前記第3ガス噴射空間５３０がパージガスによって空間的に区画され得る。前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
次に、図17に示すように、前記第3ガス噴射空間５３０に反応ガスを噴射する。このような工程は、前記第3ガス噴射モジュール５３が、前記第3ガス噴射空間５３０に反応ガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内で、前記第3ガス噴射空間５３０に位置する基板（S）に対しては、反応ガスを用いた基板処理工程を行うことができる。前記第3ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
前記第1ガス噴射空間にソースガスを噴射する工程、前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程、及び前記第3ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程は、同時に行うことができる。これにより、前記パージガスによって前記第1ガス噴射空間５１０および前記第3ガス噴射空間５３０が空間的に区画された状態で、基板（S）には、前記第1ガス噴射空間５１０を通過しながら、ソースガスによる処理工程を行うと共に、前記第3ガス噴射空間５３０を通過しながら反応ガスによる処理工程を行うことができる。
上述したような工程を介して、前記空間分割処理工程は、前記基板（S）に対する処理工程を行うことができる。前記空間分割処理工程は、前記パージガス噴射空間にパージガスを噴射する工程をさらに含むことができる。
前記パージガス空間にパージガスを噴射する工程は、前記パージガス噴射モジュール５４が、前記パージガス噴射空間５４０、５４０’にパージガスを噴射することによって行うことができる。前記パージガス空間にパージガスを噴射する工程、前記第1ガス噴射空間にソースガスを噴射する工程、前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程、及び前記第3ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程は、同時に行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内で、前記第1ガス噴射空間５１０および、前記第3ガス噴射空間５３０がパージガスによって空間的に区画される区画力が増大した状態で、基板（S）には、前記第1ガス噴射空間５１０を通過しながら、ソースガスによる処理工程を行うと共に、前記第3ガス噴射空間５３０を通過しながら反応ガスによる処理工程を行うことができる。
ここで、本発明のまた他の変形された実施例による基板処理方法は、前記時分割処理工程に対して、以下のように変形した実施例を含むことができる。
図18及び図19を参照すると、第1変形実施例に係る時分割処理工程は、以下のような工程を含むように具現することができる。図18及び図19にハッチングが表示された部分は直接的にプロセスガスが噴射される空間であり、ハッチングが表示されていない部分は、直接的にプロセスガスが噴射されない空間である。
まず、図18に示すように、前記第1ガス噴射空間５１０のみにソースガスを噴射する。このような工程は、前記第1ガス噴射モジュール５１だけが、前記第1ガス噴射空間５１０にソースガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内では、前記第1ガス噴射モジュール５１から噴射されたソースガスを用いた基板処理工程を行うことができる。前記第1ガス噴射空間のみにソースガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。前記第1ガス噴射空間のみにソースガスを噴射する工程を行う間、前記第2ガス噴射モジュール５２、前記第3ガス噴射モジュール５３、及び前記パージガス噴射モジュール５４は、ガスを噴射しない。
次に、ソースガスをパージする。このような工程は、前記ガス噴射部５がパージガスを噴射することによって行うことができる。この場合、前記のソースガスをパージする工程は、前記パージガス噴射モジュール５４が、前記パージガス噴射空間５４０にパージガスを噴射することによって行うことができる。前記ソースガスをパージする工程は、前記第1ガス噴射空間５１０、前記第2ガス噴射空間５２０、前記第3ガス噴射空間５３０、前記パージガス噴射空間５４０のうち少なくとも一つにパージガスを噴射することによって行うこともできる。前記ソースガスをパージする工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
次に、図19に示すように、前記第3ガス噴射空間５３０のみに反応ガスを噴射する。このような工程は、前記第3ガス噴射モジュール５３だけが、前記第3ガス噴射空間５３０に反応ガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内では、前記第3ガス噴射モジュール５３から噴射された反応ガスを用いた基板処理工程を行うことができる。前記第3ガス噴射空間のみに反応ガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。前記第3ガス噴射空間のみに反応ガスを噴射する工程を行う間、前記第1ガス噴射モジュール５１、前記第2ガス噴射モジュール５２、及び前記パージガス噴射モジュール５４は、ガスを噴射しない。
次に、反応ガスをパージする。このような工程は、前記ガス噴射部５がパージガスを噴射することによって行うことができる。この場合、前記反応ガスをパージする工程は、前記パージガス噴射モジュール５４が、前記パージガス噴射空間５４０にパージガスを噴射することによって行うことができる。前記反応ガスをパージする工程は、前記第1ガス噴射空間５１０、前記第2ガス噴射空間５２０、前記第3ガス噴射空間５３０、前記パージガス噴射空間５４０のうち少なくとも一つにパージガスを噴射することによって行うこともできる。前記反応ガスをパージする工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
図20及び図21を参照すると、第2変形実施例に係る時分割処理工程は、以下のような工程を含むように具現することができる。図20及び図21にハッチングが表示された部分は直接的にプロセスガスが噴射される空間であり、ハッチングが表示されていない部分は、直接的にプロセスガスが噴射されない空間である。
まず、図20に示すように、前記第2ガス噴射空間５２０のみにソースガスを噴射する。このような工程は、前記第2ガス噴射モジュール５２だけが、前記第2ガス噴射空間５２０にソースガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内では、前記第2ガス噴射モジュール５２から噴射されたソースガスを用いた基板処理工程を行うことができる。前記第2ガス噴射空間のみにソースガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。前記第2ガス噴射空間のみにソースガスを噴射する工程を行う間、前記第1ガス噴射モジュール５１、前記第3ガス噴射モジュール５３、及び前記パージガス噴射モジュール５４は、ガスを噴射しない。
次に、ソースガスをパージする。このような工程は、前記ガス噴射部５がパージガスを噴射することによって行うことができる。この場合、前記のソースガスをパージする工程は、前記パージガス噴射モジュール５４が、前記パージガス噴射空間５４０にパージガスを噴射することによって行うことができる。前記ソースガスをパージする工程は、前記第1ガス噴射空間５１０、前記第2ガス噴射空間５２０、前記第3ガス噴射空間５３０、前記パージガス噴射空間５４０のうち少なくとも一つにパージガスを噴射することによって行うこともできる。前記ソースガスをパージする工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
次に、図21に示すように、前記第2ガス噴射空間５２０のみに反応ガスを噴射する。このような工程は、前記第2ガス噴射モジュール５２だけが、前記第2ガス噴射空間５２０に反応ガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内では、前記第2ガス噴射モジュール５２から噴射された反応ガスを用いた基板処理工程を行うことができる。前記第2ガス噴射空間のみに反応ガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。前記第2ガス噴射空間のみに反応ガスを噴射する工程を行う間、前記第1ガス噴射モジュール５１、前記第3ガス噴射モジュール５３、及び前記パージガス噴射モジュール５４は、ガスを噴射しない。
次に、反応ガスをパージする。このような工程は、前記ガス噴射部５がパージガスを噴射することによって行うことができる。この場合、前記反応ガスをパージする工程は、前記パージガス噴射モジュール５４が、前記パージガス噴射空間５４０にパージガスを噴射することによって行うことができる。前記反応ガスをパージする工程は、前記第1ガス噴射空間５１０、前記第2ガス噴射空間５２０、前記第3ガス噴射空間５３０、前記パージガス噴射空間５４０のうち少なくとも一つにパージガスを噴射することによって行うこともできる。前記反応ガスをパージする工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
図22及び図23を参照すると、第3変形実施例に係る時分割処理工程は、以下のような工程を含むように具現することができる。図20及び図23にハッチングが表示された部分は直接的にプロセスガスを噴射する空間であり、ハッチングが表示されていない部分は、直接的にプロセスガスを噴射しない空間である。
まず、図22に示すように、前記第1ガス噴射空間５１０、前記第2ガス噴射空間５２０、及び前記第3ガス噴射空間５３０のすべてに、ソースガスを噴射する。このような工程は、前記第1ガス噴射モジュール５１、前記第2ガス噴射モジュール５２、及び前記第3ガス噴射モジュール５３が、前記第1ガス噴射空間５１０、前記第2ガス噴射空間５２０、及び前記第3ガス噴射空間５３０のそれぞれにソースガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内では、前記第1ガス噴射モジュール５１、前記第2ガス噴射モジュール５２、及び前記第3ガス噴射モジュール５３のそれぞれから噴射されたソースガスを用いた基板処理工程を行うことができる。前記第1ガス噴射空間、前記第2ガス噴射空間、および前記第3ガス噴射空間のすべてにソースガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。前記第1ガス噴射空間、前記第2ガス噴射空間、および前記第3ガス噴射空間のすべてにソースガスを噴射する工程を行う間、前記パージガス噴射モジュール５４は、ガスを噴射しない。
次に、ソースガスをパージする。このような工程は、前記ガス噴射部５がパージガスを噴射することによって行うことができる。この場合、前記のソースガスをパージする工程は、前記パージガス噴射モジュール５４が、前記パージガス噴射空間５４０にパージガスを噴射することによって行うことができる。前記ソースガスをパージする工程は、前記第1ガス噴射空間５１０、前記第2ガス噴射空間５２０、前記第3ガス噴射空間５３０、前記パージガス噴射空間５４０のうち少なくとも一つにパージガスを噴射することによって行うこともできる。前記ソースガスをパージする工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
次に、図23に示すように、前記第1ガス噴射空間５１０、前記第2ガス噴射空間５２０、及び前記第3ガス噴射空間５３０のすべてに反応ガスを噴射する。このような工程は、前記第1ガス噴射モジュール５１、前記第2ガス噴射モジュール５２、及び前記第3ガス噴射モジュール５３が、前記第1ガス噴射空間５１０、前記第2ガス噴射空間５２０、及び前記第3ガス噴射空間５３０のそれぞれに反応ガスを噴射することによって行うことができる。これにより、前記処理チャンバー２内では、前記第1ガス噴射モジュール５１、前記第2ガス噴射モジュール５２、及び前記第3ガス噴射モジュール５３のそれぞれから噴射された反応ガスを用いた基板処理工程を行うことができる。前記第1ガス噴射空間、前記第2ガス噴射空間、および前記第3ガス噴射空間のすべてに反応ガスを噴射する工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。前記第1ガス噴射空間、前記第2ガス噴射空間、および前記第3ガス噴射空間のすべてに反応ガスを噴射する工程を行う間、前記パージガス噴射モジュール５４は、ガスを噴射しない。
次に、反応ガスをパージする。このような工程は、前記ガス噴射部５がパージガスを噴射することによって行うことができる。この場合、前記反応ガスをパージする工程は、前記パージガス噴射モジュール５４が、前記パージガス噴射空間５４０にパージガスを噴射することによって行うことができる。前記反応ガスをパージする工程は、前記第1ガス噴射空間５１０、前記第2ガス噴射空間５２０、前記第3ガス噴射空間５３０、前記パージガス噴射空間５４０のうち少なくとも一つにパージガスを噴射することによって行うこともできる。前記反応ガスをパージする工程を行う間、前記基板支持部３は、前記基板（S）を回転経路に沿って回転させることができる。
以上で説明した本発明は、前述した実施例及び添付の図に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、複数の置換、変形及び変更が可能であることが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者にとって明らかであろう。
Claims (16)
- 第1ガス噴射空間に第1ガスを噴射する第1ガス噴射モジュール、
前記第1ガス噴射空間と異なる第2ガス噴射空間に処理ガスを噴射する第2ガス噴射モジュール、および
前記第1ガス噴射空間および前記第2ガス噴射空間それぞれと異なる第3ガス噴射空間に第2ガスを噴射する第3ガス噴射モジュールを含み、
前記第2ガス噴射モジュールは、前記第1ガス噴射モジュールが前記第1ガスを噴射するときに、前記第2ガス噴射空間に前記第1ガスを噴射し、前記第3ガス噴射モジュールが前記第2ガスを噴射するときに、前記第2ガス噴射空間に前記第2ガスを噴射することを特徴とする基板処理装置のガス噴射装置。 - 前記第1ガス噴射空間、前記第2ガス噴射空間、および前記第3ガス噴射空間と異なるパージガス噴射空間にパージガスを噴射するパージガス噴射モジュールを含み、
前記第2ガス噴射モジュールは、前記パージガス噴射モジュールがパージガスを噴射するときに、前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置のガス噴射装置。 - 前記第1ガス噴射モジュールおよび前記第2ガス噴射モジュールが、それぞれプラズマを用いて前記第1ガスを活性化させて噴射し、
前記第3ガス噴射モジュールおよび前記第2ガス噴射モジュールは、それぞれプラズマを用いて前記第2ガスを活性化させて噴射することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置のガス噴射装置。 - 処理チャンバー、
複数の基板を支持するように前記処理チャンバー内に設置され、回転軸を中心に回転する基板支持部、
前記処理チャンバーの上部を覆うチャンバーリード、および
前記チャンバーリードに設置されて前記基板支持部の方に処理ガスを噴射するガス噴射部を含み、
前記ガス噴射部が、前記チャンバーリードに設置されてソースガスを噴射する第1ガス噴射モジュール、前記第1ガス噴射モジュールから離隔した位置で前記チャンバーリードに設置された第2ガス噴射モジュール、および前記第1ガス噴射モジュールと前記第2ガス噴射モジュールそれぞれから離隔した位置で前記チャンバーリードに設置されて反応ガスを噴射する第3ガス噴射モジュールを含み、
前記第2ガス噴射モジュールは、前記第1ガス噴射モジュールがソースガスを噴射するときにソースガスを噴射し、前記第3ガス噴射モジュールが反応ガスを噴射するときに反応ガスを噴射することを特徴とする基板処理装置。 - 前記ガス噴射部が、前記第1ガス噴射モジュール、前記第2ガス噴射モジュール、および前記第3ガス噴射モジュールそれぞれから離隔した位置で前記チャンバーリードに設置されたパージガス噴射モジュールを含み、
前記第2ガス噴射モジュールは、前記パージガス噴射モジュールがパージガスを噴射するときにパージガスを噴射することを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。 - 前記第2ガス噴射モジュールが、前記基板支持部の回転軸から上側に離隔した位置に配置されるように前記チャンバーリードに設置されたことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
- 前記基板支持部が、前記基板が回転経路に沿って移動するように、前記回転軸を中心に回転し、
前記第1ガス噴射モジュールおよび前記第3ガス噴射モジュールは、前記基板の回転経路に対して重畳するように、前記チャンバーリードに設置され、
前記第2ガス噴射モジュールは、前記基板の回転経路に対して重畳しないように、前記チャンバーリードに設置されたことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。 - 処理チャンバー内に処理ガスを噴射して基板を処理する方法であって、
前記処理チャンバーの第1ガス噴射空間と前記第1ガス噴射空間に隣接した第2ガス噴射空間にソースガスを噴射する工程、
前記ソースガスをパージする工程、
前記第1ガス噴射空間と異なる第3ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程、および
前記反応ガスをパージする工程を含む、基板処理方法。 - 処理チャンバー内に処理ガスを噴射して基板を処理する方法であって、
前記処理チャンバーの第1ガス噴射空間と前記第1ガス噴射空間に隣接した第2ガス噴射空間にソースガスを噴射する工程、
前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程、および
前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程を含む、基板処理方法。 - 前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間に反応ガスを噴射した後に、前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
- 処理チャンバー内に処理ガスを噴射して基板を処理する方法であって、
処理チャンバー内に時間によって、処理ガスを変更して噴射する時分割モードで基板を処理する時分割処理工程、および
前記処理チャンバー内に空間別に異なる処理ガスを噴射する空間分割モードで基板を処理する空間分割処理工程を含む基板処理方法。 - 前記時分割処理工程および前記空間分割処理工程を交互に繰り返して行う反復処理工程を含む請求項１１に記載の基板処理方法。
- 前記時分割処理工程が、
前記処理チャンバーの第1ガス噴射空間と前記第1ガス噴射空間に隣接した第2ガス噴射空間にソースガスを噴射する工程、
前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程、
前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程、および
前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程を含むことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。 - 前記時分割処理工程が、
前記処理チャンバーの第1ガス噴射空間と前記第1ガス噴射空間に隣接した第2ガス噴射空間にソースガスを噴射する工程、
前記ソースガスをパージする工程、
前記第1ガス噴射空間と異なる第3ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程、および
前記反応ガスをパージする工程を含むことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。 - 前記空間分割処理工程が、前記処理チャンバーの第1ガス噴射空間にソースガスを噴射する工程、前記第1ガス噴射空間に隣接した第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程、および前記第1ガス噴射空間と前記第2ガス噴射空間それぞれと異なる第3ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程を含み、
前記第1ガス噴射空間にソースガスを噴射する工程、前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程、および前記第3ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程が、同時に行なわれることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。 - 前記空間分割処理工程が、前記第1ガス噴射空間、前記第3ガス噴射空間、および前記第2ガス噴射空間と異なるパージガス噴射空間にパージガスを噴射する工程を含み、
前記第1ガス噴射空間にソースガスを噴射する工程、前記第2ガス噴射空間にパージガスを噴射する工程、前記第3ガス噴射空間に反応ガスを噴射する工程、および前記パージガス噴射空間にパージガスを噴射する工程が、同時に行なわれることを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20170096375 | 2017-07-28 | ||
| KR10-2017-0096375 | 2017-07-28 | ||
| KR20170102535 | 2017-08-11 | ||
| KR10-2017-0102535 | 2017-08-11 | ||
| KR10-2018-0082066 | 2018-07-16 | ||
| KR1020180082066A KR102155281B1 (ko) | 2017-07-28 | 2018-07-16 | 기판처리장치의 가스분사장치, 기판처리장치, 및 기판처리방법 |
| PCT/KR2018/008098 WO2019022430A1 (ko) | 2017-07-28 | 2018-07-18 | 기판처리장치의 가스분사장치, 기판처리장치, 및 기판처리방법 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020528498A true JP2020528498A (ja) | 2020-09-24 |
| JP2020528498A5 JP2020528498A5 (ja) | 2021-08-12 |
| JP7145928B2 JP7145928B2 (ja) | 2022-10-03 |
Family
ID=65370631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020503937A Active JP7145928B2 (ja) | 2017-07-28 | 2018-07-18 | 基板処理装置のガス噴射装置、基板処理装置、および基板処理方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11651941B2 (ja) |
| JP (1) | JP7145928B2 (ja) |
| KR (1) | KR102155281B1 (ja) |
| CN (1) | CN110914970B (ja) |
| TW (1) | TWI769284B (ja) |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030002776A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 박막 증착 장비 |
| JP2009239082A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Ltd | ガス供給装置、処理装置及び処理方法 |
| JP2010087238A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| KR20120081772A (ko) * | 2011-01-12 | 2012-07-20 | 주성엔지니어링(주) | 가스 공급 장치, 가스 공급 방법 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 |
| KR20130074414A (ko) * | 2011-12-26 | 2013-07-04 | 주식회사 원익아이피에스 | 박막 제조방법 및 그 제조장치 |
| KR20130118603A (ko) * | 2012-04-20 | 2013-10-30 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판처리장치 |
| US20150225848A1 (en) * | 2012-08-23 | 2015-08-13 | Jusung Engineering Co. Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
| US20160322214A1 (en) * | 2015-05-02 | 2016-11-03 | Applied Materials, Inc. | Methods For Depositing Low K And Low Wet Etch Rate Dielectric Thin Films |
| JP2016213289A (ja) * | 2015-05-01 | 2016-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
| KR20170103117A (ko) * | 2016-03-03 | 2017-09-13 | 임경철 | 증착 장치 및 방법 |
| KR20180045199A (ko) * | 2016-10-25 | 2018-05-04 | 주식회사 엔씨디 | 롤투롤 원자층 증착장치 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100444149B1 (ko) * | 2000-07-22 | 2004-08-09 | 주식회사 아이피에스 | Ald 박막증착설비용 클리닝방법 |
| US6656282B2 (en) * | 2001-10-11 | 2003-12-02 | Moohan Co., Ltd. | Atomic layer deposition apparatus and process using remote plasma |
| JP3574651B2 (ja) | 2002-12-05 | 2004-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
| JP4935687B2 (ja) | 2008-01-19 | 2012-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
| JP2011074413A (ja) | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置および成膜方法、ならびに基板処理装置 |
| KR101665581B1 (ko) | 2010-06-22 | 2016-10-12 | 주식회사 원익아이피에스 | 박막증착방법 |
| KR20130090287A (ko) * | 2012-02-03 | 2013-08-13 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| CN108277478B (zh) * | 2012-05-29 | 2020-03-20 | 周星工程股份有限公司 | 基板加工装置及基板加工方法 |
| KR102014877B1 (ko) * | 2012-05-30 | 2019-08-27 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| WO2014003434A1 (ko) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102070400B1 (ko) * | 2012-06-29 | 2020-01-28 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP6258657B2 (ja) | 2013-10-18 | 2018-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
| KR101540718B1 (ko) * | 2014-03-11 | 2015-07-31 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| KR101849861B1 (ko) * | 2014-03-28 | 2018-05-31 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
| KR102487805B1 (ko) * | 2015-04-28 | 2023-01-12 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US9934956B2 (en) * | 2015-07-27 | 2018-04-03 | Lam Research Corporation | Time multiplexed chemical delivery system |
| KR20170022459A (ko) * | 2015-08-20 | 2017-03-02 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR20200079696A (ko) * | 2018-12-26 | 2020-07-06 | 주성엔지니어링(주) | 기판처리장치 |
-
2018
- 2018-07-16 KR KR1020180082066A patent/KR102155281B1/ko active IP Right Grant
- 2018-07-18 US US16/628,021 patent/US11651941B2/en active Active
- 2018-07-18 JP JP2020503937A patent/JP7145928B2/ja active Active
- 2018-07-18 CN CN201880047348.2A patent/CN110914970B/zh active Active
- 2018-07-27 TW TW107126006A patent/TWI769284B/zh active
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030002776A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 박막 증착 장비 |
| JP2009239082A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Ltd | ガス供給装置、処理装置及び処理方法 |
| JP2010087238A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| KR20120081772A (ko) * | 2011-01-12 | 2012-07-20 | 주성엔지니어링(주) | 가스 공급 장치, 가스 공급 방법 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 |
| KR20130074414A (ko) * | 2011-12-26 | 2013-07-04 | 주식회사 원익아이피에스 | 박막 제조방법 및 그 제조장치 |
| KR20130118603A (ko) * | 2012-04-20 | 2013-10-30 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판처리장치 |
| US20150225848A1 (en) * | 2012-08-23 | 2015-08-13 | Jusung Engineering Co. Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
| JP2016213289A (ja) * | 2015-05-01 | 2016-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
| US20160322214A1 (en) * | 2015-05-02 | 2016-11-03 | Applied Materials, Inc. | Methods For Depositing Low K And Low Wet Etch Rate Dielectric Thin Films |
| JP2018515921A (ja) * | 2015-05-02 | 2018-06-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 低誘電率かつ低湿式エッチング速度の誘電体薄膜を堆積させるための方法 |
| KR20170103117A (ko) * | 2016-03-03 | 2017-09-13 | 임경철 | 증착 장치 및 방법 |
| KR20180045199A (ko) * | 2016-10-25 | 2018-05-04 | 주식회사 엔씨디 | 롤투롤 원자층 증착장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190013497A (ko) | 2019-02-11 |
| KR102155281B1 (ko) | 2020-09-11 |
| US11651941B2 (en) | 2023-05-16 |
| US20200219700A1 (en) | 2020-07-09 |
| TW201911381A (zh) | 2019-03-16 |
| CN110914970A (zh) | 2020-03-24 |
| TWI769284B (zh) | 2022-07-01 |
| CN110914970B (zh) | 2023-10-10 |
| JP7145928B2 (ja) | 2022-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5177591B2 (ja) | バッチ型原子層蒸着装置 | |
| US20120152172A1 (en) | Gas-discharging device and substrate-processing apparatus using same | |
| JP2007247066A (ja) | 回転サセプタを備える半導体処理装置 | |
| KR20130133622A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR100574569B1 (ko) | 박막 증착방법 및 분리된 퍼지가스 분사구를 구비하는박막 증착장치 | |
| US10923326B2 (en) | Gas spraying apparatus for substrate processing apparatus and substrate processing apparatus | |
| KR20110041665A (ko) | 기판처리장치 | |
| JP7145928B2 (ja) | 基板処理装置のガス噴射装置、基板処理装置、および基板処理方法 | |
| KR101396462B1 (ko) | 원자층 박막 증착장치 | |
| KR20140006505A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR101834984B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 | |
| KR101907973B1 (ko) | 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치 | |
| KR101854242B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 | |
| US20220074049A1 (en) | Substrate treatment apparatus | |
| KR101839409B1 (ko) | 가스 공급 장치, 가스 공급 방법 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 | |
| KR20210072383A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JP2022533967A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP7468926B2 (ja) | シャワーヘッド及び基板処理装置 | |
| KR102671461B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
| KR101938267B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 | |
| KR102029952B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| US20230085592A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| KR101668867B1 (ko) | 원자층 증착장치 | |
| KR20240083134A (ko) | 기판 처리 방법 | |
| KR20190006050A (ko) | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210701 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210701 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220802 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220823 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220920 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7145928 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |