CN110914970B - 基板处理设备的气体分配设备、基板处理设备及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板处理设备的气体分配设备、基板处理设备以及基板处理方法。该气体分配设备包括：第一气体分配模块，所述第一气体分配模块用于将处理气体分配到第一气体分配空间；以及第二气体分配模块，所述第二气体分配模块用于将处理气体分配到与所述第一气体分配空间不同的第二气体分配空间。

Description

基板处理设备的气体分配设备、基板处理设备及基板处理 方法
技术领域
本发明涉及一种在基板上进行诸如沉积薄膜的沉积工艺等的基板处理工艺的基板处理设备。
背景技术
通常，应该在基板上形成薄膜层、薄膜电路图案或光学图案以制造太阳能电池、半导体装置、平板显示装置等。为此，执行半导体制造工艺，半导体制造工艺的示例包括在基板上沉积包括规定材料的薄膜的薄膜沉积工艺、通过使用光敏材料使薄膜的一部分选择性地曝光的感光工艺、去除薄膜的选择性曝光部分以形成图案的蚀刻工艺等。
图1是现有技术的基板处理设备的概念性侧视图。
参照图1，现有技术的基板处理设备10包括基板支撑单元11和气体分配单元12。
基板支撑单元11支撑基板S。基板支撑单元11绕旋转轴11a旋转以使基板S相对于旋转轴11a旋转。
气体分配单元12朝向基板支撑单元11分配处理气体。气体分配单元12朝向由基板支撑单元11支撑的基板S分配处理气体，从而执行在基板S上沉积薄膜的处理工艺。
这里，在现有技术的基板处理设备10中，基于基板支撑单元11的旋转产生的离心力作用在由气体分配单元12分配的处理气体上。因此，薄膜被相对较薄地沉积在基板S的内部中。基板S的内部是在从基板S到基板支撑单元11的旋转轴11a的方向上设置的部分。
为此，在现有技术的基板处理设备10中，由于薄膜被相对较薄地沉积在基板S的内部中，因此沉积在基板S上的薄膜的均匀性降低，导致已经过所述处理工艺的基板的质量下降。
发明内容
技术问题
本发明旨在解决上述问题，并且提供能够降低薄膜被相对较薄地沉积在基板的内部的程度、用于基板处理设备的气体分配设备、基板处理设备以及基板处理方法。
技术方案
为了实现上述目的，本发明可以包括下述部件。
根据本发明的基板处理设备的气体分配设备可以包括：第一气体分配模块，所述第一气体分配模块将第一气体分配到第一气体分配空间；第二气体分配模块，所述第二气体分配模块将处理气体分配到与第一气体分配空间不同的第二气体分配空间；以及第三气体分配模块，所述第三气体分配模块将第二气体分配到与第一气体分配空间和第二气体分配空间中的每一者不同的第三气体分配空间。当第一气体分配模块分配第一气体时，第二气体分配模块可以将第一气体分配到第二气体分配空间，并且，当第三气体分配模块分配第二气体时，第二气体分配模块可以将第二气体分配到第二气体分配空间。
根据本发明的基板处理设备的气体分配设备可以包括：第一气体分配模块，所述第一气体分配模块将处理气体分配到第一气体分配空间；第二气体分配模块，所述第二气体分配模块将处理气体分配到与第一气体分配空间不同的第二气体分配空间。当第一气体分配模块将处理气体分配到第一气体分配空间时，第二气体分配模块可以将与由第一气体分配模块分配的处理气体相同的处理气体分配到第二气体分配空间。
根据本发明的基板处理设备可以包括：处理腔室；基板支撑单元，所述基板支撑单元安装在处理腔室中以支撑多个基板，所述基板支撑单元绕旋转轴旋转；腔室盖，所述腔室盖覆盖处理腔室的上部；以及气体分配单元，所述气体分配单元安装在腔室盖中以将处理气体分配到基板支撑单元。气体分配单元可以包括：第一气体分配模块，所述第一气体分配模块安装在腔室盖中以分配源气体；第二气体分配模块，所述第二气体分配模块在与第一气体分配模块间隔开的位置处安装在腔室盖中；以及第三气体分配模块，所述第三气体分配模块在与第一气体分配模块和第二气体分配模块中的每一者间隔开的位置处安装在腔室盖中，以分配反应气体。当第一气体分配模块分配源气体时，第二气体分配模块可以分配源气体，并且，当第三气体分配模块分配反应气体时，第二气体分配模块可以分配反应气体。
根据本发明的基板处理设备可以包括：处理腔室；基板支撑单元，所述基板支撑单元安装在处理腔室中以支撑多个基板，所述基板支撑单元绕旋转轴旋转；腔室盖，所述腔室盖覆盖处理腔室的上部；以及气体分配单元，所述气体分配单元安装在腔室盖中以将处理气体分配到基板支撑单元。气体分配单元可以包括：第一气体分配模块，所述第一气体分配模块安装在腔室盖中用以分配源气体；以及第二气体分配模块，所述第二气体分配模块在与第一气体分配模块间隔开的位置处安装在腔室盖中。当第一气体分配模块分配处理气体时，第二气体分配模块可以分配与由第一气体分配模块分配的处理气体相同的处理气体。
根据本发明的基板处理方法，即通过将处理气体分配到处理腔室的内部来处理基板的方法可以包括：将源气体分配到处理腔室的第一气体分配空间以及与第一气体分配空间相邻的第二气体分配空间；清除(purging：吹扫)源气体；将反应气体分配到与第一气体分配空间不同的第二气体分配空间和第三气体分配空间；以及清除反应气体。
根据本发明的基板处理方法，即通过将处理气体分配到处理腔室的内部来处理基板的方法可以包括：将源气体分配到处理腔室的第一气体分配空间和与第一气体分配空间相邻的第二气体分配空间；将清除气体(purge gas)分配到第一气体分配空间和第二气体分配空间；以及将反应气体分配到第一气体分配空间和第二气体分配空间。
根据本发明的基板处理方法，即通过将处理气体分配到处理腔室的内部来处理基板的方法可以包括：以随时间在处理腔室中改变和分配处理气体的时间分割模式(timedivision mode)来处理基板的时间分割处理工艺；以及以将不同的处理气体分配到处理腔室的不同空间中的空间分割模式来处理基板的空间分割处理工艺。
有益效果
根据本发明，可以获得以下效果。
实施本发明以提高沉积在基板上的薄膜的均匀性，从而提高已经过处理工艺的基板的质量。
本发明可以减少由于不同的处理气体在对基板执行的处理工艺和排放处理气体的工艺中混合而产生的颗粒，从而提高处理工艺的稳定性。
附图说明
图1是现有技术的基板处理设备的概念性侧视图。
图2是根据本发明的基板处理设备的示意性分解立体图。
图3是根据本发明的基板处理设备的概念性立体图。
图4是根据本发明的基板处理设备的概念性平面图。
图5是根据本发明的基板处理设备的概念性侧视图。
图6是根据本发明的基板处理设备中的第二气体分配模块的示意性平面图。
图7至图9是用于说明根据本发明的基板处理设备的操作的概念性平面图。
图10和图11是根据本发明的基板处理设备中的第一气体分配模块的沿图2的线I-I剖开的示意性剖视图。
图12和图13是根据本发明的基板处理设备中的第三气体分配模块的沿图2的线Ⅱ-Ⅱ剖开的示意性剖视图。
图14至图23是用于说明根据本发明的基板处理方法的示意性工艺图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述根据本发明的基板处理设备的实施例。根据本发明的用于基板处理设备的气体分配设备可以被包括在根据本发明的基板处理设备中，从而将在描述根据本发明的基板处理设备的实施例的同时一起描述。
参照图2，根据本发明的基板处理设备1在基板S上执行处理工艺。例如，根据本发明的基板处理设备1可以执行在基板S上沉积薄膜的沉积工艺。根据本发明的基板处理设备1包括处理腔室2、安装在处理腔室2中的基板支撑单元3、覆盖处理腔室2上部的腔室盖4、以及安装在腔室盖4中用以分配处理气体的气体分配单元5。
参照图2，处理腔室2提供执行处理工艺的处理空间。基板支撑单元3和腔室盖4可以安装在处理腔室2中。用于排放残留在处理空间中的气体和/或类似物的排放单元可以安装在处理腔室2中。
参照图2和图3，基板支撑单元3支撑多个基板S。基板S通过安装在处理腔室2外部的装载设备(未示出)输送。基板S可以是半导体基板或晶片。
基板支撑单元3可以安装在处理腔室2中以位于处理腔室2内。基板支撑单元3可以可旋转地安装在处理腔室2中。基板支撑单元3可以沿第一旋转方向(R1箭头方向)旋转。第一旋转方向(R1箭头方向)可以是相对于基板支撑单元3的旋转轴的顺时针方向和逆时针方向。在这种情况下，基板S可以由基板支撑单元3支撑而彼此间隔开，并且相对于基板支撑单元3的旋转轴沿着第一旋转方向(R1箭头方向)以相同的角度布置。
参照图2和图3，腔室盖4安装在处理腔室2中以覆盖处理腔室2的上部。因此，腔室盖4可以密封处理空间。如图2所示，腔室盖4和处理腔室2可以设置为六边形结构，或者可以设置为柱形结构、椭圆形结构、多边形结构等，但不限于此。
参照图2至图5，气体分配单元5分配处理气体。气体分配单元5可以被实施为用于根据本发明的基板处理设备的气体分配设备。气体分配单元5可以安装在腔室盖4中以朝向基板支撑单元3分配处理气体。因此，气体分配单元5可以朝向由基板支撑单元3支撑的基板S分配处理气体。气体分配单元5可以安装在腔室盖4中，并且可以设置在基板支撑单元3上。
气体分配单元5可以包括第一气体分配模块51、第二气体分配模块52和第三气体分配模块53。在下文中，将按顺序描述第一气体分配模块51、第二气体分配模块52和第三气体分配模块53。术语“第一”、“第二”和“第三”用于将一个元件与另一个元件区分开，并且本发明的范围不应限于这些术语。
第一气体分配模块51分配处理气体的第一气体。第一气体可以是源气体。第一气体分配模块51安装在腔室盖4中。安装第一气体分配模块51的第一安装孔41(图2所示)可以设置在腔室盖4中。第一气体分配模块51可以插入到第一安装孔41中，并因此可以安装在腔室盖4中。第一安装孔41可以设置为穿过腔室盖4。
第一气体分配模块51可以安装在腔室盖4中以朝向基板支撑单元3分配第一气体。第一气体分配模块51可以安装在腔室盖4中，并且可以设置在基板支撑单元3上。当基板支撑单元3绕旋转轴旋转时，由基板支撑单元3支撑的基板S可以依次通过第一气体分配模块51的下部。
第一气体分配模块51可以将第一气体分配到第一气体分配空间510。在这种情况下，基板支撑单元3可以沿第一旋转方向(R1箭头方向)旋转，因此，由基板支撑单元3支撑的基板S可以通过第一气体分配空间510。因此，第一气体分配模块51可以朝向设置在第一气体分配空间510中的基板S分配第一气体。第一气体分配空间510可以设置在第一气体分配模块51与基板支撑单元3之间。
当第一气体分配模块51将第一气体分配到第一气体分配空间510时，第一气体可以经由第一气体分配空间510扩散到第一气体分配空间510的外部。因此，由于由第一气体分配模块51分配的第一气体，整个处理空间可以充满第一气体。因此，第一气体分配模块51可以被实施为使得，通过将第一气体分配到第一气体分配空间510，从而在由基板支撑单元3支撑的所有的基板S上执行使用第一气体的处理工艺。因此，第一气体分配模块51可以被实施为在设置于第一气体分配空间510中的基板S上集中地执行使用第一气体的处理工艺并且在设置于第一气体分配空间510外侧的基板S上执行使用第一气体的处理工艺。因此，根据本发明的基板处理设备1可以缩短在使用第一气体的处理工艺中花费的时间。
第一气体分配模块51可以连接到气体供应单元100(示于图5中)。气体供应单元100将处理气体供应到气体分配单元5。气体供应单元100可以包括供应第一气体的第一气体供应源110(示于图5中)。第一气体分配模块51可以从第一气体供应源110被供应第一气体，并且可以将所供应的第一气体供应到第一气体分配空间510。第一气体分配模块51可以通过管道、管等连接到第一气体供应源110。
第三气体分配模块53分配处理气体的第二气体。第二气体、即与第一气体不同的处理气体可以是反应气体。第三气体分配模块53安装在腔室盖4中。第三气体分配模块53在与第一气体分配模块51间隔开的位置处安装在腔室盖4中。安装第三气体分配模块53的第三安装孔43(示于图2中)可以设置在腔室盖4中。第三气体分配模块53可以插入到第三安装孔43中，从而可以安装在腔室盖4中。第三安装43可以设置成穿过腔室盖4。
第三气体分配模块53可以安装在腔室盖4中以朝向基板支撑单元3分配第二气体。第三气体分配模块53可以安装在腔室盖4中并且可以设置在基板支撑单元3上。当基板支撑单元3绕旋转轴旋转时，由基板支撑单元3支撑的基板S可以依次通过第三气体分配模块53的下部和第一气体分配模块51的下部。
第三气体分配模块53可以将第二气体分配到第三气体分配空间530。第三气体分配空间530不同于第一气体分配空间510。第三气体分配空间530和第一气体分配空间510可以设置在以第三气体分配模块53和第一气体分配模块51之间的分隔距离彼此间隔开的位置处。在这种情况下，基板支撑单元3可以沿第一旋转方向(R1箭头方向)旋转，并因此，由基板支撑单元3支撑的基板S可以通过第三气体分配空间530。因此，第三气体分配模块53可以朝向设置在第三气体分配空间530中的基板S分配第二气体。第三气体分配空间530可以设置在第三气体分配模块53与基板支撑单元3之间。
当第三气体分配模块53将第二气体分配到第三气体分配空间530时，第二气体可以经由第三气体分配空间530扩散到第三气体分配空间530的外部。因此，由于由第三气体分配模块53分配的第二气体，整个处理空间可以充满第二气体。因此，第三气体分配模块53可以被实施为使得通过将第二气体分配到第三气体分配空间530，从而在由基板支撑单元3支撑的所有的基板S上执行使用第二气体的处理工艺。因此，第三气体分配模块53可以被实施为在设置于第三气体分配空间530中的基板S上集中地执行使用第二气体的处理工艺，并且在设置于第三气体分配空间530外侧的基板S上执行使用第二气体的处理工艺。因此，根据本发明的基板处理设备1可以缩短在使用第二气体的处理工艺中花费的时间。
当第三气体分配模块53分配第二气体时，第一气体分配模块51可以停止第一气体的分配。当第一气体分配模块51分配第一气体时，第三气体分配模块53可以停止第二气体的分配。因此，根据本发明的基板处理设备1能够减少由于在处理工艺和排放处理气体的工艺中第一气体和第二气体混合而产生的颗粒。而且，根据本发明的基板处理设备1能够防止经过处理工艺的基板S的质量由于第一气体和第二气体的混合而下降。
第三气体分配模块53可以连接到气体供应单元100。气体供应单元100可以包括供应第二气体的第二气体供应源120(示于图5中)。第三气体分配模块53可以从第二气体供应源120被供应第二气体，并且可以将所供应的第二气体供应到第三气体分配空间530。第三气体分配模块53可以通过管道、管等连接到第二气体供应源120。
第二气体分配模块52分配处理气体。当气体分配单元5包括第一气体分配模块51和第三气体分配模块53时，第二气体分配模块52可以选择性地分配第一气体和第二气体中的一者。当第一气体分配模块51分配第一气体时，第二气体分配模块52可以分配第一气体。因此，根据本发明的基板处理设备1可以增大处理空间的被分配第一气体的面积，以提高使用第一气体的处理工艺的处理效率。当第三气体分配模块53分配第二气体时，第二气体分配模块52可以分配第二气体。因此，根据本发明的基板处理设备1可以增大处理空间的被分配第二气体的面积，以提高使用第二气体的处理工艺的处理效率。
第二气体分配模块52安装在腔室盖4中。第二气体分配模块52在与第一气体分配模块51和第三气体分配模块53间隔开的位置处安装在腔室盖4中。安装第二气体分配模块52的第二安装孔42(示于图2中)可以设置在腔室盖4中。第二气体分配模块52可以插入到第二安装孔42中，并因此可以安装在腔室盖4中。第二安装孔42可以设置成穿过腔室盖4。
第二气体分配模块52可以将处理气体分配到第二气体分配空间520。第二气体分配空间520不同于第一气体分配空间510和第三气体分配空间530中的每一者。第二气体分配空间520可以设置在以第二气体分配模块52与第一气体分配模块51以及第三气体分配模块53中的每一者之间的分隔距离与第一气体分配空间510和第三气体分配空间530中的每一者间隔开的位置处。第二气体分配空间520可以设置成邻近第一气体分配空间510。第二气体分配空间520可以设置成邻近第三气体分配空间530。第三气体分配空间530可以不同于第一气体分配空间510和第二气体分配空间520中的每一者。第二气体分配空间520可以设置在第一气体分配空间510与第三气体分配空间530之间。
第二气体分配模块52可以安装在腔室盖4中以朝向基板支撑单元3分配处理气体。第二气体分配模块52可以安装在腔室盖4中，并且可以设置在基板支撑单元3上。第二气体分配空间520可以设置在第二气体分配模块52与基板支撑单元3之间。
第二气体分配模块52可以安装在腔室盖4中并且不与基板S的旋转路径重叠。基板S的旋转路径是指基板S根据绕旋转轴旋转的基板支撑单元3而移动经过的路径。由于第二气体分配模块52设置为不与基板S的旋转路径重叠，因此基板S沿着旋转路径移动并且不通过第二气体分配模块52的下部。在这种情况下，第一气体分配模块51和第三气体分配模块53可以安装在腔室盖4中而与基板S的旋转路径重叠。因此，基板S沿着旋转路径移动并且通过第一气体分配模块51的下部和第三气体分配模块53的下部。
第二气体分配模块52可以安装在腔室盖4中，并且可以设置在与未放置基板的、基板支撑单元3的中心向上间隔开的位置处。在这种情况下，第一气体分配模块51和第三气体分配模块53可以安装在腔室盖4中，并且可以设置在与基板支撑单元3的中心的外部向上间隔开的位置处。
第二气体分配模块52可以安装在腔室盖4中，并且可以设置在与基板支撑单元3的旋转轴向上间隔开的位置处。第二气体分配空间520可以设置在第二气体分配模块52与基板支撑单元3之间。当第二气体分配模块52将处理气体分配到第二气体分配空间520时，处理气体可以经由第二气体分配空间520扩散到第二气体分配空间520的外部。
当第二气体分配模块52将第一气体分配到第二气体分配空间520时，第一气体可以扩散到第一气体分配空间510。在这种情况下，由第二气体分配模块52分配的第一气体可以被供应到放置在第一气体分配空间510中的基板S的内部。基板S的内部是沿从基板S到基板支撑单元3的旋转轴的方向设置的部分。因此，与仅使用第一气体分配模块51将第一气体分配到第一气体分配空间510的比较例相比，根据本发明的基板处理设备1可以增大供应到基板S内部的第一气体的流速。因此，与薄膜相对较薄地沉积在基板S内部的比较例相比，根据本发明的基板处理设备1可以增大沉积在基板S的内部中的薄膜的厚度，从而提高沉积在基板S上的薄膜的均匀性。
当第二气体分配模块52将第二气体分配到第二气体分配空间520时，第二气体可以扩散到第三气体分配空间530。在这种情况下，由第二气体分配模块52分配的第二气体可以被供应到放置在第三气体分配空间530中的基板S的内部。因此，与仅使用第三气体分配模块53将第二气体分配到第三气体分配空间530的比较例相比，根据本发明的基板处理设备1可以增大供应到基板S内部的第二气体的流速。因此，与薄膜相对较薄地沉积在基板S的内部的比较例相比，根据本发明的基板处理设备1可以增大沉积在基板S的内部中的薄膜的厚度，从而提高沉积在基板S上的薄膜的均匀性。
由第二气体分配模块52分配的处理气体可以扩散到包括第一气体分配空间510和第三气体分配空间530的整个处理空间。因此，第二气体分配模块52可以帮助使整个处理空间充满处理气体。因此，第二气体分配模块52可以被实施为使得通过将处理气体分配到第二气体分配空间520，从而在由基板支撑单元3支撑的所有基板S上执行使用处理气体的处理工艺。
当第一气体分配模块51分配第一气体时，第二气体分配模块52可以停止第二气体的分配并且可以分配第一气体。当第三气体分配模块53分配第二气体时，第二气体分配模块52可以停止第一气体的分配并且可以分配第二气体。因此，根据本发明的基板处理设备1能够减少由于在处理工艺和排放处理气体的工艺中第一气体和第二气体混合而产生的颗粒。而且，根据本发明的基板处理设备1能够防止经过处理工艺的基板S的质量由于第一气体和第二气体的混合而下降。
第二气体分配模块52可以连接到气体供应单元100。气体供应单元100可以连接到第一气体供应源110和第二气体供应源120中的每一者。第二气体分配模块52可以从第一气体供应源110被供应第一气体，并且可以将所供应的第一气体供应到第二气体分配空间520。第二气体分配模块52可以从第二气体供应源120被供应第二气体，并且可以将所供应的第二气体供应到第二气体分配空间520。第二气体分配模块52可以通过管道、管等连接到第一气体供应源110和第二气体供应源120中的每一者。
第二气体分配模块52可以安装在腔室盖4中，并且可以设置在第一气体分配模块51与第三气体分配模块53之间。在这种情况下，第一气体分配模块51可以安装在腔室盖4中，并且可以设置在向一侧与第二气体分配模块52间隔开的位置处。第三气体分配模块53可以安装在腔室盖4中，并且可以设置在向另一侧与第二气体分配模块52间隔开的位置处。因此，根据本发明的基板处理设备1可以被实施为使得由第二气体分配模块53分配的处理气体被供应到第一气体分配空间510和第三气体分配空间530中的每一者。第二气体分配模块52、第一气体分配模块51和第三气体分配模块53可以安装在腔室盖4中并且可以设置在同一条线上。
第二气体分配模块52可以安装在腔室盖4中，并且可以设置在与放置在第一气体分配空间510中的基板S和放置在第三气体分配空间530中的基板S中的每一者间隔开的位置处。在这种情况下，第二气体分配模块52可以被实施为不将处理气体直接分配到放置在第一气体分配空间510中的基板S和放置在第三气体分配空间530中的基板S中的每一者。因此，根据本发明的基板处理设备1防止薄膜在放置在第一气体分配空间510中的基板S的内部和放置在第三气体分配空间530中的基板S的内部中的每一者中沉积成过厚的厚度，从而提高沉积在每个基板S上的薄膜的均匀性。
参照图2至图6，第二气体分配模块52可以包括第一气体分配构件521(示于图6中)和第二气体分配构件522(示于图6中)。
第一气体分配构件521用于分配第一气体。第一气体分配构件521可以连接到第一气体供应源110。第一气体分配构件521可以从第一气体供应源110被供应第一气体，并且可以将所供应的第一气体分配到第二气体分配空间520。在第一气体分配构件521中可以设置多个第一气体分配孔521a(示于图6中)。第一气体分配构件521可以使用第一气体分配孔521a将第一气体分配到第二气体分配空间520。第一气体分配孔521a可以彼此间隔开并且以相同的间隔布置。在图6中，示出为六个第一气体分配孔521a设置在第一气体分配构件521中，但是不限于此，在第一气体分配构件521中可以设置两个至五个第一气体分配孔521a或七个以上第一气体分配孔521a。第一气体分配构件521可以设置成盘状，但是不限于此，第一气体分配构件521可以设置成能够使第一气体被分配到第二气体分配空间520的诸如四边形板状的其他形状。
第二气体分配构件522用于分配第二气体。第二气体分配构件522可以连接到第二气体供应源120。第二气体分配构件522可以从第二气体供应源120被供应第二气体，并且可以将所供应的第二气体分配到第二气体分配空间520。在第二气体分配构件522中可以设置多个第二气体分配孔522a(示于图6中)。第二气体分配构件522可以使用第二气体分配孔522a将第二气体分配到第二气体分配空间520。第二气体分配孔522a可以彼此间隔开并且以相同的间隔布置。在图6中，示出了六个第二气体分配孔522a设置在第二气体分配构件522中，但是不限于此，在第二气体分配构件522中可以设置两个至五个第二气体分配孔522a或七个以上第二气体分配孔522a。第二气体分配构件522可以设置成盘状，但是不限于此，第二气体分配构件522可以设置成能够使第二气体分配到第二气体分配空间520的诸如四边形板状的其他形状。
第二气体分配构件522和第一气体分配构件521可以设置成将处理气体分配到第二气体分配空间520中的不同的空间。例如，第一气体分配构件521可以从第二气体分配构件522向内设置。例如，第二气体分配构件522可以从第一气体分配构件521向内设置。
第二气体分配模块52可以通过第二气体分配构件522和第一气体分配构件521选择性地分配第二气体和第一气体至第二气体分配空间520。当第一气体分配模块51和第一气体分配构件521中的每一者分配第一气体时，第二气体分配构件522可以停止第二气体的分配。当第三气体分配模块53和第二气体分配构件522中的每一者分配第二气体时，第一气体分配构件521可以停止第一气体的分配。
因此，根据本发明的基板处理设备1可以被实施为使得第一气体和第二气体不在第二气体分配模块52中混合。因此，根据本发明的基板处理设备1能够减少由于在处理工艺和排放处理气体的工艺中第一气体和第二气体混合而产生的颗粒。而且，根据本发明的基板处理设备1能够防止经过处理工艺的基板S的质量由于第一气体和第二气体的混合而下降。
第二气体分配构件522和第一气体分配构件521可以基于第一气体分配模块51和第三气体分配模块53中的每一者是否分配气体来选择性地供应处理气体。当第一气体分配模块51分配第一气体时，第一气体分配构件521可以分配第一气体，并且第二气体分配构件522可以停止第二气体的分配。当第三气体分配模块53分配第二气体时，第二气体分配构件522可以分配第二气体，并且第一气体分配构件521可以停止第一气体的分配。第二气体分配模块52可以包括阀等，并且可以被实施为使得通过选择性地打开或关闭与第一气体分配构件521和第二气体分配构件522中的每一者连接的流路，从而第一气体分配构件521和第二气体分配构件522中的每一者选择性地分配处理气体。
参照图2至图8，根据本发明的基板处理设备1可以如下动作以执行处理工艺。在图7和图8中，阴影线部分是处理气体被直接分配到的空间，无阴影线部分是处理气体未被直接分配到的空间。在图7和图8中，示出了四个基板S通过基板支撑单元3支撑，但是不限于此，由基板支撑单元3可以支撑两个、三个或五个以上基板S。
如图7所示，当第一气体被分配到第一气体分配空间510时，第一气体也可以被分配到第二气体分配空间520。在这种情况下，第二气体不被分配到第三气体分配空间530。在分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520的第一气体中，较多量的第一气体被分配在放置于第一气体分配空间510中的基板S中，但是第一气体可以扩散到包括第三气体分配空间530的整个处理空间。
如图8所示，当第二气体被分配到第三气体分配空间530时，第二气体也可以被分配到第二气体分配空间520。在这种情况下，第一气体不被分配到第一气体分配空间510。在被分配到第三气体分配空间530和第二气体分配空间520的第二气体中，较多量的第二气体被分配在放置于第三气体分配空间530中的基板S中，但是第二气体可以扩散到包括第一气体分配空间510的整个处理空间。
参照图2至图5，气体分配单元5可以包括清除气体分配模块54。
清除气体分配模块54分配清除气体。清除气体用于清除置于处理空间中的处理气体。置于处理空间中的处理气体可以由于被清除气体分配模块54分配的清除气体而从处理腔室2中排出。清除气体分配模块54安装在腔室盖4中。清除气体分配模块54在与第一气体分配模块51、第三气体分配模块53和第二气体分配模块52中的每一者间隔开的位置处安装在腔室盖4中。安装清除气体分配模块54的第四安装孔44(示于图2中)可以设置在腔室盖4中。清除气体分配模块54可以插入到第四安装孔44中，并因此可以被安装在腔室盖4中。第四安装孔44可以设置成穿过腔室盖4。
清除气体分配模块54可以安装在腔室盖4中，以朝向基板支撑单元3分配清除气体。清除气体分配模块54可以安装在腔室盖4中，以设置在基板支撑单元3上。当基板支撑单元3绕旋转轴旋转时，由基板支撑单元3支撑的基板S可以依次通过清除气体分配模块54下方的部分、第一气体分配模块51下方的部分以及第三气体分配模块53下方的部分。
清除气体分配模块54可以将清除气体分配到清除气体分配空间540。清除气体分配空间540、第二气体分配空间520、第三气体分配空间530以及第一气体分配空间510是不同的空间。清除气体分配空间540、第二气体分配空间520、第三气体分配空间530以及第一气体分配空间510可以设置在以清除气体分配模块54、第二气体分配模块52、第三气体分配模块53和第一气体分配模块51之间的分隔距离彼此间隔开的位置处。在这种情况下，由基板支撑单元3支撑的基板S可以根据沿第一旋转方向(R1箭头方向)旋转的基板支撑单元3通过清除气体分配空间540。因此，清除气体分配模块54可以朝向放置在清除气体分配空间540中的基板S分配清除气体。清除气体分配空间540可以设置在清除气体分配模块54与基板支撑单元3之间。
当清除气体分配模块54将清除气体分配到清除气体分配空间540时，清除气体可以经由清除气体分配空间540扩散到清除气体分配空间540的外部。因此，由于由清除气体分配模块54分配的清除气体，整个处理空间可以充满清除气体。因此，清除气体分配模块54可以被实施为使得，通过将清除气体分配到清除气体分配空间540，从而可以在由基板支撑单元3支撑的所有的基板S上执行使用清除气体的排放工艺。
当清除气体分配模块54分配清除气体时，第一气体分配模块51和第三气体分配模块53中的每一者可以停止相应的处理气体的分配。当第一气体分配模块51分配第一气体时，清除气体分配模块54可以停止清除气体的分配。当第三气体分配模块53分配第二气体时，清除气体分配模块54可以停止清除气体的分配。
清除气体分配模块54可以连接到气体供应单元100。气体供应单元100可以包括供应清除气体的清除气体供应源130(示于图5中)。清除气体分配模块54可以从清除气体供应源130被供应清除气体，并且可以将所供应的清除气体供应到清除气体分配空间540。清除气体分配模块54可以通过管道、管等连接到清除气体供应源130。
在设置有清除气体分配模块54的情况下，当清除气体分配模块54分配清除气体时，第二气体分配模块52可以分配清除气体。因此，根据本发明的基板处理设备1可以增大处理空间的被分配清除气体的面积，以提高使用清除气体的排放工艺的处理效率。
在设置有清除气体分配模块54的情况下，第二气体分配模块52可以包括清除气体分配构件523(示于图6中)。
清除气体分配构件523用于分配清除气体。清除气体分配构件523可以连接到清除气体供应源130。清除气体分配构件523可以从清除气体供应源130被供应清除气体，并且可以将所供应的清除气体分配到第二气体分配空间520。清除气体分配构件523中可以设置多个清除气体分配孔523a(示于图6中)。清除气体分配构件523可以通过使用清除气体分配孔523a将清除气体分配到第二气体分配空间520。清除气体分配孔523a可以彼此间隔开并且以相同的间隔布置。在图6中，示出为六个清除气体分配孔523a设置在清除气体分配构件523中，但是不限于此，在清除气体分配构件523中可以设置有两个至五个或七个以上的清除气体分配孔523a。清除气体分配构件523可以设置成盘状，但不限于此，清除气体分配构件523可以设置成能够使清除气体被分配到第二气体分配空间520的诸如四边形板状的其他形状。
清除气体分配构件523、第二气体分配构件522和第一气体分配构件521可以设置成将处理气体分配到第二气体分配空间520中的不同的空间。处理气体可以包括清除气体和处理气体，并且处理气体可以包括第一气体和第二气体。例如，第二气体分配构件522可以从清除气体分配构件523向内设置，并且第一气体分配构件521可以从第二气体分配构件522向内设置。例如，第一气体分配构件521可以从清除气体分配构件523向内设置，并且第二气体分配构件522可以从第一气体分配构件521向内设置。例如，清除气体分配构件523可以从第一气体分配构件521或第二气体分配构件522向内设置。
第二气体分配模块52可以经由清除气体分配构件523、第二气体分配构件522和第一气体分配构件521将处理气体分配到第二气体分配空间520。在这种情况下，第二气体分配模块52可以经由清除气体分配构件523、第二气体分配构件522和第一气体分配构件521选择性地将清除气体、第二气体和第一气体分配到第二气体分配空间520。当第一气体分配模块51和第一气体分配构件521中的每一者分配第一气体时，清除气体分配构件523可以停止清除气体的分配。此时，第二气体分配构件522可以停止第二气体的分配。当第三气体分配模块53和第二气体分配构件522中的每一者分配第二气体时，清除气体分配构件523可以停止清除气体的分配。此时，第一气体分配构件521可以停止第一气体的分配。当清除气体分配模块54分配清除气体时，清除气体分配构件523可以分配清除气体。此时，第一气体分配构件521可以停止第一气体的分配，第二气体分配构件522可以停止第二气体的分配。
清除气体分配构件523、第二气体分配构件522和第一气体分配构件521可以基于第一气体分配模块51、第三气体分配模块53和清除气体分配模块54中的每一者是否分配气体来选择性地供应处理气体和清除气体。当第一气体分配模块51分配第一气体时，第一气体分配构件521可以分配第一气体。此时，第二气体分配构件522可以停止第二气体的分配，并且清除气体分配构件523可以停止清除气体的分配。当第三气体分配模块53分配第二气体时，第二气体分配构件522可以分配第二气体。此时，第一气体分配构件521可以停止第一气体的分配，并且清除气体分配构件523可以停止清除气体的分配。当清除气体分配模块54分配清除气体时，清除气体分配构件523可以分配清除气体。此时，第一气体分配构件521可以停止第一气体的分配，第二气体分配构件522可以停止第二气体的分配。第二气体分配模块52可以包括阀等，并且可以被实施为使得，通过选择性地打开或关闭与第一气体分配构件521、第二气体分配构件522和清除气体分配构件523中的每一者连接的流路，第一气体分配构件521、第二气体分配构件522和清除气体分配构件523中的每一者选择性地分配处理气体和清除气体。
清除气体分配模块54、第三气体分配模块53和第一气体分配模块51可以安装在腔室盖4中，以彼此间隔开并且以相同的间隔布置。清除气体分配模块54、第三气体分配模块53和第一气体分配模块51可以彼此间隔开并且相对于基板支撑单元3的旋转轴以相同的角度布置。气体分配单元5可以包括多个清除气体分配模块54和54’。在这种情况下，清除气体分配模块54和54’可以将清除气体分配到不同的清除气体分配空间540和540’。清除气体分配模块54和54’、第三气体分配模块53和第一气体分配模块51可以安装在腔室盖4中，以彼此间隔开并且以相同的间隔布置。清除气体分配模块54和54’、第三气体分配模块53和第一气体分配模块51可以彼此间隔开并且相对于基板支撑单元3的旋转轴以相同的角度布置。例如，当气体分配单元5包括两个清除气体分配模块54和54’时，清除气体分配模块54和54’、第三气体分配模块53和第一气体分配模块51可以彼此间隔开并且相对于基板支撑单元3的旋转轴以90度布置。在这种情况下，第一气体分配模块51、清除气体分配模块54、第三气体分配模块53和清除气体分配模块54’可以沿着第一旋转方向(R1箭头方向)依次布置。
当设置有清除气体分配模块54和54’时，第二气体分配模块52可以安装在腔室盖4中而设置在清除气体分配模块54和54’之间。在这种情况下，清除气体分配模块54可以安装在腔室盖4中以设置在向一侧与第二气体分配模块52间隔开的位置处。清除气体分配模块54’可以安装在腔室盖4中以设置在向另一侧与第二气体分配模块52间隔开的位置处。因此，根据本发明的基板处理设备1可以被实施为使得由第二气体分配模块52分配的处理气体被供应到清除气体分配空间540和540’中的每一个。清除气体分配模块54和54’以及第二气体分配模块52可以安装在腔室盖4中并且设置在同一条线上。
参照图2至图9，根据本发明的基板处理设备1可以如下动作以执行处理工艺和排放工艺。在图7至图9中，阴影线部分是处理气体和清除气体被直接分配到的空间，无阴影线部分是处理气体和清除气体未被直接分配到的空间。
如图7所示，当第一气体被分配到第一气体分配空间510时，第一气体也可以被分配到第二气体分配空间520。在这种情况下，第二气体不被分配到第三气体分配空间530，同时，清除气体不被分配到清除气体分配空间540和540’。在分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520的第一气体中，较多量的第一气体被分配于放置在第一气体分配空间510中的基板S中，但是第一气体可以扩散到包括第三气体分配空间530以及清除气体分配空间540和540’的整个处理空间。
如图8所示，当第二气体被分配到第三气体分配空间530时，第二气体也可以被分配到第二气体分配空间520。在这种情况下，第一气体不被分配到第一气体分配空间510，同时，清除气体不被分配到清除气体分配空间540和540’。在分配到第三气体分配空间530和第二气体分配空间520的第二气体中，较多量的第二气体被分配于放置在第三气体分配空间530中的基板S中，但是第二气体可以扩散到包括第一气体分配空间510以及清除气体分配空间540和540’的整个处理空间。
如图9所示，当清除气体被分配到清除气体分配空间540和540’时，清除气体也可以被分配到第二气体分配空间520。在这种情况下，第一气体不被分配到第一气体分配空间510，同时，第二气体不被分配到第三气体分配空间530。在被分配到清除气体分配空间540和540’以及第二气体分配空间520的清除气体中，较多量的清除气体被分配于放置在清除气体分配空间540和540’中的基板S中，但是清除气体可以扩散到包括第一气体分配空间510和第三气体分配空间530的整个处理空间。
参照图2和图10，在根据本发明的变型实施例的基板处理设备1中，第一气体分配模块51可以通过使用等离子体来激活第一气体，并且可以分配所激活的第一气体。第一气体分配模块51可以包括第一接地电极511(示于图10中)和第一等离子体电极512(示于图10中)。
第一接地电极511分配第一气体。第一接地电极511可以安装在腔室盖4中。第一接地电极511可以插入第一安装孔41中，并因此可以安装在腔室盖4中。第一接地电极511可以包括第一壳体5111(示于图10中)、第一贯通槽5112(示于图10中)和第一供应孔5113(示于图10中)。
第一壳体5111可以插入到第一安装孔41中，并因此可以安装在腔室盖4中。第一壳体5111可以电连接到腔室盖4，并因此可以通过腔室盖4电接地。第一壳体5111可以设置成完全的长方体形状(wholly rectangular parallelepiped shape)，但是不限于此，第一壳体5111可以设置成安装在腔室盖4中并且能够实现第一气体的分配的诸如柱状的其他形状。
第一贯通槽5112可以设置在第一壳体5111中。第一贯通槽5112可以设置在第一壳体5111中。第一壳体5111可以设置成其一侧经由第一贯通槽5112开放的形状。第一壳体5111可以安装在腔室盖4中，以使开放的一侧面对基板支撑单元3(示于图2中)。
第一供应孔5113可以设置成穿过第一壳体5111。第一供应孔5113可以设置成与第一贯通槽5112连通。第一供应孔5113可以连接到第一气体供应源110。由第一气体供应源110供应的第一气体可以经由第一供应孔5113被供应到第一贯通槽5112。第一供应孔5113可以在第一壳体5111中设置有多个。在这种情况下，第一供应孔5113可以设置在第一等离子体电极512的两侧上。
第一等离子体电极512可以安装在第一壳体5111中。第一等离子体电极512可以插入并安装在第一绝缘构件514中，并因此可以安装在第一壳体5111中。第一绝缘构件514使第一壳体5111与第一等离子体电极512电绝缘。第一等离子体电极512的一部分可以设置在第一贯通槽5112中。
第一等离子体电极512基于从第一等离子体电源513施加的等离子体电力，从供应到第一贯通槽5112的第一气体产生等离子体。在这种情况下，等离子体可以基于该等离子体电力，从在第一等离子体电极512和第一壳体5111的第一侧壁5111a之间产生的电场而产生。因此，第一气体可以被等离子体激活，并且被分配。
参照图2和图11，第一气体分配模块51可以从等离子体处理单元200被供应通过等离子体激活的第一气体，并且可以分配通过等离子体激活的第一气体。在这种情况下，第一气体分配模块51可以包括第一壳体5111(示于图11中)、第一贯通槽5112(示于图11中)和第一供应孔5113(示于图11中)。
第一壳体5111可以插入第一安装孔41中，并因此可以安装在腔室盖4中。第一壳体5111可以从等离子体处理单元200被供应通过等离子体激活的第一气体。因此，第一壳体5111可以分配通过等离子体激活的第一气体。
第一贯通槽5112可以设置在第一壳体5111中。第一贯通槽5112可以设置在第一壳体5111中。第一壳体5111可以设置成其一侧经由第一贯通槽5112开放的形状。第一壳体5111可以安装在腔室盖4中，以使开放的一侧面对基板支撑单元3(示于图2中)。
第一供应孔5113可以设置成穿过第一壳体5111。第一供应孔5113可以设置成与第一贯通槽5112连通。第一供应孔5113可以连接到等离子体处理单元200。等离子体处理单元200可以包括第一等离子体处理模块210，第一等离子体处理模块210通过使用等离子体来激活第一气体。第一供应孔5113可以连接到第一等离子体处理模块210。通过第一等离子体处理模块210激活的第一气体可以经由第一供应孔5113被供应到第一贯通槽5112。第一供应孔5113可以在第一壳体5111中设置有多个。
如上所述，在第一气体分配模块51通过使用等离子体激活第一气体从而分配激活的第一气体的情况下，第二气体分配模块52也可以通过使用等离子体激活第一气体从而分配激活的第一气体。在这种情况下，尽管未示出，但是第二气体分配模块52可以被实施为通过使用第二接地电极和第二等离子体电极来激活第一气体并且分配激活的第一气体。第二气体分配模块52可以被实施为分配通过第一等离子体处理模块210激活的第一气体。
参照图2和图12，在根据本发明的变型实施例的基板处理设备1中，第三气体分配模块53可以通过使用等离子体激活第二气体并且可以分配激活的第二气体。第三气体分配模块53可以包括第三接地电极531(示于图12中)和第三等离子体电极532(示于图12中)。
第三接地电极531分配第二气体。第三接地电极531可以安装在腔室盖4中。第三接地电极531可以插入第三安装孔43中，并因此可以安装在腔室盖4中。第三接地电极531可以包括第三壳体5311(示于图12中)、第三贯通槽5312(示于图12中)和第三供应孔5313(示于图12中)。
第三壳体5311可以插入第三安装孔43中，并因此可以安装在腔室盖4中。第三壳体5311可以电连接到腔室盖4，并因此可以通过腔室盖4电接地。第三壳体5311可以设置成完全的长方体形状，但是不限于此，第三壳体5311可以设置成安装在腔室盖4中并且能够实现第二气体的分配的诸如柱状的其他形状。
第三贯通槽5312可以设置在第三壳体5311中。第三贯通槽5312可以设置在第三壳体5311中。第三壳体5311可以设置成其一侧经由第三贯通槽5312开放的形状。第三壳体5311可以安装在腔室盖4中，以使开放的一侧面对基板支撑单元3(示于图2中)。
第三供应孔5313可以设置成穿过第三壳体5311。第三供应孔5313可以设置成与第三贯通槽5312连通。第三供应孔5313可以连接到第二气体供应源120。由第二气体供应源120供应的第二气体可以经由第三供应孔5313供应到第三贯通槽5312。第三供应孔5313可以在第三壳体5311中设置有多个。在这种情况下，第三供应孔5313可以设置在第三等离子体电极532的两侧上。
第三等离子体电极532可以安装在第三壳体5311中。第三等离子体电极532可以插入并安装在第三绝缘构件534中，并因此可以安装在第三壳体5311中。第三绝缘构件534使第三壳体5311与第三等离子体电极532电绝缘。第三等离子体电极532的一部分可以设置在第三贯通槽5312中。
第三等离子体电极532基于从第二等离子体电源533施加的等离子体电力，从供应到第三贯通槽5312的第二气体产生等离子体。在这种情况下，等离子体可以基于等离子体电力，从在第三等离子体电极532和第三壳体5311的第三侧壁5311a之间产生的电场而产生。因此，第二气体可以被等离子体激活，并且被分配。
参照图2和图13，第三气体分配模块53可以从等离子体处理单元200被供应通过等离子体激活的第二气体，并且可以分配通过等离子体激活的第二气体。在这种情况下，第三气体分配模块53可以包括第三壳体5311(示于图13中)、第三贯通槽5312(示于图13中)和第三供应孔5313(示于图13中)。
第三壳体5311可以插入第三安装孔43中，并因此可以安装在腔室盖4中。第三壳体5311可以从等离子体处理单元200被供应通过等离子体激活的第二气体。因此，第三壳体5311可以分配通过等离子体激活的第二气体。
第三贯通槽5312可以设置在第三壳体5311中。第三贯通槽5312可以设置在第三壳体5311中。第三壳体5311可以设置成其一侧经由第三贯通槽5312开放的形状。第三壳体5311可以安装在腔室盖4中，以使开放的一侧面对基板支撑单元3(示于图2中)。
第三供应孔5313可以设置成穿过第三壳体5311。第三供应孔5313可以设置成与第三贯通槽5312连通。第三供应孔5313可以连接到等离子体处理单元200。等离子体处理单元200可以包括第二等离子体处理模块220，第二等离子体处理模块220通过使用等离子体来激活第二气体。第三供应孔5313可以连接到第二等离子体处理模块220。通过第二等离子体处理模块220激活的第二气体可以经由第三供应孔5313被供应到第三贯通槽5312。第三供应孔5313可以在第三壳体5311中设置有多个。
如上所述，在第三气体分配模块53通过使用等离子体激活第二气体从而分配激活的第二气体的情况下，第二气体分配模块52也可以通过使用等离子体激活第二气体从而分配激活的第二气体。在这种情况下，尽管未示出，但是第二气体分配模块52可以被实施为通过使用第二接地电极和第二等离子体电极来激活第二气体并且分配激活的第一气体。第二气体分配模块52可以被实施为分配通过第二等离子体处理模块220激活的第二气体。
参照图2和图10，根据本发明的变型实施例的气体分配单元5可以包括第一气体分配模块51和第二气体分配模块52。与上述的气体分配单元5相比，根据本发明的变型实施例的气体分配单元5可以被实施为仅使用第一气体分配模块51和第二气体分配模块52来分配处理气体。在这种情况下，根据本发明的变型实施例的气体分配单元5可以不包括第三气体分配模块53。根据本发明的变型实施例的气体分配单元5可以包括第三气体分配模块53，并且可以被实施为使得在仅使用第一气体分配模块51和第二气体分配模块52分配处理气体的同时第三气体分配模块53不分配处理气体。在这种情况下，根据本发明的变型实施例的气体分配单元5可以进一步包括清除气体分配模块54，并且可以被实施为使得在仅使用第一气体分配模块51和第二气体分配模块52分配处理气体的同时清除气体分配模块54不分配清除气体。
在根据本发明的变型实施例的气体分配单元5中，当第一气体分配模块51将处理气体分配到第一气体分配空间510时，第二气体分配模块52可以将与由第一气体分配模块51分配的处理气体相同的处理气体分配到第二气体分配空间520。
当第一气体分配模块51将作为处理气体的源气体分配到第一气体分配空间510时，第二气体分配模块52可以将源气体分配到第二气体分配空间520。因此，可以在处理腔室2中执行使用源气体的基板处理工艺。
当第一气体分配模块51将作为处理气体的反应气体分配到第一气体分配空间510时，第二气体分配模块52可以将反应气体分配到第二气体分配空间520。因此，可以在处理腔室2中执行使用反应气体的基板处理工艺。
当第一气体分配模块51将作为处理气体的清除气体分配到第一气体分配空间510时，第二气体分配模块52可以将清除气体分配到第二气体分配空间520。因此，可以在处理腔室2中执行清除处理气体的工艺。
根据本发明的变型实施例的气体分配单元5可以被实施为根据本发明的变型实施例的气体分配设备。另外，根据本发明的变型实施例的气体分配单元5可被应用于根据本发明的基板处理设备1和根据上述的本发明的变型实施例的基板处理设备1中的每一者。
在下文中，将参照附图详细描述根据本发明的基板处理方法的实施例。
参照图2至图13，根据本发明的基板处理方法将处理气体分配到处理腔室2的内部从而处理基板S。可以通过上述的根据本发明的基板处理设备1执行根据本发明的基板处理方法。根据本发明的基板处理方法可以包括以下工艺步骤。
首先，分配源气体。该工艺步骤可以通过由气体分配单元5将源气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520来执行。分配源气体的工艺步骤可以通过由第一气体分配模块51将源气体分配到第一气体分配空间510以及通过由第二气体分配模块52将源气体分配到第二气体分配空间520来执行。在这种情况下，分配源气体的工艺步骤可以通过分配由等离子体激活的源气体来执行。在执行分配源气体的工艺步骤时，第三气体分配模块53可以停止反应气体的分配，并且清除气体分配模块54可以停止清除气体的分配。在执行分配源气体的工艺步骤时，可以一起执行通过使用基板支撑单元3使基板S旋转的工艺步骤。
随后，清除源气体。该工艺步骤可以通过由气体分配单元5将清除气体分配到清除气体分配空间540和第二气体分配空间520来执行。清除源气体的工艺步骤可以通过由清除气体分配模块54将清除气体分配到清除气体分配空间540以及通过由第二气体分配模块52将清除气体分配到第二气体分配空间520来执行。在执行清除源气体的工艺步骤时，第一气体分配模块51可以停止源气体的分配，并且第三气体分配模块53可以停止反应气体的分配。在执行清除源气体的工艺步骤时，可以一起执行通过使用基板支撑单元3使基板S旋转的工艺步骤。
随后，分配反应物。该工艺步骤可以通过由气体分配单元5将反应气体分配到第三气体分配空间530和第二气体分配空间520来执行。分配反应气体的工艺步骤可以通过由第三气体分配模块53将反应气体分配到第三气体分配空间530以及通过由第二气体分配模块52将反应气体分配到第二气体分配空间520来执行。在这种情况下，分配反应气体的工艺步骤可以通过分配由等离子体激活的反应气体来执行。在执行分配反应气体的工艺步骤时，第一气体分配模块51可以停止源气体的分配，并且清除气体分配模块54可以停止清除气体的分配。在执行分配反应气体的工艺步骤时，可以一起执行通过使用基板支撑单元3使基板S旋转的工艺步骤。
随后，清除反应气体。该工艺步骤可以通过由气体分配单元5将清除气体分配到清除气体分配空间540和第二气体分配空间520来执行。清除反应气体的工艺步骤可以通过由清除气体分配模块54将清除气体分配到清除气体分配空间540以及通过由第二气体分配模块52将清除气体分配到第二气体分配空间520来执行。在执行清除反应气体的工艺步骤中，第一气体分配模块51可以停止源气体的分配，并且第三气体分配模块53可以停止反应气体的分配。在执行清除反应气体的工艺步骤时，可以一起执行通过使用基板支撑单元3使基板S旋转的工艺步骤。
参照图2至图16，根据本发明的变型实施例的基板处理方法可以包括以下工艺步骤。根据本发明的变型实施例的基板处理方法可以通过上述的根据本发明的变型实施例的基板处理单元5被应用于的基板处理设备来执行。在图14至图16中，阴影线部分是处理气体和清除气体被直接分配到的空间，无阴影线部分是处理气体和清除气体未被直接分配到的空间。
首先，如图14所示，将源气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520。该工艺步骤可以通过由第一气体分配模块51将源气体分配到第一气体分配空间510以及同时通过由第二气体分配模块52将源气体分配到第二气体分配空间520来执行。因此，可以在处理腔室2中执行使用源气体的基板处理工艺。在将源气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿着旋转路径使基板S旋转。
随后，如图15所示，将清除气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520。该工艺步骤可以通过由第一气体分配模块51将清除气体分配到第一气体分配空间510以及同时通过由第二气体分配模块52将清除气体分配到第二气体分配空间520来执行。因此，可以在处理腔室2中执行清除源气体的工艺步骤。在将清除源气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿着旋转路径使基板S旋转。
随后，如图16所示，将反应气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520。该工艺步骤可以通过由第一气体分配模块51将反应气体分配到第一气体分配空间510以及同时通过由第二气体分配模块52将反应气体分配到第二气体分配空间520来执行。因此，可以在处理腔室2中执行使用反应气体的基板处理工艺。在将反应气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿着旋转路径使基板S旋转。
通过上述的工艺步骤，根据本发明的变型实施例的基板处理方法可以在基板S上执行处理工艺。根据本发明的变型实施例的基板处理方法可以包括将反应气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520然后将清除气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520的工艺步骤。
将反应气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520的工艺步骤可以通过在将反应气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520的工艺步骤完成之后，由第一气体分配模块51将清除气体分配到第一气体分配空间510以及同时由第二气体分配模块52将清除气体分配到第二气体分配空间520来执行。因此，可以在处理腔室2中执行清除反应气体的工艺步骤。在将清除气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿着旋转路径使基板S旋转。
参照图2至图17，根据本发明的另一变型实施例的基板处理方法可以包括以下工艺步骤。在图17中，阴影线部分是处理气体和清除气体被直接分配到的空间，无阴影线部分是处理气体和清除气体未被直接分配到的空间。
首先，如图17所示，将源气体分配到第一气体分配空间510。该工艺步骤可以通过由第一气体分配模块51将源气体分配到第一气体分配空间510来执行。因此，可以在放置于处理腔室2中的第一气体分配空间510中的基板S上执行使用源气体的基板处理工艺。在将源气体分配到第一气体分配空间510的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿着旋转路径使基板S旋转。
随后，如图17所示，将清除气体分配到第二气体分配空间520。该工艺步骤可以通过由第二气体分配模块52将清除气体分配到第二气体分配空间520来执行。因此，第一气体分配空间510和第二气体分配空间530可以通过处理腔室2中的清除气体在空间上被分割。在将清除气体分配到第二气体分配空间520的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿着旋转路径使基板S旋转。
随后，如图17所示，将反应气体分配到第三气体分配空间530。该工艺步骤可以通过由第三气体分配模块53将反应气体分配到第三气体分配空间530来执行。因此，可以在放置于处理腔室2中的第三气体分配空间530中的基板S上执行使用反应气体的基板处理工艺。在将反应气体分配到第三气体分配空间530的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿着旋转路径使基板S旋转。
这里，将源气体分配到第一气体分配空间的工艺步骤、将清除气体分配到第二气体分配空间的工艺步骤、以及将反应气体分配到第三气体分配空间的工艺步骤可以同时被执行。因此，在第一气体分配空间510和第三气体分配空间530通过清除气体在空间上被分割的状态下，基板S可以在通过第一气体分配空间510的同时被执行基于源气体的处理工艺，并且可以在通过第三气体分配空间530的同时被执行基于反应气体的处理工艺。
通过上述的工艺步骤，根据本发明另一变型实施例的基板处理方法可以在基板S上执行处理工艺。根据本发明另一变型实施例的基板处理方法可以进一步包括将清除气体分配到清除气体分配空间的工艺步骤。
将清除气体分配到清除气体分配空间的工艺步骤可以通过由清除气体分配模块54将清除气体分配到清除气体分配空间540和540’来执行。将清除气体分配到清除气体分配空间的工艺步骤、将源气体分配到第一气体分配空间的工艺步骤、将清除气体分配到第二气体分配空间的工艺步骤、以及将反应气体分配到第三气体分配空间的工艺步骤可以同时被执行。因此，在通过使用处理腔室2中的清除气体将第一气体分配空间510和第三气体分配空间530在空间上分割的分割力增大的状态下，基板S可以在通过第一气体分配空间510的同时被执行基于源气体的处理工艺，并且可以在通过第三气体分配空间530的同时被执行基于反应气体的处理工艺。
参照图12和图17，根据本发明另一变型实施例的基板处理方法可以包括时间分割处理工艺和空间分割处理工艺。
时间分割处理工艺以随时间在处理腔室2中改变和分配处理气体的时间分割模式来处理基板。通过执行时间分割处理工艺，使用源气体的基板处理工艺、清除源气体的工艺、使用反应气体的基板处理工艺、以及清除反应气体的工艺可以在处理腔室2中依次被执行。
空间分割处理工艺以将不同的处理气体分配到处理腔室2的不同空间中的空间分割模式来处理基板。通过执行空间分割处理工艺，使用源气体的基板处理工艺和使用反应气体的基板处理工艺可以在空间通过使用处理腔室2中的清除气体而被分割的状态下一起被执行。
如上所述，根据本发明的另一变型实施例的基板处理方法可以被实施为通过使用一个基板处理设备1来执行时间分割处理工艺和空间分割处理工艺。因此，在根据本发明的另一变型实施例的基板处理方法中，原子层沉积(ALD)工艺可以通过时间分割处理工艺来执行，同时，可以通过空间分割处理工艺提高ALD工艺的生产率。
根据本发明的另一变型实施例的基板处理方法可以进一步包括重复处理工艺。重复处理工艺交替地重复时间分割处理工艺和空间分割处理工艺。因此，根据本发明的另一变型实施例的基板处理方法可以被实施为通过使用一个基板处理设备1交替地重复时间分割处理工艺和空间分割处理工艺来执行。
这里，时间分割处理工艺可以包括以下工艺。
首先，如图14所示，将源气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520。该工艺步骤可以通过由第一气体分配模块51将源气体分配到第一气体分配空间510以及同时通过由第二气体分配模块52将源气体分配到第二气体分配空间520来执行。因此，使用源气体的基板处理工艺可以在处理腔室2中执行。在将源气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿着旋转路径使基板S旋转。
随后，如图15所示，将清除气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520。该工艺步骤可以通过由第一气体分配模块51将清除气体分配到第一气体分配空间510以及同时通过由第二气体分配模块52将清除气体分配到第二气体分配空间520来执行。因此，可以在处理腔室2中执行清除源气体的工艺。在将清除气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿着旋转路径使基板S旋转。
随后，如图16所示，将反应气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520。该工艺步骤可以通过由第一气体分配模块51将反应气体分配到第一气体分配空间510以及同时通过由第二气体分配模块52将反应气体分配到第二气体分配空间520来执行。因此，可以在处理腔室2中执行使用反应气体的基板处理工艺。在将反应气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿着旋转路径使基板S旋转。
通过上述工艺，可以执行时间分割处理工艺。时间分割处理工艺还可以进一步包括将反应气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520然后将清除气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520的工艺步骤。
将反应气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520的工艺步骤可以通过在将反应气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520的工艺步骤完成之后，由第一气体分配模块51将清除气体分配到第一气体分配空间510以及同时由第二气体分配模块52将清除气体分配到第二气体分配空间520来执行。因此，可以在处理腔室2中进行清除反应气体的工艺步骤。在将清除气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿着旋转路径使基板S旋转。
这里，时间分割处理工艺可以包括以下工艺。
首先，如图7所示，将源气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520。该工艺步骤可以通过由第一气体分配模块51将源气体分配到第一气体分配空间510以及通过由第二气体分配模块52将源气体分配到第二气体分配空间520来执行。在将源气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿旋转路径使基板S旋转。
随后，如图9所示，清除源气体。该工艺步骤可以通过由气体分配单元5将清除气体分配到清除气体分配空间540和第二气体分配空间520来执行。清除源气体的工艺步骤可以通过由清除气体分配模块54将清除气体分配到清除气体分配空间540以及通过由第二气体分配模块52将清除气体分配到第二气体分配空间520来执行。在清除源气体的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿旋转路径使基板S旋转。
随后，如图8所示，将反应气体分配到第一气体分配空间510和第二气体分配空间520。该工艺步骤可以通过由第三气体分配模块53将反应气体分配到第三气体分配空间530以及通过由第二气体分配模块52将反应气体分配到第二气体分配空间520来执行。在将反应气体分配到第三气体分配空间530和第二气体分配空间520的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿旋转路径使基板S旋转。
随后，如图9所示，清除反应气体。该工艺步骤可以通过由气体分配单元5将清除气体分配到清除气体分配空间540和第二气体分配空间520来执行。清除反应气体的工艺步骤可以通过由清除气体分配模块54将清除气体分配到清除气体分配空间540以及通过由第二气体分配模块52将清除气体分配到第二气体分配空间520来执行。在清除反应气体的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿着旋转路径使基板S旋转。
这里，空间分割处理工艺可以包括以下工艺。
首先，如图17所示，将源气体分配到第一气体分配空间510。该工艺步骤可以通过由第一气体分配模块51将源气体分配到第一气体分配空间510来执行。因此，可以在放置于处理腔室2中的第一气体分配空间510中的基板S上执行使用源气体的基板处理工艺。在将源气体分配到第一气体分配空间510的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿旋转路径使基板S旋转。
随后，如图17所示，将清除气体分配到第二气体分配空间520。该工艺步骤可以通过由第二气体分配模块52将清除气体分配到第二气体分配空间520来执行。因此，第一气体分配空间510和第二气体分配空间530可以通过处理腔室2中的清除气体在空间上被分割。在将清除气体分配到第二气体分配空间520的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿旋转路径使基板S旋转。
随后，如图17所示，将反应气体分配到第三气体分配空间530。该工艺步骤可以通过由第三气体分配模块53将反应气体分配到第三气体分配空间530来执行。因此，可以在放置于处理腔室2中的第三气体分配空间530中的基板S上执行使用反应气体的基板处理工艺。在将反应气体分配到第三气体分配空间530的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿旋转路径使基板S旋转。
将源气体分配到第一气体分配空间的工艺步骤、将清除气体分配到第二气体分配空间的工艺步骤、以及将反应气体分配到第三气体分配空间的工艺步骤可以同时被执行。因此，在第一气体分配空间510和第三气体分配空间530通过清除气体在空间上被分割的状态下，基板S可以在通过第一气体分配空间510时被执行基于源气体的处理工艺，并且可以在通过第三气体分配空间530时被执行基于反应气体的处理工艺。
通过上述的工艺步骤，空间分割处理工艺可以在基板S上执行处理工艺。空间分割处理工艺可以进一步包括将清除气体分配到清除气体分配空间的工艺步骤。
将清除气体分配到清除气体分配空间的工艺步骤可以通过由清除气体分配模块54将清除气体分配到清除气体分配空间540和540’来执行。将清除气体分配到清除气体分配空间的工艺步骤、将源气体分配到第一气体分配空间的工艺步骤、将清除气体分配到第二气体分配空间的工艺步骤、以及将反应气体分配到第三气体分配空间的工艺步骤可以同时被执行。因此，在使用处理腔室2中的清除气体将第一气体分配空间510和第三气体分配空间530在空间上分割的分割力增大的状态下，基板S可以在通过第一气体分配空间510的同时被执行基于源气体的处理工艺，并且可以在通过第三气体分配空间530的同时被执行基于反应气体的处理工艺。
这里，根据本发明的另一变型实施例的基板处理方法可以包括以下的时间分割处理工艺的变型实施例。
参照图18和图19，根据第一变型实施例的时间分割处理工艺可以包括以下工艺。在图18和图19中，阴影线部分是处理气体被直接分配到的空间，无阴影线部分是处理气体未被直接分配到的空间。
首先，如图18所示，将源气体仅分配到第一气体分配空间510。该工艺步骤可以通过仅由第一气体分配模块51将源气体分配到第一气体分配空间510来执行。因此，可以在处理腔室2中执行使用从第一气体分配模块51分配的源气体的基板处理工艺。在将源气体仅分配到第一气体分配空间510的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿旋转路径使基板S旋转。在将源气体仅分配到第一气体分配空间510的工艺步骤被执行时，第二气体分配模块52、第三气体分配模块53和清除气体分配模块54不分配气体。
随后，清除源气体。该工艺步骤可以通过由气体分配单元5分配清除气体来执行。在这种情况下，清除源气体的工艺步骤可以通过由清除气体分配模块54将清除气体分配到清除气体分配空间540来执行。清除源气体的工艺步骤可以通过将清除气体分配到第一气体分配空间510、第二气体分配空间520、第三气体分配空间530和清除气体分配空间540中的至少一者来执行。在清除源气体的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿旋转路径使基板S旋转。
随后，如图19所示，将反应气体仅分配到第三气体分配空间530。该工艺步骤可以通过仅由第三气体分配模块53将反应气体分配到第三气体分配空间530来执行。因此，可以在处理腔室2中执行使用从第三气体分配模块53分配的反应气体的基板处理工艺。在将反应气体仅分配到第三气体分配空间530的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿旋转路径使基板S旋转。在将反应气体仅分配到第三气体分配空间530的工艺步骤被执行时，第一气体分配模块51、第二气体分配模块52和清除气体分配模块54不分配气体。
随后，清除反应气体。该工艺步骤可以通过由气体分配单元5分配清除气体来执行。在这种情况下，清除反应气体的工艺步骤可以通过由清除气体分配模块54将清除气体分配到清除气体分配空间540来执行。清除反应气体的工艺步骤可以通过将清除气体分配到第一气体分配空间510、第二气体分配空间520、第三气体分配空间530和清除气体分配空间540中的至少一者来执行。在清除反应气体的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿旋转路径使基板S旋转。
参照图20和图21，根据第二变型实施例的时间分割处理工艺可以包括以下工艺。在图20和图21中，阴影线部分是处理气体被直接分配到的空间，无阴影线部分是处理气体未被直接分配到的空间。
首先，如图20所示，将源气体仅分配到第二气体分配空间520。该工艺步骤可以通过仅由第二气体分配模块52将源气体分配到第二气体分配空间520来执行。因此，可以在处理腔室2中执行使用从第二气体分配模块52分配的源气体的基板处理工艺。在将源气体仅分配到第二气体分配空间520的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿旋转路径使基板S旋转。在将源气体仅分配到第二气体分配空间520的工艺步骤被执行时，第一气体分配模块51、第三气体分配模块53和清除气体分配模块54不分配气体。
随后，清除源气体。该工艺步骤可以通过由气体分配单元5分配清除气体来执行。在这种情况下，清除源气体的工艺步骤可以通过由清除气体分配模块54将清除气体分配到清除气体分配空间540来执行。清除源气体的工艺步骤可以通过将清除气体分配到第一气体分配空间510、第二气体分配空间520、第三气体分配空间530和清除气体分配空间540中的至少一者来执行。在清除源气体的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿旋转路径使基板S旋转。
随后，如图21所示，将反应气体仅分配到第二气体分配空间520。该工艺步骤可以通过仅由第二气体分配模块52将反应气体分配到第二气体分配空间520来执行。因此，可以在处理腔室2中执行使用从第二气体分配模块52分配的反应气体的基板处理工艺。在将反应气体仅分配到第二气体分配空间520的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿旋转路径使基板S旋转。在将反应气体仅分配到第二气体分配空间520的工艺步骤被执行时，第一气体分配模块51、第三气体分配模块53和清除气体分配模块54不分配气体。
随后，清除反应气体。该工艺步骤可以通过由气体分配单元5分配清除气体来执行。在这种情况下，清除反应气体的工艺步骤可以通过由清除气体分配模块54将清除气体分配到清除气体分配空间540来执行。清除反应气体的工艺步骤可以通过将清除气体分配到第一气体分配空间510、第二气体分配空间520、第三气体分配空间530和清除气体分配空间540中的至少一者来执行。在清除反应气体的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿旋转路径使基板S旋转。
参照图22和图23，根据第三变型实施例的时间分割处理工艺可以包括以下工艺步骤。在图22和图23中，阴影线部分是处理气体被直接分配到的空间，无阴影线部分是处理气体未被直接分配到的空间。
首先，如图22所示，将源气体分配到全体第一气体分配空间510、第二气体分配空间520和第三气体分配空间530。该工艺步骤可以通过由第一气体分配模块51、第二气体分配模块52和第三气体分配模块53将源气体分别分配到第一气体分配空间510、第二气体分配空间520和第三气体分配空间530来执行。因此，可以在处理腔室2中执行使用从第一气体分配模块51、第二气体分配模块52和第三气体分配模块53中的每一者分配的源气体的基板处理工艺。在将源气体分配到全体第一气体分配空间510、第二气体分配空间520和第三气体分配空间530的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿旋转路径使基板S旋转。在将源气体分配到全体第一气体分配空间510、第二气体分配空间520和第三气体分配空间530的工艺步骤被执行时，清除气体分配模块54不分配气体。
随后，清除源气体。该工艺步骤可以通过由气体分配单元5分配清除气体来执行。在这种情况下，清除源气体的工艺步骤可以通过由清除气体分配模块54将清除气体分配到清除气体分配空间540来执行。清除源气体的工艺步骤可以通过将清除气体分配到第一气体分配空间510、第二气体分配空间520、第三气体分配空间530和清除气体分配空间540中的至少一者来执行。在清除源气体的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿旋转路径使基板S旋转。
随后，如图23所示，将反应气体分配到全体第一气体分配空间510、第二气体分配空间520和第三气体分配空间530。该工艺步骤可以通过由第一气体分配模块51、第二气体分配模块52和第三气体分配模块53分别将反应气体分别分配到第一气体分配空间510、第二气体分配空间520和第三气体分配空间530来执行。因此，可以在处理腔室2中执行使用从第一气体分配模块51、第二气体分配模块52和第三气体分配模块53中的每一者分配的反应气体的基板处理工艺。在将反应气体分配到全体第一气体分配空间510、第二气体分配空间520和第三气体分配空间530的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿旋转路径使基板S旋转。在将反应气体分配到全体第一气体分配空间510、第二气体分配空间520和第三气体分配空间530的工艺步骤被执行时，清除气体分配模块54不分配气体。
随后，清除反应气体。该工艺步骤可以通过由气体分配单元5分配清除气体来执行。在这种情况下，清除反应气体的工艺步骤可以通过由清除气体分配模块54将清除气体分配到清除气体分配空间540来执行。清除反应气体的工艺步骤可以通过将清除气体分配到第一气体分配空间510、第二气体分配空间520、第三气体分配空间530和清除气体分配空间540中的至少一者来执行。在清除反应气体的工艺步骤被执行时，基板支撑单元3可以沿旋转路径使基板S旋转。
以上描述的本发明不限于上述实施例和附图，并且本领域技术人员将清楚地理解，在不脱离本发明的范围和精神的情况下，可以进行各种修改、变形和替换。

Claims (4)

1.一种基板处理方法，通过将处理气体分配到处理腔室的内部来处理基板，所述基板处理方法包括：
时间分割处理工艺，随时间在所述处理腔室中改变和分配所述处理气体的时间分割模式来处理所述基板；以及
空间分割处理工艺，使用第一气体分配模块以将处理气体分配到第一气体分配空间，使用第二气体分配模块以将处理气体分配到与所述第一气体分配空间相邻的第二气体分配空间，使用第三气体分配模块以将处理气体分配到与所述第一气体分配空间和所述第二气体分配空间中的每一者不同的第三气体分配空间，以将不同的处理气体分配到所述处理腔室的不同空间中的空间分割模式来处理所述基板，
其中，所述时间分割处理工艺包括：将源气体分配到所述第一气体分配空间和所述第二气体分配空间；将清除气体分配到清除气体分配空间和所述第二气体分配空间；以及将反应气体分配到所述第三气体分配空间和所述第二气体分配空间，
其中，所述空间分割处理工艺包括：
将源气体分配到所述第一气体分配空间；
将清除气体分配到所述第二气体分配空间；以及
将反应气体分配到所述第三气体分配空间，并且
其中，所述空间分割处理工艺中的将源气体分配到所述第一气体分配空间的步骤、所述空间分割处理工艺中的将清除气体分配到所述第二气体分配空间的步骤、以及所述空间分割处理工艺中的将反应气体分配到所述第三气体分配空间的步骤是同时被执行的，
其中，所述时间分割处理工艺中的将源气体分配到所述第一气体分配空间和所述第二气体分配空间的步骤是，通过由所述第一气体分配模块将所述源气体分配到所述第一气体分配空间的同时，由所述第二气体分配模块将所述源气体分配到所述第二气体分配空间来执行的，
其中，所述时间分割处理工艺中的将清除气体分配到所述清除气体分配空间和所述第二气体分配空间的步骤是，通过由清除气体分配模块将所述清除气体分配到所述清除气体分配空间的同时，由所述第二气体分配模块将所述清除气体分配到所述第二气体分配空间来执行的，并且
其中，所述时间分割处理工艺中的将反应气体分配到所述第三气体分配空间和所述第二气体分配空间的步骤是，通过由所述第三气体分配模块将所述反应气体分配到所述第三气体分配空间的同时，由所述第二气体分配模块将所述反应气体分配到所述第二气体分配空间来执行的。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，还包括交替地重复所述时间分割处理工艺和所述空间分割处理工艺的重复处理工艺。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述空间分割处理工艺中的将源气体分配到所述第一气体分配空间的步骤是，通过由所述第一气体分配模块将所述源气体分配到所述第一气体分配空间来执行的，
所述空间分割处理工艺中的将清除气体分配到所述第二气体分配空间的步骤是，通过由所述第二气体分配模块将所述清除气体分配到所述第二气体分配空间来执行的，
所述空间分割处理工艺中的将反应气体分配到所述第三气体分配空间的步骤是，通过由所述第三气体分配模块将所述反应气体分配到所述第三气体分配空间来执行的。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述空间分割处理工艺还包括：将所述清除气体分配到与所述第一气体分配空间、所述第三气体分配空间以及所述第二气体分配空间不同的所述清除气体分配空间，
并且，所述空间分割处理工艺中的将源气体分配到所述第一气体分配空间的步骤、所述空间分割处理工艺中的将清除气体分配到所述第二气体分配空间的步骤、所述空间分割处理工艺中的将反应气体分配到所述第三气体分配空间的步骤、以及所述空间分割处理工艺中的将所述清除气体分配到所述清除气体分配空间的步骤是同时被执行的。
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