WO2019022430A1 - 기판처리장치의 가스분사장치, 기판처리장치, 및 기판처리방법 - Google Patents

기판처리장치의 가스분사장치, 기판처리장치, 및 기판처리방법 Download PDF

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WO2019022430A1
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gas
gas injection
space
injection space
injecting
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천민호
김종식
황철주
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주성엔지니어링(주)
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a substrate processing process such as a deposition process for depositing a thin film on a substrate.
  • a predetermined thin film layer, a thin film circuit pattern, or an optical pattern must be formed on a substrate.
  • a semiconductor manufacturing process such as a thin film deposition process, a photolithography process for selectively exposing a thin film using a photosensitive material, and an etching process for forming a pattern by selectively removing a thin film of an exposed portion are performed.
  • FIG. 1 is a conceptual side view of a substrate processing apparatus according to the prior art.
  • a substrate processing apparatus 10 includes a substrate support portion 11 and a gas injection portion 12.
  • the substrate support 11 supports the substrate S.
  • the substrate support 11 rotates about the rotation axis 11a to rotate the substrate S about the rotation axis 11a.
  • the gas injector 12 injects the process gas toward the substrate support 11.
  • the gas injector 12 performs a process of depositing a thin film on the substrate S by injecting a process gas toward the substrate S supported on the substrate supporter 11.
  • the centrifugal force due to the rotation of the substrate support 11 acts on the process gas injected by the gas spraying unit 12.
  • the thin film is deposited relatively thinly on the inner side of the substrate S.
  • the inside of the substrate S is a portion located on the side of the substrate S toward the rotation axis 3a of the substrate supporting portion 3.
  • the substrate processing apparatus 10 As the thin film is deposited relatively thinly on the inner side of the substrate S, the uniformity of the thin film deposited on the substrate S is lowered, There is a problem that the quality of the substrate passed through the substrate is deteriorated.
  • the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a gas injection device, a substrate processing apparatus, and a substrate processing method of a substrate processing apparatus capable of reducing the degree to which a thin film is relatively thinly deposited on the inner side of a substrate .
  • the present invention can include the following configuration.
  • the gas injection device of the substrate processing apparatus includes: a first gas injection module for injecting a first gas into the first gas injection space; A second gas injection module for injecting a process gas into a second gas injection space different from the first gas injection space; And a third gas injection module for injecting a second gas into a third gas injection space different from each of the first gas injection space and the second gas injection space.
  • the second gas injection module injects the first gas into the second gas injection space when the first gas injection module injects the first gas and the third gas injection module injects the second gas, The second gas is injected into the second gas injection space.
  • a gas injection device of a substrate processing apparatus includes: a first gas injection module for injecting a process gas into a first gas injection space; And a second gas injection module for injecting a process gas into a second gas injection space different from the first gas injection space.
  • the second gas injection module is configured to inject the same process gas as the process gas injected by the first gas injection module into the second gas injection space when the first gas injection module injects the process gas into the first gas injection space, As shown in FIG.
  • a substrate processing apparatus includes a processing chamber; A substrate support disposed in the process chamber to support a plurality of substrates, the substrate support rotating about a rotation axis; A chamber lid covering an upper portion of the process chamber; And a gas injection unit installed in the chamber lid and injecting a process gas toward the substrate supporting unit.
  • the gas injection unit includes a first gas injection module installed in the chamber lid and injecting a source gas, a second gas injection module installed in the chamber lid at a position spaced apart from the first gas injection module, And a third gas injection module installed in the chamber lid at a position spaced apart from the second gas injection module and injecting the reaction gas.
  • the second gas injection module injects the source gas when the first gas injection module injects the source gas, and injects the reaction gas when the third gas injection module injects the reaction gas.
  • a substrate processing apparatus includes a processing chamber; A substrate support disposed in the process chamber to support a plurality of substrates, the substrate support rotating about a rotation axis; A chamber lid covering an upper portion of the process chamber; And a gas injection unit installed in the chamber lid and injecting a process gas toward the substrate supporting unit.
  • the gas injection unit may include a first gas injection module installed in the chamber lid and injecting a process gas, and a second gas injection module installed in the chamber lid at a position spaced apart from the first gas injection module.
  • the second gas injection module may inject the same process gas as the process gas injected by the first gas injection module when the first gas injection module injects the process gas.
  • a substrate processing method is a method of processing a substrate by spraying a process gas into a process chamber, wherein a source gas is introduced into a first gas injection space of the process chamber and a second gas injection space adjacent to the first gas injection space Spraying; Purging the source gas; Injecting a reactive gas into a third gas injection space different from the first gas injection space and the second gas injection space; And purging the reaction gas.
  • a substrate processing method is a method of processing a substrate by spraying a process gas into a process chamber, wherein a source gas is introduced into a first gas injection space of the process chamber and a second gas injection space adjacent to the first gas injection space Spraying; Injecting a purge gas into the first gas injection space and the second gas injection space; And injecting a reactive gas into the first gas injection space and the second gas injection space.
  • a substrate processing method is a method of processing a substrate by spraying a process gas into a process chamber, the process comprising: a time-sharing process step of processing the substrate in a time division mode in which a process gas is changed and injected into the process chamber over time; And a space division processing step of processing the substrate in a space division mode in which different processing gases are injected in space in the processing chamber.
  • the present invention can improve the uniformity of the thin film deposited on the substrate, thereby improving the quality of the substrate after the treatment.
  • the present invention can reduce the generation of particles due to the mixing of different process gases in a process of processing a substrate, a process of discharging a process gas, and the like, so that the stability of the process can be improved.
  • Figure 1 is a conceptual side view of a substrate processing apparatus according to the prior art.
  • FIG. 2 is a schematic exploded perspective view of a substrate processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 3 is a conceptual perspective view of a substrate processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 4 is a conceptual plan view of a substrate processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 5 is a conceptual side view of a substrate processing apparatus according to the present invention
  • FIG. 6 is a schematic plan view of the second gas injection module in the substrate processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 10 and 11 are schematic cross-sectional views of the first gas injection module in the substrate processing apparatus according to the present invention, taken along the line I-I in Fig. 2
  • FIG. 12 and 13 are schematic sectional views of the third gas injection module of the substrate processing apparatus according to the present invention, taken along line II-II in FIG. 2
  • the substrate processing apparatus 1 performs a process on a substrate S.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may perform a deposition process for depositing a thin film on the substrate S.
  • a substrate processing apparatus 1 according to the present invention includes a process chamber 2, a substrate support 3 installed in the process chamber 2, a chamber lid 4 covering an upper portion of the process chamber 2, And a gas injecting section 5 provided in the chamber lid 4 for injecting a process gas.
  • the process chamber 2 provides a process space in which the process is performed.
  • the substrate support 3 and the chamber lid 5 may be installed in the process chamber 2.
  • the process chamber 2 may be provided with an exhaust unit for exhausting gases and the like existing in the process space.
  • the substrate support 3 supports a plurality of substrates S.
  • the substrates S are transferred by a loading device (not shown) installed outside the process chamber 2.
  • the substrates S may be a semiconductor substrate or a wafer.
  • the substrate support 3 may be installed in the process chamber 2 to be located inside the process chamber 2.
  • the substrate support 3 may be rotatably installed in the process chamber 2.
  • the substrate support 3 can rotate in the first rotation direction (arrow R1 direction).
  • the first rotation direction (R1 arrow direction) may be clockwise or counterclockwise about the rotation axis of the substrate supporting part 3.
  • the substrates S may be supported on the substrate support 3 such that the substrates S are spaced apart from each other along the rotation axis of the substrate support 3 in the first rotation direction have.
  • the chamber lid 4 is installed in the process chamber 2 so as to cover the upper portion of the process chamber 2.
  • the chamber lid 4 can seal the process space.
  • the chamber lid 4 and the process chamber 2 may be formed in a hexagonal shape as shown in FIG. 2, but not limited thereto, and may be formed in a cylindrical shape, an elliptical shape, a polygonal shape, or the like.
  • the gas injection unit 5 injects the process gas.
  • the gas spraying unit 5 may be embodied as a gas injection device of the substrate processing apparatus according to the present invention.
  • the gas injector 5 may be installed in the chamber lid 4 to inject a process gas toward the substrate support 3. Accordingly, the gas injecting unit 5 can inject the process gas toward the substrate S supported by the substrate supporting unit 3.
  • the gas injecting unit 5 may be installed in the chamber lid 4 so as to be positioned above the substrate supporting unit 3.
  • the gas injection unit 5 may include a first gas injection module 51, a second gas injection module 52, and a third gas injection module 53.
  • first gas injection module 51 the third gas injection module 53, and the second gas injection module 52 will be described in this order.
  • the terms “first ", “ second “, “ third “, and the like are intended to distinguish one element from another and should not be limited by these terms.
  • the first gas injection module 51 injects the first gas in the process gas.
  • the first gas may be a source gas.
  • the first gas injection module 51 is installed in the chamber lid 4.
  • the chamber lid 4 may be provided with a first installation hole 41 (shown in FIG. 2) for installing the first gas injection module 51.
  • the first gas injection module 51 may be installed in the chamber lid 4 by being inserted into the first installation hole 41.
  • the first installation hole 41 may be formed through the chamber lid 4.
  • the first gas injection module 51 is installed in the chamber lid 4 to inject the first gas toward the substrate support 3.
  • the first gas injection module 51 may be installed in the chamber lid 4 so as to be positioned above the substrate supporting part 3. When the substrate supporting part 3 rotates about the rotation axis, the substrates S supported by the substrate supporting part 3 can sequentially pass under the first gas injection module 51.
  • the first gas injection module 51 may inject the first gas into the first gas injection space 510.
  • the substrates S supported by the substrate support 3 pass through the first gas injection space 510 as the substrate support 3 rotates in the first rotation direction (R1 direction) .
  • the first gas injection module 51 may inject the first gas toward the substrate S located in the first gas injection space 510.
  • the first gas injection space 510 may be located between the first gas injection module 51 and the substrate support 3.
  • the first gas injection module 51 injects the first gas into the first gas injection space 510, the first gas is injected into the first gas injection space 510 through the first gas injection space 510, (Not shown). Due to the first gas injected by the first gas injection module 51, the entire process space can be filled with the first gas. Accordingly, the first gas injection module 51 injects the first gas into the first gas injection space 510, so that the first gas is injected to the entire substrate S supported on the substrate support 3, So that the processing can be performed. Accordingly, the first gas injection module 51 performs a process using the first gas intensively on the substrate S located in the first gas injection space 510, (S) located outside of the first chamber (510). Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can shorten the time required for the processing process using the first gas.
  • the first gas injection module 51 may be connected to the gas supply unit 100 (shown in FIG. 5).
  • the gas supply unit 100 supplies the process gas to the gas injection unit 5.
  • the gas supply unit 100 may include a first gas supply source 110 (shown in FIG. 5) for supplying the first gas.
  • the first gas injection module 51 may receive the first gas from the first gas supply source 110 and may supply the supplied first gas to the first gas injection space 510.
  • the first gas injection module 51 may be connected to the first gas supply source 110 through a pipe, a tube, or the like.
  • the third gas injection module 53 injects the second gas in the process gas.
  • the second gas may be a reactive gas of a type different from the first gas.
  • the third gas injection module (53) is installed in the chamber lid (4).
  • the third gas injection module 53 is installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the first gas injection module 51.
  • the chamber lid 4 may be provided with a third installation hole 43 (shown in FIG. 2) for installing the third gas injection module 53.
  • the third gas injection module 53 may be installed in the chamber lid 4 by being inserted into the third installation hole 43.
  • the third installation hole 43 may be formed through the chamber lid 4.
  • the third gas injection module 53 is installed in the chamber lid 4 to inject the second gas toward the substrate support 3.
  • the third gas injection module 53 may be installed on the chamber lid 4 so as to be positioned on the upper side of the substrate supporting part 3.
  • the substrates S supported by the substrate supporting unit 3 are moved to the lower side of the third gas injection module 53 and the first gas injection module 51, It is possible to sequentially pass through the lower side of FIG.
  • the third gas injection module 53 may inject the second gas into the third gas injection space 530.
  • the third gas injection space 530 and the first gas injection space 510 are different from each other.
  • the third gas injection space 530 and the first gas injection space 510 are spaced apart from each other by a distance corresponding to the distance between the third gas injection module 53 and the first gas injection module 51 As shown in FIG.
  • the substrates S supported by the substrate supporting unit 3 pass through the third gas injection space 530 as the substrate supporting unit 3 rotates in the first rotation direction (R1 direction) .
  • the third gas injection module 53 may inject the second gas toward the substrate S located in the third gas injection space 530.
  • the third gas injection space 530 may be located between the third gas injection module 53 and the substrate support 3.
  • the third gas injection module 53 injects the second gas into the third gas injection space 530
  • the second gas is injected into the third gas injection space 530 through the third gas injection space 530, (530). Accordingly, due to the second gas injected by the third gas injection module 53, the entire process space can be filled with the second gas. Therefore, the third gas injection module 53 injects the second gas into the third gas injection space 530 to inject the second gas So that the processing can be performed. Accordingly, the third gas injection module 53 performs a process using the second gas intensively on the substrate S located in the third gas injection space 530, The substrate S disposed outside of the first chamber 530 may be processed to process the second gas. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can shorten the time required for the processing process using the second gas.
  • the substrate processing apparatus 1 can reduce the generation of particles as the first gas and the second gas are mixed with each other during the process, the process gas, and the like . Further, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can prevent degradation of the quality of the substrate S that has undergone the processing process as the first gas and the second gas are mixed with each other.
  • the third gas injection module 53 may be connected to the gas supply part 100.
  • the gas supply unit 100 may include a second gas supply source 120 (shown in FIG. 5) for supplying the second gas.
  • the third gas injection module 53 may receive the second gas from the second gas supply source 120 and supply the supplied second gas to the third gas injection space 530.
  • the third gas injection module 53 may be connected to the second gas supply source 120 through a pipe, a tube, or the like.
  • the second gas injection module 52 injects the process gas.
  • the second gas injection module 52 may be configured to inject the first gas and the second gas, Gas can be selectively injected.
  • the first gas injection module 51 injects the first gas
  • the second gas injection module 52 may inject the first gas.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can increase the processing efficiency of the processing process using the first gas by increasing the area in which the first gas is injected in the processing space.
  • the third gas injection module 53 injects the second gas
  • the second gas injection module 52 may inject the second gas. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can increase the processing efficiency of the processing process using the second gas by increasing the area in which the second gas is injected in the processing space.
  • the second gas injection module (52) is installed in the chamber lid (4).
  • the second gas injection module 52 is installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the first gas injection module 51 and the third gas injection module 53, respectively.
  • the chamber lid 4 may be provided with a second installation hole 42 (shown in FIG. 2) for installing the second gas injection module 52.
  • the second gas injection module 52 may be installed in the chamber lid 4 by being inserted into the second installation hole 42.
  • the second installation hole (42) may be formed through the chamber lid (4).
  • the second gas injection module 52 may inject the process gas into the second gas injection space 520.
  • the second gas injection space 520 is a different space for the first gas injection space 510 and the third gas injection space 530, respectively.
  • the second gas injection space 520 is spaced apart from the first gas injection module 51 and the third gas injection module 53 by a distance corresponding to a distance between the second gas injection module 52 and the third gas injection module 53, 1 gas jetting space 510 and the third gas jetting space 530.
  • the second gas injection space 520 may be disposed adjacent to the first gas injection space 510.
  • the second gas injection space 520 may be disposed adjacent to the third gas injection space 530.
  • the third gas injection space 530 may be a different space for the first gas injection space 510 and the second gas injection space 520, respectively.
  • the second gas injection space 520 may be disposed between the first gas injection space 510 and the third gas injection space 530.
  • the second gas injection module 52 is installed in the chamber lid 4 to inject the process gas toward the substrate support 3.
  • the second gas injection module 52 may be installed on the chamber lid 4 so as to be positioned on the upper side of the substrate supporting part 3.
  • the second gas injection space 520 may be disposed between the second gas injection module 52 and the substrate supporting part 3.
  • the second gas injection module 52 may be installed in the chamber lid 4 so as not to overlap the rotation path of the substrates S.
  • the rotation path of the substrates S refers to a path along which the substrates S move as the substrate supporting unit 3 rotates about the rotation axis.
  • the second gas injection module 52 is disposed so as not to overlap with the rotation path of the substrates S so that the substrates S move along the rotation path while the lower side of the second gas injection module 52 .
  • the first gas injection module 51 and the third gas injection module 53 may be installed in the chamber lid 4 so as to overlap with the rotation path of the substrates S, respectively. Accordingly, the substrates S pass sequentially through the lower side of the first gas injection module 51 and the lower side of the third gas injection module 53 while moving along the rotation path.
  • the second gas injection module 52 may be installed in the chamber lid 4 such that the second gas injection module 52 is disposed at a position spaced upward from a central portion of the substrate support 3 on which the substrates S are not placed.
  • the first gas injection module 51 and the third gas injection module 53 are connected to the chamber lid (not shown) so as to be disposed at a position spaced upward from the outer portion with respect to the central portion of the substrate support 3 4).
  • the second gas injection module 52 may be installed in the chamber lid 4 such that the second gas injection module 52 is disposed at a position spaced upward from the rotation axis of the substrate support 3.
  • the second gas injection space 520 may be disposed between the rotation axis of the second gas injection module 52 and the substrate support 3.
  • the first gas may be diffused into the first gas injection space 510.
  • the first gas injected by the second gas injection module 52 may be supplied to the inside of the substrate S located in the first gas injection space 510.
  • the inside of the substrate S is a portion located on the side of the substrate S toward the rotation axis of the substrate supporting portion 3.
  • the substrate processing apparatus 1 increases the thickness of the thin film deposited on the inner side of the substrate S The uniformity of the thin film deposited on the substrate S can be improved.
  • the second gas injection module 52 injects the second gas into the second gas injection space 520
  • the second gas may be diffused into the third gas injection space 530.
  • the second gas injected by the second gas injection module 52 may be supplied to the inside of the substrate S located in the third gas injection space 530. Accordingly, in comparison with the comparative example in which the second gas is injected into the third gas injection space 530 using only the third gas injection module 53, The flow rate of the second gas supplied to the inner side of the substrate S can be increased.
  • the substrate processing apparatus 1 increases the thickness of the thin film deposited on the inner side of the substrate S The uniformity of the thin film deposited on the substrate S can be improved.
  • the process gas injected by the second gas injection module 52 may be diffused to the entire process space including the first gas injection space 510 and the third gas injection space 530. Accordingly, the second gas injection module 52 can assist the entire process space to be filled with the process gas.
  • the second gas injection module 52 injects the process gas into the second gas injection space 520 so that the entirety of the substrate S supported on the substrate support 3 So that the treatment process can be performed.
  • the second gas injection module 52 may stop the injection of the second gas and may inject the first gas.
  • the second gas injection module 52 may stop the injection of the first gas and inject the second gas when the third gas injection module 53 injects the second gas. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the generation of particles as the first gas and the second gas are mixed with each other during the process, the process gas, and the like . Further, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can prevent degradation of the quality of the substrate S that has undergone the processing process as the first gas and the second gas are mixed with each other.
  • the second gas injection module 52 may be connected to the gas supply part 100.
  • the gas supply unit 100 may be connected to the first gas supply source 110 and the second gas supply source 120, respectively.
  • the second gas injection module 52 may receive the first gas from the first gas supply source 110 and may supply the supplied first gas to the second gas injection space 520.
  • the second gas injection module 52 may receive the second gas from the second gas supply source 120 and supply the supplied second gas to the second gas injection space 520.
  • the second gas injection module 52 may be connected to the first gas supply source 110 and the second gas supply source 120 through pipes, tubes, and the like.
  • the second gas injection module 52 may be installed in the chamber lid 4 so as to be disposed between the first gas injection module 51 and the third gas injection module 53.
  • the first gas injection module 51 may be installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the second gas injection module 52.
  • the third gas injection module 53 may be installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the second gas injection module 52. Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the process gas injected by the second gas injection module 52 flows into the first gas injection space 510 and the third gas injection space 530, respectively .
  • the second gas injection module 52, the first gas injection module 51 and the third gas injection module 53 may be installed in the chamber lid 4 so as to be arranged on the same line.
  • the second gas injection module 52 is disposed at a position spaced apart from the substrate S placed in the first gas injection space 510 and the substrate S placed in the third gas injection space 530, Can be disposed in the chamber lid (4).
  • the second gas injection module 52 is directly connected to the substrate S placed in the first gas injection space 510 and the substrate S placed in the third gas injection space 530, As shown in FIG. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention is arranged such that the substrate S disposed in the first gas injection space 510 and the inside of the substrate S located in the third gas injection space 530 The uniformity of the thin film deposited on the substrate S can be improved by preventing the thin film from being deposited with excessive thickness.
  • the second gas injection module 52 includes a first gas injection member 521 (shown in FIG. 6) and a second gas injection member 522 (shown in FIG. 6) can do.
  • the first gas injection member 521 is for spraying the first gas.
  • the first gas injection member 521 may be connected to the first gas supply source 110.
  • the first gas injection member 521 may receive the first gas from the first gas supply source 110 and may inject the supplied first gas into the second gas injection space 520.
  • a plurality of first gas injection holes 521a (shown in FIG. 6) may be formed in the first gas injection member 521.
  • the first gas injection member 521 may inject the first gas into the second gas injection space 520 using the first gas injection holes 521a.
  • the first gas injection holes 521a may be spaced apart from each other at equal intervals. 6 shows that six first gas injection holes 521a are formed in the first gas injection member 521, but the present invention is not limited thereto.
  • the first gas injection member 521 may have two to five or more Seven or more first gas injection holes 521a may be formed.
  • the first gas injection member 521 may be formed in a disc shape, but it is not limited thereto.
  • the first gas injection member 521 may be formed in a different shape such as a rectangular plate shape in a form capable of injecting the first gas into the second gas injection space 520 .
  • the second gas injection member 522 is for spraying the second gas.
  • the second gas injection member 522 may be connected to the second gas supply source 120.
  • the second gas injection member 522 may receive the second gas from the second gas supply source 120 and may inject the supplied second gas into the second gas injection space 520.
  • the second gas injection member 522 may be formed with a plurality of second gas injection holes 522a (shown in FIG. 6).
  • the second gas injection member 522 may inject the second gas into the second gas injection space 520 using the second gas injection holes 522a.
  • the second gas injection holes 522a may be spaced apart from each other at equal intervals. 6 shows that six second gas injection holes 522a are formed in the second gas injection member 522, but the present invention is not limited thereto.
  • the second gas injection member 522 may have two to five or more Seven or more second gas injection holes 522a may be formed.
  • the second gas injection member 522 may be formed in a disc shape, but it is not limited thereto.
  • the second gas injection member 522 may be formed in a different shape such as a rectangular plate shape in a form capable of injecting the second gas into the second gas injection space 520 .
  • the second gas injection member 522 and the first gas injection member 521 may be arranged to inject the process gas into different spaces in the second gas injection space 520.
  • the first gas injection member 521 may be disposed inside the second gas injection member 522.
  • the second gas injection member 522 may be disposed inside the first gas injection member 521.
  • the second gas injection module 52 injects the second gas and the first gas into the second gas injection space 520 through the second gas injection member 522 and the first gas injection member 521, Can be selectively injected.
  • the second gas injection member 522 stops the injection of the second gas .
  • the third gas injection module 53 and the second gas injection member 522 respectively inject the second gas
  • the first gas injection member 521 stops the injection of the first gas .
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can be implemented so that the first gas and the second gas are not mixed with each other even in the second gas injection module 52. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the generation of partbles as the first gas and the second gas are mixed with each other in a process of performing the process, a process of discharging the process gas, and the like . Further, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can prevent degradation of the quality of the substrate S that has undergone the processing process as the first gas and the second gas are mixed with each other.
  • the second gas injection member 522 and the first gas injection member 521 selectively supply the process gas according to the gas injection of the first gas injection module 51 and the third gas injection module 53, .
  • the first gas injection module 51 injects the first gas
  • the first gas injection member 521 injects the first gas
  • the second gas injection member 522 injects the first gas
  • 2 gas can be stopped.
  • the third gas injection module 53 injects the second gas
  • the second gas injection member 522 injects the second gas
  • the first gas injection member 521 injects the second gas
  • 1 gas can be stopped.
  • the second gas injection module 52 selectively opens and closes the flow path connected to each of the first gas injection member 521 and the second gas injection member 522 including a valve, Each of the gas injection member 521 and the second gas injection member 522 may be configured to selectively inject the process gas.
  • the substrate processing apparatus 1 may be operated as follows to perform the processing steps.
  • hatched portions are spaces in which the process gas is directly injected, and portions where hatching is not indicated are spaces in which the process gas is not directly injected.
  • 7 and 8 illustrate that four substrates S are supported on the substrate support 3 but are not limited thereto and the substrate support 3 may be provided with two, S) may be supported.
  • the first gas when the first gas is injected into the first gas injection space 510, the first gas may be injected into the second gas injection space 520 as well. In this case, the second gas is not injected into the third gas injection space 530.
  • the first gas injected into the first gas injection space 510 and the second gas injection space 520 is more distributed on the side of the substrate S located in the first gas injection space 510, 3 gas injection space 530 as shown in FIG.
  • the second gas when the second gas is injected into the third gas injection space 530, the second gas may be injected into the second gas injection space 520 as well.
  • the first gas injection space 510 does not inject the first gas.
  • the gas injection unit 5 may include a purge gas injection module 54.
  • the purge gas injection module 54 injects purge gas.
  • the purge gas is for purifying the process gas located in the process space.
  • the process gas located in the process space can be exhausted from the process chamber 2 due to the purge gas injected by the purge gas injection module 54.
  • the purge gas injection module 54 is installed in the chamber lid 4.
  • the purge gas injection module 54 is connected to the chamber lid 4 at a position spaced apart from the first gas injection module 51, the third gas injection module 53 and the second gas injection module 52, ).
  • the chamber lid 4 may be provided with a fourth installation hole 44 (shown in Fig. 2) for installing the purge gas injection module 54 therein.
  • the purge gas injection module 54 may be installed in the chamber lid 4 by being inserted into the fourth installation hole 44.
  • the fourth installation hole 44 may be formed through the chamber lid 4.
  • the purge gas injection module 54 may be installed in the chamber lid 4 to inject the purge gas toward the substrate support 3.
  • the purge gas injection module 54 may be installed in the chamber lid 4 so as to be positioned above the substrate supporting part 3. When the substrate support 3 rotates about the rotation axis, the substrates S supported by the substrate support 3 are moved to the lower side of the purge gas injection module 54, The lower side of the third gas injection module 51, and the lower side of the third gas injection module 51.
  • the purge gas injection module 54 may inject the purge gas into the purge gas injection space 540.
  • the purge gas injection space 540, the second gas injection space 520, the third gas injection space 530, and the first gas injection space 510 are mutually different spaces.
  • the purge gas injection space 540, the second gas injection space 520, the third gas injection space 530, and the first gas injection space 510 may include the purge gas injection module 54,
  • the second gas injection module 52, the third gas injection module 53, and the first gas injection module 51 may be spaced apart from each other by a distance corresponding to the distance.
  • the substrates S supported on the substrate supporting unit 3 may pass through the purge gas ejecting space 540 as the substrate supporting unit 3 rotates in the first rotation direction (R1 direction) have. Accordingly, the purge gas injection module 54 can inject the purge gas toward the substrate S located in the purge gas injection space 540.
  • the purge gas injection space 540 may be located between the purge gas injection module 54 and the substrate support 3.
  • the purge gas injection module 54 injects the purge gas into the purge gas injection space 540, the purge gas passes through the purge gas injection space 540 to the outside of the purge gas injection space 540 Can be diffused. Accordingly, due to the purge gas injected by the purge gas injection module 54, the entire process space can be filled with the purge gas. Therefore, the purge gas injection module 54 injects the purge gas into the purge gas injection space 540, thereby exhausting the entire substrate S supported on the substrate support part 3 by the exhaust process using the purge gas May be implemented.
  • the first gas injection module 51 and the third gas injection module 53 may stop the injection of the process gas, respectively.
  • the purge gas injection module 54 may stop injecting the purge gas.
  • the purge gas injection module 54 may stop the injection of the purge gas.
  • the purge gas injection module 54 may be connected to the gas supply part 100.
  • the gas supply unit 100 may include a purge gas supply source 130 (shown in FIG. 5) for supplying the purge gas.
  • the purge gas injection module 54 may receive the purge gas from the purge gas supply source 130 and supply the purge gas supplied to the purge gas injection space 540.
  • the purge gas injection module 54 may be connected to the purge gas source 130 through a pipe, a tube, or the like.
  • the second gas injection module 52 may inject the purge gas when the purge gas injection module 54 injects the purge gas. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can increase the processing efficiency of the exhaust process using the purge gas by increasing the area in which the purge gas is injected in the process space.
  • the second gas injection module 52 may include a purge gas injection member 523 (shown in FIG. 6).
  • the purge gas injection member 523 is for injecting the purge gas.
  • the purge gas injection member 523 may be connected to the purge gas supply source 130.
  • the purge gas injection member 523 may receive the purge gas from the purge gas supply source 130 and may inject the supplied purge gas into the second gas injection space 520.
  • a plurality of purge gas injection holes 523a (shown in FIG. 6) may be formed in the purge gas injection member 523.
  • the purge gas injection member 523 may inject the purge gas into the second gas injection space 520 using the purge gas injection holes 523a.
  • the purge gas injection holes 523a may be spaced apart from each other at equal intervals.
  • the purge gas injection member 523 may be provided with two to five or more than seven A purge gas spray hole 523a may be formed.
  • the purge gas injection member 523 may be formed in a disk shape, but is not limited thereto.
  • the purge gas injection member 523 may be formed in a different shape such as a rectangular plate shape in a form capable of injecting the purge gas into the second gas injection space 520 have.
  • the purge gas injection member 523, the second gas injection member 522, and the first gas injection member 521 are arranged to inject the process gas into different spaces in the second gas injection space 520 .
  • the process gas may include a purge gas and a process gas, and the process gas may include a first gas and a second gas.
  • the second gas injection member 522 is disposed inside the purge gas injection member 523 and the first gas injection member 521 is disposed inside the second gas injection member 522 As shown in FIG.
  • the first gas injection member 521 is disposed inside the purge gas injection member 523 and the second gas injection member 522 is disposed inside the first gas injection member 521
  • the purge gas injection member 523 may be disposed inside the first gas injection member 521 or inside the second gas injection member 522.
  • the second gas injection module 52 is connected to the second gas injection space 520 through the purge gas injection member 523, the second gas injection member 522, and the first gas injection member 521, As shown in FIG. In this case, the second gas injection module 52 is connected to the second gas injection space 521 through the purge gas injection member 523, the second gas injection member 522, The purge gas, the second gas, and the first gas may be selectively injected into the second chamber 520.
  • the purge gas injection member 523 may stop the injection of the purge gas .
  • the second gas injection member 522 may stop the injection of the second gas.
  • the purge gas injection member 523 can stop the injection of the purge gas .
  • the first gas injection member 521 may stop the injection of the first gas.
  • the purge gas injection module 54 injects the purge gas
  • the purge gas injection member 523 may inject the purge gas.
  • the first gas injection member 521 and the second gas injection member 522 may stop the injection of the first gas and the second gas, respectively.
  • the purge gas injection member 523, the second gas injection member 522 and the first gas injection member 521 are connected to the first gas injection module 51, the third gas injection module 53,
  • the purge gas injection module 54 may selectively supply the process gas and the purge gas according to whether the gas is injected or not.
  • the first gas injection module 51 injects the first gas
  • the first gas injection member 521 may inject the first gas.
  • the second gas injection member 522 may stop the injection of the second gas
  • the purge gas injection member 523 may stop the injection of the purge gas.
  • the third gas injection module 53 injects the second gas
  • the second gas injection member 522 may inject the second gas.
  • the first gas injection member 521 may stop the injection of the first gas
  • the purge gas injection member 523 may stop the injection of the purge gas.
  • the purge gas injection module 54 injects the purge gas
  • the purge gas injection member 523 may inject purge gas.
  • the first gas injection member 521 may stop the injection of the first gas
  • the second gas injection member 522 may stop the injection of the second gas.
  • the second gas injection module 52 includes a valve or the like and selectively connects the first gas injection member 521, the second gas injection member 522, and the purge gas injection member 523 So that each of the first gas injection member 521, the second gas injection member 522 and the purge gas injection member 523 selectively injects the process gas and the purge gas.
  • the purge gas injection module 54, the third gas injection module 53 and the first gas injection module 51 may be installed in the chamber lid 4 such that the purge gas injection module 54, the third gas injection module 53, and the first gas injection module 51 are spaced apart from each other.
  • the purge gas injection module 54, the third gas injection module 53 and the first gas injection module 51 are disposed at the same angle with respect to the rotation axis of the substrate support 3 .
  • the gas injection unit 5 may include a plurality of the purge gas injection modules 54. In this case, the purge gas injection modules 54 and 54 'may inject purge gas into the purge gas injection spaces 540 and 540', which are different from each other.
  • the purge gas injection modules 54 and 54 ', the third gas injection module 53 and the first gas injection module 51 are installed in the chamber lid 4 such that the purge gas injection modules 54 and 54' .
  • the purge gas injection modules 54 and 54 ', the third gas injection module 53 and the first gas injection module 51 are disposed at the same angle with respect to the rotation axis of the substrate support 3 And can be spaced apart.
  • the gas injection unit 5 includes two purge gas injection modules 54 and 54 ', the purge gas injection modules 54 and 54', the third gas injection module 53, And the first gas injection module 51 may be spaced apart from each other by 90 degrees with respect to the rotation axis of the substrate supporting part 3.
  • the first gas injection module 51, the purge gas injection module 54, the third gas injection module 53, and the purge gas injection module (not shown) are disposed along the first rotation direction 54 ').
  • the second gas injection module 52 is connected to the chamber lid 4 so as to be disposed between the purge gas injection modules 54 and 54' As shown in FIG.
  • the purge gas injection module 54 may be installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the second gas injection module 52.
  • the purge gas injection module 54 ' may be installed in the chamber lid 4 so as to be disposed at a position apart from the second gas injection module 52 to the other side. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can be implemented so that the process gas injected by the second gas injection module 52 is supplied to each of the purge gas injection spaces 540 and 540 '.
  • the purge gas injection modules 54 and 54 'and the second gas injection module 52 may be installed in the chamber lid 4 so as to be arranged on the same line.
  • the substrate processing apparatus 1 can perform the processing and the evacuation process as follows. 7 to 9, the hatching is a space in which the process gas and the purge gas are directly injected, and the portion where hatching is not displayed is a space in which the process gas and the purge gas are not directly injected.
  • the first gas when the first gas is injected into the first gas injection space 510, the first gas may be injected into the second gas injection space 520 as well.
  • the second gas is not injected into the third gas injection space 530, and the purge gas injection spaces 540 and 540 'are not injected with the purge gas.
  • the first gas injected into the first gas injection space 510 and the second gas injection space 520 is more distributed on the side of the substrate S located in the first gas injection space 510, 3 gas injection space 530 and the purge gas injection spaces 540 and 540 '.
  • the second gas when the second gas is injected into the third gas injection space 530, the second gas may be injected into the second gas injection space 520 as well.
  • the first gas is not injected into the first gas injection space 510, and the purge gas injection spaces 540 and 540 'are not injected with the purge gas.
  • the second gas injected into the third gas injection space 530 and the second gas injection space 520 is more distributed on the side of the substrate S located in the third gas injection space 530, 1 gas injection space 510 and the purge gas injection spaces 540 and 540 '.
  • the purge gas when the purge gas is injected into the purge gas injection spaces 540 and 540 ', the purge gas may be injected into the second gas injection space 520 as well.
  • the first gas is not injected into the first gas injection space 510
  • the second gas is not injected into the third gas injection space 530.
  • the purge gas injection spaces 540 and 540 'and the purge gas injected into the second gas injection space 520 are more distributed in the purge gas injection spaces 540 and 540'
  • the gas injection space 510, and the third gas injection space 530 as shown in FIG.
  • the first gas injection module 51 activates the first gas using plasma, .
  • the first gas injection module 51 may include a first ground electrode 511 (shown in FIG. 10) and a first plasma electrode 512 (shown in FIG. 10).
  • the first ground electrode 511 injects the first gas.
  • the first ground electrode 511 may be installed in the chamber lid 4.
  • the first ground electrode 511 may be installed in the chamber lead 4 by being inserted into the first installation hole 41.
  • the first ground electrode 511 includes a first housing 5111 (shown in FIG. 10), a first passage groove 5112 (shown in FIG. 10), and a first supply hole 5113 (shown in FIG. 10) . ≪ / RTI >
  • the first housing 5111 may be installed in the chamber lid 4 by being inserted into the first installation hole 41.
  • the first housing 5111 is electrically connected to the chamber lid 4, thereby being electrically grounded through the chamber lid 4.
  • the first housing 5111 may be formed in a rectangular parallelepiped shape as long as the first housing 5111 is provided in the chamber lid 4 and can inject the first gas. .
  • the first passage groove 5112 may be formed in the first housing 5111.
  • the first passage groove 5112 may be located inside the first housing 5111.
  • the first housing 5111 may be formed with one side opened through the first passage groove 5112.
  • the first housing 5111 may be installed in the chamber lid 4 such that an open side of the first housing 5111 faces the substrate support 3 (shown in Fig. 2).
  • the first supply hole 5113 may be formed through the first housing 5111.
  • the first supply hole 5113 may be formed to communicate with the first passage groove 5112.
  • the first supply hole 5113 may be connected to the first gas supply source 110.
  • the first gas supplied from the first gas supply source 110 may be supplied to the first passage groove 5112 through the first supply hole 5113.
  • a plurality of the first supply holes 5113 may be formed in the first housing 5111. In this case, the first supply holes 5113 may be located on both sides of the first plasma electrode 512.
  • the first plasma electrode 512 may be installed in the first housing 5111.
  • the first plasma electrode 512 may be installed in the first housing 5111 by being inserted into the first insulating member 514.
  • the first insulating member 514 electrically isolates the first housing 5111 and the first plasma electrode 512 from each other.
  • the first plasma electrode 512 may be disposed such that a part of the first plasma electrode 512 is located in the first passage groove 5112.
  • the first plasma electrode 512 generates a plasma from a first gas supplied to the first passage groove 5112 in accordance with a plasma power source applied from the first plasma power source 513.
  • the plasma may be generated by an electric field between the first plasma electrode 512 and the first sidewall 5111a of the first housing 5111 according to a plasma power source. Accordingly, the first gas can be activated by the plasma and injected.
  • the first gas injection module 51 receives the first gas activated by the plasma from the plasma processing unit 200, thereby to inject the first gas activated by the plasma have.
  • the first gas injection module 511 includes a first housing 5111 (shown in Fig. 11), a first passage groove 5112 (shown in Fig. 11), and a first supply hole 5113 As shown in FIG.
  • the first housing 5111 may be installed in the chamber lid 4 by being inserted into the first installation hole 41.
  • the first housing 5111 can receive the first gas activated by the plasma from the plasma processing unit 200. Accordingly, the first housing 5111 can inject the first gas activated by the plasma.
  • the first passage groove 5112 may be formed in the first housing 5111.
  • the first passage groove 5112 may be located inside the first housing 5111.
  • the first housing 5111 may be formed with one side opened through the first passage groove 5112.
  • the first housing 5111 may be installed in the chamber lid 4 such that an open side of the first housing 5111 faces the substrate support 3 (shown in Fig. 2).
  • the first supply hole 5113 may be formed through the first housing 5111.
  • the first supply hole 5113 may be formed to communicate with the first passage groove 5112.
  • the first supply hole 5113 may be connected to the plasma processing unit 200.
  • the plasma processing unit 200 may include a first plasma processing module 210 for activating the first gas using plasma.
  • the first supply hole 5113 may be connected to the first plasma processing module 210.
  • the first gas activated by the first plasma processing module 210 may be supplied to the first passage groove 5112 through the first supply hole 5113.
  • a plurality of the first supply holes 5113 may be formed in the first housing 5111.
  • the second gas injection module 52 when the first gas injection module 51 activates and sprays the first gas using plasma, the second gas injection module 52 also activates the first gas using plasma It can be sprayed.
  • the second gas injection module 52 may be implemented to activate and emit the first gas using a second ground electrode and a second plasma electrode.
  • the second gas injection module 52 may be implemented to inject activated first gas through the first plasma processing module 210.
  • the third gas injection module 53 activates the second gas using plasma, .
  • the third gas injection module 53 may include a third ground electrode 531 (shown in FIG. 12) and a third plasma electrode 532 (shown in FIG. 12).
  • the third ground electrode 531 injects the second gas.
  • the third ground electrode 531 may be installed in the chamber lead 4.
  • the third ground electrode 531 may be installed in the chamber lead 4 by being inserted into the third installation hole 43.
  • the third ground electrode 531 is connected to the third housing 5311 (shown in Fig. 12), the third passage groove 5312 (shown in Fig. 12), and the third supply hole 5313 . ≪ / RTI >
  • the third housing 5311 may be installed in the chamber lid 4 by being inserted into the third installation hole 43.
  • the third housing 5311 is electrically connected to the chamber lid 4 so as to be electrically grounded through the chamber lid 4.
  • the third housing 5311 may be formed in a rectangular parallelepiped shape as long as the third housing 5311 is provided in the chamber lid 4 and can inject the second gas. .
  • the third passage groove 5312 may be formed in the third housing 5311.
  • the third passage groove 5312 may be located inside the third housing 5311.
  • the third housing 5311 may be formed with one side opened through the third passage groove 5312.
  • the third housing 5311 may be installed in the chamber lid 4 such that an open side of the third housing 5311 faces the substrate support 3 (shown in Fig. 2).
  • the third supply hole 5313 may be formed through the third housing 5311.
  • the third supply hole 5313 may be formed to communicate with the third passage groove 5312.
  • the third supply hole 5313 may be connected to the second gas supply source 120.
  • the second gas supplied by the second gas supply source 120 may be supplied to the third passage groove 5312 through the third supply hole 5313.
  • a plurality of third supply holes 5313 may be formed in the third housing 5311. In this case, the third supply holes 5313 may be located on both sides of the third plasma electrode 532.
  • the third plasma electrode 532 may be installed in the third housing 5311.
  • the third plasma electrode 532 may be installed in the third housing 5311 by being inserted into the third insulating member 534.
  • the third insulating member 534 electrically isolates the third housing 5311 and the third plasma electrode 532 from each other.
  • the third plasma electrode 532 may be disposed such that a part of the third plasma electrode 532 is located in the third passage groove 5312.
  • the third plasma electrode 532 generates a plasma from a second gas supplied to the third passage groove 5312 in accordance with a plasma power source applied from the second plasma power source 523.
  • the plasma may be generated by an electric field applied between the third plasma electrode 532 and the third sidewall 5311a of the third housing 5311 according to a plasma power source. Accordingly, the second gas can be activated by the plasma and injected.
  • the third gas injection module 53 receives the second gas activated by the plasma from the plasma processing unit 200, thereby spraying the second gas activated by the plasma It is possible.
  • the third gas injection module 531 includes a third housing 5311 (shown in Fig. 13), a third passage groove 5312 (shown in Fig. 13), and a third supply hole 5313 As shown in FIG.
  • the third housing 5311 may be installed in the chamber lid 4 by being inserted into the third installation hole 43.
  • the third housing 5311 can be supplied with the second gas activated by the plasma from the plasma processing unit 200. Accordingly, the third housing 5311 can jet the second gas activated by the plasma.
  • the third passage groove 5312 may be formed in the third housing 5311.
  • the third passage groove 5312 may be located inside the third housing 5311.
  • the third housing 5311 may be formed with one side opened through the third passage groove 5312.
  • the third housing 5311 may be installed in the chamber lid 4 such that an open side of the third housing 5311 faces the substrate support 3 (shown in Fig. 2).
  • the third supply hole 5313 may be formed through the third housing 5311.
  • the third supply hole 5313 may be formed to communicate with the third passage groove 5312.
  • the third supply hole 5313 may be connected to the plasma processing unit 200.
  • the plasma processing unit 200 may include a second plasma processing module 220 that activates the second gas using plasma.
  • the third supply hole 5313 may be connected to the second plasma processing module 220.
  • the second gas activated by the second plasma processing module 220 may be supplied to the third passage groove 5312 through the third supply hole 5313.
  • a plurality of third supply holes 5313 may be formed in the third housing 5311.
  • the second gas injection module 52 when the third gas injection module 53 activates and injects the second gas using plasma, the second gas injection module 52 also activates the second gas using plasma It can be sprayed.
  • the second gas injection module 52 may be implemented to activate and emit the second gas using the second ground electrode and the second plasma electrode.
  • the second gas injection module 52 may be implemented to inject the activated second gas through the second plasma processing module 220.
  • the gas injection unit 5 according to the modified embodiment of the present invention may include the first gas injection module 51 and the second gas injection module 52.
  • the gas injection unit 5 according to the modified embodiment of the present invention is configured such that the first gas injection module 51 and the second gas injection module 52, when compared with the embodiment of the gas injection part 5 described above, To inject the process gas.
  • the gas injection unit 5 according to the modified embodiment of the present invention may not include the third gas injection module 53.
  • the gas injection unit 5 according to the modified embodiment of the present invention includes the third gas injection module 53 and uses only the first gas injection module 51 and the second gas injection module 52 So that the third gas injection module 53 does not inject the process gas while injecting the process gas.
  • the gas injection unit 5 may further include the purge gas injection module 54, and the first gas injection module 51 and the second gas injection module 51
  • the purge gas injection module 54 may not be configured to inject the purge gas while the process gas is being injected using the module 52 only.
  • the module 52 may inject the same process gas as the process gas injected by the first gas injection module 51 into the second gas injection space 520.
  • the first gas injection module 51 injects the source gas into the first gas injection space 510 with the process gas
  • the second gas injection module 52 injects the source gas into the second gas injection space 520, As shown in Fig. Accordingly, the substrate processing process using the source gas can be performed in the process chamber 2.
  • the second gas injection module 52 injects the reaction gas into the second gas injection space 520,
  • the reaction gas can be injected. Accordingly, in the process chamber 2, a substrate processing process using a reactive gas can be performed.
  • the second gas injection module 52 injects the purge gas into the second gas injection space 520, It is possible to inject the purge gas. Accordingly, a process of purging the process gas in the process chamber 2 can be performed.
  • the gas injection part 5 according to the modified embodiment of the present invention can be realized as a gas injection device according to a modified embodiment of the present invention.
  • the gas injection unit 5 according to the modified embodiment of the present invention can be applied to the substrate processing apparatus 1 according to the present invention and the substrate processing apparatus 1 according to the modified embodiment of the present invention have.
  • the substrate processing method according to the present invention is to process the substrate S by jetting a process gas into the process chamber 2.
  • the substrate processing method according to the present invention can be performed through the above-described substrate processing apparatus 1 according to the present invention.
  • the substrate processing method according to the present invention may include the following steps.
  • the source gas is sprayed.
  • This process may be performed by injecting the source gas into the first gas injection space 510 and the second gas injection space 520 by the gas injection unit 5.
  • the first gas injection module 51 injects the source gas into the first gas injection space 510 and the second gas injection module 52 injects the second gas And injecting the source gas into the injection space 520.
  • the step of injecting the source gas may be performed by activating and spraying the source gas using plasma.
  • the third gas injection module 53 stops injection of the reactive gas
  • the purge gas injection module 54 stops the injection of the purge gas .
  • a process of rotating the substrates S by the substrate supporting unit 3 may be performed in parallel.
  • the source gas is purged.
  • This process may be performed by injecting the purge gas into the purge gas injection space 540 and the second gas injection space 520 by the gas injection unit 5.
  • the purge gas injection module 54 injects purge gas into the purge gas injection space 540 and the second gas injection module 52 injects purge gas into the second gas injection space 540. [ (Not shown).
  • the first gas injection module 51 stops spraying the source gas
  • the third gas injection module 53 stops spraying the reaction gas can do.
  • a process of rotating the substrates S by the substrate supporting unit 3 may be performed in parallel.
  • the reaction gas is injected.
  • This process may be performed by injecting the reactive gas into the third gas injection space 530 and the second gas injection space 520 by the gas injection unit 5.
  • the third gas injection module 53 injects the reactive gas into the third gas injection space 530 and the second gas injection module 52 injects the second gas And injecting the reaction gas into the injection space 520.
  • the step of spraying the reaction gas may be performed by activating and spraying the reaction gas using plasma.
  • the first gas injection module 51 stops injecting the source gas
  • the purge gas injection module 54 stops injecting the purge gas . While the process of spraying the reaction gas is being performed, the process of rotating the substrates S by the substrate supporting unit 3 may be performed in parallel.
  • the reaction gas is purged.
  • This process may be performed by injecting the purge gas into the purge gas injection space 540 and the second gas injection space 520 by the gas injection unit 5.
  • the purge gas injection module 54 injects the purge gas into the purge gas injection space 540 and the second gas injection module 52 injects the purge gas into the second gas injection space 540. [ (Not shown).
  • the first gas injection module 51 stops spraying the source gas
  • the third gas injection module 53 stops spraying the reaction gas can do. While the process of purging the reaction gas is performed, the process of rotating the substrates S by the substrate supporting unit 3 may be performed in parallel.
  • a substrate processing method according to a modified embodiment of the present invention may include the following steps.
  • the substrate processing method according to the modified embodiment of the present invention can be performed through the substrate processing apparatus to which the gas spraying unit 5 according to the modified embodiment of the present invention is applied.
  • the hatching is a space in which the process gas and the purge gas are directly injected, and the portion where hatching is not indicated is a space in which the process gas and the purge gas are not directly injected.
  • source gas is injected into the first gas injection space 510 and the second gas injection space 520 as shown in FIG.
  • the first gas injection module 51 injects the source gas into the first gas injection space 510
  • the second gas injection module 52 injects the source gas into the second gas injection space 520
  • the substrate processing process using the source gas can be performed in the process chamber 2.
  • the substrate support part 2 may rotate the substrates S along the rotation path.
  • purge gas is injected into the first gas injection space 510 and the second gas injection space 520 as shown in FIG.
  • the first gas injection module 51 injects the purge gas into the first gas injection space 510
  • the second gas injection module 52 injects the purge gas into the second gas injection space 520
  • a process of purging the source gas in the process chamber 2 can be performed. While the process of injecting the purge gas into the first gas injection space and the second gas injection space is performed, the substrate supporting part 2 may rotate the substrates S along the rotation path.
  • the reactive gas is injected into the first gas injection space 510 and the second gas injection space 520.
  • the first gas injection module 51 injects the reactive gas into the first gas injection space 510
  • the second gas injection module 52 injects the reactive gas into the second gas injection space 520 And spraying the reaction gas.
  • a substrate processing process using a reactive gas can be performed.
  • the substrate supporting part 2 may rotate the substrates S along the rotation path while the reactive gas is injected into the first gas injection space and the second gas injection space.
  • the substrate processing method according to the modified embodiment of the present invention can perform the processing process on the substrate S.
  • the substrate processing method according to the modified embodiment of the present invention may further include a step of injecting a reactive gas into the first gas injection space 510 and the second gas injection space 520, And a step of injecting purge gas into the gas injection space.
  • the step of injecting the reactive gas into the first gas injection space and the second gas injection space is performed after the step of injecting the reactive gas into the first gas injection space and the second gas injection space is completed.
  • the injection module 51 injects the purge gas into the first gas injection space 510 and the second gas injection module 52 injects the purge gas into the second gas injection space 520 have. Accordingly, a process of purging the reaction gas in the process chamber 2 can be performed. While the process of injecting the purge gas into the first gas injection space and the second gas injection space is performed, the substrate supporting part 2 may rotate the substrates S along the rotation path.
  • a substrate processing method may include the following steps.
  • hatched portions are spaces in which the process gas and purge gas are directly injected, and portions where hatching is not indicated are spaces in which the process gas and purge gas are not directly injected.
  • the source gas is injected into the first gas injection space 510 as shown in FIG.
  • This process may be performed by injecting the source gas into the first gas injection space 510 by the first gas injection module 51.
  • the substrate S disposed in the first gas injection space 510 in the process chamber 2 may be subjected to a substrate processing process using a source gas. While the process of injecting the source gas into the first gas injection space is performed, the substrate support 2 may rotate the substrates S along the rotation path.
  • purge gas is injected into the second gas injection space 520 as shown in FIG.
  • This process may be performed by injecting the purge gas into the second gas injection space 520 by the second gas injection module 52. Accordingly, in the process chamber 2, the first gas injection space 510 and the third gas injection space 530 can be spatially separated by the purge gas. While the process of injecting the purge gas into the second gas injection space is performed, the substrate support 2 may rotate the substrates S along the rotation path.
  • the reactive gas is injected into the third gas injection space 530.
  • This process may be performed by injecting the reactive gas into the third gas injection space 530 by the third gas injection module 53.
  • the substrate S disposed in the third gas injection space 530 in the process chamber 2 may be subjected to a substrate processing process using a reactive gas. While the process of injecting the reactive gas into the third gas injection space is performed, the substrate support 2 may rotate the substrates S along the rotation path.
  • the step of injecting the source gas into the first gas injection space, the step of injecting the purge gas into the second gas injection space, and the step of injecting the reaction gas into the third gas injection space may be performed simultaneously have. Accordingly, the substrates S are separated from the first gas injection space 510 by the purge gas while the first gas injection space 510 and the third gas injection space 530 are spatially divided. The processing process by the source gas can be performed and the processing process by the reactive gas can be performed while passing through the third gas injection space 530.
  • the substrate processing method according to another modified embodiment of the present invention can perform the processing process on the substrate S.
  • the substrate processing method according to another modified embodiment of the present invention may further include a step of injecting the purge gas into the purge gas injection space.
  • the step of injecting the purge gas into the purge gas space may be performed by injecting the purge gas into the purge gas injection spaces 540 and 540 'by the purge gas injection module 54.
  • a step of injecting a purge gas into the purge gas space, a step of injecting a source gas into the first gas injection space, a step of injecting a purge gas into the second gas injection space, and a step of injecting a reactive gas May be performed simultaneously.
  • the substrate S can be processed through the first gas injection space 510 while being processed by the source gas and can be processed by the reactive gas while passing through the third gas injection space 530.
  • a substrate processing method may include a time division processing and a space division processing.
  • the time-division treatment process is to treat the substrate in a time-division mode in which the process gas is changed and injected into the process chamber 2 over time.
  • the substrate processing process using the source gas, the process of purging the source gas, the substrate process using the reaction gas, and the process of purging the reaction gas are sequentially performed by the time- Lt; / RTI >
  • the space division processing step is to process the substrate in a space division mode in which different processing gases are injected into the processing chamber 2 by space.
  • the substrate processing process using the source gas and the substrate processing process using the reactive gas may be performed in a state where the space is partitioned by using the purge gas .
  • the substrate processing method according to still another modified embodiment of the present invention can be implemented to perform the time division processing and the space division processing using one substrate processing apparatus 1.
  • the substrate processing method according to still another modified embodiment of the present invention can perform the Pure ALD (Atomic Layer Deposition) process through the time division process, and at the same time, the productivity of the ALD process .
  • Pure ALD Atomic Layer Deposition
  • the substrate processing method according to still another modified embodiment of the present invention may further include an iterative processing step.
  • the repeating process is a process of alternately repeating the time division process and the space division process. Accordingly, the substrate processing method according to still another modified embodiment of the present invention can be implemented so as to alternately and repeatedly perform the time-division processing and the space division processing using one substrate processing apparatus 1.
  • time division processing may be implemented to include the following steps.
  • source gas is injected into the first gas injection space 510 and the second gas injection space 520 as shown in FIG.
  • the first gas injection module 51 injects the source gas into the first gas injection space 510
  • the second gas injection module 52 injects the source gas into the second gas injection space 520
  • the substrate processing process using the source gas can be performed in the process chamber 2.
  • the substrate support part 2 may rotate the substrates S along the rotation path.
  • purge gas is injected into the first gas injection space 510 and the second gas injection space 520 as shown in FIG.
  • the first gas injection module 51 injects the purge gas into the first gas injection space 510
  • the second gas injection module 52 injects the purge gas into the second gas injection space 520
  • a process of purging the source gas in the process chamber 2 can be performed. While the process of injecting the purge gas into the first gas injection space and the second gas injection space is performed, the substrate supporting part 2 may rotate the substrates S along the rotation path.
  • the reactive gas is injected into the first gas injection space 510 and the second gas injection space 520.
  • the first gas injection module 51 injects the reactive gas into the first gas injection space 510
  • the second gas injection module 52 injects the reactive gas into the second gas injection space 520 And spraying the reaction gas.
  • a substrate processing process using a reactive gas can be performed.
  • the substrate supporting part 2 may rotate the substrates S along the rotation path while the reactive gas is injected into the first gas injection space and the second gas injection space.
  • the time-division process may include injecting a reactive gas into the first gas injection space 510 and the second gas injection space 520, and then injecting a purge gas into the first gas injection space and the second gas injection space .
  • the step of injecting the reactive gas into the first gas injection space and the second gas injection space is performed after the step of injecting the reactive gas into the first gas injection space and the second gas injection space is completed.
  • the injection module 51 injects the purge gas into the first gas injection space 510 and the second gas injection module 52 injects the purge gas into the second gas injection space 520 have. Accordingly, a process of purging the reaction gas in the process chamber 2 can be performed. While the process of injecting the purge gas into the first gas injection space and the second gas injection space is performed, the substrate supporting part 2 may rotate the substrates S along the rotation path.
  • time division processing may be implemented to include the following steps.
  • the source gas is injected into the first gas injection space 510 and the second gas injection space 520 as shown in FIG.
  • the first gas injection module 51 injects the source gas into the first gas injection space 510
  • the second gas injection module 52 injects the source gas into the second gas injection space 520
  • the substrate support part 2 may rotate the substrates S along the rotation path.
  • the source gas is purged as shown in Fig.
  • This process may be performed by injecting the purge gas into the purge gas injection space 540 and the second gas injection space 520 by the gas injection unit 5.
  • the purge gas injection module 54 injects purge gas into the purge gas injection space 540 and the second gas injection module 52 injects purge gas into the second gas injection space 540. [ (Not shown). While the process of purging the source gas is being performed, the substrate support 2 may rotate the substrates S along a rotation path.
  • the reactive gas is injected into the third gas injection space 530 and the second gas injection space 520.
  • the third gas injection module 53 injects the reactive gas into the third gas injection space 530
  • the second gas injection module 52 injects the reactive gas into the second gas injection space 520.
  • the substrate supporting part 2 may rotate the substrates S along the rotation path.
  • the reaction gas is purged as shown in Fig.
  • This process may be performed by injecting the purge gas into the purge gas injection space 540 and the second gas injection space 520 by the gas injection unit 5.
  • the purge gas injection module 54 injects the purge gas into the purge gas injection space 540 and the second gas injection module 52 injects the purge gas into the second gas injection space 540. [ (Not shown). While the process of purging the reaction gas is being performed, the substrate support 2 may rotate the substrates S along a rotation path.
  • the spatial division process may be implemented to include the following processes.
  • the source gas is injected into the first gas injection space 510 as shown in FIG.
  • This process may be performed by injecting the source gas into the first gas injection space 510 by the first gas injection module 51.
  • the substrate S disposed in the first gas injection space 510 in the process chamber 2 may be subjected to a substrate processing process using a source gas. While the process of injecting the source gas into the first gas injection space is performed, the substrate support 2 may rotate the substrates S along the rotation path.
  • purge gas is injected into the second gas injection space 520 as shown in FIG.
  • This process may be performed by injecting the purge gas into the second gas injection space 520 by the second gas injection module 52. Accordingly, in the process chamber 2, the first gas injection space 510 and the third gas injection space 530 can be spatially separated by the purge gas. While the process of injecting the purge gas into the second gas injection space is performed, the substrate support 2 may rotate the substrates S along the rotation path.
  • the reactive gas is injected into the third gas injection space 530.
  • This process may be performed by injecting the reactive gas into the third gas injection space 530 by the third gas injection module 53.
  • the substrate S disposed in the third gas injection space 530 in the process chamber 2 may be subjected to a substrate processing process using a reactive gas. While the process of injecting the reactive gas into the third gas injection space is performed, the substrate support 2 may rotate the substrates S along the rotation path.
  • the step of injecting the source gas into the first gas injection space, the step of injecting the purge gas into the second gas injection space, and the step of injecting the reaction gas into the third gas injection space may be performed at the same time. Accordingly, the substrates S are separated from the first gas injection space 510 by the purge gas while the first gas injection space 510 and the third gas injection space 530 are spatially divided.
  • the processing process by the source gas can be performed and the processing process by the reactive gas can be performed while passing through the third gas injection space 530.
  • the space division processing process can perform the processing process on the substrate S.
  • the space division processing may further include a step of injecting purge gas into the purge gas injection space.
  • the step of injecting the purge gas into the purge gas space may be performed by injecting the purge gas into the purge gas injection spaces 540 and 540 'by the purge gas injection module 54.
  • a step of injecting a purge gas into the purge gas space, a step of injecting a source gas into the first gas injection space, a step of injecting a purge gas into the second gas injection space, and a step of injecting a reactive gas May be performed simultaneously.
  • the substrate S can be processed through the first gas injection space 510 while being processed by the source gas and can be processed by the reactive gas while passing through the third gas injection space 530.
  • the substrate processing method according to another modified embodiment of the present invention may include the following modified embodiments for the time division processing process.
  • the time-division processing process according to the first modified embodiment can be implemented to include the following process.
  • the hatched portion is a space in which the process gas is directly injected
  • the portion in which hatching is not displayed is a space in which the process gas is not directly injected.
  • the source gas is injected only into the first gas injection space 510.
  • This process may be performed by injecting the source gas into the first gas injection space 510 only by the first gas injection module 51.
  • a substrate processing process using the source gas injected from the first gas injection module 51 can be performed. While the process of injecting the source gas into only the first gas injection space is performed, the substrate support 2 may rotate the substrates S along the rotation path.
  • the second gas injection module 52, the third gas injection module 53, and the purge gas injection module 54 are operated to inject gas into the first gas injection space while the process of injecting the source gas into the first gas injection space is performed. Do not spray.
  • the source gas is purged.
  • This process can be performed by injecting the purge gas by the gas supply part 5.
  • the purging of the source gas may be performed by the purge gas injection module 54 injecting purge gas into the purge gas injection space 540.
  • the purge gas source gas may be supplied to at least one of the first gas injection space 510, the second gas injection space 520, the third gas injection space 530, and the purge gas injection space 540 Or by injecting purge gas.
  • the substrate support 2 may rotate the substrates S along a rotation path.
  • the reactive gas is injected only into the third gas injection space 530.
  • This process may be performed by injecting the reactive gas into the third gas injection space 530 only by the third gas injection module 53.
  • the substrate processing process using the reactive gas injected from the third gas injection module 53 can be performed.
  • the substrate supporting part 2 may rotate the substrates S along the rotation path.
  • the first gas injection module 51, the second gas injection module 52, and the purge gas injection module 54 may be configured to inject gas into the third gas injection space while the process of injecting the reactive gas into the third gas injection space is performed. Do not spray.
  • the reaction gas is purged.
  • This process can be performed by injecting the purge gas by the gas supply part 5.
  • the purge gas injection module 54 may purge the reactive gas by injecting purge gas into the purge gas injection space 540.
  • the purging of the reactive gas may be performed in at least one of the first gas injection space 510, the second gas injection space 520, the third gas injection space 530, and the purge gas injection space 540 Or by injecting purge gas.
  • the substrate support 2 may rotate the substrates S along a rotation path.
  • the time-division processing process according to the second modified embodiment can be implemented to include the following process.
  • hatched portions are spaces in which the process gas is directly injected, and portions in which hatching is not indicated are spaces in which the process gas is not directly injected.
  • the source gas is injected only into the second gas injection space 520.
  • This process may be performed only by the second gas injection module 52 by injecting the source gas into the second gas injection space 520.
  • the substrate processing process using the source gas injected from the second gas injection module 52 can be performed in the process chamber 2.
  • the substrate support 2 may rotate the substrates S along the rotation path.
  • the first gas injection module 51, the third gas injection module 53, and the purge gas injection module 54 are operated to inject gas into the second gas injection space while the process of injecting the source gas into the second gas injection space is performed. Do not spray.
  • the source gas is purged.
  • This process can be performed by injecting the purge gas by the gas supply part 5.
  • the purging of the source gas may be performed by the purge gas injection module 54 injecting purge gas into the purge gas injection space 540.
  • the purge gas source gas may be supplied to at least one of the first gas injection space 510, the second gas injection space 520, the third gas injection space 530, and the purge gas injection space 540 Or by injecting purge gas.
  • the substrate support 2 may rotate the substrates S along a rotation path.
  • the reactive gas is injected into only the second gas injection space 520.
  • This process may be performed only by the second gas injection module 52 by injecting the reactive gas into the second gas injection space 520.
  • the substrate processing process using the reactive gas injected from the second gas injection module 52 can be performed in the process chamber 2.
  • the substrate support 2 may rotate the substrates S along the rotation path while the process of spraying the reactive gas only to the second gas injection space is performed.
  • the first gas injection module 51, the third gas injection module 53, and the purge gas injection module 54 perform gas injection to the second gas injection space only during the process of injecting the reactive gas only into the second gas injection space. Do not spray.
  • the reaction gas is purged.
  • This process can be performed by injecting the purge gas by the gas supply part 5.
  • the purge gas injection module 54 may purge the reactive gas by injecting purge gas into the purge gas injection space 540.
  • the purging of the reactive gas may be performed in at least one of the first gas injection space 510, the second gas injection space 520, the third gas injection space 530, and the purge gas injection space 540 Or by injecting purge gas.
  • the substrate support 2 may rotate the substrates S along a rotation path.
  • the time-division processing process according to the third modified embodiment can be implemented to include the following process.
  • the hatched portion is a space in which the process gas is directly injected
  • the portion in which hatching is not displayed is a space in which the process gas is not directly injected.
  • the source gas is injected into both the first gas injection space 510, the second gas injection space 520, and the third gas injection space 530.
  • the first gas injection module 51, the second gas injection module 52, and the third gas injection module 53 are connected to the first gas injection space 510, The second gas injection space 520, and the third gas injection space 530, respectively.
  • the substrate using the source gas injected from the first gas injection module 51, the second gas injection module 52, and the third gas injection module 53 A treatment process can be performed. While the process of injecting the source gas into both the first gas injection space, the second gas injection space, and the third gas injection space is performed, the substrate support 2 supports the substrates S It is possible to rotate it.
  • the purge gas injection module 54 does not inject gas while the process of injecting the source gas into both the first gas injection space, the second gas injection space, and the third gas injection space is performed.
  • the source gas is purged.
  • This process can be performed by injecting the purge gas by the gas supply part 5.
  • the purging of the source gas may be performed by the purge gas injection module 54 injecting purge gas into the purge gas injection space 540.
  • the purge gas source gas may be supplied to at least one of the first gas injection space 510, the second gas injection space 520, the third gas injection space 530, and the purge gas injection space 540 Or by injecting purge gas.
  • the substrate support 2 may rotate the substrates S along a rotation path.
  • the reactive gas is injected into both the first gas injection space 510, the second gas injection space 520, and the third gas injection space 530.
  • the first gas injection module 51, the second gas injection module 52, and the third gas injection module 53 are connected to the first gas injection space 510, The second gas injection space 520, and the third gas injection space 530, respectively.
  • the substrate using the reactive gas injected from the first gas injection module 51, the second gas injection module 52, and the third gas injection module 53 A treatment process can be performed. While the process of injecting the reactive gas into both the first gas injection space, the second gas injection space, and the third gas injection space is performed, the substrate support 2 supports the substrates S It is possible to rotate it.
  • the purge gas injection module 54 does not inject gas while the process of injecting the reactive gas into both the first gas injection space, the second gas injection space, and the third gas injection space is performed.
  • the reaction gas is purged.
  • This process can be performed by injecting the purge gas by the gas supply part 5.
  • the purge gas injection module 54 may purge the reactive gas by injecting purge gas into the purge gas injection space 540.
  • the purging of the reactive gas may be performed in at least one of the first gas injection space 510, the second gas injection space 520, the third gas injection space 530, and the purge gas injection space 540 Or by injecting purge gas.
  • the substrate support 2 may rotate the substrates S along a rotation path.

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Abstract

본 발명은 제1가스분사공간에 처리가스를 분사하는 제1가스분사모듈; 및 상기 제1가스분사공간과 상이한 제2가스분사공간에 처리가스를 분사하는 제2가스분사모듈을 포함하는 기판처리장치의 가스분사장치, 기판처리장치, 및 기판처리방법에 관한 것이다.

Description

기판처리장치의 가스분사장치, 기판처리장치, 및 기판처리방법
본 발명은 기판 상에 박막을 증착하는 증착 공정 등과 같은 기판처리공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 상에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 하며, 이를 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각 공정 등의 반도체 제조 공정을 수행하게 된다.
도 1은 종래 기술에 따른 기판처리장치의 개념적인 측면도이다.
도 1을 참고하면, 종래 기술에 따른 기판처리장치(10)는 기판지지부(11) 및 가스분사부(12)를 포함한다.
상기 기판지지부(11)는 기판(S)을 지지하는 것이다. 상기 기판지지부(11)는 회전축(11a)을 중심으로 회전함으로써, 상기 기판(S)을 상기 회전축(11a)을 중심으로 회전시킨다.
상기 가스분사부(12)는 상기 기판지지부(11)를 향해 공정가스를 분사하는 것이다. 상기 가스분사부(12)는 상기 기판지지부(11)에 지지된 기판(S)을 향해 공정가스를 분사함으로써, 상기 기판(S)에 박막을 증착하는 처리공정을 수행한다.
여기서, 종래 기술에 따른 기판처리장치(10)는 상기 기판지지부(11)가 회전함에 따른 원심력이 상기 가스분사부(12)가 분사한 공정가스에 작용하게 된다. 이에 따라, 상기 기판(S)의 내측 쪽에는 박막이 상대적으로 얇게 증착되게 된다. 상기 기판(S)의 내측은, 상기 기판(S)에서 상기 기판지지부(3)의 회전축(3a)을 향하는 방향 쪽에 위치한 부분이다.
따라서, 종래 기술에 따른 기판처리장치(10)는 상기 기판(S)의 내측 쪽에 박막이 상대적으로 얇게 증착됨에 따라 상기 기판(S)에 증착된 박막의 균일성(Uniformity)이 저하됨으로써, 처리공정을 거친 기판의 품질이 저하되는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 기판의 내측 쪽에 박막이 상대적으로 얇게 증착되는 정도를 감소시킬 수 있는 기판처리장치의 가스분사장치, 기판처리장치, 및 기판처리방법을 제공하기 위한 것이다.
상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리 장치의 가스분사장치는 제1가스분사공간에 제1가스를 분사하는 제1가스분사모듈; 상기 제1가스분사공간과 상이한 제2가스분사공간에 처리가스를 분사하는 제2가스분사모듈; 및 상기 제1가스분사공간 및 상기 제2가스분사공간 각각과 상이한 제3가스분사공간에 제2가스를 분사하는 제3가스분사모듈을 포함할 수 있다. 상기 제2가스분사모듈은 상기 제1가스분사모듈이 상기 제1가스를 분사할 때 상기 제2가스분사공간에 상기 제1가스를 분사하고, 상기 제3가스분사모듈이 상기 제2가스를 분사할 때 상기 제2가스분사공간에 상기 제2가스를 분사할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리 장치의 가스분사장치는 제1가스분사공간에 처리가스를 분사하는 제1가스분사모듈; 및 상기 제1가스분사공간과 상이한 제2가스분사공간에 처리가스를 분사하는 제2가스분사모듈을 포함할 수 있다. 상기 제2가스분사모듈은 상기 제1가스분사모듈이 상기 제1가스분사공간에 처리가스를 분사할 때, 상기 제1가스분사모듈이 분사하는 처리가스와 동일한 처리가스를 상기 제2가스분사공간에 분사할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 공정챔버; 복수개의 기판을 지지하도록 상기 공정챔버 내에 설치되고, 회전축을 중심으로 회전하는 기판지지부; 상기 공정챔버의 상부를 덮는 챔버리드; 및 상기 챔버리드에 설치되어서 상기 기판지지부 쪽으로 처리가스를 분사하는 가스분사부를 포함할 수 있다. 상기 가스분사부는 상기 챔버리드에 설치되어서 소스가스를 분사하는 제1가스분사모듈, 상기 제1가스분사모듈로부터 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치된 제2가스분사모듈, 및 상기 제1가스분사모듈과 상기 제2가스분사모듈 각각으로부터 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치되어서 반응가스를 분사하는 제3가스분사모듈을 포함할 수 있다. 상기 제2가스분사모듈은 상기 제1가스분사모듈이 소스가스를 분사할 때 소스가스를 분사하고, 상기 제3가스분사모듈이 반응가스를 분사할 때 반응가스를 분사할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 공정챔버; 복수개의 기판을 지지하도록 상기 공정챔버 내에 설치되고, 회전축을 중심으로 회전하는 기판지지부; 상기 공정챔버의 상부를 덮는 챔버리드; 및 상기 챔버리드에 설치되어서 상기 기판지지부 쪽으로 처리가스를 분사하는 가스분사부를 포함할 수 있다. 상기 가스분사부는 상기 챔버리드에 설치되어서 처리가스를 분사하는 제1가스분사모듈, 및 상기 제1가스분사모듈로부터 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치되는 제2가스분사모듈을 포함할 수 있다. 상기 제2가스분사모듈은 상기 제1가스분사모듈이 처리가스를 분사할 때, 상기 제1가스분사모듈이 분사하는 처리가스와 동일한 처리가스를 분사할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리방법은 공정챔버 내에 처리가스를 분사하여 기판을 처리하는 방법으로, 상기 공정챔버의 제1가스분사공간과 상기 제1가스분사공간에 인접한 제2가스분사공간에 소스가스를 분사하는 단계; 상기 소스가스를 퍼지하는 단계; 상기 제1가스분사공간과 상이한 제3가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 반응가스를 분사하는 단계; 및 상기 반응가스를 퍼지하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리방법은 공정챔버 내에 처리가스를 분사하여 기판을 처리하는 방법으로, 상기 공정챔버의 제1가스분사공간과 상기 제1가스분사공간에 인접한 제2가스분사공간에 소스가스를 분사하는 단계; 상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 단계; 및 상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 반응가스를 분사하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리방법은 공정챔버 내에 처리가스를 분사하여 기판을 처리하는 방법으로, 공정챔버 내에 시간에 따라 처리가스를 변경하여 분사하는 시분할모드로 기판을 처리하는 시분할처리단계; 및 상기 공정챔버 내에 공간별로 상이한 처리가스를 분사하는 공간분할모드로 기판을 처리하는 공간분할처리단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.
본 발명은 기판에 증착된 박막의 균일성을 향상시킬 수 있도록 구현됨으로써, 처리공정을 거친 기판의 품질을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 기판에 대한 처리공정이 이루어지는 과정, 공정가스가 배기되는 과정 등에서 서로 다른 공정가스가 혼합됨에 따른 파티클 발생을 감소시킬 수 있으므로, 처리공정에 대한 안정성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 기판처리장치의 개념적인 측면도
도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치의 개략적인 분해 사시도
도 3은 본 발명에 따른 기판처리장치의 개념적인 사시도
도 4는 본 발명에 따른 기판처리장치의 개념적인 평면도
도 5는 본 발명에 따른 기판처리장치의 개념적인 측면도
도 6은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제2가스분사모듈의 개략적인 평면도
도 7 내지 도 9는 본 발명에 따른 기판처리장치의 동작을 설명하기 위한 개념적인 평면도
도 10 및 도 11은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1가스분사모듈을 도 2의 I-I 선을 기준으로 나타낸 개략적인 단면도
도 12 및 도 13은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제3가스분사모듈을 도 2의 Ⅱ-Ⅱ 선을 기준으로 나타낸 개략적인 단면도
도 14 내지 도 23은 본 발명에 따른 기판처리방법을 설명하기 위한 개략적인 공정도
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명에 따른 기판처리장치의 가스분사장치는 본 발명에 따른 기판처리장치에 포함될 수 있으므로, 본 발명에 따른 기판처리장치의 실시예를 설명하면서 함께 설명한다.
도 2를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 기판(S)에 대한 처리공정을 수행하는 것이다. 예컨대, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(S)에 박막을 증착하기 위한 증착공정을 수행할 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 공정챔버(2), 상기 공정챔버(2) 내에 설치되는 기판지지부(3), 상기 공정챔버(2)의 상부를 덮는 챔버리드(4), 및 상기 챔버리드(4)에 설치되어서 공정가스를 분사하는 가스분사부(5)를 포함한다.
도 2를 참고하면, 상기 공정챔버(2)는 상기 처리공정이 이루어지는 공정공간을 제공하는 것이다. 상기 공정챔버(2)에는 상기 기판지지부(3) 및 상기 챔버리드(5)가 설치될 수 있다. 상기 공정챔버(2)에는 상기 공정공간에 존재하는 가스 등을 배기시키기 위한 배기부가 설치될 수 있다.
도 2 및 도 3을 참고하면, 상기 기판지지부(3)는 복수개의 기판(S)을 지지하는 것이다. 상기 기판(S)들은 상기 공정챔버(2)의 외부에 설치된 로딩장치(미도시)에 의해 이송된 것이다. 상기 기판(S)들은 반도체 기판 또는 웨이퍼일 수 있다.
상기 기판지지부(3)는 상기 공정챔버(2)의 내부에 위치하도록 상기 공정챔버(2)에 설치될 수 있다. 상기 기판지지부(3)는 상기 공정챔버(2)에 회전 가능하게 설치될 수 있다. 상기 기판지지부(3)는 제1회전방향(R1 화살표 방향)으로 회전할 수 있다. 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)은 상기 기판지지부(3)의 회전축을 중심으로 시계방향 또는 반시계방향일 수 있다. 이 경우, 상기 기판(S)들은 상기 기판지지부(3)의 회전축을 중심으로 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 서로 동일한 각도로 이격되어 배치되도록 상기 기판지지부(3)에 지지될 수 있다.
도 2 및 도 3을 참고하면, 상기 챔버리드(4)는 상기 공정챔버(2)의 상부를 덮도록 상기 공정챔버(2)에 설치된다. 상기 챔버리드(4)는 상기 공정공간을 밀폐시킬 수 있다. 상기 챔버리드(4) 및 상기 공정챔버(2)는 도 2에 도시된 바와 같이 6각형 구조로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 원통형 구조, 타원형 구조, 다각형 구조 등으로 형성될 수도 있다.
도 2 내지 도 5를 참고하면, 상기 가스분사부(5)는 공정가스를 분사하는 것이다. 상기 가스분사부(5)는 본 발명에 따른 기판처리장치의 가스분사장치로 구현될 수 있다. 상기 가스분사부(5)는 상기 챔버리드(4)에 설치되어서 상기 기판지지부(3) 쪽으로 공정가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 가스분사부(5)는 상기 기판지지부(3)에 지지된 기판(S)을 향해 공정가스를 분사할 수 있다. 상기 가스분사부(5)는 상기 기판지지부(3)의 상측에 위치하도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다.
상기 가스분사부(5)는 제1가스분사모듈(51), 제2가스분사모듈(52), 및 제3가스분사모듈(53)을 포함할 수 있다. 이하에서는 상기 제1가스분사모듈(51), 상기 제3가스분사모듈(53), 및 상기 제2가스분사모듈(52) 순서로 설명한다. "제1", "제2", "제3" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.
상기 제1가스분사모듈(51)은 공정가스 중에서 제1가스를 분사하는 것이다. 상기 제1가스는 소스가스일 수 있다. 상기 제1가스분사모듈(51)은 상기 챔버리드(4)에 설치된다. 상기 챔버리드(4)에는 상기 제1가스분사모듈(51)이 설치되기 위한 제1설치공(41, 도 2에 도시됨)이 형성될 수 있다. 상기 제1가스분사모듈(51)은 상기 제1설치공(41)에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제1설치공(41)은 상기 챔버리드(4)를 관통하여 형성될 수 있다.
상기 제1가스분사모듈(51)은 상기 기판지지부(3)를 향해 상기 제1가스를 분사하도록 상기 챔버리드(4)에 설치된다. 상기 제1가스분사모듈(51)은 상기 기판지지부(3)의 상측에 위치하도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 기판지지부(3)가 상기 회전축을 중심으로 회전하면, 상기 기판지지부(3)에 지지된 기판(S)들은 상기 제1가스분사모듈(51)의 하측을 순차적으로 통과할 수 있다.
상기 제1가스분사모듈(51)은 제1가스분사공간(510)에 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 이 경우, 상기 기판지지부(3)에 지지된 기판(S)들은, 상기 기판지지부(3)가 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)으로 회전함에 따라 상기 제1가스분사공간(510)을 지날 수 있다. 이에 따라, 상기 제1가스분사모듈(51)은 상기 제1가스분사공간(510)에 위치한 기판(S)을 향해 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 상기 제1가스분사공간(510)은 상기 제1가스분사모듈(51) 및 상기 기판지지부(3)의 사이에 위치할 수 있다.
상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스분사공간(510)에 상기 제1가스를 분사하면, 상기 제1가스는 상기 제1가스분사공간(510)을 거쳐 상기 제1가스분사공간(510)의 외측으로 확산될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1가스분사모듈(51)이 분사한 제1가스로 인해, 상기 공정공간 전체가 상기 제1가스로 채워질 수 있다. 따라서, 상기 제1가스분사모듈(51)은 상기 제1가스분사공간(510)에 상기 제1가스를 분사함으로써, 상기 기판지지부(3)에 지지된 기판(S) 전체에 대해 상기 제1가스를 이용한 처리공정이 이루어지도록 구현될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1가스분사모듈(51)은 상기 제1가스분사공간(510)에 위치한 기판(S)에 대해 집중적으로 상기 제1가스를 이용한 처리공정을 수행함과 아울러 상기 제1가스분사공간(510)의 외측에 위치한 기판(S)들에 대해서도 상기 제1가스를 이용한 처리공정을 수행하도록 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1가스를 이용한 처리공정에 걸리는 시간을 단축할 수 있다.
상기 제1가스분사모듈(51)은 가스공급부(100, 도 5에 도시됨)에 연결될 수 있다. 상기 가스공급부(100)는 상기 가스분사부(5)에 상기 공정가스를 공급하는 것이다. 상기 가스공급부(100)는 상기 제1가스를 공급하는 제1가스공급원(110, 도 5에 도시됨)을 포함할 수 있다. 상기 제1가스분사모듈(51)은 상기 제1가스공급원(110)으로부터 상기 제1가스를 공급받고, 공급된 제1가스를 상기 제1가스분사공간(510)에 공급할 수 있다. 상기 제1가스분사모듈(51)은 배관, 튜브 등을 통해 상기 제1가스공급원(110)에 연결될 수 있다.
상기 제3가스분사모듈(53)은 공정가스 중에서 제2가스를 분사하는 것이다. 상기 제2가스는 상기 제1가스와 상이한 종류의 공정가스로, 반응가스일 수 있다. 상기 제3가스분사모듈(53)은 상기 챔버리드(4)에 설치된다. 상기 제3가스분사모듈(53)은 상기 제1가스분사모듈(51)로부터 이격된 위치에서 상기 챔버리드(4)에 설치된다. 상기 챔버리드(4)에는 상기 제3가스분사모듈(53)이 설치되기 위한 제3설치공(43, 도 2에 도시됨)이 형성될 수 있다. 상기 제3가스분사모듈(53)은 상기 제3설치공(43)에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제3설치공(43)은 상기 챔버리드(4)를 관통하여 형성될 수 있다.
상기 제3가스분사모듈(53)은 상기 기판지지부(3)를 향해 상기 제2가스를 분사하도록 상기 챔버리드(4)에 설치된다. 상기 제3가스분사모듈(53)은 상기 기판지지부(3)의 상측에 위치하도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 기판지지부(3)가 상기 회전축을 중심으로 회전하면, 상기 기판지지부(3)에 지지된 기판(S)들은 상기 제3가스분사모듈(53)의 하측 및 상기 제1가스분사모듈(51)의 하측을 순차적으로 통과할 수 있다.
상기 제3가스분사모듈(53)은 제3가스분사공간(530)에 상기 제2가스를 분사할 수 있다. 상기 제3가스분사공간(530) 및 상기 제1가스분사공간(510)은 서로 상이한 공간이다. 상기 제3가스분사공간(530) 및 상기 제1가스분사공간(510)은 상기 제3가스분사모듈(53) 및 상기 제1가스분사모듈(51)이 서로 이격된 거리에 해당하는 만큼 서로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 기판지지부(3)에 지지된 기판(S)들은, 상기 기판지지부(3)가 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)으로 회전함에 따라 상기 제3가스분사공간(530)을 지날 수 있다. 이에 따라, 상기 제3가스분사모듈(53)은 상기 제3가스분사공간(530)에 위치한 기판(S)을 향해 상기 제2가스를 분사할 수 있다. 상기 제3가스분사공간(530)은 상기 제3가스분사모듈(53) 및 상기 기판지지부(3)의 사이에 위치할 수 있다.
상기 제3가스분사모듈(53)이 상기 제3가스분사공간(530)에 상기 제2가스를 분사하면, 상기 제2가스는 상기 제3가스분사공간(530)을 거쳐 상기 제3가스분사공간(530)의 외측으로 확산될 수 있다. 이에 따라, 상기 제3가스분사모듈(53)이 분사한 제2가스로 인해, 상기 공정공간 전체가 상기 제2가스로 채워질 수 있다. 따라서, 상기 제3가스분사모듈(53)은 상기 제3가스분사공간(530)에 상기 제2가스를 분사함으로써, 상기 기판지지부(3)에 지지된 기판(S) 전체에 대해 상기 제2가스를 이용한 처리공정이 이루어지도록 구현될 수 있다. 이에 따라, 상기 제3가스분사모듈(53)은 상기 제3가스분사공간(530)에 위치한 기판(S)에 대해 집중적으로 상기 제2가스를 이용한 처리공정을 수행함과 아울러 상기 제3가스분사공간(530)의 외측에 위치한 기판(S)들에 대해서도 상기 제2가스를 이용한 처리공정을 수행하도록 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2가스를 이용한 처리공정에 걸리는 시간을 단축할 수 있다.
상기 제3가스분사모듈(53)이 상기 제2가스를 분사할 때, 상기 제1가스분사모듈(51)은 상기 제1가스에 대한 분사를 중지할 수 있다. 상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스를 분사할 때, 상기 제3가스분사모듈(53)은 상기 제2가스에 대한 분사를 중지할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 처리공정이 이루어지는 과정, 상기 공정가스가 배기되는 과정 등에서 상기 제1가스 및 상기 제2가스가 서로 혼합됨에 따른 파티클 발생을 감소시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1가스 및 상기 제2가스가 서로 혼합됨에 따라 처리공정을 거친 기판(S)의 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제3가스분사모듈(53)은 상기 가스공급부(100)에 연결될 수 있다. 상기 가스공급부(100)는 상기 제2가스를 공급하는 제2가스공급원(120, 도 5에 도시됨)을 포함할 수 있다. 상기 제3가스분사모듈(53)은 상기 제2가스공급원(120)으로부터 상기 제2가스를 공급받고, 공급된 제2가스를 상기 제3가스분사공간(530)에 공급할 수 있다. 상기 제3가스분사모듈(53)은 배관, 튜브 등을 통해 상기 제2가스공급원(120)에 연결될 수 있다.
상기 제2가스분사모듈(52)은 공정가스를 분사하는 것이다. 상기 가스분사부(5)가 상기 제1가스분사모듈(51) 및 상기 제3가스분사모듈(53)을 포함하는 경우, 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제1가스 및 상기 제2가스 중에서 어느 하나를 선택적으로 분사할 수 있다. 상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스를 분사할 때, 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 공정공간에서 상기 제1가스가 분사되는 면적을 늘림으로써, 상기 제1가스를 이용한 처리공정의 처리효율을 높일 수 있다. 상기 제3가스분사모듈(53)이 상기 제2가스를 분사할 때, 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제2가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 공정공간에서 상기 제2가스가 분사되는 면적을 늘림으로써, 상기 제2가스를 이용한 처리공정의 처리효율을 높일 수 있다.
상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 챔버리드(4)에 설치된다. 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제1가스분사모듈(51) 및 상기 제3가스분사모듈(53) 각각으로부터 이격된 위치에서 상기 챔버리드(4)에 설치된다. 상기 챔버리드(4)에는 상기 제2가스분사모듈(52)이 설치되기 위한 제2설치공(42, 도 2에 도시됨)이 형성될 수 있다. 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제2설치공(42)에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제2설치공(42)은 상기 챔버리드(4)를 관통하여 형성될 수 있다.
상기 제2가스분사모듈(52)은 제2가스분사공간(520)에 상기 공정가스를 분사할 수 있다. 상기 제2가스분사공간(520)은 상기 제1가스분사공간(510) 및 상기 제3가스분사공간(530) 각각에 대해 상이한 공간이다. 상기 제2가스분사공간(520)은 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제1가스분사모듈(51) 및 상기 제3가스분사모듈(53) 각각으로부터 이격된 거리에 해당하는 만큼 상기 제1가스분사공간(510) 및 상기 제3가스분사공간(530)으로부터 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 제2가스분사공간(520)은 상기 제1가스분사공간(510)에 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제2가스분사공간(520)은 상기 제3가스분사공간(530)에 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제3가스분사공간(530)은 상기 제1가스분사공간(510)과 상기 제2가스분사공간(520) 각각에 대해 상이한 공간일 수 있다. 상기 제2가스분사공간(520)은 상기 제1가스분사공간(510)과 상기 제3가스분사공간(530)의 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 기판지지부(3)를 향해 상기 공정가스를 분사하도록 상기 챔버리드(4)에 설치된다. 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 기판지지부(3)의 상측에 위치하도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제2가스분사공간(520)은 상기 제2가스분사모듈(52) 및 상기 기판지지부(3)의 사이에 위치하도록 배치될 수 있다.
상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 기판(S)들의 회전경로에 대해 중첩(重疊)되지 않도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 기판(S)들의 회전경로는, 상기 기판지지부(3)가 상기 회전축을 중심으로 회전함에 따라 상기 기판(S)들이 이동하는 경로를 의미한다. 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 기판(S)들의 회전경로에 대해 중첩되지 않게 배치되므로, 상기 기판(S)들은 상기 회전경로를 따라 이동하면서 상기 제2가스분사모듈(52)의 하측을 통과하지 않게 된다. 이 경우, 상기 제1가스분사모듈(51) 및 상기 제3가스분사모듈(53)은, 상기 기판(S)들의 회전경로에 대해 중첩되도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(S)들은 상기 회전경로를 따라 이동하면서 상기 제1가스분사모듈(51)의 하측 및 상기 제3가스분사모듈(53)의 하측을 순차적으로 통과하게 된다.
상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 기판(S)들이 놓이지 않는 상기 기판지지부(3)의 중앙 부분으로부터 상측으로 이격된 위치에 배치되도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 이 경우, 상기 제1가스분사모듈(51) 및 상기 제3가스분사모듈(53)은, 상기 기판지지부(3)의 중앙 부분에 대한 외측 부분으로부터 상측으로 이격된 위치에 배치되도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다.
상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 기판지지부(3)의 회전축으로부터 상측으로 이격된 위치에 배치되도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제2가스분사공간(520)은 상기 제2가스분사모듈(52) 및 상기 기판지지부(3)의 회전축 사이에 위치하도록 배치될 수 있다. 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 상기 공정가스를 분사하면, 상기 공정가스는 상기 제2가스분사공간(520)을 거쳐 상기 제2가스분사공간(520)의 외측으로 확산될 수 있다.
상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 상기 제1가스를 분사하면, 상기 제1가스는 상기 제1가스분사공간(510)으로 확산될 수 있다. 이 경우, 상기 제2가스분사모듈(52)이 분사한 제1가스는, 상기 제1가스분사공간(510)에 위치한 기판(S)의 내측 쪽으로 공급될 수 있다. 상기 기판(S)의 내측은, 상기 기판(S)에서 상기 기판지지부(3)의 회전축을 향하는 방향 쪽에 위치한 부분이다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1가스분사모듈(51)만을 이용하여 상기 제1가스분사공간(510)에 상기 제1가스를 분사하는 비교예와 대비할 때, 상기 기판(S)의 내측 쪽으로 공급되는 제1가스의 유량을 증대시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(S)의 내측 쪽에 박막이 상대적으로 얇게 증착되는 비교예와 대비할 때, 상기 기판(S)의 내측 쪽에 증착되는 박막의 두께를 증대시킬 수 있으므로 상기 기판(S)에 증착된 박막의 균일성(Uniformity)을 향상시킬 수 있다.
상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 상기 제2가스를 분사하면, 상기 제2가스는 상기 제3가스분사공간(530)으로 확산될 수 있다. 이 경우, 상기 제2가스분사모듈(52)이 분사한 제2가스는, 상기 제3가스분사공간(530)에 위치한 기판(S)의 내측 쪽으로 공급될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제3가스분사모듈(53)만을 이용하여 상기 제3가스분사공간(530)에 상기 제2가스를 분사하는 비교예와 대비할 때, 상기 기판(S)의 내측 쪽으로 공급되는 제2가스의 유량을 증대시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(S)의 내측 쪽에 박막이 상대적으로 얇게 증착되는 비교예와 대비할 때, 상기 기판(S)의 내측 쪽에 증착되는 박막의 두께를 증대시킬 수 있으므로 상기 기판(S)에 증착된 박막의 균일성을 향상시킬 수 있다.
상기 제2가스분사모듈(52)이 분사한 공정가스는 상기 제1가스분사공간(510) 및 상기 제3가스분사공간(530)을 포함한 공정공간 전체로 확산될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 공정공간 전체가 상기 공정가스로 채워지도록 보조할 수 있다. 따라서, 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제2가스분사공간(520)에 상기 공정가스를 분사함으로써, 상기 기판지지부(3)에 지지된 기판(S) 전체에 대해 상기 공정가스를 이용한 처리공정이 이루어지도록 구현될 수 있다.
상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스를 분사할 때, 상기 제2가스에 대한 분사를 중지하고 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제3가스분사모듈(53)이 상기 제2가스를 분사할 때, 상기 제1가스에 대한 분사를 중지하고 상기 제2가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 처리공정이 이루어지는 과정, 상기 공정가스가 배기되는 과정 등에서 상기 제1가스 및 상기 제2가스가 서로 혼합됨에 따른 파티클 발생을 감소시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1가스 및 상기 제2가스가 서로 혼합됨에 따라 처리공정을 거친 기판(S)의 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 가스공급부(100)에 연결될 수 있다. 상기 가스공급부(100)는 상기 제1가스공급원(110) 및 상기 제2가스공급원(120) 각각에 연결될 수 있다. 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제1가스공급원(110)으로부터 상기 제1가스를 공급받고, 공급된 제1가스를 상기 제2가스분사공간(520)에 공급할 수 있다. 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제2가스공급원(120)으로부터 상기 제2가스를 공급받고, 공급된 제2가스를 상기 제2가스분사공간(520)에 공급할 수 있다. 상기 제2가스분사모듈(52)은 배관, 튜브 등을 통해 상기 제1가스공급원(110) 및 상기 제2가스공급원(120) 각각에 연결될 수 있다.
상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제1가스분사모듈(51) 및 상기 제3가스분사모듈(53)의 사이에 배치되도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 이 경우, 상기 제1가스분사모듈(51)은 상기 제2가스분사모듈(52)로부터 일측으로 이격된 위치에 배치되도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제3가스분사모듈(53)은 상기 제2가스분사모듈(52)로부터 타측으로 이격된 위치에 배치되도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2가스분사모듈(52)이 분사한 공정가스가 상기 제1가스분사공간(510) 및 상기 제3가스분사공간(530) 각각으로 공급되도록 구현될 수 있다. 상기 제2가스분사모듈(52), 상기 제1가스분사모듈(51), 및 상기 제3가스분사모듈(53)은 동일선 상에 배치되도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다.
상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제1가스분사공간(510)에 위치한 기판(S) 및 상기 제3가스분사공간(530)에 위치한 기판(S) 각각으로부터 이격된 위치에 배치되도록 상기 챔버리드(4)에 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제1가스분사공간(510)에 위치한 기판(S) 및 상기 제3가스분사공간(530)에 위치한 기판(S) 각각에 직접적으로 공정가스를 분사하지 않도록 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1가스분사공간(510)에 위치한 기판(S)의 내측 및 상기 제3가스분사공간(530)에 위치한 기판(S)의 내측 각각에 박막이 과다한 두께로 증착되는 것을 방지함으로써, 상기 기판(S)에 증착된 박막의 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 2 내지 도 6을 참고하면, 상기 제2가스분사모듈(52)은 제1가스분사부재(521, 도 6에 도시됨) 및 제2가스분사부재(522, 도 6에 도시됨)를 포함할 수 있다.
상기 제1가스분사부재(521)는 상기 제1가스를 분사하기 위한 것이다. 상기 제1가스분사부재(521)는 상기 제1가스공급원(110)에 연결될 수 있다. 상기 제1가스분사부재(521)는 상기 제1가스공급원(110)으로부터 상기 제1가스를 공급받고, 공급된 제1가스를 상기 제2가스분사공간(520)으로 분사할 수 있다. 상기 제1가스분사부재(521)에는 복수개의 제1가스분사공(521a, 도 6에 도시됨)이 형성될 수 있다. 상기 제1가스분사부재(521)는 상기 제1가스분사공(521a)들을 이용하여 상기 제2가스분사공간(520)에 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 상기 제1가스분사공(521a)들은 서로 동일한 간격으로 이격되도록 배치될 수 있다. 도 6에는 상기 제1가스분사부재(521)에 6개의 제1가스분사공(521a)이 형성된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제1가스분사부재(521)에는 2개 내지 5개 또는 7개 이상의 제1가스분사공(521a)이 형성될 수도 있다. 상기 제1가스분사부재(521)는 원반 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제2가스분사공간(520)에 상기 제1가스를 분사할 수 있는 형태이면 사각판형 등 다른 형태로 형성될 수도 있다.
상기 제2가스분사부재(522)는 상기 제2가스를 분사하기 위한 것이다. 상기 제2가스분사부재(522)는 상기 제2가스공급원(120)에 연결될 수 있다. 상기 제2가스분사부재(522)는 상기 제2가스공급원(120)으로부터 상기 제2가스를 공급받고, 공급된 제2가스를 상기 제2가스분사공간(520)으로 분사할 수 있다. 상기 제2가스분사부재(522)에는 복수개의 제2가스분사공(522a, 도 6에 도시됨)이 형성될 수 있다. 상기 제2가스분사부재(522)는 상기 제2가스분사공(522a)들을 이용하여 상기 제2가스분사공간(520)에 상기 제2가스를 분사할 수 있다. 상기 제2가스분사공(522a)들은 서로 동일한 간격으로 이격되도록 배치될 수 있다. 도 6에는 상기 제2가스분사부재(522)에 6개의 제2가스분사공(522a)이 형성된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제2가스분사부재(522)에는 2개 내지 5개 또는 7개 이상의 제2가스분사공(522a)이 형성될 수도 있다. 상기 제2가스분사부재(522)는 원반 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제2가스분사공간(520)에 상기 제2가스를 분사할 수 있는 형태이면 사각판형 등 다른 형태로 형성될 수도 있다.
상기 제2가스분사부재(522) 및 상기 제1가스분사부재(521)는 상기 제2가스분사공간(520) 내에서 서로 다른 공간에 상기 공정가스를 분사하도록 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 제1가스분사부재(521)는 상기 제2가스분사부재(522)의 내측에 위치하도록 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 제2가스분사부재(522)가 상기 제1가스분사부재(521)의 내측에 위치하도록 배치될 수도 있다.
상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제2가스분사부재(522) 및 상기 제1가스분사부재(521)를 통해 상기 제2가스분사공간(520)에 상기 제2가스 및 상기 제1가스를 선택적으로 분사할 수 있다. 상기 제1가스분사모듈(51) 및 상기 제1가스분사부재(521)가 각각 상기 제1가스를 분사하는 경우, 상기 제2가스분사부재(522)는 상기 제2가스에 대한 분사를 중지할 수 있다. 상기 제3가스분사모듈(53) 및 상기 제2가스분사부재(522)가 각각 상기 제2가스를 분사하는 경우, 상기 제1가스분사부재(521)는 상기 제1가스에 대한 분사를 중지할 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2가스분사모듈(52) 내에서도 상기 제1가스 및 상기 제2가스가 서로 혼합되지 않도록 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 처리공정이 이루어지는 과정, 상기 공정가스가 배기되는 과정 등에서 상기 제1가스 및 상기 제2가스가 서로 혼합됨에 따른 파티블 발생을 감소시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1가스 및 상기 제2가스가 서로 혼합됨에 따라 처리공정을 거친 기판(S)의 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제2가스분사부재(522) 및 상기 제1가스분사부재(521)는 상기 제1가스분사모듈(51) 및 상기 제3가스분사모듈(53) 각각의 가스 분사 여부에 따라 공정가스를 선택적으로 공급할 수 있다. 상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스를 분사하는 경우, 상기 제1가스분사부재(521)는 상기 제1가스를 분사함과 아울러 상기 제2가스분사부재(522)는 상기 제2가스에 대한 분사를 중지할 수 있다. 상기 제3가스분사모듈(53)이 상기 제2가스를 분사하는 경우, 상기 제2가스분사부재(522)는 상기 제2가스를 분사함과 아울러 상기 제1가스분사부재(521)는 상기 제1가스에 대한 분사를 중지할 수 있다. 상기 제2가스분사모듈(52)은 밸브(Valve) 등을 포함하여 상기 제1가스분사부재(521) 및 상기 제2가스분사부재(522) 각각에 연결된 유로를 선택적으로 개폐함으로써, 상기 제1가스분사부재(521) 및 상기 제2가스분사부재(522) 각각이 공정가스를 선택적으로 분사하도록 구현될 수 있다.
도 2 내지 도 8을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 다음과 같이 동작하여 상기 처리공정을 수행할 수 있다. 도 7 및 도 8에서 해칭이 표시된 부분은 직접적으로 공정가스가 분사되는 공간이고, 해칭이 표시되지 않은 부분은 직접적으로 공정가스가 분사되지 않는 공간이다. 도 7 및 도 8에는 상기 기판지지부(3)에 4개의 기판(S)이 지지된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 기판지지부(3)에는 2개, 3개, 또는 5개 이상의 기판(S)이 지지될 수도 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제1가스분사공간(510)에 상기 제1가스가 분사되는 경우, 상기 제2가스분사공간(520)에도 상기 제1가스가 분사될 수 있다. 이 경우, 상기 제3가스분사공간(530)에는 상기 제2가스가 분사되지 않는다. 상기 제1가스분사공간(510) 및 상기 제2가스분사공간(520)에 분사된 제1가스는, 상기 제1가스분사공간(510)에 위치한 기판(S) 쪽에 더 많이 분포되나, 상기 제3가스분사공간(530)을 포함한 공정공간 전체로도 확산될 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제3가스분사공간(530)에 상기 제2가스가 분사되는 경우, 상기 제2가스분사공간(520)에도 상기 제2가스가 분사될 수 있다. 이 경우, 상기 제1가스분사공간(510)에는 상기 제1가스가 분사되지 않는다. 상기 제3가스분사공간(530) 및 상기 제2가스분사공간(520)에 분사된 제2가스는, 상기 제3가스분사공간(530)에 위치한 기판(S) 쪽에 더 많이 분포되나, 상기 제1가스분사공간(510)을 포함한 공정공간 전체로도 확산될 수 있다.
도 2 내지 도 5를 참고하면, 상기 가스분사부(5)는 퍼지가스분사모듈(54)을 포함할 수 있다.
상기 퍼지가스분사모듈(54)은 퍼지가스를 분사하는 것이다. 상기 퍼지가스는 상기 공정공간에 위치한 공정가스를 퍼지(Purge)하기 위한 것이다. 상기 공정공간에 위치한 공정가스는, 상기 퍼지가스분사모듈(54)이 분사한 퍼지가스로 인해 상기 공정챔버(2)로부터 배기될 수 있다. 상기 퍼지가스분사모듈(54)은 상기 챔버리드(4)에 설치된다. 상기 퍼지가스분사모듈(54)은 상기 제1가스분사모듈(51), 상기 제3가스분사모듈(53), 및 상기 제2가스분사모듈(52) 각각으로부터 이격된 위치에서 상기 챔버리드(4)에 설치된다. 상기 챔버리드(4)에는 상기 퍼지가스분사모듈(54)이 설치되기 위한 제4설치공(44, 도 2에 도시됨)이 형성될 수 있다. 상기 퍼지가스분사모듈(54)은 상기 제4설치공(44)에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제4설치공(44)은 상기 챔버리드(4)를 관통하여 형성될 수 있다.
상기 퍼지가스분사모듈(54)은 상기 기판지지부(3)를 향해 상기 퍼지가스를 분사하도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 퍼지가스분사모듈(54)은 상기 기판지지부(3)의 상측에 위치하도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 기판지지부(3)가 상기 회전축을 중심으로 회전하면, 상기 기판지지부(3)에 지지된 기판(S)들은 상기 퍼지가스분사모듈(54)의 하측, 상기 제1가스분사모듈(51)의 하측, 및 상기 제3가스분사모듈(51)의 하측을 순차적으로 통과할 수 있다.
상기 퍼지가스분사모듈(54)은 퍼지가스분사공간(540)에 상기 퍼지가스를 분사할 수 있다. 상기 퍼지가스분사공간(540), 상기 제2가스분사공간(520), 상기 제3가스분사공간(530), 및 상기 제1가스분사공간(510)은 서로 상이한 공간이다. 상기 퍼지가스분사공간(540), 상기 제2가스분사공간(520), 상기 제3가스분사공간(530), 및 상기 제1가스분사공간(510)은 상기 퍼지가스분사모듈(54), 상기 제2가스분사모듈(52), 상기 제3가스분사모듈(53), 및 상기 제1가스분사모듈(51)이 서로 이격된 거리에 해당하는 만큼 서로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 기판지지부(3)에 지지된 기판(S)들은, 상기 기판지지부(3)가 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)으로 회전함에 따라 상기 퍼지가스분사공간(540)을 지날 수 있다. 이에 따라, 상기 퍼지가스분사모듈(54)은 상기 퍼지가스분사공간(540)에 위치한 기판(S)을 향해 상기 퍼지가스를 분사할 수 있다. 상기 퍼지가스분사공간(540)은 상기 퍼지가스분사모듈(54) 및 상기 기판지지부(3)의 사이에 위치할 수 있다.
상기 퍼지가스분사모듈(54)이 상기 퍼지가스분사공간(540)에 상기 퍼지가스를 분사하면, 상기 퍼지가스는 상기 퍼지가스분사공간(540)을 거쳐 상기 퍼지가스분사공간(540)의 외측으로 확산될 수 있다. 이에 따라, 상기 퍼지가스분사모듈(54)이 분사한 퍼지가스로 인해, 상기 공정공간 전체가 상기 퍼지가스로 채워질 수 있다. 따라서, 상기 퍼지가스분사모듈(54)은 상기 퍼지가스분사공간(540)에 상기 퍼지가스를 분사함으로써, 상기 기판지지부(3)에 지지된 기판(S) 전체에 대해 상기 퍼지가스를 이용한 배기공정이 이루어지도록 구현될 수 있다.
상기 퍼지가스분사모듈(54)이 상기 퍼지가스를 분사할 때, 상기 제1가스분사모듈(51) 및 상기 제3가스분사모듈(53)은 각각 공정가스에 대한 분사를 중지할 수 있다. 상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스를 분사할 때, 상기 퍼지가스분사모듈(54)은 상기 퍼지가스에 대한 분사를 중지할 수 있다. 상기 제3가스분사모듈(53)이 상기 제2가스를 분사할 때, 상기 퍼지가스분사모듈(54)은 상기 퍼지가스에 대한 분사를 중지할 수 있다.
상기 퍼지가스분사모듈(54)은 상기 가스공급부(100)에 연결될 수 있다. 상기 가스공급부(100)는 상기 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스공급원(130, 도 5에 도시됨)을 포함할 수 있다. 상기 퍼지가스분사모듈(54)은 상기 퍼지가스공급원(130)으로부터 상기 퍼지가스를 공급받고, 공급된 퍼지가스를 상기 퍼지가스분사공간(540)에 공급할 수 있다. 상기 퍼지가스분사모듈(54)은 배관, 튜브 등을 통해 상기 퍼지가스공급원(130)에 연결될 수 있다.
상기 퍼지가스분사모듈(54)이 구비되는 경우, 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 퍼지가스분사모듈(54)이 상기 퍼지가스를 분사할 때 퍼지가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 공정공간에서 상기 퍼지가스가 분사되는 면적을 늘림으로써, 상기 퍼지가스를 이용한 배기공정의 처리효율을 높일 수 있다.
상기 퍼지가스분사모듈(54)이 구비되는 경우, 상기 제2가스분사모듈(52)은 퍼지가스분사부재(523, 도 6에 도시됨)를 포함할 수 있다.
상기 퍼지가스분사부재(523)는 상기 퍼지가스를 분사하기 위한 것이다. 상기 퍼지가스분사부재(523)는 상기 퍼지가스공급원(130)에 연결될 수 있다. 상기 퍼지가스분사부재(523)는 상기 퍼지가스공급원(130)으로부터 상기 퍼지가스를 공급받고, 공급된 퍼지가스를 상기 제2가스분사공간(520)으로 분사할 수 있다. 상기 퍼지가스분사부재(523)에는 복수개의 퍼지가스분사공(523a, 도 6에 도시됨)이 형성될 수 있다. 상기 퍼지가스분사부재(523)는 상기 퍼지가스분사공(523a)들을 이용하여 상기 제2가스분사공간(520)에 상기 퍼지가스를 분사할 수 있다. 상기 퍼지가스분사공(523a)들은 서로 동일한 간격으로 이격되도록 배치될 수 있다. 도 6에는 상기 퍼지가스분사부재(523)에 6개의 퍼지가스분사공(523a)이 형성된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 퍼지가스분사부재(523)에는 2개 내지 5개 또는 7개 이상의 퍼지가스분사공(523a)이 형성될 수도 있다. 상기 퍼지가스분사부재(523)는 원반 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제2가스분사공간(520)에 상기 퍼지가스를 분사할 수 있는 형태이면 사각판형 등 다른 형태로 형성될 수도 있다.
상기 퍼지가스분사부재(523), 상기 제2가스분사부재(522), 및 상기 제1가스분사부재(521)는 상기 제2가스분사공간(520) 내에서 서로 다른 공간에 처리가스를 분사하도록 배치될 수 있다. 처리가스는 퍼지가스 및 공정가스를 포함하고, 공정가스는 제1가스 및 제2가스를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 퍼지가스분사부재(523)의 내측에 상기 제2가스분사부재(522)가 위치하도록 배치되고, 상기 제2가스분사부재(522)의 내측에 상기 제1가스분사부재(521)가 위치하도록 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 퍼지가스분사부재(523)의 내측에 상기 제1가스분사부재(521)가 위치하도록 배치되고, 상기 제1가스분사부재(521)의 내측에 상기 제2가스분사부재(522)가 위치하도록 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 퍼지가스분사부재(523)는 상기 제1가스분사부재(521)의 내측 또는 상기 제2가스분사부재(522)의 내측에 위치하도록 배치될 수도 있다.
상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 퍼지가스분사부재(523), 상기 제2가스분사부재(522), 및 상기 제1가스분사부재(521)를 통해 상기 제2가스분사공간(520)에 처리가스를 분사할 수 있다. 이 경우, 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 퍼지가스분사부재(523), 상기 제2가스분사부재(522), 및 상기 제1가스분사부재(521)를 통해 상기 제2가스분사공간(520)에 상기 퍼지가스, 상기 제2가스, 및 상기 제1가스를 선택적으로 분사할 수 있다. 상기 제1가스분사모듈(51) 및 상기 제1가스분사부재(521)가 각각 상기 제1가스를 분사하는 경우, 상기 퍼지가스분사부재(523)는 상기 퍼지가스에 대한 분사를 중지할 수 있다. 이 경우, 상기 제2가스분사부재(522)는 상기 제2가스에 대한 분사를 중지할 수 있다. 상기 제3가스분사모듈(53) 및 상기 제2가스분사부재(522)가 각각 상기 제2가스를 분사하는 경우, 상기 퍼지가스분사부재(523)는 상기 퍼지가스에 대한 분사를 중지할 수 있다. 이 경우, 상기 제1가스분사부재(521)는 상기 제1가스에 대한 분사를 중지할 수 있다. 상기 퍼지가스분모듈(54)이 상기 퍼지가스를 분사하는 경우, 상기 퍼지가스분사부재(523)는 상기 퍼지가스를 분사할 수 있다. 이 경우, 상기 제1가스분사부재(521) 및 상기 제2가스분사부재(522)는 각각 상기 제1가스 및 상기 제2가스에 대한 분사를 중지할 수 있다.
상기 퍼지가스분사부재(523), 상기 제2가스분사부재(522) 및 상기 제1가스분사부재(521)는 상기 제1가스분사모듈(51), 상기 제3가스분사모듈(53), 및 상기 퍼지가스분사모듈(54) 각각의 가스 분사 여부에 따라 공정가스와 퍼지가스를 선택적으로 공급할 수 있다. 상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스를 분사하는 경우, 상기 제1가스분사부재(521)는 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 이 경우, 상기 제2가스분사부재(522)는 상기 제2가스에 대한 분사를 중지함과 아울러 상기 퍼지가스분사부재(523)는 상기 퍼지가스에 대한 분사를 중지할 수 있다. 상기 제3가스분사모듈(53)이 상기 제2가스를 분사하는 경우, 상기 제2가스분사부재(522)는 상기 제2가스를 분사할 수 있다. 이 경우, 상기 제1가스분사부재(521)는 상기 제1가스에 대한 분사를 중지함과 아울러 상기 퍼지가스분사부재(523)는 상기 퍼지가스에 대한 분사를 중지할 수 있다. 상기 퍼지가스분사모듈(54)이 상기 퍼지가스를 분사하는 경우, 상기 퍼지가스분사부재(523)는 퍼지가스를 분사할 수 있다. 이 경우, 상기 제1가스분사부재(521)는 상기 제1가스에 대한 분사를 중지함과 아울러 상기 제2가스분사부재(522)는 상기 제2가스에 대한 분사를 중지할 수 있다. 상기 제2가스분사모듈(52)은 밸브 등을 포함하여 상기 제1가스분사부재(521), 상기 제2가스분사부재(522), 및 상기 퍼지가스분사부재(523) 각각에 연결된 유로를 선택적으로 개폐함으로써, 상기 제1가스분사부재(521), 상기 제2가스분사부재(522), 및 상기 퍼지가스분사부재(523) 각각이 공정가스와 퍼지가스를 선택적으로 분사하도록 구현될 수 있다.
상기 퍼지가스분사모듈(54), 상기 제3가스분사모듈(53), 및 상기 제1가스분사모듈(51)은 서로 동일한 간격으로 이격되어 배치되도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 퍼지가스분사모듈(54), 상기 제3가스분사모듈(53), 및 상기 제1가스분사모듈(51)은 상기 기판지지부(3)의 회전축을 기준으로 하여 서로 동일한 각도로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 가스분사부(5)는 상기 퍼지가스분사모듈(54)을 복수개 포함할 수도 있다. 이 경우, 상기 퍼지가스분사모듈들(54, 54')은 서로 상이한 퍼지가스분사공간들(540, 540')에 퍼지가스를 분사할 수 있다. 상기 퍼지가스분사모듈들(54, 54'), 상기 제3가스분사모듈(53), 및 상기 제1가스분사모듈(51)은 서로 동일한 간격으로 이격되어 배치되도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 퍼지가스분사모듈들(54, 54'), 상기 제3가스분사모듈(53), 및 상기 제1가스분사모듈(51)은 상기 기판지지부(3)의 회전축을 기준으로 하여 서로 동일한 각도로 이격되어 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 가스분사부(5)가 2개의 퍼지가스분사모듈들(54, 54')을 포함하는 경우, 상기 퍼지가스분사모듈들(54, 54'), 상기 제3가스분사모듈(53), 및 상기 제1가스분사모듈(51)은 상기 기판지지부(3)의 회전축을 기준으로 하여 90도씩 이격되어 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 상기 제1가스분사모듈(51), 상기 퍼지가스분사모듈(54), 상기 제3가스분사모듈(53), 상기 퍼지가스분사모듈(54') 순서로 배치될 수 있다.
상기 퍼지가스분사모듈들(54, 54')이 구비되는 경우, 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 퍼지가스분사모듈들(54, 54')의 사이에 배치되도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 이 경우, 상기 퍼지가스분사모듈(54)은 상기 제2가스분사모듈(52)로부터 일측으로 이격된 위치에 배치되도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 퍼지가스분사모듈(54')은 상기 제2가스분사모듈(52)로부터 타측으로 이격된 위치에 배치되도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2가스분사모듈(52)이 분사한 공정가스가 상기 퍼지가스분사공간들(540, 540') 각각으로 공급되도록 구현될 수 있다. 상기 퍼지가스분사모듈들(54, 54') 및 상기 제2가스분사모듈(52)은 동일선 상에 배치되도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다.
도 2 내지 도 9를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 다음과 같이 동작하여 상기 처리공정 및 상기 배기공정을 수행할 수 있다. 도 7 내지 도 9에서 해칭이 표시된 부분은 직접적으로 공정가스 및 퍼지가스가 분사되는 공간이고, 해칭이 표시되지 않은 부분은 직접적으로 공정가스 및 퍼지가스가 분사되지 않는 공간이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제1가스분사공간(510)에 상기 제1가스가 분사되는 경우, 상기 제2가스분사공간(520)에도 상기 제1가스가 분사될 수 있다. 이 경우, 상기 제3가스분사공간(530)에는 상기 제2가스가 분사되지 않음과 동시에 상기 퍼지가스분사공간들(540, 540')에는 상기 퍼지가스가 분사되지 않는다. 상기 제1가스분사공간(510) 및 상기 제2가스분사공간(520)에 분사된 제1가스는, 상기 제1가스분사공간(510)에 위치한 기판(S) 쪽에 더 많이 분포되나, 상기 제3가스분사공간(530) 및 상기 퍼지가스분사공간들(540, 540')을 포함한 공정공간 전체로도 확산될 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제3가스분사공간(530)에 상기 제2가스가 분사되는 경우, 상기 제2가스분사공간(520)에도 상기 제2가스가 분사될 수 있다. 이 경우, 상기 제1가스분사공간(510)에는 상기 제1가스가 분사되지 않음과 동시에 상기 퍼지가스분사공간들(540, 540')에는 상기 퍼지가스가 분사되지 않는다. 상기 제3가스분사공간(530) 및 상기 제2가스분사공간(520)에 분사된 제2가스는, 상기 제3가스분사공간(530)에 위치한 기판(S) 쪽에 더 많이 분포되나, 상기 제1가스분사공간(510) 및 상기 퍼지가스분사공간들(540, 540')을 포함한 공정공간 전체로도 확산될 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 상기 퍼지가스분사공간들(540, 540')에 상기 퍼지가스가 분사되는 경우, 상기 제2가스분사공간(520)에도 상기 퍼지가스가 분사될 수 있다. 이 경우, 상기 제1가스분사공간(510)에는 상기 제1가스가 분사되지 않음과 동시에 상기 제3가스분사공간(530)에는 상기 제2가스가 분사되지 않는다. 상기 퍼지가스분사공간들(540, 540') 및 상기 제2가스분사공간(520)에 분사된 퍼지가스는, 상기 퍼지가스분사공간들(540, 540')에 더 많이 분포되나, 상기 제1가스분사공간(510) 및 상기 제3가스분사공간(530)을 포함한 공정공간 전체로도 확산될 수 있다.
도 2 및 도 10을 참고하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리장치(1)에 있어서, 상기 제1가스분사모듈(51)은 플라즈마를 이용하여 상기 제1가스를 활성화시켜서 분사할 수 있다. 상기 제1가스분사모듈(51)은 제1접지전극(511, 도 10에 도시됨) 및 제1플라즈마전극(512, 도 10에 도시됨)을 포함할 수 있다.
상기 제1접지전극(511)은 상기 제1가스를 분사하는 것이다. 상기 제1접지전극(511)은 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제1접지전극(511)은 상기 제1설치공(41)에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제1접지전극(511)은 제1하우징(5111, 도 10에 도시됨), 제1통과홈(5112, 도 10에 도시됨), 및 제1공급공(5113, 도 10에 도시됨)를 포함할 수 있다.
상기 제1하우징(5111)은 상기 제1설치공(41)에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제1하우징(5111)은 상기 챔버리드(4)에 전기적으로 접속됨으로써, 상기 챔버리드(4)를 통해 전기적으로 접지된다. 상기 제1하우징(5111)은 전체적으로 직방체 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 챔버리드(4)에 설치되어 제1가스를 분사할 수 있는 형태이면 원통 형태 등 다른 형태로 형성될 수도 있다.
상기 제1통과홈(5112)은 상기 제1하우징(5111)에 형성될 수 있다. 상기 제1통과홈(5112)은 상기 제1하우징(5111)의 내측에 위치할 수 있다. 상기 제1하우징(5111)은 상기 제1통과홈(5112)을 통해 일측이 개방된 형태로 형성될 수 있다. 상기 제1하우징(5111)은 개방된 일측이 상기 기판지지부(3, 도 2에 도시됨)를 향하도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다.
상기 제1공급공(5113)은 상기 제1하우징(5111)을 관통하여 형성될 수 있다. 상기 제1공급공(5113)은 상기 제1통과홈(5112)에 연통되게 형성될 수 있다. 상기 제1공급공(5113)은 상기 제1가스공급원(110)에 연결될 수 있다. 상기 제1가스공급원(110)이 공급한 제1가스는, 상기 제1공급공(5113)을 통해 상기 제1통과홈(5112)으로 공급될 수 있다. 상기 제1하우징(5111)에는 상기 제1공급공(5113)이 복수개 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 제1공급공(5113)들은 상기 제1플라즈마전극(512)의 양측에 위치할 수 있다.
상기 제1플라즈마전극(512)은 상기 제1하우징(5111)에 설치될 수 있다. 상기 제1플라즈마전극(512)은 제1절연부재(514)에 삽입되어 설치됨으로써, 상기 제1하우징(5111)에 설치될 수 있다. 상기 제1절연부재(514)는 상기 제1하우징(5111) 및 상기 제1플라즈마전극(512)을 전기적으로 절연시키는 것이다. 상기 제1플라즈마전극(512)은 일부가 상기 제1통과홈(5112)에 위치하도록 배치될 수 있다.
상기 제1플라즈마전극(512)은 제1플라즈마 전원 공급원(513)으로부터 인가되는 플라즈마 전원에 따라 상기 제1통과홈(5112)에 공급되는 제1가스로부터 플라즈마를 생성한다. 이 경우, 플라즈마는 플라즈마 전원에 따라 상기 제1플라즈마전극(512)과 상기 제1하우징(5111)의 제1측벽(5111a) 간에 걸리는 전기장에 의해 생성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1가스는 플라즈마에 의해 활성화되어서 분사될 수 있다.
도 2 및 도 11을 참고하면, 상기 제1가스분사모듈(51)은 플라즈마처리부(200)로부터 플라즈마에 의해 활성화된 제1가스를 공급받음으로써, 플라즈마에 의해 활성화된 제1가스를 분사할 수도 있다. 이 경우, 상기 제1가스분사모듈(511)은 제1하우징(5111, 도 11에 도시됨), 제1통과홈(5112, 도 11에 도시됨), 및 제1공급공(5113, 도 11에 도시됨)를 포함할 수 있다.
상기 제1하우징(5111)은 상기 제1설치공(41)에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제1하우징(5111)은 상기 플라즈마처리부(200)로부터 플라즈마에 의해 활성화된 제1가스를 공급받을 수 있다. 이에 따라, 상기 제1하우징(5111)은 플라즈마에 의해 활성화된 제1가스를 분사할 수 있다.
상기 제1통과홈(5112)은 상기 제1하우징(5111)에 형성될 수 있다. 상기 제1통과홈(5112)은 상기 제1하우징(5111)의 내측에 위치할 수 있다. 상기 제1하우징(5111)은 상기 제1통과홈(5112)을 통해 일측이 개방된 형태로 형성될 수 있다. 상기 제1하우징(5111)은 개방된 일측이 상기 기판지지부(3, 도 2에 도시됨)를 향하도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다.
상기 제1공급공(5113)은 상기 제1하우징(5111)을 관통하여 형성될 수 있다. 상기 제1공급공(5113)은 상기 제1통과홈(5112)에 연통되게 형성될 수 있다. 상기 제1공급공(5113)은 상기 플라즈마처리부(200)에 연결될 수 있다. 상기 플라즈마처리부(200)는 플라즈마를 이용하여 상기 제1가스를 활성화시키는 제1플라즈마처리모듈(210)을 포함할 수 있다. 상기 제1공급공(5113)은 상기 제1플라즈마처리모듈(210)에 연결될 수 있다. 상기 제1플라즈마처리모듈(210)을 거쳐 활성화된 제1가스는, 상기 제1공급공(5113)을 통해 상기 제1통과홈(5112)으로 공급될 수 있다. 상기 제1하우징(5111)에는 상기 제1공급공(5113)이 복수개 형성될 수도 있다.
상술한 바와 같이 상기 제1가스분사모듈(51)이 플라즈마를 이용하여 상기 제1가스를 활성화시켜서 분사하는 경우, 상기 제2가스분사모듈(52) 또한 플라즈마를 이용하여 상기 제1가스를 활성시켜서 분사할 수 있다. 이 경우, 도시되지 않았지만 상기 제2가스분사모듈(52)은 제2접지전극 및 제2플라즈마전극을 이용하여 상기 제1가스를 활성화시켜서 분사하도록 구현될 수 있다. 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제1플라즈마처리모듈(210)를 거쳐 활성화된 제1가스를 분사하도록 구현될 수도 있다.
도 2 및 도 12를 참고하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리장치(1)에 있어서, 상기 제3가스분사모듈(53)은 플라즈마를 이용하여 상기 제2가스를 활성화시켜서 분사할 수 있다. 상기 제3가스분사모듈(53)은 제3접지전극(531, 도 12에 도시됨) 및 제3플라즈마전극(532, 도 12에 도시됨)을 포함할 수 있다.
상기 제3접지전극(531)은 상기 제2가스를 분사하는 것이다. 상기 제3접지전극(531)은 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제3접지전극(531)은 상기 제3설치공(43)에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제3접지전극(531)은 제3하우징(5311, 도 12에 도시됨), 제3통과홈(5312, 도 12에 도시됨), 및 제3공급공(5313, 도 12에 도시됨)를 포함할 수 있다.
상기 제3하우징(5311)은 상기 제3설치공(43)에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제3하우징(5311)은 상기 챔버리드(4)에 전기적으로 접속됨으로써, 상기 챔버리드(4)를 통해 전기적으로 접지된다. 상기 제3하우징(5311)은 전체적으로 직방체 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 챔버리드(4)에 설치되어 제2가스를 분사할 수 있는 형태이면 원통 형태 등 다른 형태로 형성될 수도 있다.
상기 제3통과홈(5312)은 상기 제3하우징(5311)에 형성될 수 있다. 상기 제3통과홈(5312)은 상기 제3하우징(5311)의 내측에 위치할 수 있다. 상기 제3하우징(5311)은 상기 제3통과홈(5312)을 통해 일측이 개방된 형태로 형성될 수 있다. 상기 제3하우징(5311)은 개방된 일측이 상기 기판지지부(3, 도 2에 도시됨)를 향하도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다.
상기 제3공급공(5313)은 상기 제3하우징(5311)을 관통하여 형성될 수 있다. 상기 제3공급공(5313)은 상기 제3통과홈(5312)에 연통되게 형성될 수 있다. 상기 제3공급공(5313)은 상기 제2가스공급원(120)에 연결될 수 있다. 상기 제2가스공급원(120)이 공급한 제2가스는, 상기 제3공급공(5313)을 통해 상기 제3통과홈(5312)으로 공급될 수 있다. 상기 제3하우징(5311)에는 상기 제3공급공(5313)이 복수개 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 제3공급공(5313)들은 상기 제3플라즈마전극(532)의 양측에 위치할 수 있다.
상기 제3플라즈마전극(532)은 상기 제3하우징(5311)에 설치될 수 있다. 상기 제3플라즈마전극(532)은 제3절연부재(534)에 삽입되어 설치됨으로써, 상기 제3하우징(5311)에 설치될 수 있다. 상기 제3절연부재(534)는 상기 제3하우징(5311) 및 상기 제3플라즈마전극(532)을 전기적으로 절연시키는 것이다. 상기 제3플라즈마전극(532)은 일부가 상기 제3통과홈(5312)에 위치하도록 배치될 수 있다.
상기 제3플라즈마전극(532)은 제2플라즈마 전원 공급원(523)으로부터 인가되는 플라즈마 전원에 따라 상기 제3통과홈(5312)에 공급되는 제2가스로부터 플라즈마를 생성한다. 이 경우, 플라즈마는 플라즈마 전원에 따라 상기 제3플라즈마전극(532)과 상기 제3하우징(5311)의 제3측벽(5311a) 간에 걸리는 전기장에 의해 생성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2가스는 플라즈마에 의해 활성화되어서 분사될 수 있다.
도 2 및 도 13을 참고하면, 상기 제3가스분사모듈(53)은 상기 플라즈마처리부(200)로부터 플라즈마에 의해 활성화된 제2가스를 공급받음으로써, 플라즈마에 의해 활성화된 제2가스를 분사할 수도 있다. 이 경우, 상기 제3가스분사모듈(531)은 제3하우징(5311, 도 13에 도시됨), 제3통과홈(5312, 도 13에 도시됨), 및 제3공급공(5313, 도 13에 도시됨)를 포함할 수 있다.
상기 제3하우징(5311)은 상기 제3설치공(43)에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제3하우징(5311)은 상기 플라즈마처리부(200)로부터 플라즈마에 의해 활성화된 제2가스를 공급받을 수 있다. 이에 따라, 상기 제3하우징(5311)은 플라즈마에 의해 활성화된 제2가스를 분사할 수 있다.
상기 제3통과홈(5312)은 상기 제3하우징(5311)에 형성될 수 있다. 상기 제3통과홈(5312)은 상기 제3하우징(5311)의 내측에 위치할 수 있다. 상기 제3하우징(5311)은 상기 제3통과홈(5312)을 통해 일측이 개방된 형태로 형성될 수 있다. 상기 제3하우징(5311)은 개방된 일측이 상기 기판지지부(3, 도 2에 도시됨)를 향하도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다.
상기 제3공급공(5313)은 상기 제3하우징(5311)을 관통하여 형성될 수 있다. 상기 제3공급공(5313)은 상기 제3통과홈(5312)에 연통되게 형성될 수 있다. 상기 제3공급공(5313)은 상기 플라즈마처리부(200)에 연결될 수 있다. 상기 플라즈마처리부(200)는 플라즈마를 이용하여 상기 제2가스를 활성화시키는 제2플라즈마처리모듈(220)을 포함할 수 있다. 상기 제3공급공(5313)은 상기 제2플라즈마처리모듈(220)에 연결될 수 있다. 상기 제2플라즈마처리모듈(220)을 거쳐 활성화된 제2가스는, 상기 제3공급공(5313)을 통해 상기 제3통과홈(5312)으로 공급될 수 있다. 상기 제3하우징(5311)에는 상기 제3공급공(5313)이 복수개 형성될 수도 있다.
상술한 바와 같이 상기 제3가스분사모듈(53)이 플라즈마를 이용하여 상기 제2가스를 활성화시켜서 분사하는 경우, 상기 제2가스분사모듈(52) 또한 플라즈마를 이용하여 상기 제2가스를 활성시켜서 분사할 수 있다. 이 경우, 도시되지 않았지만 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제2접지전극 및 상기 제2플라즈마전극을 이용하여 상기 제2가스를 활성화시켜서 분사하도록 구현될 수 있다. 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제2플라즈마처리모듈(220)를 거쳐 활성화된 제2가스를 분사하도록 구현될 수도 있다.
도 2 및 도 10을 참고하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 가스분사부(5)는 상기 제1가스분사모듈(51) 및 상기 제2가스분사모듈(52)을 포함할 수 있다. 본 발명의 변형된 실시예에 따른 가스분사부(5)는 상술한 가스분사부(5)의 실시예와 대비할 때, 상기 제1가스분사모듈(51) 및 상기 제2가스분사모듈(52)만을 이용하여 처리가스를 분사하도록 구현될 수 있다. 이 경우, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 가스분사부(5)는 상기 제3가스분사모듈(53)을 구비하지 않을 수 있다. 본 발명의 변형된 실시예에 따른 가스분사부(5)는 상기 제3가스분사모듈(53)을 구비하고, 상기 제1가스분사모듈(51) 및 상기 제2가스분사모듈(52)만을 이용하여 처리가스를 분사하는 동안에 상기 제3가스분사모듈(53)이 처리가스를 분사하지 않도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 가스분사부(5)는 상기 퍼지가스분사모듈(54)을 추가로 구비할 수도 있고, 상기 제1가스분사모듈(51) 및 상기 제2가스분사모듈(52)만을 이용하여 처리가스를 분사하는 동안에 상기 퍼지가스분사모듈(54)이 퍼지가스를 분사하지 않도록 구현될 수도 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따른 가스분사부(5)에 있어서, 상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스분사공간(510)에 처리가스를 분사할 때, 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제1가스분사모듈(51)이 분사하는 처리가스와 동일한 처리가스를 상기 제2가스분사공간(520)에 분사할 수 있다.
상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스분사공간(510)에 상기 처리가스로 소스가스를 분사할 때, 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제2가스분사공간(520)에 소스가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서는 소스가스를 이용한 기판처리공정이 이루어질 수 있다.
상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스분사공간(510)에 상기 처리가스로 반응가스를 분사할 때, 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제2가스분사공간(520)에 반응가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서는 반응가스를 이용한 기판처리공정이 이루어질 수 있다.
상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스분사공간(510)에 상기 처리가스로 퍼지가스를 분사할 때, 상기 제2가스분사모듈(52)은 상기 제2가스분사공간(520)에 퍼지가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서는 공정가스를 퍼지하는 공정이 이루어질 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따른 가스분사부(5)는 본 발명의 변형된 실시예에 따른 가스분사장치로 구현될 수 있다. 한편, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 가스분사부(5)는 상술한 본 발명에 따른 기판처리장치(1) 및 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리장치(1) 각각에 적용될 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리방법의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2 내지 도 13을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 공정챔버(2) 내에 처리가스를 분사하여 상기 기판(S)을 처리하는 것이다. 본 발명에 따른 기판처리방법은 상술한 본 발명에 따른 기판처리장치(1)를 통해 수행될 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리방법은 다음과 같은 공정을 포함할 수 있다.
우선, 소스가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 가스분사부(5)가 상기 제1가스분사공간(510)과 상기 제2가스분사공간(520)에 소스가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 소스가스를 분사하는 공정은, 상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스분사공간(510)에 소스가스를 분사함과 아울러 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 소스가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 소스가스를 분사하는 공정은, 플라즈마를 이용하여 소스가스를 활성화시켜서 분사함으로써 이루어질 수도 있다. 상기 소스가스를 분사하는 공정이 이루어지는 동안, 상기 제3가스분사모듈(53)은 상기 반응가스에 대한 분사를 중지함과 아울러 상기 퍼지가스분사모듈(54)은 상기 퍼지가스에 대한 분사를 중지할 수 있다. 상기 소스가스를 분사하는 공정이 이루어지는 동안, 상기 기판지지부(3)가 상기 기판(S)들을 회전시키는 공정이 병행하여 이루어질 수 있다.
다음, 소스가스를 퍼지한다. 이러한 공정은 상기 가스분사부(5)가 상기 퍼지가스분사공간(540)과 상기 제2가스분사공간(520)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 소스가스를 퍼지하는 공정은, 상기 퍼지가스분사모듈(54)이 상기 퍼지가스분사공간(540)에 퍼지가스를 분사함과 아울러 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 소스가스를 퍼지하는 공정이 이루어지는 동안, 상기 제1가스분사모듈(51)은 상기 소스가스에 대한 분사를 중지함과 아울러 상기 제3가스분사모듈(53)은 상기 반응가스에 대한 분사를 중지할 수 있다. 상기 소스가스를 퍼지하는 공정이 이루어지는 동안, 상기 기판지지부(3)가 상기 기판(S)들을 회전시키는 공정이 병행하여 이루어질 수 있다.
다음, 반응가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 가스분사부(5)가 상기 제3가스분사공간(530)과 상기 제2가스분사공간(520)에 반응가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 반응가스를 분사하는 공정은, 상기 제3가스분사모듈(53)이 상기 제3가스분사공간(530)에 반응가스를 분사함과 아울러 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 반응가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 반응가스를 분사하는 공정은, 플라즈마를 이용하여 반응가스를 활성화시켜서 분사함으로써 이루어질 수도 있다. 상기 반응가스를 분사하는 공정이 이루어지는 동안, 상기 제1가스분사모듈(51)은 상기 소스가스에 대한 분사를 중지함과 아울러 상기 퍼지가스분사모듈(54)은 상기 퍼지가스에 대한 분사를 중지할 수 있다. 상기 반응가스를 분사하는 공정이 이루어지는 동안, 상기 기판지지부(3)가 상기 기판(S)들을 회전시키는 공정이 병행하여 이루어질 수 있다.
다음, 반응가스를 퍼지한다. 이러한 공정은 상기 가스분사부(5)가 상기 퍼지가스분사공간(540)과 상기 제2가스분사공간(520)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 반응가스를 퍼지하는 공정은, 상기 퍼지가스분사모듈(54)이 상기 퍼지가스분사공간(540)에 퍼지가스를 분사함과 아울러 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 반응가스를 퍼지하는 공정이 이루어지는 동안, 상기 제1가스분사모듈(51)은 상기 소스가스에 대한 분사를 중지함과 아울러 상기 제3가스분사모듈(53)은 상기 반응가스에 대한 분사를 중지할 수 있다. 상기 반응가스를 퍼지하는 공정이 이루어지는 동안, 상기 기판지지부(3)가 상기 기판(S)들을 회전시키는 공정이 병행하여 이루어질 수 있다.
도 2 내지 도 16을 참고하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 다음과 같은 공정을 포함할 수 있다. 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 상술한 본 발명의 변형된 실시예에 따른 가스분사부(5)가 적용된 기판처리장치를 통해 수행될 수 있다. 도 14 내지 도 16에서 해칭이 표시된 부분은 직접적으로 공정가스 및 퍼지가스가 분사되는 공간이고, 해칭이 표시되지 않은 부분은 직접적으로 공정가스 및 퍼지가스가 분사되지 않는 공간이다.
우선, 도 14에 도시된 바와 같이 상기 제1가스분사공간(510)과 상기 제2가스분사공간(520)에 소스가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스분사공간(510)에 소스가스를 분사함과 동시에 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 소스가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서는 소스가스를 이용한 기판처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 소스가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
다음, 도 15에 도시된 바와 같이 상기 제1가스분사공간(510)과 상기 제2가스분사공간(520)에 퍼지가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스분사공간(510)에 퍼지가스를 분사함과 동시에 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서는 소스가스를 퍼지하는 공정이 이루어질 수 있다. 상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
다음, 도 16에 도시된 바와 같이 상기 제1가스분사공간(510)과 상기 제2가스분사공간(520)에 반응가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스분사공간(510)에 반응가스를 분사함과 동시에 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 반응가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서는 반응가스를 이용한 기판처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 반응가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
상술한 바와 같은 공정들을 통해, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 상기 기판(S)에 대한 처리공정을 수행할 수 있다. 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 상기 제1가스분사공간(510)과 상기 제2가스분사공간(520)에 반응가스를 분사한 후에, 상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 공정을 추가로 포함할 수 있다.
상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 반응가스를 분사하는 공정은, 상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 반응가스를 분사하는 공정이 완료된 후에, 상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스분사공간(510)에 퍼지가스를 분사함과 동시에 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서는 반응가스를 퍼지하는 공정이 이루어질 수 있다. 상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
도 2 내지 도 17을 참고하면, 본 발명의 다른 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 다음과 같은 공정을 포함할 수 있다. 도 17에서 해칭이 표시된 부분은 직접적으로 공정가스 및 퍼지가스가 분사되는 공간이고, 해칭이 표시되지 않은 부분은 직접적으로 공정가스 및 퍼지가스가 분사되지 않는 공간이다.
우선, 도 17에 도시된 바와 같이 상기 제1가스분사공간(510)에 소스가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스분사공간(510)에 소스가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서 상기 제1가스분사공간(510)에 위치한 기판(S)에 대해서는 소스가스를 이용한 기판처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제1가스분사공간에 소스가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
다음, 도 17에 도시된 바와 같이 상기 제2가스분사공간(520)에 퍼지가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내부에서 상기 제1가스분사공간(510) 및 상기 제3가스분사공간(530)이 퍼지가스에 의해 공간적으로 구획될 수 있다. 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
다음, 도 17에 도시된 바와 같이 상기 제3가스분사공간(530)에 반응가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 제3가스분사모듈(53)이 상기 제3가스분사공간(530)에 반응가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서 상기 제3가스분사공간(530)에 위치한 기판(S)에 대해서는 반응가스를 이용한 기판처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제3가스분사공간에 반응가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
여기서, 상기 제1가스분사공간에 소스가스를 분사하는 공정, 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 공정, 및 상기 제3가스분사공간에 반응가스를 분사하는 공정은, 동시에 수행될 수 있다. 이에 따라, 상기 퍼지가스에 의해 상기 제1가스분사공간(510) 및 상기 제3가스분사공간(530)이 공간적으로 구획된 상태에서, 기판(S)들은 상기 제1가스분사공간(510)을 통과하면서 소스가스에 의한 처리공정이 이루어짐과 아울러 상기 제3가스분사공간(530)을 통과하면서 반응가스에 의한 처리공정이 이루어질 수 있다.
상술한 바와 같은 공정들을 통해, 본 발명의 다른 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 상기 기판(S)에 대한 처리공정을 수행할 수 있다. 본 발명의 다른 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 상기 퍼지가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 공정을 추가로 포함할 수 있다.
상기 퍼지가스공간에 퍼지가스를 분사하는 공정은, 상기 퍼지가스분사모듈(54)이 상기 퍼지가스분사공간(540, 540')에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 퍼지가스공간에 퍼지가스를 분사하는 공정, 상기 제1가스분사공간에 소스가스를 분사하는 공정, 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 공정, 및 상기 제3가스분사공간에 반응가스를 분사하는 공정은, 동시에 수행될 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서 상기 제1가스분사공간(510) 및 상기 제3가스분사공간(530)이 퍼지가스에 의해 공간적으로 구획되는 구획력이 증대된 상태에서, 기판(S)들은 상기 제1가스분사공간(510)을 통과하면서 소스가스에 의한 처리공정이 이루어짐과 아울러 상기 제3가스분사공간(530)을 통과하면서 반응가스에 의한 처리공정이 이루어질 수 있다.
도 2 내지 도 17을 참고하면, 본 발명의 또 다른 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 시분할처리공정 및 공간분할처리공정을 포함할 수 있다.
상기 시분할처리공정은, 상기 공정챔버(2) 내에 시간에 따라 처리가스를 변경하여 분사하는 시분할모드로 기판을 처리하는 것이다. 상기 시분할처리공정을 수행함에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서는 소스가스를 이용한 기판처리공정, 소스가스를 퍼지하는 공정, 반응가스를 이용한 기판처리공정, 및 반응가스를 퍼지하는 공정이 순차적으로 이루어질 수 있다.
상기 공간분할처리공정은, 상기 공정챔버(2) 내에 공간별로 상이한 처리가스를 분사하는 공간분할모드로 기판을 처리하는 것이다. 상기 공간분할처리공정을 수행함에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서는 퍼지가스를 이용하여 공간이 구획된 상태에서 소스가스를 이용한 기판처리공정 및 반응가스를 이용한 기판처리공정이 병행하여 이루어질 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 또 다른 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 하나의 기판처리장치(1)를 이용하여 시분할처리공정 및 공간분할처리공정을 수행하도록 구현될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 또 다른 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 상기 시분할처리공정을 통해 Pure ALD(Atomic Layer Deposition) 공정을 수행할 수 있음과 동시에 상기 공간분할처리공정을 통해 ALD 공정의 생산성을 높일 수 있다.
본 발명의 또 다른 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 반복처리공정을 추가로 포함할 수 있다. 상기 반복처리공정은 상기 시분할처리공정 및 상기 공간분할처리공정을 교대로 반복하여 수행하는 것이다. 이에 따라, 본 발명의 또 다른 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 하나의 기판처리장치(1)를 이용하여 상기 시분할처리공정 및 공간분할처리공정을 교대로 반복하여 수행하도록 구현될 수 있다.
여기서, 상기 시분할처리공정은 다음과 같은 공정을 포함하도록 구현될 수 있다.
우선, 도 14에 도시된 바와 같이 상기 제1가스분사공간(510)과 상기 제2가스분사공간(520)에 소스가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스분사공간(510)에 소스가스를 분사함과 동시에 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 소스가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서는 소스가스를 이용한 기판처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 소스가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
다음, 도 15에 도시된 바와 같이 상기 제1가스분사공간(510)과 상기 제2가스분사공간(520)에 퍼지가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스분사공간(510)에 퍼지가스를 분사함과 동시에 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서는 소스가스를 퍼지하는 공정이 이루어질 수 있다. 상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
다음, 도 16에 도시된 바와 같이 상기 제1가스분사공간(510)과 상기 제2가스분사공간(520)에 반응가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스분사공간(510)에 반응가스를 분사함과 동시에 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 반응가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서는 반응가스를 이용한 기판처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 반응가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
상술한 바와 같은 공정들을 통해, 상기 시분할처리공정이 수행될 수 있다. 상기 시분할처리공정은 상기 제1가스분사공간(510)과 상기 제2가스분사공간(520)에 반응가스를 분사한 후에, 상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 공정을 추가로 포함할 수 있다.
상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 반응가스를 분사하는 공정은, 상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 반응가스를 분사하는 공정이 완료된 후에, 상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스분사공간(510)에 퍼지가스를 분사함과 동시에 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서는 반응가스를 퍼지하는 공정이 이루어질 수 있다. 상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
여기서, 상기 시분할처리공정은 다음과 같은 공정을 포함하도록 구현될 수도 있다.
우선, 도 7에 도시된 바와 같이 상기 제1가스분사공간(510) 및 상기 제2가스분사공간(520)에 소스가스를 분사한다. 이러한 공정은, 상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스분사공간(510)에 소스가스를 분사함과 아울러 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 소스가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 소스가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
다음, 도 9에 도시된 바와 같이 소스가스를 퍼지한다. 이러한 공정은 상기 가스분사부(5)가 상기 퍼지가스분사공간(540)과 상기 제2가스분사공간(520)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 소스가스를 퍼지하는 공정은, 상기 퍼지가스분사모듈(54)이 상기 퍼지가스분사공간(540)에 퍼지가스를 분사함과 아울러 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 소스가스를 퍼지하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
다음, 도 8에 도시된 바와 같이 상기 제3가스분사공간(530) 및 상기 제2가스분사공간(520)에 반응가스를 분사한다. 이러한 공정은, 상기 제3가스분사모듈(53)이 상기 제3가스분사공간(530)에 반응가스를 분사함과 아울러 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 반응가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 제3가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 반응가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
다음, 도 9에 도시된 바와 같이 반응가스를 퍼지한다. 이러한 공정은 상기 가스분사부(5)가 상기 퍼지가스분사공간(540)과 상기 제2가스분사공간(520)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 반응가스를 퍼지하는 공정은, 상기 퍼지가스분사모듈(54)이 상기 퍼지가스분사공간(540)에 퍼지가스를 분사함과 아울러 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 반응가스를 퍼지하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
여기서, 상기 공간분할처리공정은 다음과 같은 공정을 포함하도록 구현될 수 있다.
우선, 도 17에 도시된 바와 같이 상기 제1가스분사공간(510)에 소스가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 제1가스분사모듈(51)이 상기 제1가스분사공간(510)에 소스가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서 상기 제1가스분사공간(510)에 위치한 기판(S)에 대해서는 소스가스를 이용한 기판처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제1가스분사공간에 소스가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
다음, 도 17에 도시된 바와 같이 상기 제2가스분사공간(520)에 퍼지가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 제2가스분사모듈(52)이 상기 제2가스분사공간(520)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내부에서 상기 제1가스분사공간(510) 및 상기 제3가스분사공간(530)이 퍼지가스에 의해 공간적으로 구획될 수 있다. 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
다음, 도 17에 도시된 바와 같이 상기 제3가스분사공간(530)에 반응가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 제3가스분사모듈(53)이 상기 제3가스분사공간(530)에 반응가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서 상기 제3가스분사공간(530)에 위치한 기판(S)에 대해서는 반응가스를 이용한 기판처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제3가스분사공간에 반응가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
상기 제1가스분사공간에 소스가스를 분사하는 공정, 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 공정, 및 상기 제3가스분사공간에 반응가스를 분사하는 공정은, 동시에 수행될 수 있다. 이에 따라, 상기 퍼지가스에 의해 상기 제1가스분사공간(510) 및 상기 제3가스분사공간(530)이 공간적으로 구획된 상태에서, 기판(S)들은 상기 제1가스분사공간(510)을 통과하면서 소스가스에 의한 처리공정이 이루어짐과 아울러 상기 제3가스분사공간(530)을 통과하면서 반응가스에 의한 처리공정이 이루어질 수 있다.
상술한 바와 같은 공정들을 통해, 상기 공간분할처리공정은 상기 기판(S)에 대한 처리공정을 수행할 수 있다. 상기 공간분할처리공정은 상기 퍼지가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 공정을 추가로 포함할 수 있다.
상기 퍼지가스공간에 퍼지가스를 분사하는 공정은, 상기 퍼지가스분사모듈(54)이 상기 퍼지가스분사공간(540, 540')에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 퍼지가스공간에 퍼지가스를 분사하는 공정, 상기 제1가스분사공간에 소스가스를 분사하는 공정, 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 공정, 및 상기 제3가스분사공간에 반응가스를 분사하는 공정은, 동시에 수행될 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서 상기 제1가스분사공간(510) 및 상기 제3가스분사공간(530)이 퍼지가스에 의해 공간적으로 구획되는 구획력이 증대된 상태에서, 기판(S)들은 상기 제1가스분사공간(510)을 통과하면서 소스가스에 의한 처리공정이 이루어짐과 아울러 상기 제3가스분사공간(530)을 통과하면서 반응가스에 의한 처리공정이 이루어질 수 있다.
여기서, 본 발명의 또 다른 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 상기 시분할처리공정에 대해 다음과 같이 변형된 실시예들을 포함할 수 있다.
도 18 및 도 19를 참고하면, 제1변형실시예에 따른 시분할처리공정은 다음과 같은 공정을 포함하도록 구현될 수 있다. 도 18 및 도 19에서 해칭이 표시된 부분은 직접적으로 공정가스가 분사되는 공간이고, 해칭이 표시되지 않은 부분은 직접적으로 공정가스가 분사되지 않는 공간이다.
우선, 도 18에 도시된 바와 같이 상기 제1가스분사공간(510)에만 소스가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 제1가스분사모듈(51)만이 상기 제1가스분사공간(510)에 소스가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서는 상기 제1가스분사모듈(51)로부터 분사된 소스가스를 이용한 기판처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제1가스분사공간에만 소스가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다. 상기 제1가스분사공간에만 소스가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 제2가스분사모듈(52), 상기 제3가스분사모듈(53), 및 상기 퍼지가스분사모듈(54)은 가스를 분사하지 않는다.
다음, 소스가스를 퍼지한다. 이러한 공정은 상기 가스공급부(5)가 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 소스가스를 퍼지하는 공정은 상기 퍼지가스분사모듈(54)이 상기 퍼지가스분사공간(540)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 소스가스를 퍼지하는 공정은 상기 제1가스분사공간(510), 상기 제2가스분사공간(520), 상기 제3가스분사공간(530), 상기 퍼지가스분사공간(540) 중에서 적어도 하나에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수도 있다. 상기 소스가스를 퍼지하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
다음, 도 19에 도시된 바와 같이 상기 제3가스분사공간(530)에만 반응가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 제3가스분사모듈(53)만이 상기 제3가스분사공간(530)에 반응가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서는 상기 제3가스분사모듈(53)로부터 분사된 반응가스를 이용한 기판처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제3가스분사공간에만 반응가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다. 상기 제3가스분사공간에만 반응가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 제1가스분사모듈(51), 상기 제2가스분사모듈(52), 및 상기 퍼지가스분사모듈(54)은 가스를 분사하지 않는다.
다음, 반응가스를 퍼지한다. 이러한 공정은 상기 가스공급부(5)가 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 반응가스를 퍼지하는 공정은 상기 퍼지가스분사모듈(54)이 상기 퍼지가스분사공간(540)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 반응가스를 퍼지하는 공정은 상기 제1가스분사공간(510), 상기 제2가스분사공간(520), 상기 제3가스분사공간(530), 상기 퍼지가스분사공간(540) 중에서 적어도 하나에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수도 있다. 상기 반응가스를 퍼지하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
도 20 및 도 21을 참고하면, 제2변형실시예에 따른 시분할처리공정은 다음과 같은 공정을 포함하도록 구현될 수 있다. 도 20 및 도 21에서 해칭이 표시된 부분은 직접적으로 공정가스가 분사되는 공간이고, 해칭이 표시되지 않은 부분은 직접적으로 공정가스가 분사되지 않는 공간이다.
우선, 도 20에 도시된 바와 같이 상기 제2가스분사공간(520)에만 소스가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 제2가스분사모듈(52)만이 상기 제2가스분사공간(520)에 소스가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서는 상기 제2가스분사모듈(52)로부터 분사된 소스가스를 이용한 기판처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제2가스분사공간에만 소스가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다. 상기 제2가스분사공간에만 소스가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 제1가스분사모듈(51), 상기 제3가스분사모듈(53), 및 상기 퍼지가스분사모듈(54)은 가스를 분사하지 않는다.
다음, 소스가스를 퍼지한다. 이러한 공정은 상기 가스공급부(5)가 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 소스가스를 퍼지하는 공정은 상기 퍼지가스분사모듈(54)이 상기 퍼지가스분사공간(540)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 소스가스를 퍼지하는 공정은 상기 제1가스분사공간(510), 상기 제2가스분사공간(520), 상기 제3가스분사공간(530), 상기 퍼지가스분사공간(540) 중에서 적어도 하나에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수도 있다. 상기 소스가스를 퍼지하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
다음, 도 21에 도시된 바와 같이 상기 제2가스분사공간(520)에만 반응가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 제2가스분사모듈(52)만이 상기 제2가스분사공간(520)에 반응가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서는 상기 제2가스분사모듈(52)로부터 분사된 반응가스를 이용한 기판처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제2가스분사공간에만 반응가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다. 상기 제2가스분사공간에만 반응가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 제1가스분사모듈(51), 상기 제3가스분사모듈(53), 및 상기 퍼지가스분사모듈(54)은 가스를 분사하지 않는다.
다음, 반응가스를 퍼지한다. 이러한 공정은 상기 가스공급부(5)가 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 반응가스를 퍼지하는 공정은 상기 퍼지가스분사모듈(54)이 상기 퍼지가스분사공간(540)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 반응가스를 퍼지하는 공정은 상기 제1가스분사공간(510), 상기 제2가스분사공간(520), 상기 제3가스분사공간(530), 상기 퍼지가스분사공간(540) 중에서 적어도 하나에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수도 있다. 상기 반응가스를 퍼지하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
도 22 및 도 23을 참고하면, 제3변형실시예에 따른 시분할처리공정은 다음과 같은 공정을 포함하도록 구현될 수 있다. 도 20 및 도 23에서 해칭이 표시된 부분은 직접적으로 공정가스가 분사되는 공간이고, 해칭이 표시되지 않은 부분은 직접적으로 공정가스가 분사되지 않는 공간이다.
우선, 도 22에 도시된 바와 같이 상기 제1가스분사공간(510), 상기 제2가스분사공간(520), 및 상기 제3가스분사공간(530) 모두에 소스가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 제1가스분사모듈(51), 상기 제2가스분사모듈(52), 및 상기 제3가스분사모듈(53)이 상기 제1가스분사공간(510), 상기 제2가스분사공간(520), 및 상기 제3가스분사공간(530) 각각에 소스가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서는 상기 제1가스분사모듈(51), 상기 제2가스분사모듈(52), 및 상기 제3가스분사모듈(53) 각각으로부터 분사된 소스가스를 이용한 기판처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제1가스분사공간, 상기 제2가스분사공간, 및 상기 제3가스분사공간 모두에 소스가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다. 상기 제1가스분사공간, 상기 제2가스분사공간, 및 상기 제3가스분사공간 모두에 소스가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 퍼지가스분사모듈(54)은 가스를 분사하지 않는다.
다음, 소스가스를 퍼지한다. 이러한 공정은 상기 가스공급부(5)가 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 소스가스를 퍼지하는 공정은 상기 퍼지가스분사모듈(54)이 상기 퍼지가스분사공간(540)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 소스가스를 퍼지하는 공정은 상기 제1가스분사공간(510), 상기 제2가스분사공간(520), 상기 제3가스분사공간(530), 상기 퍼지가스분사공간(540) 중에서 적어도 하나에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수도 있다. 상기 소스가스를 퍼지하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
다음, 도 23에 도시된 바와 같이 상기 제1가스분사공간(510), 상기 제2가스분사공간(520), 및 상기 제3가스분사공간(530) 모두에 반응가스를 분사한다. 이러한 공정은 상기 제1가스분사모듈(51), 상기 제2가스분사모듈(52), 및 상기 제3가스분사모듈(53)이 상기 제1가스분사공간(510), 상기 제2가스분사공간(520), 및 상기 제3가스분사공간(530) 각각에 반응가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2) 내에서는 상기 제1가스분사모듈(51), 상기 제2가스분사모듈(52), 및 상기 제3가스분사모듈(53) 각각으로부터 분사된 반응가스를 이용한 기판처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제1가스분사공간, 상기 제2가스분사공간, 및 상기 제3가스분사공간 모두에 반응가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다. 상기 제1가스분사공간, 상기 제2가스분사공간, 및 상기 제3가스분사공간 모두에 반응가스를 분사하는 공정이 수행되는 동안, 상기 퍼지가스분사모듈(54)은 가스를 분사하지 않는다.
다음, 반응가스를 퍼지한다. 이러한 공정은 상기 가스공급부(5)가 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 반응가스를 퍼지하는 공정은 상기 퍼지가스분사모듈(54)이 상기 퍼지가스분사공간(540)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 반응가스를 퍼지하는 공정은 상기 제1가스분사공간(510), 상기 제2가스분사공간(520), 상기 제3가스분사공간(530), 상기 퍼지가스분사공간(540) 중에서 적어도 하나에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수도 있다. 상기 반응가스를 퍼지하는 공정이 수행되는 동안, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(S)들을 회전경로를 따라 회전시킬 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

Claims (16)

  1. 제1가스분사공간에 제1가스를 분사하는 제1가스분사모듈;
    상기 제1가스분사공간과 상이한 제2가스분사공간에 처리가스를 분사하는 제2가스분사모듈; 및
    상기 제1가스분사공간 및 상기 제2가스분사공간 각각과 상이한 제3가스분사공간에 제2가스를 분사하는 제3가스분사모듈을 포함하고,
    상기 제2가스분사모듈은 상기 제1가스분사모듈이 상기 제1가스를 분사할 때 상기 제2가스분사공간에 상기 제1가스를 분사하고, 상기 제3가스분사모듈이 상기 제2가스를 분사할 때 상기 제2가스분사공간에 상기 제2가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 가스분사장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1가스분사공간, 상기 제2가스분사공간, 및 상기 제3가스분사공간과 상이한 퍼지가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스분사모듈을 포함하고,
    상기 제2가스분사모듈은 상기 퍼지가스분사모듈이 퍼지가스를 분사할 때 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 가스분사장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1가스분사모듈 및 상기 제2가스분사모듈은 각각 플라즈마를 이용하여 상기 제1가스를 활성화시켜서 분사하고,
    상기 제3가스분사모듈 및 상기 제2가스분사모듈은 각각 플라즈마를 이용하여 상기 제2가스를 활성화시켜서 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 가스분사장치.
  4. 공정챔버;
    복수개의 기판을 지지하도록 상기 공정챔버 내에 설치되고, 회전축을 중심으로 회전하는 기판지지부;
    상기 공정챔버의 상부를 덮는 챔버리드; 및
    상기 챔버리드에 설치되어서 상기 기판지지부 쪽으로 처리가스를 분사하는 가스분사부를 포함하고,
    상기 가스분사부는 상기 챔버리드에 설치되어서 소스가스를 분사하는 제1가스분사모듈, 상기 제1가스분사모듈로부터 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치된 제2가스분사모듈, 및 상기 제1가스분사모듈과 상기 제2가스분사모듈 각각으로부터 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치되어서 반응가스를 분사하는 제3가스분사모듈을 포함하며,
    상기 제2가스분사모듈은 상기 제1가스분사모듈이 소스가스를 분사할 때 소스가스를 분사하고, 상기 제3가스분사모듈이 반응가스를 분사할 때 반응가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 가스분사부는 상기 제1가스분사모듈, 상기 제2가스분사모듈, 및 상기 제3가스분사모듈 각각으로부터 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치된 퍼지가스분사모듈을 포함하고,
    상기 제2가스분사모듈은 상기 퍼지가스분사모듈이 퍼지가스를 분사할 때 퍼지가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제2가스분사모듈은 상기 기판지지부의 회전축으로부터 상측으로 이격된 위치에 배치되도록 상기 챔버리드에 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 기판지지부는 상기 기판들이 회전경로를 따라 이동하도록 상기 회전축을 중심으로 회전하고,
    상기 제1가스분사모듈 및 상기 제3가스분사모듈은 상기 기판들의 회전경로에 대해 중첩(重疊)되도록 상기 챔버리드에 설치되며,
    상기 제2가스분사모듈은 상기 기판들의 회전경로에 대해 중첩되지 않도록 상기 챔버리드에 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 공정챔버 내에 처리가스를 분사하여 기판을 처리하는 방법으로,
    상기 공정챔버의 제1가스분사공간과 상기 제1가스분사공간에 인접한 제2가스분사공간에 소스가스를 분사하는 단계;
    상기 소스가스를 퍼지하는 단계;
    상기 제1가스분사공간과 상이한 제3가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 반응가스를 분사하는 단계; 및
    상기 반응가스를 퍼지하는 단계를 포함하는 기판처리방법.
  9. 공정챔버 내에 처리가스를 분사하여 기판을 처리하는 방법으로,
    상기 공정챔버의 제1가스분사공간과 상기 제1가스분사공간에 인접한 제2가스분사공간에 소스가스를 분사하는 단계;
    상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 단계; 및
    상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 반응가스를 분사하는 단계를 포함하는 기판처리방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 반응가스를 분사한 후에, 상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  11. 공정챔버 내에 처리가스를 분사하여 기판을 처리하는 방법으로,
    공정챔버 내에 시간에 따라 처리가스를 변경하여 분사하는 시분할모드로 기판을 처리하는 시분할처리단계; 및
    상기 공정챔버 내에 공간별로 상이한 처리가스를 분사하는 공간분할모드로 기판을 처리하는 공간분할처리단계를 포함하는 기판처리방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 시분할처리단계 및 상기 공간분할처리단계를 교대로 반복하여 수행하는 반복처리단계를 포함하는 기판처리방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 시분할처리단계는
    상기 공정챔버의 제1가스분사공간과 상기 제1가스분사공간에 인접한 제2가스분사공간에 소스가스를 분사하는 단계;
    상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 단계;
    상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 반응가스를 분사하는 단계; 및
    상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 시분할처리단계는
    상기 공정챔버의 제1가스분사공간과 상기 제1가스분사공간에 인접한 제2가스분사공간에 소스가스를 분사하는 단계;
    상기 소스가스를 퍼지하는 단계;
    상기 제1가스분사공간과 상이한 제3가스분사공간과 상기 제2가스분사공간에 반응가스를 분사하는 단계; 및
    상기 반응가스를 퍼지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 공간분할처리단계는 상기 공정챔버의 제1가스분사공간에 소스가스를 분사하는 단계, 상기 제1가스분사공간에 인접한 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 단계, 및 상기 제1가스분사공간과 상기 제2가스분사공간 각각과 상이한 제3가스분사공간에 반응가스를 분사하는 단계를 포함하고,
    상기 제1가스분사공간에 소스가스를 분사하는 단계, 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 단계, 및 상기 제3가스분사공간에 반응가스를 분사하는 단계는 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 공간분할처리단계는 상기 제1가스분사공간, 상기 제3가스분사공간, 및 상기 제2가스분사공간과 상이한 퍼지가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 단계를 포함하고,
    상기 제1가스분사공간에 소스가스를 분사하는 단계, 상기 제2가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 단계, 상기 제3가스분사공간에 반응가스를 분사하는 단계, 및 상기 퍼지가스분사공간에 퍼지가스를 분사하는 단계는 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030002776A (ko) * 2001-06-29 2003-01-09 주식회사 하이닉스반도체 박막 증착 장비
KR20100127741A (ko) * 2008-03-27 2010-12-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가스 공급 장치, 처리 장치, 처리 방법, 및 기억 매체
KR20110138820A (ko) * 2010-06-22 2011-12-28 주식회사 원익아이피에스 박막증착방법
KR20130074414A (ko) * 2011-12-26 2013-07-04 주식회사 원익아이피에스 박막 제조방법 및 그 제조장치
KR20130118603A (ko) * 2012-04-20 2013-10-30 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030002776A (ko) * 2001-06-29 2003-01-09 주식회사 하이닉스반도체 박막 증착 장비
KR20100127741A (ko) * 2008-03-27 2010-12-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가스 공급 장치, 처리 장치, 처리 방법, 및 기억 매체
KR20110138820A (ko) * 2010-06-22 2011-12-28 주식회사 원익아이피에스 박막증착방법
KR20130074414A (ko) * 2011-12-26 2013-07-04 주식회사 원익아이피에스 박막 제조방법 및 그 제조장치
KR20130118603A (ko) * 2012-04-20 2013-10-30 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치

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