TWI769284B - 氣體散佈裝置、基板處理設備及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明系有關一基板處理設備的一種氣體散佈設備、一基板處理設備及一基板處理方法。氣體散佈設備包含一第一氣體散佈模組以及一第二氣體散佈模組，第一氣體散佈模組散佈一加工氣體至一第一氣體散佈空間，第二氣體散佈模組散佈一加工氣體至不同於第一氣體散佈空間的一第二氣體散佈空間。

Description

氣體散佈裝置、基板處理設備及基板處理方法
本發明係關於一種可在基板上執行沉積薄膜之沉積處理等基板處理程序的基板處理設備。
一般而言，為了製造太陽能電池、半導體裝置、平板顯示裝置等等，需於基板上形成一薄膜層、一薄膜電路圖案或一光學圖案。為此，需執行半導體製造加工程序，例如沉積特定材料之薄膜於基板上的薄膜沉積加工程序、利用感光材料選擇性地曝光部分薄膜的感光加工程序、及移除薄膜選擇性曝光的部分以形成圖案的蝕刻加工程序等等。
圖1為先前技術之基板處理設備的側面示意圖。
請參閱圖1，先前技術之基板處理設備10包含一基板支撐單元11以及一氣體散佈單元12。
基板支撐單元11支撐一基板S。基板支撐單元11相對一旋轉軸11a旋轉而令基板S相對旋轉軸11a旋轉。
氣體散佈單元12朝基板支撐單元11散佈一處理氣體。氣體散佈單元12朝由基板支撐單元11支撐的基板S散佈處理氣體，進而執行於基板S上沉積薄膜的處理程序。
於此，於先前技術之基板處理設備10中，根據基板支撐單元11的轉動所產生的一離心力作用於氣體散佈單元12所散佈的處理氣體。因此，薄膜相對以較薄之厚度沉積於基板S的內部。基板S的內部為以從基板S自基板支撐單元11之旋轉軸11a的方向設置的部份。
因此，於先前技術的基板處理設備10中，因為相對以較薄之厚度沉積於基板S的內部，使得薄膜沉積於基板S上的均勻度降低，進而使經過前述處理程序之基板的品質劣化。
本發明所提出的實施例可用以解決上述問題，且提供了用於基板處理設備之一氣體散佈設備、一基板處理設備及一基板處理方法，以降低相對以較薄之厚度沉積於基板內部之薄膜的量。
為了達成上述目標，本發明可包含下述元件。
根據本發明之一基板處理設備之一氣體散佈設備可包含：散佈一第一氣體至一第一氣體散佈空間的一第一氣體散佈模組;散佈一加工氣體至不同於第一氣體散佈空間的第二氣體散佈空間的一第二氣體散佈模組;及散佈一第二氣體至不同於每一第一氣體散佈空間及第二氣體散佈空間的一第三氣體散佈空間的第三氣體散佈模組。當第一氣體散佈模組散佈第一氣體，第二氣體散佈模組可散佈第一氣體至第二氣體散佈空間，且當第三氣體散佈模組散佈第二氣體，第二氣體散佈模組可散佈第二氣體至第二氣體散佈空間。
根據本發明之一基板處理設備的一氣體散佈設備可包含：散佈一加工氣體至一第一氣體散佈空間的一第一氣體散佈模組;散佈一加工氣體至不同於第一氣體散佈空間的一第二氣體散佈空間的一第二氣體散佈模組。當第一氣體散佈模組散佈加工氣體至第一氣體散佈空間，第二氣體散佈模組可散佈與第一氣體散佈模組所散佈之加工氣體相同的一加工氣體至第二氣體散佈空間。
根據本發明之一基板處理設備可包含：一處理容器;一基板支撐單元，安裝於處理容器中以支撐多個基板，基板支撐單元相對一旋轉軸旋轉;一容器蓋，覆蓋處理容器的一頂部;及一氣體散佈單元，安裝於容器蓋中以散佈一加工氣體至基板支撐單元。氣體散佈單元可包含安裝於容器蓋中以散佈一來源氣體的一第一氣體散佈模組、安裝於容器蓋中且分隔於第一氣體散佈模組的一第二氣體散佈模組以及安裝於容器蓋中以分隔於每一第一氣體散佈模組及第二氣體散佈模組而散佈一反應氣體的一第三氣體散佈模組。當第一氣體散佈模組散佈來源氣體，第二氣體散佈模組可散佈來源氣體，且當第三氣體散佈模組散佈反應氣體，第二氣體散佈模組可散佈反應氣體。
根據本發明之一基板處理設備可包含：一處理容器;一基板支撐單元，安裝於處理容器中以支撐多個基板，且基板支撐單元相對一旋轉軸旋轉;一容器蓋，覆蓋處理容器的一頂部;及一氣體散佈單元，安裝於容器蓋中以散佈一加工氣體至基板支撐單元。氣體散佈單元可包含安裝於容器蓋中以散佈一來源氣體的一第一氣體散佈模組及安裝於容器蓋中且分隔於第一氣體散佈模組的一第二氣體散佈模組。當第一氣體散佈模組散佈一加工氣體，第二氣體散佈模組可散佈與第一氣體散佈模組所散佈之加工氣體相同的一加工氣體。
根據本發明之一種基板處理方法，係一種藉由散佈一加工氣體至一處理容器內部的基板處理方法。基板處理方法可包含：散佈一來源氣體至處理容器的一第一氣體散佈空間及相鄰於第一氣體散佈空間的一第二氣體散佈空間;排出來源氣體;散佈一反應氣體至第二氣體散佈空間及不同於第一氣體散佈空間的一第三氣體散佈空間;及排出反應氣體。
根據本發明之一種基板處理方法，係一種藉由散佈一加工氣體至一處理容器內部的基板處理方法。基板處理方法可包含：散佈一來源氣體至處理容器的一第一氣體散佈空間及相鄰於第一氣體散佈空間的一第二氣體散佈空間;散佈一清除氣體至第一氣體散佈空間及第二氣體散佈空間;及散佈一反應氣體至第一氣體散佈空間及第二氣體散佈空間。
根據本發明之一種基板處理方法，係一種藉由散佈一加工氣體至一處理容器內部的基板處理方法。基板處理方法可包含：執行一時間分割處理程序而以隨時間改變及散佈處理容器中的加工氣體的一時間分割模式來處理基板;及執行一空間分割處理程序而以對處理容器中的空間散佈不同之加工氣體的一空間分割模式來處理基板。
本發明可具有以下功效。
實施本發明可優化沉積於基板上之薄膜的均勻度，進而優化經過處理程序之基板的品質。
本發明可減少因不同處理氣體在基板上執行處理程序及排放處理氣體時混合而產生的微粒，進而優化處理程序的穩定性。
以下，將參照圖式詳細說明根據本發明之一基板處理設備的各實施例。根據本發明之用於這些基板處理設備之一氣體散佈設備可被包含於根據本發明之一基板處理設備中，因此，將一併描述氣體散佈設備及根據本發明之基板處理設備的實施例。
請參閱圖2，根據本發明之一基板處理設備1於一基板S上執行一處理程序。舉例來說，根據本發明之基板處理設備1可執行沉積一薄膜於基板S上的一沉積加工。根據本發明之基板處理設備1包含一處理容器2、安裝於處理容器2中的一基板支撐單元3、覆蓋處理容器2的頂部的容器蓋4、以及安裝於容器蓋4中以散佈處理氣體的一氣體散佈單元5。
請參閱圖2，處理容器2提供執行處理程序的一處理空間。基板支撐單元3及容器蓋4可安裝於處理容器2中。用於排放殘留於處理空間中的氣體及/或相似物的排放單元可安裝於處理容器2中。
請參閱圖2及圖3，基板支撐單元3支撐多個基板S。這些基板S由安裝於處理容器2外的承載設備(未繪示)所輸送。這些基板S可為半導體基板或晶圓。
基板支撐單元3可被安裝於處理容器2中以位於處理容器2中。基板支撐單元3可被可轉動地安裝於處理容器2中。基板支撐單元3可相對一第一旋轉方向R1(圖式中R1箭頭方向)旋轉。第一旋轉方向R1(圖式中R1箭頭方向)可相對基板支撐單元3的一旋轉軸為一順時針或逆時針方向。如此一來，這些基板S可由基板支撐單元3支撐而彼此分隔並以相同的角度沿第一旋轉方向R1(圖式中R1箭頭方向)相對基板支撐單元3的旋轉軸排列。
請參閱圖2及圖3，容器蓋4被安裝於處理容器2中以覆蓋處理容器2的頂部。因此，容器蓋4可密封處理空間。如圖2所示，容器蓋4及處理容器2可以六角形結構呈現，但本發明並不以此為限，於其他實施例中也可以圓柱形結構、橢圓形結構或多邊形結構等等相似的結構呈現容器蓋及處理容器。
請參閱圖2至圖5，氣體散佈單元5散佈一處理氣體。氣體散佈單元5可當作用於根據本發明之基板處理設備之一氣體散佈設備實施。氣體散佈單元5可被安裝於容器蓋4中以朝基板支撐單元3散佈處理氣體。因此，氣體散佈單元5可朝由基板支撐單元3支撐的這些基板S散佈處理氣體。氣體散佈單元5可被安裝於容器蓋4中且可被設置於基板支撐單元3上。
氣體散佈單元5可包含一第一氣體散佈模組51、一第二氣體散佈模組52及一第三氣體散佈模組53。以下，將依序詳細描述第一氣體散佈模組51、第二氣體散佈模組52及第三氣體散佈模組53。「第一」、「第二」及「第三」之用詞係用於分辨不同的元件且上述之用詞並非用以限定本發明之專利範圍。
第一氣體散佈模組51散佈處理氣體之一第一氣體。第一氣體可為一來源氣體。第一氣體散佈模組51被安裝於容器蓋4中。安裝有第一氣體散佈模組51的一第一安裝孔41(繪示於圖2中)可位於容器蓋4中。第一氣體散佈模組51可被插入第一安裝孔41中而可被安裝於容器蓋4中。第一安裝孔41可貫穿容器蓋4。
第一氣體散佈模組51可安裝於容器蓋4中以朝基板支撐單元3散佈第一氣體。第一氣體散佈模組51可安裝於容器蓋4中且可設置於基板支撐單元3上。當基板支撐單元3相對旋轉軸旋轉，由基板支撐單元3支撐的這些基板S可依序通過第一氣體散佈模組51的一底部。
第一氣體散佈模組51可散佈第一氣體至一第一氣體散佈空間510。於此情況中，基板支撐單元3可沿第一旋轉方向R1(圖式中R1箭頭方向)旋轉，而可使由基板支撐單元3支撐的這些基板S通過第一氣體散佈空間510。因此，第一氣體散佈模組51可朝設置於第一氣體散佈空間510中的基板S散佈第一氣體。第一氣體散佈空間510可被設置於第一氣體散佈模組51及基板支撐單元3之間。
當第一氣體散佈模組51散佈第一氣體至第一氣體散佈空間510，第一氣體可由第一氣體散佈空間510被擴散至第一氣體散佈空間510的外側部。因此，由於第一氣體散佈模組51散佈第一氣體，整個處理空間可充滿第一氣體。因此，第一氣體散佈模組51可被實施而藉由散佈第一氣體至第一氣體散佈空間510，令利用第一氣體所執行的處理程序執行於由基板支撐單元3支撐的所有這些基板S上。因此，第一氣體散佈模組51可被實施而集中地於設置在第一氣體散佈空間510中的基板S上利用第一氣體執行處理程序且於設置於第一氣體散佈空間510外的這些基板S上執行利用第一氣體的處理程序。因此，根據本發明之基板處理設備1可縮短利用第一氣體的處理程序的處理時間。
第一氣體散佈模組51可連結於一氣體供應單元100(繪示於圖5中)。氣體供應單元100提供處理氣體至氣體散佈單元5。氣體供應單元100可包含提供第一氣體之一第一氣體供應源110(繪示於圖5中)。第一氣體散佈模組51可由第一氣體供應源110被提供第一氣體，並可將被提供的第一氣體再提供至第一氣體散佈空間510。第一氣體散佈模組51可藉由管、筒或相似的媒介連接於第一氣體供應源110。
第三氣體散佈模組53散佈處理氣體的一第二氣體。第二氣體為不同於第一氣體的處理氣體，且可為一反應氣體。第三氣體散佈模組53被安裝於容器蓋4中。第三氣體散佈模組53被安裝於容器蓋4中並分隔於第一氣體散佈模組51。安裝有第三氣體散佈模組53的一第三安裝孔43(繪示於圖2中)可位於容器蓋4中。第三氣體散佈模組53可插入第三安裝孔43中而可被安裝於容器蓋4中。第三安裝孔43可貫穿容器蓋4。
第三氣體散佈模組53可被安裝於容器蓋4中以朝基板支撐單元3散佈第二氣體。第三氣體散佈模組53可被安裝於容器蓋4中且可被設置於基板支撐單元3上。當基板支撐單元3相對旋轉軸旋轉，由基板支撐單元3支撐的這些基板S可依序通過第三氣體散佈模組53之底部及第一氣體散佈模組51之底部。
第三氣體散佈模組53可散佈第二氣體至一第三氣體散佈空間530。第三氣體散佈空間530不同於第一氣體散佈空間510。第三氣體散佈空間530及第一氣體散佈空間510可被設置而彼此以第三氣體散佈模組53及第一氣體散佈模組51之間的一分隔距離分隔。如此一來，基板支撐單元3可沿第一旋轉方向R1(圖式中R1箭頭方向)旋轉，而令由基板支撐單元3支撐的這些基板S可通過第三氣體散佈空間530。因此，第三氣體散佈模組53可朝設置於第三氣體散佈空間530中的基板S散佈第二氣體。第三氣體散佈空間530可被設置於第三氣體散佈模組53及基板支撐單元3之間。
當第三氣體散佈模組53散佈第二氣體至第三氣體散佈空間530，第二氣體可藉由第三氣體散佈空間530被擴散至第三氣體散佈空間530的外側部。因此，由於第二氣體被第三氣體散佈模組53散佈，整個處理空間可充滿第二氣體。因此，第三氣體散佈模組53可被實施而藉由散佈第二氣體至第三氣體散佈空間530，令利用第二氣體執行的處理程序執行於由基板支撐單元3支撐的所有這些基板S上。因此，第三氣體散佈模組53可被實施而於設置在第三氣體散佈空間530中的基板S上集中地執行利用第二氣體的處理程序，及於設置於第三氣體散佈空間530外的這些基板S 上執行利用第二氣體的處理程序。因此，根據本發明之基板處理設備1可縮短利用第二氣體之處理程序的處理時間。
當第三氣體散佈模組53散佈第二氣體，第一氣體散佈模組51可停止第一氣體的散佈。當第一氣體散佈模組51散佈第一氣體，第三氣體散佈模組53可停止第二氣體的散佈。因此，根據本發明之基板處理設備1可減少因第一氣體及第二氣體於加工過程及排放處理氣體的過程中被混合而產生的微粒。另外，根據本發明之基板處理設備1可防止基板S的品質因第一氣體及第二氣體的混合而劣化。
第三氣體散佈模組53可連接至氣體供應單元100。氣體供應單元100可包含供應第二氣體之一第二氣體供應源120(繪示於圖5中)。第三氣體散佈模組53可由第二氣體供應源120被提供第二氣體，並可將被提供的第二氣體提供至第三氣體散佈空間530。第三氣體散佈模組53可藉由管、筒或相似的媒介連接於第二氣體供應源120。
第二氣體散佈模組52散佈處理氣體。當氣體散佈單元5包含第一氣體散佈模組51及第三氣體散佈模組53，第二氣體散佈模組52可選擇性地散佈第一氣體及第二氣體其中一者。當第一氣體散佈模組51散佈第一氣體，第二氣體散佈模組52可散佈第一氣體。因此，根據本發明之基板處理設備1可增加處理空間中第一氣體散佈的區域以優化利用第一氣體之處理程序之效率。當第三氣體散佈模組53散佈第二氣體，第二氣體散佈模組52可散佈第二氣體。因此，根據本發明之基板處理設備1可增加處理空間中第二氣體散佈的區域以優化利用第二氣體之處理程序的效率。
第二氣體散佈模組52被安裝於容器蓋4中。第二氣體散佈模組52被安裝於容器蓋4中且分隔於第一氣體散佈模組51及第三氣體散佈模組53。安裝有第二氣體散佈模組52的一第二安裝孔42(繪示於圖2中)可位於容器蓋4中。第二氣體散佈模組52可被插入第二安裝孔42中，而可被安裝於容器蓋4中。第二安裝孔42可貫穿容器蓋4。
第二氣體散佈模組52可散佈處理氣體至一第二氣體散佈空間520。第二氣體散佈空間520不同於第一氣體散佈空間510及第三氣體散佈空間530。第二氣體散佈空間520可被設置而以一分隔距離與第一氣體散佈空間510及第三氣體散佈空間530彼此分隔。第二氣體散佈空間520可與第一氣體散佈空間510相鄰。第二氣體散佈空間520可相鄰於第三氣體散佈空間530。第三氣體散佈空間530可不同於每一第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520。第二氣體散佈空間520可被設置而位於第一氣體散佈空間510及第三氣體散佈空間530之間。
第二氣體散佈模組52可被安裝於容器蓋4中以朝基板支撐單元3散佈處理氣體。第二氣體散佈模組52可被安裝於容器蓋4中且可被設置於基板支撐單元3上。第二氣體散佈模組52可被設置於第二氣體散佈模組52及基板支撐單元3之間。
第二氣體散佈模組52可被安裝於容器蓋4中且不重疊於這些基板S的旋轉路徑。這些基板S的旋轉路徑係指這些基板S根據基板支撐單元3相對旋轉軸旋轉所經過的路經。因為第二氣體散佈模組52被設置而不重疊於這些基板S的旋轉路徑，所以這些基板S沿旋轉路徑移動且不會通過第二氣體散佈模組52的底部。如此一來，第一氣體散佈模組51及第三氣體散佈模組53可被安裝於容器蓋4中以重疊於這些基板S的旋轉路徑。因此，這些基板S沿旋轉路徑移動且經過第一氣體散佈模組51的底部及第三氣體散佈模組53的底部。
第二氣體散佈模組52可被安裝於容器蓋4中且可被設置於無設置基板且向上地分隔於基板支撐單元3之中心的位置。於此情況中，第一氣體散佈模組51及第三氣體散佈模組53可被安裝於容器蓋4中且可被設置於向上地分隔於基板支撐單元3之中心之外側部的位置。
第二氣體散佈模組52可被安裝於容器蓋4中且可被設置於向上地分隔於基板支撐單元3之旋轉軸的位置。第二氣體散佈空間520可被設置而位於第二氣體散佈模組52及基板支撐單元3之間。當第二氣體散佈模組52散佈處理氣體至第二氣體散佈空間520，處理氣體可藉由第二氣體散佈空間520擴散至第二氣體散佈空間520的一外側部。
當第二氣體散佈模組52散佈第一氣體至第二氣體散佈空間520，第一氣體可擴散至第一氣體散佈空間510。於此情況中，第二氣體散佈模組52的第一氣體可被提供至設置於第一氣體散佈空間510中的基板S的內部。基板S的內部為沿著從基板S至基板支撐單元3的旋轉軸方向設置的一部份。因此，相較於僅利用第一氣體散佈模組51散佈第一氣體至第一氣體散佈空間510的比較範例，根據本發明之基板處理設備1可增加第一氣體提供至基板S內部的流速。因此，相較於薄板相對以較薄之厚度沉積於基板內部的比較範例，根據本發明之基板處理設備1可增加沉積於基板S內部之薄膜的厚度，進而優化薄膜沉積於基板S上的均勻度。
當第二氣體散佈模組52散佈第二氣體至第二氣體散佈空間520，第二氣體可擴散至第三氣體散佈空間530。於此情況中，由第二氣體散佈模組52散佈的第二氣體可被提供至位於第三氣體散佈空間530中的基板S的一內部。因此，相較於第二氣體僅利用第三氣體散佈模組53被散佈至第三氣體散佈空間530的比較例，根據本發明之基板處理設備1可增加第二氣體被提供至基板S之內部的流速。因此，相較於薄板相對以較薄之厚度沉積於基板內部的比較範例，根據本發明之基板處理設備1可增加沉積於基板S內部之薄膜的厚度，進而優化薄膜沉積於基板S上的均勻度。
由第二氣體散佈模組52散佈之一處理氣體可被擴散至包含第一氣體散佈空間510及第三氣體散佈空間530的整個處理空間。因此，第二氣體散佈模組52可協助使整個處理空間充滿處理氣體。因此，第二氣體散佈模組52可被實施而藉由散佈處理氣體至第二氣體散佈空間520，將利用處理氣體的處理程序執行於由基板支撐單元3支撐的所有這些基板S上。
當第一氣體散佈模組51散佈第一氣體，第二氣體散佈模組52可停止第二氣體的散佈且可散佈第一氣體。當第三氣體散佈模組53散佈第二氣體，第二氣體散佈模組52可停止第一氣體的散佈且可散佈第二氣體。因此，根據本發明之基板處理設備1可減少因第一氣體及第二氣體於加工過程及排放處理氣體的過程中被混合而產生的微粒。另外，根據本發明之基板處理設備1能防止基板S的品質因第一氣體及第二氣體的混合而劣化。
第二氣體散佈模組52可連接於氣體供應單元100。氣體供應單元100可連接於每一第一氣體供應源110及第二氣體供應源120。第二氣體散佈模組52可由第一氣體供應源110被提供第一氣體且可提供被提供的第一氣體至第二氣體散佈空間520。第二氣體散佈模組52可自第二氣體供應源120被提供第二氣體且可提供被提供的第二氣體至第二氣體散佈空間520。第二氣體散佈模組52可藉由管、筒等相似的媒介連接於每一第一氣體供應源110及第二氣體供應源120。
第二氣體散佈模組52可被安裝於容器蓋4中且可被設置而位於第一氣體散佈模組51及第三氣體散佈模組53之間。於此情況中，第一氣體散佈模組51可被安裝於容器蓋4中令第一氣體散佈模組51的一側分隔於第二氣體散佈模組52的位置。第三氣體散佈模組53可被安裝於容器蓋4中且可被設置於由第二氣體散佈模組52至另一側分隔的位置。因此，根據本發明之基板處理設備1可被實施而使由第二氣體散佈模組52散佈的處理氣體被提供至第一氣體散佈空間510及第三氣體散佈空間530。第二氣體散佈模組52、第一氣體散佈模組51及第三氣體散佈模組53可被安裝於容器蓋4中且可被設置於同一直線上。
第二氣體散佈模組52可被安裝於容器蓋4中且可被設置於與位於第一氣體散佈空間510中的基板S及位於第三氣體散佈空間530中的基板S分隔的位置。於此情況中，第二氣體散佈模組52可被實施而不會直接散佈處理氣體至位於第一氣體散佈空間510中的基板S及位於第三氣體散佈空間530中的基板S。因此，根據本發明之基板處理設備1防止薄膜以過厚之厚度沉積於位於第一氣體散佈空間510中之基板S的內部及位於第三氣體散佈空間530中之基板S的內部，進而優化沉積於每個基板S的薄膜之均勻度。
請參閱圖2至圖6，第二氣體散佈模組52可包含一第一氣體散佈元件521(繪示於圖6中)及一第二氣體散佈元件522(繪示於圖6中)。
第一氣體散佈元件521是用於散佈第一氣體。第一氣體散佈元件521可連接於第一氣體供應源110。第一氣體散佈元件521可由第一氣體供應源110被提供第一氣體且可散佈被提供的第一氣體至第二氣體散佈空間520。多個第一氣體散佈孔521a(繪示於圖6中)可位於第一氣體散佈元件521中。第一氣體散佈元件521藉由第一氣體散佈孔521a散佈第一氣體至第二氣體散佈空間520。這些第一氣體散佈孔521a可彼此分隔並以相同的間隔排列。於圖6中，第一氣體散佈元件521中繪示有六個第一氣體散佈孔521a，但本發明並不以此為限，第一氣體散佈元件521可包含兩個、五個、七個或更多個第一氣體散佈孔521a。第一氣體散佈元件521的外形可為圓盤形，但本發明並不以此為限，第一氣體散佈元件521的外形可為其他形狀例如四方形而能令第一氣體被散佈至第二氣體散佈空間520。
第二氣體散佈元件522是用於散佈第二氣體。第二氣體散佈元件522可連接於第二氣體供應源120。第二氣體散佈元件522可自第二氣體供應源120被提供第二氣體且散佈被提供的第二氣體至第二氣體散佈空間520。多個第二氣體散佈孔522a(繪示於圖6中)可位於第二氣體散佈元件522中。第二氣體散佈元件522可利用第二氣體散佈孔522a散佈第二氣體至第二氣體散佈空間520。第二氣體散佈孔522a可彼此分隔並以相同的間隔排列。圖6中，第二氣體散佈元件522中繪示有六個第二氣體散佈孔522a，但本發明並不以此為限，第二氣體散佈元件522可設有兩個、五個、七個或更多個第二氣體散佈孔522a。第二氣體散佈元件522的外形可為圓盤形，但本發明並不以此為限，第二氣體散佈元件522的外形可為其他形狀例如四方形以使第二氣體能被散佈至第二氣體散佈空間520。
第二氣體散佈元件522及第一氣體散佈元件521可被設置而散佈處理氣體至第二氣體散佈空間520中不同的空間。舉例而言，第一氣體散佈元件521可由第二氣體散佈元件522向內地被設置。舉例來說，第二氣體散佈元件522可由第一氣體散佈元件521向內地被設置。
第二氣體散佈模組52可藉由第二氣體散佈元件522及第一氣體散佈元件521選擇性地散佈第二氣體及第一氣體至第二氣體散佈空間520。當第一氣體散佈模組51及第一氣體散佈元件521散佈第一氣體，第二氣體散佈元件522可停止第二氣體的散佈。當第三氣體散佈模組53及第二氣體散佈元件522散佈第二氣體，第一氣體散佈元件521可停止第一氣體的散佈。
因此，根據本發明之基板處理設備1可被實施而使第一氣體及第二氣體不會於第二氣體散佈模組52中混合。因此，根據本發明之基板處理設備1可減少因第一氣體及第二氣體於加工過程及排放處理氣體的過程中混合而產生的微粒。另外，根據本發明之基板處理設備1可防止基板S的品質因第一氣體及第二氣體的混合而於加工過程中被劣化。
第二氣體散佈元件522及第一氣體散佈元件521可根據第一氣體散佈模組51及第三氣體散佈模組53是否散佈氣體而選擇性地提供處理氣體。當第一氣體散佈模組51散佈第一氣體，第一氣體散佈元件521可散佈第一氣體，且第二氣體散佈元件522可停止第二氣體的散佈。當第三氣體散佈模組53散佈第二氣體，第二氣體散佈元件522可散佈第二氣體，且第一氣體散佈元件521可停止第一氣體的散佈。第二氣體散佈模組52可包含一閥體或相似的結構且能被實施而藉由選擇性地開啟或關閉連接於第一氣體散佈元件521及第二氣體散佈元件522的流動路徑而選擇性地使第一氣體散佈元件521及第二氣體散佈元件522散佈處理氣體。
請參閱圖2至圖8，根據本發明之基板處理設備1可以下列之步驟操作而執行處理程序。於圖7及圖8中，繪示有剖面線的部分為處理氣體直接散佈到的空間，而未繪示剖面線的部分則為處理氣體不會直接散佈到的空間。於圖7及圖8中，繪示有被基板支撐單元3支撐的四個這些基板S，但本發明並不以此為限，基板支撐單元3也可支撐有兩個、三個、四個或更多個基板S。
如圖7所示，當第一氣體被散佈至第一氣體散佈空間510，第一氣體也可被散佈至第二氣體散佈空間520。於此情況中，第二氣體不會散佈至第三氣體散佈空間530。散佈至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520中的第一氣體中，較多的第一氣體被散佈至第一氣體散佈空間510中的基板S，但第一氣體可擴散至包含第三氣體散佈空間530的整個處理空間。
如圖8所示，當第二氣體被散佈至第三氣體散佈空間530，第二氣體也可被散佈至第二氣體散佈空間520。於此情況中，第一氣體不會被散佈至第一氣體散佈空間510。散佈至第三氣體散佈空間530及第二氣體散佈空間520的第二氣體中，較多的第二氣體被散佈至位於第三氣體散佈空間530中的基板S，但第二氣體可被擴散至包含第一氣體散佈空間510的整個處理空間中。
請參閱圖2至圖5，氣體散佈單元5可包含一清除氣體散佈模組54。
清除氣體散佈模組54散佈一清除氣體。清除氣體是用於排除處理空間中的處理氣體。處理空間中的處理氣體可因被清除氣體散佈模組54散佈的清除氣體藉由處理容器2排出。清除氣體散佈模組54被安裝於容器蓋4中。清除氣體散佈模組54被安裝於容器蓋4中而位於分隔於每一第一氣體散佈模組51、第三氣體散佈模組53及第二氣體散佈模組52的位置。安裝有清除氣體散佈模組54的一第四安裝孔44及44'(繪示於圖2中)可位於容器蓋4中。清除氣體散佈模組54可被插入第四安裝孔44及44'中，而可被安裝於容器蓋4中。第四安裝孔44及44'可貫穿容器蓋4。
清除氣體散佈模組54可被安裝於容器蓋4中以朝基板支撐單元3散佈清除氣體。清除氣體散佈模組54可被安裝於容器蓋4中以被設置於基板支撐單元3上。當基板支撐單元3相對旋轉軸旋轉，由基板支撐單元3支撐的這些基板S可依序通過位於清除氣體散佈模組54下的部分、位於第一氣體散佈模組51下的部分及位於第三氣體散佈模組53下的部分。
清除氣體散佈模組54可散佈清除氣體至一清除氣體散佈空間540。清除氣體散佈空間540、第二氣體散佈空間520、第三氣體散佈空間530及第一氣體散佈空間510為不同的空間。清除氣體散佈空間540、第二氣體散佈空間520、第三氣體散佈空間530及第一氣體散佈空間510可被設置於以一分隔距離彼此相間隔的位置。於此情況中，由基板支撐單元3支撐的這些基板S可根據基板支撐單元3旋轉於第一旋轉方向R1(圖式中R1箭頭方向)通過清除氣體散佈空間540。因此，清除氣體散佈模組54可朝位於清除氣體散佈空間540中的基板S散佈清除氣體。清除氣體散佈空間540可被設置於清除氣體散佈模組54及基板支撐單元3之間。
當清除氣體散佈模組54散佈清除氣體至清除氣體散佈空間540，清除氣體可藉由清除氣體散佈空間540被擴散至清除氣體散佈空間540外。因此，由於清除氣體被清除氣體散佈模組54散佈，整個處理空間可充滿清除氣體。因此，清除氣體散佈模組54可被實施而藉由散佈清除氣體至清除氣體散佈空間540，利用清除氣體對由基板支撐單元3支撐的所有基板S執行一排除加工。
當清除氣體散佈模組54散佈清除氣體，第一氣體散佈模組51及第三氣體散佈模組53可停止相對應之一處理氣體的散佈。當第一氣體散佈模組51散佈第一氣體，清除氣體散佈模組54可停止清除氣體的散佈。當第三氣體散佈模組53散佈第二氣體，清除氣體散佈模組54可停止清除氣體的散佈。
清除氣體散佈模組54可連接於氣體供應單元100。氣體供應單元100可包含供應清除氣體的一清除氣體供應源130(繪示於圖5中)。清除氣體散佈模組54可由清除氣體供應源130被提供清除氣體且可提供被提供的清除氣體至清除氣體散佈空間540。清除氣體散佈模組54可藉由管、筒或相似的媒介連接於清除氣體供應源130。
在設有清除氣體散佈模組54的情況中，當清除氣體散佈模組54散佈清除氣體，第二氣體散佈模組52可散佈清除氣體。因此，根據本發明之基板處理設備1可增加處理空間中清除氣體能散佈到的區域以優化利用清除氣體的排除加工的效率。
在設有清除氣體散佈模組54的情況中，第二氣體散佈模組52可包含一清除氣體散佈元件523(繪示於圖6中)。
清除氣體散佈元件523是用於散佈清除氣體。清除氣體散佈元件523可連接於清除氣體供應源130。清除氣體散佈元件523可自清除氣體供應源130被提供清除氣體且可散佈被提供的清除氣體至第二氣體散佈空間520。多個清除氣體散佈孔523a(繪示於圖6)可位於清除氣體散佈元件523中。清除氣體散佈元件523可利用清除氣體散佈孔523a散佈清除氣體至第二氣體散佈空間520。清除氣體散佈孔523a可彼此分離並以相同的間隔排列。於圖6中，清除氣體散佈元件523中繪示有六個清除氣體散佈孔523a，但本發明並不以此為限，清除氣體散佈元件523中可設有兩個、五個、七個或更多個清除氣體散佈孔523a。清除氣體散佈元件523的外形可為圓盤形，但本發明並不以此為限，清除氣體散佈元件523的外形可為其他形狀例如四方形而令清除氣體能被散佈至第二氣體散佈空間520。
清除氣體散佈元件523、第二氣體散佈元件522及第一氣體散佈元件521可被設置而散佈一加工氣體至第二氣體散佈空間520中的不同空間。加工氣體可包含一清除氣體及一處理氣體，且處理氣體可包含一第一氣體及一第二氣體。舉例來說，第二氣體散佈元件522可由清除氣體散佈元件523向內地被設置，且第一氣體散佈元件521可由第二氣體散佈元件522向內地被設置。舉例來說，第一氣體散佈元件521可由清除氣體散佈元件523向內地被設置，且第二氣體散佈元件522可由第一氣體散佈元件521向內地被設置。舉例而言，清除氣體散佈元件523可由第一氣體散佈元件521或第二氣體散佈元件522向內地被設置。
第二氣體散佈模組52可透過清除氣體散佈元件523、第二氣體散佈元件522及第一氣體散佈元件521散佈加工氣體至第二氣體散佈空間520。於此情況中，第二氣體散佈模組52可選擇性地透過清除氣體散佈元件523、第二氣體散佈元件522及第一氣體散佈元件521散佈清除氣體、第二氣體及第一氣體至第二氣體散佈空間520。當每一第一氣體散佈模組51及第一氣體散佈元件521散佈第一氣體，清除氣體散佈元件523可停止清除氣體的散佈。同時，第二氣體散佈元件522可停止第二氣體的散佈。當每一第三氣體散佈模組53及第二氣體散佈元件522散佈第二氣體，清除氣體散佈元件523可停止清除氣體的散佈。同時，第一氣體散佈元件521可停止第一氣體的散佈。當清除氣體散佈模組54散佈清除氣體，清除氣體散佈元件523可散佈清除氣體。同時，第一氣體散佈元件521可停止第一氣體的散佈，且第二氣體散佈元件522可停止第二氣體的散佈。
清除氣體散佈元件523、第二氣體散佈元件522及第一氣體散佈元件521可根據第一氣體散佈模組51、第三氣體散佈模組53及清除氣體散佈模組54是否散佈氣體選擇性地停止提供處理氣體及清除氣體。當第一氣體散佈模組51散佈第一氣體，第一氣體散佈元件521可散佈第一氣體。同時，第二氣體散佈元件522可停止第二氣體的散佈，且清除氣體散佈元件523可停止清除氣體的散佈。當第三氣體散佈模組53散佈第二氣體，第二氣體散佈元件522可散佈第二氣體。同時，第一氣體散佈元件521可停止第一氣體的散佈，且清除氣體散佈元件523可停止清除氣體的散佈。當清除氣體散佈模組54散佈清除氣體，清除氣體散佈元件523可散佈清除氣體。同時，第一氣體散佈元件521可停止第一氣體的散佈，且第二氣體散佈元件522可停止第二氣體的散佈。第二氣體散佈模組52可包含一閥體或相似的結構且可被實施而藉由開啟或關閉連結於第一氣體散佈元件521、第二氣體散佈元件522及清除氣體散佈元件523的流動路徑，令第一氣體散佈元件521、第二氣體散佈元件522及清除氣體散佈元件523選擇性地散佈處理氣體及清除氣體。
清除氣體散佈模組54、第三氣體散佈模組53及第一氣體散佈模組51可被安裝於容器蓋4中以彼此分隔並以相同的間隔排列。清除氣體散佈模組54、第三氣體散佈模組53及第一氣體散佈模組51可彼此彼此分隔並相對基板支撐單元3的旋轉軸以相同的角度排列。氣體散佈單元5可包含多個清除氣體散佈模組54及54'。於此情況中，清除氣體散佈模組54及54'可散佈清除氣體至不同的清除氣體散佈空間540及540'。清除氣體散佈模組54及54'、第三氣體散佈模組53及第一氣體散佈模組51可被安裝於容器蓋4中而彼此分離並以相同的間隔排列。清除氣體散佈模組54及54'、第三氣體散佈模組53及第一氣體散佈模組51可彼此分隔並相對基板支撐單元3的旋轉軸以相同的角度排列。舉例來說，當氣體散佈單元5包含兩個清除氣體散佈模組54及54’，清除氣體散佈模組54及54’、第三氣體散佈模組53及第一氣體散佈模組51可彼此分隔並相對基板支撐單元3的旋轉軸以90度排列。於此情況中，第一氣體散佈模組51、清除氣體散佈模組54、第三氣體散佈模組53及清除氣體散佈模組54'可沿第一旋轉方向R1(圖式中R1箭頭方向)依序排列。
當設有清除氣體散佈模組54及54’，第二氣體散佈模組52可被安裝於容器蓋4中而位於二清除氣體散佈模組54及54’之間。於此情況中，清除氣體散佈模組54可被安裝於容器蓋4中令清除氣體散佈模組54的一側分隔於第二氣體散佈模組52的位置。清除氣體散佈模組54'可被安裝於容器蓋4中以位於由第二氣體散佈模組52分隔至另一側的位置。因此，根據本發明之基板處理設備1可被實施而使被第二氣體散佈模組52散佈的處理氣體被提供至清除氣體散佈空間540及540'。清除氣體散佈模組54及54’及第二氣體散佈模組52可被安裝於容器蓋4中以被設置於同一直線上。
請參閱圖2至圖9，根據本發明之基板處理設備1可以下列步驟操作而執行處理程序及排除加工。於圖7至圖9中，繪示有剖面線的部分為處理氣體及清除氣體直接散佈到的部分，且無繪示剖面線的部分則為處理氣體及清除氣體不會直接散佈到的部分。
如圖7所示，當第一氣體散佈至第一氣體散佈空間510，第一氣體也可被散佈至第二氣體散佈空間520。於此情況中，第二氣體不會散佈至第三氣體散佈空間530，且同時，清除氣體不會散佈至清除氣體散佈空間540及540'。被散佈至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520的第一氣體中，較多的第一氣體被散佈於位在第一氣體散佈空間510的基板S中，但第一氣體可擴散至包含第三氣體散佈空間530及清除氣體散佈空間540及540'的整個處理空間中。
如圖8所示，當第二氣體被散佈至第三氣體散佈空間530，第二氣體也可被散佈至第二氣體散佈空間520。於此情況中，第一氣體不會散佈至第一氣體散佈空間510，且同時，清除氣體不會散佈至清除氣體散佈空間540及540'。被散佈至第三氣體散佈空間530及第二氣體散佈空間520的第二氣體中，較多的第二氣體被散佈至位於第三氣體散佈空間530的基板S中，但第二氣體可被擴散至包含第一氣體散佈空間510及清除氣體散佈空間540及540'的整個加空空間中。
如圖9所示，當清除氣體被散佈至清除氣體散佈空間540及540’，清除氣體也可被散佈至第二氣體散佈空間520。於此情況中，第一氣體不會被散佈至第一氣體散佈空間510，且同時，第二氣體不會被散佈至第三氣體散佈空間530。在被散佈至清除氣體散佈空間540及540’及第二氣體散佈空間520的清除氣體中，較多的清除氣體被散佈於位在清除氣體散佈空間540及540’的基板S中，但清除氣體可被擴散至包含第一氣體散佈空間510及第三氣體散佈空間530的整個處理空間中。
請參閱圖2及圖10，根據本發明另一實施例中的一基板處理設備1中，第一氣體散佈模組51可利用電漿激發第一氣體且可散佈一受激發第一氣體。第一氣體散佈模組51可包含一第一接地電極511(繪示於圖10中)及一第一電漿電極512(繪示於圖10中)。
第一接地電極511散佈第一氣體。第一接地電極511可被安裝於容器蓋4中。第一接地電極511可被插入第一安裝孔41中，而可被安裝於容器蓋4中。第一接地電極511可包含一第一殼體5111(繪示於圖10中)、一第一穿槽5112(繪示於圖10中)及一第一供應孔5113(繪示於圖10中)。
第一殼體5111可被插入第一安裝孔41中，而可被安裝於容器蓋4中。第一殼體5111可電性連接於容器蓋4，而可藉由容器蓋4接地。第一殼體5111的外形可為正立方體形(wholly rectangular parallelepiped shape)，但並不以此為限，被安裝於容器蓋4中之第一殼體5111的外形也可為其他形狀例如一圓柱形而能散佈第一氣體。
第一穿槽5112可位於第一殼體5111中。第一穿槽5112可被設置於第一殼體5111中。可調整第一殼體5111的外形而令其一側由第一穿槽5112開口於外。第一殼體5111可被安裝於容器蓋4中而令開口於外的一側面對基板支撐單元3(繪示於圖2中)。
第一供應孔5113可貫穿第一殼體5111。第一供應孔5113可連通於第一穿槽5112。第一供應孔5113可連接於第一氣體供應源110。由第一氣體供應源110提供的第一氣體可透過第一供應孔5113被提供至第一穿槽5112。第一殼體5111中可設有多個第一供應孔5113。於此情況中，第一供應孔5113可被設置於第一電漿電極512的兩側上。
第一電漿電極512可被安裝於第一殼體5111中。第一電漿電極512可被插設且安裝於一第一隔離元件514中，而可被安裝於第一殼體5111中。第一隔離元件514將第一殼體5111自第一電漿電極512電性隔離。一部分的第一電漿電極512可被設置於第一穿槽5112中。
第一電漿電極512根據由一第一電漿能源供應源513施加的一電漿能源，由提供至第一穿槽5112的第一氣體產生電漿。於此情況中，電漿可根據電漿能源自第一電漿電極512及第一殼體5111的一第一側牆5111a之間的電場而產生。因此，第一氣體可被電漿激發並被散佈。
請參閱圖2及圖11，第一氣體散佈模組51可由一電漿處理單元200被提供被電漿激發的第一氣體，且可散佈被電漿激發的第一氣體。於此情況中，第一氣體散佈模組51可包含一第一殼體5111(繪示於圖11中)、一第一穿槽5112(繪示於圖11中)及一第一供應孔5113(繪示於圖11中)。
第一殼體5111可被插設於第一安裝孔41中，而可被安裝於容器蓋4中。第一殼體5111可由一電漿處理單元200被提供被電漿激發的第一氣體。因此，第一殼體5111可散佈被電漿激發的第一氣體。
第一穿槽5112可位於第一殼體5111中。第一穿槽5112可被設置於第一殼體5111中。可調整第一殼體5111的外形而使其一側由第一穿槽5112開口。第一殼體5111可被安裝於容器蓋4中而令其開口的一側面對基板支撐單元3(繪示於圖2中)。
第一供應孔5113可貫穿第一殼體5111。第一供應孔5113可連通於第一穿槽5112。第一供應孔5113可連接於電漿處理單元200。電漿處理單元200可包含利用電漿激發第一氣體的一第一電漿處理模組210。第一供應孔5113可連接於第一電漿處理模組210。透過第一電漿處理模組210激發的第一氣體可由第一供應孔5113被提供至第一穿槽5112。第一殼體5111可設有多個第一供應孔5113。
如上所述，當第一氣體散佈模組51利用電漿激發第一氣體以散佈一受激發第一氣體，第二氣體散佈模組52也可利用電漿激發第一氣體以散佈一受激發第一氣體。於此情況中，雖然未繪示於圖中，第二氣體散佈模組52可被實施而利用一第二接地電極及一第二電漿電極激發第一氣體並散佈一受激發第一氣體。第二氣體散佈模組52可被實施而散佈透過第一電漿處理模組210激發的第一氣體。
請參閱圖2及圖12，根據本發明另一實施例之一基板處理設備1中，第三氣體散佈模組53可利用電漿激發第二氣體且可散佈一受激發第二氣體。第三氣體散佈模組53可包含一第三接地電極531(繪示於圖12中)及一第三電漿電極532(繪示於圖12中)。
第三接地電極531散佈第二氣體。第三接地電極531可被安裝於容器蓋4中。第三接地電極531可被插入第三安裝孔43中，而可被安裝於容器蓋4中。第三接地電極531可包含一第三殼體5311(繪示於圖12中)、一第三穿槽5312(繪示於圖12中)及一第三供應孔5313(繪示於圖12中)。
第三殼體5311可被插入第三安裝孔43中，而可被安裝於容器蓋4中。第三殼體5311可電性連接於容器蓋4，而可透過容器蓋4接地。第三殼體5311的外形可為一正長方體形(wholly rectangular parallelepiped shape)，但本發明並不以此為限，被安裝於容器蓋4中的第三殼體5311的外形可為其他形狀例如一圓柱形以能散佈第二氣體。
第三穿槽5312可位於第三殼體5311中。第三穿槽5312可被設置於第三殼體5311中。可調整第三殼體5311的外形以令其之一測透過第三穿槽5312開口。第三殼體5311可被安裝於容器蓋4中以令其開口的一側面對基板支撐單元3(繪示於圖2)。
第三供應孔5313可貫穿第三殼體5311。第三供應孔5313可連通於第三穿槽5312。第三供應孔5313可連接於第二氣體供應源120。由第二氣體供應源120被供應的第二氣體可透過第三供應孔5313被供應至第三穿槽5312。第三殼體5311可設有多個第三供應孔5313。於此情況中，這些第三供應孔5313可被設置於第三電漿電極532的兩側。
第三電漿電極532可被安裝於第三殼體5311中。第三電漿電極532可被插入且安裝於一第三隔離元件534中，而可被安裝於第三殼體5311中。第三隔離元件534將第三殼體5311自第三電漿電極532電性隔離。一部分的第三電漿電極532可被設置於第三穿槽5312中。
第三電漿電極532根據由一第二電漿能源供應源533施加的一電漿能源，由供應至第三穿槽5312的第二氣體產生電漿。於此情況中，電漿可根據電漿能源自產生於第三電漿電極532及第三殼體5311之一第三側牆5311a之間的一電場被產生。因此，第二氣體可被電漿激發並被散佈。
請參閱圖2及圖13，第三氣體散佈模組53可自電漿處理單元200被提供被電漿激發的第二氣體，且可散佈被電漿激發的第二氣體。於此情況中，第三氣體散佈模組53可包含一第三殼體5311(繪示於圖13中)、一第三穿槽5312(繪示於圖13中)及一第三供應孔5313(繪示於圖13中)。
第三殼體5311可被插入第三安裝孔43中，而可被安裝於容器蓋4中。第三殼體5311可自電漿處理單元200被提供被電漿激發的第二氣體。因此，第三殼體5311可散佈由電漿激發的第二氣體。
第三穿槽5312可位於第三殼體5311中。第三穿槽5312可被設置於第三殼體5311中。可調整第三殼體5311的外形以令其之一側透過第三穿槽5312開口。第三殼體5311可被安裝於容器蓋4中以令其開口的一側面對基板支撐單元3(繪示於圖2)。
第三供應孔5313可貫穿第三殼體5311。第三供應孔5313可連通於第三穿槽5312。第三供應孔5313可連接於電漿處理單元200。電漿處理單元200可包含利用電漿激發第二氣體的一第二電漿處理模組220。第三供應孔5313可連接於第二電漿處理模組220。透過第二電漿處理模組220激發的第二氣體可透過第三供應孔5313被提供至第三穿槽5312。透過第三供應孔5313中可設有多個第三供應孔5313。
如上所述，當第三氣體散佈模組53利用電漿激發第二氣體以散佈一受激發第二氣體，第二氣體散佈模組52也可利用電漿激發第二氣體以散佈一受激發第二氣體。於此情況中，雖然未繪示於圖式中，第二氣體散佈模組52可被實施而利用第二接地電極及第二電漿電極激發第二氣體並散佈一受激發第一氣體。第二氣體散佈模組52可被實施而散佈透過第二電漿處理模組220激發的第二氣體。
請參閱圖2及圖10，根據本發明另一實施例之一氣體散佈單元5可包含第一氣體散佈模組51及第二氣體散佈模組52。相較於上述氣體散佈單元5，根據本發明另一實施例之氣體散佈單元5可被實施以僅利用第一氣體散佈模組51及第二氣體散佈模組52散佈一加工氣體。於此情況中，根據本發明另一實施例之氣體散佈單元5可不包含第三氣體散佈模組53。根據本發明另一實施例之氣體散佈單元5可包含第三氣體散佈模組53且可被實施而使第三氣體散佈模組53於加工氣體僅利用第一氣體散佈模組51及第二氣體散佈模組52被散佈時不散佈加工氣體。於此情況中，根據本發明另一實施例之氣體散佈單元5可更包含清除氣體散佈模組54且可被實施而使清除氣體散佈模組54於加工氣體僅利用第一氣體散佈模組51及第二氣體散佈模組52散佈時不散佈一清除氣體。
根據本發明另一實施例之氣體散佈單元5中，當第一氣體散佈模組51散佈一加工氣體至第一氣體散佈空間510，第二氣體散佈模組52可散佈相同於第一氣體散佈模組51所散佈之加工氣體相同的一加工氣體至第二氣體散佈空間520。
當第一氣體散佈模組51散佈當作加工氣體的一來源氣體至第一氣體散佈空間510，第二氣體散佈模組52可散佈來源氣體至第二氣體散佈空間520。因此，利用來源氣體的一基板處理程序可被執行於處理容器2中。
當第一氣體散佈模組51散佈當作加工氣體的一反應氣體至第一氣體散佈空間510，第二氣體散佈模組52可散佈反應氣體至第二氣體散佈空間520。因此，利用反應氣體的一基板處理程序可被執行於處理容器2中。
當第一氣體散佈模組51散佈當作加工氣體的清除氣體至第一氣體散佈空間510，第二氣體散佈模組52可散佈清除氣體至第二氣體散佈空間520。因此，清除一處理氣體的加工可被執行於處理容器2中。
根據本發明另一實施例之氣體散佈單元5可當作根據本發明另一實施例之一氣體散佈設備實施。另外，根據本發明另一實施例之氣體散佈單元5可被用於上述之每一根據本發明之基板處理設備1及根據本發明另一實施例之基板處理設備1。
以下，將參照圖示詳細說明根據本發明一實施例之一基板處理方法。
請參閱圖2至圖13， 根據本發明之基板處理方法散佈一加工氣體至處理容器2內以加工基板S。根據本發明之基板處理方法可由上述之根據本發明之基板處理設備1執行。根據本發明之基板處理方法可包含下列處理步驟。
首先，散佈一來源氣體。此處理步驟可藉由以氣體散佈單元5散佈來源氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520而被執行。散佈來源氣體之處理步驟可藉由以第一氣體散佈模組51散佈來源氣體至第一氣體散佈空間510及藉由以第二氣體散佈模組52散佈來源氣體至第二氣體散佈空間520而被執行。於此情況中，散佈來源氣體的處理步驟可藉由散佈被電漿激發的來源氣體而被執行。當散佈來源氣體的處理步驟被執行時，第三氣體散佈模組53可停止反應氣體的散佈，且清除氣體散佈模組54可停止清除氣體的散佈。當散佈來源氣體的處理步驟被執行時，可一併執行利用基板支撐單元3旋轉這些基板S的處理步驟。
接著，清除來源氣體。此處例步驟可藉由以氣體散佈單元5散佈清除氣體至清除氣體散佈空間540及第二氣體散佈空間520而被執行。清除來源氣體的處理步驟可藉由以清除氣體散佈模組54散佈清除氣體至清除氣體散佈空間540及藉由以第二氣體散佈模組52散佈清除氣體至第二氣體散佈空間520而被執行。當清除來源氣體的處理步驟被執行，第一氣體散佈模組51可停止來源氣體的散佈，且第三氣體散佈模組53可停止反應氣體的散佈。當清除來源氣體的處理步驟被執行，可一併執行利用基板支撐單元3旋轉這些基板S的處理步驟。
接著，散佈反應物。此處理步驟可藉由以氣體散佈單元5散佈反應氣體至第三氣體散佈空間530及第二氣體散佈空間520而被執行。散佈反應氣體的處理步驟可藉由以第三氣體散佈模組53散佈反應氣體至第三氣體散佈空間530及藉由以第二氣體散佈模組52散佈反應氣體至第二氣體散佈空間520而被執行。於此情況中，散佈反應氣體的處理步驟可以散佈被電漿激發的反應氣體被執行。當散佈反應氣體的處理步驟被執行，第一氣體散佈模組51可停止來源氣體的散佈，且清除氣體散佈模組54可停止清除氣體的散佈。當散佈反應氣體的處理步驟被執行，可一併執行利用基板支撐單元3旋轉這些基板S的處理步驟。
接著，清除反應氣體。此步驟可藉由以氣體散佈單元5散佈清除氣體至清除氣體散佈空間540及第二氣體散佈空間520而被執行。清除反應氣體的步驟可藉由以清除氣體散佈模組54散佈清除氣體至清除氣體散佈空間540及藉由以第二氣體散佈模組52散佈清除氣體至第二氣體散佈空間520而被執行。當清除反應氣體的步驟被執行，第一氣體散佈模組51可停止來源氣體的散佈，且第三氣體散佈模組53可停止反應氣體的散佈。當清除反應氣體的步驟被執行，可一併執行利用基板支撐單元3旋轉這些基板S的處理步驟。
請參閱圖2至圖16，根據本發明另一實施例之基板處理方法可包含下列處理步驟。根據本發明另一實施例之基板處理方法可由設有上述根據本發明另一實施例之基板處理單元5之一基板處理設備執行。於圖14至圖16中，繪示有剖面線的部分為處理氣體及清除氣體直接散佈到的空間，而無繪示剖面線的部分則為處理氣體及清除氣體不會直接散佈到的空間。
首先，如圖14所示，散佈一來源氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520。此處理步驟可藉由以第一氣體散佈模組51散佈來源氣體至第一氣體散佈空間510及同時地藉由以第二氣體散佈模組52散佈來源氣體至第二氣體散佈空間520而被執行。因此，利用來源氣體的基板處理程序可於處理容器2中被執行。當散佈來源氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520的處理步驟被執行，基板支撐單元3可沿一旋轉路徑旋轉這些基板S。
接著，如圖15所示，散佈一清除氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520。此步驟可藉由以第一氣體散佈模組51散佈清除氣體至第一氣體散佈空間510及同時地藉由以第二氣體散佈模組52散佈清除氣體至第二氣體散佈空間520而被執行。因此，清除來源氣體之處理步驟可於處理容器2中被執行。當散佈清除氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520的處理步驟被執行，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。
接著，如圖16所示，散佈一反應氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520。此加工步驟工藉由以第一氣體散佈模組51散佈反應氣體至第一氣體散佈空間510且同時地藉由以第二氣體散佈模組52散佈反應氣體至第二氣體散佈空間520而被執行。因此，利用反應氣體之一基板處理程序可於處理容器2中被執行。當散佈反應氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520的處理步驟被執行，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。
透過上述處理步驟，根據本發明另一實施例之基板處理方法可於基板S上執行一處理程序。根據本發明另一實施例之基板處理方法可包含散佈反應氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520然後散佈清除氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520的處理步驟。
散佈反應氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520的處理步驟可於散佈反應氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520的處理步驟完成後，藉由以第一氣體散佈模組51散佈清除氣體至第一氣體散佈空間510且同時地藉由以第二氣體散佈模組52散佈清除氣體至第二氣體散佈空間520而被執行。因此，清除反應氣體的處理步驟可於處理容器2中被執行。當散佈清除氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。
請參閱圖2至圖17，根據本發明另一實施例之基板處理方法可包含下列處理步驟。於圖17中，繪示有剖面線的部分為處理氣體及清除氣體直接散佈到的空間，而無繪示剖面線的部分則為處理氣體及清除氣體不會直接散佈到的空間。
首先，如圖17所示，散佈一來源氣體至第一氣體散佈空間510。此處理步驟可藉由以第一氣體散佈模組51散佈來源氣體至第一氣體散佈空間510而被執行。因此，利用來源氣體之一基板處理程序可被執行於處理容器2中位於第一氣體散佈空間510中的基板S上。當散佈來源氣體至第一氣體散佈空間510的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿一旋轉路徑旋轉這些基板S。
接著，如圖17所示，散佈一清除氣體至第二氣體散佈空間520。此處理步驟可藉由以第二氣體散佈模組52散佈清除氣體至第二氣體散佈空間520而被執行。因此，第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520可由處理容器2中的清除氣體於空間上被分隔。當散佈清除氣體至第二氣體散佈空間520的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。
接著，如圖17所示，散佈一反應氣體至第三氣體散佈空間530。此步驟可藉由以第三氣體散佈模組53散佈反應氣體至第三氣體散佈空間530而被執行。因此，利用反應氣體之一基板處理程序可於處理容器2中位於第三氣體散佈空間530中的基板S上被執行。當散佈反應氣體至第三氣體散佈空間530的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。
於此，散佈來源氣體至第一氣體散佈空間的處理步驟、散佈清除氣體至第二氣體散佈空間的處理步驟，及散佈反應氣體至第三氣體散佈空間的處理步驟可同時地進行。因此，當第一氣體散佈空間510及第三氣體散佈空間530由清除氣體於空間上被分隔，這些基板S可於通過第一氣體散佈空間510時根據來源氣體執行一處理程序，且可於通過第三氣體散佈空間530時根據反應氣體執行一處理程序。
透過上述處理步驟，根據本發明另一實施例之基板處理方法可於這些基板S上執行處理程序。根據本發明另一實施例之基板處理方法可更包含散佈一清除氣體至清除氣體散佈空間的處理步驟。
散佈清除氣體至清除氣體散佈空間的處理步驟可藉由以清除氣體散佈模組54散佈清除氣體至清除氣體散佈空間540及540’而被執行。散佈清除氣體至清除氣體散佈空間的處理步驟、散佈來源氣體至第一氣體散佈空間、散佈清除氣體至第二氣體散佈空間的處理步驟，及散佈反應氣體至第三氣體散佈空間的處理步驟可被同時地執行。因此，當利用清除氣體使第一氣體散佈空間510及第三氣體散佈空間530於空間上分隔的一分隔力增加時，這些基板S可於通過第一氣體散佈空間510時根據來源氣體執行一處理程序，且可於通過第三氣體散佈空間530時根據反應氣體執行一處理程序。
請參閱圖12及圖17，根據本發明另一實施例之基板處理方法可包含一時間分割處理程序及一空間分割處理程序。
時間分割處理程序以於處理容器2中隨時間改變及散佈一加工氣體的一時間分隔模式加工一基板。藉由執行時間分割處理程序，利用一來源氣體的處理程序、清除來源氣體的處理步驟、利用反應氣體的處理程序，及清除反應氣體的處理步驟可依序於處理容器2中被執行。
空間分割處理程序以於處理容器2中不同空間散佈不同加工氣體的空間分割模式加工一基板。藉由執行空間分割處理程序，利用一來源氣體之一基板處理程序及利用一反應氣體之一基板處理程序可於空間利用處理容器2中的清除氣體被分割的情況下共同被執行。
如上所述，根據本發明另一實施例之基板處理方法可被實施以利用一基板處理設備1執行時間分割處理程序及空間分割處理程序。因此，根據本發明另一實施例之基板處理方法中，一原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)加工可透過時間分割處理程序被執行，且同時地，可透過空間分割處理程序增加原子層沉積加工的產率(productivity)。
根據本發明另一實施例之基板處理方法可更包含一重複處理程序。重複處理程序交替地重複執行時間分割處理程序即空間分割處理程序。因此，根據本發明另一實施例之基板處理方法可被實施而藉由利用一基板處理設備1交替地執行時間分割處理程序及空間分割處理程序而被執行。
於此，時間分割處理程序可包含下列處理步驟。
首先，如圖14所示，散佈來源氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520。此處理步驟可藉由以第一氣體散佈模組51散佈來源氣體至第一氣體散佈空間510及同時地藉由以第二氣體散佈模組52散佈來源氣體至第二氣體散佈空間520而被執行。因此，利用來源氣體的基板處理程序可於處理容器2中被執行。當散佈來源氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。
接著，如圖15所示，散佈清除氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520。此處理步驟可藉由以第一氣體散佈模組51散佈清除氣體至第一氣體散佈空間510及同時地藉由以第二氣體散佈模組52散佈清除氣體至第二氣體散佈空間520而被執行。因此，清除來源氣體的處理步驟可於處理容器2中被執行。當散佈清除氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。
接著，如圖16所示，散佈反應氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520。此處理步驟可藉由以第一氣體散佈模組51散佈反應氣體至第一氣體散佈空間510及同時地藉由以第二氣體散佈模組52散佈反應氣體至第二氣體散佈空間520而被執行。因此，利用反應氣體的基板處理程序可於處理容器2中被執行。當散佈反應氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。
透過上述處理步驟，時間分割處理程序可被執行。時間分割處理程序可更包含一散佈反應氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520且接著散佈清除氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520的處理步驟。
散佈反應氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520的處理步驟可於散佈反應氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520的處理步驟完成後，藉由以第一氣體散佈模組51散佈清除氣體至第一氣體散佈空間510及同時地藉由以第二氣體散佈模組52散佈清除氣體至第二氣體散佈空間520而被執行。因此，清潔反應氣體的處理步驟可於處理容器2中被執行。當散佈清除氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。
於此，時間分割處理程序可包含下列處理步驟。
首先，如圖7所示，散佈一來源氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520。此步驟可藉由以第一氣體散佈模組51散佈來源氣體至第一氣體散佈空間510及藉由以第二氣體散佈模組52散佈來源氣體至第二氣體散佈空間520而被執行。當散佈來源氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。
接著，如圖9所示，清除來源氣體。此處理步驟可藉由以氣體散佈單元5散佈清除氣體至清除氣體散佈空間540及第二氣體散佈空間520而被執行。清除來源氣體的處理步驟可藉由以清除氣體散佈模組54散佈清除氣體至清除氣體散佈空間540及藉由以第二氣體散佈模組52散佈清除氣體至第二氣體散佈空間520而被執行。當清除來源氣體的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。
接著，如圖8所示，散佈一反應氣體至第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520。此處理步驟可藉由以第三氣體散佈模組53散佈反應氣體至第三氣體散佈空間530及藉由以第二氣體散佈模組52散佈反應氣體至第二氣體散佈空間520而被執行。當散佈反應氣體至第三氣體散佈空間530及第二氣體散佈空間520的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉軸旋轉這些基板S。
接著，如圖9所示，清除反應氣體。此處理步驟可藉由以氣體散佈單元5散佈清除氣體至清除氣體散佈空間540及第二氣體散佈空間520而被執行。清除反應氣體的處理步驟可藉由以清除氣體散佈模組54散佈清除氣體至清除氣體散佈空間540及藉由以第二氣體散佈模組52散佈清除氣體至第二氣體散佈空間520而被執行。當清除反應氣體的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。
於此，空間分割處理程序可包含下列處理步驟。
首先，如圖17所示，散佈一來源氣體至第一氣體散佈空間510。此處理步驟可藉由以第一氣體散佈模組51散佈來源氣體至第一氣體散佈空間510而被執行。因此，利用來源氣體之一基板處理程序可於處理容器2中執行於位在第一氣體散佈空間510中的一基板S上。當散佈來源氣體至第一氣體散佈空間510的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。
接著，如圖17所示，散佈一清除氣體至第二氣體散佈空間520。此處理步驟可藉由以第二氣體散佈模組52散佈清除氣體至第二氣體散佈空間520而達成。因此，第一氣體散佈空間510及第二氣體散佈空間520可於處理容器2中由清除氣體於空間上被分割。當散佈清除氣體至第二氣體散佈空間520的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。
接著，如圖17所示，散佈一反應氣體至第三氣體散佈空間530。此處理步驟可藉由以第三氣體散佈模組53散佈反應氣體至第三氣體散佈空間530而被執行。因此，利用反應氣體的一基板處理程序可於處理容器2中在第三氣體散佈空間530中的一基板S上被執行。當散佈反應氣體至第三氣體散佈空間530的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。
散佈來源氣體至第一氣體散佈空間的處理步驟、散佈清除氣體至第二氣體散佈空間的處理步驟，及散佈反應氣體至第三氣體散佈空間的處理步驟可同時地被執行。因此，於第一氣體散佈空間510及第三氣體散佈空間530由清除氣體於空間上被分割的情況下，這些基板S可於通過第一氣體散佈空間510時根據來源氣體執行一處理程序，且可於通過第三氣體散佈空間530時根據反應氣體執行一處理程序。
透過上述處理步驟，空間分割處理程序可於這些基板S上執行一處理程序。空間分割處理程序可更包含一散佈清除氣體至清除氣體散佈空間的處理步驟。
散佈清除氣體至清除氣體散佈空間的處理步驟可藉由以清除氣體散佈模組54散佈清除氣體至清除氣體散佈空間540及540’而被執行。散佈清除氣體至清除氣體散佈空間的處理步驟、散佈來源氣體至第一氣體散佈空間的處理步驟、散佈清除氣體至第二氣體散佈空間的處理步驟，及散佈反應氣體至第三氣體散佈空間的處理步驟可同時地被執行。因此，當於處理容器2中利用清除氣體空間上分割第一氣體散佈空間510及第三氣體散佈空間530的一分割力增加時，這些基板S可於通過第一氣體散佈空間510時根據來源氣體進行一處理程序，且可於通過第三氣體散佈空間530時根據反應氣體進行一處理程序。
於此，根據本發明另一實施例之基板處理方法可包含下列時間分割處理程序的不同實施例。
請參閱圖18及圖19，根據第一修改實施例之一時間分割處理程序可包含下列處理步驟。於圖18及圖19中，繪示有剖面線的部分為一處理氣體直接散佈到的空間，而無繪示剖面線的部分則為處理氣體不會直接散佈到的空間。
首先，如圖18所示，將一來源氣體僅散佈至第一氣體散佈空間510。此處理步驟可藉由僅以第一氣體散佈模組51散佈來源氣體至第一氣體散佈空間510而被執行。因此，利用自第一氣體散佈模組51散佈的來源氣體的基板處理程序可於處理容器2中被執行。當將來源氣體僅散佈至第一氣體散佈空間510的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。當將來源氣體僅散佈至第一氣體散佈空間510的處理步驟被執行時，第二氣體散佈模組52、第三氣體散佈模組53及清除氣體散佈模組54不會散佈一氣體。
接著，清除來源氣體。此處理步驟可藉由以氣體散佈單元5散佈清除氣體而被執行。於此情況中，清除來源氣體的一處理步驟可藉由以清除氣體散佈模組54散佈清除氣體至清除氣體散佈空間540而被執行。清除來源氣體的處理步驟可藉由將清除氣體散佈至第一氣體散佈空間510、第二氣體散佈空間520、第三氣體散佈空間530及清除氣體散佈空間540其中至少一者而被執行。當清除來源氣體的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉軸旋轉這些基板S。
接著，如圖19所示，將一反應氣體僅散佈至第三氣體散佈空間530。此處理步驟可僅藉由以第三氣體散佈模組53散佈反應氣體至第三氣體散佈空間530而被執行。因此，利用自第三氣體散佈模組53散佈的反應氣體的一基板處理加工可於處理容器2中被執行。當將反應氣體僅散佈至第三氣體散佈空間530的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。當將反應氣體僅散佈至第三氣體散佈空間530的處理步驟被執行時，第一氣體散佈模組51、第二氣體散佈模組52及清除氣體散佈模組54不會散佈氣體。
接著，清除反應氣體。此處理步驟可藉由以氣體散佈單元5散佈清除氣體而被執行。於此情況中，清除反應氣體的處理步驟可藉由以清除氣體散佈模組54散佈清除氣體至清除氣體散佈空間540而被執行。清除反應氣體的處理步驟可藉由將清除氣體散佈至第一氣體散佈空間510、第二氣體散佈空間520、第三氣體散佈空間530及清除氣體散佈空間540其中至少一者而被執行。當清除反應氣體的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉軸旋轉這些基板S。
請參閱圖20及圖21，根據第二修改實施例之一時間分割處理程序可包含下列處理步驟。於圖20及圖21中，繪示有剖面線的部分為一處理氣體直接散佈到的空間，而無繪示剖面線的部分則為處理氣體不會直接散佈到的空間。
首先，如圖20所示，將一來源氣體僅散佈至第二氣體散佈空間520。此處理步驟可藉由僅以第二氣體散佈模組52散佈來源氣體至第二氣體散佈空間520而被執行。因此，利用自第三氣體散佈模組53散佈的來源氣體之基板處理程序可於處理容器2中被執行。當將來源氣體僅散佈至第二氣體散佈空間520的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。當將來源氣體僅散佈至第二氣體散佈空間520的處理步驟被執行時，第一氣體散佈模組51、第三氣體散佈模組53及清除氣體散佈模組54不會散佈一氣體。
接著，清除來源氣體。此處理步驟可藉由以氣體散佈單元5散佈清除氣體而被執行。於此情況中，清除來源氣體之處理步驟可藉由以清除氣體散佈模組54散佈清除氣體至清除氣體散佈空間540而被執行。清除來源氣體的處理步驟可藉由散佈清除氣體至第一氣體散佈空間510、第二氣體散佈空間520、第三氣體散佈空間530及清除氣體散佈空間540其中至少一者而被執行。當清除來源氣體的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。
接著，如圖21所示，將一反應氣體僅散佈至第二氣體散佈空間520。此處理步驟可藉由僅以第二氣體散佈模組52散佈反應氣體至第二氣體散佈空間520而被執行。因此，利用自第二氣體散佈模組52散佈的反應氣體之一基板處理程序可於處理容器2中被執行。當將反應氣體僅散佈至第二氣體散佈空間520的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。當將反應氣體僅散佈至第二氣體散佈空間520的處理步驟被執行時，第一氣體散佈模組51、第三氣體散佈模組53及清除氣體散佈模組54不會散佈氣體。
接者，清除反應氣體。此處理步驟可藉由以氣體散佈單元5散佈清除氣體而被執行。於此情況中，清除反應氣體之處理步驟可藉由以清除氣體散佈模組54散佈清除氣體至清除氣體散佈空間540而被執行。清除反應氣體之處理步驟可藉由散佈清除氣體至第一氣體散佈空間510、第二氣體散佈空間520、第三氣體散佈空間530及清除氣體散佈空間540其中至少一者而被執行。當清除反應氣體的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。
請參閱圖22及圖23，根據第三修改實施例之一時間分割處理程序可包含下列處理步驟。於圖22及圖23中，繪示有剖面線的部分為一處理氣體直接散佈至的一空間，且無繪示剖面線的部分為處理氣體不會直接散佈至的一空間。
首先，如圖22所示，散佈一來源氣體至所有第一氣體散佈空間510、第二氣體散佈空間520及第三氣體散佈空間530。此處理步驟可藉由以第一氣體散佈模組51、第二氣體散佈模組52及第三氣體散佈模組53分別散佈來源氣體至第一氣體散佈空間510、第二氣體散佈空間520及第三氣體散佈空間530而被執行。因此，利用由第一氣體散佈模組51、第二氣體散佈模組52及第三氣體散佈模組53散佈的來源氣體的基板處理程序可於處理容器2中被執行。當散佈來源氣體至第一氣體散佈空間510、第二氣體散佈空間520及第三氣體散佈空間530所有的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。當散佈來源氣體至第一氣體散佈空間510、第二氣體散佈空間520及第三氣體散佈空間530所有的處理步驟被執行時，清除氣體散佈模組54不會散佈一氣體。
接著，清除來源氣體。此處理步驟可藉由以氣體散佈單元5散佈清除氣體而被執行。於此情況中，清除來源氣體的處理步驟可藉由以清除氣體散佈模組54散佈清除氣體至清除氣體散佈空間540而被執行。清除來源氣體的處理步驟可藉由散佈清除氣體至第一氣體散佈空間510、第二氣體散佈空間520、第三氣體散佈空間530及清除氣體散佈空間540其中至少一者而被執行。當清除來源氣體的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。
接著，如圖23所示，散佈一反應氣體至所有第一氣體散佈空間510、第二氣體散佈空間520及第三氣體散佈空間530。此處理步驟可藉由以第一氣體散佈模組51、第二氣體散佈模組52及第三氣體散佈模組53分別散佈反應氣體至第一氣體散佈空間510、第二氣體散佈空間520及第三氣體散佈空間530而被執行。因此，利用由每一第一氣體散佈模組51、第二氣體散佈模組52及第三氣體散佈模組53散佈的反應氣體的基板處理程序可於處理容器2中被執行。當散佈反應氣體至所有第一氣體散佈空間510、第二氣體散佈空間520及第三氣體散佈空間530的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。當散佈反應氣體至第一氣體散佈空間510、第二氣體散佈空間520及第三氣體散佈空間530所有的處理步驟被執行時，清除氣體散佈模組54不會散佈氣體。
接著，清除反應氣體。此處力步驟可藉由以氣體散佈單元5散佈清除氣體而被執行。於此情況中，清除反應氣體的一處理步驟可藉由以清除氣體散佈模組54散佈清除氣體至清除氣體散佈空間540而被執行。清除反應氣體的處理步驟可藉由散佈清除氣體至第一氣體散佈空間510、第二氣體散佈空間520、第三氣體散佈空間530及清除氣體散佈空間540其中至少一者而被執行。當清除反應氣體的處理步驟被執行時，基板支撐單元3可沿旋轉路徑旋轉這些基板S。
雖然本發明以前述之諸項實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧基板處理設備11‧‧‧基板支撐單元11a‧‧‧旋轉軸12‧‧‧氣體散佈單元1‧‧‧基板處理設備100‧‧‧氣體供應單元110‧‧‧第一氣體供應源120‧‧‧第二氣體供應源130‧‧‧清除氣體供應源2‧‧‧處理容器200‧‧‧電漿處理單元210‧‧‧第一電漿處理模組220‧‧‧第二電漿處理模組3‧‧‧基板支撐單元4‧‧‧容器蓋41‧‧‧第一安裝孔42‧‧‧第二安裝孔43‧‧‧第三安裝孔44、44'‧‧‧第四安裝孔5‧‧‧氣體散佈單元51‧‧‧第一氣體散佈模組510‧‧‧第一氣體散佈空間511‧‧‧第一接地電極5111‧‧‧第一殼體5111a‧‧‧第一側牆5112‧‧‧第一穿槽5113‧‧‧第一供應孔512‧‧‧第一電漿電極513‧‧‧第一電漿能源供應源514‧‧‧第一隔離元件52‧‧‧第二氣體散佈模組520‧‧‧第二氣體散佈空間521‧‧‧第一氣體散佈元件521a‧‧‧第一氣體散佈孔522‧‧‧第二氣體散佈元件522a‧‧‧第二氣體散佈孔523‧‧‧清除氣體散佈元件523a‧‧‧清除氣體散佈孔53‧‧‧第三氣體散佈模組530‧‧‧第三氣體散佈空間531‧‧‧第三接地電極5311‧‧‧第三殼體5311a‧‧‧第三側牆5312‧‧‧第三穿槽5313‧‧‧第三供應孔532‧‧‧第三電漿電極533‧‧‧第二電漿能源供應源534‧‧‧第三隔離元件54、54'‧‧‧清除氣體散佈模組540、540'‧‧‧清除氣體散佈空間S‧‧‧基板R1‧‧‧第一旋轉方向
圖1為先前技術之基板處理設備的側面示意圖。 圖2為根據本發明之基板處理設備的立體分解示意圖。 圖3為根據本發明之基板處理設備的立體示意圖。 圖4為根據本發明之基板處理設備的平面示意圖。 圖5為根據本發明之基板處理設備的側面示意圖。 圖6為根據本發明之位於基板處理設備中之第二氣體散佈模組的平面示意圖。 圖7至圖9為用於說明根據本發明之基板處理設備之操作的平面示意圖。 圖10及圖11為根據本發明之位於基板處理設備中之第一氣體散佈模組沿圖2中之割面線I-I的剖面示意圖。 圖12及圖13根據本發明之位於基板處理設備之第三氣體散佈模組沿圖2中之割面線Ⅱ-Ⅱ的剖面示意圖。 圖14至圖23為說明根據本發明之基板處理方法的示意圖。
1‧‧‧基板處理設備
2‧‧‧處理容器
3‧‧‧基板支撐單元
4‧‧‧容器蓋
41‧‧‧第一安裝孔
42‧‧‧第二安裝孔
43‧‧‧第三安裝孔
44、44'‧‧‧第四安裝孔
5‧‧‧氣體散佈單元
51‧‧‧第一氣體散佈模組
510‧‧‧第一氣體散佈空間
52‧‧‧第二氣體散佈模組
520‧‧‧第二氣體散佈空間
53‧‧‧第三氣體散佈模組
530‧‧‧第三氣體散佈空間
54、54'‧‧‧清除氣體散佈模組
540、540'‧‧‧清除氣體散佈空間
S‧‧‧基板
R1‧‧‧第一旋轉方向

Claims (6)

  1. 一種基板處理方法，藉由散佈一加工氣體至一處理容器內而處理一基板，該基板處理方法包含：使用散佈該加工氣體至該處理容器的一第一氣體散佈空間的一第一氣體散佈模組以及散佈該加工氣體至鄰近於該第一氣體散佈空間的一第二氣體散佈空間的一第二氣體散佈模組，來執行一時間分割處理程序而以隨時間改變及散佈該處理容器中的該加工氣體的一時間分割模式來處理該基板；以及使用該第一氣體散佈模組、該第二氣體散佈模組以及一第三氣體散佈模組，來執行一空間分割處理程序而以對該處理容器中的空間散佈不同之該加工氣體的一空間分割模式來處理該基板，該第三氣體散佈模組散佈該加工氣體至一第三氣體散佈空間，該第三氣體散佈空間相異於該第一氣體散佈空間以及該第二氣體散佈空間的每一者；其中該時間分割處理程序包含散佈一來源氣體至該第一氣體散佈空間以及該第二氣體散佈空間、散佈一清除氣體至該第一氣體散佈空間以及該第二氣體散佈空間，以及散佈一反應氣體至該第一氣體散佈空間以及該第二氣體散佈空間；其中該空間分割處理程序包含散佈該來源氣體至該第一氣體散佈空間、散佈該清除氣體至該第二氣體散佈空間以及散佈該反應氣體至該第三氣體散佈空間；其中於該空間分割處理程序中散佈該來源氣體至該第一氣體散佈空間、於該空間分割處理程序中散佈該清除氣體至該第二氣體散佈空間以及 於該空間分割處理程序中散佈該反應氣體至該第三氣體散佈空間係同時地進行。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理方法，更包含執行一重複處理程序，以交替地重複該時間分割處理程序及該空間分割處理程序。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理方法，其中該時間分割處理程序包含在散佈該反應氣體至該第一氣體散佈空間以及該第二氣體散佈空間的程序完成之後散佈該清除氣體至該第一氣體散佈空間及該第二氣體散佈空間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理方法，其中：在該時間分割處理程序中散佈該來源氣體至該第一氣體散佈空間及該第二氣體散佈空間係同時藉由散佈該來源氣體至該第一氣體散佈空間的該第一氣體散佈模組以及散佈該來源氣體至該第二氣體散佈空間的該第二氣體散佈模組來進行；在該時間分割處理程序中散佈該清除氣體至該第一氣體散佈空間以及該第二氣體散佈空間係同時藉由散佈該清除氣體至該第一氣體散佈空間的該第一氣體散佈模組以及散佈該清除氣體至該第二氣體散佈空間的該第二氣體散佈模組來進行；並且在該時間分割處理程序中散佈該反應氣體至該第一氣體散佈空間以及該第二氣體散佈空間係同時藉由散佈該反應氣體至該第一氣體散佈空間的該第一氣體散佈模組以及散佈該反應氣體至該第二氣體散佈空間的該第二氣體散佈模組來進行。
  5. 如申請專利範圍第1項或第4項所述之基板處理方法，其中： 於該空間分割處理程序中散佈該來源氣體至該第一氣體散佈空間係藉由散佈該來源氣體至該第一氣體散佈空間的該第一氣體散佈模組來進行；於該空間分割處理程序中散佈該清除氣體至該第二氣體散佈空間係藉由散佈該清除氣體至該第二氣體散佈空間的該第二氣體散佈模組來進行；並且於該空間分割處理程序中散佈該反應氣體至該第三氣體散佈空間係藉由散佈該反應氣體至該第三氣體散佈空間的該第三氣體散佈模組來進行。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理方法，其中：該空間分割處理程序更包含散佈該清除氣體至不同於該第一氣體散佈空間、該第三氣體散佈空間及該第二氣體散佈空間的一清除氣體散佈空間，並且於該空間分割處理程序中散佈該來源氣體至該第一氣體散佈空間、於該空間分割處理程序中散佈該清除氣體至該第二氣體散佈空間、於該空間分割處理程序中散佈該反應氣體至該第三氣體散佈空間、及於該空間分割處理程序中散佈該清除氣體至該清除氣體散佈空間係同時地進行。
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