TWI831772B - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種基板處理裝置，其包含支撐部、板體、蓋板及第一凸部。支撐部用於支撐基板。板體支撐多個支撐部。蓋板設置於板體。第一凸部連接於板體以於向上方向從板體向蓋板凸出至中央區域及間隙區域。中央區域位於支撐部之內，且間隙區域位於支撐部之間。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種基板處理裝置，其在基板上執行諸如沉積製程及蝕刻製程的處理製程。
一般來說，為了製造太陽能電池、半導體裝置或平坦的顯示面板裝置等，需在基板上形成薄膜層、薄膜電路圖案(thin-film circuit pattern)或光學圖案。因此，需執行處理製程，而處理製程例如包含沉積製程、顯影製程(photo process)及蝕刻製程等，其中沉積製程是將包含有特定材料的薄膜沉積在基板上，顯影製程是使用感光材料(photosensitive material)來選擇性地曝光一部份的薄膜，蝕刻製程則是將薄膜中選擇性曝光的部份移除而形成圖案。
圖1為傳統的基板處理裝置的側剖示意圖。
請參閱圖1，習知的基板處理裝置10包含一板體11、一散佈件12及一沖洗件13，其中板體11沿一轉軸11a轉動，散佈件12散佈一處理氣體，而沖洗件13散佈一沖洗氣體。
板體11於相對轉軸11a轉動時使多個基板20、20'相對轉軸11a轉動。
散佈件12散佈處理氣體到多個加工區域PA1、PA2。加工區域PA1、PA2設置於基板20、20'相對轉軸11a轉動的路徑上。處理氣體用於執行諸如沉積製程及蝕刻製程的處理製程。散佈件12散佈不同種類的處理氣體到加工區域PA1、PA2。
沖洗件13散佈沖洗氣體到轉軸11a所設置於的中央區域CA。中央區域CA位於加工區域PA1、PA2之間。沖洗件13散佈沖洗氣體到中央區域CA，而防止不同類型的處理氣體彼此混合，其中不同類型的處理氣體從散佈件12散佈至中央區域CA。
雖然未繪示於圖式中，傳統的基板處理裝置10包含劃分機構，且劃分機構散佈沖洗氣體而劃分出加工區域PA1、PA2。劃分機構散佈沖洗氣體至加工區域PA1、PA2之間的空間，而防止不同類型的處理氣體彼此混合，其中不同類型的處理氣體從散佈件12散佈至加工區域PA1、PA2之間的空間。
於此，當沖洗件13散佈至中央區域CA的沖洗氣體量很高時，沖洗氣體會將由散佈件12散佈到加工區域PA1、PA2的處理氣體向外推。當沖洗件13散佈至中央區域CA的沖洗氣體量很低時，由散佈件12散佈到加工區域PA1、PA2的處理氣體便會擴散至中央區域CA。擴散至中央區域CA的處理氣體會保持在中央區域CA，並接著被沖洗氣體及根據板體11轉動所產生的離心力推向外側，進而再次移動至加工區域PA1、PA2。
因此，在傳統的基板處理裝置10中，不同的處理氣體被混合，且不同的處理結果呈現於基板20、20'中的內部及其他部份之間，其中內部鄰近於中央區域CA。故傳統的基板處理裝置10中因有部份的中央區域CA未進行反應(empty)而降低執行於基板20、20'的加工製程之均勻度的問題。
本發明係用於解決上述問體，並提供用於提升在基板執行的加工製程的均勻度之基板處理裝置。
為了達成上述目的，本發明可包含下列特徵。
根據本發明的基板處理裝置可包含多個支撐部、一板體、一蓋板以及一第一凸部。支撐部用於支撐一基板。板體支撐多個支撐部。蓋板設置於板體。第一凸部連接於板體以於一向上方向從板體向蓋板凸出至一中央區域及一間隙區域。中央區域位於支撐部之內，且間隙區域位於支撐部之間。
根據本發明的基板處理裝置可包含一支撐部、一板體、一蓋板、一散佈件、一沖洗件以及一第一凸部。支撐部用於支撐一基板。板體連接於多個支撐部。支撐部所支撐的基板相對轉軸轉動。蓋板設置於板體。散佈件連接於蓋板以散佈加工氣體至多個加工區域，且加工區域相對轉軸設置。沖洗件連接於蓋板以散佈沖洗氣體。第一凸部連接於板體以於一向上方向從板體向蓋板凸出至一中央區域及一間隙區域。中央區域位於支撐部之內，且間隙區域位於支撐部之間。
根據本發明，可得到下列功效。
本發明可被實施而減小中央區域中的閒置空間之尺寸，而可增加在基板上執行的加工處理之均勻度。
本發明可被實施而減小多個支撐部之間的閒置空間之尺寸，進而可更進一步增加在基板上執行的加工處理之均勻度。
以下，將參照圖式詳細明述根據本發明一實施例之基板處理裝置。
請參閱圖2，根據本發明的基板處理裝置1於一基板S上執行加工製程。舉例來說，根據本發明的基板處理裝置1可執行沉積製程或蝕刻製程至少其中一者，其中沉積製程係於基板S上沉積薄膜，而蝕刻製程係將沉積在基板S上的薄膜之一部份移除。根據本發明的基板處理裝置1包含一支撐部2、一板體3、一蓋板4、一散佈件5、一沖洗件6及一第一凸部7。
請參閱圖2至圖4，支撐部2支撐基板S。基板S可設置於支撐部2中，而被支撐部2支撐。基板S可為半導體基板或晶片(wafer)。
支撐部2可包含一支撐槽21及一支撐壁22。
基板S插設於支撐槽21中。支撐槽21可設置於支撐部2的一頂面。支撐槽21可利用在支撐部2的頂面加工出具有一定深度的空槽來形成。基板S可插設於支撐槽21中並可由支撐部2支撐。支撐槽21及基板S可具有彼此相匹配的外形及尺寸。
支撐壁22環繞支撐槽21。當基板S插設於支撐槽21中時，基板S可設置於支撐壁22的內部。當基板S插設於支撐槽21中時，基板S的頂面及支撐壁22的頂面可如圖3所示具有相同的高度。如此一來，由支撐部2支撐的基板S之頂面及支撐壁22的頂面可與板體3的頂面3a間隔有相同的高度。
請參閱圖2至圖5，板體3支撐多個基板S。板體3可連接於一腔體110的內部，其中腔體110具有供加工製程進行的處理空間。一基板入口111(如圖4所示)可連接於腔體110。這些基板S可通過基板入口111並可藉由一裝載裝置(為繪示)而裝載到腔體110中。當加工製程完成時，這些基板S可通過基板入口111並可藉由一卸載裝置(未繪示)卸載到腔體110外。一排放件112(如圖4所示)用於將殘留在加工空間中的氣體排放至外側，並可連接於腔體110。
多個支撐部2可連接至板體3。當這些基板S由這些支撐部2支撐，板體3可支撐這些支撐部2藉以支撐這些基板S。這些支撐部2可連接於板體3以從板體3的頂面3a沿一向上方向UD(箭頭方向)凸出。因此，由這些支撐部2支撐的這些基板S之頂面可沿向上方向UD(箭頭方向)間隔於板體3的頂面3a。這些支撐部2可支撐這些基板S而使得這些基板S的頂面沿向上方向UD(箭頭方向)以第一高度H1間隔於板體3的頂面3a(如圖3所示)。如此一來，這些支撐部2各可從板體3的頂面3a以第一高度H1沿向上方向UD(箭頭方向)凸出。
板體3可相對一轉軸3b(如圖5所示)轉動。板體3可沿一第一轉動方向R1(箭頭方向)(如圖5所示)轉動。第一轉動方向R1(箭頭方向)相對轉軸3b而言可為順時針方向或逆時針方向。這些支撐部2可連接於板體3以在第一轉動方向R1(箭頭方向)中相對轉軸3b以相同的角度彼此間隔。於圖2及圖5中，繪示有六個連接至板體3的支撐部2，但本發明並不以此為限，也可以有兩個、三個、四個、五個、七個或是更多的支撐部2連接於板體3。
當板體3相對轉軸3b轉動時，由這些支撐部2支撐的這些基板S可相對轉軸3b轉動。如此一來，由這些支撐部2支撐的這些基板S可相對轉軸3b旋轉(revolve)。板體3可連接於提供旋轉動力的一驅動件120(如圖4所示)。每一這些支撐部2可用可轉動的方式連接於板體3。如此一來，每一這些支撐部2可相對其轉軸旋轉。因此，根據本發明的基板處理裝置1可被實施而使得加工製程在這些基板S轉動及旋轉時執行於這些基板S。
請參閱圖2至圖5，蓋板4設置於板體3。蓋板4可連接於腔體110，藉以覆蓋腔體110的頂部。蓋板4及腔體110可如圖2所示為圓柱體結構，但本發明並不以此為限，它們也可以為橢圓柱體結構、多邊形柱體結構或相似的結構。
蓋板4可於向上方向UD(箭頭方向)間隔於板體3。蓋板4可支撐散佈件5及沖洗件6。散佈件5及沖洗件6各可於向上方向UD(箭頭方向)間隔於板體3並可連接於蓋板4。
請參閱圖2至圖6，散佈件散佈加工氣體。散佈件5可於向上方向UD(箭頭方向)間隔於板體3。因此，散佈件5可沿向下方向DD(箭頭方向)朝板體3散佈加工氣體。散佈件5可連接於蓋板4。散佈件5可將加工氣體散佈至加工區域PA(如圖5所示)。因此，根據本發明的基板處理裝置1可被實施而使得用加工氣體進行的加工製程被執行於位在加工區域的基板S。當這些基板S相對轉軸3b轉動，散佈件5可散佈加工氣體至多個加工區域PA1、PA2(如圖5所示)，其中加工區域PA1、PA2沿這些基板S的轉動路徑設置。轉動路徑係指這些支撐部2在相對板體3的轉軸3b轉動時所經過的路徑。如此一來，這些基板S可在沿轉動路徑轉動時依序通過加工區域PA1、PA2。
散佈件5可包含一散佈孔51(如圖6所示)。
散佈件5可透過散佈孔51沿向下方向DD(箭頭方向)朝板體3散佈加工氣體。散佈件5可連接於蓋板4而使得散佈孔51的底端510(如圖6所示)於向上方向UD(箭頭方向)間隔於板體3。散佈件5可包含多個散佈孔51。在此情況中，這些散佈孔51可彼此間隔。
散佈件5可包含一第一散佈機構52(如圖2所示)及一第二散佈機構53(如圖2所示)。
第一散佈機構52散佈加工氣體中的來源氣體。第一散佈機構52可連接於蓋板4以設置於板體3。第一散佈機構52可散佈來源氣體到第一加工區域PA1(如圖5所示)。第一加工區域PA1對應於加工空間中位於散佈件5及板體3之間的部份。當板體3相對轉軸3b轉動時，板體3所支撐的這些基板S可依序通過第一加工區域PA1，並同時相對轉軸3b轉動。因此，使用來源氣體的加工製程可執行於通過第一加工區域PA1的這些基板S上。雖然未呈現於圖式中，散佈件5可包含多個第一散佈機構52。在此情況中，這些第一散佈機構52可沿轉動路徑彼此相間隔。
第二散佈機構53散佈加工氣體中的反應氣體。第二散佈機構53可連接於蓋板4以設置於板體3上。第二散佈機構53可散佈反應氣體至第二加工區域PA2(如圖5所示)。第二加工區域PA2對應於加工空間中位於散佈件5及板體3之間的部份。第二加工區域PA2及第一加工區域PA1可沿轉動路徑設置於不同的部份。當板體3相對轉軸3b轉動，板體3所支撐的這些基板S可依序通過第二加工區域PA2，並同時相對轉軸3b轉動。因此，使用反應氣體的加工製程可執行於通過第二加工區域PA2的這些基板S上。雖然未呈現於圖式中，散佈件5可包含多個第二散佈機構53。在此情況中，這些第二散佈機構53可沿轉動路徑彼此相間隔。
請參閱圖2至圖6，沖洗件6(如圖2所示)散佈沖洗氣體。沖洗件6可設置於板體3上。因此，沖洗件6可沿向下方向DD(箭頭方向)朝板體3散佈沖洗氣體。沖洗件6可連接於蓋板4。
沖洗件6可散佈沖洗氣體至中央區域CA(如圖5所示)。中央區域CA可位於加工區域PA1、PA2之間。如此一來，沖洗件6可於向上方向UD(箭頭方向)間隔於板體3的轉軸3b。沖洗件6可散佈沖洗氣體至中央區域CA，而可防止不同類型的加工氣體混合，其中不同類型的加工氣體從散佈件5散佈於中央區域CA。當散佈件5散佈來源氣體及反應氣體時，沖洗件6可散佈沖洗氣體至中央區域CA，而使得來源氣體及反應氣體不會於中央區域CA混合。如此一來，沖洗件6可設置於第一散佈機構52及第二散佈機構53之間。沖洗件6可散佈沖洗氣體至中央區域CA，藉以使殘留在中央區域CA中及附近的加工氣體被排出。中央區域CA可具有圓形的外形，且分離空間的中心點到第一散佈機構52及沖洗件6之間的距離為半徑。
請參閱圖2至圖7，第一凸部7可連接於板體3，以從板體3沿向上方向UD(箭頭方向)凸出。第一凸部7的一部份可設置於中央區域CA中。第一凸部7的另一部份可從第一凸部7中設置於中央區域CA的部份延伸而設置於這些支撐部2之間的區域(以下可稱為間隙區域)中。如此一來，因為這些支撐部2相對板體3的轉軸3b以特定的角度彼此間隔，所以間隙區域可為設置於這些支撐部2之間的空間。因此，第一凸部7可從板體3凸出至中央區域CA及間隙區域。因此，根據本發明的基板處理裝置1可具有下列功效。
首先，根據本發明的基板處理裝置1可被實施而使得第一凸部7的一部份於向上方向UD(箭頭方向)從板體3凸出至中央區域CA，進而使得中央區域CA中的閒置空間之尺寸減小，且此閒置空間的尺寸所減小的量即為設置在中央區域CA中的第一凸部7之體積。因此，根據本發明的基板處理裝置1可減小會使加工氣體停留在中央區域CA的空間之尺寸，其中加工氣體包含散佈件5所散佈的加工氣體及沖洗件6所散佈的沖洗氣體至少其中一者。因此，根據本發明的基板處理裝置1可使得這些基板S的內部及其他部份之間因加工氣體殘留於中央區域CA所導致的加工結果誤差降低。因此，根據本發明的基板處理裝置1可提升在基板上執行的加工製程之均勻度。這些基板S的內部為靠近中央區域CA的部份。
第二，根據本發明的基板處理裝置1可被實施而使得第一凸部7的其他部份於向上方向UD(箭頭方向)從板體3凸出到間隙區域，而使得間隙區域的閒置空間之尺寸下降，且此閒置空間的尺寸下降的量即為設置在間隙區域中的第一凸部7之體積。因此，根據本發明的基板處理裝置1可減小會使加工氣體殘留於間隙區域的空間之尺寸。因此，根據本發明的基板處理裝置1可使因加工氣體停留在間隙區域而部份發生於這些基板S的加工速率誤差降低，其中加工速率例如為沉積速率或蝕刻速率。因此，根據本發明的基板處理裝置1可更進一步提升在基板執行的加工製程之均勻度。
第三，根據本發明的基板處理裝置1可減小中央區域CA中的閒置空間的尺寸，而可減小沖洗氣體將由沖洗件6散佈至的空間之尺寸，進而防止不同類型的加工氣體於中央區域CA混合。因此，根據本發明的基板處理裝置1可使沖洗件6散佈較少的沖洗氣體，進而降低運作成本。
請參閱圖2至圖8，第一凸部7可於向上方向UD(箭頭方向)從板體3的頂面3a凸出而間隔於這些支撐部2。因此，第一凸部7及這些支撐部2之間可設有一氣槽70(如圖8所示)。氣槽70可為第一凸部7及這些支撐部2之間用來接觸板體3的頂面3a之空間，且可被實施而例如於第一凸部7及這些支撐部2之間呈現溝槽的外形。包含沖洗氣體及加工氣體至少其中一者的殘留氣體可沿氣槽70流動而可被排放至腔體110外，其中沖洗氣體由沖洗件6散佈，而加工氣體由散佈件5散佈。
因此，根據本發明的基板處理裝置1被實施而順暢地透過氣槽70排放殘留氣體。並且，根據本發明的基板處理裝置1被實施而使得第一凸部7及這些支撐部2於向上方向UD(箭頭方向)從板體3的頂面3a凸出，藉以利用第一凸部7及這些支撐部2來防止透過氣槽70排放的殘留氣體滲透至基板S中。如此一來，各個第一凸部7及這些支撐部2中面對氣槽70的外表面可作為防止殘留氣體滲透至基板S中的屏障。因此，根據本發明的基板處理裝置1可使因殘留氣體而部份發生於這些基板S的加工速率誤差降低，進而更進一步提升在基板上執行的加工製程之均勻度，其中加工速率例如為沉積速率或蝕刻速率。
第一凸部7可於向上方向UD(箭頭方向)以第二高度H2從板體3的頂面3a凸出(如圖3所示)。如此一來，這些支撐部2可支撐這些基板S而使得這些基板S的頂面彼此間隔並於向上方向UD(箭頭方向)以第一高度H1從板體3的頂面3a(如圖3所示)凸出。第二高度H2及第一高度H1可為相同。也就是說，第一凸部7的頂面及這些支撐部2所支撐的這些基板的頂面可設置於相同的位置。因此，透過氣槽70排放的殘留氣體被實施而使得用於防止透過氣槽70排放的殘留氣體滲透至第一凸部7的頂面之阻力(restraint force)(以下稱為第一凸部7的阻力)大約相同於用於防止透過氣槽70排放的殘留氣體滲透至這些支撐部2所支撐的這些基板S之頂面的阻力(以下稱為這些基板S的阻力)。此現象將於以下詳細描述。
首先，當第一凸部7的頂面所具有的高度低於這些支撐部2所支撐的這些基板S的頂面所具有的高度時，第一凸部7中面對氣槽70的外表面具有的高度便會低於這些基板S中面對氣槽70的外表面所具有的高度。因此，需使透過氣槽70排放的殘留氣體滲透至第一凸部7的頂面之距離小於需使透過氣槽70排放的殘留氣體滲透至這些支撐部2所支撐的這些基板S的頂面之距離。也就是說，第一凸部7的阻力小於這些基板S的阻力。因此，透過氣槽70排放的殘留氣體可移動至阻力相對較小的第一凸部7的頂面，進而降低排放力(exhaust force)。
接著，另一方面，當這些支撐部2所支撐的這些基板S的頂面所具有的高度低於第一凸部7的頂面所具有的高度，這些基板S的阻力便會小於第一凸部7的阻力。因此，透過氣槽70排放的殘留氣體可移動至具有相對較小阻力的這些基板S之頂面，進而降低排放力。
接著，當這些支撐部2所支撐的這些基板S的頂面與第一凸部7的頂面具有相同的高度，這些基板S的阻力及第一凸部7的阻力便會大約相同。因此，便可減緩透過氣槽70排放的殘留氣體會集中於第一凸部7的頂面及這些基板S的頂面其中一者的情形。因此，根據本發明的基板處理裝置1可使得殘留氣體不會偏離於氣槽70並能沿著氣槽70順暢地排出。
請參閱圖8及圖9，第一凸部7可包含多個容置槽71(如圖9所示)。
容置槽71各容納相對應的一個支撐部2之部份(如圖8所示)。容置槽71可各沿著支撐部2的外形凹向地形成。因此，根據本發明的基板處理裝置1可使得第一凸部以均勻的間距間隔於各個支撐部2。也就是說，氣槽70可被形成而具有統一尺寸的截面並沿支撐部2的外形排列。因此，根據本發明的基板處理裝置1可降低透過氣槽70排出的殘留氣體殘留的可能性，其中氣槽70設置於第一凸部7及各個這些支撐部2之間。
第一凸部7中面對這些容置槽71的這些外表面及這些支撐部2中面對這些容置槽71的這些外表面可各構成曲形表面。在這些支撐部2中，相對於朝向第一凸部7的方向來說，第一凸部7的外表面可為凹向曲形表面，而這些支撐部2的外表面可為凸向曲形表面。因此，第一凸部7的外表面及這些支撐部2的外表面可促使位於氣槽70中的殘留氣體順暢地排出。舉例來說，如圖8中以虛線表示的箭頭所示，位於氣槽70中的殘留氣體可沿著第一凸部7的外表面及這些支撐部2的外表面所構成的曲形表面流動，而可被順暢地排出。於圖9中一共繪示六個形成在第一凸部7中的容置槽71，但本發明並不以此為限，也可以有兩個、三個、四個、五個、七個或更多個容置槽71形成在第一凸部7中。如此一來，容置槽71的數量及這些支撐部2的數量可被實施成彼此相同。
請參閱圖10及圖11，第一凸部7可包含一第一容置槽71a及一第二容置槽71b。
第一容置槽71a容置一第一支撐部2a的部份。第一容置槽71a可對應於包含在第一凸部7的其中一個容置槽71。第一支撐部2a可對應於連接於板體3的其中一個支撐部2。容置於第一容置槽71a中的第一支撐部2a及第一凸部7可用一第一間距D1彼此間隔。第一間距D1可代表第一支撐部2a中面對第一容置槽71a的外表面及第一凸部7中面對第一容置槽71a的外表面彼此間隔的距離。第一間距D1可代表相對第一連接線L1的距離，其中第一連接線L1連接板體3的轉軸3b及第一支撐部2a的中心20a。第一支撐部2a及第一凸部7可均勻地以第一間距D1彼此間隔。
第二容置槽71b容置一第二支撐部2b的部份。第二容置槽71b可對應於包含在第一凸部7的其中一個容置槽71。第二支撐部2b可對應於連接於板體3的其中一個支撐部2。容置於第二容置槽71b的第二支撐部2b及第一凸部7可用第二間距D2彼此相間隔。第二間距D2可代表第二支撐部2b中面對第二容置槽71b的外表面及第一凸部7中面對第二容置槽71b的外表面彼此相間隔的距離。第二間距D2可代表相對於第二連接線L2的距離，其中第二連接線L2連接板體3的轉軸3b及第二支撐部2b的中心20b。第二支撐部2b及第一凸部7可以第二間距D2均勻地彼此相間隔。
如圖10所示，第二間距D2及第一間距D1可被實施為相同的。在此情況中，第二支撐部2b及第一支撐部2a可以相同的距離間隔於第一凸部7。因此，根據本發明的基板處理裝置1可使得加工製程執行於第二支撐部2b所支撐的基板S約略匹配於第一支撐部2a所支撐的基板S之加工環境中。雖然未呈現於圖式，所有的支撐部2可以相同的距離間隔於第一凸部7。
如圖11所示，第二間距D2及第一間距D1可被實施為相異的。在此情形中，第二支撐部2b及第一支撐部2a可以不同的距離間隔於第一凸部7。因此，根據本發明的基板處理裝置1可使得加工製程執行於第二支撐部2b所支撐的基板S相異於第一支撐部2a所支撐的基板S之加工環境中。當第二支撐部2b所支撐的基板S及第一支撐部2a所支撐的基板S具有不同的態樣，根據本發明的基板處理裝置1可使得第二間距D2相異於第一間距D1，進而提升於這些基板S執行的加工製程的均勻度。
舉例來說，第二間距D2可小於第一間距D1。於此情況中，相較於第一支撐部2a而言，第二支撐部2b可以較短的距離間隔於第一凸部7。雖然未呈現於圖式中，所有的支撐部2可以不同的距離間隔於第一凸部7。雖然未呈現於圖式中，根據本發明的基板處理裝置1可使得以不同距離間隔於第一凸部7的支撐部2匹配於以相同距離間隔於第一凸部7的支撐部2。因此，根據本發明的基板處理裝置1可增加能適用於各種基板、各種加工製程等等的通用性。
請參閱圖12至圖14，第一凸部7可包含一中心板72及多個凸件73。
中心板72從中央區域CA沿向上方向UD(箭頭方向)凸出。因此，中心板72可減小中央區域CA中的閒置空間之尺寸，而減小會使加工氣體停留在中央區域CA的空間之尺寸。中心板72可構成第一凸部7的一部份。中心板72可連接於板體3以與板體3形成同心圓。如此一來，中心板72的中心72a及板體3的轉軸3b(如圖11所示)可設置於相同的位置。
中心板72可以特定的距離間隔於這些支撐部2。因此，氣槽70可設置於中心板72及這些支撐部2之間。中心板72及這些支撐部2可從板體3的頂面3a凸出，而可防止透過氣槽70排放的殘留氣體滲透至中央區域CA及這些支撐部2所支撐的基板S中。
凸件73於一向外方向從中心板72延伸到這些支撐部2之間的區域。因此，凸件73可設置於這些支撐部2之間。也就是說，凸件73可設置於間隙區域。凸件73可於向上方向UD(箭頭方向)凸出至間隙區域。因此，凸件73可減小間隙區域中的閒置空間的尺寸，進而減小會讓加工氣體停留在間隙區域的空間之尺寸。凸件73可構成第一凸部7的部份。凸件73可連接於中心板72。凸件73及第一凸部7可為一體成形。
這些凸件73可於間隙區域中以特定的距離間隔於這些支撐部2。因此，氣槽70可設置於凸件73及這些支撐部2之間。這些凸件73及這些支撐部2可從板體3的頂面3a凸出，而防止透過氣槽70排出的殘留氣體滲入凸件73的頂部及這些支撐部2所支撐的這些基板S。
於圖12至圖14中，共繪示有六個連接到中心板72的凸件73，但本發明並不以此為限，也可以有兩個、三個、四個、五個、七個或更多個凸件73連接於中心板72。如此一來，凸件73的數量及這些支撐部2的數量可被實施為彼此相同。
如圖12所示，各個凸件73的一端部73a可設置於轉動半徑R的範圍內。於此情況中，相對於中心板72的中心72a來說，凸件73的長度73D及轉動半徑R可被實施為相同的。各個凸件73的端部73a為於向外方向中距離中心板72最遠的部份。轉動半徑R代表各個支撐部2的中心20及中心板72的中心72a之間的距離。於此情況中，這些支撐部2可連接於板體3而使得各個支撐部2的中心20以轉動半徑R間隔於中心板72的中心72a。凸件73的端部73a可設置於虛擬的圓周RC上，且此圓周RC相對中心板72的中心72a連接這些支撐部2的中心20。
如圖13所示，凸件73的端部73a可設置於轉動半徑R的範圍內。於此情況中，相對於中心板72的中心72a來說，凸件73的長度73D可小於轉動半徑R。因此，相對於中心板72的中心72a來說，凸件73的端部73a可設置於虛擬的圓周RC內，其中此圓周RC連接這些支撐部2的中心20。如此一來，凸件73的端部73a可以轉動半徑R的0.9倍或更高倍的距離設置。因此，相對於中心板72的中心72a來說，凸件73的長度73D可為轉動半徑R的0.9倍或更高倍。
如圖14所示，凸件73的端部73a可設置於轉動半徑R的範圍外。於此情況中，相對於中心板72的中心72a來說，凸件73的長度73D可大於轉動半徑R。因此，相對於中心板72的中心72a來說，凸件73的端部73a可設置於虛擬的圓周RC外，其中此圓周RC連接這些支撐部2的中心20。於此情況中，凸件73的端部73a可用為轉動半徑R的1.1倍或更低倍之距離設置。因此，相對於中心板72的中心72a來說，凸件73的長度73D可為轉動半徑R的1.1倍或更低倍。
如圖12至圖14所示，凸件73的端部73a可用為轉動半徑R的0.9倍至1.1倍的距離設置。於此情況中，相對於中心板72的中心72a來說，凸件73的長度73D可為轉動半徑R的0.9倍至1.1倍。
凸件73、中心板72及板體3可用相同的材料製成。凸件73及中心板72可用相同的材料製成，且板體3及中心板72可用不同的材料製成。
請參閱圖2至圖17，根據本發明的基板處理裝置1可包含一第二凸部8。
第二凸部8從第一凸部7凸出。第二凸部8可於向上方向UD(箭頭方向)從第一凸部7的頂面凸出至中央區域CA。因此，根據本發明的基板處理裝置1可具有下列功效。
首先，根據本發明的基板處理裝置1被實施而使得第一凸部7於向上方向UD(箭頭方向)從板體3的頂面凸出，且額外有第二凸部8於向上方向UD(箭頭方向)從第一凸部7的頂面凸出。因此，於根據本發明的基板處理裝置1中，中央區域CA中的閒置空間之尺寸可被減小，且所減小的量即對應於第一凸部7及第二凸部8的總體積。因此，於根據本發明的基板處理裝置1中，便能更進一步減小會使加工氣體停留在中央區域CA的空間之尺寸，進而更提升於基板執行的加工製程的均勻度。
第二，於根據本發明的基板處理裝置1中，可透過使用第一凸部7及第二凸部8進一步減小中央區域CA中的閒置空間之尺寸，而減小待由沖洗件6散佈的沖洗氣體將被散佈到的空間之尺寸，進而防止不同類型的加工氣體於中央區域CA混合。因此，根據本發明的基板處理裝置1可更進一步使沖洗件6散佈較少的沖洗氣體，進而降低運作成本。
第三，在第二凸部8凸出於蓋板4的比較性示例中，中央區域CA中的閒置空間之尺寸可被減小。然而，在此比較性示例中，因為第二凸部8及第一凸部7於散佈件5朝下散佈加工氣體的方向中彼此相間隔，所以會有連通加工區域PA1、PA2的連通空間。因此，於此比較性示例中，散佈件5朝下散佈加工氣體的散佈力便作為用於通過連通空間的力量，因此會產生不同類型的加工氣體於連通空間混合的風險。為了降低此種風險，便需要沖洗件6散佈更多的沖洗氣體。
另一方面，根據本發明的基板處理裝置1被實施而使得第二凸部8沿向上方向UD(箭頭方向)凸出於第一凸部7，因此在散佈件5向下散佈加工氣體的方向上便不會有如比較性示例所示的連通空間。因此，相較於比較性示例，根據本發明的基板處理裝置1可使用第二凸部8來降低不同類型的加工氣體被混合的風險，並可散佈相對較少的沖洗氣體來防止不同類型的加工氣體混合。此外，於根據本發明的基板處理裝置1中，散佈件5向下散佈加工氣體所使用的散佈力係作為將加工氣體送回中央區域CA的外部之力量。此現象係因為加工氣體由第二凸部8阻擋後殘留的散佈力係作為將加工氣體送回中央區域CA的外部之力量。因此，根據本發明的基板處理裝置1可使用散佈件5向下散佈加工氣體所使用的散佈力作為防止加工氣體停留在中央區域CA的預防力(preventive force)。
第二凸部8可具有圓柱狀的外形而於向上方向UD(箭頭方向)中從第一凸部7凸出至中央區域CA中，但本發明並不以此為限，第二凸部8可具有用於減小中央區域CA中的閒置空間之尺寸的任何外形。第二凸部8及第一凸部7可為一體成形。
第二凸部8可由絕緣材料(insulating material)製成。因此，於根據本發明的基板處理裝置1中，當沉積製程執行於這些基板S時，便可防止薄膜不必要地沉積在第二凸部8。因此，於根據本發明的基板處理裝置1中，完成沉積製程的基板S之品質便不會因薄膜沉積在第二凸部8而劣化，且第二凸部8中便可具有更多乾淨的部份(cleaning period)。舉例來說，第二凸部8可由陶瓷製成。
第二凸部8及板體3可由不同的材料製成。也就是說，第二凸部8及板體3可由不同類型的材料製成。舉例來說，當板體3以導電材料(conductive material)製成時，第二凸部8可由絕緣材料製成。於此情況中，板體3可由鋁(aluminum，Al)製成，而第二凸部8可由陶瓷製成。因此，當沉積製程執行於這些基板S時，根據本發明的基板處理裝置1可使得待沉積於基板S的薄膜由板體3支撐，並同時可防止薄膜不必要地沉積於第二凸部8上。第二凸部8及第一凸部7可由相同材料製成。
第二凸部8可用可拆卸的方式連結於第一凸部7。因此，於根據本發明的基板處理裝置1中，當加工條件改變而需要調整中央區域CA中的閒置空間之尺寸時，可藉由取下(replace)第二凸部8來加強對應於受改變的加工條件之反應力，其中加工條件例如為基板S的尺寸或是加工氣體的類型。舉例來說，第二凸部8可使用諸如螺栓(bolt)的固定手段可拆卸地連接於第一凸部7。
當第二凸部8設置於中央區域CA中，沖洗件6可連接於蓋板4以相對第二凸部8沿向上方向UD(箭頭方向)設置。因此，沖洗件6可朝第二凸部8向下散佈沖洗氣體。由沖洗件6朝第二凸部8向下散佈的沖洗氣體可防止不同類型的加工氣體之混合，並同時防止加工氣體停留於沖洗件6及第二凸部8之間的空間。並且，由沖洗件6朝第二凸部8向下散佈的沖洗氣體可沿第二凸部8的外表面移動至第一凸部7。因此，根據本發明的基板處理裝置1可使用已經移動到第一凸部7的沖洗氣體排出殘留在中央區域CA的加工氣體。
第二凸部8可沿向上方向UD(箭頭方向) 從第一凸部7凸出，而使得第二凸部8的頂端80(如圖17所示)高於散佈孔51的底端510。也就是說，第二凸部8的頂端80之高度8H(如圖17所示)大於散佈孔51的底端510之高度510H(如圖17所示)。因此，根據本發明的基板處理裝置1被實施而使得散佈件5以低於第二凸部8的頂端80之高度向下散佈加工氣體。因此，散佈件5所散佈的加工氣體可沿相反於重力方向的一反向方向上升，而可通過第二凸部8。因此，根據本發明的基板處理裝置1可更進一步加強防止不同加工氣體混合的預防力。
請參閱圖2至圖18，第二凸部8可沿向上方向UD(箭頭方向)從中心板72的頂面凸出。第二凸部8的尺寸可小於中心板72的尺寸。因此，第二凸部8可從中心板72向內地被設置。於此情況中，中心板72可具有從第二凸部8凸出至外側的外形。
第二凸部8可間隔於這些支撐部2。於此情況中，中心板72可相對虛擬的中心連接線CL(如圖8所示)以第一距離FD(如圖18所示)從第二凸部8凸出，其中中心連接線CL連接中心板72的中心72a(如圖16所示)及各個支撐部2的中心20(如圖16所示)。各個支撐部2可相對中心連接線CL以第二距離SD(如圖18所示)間隔於中心板72。第二距離SD可小於或等於第一距離FD。也就是說，第一距離FD不會小於第二距離SD。因此，根據本發明的基板處理裝置1可降低處理速率的誤差程度，所述處理速率例如為沉積速率或蝕刻速率，且係因沖洗件6所散佈的沖洗氣體而部份的發生於這些基板S。以下將詳細描述此現象。
首先，在第一距離FD小於第二距離SD的比較性示例中，中心板72從第二凸部8凸出至外側的距離小於中心板72間隔於這些支撐部2的距離。在沖洗件6所散佈的沖洗氣體透過第二凸部8及中心板72流動至這些支撐部2的過程中，沖洗氣體沿中心板72流動的距離便被縮短。因此，流動方向改變於的彎曲段(elbow period)TD(如圖18所示)幾乎被移除，而使沖洗件6所散佈的沖洗氣體沿著第二凸部8的外表面流動，並接著沿中心板72的頂面流動，進而使沖洗件6所散佈的沖洗氣體可輕易地利用散佈至第二凸部8的散佈力穿過這些支撐部2所支撐的這些基板S。因此，於此比較性示例中，諸如沉積速率或蝕刻速率的加工速率之誤差因沖洗件6所散佈的沖洗氣體而部份地發生於這些基板S中。
另一方面，在第一距離FD大於或等於第二距離SD的實施例中，中心板72從第二凸部8凸出到外側的距離等於中心板72間隔於這些支撐部2的距離。於一實施例中，中心板72從第二凸部8凸出到外側的距離大於中心板72間隔於這些支撐部2的距離。因此，於一實施例中，流動方向改變於的彎折段TD相較於比較性示例更清楚地形成，而使得沖洗件6所散佈的沖洗氣體沿著第二凸部8的外表面流動，並接著沿中心板72的頂面流動。因此，在通過彎折段TD時，沖洗件6散佈沖洗氣體至第二凸部8所利用的散佈力便會減弱，而使沖洗件6所散佈的沖洗氣體難以穿過這些支撐部2所支撐的這些基板S。因此，一實施例可降低加工速率的誤差程度，此加工速率例如為沉積速率或蝕刻速率，且因沖洗件6所散佈的沖洗氣體部份地發生於這些基板S。於一實施例中，第二凸部8的尺寸可小於中心板72的尺寸，而使第一距離FD可大於或等於第二距離SD。於此情況中，第二凸部8的直徑可小於中心板72的直徑。
在設有第二凸部8的情況中，蓋板4中可形成有一插槽41(如圖17所示)。
第二凸部8可插設於插槽41中。因此，根據本發明的基板處理裝置1可防止這些支撐部2及散佈件5之間的分隔距離因第二凸部8的高度而增加，並可降低總尺寸於高度方向上增加的程度。並且，根據本發明的基板處理裝置1可增加第二凸部8的高度，而可增加為了使散佈件5所散佈的加工氣體通過第二凸部8而增加的距離。因此，根據本發明的基板處理裝置1可加強防止不同類型的加工氣體混合之預防力。第二凸部8可插設於插槽41中而使第二凸部8的頂端80高於散佈孔51的底端510。
沖洗件6可設置於插槽41中。沖洗件6可連接於蓋板4而於向上方向UD(箭頭方向)相對第二凸部8設置於插槽41中。於此情況中，沖洗件6可於向上方向UD(箭頭方向)相對第二凸部8散佈沖洗氣體到插槽41。
插槽41的整個外形可為圓柱狀，但本發明並不以此為限，插槽41可具有能供第二凸部8插入的任意外形。
在插槽41形成於蓋板4中的情況下，第二凸部8的尺寸可小於插槽41的尺寸，而使第二凸部8間隔於蓋板4中插槽41所位在的內壁42(如圖17所示)。因此，沖洗件6可散佈沖洗氣體至蓋板4的內壁42及第二凸部8之間的區域。也就是說，第二凸部8及蓋板4的內壁42之間的區域可作為供沖洗氣體通過的路徑。因此，根據本發明的基板處理裝置1可被實施而使沖洗件6所散佈的沖洗氣體透過第二凸部8及蓋板4的內壁42之間的區域移動至第一凸部7。因此，根據本發明的基板處理裝置1可使用已經移動至第一凸部7的沖洗氣體來排放殘留在中央區域CA的加工氣體。並且，沖洗件6所散佈的沖洗氣體朝下移動至第一凸部7，而使根據本發明的基板處理裝置1可防止散佈件5所散佈的加工氣體沿著第二凸部8上升。
在插槽41形成於蓋板4中的情況下，第二凸部8可包含一導槽81(如圖17所示)。
導槽81使沖洗氣體的紊流形成於插槽41中。沖洗氣體因導槽81而形成在插槽41的紊流可防止加工氣體流進蓋板4的內壁42及第二凸部8之間的區域。因此，根據本發明的基板處理裝置1可更藉由使用導槽81進一步加強防止不同加工氣體混合的預防力。
導槽81可被實施為形成於第二凸部8的外表面且具有一定深度的凹槽。導槽81可形成於位在第二凸部8的頂端80之角落部份中。導槽81所位在的部份與蓋板4的內壁42相間隔的距離可大於第二凸部8中的另一部份與蓋板4的內壁42相間隔的距離。
請參閱圖2至圖18，根據本發明的基板處理裝置1可包含一第一劃分機構61及一第二劃分機構62。
第一劃分機構61散佈沖洗氣體。第一劃分機構61可連接於蓋板4以設置在板體3上。第一劃分機構61可散佈沖洗氣體至一第一劃分區域DA1(如圖16所示)。第一劃分區域DA1可沿轉動路徑設置於第一加工區域PA1及第二加工區域PA2之間。第一劃分區域DA1可設置於沖洗件6的一側。因此，第一劃分機構61可散佈沖洗氣體至第一劃分區域DA1，而能於沖洗件6的一側空間上地分割第一加工區域PA1及第二加工區域PA2。因此，第一劃分機構61可防止不同類型的加工氣體於第一劃分區域DA1混合。
第二劃分機構62散佈沖洗氣體。第二劃分機構62可連接於蓋板4以設置於板體3上。第二劃分機構62可散佈沖洗氣體至第二劃分區域DA2(如圖16所示)。第二劃分區域DA2可沿轉動路徑設置於第一加工區域PA1及第二加工區域PA2之間。第二劃分區域DA2可設置於沖洗件6的另一側。因此，第二劃分機構62可散佈沖洗氣體至第二劃分區域DA2，而可於沖洗件6的另一側空間上地分割第一加工區域PA1及第二加工區域PA2。因此，第二劃分機構62可防止不同類型的加工氣體於第二劃分區域DA2混合。
請參閱圖2至圖19，根據本發明一修改實施例的第二凸部8可包含一擴散槽82(如圖19所示)。
擴散槽82擴散由沖洗件6所散佈的沖洗氣體。擴散槽82可位於第二凸部8的頂面83(如圖19所示)。第二凸部8的頂面83為第二凸部8中面對沖洗件6的表面。因此，擴散槽82可增加第二凸部8的頂面83與沖洗件6間隔的距離。因此，藉由使用擴散槽82，根據本發明的基板處理裝置1可防止沖洗件6所散佈的沖洗氣體在被第二凸部8的頂面83阻擋時流回沖洗件6。此現象將於以下詳細描述。
首先，當第二凸部8的頂面83為不具有擴散槽82的平坦表面時，第二凸部8的頂面83間隔於沖洗件6的距離可為較小的，而使沖洗件6所散佈的沖洗氣體可因被第二凸部8的頂面83阻擋而停留且不會被擴散至外界。在此情況中，當沖洗件6持續散佈沖洗氣體，被第二凸部8的頂面83阻擋的沖洗氣體便有流回沖洗件6的風險。
接著，當擴散槽82形成於第二凸部8的頂面83時，擴散槽82可增加第二凸部8的頂面83與沖洗件6的間隔距離。因此，第二凸部8具有足夠的空間來使沖洗件6所散佈的沖洗氣體能順暢地透過擴散槽82擴散。因此，藉由使用擴散槽82，根據本發明的基板處理裝置1可防止沖洗件6所散佈的沖洗氣體流回沖洗件6，而可加強防止不同類型的反應氣體混合的預防力以及排放加工氣體的排放力。
透過擴散槽82，第二凸部8可被實施而使得第二凸部8的頂面83與沖洗件6的間隔距離不改變預防表面84的高度(如圖19所示)。預防表面84為第二凸部8中面對加工區域PA的表面，並用於減小中央區域CA中的閒置空間之尺寸。當第二凸部8具有圓柱狀的外形，預防表面84可對應於第二凸部8的側面。
擴散槽82的尺寸可於向下方向DD(箭頭方向)逐漸減小。向下方向DD(箭頭方向)為從沖洗件6到第二凸部8的方向。因此，可使得擴散槽82中對應到沖洗件6散佈沖洗氣體到的沖洗氣體散佈區域之一部份具有較大的深度，且擴散槽82的深度在朝預防表面84延伸至外側的方向上逐漸減小。因此，擴散槽82可在沖洗氣體散佈區域中更進一步增加第二凸部8的頂面83與沖洗件6的間隔距離。當第二凸部8具有圓柱狀的外形時，沖洗氣體散佈區域的直徑可小於第二凸部8的直徑。
擴散槽82的尺寸可沿向下方向DD(箭頭方向)逐漸減小，而使得第二凸部8的頂面83可為傾斜的，進而使頂面83的高度在從預防表面84延伸到一內部的方向上逐漸減小。也就是說，第二凸部8的頂面83可為傾斜的而使頂面83的高度在朝預防表面84延伸到外側的方向上逐漸減小。因此，第二凸部8的頂面83可使沖洗件6所散佈的沖洗氣體朝預防表面84流動至外側。
擴散槽82可具有圓錐狀的外形，而使得擴散槽82的尺寸沿向下方向DD(箭頭方向)逐漸減小。因此，擴散槽82中對應到沖洗氣體散佈區域的部份可具有最大的深度。因此，根據本發明的基板處理裝置1可被實施而使得沖洗件6所散佈的沖洗氣體透過擴散槽82所集中於的部份具有最寬廣的空間。在此情況中，擴散槽82可於板體3的轉軸3b具有最大的深度。從具有最大深度的部份來說，擴散槽82的深度可在朝預防表面84延伸至外側的方向中逐漸減小。
本發明並不限於上述之實施例及相關圖式，本領域具有通常知識者可得知在不脫離本發明的範圍及精神下，可進行各種修改、變形及替換。
10‧‧‧基板處理裝置 11‧‧‧板體 12‧‧‧散佈件 13‧‧‧沖洗件 11a‧‧‧轉軸 20、20'‧‧‧基板 PA1、PA2‧‧‧處理區域 CA‧‧‧中央區域 1‧‧‧基板處理裝置 2‧‧‧支撐部 2a‧‧‧第一支撐部 2b‧‧‧第二支撐部 20、20a、20b‧‧‧中心 21‧‧‧支撐槽 22‧‧‧支撐壁 3‧‧‧板體 3a‧‧‧頂面 3b‧‧‧轉軸 4‧‧‧蓋板 41‧‧‧插槽 42‧‧‧內壁 5‧‧‧散佈件 51‧‧‧散佈孔 510‧‧‧底端 510H‧‧‧高度 52‧‧‧第一散佈機構 53‧‧‧第二散佈機構 6‧‧‧沖洗件 61‧‧‧第一劃分機構 62‧‧‧第二劃分機構 7‧‧‧第一凸部 70‧‧‧氣槽 71‧‧‧容置槽 71a‧‧‧第一容置槽 71b‧‧‧第二容置槽 72‧‧‧中心板 72a‧‧‧中心 73‧‧‧凸件 73a‧‧‧端部 73D‧‧‧長度 R‧‧‧轉動半徑 8‧‧‧第二凸部 80‧‧‧頂端 8H‧‧‧高度 81‧‧‧導槽 82‧‧‧擴散槽 83‧‧‧頂面 84‧‧‧預防表面 110‧‧‧腔體 111‧‧‧基板入口 112‧‧‧排放件 120‧‧‧驅動件 UD‧‧‧向上方向 H1‧‧‧第一高度 H2‧‧‧第二高度 R1‧‧‧第一轉動方向 PA、PA1、PA2‧‧‧加工區域 PA1‧‧‧第一加工區域 PA2‧‧‧第二加工區域 DD‧‧‧向下方向 CA‧‧‧中央區域 D1‧‧‧第一間距 D2‧‧‧第二間距 L1‧‧‧第一連接線 L2‧‧‧第二連接線 RC‧‧‧圓周 CL‧‧‧中心連接線 FD‧‧‧第一距離 SD‧‧‧第二距離 TD‧‧‧彎折段 DA1‧‧‧第一劃分區域 DA2‧‧‧第二劃分區域 S‧‧‧基板 A‧‧‧部份
圖1為傳統的基板處理裝置的側剖示意圖。 圖2為根據本發明的基板處理裝置的立體分解示意圖。 圖3為根據本發明的基板處理裝置之支撐部、板體及第一凸部沿圖2中的割面線Ⅰ-Ⅰ所繪示的側剖示意圖。 圖4為根據本發明的基板處理裝置之側剖示意圖。 圖5為根據本發明的基板處理裝置之支撐部、板體及第一凸部的平面示意圖。 圖6為根據本發明的基板處理裝置之支撐部、板體、第一凸部及散佈件沿圖2中的割面線Ⅰ-Ⅰ所繪示的側剖示意圖。 圖7為根據本發明的基板處理裝置之支撐部、板體及第一凸部的立體示意圖。 圖8為圖7中的部份A之平面示意圖。 圖9為根據本發明的基板處理裝置之第一凸部的平面示意圖。 圖10及圖11為繪示根據本發明的基板處理裝置之第一凸部與支撐部之間的間隔之部份平面示意圖。 圖12至圖14為繪示根據本發明的基板處理裝置之第一凸部的凸件之部份平面示意圖。 圖15為繪示根據本發明的基板處理裝置的第二凸部之立體分解示意圖。 圖16為根據本發明的基板處理裝置之支撐部、板體、第一凸部及第二凸部的平面示意圖。 圖17及圖18為根據本發明的基板處理裝置之支撐部、板體、第一凸部及第二凸部沿圖2中的割面線Ⅰ-Ⅰ所繪示的側剖示意圖。 圖19為根據本發明之修改實施例的基板處理裝置之第二凸部沿圖2中的割面線Ⅰ-Ⅰ所繪示的側剖示意圖。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧支撐部
21‧‧‧支撐槽
22‧‧‧支撐壁
3‧‧‧板體
3a‧‧‧頂面
3b‧‧‧轉軸
4‧‧‧蓋板
5‧‧‧散佈件
52‧‧‧第一散佈機構
53‧‧‧第二散佈機構
6‧‧‧沖洗件
61‧‧‧第一劃分機構
62‧‧‧第二劃分機構
7‧‧‧第一凸部
72‧‧‧中心板
73‧‧‧凸件
110‧‧‧腔體
111‧‧‧基板入口
UD‧‧‧向上方向
R1‧‧‧第一轉動方向
DD‧‧‧向下方向
S‧‧‧基板

Claims (19)

  1. 一種基板處理裝置，包含：多個支撐部，各個該些支撐部用於支撐一基板；一板體，支撐該些支撐部；一蓋板，設置於該板體上；一第一凸部，連接於該板體以於一向上方向從該板體向該蓋板凸出至一中央區域及一間隙區域，該中央區域位於該些支撐部之內，且該間隙區域位於該些支撐部之間；以及一氣槽，位於該第一凸部及該些支撐部之間，其中該第一凸部於該向上方向從該板體的一頂面凸出而間隔於該些支撐部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中該些支撐部支撐該些基板，而使得該些基板的多個頂面於該向上方向以一第一高度間隔於該板體的該頂面，並且該第一凸部以一第二高度從該板體的該頂面凸出，且該第二高度與該第一高度相同。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中該第一凸部包含多個容置槽，且該些容置槽各容納該些支撐部中相對應的其中一者之部份，並且該些容置槽各凹向地沿該些支撐部中相對應的其中一者之外形設置。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中 該第一凸部包含一第一容置槽及一第二容置槽，該第一容置槽容置該些支撐部中的一第一支撐部之一部份，且該第二容置槽容置該些支撐部中的一第二支撐部之一部份，容置於該第一容置槽的該第一支撐部及該第一凸部以一第一間距彼此相間隔，並且容置於該第二容置槽的該第二支撐部及該第一凸部以一第二間距彼此相間隔，且該第一間距與該第二間距相異。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中該第一凸部包含一第一容置槽及一第二容置槽，該第一容置槽容置該些支撐部中的一第一支撐部之部份，且該第二容置槽容置該些支撐部中的一第二支撐部之部份，容置於該第一容置槽的該第一支撐部及該第一凸部以一第一間距彼此相間隔，並且容置於該第二容置槽的該第二支撐部及該第一凸部以一第二間距彼此相間隔，且該第一間距與該第二間距相同。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中該第一凸部包含：一中心板，於該向上方向凸出至該中央區域；以及多個凸件，設置於該間隙區域以於一向外方向從該中心板延伸至該些支撐部之間的一區域。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之基板處理裝置，其中 該些支撐部連接於該板體而使得每一該些支撐部的一中心與該中心板的一中心以一轉動半徑彼此相間隔，並且各個該些凸件中於該向外方向以一最長距離間隔於該中心板的該中心之一端部設置於該轉動半徑的0.9倍至1.1倍之處。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之基板處理裝置，其中該些支撐部連接於該板體而使得每一該些支撐部的一中心與該中心板的一中心以一轉動半徑彼此相間隔，並且各個該些凸件中於該向外方向以一最長距離間隔於該中心板的該中心之一端部設置於該轉動半徑之處。
  9. 一種基板處理裝置，包含：多個支撐部，各個該些支撐部用於支撐一基板；一板體，支撐該些支撐部；一蓋板，設置於該板體上；一第一凸部，連接於該板體以於一向上方向從該板體向該蓋板凸出至一中央區域及一間隙區域，該中央區域位於該些支撐部之內，且該間隙區域位於該些支撐部之間；以及一第二凸部，於該向上方向從該第一凸部的一頂面凸出至該中央區域。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之基板處理裝置，其中該第一凸部包含一中心板及多個凸件，該中心板於該向上方向中凸出至該中央區域，該些凸件設置於該間隙區域，藉以從該中心板沿一向外方向延伸至該些支撐部之間的一區域，並且 該第二凸部從該中心板的一頂面沿該向上方向凸出。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之基板處理裝置，其中該第二凸部的尺寸小於該中心板的尺寸，藉以使該第二凸部設置於該中心板之內。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之基板處理裝置，其中該中心板相對一中心連接線以一第一距離凸出於該第二凸部，且該中心連接線連接該中心板的一中心及各個該些支撐部的一中心，該些支撐部各相對於該中心連接線以一第二距離間隔於該中心板，並且該第二距離小於或等於該第一距離。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之基板處理裝置，其中供該第二凸部插設的一插槽位於該蓋板中。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之基板處理裝置，更包含一沖洗件，該沖洗件連接於該蓋板藉以散佈一沖洗氣體，其中該第二凸部的尺寸小於該插槽的尺寸，以使該第二凸部間隔於該蓋板中該插槽所位在的一內壁，並且該沖洗件散佈該沖洗氣體至該第二凸部及該蓋板中該插槽所位在的該內壁之間的一區域。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之基板處理裝置，更包含一沖洗件，該沖洗件連接於該蓋板藉以散佈一沖洗氣體， 其中，該第二凸部包含一導槽，該導槽用於使該沖洗氣體於該插槽中形成一紊流。
  16. 如申請專利範圍第9項所述之基板處理裝置，更包含一散佈件，該散佈件連接於該蓋板，其中該散佈件包含散佈一加工氣體的一散佈孔，並且該第二凸部從該第一凸部的一頂面沿該向上方向凸出，而使該第二凸部的一頂端高於該散佈孔的一底端。
  17. 如申請專利範圍第9項所述之基板處理裝置，其中該第二凸部可分離地連接於該第一凸部。
  18. 如申請專利範圍第9項所述之基板處理裝置，更包含一沖洗件，該沖洗件連接於該蓋板以散佈一沖洗氣體，其中該第二凸部包含一擴散槽，該擴散槽用於擴散該沖洗件所散佈的該沖洗氣體，並且該擴散槽位於該第二凸部的一頂面，且該第二凸部面對該沖洗件。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之基板處理裝置，其中該擴散槽的尺寸於一向下方向中從該沖洗件至該第二凸部逐漸減小。
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