KR20230074091A - 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 복수개의 기판을 지지하는 디스크; 상기 디스크의 상측에 배치된 리드; 상기 디스크에 결합되고, 상기 기판들의 내측에 위치한 중앙영역 및 상기 기판들의 사이에 위치한 사이영역에서 상기 디스크로부터 상기 리드 쪽을 향하는 상방(上方)으로 돌출된 제1돌출부; 및 상기 중앙영역에서 상기 제1돌출부의 상면으로부터 상방으로 돌출된 제2돌출부를 포함하고, 상기 제1돌출부가 갖는 중앙플레이트는 상기 중앙플레이트의 중심과 상기 기판들 각각의 중심을 잇는 중심연결선을 기준으로 하여 상기 제2돌출부로부터 제1거리로 돌출되도록 형성되며, 상기 기판들은 각각 상기 중심연결선을 기준으로 하여 상기 중앙플레이트로부터 제2거리로 이격되도록 배치되고, 상기 제2거리는 상기 제1거리와 동일하거나 상기 제1거리에 비해 더 짧은 기판처리장치에 관한 것이다.

Description

기판처리장치{Apparatus for Processing Substrate}
본 발명은 기판에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정을 수행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 상에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 한다. 이를 위해, 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 증착공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각공정 등과 같은 기판에 대한 처리공정이 이루어진다. 이러한 기판에 대한 처리공정은 기판처리장치에 의해 이루어진다.
도 1은 종래 기술에 따른 기판처리장치의 개략적인 측단면도이다.
도 1을 참고하면, 종래 기술에 따른 기판처리장치(10)는 회전축(11a)을 중심으로 회전하는 디스크(11), 공정가스를 분사하는 분사부(12), 및 퍼지가스를 분사하는 퍼지부(13)를 포함한다.
상기 디스크(11)는 상기 회전축(11a)을 중심으로 회전하면서 복수개의 기판들(20, 20')을 상기 회전축(11a)을 중심으로 회전시킨다.
상기 분사부(12)는 복수개의 처리영역들(PA1, PA2)에 공정가스를 분사한다. 상기 처리영역들(PA1, PA2)들은 상기 기판들(20, 20')이 상기 회전축(11a)을 중심으로 회전하는 경로 상에 배치된다. 공정가스는 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정을 수행하기 위한 것이다. 상기 분사부(12)는 상기 처리영역들(PA1, PA2)에 서로 다른 종류의 공정가스를 분사한다.
상기 퍼지부(13)는 상기 회전축(11a)이 배치된 중앙영역(CA)으로 퍼지가스를 분사한다. 상기 중앙영역(CA)은 상기 처리영역들(PA1, PA2)의 내측에 배치된다. 상기 퍼지부(13)는 상기 중앙영역(CA)으로 퍼지가스를 분사함으로써, 상기 중앙영역(CA)을 통해 상기 분사부(12)가 분사한 서로 다른 종류의 공정가스가 서로 혼합되는 것을 방지한다.
도시되지 않았지만, 종래 기술에 따른 기판처리장치(1)는 상기 처리영역들(PA1, PA2)을 구획하기 위해 퍼지가스를 분사하는 구획기구를 포함한다. 상기 구획기구는 상기 처리영역들(PA1, PA2)의 사이로 퍼지가스를 분사함으로써, 상기 처리영역들(PA1, PA2)의 사이를 통해 상기 분사부(12)가 분사한 서로 다른 종류의 공정가스가 서로 혼합되는 것을 방지한다.
여기서, 상기 퍼지부(13)가 상기 중앙영역(CA)으로 분사하는 퍼지가스의 분사량이 많으면, 상기 분사부(12)가 상기 처리영역들(PA1, PA2)에 분사한 공정가스가 퍼지가스에 의해 외측방향으로 밀리게 된다. 상기 퍼지부(13)가 상기 중앙영역(CA)으로 분사하는 퍼지가스의 분사량이 적으면, 상기 분사부(12)가 상기 처리영역들(PA1, PA2)에 분사한 공정가스가 상기 중앙영역(CA)까지 확산되게 된다. 상기 중앙영역(CA)까지 확산된 공정가스는, 상기 중앙영역(CA)에서 체류하다가 퍼지가스 및 상기 디스크(11)의 회전에 따라 작용하는 원심력에 의해 외측방향으로 밀려서 다시 상기 처리영역들(PA1, PA2)로 이동한다.
따라서, 종래 기술에 따른 기판처리장치(1)는 서로 다른 공정가스가 혼합되고, 상기 기판들(20, 20')에서 상기 중앙영역(CA)에 가까운 내측부분 및 나머지 부분 간에 서로 다른 공정 결과가 나타나게 된다. 이에 따라, 종래 기술에 따른 기판처리장치(1)는 비어 있는 중앙영역(CA)으로 인해 상기 기판들(20, 20')에 대한 처리공정의 균일성이 저하되는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 기판에 대한 처리공정의 균일성을 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하기 위한 것이다.
상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 복수개의 기판을 지지하는 디스크; 상기 디스크의 상측에 배치된 리드; 상기 디스크에 결합되고, 상기 기판들의 내측에 위치한 중앙영역 및 상기 기판들의 사이에 위치한 사이영역에서 상기 디스크로부터 상기 리드 쪽을 향하는 상방(上方)으로 돌출된 제1돌출부; 및 상기 중앙영역에서 상기 제1돌출부의 상면으로부터 상방으로 돌출된 제2돌출부를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서, 상기 제1돌출부는 상기 중앙영역에서 상방으로 돌출된 중앙플레이트를 포함할 수 있다. 상기 제2돌출부는 상기 중앙플레이트의 상면으로부터 상방으로 돌출될 수 있다. 상기 중앙플레이트는 상기 중앙플레이트의 중심과 상기 기판들 각각의 중심을 잇는 중심연결선을 기준으로 하여 상기 제2돌출부로부터 제1거리로 돌출되도록 형성될 수 있다. 상기 기판들은 각각 상기 중심연결선을 기준으로 하여 상기 중앙플레이트로부터 제2거리로 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 제2거리는 상기 제1거리와 동일하거나 상기 제1거리에 비해 더 짧을 수 있다.
본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.
본 발명은 중앙영역에서 비어 있는 공간의 크기를 감소시킬 수 있도록 구현됨으로써, 기판에 대한 처리공정의 균일성을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 지지부들의 사이에 비어 있는 공간의 크기를 감소시킬 수 있도록 구현됨으로써, 기판에 대한 처리공정의 균일성을 더 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 기판처리장치의 개략적인 측단면도
도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치에 대한 개략적인 분해 사시도
도 3은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 지지부, 디스크, 및 제1돌출부를 도 2의 Ⅰ-Ⅰ선을 기준으로 나타낸 개략적인 측단면도
도 4는 본 발명에 따른 기판처리장치에 대한 개략적인 측단면도
도 5는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 지지부, 디스크, 및 제1돌출부에 대한 개략적인 평면도
도 6은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 지지부, 디스크, 제1돌출부, 및 분사부를 도 2의 Ⅰ-Ⅰ선을 기준으로 나타낸 개략적인 측단면도
도 7은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 지지부, 디스크, 및 제1돌출부에 대한 개략적인 사시도
도 8은 도 7의 A 부분에 대한 개략적인 평면도
도 9는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1돌출부에 대한 개략적인 평면도
도 10 및 도 11은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1돌출부와 지지부들이 이격된 간격을 설명하기 위한 개략적인 일부 평면도
도 12 내지 도 14는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1돌출부의 돌출부재들을 설명하기 위한 개략적인 평면도
도 15는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제2돌출부를 설명하기 위한 개략적인 분해 사시도
도 16은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 지지부, 디스크, 제1돌출부, 및 제2돌출부에 대한 개략적인 평면도
도 17 및 도 18은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 지지부, 디스크, 제1돌출부, 및 제2돌출부를 도 2의 Ⅰ-Ⅰ선을 기준으로 나타낸 개략적인 측단면도
도 19는 본 발명의 변형된 실시예에 따른 제2돌출부를 도 2의 Ⅰ-Ⅰ선을 기준으로 나타낸 개략적인 측단면도
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 기판(S)에 대한 처리공정을 수행하는 것이다. 예컨대, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(S)에 박막을 증착하는 증착공정 및 상기 기판(S)에 증착된 박막의 일부를 제거하는 식각공정 중에서 적어도 하나를 수행할 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 지지부(2), 디스크(3), 리드(4), 분사부(5), 퍼지부(6), 및 제1돌출부(7)를 포함한다.
도 2 내지 도 4를 참고하면, 상기 지지부(2)는 상기 기판(S)을 지지하는 것이다. 상기 기판(S)은 상기 지지부(2)에 안착됨으로써 상기 지지부(2)에 지지될 수 있다. 상기 기판(S)은 반도체 기판 또는 웨이퍼일 수 있다.
상기 지지부(2)는 지지홈(21) 및 지지벽(22)을 포함할 수 있다.
상기 지지홈(21)은 상기 기판(S)이 삽입되는 것이다. 상기 지지홈(21)은 상기 지지부(2)의 상면에 형성될 수 있다. 상기 지지홈(21)은 상기 지지부(2)의 상면에 일정 깊이로 홈을 가공함으로써 형성될 수 있다. 상기 기판(S)은 상기 지지홈(21)에 삽입되어서 상기 지지부(2)에 안착될 수 있다. 상기 지지홈(21)과 상기 기판(S)은 서로 일치하는 형태 및 크기로 형성될 수 있다.
상기 지지벽(22)은 상기 지지홈(21)을 둘러싸도록 배치된 것이다. 상기 기판(S)이 상기 지지홈(21)에 삽입되면, 상기 기판(S)은 상기 지지벽(22)의 내측에 배치될 수 있다. 상기 기판(S)이 상기 지지홈(21)에 삽입되면, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 기판(S)의 상면 및 상기 지지벽(22)의 상면은 서로 동일한 높이로 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 지지부(2)에 지지된 기판(S)의 상면 및 상기 지지벽(22)의 상면은 상기 디스크(3)의 상면(3a)으로부터 동일한 높이로 이격될 수 있다.
도 2 내지 도 5를 참고하면, 상기 디스크(3)는 복수개의 기판(S)을 지지하는 것이다. 상기 디스크(3)는 상기 처리공정이 이루어지는 처리공간을 제공하는 챔버(110)의 내부에 결합될 수 있다. 상기 챔버(110)에는 기판출입구(111, 도 4에 도시됨)가 결합될 수 있다. 상기 기판(S)들은 로딩장치(미도시)에 의해 상기 기판출입구(111)를 통과하여 상기 챔버(110)의 내부로 반입될 수 있다. 상기 처리공정이 완료되면, 상기 기판(S)들은 언로딩장치(미도시)에 의해 상기 기판출입구(111)를 통과하여 상기 챔버(110)의 외부로 반출될 수 있다. 상기 챔버(110)에는 상기 처리공간에 존재하는 가스 등을 외부로 배기시키기 위한 배기부(112, 도 4에 도시됨)가 결합될 수 있다.
상기 디스크(3)에는 상기 지지부(2)가 복수개 결합될 수 있다. 상기 지지부(2)들에 상기 기판(S)들이 지지되면, 상기 디스크(3)는 상기 지지부(2)들을 지지함으로써 상기 기판(S)들을 지지할 수 있다. 상기 지지부(2)들은 상기 디스크(3)의 상면(3a)으로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 돌출되도록 상기 디스크(3)에 결합될 수 있다. 이에 따라, 상기 지지부(2)들에 지지된 기판(S)들의 상면은 상기 디스크(3)의 상면(3a)으로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 지지부(2)들은 상기 기판(S)들의 상면이 상기 디스크(3)의 상면(3a)으로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 제1높이(H1, 도 3에 도시됨)로 이격되도록 상기 기판(S)들을 지지할 수 있다. 이 경우, 상기 지지부(2)들은 각각 디스크(3)의 상면(3a)으로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 상기 제1높이(H1)로 돌출될 수도 있다.
상기 디스크(3)는 회전축(3b, 도 5에 도시됨)을 중심으로 회전할 수 있다. 상기 디스크(3)는 제1회전방향(R1 화살표 방향, 도 5에 도시됨)으로 회전할 수 있다. 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)은 상기 회전축(3b)을 중심으로 시계방향 또는 반시계방향일 수 있다. 상기 지지부(2)들은 상기 회전축(3b)을 중심으로 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 서로 동일한 각도로 이격되도록 상기 디스크(3)에 결합될 수 있다. 도 2 및 도 5에는 상기 디스크(3)에 6개의 지지부(2)들이 결합된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 디스크(3)에는 2개, 3개, 4개, 5개, 또는 7개 이상의 지지부(2)들이 결합될 수도 있다.
상기 디스크(3)가 상기 회전축(3b)을 중심으로 회전함에 따라, 상기 지지부(2)들에 지지된 기판(S)들은 상기 회전축(3b)을 중심으로 회전할 수 있다. 이 경우, 상기 지지부(2)들에 지지된 기판(S)들은 상기 회전축(3b)을 중심으로 공전(公轉)할 수 있다. 상기 디스크(3)는 회전력을 제공하는 구동부(120, 도 4에 도시됨)에 결합될 수 있다. 상기 지지부(2)들은 각각 상기 디스크(3)에 회전 가능하게 결합될 수도 있다. 이 경우, 상기 지지부(2)들은 각각의 회전축을 중심으로 자전(自轉)할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 지지부(2)들에 지지된 기판(S)들에 대해 자전 및 공전이 병행하여 이루어지면서 상기 처리공정이 이루어지도록 구현될 수 있다.
도 2 내지 도 5를 참고하면, 상기 리드(4)는 상기 디스크(3)의 상측에 배치된 것이다. 상기 리드(4)는 상기 챔버(110)의 상부를 덮도록 상기 챔버(110)에 결합될 수 있다. 상기 리드(4) 및 상기 챔버(110)는 도 2에 도시된 바와 같이 원통형 구조로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 타원형 구조, 다각형 구조 등으로 형성될 수도 있다.
상기 리드(4)는 상기 디스크(3)로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 리드(4)는 상기 분사부(5) 및 상기 퍼지부(6)를 지지할 수 있다. 상기 분사부(5) 및 상기 퍼지부(6)는 각각 상기 디스크(3)로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 이격되어 배치되도록 상기 리드(4)에 결합될 수 있다.
도 2 내지 도 6을 참고하면, 상기 분사부(5)는 공정가스를 분사하는 것이다. 상기 분사부(5)는 상기 디스크(3)로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 분사부(5)는 상기 디스크(3) 쪽을 향하는 하방(DD 화살표 방향)으로 공정가스를 분사할 수 있다. 상기 분사부(5)는 상기 리드(4)에 결합될 수 있다. 상기 분사부(5)는 처리영역(PA, 도 5에 도시됨)으로 공정가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 처리영역(PA)에 위치한 기판(S)에 대해 공정가스를 이용한 처리공정이 이루어지도록 구현될 수 있다. 상기 기판(S)들이 상기 회전축(3b)을 중심으로 회전하는 경우, 상기 분사부(5)는 상기 기판(S)들이 회전하는 회전경로를 따라 배치된 복수개의 처리영역(PA1, PA2)(도 5에 도시됨)으로 공정가스를 분사할 수 있다. 상기 회전경로는 상기 지지부(2)들이 상기 디스크(3)의 회전축(3b)을 중심으로 회전하면서 지나가는 경로를 의미한다. 이 경우, 상기 기판(S)들은 상기 회전경로를 따라 회전하면서 상기 처리영역들(PA1, PA2)을 순차적으로 통과할 수 있다.
상기 분사부(5)는 분사공(51, 도 6에 도시됨)을 포함할 수 있다.
상기 분사부(5)는 상기 분사공(51)을 통해 상기 디스크(3) 쪽을 향하는 하방(DD 화살표 방향)으로 공정가스를 분사할 수 있다. 상기 분사부(5)는 상기 분사공(51)의 하단(510, 도 6에 도시됨)이 상기 디스크(3)로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 이격된 위치에 배치되도록 상기 리드(4)에 결합될 수 있다. 상기 분사부(5)는 상기 분사공(51)을 복수개 포함할 수도 있다. 이 경우, 상기 분사공(51)들은 서로 이격되도록 배치될 수 있다.
상기 분사부(5)는 제1분사기구(52, 도 2에 도시됨) 및 제2분사기구(53, 도 2에 도시됨)를 포함할 수 있다.
상기 제1분사기구(52)는 공정가스 중에서 소스가스를 분사하는 것이다. 상기 제1분사기구(52)는 상기 디스크(3)의 상측에 배치되도록 상기 리드(4)에 결합될 수 있다. 상기 제1분사기구(52)는 제1처리영역(PA1, 도 5에 도시됨)으로 소스가스를 분사할 수 있다. 상기 제1처리영역(PA1)은 상기 분사부(5) 및 상기 디스크(3) 사이에 위치한 처리공간 중에서 일부에 해당한다. 상기 디스크(3)가 상기 회전축(3b)을 중심으로 회전하면, 상기 디스크(3)에 지지된 기판(S)들은 상기 회전축(3b)을 중심으로 회전하면서 상기 제1처리영역(PA1)을 순차적으로 통과할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1처리영역(PA1)을 통과하는 기판(S)들에 대해 소스가스를 이용한 처리공정이 이루어질 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 분사부(5)는 상기 제1분사기구(52)를 복수개 포함할 수도 있다. 이 경우, 상기 제1분사기구(52)들은 상기 회전경로를 따라 서로 이격된 위치에 배치될 수 있다.
상기 제2분사기구(53)는 공정가스 중에서 반응가스를 분사하는 것이다. 상기 제2분사기구(53)는 상기 디스크(3)의 상측에 배치되도록 상기 리드(4)에 결합될 수 있다. 상기 제2분사기구(53)는 제2처리영역(PA2, 도 5에 도시됨)으로 반응가스를 분사할 수 있다. 상기 제2처리영역(PA2)은 상기 분사부(5) 및 상기 디스크(3) 사이에 위치한 처리공간 중에서 일부에 해당한다. 상기 제2처리영역(PA2) 및 상기 제1처리영역(PA1)은 상기 회전경로를 따라 서로 다른 위치에 배치될 수 있다. 상기 디스크(3)가 상기 회전축(3b)을 중심으로 회전하면, 상기 디스크(3)에 지지된 기판(S)들은 상기 회전축(3b)을 중심으로 회전하면서 상기 제2처리영역(PA2)을 순차적으로 통과할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2처리영역(PA2)을 통과하는 기판(S)들에 대해 반응가스를 이용한 처리공정이 이루어질 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 분사부(5)는 상기 제2분사기구(53)를 복수개 포함할 수도 있다. 이 경우, 상기 제2분사기구(53)들은 상기 회전경로를 따라 서로 이격된 위치에 배치될 수 있다.
도 2 내지 도 6을 참고하면, 상기 퍼지부(6, 도 2에 도시됨)는 퍼지가스를 분사하는 것이다. 상기 퍼지부(6)는 상기 디스크(3)의 상측에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 퍼지부(6)는 상기 디스크(3) 쪽을 향하는 하방(DD 화살표 방향)으로 퍼지가스를 분사할 수 있다. 상기 퍼지부(6)는 상기 리드(4)에 결합될 수 있다.
상기 퍼지부(6)는 중앙영역(CA, 도 5에 도시됨)으로 퍼지가스를 분사할 수 있다. 상기 중앙영역(CA)은 상기 처리영역들(PA1, PA2)의 내측에 배치된 것이다. 이 경우, 상기 퍼지부(6)는 상기 디스크(3)의 회전축(3b)으로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 퍼지부(6)는 상기 중앙영역(CA)으로 퍼지가스를 분사함으로써, 상기 중앙영역(CA)을 통해 상기 분사부(5)가 분사한 서로 다른 종류의 공정가스가 혼합되는 것을 방지할 수 있다. 상기 분사부(5)가 소스가스와 반응가스를 분사하는 경우, 상기 퍼지부(6)는 상기 중앙영역(CA)을 통해 소스가스와 반응가스가 혼합되지 않도록 상기 중앙영역(CA)으로 퍼지가스를 분사할 수 있다. 이 경우, 상기 퍼지부(6)는 상기 제1분사기구(52) 및 상기 제2분사기구(53)의 사이에 배치될 수 있다. 상기 퍼지부(6)는 상기 중앙영역(CA)으로 퍼지가스를 분사함으로써, 상기 중앙영역(CA) 및 상기 중앙영역(CA)의 주변에 잔류한 공정가스를 배기시킬 수도 있다. 상기 중앙영역(CA)은 상기 제1분사기구(52) 및 상기 퍼지부(6)가 서로 이격된 공간의 중간지점으로부터 상기 회전축(3b)까지 이격된 거리를 반지름으로 하는 원형으로 구현될 수 있다.
도 2 내지 도 7을 참고하면, 상기 제1돌출부(7)는 상기 디스크(3)로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 돌출되도록 상기 디스크(3)에 결합될 수 있다. 상기 제1돌출부(7)는 일부가 상기 중앙영역(CA)에 배치될 수 있다. 상기 제1돌출부(7)의 나머지 일부는 상기 지지부(2)들의 사이(이하, '사이영역'이라 함)에 배치되도록 상기 중앙영역(CA)에 배치된 제1돌출부(7)의 일부로부터 연장될 수 있다. 이 경우, 상기 사이영역은 상기 지지부(2)들이 상기 디스크(3)의 회전축(3b)을 중심으로 소정 각도로 이격됨에 따라 상기 지지부(2)들의 사이에 위치한 공간일 수 있다. 이에 따라, 상기 제1돌출부(7)는 상기 중앙영역(CA)과 상기 사이영역에서 상기 디스크(3)로부터 돌출되도록 배치될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 다음과 같은 작용 효과를 도모할 수 있다.
첫째, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1돌출부(7)의 일부가 상기 중앙영역(CA)에서 상기 디스크(3)로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 돌출되도록 구현됨으로써, 상기 중앙영역(CA)에 배치된 제1돌출부(7)의 체적에 해당하는 만큼 상기 중앙영역(CA)에서 비어 있는 공간의 크기를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 분사부(5)가 분사한 공정가스와 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스 중에서 적어도 하나가 포함된 처리가스가 상기 중앙영역(CA)에서 체류 가능한 공간의 크기를 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 중앙영역(CA)에 체류한 처리가스로 인해 상기 기판(S)들의 내측부분 및 나머지 부분 간에 공정 결과의 편차가 발생하는 정도를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 기판에 대한 처리공정의 균일성을 향상시킬 수 있다. 상기 기판(S)들의 내측부분은 상기 중앙영역(CA)에 가까운 부분이다.
둘째, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1돌출부(7)의 나머지 일부가 상기 사이영역에서 상기 디스크(3)로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 돌출되도록 구현됨으로써, 상기 사이영역에 배치된 제1돌출부(7)의 체적에 해당하는 만큼 상기 사이영역에서 비어 있는 공간의 크기를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 처리가스가 상기 사이영역에서 체류 가능한 공간의 크기를 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 사이영역에 체류한 처리가스로 인해 상기 기판(S)들에 부분적으로 증착률, 식각률 등과 같은 처리율에 편차가 발생하는 정도를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 기판에 대한 처리공정의 균일성을 더 향상시킬 수 있다.
셋째, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1돌출부(7)가 상기 중앙영역(CA)에서 비어 있는 공간의 크기를 감소시킬 수 있으므로, 상기 중앙영역(CA)을 통해 서로 다른 종류의 공정가스 간에 혼합되는 것을 방지하기 위해 상기 퍼지부(6)가 퍼지가스를 분사해야 하는 공간의 크기를 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 퍼지부(6)가 분사하는 퍼지가스 분사량을 줄일 수 있으므로, 운영비용을 절감할 수 있다.
도 2 내지 도 8을 참고하면, 상기 제1돌출부(7)는 상기 지지부(2)들로부터 이격된 위치에서 상기 디스크(3)의 상면(3a)으로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 돌출될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1돌출부(7)와 상기 지지부(2)들의 사이에는 가스홈(70, 도 8에 도시됨)이 위치할 수 있다. 상기 가스홈(70)은 상기 제1돌출부(7)와 상기 지지부(2)들 사이에서 상기 디스크(3)의 상면(3a)에 접하도록 배치된 공간으로, 상기 제1돌출부(7)와 상기 지지부(2)들 사이에서 골짜기와 같은 형태로 구현될 수 있다. 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스와 상기 분사부(5)가 분사한 공정가스 중에서 적어도 하나가 포함된 잔여가스는 상기 가스홈(70)을 따라 유동하여 상기 챔버(110)의 외부로 배기될 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 가스홈(70)을 통해 잔여가스를 원활하게 배기시킬 수 있도록 구현된다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1돌출부(7)와 상기 지지부(2)들이 상기 디스크(3)의 상면(3a)으로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 돌출되므로, 상기 제1돌출부(7)와 상기 지지부(2)들을 이용하여 상기 가스홈(70)을 통해 배기되는 잔여가스가 상기 기판(S) 쪽으로 침범하는 것을 억제할 수 있도록 구현된다. 이 경우, 상기 제1돌출부(7)와 상기 지지부(2)들 각각에서 상기 가스홈(70)을 향하도록 배치된 외면은, 잔여가스가 상기 기판(S) 쪽으로 침범하는 것을 억제하는 방벽으로 기능할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 잔여가스로 인해 상기 기판(S)들에 부분적으로 증착률, 식각률 등과 같은 처리율에 편차가 발생하는 정도를 감소시킬 수 있으므로, 기판에 대한 처리공정의 균일성을 더 향상시킬 수 있다.
상기 제1돌출부(7)는 상기 디스크(3)의 상면(3a)으로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 제2높이(H2, 도 3에 도시됨)로 돌출될 수 있다. 이 경우, 상기 지지부(2)들은 상기 기판(S)들의 상면이 상기 디스크(3)의 상면(3a)으로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 상기 제1높이(H1, 도 3에 도시됨)로 이격되도록 상기 기판(S)들을 지지할 수 있다. 상기 제2높이(H2) 및 상기 제1높이(H1)는 서로 동일하게 구현될 수 있다. 즉, 상기 제1돌출부(7)의 상면 및 상기 지지부(2)들에 지지된 기판(S)들의 상면은, 서로 동일한 높이에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 가스홈(70)을 통해 배기되는 잔여가스가 상기 제1돌출부(7)의 상면 쪽으로 침범하는 것을 억제하는 억제력(이하, '제1돌출부(7)의 억제력'이라 함) 및 상기 가스홈(70)을 통해 배기되는 잔여가스가 상기 지지부(2)들에 기지된 기판(S)들의 상면 쪽으로 침범하는 것을 억제하는 억제력(이하, '기판(S)들의 억제력'이라 함)이 대략 일치하도록 구현된다. 이를 구체적으로 살펴보면, 다음과 같다.
우선, 상기 제1돌출부(7)의 상면이 상기 지지부(2)들에 지지된 기판(S)들의 상면에 비해 더 낮은 높이인 경우, 상기 가스홈(70)을 향하는 제1돌출부(7)의 외면이 상기 가스홈(70)을 향하는 기판(S)들의 외면에 비해 더 낮은 높이로 구현된다. 이에 따라, 상기 가스홈(70)을 통해 배기되는 잔여가스가 상기 제1돌출부(7)의 상면 쪽으로 침범하기 위해 상승해야 하는 거리는, 상기 가스홈(70)을 통해 배기되는 잔여가스가 상기 지지부(2)들에 지지된 기판(S)들의 상면 쪽으로 침범하기 위해 상승해야 하는 거리에 비해 더 짧게 구현된다. 즉, 상기 제1돌출부(7)의 억제력이 상기 기판(S)들의 억제력에 비해 더 작게 구현된다. 따라서, 상기 가스홈(70)을 통해 배기되는 잔여가스가 상대적으로 억제력이 작은 상기 제1돌출부(7)의 상면 쪽으로 치우치게 되므로, 배기력이 저하될 수 있다.
다음, 반대로 상기 지지부(2)들에 지지된 기판(S)들의 상면이 상기 제1돌출부(7)의 상면에 비해 더 낮은 높이인 경우, 상기 기판(S)들의 억제력이 상기 제1돌출부(7)의 억제력에 비해 더 작게 구현된다. 따라서, 상기 가스홈(70)을 통해 배기되는 잔여가스가 상대적으로 억제력이 작은 상기 기판(S)들의 상면 쪽으로 치우치게 되므로, 배기력이 저하될 수 있다.
다음, 상기 지지부(2)들에 지지된 기판(S)들의 상면 및 상기 제1돌출부(7)의 상면이 서로 동일한 높이인 경우, 상기 기판(S)들의 억제력 및 상기 제1돌출부(7)의 억제력이 대략 일치하게 구현된다. 따라서, 상기 가스홈(70)을 통해 배기되는 잔여가스가 상기 기판(S)들의 상면 및 상기 제1돌출부(7)의 상면 중에서 어느 한 쪽으로 치우치게 되는 정도를 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 잔여가스가 상기 가스홈(70)로부터 벗어나지 않으면서 상기 가스홈(70)을 따라 원활하게 유동하여 배기되도록 구현될 수 있다.
도 8 및 도 9를 참고하면, 상기 제1돌출부(7)는 복수개의 수용홈(71, 도 9에 도시됨)을 포함할 수 있다.
상기 수용홈(71)들은 상기 지지부(2, 도 8에 도시됨)들 각각의 일부를 수용하는 것이다. 상기 수용홈(71)들은 각각 상기 지지부(2)의 형상을 따라 오목하게 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1돌출부(7) 및 상기 지지부(2)들 각각이 균일한 간격으로 이격되어 배치되도록 구현될 수 있다. 즉, 상기 가스홈(70)은 상기 지지부(2)의 형상을 따라 균일한 크기의 단면이 이어지도록 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1돌출부(7) 및 상기 지지부(2)들 각각의 사이에 배치된 상기 가스홈(70)을 통해 배기되는 잔여가스가 정체될 가능성을 감소시킬 수 있다.
상기 수용홈(71)들을 향하도록 배치된 제1돌출부(7)의 외면들 및 상기 수용홈(71)들을 향하도록 배치된 상기 지지부(2)들의 외면들은, 각각 곡면을 이루도록 형성될 수 있다. 상기 지지부(2)들에서 상기 제1돌출부(7)를 향하는 방향을 기준으로, 상기 제1돌출부(7)의 외면들은 오목한 곡면으로 형성되고, 상기 지지부(2)들의 외면들은 볼록한 곡면으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1돌출부(7)의 외면들과 상기 지지부(2)들의 외면들은, 상기 가스홈(70)에 위치한 잔여가스가 원활하게 배기되도록 유도할 수 있다. 예컨대, 도 8에 점선 화살표로 도시된 바와 같이 상기 가스홈(70)에 위치한 잔여가스는 상기 제1돌출부(7)의 외면들과 상기 지지부(2)들의 외면들이 이루는 곡면을 따라 유동함으로써 원활하게 배기될 수 있다. 도 9에는 상기 제1돌출부(7)에 6개의 수용홈(71)들이 형성된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제1돌출부(7)에는 2개, 3개, 4개, 5개, 또는 7개 이상의 수용홈(71)들이 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 수용홈(71)들의 개수 및 상기 지지부(2)들의 개수는 서로 일치하도록 구현될 수 있다.
도 10 및 도 11을 참고하면, 상기 제1돌출부(7)는 제1수용홈(71a) 및 제2수용홈(71b)을 포함할 수 있다.
상기 제1수용홈(71a)은 제1지지부(2a)의 일부를 수용하는 것이다. 상기 제1수용홈(71a)은 상기 제1돌출부(7)가 갖는 수용홈(71)들 중에서 어느 하나에 해당할 수 있다. 상기 제1지지부(2a)는 상기 디스크(3)에 결합된 지지부(2)들 중에서 어느 하나에 해당할 수 있다. 상기 제1수용홈(71a)에 수용된 제1지지부(2a) 및 상기 제1돌출부(7)는 제1간격(D1)으로 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 제1간격(D1)은 상기 제1수용홈(71a)을 향하도록 배치된 제1지지부(2a)의 외면 및 상기 제1수용홈(71a)을 향하도록 배치된 제1돌출부(7)의 외면이 서로 이격된 거리를 의미할 수 있다. 상기 제1간격(D1)은 상기 디스크(3)의 회전축(3b)과 상기 제1지지부(2a)의 중심(20a)을 잇는 가상의 제1연결선(L1)을 기준으로 하는 거리일 수 있다. 상기 제1지지부(2a) 및 상기 제1돌출부(7)는 전체적으로 상기 제1간격(D1)으로 균일하게 이격되도록 배치될 수도 있다.
상기 제2수용홈(71b)은 제2지지부(2b)의 일부를 수용하는 것이다. 상기 제2수용홈(71b)은 상기 제1돌출부(7)가 갖는 수용홈(71)들 중에서 어느 하나에 해당할 수 있다. 상기 제2지지부(2b)는 상기 디스크(3)에 결합된 지지부(2)들 중에서 어느 하나에 해당할 수 있다. 상기 제2수용홈(71b)에 수용된 제2지지부(2b) 및 상기 제1돌출부(7)는 제2간격(D2)으로 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 제2간격(D2)은 상기 제2수용홈(71b)을 향하도록 배치된 제2지지부(2b)의 외면 및 상기 제2수용홈(71b)을 향하도록 배치된 제1돌출부(7)의 외면이 서로 이격된 거리를 의미할 수 있다. 상기 제2간격(D2)은 상기 디스크(3)의 회전축(3b)과 상기 제2지지부(2b)의 중심(20b)을 잇는 가상의 제2연결선(L2)을 기준으로 하는 거리일 수 있다. 상기 제2지지부(2b) 및 상기 제1돌출부(7)는 전체적으로 상기 제2간격(D2)으로 균일하게 이격되도록 배치될 수도 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 상기 제2간격(D2)과 상기 제1간격(D1)은 서로 동일하게 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제2지지부(2b) 및 상기 제1지지부(2a)는 각각 상기 제1돌출부(7)로부터 동일한 거리로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2지지부(2b)에 지지된 기판(S) 및 상기 제1지지부(2a)에 지지된 기판(S)이 대략 일치하는 공정환경을 거쳐 처리공정이 이루어지도록 구현될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 지지부(2)들 전부가 상기 제1돌출부(7)로부터 동일한 거리로 이격된 위치에 배치될 수도 있다.
도 11에 도시된 바와 같이, 상기 제2간격(D2)과 상기 제1간격(D1)은 서로 상이하게 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 제2지지부(2b) 및 상기 제1지지부(2a)는 각각 상기 제1돌출부(7)로부터 상이한 거리로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2지지부(2b)에 지지된 기판(S) 및 상기 제1지지부(2a)에 지지된 기판(S)이 서로 상이한 공정환경을 거쳐 처리공정이 이루어지도록 구현될 수 있다. 상기 제2지지부(2B)에 지지된 기판(S) 및 상기 제1지지부(2a)에 지지된 기판(S)은 서로 다른 종류, 서로 다른 사양을 갖는 것인 경우. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2간격(D2)과 상기 제1간격(D1)이 서로 상이하게 구현됨에 따라 상기 기판(S)들에 대한 처리공정의 균일성을 향상시킬 수 있다.
예컨대, 상기 제2간격(D2)은 상기 제1간격(D1)에 비해 더 짧게 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제2지지부(2b)는 상기 제1지지부(2a)에 비해 상기 제1돌출부(7)로부터 더 짧은 거리로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 지지부(2)들 전부가 상기 제1돌출부(7)로부터 서로 상이한 거리로 이격된 위치에 배치될 수도 있다. 도시되지 않았지만, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1돌출부(7)로부터 서로 상이한 거리로 이격된 지지부(2)들과 상기 제1돌출부(7)로부터 서로 동일한 거리로 이격된 지지부(2)들의 조합되도록 구현될 수도 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 다양한 기판(S), 다양한 처리공정 등에 적용할 수 있는 범용성을 향상시킬 수 있다.
도 12 내지 도 14를 참고하면, 상기 제1돌출부(7)는 중앙플레이트(72) 및 복수개의 돌출부재(73)를 포함할 수 있다.
상기 중앙플레이트(72)는 상기 중앙영역(CA)에서 상방(UD 화살표 방향)으로 돌출된 것이다. 이에 따라, 상기 중앙플레이트(72)는 상기 중앙영역(CA)에서 비어 있는 공간의 크기를 감소시킴으로써, 상기 중앙영역(CA)에서 상기 처리가스가 체류 가능한 공간의 크기를 감소시킬 수 있다. 상기 중앙플레이트(72)는 상기 제1돌출부(7)의 일부를 구성할 수 있다. 상기 중앙플레이트(72)는 상기 디스크(3)와 동심을 이루도록 상기 디스크(3)에 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 중앙플레이트(72)의 중심(72a) 및 상기 디스크(3)의 회전축(3b, 도 11에 도시됨)은 동일한 위치에 배치될 수 있다.
상기 중앙플레이트(72)는 상기 지지부(2)들로부터 소정 거리 이격되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 중앙플레이트(72)와 상기 지지부(2)들의 사이에는 상기 가스홈(70)들이 배치될 수 있다. 상기 중앙플레이트(72)와 상기 지지부(2)들은 상기 디스크(3)의 상면(3a)으로부터 돌출되도록 구현되므로, 상기 가스홈(70)을 통해 배기되는 잔여가스가 상기 중앙영역(CA) 및 상기 지지부(2)들에 지지된 기판(S)들 쪽으로 침범하는 것을 억제할 수 있다.
상기 돌출부재(73)들은 상기 중앙플레이트(72)로부터 상기 지지부(2)들의 사이 쪽을 향하는 외측방향으로 연장된 것이다. 이에 따라, 상기 돌출부재(73)들은 상기 지지부(2)들의 사이에 배치될 수 있다. 즉, 상기 돌출부재(73)들은 상기 사이영역에 배치될 수 있다. 상기 돌출부재(73)들은 상기 사이영역에서 상방(UD 화살표 방향)으로 돌출될 수 있다. 이에 따라, 상기 돌출부재(73)들은 상기 사이영역에서 비어 있는 공간의 크기를 감소시킴으로써, 상기 사이영역에서 상기 처리가스가 체류 가능한 공간의 크기를 감소시킬 수 있다. 상기 돌출부재(73)들은 상기 제1돌출부(7)의 일부를 구성할 수 있다. 상기 돌출부재(73)들은 상기 중앙플레이트(72)에 결합될 수 있다. 상기 돌출부재(73)들 및 상기 제1돌출부(7)는 일체로 형성될 수도 있다.
상기 돌출부재(73)들은 상기 사이영역에서 상기 지지부(2)들로부터 소정 거리 이격되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 돌출부재(73)들과 상기 지지부(2)들의 사이에는 상기 가스홈(70)들이 배치될 수 있다. 상기 돌출부재(73)들과 상기 지지부(2)들은 상기 디스크(3)의 상면(3a)으로부터 돌출되도록 구현되므로, 상기 가스홈(70)을 통해 배기되는 잔여가스가 상기 돌출부재(73)들의 상측 쪽 및 상기 지지부(2)들에 지지된 기판(S)들 쪽으로 침범하는 것을 억제할 수 있다.
도 12 내지 도 14에는 상기 중앙플레이트(72)에 6개의 돌출부재(73)들이 결합된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 중앙플레이트(72)에는 2개, 3개, 4개, 5개, 또는 7개 이상의 돌출부재(73)들이 결합될 수도 있다. 이 경우, 상기 돌출부재(73)들의 개수 및 상기 지지부(2)들의 개수는 서로 일치하도록 구현될 수 있다.
도 12에 도시된 바와 같이, 상기 돌출부재(73)들은 각각 단부(73a)가 회전반경(R) 상에 배치되도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 중앙플레이트(72)의 중심(72a)을 기준으로 하여, 상기 돌출부재(73)의 길이(73D) 및 상기 회전반경(R)은 서로 동일하게 구현될 수 있다. 상기 돌출부재(73)들 각각의 단부(73a)는 상기 중앙플레이트(72)의 중심(72a)으로부터 상기 외측방향으로 가장 긴 거리로 이격된 부분이다. 상기 회전반경(R)은 상기 중앙플레이트(72)의 중심(72a)으로부터 상기 지지부(2)들 각각의 중심(20)이 이격된 거리를 의미한다. 이 경우, 상기 지지부(2)들은 각각 중심(20)이 상기 중앙플레이트(72)의 중심(72a)으로부터 상기 회전반경(R)으로 이격되도록 상기 디스크(3)에 결합될 수 있다. 상기 중앙플레이트(72)의 중심(72a)을 기준으로 하여 상기 지지부(2)들의 중심(20)들을 연결한 가상의 반경원(RC) 상에는, 상기 돌출부재(73)들의 단부(73a)들이 배치될 수 있다.
도 13 에 도시된 바와 같이, 상기 돌출부재(73)들은 각각 단부(73a)가 회전반경(R) 내측에 배치되도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 중앙플레이트(72)의 중심(72a)을 기준으로 하여, 상기 돌출부재(73)의 길이(73D)는 상기 회전반경(R)에 비해 더 짧게 구현될 수 있다. 이에 따라, 상기 중앙플레이트(72)의 중심(72a)을 기준으로 하여 상기 지지부(2)들의 중심(20)들을 연결한 가상의 반경원(RC)의 내측에, 상기 돌출부재(73)들의 단부(73a)들이 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 돌출부재(73)들은 각각 단부(73a)가 상기 회전반경(R)에 대해 0.9배 이상에 배치되도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 중앙플레이트(72)의 중심(72a)을 기준으로 하여, 상기 돌출부재(73)의 길이(73D)는 상기 공정반경(R)에 대해 0.9배 이상으로 구현될 수 있다.
도 14 에 도시된 바와 같이, 상기 돌출부재(73)들은 각각 단부(73a)가 회전반경(R) 외측에 배치되도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 중앙플레이트(72)의 중심(72a)을 기준으로 하여, 상기 돌출부재(73)의 길이(73D)는 상기 회전반경(R)에 비해 더 길게 구현될 수 있다. 이에 따라, 상기 중앙플레이트(72)의 중심(72a)을 기준으로 하여 상기 지지부(2)들의 중심(20)들을 연결한 가상의 반경원(RC)의 외측에, 상기 돌출부재(73)들의 단부(73a)들이 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 돌출부재(73)들은 각각 단부(73a)가 상기 회전반경(R)에 대해 1.9배 이하에 배치되도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 중앙플레이트(72)의 중심(72a)을 기준으로 하여, 상기 돌출부재(73)의 길이(73D)는 상기 공정반경(R)에 대해 1.1배 이하로 구현될 수 있다.
도 12 내지 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 돌출부재(73)들은 각각 단부(73a)가 상기 회전반경(R)에 대해 0.9배 이상 1.1배 이하에 배치되도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 중앙플레이트(72)의 중심(72a)을 기준으로 하여, 상기 돌출부재(73)의 길이(73D)는 상기 공정반경(R)에 대해 0.9배 이상 1.1배 이하로 구현될 수 있다.
상기 돌출부재(73)들, 상기 중앙플레이트(72), 및 상기 디스크(3)는 서로 동일한 재질로 형성될 수 있다. 상기 돌출부재(73)들 및 상기 중앙플레이트(72)가 서로 동일한 재질로 형성되고, 상기 디스크(3) 및 상기 중앙플레이트(72)가 서로 상이한 재질로 형성될 수도 있다.
도 2 내지 도 17을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 제2돌출부(8)를 포함할 수 있다.
상기 제2돌출부(8)는 상기 제1돌출부(7)로부터 돌출된 것이다. 상기 제2돌출부(8)는 상기 중앙영역(CA)에서 상기 제1돌출부(7)의 상면으로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 돌출될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 다음과 같은 작용 효과를 도모할 수 있다.
첫째, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 중앙영역(CA)에서 상기 제1돌출부(7)가 상기 디스크(3)의 상면으로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 돌출된 것에 추가적으로 상기 제2돌출부(8)가 상기 제1돌출부(7)의 상면으로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 돌출되도록 구현된다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1돌출부(7)의 체적 및 상기 제2돌출부(8)의 체적을 합한 체적만큼 상기 중앙영역(CA)에서 비어 있는 공간의 크기를 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 처리가스가 상기 중앙영역(CA)에서 체류 가능한 공간의 크기를 더 감소시킴으로써, 기판에 대한 처리공정의 균일성을 더 향상시킬 수 있다.
둘째, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1돌출부(7)와 상기 제2돌출부(8)를 이용하여 상기 중앙영역(CA)에서 비어 있는 공간의 크기를 더 감소시킬 수 있으므로, 상기 중앙영역(CA)을 통해 서로 다른 종류의 공정가스 간에 혼합되는 것을 방지하기 위해 상기 퍼지부(6)가 퍼지가스를 분사해야 하는 공간의 크기를 더 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 퍼지부(6)가 분사하는 퍼지가스 분사량을 더 줄일 수 있으므로, 운영비용을 더 절감할 수 있다.
셋째, 상기 제2돌출부(8)가 상기 리드(4)로부터 하측으로 돌출된 비교예 또한 상기 중앙영역(CA)에서 비어 있는 공간의 크기를 감소시킬 수 있다. 그러나, 비교예는 상기 분사부(5)가 공정가스를 하향 분사하는 방향 쪽에 상기 제2돌출부(8) 및 상기 제1돌출부(7)가 서로 이격됨에 따라 상기 처리영역들(PA1, PA2)을 연통시키는 연통공간이 배치된다. 이에 따라, 비교예는 상기 분사부(5)가 공정가스를 하향 분사한 분사력이 공정가스가 상기 연통공간을 통과하기 위한 힘으로 작용하므로, 상기 연통공간을 통해 서로 다른 종류의 공정가스가 혼합될 위험이 있다. 이를 방지하기 위해서는, 상기 퍼지부(6)가 퍼지가스를 분사하는 분사량을 증대시켜야 한다.
이와 달리, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2돌출부(8)가 상기 제1돌출부(7)로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 돌출되도록 구현됨으로써, 상기 분사부(5)가 공정가스를 하향 분사하는 방향 쪽에 비교예에서와 같은 연통공간이 존재하지 않는다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 비교예와 대비할 때 상기 제2돌출부(8)를 이용하여 서로 다른 종류의 공정가스가 혼합될 위험을 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라, 상대적으로 퍼지가스를 적은 분사량으로도 서로 다른 종류의 공정가스 간에 혼합되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 분사부(5)가 공정가스를 하향 분사한 분사력이 공정가스를 상기 중앙영역(CA)의 외측으로 되돌리는 힘으로 작용한다. 상기 공정가스가 상기 제2돌출부(8)에 막힌 후에도 남은 분사력은, 상기 공정가스를 상기 중앙영역(CA)의 외측으로 되돌리는 힘으로 작용하기 때문이다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 분사부(5)가 공정가스를 하향 분사한 분사력을 이용하여 상기 중앙영역(CA)에 공정가스가 체류하는 것을 방지하는 방지력으로 활용할 수 있다.
상기 제2돌출부(8)는 상기 중앙영역(CA)에서 상기 제1돌출부(7)로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 돌출된 원통 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 중앙영역(CA)에서 비어 있는 공간의 크기를 감소시킬 수 있는 형태이면 다른 형태로 형성될 수도 있다. 상기 제2돌출부(8) 및 상기 제1돌출부(7)는 일체로 형성될 수도 있다.
상기 제2돌출부(8)는 절연 재질로 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(S)들에 대해 증착공정을 수행하는 경우, 상기 제2돌출부(8)에 불필요하게 박막이 증착되는 것을 차단할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2돌출부(8)에 증착된 박막으로 인해 상기 증착공정이 완료된 기판(S)의 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 제2돌출부(8)에 대한 세정주기를 늘릴 수 있다. 예컨대, 상기 제2돌출부(8)는 세라믹(Ceramic)으로 형성될 수 있다.
상기 제2돌출부(8) 및 상기 디스크(3)는 서로 다른 재질로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2돌출부(8) 및 상기 디스크(3)는 이종(異種) 재질로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 디스크(3)가 전도성(電導性) 재질로 형성된 경우, 상기 제2돌출부(8)는 절연 재질로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 디스크(3)는 알루미늄(Al)으로 형성되고, 상기 제2돌출부(8)는 세라믹으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(S)들에 대해 증착공정을 수행하는 경우, 상기 디스크(3)에 지지된 기판(S)에 박막이 증착되도록 유도할 수 있음과 동시에 상기 제2돌출부(8)에 불필요하게 박막이 증착되는 것을 차단할 수 있다. 상기 제2돌출부(8) 및 상기 제1돌출부(7)는 서로 동일한 재질로 형성될 수 있다.
상기 제2돌출부(8)는 상기 제1돌출부(7)에 탈부착 가능하게 결합될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(S)의 크기, 상기 처리공정의 종류 등과 같이 공정조건이 변경됨에 따라 상기 중앙영역(CA)에서 비어 있는 공간의 크기를 조절할 필요가 있는 경우, 상기 제2돌출부(8)의 교체를 통해 변경된 공정조건에 대한 대응력을 향상시킬 수 있다. 예컨대, 상기 제2돌출부(8)는 볼트 등과 같은 체결수단을 이용하여 상기 제1돌출부(7)에 탈부착 가능하게 결합될 수 있다.
상기 제2돌출부(8)가 상기 중앙영역(CA)에 배치된 경우, 상기 퍼지부(6)는 상기 제2돌출부(8)의 상방(UD 화살표 방향)에 위치하도록 상기 리드(4)에 결합될 수 있다. 이에 따라, 상기 퍼지부(6)는 상기 제2돌출부(8)를 향해 퍼지가스를 하향 분사할 수 있다. 상기 퍼지부(6)가 상기 제2돌출부(8)를 향해 하향 분사한 퍼지가스는, 상기 퍼지부(6)와 상기 제2돌출부(8)의 사이에 위치한 공간에 체류하면서 서로 다른 종류의 공정가스 간에 혼합되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 퍼지부(6)가 상기 제2돌출부(8)를 향해 하향 분사한 퍼지가스는, 상기 제2돌출부(8)의 외면을 따라 상기 제1돌출부(7) 쪽으로 이동하도록 유도될 수도 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1돌출부(7) 쪽으로 이동한 퍼지가스를 이용하여 상기 중앙영역(CA)에 잔류한 공정가스를 배기시킬 수도 있다.
상기 제2돌출부(8)는 상단(80, 도 17에 도시됨)이 상기 분사공(51)의 하단(510)에 비해 더 높은 위치에 위치하도록 상기 제1돌출부(7)로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 돌출될 수 있다. 즉, 상기 제2돌출부(8)의 상단(80)에 대한 높이(8H, 도 17에 도시됨)는 상기 분사공(51)의 하단(510)에 대한 높이(510H, 도 17에 도시됨)에 비해 더 높다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 분사부(5)가 상기 제2돌출부(8)의 상단(80)에 비해 낮은 높이에서 공정가스를 하향 분사하도록 구현된다. 따라서, 상기 분사부(5)가 분사한 공정가스는, 중력이 작용하는 방향에 대해 역방향으로 상승하여야만 상기 제2돌출부(8)를 통과할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 서로 다른 공정가스 간에 혼합되는 것을 방지하는 방지력을 더 강화할 수 있다.
도 2 내지 도 18을 참고하면, 상기 제2돌출부(8)는 상기 중앙플레이트(72)의 상면으로부터 상방(UD 화살표 방향)으로 돌출될 수 있다. 상기 제2돌출부(8)는 상기 중앙플레이트(72)에 비해 더 작은 크기로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2돌출부(8)는 상기 중앙플레이트(72)의 내측에 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 중앙플레이트(72)는 상기 제2돌출부(8)로부터 외측으로 돌출되는 형태로 배치될 수 있다.
상기 제2돌출부(8)는 상기 지지부(2)들로부터 이격된 위치에 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 중앙플레이트(72)는 상기 중앙플레이트(72)의 중심(72a, 도 16에 도시됨)과 상기 지지부(2)들 각각의 중심(20, 도 16에 도시됨)을 잇는 가상의 중심연결선(CL, 도 16에 도시됨)을 기준으로 하여 상기 제2돌출부(8)로부터 제1거리(FD, 도 18에 도시됨)로 돌출되도록 형성될 수 있다. 상기 지지부(2)들은 각각 상기 중심연결선(CL)을 기준으로 하여 상기 중앙플레이트(72)로부터 제2거리(SD, 도 18에 도시됨)로 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 제2거리(SD)는 상기 제1거리(FD)와 동일하거나 상기 제1거리(FD)에 비해 더 짧게 구현될 수 있다. 즉, 상기 제1거리(FD)는 상기 제2거리(SD)에 비해 더 짧게 구현되지 않는다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스로 인해 상기 기판(S)들에 부분적으로 증착률, 식각률 등과 같은 처리율에 편차가 발생하는 정도를 감소시킬 수 있다. 이를 구체적으로 살펴보면, 다음과 같다.
우선, 상기 제1거리(FD)가 상기 제2거리(SD)에 비해 더 짧게 구현된 비교예는, 상기 중앙플레이트(72)가 상기 제2돌출부(8)로부터 외측으로 돌출된 거리가 상기 중앙플레이트(72)와 상기 지지부(2)들이 이격된 거리에 비해 더 짧게 구현된다. 이에 따라, 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스는 상기 제2돌출부(8)와 상기 중앙플레이트(72)를 거쳐 상기 지지부(2)들 쪽으로 유동하는 과정에서 상기 중앙플레이트(72)를 따라 유동하는 거리가 짧아지게 된다. 따라서, 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스가 상기 제2돌출부(8)의 외면을 따라 유동하다가 상기 중앙플레이트(72)의 상면을 따라 유동하도록 유동방향이 변경되는 엘보구간(TD, 도 18에 도시됨)이 거의 없어지게 되므로, 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스는 상기 제2돌출부(8) 쪽으로 분사된 분사력을 이용하여 상기 지지부(2)들에 지지된 기판(S)들 쪽으로 쉽게 침투할 수 있다. 이에 따라, 비교예는 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스로 인해 상기 기판(S)들에 부분적으로 증착률, 식각률 등과 같은 처리율에 편차가 발생하게 된다.
이와 달리, 상기 제1거리(FD)가 상기 제2거리(SD)와 동일하거나 상기 제2거리(SD)에 비해 더 길게 구현된 실시예는, 상기 중앙플레이트(72)가 상기 제2돌출부(8)로부터 외측으로 돌출된 거리가 상기 중앙플레이트(72)와 상기 지지부(2)들이 이격된 거리와 동일하게 구현될 수 있다. 실시예는 상기 중앙플레이트(72)가 상기 제2돌출부(8)로부터 외측으로 돌출된 거리가 상기 중앙플레이트(72)와 상기 지지부(2)들이 이격된 거리에 비해 더 길게 구현될 수도 있다. 이에 따라, 실시예는 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스가 상기 제2돌출부(8)의 외면을 따라 유동하다가 상기 중앙플레이트(72)의 상면을 따라 유동하도록 유동방향이 변경되는 엘보구간(TD)이 비교예에 비해 더 뚜렷하게 형성된다. 따라서, 상기 퍼지부(6)가 상기 제2돌출부(8) 쪽으로 퍼지가스를 분사한 분사력이 상기 엘보구간(TD)을 거치면서 감소하게 되므로, 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스는 상기 지지부(2)들에 지지된 기판(S)들 쪽으로 침투하기 어렵게 된다. 이에 따라, 실시예는 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스로 인해 상기 기판(S)들에 부분적으로 증착률, 식각률 등과 같은 처리율에 편차가 발생하는 정도를 감소시킬 수 있다. 실시예는 상기 제2돌출부(8)가 상기 중앙플레이트(72)에 비해 더 작은 크기로 형성됨으로써, 상기 제1거리(FD)가 상기 제2거리(SD)와 동일하거나 상기 제2거리(SD)에 비해 더 길게 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제2돌출부(8)의 직경이 상기 중앙플레이트(72)에 비해 더 작게 구현될 수 있다.
상기 제2돌출부(8)가 구비된 경우, 상기 리드(4)에는 삽입홈(41, 도 17에 도시됨)이 형성될 수 있다.
상기 삽입홈(41)에는 상기 제2돌출부(8)가 삽입될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2돌출부(8)의 높이로 인해 상기 지지부(2)들 및 상기 분사부(5) 간에 이격된 거리가 증대되는 것을 방지할 수 있고, 높이방향으로 전체적인 크기가 증대되는 정도를 감소시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2돌출부(8)의 높이를 더 높일 수 있으므로, 상기 분사부(5)가 분사한 공정가스가 상기 제2돌출부(8)를 통과하기 위해 상승해야 하는 거리를 증대시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 서로 다른 공정가스 간에 혼합되는 것을 방지하는 방지력을 더 강화할 수 있다. 상기 제2돌출부(8)는 상단(80)이 상기 분사공(51)의 하단(510)에 비해 더 높은 위치에 위치하도록 상기 삽입홈(41)에 삽입될 수 있다.
상기 삽입홈(41)에는 상기 퍼지부(6)가 배치될 수 있다. 상기 퍼지부(6)는 상기 삽입홈(41)에서 상기 제2돌출부(8)의 상방(UD 화살표 방향)에 위치하도록 상기 리드(4)에 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 퍼지부(6)는 상기 제2돌출부(8)의 상방(UD 화살표 방향)에서 상기 삽입홈(41)으로 퍼지가스를 분사할 수 있다.
상기 삽입홈(41)은 전체적으로 원통 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제2돌출부(8)가 삽입될 수 있는 형태이면 다른 형태로 형성될 수 있다.
상기 삽입홈(41)이 상기 리드(4)에 형성된 경우, 상기 제2돌출부(8)는 상기 삽입홈(41)이 형성된 리드(4)의 내벽(42, 도 17에 도시됨)으로부터 이격되도록 상기 삽입홈(41)에 비해 더 작은 크기로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 퍼지부(6)는 상기 리드(4)의 내벽(42) 및 상기 제2돌출부(8)의 사이로 퍼지가스를 분사할 수 있다. 즉, 상기 제2돌출부(8) 및 상기 리드(4)의 내벽(42) 사이는 퍼지가스가 통과할 수 있는 통로로 이용될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스가 상기 리드의 내벽(42) 및 상기 제2돌출부(8)의 사이를 통해 상기 제1돌출부(7) 쪽으로 이동하도록 구현될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1돌출부(7) 쪽으로 이동한 퍼지가스를 이용하여 상기 중앙영역(CA)에 잔류한 공정가스를 배기시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스가 상기 제1돌출부(7) 쪽으로 하향 이동하므로, 상기 분사부(5)가 분사한 공정가스가 상기 제2돌출부(8)를 따라 상승하는 것을 차단할 수 있다.
상기 삽입홈(41)이 상기 리드(4)에 형성된 경우, 상기 제2돌출부(8)는 유도홈(81, 도 17에 도시됨)을 포함할 수 있다.
상기 유도홈(81)은 상기 삽입홈(41)에서 퍼지가스의 난류 형성을 유도하는 것이다. 상기 유도홈(81)에 의해 상기 삽입홈(41)에서 형성된 퍼지가스의 난류는, 공정가스가 상기 리드(4)의 내벽(42) 및 상기 제2돌출부(8)의 사이로 유입되는 것을 차단할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 유도홈(81)을 이용하여 서로 다른 공정가스 간에 혼합되는 것을 방지하는 방지력을 더 증대시킬 수 있다.
상기 유도홈(81)은 상기 제2돌출부(8)의 외면에서 일정 깊이로 형성된 홈으로 구현될 수 있다. 상기 유도홈(81)은 상기 제2돌출부(8)의 상단(80)에 위치한 모서리 부분에 형성될 수 있다. 상기 유도홈(81)이 형성된 부분이 상기 리드(4)의 내벽(42)으로부터 이격된 거리는, 상기 제2돌출부(8)의 다른 부분이 상기 리드(4)의 내벽(42)으로부터 이격된 거리에 비해 크게 구현될 수 있다.
도 2 내지 도 18을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 제1구획기구(61) 및 제2구획기구(62)를 포함할 수 있다.
상기 제1구획기구(61)는 퍼지가스를 분사하는 것이다. 상기 제1구획기구(61)는 상기 디스크(3)의 상측에 배치되도록 상기 리드(4)에 결합될 수 있다. 상기 제1구획기구(61)는 제1구획영역(DA1, 도 16에 도시됨)으로 퍼지가스를 분사할 수 있다. 상기 제1구획영역(DA1)은 상기 회전경로를 따라 상기 제1처리영역(PA1) 및 상기 제2처리영역(PA2)의 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1구획영역(DA1)은 상기 퍼지부(6)의 일측에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1구획기구(61)는 상기 제1구획영역(DA1)으로 퍼지가스를 분사함으로써, 상기 퍼지부(6)의 일측에서 상기 제1처리영역(PA1) 및 상기 제2처리영역(PA2)을 공간적으로 구획할 수 있다. 따라서, 상기 제1구획기구(61)는 상기 제1구획영역(DA1)을 통해 서로 다른 종류의 공정가스가 혼합되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제2구획기구(62)는 퍼지가스를 분사하는 것이다. 상기 제2구획기구(62)는 상기 디스크(3)의 상측에 배치되도록 상기 리드(4)에 결합될 수 있다. 상기 제2구획기구(62)는 제2구획영역(DA2, 도 16에 도시됨)으로 퍼지가스를 분사할 수 있다. 상기 제2구획영역(DA2)은 상기 회전경로를 따라 상기 제2처리영역(PA2) 및 상기 제1처리영역(PA1)의 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2구획영역(DA2)은 상기 퍼지부(6)의 타측에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2구획기구(62)는 상기 제2구획영역(DA2)으로 퍼지가스를 분사함으로써, 상기 퍼지부(6)의 타측에서 상기 제1처리영역(PA1) 및 상기 제2처리영역(PA2)을 공간적으로 구획할 수 있다. 따라서, 상기 제2구획기구(62)는 상기 제2구획영역(DA2)을 통해 서로 다른 종류의 공정가스가 혼합되는 것을 방지할 수 있다.
도 2 내지 도 19를 참고하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 제2돌출부(8)는 분산홈(82, 도 19에 도시됨)을 포함할 수 있다.
상기 분산홈(82)은 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스를 분산시키는 것이다. 상기 분산홈(82)은 상기 제2돌출부(8)의 상면(83, 도 19에 도시됨)에 형성될 수 있다. 상기 제2돌출부(8)의 상면(83)은, 상기 퍼지부(6)를 향하도록 배치된 상기 제2돌출부(8)의 면(面)이다. 이에 따라, 상기 분산홈(82)은 상기 제2돌출부(8)의 상면(83)이 상기 퍼지부(6)로부터 이격된 거리를 증가시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 분산홈(82)을 이용하여 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스가 상기 제2돌출부(8)의 상면(83)에 막혀서 상기 퍼지부(6) 쪽으로 역류하게 되는 것을 방지할 수 있다. 이를 구체적으로 살펴보면, 다음과 같다.
우선, 상기 제2돌출부(8)의 상면(83)이 상기 분산홈(82) 없이 평면(平面)으로 형성된 경우 상기 제2돌출부(8)의 상면(83)이 상기 퍼지부(6)로부터 이격된 거리가 좁게 구현되므로, 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스는 상기 제2돌출부(8)의 상면(83)에 막혀서 외측으로 분산되지 못하고 정체될 수 있다. 이 상태에서 상기 퍼지부(6)가 퍼지가스를 계속하여 분사하면, 퍼지가스는 상기 제2돌출부(8)의 상면(83)에 막혀서 상기 퍼지부(6) 쪽으로 역류할 위험이 있다.
다음, 상기 제2돌출부(8)의 상면(83)에 상기 분산홈(82)이 형성된 경우, 상기 분산홈(82)은 상기 제2돌출부(8)의 상면(83)이 상기 퍼지부(6)로부터 이격된 거리를 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 제2돌출부(8)는 상기 분산홈(82)을 통해 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스를 원활하게 분산시킬 수 있는 충분한 공간을 갖추도록 구현된다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 분산홈(82)을 이용하여 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스가 상기 퍼지부(6) 쪽으로 역류하게 되는 것을 방지함으로써, 서로 다른 종류의 반응가스가 혼합되는 것을 방지하는 방지력 및 공정가스를 배기시키는 배기력을 강화할 수 있다.
상기 분산홈(82)으로 인해, 상기 제2돌출부(8)는 방지면(84, 도 19에 도시됨)의 높이를 유지하면서 상기 제2돌출부(8)의 상면(83)이 상기 퍼지부(6)로부터 이격된 거리가 증가하도록 구현될 수 있다. 상기 방지면(84)은 상기 중앙영역(CA)에서 비어 있는 공간의 크기를 감소시키기 위해 상기 처리영역(PA)을 향하는 상기 제2돌출부(8)의 면(面)이다. 상기 제2돌출부(8)가 원통 형태로 형성된 경우, 상기 방지면(84)은 상기 제2돌출부(8)의 옆면에 해당할 수 있다.
상기 분산홈(82)은 하방(DD 화살표 방향)으로 연장될수록 크기가 감소되게 형성될 수 있다. 하방(DD 화살표 방향)은 상기 퍼지부(6)에서 상기 제2돌출부(8)를 향하는 방향이다. 이에 따라, 상기 분산홈(82)은 상기 퍼지부(6)가 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스 분사영역에 대응되는 부분이 더 깊은 깊이로 형성되고, 상기 방지면(84) 쪽을 향하는 외측으로 연장될수록 깊이가 얕아지도록 형성될 수 있다. 따라서, 상기 분산홈(82)은 상기 퍼지가스 분사영역에서 상기 제2돌출부(8)의 상면(83)이 상기 퍼지부(6)로부터 이격된 거리를 더 증가시킬 수 있다. 상기 제2돌출부(8)가 원통 형태로 형성된 경우, 상기 퍼지가스 분사영역은 상기 제2돌출부(8)에 비해 더 작은 직경으로 형성될 수 있다.
상기 분산홈(82)이 하방(DD 화살표 방향)으로 연장될수록 크기가 감소되게 형성됨에 따라, 상기 제2돌출부(8)의 상면(83)은 상기 방지면(84)에서 내측으로 연장될수록 높이가 낮아지도록 경사지게 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2돌출부(8)의 상면(83)은 상기 방지면(84) 쪽을 향하는 외측으로 연장될수록 높이가 높아지도록 경사지게 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2돌출부(8)의 상면(83)은, 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스가 상기 방지면(84) 쪽을 향하는 외측으로 유동하도록 유도할 수 있다.
상기 분산홈(82)은 하방(DD 화살표 방향)으로 연장될수록 크기가 감소되는 원뿔(Circular Cone) 형태로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 분산홈(82)은 상기 퍼지가스 분사영역에 대응되는 부분에서 최대 깊이로 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 분산홈(82)을 통해 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스가 집중되는 부분에서 가장 넓은 공간이 확보되도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 분산홈(82)은 상기 디스크(3)의 회전축(3b) 상에서 최대 깊이로 형성될 수 있다. 상기 분산홈(82)은 최대 깊이로 형성된 부분으로부터 상기 방지면(84) 쪽을 향하는 외측으로 연장될수록 깊이가 얕아지도록 형성될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
1 : 기판처리장치 2 : 지지부
3 : 디스크 4 : 리드
5 : 분사부 6 : 퍼지부
7 : 제1돌출부 8 : 제2돌출부
41 : 삽입홈 42 : 내벽
51 : 분사공 52 : 제1분사기구
53 : 제2분사기구 70 : 가스홈
71 : 수용홈 72 : 중앙플레이트
73 : 돌출부재 80 : 상단
81 : 유도홈 82 : 분산홈
83 : 상면 84 : 방지면

Claims (13)

  1. 복수개의 기판을 지지하는 디스크;
    상기 디스크의 상측에 배치된 리드;
    상기 디스크에 결합되고, 상기 기판들의 내측에 위치한 중앙영역 및 상기 기판들의 사이에 위치한 사이영역에서 상기 디스크로부터 상기 리드 쪽을 향하는 상방(上方)으로 돌출된 제1돌출부; 및
    상기 중앙영역에서 상기 제1돌출부의 상면으로부터 상방으로 돌출된 제2돌출부를 포함하고,
    상기 제1돌출부는 상기 중앙영역에서 상방으로 돌출된 중앙플레이트를 포함하며,
    상기 제2돌출부는 상기 중앙플레이트의 상면으로부터 상방으로 돌출되고,
    상기 중앙플레이트는 상기 중앙플레이트의 중심과 상기 기판들 각각의 중심을 잇는 중심연결선을 기준으로 하여 상기 제2돌출부로부터 제1거리로 돌출되도록 형성되며,
    상기 기판들은 각각 상기 중심연결선을 기준으로 하여 상기 중앙플레이트로부터 제2거리로 이격되도록 배치되고,
    상기 제2거리는 상기 제1거리와 동일하거나 상기 제1거리에 비해 더 짧은 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1돌출부와 상기 기판들의 사이에 위치한 가스홈을 포함하고,
    상기 제1돌출부는 상기 기판들로부터 이격된 위치에서 상기 디스크의 상면으로부터 상방으로 돌출된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기판들의 상면은 상기 디스크의 상면으로부터 상방으로 제1높이로 이격되고,
    상기 제1돌출부는 상기 디스크의 상면으로부터 상방으로 상기 제1높이와 동일한 제2높이로 돌출된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1돌출부는 상기 기판들 각각의 일부를 수용하는 복수개의 수용홈을 포함하고,
    상기 수용홈들은 각각 상기 기판의 형상을 따라 오목하게 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1돌출부가 갖는 수용홈들 중에서 제1수용홈에 수용된 기판 및 상기 제1돌출부는 제1간격으로 이격되도록 배치되고,
    상기 제1돌출부가 갖는 수용홈들 중에서 제2수용홈에 수용된 기판 및 상기 제1돌출부는 상기 제1간격과 상이한 제2간격으로 이격되도록 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1돌출부가 갖는 수용홈들 중에서 제1수용홈에 수용된 기판 및 상기 제1돌출부는 제1간격으로 이격되도록 배치되고,
    상기 제1돌출부가 갖는 수용홈들 중에서 제2수용홈에 수용된 기판 및 상기 제1돌출부는 상기 제1간격과 동일한 제2간격으로 이격되도록 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1돌출부는 상기 중앙플레이트로부터 외측방향으로 연장되어서 상기 사이영역에 배치된 복수개의 돌출부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판들은 각각의 중심이 상기 중앙플레이트의 중심으로부터 회전반경으로 이격되고,
    상기 돌출부재들은 각각 상기 중앙플레이트의 중심으로부터 상기 외측방향으로 가장 긴 거리로 이격된 단부가 상기 회전반경에 대해 0.9배 이상 1.1배 이하에 배치되도록 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 기판들은 각각의 중심이 상기 중앙플레이트의 중심으로부터 회전반경으로 이격되고,
    상기 돌출부재들은 각각 상기 중앙플레이트의 중심으로부터 상기 외측방향으로 가장 긴 거리로 이격된 단부가 상기 회전반경 상에 배치되도록 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2돌출부는 상기 중앙플레이트의 내측에 배치되도록 상기 중앙플레이트에 비해 더 작은 크기로 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 리드에는 상기 제2돌출부가 삽입되는 삽입홈이 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 리드에 결합되고, 퍼지가스를 분사하는 퍼지부를 포함하고,
    상기 제2돌출부는 상기 삽입홈이 형성된 리드의 내벽으로부터 이격되도록 상기 삽입홈에 비해 더 작은 크기로 형성되고,
    상기 퍼지부는 상기 삽입홈이 형성된 리드의 내벽 및 상기 제2돌출부의 사이로 퍼지가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 리드에 결합된 분사부를 포함하고,
    상기 분사부는 공정가스를 분사하는 분사공을 포함하며,
    상기 제2돌출부는 상단이 상기 분사공의 하단에 비해 더 높은 위치에 위치하도록 상기 제1돌출부의 상면으로부터 상방으로 돌출된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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