KR102671461B1 - 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

복수의 기판들이 서셉터가 회전함에 따라서 소스 가스 및 반응 가스가 동일한 시간 동안 분사시켜 복수의 기판들의 균일도를 향상시키기 위해서, 제 1 기판이 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 소스 가스를 분사하는 단계, 기 설정된 회전 수만큼 서셉터가 회전하는 단계, 상기 제 1 기판이 상기 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 다시 도달하였을 때 상기 소스 가스의 분사를 중지하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 제 1 기판이 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 소스 가스를 분사하는 단계; 상기 제 1 기판이 반응 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 반응 가스를 분사하는 단계; 기 설정된 회전 수만큼 서셉터가 회전하는 단계; 상기 제 1 기판이 상기 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 다시 도달하였을 때 상기 소스 가스의 분사를 중지하는 단계; 제 n 기판이 상기 반응 가스 분사 모듈의 종료 지점에 도달하였을 때 상기 반응 가스의 분사를 중지하는 단계를 포함하여 복수의 기판들의 균일도가 향상될 수 있다.

Description

기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 반도체 웨이퍼나 글라스 등의 기판에 소정의 회로 패턴 또는 광학적 패턴을 형성하여야 하며, 이를 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 영역의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각 공정 등의 반도체 제조 공정을 수행하게 된다.
이러한 반도체 제조 공정들 중에서 박막 증착 공정은 물리 기상 증착(physical vapor deposition)법, 화학 기상 증착(chemical vapor deposition)법, 또는 원자층 증착(atomic layer deposition)법 등이 사용되고 있다.
일반적인 기판 처리 장치의 경우 서셉터가 회전하며 박막의 증착이 시작되는 경우 동시에 소스 가스와 반응 가스가 분사되기 때문에 복수의 기판이 서셉터 상에서 박막이 증착되는 경우 복수의 기판들 사이에 균일도가 떨어지는 문제가 있어 왔다.
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 복수의 기판들 사이에 균일도가 향상된 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명은 제 1 기판이 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 소스 가스를 분사하는 단계, 기 설정된 회전 수만큼 서셉터가 회전하는 단계, 상기 제 1 기판이 상기 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 다시 도달하였을 때 상기 소스 가스의 분사를 중지하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 기판이 상기 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 상기 소스 가스 분사 모듈의 밸브가 열리는 것을 포함할 수 있고, 상기 제 1 기판이 기 설정된 회전 수만큼 상기 서셉터가 회전한 후 상기 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 다시 도달하였을 때 상기 소스 가스 분사 모듈의 밸브가 닫히는 것을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 기판이 상기 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 상기 소스 가스를 분사하기 전에 소스 가스 퍼지 가스를 분사하는 단계를 포함할 수 있고, 상기 제 1 기판이 상기 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 상기 소스 가스의 분사와 동시에 상기 소스 가스 퍼지 가스의 분사를 종료하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 기판이 기 설정된 회전 수만큼 상기 서셉터가 회전한 후 상기 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 다시 도달하였을 때 상기 소스 가스 퍼지 가스의 분사를 시작하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명은 또한, 제 1 기판이 반응 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 반응 가스를 분사하는 단계, 기 설정된 회전 수만큼 서셉터가 회전하는 단계, 제 n 기판이 상기 반응 가스 분사 모듈의 종료 지점에 도달하였을 때 상기 반응 가스의 분사를 중지하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 기판이 상기 반응 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 상기 반응 가스를 분사하기 전에 반응 가스 퍼지 가스를 분사하는 단계를 포함할 수 있고, 상기 제 1 기판이 상기 반응 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 상기 반응 가스의 분사 시작과 동시에 상기 반응 가스 퍼지 가스의 분사를 종료하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 n 기판이 기 설정된 회전 수만큼 상기 서셉터가 회전한 후 상기 반응 가스 분사 모듈의 종료 지점에 도달하였을 때 상기 반응 가스 퍼지 가스의 분사를 시작하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명은 또한, 제 1 기판이 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 소스 가스를 분사하는 단계; 상기 제 1 기판이 반응 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 반응 가스를 분사하는 단계; 기 설정된 회전 수만큼 서셉터가 회전하는 단계; 상기 제 1 기판이 상기 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 다시 도달하였을 때 상기 소스 가스의 분사를 중지하는 단계; 제 n 기판이 상기 반응 가스 분사 모듈의 종료 지점에 도달하였을 때 상기 반응 가스의 분사를 중지하는 단계를 포함할 수 있다.
이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
복수의 기판들이 서셉터가 회전함에 따라서 소스 가스가 동일한 시간 동안 분사될 수 있어 복수의 기판들의 균일도가 향상될 수 있다. 또한 복수의 기판들이 서셉터가 회전함에 따라서 소스 가스 및 반응 가스가 동일한 시간 동안 분사될 수 있어 복수의 기판들의 균일도가 향상될 수 있다.
도 1a는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 실시 예에 따른 서셉터 위에 배치된 가스 분사부의 가스 분사 모듈들을 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법의 순서도를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 방법의 순서도를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 방법의 순서도를 나타내는 도면이다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 따른 공정 순서를 나타내는 도면이다.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 따른 공정 순서를 나타내는 도면이다.
도 7a 내지 도 7f는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 따른 공정 순서를 나타내는 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 1a는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 1a 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 공간을 제공하는 공정 챔버(110), 상기 공정 챔버(110)의 바닥면에 설치되어 복수의 기판(W)을 지지하고 가열하는 서셉터(10), 상기 공정 챔버(110)의 상부를 덮는 챔버 리드(Chamber Lid; 130), 상기 서셉터(10)에 국부적으로 대향되도록 상기 챔버 리드(130)에 설치되어 공정 가스를 상기 서셉터(10) 상에 국부적으로 분사하는 가스 분사부(140), 및 상기 서셉터(10)를 소정 방향(예를 들어, 시계 방향)으로 회전시키는 구동 수단(150)을 포함하여 구성된다.
상기 공정 챔버(110)는 복수의 상기 기판(W)에 대한 기판 처리 공정(예를 들어, 박막 증착 공정)을 위한 공정 공간을 제공한다. 이를 위해, 상기 공정 챔버(110)는 "U"자 형태의 단면을 가지도록 형성된다. 여기서, 상기 복수의 기판(W)은 반도체 기판 또는 웨이퍼가 될 수 있다.
상기 서셉터(10)는 상기 공정 챔버(110)의 내부 바닥면에 설치되어 외부의 기판 로딩 장치(미도시)로부터 로딩되는 복수의 기판(W)을 지지하고 가열하고, 소정 방향으로 회전한다. 이러한 상기 서셉터(10)는 전기적으로 접지 또는 플로팅(Floating) 상태를 유지한다.
상기 서셉터(10)는 구동축(30)의 회전에 따라 상기 소정 방향으로 회전됨으로써 지지된 복수의 기판(W)이 정해진 순서에 따라 공정 공간 내에서 소정 방향으로 로테이션(rotation)되어 상기 가스 분사부(140)의 하부를 순차적으로 통과하도록 한다. 이에 따라, 기판(W)은 상기 서셉터(10)의 회전 및 회전 속도에 따라 상기 가스 분사부(140)로부터 국부적으로 분사되는 공정 가스에 노출됨으로써 기판(W)의 상면에는 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 공정 또는 원자층 증착(atomic layer deposition) 공정에 의해 단층 또는 복층의 박막이 증착된다.
상기 서셉터(10)의 상기 구동축(30)은 회전 모터 등의 상기 구동 수단(150)의 구동에 따라 상기 서셉터(10)를 소정 방향으로 회전시킨다. 이를 위해, 상기 구동축(30)은 상기 공정 챔버(110)의 중앙 바닥면을 관통하여 상기 공정 챔버(110) 외부의 상기 구동 수단(150)에 연결된다. 그리고, 상기 공정 챔버(110)의 하면 외부로 노출되는 상기 구동축(30)과 상기 공정 챔버(110) 간의 공간은 벨로우즈(미도시)에 의해 밀폐된다.
상기 챔버 리드(130)는 공정 챔버(110)의 상부에 설치되어 공정 공간을 밀폐시키고, 상기 가스 분사부(140)를 지지한다. 이러한 상기 챔버 리드(130)는 상기 가스 분사부(140)를 지지하는 것으로, 상기 가스 분사부(140)가 일정한 간격, 예를 들어 방사 형태를 가지도록 삽입 설치되는 복수의 모듈 설치부(130a, 130b, 130c, 130d)를 포함하여 이루어진다.
이때, 상기 복수의 모듈 설치부(130a, 130b, 130c, 130d)는 상기 챔버 리드(130)의 중심점을 기준으로 대각선 방향으로 대칭되도록 90도 단위로 이격될 수 있다.
도 1a에서, 상기 챔버 리드(130)는 상기 4개의 모듈 설치부(130a, 130b, 130c, 130d)를 구비하는 것으로 도시 되었지만, 이에 한정되지 않고, 상기 챔버 리드(130)는 그 중심점을 기준으로 서로 대칭되는 2N(단, N은 자연수)개의 모듈 설치부 또는 1 이상의 홀수 개의 모듈 설치부가 구비될 수도 있다. 이하, 챔버 리드(130)는 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(130a, 130b, 130c, 130d)를 구비하는 것으로 가정하여 설명하기로 한다.
상기 공정 챔버(110) 및 상기 챔버 리드(130)는 도시된 것처럼 원형 구조로 형성될 수도 있지만, 6각형과 같은 다각형 구조 또는 타원형 구조로 형성될 수도 있다. 이때, 6각형과 같은 다각형 구조일 경우 공정 챔버(110)는 복수로 분할 결합되는 구조를 가질 수 있다.
상기 가스 분사부(140)는 상기 챔버 리드(130)의 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(130a, 130b, 130c, 130d) 각각에 삽입 설치되어 상기 서셉터(10)의 중심점을 기준으로 방사 형태로 배치된 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d)을 포함하여 구성된다. 이러한, 상기 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d) 각각은 상기 서셉터(10) 위의 각기 다른 가스 분사 영역에 공정 가스를 분사한다. 이에 따라, 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d) 각각에서 분사되는 공정 가스는 기판(W) 상에 분사되어 상호 반응함으로써 기판(W)에 소정의 박막을 형성하는 제 1 및 제 2 가스로 이루어질 수 있다. 상기 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d)은 소스 가스 분사 모듈(140a), 퍼지 가스 분사 모듈(140b, 140d), 반응 가스 분사 모듈(140c)를 포함할 수 있다.
이와 같은, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 서셉터(10)에 복수의 기판(W)을 안착시킨 후, 상기 서셉터(10)에 개별적으로 분리되어 설치된 복수의 히터 모듈 각각의 구동에 따라 각 기판(W)의 온도를 개별적으로 설정된 온도로 가열한 이후 또는 가열하면서 상기 서셉터(10)를 소정 방향으로 회전시키고, 이와 동시에 상기 가스 분사부(140)를 통해 각 기판(W) 상에 공정 가스를 분사함으로써 각 기판(W) 상에 소정의 박막을 증착한다.
도 1b는 본 발명의 실시 예에 따른 서셉터 위에 배치된 가스 분사부의 가스 분사 모듈들을 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 실시 예에 따른 상기 가스 분사부(140)의 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d)은 전술한 챔버 리드(130)에 형성된 모듈 설치부(130a, 130b, 130c, 130d)에 삽입 설치되어 가스 공급 장치(미도시)로부터 공급되는 공정 가스(SG, PG, RG)를 기판(W) 상에 국부적으로 분사한다.
상기 공정 가스는 기판(W) 상에 증착될 박막의 주요 재질을 포함하는 소스 가스(SG), 상기 소스 가스(SG)와 반응하여 최종적인 박막을 형성하도록 박막의 일부 재질을 포함하는 반응 가스(RG), 상기 소스 가스나 상기 반응 가스를 퍼지시키는 소스 가스 퍼지 가스나 반응 가스 퍼지 가스가 될 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 가스는 제 1 가스 분사 모듈을 통해 분사될 수 있고, 상기 반응 가스는 제 3 가스 분사 모듈을 통해 분사될 수 있으며, 상기 제 2 가스 분사 모듈과 상기 제 4 가스 분사 모듈에서는 퍼지 가스가 분사될 수 있다.
상기 소스 가스(SG)는 실리콘(Si), 티탄족 원소(Ti, Zr, Hf 등), 또는 알루미늄(Al) 등의 가스로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 실리콘(Si) 물질을 포함하는 소스 가스는 실란(Silane; SiH4), 디실란(Disilane; Si2H6), 트리실란(Trisilane; Si3H8), TEOS(Tetraethylorthosilicate), DCS(Dichlorosilane),
HCD(Hexachlorosilane), TriDMAS(Tri-dimethylaminosilane) 및 TSA(Trisilylamine) 등이 될 수 있다. 이러한 상기 소스 가스(SG)는 상기 기판(W)에 증착될 박막의 증착 특성에 따라 질소(N2), 아르곤(Ar), 제논(Ze), 또는 헬륨(He) 등의 비반응성 가스를 더 포함하여 이루어질 수도 있다.
상기 반응 가스는 수소(H2), 질소(N2), 산소(O2), 이산화질소(N2O), 암모니아(NH3), 물(H2O), 또는 오존(O3) 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 상기 반응 가스는 상기 기판(W)에 증착될 박막의 증착 특성에 따라 질소(N2), 아르곤(Ar), 제논(Ze), 또는 헬륨(He) 등의 비반응성 가스를 더 포함하여 이루어질 수도 있다.
상기 퍼지 가스는 질소(N2), 아르곤(Ar), 제논(Ze), 또는 헬륨(He) 등의 비반응성 가스를 포함할 수 있다.
도 1a 및 도 1b를 참조하여 전술한 바와 같은 실시 예에 따른 상기 가스 분사부(140)를 포함하는 기판 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 기판(W)을 서셉터(10)의 각 히터 모듈에 로딩시켜 안착시킨다.
그런 다음, 각 히터 모듈의 구동을 통해 상기 기판(W)의 온도를 개별적으로 설정된 온도로 가열하고, 상기 기판(W)의 온도가 설정된 온도로 가열되면, 상기 서셉터(10)를 상기 소정 방향으로 회전시킨다.
그런 다음, 상기 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d) 각각을 통해 소스 가스와 반응 가스를 공간적으로 분리하여 국부적으로 하향 분사한다. 이에 따라, 상기 서셉터(10)의 회전에 따라 상기 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d) 각각의 하부를 통과하는 각 가열된 상기 기판(W) 상에는 상기 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d) 각각으로부터 국부적으로 분사되는 소스 가스 및 반응 가스의 상호 반응에 의해 소정의 박막층이 증착되게 된다.
여기서, 상기 소스 가스 및 반응 가스는 상기 기판(W)으로 분사되는 도중에 서로 혼합되지 않고 분리되어 상기 기판(W)의 상면에 분사됨으로써 원자층 증착(atomic layer deposition)법에 의해 기판(W)에 증착되어 박막층을 형성하거나, 상기 서셉터(10)가 2000RPM 이상의 속도로 구동될 경우에 상기 소스 가스와 반응 가스는 상기 기판(W)으로 분사되는 도중에 서로 혼합되어 상기 기판(W)의 상면에 분사됨으로써 화학 기상 증착(chemical vapor deposition)법에 의해 기판(W)에 증착되어 박막층을 형성한다.
이상과 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 상기 가스 분사부를 포함하는 기판 처리 방법은 개별적으로 분리된 상기 서셉터(10)의 히터 모듈 각각을 통해 복수의 상기 기판(W) 각각의 온도를 전체적으로 균일하게 가열한 후, 가열된 상기 기판(W)에 박막을 증착함으로써 복수의 상기 기판(W) 각각에 균일한 두께를 가지는 박막층을 증착할 수 있고, 복수의 상기 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d)을 사용하여 소스 가스 및 반응 가스를 공간적으로 분리하여 분사함으로써 공정 가스의 사용 효율성이 향상될 수 있으며, 박막의 막질 제어가 용이할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법의 순서도를 나타내는 도면이고, 도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 따른 공정 순서를 나타내는 도면이다.
도 2 및 도 5a 내지 도 5f를 참고하여 설명하면, 소스 가스 분사 단계는 다음과 같은 순서로 수행될 수 있다. 상기 복수의 기판(W) 중 임의로 하나의 기판(W)을 제 1 기판(1)을 지정하여 설명한다. 먼저 상기 제 1 기판(1)이 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점으로 이동하였는지 여부를 판단할 수 있다. 도 5a 내지 도 5f에서 서셉터(10)의 회전 방향이 시계 방향일 때를 기준으로 설명하나 서셉터(10)의 회전 방향은 이에 한정되지 않는다.
상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점은 상기 제 1 기판(1)이 시계 방향으로 회전하면서 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 수직한 선과 만나는 선을 의미할 수 있다. 도 5a를 참고하여 설명하면, 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 왼쪽이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점이다. 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)이 점선으로 표시된 것은 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)이 닫힘(off) 상태인 것을 의미하고, 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)이 실선으로 표시된 것은 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)이 열림(on) 상태인 것을 의미한다.
상기 제 1 기판(1)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작지점으로 아직 이동하지 않은 경우에는 소스 가스 퍼지 가스가 분사될 수 있다. 상기 소스 가스 퍼지 가스가 분사되고 있지 않으면 상기 소스 가스 퍼지 가스를 분사할 수 있다.
다음으로 상기 제 1 기판(1)이 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점으로 이동하는 경우 상기 소스 가스 퍼지 가스의 분사를 중지하고 소스 가스의 분사를 시작할 수 있다. 상기 제 1 기판(1)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점에 도달하였을 때 상기 소스 가스를 분사하기 전에 소스 가스 퍼지 가스를 분사하는 단계를 포함할 수 있다. 따라서 상기 소스 가스는 상기 제 1 기판(1)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점에 이동한 경우 분사를 시작하기 때문에 상기 제 1 기판(1)의 전 영역에 균등하게 상기 소스 가스가 분사될 수 있다. 다만, 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 폭이 인접한 두 개의 상기 기판 사이의 간격보다 넓은 경우에는 상기 제 1 기판(1)보다 먼저 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)을 지나가는 제 n 기판(n)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)을 전부 통과한 후에 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)에서 분사가 시작될 수 있다. 따라서 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작지점은 도 5a 및 도 5b에서 상기 제 1 기판(1)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)을 지나가기 시작하고, 상기 제 n 기판(n)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)을 전부 통과하는 지점에서 정해질 수 있다.
상기 제 1 기판(1) 및 복수의 기판(W)들이 설정된 수만큼 회전하게 되면 상기 복수의 기판(W)에 박막이 증착될 수 있다. 상기 서셉터(10)가 기 설정된 수만큼 회전한 후 상기 제 1 기판(1)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작지점으로 이동하였는지 여부를 판단할 수 있다. 상기 시작지점이 상기 소스 가스의 분사를 중지하는 종료지점과 같을 수 있다. 상기 제 1 기판(1)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점으로 이동한 경우 상기 소스 가스의 분사를 중지하고 상기 소스 가스 퍼지 가스의 분사를 시작할 수 있다. 상기 제 1 기판(1)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점에 도달하였을 때 상기 소스 가스의 분사와 동시에 상기 소스 가스 퍼지 가스의 분사를 종료하는 단계를 포함할 수 있다. 상기한 바와 같이, 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 폭이 인접한 두 개의 상기 기판 사이의 간격보다 넓은 경우에는 상기 제 1 기판(1)보다 먼저 소스 가스 분사 모듈(140a)을 지나가는 제 n 기판(n)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)을 전부 통과한 후에 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)에서 분사가 종료될 수 있다. 따라서 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 종료지점은 도 5e 및 도 5f에서 상기 제 1 기판(1)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)을 지나가기 시작하고, 상기 제 n 기판(n)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)을 전부 통과하는 지점에서 정해질 수 있다. 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)이 소스 가스의 분사를 시작하고, 종료하는 지점은 동일하게 설정될 수 있다.
따라서, 이 경우 상기 소스 가스는 상기 제 1 기판(1)에 정확히 설정된 회전 수만큼만 상기 소스 가스를 분사할 수 있고, 상기 복수의 기판(W) 모두 정확히 동일한 시간만큼 상기 소스 가스를 분사할 수 있어 상기 복수의 기판(W)들 사이의 균일도가 향상될 수 있다.
이에 따라 상기 소스 가스 분사 단계는 제 1 기판(1)이 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점에 도달하였을 때 소스 가스를 분사하는 단계, 기 설정된 회전 수만큼 서셉터(10)가 회전하는 단계, 상기 제 1 기판(1)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점에 다시 도달하였을 때 상기 소스 가스의 분사를 중지하는 단계를 포함될 수 있다. 상기 제 1 기판(1)이 기 설정된 회전 수만큼 서셉터(10)가 회전한 후 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점에 다시 도달하였을 때 상기 소스 가스 퍼지 가스의 분사를 시작하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제 1 기판(1)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점에 도달하였을 때 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 밸브가 열릴(on) 수 있고, 상기 제 1 기판(1)이 기 설정된 회전 수만큼 서셉터(10)가 회전한 후 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점에 다시 도달하였을 때 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 밸브가 닫힐(off) 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 방법의 순서도를 나타내는 도면이고, 도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 따른 공정 순서를 나타내는 도면이다.
도 3 및 도 6a 내지 도 6f를 참고하여 설명하면, 반응 가스 분사 단계는 다음과 같은 순서로 수행될 수 있다. 마찬가지로, 상기 복수의 기판(W) 중 임의로 하나의 기판(W)을 제 1 기판(1)으로 지정하여 설명한다. 먼저 상기 제 1 기판(1)이 반응 가스 분사 모듈(140c)의 시작 지점으로 이동하였는지 여부를 판단할 수 있다.
상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 시작 지점은 상기 제 1 기판(1)이 시계 방향으로 회전하면서 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 수직한 선과 만나는 선을 의미할 수 있다. 도 6a를 참고하여 설명하면, 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 오른쪽이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 시작 지점이다. 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)이 점선으로 표시된 것은 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)이 닫힘(off) 상태인 것을 의미하고, 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)이 실선으로 표시된 것은 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)이 열림(on) 상태인 것을 의미한다.
상기 제 1 기판(1)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 시작 지점으로 아직 이동하지 않은 경우에는 반응 가스 퍼지 가스가 분사될 수 있다. 상기 반응 가스 퍼지 가스가 분사되고 있지 않으면 상기 반응 가스 퍼지 가스를 분사할 수 있다.
다음으로 상기 제 1 기판(1)이 반응 가스 분사 모듈(140c)의 시작 지점으로 이동하는 경우 상기 반응 가스 퍼지 가스의 분사를 중지하고 반응 가스의 분사를 시작할 수 있다. 상기 제 1 기판(1)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 시작 지점에 도달하였을 때 상기 반응 가스를 분사하기 전에 반응 가스 퍼지 가스를 분사하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제 1 기판(1)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 시작 지점에 도달하였을 때 상기 반응 가스의 분사 시작과 동시에 상기 반응 가스 퍼지 가스의 분사를 종료하는 단계를 포함할 수 있다. 따라서 상기 반응 가스는 상기 제 1 기판(1)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 시작 지점에 이동한 경우 분사를 시작하기 때문에 상기 제 1 기판(1)의 전 영역에 균등하게 상기 반응 가스가 분사될 수 있다. 다만, 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 폭이 인접한 두 개의 상기 기판 사이의 간격보다 넓은 경우에는 상기 제 1 기판(1)보다 먼저 반응 가스 분사 모듈(140c)을 지나가는 상기 제 n 기판(n)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)을 전부 통과한 후에 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)에서 분사가 시작될 수 있다. 따라서 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 시작지점은 도 6a 및 도 6b에서 상기 제 1 기판(1)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)을 지나가기 시작하고, 상기 제 n 기판(n)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)을 전부 통과하는 지점에서 정해질 수 있다.
상기 제 1 기판(1) 및 복수의 기판(W)들이 설정된 수만큼 회전하게 되면 상기 복수의 기판(W)에 박막이 증착될 수 있다. 상기 서셉터(10)가 기 설정된 수만큼 회전한 후 상기 제 n 기판(n)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 종료 지점으로 이동하였는지 여부를 판단할 수 있다. 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 종료 지점은 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 시작 지점의 반대쪽이 될 수 있다. 상기 제 n 기판(n)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 종료 지점으로 이동한 경우 상기 반응 가스의 분사를 중지하고 상기 반응 가스 퍼지 가스의 분사를 시작할 수 있다. 상기 제 n 기판(n)이 기 설정된 회전 수만큼 상기 서셉터(10)가 회전한 후 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 종료 지점에 도달하였을 때 상기 반응 가스 퍼지 가스의 분사를 시작하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 폭이 인접한 두 개의 상기 기판 사이의 간격보다 넓은 경우에는 상기 제 n 기판(n)의 뒤에서 반응 가스 분사 모듈(140c)을 지나가는 상기 제 1 기판(1)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)에 일부가 통과하기 전에 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)에서 반응 가스의 분사가 종료될 수 있다. 따라서 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 종료지점은 도 6e 및 도 6f에서 상기 제 n 기판(n)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)을 지나가기 시작하고, 상기 제 1 기판(1)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)에 이르지 못하는 지점에서 정해질 수 있다.
따라서, 이 경우 상기 반응 가스는 상기 복수의 기판(W)에 정확히 설정된 회전 수만큼만 상기 반응 가스를 분사할 수 있고, 상기 복수의 기판(W) 모두 정확히 동일한 시간만큼 상기 반응 가스를 분사할 수 있어 상기 복수의 기판(W)들 사이의 균일도가 향상될 수 있다.
이에 따라, 상기 반응 가스 분사 단계는 제 1 기판(1)이 반응 가스 분사 모듈(140c)의 시작 지점에 도달하였을 때 반응 가스를 분사하는 단계, 기 설정된 회전 수만큼 서셉터(10)가 회전하는 단계, 제 n 기판(n)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 종료 지점에 도달하였을 때 상기 반응 가스의 분사를 중지하는 단계를 포함할 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 방법의 순서도를 나타내는 도면이고, 도 7a 내지 도 7f는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 따른 공정 순서를 나타내는 도면이다.
도 4 및 도 7a 내지 도 7f를 참고하여 설명하면, 박막 증착 단계는 다음과 같은 순서로 수행될 수 있다. 먼저 상기 제 1 기판(1)이 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점으로 이동하였는지 여부를 판단할 수 있다.
상기 제 1 기판(1)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점으로 아직 이동하지 않은 경우에는 소스 가스 퍼지 가스가 분사될 수 있다. 상기 소스 가스 퍼지 가스가 분사되고 있지 않으면 상기 소스 가스 퍼지 가스를 분사할 수 있다.
다음으로 상기 제 1 기판(1)이 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점으로 이동하는 경우 상기 소스 가스 퍼지 가스의 분사를 중지하고 소스 가스의 분사를 시작할 수 있다. 따라서 상기 소스 가스는 상기 제 1 기판(1)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점에 이동한 경우 분사를 시작하기 때문에 상기 제 1 기판(1)의 전 영역에 균등하게 상기 소스 가스가 분사될 수 있다. 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 폭이 인접한 두 개의 상기 기판 사이의 간격보다 넓은 경우에는 상기 제 1 기판(1)보다 먼저 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)을 지나가는 제 n 기판(n)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)을 전부 통과한 후에 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)에서 분사가 시작될 수 있다. 따라서 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작지점은 도 7a 및 도 7b에서 상기 제 1 기판(1)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)을 지나가기 시작하고, 상기 제 n 기판(n)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)을 전부 통과하는 지점에서 정해질 수 있다.다음으로 상기 제 1 기판(1)이 반응 가스 분사 모듈(140c)의 시작 지점으로 이동하는 경우 상기 반응 가스 퍼지 가스의 분사를 중지하고 반응 가스의 분사를 시작할 수 있다. 따라서 상기 반응 가스는 상기 제 1 기판(1)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 시작 지점에 이동한 경우 분사를 시작하기 때문에 역시 상기 제 1 기판(1)의 전 영역에 균등하게 상기 반응 가스가 분사될 수 있다. 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 폭이 인접한 두 개의 상기 기판 사이의 간격보다 넓은 경우에는 상기 제 1 기판(1)보다 먼저 반응 가스 분사 모듈(140c)을 지나가는 상기 제 n 기판(n)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)을 전부 통과한 후에 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)에서 분사가 시작될 수 있다. 따라서 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 시작지점은 도 7c 및 도 7d에서 상기 제 1 기판(1)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)을 지나가기 시작하고, 상기 제 n 기판(n)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)을 전부 통과하는 지점에서 정해질 수 있다.
상기 제 1 기판(1) 및 복수의 기판(W)들이 설정된 수만큼 회전하게 되면 상기 복수의 기판(W)에 박막이 증착될 수 있다. 상기 서셉터(10)가 기 설정된 수만큼 회전한 후 상기 제 1 기판(1)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작지점으로 이동하였는지 여부를 판단할 수 있다. 상기 제 1 기판(1)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점으로 이동한 경우 상기 소스 가스의 분사를 중지하고 상기 소스 가스 퍼지 가스의 분사를 시작할 수 있다. 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 폭이 인접한 두 개의 상기 기판 사이의 간격보다 넓은 경우에는 상기 제 1 기판(1)보다 먼저 소스 가스 분사 모듈(140a)을 지나가는 제 n 기판(n)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)을 전부 통과한 후에 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)에서 분사가 종료될 수 있다. 이에 따라 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)이 소스 가스의 분사를 시작하고, 종료하는 지점은 동일하게 설정될 수 있다. 따라서 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 종료지점은 도 7e에서 상기 제 1 기판(1)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)을 지나가기 시작하고, 상기 제 n 기판(n)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)을 전부 통과하는 지점에서 정해질 수 있다. 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)이 소스 가스의 분사를 시작하고, 종료하는 지점은 동일하게 설정될 수 있다.
다음으로 상기 서셉터(10)가 기 설정된 수만큼 회전한 후 상기 제 n 기판(n)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 종료 지점으로 이동하였는지 여부를 판단할 수 있다. 상기 제 n 기판(n)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 종료 지점으로 이동한 경우 상기 반응 가스의 분사를 중지하고 상기 반응 가스 퍼지 가스의 분사를 시작할 수 있다. 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 폭이 인접한 두 개의 상기 기판 사이의 간격보다 넓은 경우에는 상기 제 n 기판(1)의 뒤에서 반응 가스 분사 모듈(140c)을 지나가는 상기 제 1 기판(1)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)에 일부가 통과하기 전에 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)에서 분사가 종료될 수 있다. 따라서 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 종료지점은 도 7f에서 상기 제 n 기판(n)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)을 지나가기 시작하고, 상기 제 1 기판(1)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)에 이르지 못하는 지점에서 정해질 수 있다.
따라서, 이 경우 상기 소스 가스 및 반응 가스는 상기 복수의 기판(W)에 정확히 설정된 회전 수만큼만 상기 소스 가스 및 반응 가스를 분사할 수 있고, 상기 복수의 기판(W) 모두 정확히 동일한 시간만큼 상기 소스 가스 및 반응 가스를 분사할 수 있어 상기 복수의 기판(W)들 사이의 균일도가 향상될 수 있다.
이에 따라 상기 박막 증착 단계는 제 1 기판(1)이 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점에 도달하였을 때 소스 가스를 분사하는 단계, 상기 제 1 기판(1)이 반응 가스 분사 모듈(140c)의 시작 지점에 도달하였을 때 반응 가스를 분사하는 단계, 기 설정된 회전 수만큼 서셉터(10)가 회전하는 단계, 상기 제 1 기판(1)이 상기 소스 가스 분사 모듈(140a)의 시작 지점에 다시 도달하였을 때 상기 소스 가스의 분사를 중지하는 단계, 제 n 기판(n)이 상기 반응 가스 분사 모듈(140c)의 종료 지점에 도달하였을 때 상기 반응 가스의 분사를 중지하는 단계를 포함할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1: 제 1 기판 n: 제 n 기판
W: 기판 10: 서셉터
30: 구동축 110: 공정 챔버
130: 챔버 리드 130a, 130b, 130c, 130d: 모듈 설치부
140: 가스 분사부 140a: 소스 가스 분사 모듈
140b: 퍼지 가스 분사 모듈 140c: 반응 가스 분사 모듈
140d: 퍼지 가스 분사 모듈 150: 구동 수단

Claims (11)

  1. 공정 가스를 분사하는 가스 분사부, 및 복수의 기판들을 지지하여 상기 기판들이 상기 가스 분사부가 갖는 복수의 가스 분사 모듈들 각각의 하부를 순차적으로 통과하도록 회전되는 서셉터를 포함하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법으로,
    상기 서셉터가 회전됨에 따라 상기 서셉터에 지지된 기판들 중에서 어느 하나의 제 1 기판이 상기 가스 분사 모듈들 중에서 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 소스 가스를 분사하는 단계,
    상기 서셉터가 회전됨에 따라 상기 제 1 기판이 상기 가스 분사 모듈들 중에서 반응 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 반응 가스를 분사하는 단계,
    기 설정된 회전 수만큼 상기 서셉터가 회전하는 단계,
    상기 서셉터가 기 설정된 회전 수만큼 회전한 후 상기 제 1 기판이 상기 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 다시 도달하였을 때 상기 소스 가스의 분사를 중지하는 단계를 포함하고,
    상기 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점은 상기 제 1 기판이 상기 소스 가스 분사 모듈의 하부를 지나가기 시작하는 지점이며,
    상기 반응 가스 분사 모듈의 시작 지점은 상기 제 1 기판이 상기 반응 가스 분사 모듈의 하부를 지나가기 시작하는 지점인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판이 상기 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 상기 소스 가스 분사 모듈의 밸브가 열리는 것을 포함하는 기판 처리 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판이 기 설정된 회전 수만큼 상기 서셉터가 회전한 후 상기 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 다시 도달하였을 때 상기 소스 가스 분사 모듈의 밸브가 닫히는 것을 포함하는 기판 처리 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판이 상기 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하기 전에 소스 가스 퍼지 가스를 분사하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 기판이 상기 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 상기 소스 가스의 분사와 동시에 상기 소스 가스 퍼지 가스의 분사를 종료하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 기판이 기 설정된 회전 수만큼 상기 서셉터가 회전한 후 상기 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 다시 도달하였을 때 상기 소스 가스 퍼지 가스의 분사를 시작하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  7. 공정 가스를 분사하는 가스 분사부, 및 복수의 기판들을 지지하여 상기 기판들이 상기 가스 분사부가 갖는 복수의 가스 분사 모듈들 각각의 하부를 순차적으로 통과하도록 회전되는 서셉터를 포함하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법으로,
    상기 서셉터가 회전됨에 따라 상기 서셉터에 지지된 기판들 중에서 어느 하나의 제 1 기판이 상기 가스 분사 모듈들 중에서 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 소스 가스를 분사하는 단계,
    상기 서셉터가 회전됨에 따라 상기 제 1 기판이 상기 가스 분사 모듈들 중에서 반응 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 반응 가스를 분사하는 단계,
    기 설정된 회전 수만큼 상기 서셉터가 회전하는 단계,
    상기 서셉터가 기 설정된 회전 수만큼 회전한 후, 상기 서셉터에 지지된 기판들 중에서 상기 제 1 기판보다 먼저 상기 반응 가스 분사 모듈의 하부를 통과하는 제 n 기판이 상기 반응 가스 분사 모듈의 종료 지점에 도달하였을 때 상기 반응 가스의 분사를 중지하는 단계를 포함하고,
    상기 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점은 상기 제 1 기판이 상기 소스 가스 분사 모듈의 하부를 지나가기 시작하는 지점이며,
    상기 반응 가스 분사 모듈의 시작 지점은 상기 제 1 기판이 상기 반응 가스 분사 모듈의 하부를 지나가기 시작하는 지점이고,
    상기 반응 가스 분사 모듈의 종료 지점은 상기 제 n 기판의 전부가 상기 반응 가스 분사 모듈의 하부를 통과하는 지점인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 기판이 상기 반응 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하기 전에 반응 가스 퍼지 가스를 분사하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 기판이 상기 반응 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 상기 반응 가스의 분사 시작과 동시에 상기 반응 가스 퍼지 가스의 분사를 종료하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 n 기판이 기 설정된 회전 수만큼 상기 서셉터가 회전한 후 상기 반응 가스 분사 모듈의 종료 지점에 도달하였을 때 상기 반응 가스 퍼지 가스의 분사를 시작하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  11. 공정 가스를 분사하는 가스 분사부, 및 복수의 기판들을 지지하여 상기 기판들이 상기 가스 분사부가 갖는 복수의 가스 분사 모듈들 각각의 하부를 순차적으로 통과하도록 회전되는 서셉터를 포함하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법으로,
    상기 서셉터가 회전됨에 따라 상기 서셉터에 지지된 기판들 중에서 어느 하나의 제 1 기판이 상기 가스 분사 모듈들 중에서 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 소스 가스를 분사하는 단계;
    상기 제 1 기판이 상기 가스 분사 모듈들 중에서 반응 가스 분사 모듈의 시작 지점에 도달하였을 때 반응 가스를 분사하는 단계;
    기 설정된 회전 수만큼 상기 서셉터가 회전하는 단계;
    상기 서셉터가 기 설정된 회전 수만큼 회전한 후 상기 제 1 기판이 상기 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점에 다시 도달하였을 때 상기 소스 가스의 분사를 중지하는 단계;
    상기 서셉터가 기 설정된 회전 수만큼 회전한 후, 상기 서셉터에 지지된 기판들 중에서 상기 제 1 기판보다 먼저 상기 반응 가스 분사 모듈의 하부를 통과하는 제 n 기판이 상기 반응 가스 분사 모듈의 종료 지점에 도달하였을 때 상기 반응 가스의 분사를 중지하는 단계를 포함하고,
    상기 소스 가스 분사 모듈의 시작 지점은 상기 제 1 기판이 상기 소스 가스 분사 모듈의 하부를 지나가기 시작하는 지점이며,
    상기 반응 가스 분사 모듈의 시작 지점은 상기 제 1 기판이 상기 반응 가스 분사 모듈의 하부를 지나가기 시작하는 지점이고,
    상기 반응 가스 분사 모듈의 종료 지점은 상기 제 n 기판의 전부가 상기 반응 가스 분사 모듈의 하부를 통과하는 지점인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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