JP2020521052A - 金属製品のためのクリーニングプラント - Google Patents
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Abstract
Description
−表面に残留酸化物の染みがあり、通常は酸洗プロセスで除去されない最も永続的な酸化物がある、酸洗が不十分な材料。製品のダウングレードにつながる可能性がある。
−酸溶液がストリップのベース金属も攻撃したため、明らかな厚さの減少と表面粗さの強力な修正が生じた、過剰に酸洗された材料。この欠陥でさえ、製品のダウングレードにつながる可能性がある。
−圧延ストリップの少なくとも1つのコイルを巻き戻すための巻き戻し手段と、
−前記圧延ストリップを酸洗するための酸洗手段(5)と、
−前記巻き戻し手段と前記酸洗手段との間に配置され、酸化物の表面層の厚さを測定するための測定手段と、を含み、
前記測定手段は、LIBSシステム(レーザー誘起ブレークダウン分光法)を定義する光ファイバ分光計と協働する少なくとも1つのレーザー光源からなり、また酸化物の組成および酸化物の成分の濃度を分析するために適合されることを特徴とするクリーニングプラントによって、上述の目的の少なくとも1つを満たす。
−巻き戻し手段によって圧延ストリップの少なくとも1つのコイルを巻き戻すステップと、
−測定手段によって圧延ストリップの酸化物の表面層の厚さを測定するステップと、
−酸洗手段によって前記圧延ストリップを酸洗するステップと、を含み、
ステップb)では、酸化物の表面層の厚さを測定することに加えて、酸化物の組成および酸化物の成分の濃度の分析も、LIBSシステム(レーザー誘起ブレークダウン分光法)を定義する光ファイバ分光計と関連した少なくとも1つのレーザー光源によって実行され、
そして前記光ファイバ分光計は、前記レーザー光源のレーザーが非酸化基材に向かって圧延ストリップを貫通する間に酸素の存在を測定し、前記光ファイバ分光計が酸素の不存在を検出するとき、酸化物の表面層の厚さは、レーザー光源によって圧延ストリップに掘削された深さに等しい、
方法に関する。
−酸化物の表面層を有する圧延ストリップの少なくとも1つのコイルを巻き戻すための巻き戻し手段1と、
−酸化物の表面層の厚さを測定するための測定手段4、4’と、
−前記圧延ストリップを酸洗するための酸洗手段5と、
を順に含む。
a)巻き戻し手段1によって圧延ストリップの少なくとも1つのコイルを巻き戻すステップと、
b)定手段4、4’によって圧延ストリップの酸化物の表面層の厚さを測定するステップと、
c)酸洗手段5によって前記圧延ストリップを酸洗するステップと、を含み、
ステップb)では、酸化物の表面層の厚さの測定は、LIBSシステム(レーザー誘起ブレークダウン分光法)を定義する光ファイバ分光計に関連した少なくとも1つのレーザー光源によって、酸化物の組成および酸化物の成分の濃度の分析とともに実行される。
−巻き戻し手段1と酸洗手段5との間の少なくとも1つのスケール破壊装置3と、
−巻き戻し手段1と少なくとも1つのスケール破壊装置3との間に配置された第1の測定手段4’と、
−少なくとも1つのスケール破壊装置3と酸洗手段5との間に配置された第2の測定手段4と、
−前記酸洗手段5の下流に配置された、ストリップクリーニングレベルを検出するための光学検出手段6と、
−前記第1の測定手段4’および前記第2の測定手段4から生じる測定データと、前記光学検出手段6から生じるストリップクリーニングレベルデータとを処理するための処理ユニット7と、が設けられ、
方法は、ステップa)の後、
−第1の測定手段4’によって圧延ストリップの酸化物の表面層の厚さを測定するステップと、
−処理ユニット7によって、前記第1の測定手段4’から生じる測定データを処理し、前記少なくとも1つのスケール破壊装置3の動作パラメータを調整するステップと、
−前記少なくとも1つのスケール破壊装置3によって圧延ストリップを脱スケールするステップと、
−第2の測定手段4によって、圧延ストリップの酸化物の表面層の厚さを測定するステップと、
−処理ユニット7によって、前記第2の測定手段4から生じる測定データを処理し、前記酸洗手段5の動作パラメータを調整するステップと、
−酸洗手段5によって前記圧延ストリップを酸洗するステップと、
−光学検出手段6によって圧延ストリップのクリーニングレベルを検出するステップと、
−処理ユニット7によって、前記光学検出手段6から発生するストリップクリーニングレベルデータを処理し、場合によっては前記動作パラメータをさらに調整するステップと、
を提供する。
Claims (16)
- 酸化物の表面層を備えた圧延金属ストリップをクリーニングするためのクリーニングプラントであって、
−圧延ストリップの少なくとも1つのコイルを巻き戻すための巻き戻し手段(1)と、
−前記圧延ストリップを酸洗するための酸洗手段(5)と、
−前記巻き戻し手段(1)と前記酸洗手段(5)との間に配置され、酸化物の表面層の厚さを測定するための測定手段(4、4’)と、を含み、
前記測定手段(4、4’)は、LIBSシステム(レーザー誘起ブレークダウン分光法)を定義する光ファイバ分光計と協働する少なくとも1つのレーザー光源からなり、また酸化物の組成および酸化物の成分の濃度を分析するために適合されることを特徴とするクリーニングプラント。 - 前記巻き戻し手段(1)と前記酸洗手段(5)との間に少なくとも1つのスケール破壊装置(3)が設けられる、請求項1に記載のクリーニングプラント。
- 前記測定手段(4、4’)は、前記少なくとも1つのスケール破壊装置(3)と前記酸洗手段(5)との間、または前記巻き戻し手段(1)と前記少なくとも1つのスケール破壊装置(3)との間に配置される、請求項2に記載のクリーニングプラント。
- 前記巻き戻し手段(1)と前記少なくとも1つのスケール破壊装置(3)との間に配置される第1の測定手段(4’)、および、前記少なくとも1つのスケール破壊装置(3)と前記酸洗手段(5)との間に配置される第2の測定手段(4)が設けられる、請求項2に記載のクリーニングプラント。
- 前記少なくとも1つのスケール破壊装置(3)によって前記ストリップから分離されたスケールの量を計量する重量センサ(2)が設けられ、および好ましくは、場合によってはブラッシング装置によって補助されて、分離された酸化物を計量するように前記分離された酸化物を収集するための吸引装置が設けられる、請求項2〜4のいずれか1項に記載のクリーニングプラント。
- 前記測定手段(4’、4)が設けられる前記プラントの各領域において、少なくとも1つの測定手段(4’、4)は圧延ストリップ供給ラインの上に配置され、少なくとも1つのさらなる測定手段(4’、4)は圧延ストリップ供給ラインの下に配置される、請求項1〜5のいずれか1項に記載のクリーニングプラント。
- 前記測定手段(4)から生じる測定データを処理して、前記酸洗手段(5)の動作パラメータを調整するための処理ユニット(7)が設けられる、請求項1〜6のいずれか1項に記載のクリーニングプラント。
- 前記酸洗手段(5)の下流に配置され、ストリップクリーニングレベルを検出するための光学検出手段(6)が設けられる、請求項1〜7のいずれか1項に記載のクリーニングプラント。
- 前記処理ユニット(7)は、前記光学検出手段(6)から生じるストリップクリーニングレベルデータを処理し、場合によっては前記動作パラメータをさらに調整するように構成される、請求項8に記載のクリーニングプラント。
- 前記酸洗手段(5)は、少なくとも1つの化学酸洗タンク、または乾式酸洗システム、または乾式酸洗システムとそれに続く少なくとも1つの化学酸洗タンク、または第1の乾式酸洗システムとそれに続く第2の乾式酸洗システムを含む、請求項1〜9のいずれか1項に記載のクリーニングプラント。
- 前記乾式酸洗システムは、レーザー酸洗装置および/または機械的酸洗装置、好ましくは回転研磨ブラシである、請求項10に記載のクリーニングプラント。
- 前記光ファイバ分光計は、前記レーザー光源のレーザーが非酸化基材に向かって前記圧延ストリップを貫通する間に酸素の存在を測定するように適合される、請求項1〜11のいずれか1項に記載のクリーニングプラント。
- LIBSシステムにインストールされ、レーザーによる浸食速度が既知の、前記光ファイバ分光計が酸素の不存在を検出し始める浸食時間tで、レーザー光源によって、浸食された材料の層の深さによって定義される表面酸化層の厚さを計算するように適合されたソフトウェアが設けられる、請求項12に記載のクリーニングプラント。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載のプラントによって実行可能な金属ストリップをクリーニングする方法であって、
a)前記巻き戻し手段(1)によって圧延ストリップの少なくとも1つのコイルを巻き戻すステップと、
b)前記測定手段(4、4’)によって前記圧延ストリップの酸化物の表面層の厚さを測定するステップと、
c)前記酸洗手段(5)によって前記圧延ストリップを酸洗するステップと、を含み、
ステップb)において、酸化物の表面層の厚さの測定は、LIBSシステム(レーザー誘起ブレークダウン分光法)を定義する光ファイバ分光計と関連した少なくとも1つのレーザー光源によって、酸化物の組成および酸化物の成分の濃度の分析とともに実行され、
そして前記光ファイバ分光計は、前記レーザー光源のレーザーが非酸化基材に向かって前記圧延ストリップを貫通する間に酸素の存在を測定し、前記光ファイバ分光計が酸素の不存在を検出するとき、酸化物の表面層の厚さは、前記レーザー光源によって前記圧延ストリップに掘削された深さに等しい、
方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
−前記巻き戻し手段(1)と前記酸洗手段(5)との間に配置される少なくとも1つのスケール破壊装置(3)と、
−前記巻き戻し手段(1)と前記少なくとも1つのスケール破壊装置(3)との間に配置される第1の測定手段(4’)と、
−前記少なくとも1つのスケール破壊装置(3)と前記酸洗手段(5)との間に配置される第2の測定手段(4)と、
−前記酸洗手段(5)の下流に配置され、ストリップクリーニングレベルを検出するための光学検出手段(6)と、
−前記第1の測定手段(4’)および前記第2の測定手段(4)から生じる測定データ、および前記光学検出手段(6)から生じるストリップクリーニングレベルデータを処理するための処理ユニット(7)と、が設けられるときに、
前記方法は、ステップa)の後、
−前記第1の測定手段(4’)によって前記圧延ストリップの酸化物の表面層の厚さを測定するステップと、
−前記処理ユニット(7)によって、前記第1の測定手段(4’)から生じる測定データを処理して、前記少なくとも1つのスケール破壊装置(3)の動作パラメータを調整するステップと、
−前記少なくとも1つのスケール破壊装置(3)によって前記圧延ストリップのスケールを除去するステップと、
−前記第2の測定手段(4)によって前記圧延ストリップの酸化物の表面層の厚さを測定するステップと、
−前記処理ユニット(7)によって、前記第2の測定手段(4)から生じる測定データを処理して、前記酸洗手段(5)の動作パラメータを調整するステップと、
−前記酸洗手段(5)によって前記圧延ストリップを酸洗するステップと、
−前記光学検出手段(6)によって前記圧延ストリップのクリーニングレベルを検出するステップと、
−前記処理ユニット(7)によって、前記光学検出手段(6)から生じる前記圧延ストリップのクリーニングレベルデータを処理して、場合によっては前記動作パラメータをさらに調整するステップと、
を提供する、請求項14に記載の方法。 - 酸化物の表面層の厚さの測定は15秒〜20秒で実行される、請求項14または15に記載の方法。
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