JP2020520819A - 被覆切削工具の製造方法及び被覆切削工具 - Google Patents

被覆切削工具の製造方法及び被覆切削工具 Download PDF

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Abstract

本発明は、被覆切削工具を製造するための方法であって、Ti、Zr、Hf、V、Ta、Nb、Si、Cr及びAlのうちの1つ以上の窒化物である0.5〜10μmの窒化物層を基材上に堆積させること、その後Al又はAl+Meを堆積させること、さらに続いて(AlaMe1−a)2O3層[0.05≦a≦1]である0.1〜5μmの酸化物層を堆積させることを含み、ここで、MeはTi、Mg、Ag、Zr、Si、V、Fe、Hf、B及びCrのうちの1つ以上であり、前記これらの層はマグネトロンスパッタリングにより堆積されている方法に関する。また、前記窒化物層と酸化物層とを含む被覆を有する基材を備える切削工具であって、被覆は、窒化物層と酸化物層との境界面の酸化物層中に(Al,Me,O)から成る介在物を有し、且つ/又は(Al,Me,O)の層は窒化物層と酸化物層との間に位置する。【選択図】図1

Description

本発明は、金属窒化物とアルミニウム含有酸化物とを含む被覆を有する、被覆切削工具の製造方法に関する。本発明はまた、被覆切削工具にも関する。
序説
より長持ちし、より速い切削速度及び/又は他のますます要求の厳しい切削作業に耐えるように金属加工用の切削工具を改良したいという、継続的な要望がある。一般に、金属加工用の切削工具は、通常は化学蒸着(CVD)又は物理蒸着(PVD)のいずれかによって堆積される薄い硬質被覆を有する超硬合金などの硬質基材を含む。
被覆は大抵、異なる化学組成の2つ以上の個々の層の組み合わせを含む。被覆の最内層と基材の接着性の重要性とは別に、工具寿命に影響を与えるもう1つの重要な要素は、被覆内の個々の層間の接着性である。
例えば(Ti,Al)Nなどの金属窒化物と、酸化アルミニウムなどの酸化物層との層の組み合わせが知られており、一般に様々な作業で良好な切削性能を与えている。
超硬工具全体の高い靭性が重要である。高温で堆積させると、炭化物基材の靭性が低下する。これにより、破損のリスクが高くなる。基材と金属窒化物層の靭性を十分に高く保つために、比較的低い温度で酸化物層を堆積させたい場合がある。しかし、金属窒化物層と酸化物層の間で接着性の問題が発生し、工具寿命が短くなる場合がある。
したがって、本発明の目的は、金属窒化物層とアルミニウム含有酸化物層との間の上述の接着性の問題を克服し、工具寿命が改善された切削工具を提供することである。
本発明
ここで、上記の目的に対する解決策を提供する被覆切削工具の製造方法が提供される。
その方法は、Ti、Zr、Hf、V、Ta、Nb、Cr、Si及びAlのうちの1つ以上の窒化物である0.5−10μmの窒化物層を基材上に堆積させること、その後Al又はAl+Meを堆積させること、さらに続いて(AlMe1−a層[0.05≦a≦1]である0.1〜5μmの酸化物層を堆積させることを含み、ここで、MeはTi、Mg、Ag、Zr、Si、V、Fe、Hf、B及びCrのうちの1つ以上であり、前記これらの層はマグネトロンスパッタリングにより堆積されている。
適切には、堆積したAl又はAl+Meにおいて、原子比Al/(Al+Me)は、0.05〜1、又は0.1〜1、又は0.25〜1、又は0.5〜1、又は、又は0.75〜1である。
堆積したAl又はAl+Meは、連続層又は島状構造を形成し得る。「島状構造」とは、本明細書において、下にある窒化物層が露出するような、堆積したAl又はAl+Meの分離した領域を意味する。堆積した島状構造の上面SEM画像である、図1を参照されたい。
また、堆積したAl又はAl+Meは、窒化物層のいくつかの領域で連続層を形成し、且つ、窒化物層のいくつかの領域で上記の島状構造を形成することもできる。
一実施態様では、Al又はAl+Meが堆積して、窒化物層面積の少なくとも25%、又は窒化物層面積の少なくとも50%、又は窒化物層面積の少なくとも75%を覆う島状構造を形成する。
島状構造の幅は、表面平面に平行な方向の最大延在長さ(longest extension)で、最大約300nmになることがある。島状構造の平均幅は、適切には少なくとも1(μm)の面積で測定して、表面平面に平行な方向の最大延在長さで2〜200nm、又は5〜100nm、又は5〜80nm、又は10〜60nmである。
島状構造の厚さは、2〜200nm、又は5〜150nm、又は10〜100nmである。
島状構造の厚みに対する幅のアスペクト比は、適切には、1〜50、又は5〜25である。
堆積したAl又はAl+Meの連続層の場合、Al又はAl+Me層の厚さは、2〜200nm、又は5〜150nm、又は10〜100nmである。
一実施態様では、マグネトロンスパッタリング中の基板温度は、350〜600℃、又は400〜500℃である。
一実施態様では、Al又はAl+Meが堆積して、窒化物層面積の少なくとも25%、又は窒化物層面積の少なくとも50%、又は窒化物層面積の少なくとも75%を覆う島状構造を形成する。
堆積したAl又はAl+Meの連続層の場合、Al又はAl+Me層の厚さは、2〜200nm、又は5〜150nm、又は10〜100nmである。
一実施態様では、マグネトロンスパッタリング中の基板温度は、350〜600℃、又は400〜500℃である。
一実施態様では、マグネトロンスパッタリングは、ハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング(HIPIMS)である。
HIPIMSによる窒化物層の堆積では、DCバイアス電圧は、適切には、20〜100V、又は30〜75Vである。
窒化物層の堆積においてHIPIMS法で使用される、パルス期間中の最大局所ピーク電力密度(maximum local peak power density)は、適切には、100W・cm−2超、又は500W・cm−2超、又は900W・cm−2超である。
窒化物層の堆積においてHIPIMS法で使用される、パルス期間中の最大局所ピーク電流密度(maximum local peak current density)は、適切には、0.4A・cm−2超、又は0.8A・cm−2超、又は1.2A・cm−2超である。
HIPIMSによる窒化物層の堆積では、平均電力密度は、適切には、20−100W・cm−2、又は30−75W・cm−2である。
HIPIMSによるAl又はAl+Me層の堆積では、ユニポーラバイアス電圧は、適切には、20〜200V、又は50〜175V、又は75〜150Vである。
HIPIMSによるAl又はAl+Me層の堆積では、平均電力密度は、適切には、2−25W・cm−2、又は5−15W・cm−2である。
HIPIMSによる酸化物層の堆積では、単極性バイアス電圧は、適切には、20〜400V、又は50〜200V、又は75〜150Vである。
酸化物層の堆積においてHIPIMS法で使用される、パルス期間中の最大局所ピーク電力密度は、適切には、50W・cm−2超、又は100W・cm−2超、又は200W・cm−2超である。
HIPIMSによる酸化物層の堆積では、平均電力密度は、適切には、5〜150W・cm−2、又は10〜60W・cm−2である。
酸化物層の堆積においてHIPIMS法で使用される、パルス期間中の最大局所ピーク電流密度は、適切には、0.2A・cm−2超、又は0.4A・cm−2超、又は0.6A・cm−2超である。
窒化物層の堆積と酸化物層の堆積の両方におけるHIPIMS法で使用されるパルス長は、適切には、2μs〜200ms、又は10μs〜100msである。
窒化物層は、一般式TiZrHfTaNbCrSiAlN[式中、0≦b≦1、0≦c≦1、0≦d≦1、0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦h≦1、0≦i≦1、0≦j≦1、b+c+d+e+f+g+h+i+j=1]で表すことができる。
一実施態様では、窒化物層は、Alと、Zr、Hf、V、Ta、Nb、Si及びCrのうちの1つ以上との窒化物、好ましくはAlと、Ti及びCrのうちの1つ以上との窒化物である。
一実施態様では、窒化物層は、一般式TiAl1−bN[式中、0<b<1、又は0.1<b<0.9、又は0.2<b<0.7、又は0.3<b<0.6]の(Ti,Al)N層である。
一実施態様では、窒化物層は、一般式TiCrAl1−b−hN[式中、0<b<1、0<h<1、0<b+h<1]の(Ti,Al,Cr)N層である。一実施態様では、0.1<b<0.9且つ0.05<h<0.8、又は0.2<b<0.8且つ0.05<h<0.5である。
一実施態様では、窒化物層は、一般式CrAl1−hN[式中、0<h<1]の(Al,Cr)N層である。一実施態様では、0.2<h<0.8、又は0.25<h<0.75、又は0.25<h<0.35である。
適切には、(AlMe1−a層では、0.1≦a≦1、又は0.25≦a≦1、又は0.5≦a≦1、又は0.75≦a≦1、又は0.25≦a≦0.9、又は0.25≦a≦0.7である。
一実施態様では、(AlMe1−a層は、(AlCr1−a層である。
一実施態様では、(AlMe1−a層は、Al層である。
Al層は適切には、ガンマ結晶構造のものである。
(AlMe1−a層は適切には、ガンマ結晶構造のものである。
ここで、Alと、さらにTi、Zr、Hf、V、Ta、Nb、Cr及びSiのうちの1つ以上との窒化物の層である窒化物層と、窒化物層の上に位置する(AlMe1−a層[0.05<a≦1]である酸化物層(A)とを含む被覆を有する基材を備える被覆切削工具が提供されており、ここで、MeはTi、Mg、Ag、Zr、Si、V、Fe、Hf、B及びCrのうちの1つ以上であり、被覆は
− 酸化物層(A)中の、2/3以上の平均原子比(Al+Me)/Oを有する(Al,Me,O)から成る介在物であって、表面平面に垂直な断面切片から決定した場合、被覆の窒化物層と酸化物層(A)との境界面から始まり、酸化物層(A)の上面に向かう方向に2〜200nm延在する介在物、及び/又は
− 2/3を超える平均原子比(Al+Me)/Oを有し、窒化物層と酸化物層(A)との間に位置する(Al,Me,O)の層(B)であって、厚さが2〜200nmである(Al,Me,O)層(B)
を有する。
層(B)と同様、(Al,Me,O)から成る介在物において、原子比Al/(Al+Me)は、適切には、0.05〜1、又は0.1〜1、又は0.25〜1、又は0.5〜1、又は0.75〜1である。
一実施態様では、被覆は、窒化物層に接する界面領域内に、窒化物層と酸化物層(A)との境界面から始まる(Al,Me,O)から成る介在物を有する。該(Al,Me,O)から成る介在物は、酸化物層(A)の堆積プロセス中に部分的に又は完全に酸化された、堆積金属Al又はAl+Me島状構造から発生する。
したがって、一実施態様では、該(Al,Me,O)から成る介在物は、2/3超の平均原子比(Al+Me)/O、すなわち残りの酸化物層中よりもより高い相対Al+Me含有量を有する。
別の実施態様では、該(Al,Me,O)から成る介在物は、完全に酸化されている。したがって、該(Al,Me,O)から成る介在物は、2/3の平均原子比(Al+Me)/Oを有し、残りの酸化物層(A)とは別の結晶構造である。一例としては、残りの酸化物層(A)がガンマ結晶構造であり、該(Al,Me,O)から成る介在物がアルファ又はカッパ結晶構造であることである。
該介在物の平均幅は、被覆の表面平面に垂直な断面切片から決定した場合、適切には少なくとも1μmの長さにわたって測定した場合、2〜200nm、又は5〜100nm、又は5〜50nm、又は10〜30nmである。
該介在物は、表面平面に垂直な断面切片から決定した場合、被覆の酸化物層(A)の上面に向かう方向に5〜150nm、又は10〜100nm延在していてもよい。
一実施態様では、該(Al,Me,O)から成る介在物中のAl+Me含有量は、平均で40〜100原子%、又は45〜95原子%、又は50〜75原子%である。
一実施態様では、被覆は、窒化物層と酸化物層(A)との間に位置する(Al,Me,O)の層(B)を有する。該(Al,Me,O)層(B)は、酸化物層(A)の堆積プロセス中に部分的に又は完全に酸化された、堆積金属Al又はAl+Me層から発生する。
したがって、一実施態様では、2/3超の平均原子比(Al+Me)/O、すなわち上に位置する酸化物層(A)中よりもより高い相対Al+Me含有量を有する(Al,Me,O)の層(B)が存在する。
(Al,Me,O)の層(B)の厚さは、2〜200nm、又は5〜150nm、又は10〜100nmである。
一実施態様では、(Al,Me,O)の層(B)中のAl+Me含有量は、平均で>40原子%且つ≦100原子%、又は≧45原子%且つ≦95原子%、又は≧50原子%且つ≦75原子%である。
一実施態様では、被覆切削工具は、被覆の表面に向かう方向に100nmの、窒化物層に接する界面領域において、酸素に対する金属の平均原子比(Al+Me)/Oが2/3超である。
界面領域は、本明細書では、窒化物層のすぐ上の被覆の100nm部分であると定義される。
界面領域において、酸素に対する金属の平均原子比(Al+Me)/Oは、適切には0.70超、又は0.75超である。
界面領域における酸素に対する金属の平均原子比(Al+Me)/Oの上限は、適切には0.85、又は0.80、又は0.75である。
窒化物層の厚さは、適切には0.5〜5μm、又は1〜4μmである。
酸化層(A)の厚さは、適切には0.1〜5μm、0.3〜−3μm、又は0.5〜1μmである。
窒化物層は、一般式TiZrHfTaNbCrSiAlN[式中、0≦b≦1、0≦c≦1、0≦d≦1、0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦h≦1、0≦i≦1,0≦j≦1、b+c+d+e+f+g+h+i+j=1]で表すことができる。
一実施態様では、窒化物層は、Alと、Zr、Hf、V、Ta、Nb、Si及びCrのうちの1つ以上との窒化物、好ましくはAlと、Ti及びCrのうちの1つ以上との窒化物である。
一実施態様では、窒化物層は、一般式TiAl1−bN[式中、0<b<1、又は0.1<b<0.9、又は0.2<b<0.7、又は0.3<b<0.6]の(Ti,Al)N層である。
一実施態様では、窒化物層は、一般式TiCrAl1−b−hN[式中、0<b<1、0<h<1、0<b+h<1]の(Ti,Al,Cr)N層である。一実施態様では、0.1<b<0.9且つ0.05<h<0.8、又は0.2<b<0.8且つ0.05<h<0.5である。
一実施態様では、窒化物層は、一般式CrAl1−hN[式中、0<h<1]の(Al,Cr)N層である。一実施態様では、0.2<h<0.8、又は0.25<h<0.75、又は0.25<h<0.35である。
適切には、(AlMe1−a層では、0.1≦a≦1、又は0.25≦a≦1、又は0.5≦a≦1、又は0.75≦a≦1、又は0.25≦a≦0.9、又は0.25≦a≦0.7である。
一実施態様では、(AlMe1−a層は、(AlCr1−a層である。
一実施態様では、(AlMe1−a層は、Al層である。
Al層は適切には、ガンマ結晶構造のものである。
(AlMe1−a層は適切には、ガンマ結晶構造のものである。
一実施態様では、酸化物層(A)は、被覆の最上層である。
一実施態様では、被覆は、摩耗保護、装飾又は摩耗認識の目的のために、酸化物層(A)の上にさらなる層を有する。この最上層は、適切には0.1〜10μmの厚さを有し、例えばTiN、(Ti,Al)N、CrN、HfN等の窒化物、TiCなどの炭化物、TiBなどのホウ化物若しくは酸化物(AlMe)、ZrO、TiO、V(金属中間層を含む)、又は前述のものの多層構造である。
被覆は、適切には、その表面にターゲット材料の液滴を実質的に含まない。
被覆の酸化物層(A)は、好ましくはPVD酸化物層である。すなわち、PVDプロセス、好ましくはマグネトロンスパッタリング、最も好ましくはHIPIMSによって堆積されている。
被覆の窒化物層は、好ましくはPVD窒化物層である。すなわち、PVDプロセス、好ましくはマグネトロンスパッタリング、最も好ましくはHIPIMSによって堆積されている。
被覆切削工具の基材は、金属加工用の切削工具の分野で一般的なあらゆる種類のものであり得る。基材には、超硬合金、サーメット、cBN、セラミック、PCD、及びHSSが含まれる。
一実施態様では、基材は、元素周期表の4、5及び6族からの1種以上の金属から成る6〜12重量%のCo、任意選択的に10重量%までの炭化物又は炭窒化物、及び残りのWCから成る組成を有する超硬合金である。
元素周期表の第4、5及び6族の金属は、適切にはTi、Ta、Nb、V、Zr、Cr、W、及びMoから成る群に属する。
超硬合金ボディ中のWCの粒径dは、適切には0.2〜5μm、又は0.5〜2μmである。WCの粒径dは、磁気保磁力の値から決定される。WCの粒径と保磁力の関係は、例えばRoebuckら.,Measurement Good Practice No.20,National Physical Laboratory,ISSN 1368−6550,1999年11月,2009年2月改訂,3.4.3節,19−20頁に記載されている。
この被覆切削工具は、被覆切削インサート、例えば旋削用の被覆切削インサート又はフライス加工用の被覆切削インサート又は穿孔のための被覆切削インサート又はねじ切り用の被覆切削インサート又は分割及び溝削り用の被覆切削インサートであってよい。被覆切削工具は、被覆ソリッドドリル、エンドミル、又はタップであってもよい。
好ましい実施態様では、被覆切削工具は、被覆ソリッドドリル又は被覆エンドミルである。
実施例1(本発明):
10重量%のCo、0.4重量%のCr及び残りのWCから成る組成を有する、超硬合金ソリッドエンドミルブランク材が提供された。
保磁力から決定されるWCの粒径は、約0.5μmであった。
サンプル1:
(Ti,Al)N層は、米国特許出願公開第2014/0339917号の記述に従って供給されたシーケンシャル電力パルスを使用して、HIPIMSで堆積された。以下のプロセスパラメータ/条件が使用された。
Figure 2020520819
この層の厚さは2.8μmと測定された。堆積した(Ti,Al,)N層の硬度は3300HV0.015と測定された。低下した弾性率(E−modulus)は450GPaと測定された。
さらに、金属(Al,Cr)(使用したAlターゲット上のCr含有縁部に起因する少量のCr)は、シーケンシャル電力パルスを使用して、HIPIMSで堆積された。以下のプロセスパラメータ/条件が使用された。
Figure 2020520819
(Al,Cr)は、(Ti,Al)N表面に、約2〜20nmの厚さの島状構造の形状で存在した。図1は、この島状構造が見える、上面SEM画像である。
さらに、(Al,Cr)層(わずかな含有量のCr)は、国際公開第2013083238号の記述に従って供給されたシーケンシャル電力パルスを使用して、HIPIMSで堆積された。以下のプロセスパラメータ/条件が使用された。
Figure 2020520819
堆積した(Al,Cr)層は、XRDによって、ガンマgAl層であると決定された。この層の厚さは0.65μmと測定された。この堆積した(Al,Cr)層の硬度は2800HV0.015と測定された。低下した弾性率は370GPaと測定された。
サンプル2:
サンプル1と同じ手順で(Ti,Al)N/(Al,Cr)/(Al,Cr)を堆積したが、(Al,Cr)層を堆積させる際は、半分の電力である2.5kWを使用した。これにより、より少量の(Al,Cr)堆積を達成した。
サンプル3:
サンプル1と同じ手順で(Ti,Al)N/(Al,Cr)/(Al,Cr)を堆積させたが、(Al,Cr)層を堆積させる際は、より長い堆積時間(約27秒)を用いた。これにより、より多量の(Al,Cr)堆積を達成した。
サンプル4:
(Ti,Al)N層と(Al,Cr)層の堆積に関してサンプル1と同じ手順で、窒化物層と酸化物層の間に金属(Al,Cr)が堆積されていない比較サンプルを作製した。
その後、被覆エンドミルを、鋼のフライス加工で試験した。
被加工材料:1.2311鋼
機械:Grob G550
=140m/分(1分あたりのメートル単位の切削速度)
=0.04mm/歯(1歯あたりのミリメートル単位の送り速度)
液冷
=4.0mm
=10.0mm
ソリッドラウンドエンドミルの工具刃形は、Walter Prototyp Protomax St、直径10mm、4フルート、角落とし部0.1mmであった。本試験で使用した工具は全て、同じ製造オーダのものであった。
工具寿命のカットオフ基準は、主切れ刃及び面取りの少なくとも一方の摩耗が75μmあることである。
表1に結果を示す。
Figure 2020520819
窒化物層と酸化物層の間に金属 (Al,Cr)の堆積なしで作製された被覆(サンプル4)は30mの総ミリング長さの後にすでにカットオフ基準に達したと結論付けられる。
窒化物層と酸化物層の間に金属(Al,Cr)の堆積を含めて作製された被覆付きのサンプルは全て、比較サンプル4より性能が優れていた。
島状構造が見える、上面SEM画像である。

Claims (18)

  1. 被覆切削工具を製造するための方法であって、Ti、Zr、Hf、V、Ta、Nb、Cr、Si及びAlのうちの1つ以上の窒化物である0.5〜10μmの窒化物層を基材上に堆積させること、続いてAl又はAl+Meを堆積させること、さらに続いて(AlMe1−a層[0.05≦a≦1]である0.1〜5μmの酸化物層を堆積させることを含み、MeはTi、Mg、Ag、Zr、Si、V、Fe、Hf、B及びCrのうちの1つ以上であり、前記これらの層はマグネトロンスパッタリングにより堆積されている、方法。
  2. マグネトロンスパッタリング中の基材温度が350〜600℃である、請求項1に記載の方法。
  3. マグネトロンスパッタリングがハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング(HIPIMS)である、請求項1又は2に記載の方法。
  4. 堆積したAl又はAl+Meが島状構造を形成する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
  5. Al又はAl+Meが堆積して、窒化物層面積の少なくとも25%を覆う島状構造を形成する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
  6. 堆積したAl又はAl+Meが連続層を形成する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
  7. 窒化物層のいくつかの領域に堆積したAl又はAl+Meが、連続層を形成し、窒化物層のいくつかの領域で島状構造を形成する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
  8. 島状構造の平均幅が2〜200nmである、請求項4〜5のいずれか一項又は請求項7に記載の方法。
  9. Al又はAl+Me層の厚みが2〜200nmである、請求項6又は7に記載の方法。
  10. 窒化物層が一般式TiAl1−bN[式中、0<b<1]の(Ti,Al)N層である、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
  11. (AlMe1−a層が(AlCr1−a層である、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
  12. Ti、Zr、Hf、V、Ta、Nb、Cr、Si及びAlのうちの1つ以上の窒化物の層である窒化物層と、窒化物層の上に位置する(AlMe1−a層[0.05<a≦1]である酸化物層(A)とを含む被覆を有する基材を備える被覆切削工具であって、MeはTi、Mg、Ag、Zr、Si、V、Fe、Hf、B及びCrのうちの1つ以上であり、被覆は
    − 酸化物層(A)中の、2/3以上の平均原子比(Al+Me)/Oを有する(Al,Me,O)から成る介在物であって、表面平面に垂直な断面切片から決定した場合、被覆の窒化物層と酸化物層(A)との境界面から始まり、酸化物層(A)の上面に向かう方向に2〜200nm延在する介在物、
    及び/又は
    − 2/3超の均原子比(Al+Me)/Oを有し、窒化物層と酸化物層(A)との間に位置する(Al,Me,O)の層(B)であって、厚さが2〜200nmである(Al,Me,O)層(B)
    を有する、
    被覆切削工具。
  13. 窒化物層が一般式TiAl1−bN[式中、0<b<1]の(Ti,Al)N層である、請求項12に記載の被覆切削工具。
  14. (AlMe1−a層において0.1≦a≦1、又は0.25≦a≦1、又は0.5≦a≦1である、請求項12又は13に記載の被覆切削工具。
  15. (AlMe1−a層が(AlCr1−a層である、請求項12〜14のいずれか一項に記載の被覆切削工具。
  16. 窒化物層の厚さが0.5〜10μmであり、酸化物層(A)の厚さが0.1〜5μmである、請求項12〜15のいずれか一項に記載の被覆切削工具。
  17. 酸化物層(A)中の(Al,Me,O)から成る介在物が2/3超の平均原子比(Al+Me)/Oを有する、請求項12〜16のいずれか一項に記載の被覆切削工具。
  18. 被覆の表面に向かう方向に100nmの、窒化物層に接する領域において、酸素に対する金属の平均原子比(Al+Me)/Oが2/3超である、請求項12〜17のいずれか一項に記載の被覆切削工具。
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