JP2020520119A - Tft基板の製造方法 - Google Patents
Tft基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020520119A JP2020520119A JP2019562541A JP2019562541A JP2020520119A JP 2020520119 A JP2020520119 A JP 2020520119A JP 2019562541 A JP2019562541 A JP 2019562541A JP 2019562541 A JP2019562541 A JP 2019562541A JP 2020520119 A JP2020520119 A JP 2020520119A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- graphene
- insulating layer
- gate electrode
- metal foil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 39
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 112
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 112
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 57
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 55
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 35
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 claims abstract description 33
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 205
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 claims description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 7
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 7
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 4
- 239000002074 nanoribbon Substances 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 9
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66015—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising semiconducting carbon, e.g. diamond, diamond-like carbon, graphene
- H01L29/66037—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising semiconducting carbon, e.g. diamond, diamond-like carbon, graphene the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66045—Field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0405—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising semiconducting carbon, e.g. diamond, diamond-like carbon
- H01L21/0425—Making electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0405—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising semiconducting carbon, e.g. diamond, diamond-like carbon
- H01L21/0425—Making electrodes
- H01L21/044—Conductor-insulator-semiconductor electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1606—Graphene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78684—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising semiconductor materials of Group IV not being silicon, or alloys including an element of the group IV, e.g. Ge, SiN alloys, SiC alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
金属箔片を提供し、前記金属箔片上にグラフェン薄膜を堆積させ、グラフェンのバンドギャップを変化させる方法によってグラフェン半導体活性層を得るステップS1と;
前記グラフェン半導体活性層上に無機物絶縁層を堆積により形成するステップS2と;
前記無機物絶縁層上に有機ベースを形成して一次構造を得るステップS3と;
前記ステップS3で得られた前記一次構造を上下方向において逆転させることで、前記有機ベースが最下層となり、前記金属箔片が最上層となり、1つのフォトマスクを用いたパターニング工程により前記金属箔片上にフォトレジスト層を形成するステップS4と;
前記フォトレジスト層を遮蔽層として、前記金属箔片に対してエッチングを施すことで、互いに離間したソース電極及びドレイン電極を得るステップS5と;
前記フォトレジスト層及び前記グラフェン半導体活性層上に有機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層上に堆積によりゲート電極導電層を形成するステップS6と;
フォトレジスト剥離液を用いて前記フォトレジスト層を除去すると同時に、前記フォトレジスト層の除去に伴い、前記フォトレジスト層上の前記有機絶縁層及び前記ゲート電極導電層も除去され、残存した前記有機絶縁層によって、前記グラフェン半導体活性層上に位置し、且つ前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置するゲート電極絶縁層が得られ、残存した前記ゲート電極導電層によって、前記ゲート電極絶縁層上に位置するゲート電極が得られるステップS7と、を含む。
グラフェンのバンドギャップを変化させる前記方法はフォトリソグラフィであり、具体的には、前記グラフェン薄膜を堆積させた後、前記グラフェン薄膜を細い帯状に切断してグラフェンナノリボンとすることで、前記グラフェン半導体活性層が得られる。
前記グラフェン半導体活性層のバンドギャップ値は、0.1eVよりも大きい。
前記補強ベースは、ガラス、ポリエチレンテレフタレートプラスチック、又はシリコンウェーハである。
金属箔片を提供し、前記金属箔片上にグラフェン薄膜を堆積させ、グラフェンのバンドギャップを変化させる方法によってグラフェン半導体活性層を得るステップS1と;
前記グラフェン半導体活性層上に無機物絶縁層を堆積により形成するステップS2と;
前記無機物絶縁層上に有機ベースを形成して一次構造を得るステップS3と;
前記ステップS3で得られた前記一次構造を上下方向において逆転させることで、前記有機ベースが最下層となり、前記金属箔片が最上層となり、1つのフォトマスクを用いたパターニング工程により前記金属箔片上にフォトレジスト層を形成するステップS4と;
前記フォトレジスト層を遮蔽層として、前記金属箔片に対してエッチングを施すことで、互いに離間したソース電極及びドレイン電極を得るステップS5と;
前記フォトレジスト層及び前記グラフェン半導体活性層上に有機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層上に堆積によりゲート電極導電層を形成するステップS6と;
フォトレジスト剥離液を用いて前記フォトレジスト層を除去すると同時に、前記フォトレジスト層の除去に伴い、前記フォトレジスト層上の前記有機絶縁層及び前記ゲート電極導電層も除去され、残存した前記有機絶縁層によって、前記グラフェン半導体活性層上に位置し、且つ前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置するゲート電極絶縁層が得られ、残存した前記ゲート電極導電層によって、前記ゲート電極絶縁層上に位置するゲート電極が得られるステップS7と;を含み、
前記ステップS2において、化学気相堆積法を用いて前記無機物絶縁層を堆積により形成し、前記無機物絶縁層の材料は、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化イットリウム(III)、又は二酸化ハフニウムであり;
前記ステップS3において、溶液の塗布及び硬化により前記有機ベースを形成し、前記有機ベースの材料はポリジメチルシロキサンである。
グラフェンのバンドギャップを変化させる前記方法はフォトリソグラフィである。具体的には、グラフェン薄膜を堆積させた後、グラフェン薄膜を細い帯状に切断してグラフェンナノリボン(GNR)とすることで、グラフェン半導体活性層200が得られる。
Claims (18)
- 金属箔片を提供し、前記金属箔片上にグラフェン薄膜を堆積させ、グラフェンのバンドギャップを変化させる方法によってグラフェン半導体活性層を得るステップS1と;
前記グラフェン半導体活性層上に無機物絶縁層を堆積により形成するステップS2と;
前記無機物絶縁層上に有機ベースを形成して一次構造を得るステップS3と;
前記ステップS3で得られた前記一次構造を上下方向において逆転させることで、前記有機ベースが最下層となり、前記金属箔片が最上層となり、1つのフォトマスクを用いたパターニング工程により前記金属箔片上にフォトレジスト層を形成するステップS4と;
前記フォトレジスト層を遮蔽層として、前記金属箔片に対してエッチングを施すことで、互いに離間したソース電極及びドレイン電極を得るステップS5と;
前記フォトレジスト層及び前記グラフェン半導体活性層上に有機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層上に堆積によりゲート電極導電層を形成するステップS6と;
フォトレジスト剥離液を用いて前記フォトレジスト層を除去すると同時に、前記フォトレジスト層の除去に伴い、前記フォトレジスト層上の前記有機絶縁層及び前記ゲート電極導電層も除去され、残存した前記有機絶縁層によって、前記グラフェン半導体活性層上に位置し、且つ前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置するゲート電極絶縁層が得られ、残存した前記ゲート電極導電層によって、前記ゲート電極絶縁層上に位置するゲート電極が得られるステップS7と、を含むことを特徴とするTFT基板の製造方法。 - 前記金属箔片の材料は、銅又はニッケルであることを特徴とする請求項1に記載のTFT基板の製造方法。
- 前記ステップS1において、グラフェンのバンドギャップを変化させる前記方法は化学ドーピング法であり、具体的には、前記グラフェン薄膜を堆積させるのと同時に化学ドーピングを行い、堆積した前記グラフェン薄膜がドープされたグラフェン薄膜となることで、前記グラフェン半導体活性層が得られ;或いは、
グラフェンのバンドギャップを変化させる前記方法はフォトリソグラフィであり、具体的には、前記グラフェン薄膜を堆積させた後、前記グラフェン薄膜を細い帯状に切断してグラフェンナノリボンとすることで、前記グラフェン半導体活性層が得られることを特徴とする請求項1に記載のTFT基板の製造方法。 - 前記ステップS1において、プラズマ化学気相堆積法を用いて前記グラフェン薄膜を堆積させ、堆積した前記グラフェン薄膜は単層グラフェン薄膜であり;
前記グラフェン半導体活性層のバンドギャップ値は、0.1eVよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のTFT基板の製造方法。 - 前記ステップS2において、化学気相堆積法を用いて前記無機物絶縁層を堆積により形成し、前記無機物絶縁層の材料は、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化イットリウム(III)、又は二酸化ハフニウムであることを特徴とする請求項1に記載のTFT基板の製造方法。
- 前記ステップS3において、溶液の塗布及び硬化により前記有機ベースを形成し、前記有機ベースの材料はポリジメチルシロキサンであることを特徴とする請求項1に記載のTFT基板の製造方法。
- 前記ステップS5において、ウェットエッチング工程によって前記金属箔片に対してエッチングを行うことを特徴とする請求項1に記載のTFT基板の製造方法。
- 前記ステップS6において、塗布工程により前記有機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層の材料はポリメタクリル酸メチルであることを特徴とする請求項1に記載のTFT基板の製造方法。
- 前記ステップS6において、物理気相堆積法を用いて前記ゲート電極導電層を堆積により形成し、前記ゲート電極導電層の材料は、アルミニウム、銅、又は酸化インジウムスズであることを特徴とする請求項1に記載のTFT基板の製造方法。
- 補強ベースを提供し、前記有機ベースを溶融させた後に前記補強ベース上に付着させるステップS8をさらに含み;
前記補強ベースは、ガラス、ポリエチレンテレフタレートプラスチック、又はシリコンウェーハであることを特徴とする請求項1に記載のTFT基板の製造方法。 - 金属箔片を提供し、前記金属箔片上にグラフェン薄膜を堆積させ、グラフェンのバンドギャップを変化させる方法によってグラフェン半導体活性層を得るステップS1と;
前記グラフェン半導体活性層上に無機物絶縁層を堆積により形成するステップS2と;
前記無機物絶縁層上に有機ベースを形成して一次構造を得るステップS3と;
前記ステップS3で得られた前記一次構造を上下方向において逆転させることで、前記有機ベースが最下層となり、前記金属箔片が最上層となり、1つのフォトマスクを用いたパターニング工程により前記金属箔片上にフォトレジスト層を形成するステップS4と;
前記フォトレジスト層を遮蔽層として、前記金属箔片に対してエッチングを施すことで、互いに離間したソース電極及びドレイン電極を得るステップS5と;
前記フォトレジスト層及び前記グラフェン半導体活性層上に有機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層上に堆積によりゲート電極導電層を形成するステップS6と;
フォトレジスト剥離液を用いて前記フォトレジスト層を除去すると同時に、前記フォトレジスト層の除去に伴い、前記フォトレジスト層上の前記有機絶縁層及び前記ゲート電極導電層も除去され、残存した前記有機絶縁層によって、前記グラフェン半導体活性層上に位置し、且つ前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置するゲート電極絶縁層が得られ、残存した前記ゲート電極導電層によって、前記ゲート電極絶縁層上に位置するゲート電極が得られるステップS7と;を含むTFT基板の製造方法であって、
前記ステップS2において、化学気相堆積法を用いて前記無機物絶縁層を堆積により形成し、前記無機物絶縁層の材料は、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化イットリウム(III)、又は二酸化ハフニウムであり;
前記ステップS3において、溶液の塗布及び硬化により前記有機ベースを形成し、前記有機ベースの材料はポリジメチルシロキサンであることを特徴とするTFT基板の製造方法。 - 前記金属箔片の材料は、銅又はニッケルであることを特徴とする請求項11に記載のTFT基板の製造方法。
- 前記ステップS1において、グラフェンのバンドギャップを変化させる前記方法は化学ドーピング法であり、具体的には、前記グラフェン薄膜を堆積させるのと同時に化学ドーピングを行い、堆積した前記グラフェン薄膜がドープされたグラフェン薄膜となることで、前記グラフェン半導体活性層が得られ;或いは、
グラフェンのバンドギャップを変化させる前記方法はフォトリソグラフィであり、具体的には、前記グラフェン薄膜を堆積させた後、前記グラフェン薄膜を細い帯状に切断してグラフェンナノリボンとすることで、前記グラフェン半導体活性層が得られることを特徴とする請求項11に記載のTFT基板の製造方法。 - 前記ステップS1において、プラズマ化学気相堆積法を用いて前記グラフェン薄膜を堆積させ、堆積した前記グラフェン薄膜は単層グラフェン薄膜であり;
前記グラフェン半導体活性層のバンドギャップ値は、0.1eVよりも大きいことを特徴とする請求項11に記載のTFT基板の製造方法。 - 前記ステップS5において、ウェットエッチング工程によって前記金属箔片に対してエッチングを行うことを特徴とする請求項11に記載のTFT基板の製造方法。
- 前記ステップS6において、塗布工程により前記有機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層の材料はポリメタクリル酸メチルであることを特徴とする請求項11に記載のTFT基板の製造方法。
- 前記ステップS6において、物理気相堆積法を用いて前記ゲート電極導電層を堆積により形成し、前記ゲート電極導電層の材料は、アルミニウム、銅又は酸化インジウムスズであることを特徴とする請求項11に記載のTFT基板の製造方法。
- 補強ベースを提供し、前記有機ベースを溶融させた後に前記補強ベース上に付着させるステップS8をさらに含み、
前記補強ベースは、ガラス、ポリエチレンテレフタレートプラスチック、又はシリコンウェーハであることを特徴とする請求項11に記載のTFT基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710340896.1A CN107146773B (zh) | 2017-05-15 | 2017-05-15 | Tft基板的制作方法 |
CN201710340896.1 | 2017-05-15 | ||
PCT/CN2017/089247 WO2018209751A1 (zh) | 2017-05-15 | 2017-06-20 | Tft基板的制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020520119A true JP2020520119A (ja) | 2020-07-02 |
JP6857750B2 JP6857750B2 (ja) | 2021-04-14 |
Family
ID=59778566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019562541A Active JP6857750B2 (ja) | 2017-05-15 | 2017-06-20 | Tft基板の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3627543B1 (ja) |
JP (1) | JP6857750B2 (ja) |
KR (1) | KR102190783B1 (ja) |
CN (1) | CN107146773B (ja) |
WO (1) | WO2018209751A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109741881B (zh) * | 2019-01-04 | 2020-09-04 | 宁波石墨烯创新中心有限公司 | 一种石墨烯柔性电极及其制备方法 |
CN110265303B (zh) * | 2019-06-12 | 2021-04-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板的制作方法 |
CN110729184A (zh) * | 2019-10-24 | 2020-01-24 | 宁波石墨烯创新中心有限公司 | 薄膜晶体管、其制作方法及装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102629578A (zh) * | 2011-09-29 | 2012-08-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种tft阵列基板及其制造方法和显示装置 |
JP2013110246A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体装置の製造方法 |
CN103318881A (zh) * | 2013-07-10 | 2013-09-25 | 合肥微晶材料科技有限公司 | “泡取式”石墨烯的制备及使用方法 |
JP2013236017A (ja) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 電子装置、積層構造体及びその製造方法 |
JP2014055086A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Panasonic Corp | グラフェンの製造方法 |
CN103769025A (zh) * | 2014-01-15 | 2014-05-07 | 华中科技大学 | 微气泡发生器及其制备方法 |
JP2014218386A (ja) * | 2013-05-01 | 2014-11-20 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | グラフェン膜、電子装置、及び電子装置の製造方法 |
JP2015160794A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 富士通株式会社 | グラフェン膜の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
US20170117417A1 (en) * | 2015-07-13 | 2017-04-27 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Integration of air-sensitive two-dimensional materials on arbitrary substrates for the manufacturing of electronic devices |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2312620A4 (en) * | 2008-08-04 | 2013-12-25 | Panasonic Corp | FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
CN102629579B (zh) * | 2011-09-29 | 2014-04-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性tft阵列基板及其制造方法和显示装置 |
KR20140114199A (ko) * | 2013-03-18 | 2014-09-26 | 삼성전자주식회사 | 이종 적층 구조체 및 그 제조방법, 및 상기 이종 적층 구조체를 구비하는 전기소자 |
CN103365004B (zh) * | 2013-07-26 | 2016-04-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 透明导电层、具有该透明导电层的cf基板及其制备方法 |
CN103922321B (zh) * | 2014-03-21 | 2015-10-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 石墨烯的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板 |
KR20150121682A (ko) * | 2015-07-05 | 2015-10-29 | 이윤택 | 그래핀의 제조방법 및 그래핀 원자층이 식각되는 그래핀 제조방법 및 웨이퍼결합방법을 구비하는 그래핀 굽힘 트랜지스터, 및 그래핀 굽힘 트랜지스터 |
-
2017
- 2017-05-15 CN CN201710340896.1A patent/CN107146773B/zh active Active
- 2017-06-20 JP JP2019562541A patent/JP6857750B2/ja active Active
- 2017-06-20 EP EP17909921.3A patent/EP3627543B1/en active Active
- 2017-06-20 KR KR1020197037105A patent/KR102190783B1/ko active IP Right Grant
- 2017-06-20 WO PCT/CN2017/089247 patent/WO2018209751A1/zh active Application Filing
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102629578A (zh) * | 2011-09-29 | 2012-08-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种tft阵列基板及其制造方法和显示装置 |
JP2013110246A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体装置の製造方法 |
JP2013236017A (ja) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 電子装置、積層構造体及びその製造方法 |
JP2014055086A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Panasonic Corp | グラフェンの製造方法 |
JP2014218386A (ja) * | 2013-05-01 | 2014-11-20 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | グラフェン膜、電子装置、及び電子装置の製造方法 |
CN103318881A (zh) * | 2013-07-10 | 2013-09-25 | 合肥微晶材料科技有限公司 | “泡取式”石墨烯的制备及使用方法 |
CN103769025A (zh) * | 2014-01-15 | 2014-05-07 | 华中科技大学 | 微气泡发生器及其制备方法 |
JP2015160794A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 富士通株式会社 | グラフェン膜の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
US20170117417A1 (en) * | 2015-07-13 | 2017-04-27 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Integration of air-sensitive two-dimensional materials on arbitrary substrates for the manufacturing of electronic devices |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3627543A4 (en) | 2021-06-23 |
WO2018209751A1 (zh) | 2018-11-22 |
EP3627543A1 (en) | 2020-03-25 |
JP6857750B2 (ja) | 2021-04-14 |
CN107146773B (zh) | 2019-11-26 |
KR102190783B1 (ko) | 2020-12-15 |
KR20200007937A (ko) | 2020-01-22 |
EP3627543B1 (en) | 2022-08-24 |
CN107146773A (zh) | 2017-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103646855B (zh) | 石墨烯器件的制作方法 | |
US20160370621A1 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof and liquid crystal display | |
WO2018006441A1 (zh) | 薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法 | |
WO2016176881A1 (zh) | 双栅极tft基板的制作方法及其结构 | |
WO2013013599A1 (zh) | 阵列基板及其制作方法、液晶面板、显示装置 | |
JP2012514328A (ja) | 金属酸化物半導体薄膜トランジスタにおける安定性の向上 | |
US9754970B2 (en) | Thin film transistor, fabricating method thereof, array substrate and display device | |
JP2019537282A (ja) | アレイ基板とその製造方法及び表示装置 | |
WO2016115824A1 (zh) | 薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法 | |
CN105633170A (zh) | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法以及阵列基板和显示装置 | |
JP6857750B2 (ja) | Tft基板の製造方法 | |
WO2017092172A1 (zh) | Tft基板的制作方法 | |
WO2016101400A1 (zh) | 低温多晶硅tft基板的制作方法及其结构 | |
WO2014127575A1 (zh) | 阵列基板的制备方法 | |
CN106024639A (zh) | 基于金属诱导结晶工艺的ltps tft的制作方法 | |
WO2015143745A1 (zh) | 一种阵列基板的制造方法 | |
CN105097548A (zh) | 氧化物薄膜晶体管、阵列基板及各自制备方法、显示装置 | |
CN103745954B (zh) | 显示装置、阵列基板及其制造方法 | |
US9484468B2 (en) | Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, and display apparatus | |
WO2016011755A1 (zh) | 薄膜晶体管及其制备方法、显示基板和显示设备 | |
JP2010205765A (ja) | 自己整合半導体トランジスタの製造方法 | |
US20160300869A1 (en) | Array Substrate, Method of Manufacturing Array Substrate and Display Device | |
WO2019095408A1 (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示面板 | |
JP2008098642A5 (ja) | ||
JP6560760B2 (ja) | 共平面型酸化物半導体tft基板構造及びその製作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210316 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210322 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6857750 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |