JP2020514509A5 - - Google Patents

Description

本願は特許請求の範囲に記載の発明に係るものであるが、本願の開示は以下も包含する：
１．
マスキングフィルムを形成するためのマスキング用組成物であって、
ａ．構造（Ｉ）を有する単位を含むポリマー：

［式中、
Ｘは、−ＳＯ _２ −、−Ｃ（＝Ｏ）−及び−Ｏ−からなる群から選択され；
Ａは、直接結合であるか、またはＡは、構造（ＩＩ）からなる群から選択され：

Ｒ _１ 、Ｒ _２ 、Ｒ _３ 、Ｒ _４ 及びＲ _５ は、それぞれ独立して、Ｈ、ハロ、（Ｃ _１〜３ ）アルキル、（Ｃ _１〜３ ）フッ素化アルキル、ヒドロキシ、（Ｃ _１〜３ ）アルコキシ、及び（Ｃ _１〜３ ）アルキルカルボニルからなる群から選択され；及び
ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、それぞれ独立して、０、１、２、３及び４からなる群から選択される］、及び
ｂ．有機溶剤
を含み、前記ポリマーが５００００未満の平均分子量を有する、前記マスキング用組成物。
２．
前記ポリマーが、１００００と５００００との間の平均分子量を有する、上記１に記載の組成物。
３．
前記ポリマーが、２００００と４００００との間の平均分子量を有する、上記２に記載の組成物。
４．
前記ポリマーが、２８０００と３５０００との間の平均分子量を有する、上記３に記載の組成物。
５．
前記ポリマーが、複数種のポリマーの混合物を含む、上記１〜４のいずれか一つに記載の組成物。
６．
該複数種のポリマーの混合物が、４００００超の平均分子量を有する第一のポリマーと、４００００未満の平均分子量を有する第二のポリマーを含む、上記５に記載の組成物。
７．
該複数種のポリマーの混合物が、３００００超の平均分子量を有する第一のポリマーと、３００００未満の平均分子量を有する第二のポリマーを含む、上記５に記載の組成物。
８．
該複数種のポリマーの混合物が、２００００超の平均分子量を有する第一のポリマーと、２００００未満の平均分子量を有する第二のポリマーを含む、上記５に記載の組成物。
９．
前記第二のポリマーが、構造（Ｉ）を有する単位を含む、上記６〜８のいずれか一つに記載の組成物。
１０．
前記第一のポリマー及び前記第二のポリマーが、構造（Ｉ）を有する単位を含む、上記６〜８のいずれか一つに記載の組成物。
１１．
Ｘが−ＳＯ _２ −である、上記１〜１０のいずれか一つに記載の組成物。
１２．
各々のＲ _１ が、独立して、Ｈ、Ｆ及び（Ｃ _１〜３ ）アルキルからなる群から選択される、上記１〜１１のいずれか一つに記載の組成物。
１３．
各々のＲ _２ が、独立して、Ｈ、Ｆ及び（Ｃ _１〜３ ）アルキルからなる群から選択される、上記１〜１２のいずれか一つに記載の組成物。
１４．
各々のＲ _３ が、独立して、Ｈ、Ｆ、（Ｃ _１〜３ ）アルキル及び（Ｃ _１〜３ ）フッ素化アルキルからなる群から選択される、上記１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
１５．
各々のＲ _４ が、独立して、Ｈ、Ｆ及び（Ｃ _１〜３ ）アルキルからなる群から選択される、上記１〜１４のいずれか一つに記載の組成物。
１６．
各々のＲ _５ が、独立して、Ｈ、Ｆ及び（Ｃ _１〜３ ）アルキルからなる群から選択される、上記１〜１５のいずれか一つに記載の組成物。
１７．
前記ポリマーが構造（ＩＩＩ）を有する、上記１〜１６のいずれか一つに記載の組成物。

１８．
前記ポリマーが構造（ＩＶ）を有する、上記１〜１６のいずれか一つに記載の組成物。

１９．
前記ポリマーが構造（Ｖ）を有する、上記１〜１０のいずれか一つに記載の組成物。

２０．
前記ポリマーが構造（ＶＩ）を有する、上記１〜１０のいずれか一つに記載の組成物。

２１．
前記有機溶剤が、アニソール、シクロヘキサノン、ガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジ−（Ｃ _１〜６ ）アルキルケトン、（Ｃ _１〜６ ）アルキルアセテート及びこれらの混合物からなる群から選択される、上記１〜２０のいずれか一つに記載の組成物。
２２．
前記ポリマーが、０．１重量％と２０重量％との間の量で該組成物中に存在する、上記１〜２１のいずれか一つに記載の組成物。
２３．
前記ポリマーが、３重量％と１５重量％との間の量で該組成物中に存在する、上記２２に記載の組成物。
２４．
電子デバイスを製造する方法であって、
ａ．マスキング用組成物を基材の縁に施与するステップ、ここで前記マスキング用組成物は：
構造（Ｉ）を有する単位を含むポリマー：

［式中、
Ｘは、−ＳＯ _２ −、−Ｃ（＝Ｏ）−及び−Ｏ−からなる群から選択され；
Ａは直接結合であるか、またはＡは次の構造（ＩＩ）を有し：

Ｒ _１ 、Ｒ _２ 、Ｒ _３ 、Ｒ _４ 及びＲ _５ は、それぞれ独立して、Ｈ、ハロ、（Ｃ _１〜３ ）アルキル、（Ｃ _１〜３ ）フッ素化アルキル、ヒドロキシ、（Ｃ _１〜３ ）アルコキシ、及び（Ｃ _１〜３ ）アルキルカルボニルからなる群から選択され；及び
ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、それぞれ独立して、０、１、２、３及び４からなる群から選択される］、及び
有機溶剤、
を含み、及び
ｂ．上記マスキング用組成物を１５０℃と３５０℃との間の温度で、６０秒間〜１２０秒間の時間加熱して、マスキングフィルムを形成するステップ、
を含む、前記方法。
２５．
前記組成物が、スピンオンコーティングプロセスによって基材上に施与される、上記２４に記載の方法。
２６．
電子デバイスを製造する方法であって、
ａ．マスキング用組成物を基材の縁に施与するステップ、ここで前記マスキング用組成物は：
構造（Ｉ）を有する単位を含むポリマー：

［式中、
Ｘは、−ＳＯ _２ −、−Ｃ（＝Ｏ）−及び−Ｏ−からなる群から選択され；
Ａは直接結合であるか、またはＡは次の構造（ＩＩ）を有し：

Ｒ _１ 、Ｒ _２ 、Ｒ _３ 、Ｒ _４ 及びＲ _５ は、それぞれ独立して、Ｈ、ハロ、（Ｃ _１〜３ ）アルキル、（Ｃ _１〜３ ）フッ素化アルキル、ヒドロキシ、（Ｃ _１〜３ ）アルコキシ、及び（Ｃ _１〜３ ）アルキルカルボニルからなる群から選択され；及び
ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、それぞれ独立して、０、１、２、３及び４からなる群から選択される］、及び
有機溶剤、
を含み、
ｂ．上記マスキング用組成物を加熱してマスキングフィルムを形成するステップ；
ｃ．ハードマスク用組成物を、前記基材及びマスキングフフィルム上に施与するステップ；
ｄ．前記ハードマスク用組成物をエッジビードリムーバを用いてすすいで、少なくとも、マスキングフィルムと接触している部分のハードマスク用組成物を除去するステップ；
ｅ．上記ハードマスク用組成物を加熱してハードマスクを形成するステップ；及び
ｆ．上記マスキングフィルムを除去するステップ、
を含む、前記方法。
２７．
前記マスキング用組成物が、スピンオンコーティングプロセスによって基材上に施与される、上記２６に記載の方法。
２８．
マスキングフィルムを加熱する前記ステップが、マスキングフィルムを１５０℃と３５０℃の間の温度で、６０秒間と１２０秒間の間の時間、加熱することを含む、上記２６及び２７のいずれか一つに記載の方法。
２９．
前記ハードマスク用組成物が、金属ハードマスク用組成物を含む、上記２６〜２８のいずれか一つに記載の方法。
３０．
前記ハードマスク用組成物が、金属酸化物フォトレジスト組成物を含む、上記２６〜２９のいずれか一つに記載の方法。
３１．
基材上にハードマスク用組成物を施与する前記ステップが、前記ハードマスク用組成物を基材上にスピンコートすることを含む、上記２６〜３０のいずれか一つに記載の方法。
３２．
基材上へのハードマスク用組成物の前記スピンコートが、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ、乳酸エチル、メトキシエタノール、エトキシプロパノール、エトキシエタノール、１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール及びこれらの混合物からなる群から選択されるキャスティング溶剤を用いて行われる、上記３１に記載の方法。
３３．
前記エッジビードリムーバが、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ、乳酸エチル、メトキシエタノール、エトキシプロパノール、エトキシエタノール、１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール及びこれらの混合物からなる群から選択される溶剤を含む、上記２６〜３２のいずれか一つに記載の方法。
３４．
ハードマスクを加熱する前記ステップが、ハードマスクを１５０℃と４５０℃との間の温度で、６０秒間と１８０秒間との間の時間、加熱することを含む、上記２６〜３３のいずれか一つに記載の方法。
３５．
マスキングフィルムを除去する前記ステップが、ウェットエッチングによってマスキングフィルムを除去することを含む、上記２６〜３４のいずれか一つに記載の方法。
３６．
ウェットエッチングが、アニソール、シクロヘキサノン、ガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジ−（Ｃ _１〜６ ）アルキルケトン、（Ｃ _１〜６ ）アルキルアセテート、芳香族炭化水素及びこれらの混合物からなる群から選択される溶剤を用いて行われる、上記３５に記載の方法。

Claims (21)

1. マスキングフィルムを形成するためのマスキング用組成物であって、
   ａ．構造（Ｉ）を有する単位を含む第一のポリマー：
   

   

   ［式中、
   Ｘは、−ＳＯ_２−、−Ｃ（＝Ｏ）−及び−Ｏ−からなる群から選択され；
   Ａは、直接結合であるか、またはＡは、構造（ＩＩ）からなる群から選択され：
   

   

   Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４及びＲ_５は、それぞれ独立して、Ｈ、ハロ、（Ｃ_１〜３）アルキル、（Ｃ_１〜３）フッ素化アルキル、ヒドロキシ、（Ｃ_１〜３）アルコキシ、及び（Ｃ_１〜３）アルキルカルボニルからなる群から選択され；
   ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、それぞれ独立して、４である］
   但し、前記第一のポリマーは、３５０００超で、５００００未満の平均分子量を有する；
   ｂ．構造（Ｉ）を有する単位を含む第二のポリマー：
   

   

   ［式中、
   Ｘは、−ＳＯ _２ −、−Ｃ（＝Ｏ）−及び−Ｏ−からなる群から選択され；
   Ａは、直接結合であるか、またはＡは、構造（ＩＩ）からなる群から選択され：
   

   

   Ｒ _１ 、Ｒ _２ 、Ｒ _３ 、Ｒ _４ 及びＲ _５ は、それぞれ独立して、Ｈ、ハロ、（Ｃ _１〜３ ）アルキル、（Ｃ _１〜３ ）フッ素化アルキル、ヒドロキシ、（Ｃ _１〜３ ）アルコキシ、及び（Ｃ _１〜３ ）アルキルカルボニルからなる群から選択され；
   ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、それぞれ独立して、４である］
   但し、前記第二のポリマーは、３５０００未満の平均分子量を有する；
   ｃ．有機溶剤、
   を含み、前記第一のポリマーと前記第二のポリマーの合計した量は、該マスキング用組成物の０．１重量％と２０重量％との間である、
   前記マスキング用組成物。
2. 前記第一のポリマーと前記第二のポリマーとが同じ構造を有する、請求項１に記載のマスキング用組成物。
3. 前記第二のポリマーが、９５００と１５０００との間の平均分子量を有する、請求項１に記載のマスキング用組成物。
4. 前記第一のポリマーが、前記第二のポリマーの平均分子量よりも３．５倍〜５倍大きい平均分子量を有する、請求項１に記載のマスキング用組成物。
5. 前記第一のポリマーと前記第二のポリマーとが異なる構造を有する、請求項１に記載のマスキング用組成物。
6. 前記第二のポリマーが、１５０００未満の平均分子量を有する、請求項１に記載のマスキング用組成物。
7. 前記第二のポリマーが、３００００未満の平均分子量を有する、請求項１に記載のマスキング用組成物。
8. 前記第二のポリマーが、２００００未満の平均分子量を有する、請求項１に記載のマスキング用組成物。
9. Ｘが−ＳＯ_２−である、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
10. 各々のＲ_１ 、各々のＲ _２ 、各々のＲ _４ 及び各々のＲ _５ が、独立して、Ｈ、Ｆ及び（Ｃ_１〜３）アルキルからなる群から選択される、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
11. 各々のＲ_３が、独立して、Ｈ、Ｆ、（Ｃ_１〜３）アルキル及び（Ｃ_１〜３）フッ素化アルキルからなる群から選択される、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
12. 前記第一のポリマー及び前記第二のポリマーのうちの一方または両方が構造（ＩＩＩ）を有する、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
    

    
13. 前記第一のポリマー及び前記第二のポリマーのうちの一方または両方が構造（ＩＶ）を有する、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
    

    
14. 前記第一のポリマー及び前記第二のポリマーのうちの一方または両方が構造（Ｖ）を有する、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
    

    
15. 前記第一のポリマー及び前記第二のポリマーのうちの一方または両方が構造（ＶＩ）を有する、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
    

    
16. 前記有機溶剤が、アニソール、シクロヘキサノン、ガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジ−（Ｃ_１〜６）アルキルケトン、（Ｃ_１〜６）アルキルアセテート及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
17. 前記第一のポリマーと前記第二のポリマーとの合計した量が、該マスキング用組成物の３重量％と２０重量％との間である、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
18. 前記第一のポリマーと前記第二のポリマーとの合計した量が、該マスキング用組成物の１０重量％と１５重量％との間である、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
19. 電子デバイスを製造する方法であって、
    ａ．請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物を基材の縁に施与するステップ、及び
    ｂ．上記マスキング用組成物を１５０℃と３５０℃との間の温度で、６０秒間〜１２０秒間の時間加熱して、マスキングフィルムを形成するステップ、
    を含む、前記方法。
20. ｃ．ハードマスク用組成物を、前記基材及びマスキングフィルム上に施与するステップ；
    ｄ．前記ハードマスク用組成物をエッジビードリムーバを用いてすすいで、少なくとも、マスキングフィルムと接触している部分のハードマスク用組成物を除去するステップ；
    ｅ．上記ハードマスク用組成物を加熱してハードマスクを形成するステップ；及び
    ｆ．上記マスキングフィルムを除去するステップ、
    を更に含む、請求項１９に記載の方法。
21. マスキングフィルムを形成するためのマスキング用組成物であって、
    ａ．３５０００超で、５００００未満の平均分子量を有する、次式（ＩＶ）を有する単位を含む第一のポリマー、
    

    

    ｂ．９５００と１５０００との間の平均分子量を有する、次式（ＩＶ）を有する単位を含む第二のポリマー、
    

    

    ｃ．アニソールを含む有機溶剤を含み、
    前記第一のポリマーと前記第二のポリマーとの合計した量が、該マスキング用組成物の０．１重量％と２０重量％との間である、
    前記マスキング用組成物。