JP2020510354A - 寄生波を減衰するための層を含むｓａｗ共振器 - Google Patents
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Abstract
本発明は、少なくとも：基板（１０２）と；前記基板上に配された圧電材料の層（１０８）と；前記基板と圧電材料の前記層との間に配された第１の減衰層（１１２）、及び／又は、前記基板が少なくとも２つの異なる層（１０４、１０６）を含むとき、前記基板の前記２つの層の間に配された第２の減衰層（１１４）と；を含み、前記少なくとも１つの減衰層が不均質である、ＳＡＷ共振器（１００）に関する。
Description
本発明は、特にＳＡＷフィルターを製造するために用いられる、ＳＡＷ共振器（「表面音響波」）の分野に関する。
ＬＴＯ（タンタル酸リチウム）の固体層からＳＡＷフィルターを製造することが知られている。このようなフィルターは、その上に電極のセットが配される、圧電材料であるＬＴＯの固体基板上で作製される。しかしながら、このタイプのフィルターは、ＬＴＯの熱膨張の高い係数（シリコンのそれの８倍大きい）に特に起因する周波数におけるかなりの熱ドリフト等の特定の不利な点を有する。
この問題に対する解決法は、ＬＴＯの固体基板からではなく、しかしシリコンの基板上にＬＴＯの薄層を追加することによって、直接又は基板と薄い圧電層との間に介在するＳｉＯ２の中間層を介して、ＳＡＷフィルターを製造することである。この追加はＬＴＯを機械的に拘束するので、その高い熱膨張を制限し、それゆえ、フィルターの周波数における熱ドリフトを減少させる。この代替物は、ＳＡＷフィルターのために用いられる周波数バンドの増加に起因した益々厳しい要件を満足する可能性を提供する。これは、製造される構成要素の温度ドリフトにおける減少を可能にし、より低い温度ドリフトを元来有するＢＡＷ（「バルク音響波」）技術を現在利用するデバイスへＳＡＷフィルターの適用を拡張することを可能にする。温度ドリフトを減少させるための他の技術と比較して、例えばシリコンで作製される基板上へ追加される圧電材料の薄層の使用は、追加の温度補償層を必要しないという優位点を有するので、品質係数又は電磁結合係数におけるいかなる劣化を引き起こさない。
シリコンの基板上の圧電材料の層のこのような追加によって提供される優位点にも関わらず、これらのフィルターは、特に、圧電材料としての結晶断面Ｙ＋４２°においてＬＴＯを用いるものによっていまだに改善され得る。実際、この材料は、熱膨張のその係数と、それが獲得する電磁結合との間で非常に良い妥協を有するという優位点を有する。しかしながら、ＬＴＯの特定の結晶配向における励起された音響波（例えば携帯電話通信において非常に用いられる層Ｙ＋４２°）は、体積波の形態において基板の深さ内へ放射される音響エネルギーの一部によって、基板の表面に沿った波の不完全な誘導をもたらす擬似表面波である。シリコン上へ追加されたＬＴＯの薄層の場合では、これらの体積波は、様々な界面で反射され、追加された層において導かれたモードの励起を引き起こし、且つ共振器の電気的応答上で見える寄生を形成する。
この問題は、圧電材料の結晶配向が擬似表面波の励起を促進するとき、ＬＴＯ以外の圧電材料に関しても見出される。
図１は、結合層として用いられるＳｉＯ２のフィルムを有するシリコンの基板上に追加されたＬｉＴａＯ３の層上に作製されたＳＡＷ共振器の、周波数に従ったアドミタンスＹを示す。この図１では、参照１０は、共振器の共振周波数で得られる共振ピークを指定し、参照１２は、寄生周波数を指定する。
その周波数応答がこれらの寄生共振を含まないフィルターを得ることが所望されているであろう。
本発明の目的は、共振器の周波数応答に存在する寄生音響波を抑制する、又は少なくとも制限する若しくは減少させるための解決法を提案することである。
これのために、本発明は：
−１つの基板と；
−前記基板上に配された圧電材料の１つの層と；
−前記基板と圧電材料の前記層との間に配された１つの第１の減衰層、及び／又は、前記基板が少なくとも２つの別々の層を含むとき、前記基板の前記２つの層の間に配された１つの第２の減衰層と；を少なくとも含み、
前記減衰層又は複数の減衰層が不均質である、ＳＡＷ共振器を提案する。
−１つの基板と；
−前記基板上に配された圧電材料の１つの層と；
−前記基板と圧電材料の前記層との間に配された１つの第１の減衰層、及び／又は、前記基板が少なくとも２つの別々の層を含むとき、前記基板の前記２つの層の間に配された１つの第２の減衰層と；を少なくとも含み、
前記減衰層又は複数の減衰層が不均質である、ＳＡＷ共振器を提案する。
このような共振器では、圧電材料の層と基板との間の界面、及び／又は、異なる材料の少なくとも２つの層を基板が含むとき、基板の層間の界面は、圧電材料において生成される表面波と基板における導波モードとの間のカップリングのすべて又は一部を減衰させることが可能な少なくとも１つの減衰層によって置き換えられて、圧電材料の層におけるこれらの導波モードをもはや励起しない。減衰層は、例えば、寄生音響波の少なくとも一部を拡散する又は吸収する層に対応する。寄生波は、圧電材料の層と基板との間に、及び／又は基板の２つの層の間に存在する減衰層又は複数の減衰層によって、このように抑制される又は少なくとも減衰させられる。
この共振器では、基板がＮ個の積み重ねられた層、ここでＮ≧２、を含むとき、基板の２つの連続した層の間に各々１つが配されるＮ−１個の減衰層を有することが可能である。加えて、基板の２つの連続した層の間に配されたいくつかの重ねられた減衰層を有することが可能である。
有利には、減衰（ａｔｔｅｎｔｉｏｎ）層又は複数の減衰（ａｔｔｅｎｔｉｏｎ）層の不均質は、減衰（ａｔｔｅｎｔｉｏｎ）層又は複数の減衰（ａｔｔｅｎｔｉｏｎ）層の組成が不均質であるようであり得る。不均質組成の層は、その組成が、その体積全体を通して、化学的に及び／又は物理的に均質、又は一定、でない材料の層を指定する。言い換えると、不均質組成の層は、内部で化学的及び／又は物理的格差を有する材料の層に対応する。減衰（ａｔｔｅｎｔｉｏｎ）層又は複数の減衰（ａｔｔｅｎｔｉｏｎ）層の組成のこの不均質は、共振器の共振周波数よりも高い周波数を有する寄生波が少なくとも減衰され、共振器の層の積み重ね内で減衰（ａｔｔｅｎｔｉｏｎ）層又は複数の減衰（ａｔｔｅｎｔｉｏｎ）層の存在のおかげで抑制さえされるようであり得る。
代わりに、不均質減衰層は、構造化、又は粗さを含むその面の内の少なくとも１つの少なくとも一部を有する層に対応し得る。言い換えると、不均質層は、粗さ又は構造化タイプの物理的変動を、これらの面の内の少なくとも１つの少なくとも一部上で、有する材料の層に対応し得る。減衰（ａｔｔｅｎｔｉｏｎ）層又は複数の減衰（ａｔｔｅｎｔｉｏｎ）層の内の１つ又はいくつかの面のこの不均質は、共振器の共振周波数よりも高い周波数を有する寄生波が少なくとも減衰され、共振器の層の積み重ね内で減衰（ａｔｔｅｎｔｉｏｎ）層又は複数の減衰（ａｔｔｅｎｔｉｏｎ）層の存在のおかげで抑制さえされるようであり得る。
他の１つの代替によると、１つ又は複数の減衰層の不均質性質は、これ又はこれらの減衰層内の不均質組成及び１つの又は複数の不均質面（つまり、構造化又は粗さを含む）の両方に起因し得る。
各減衰層は、単一層に又はいくつかの層の積み重ねに対応し得る。
有利には、圧電材料は、ＬＴＯ（ＬｉＴａＯ３）及び／又はＬＮＯ（ＬｉＮｂＯ３）及び／又は石英（結晶化したＳｉＯ２）及び／又はランガテイト（ＬＧＴ、Ｌａ３Ｇａ５．５Ｔａ０．５Ｏ１４）又はランガサイト（ＬＧＳ、Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４）又はランガナイト（ＬＧＮ、Ｌａ３Ｇａ５．５Ｎｂ０．５Ｏ１４）を含み得る。
さらに、基板は、例えばシリコンを含み得る。基板が少なくとも２つの別々の層を含むとき、これらの層の内の１つは、シリコン及び他のＳｉＯ２を含み得る。代わりに、基板は、ＧａＮ、ＳｉＣ、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）を含み得る、又は例えばＳＯＩタイプ等の絶縁体タイプ上のシリコンの基板に対応し得る。
第１の減衰層及び／又は第２の減衰層は、多孔及び／又は空洞及び／又はドープされた領域及び／又は、少なくとも部分的に粗い又は構造化された少なくとも１つの面を含み得る。第１の減衰層の及び／又は第２の減衰層の組成は、それが多孔及び／又は空洞及び／又はドープされた領域を含むとき、不均質である。少なくとも部分的に構造化された面又は複数の面は、減衰（ａｔｔｅｎｔｉｏｎ）層又は複数の減衰（ａｔｔｅｎｔｉｏｎ）層の主面の内の１つ又はいくつかに対応し得、圧電材料の層と及び／又は基板と接触している。
第１の減衰層及び／又は第２の減衰層が、ドープされた領域を含むとき、上記領域は、第１の減衰層の及び／又は第２の減衰層の残りとは異なってドープされ得る。
第１の及び第２の減衰層の内の１つ又はそれらの内の各々１つは、少なくとも２つの異なる材料を含み得る。
第１の減衰層及び／又は第２の減衰層が多孔及び／又は空洞を含むとき、第１の減衰層の及び／又は第２の減衰層の多孔及び／又は空洞が各々、実質的に球又は円筒形状を有し得る。しかしながら、完全に他の形態の空洞及び／又は多孔が、可能であり、且つ、第１の及び／又は第２の減衰層において製造され得る。
ＳＡＷ共振器は、以下の用であり得る：
−第１の減衰層が、基板とは及び圧電材料の層とは別々である、又は、基板の及び／又は圧電材料の層の一部に対応し、及び／又は
−第２の減衰層が、基板の２つの層とは別々である、又は、基板の２つの層の内の少なくとも１つの一部に対応する。
−第１の減衰層が、基板とは及び圧電材料の層とは別々である、又は、基板の及び／又は圧電材料の層の一部に対応し、及び／又は
−第２の減衰層が、基板の２つの層とは別々である、又は、基板の２つの層の内の少なくとも１つの一部に対応する。
第１の減衰層及び／又は第２の減衰層が、ＳｉＯＣ及び／又はＳｉＯＣＨ及び／又は多孔質シリコン及び／又は多孔質有機材料及び／又はポリシリコンを含み得る。
共振器は、圧電材料の層上に配された電極をさらに含み得る。
ＳＡＷ共振器は、ＳＡＷフィルターを合成するために用いられ得る。
他の用途もまた、例えばセンサー又は少なくとも１つのクロック信号を出力する回路において用いられるＳＡＷ共振器に関して可能である。
本発明はまた、少なくとも以下のステップ：
−基板上の第１の減衰層の、及び／又は、基板が少なくとも２つの別々の層を含むとき、基板の２つの層の間の第２の減衰層の、製造と；
−基板上の、又は、第１の減衰層が基板上に存在するとき、第１の減衰層上の、圧電材料の層の製造と；の実施を含み、
減衰層又は複数の減衰層が不均質である、ＳＡＷ共振器を製造するための方法に関する。
−基板上の第１の減衰層の、及び／又は、基板が少なくとも２つの別々の層を含むとき、基板の２つの層の間の第２の減衰層の、製造と；
−基板上の、又は、第１の減衰層が基板上に存在するとき、第１の減衰層上の、圧電材料の層の製造と；の実施を含み、
減衰層又は複数の減衰層が不均質である、ＳＡＷ共振器を製造するための方法に関する。
第１の減衰層の及び／又は第２の減衰層の製造が、第１の減衰層及び／又は第２の減衰層を形成する、少なくとも１つの多孔質材料の堆積の実施及び／又はフォトリソグラフィー及びエッチングのステップの実施による空洞の製造、及び／又は第１の減衰層の及び／又は第２の減衰層の領域のドーピング、及び／又は粗い表面上に材料の堆積の実施、及び／又は、第１の減衰層の及び／又は第２の減衰層の少なくとも１つの面上の粗さを形成する処理の実施、を含み得る。
本発明は、例示として純粋に与え、添付の図面を参照して決して限定的でない、実施形態の記載を読むときにより良く理解されることになる。
以後記載される様々な図面の同一、同様又は同等の部分は、１つの図面から他への受け渡しを容易にするために同じ参照番号を担う。
図面に示される様々な部分は、図面をより読みやすくするために、必ずしも均一のスケールで示されない。
様々な可能性（代替及び実施形態）は、互いに排他的でないと理解されなくてはならず、一緒に組み合わされることができる。
図２は、特定の実施形態によるＳＡＷ共振器１００を示す。
共振器１００は、基板１０２から製造される。基板１０２は、材料の１つ又はいくつかの層を含む。図２に示される例では、基板１０２は、固体材料、例えばシリコンの第１の層１０４、及び、例えばＳｉＯ２を含む第２の層１０６を含む。
共振器１００はまた、基板１０２上に、ここでは第２の層１０６上に配された圧電材料の層１０８を含む。この特定の実施形態では、圧電材料はＬＴＯに対応する。代わりに、圧電材料は、ＬＴＯ及び／又はＬＮＯ（ＬｉＮｂＯ３）及び／又は石英（結晶化したＳｉＯ２）及び／又はランガテイト（ＬＧＴ、Ｌａ３Ｇａ５．５Ｔａ０．５Ｏ１４）及び／又はランガサイト（ＬＧＳ、Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４）及び／又はランガナイト（ＬＧＮ、Ｌａ３Ｇａ５．５Ｎｂ０．５Ｏ１４）を含み得る。
共振器１００はまた、圧電材料の層１０８上に配された、共振器１００の入力及び出力電極に対応する、電極１１０を含む。電極１１０は、１つ又はいくつかの電気伝導性材料、例えば金属材料を含む。
共振器１００はまた、基板１０２と圧電材料の層１０８との間、つまりここでは第２の層１０６と圧電材料の層１０８との間に配された第１の減衰層１１２を含む。
共振器１００はまた、基板１０２の２つの層１０４、１０６の間に配された第２の減衰層１１４を含む。
ここで記載される特定の実施形態では、固体層１０４は、例えば数百マイクロメートルに等しい厚さを有し、例えばマイクロエレクトロニクスにおいて用いられるシリコンの基板の標準厚さに対応し、第２の層１０６は例えば約０（第２の層１０６がない）と１０μｍとの間の厚さを有し、圧電材料の層が１０８が例えば約５μｍと５０μｍとの間の厚さを有し、電極１１０各々が例えば約数十ナノメートルと数百ナノメートルとの間の厚さを有し、第１の減衰層１１２が例えば約１００ｎｍと１０μｍとの間の厚さを有し、第２の減衰層１１４が例えば約１００ｎｍと１０μｍとの間の厚さを有する。
減衰層１１２、１１４各々が例えば不均質組成を有する。そのため、減衰層１１２、１１４の内の各々１つが、内部で、物理的及び／又は化学的格差を含む。
第１の実施形態によると、減衰層１１２、１１４の組成のこの不均質は、これらの層１１２、１１４の残りとは異なってドープされる領域又はゾーンを、減衰層１１２、１１４の内の各々１つの中で、形成することによって得られる。
第２の実施形態によると、減衰層１１２、１１４の組成のこの不均質は、ＳｉＯＣ及び／又はＳｉＯＣＨ及び／又は多孔質シリコン及び／又は多孔質有機材料及び／又はポリシリコン等の、１つ又はいくつかの多孔質材料によってこれらの層を製造することによって得られる。有利な実施形態によると、減衰層１１２、１１４の内の少なくとも１つは、高度に粘弾性の材料に対応するポリマー、例えば樹脂の層によって形成され、その中で、空洞１１８のマトリックスを形成することによって層における局所的な且つ規則的に分布した穴が製造される。
図３Ａは、この図において参照１１６を有する細孔を有する、多孔質材料によって製造された減衰層１１２、１１４を図式的に示す。
第３の実施形態によると、減衰層１１２、１１４の組成のこの不均質は、これらの層内で空洞１１８を製造することによって得られる。これらの空洞１１８は、層１１２、１１４の厚さの少なくとも一部を通して形成され得る。図３Ｂは、このような空洞１１８を含む減衰層１１２、１１４を図式的に示す。これらの空洞１１８は例えば層１１２、１１４のフォトリソグラフィーの及びエッチングのステップを実施することによって製造される。
第４の実施形態によると、代わりに又は減衰層１１２、１１４の不均質組成と組み合わされて、減衰層１１２、１１４の内の１つの又はいくつかの不均質もまた、減衰層１１２、１１４の内の１つの又はいくつかの粗い界面のおかげで得られ得る。
図３Ｃは、基板１０２と圧電材料の層１０８との間に配された減衰層１１２を図式的に示す。
減衰層１１２の不均質は、減衰層１１２の２つの主要面（減衰層１１２と圧電層１０８との間の界面でのもの、及び減衰層１１２と基板１０２との間の界面でのもの）が各々構造化１２０又は粗さを含むという事実によってこの場合では得られる。代わりに、減衰層１１２の２つの主要面の内のただ１つのみ（有利には圧電層１０８による界面を形成する１つ。なぜならこの面は、減衰されることになる寄生波に最も近いから。）が構造化１２０を含むことが可能である。図３Ｃでは、これらの構造化１２０は、基板１０２の上面上で最初に製造され、その後、これらの構造化上のこの層の堆積のおかげで減衰層１１２の２つの面上に位置する。
さらに、基板１０２の２つの層１０４、１０６の間に位置する減衰層１１４はまた、例えば構造化１２０と同様の構造化を含み得る。最後に、減衰層１１２、１１４の内の１つ又は各々１つに関して、これらの面の内の１つのみの又は各々１つの一部が構造化され得る。
共振器１００の他の層による減衰層１１２、１１４の固定は、直接結合、又は分子結合によって、又は所望のサポート（例えば層１０４又は層１０６）上のこれらの層の堆積によって直接的に、得られ得る。
不均質組成の減衰層１１２、１１４を得ることを可能にする、又は粗い界面を含むこれらの異なる実施形態は、互いに対して排他的ではない。そのため、減衰層１１２、１１４の１つ又は両方は、場合によっては１つ又はいくつかの粗い界面を有する、同じ減衰層内で組み合わされることが可能なこれらの様々な不均質によって、これらの層１１２、１１４及び／又は細孔１１６及び／又は空洞１１８の残りとは異なってドープされる領域の存在のおかげで得られる不均質組成を有し得る。
さらに、第１の減衰層１１２の不均質は、第２の減衰層１１４のものと同様の又はそれとは同じでない性質であり得る。例えば、第１の減衰層１１２を形成するために少なくとも１つの多孔質材料の使用のおかげで得られることになる第１の減衰層１１２の組成の不均質、及び第２の減衰層１１４内の空洞の製造のおかげで得られることになる第２の減衰層１１４の組成の不均質が可能である。
第１の減衰層１１２の及び／又は第２の減衰層１１４の細孔１１６及び／又は空洞１１８及び／又はドープされたゾーンが各々例えば実質的に球又は円筒形状（多角形又は円形断面を有する）を有する。さらに、細孔１１６及び／又は空洞１１８は、有利には空気によって又は他の１つの材料によって満たされる。
一般的に、細孔１１６の、空洞１１８の、及びドープされたゾーンのサイズ及び形状は、減衰される及び／又は吸収されることが意図された寄生音響波周波数又は複数の寄生音響波周波数に従って変動し得て、減衰層１１２、１１４によって寄生波のこの減衰及び／又はこの吸収を最大化する。減衰層１１２、１１４内で形成される細孔１１６及び／又は空洞１１８の、及び／又はドープされたゾーンの寸法は、例えば約１０ｎｍと１０μｍとの間であり、約１ＧＨｚ又は例えば０．１と１０ＧＨｚとの間の周波数の寄生音響波を減衰させることを可能にする。例えば、約５００ＭＨｚの寄生周波数の吸収を実行するために、円筒形状の且つ約２μｍに等しい直径の且つ約５μｍと１０μｍとの間の高さの空洞１１８が製造され得る。
一般的に、減衰層が構造化又は粗さを含むとき、これらの構造化又は粗さのパターンは、任意の形状及び例えばランダムであり得る。加えて、これらの構造化又は粗さの高さ、又は振幅（図３Ｃに示される軸Ｚに平行な寸法）は、例えば少なくとも５００ｎｍ、及び例えば約５００ｎｍと３μｍとの間、又は有利には約１μｍと２μｍとの間である。２つの構造化間のピッチ、つまりこれらの構造化の繰り返し周期は、例えば少なくとも約１００ｎｍと１０μｍとの間である。この周期性は、２つの隣接する構造化の２つの頂点を分ける距離ｄによって図３Ｃにおいて示される。
図４に示される曲線２０は、任意の減衰層を含まない参照ＳＡＷ共振器のアドミタンスＹに対応する。曲線２２は、その２つの粗い面を有する減衰層１１２が圧電材料の層１０８と基板１０２との間に挿入されるときに得られるアドミタンスＹに対応する。これらの曲線２０及び２２は、寄生波がこのような減衰層１１２の存在において減衰されることを示す。ここで記載される例では、減衰層１１２が効果的である周波数の範囲は０と１ＧＨｚとの間である。
さらに、減衰層１１２、１１４の効果は、細孔１１６及び／又は空洞１１８を満たす空気の又は流体（水、窒素等）の音響共振効果が得られるときに改善される。これに関して、細孔１１６及び／又は空洞１１８の寸法は、対象の周波数で流体における音響波長の約半分に等しいことがある。例えば約１ＧＨｚの共振に関して、空気によって満たされた細孔１１６は、約１００ｎｍと２００ｎｍとの間の直径を有し得る。
代わりに、基板１０２は、第１の層１０４に対応する材料の単一層を含み得る。この場合では、共振器１００は、圧電材料の層１０８と第１の層１０４との間に配された単一の減衰層１１２を含む。
他の１つの代替によると、基板１０２は、材料の２つより多い層を含み得る。この場合では、共振器１００は、不均質組成の２つより多い減衰層を含み得、減衰層の各々１つは、これらの減衰層の内の１つに関して、基板１０２の２つの層の間に、又は圧電材料の層１０８と基板１０２との間のいずれかに配されている。
各減衰層は、異なる材料及び／又は１つの層と他では異なる不均質組成を含むいくつかの異なる層の積み重ねに対応することも可能である。
上記で記載された特定の実施形態では、減衰層１１２、１１４の内の各々１つは、基板１０２の及び圧電材料の層１０８の別々の層に対応する。代わりに、減衰層１１２、１１４の内の少なくとも１つが、基板１０２の及び／又は圧電材料の層１０８の性質における局所的な修正を受けた、基板１０２の及び／又は圧電材料の層１０８の一部に対応することが可能である。
例えば、図５Ａの図形で示されるように、減衰層１１２は、フォトリソグラフィーの及びエッチングのステップを介して基板１０２の上面（圧電材料の層１０８の側面上に配されことが意図されたもの）を構造化したことによって形成される。基板１０２の構造化された上部は、その上に圧電材料の層１０８がその後例えば直接結合又は分子結合によって固定される減衰層１１２を形成する。図５Ｂの図形上では、減衰層１１２は、フォトリソグラフィー及びエッチングのステップを介して圧電材料の層１０８の下面（基板１０２の側面上に配されることが意図されたもの）を構造化したことによって形成される。圧電材料の層１０８の構造化された下部は、例えば直接結合又は分子結合によって基板１０２上に固定される減衰層１１２を形成する。
Claims (10)
- −１つの基板（１０２）と；
−前記基板（１０２）上に配された圧電材料の１つの層（１０８）と；
−前記基板（１０２）と圧電材料の前記層（１０８）との間に配された１つの第１の減衰層（１１２）、及び／又は、前記基板（１０２）が少なくとも２つの別々の層（１０４、１０６）を含むとき、前記基板（１０２）の前記２つの層（１０４、１０６）の間に配された１つの第２の減衰層（１１４）と；
を少なくとも含み、
前記減衰層又は複数の減衰層（１１２、１１４）が、寄生音響波の少なくとも一部を拡散する又は吸収することができ、且つ、前記減衰層又は複数の減衰層（１１２、１１４）を不均質にするドープされた領域を含む、表面音響波共振器、ＳＡＷ、（１００）。 - 前記圧電材料が、ＬＴＯ及び／又はＬＮＯ及び／又は石英及び／又はランガテイト及び／又はランガサイト及び／又はランガナイトを含む、請求項１に記載のＳＡＷ共振器（１００）。
- 前記領域が、前記第１の減衰層（１１２）の及び／又は前記第２の減衰層（１１４）の残りとは異なってドープされた、請求項１又は２に記載のＳＡＷ共振器（１００）。
- 前記第１の減衰層（１１２）及び／又は前記第２の減衰層（１１４）が、多孔（１１６）及び／又は空洞（１１８）及び／又は少なくとも部分的に粗い少なくとも１つの面を含む、請求項１から３の何れか一項に記載のＳＡＷ共振器（１００）。
- 前記第１の減衰層（１１２）及び／又は前記第２の減衰層（１１４）が多孔（１１６）及び／又は空洞（１１８）を含むとき、前記第１の減衰層（１１２）の及び／又は前記第２の減衰層（１１４）の前記多孔（１１６）及び／又は前記空洞（１１８）が各々、実質的に球又は円筒形状を有する、請求項４に記載のＳＡＷ共振器（１００）。
- −前記第１の減衰層（１１２）が、前記基板（１０２）とは及び圧電材料の前記層（１０８）とは別々である、又は、前記基板（１０２）の及び／又は圧電材料の前記層（１０８）の一部に対応し、及び／又は
−前記第２の減衰層（１１４）が、前記基板（１０２）の前記２つの層（１０４、１０６）とは別々である、又は、前記基板（１０２）の前記２つの層（１０４、１０６）の内の少なくとも１つの一部に対応する、請求項１から５の何れか一項に記載のＳＡＷ共振器（１００）。 - 前記第１の減衰層（１１２）及び／又は前記第２の減衰層（１１４）が、ＳｉＯＣ及び／又はＳｉＯＣＨ及び／又は多孔質シリコン及び／又は多孔質有機材料及び／又はポリシリコンを含む、請求項１から６の何れか一項に記載のＳＡＷ共振器（１００）。
- 圧電材料の前記層（１０８）上に配された電極（１１０）をさらに含む、請求項１から７の何れか一項に記載のＳＡＷ共振器（１００）。
- 少なくとも以下のステップ：
−基板（１０２）上の第１の減衰層（１１２）の、及び／又は、前記基板（１０２）が少なくとも２つの別々の層（１０４、１０６）を含むとき、前記基板（１０２）の前記２つの層（１０４、１０６）の間の第２の減衰層（１１４）の、製造と；
−前記基板（１０２）上の、又は、前記第１の減衰層（１１２）が前記基板（１０２）上に存在するとき、前記第１の減衰層（１１２）上の、圧電材料の層（１０８）の製造と；
の実施を含み、
前記第１の減衰層（１１２）の及び／又は前記第２の減衰層（１１４）の前記製造が、前記減衰層又は複数の減衰層（１１２、１１４）を不均質にする前記第１の減衰層（１１２）の及び／又は前記第２の減衰層（１１４）の領域のドーピングを含み、前記減衰層又は複数の減衰層（１１２、１１４）が、寄生音響波の少なくとも一部を拡散する又は吸収することが可能である、表面音響波共振器、ＳＡＷ、（１００）を製造するための方法。 - 前記第１の減衰層（１１２）の及び／又は前記第２の減衰層（１１４）の前記製造が、前記第１の減衰層（１１２）及び／又は前記第２の減衰層（１１４）を形成する、少なくとも１つの多孔質材料の堆積の実施及び／又はフォトリソグラフィー及びエッチングのステップの実施による空洞（１１８）の製造及び／又は粗い表面上に材料の堆積の実施、及び／又は、前記第１の減衰層（１１２）の及び／又は前記第２の減衰層（１１４）の少なくとも１つの面上の粗さを形成する処理の実施、を含む、請求項９に記載の方法。
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