CN111865258B - 一种声波谐振器的制作工艺及声波谐振器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种声波谐振器的制作工艺及声波谐振器，该声波谐振器包括衬底、声学镜以及由底电极层、压电层和顶电极层组成的谐振薄膜层，其中谐振薄膜层与声学镜在衬底的厚度方向重叠的区域为投影区域，在谐振薄膜层中具有无定形态部分，无定形态部分的一侧位于投影区域之内或与投影区域的边界重合，无定形态部分的另一侧位于投影区域之外。在优选的实施例中，声学镜包括空腔或布拉格反射层。无定形态部分可以极大地抑制因为顶电极层向外连接而导致的谐振器寄生振荡。在无定形态部分所在的区域可以直接对电极层进行布线，避免了底电极层、顶电极层与压电层在有效谐振区域外产生寄生和谐振干涉，降低了工艺成本和布线设计难度。
Description
技术领域
本申请涉及通信器件领域，主要涉及一种声波谐振器的制作工艺及声波谐振器。
背景技术
随着电磁频谱的日益拥挤、无线通讯设备的频段与功能增多，无线通讯使用的电磁频谱从500MHz到5GHz以上高速增长，也对性能高、成本低、功耗低、体积小的射频前端模块需求日益增长。滤波器是射频前端模块之一，可改善发射和接收信号，主要由多个谐振器通过拓扑网络结构连接而成。Fbar(Thin film bulk acoustic resonator)是一种体声波谐振器，由它组成的滤波器具有体积小、集成能力强、高频工作时保证高品质因素Q、功率承受能力强等优势而作为射频前端的核心器件。
Fbar是由上下电极和夹在电极之间的压电层组成的基本结构。压电层主要实现电能与机械能的转化。当Fbar的上下电极施加电场时，压电层将电能转换为机械能，机械能则以声波的形式存在。声波有横波和纵波两种振动模式，纵波是Fbar工作状态下的主要模式。为保证谐振器的正常工作以及机械稳定性，下电极需要横跨在空腔上部，当电极连接其它谐振器或引入信号源时需向外延足够的长度以保证电信号正常传输，此时有效谐振区域外的上电极或其引线部分和夹在中间的压电层与下电极之间产生寄生振荡，直接影响谐振器的频率响应，造成滤波器通带内的波形不稳等恶化器件性能，因此谐振器的结构设计成为一个难题。
在现有设计中，谐振器的有效谐振区域边缘设置了空气桥作为隔离上下电极的作用，来实现上电极对外的连接，避免寄生效应和谐振干涉问题。但是工艺复杂，需要保证压电层上的悬空部分的顶电极的机械稳定性。有些谐振器采用交错简单的电极结构避免上下电极之间的寄生干涉问题，但是交错简单的电极结构存在需要复杂的工艺手段、应力缺陷、压电层损伤以及设计缺陷等。
有鉴于此，设计出一种新型的声波谐振器是非常具有意义的。
发明内容
针对上述提到的现有谐振器的机械稳定性差，容易产生寄生振荡，影响谐振器的频率响应，导致滤波器通带内的波形不稳等恶化器件性能等问题。本申请提出了一种声波谐振器的制作工艺及声波谐振器来解决上述存在的问题。
在第一方面，本申请的实施例中提出了一种声波谐振器的制作工艺，谐振器包括衬底、声学镜以及由底电极层、压电层和顶电极层组成的谐振薄膜层，其中谐振薄膜层中的与声学镜在衬底的厚度方向重叠的区域被定义为投影区域，工艺具体包括：在谐振薄膜层中设置无定形态部分，无定形态部分的一侧位于投影区域之内或与投影区域的边界重合，无定形态部分的另一侧位于投影区域之外，处于无定形态部分的谐振薄膜层被处理成无定形态。无定形态部分可以极大地抑制因为顶电极层向外连接而导致的谐振器寄生振荡。在无定形态部分所在的区域可以直接对电极层进行布线，避免了底电极层、顶电极层与压电层在有效谐振区域外产生寄生和谐振干涉，降低了工艺成本和布线设计难度。
在一些实施例中，无定形态部分包括谐振薄膜层中在垂直于衬底表面的部分区域上依次层叠的底电极层、压电层和顶电极层。因此可以在器件所选择的部分区域实现谐振薄膜层的无定形态，实现部分区域的任意图形的谐振薄膜层的无定形态。
在一些实施例中，在制作底电极层之前包括以下步骤：涂覆光刻胶并对光刻胶进行图形化，光刻胶图形化后形成的第一开口位置为无定形态部分所对应的位置。通过对光刻胶进行图形化后可以选择无定形态部分的生长区域。
在一些实施例中，涂覆光刻胶并进行图形化之后包括以下步骤：对位于第一开口位置内的底层表面进行粗糙化处理，再去除光刻胶；以及依次制作底电极层、压电层和顶电极层。通过对第一开口位置内的底层表面进行粗糙化处理可以获得在第一开口位置上具有无定形态的底电极层、压电层和顶电极层。
在一些实施例中，粗糙化处理采用PVD工艺结合Ar plasma工艺。通过PVD工艺结合Ar plasma工艺可以对衬底表面轰击而达到粗糙化效果，可以调节功率、温度、氩气流量等参数使暴露的第一开口位置的表面粗糙化以实现后续粗糙面上的无定形态并粗糙的膜层。
在一些实施例中，粗糙化处理后底层表面的粗糙度为100A-2000A。在此粗糙度下处理后的表面上所生长的膜层为无定形态的。
在一些实施例中，无定形态部分为谐振薄膜层中压电层的其中一部分。具有无定形态的压电层在一定程度上削弱了横声波声速，形成声阻抗突变区域而反射横波。
在一些实施例中，在制作底电极层和压电层之后还包括以下步骤：在压电层上制作掩膜层并对掩膜层进行图形化，掩膜层图形化后形成的第二开口位置为无定形态部分投影于衬底上的区域；对第二开口位置下方的压电层进行退火处理，再去除掩膜层；以及制作顶电极层。通过此步骤可以使第二开口位置上的压电层或局部压电层变无定形态，且在掩膜层的保护下可以保证下层的膜层不被高温损伤。
在一些实施例中，退火处理采用快速热退火工艺。快速热退火工艺成熟、可控性强，通过调节退火温度和时间可以使压电层的局部位置形成无定形态。
在一些实施例中，掩膜层的材质为SiO2，厚度至少为1.5μm。厚度大于1.5μm的掩膜层熔点大于1600℃并且在1300℃下具有较好的稳定性，可以保护下层的膜层不被高温损伤。
在一些实施例中，声学镜包括空腔或布拉格反射层。
在一些实施例中，压电层的材质包括ZnO、PZT、碳酸锂或铌酸锂。对不同的压电层材料同样也可以采用此工艺进行处理，适用性强。
在第二方面，本申请的实施例中还提出了一种声波谐振器，包括衬底、声学镜以及由底电极层、压电层和顶电极层组成的谐振薄膜层，其中谐振薄膜层与声学镜在衬底的厚度方向重叠的区域为投影区域，在谐振薄膜层中具有无定形态部分，无定形态部分的一侧位于投影区域之内或与投影区域的边界重合，无定形态部分的另一侧位于投影区域之外。无定形态部分可以极大地抑制因为顶电极层向外连接而导致的谐振器寄生振荡。在无定形态部分所在的区域可以直接对电极层进行布线，避免了底电极层、顶电极层与压电层在有效谐振区域外产生寄生和谐振干涉，降低了工艺成本和布线设计难度。
在一些实施例中，无定形态部分包括谐振薄膜层中在垂直于衬底表面的部分区域上依次层叠的底电极层、压电层和顶电极层。因此可以在器件所选择的部分区域实现谐振薄膜层的无定形态，实现部分区域上任意图形的谐振薄膜层的无定形态。
在一些实施例中，无定形态部分所对应的衬底被处理为具有粗糙的表面。在具有粗糙的表面上可以生长出具有无定形态的膜层。
在一些实施例中，粗糙度为100A-2000A。在此粗糙度下处理后的表面上所生长的膜层为无定形态的。
在一些实施例中，无定形态部分为谐振薄膜层中压电层的其中一部分。具有无定形态的压电层在一定程度上削弱了横声波声速，形成声阻抗突变区域而反射横波。
在一些实施例中，无定形态部分被施加快速热退火工艺以具有无定形态特性。通过快速热退火工艺可以使压电层或局部压电层变无定形态。
在一些实施例中，声学镜包括空腔或布拉格反射层。
第三方面，本申请的实施例中还提出了一种滤波器，包括根据第二方面提到的声波谐振器。
本申请的实施例公开了一种声波谐振器的制作工艺及声波谐振器，采用一定的加工方法生长出无定形态的压电层和/或电极层，一方面无定形态的电极层的高密度的位错、晶界与点缺陷削弱了有效谐振区域外的顶电极层与底电极层之间的电场强度，另一方面有效谐振区域外的无定形态的压电层因几乎失去压电性而无法被有效谐振区域外的电极层激励机械波，最终抑制了谐振器寄生振荡，大大简化了顶电极层的布线，顶电极层可以直接从谐振器顶部引出，抑制寄生和谐振干涉。
附图说明
包括附图以提供对实施例的进一步理解并且附图被并入本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图图示了实施例并且与描述一起用于解释本发明的原理。将容易认识到其它实施例和实施例的很多预期优点，因为通过引用以下详细描述，它们变得被更好地理解。附图的元件不一定是相互按照比例的。同样的附图标记指代对应的类似部件。
图1示出了根据本发明的实施例一的声波谐振器的结构示意图；
图2示出了根据本发明的实施例二的声波谐振器的结构示意图；
图3a-3h示出了根据本发明的实施例一的声波谐振器的制作工艺的流程图；
图4示出了根据本发明的实施例一的声波谐振器中声学镜为布拉格反射层的结构示意图；
图5a-5h示出了根据本发明的实施例二的声波谐振器的制作工艺的流程图；
图6示出了根据本发明的实施例二的声波谐振器中无定形态的压电层只有局部部分的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关发明相关的部分。应当注意到，附图中的部件的尺寸以及大小并不是按照比例的，可能会为了明显示出的原因突出显示了某些部件的大小。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
本申请的实施例中提出了一种声波谐振器，如图1和图2所示，本公开的声波谐振器可以是体声波(BAW)谐振器，并且可包括衬底101、声学镜201以及由底电极层301、压电层401和顶电极层501组成的谐振薄膜层601，其中谐振薄膜层601与声学镜201在衬底101的厚度方向重叠的区域为投影区域，在谐振薄膜层601中具有无定形态部分701，无定形态部分701的一侧位于投影区域之内或与投影区域的边界重合，无定形态部分701的另一侧位于投影区域之外。在优选的实施例中，声学镜201包括空腔或布拉格反射层。将未作处理或非无定形态的底电极层301、压电层401和顶电极层501与声学镜201在厚度方向上投影重合的位置定义为有效谐振区域，其它为非有效谐振区域。无定形态部分701可以极大地抑制因为顶电极层501向外连接而导致的谐振器寄生振荡。在无定形态部分701所在的区域可以直接对电极层进行布线，避免了底电极层301、顶电极层501与压电层401在有效谐振区域外产生寄生和谐振干涉，降低了工艺成本和布线设计难度。
在此实施例下，本申请的实施例中还同时提出了一种声波谐振器的制作工艺，谐振器包括衬底101、声学镜201以及由底电极层301、压电层401和顶电极层501组成的谐振薄膜层601，其中谐振薄膜层601中的与声学镜201在衬底101的厚度方向重叠的区域被定义为投影区域，工艺具体包括：在谐振薄膜层601中设置无定形态部分701，无定形态部分701的一侧位于投影区域之内或与投影区域的边界重合，无定形态部分701的另一侧位于投影区域之外，处于无定形态部分701的谐振薄膜层601被处理成无定形态。
实施例一
如图3h所示，在本实施例中的无定形态部分711包括谐振薄膜层611中在垂直于衬底111表面的部分区域上依次层叠的底电极层311、压电层411和顶电极层511。因此可以在器件中所选择的部分区域实现谐振薄膜层611的无定形态，实现部分区域上任意图形谐振薄膜层611的无定形态。
在具体的实施例中，无定形态部分711所对应的衬底111被处理为具有粗糙的表面。该粗糙的表面的一侧位于投影区域之内或与投影区域的边界重合，另一侧位于投影区域之外。在具有粗糙的表面上生长出具有无定形态的膜层。在优选的实施例中，粗糙度为100A-2000A。在此粗糙度下处理后的表面上所生长的膜层为无定形态的。在粗糙的表面上生长具有无定形态和粗糙表面的底电极层311，在具有粗糙表面的底电极层311上生长具有无定形态和粗糙表面的压电层411，在具有粗糙表面的压电层411上生长具有无定形态和粗糙表面的顶电极层511。
与实施例一相对应地提出了一种声波谐振器的制作工艺，下面以声学镜201为空腔112的形态为例说明下实施例一的声波谐振器的具体的制作工艺，图3a-3h示出了实施例一相对应的声波谐振器的制作工艺的示意图。
在具体的实施例中，在衬底111上蚀刻出空腔112，空腔112的剖面图如图3a所示。在优选的实施例中，衬底111材料为Si，通过光刻和蚀刻工艺在衬底111制作空腔112，具体的空腔112的高度和形貌可以根据器件的要求进行调整。
在具体的实施例中，利用牺牲材料113填充空腔112，沉积的牺牲材料113为PSG(掺杂P的SiO2)或SiO2。在优选的实施例中，对填充牺牲材料113的衬底111表面进行化学机械抛光(CMP)以使牺牲材料113和衬底111获得平整的表面。如图3b所示，通过化学机械抛光后可以清除衬底111表面的牺牲材料113，使衬底111和牺牲材料113的表面平坦化。
在具体的实施例中，在制作底电极层311之前包括以下步骤：涂覆光刻胶811并对光刻胶811进行图形化。如图3c所示，光刻胶811图形化后形成的第一开口位置911为无定形态部分711所对应的位置。第一开口位置911与无定形态的底电极层311、压电层411和顶电极层511的位置相关。通过对光刻胶811进行图形化后可以选择无定形态部分711的生长区域。
在具体的实施例中，涂覆光刻胶811并进行图形化之后包括以下步骤：对位于第一开口位置911内的底层表面进行粗糙化处理。如图3d所示，也就是在第一开口位置911上裸露出来的衬底111和牺牲材料113的表面进行粗糙化。如图3e所示，第一开口位置911内具有粗糙的表面。此处的黑色实现代表粗糙的表面。在具体的实施例中，粗糙化处理采用PVD工艺结合Ar plasma工艺。通过PVD工艺结合Ar plasma工艺可以对衬底111和牺牲材料113的表面进行轰击而达到粗糙化效果，并且可以调节功率、温度、氩气流量等参数使暴露的第一开口位置911的表面粗糙化以实现后续粗糙面上的无定形态并粗糙的膜层。在优选的实施例中，粗糙化处理后底层表面的粗糙度为100A-2000A。在此粗糙度下处理后的表面上所生长的膜层都是无定形态的。除了在涂覆光刻胶811并进行图形化之后对位于第一开口位置911内的底层表面进行粗糙化处理，还可以在位于第一开口位置911内的底层表面上涂覆可以控制层，控制层用来控制第一开口位置911内的底层表面部分上面生长的膜层为无定形态的。
如图3f所示，去除光刻胶811之后衬底111和牺牲材料113的部分区域的表面是粗糙的。如图3g所示，在此部分区域的粗糙的表面上依次制作底电极层311、压电层411和顶电极层511。通过对第一开口位置内901的底层表面进行粗糙化处理可以获得在第一开口位置911上具有无定形态的底电极层311、压电层411和顶电极层511。粗糙化的衬底111上生长出无定形态且粗糙的底电极层311末端。底电极层311以及顶电极层511可选用Mo、Cu、Au、Ag、Pt、Ru等。因为无定形态部分711的底电极层311、压电层411和顶电极层511为无定形态而抑制了寄生振荡，因此横跨在空腔112上的底电极层311可以更多地延伸出空腔112外部而提升谐振器的机械稳定性。在优选的实施例中，压电层411的材质包括ZnO、PZT、碳酸锂或铌酸锂。对不同的压电层411材料同样也可以处理成无定形态。底电极层311、压电层411和顶电极层511通过PVD、光刻与蚀刻工艺进行制作。在压电层411上制作顶电极层511之后对空腔112进行释放，可以得到如图3h所示的谐振器。
当声学镜211为布拉格反射层时，在制作底电极层311之前的步骤与上述有所区别，在涂覆光刻胶之前还包括以下步骤：在衬底111上制作布拉格反射层。后面进行的步骤不变，最后得到如图4所示的谐振器结构。通过以上工艺制作出来的谐振器的结构，无定形态的谐振薄膜层611区域布置在有效谐振区域外，布置区域超过底电极层311边缘，在顶电极层511从有效谐振区域向外连接的部分和底电极层311之间形成完全电性隔离。通过在有效谐振区域周围布置无定形态的谐振薄膜层611，可以实现谐振器上电极的任意布线，同时避免了寄生和谐振干涉问题。
实施例二
如图5h所示，在此实施例中的无定形态部分721为谐振薄膜层621中压电层421的其中一部分。在其中一个具体的实施例中，无定形态部分721为谐振薄膜层621中压电层421在衬底121上的投影的一侧位于投影区域之内或与投影区域的边界重合，另一侧位于投影区域之外的整个部分或局部部分，该局部部分可以是从压电层421的上表面向下延伸的其中一部分。具有无定形态的压电层421在一定程度上削弱了横声波声速，形成声阻抗突变区域而反射横波。
在具体的实施例中，无定形态部分721被施加快速热退火工艺以具有无定形态特性。通过快速热退火工艺可以使压电层421或局部压电层421变无定形态。
与实施例二相对应地提出了一种声波谐振器的制作工艺，下面以声学镜221为空腔122的形态为例说明下实施例二的声波谐振器的具体的制作工艺，图5a-5h示出了实施例二相对应的声波谐振器的制作工艺的示意图。
在具体的实施例中，在衬底121上蚀刻出空腔122，空腔122的剖面图如图5a所示。在优选的实施例中，衬底121材料为Si，通过光刻和蚀刻工艺在衬底121制作空腔122，具体的空腔122的高度和形貌可以根据器件的要求进行调整。
在具体的实施例中，利用牺牲材料123填充空腔122，沉积的牺牲材料123为PSG(掺杂P的SiO2)或SiO2。在优选的实施例中，对填充牺牲材料123的衬底121表面进行化学机械抛光(CMP)以使牺牲材料123和衬底121获得平整的表面。如图5b所示，通过化学机械抛光后可以清除衬底121表面的牺牲材料123，使衬底121和牺牲材料123的表面平坦化。
在具体的实施例中，如图5c所示，通过PVD、光刻与蚀刻工艺在空腔122上方制作底电极层321和压电层421，底电极层321可选用Mo、Cu、Au、Ag、Pt、Ru等。在优选的实施例中，压电层421的材质包括ZnO、PZT、碳酸锂或铌酸锂。
在具体的实施例中，在制作底电极层321和压电层421之后还包括以下步骤：在压电层421上制作掩膜层821并对掩膜层821进行图形化，在具体的实施例中，掩膜层的材质为SiO2，厚度至少为1.5μm。厚度大于1.5μm的掩膜层熔点大于1600℃并且在1300℃下具有较好的稳定性，可以保护下层的膜层不被高温损伤。图5d示出了图形化后的掩膜层821的截面形状。掩膜层821图形化后形成的第二开口位置921为无定形态部分投影于衬底121上的区域。如图5e所示，对第二开口位置921下方的压电层421进行退火处理。在优选的实施例中，退火处理采用快速热退火工艺。快速热退火工艺(RTP)技术成熟、可控性强，通过调节退火温度和时间可以使压电层的局部位置形成无定形态。RTP工艺可以快速升温至1200-1300℃，升/降温速率可达200-250℃/s，具有快速升温和短时间热处理的能力。在优选的实施例中，压电层421的材料选择AlN，AlN的居里温度为1300℃，因此采用RTP工艺将温度处理到1300℃，此温度下的AlN原子剧烈运动而无周期性排布，呈无定形态并失去压电性。采用此工艺可以调节RTP工艺时间，使得压电层321的局部位置形成无定形态，同样可以实现抑制寄生振荡的效果。压电层421的材质包括ZnO、PZT、碳酸锂或铌酸锂。对不同的压电层421材料同样也可以采用此工艺进行处理。并且不同的压电层421材料可以根据压电层材料的居里温度来调整快速退火工艺温度。
如图5f所示，去除掩膜层821，具体可以用HF去除掩膜层821。然后如图5g所示，再制作顶电极层521。通过此步骤可以使第二开口位置921上的压电层421或局部压电层421变无定形态，且在掩膜层821的保护下可以保证下层的膜层不被高温损伤。最后对空腔122进行释放，得到如图5h所示的谐振器结构。压电层421的局部位置形成无定形态的截面形状如图6所示，也可以在器件中的任意区域实现压电层421的无定形态，实现任意图形区域的压电层421无定形态。
当声学镜221为布拉格反射层时，在制作底电极层321之前的步骤与上述有所区别，还包括以下步骤：在衬底121上制作布拉格反射层。通过以上工艺制作出来的谐振器压电层421结构，无定形态的压电层421区域布置在有效谐振区域外，和底电极层321向外延伸的部分重合，并完全跨过底电极层321，布置区域超过底电极层321边缘，在顶电极层521从有效谐振区域向外连接的部分和底电极层321之间形成完全电性隔离。通过在有效谐振区域周围布置无定形态的压电层421，可以实现谐振器上电极的任意布线，同时避免了寄生和谐振干涉问题。
本申请的实施例中还提出了一种滤波器，包括根据上述提到的声波谐振器。以上声波谐振器结构和制作工艺同样适用于任何结构和方式的BAW滤波器，包括Fbar、SMR-BAW、CRF、SCF、SBAR、RBAR、DBAR等，也适用于任何压电材料包括ZnO、PZT、碳酸锂LN、铌酸锂LT等任何压电材料制成的SAW谐振器、压电器件、传感器等mems类的所有器件类型。
本申请的实施例公开了一种声波谐振器的制作工艺及声波谐振器，采用一定的加工方法生长出无定形态的压电层和/或电极层，一方面无定形态的电极层的高密度的位错、晶界与点缺陷削弱了有效谐振区域外的顶电极层与底电极层之间的电场强度，另一方面有效谐振区域外的无定形态的压电层因几乎失去压电性而无法被有效谐振区域外的电极层激励机械波，最终抑制了谐振器寄生振荡，大大简化了顶电极层的布线，顶电极层可以直接从谐振器顶部引出，抑制寄生和谐振干涉。因为延伸出有效谐振区域外的底电极层上部的压电层为无定形态而抑制了寄生振荡，因此横跨在空腔上的底电极可以更多地延伸出声学镜外部而提升谐振器的机械稳定性。
以上描述了本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。措词‘包括’并不排除在权利要求未列出的元件或步骤的存在。元件前面的措词‘一’或‘一个’并不排除多个这样的元件的存在。在相互不同从属权利要求中记载某些措施的简单事实不表明这些措施的组合不能被用于改进。在权利要求中的任何参考符号不应当被解释为限制范围。
Claims (20)
1.一种声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述谐振器包括衬底、声学镜以及由底电极层、压电层和顶电极层组成的谐振薄膜层，其中所述谐振薄膜层中的与所述声学镜在所述衬底的厚度方向重叠的区域被定义为投影区域，所述工艺具体包括：在所述谐振薄膜层中设置无定形态部分，所述无定形态部分的一侧位于所述投影区域之内或与所述投影区域的边界重合，所述无定形态部分的另一侧位于所述投影区域之外，所述压电层中处于所述无定形态部分的部分被处理成无定形态以不具有压电性。
2.根据权利要求1所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述无定形态部分包括所述谐振薄膜层中在垂直于所述衬底表面的部分区域上依次层叠的所述底电极层、所述压电层和所述顶电极层。
3.根据权利要求2所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，在制作所述底电极层之前包括以下步骤：
涂覆光刻胶并对所述光刻胶进行图形化，所述光刻胶图形化后形成的第一开口位置为所述无定形态部分所对应的位置。
4.根据权利要求3所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述涂覆光刻胶并进行图形化之后包括以下步骤：
对位于所述第一开口位置内的底层表面进行粗糙化处理，再去除所述光刻胶；以及
依次制作所述底电极层、所述压电层和所述顶电极层。
5.根据权利要求4所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述粗糙化处理采用PVD工艺结合Ar plasma工艺。
6.根据权利要求4所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述粗糙化处理后所述底层表面的粗糙度为100A-2000A。
7.根据权利要求1所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述无定形态部分为所述谐振薄膜层中所述压电层的其中一部分。
8.根据权利要求7所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，在制作所述底电极层和所述压电层之后还包括以下步骤：
在所述压电层上制作掩膜层并对所述掩膜层进行图形化，所述掩膜层图形化后形成的第二开口位置为所述无定形态部分投影于所述衬底上的区域；
对所述第二开口位置下方的所述压电层进行退火处理，再去除掩膜层；以及
制作所述顶电极层。
9.根据权利要求8所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述退火处理采用快速热退火工艺。
10.根据权利要求8所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述掩膜层的材质为SiO2，厚度至少为1.5μm。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述声学镜包括空腔或布拉格反射层。
12.根据权利要求1-10中任一项所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述压电层的材质包括ZnO、PZT、碳酸锂或铌酸锂。
13.一种声波谐振器，包括衬底、声学镜以及由底电极层、压电层和顶电极层组成的谐振薄膜层，其中所述谐振薄膜层与所述声学镜在所述衬底的厚度方向重叠的区域为投影区域，其特征在于，在所述谐振薄膜层中具有无定形态部分，所述无定形态部分的一侧位于所述投影区域之内或与所述投影区域的边界重合，所述无定形态部分的另一侧位于所述投影区域之外，所述压电层中处于所述无定形态部分的部分被处理成无定形态以不具有压电性。
14.根据权利要求13所述的声波谐振器，其特征在于，所述无定形态部分包括所述谐振薄膜层中在垂直于所述衬底表面的部分区域上依次层叠的所述底电极层、所述压电层和所述顶电极层。
15.根据权利要求14所述的声波谐振器，其特征在于，所述无定形态部分所对应的所述衬底被处理为具有粗糙的表面。
16.根据权利要求15所述的声波谐振器，其特征在于，所述表面的粗糙度为100A-2000A。
17.根据权利要求13所述的声波谐振器，其特征在于，所述无定形态部分为所述谐振薄膜层中所述压电层的其中一部分。
18.根据权利要求17所述的声波谐振器，其特征在于，所述无定形态部分被施加快速热退火工艺以具有无定形态特性。
19.根据权利要求13-18中任一项所述的声波谐振器，其特征在于，所述声学镜包括空腔或布拉格反射层。
20.一种滤波器，其特征在于，包括根据权利要求13-19中任一项所述的声波谐振器。
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