JP2020198440A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1−5(J)を参照すれば、本発明の好ましい第1の実施の形態の半導体装置1は、半導体シリコン基板10と、酸化シリコン膜12と、TiN膜14と、Al膜16と、貫通孔20と、CVD酸化膜22と、シードメタル層24と、Cuめっき層26と、Cuめっき層30と、ソルダーレジスト32とを備えている。
図6−4(I)を参照すれば、本発明の好ましい第2の実施の形態の半導体装置2は、半導体シリコン基板10と、酸化シリコン膜12と、TiN膜14と、Al膜16と、貫通孔20と、CVD酸化膜22と、シードメタル層24と、Cuめっき層30と、ソルダーレジスト32とを備えている。
12 酸化シリコン膜
14 TiN膜
16 Al膜
20 貫通孔
22 CVD酸化膜
24 シードメタル層
26 Cuめっき層
28 ドライフィルム
30 Cuめっき層
32 ソルダーレジスト
Claims (8)
- 一主面と前記一主面とは反対側の他の主面と、前記他の主面側に設けられた第1の導電層を有する半導体基板に、前記一主面から前記他の主面まで前記半導体基板を貫通し、前記第1の導電層を底部に露出する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の前記底部から前記貫通孔の側面を介して前記一主面まで延在するシード層をスパッタにより形成する工程と、
前記シード層上に第1のめっき処理にて第2の導電層を形成する工程と、
第2の導電層を形成した後に前記貫通孔に対応する開口部を有するドライフィルムを形成する工程と、
前記開口部から露出する前記第2の導電層上に第3の導電層を形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
- 前記ドライフィルムを形成する工程は、
前記第2の導電層上に前記ドライフィルムを形成する工程と、
現像処理にて前記貫通孔に対応する開口部を前記ドライフィルムに形成する工程と、
を備える
請求項1記載の製造方法。
- 前記シード層は、第4の導電層と第5の導電層とからなる積層膜をスパッタで形成する
請求項1記載の製造方法。
- 前記第3の導電層から露出する前記第2の導電層および前記シード層を除去する工程をさらに備える
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のめっき処理は、無電解めっき処理または電解めっき処理である
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記第3の導電層は、電解めっき処理にて形成される
請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記第1のめっき処理は、前記シード層の欠陥を覆う処理である
請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記第2の導電層は、前記シード層の全面を被覆する
請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2020134000A JP6926294B2 (ja) | 2018-11-29 | 2020-08-06 | 半導体装置の製造方法 |
JP2021128134A JP2021180333A (ja) | 2020-08-06 | 2021-08-04 | 半導体装置 |
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JP2018223317A JP2019033299A (ja) | 2018-11-29 | 2018-11-29 | 半導体装置 |
JP2020134000A JP6926294B2 (ja) | 2018-11-29 | 2020-08-06 | 半導体装置の製造方法 |
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JP2018223317A Division JP2019033299A (ja) | 2018-11-29 | 2018-11-29 | 半導体装置 |
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JP2020198440A true JP2020198440A (ja) | 2020-12-10 |
JP6926294B2 JP6926294B2 (ja) | 2021-08-25 |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6926294B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021180333A (ja) * | 2020-08-06 | 2021-11-18 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
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