JP6445672B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
前記他の主面に第1絶縁層を介して設けられた導電層と、
前記半導体基板と前記第1絶縁層とを貫通する貫通孔の側面に形成された第2絶縁層と、
前記貫通孔から露出される前記導電層と、前記貫通孔内の前記第2絶縁層とを被覆するシードメタル層と、
前記シードメタル層の表面と、前記貫通孔内において前記シードメタル層から露出される前記導電層とを被覆する第1の導電めっき層と、
前記第1の導電めっき層上に形成され、かつ、前記一主面上の前記第1の導電めっき層の端部に一致させた端部を有する第2の導電めっき層と、
を備え、
前記導電層は、前記導電層と前記シードメタル層と前記第2絶縁層とが接する部位の近傍に凹部を有する
半導体装置が提供される。
図1−5(J)を参照すれば、本発明の好ましい第1の実施の形態の半導体装置1は、半導体シリコン基板10と、酸化シリコン膜12と、TiN膜14と、Al膜16と、貫通孔20と、CVD酸化膜22と、シードメタル層24と、Cuめっき層26と、Cuめっき層30と、ソルダーレジスト32とを備えている。
図6−4(I)を参照すれば、本発明の好ましい第2の実施の形態の半導体装置2は、半導体シリコン基板10と、酸化シリコン膜12と、TiN膜14と、Al膜16と、貫通孔20と、CVD酸化膜22と、シードメタル層24と、Cuめっき層30と、ソルダーレジスト32とを備えている。
12 酸化シリコン膜
14 TiN膜
16 Al膜
20 貫通孔
22 CVD酸化膜
24 シードメタル層
26 Cuめっき層
28 ドライフィルム
30 Cuめっき層
32 ソルダーレジスト
Claims (6)
- 一主面と前記一主面とは反対側の他の主面とを有する半導体基板と、
前記他の主面に第1絶縁層を介して設けられた導電層と、
前記半導体基板と前記第1絶縁層とを貫通する貫通孔の側面に形成された第2絶縁層と、
前記貫通孔から露出される前記導電層と、前記貫通孔内の前記第2絶縁層とを被覆するシードメタル層と、
前記シードメタル層の表面と、前記貫通孔内において前記シードメタル層から露出される前記導電層とを被覆する第1の導電めっき層と、
前記第1の導電めっき層上に形成され、かつ、前記一主面上の前記第1の導電めっき層の端部に一致させた端部を有する第2の導電めっき層と、
を備え、
前記導電層は、前記導電層と前記シードメタル層と前記第2絶縁層とが接する部位の近傍に凹部を有する
半導体装置。 - 前記他の主面上に形成された半導体素子を更に備え、
前記導電層は前記半導体素子に電気的に接続されている請求項1記載の半導体装置。 - 前記第1の導電めっき層の膜厚は、前記第2の導電めっき層の膜厚よりも薄い請求項1又は請求項2記載の半導体装置。
- 前記第1の導電めっき層は、前記貫通孔底部の角部において前記導電層を被覆している請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1の導電めっき層は、前記凹部に侵入している請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記シードメタル層は、前記一主面上において前記第2絶縁層を介して形成されている請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置。
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