JP2020177785A - Plasma processing apparatus - Google Patents

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Kazuhiro Nishikawa
和宏 西川
大輔 ▲高▼橋
大輔 ▲高▼橋
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野村　勝
Masaru Nomura
野村　　勝
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Abstract

To provide a plasma processing apparatus that can appropriately set a workpiece on a stage and perform plasma processing.SOLUTION: A plasma processing apparatus 100 for plasma processing a workpiece 200 mounted on a stage 1 includes an inspection circuit unit C2 to be used to inspect the mounted state of the workpiece 200 on the stage 1, a plasma processing circuit unit to be used for plasma processing, and a first switching unit 4 that enables selection between the inspection circuit unit C2 and the plasma processing circuit unit. The inspection circuit unit C2 includes an inspection connection unit 13 included in the stage 1 and electrically connected to the workpiece 200 when the workpiece 200 is mounted in a predetermined position for plasma processing in the stage 1, and a measuring unit 5 provided such that the inspection electrical resistance including the electrical resistance between the workpiece 200 and the inspection connection unit 13 can be measured.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、プラズマ処理装置に関する。 The present invention relates to a plasma processing apparatus.

従来、一対の電極間に設けた載置台にワークを位置させた状態にて、一対の電極間に高周波を印加することによりプラズマを発生させ、ワークをプラズマ処理する方法が知られている。 Conventionally, there is known a method of plasma-treating a work by generating plasma by applying a high frequency between the pair of electrodes while the work is positioned on a mounting table provided between the pair of electrodes.

特開２０１０−８７０４９号公報には、対向配置された上部電極および下部電極と、上部電極および下部電極間に被処理面を有するワークが位置するように、ワークを載置する載置面を備える載置部と、を有するプラズマ処理装置が開示される。載置面を備える下部電極には、載置面から出没自在なピン（突起）が設けられている。突起は、その先端面が載置面より突出した突出状態と、載置面と一致した収容状態とに移動する。 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-87049 includes a mounting surface on which the work is placed so that the upper electrode and the lower electrode arranged opposite to each other and the work having the surface to be processed are located between the upper electrode and the lower electrode. A plasma processing apparatus having a mounting portion and a mounting portion is disclosed. The lower electrode provided with the mounting surface is provided with a pin (projection) that can freely come and go from the mounting surface. The protrusion moves between a protruding state in which its tip surface protrudes from the mounting surface and a housing state in which the protrusion coincides with the mounting surface.

特開２０１０−８７０４９号公報JP-A-2010-87049

特開２０１０−８７０４９号公報の構成によれば、載置面上の所定位置にワークを正確に配置することができる。ただし、この構成では、所定位置に配置されたワークが、載置面に対して正しく載せられているか否かまでは把握することはできない。例えば、ワークと載置面との間に微小な隙間が形成された場合に、プラズマ処理を適切に行えなくなる可能性がある。 According to the structure of JP-A-2010-87049, the work can be accurately arranged at a predetermined position on the mounting surface. However, in this configuration, it is not possible to know whether or not the work placed at a predetermined position is correctly placed on the mounting surface. For example, when a minute gap is formed between the work and the mounting surface, plasma treatment may not be performed properly.

本発明は、ワークをステージに適切にセットしてプラズマ処理を行うことができる技術を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a technique capable of appropriately setting a work on a stage and performing plasma processing.

本発明の例示的なプラズマ処理装置は、ステージに載置されたワークをプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、前記ワークの前記ステージへの載置状態の検査に使用される検査回路部と、前記プラズマ処理に使用されるプラズマ処理回路部と、前記検査回路部と前記プラズマ処理回路部との選択を可能する第１切替部と、を有する。前記検査回路部は、前記ステージに含まれ、前記ワークが前記ステージにおける前記プラズマ処理用の所定位置に載置された場合に前記ワークと電気的に接続される検査用接続部と、前記ワークと前記検査用接続部との間の電気抵抗を含む検査用電気抵抗を計測可能に設けられる計測部と、を有する。 The exemplary plasma processing apparatus of the present invention is a plasma processing apparatus that plasma-processes a work mounted on a stage, and includes an inspection circuit unit used for inspecting the mounted state of the work on the stage. It has a plasma processing circuit unit used for the plasma processing, and a first switching unit capable of selecting between the inspection circuit unit and the plasma processing circuit unit. The inspection circuit unit includes an inspection connection unit that is included in the stage and is electrically connected to the work when the work is placed at a predetermined position for plasma processing on the stage, and the work. It has a measuring unit provided so as to be able to measure the electrical resistance for inspection including the electrical resistance between the connecting portion for inspection.

例示的な本発明によれば、ワークをステージに適切にセットしてプラズマ処理を行うことができる。 According to the exemplary invention, the work can be appropriately set on the stage to perform plasma treatment.

図１は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic view showing a configuration of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図２は、図１に示す状態から使用する回路部が切り替えられた状態を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic view showing a state in which the circuit unit to be used is switched from the state shown in FIG. 図３は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図４は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の制御部による制御処理を示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart showing a control process by the control unit of the plasma processing apparatus according to the embodiment of the present invention. 図５は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の第１変形例を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic view showing a first modification of the plasma processing apparatus according to the embodiment of the present invention. 図６は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の第２変形例を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic view showing a second modification of the plasma processing apparatus according to the embodiment of the present invention. 図７は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の第３変形例を示す模式図である。FIG. 7 is a schematic view showing a third modification of the plasma processing apparatus according to the embodiment of the present invention. 図８は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の第４変形例を示す模式図である。FIG. 8 is a schematic view showing a fourth modification of the plasma processing apparatus according to the embodiment of the present invention. 図９は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の第５変形例を示す模式図である。FIG. 9 is a schematic view showing a fifth modification of the plasma processing apparatus according to the embodiment of the present invention. 図１０は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の第６変形例を示す模式図である。FIG. 10 is a schematic view showing a sixth modification of the plasma processing apparatus according to the embodiment of the present invention. 図１１は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の第６変形例を示す模式図である。FIG. 11 is a schematic view showing a sixth modification of the plasma processing apparatus according to the embodiment of the present invention. 図１２は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の第７変形例を示す模式図である。FIG. 12 is a schematic view showing a seventh modification of the plasma processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

以下、本発明の例示的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。本明細書では、プラズマ処理装置１００の説明にあたって、ステージ１に対してワーク２００が配置される側を上として、上下方向を定義する。また、上下方向に直交する面と平行な方向を水平方向とする。これらの方向は、各部の形状や位置関係を説明するために用いられる名称であって、実際の位置関係及び方向を限定するものではない。 Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the present specification, in the description of the plasma processing apparatus 100, the vertical direction is defined with the side on which the work 200 is arranged facing up with respect to the stage 1. Further, the direction parallel to the plane orthogonal to the vertical direction is defined as the horizontal direction. These directions are names used to explain the shape and positional relationship of each part, and do not limit the actual positional relationship and direction.

＜１．プラズマ処理に関わる構成＞
図１は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置１００の構成を示す模式図である。図１に示すように、プラズマ処理装置１００は、ステージ１と、電極部２と、電源部３とを有する。 <1. Configuration related to plasma processing>
FIG. 1 is a schematic view showing the configuration of the plasma processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus 100 includes a stage 1, an electrode unit 2, and a power supply unit 3.

ステージ１は、プラズマ処理の対象となるワーク２００が載置される場所である。ステージ１は、主として、例えば金属等の導電性を有する部材で構成される。本実施形態では、ステージ１は、水平方向に広がる板状である。ステージ１は、後述のリレースイッチ４１がオンとされることにより、電源部３と電気的に接続される。なお、ステージ１の上側に載置されるワーク２００は、例えば金属等の導電性の材料で構成される。ワーク２００は、リレースイッチ４１がオンである場合に、ステージ１を介して電源部３に電気的に接続される。 Stage 1 is a place where the work 200 to be plasma-processed is placed. The stage 1 is mainly composed of a conductive member such as a metal. In the present embodiment, the stage 1 has a plate shape extending in the horizontal direction. The stage 1 is electrically connected to the power supply unit 3 by turning on the relay switch 41 described later. The work 200 placed on the upper side of the stage 1 is made of a conductive material such as metal. The work 200 is electrically connected to the power supply unit 3 via the stage 1 when the relay switch 41 is on.

電極部２は、ステージ１に載置されたワーク２００と対向して配置される。詳細には、電極部２は、ステージ１に載置されたワーク２００の上側に隙間Ｓを介して配置される。電極部２は、上下に延びる柱状である。本実施形態では、電極部２は、概ね金属等の導電性の部材で構成される。電極部２は、導電性の部材の下面を覆う誘電体２１を有する。このために、ワーク２００は、誘電体２１と上下方向に隙間Ｓを介して対向する。誘電体２１は、例えば、アルミナ、ジルコニア、又は、快削性セラミック等のセラミック材料により構成される。 The electrode portion 2 is arranged so as to face the work 200 placed on the stage 1. Specifically, the electrode portion 2 is arranged on the upper side of the work 200 placed on the stage 1 via the gap S. The electrode portion 2 is a columnar shape extending vertically. In the present embodiment, the electrode portion 2 is generally composed of a conductive member such as metal. The electrode portion 2 has a dielectric 21 that covers the lower surface of the conductive member. Therefore, the work 200 faces the dielectric 21 in the vertical direction via the gap S. The dielectric 21 is made of, for example, a ceramic material such as alumina, zirconia, or free-cutting ceramic.

電源部３は、ステージ１と電気的に接続される端子と反対側の端子が電極部２に電気的に接続される。電源部３は、高電圧電源である。電源部３は、高電圧を高周波で印加することができる交流電源である。電源部３が印加する電圧の周波数は、例えば、１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚである。電源部３が印加する電圧の波形は、パルス波形が好ましい。ただし、印加電圧の波形は、例えば正弦波又は矩形波等の他の波形であってもよい。また、電源部３が印加する電圧の大きさは、例えば５ｋＶｐｐ〜２０ｋＶｐｐである。印加電圧の大きさは、例えば電極部２とワーク２００との上下方向間の隙間Ｓの大きさ等を考慮して適宜設定される。 In the power supply unit 3, the terminal on the opposite side to the terminal electrically connected to the stage 1 is electrically connected to the electrode unit 2. The power supply unit 3 is a high voltage power supply. The power supply unit 3 is an AC power supply capable of applying a high voltage at a high frequency. The frequency of the voltage applied by the power supply unit 3 is, for example, 1 kHz to 100 kHz. The waveform of the voltage applied by the power supply unit 3 is preferably a pulse waveform. However, the waveform of the applied voltage may be another waveform such as a sine wave or a rectangular wave. The magnitude of the voltage applied by the power supply unit 3 is, for example, 5 kVpp to 20 kVpp. The magnitude of the applied voltage is appropriately set in consideration of, for example, the magnitude of the gap S between the electrode portion 2 and the work 200 in the vertical direction.

ワーク２００がステージ１に載置され、図１に示す状態で電源部３により高周波の高電圧が印加される。これにより、電極部２とワーク２００との間で誘電体バリア放電が行われ、隙間Ｓに供給される処理ガスがプラズマ化される。プラズマＰがワーク２００の表面に接触し、ワーク２００の表面がプラズマ処理される。すなわち、プラズマ処理装置１００は、ステージ１に載置されたワーク２００をプラズマ処理する。プラズマ処理には、例えば、表面改質処理、薄膜形成処理、アッシング処理、又は洗浄処理等が含まれる。 The work 200 is placed on the stage 1, and a high frequency high voltage is applied by the power supply unit 3 in the state shown in FIG. As a result, a dielectric barrier discharge is performed between the electrode portion 2 and the work 200, and the processing gas supplied to the gap S is turned into plasma. The plasma P comes into contact with the surface of the work 200, and the surface of the work 200 is plasma-treated. That is, the plasma processing device 100 plasma-processes the work 200 placed on the stage 1. The plasma treatment includes, for example, a surface modification treatment, a thin film formation treatment, an ashing treatment, a cleaning treatment, and the like.

なお、処理ガスは、不図示のガス供給手段によって外部から隙間Ｓに供給されてよい。ただし、ガス供給手段は配置されなくてもよく、処理ガスは隙間Ｓに自然に供給されるガスであってもよい。また、処理ガスの種類は、処理目的に応じて適宜選択されればよく、特に限定されない。例えば、金属製のワーク２００の表面に付着した切削油などの残渣を除去する場合には、処理ガスは窒素に対して微量に酸素を添加した混合ガスであってよい。 The processing gas may be supplied to the gap S from the outside by a gas supply means (not shown). However, the gas supply means may not be arranged, and the processing gas may be a gas that is naturally supplied to the gap S. Further, the type of the processing gas may be appropriately selected according to the purpose of the processing, and is not particularly limited. For example, when removing a residue such as cutting oil adhering to the surface of a metal work 200, the processing gas may be a mixed gas in which a small amount of oxygen is added to nitrogen.

また、電源部３によって印加する電圧の波形制御によりアーク放電を抑制することができる場合等には、電極部２は誘電体２１を有さなくてもよい。すなわち、電極部２の誘電体２１は必須ではない。 Further, when the arc discharge can be suppressed by controlling the waveform of the voltage applied by the power supply unit 3, the electrode unit 2 does not have to have the dielectric 21. That is, the dielectric 21 of the electrode portion 2 is not essential.

また、本実施形態では、プラズマ処理は大気圧下で行われる。これによれば、密閉容器内にワーク２００を配置して減圧下でプラズマ処理を行う場合に比べて、作業効率を向上することができる。また、減圧に耐える強固な密閉容器が不要になるため、プラズマ処理を安価に行うことができる。ただし、プラズマ処理装置１００は、減圧下でプラズマ処理を行う装置とされてもよい。 Further, in the present embodiment, the plasma treatment is performed under atmospheric pressure. According to this, the work efficiency can be improved as compared with the case where the work 200 is arranged in the closed container and the plasma treatment is performed under reduced pressure. Further, since a strong closed container that can withstand decompression is not required, plasma treatment can be performed at low cost. However, the plasma processing device 100 may be a device that performs plasma processing under reduced pressure.

以上の説明からわかるように、プラズマ処理装置１００は、プラズマ処理に使用されるプラズマ処理回路部Ｃ１を有する。プラズマ処理回路部Ｃ１は、ステージ１、電極部２、および、電源部３を有する。プラズマ処理回路部Ｃ１は、誘電体バリア放電により生じるプラズマを介して電極部２と電気的に接続されるワーク２００とともにプラズマ処理時の回路を形成する。 As can be seen from the above description, the plasma processing apparatus 100 includes a plasma processing circuit unit C1 used for plasma processing. The plasma processing circuit unit C1 includes a stage 1, an electrode unit 2, and a power supply unit 3. The plasma processing circuit unit C1 forms a circuit during plasma processing together with the work 200 that is electrically connected to the electrode unit 2 via the plasma generated by the dielectric barrier discharge.

＜２．載置状態の検査に関わる構成＞
図２は、図１に示す状態から使用する回路部が切り替えられた状態を示す模式図である。プラズマ処理装置１００は、図１に示すプラズマ処理回路部Ｃ１を使用する状態から、図２に示す検査回路部Ｃ２を使用する状態に切替可能に設けられる。当該切替は、第１切替部４により行われる。換言すると、プラズマ処理装置１００は、プラズマ処理回路部Ｃ１と、検査回路部Ｃ２と、第１切替部４とを有する。第１切替部４は、プラズマ処理回路部Ｃ１と検査回路部Ｃ２との選択を可能とする。 <2. Configuration related to inspection of mounting condition>
FIG. 2 is a schematic view showing a state in which the circuit unit to be used is switched from the state shown in FIG. The plasma processing apparatus 100 is provided so as to be switchable from a state in which the plasma processing circuit unit C1 shown in FIG. 1 is used to a state in which the inspection circuit unit C2 shown in FIG. 2 is used. The switching is performed by the first switching unit 4. In other words, the plasma processing apparatus 100 includes a plasma processing circuit unit C1, an inspection circuit unit C2, and a first switching unit 4. The first switching unit 4 enables selection between the plasma processing circuit unit C1 and the inspection circuit unit C2.

検査回路部Ｃ２は、ワーク２００のステージ１への載置状態の検査に使用される。検査回路部Ｃ２は、検査用接続部１３と、計測部５とを有する。 The inspection circuit unit C2 is used for inspecting the mounted state of the work 200 on the stage 1. The inspection circuit unit C2 has an inspection connection unit 13 and a measurement unit 5.

検査用接続部１３は、ステージ１に含まれる。検査用接続部１３は、ワーク２００がステージ１におけるプラズマ処理用の所定位置に配置された場合にワーク２００と電気的に接続される。換言すると、検査用接続部１３がワーク２００と電気的に接続されていない場合には、ワーク２００はステージ１におけるプラズマ処理用の所定位置に配置されていない。このような状態では、プラズマ処理は適切に行われない。ワーク２００が検査用接続部１３と電気的に接続された状態で、プラズマ処理回路部Ｃ１を用いたプラズマ処理が適切に行われる。 The inspection connection portion 13 is included in the stage 1. The inspection connection portion 13 is electrically connected to the work 200 when the work 200 is arranged at a predetermined position for plasma processing in the stage 1. In other words, when the inspection connecting portion 13 is not electrically connected to the work 200, the work 200 is not arranged at a predetermined position for plasma processing in the stage 1. In such a state, the plasma treatment is not properly performed. Plasma processing using the plasma processing circuit unit C1 is appropriately performed in a state where the work 200 is electrically connected to the inspection connecting unit 13.

本実施形態では、検査用接続部１３は、ステージ１の上面から上方に向けて延びるピン形状である。これに対応にして、ワーク２００の下面には、検査用接続部１３を挿入する不図示の凹部が形成されている。検査用接続部１３をピン形状とすることにより、ワーク２００を所定位置に簡単に配置し易くできる。検査用接続部１３は導電性を有する。検査用接続部１３の上端部は、例えば球面状であってよい。検査用接続部１３は、ステージ１と単一部材であってよい。また、検査用接続部１３は、ステージ１とは別部材で構成され、ステージ１に固定されることによりステージ１と一体になってもよい。 In the present embodiment, the inspection connection portion 13 has a pin shape extending upward from the upper surface of the stage 1. Correspondingly, a recess (not shown) for inserting the inspection connecting portion 13 is formed on the lower surface of the work 200. By forming the inspection connecting portion 13 into a pin shape, the work 200 can be easily arranged at a predetermined position. The inspection connection portion 13 has conductivity. The upper end of the inspection connection portion 13 may be spherical, for example. The inspection connection portion 13 may be a single member with the stage 1. Further, the inspection connecting portion 13 may be formed of a member separate from the stage 1 and may be integrated with the stage 1 by being fixed to the stage 1.

なお、検査用接続部１３は、ピン形状でなくてもよく、例えば、ステージ１の上面の一部の平面領域であってよい。この構成の場合、ワーク２００は、例えば負圧発生手段により発生される負圧を利用して平面領域に固定されてよい。また、検査用接続部１３は、ステージ１の上面に形成される凹部であってもよい。この構成の場合、ワーク２００の下面には、凹部に挿入される凸部が設けられてよい。 The inspection connection portion 13 does not have to have a pin shape, and may be, for example, a partial flat region on the upper surface of the stage 1. In the case of this configuration, the work 200 may be fixed to the plane region by utilizing, for example, the negative pressure generated by the negative pressure generating means. Further, the inspection connecting portion 13 may be a recess formed on the upper surface of the stage 1. In the case of this configuration, a convex portion to be inserted into the concave portion may be provided on the lower surface of the work 200.

検査用接続部１３は、ステージ１の上面に複数配置される。検査用接続部１３の数は、例えば３つとすることが好ましい。これにより、ステージ１上における検査用接続部１３の数を少なくしてワーク２００をバランス良く支持することができる。また、これにより、プラズマ処理中にワーク２００が所定位置からずれるといった事態の発生を抑制することができる。 A plurality of inspection connection portions 13 are arranged on the upper surface of the stage 1. The number of inspection connection portions 13 is preferably, for example, three. As a result, the number of inspection connection portions 13 on the stage 1 can be reduced to support the work 200 in a well-balanced manner. Further, this makes it possible to suppress the occurrence of a situation in which the work 200 is displaced from a predetermined position during the plasma processing.

詳細には、ステージ１は、互いに電気的に独立した第１分割ステージ１１および第２分割ステージ１２を有する。第１分割ステージ１１と第２分割ステージ１２とは、水平方向に間隔をあけて配置される。第１分割ステージ１１と第２分割ステージ１２との水平方向間には、絶縁部材１４が配置される。絶縁部材１４は、例えば絶縁性の樹脂またはセラミック等で構成される。なお、第１分割ステージ１１は、第１導線６ａにより、後述のリレースイッチ４１を介して電源部３に接続される。一方、第２分割ステージ１２を電源部３に接続する導線は設けられない。また、ステージ１が有する分割ステージの数は３つ以上であってよい。 Specifically, stage 1 has a first division stage 11 and a second division stage 12 that are electrically independent of each other. The first division stage 11 and the second division stage 12 are arranged at intervals in the horizontal direction. An insulating member 14 is arranged between the first division stage 11 and the second division stage 12 in the horizontal direction. The insulating member 14 is made of, for example, an insulating resin or ceramic. The first division stage 11 is connected to the power supply unit 3 by the first lead wire 6a via a relay switch 41 described later. On the other hand, no lead wire for connecting the second division stage 12 to the power supply unit 3 is provided. Further, the number of divided stages included in the stage 1 may be three or more.

第１分割ステージ１１および第２分割ステージ１２には、それぞれ、検査用接続部１３が設けられる。本実施形態では、第１分割ステージ１１には、検査用接続部１３が１つ設けられる。第２分割ステージ１２には、検査用接続部１３が２つ設けられる。以下、第１分割ステージ１１に配置される検査用接続部１３を第１検査用接続部１３１と記載することがある。第２分割ステージ１２に配置される検査用接続部１３を第２検査用接続部１３２と記載することがある。 The inspection connection portion 13 is provided in each of the first division stage 11 and the second division stage 12. In the present embodiment, the first division stage 11 is provided with one inspection connection portion 13. The second division stage 12 is provided with two inspection connection portions 13. Hereinafter, the inspection connection portion 13 arranged in the first division stage 11 may be referred to as a first inspection connection portion 131. The inspection connection portion 13 arranged in the second division stage 12 may be referred to as a second inspection connection portion 132.

なお、例えば、検査用接続部１３の数が３つ、且つ、分割ステージの数が３つである場合には、各分割ステージに１つずつ検査用接続部１３が配置されてよい。すなわち、検査用接続部１３が３つ以上であっても、第２分割ステージ１２には、検査用接続部１３が１つのみ設けられてよい。 For example, when the number of inspection connection portions 13 is three and the number of division stages is three, one inspection connection portion 13 may be arranged for each division stage. That is, even if there are three or more inspection connection portions 13, only one inspection connection portion 13 may be provided on the second division stage 12.

計測部５は、ワーク２００と検査用接続部１３との間の電気抵抗を含む検査用電気抵抗を測定可能に設けられる。本実施形態において、計測部５は抵抗計である。第１切替部４による検査回路部Ｃ２の選択時において、計測部５が有する２つの接続端子（不図示）のうちの一方は、第１分割ステージ１１に電気的に接続される。２つの接続端子のうちの他方は第２分割ステージ１２に接続される。 The measuring unit 5 is provided so as to be able to measure the electrical resistance for inspection including the electrical resistance between the work 200 and the connecting portion 13 for inspection. In this embodiment, the measuring unit 5 is an ohmmeter. When the inspection circuit unit C2 is selected by the first switching unit 4, one of the two connection terminals (not shown) of the measurement unit 5 is electrically connected to the first division stage 11. The other of the two connection terminals is connected to the second split stage 12.

本実施形態では、第１切替部４は複数のリレースイッチ４１〜４３により構成される。第１切替部４を構成するリレースイッチは、耐圧性の高い機械式のリレースイッチであることが好ましい。第１リレースイッチ４１は、電源部３と第１分割ステージ１１とを接続する第１導線６ａの途中に配置される。第１リレースイッチ４１がオンとされると、電源部３と第１分割ステージ１１とが電気的に接続される。第１リレースイッチ４１がオフとされると、電源部３と第１分割ステージ１１とは電気的に非接続になる。 In the present embodiment, the first switching unit 4 is composed of a plurality of relay switches 41 to 43. The relay switch constituting the first switching unit 4 is preferably a mechanical relay switch having high pressure resistance. The first relay switch 41 is arranged in the middle of the first lead wire 6a that connects the power supply unit 3 and the first division stage 11. When the first relay switch 41 is turned on, the power supply unit 3 and the first division stage 11 are electrically connected. When the first relay switch 41 is turned off, the power supply unit 3 and the first division stage 11 are electrically disconnected.

第２リレースイッチ４２は、計測部５と第１分割ステージ１１とを接続する第２導線６ｂの途中に配置される。第２リレースイッチ４２がオンとされると、計測部５と第１分割ステージ１１とが電気的に接続される。第２リレースイッチ４２がオフとされると、計測部５と第１分割ステージ１１とは電気的に非接続になる。第３リレースイッチ４３は、計測部５と第２分割ステージ１２とを接続する第３導線６ｃの途中に配置される。第３リレースイッチ４３がオンとされると、計測部５と第２分割ステージ１２とが電気的に接続される。第３リレースイッチ４３がオフとされると、計測部５と第２分割ステージ１２とは電気的に非接続になる。 The second relay switch 42 is arranged in the middle of the second lead wire 6b that connects the measuring unit 5 and the first division stage 11. When the second relay switch 42 is turned on, the measuring unit 5 and the first division stage 11 are electrically connected. When the second relay switch 42 is turned off, the measurement unit 5 and the first division stage 11 are electrically disconnected. The third relay switch 43 is arranged in the middle of the third lead wire 6c that connects the measuring unit 5 and the second division stage 12. When the third relay switch 43 is turned on, the measuring unit 5 and the second division stage 12 are electrically connected. When the third relay switch 43 is turned off, the measurement unit 5 and the second division stage 12 are electrically disconnected.

図１に示すように、第１リレースイッチ４１がオンとされ、第２リレースイッチ４２および第３リレースイッチ４３がオフとされることにより、プラズマ処理回路部Ｃ１が選択される。これにより、上述したプラズマ処理回路部Ｃ１を用いた、ワーク２００のプラズマ処理が可能になる。 As shown in FIG. 1, the plasma processing circuit unit C1 is selected by turning on the first relay switch 41 and turning off the second relay switch 42 and the third relay switch 43. This enables plasma processing of the work 200 using the plasma processing circuit unit C1 described above.

一方、図２に示すように、第１リレースイッチ４１がオフとされ、第２リレースイッチ４２および第３リレースイッチ４３がオンとされることにより、検査回路部Ｃ２が選択される。検査回路部Ｃ２は、計測部５と、第１検査用接続部１３１を含む第１分割ステージ１１と、第２検査用接続部１３２を含む第２分割ステージ１２とを有する。ステージ１にワーク２００が載置されると、検査回路部Ｃ２は、ワーク２００とともに抵抗計測回路を形成する。 On the other hand, as shown in FIG. 2, the inspection circuit unit C2 is selected by turning off the first relay switch 41 and turning on the second relay switch 42 and the third relay switch 43. The inspection circuit unit C2 includes a measurement unit 5, a first division stage 11 including a first inspection connection unit 131, and a second division stage 12 including a second inspection connection unit 132. When the work 200 is placed on the stage 1, the inspection circuit unit C2 forms a resistance measurement circuit together with the work 200.

ワーク２００がステージ１にプラズマ処理を行うための適切な位置に載置された場合、ワーク２００と検査用接続部１３とは接触し、この部分に大きな抵抗は生じない。このために、計測部５は、抵抗計測回路を構成する各部材の抵抗値を合算した抵抗値、或いは、それに近い抵抗値を計測する。一方、ワーク２００がステージ１に正しく載せられず、ワーク２００と検査用接続部１３との間に隙間が生じることがある。この場合、計測部５は、各部材の抵抗値を合算した抵抗値を大きく超える抵抗値を計測する。すなわち、本実施形態によれば、計測部５の計測結果に基づき、ワーク２００がプラズマ処理を行うための所定位置に適切に載置された否かを確認することができ、プラズマ処理を適切に行うことができる。 When the work 200 is placed on the stage 1 at an appropriate position for performing plasma treatment, the work 200 and the inspection connection portion 13 come into contact with each other, and a large resistance does not occur in this portion. For this purpose, the measuring unit 5 measures the resistance value obtained by adding up the resistance values of the members constituting the resistance measuring circuit, or a resistance value close to the total resistance value. On the other hand, the work 200 may not be correctly placed on the stage 1, and a gap may be formed between the work 200 and the inspection connecting portion 13. In this case, the measuring unit 5 measures a resistance value that greatly exceeds the total resistance value of each member. That is, according to the present embodiment, based on the measurement result of the measuring unit 5, it can be confirmed whether or not the work 200 is properly placed at a predetermined position for performing the plasma processing, and the plasma processing can be appropriately performed. It can be carried out.

プラズマ処理装置１００においては、検査用接続部１３は、プラズマ処理回路部Ｃ１に兼用される。このために、プラズマ処理回路部Ｃ１と検査回路部Ｃ２との２つの回路部を有するプラズマ処理装置１００の構成を簡素化できる。また、本構成では、プラズマ処理時にプラズマ処理用の回路を構成する部分に対して直接的に検査回路部Ｃ２を用いた検査を適用することができる。このために、プラズマ処理時に不具合が発生する可能性を低減することができる。 In the plasma processing apparatus 100, the inspection connection unit 13 is also used as the plasma processing circuit unit C1. Therefore, the configuration of the plasma processing apparatus 100 having two circuit units of the plasma processing circuit unit C1 and the inspection circuit unit C2 can be simplified. Further, in this configuration, the inspection using the inspection circuit unit C2 can be directly applied to the portion constituting the circuit for plasma processing at the time of plasma processing. Therefore, it is possible to reduce the possibility that a problem will occur during plasma processing.

本実施形態では、第１分割ステージ１１の検査用接続部１３がプラズマ処理回路部Ｃ１に兼用される。すなわち、第１検査用接続部１３１がプラズマ処理回路部Ｃ１に兼用される。プラズマ処理時においては、第１検査用接続部１３１を含む第１分割ステージ１１が電気の通り道となる。ワーク２００のステージ１への載置の仕方が不適切で、第１検査用接続部１３１とワーク２００との間に隙間が生じることが起り得る。このような状態でプラズマ処理が行われると、第１検査用接続部１３１とワーク２００との間の隙間で放電が生じる可能性がある。このような異常放電が生じると、ワーク２００の表面に所定のプラズマ処理が行えないだけでなく、ワーク２００に損傷を与える可能性がある。本実施形態では、検査回路部Ｃ２を用いた検査によって、プラズマ処理を行う前に、第１検査用接続部１３１とワーク２００との間に隙間が発生していることを検出することができる。このために、本実施形態によれば、ワーク２００に損傷を与えることなく、ワーク２００の表面に適切にプラズマ処理を行うことができる。 In the present embodiment, the inspection connection portion 13 of the first division stage 11 is also used as the plasma processing circuit portion C1. That is, the first inspection connection unit 131 is also used as the plasma processing circuit unit C1. At the time of plasma processing, the first division stage 11 including the first inspection connection portion 131 serves as an electric path. The method of placing the work 200 on the stage 1 is improper, and a gap may occur between the first inspection connection portion 131 and the work 200. If the plasma treatment is performed in such a state, an electric discharge may occur in the gap between the first inspection connection portion 131 and the work 200. When such an abnormal discharge occurs, not only the surface of the work 200 cannot be subjected to a predetermined plasma treatment, but also the work 200 may be damaged. In the present embodiment, it is possible to detect that a gap is generated between the first inspection connection portion 131 and the work 200 before performing the plasma processing by the inspection using the inspection circuit unit C2. Therefore, according to the present embodiment, the surface of the work 200 can be appropriately subjected to plasma treatment without damaging the work 200.

また、本実施形態では、第１検査用接続部１３１を含む第１分割ステージ１１と、第２検査用接続部１３２を含む第２分割ステージ１２とにステージ１を分割しているために、ワーク２００をステージ１に載置するだけで検査回路部Ｃ２を用いた検査を簡単に行うことができる。更に、本実施形態では、２つの分割ステージ１１、１２のうちの一方だけがプラズマ処理回路部Ｃ１と検査回路部Ｃ２とに兼用される構成であるために、配線を簡素化することができる。 Further, in the present embodiment, since the stage 1 is divided into the first division stage 11 including the first inspection connection portion 131 and the second division stage 12 including the second inspection connection portion 132, the work is The inspection using the inspection circuit unit C2 can be easily performed only by placing the 200 on the stage 1. Further, in the present embodiment, since only one of the two division stages 11 and 12 is configured to be used for both the plasma processing circuit unit C1 and the inspection circuit unit C2, the wiring can be simplified.

＜３．制御処理について＞
図３は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置１００の構成を示すブロック図である。図３に示すように、プラズマ処理装置１００は、上述した電源部３、第１切替部４、および計測部５を有する。プラズマ処理装置１００は制御部７を更に有する。制御部７は、プラズマ処理装置１００の全体を制御する。制御部７は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Unit）、及び、ＲＯＭ（Read Only Memory）などを備えるコンピュータで構成される。 <3. About control processing>
FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of the plasma processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, the plasma processing device 100 includes the power supply unit 3, the first switching unit 4, and the measurement unit 5 described above. The plasma processing device 100 further includes a control unit 7. The control unit 7 controls the entire plasma processing device 100. The control unit 7 is composed of, for example, a computer including a CPU (Central Processing Unit), a RAM (Random Access Unit), a ROM (Read Only Memory), and the like.

プラズマ処理装置１００は、その他、報知部８を有する。報知部８は、検査回路部Ｃ２を用いた検査によってワーク２００の載置状態に関して異常を検出した場合に、異常を作業者に報知する。報知部８は、例えば、音によって異常を報知する手段であってよい。また、報知部８は、例えば、文字等を表示する表示画面を利用して異常を報知する手段であってよい。また、報知部８は、例えば、光の点灯を利用して異常を報知する手段であってよい。報知部８は、前述した複数の手段を組み合わせた構成であってもよい。 The plasma processing device 100 also has a notification unit 8. When the notification unit 8 detects an abnormality in the mounting state of the work 200 by inspection using the inspection circuit unit C2, the notification unit 8 notifies the operator of the abnormality. The notification unit 8 may be, for example, a means for notifying an abnormality by sound. Further, the notification unit 8 may be a means for notifying an abnormality by using, for example, a display screen for displaying characters or the like. Further, the notification unit 8 may be, for example, a means for notifying an abnormality by utilizing lighting of light. The notification unit 8 may have a configuration in which the plurality of means described above are combined.

制御部７は、第１切替部４の動作を制御する。本実施形態では、制御部７は、第１リレースイッチ４１、第２リレースイッチ４２、および、第３リレースイッチ４３のオンオフを制御する。これによれば、制御部７により自動的に第１切替部４を動作させることができ、作業負担を軽減できる。制御部７は、その他、電源部３、計測部５、および、報知部８の動作を制御する。また、制御部７は、計測部５による計測結果を計測部５から受け取る。 The control unit 7 controls the operation of the first switching unit 4. In the present embodiment, the control unit 7 controls the on / off of the first relay switch 41, the second relay switch 42, and the third relay switch 43. According to this, the control unit 7 can automatically operate the first switching unit 4, and the work load can be reduced. The control unit 7 also controls the operations of the power supply unit 3, the measurement unit 5, and the notification unit 8. Further, the control unit 7 receives the measurement result by the measurement unit 5 from the measurement unit 5.

図４は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置１００の制御部７による制御処理を示すフローチャートである。制御部７は、ワーク２００がステージ１に載置されると、制御動作を開始する。なお、制御部７は、ワーク２００がステージ１に載置されたことを自動で検出してもよいし、作業者からの指令で検出してもよい。制御部７は、例えば、不図示のカメラから得られる画像を画像処理することにより、ワーク２００がステージ１に載置されたことを自動検出する。 FIG. 4 is a flowchart showing a control process by the control unit 7 of the plasma processing device 100 according to the embodiment of the present invention. When the work 200 is placed on the stage 1, the control unit 7 starts a control operation. The control unit 7 may automatically detect that the work 200 is placed on the stage 1, or may detect it by a command from the operator. The control unit 7 automatically detects that the work 200 has been placed on the stage 1 by performing image processing on an image obtained from a camera (not shown), for example.

ステップＳ１では、制御部７は、第１切替部４を制御して検査回路部Ｃ２を選択させる。詳細は、制御部７は、第１リレースイッチ４１をオフ、第２リレースイッチ４２および第３リレースイッチ４３をオンとさせる。これにより、プラズマ処理装置１００は、検査回路部Ｃ２を使用した検査動作を行うことが可能になる。制御部７は、検査回路部Ｃ２を選択させる動作の終了により、次のステップＳ２に処理を進める。 In step S1, the control unit 7 controls the first switching unit 4 to select the inspection circuit unit C2. For details, the control unit 7 turns off the first relay switch 41 and turns on the second relay switch 42 and the third relay switch 43. As a result, the plasma processing apparatus 100 can perform an inspection operation using the inspection circuit unit C2. Upon completion of the operation of selecting the inspection circuit unit C2, the control unit 7 proceeds to the next step S2.

ステップＳ２では、制御部７は、計測部５を制御して検査用電気抵抗を計測させる。これにより、制御部７は、計測部５から検査用電気抵抗の計測結果を取得する。制御部７は、計測結果の取得により、次のステップＳ３に処理を進める。 In step S2, the control unit 7 controls the measurement unit 5 to measure the electrical resistance for inspection. As a result, the control unit 7 acquires the measurement result of the electrical resistance for inspection from the measurement unit 5. The control unit 7 proceeds to the next step S3 by acquiring the measurement result.

ステップＳ３では、制御部７は、計測結果から異常が認められるか否かを確認する。詳細には、制御部７は、取得した抵抗値が所定の閾値以上である場合に、ワーク２００がステージ１に適切に載置されていない異常状態を検出する。一方、制御部７は、取得した抵抗値が所定の閾値より小さい場合には、異常状態を検出しない。制御部７は、異常が検出された場合に（ステップＳ３でＹｅｓ）、ステップＳ４に処理を進める。一方、制御部７は、異常が検出されなかった場合に（ステップＳ３でＮｏ）、ステップＳ５に処理を進める。 In step S3, the control unit 7 confirms whether or not an abnormality is found from the measurement result. Specifically, the control unit 7 detects an abnormal state in which the work 200 is not properly placed on the stage 1 when the acquired resistance value is equal to or higher than a predetermined threshold value. On the other hand, the control unit 7 does not detect the abnormal state when the acquired resistance value is smaller than the predetermined threshold value. When an abnormality is detected (Yes in step S3), the control unit 7 proceeds to step S4. On the other hand, when the abnormality is not detected (No in step S3), the control unit 7 proceeds to the process in step S5.

ステップＳ４では、制御部７は、報知部８を制御して、ワーク２００の載置状態が不適切であることを作業者に向けて報知させる。報知部８の動作により、例えば警報音が発せられる。これにより、作業者はワーク２００をステージ１に置き直す等の対応を行うことができる。 In step S4, the control unit 7 controls the notification unit 8 to notify the operator that the mounting state of the work 200 is inappropriate. For example, an alarm sound is emitted by the operation of the notification unit 8. As a result, the worker can take measures such as repositioning the work 200 on the stage 1.

ステップＳ５では、制御部７は、第１切替部４を制御してプラズマ処理回路部Ｃ１を選択させる。詳細は、制御部７は、第１リレースイッチ４１をオン、第２リレースイッチ４２および第３リレースイッチ４３をオフとさせる。これにより、プラズマ処理装置１００は、プラズマ処理回路部Ｃ１を使用したプラズマ処理を行うことが可能になる。制御部７は、プラズマ処理回路部Ｃ１を選択させる動作の終了により、次のステップＳ６に処理を進める。 In step S5, the control unit 7 controls the first switching unit 4 to select the plasma processing circuit unit C1. For details, the control unit 7 turns on the first relay switch 41 and turns off the second relay switch 42 and the third relay switch 43. As a result, the plasma processing apparatus 100 can perform plasma processing using the plasma processing circuit unit C1. The control unit 7 proceeds to the next step S6 when the operation of selecting the plasma processing circuit unit C1 is completed.

ステップＳ６では、制御部７は、電源部３の動作を制御して、プラズマを発生させる。プラズマの発生により、ワーク２００の表面がプラズマ処理される。本実施形態では、ワーク２００がステージ１に適切に載置された状態でプラズマ処理が行われるので、適切にワーク２００のプラズマ処理を行うことができる。 In step S6, the control unit 7 controls the operation of the power supply unit 3 to generate plasma. Due to the generation of plasma, the surface of the work 200 is plasma-treated. In the present embodiment, since the plasma treatment is performed with the work 200 properly placed on the stage 1, the plasma treatment of the work 200 can be appropriately performed.

＜４．変形例＞
（４−１．第１変形例）
図５は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置１００の第１変形例を示す模式図である。図５は、プラズマ処理回路部Ｃ１Ａが選択された状態を示す。図５に示すように、第１変形例のプラズマ処理装置１００Ａにおいては、ステージ１は電源部３に接続可能とされる代わりに、接地可能とされている。 <4. Modification example>
(4-1. First modification)
FIG. 5 is a schematic view showing a first modification of the plasma processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention. FIG. 5 shows a state in which the plasma processing circuit unit C1A is selected. As shown in FIG. 5, in the plasma processing apparatus 100A of the first modification, the stage 1 is made groundable instead of being connectable to the power supply unit 3.

プラズマ処理回路部Ｃ１Ａが選択された場合には、第１切替部４Ａを構成する第１リレースイッチ４１Ａがオンされて、ステージ１は接地される。詳細には、第１分割ステージ１１が接地される。第１リレースイッチ４１Ａは、第１分割ステージ１１とグラウンドとを接続する第４導線６ｄの途中に配置される。なお、プラズマ処理回路部Ｃ１Ａが選択された場合には、第２リレースイッチ４２および第３リレースイッチ４３はオフである。このような構成においても、上述の実施形態と同様に、ワーク２００がステージ１に適切に載置された状態でプラズマ処理が行え、ワーク２００のプラズマ処理を適切に行うことができる。 When the plasma processing circuit unit C1A is selected, the first relay switch 41A constituting the first switching unit 4A is turned on, and the stage 1 is grounded. Specifically, the first division stage 11 is grounded. The first relay switch 41A is arranged in the middle of the fourth lead wire 6d connecting the first division stage 11 and the ground. When the plasma processing circuit unit C1A is selected, the second relay switch 42 and the third relay switch 43 are off. Even in such a configuration, the plasma treatment can be performed in a state where the work 200 is appropriately placed on the stage 1, and the plasma treatment of the work 200 can be appropriately performed, as in the above-described embodiment.

（４−２．第２変形例）
図６は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置１００の第２変形例を示す模式図である。図６は、プラズマ処理回路部Ｃ１が選択された状態を示す。第２変形例のプラズマ処理装置１００Ｂにおいても、第１切替部４Ｂは、複数のリレースイッチ４１〜４５により構成される。ただし、第４リレースイッチ４４および第５リレースイッチ４５が追加された点が上述の実施形態と異なる。 (4-2. Second modification)
FIG. 6 is a schematic view showing a second modification of the plasma processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention. FIG. 6 shows a state in which the plasma processing circuit unit C1 is selected. Also in the plasma processing apparatus 100B of the second modification, the first switching unit 4B is composed of a plurality of relay switches 41 to 45. However, it differs from the above-described embodiment in that the fourth relay switch 44 and the fifth relay switch 45 are added.

第２変形例においては、検査回路部Ｃ２Ｂは、検査用接続部１３と計測部５との間において直列に配置される複数のリレースイッチ４２〜４５を有する。詳細には、上述の実施形態の構成と比べて、第１検査用接続部１３１と計測部５との間に、第４リレースイッチ４４が追加されている。第４リレースイッチ４４は、第２リレースイッチ４２と計測部５との間に直列に配置される。すなわち、第１検査用接続部１３１と計測部５との間に、直列に配置される２つのリレースイッチ４２、４４が配置される。また、上述の実施形態の構成と比べて、第２検査用接続部１３２と計測部５との間に、第５リレースイッチ４５が追加されている。第５リレースイッチ４５は、第３リレースイッチ４３と計測部５との間に直列に配置される。すなわち、第２検査用接続部１３２と計測部５との間に、直列に配置される２つのリレースイッチ４３、４５が配置される。 In the second modification, the inspection circuit unit C2B has a plurality of relay switches 42 to 45 arranged in series between the inspection connection unit 13 and the measurement unit 5. More specifically, as compared with the configuration of the above-described embodiment, the fourth relay switch 44 is added between the first inspection connection unit 131 and the measurement unit 5. The fourth relay switch 44 is arranged in series between the second relay switch 42 and the measuring unit 5. That is, two relay switches 42 and 44 arranged in series are arranged between the first inspection connection unit 131 and the measurement unit 5. Further, as compared with the configuration of the above-described embodiment, the fifth relay switch 45 is added between the second inspection connection unit 132 and the measurement unit 5. The fifth relay switch 45 is arranged in series between the third relay switch 43 and the measuring unit 5. That is, two relay switches 43 and 45 arranged in series are arranged between the second inspection connection unit 132 and the measurement unit 5.

本変形例によれば、例えば第２リレースイッチ４２および第３リレースイッチ４３が故障してオフとならなかった場合でも、第４リレースイッチ４４および第５リレースイッチ４５がオフとなっていれば、プラズマ処理時に計測部５に電流が流れ込むことを阻止できる。すなわち、本変形例によれば、プラズマ処理時に計測部５に電流が流れ込んで計測部５が故障する可能性を低減できる。 According to this modification, for example, even if the second relay switch 42 and the third relay switch 43 fail to be turned off, if the fourth relay switch 44 and the fifth relay switch 45 are turned off, It is possible to prevent the current from flowing into the measuring unit 5 during the plasma processing. That is, according to this modification, it is possible to reduce the possibility that a current flows into the measuring unit 5 during plasma processing and the measuring unit 5 fails.

なお、本変形例において、第１検査用接続部１３１と計測部５との間、および、第２検査用接続部１３２と計測部５との間に配置されるリレースイッチの数は、それぞれ、３つ以上であってもよい。また、第１検査用接続部１３１と計測部５の間と、第２検査用接続部１３２と計測部５の間とで、配置されるリレースイッチの数が異なってもよい。 In this modification, the number of relay switches arranged between the first inspection connection unit 131 and the measurement unit 5 and between the second inspection connection unit 132 and the measurement unit 5 is different. There may be three or more. Further, the number of relay switches arranged may be different between the first inspection connection unit 131 and the measurement unit 5 and between the second inspection connection unit 132 and the measurement unit 5.

（４−３．第３変形例）
図７は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置１００の第３変形例を示す模式図である。図７は、プラズマ処理回路部Ｃ１が選択された状態を示す。第３変形例のプラズマ処理装置１００Ｃは、第２変形例の構成と概ね同じである。ただし、プラズマ処理装置１００Ｃが、第２切替部９を更に有する。この点が第２変形例と異なる。 (4-3. Third modified example)
FIG. 7 is a schematic view showing a third modification of the plasma processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention. FIG. 7 shows a state in which the plasma processing circuit unit C1 is selected. The plasma processing device 100C of the third modification is substantially the same as the configuration of the second modification. However, the plasma processing apparatus 100C further includes a second switching unit 9. This point is different from the second modification.

第２切替部９は、計測部５と並列に配置される。第２切替部９は、第１分割ステージ１１と第２分割ステージ１２との電気的な接続の切り替えを可能とする。第２切替部９は、リレースイッチであってよい。第２切替部９を構成するリレースイッチは、耐圧性の高い機械式のリレースイッチであることが好ましい。第２切替部９の動作は、制御部７によって制御されることが好ましい。詳細には、第２切替部９の一方の端子は、第５導線６ｅと第２導線６ｂの一部とを介して、第１分割ステージ１１と第２リレースイッチ４２の一方の端子とに電気的に接続される。第２切替部９の他方の端子は、第６導線６ｆと第３導線６ｃの一部とを介して、第２分割ステージ１２と第３リレースイッチ４３の一方の端子とに電気的に接続される。 The second switching unit 9 is arranged in parallel with the measuring unit 5. The second switching unit 9 enables switching of the electrical connection between the first division stage 11 and the second division stage 12. The second switching unit 9 may be a relay switch. The relay switch constituting the second switching unit 9 is preferably a mechanical relay switch having high pressure resistance. The operation of the second switching unit 9 is preferably controlled by the control unit 7. Specifically, one terminal of the second switching unit 9 is electrically connected to one terminal of the first division stage 11 and the second relay switch 42 via the fifth conducting wire 6e and a part of the second conducting wire 6b. Connected to. The other terminal of the second switching unit 9 is electrically connected to one terminal of the second division stage 12 and the third relay switch 43 via the sixth conducting wire 6f and a part of the third conducting wire 6c. To.

第２切替部９は、第１切替部４Ｃによる検査回路部Ｃ２Ｃの選択時においてはオフとされる。これにより、第１分割ステージ１１と第２分割ステージ１２との絶縁状態が維持され、ステージ１におけるワーク２００の載置状態を適切に検査することができる。一方、第２切替部９は、第１切替部４Ｃによるプラズマ処理回路部Ｃ１の選択時においてはオンとされる。これにより、プラズマ処理時においては、第１分割ステージ１１と第２分割ステージ１２とを導通させることができる。このために、プラズマ処理時に第２〜第５リレースイッチ４２〜４５が故障してオフとされなかった場合でも、計測部５の両端に高電圧が印加されることを抑制することができる。すなわち、計測部５が故障する可能性を低減することができる。 The second switching unit 9 is turned off when the inspection circuit unit C2C is selected by the first switching unit 4C. As a result, the insulation state between the first division stage 11 and the second division stage 12 is maintained, and the placement state of the work 200 in the stage 1 can be appropriately inspected. On the other hand, the second switching unit 9 is turned on when the plasma processing circuit unit C1 is selected by the first switching unit 4C. As a result, the first division stage 11 and the second division stage 12 can be made conductive during the plasma processing. Therefore, even if the second to fifth relay switches 42 to 45 fail to be turned off during the plasma processing, it is possible to suppress the application of a high voltage to both ends of the measuring unit 5. That is, the possibility that the measuring unit 5 will break down can be reduced.

なお、第４リレースイッチ４４および第５リレースイッチ４５は設けられなくてもよい。 The fourth relay switch 44 and the fifth relay switch 45 may not be provided.

（４−４．第４変形例）
図８は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置１００の第４変形例を示す模式図である。図８は、プラズマ処理回路部Ｃ１が選択された状態を示す。第４変形例のプラズマ処理装置１００Ｄは、第３変形例の構成と概ね同じである。ただし、第２切替部９Ｄの配置が異なる。 (4-4. Fourth modified example)
FIG. 8 is a schematic view showing a fourth modification of the plasma processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention. FIG. 8 shows a state in which the plasma processing circuit unit C1 is selected. The plasma processing device 100D of the fourth modification is substantially the same as the configuration of the third modification. However, the arrangement of the second switching unit 9D is different.

本変形例では、第２切替部９Ｄの一方の端子は、第７導線６ｇと第２導線６ｂの一部とを介して、第２リレースイッチ４２の一方の端子と第４リレースイッチ４４の一方の端子とに電気的に接続される。第２切替部９Ｄの他方の端子は、第８導線６ｈと第３導線６ｃの一部とを介して、第３リレースイッチ４３の一方の端子と第５リレースイッチ４５の一方の端子とに電気的に接続される。本変形例でも、第２切替部９Ｄは、第１切替部４Ｄによる検査回路部Ｃ２Ｄの選択時においてはオフとされ、第１切替部４Ｄによるプラズマ処理回路部Ｃ１の選択時においてはオンとされる。本変形例でも、計測部５が故障する可能性を低減することができる。 In this modification, one terminal of the second switching portion 9D is one terminal of the second relay switch 42 and one of the fourth relay switch 44 via the seventh lead wire 6g and a part of the second lead wire 6b. It is electrically connected to the terminal of. The other terminal of the second switching unit 9D is electrically connected to one terminal of the third relay switch 43 and one terminal of the fifth relay switch 45 via the eighth lead wire 6h and a part of the third lead wire 6c. Connected to. Also in this modification, the second switching unit 9D is turned off when the inspection circuit unit C2D is selected by the first switching unit 4D, and is turned on when the plasma processing circuit unit C1 is selected by the first switching unit 4D. To. Also in this modified example, the possibility that the measuring unit 5 will break down can be reduced.

（４−５．第５変形例）
図９は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置１００の第５変形例を示す模式図である。図９は、プラズマ処理回路部Ｃ１Ｅが選択された状態を示す。第５変形例のプラズマ処理装置１００Ｅは、第２分割ステージ１２が電源部３と電気的に接続可能に設けられる点が、上述の実施形態の構成と異なる。この変更により、第２分割ステージ１２と電源部３とを接続する第９導線６ｉが設けられ、第９導線６ｉの途中に第６リレースイッチ４６が配置される。第６リレースイッチ４６は、第１〜第３リレースイッチ４１〜４３とともに第１切替部４Ｅを構成する。 (4-5. Fifth modification)
FIG. 9 is a schematic view showing a fifth modification of the plasma processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention. FIG. 9 shows a state in which the plasma processing circuit unit C1E is selected. The plasma processing apparatus 100E of the fifth modification is different from the configuration of the above-described embodiment in that the second division stage 12 is provided so as to be electrically connectable to the power supply unit 3. Due to this change, a ninth lead wire 6i that connects the second division stage 12 and the power supply unit 3 is provided, and a sixth relay switch 46 is arranged in the middle of the ninth lead wire 6i. The sixth relay switch 46 constitutes the first switching unit 4E together with the first to third relay switches 41 to 43.

本変形例においては、第１分割ステージ１１および第２分割ステージ１２の検査用接続部１３は、プラズマ処理回路部Ｃ１Ｅに兼用される。プラズマ処理回路部Ｃ１Ｅの選択時において、第１リレースイッチ４１と第６リレースイッチ４６とがオンとされ、第２リレースイッチ４２と第３リレースイッチ４３とがオフとされる。検査回路部Ｃ２の選択時において、第１リレースイッチ４１と第６リレースイッチ４６とがオフとされ、第２リレースイッチ４２と第３リレースイッチ４３とがオンとされる。 In this modification, the inspection connection portion 13 of the first division stage 11 and the second division stage 12 is also used by the plasma processing circuit unit C1E. When the plasma processing circuit unit C1E is selected, the first relay switch 41 and the sixth relay switch 46 are turned on, and the second relay switch 42 and the third relay switch 43 are turned off. When the inspection circuit unit C2 is selected, the first relay switch 41 and the sixth relay switch 46 are turned off, and the second relay switch 42 and the third relay switch 43 are turned on.

本変形例においては、第１検査用接続部１３１を含む第１分割ステージ１１と、第２検査用接続部１３２を含む第２分割ステージ１２とのうち、一方の分割ステージにおいて不具合があっても、他方側の分割ステージによりプラズマ処理用の回路を構成してプラズマ処理を行うことができる。 In this modification, even if there is a defect in one of the first division stage 11 including the first inspection connection portion 131 and the second division stage 12 including the second inspection connection portion 132. , A circuit for plasma processing can be configured by the partition stage on the other side to perform plasma processing.

なお、第１分割ステージ１１および第２分割ステージ１２は、電源部３に接続可能とされる代わりに、接地可能とされてよい。 The first division stage 11 and the second division stage 12 may be grounded instead of being connectable to the power supply unit 3.

（４−６．第６変形例）
図１０および図１１は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置１００の第６変形例を示す模式図である。図１０は、プラズマ処理回路部Ｃ１Ｆが選択された状態を示す。図１１は、検査回路部Ｃ２Ｆが選択された状態を示す。 (4-6. 6th modified example)
10 and 11 are schematic views showing a sixth modification of the plasma processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention. FIG. 10 shows a state in which the plasma processing circuit unit C1F is selected. FIG. 11 shows a state in which the inspection circuit unit C2F is selected.

本変形例でも、プラズマ処理回路部Ｃ１Ｆは、ステージ１Ｆと、電極部２と、電源部３とを有する。ただし、ステージ１Ｆは、上述の実施形態と異なり、分割されていない。 Also in this modification, the plasma processing circuit unit C1F has a stage 1F, an electrode unit 2, and a power supply unit 3. However, unlike the above-described embodiment, the stage 1F is not divided.

本変形例でも、検査回路部Ｃ２Ｆは、検査用接続部１３と、計測部５とを有する。ただし、本変形例では、検査回路部Ｃ２Ｆは、第１金属プローブ１０１と第２金属プローブ１０２とを更に有する。この点、上述の実施形態と異なる。第１金属プローブ１０１は、ステージ１Ｆに対して電気的に接続可能に設けられる。第２金属プローブ１０２は、ワーク２００に対して電気的に接続可能に設けられる。 Also in this modification, the inspection circuit unit C2F has an inspection connection unit 13 and a measurement unit 5. However, in this modification, the inspection circuit unit C2F further includes a first metal probe 101 and a second metal probe 102. This point is different from the above-described embodiment. The first metal probe 101 is provided so as to be electrically connectable to the stage 1F. The second metal probe 102 is provided so as to be electrically connectable to the work 200.

計測部５が有する２つの接続端子（不図示）のうちの一方は、第１金属プローブ１０１に接続される。２つの接続端子のうちの他方は、第２金属プローブ１０２に接続される。図１１に示すように、第１金属プローブ１０１の先端をステージ１Ｆに対して接触させ、且つ、第２金属プローブ１０２の先端をワーク２００に対して接触させると、検査用抵抗を測定する抵抗計測回路が形成される。 One of the two connection terminals (not shown) of the measuring unit 5 is connected to the first metal probe 101. The other of the two connection terminals is connected to the second metal probe 102. As shown in FIG. 11, when the tip of the first metal probe 101 is brought into contact with the stage 1F and the tip of the second metal probe 102 is brought into contact with the work 200, resistance measurement for measuring inspection resistance is performed. A circuit is formed.

すなわち、本変形例でも、ステージ１Ｆにワーク２００が適切に配置されているか否かを確認することができる。本変形例では、抵抗計測回路を構成するに際して、金属プローブ１０１、１０２が利用されるために、ステージ１Ｆおよびワーク２００との接触箇所における電気抵抗を小さくすることができる。このために、検査用接続部１３とワーク２００との間の抵抗を正確に判断しやくすることができる。 That is, also in this modified example, it is possible to confirm whether or not the work 200 is properly arranged on the stage 1F. In this modification, since the metal probes 101 and 102 are used in constructing the resistance measurement circuit, the electric resistance at the contact points with the stage 1F and the work 200 can be reduced. Therefore, it is possible to accurately determine the resistance between the inspection connection portion 13 and the work 200.

本変形例でも、プラズマ処理装置１００Ｆは、検査回路部Ｃ２Ｆとプラズマ処理回路部Ｃ１Ｆとの選択を可能とする第１切替部４Ｆを有する。ただし、その構成は、上述の実施形態と異なる。第１切替部４Ｆは、ステージ１Ｆと、第１金属プローブ１０１および第２金属プローブ１０２とのうち少なくともいずれか一方を移動させる移動機構である。 Also in this modification, the plasma processing apparatus 100F has a first switching unit 4F that enables selection between the inspection circuit unit C2F and the plasma processing circuit unit C1F. However, the configuration is different from the above-described embodiment. The first switching unit 4F is a moving mechanism that moves at least one of the stage 1F and the first metal probe 101 and the second metal probe 102.

本変形例では、第１切替部４Ｆは、第１移動機構４７と第２移動機構４８とを有する。第１移動機構４７は、ステージ１Ｆを水平方向に移動可能とする公知の機構である。第２移動機構４８は、計測部５とともに第１金属プローブ１０１および第２金属プローブ１０２を上下方向に移動可能とする公知の機構である。なお、第２移動機構４８は、計測部５と、第１金属プローブ１０１および第２金属プローブ１０２とのうち、第１金属プローブ１０１および第２金属プローブ１０２のみを移動させる機構であってもよい。 In this modification, the first switching unit 4F has a first moving mechanism 47 and a second moving mechanism 48. The first moving mechanism 47 is a known mechanism that makes the stage 1F movable in the horizontal direction. The second moving mechanism 48 is a known mechanism that enables the first metal probe 101 and the second metal probe 102 to move in the vertical direction together with the measuring unit 5. The second moving mechanism 48 may be a mechanism for moving only the first metal probe 101 and the second metal probe 102 among the measuring unit 5 and the first metal probe 101 and the second metal probe 102. ..

図１０に示す状態から、第１移動機構４７によりステージ１Ｆを左方に移動させ、更に、第２移動機構４８により計測部５、第１金属プローブ１０１および第２金属プローブ１０２を下方に移動させる。これにより、検査回路部Ｃ２Ｆを選択した状態が得られる。すなわち、ワーク２００と検査用接続部１３との間の電気抵抗を含む検査用電気抵抗を計測することができる。 From the state shown in FIG. 10, the first moving mechanism 47 moves the stage 1F to the left, and the second moving mechanism 48 moves the measuring unit 5, the first metal probe 101, and the second metal probe 102 downward. .. As a result, a state in which the inspection circuit unit C2F is selected can be obtained. That is, the inspection electrical resistance including the electrical resistance between the work 200 and the inspection connection portion 13 can be measured.

一方、図１１に示す状態から、第１移動機構４７によりステージ１Ｆを右方に移動させ、更に、第２移動機構４８により計測部５、第１金属プローブ１０１および第２金属プローブ１０２を上方に移動させる。これにより、プラズマ処理回路部Ｃ１Ｆを選択した状態が得られる。プラズマ処理回路部Ｃ１Ｆが選択された状態では、ステージ１Ｆに載置されるワーク２００と、電極部２とが対向する。これにより、誘電体バリア放電により生じるプラズマＰによりワーク２００の表面をプラズマ処理することができる。 On the other hand, from the state shown in FIG. 11, the stage 1F is moved to the right by the first moving mechanism 47, and the measuring unit 5, the first metal probe 101, and the second metal probe 102 are moved upward by the second moving mechanism 48. Move. As a result, a state in which the plasma processing circuit unit C1F is selected can be obtained. When the plasma processing circuit unit C1F is selected, the work 200 placed on the stage 1F and the electrode unit 2 face each other. As a result, the surface of the work 200 can be plasma-treated by the plasma P generated by the dielectric barrier discharge.

本変形例によれば、移動機構４７、４８を利用して検査回路部Ｃ２Ｆとプラズマ処理回路部Ｃ１Ｆとの選択を行うことができ、検査回路部Ｃ２Ｆとプラズマ処理回路部Ｃ１Ｆとの切り替えを効率良く行うことができる。なお、ステージ１Ｆを移動させる移動機構４７と、金属プローブ１０１、１０２を移動させる移動機構４８とは、いずれか一方だけ設けられてもよい。この場合、各移動機構４７、４８による移動方向は、図１０および図１１に示す移動方向から適宜変更されてよい。 According to this modification, the inspection circuit unit C2F and the plasma processing circuit unit C1F can be selected by using the moving mechanisms 47 and 48, and the switching between the inspection circuit unit C2F and the plasma processing circuit unit C1F can be efficiently switched. You can do it well. Only one of the moving mechanism 47 for moving the stage 1F and the moving mechanism 48 for moving the metal probes 101 and 102 may be provided. In this case, the moving directions of the moving mechanisms 47 and 48 may be appropriately changed from the moving directions shown in FIGS. 10 and 11.

（４−７．第７変形例）
図１２は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置１００の第７変形例を示す模式図である。図１２は、プラズマ処理回路部Ｃ１が選択された状態を示す。第７変形例のプラズマ処理装置１００Ｇは、上述の実施形態（図１および図２参照）の構成と概ね同様の構成である。ただし、ステージ１Ｇの構成が上述の実施形態の構成と異なる。 (4-7. 7th modification)
FIG. 12 is a schematic view showing a seventh modification of the plasma processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention. FIG. 12 shows a state in which the plasma processing circuit unit C1 is selected. The plasma processing apparatus 100G of the seventh modification has substantially the same configuration as that of the above-described embodiment (see FIGS. 1 and 2). However, the configuration of the stage 1G is different from the configuration of the above-described embodiment.

本変形例においては、水平方向の広がる導電性のステージ１Ｇは、その上面に、互いに水平方向に間隔をあけて配置される２つの絶縁部材１４Ｇを有する。ステージ１Ｇは、２つの絶縁部材１４Ｇの一方の上面から上方に延びる導電性の第１分割ステージ１１Ｇと、２つの絶縁部材１４Ｇの他方の上面から上方に延びる導電性の第２分割ステージ１２Ｇとを有する。すなわち、本変形例においても、ステージ１Ｇは、互いに電気的に独立した第１分割ステージ１１Ｇと第２分割ステージ１２Ｇとを有する。 In this modification, the horizontally extending conductive stage 1G has two insulating members 14G on its upper surface that are arranged at intervals in the horizontal direction. The stage 1G includes a conductive first divided stage 11G extending upward from one upper surface of the two insulating members 14G and a conductive second divided stage 12G extending upward from the other upper surface of the two insulating members 14G. Have. That is, also in this modification, the stage 1G has a first division stage 11G and a second division stage 12G that are electrically independent of each other.

第１分割ステージ１１Ｇは、第１導線６ａにより、第１リレースイッチ４１を介して電源部３に接続される。第１分割ステージ１１Ｇは、第２導線６ｂにより、第２リレースイッチ４２を介して計測部５が有する２つの接続端子の一方に接続される。第２分割ステージ１２Ｇは、第３導線６ｃにより、第３リレースイッチ４３を介して計測部５が有する２つの接続端子の他方に接続される。 The first division stage 11G is connected to the power supply unit 3 by the first lead wire 6a via the first relay switch 41. The first division stage 11G is connected to one of the two connection terminals of the measurement unit 5 via the second relay switch 42 by the second lead wire 6b. The second division stage 12G is connected to the other of the two connection terminals of the measurement unit 5 via the third relay switch 43 by the third lead wire 6c.

第１分割ステージ１１Ｇおよび第２分割ステージ１２Ｇには、それぞれ、導電性の検査用接続部１３Ｇが設けられる。本変形例では、第１分割ステージ１１Ｇには、第１分割ステージ１１Ｇから上方に延びる第１検査用接続部１３１Ｇが１つ設けられる。第２分割ステージ１２Ｇには、第２分割ステージ１２Ｇから上方に延びる第２検査用接続部１３が少なくとも１つ設けられる。ワーク２００は、第１検査用接続部１３１Ｇおよび第２検査用接続部１３２Ｇに支持される。 The first division stage 11G and the second division stage 12G are each provided with a conductive inspection connection portion 13G. In this modification, the first division stage 11G is provided with one first inspection connection portion 131G extending upward from the first division stage 11G. The second division stage 12G is provided with at least one second inspection connection portion 13 extending upward from the second division stage 12G. The work 200 is supported by the first inspection connection portion 131G and the second inspection connection portion 132G.

第１分割ステージ１１Ｇは、プラズマ処理回路部Ｃ１に兼用される。第１切替部４による検査回路部Ｃ２の選択時において、計測部５が有する２つの接続端子のうちの一方は第１分割ステージ１１Ｇに接続され、２つの接続端子のうちの他方は第２分割ステージ１２Ｇに接続される。 The first division stage 11G is also used by the plasma processing circuit unit C1. When the inspection circuit unit C2 is selected by the first switching unit 4, one of the two connection terminals of the measurement unit 5 is connected to the first division stage 11G, and the other of the two connection terminals is the second division. Connected to stage 12G.

＜５．留意事項＞
本明細書中に開示されている種々の技術的特徴は、その技術的創作の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。また、本明細書中に示される複数の実施形態および変形例は可能な範囲で組み合わせて実施されてよい。 <5. Notes>
The various technical features disclosed herein can be modified in various ways without departing from the gist of the technical creation. In addition, a plurality of embodiments and modifications shown in the present specification may be combined and implemented to the extent possible.

本発明は、ワークのプラズマ処理を行う装置に利用することができる。 The present invention can be used in an apparatus for performing plasma processing of a work.

１・・・ステージ
４・・・第１切替部
５・・・計測部
７・・・制御部
９・・・第２切替部
１１・・・第１分割ステージ
１２・・・第２分割ステージ
１３・・・検査用接続部
４１・・・第１リレースイッチ
４２・・・第２リレースイッチ
４３・・・第３リレースイッチ
４４・・・第４リレースイッチ
４５・・・第５リレースイッチ
４６・・・第６リレースイッチ
４７・・・第１移動機構
４８・・・第２移動機構
１００・・・プラズマ処理装置
１０１・・・第１金属プローブ
１０２・・・第２金属プローブ
２００・・・ワーク
Ｃ１・・・プラズマ処理回路部
Ｃ２・・・検査回路部 1 ... Stage 4 ... 1st switching unit 5 ... Measuring unit 7 ... Control unit 9 ... 2nd switching unit 11 ... 1st division stage 12 ... 2nd division stage 13・ ・ ・ Inspection connection 41 ・ ・ ・ 1st relay switch 42 ・ ・ ・ 2nd relay switch 43 ・ ・ ・ 3rd relay switch 44 ・ ・ ・ 4th relay switch 45 ・ ・ ・ 5th relay switch 46 ・ ・6th relay switch 47 ... 1st moving mechanism 48 ... 2nd moving mechanism 100 ... Plasma processing device 101 ... 1st metal probe 102 ... 2nd metal probe 200 ... Work C1 ... Plasma processing circuit section C2 ... Inspection circuit section

Claims (10)

ステージに載置されたワークをプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記ワークの前記ステージへの載置状態の検査に使用される検査回路部と、
前記プラズマ処理に使用されるプラズマ処理回路部と、
前記検査回路部と前記プラズマ処理回路部との選択を可能とする第１切替部と、
を有し、
前記検査回路部は、
前記ステージに含まれ、前記ワークが前記ステージにおける前記プラズマ処理用の所定位置に載置された場合に前記ワークと電気的に接続される検査用接続部と、
前記ワークと前記検査用接続部との間の電気抵抗を含む検査用電気抵抗を計測可能に設けられる計測部と、
を有する、プラズマ処理装置。 It is a plasma processing device that plasma-processes the work placed on the stage.
An inspection circuit unit used for inspecting the mounted state of the work on the stage, and
The plasma processing circuit unit used for the plasma processing and
A first switching unit that enables selection between the inspection circuit unit and the plasma processing circuit unit, and
Have,
The inspection circuit unit
An inspection connection portion included in the stage and electrically connected to the work when the work is placed in a predetermined position for plasma processing on the stage.
A measuring unit provided so as to be able to measure the electrical resistance for inspection including the electrical resistance between the work and the connecting portion for inspection.
A plasma processing device having. 前記検査用接続部は、前記プラズマ処理回路部に兼用される、請求項１に記載のプラズマ処理装置。 The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the inspection connection unit is also used as the plasma processing circuit unit. 前記ステージは、互いに電気的に独立した第１分割ステージおよび第２分割ステージを有し、
前記第１分割ステージおよび前記第２分割ステージには、それぞれ、前記検査用接続部が設けられ、
前記第１切替部による前記検査回路部の選択時において、前記計測部が有する２つの接続端子のうちの一方は、前記第１分割ステージに電気的に接続され、前記２つの接続端子のうちの他方は、前記第２分割ステージに電気的に接続され、
前記第１分割ステージの前記検査用接続部は、前記プラズマ処理回路部に兼用される、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。 The stage has a first division stage and a second division stage that are electrically independent of each other.
The inspection connection portion is provided in each of the first division stage and the second division stage.
When the inspection circuit unit is selected by the first switching unit, one of the two connection terminals of the measurement unit is electrically connected to the first division stage, and of the two connection terminals. The other is electrically connected to the second split stage and
The plasma processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the inspection connection portion of the first partition stage is also used as the plasma processing circuit portion. 前記計測部と並列に配置され、前記第１分割ステージと前記第２分割ステージとの電気的な接続の切り替えを可能とする第２切替部を更に有する、請求項３に記載のプラズマ処理装置。 The plasma processing apparatus according to claim 3, further comprising a second switching unit which is arranged in parallel with the measuring unit and enables switching of electrical connection between the first division stage and the second division stage. 前記ステージは、互いに電気的に独立した第１分割ステージおよび第２分割ステージを有し、
前記第１分割ステージおよび前記第２分割ステージには、それぞれ、前記検査用接続部が設けられ、
前記第１切替部による前記検査回路部の選択時において、前記計測部が有する２つの接続端子のうちの一方は、前記第１分割ステージに電気的に接続され、前記２つの接続端子のうちの他方は、前記第２分割ステージに電気的に接続され、
前記第１分割ステージおよび前記第２分割ステージの前記検査用接続部は、前記プラズマ処理回路部に兼用される、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。 The stage has a first division stage and a second division stage that are electrically independent of each other.
The inspection connection portion is provided in each of the first division stage and the second division stage.
When the inspection circuit unit is selected by the first switching unit, one of the two connection terminals of the measurement unit is electrically connected to the first division stage, and of the two connection terminals. The other is electrically connected to the second split stage and
The plasma processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the first division stage and the inspection connection portion of the second division stage are also used as the plasma processing circuit portion. 前記第１切替部は、複数のリレースイッチにより構成され、
前記検査回路部は、前記検査用接続部と前記計測部との間において直列に配置される複数の前記リレースイッチを有する、請求項１から５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。 The first switching unit is composed of a plurality of relay switches.
The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the inspection circuit unit has a plurality of the relay switches arranged in series between the inspection connection unit and the measurement unit. 前記第１切替部の動作を制御する制御部を更に有する、請求項１から６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。 The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, further comprising a control unit that controls the operation of the first switching unit. 前記検査回路部は、
前記ステージに対して電気的に接続可能に設けられる第１金属プローブと、
前記ワークに対して電気的に接続可能に設けられる第２金属プローブと、
を更に有し、
前記計測部が有する２つの接続端子のうちの一方は、前記第１金属プローブに接続され、前記２つの接続端子のうちの他方は、前記第２金属プローブに接続される、請求項１に記載のプラズマ処理装置。 The inspection circuit unit
A first metal probe that is electrically connectable to the stage and
A second metal probe that is electrically connectable to the work and
With more
The first aspect of the present invention, wherein one of the two connection terminals of the measuring unit is connected to the first metal probe, and the other of the two connection terminals is connected to the second metal probe. Plasma processing equipment. 前記第１切替部は、前記ステージと、前記第１金属プローブおよび前記第２金属プローブとのうち少なくともいずれか一方を移動させる移動機構である、請求項８に記載のプラズマ処理装置。 The plasma processing apparatus according to claim 8, wherein the first switching unit is a moving mechanism for moving at least one of the stage, the first metal probe, and the second metal probe. 前記プラズマ処理は大気圧下で行われる、請求項１から９のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。 The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 9, wherein the plasma processing is performed under atmospheric pressure.
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