JP2020164959A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2020164959A5
JP2020164959A5 JP2019069342A JP2019069342A JP2020164959A5 JP 2020164959 A5 JP2020164959 A5 JP 2020164959A5 JP 2019069342 A JP2019069342 A JP 2019069342A JP 2019069342 A JP2019069342 A JP 2019069342A JP 2020164959 A5 JP2020164959 A5 JP 2020164959A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sputtering target
target member
member according
manufacturing
sputtering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019069342A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2020164959A (ja
JP7246232B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2019069342A priority Critical patent/JP7246232B2/ja
Priority claimed from JP2019069342A external-priority patent/JP7246232B2/ja
Priority to PCT/JP2019/048335 priority patent/WO2020202649A1/ja
Publication of JP2020164959A publication Critical patent/JP2020164959A/ja
Publication of JP2020164959A5 publication Critical patent/JP2020164959A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7246232B2 publication Critical patent/JP7246232B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2019069342A 2019-03-29 2019-03-29 スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット部材の製造方法、及びスパッタ膜の製造方法 Active JP7246232B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019069342A JP7246232B2 (ja) 2019-03-29 2019-03-29 スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット部材の製造方法、及びスパッタ膜の製造方法
PCT/JP2019/048335 WO2020202649A1 (ja) 2019-03-29 2019-12-10 スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット部材の製造方法、及びスパッタ膜の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019069342A JP7246232B2 (ja) 2019-03-29 2019-03-29 スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット部材の製造方法、及びスパッタ膜の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2020164959A JP2020164959A (ja) 2020-10-08
JP2020164959A5 true JP2020164959A5 (enrdf_load_stackoverflow) 2021-10-21
JP7246232B2 JP7246232B2 (ja) 2023-03-27

Family

ID=72668717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019069342A Active JP7246232B2 (ja) 2019-03-29 2019-03-29 スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット部材の製造方法、及びスパッタ膜の製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7246232B2 (enrdf_load_stackoverflow)
WO (1) WO2020202649A1 (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022056948A (ja) 2020-09-30 2022-04-11 株式会社豊田自動織機 遠心圧縮機
US11900978B1 (en) 2022-08-11 2024-02-13 Western Digital Technologies, Inc. Magnetic recording medium with underlayer configured to reduce diffusion of titanium into a magnetic recording layer
US12272392B2 (en) 2022-08-25 2025-04-08 Western Digital Technologies, Inc. Media structure with selected segregants configured to improve heat-assisted magnetic recording
US12308056B2 (en) 2023-10-12 2025-05-20 Western Digital Technologies, Inc. Magnetic recording medium with magnesium-titanium oxide (MTO) layer formed using pulsed direct current sputter deposition

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013005690A1 (ja) 2011-07-01 2013-01-10 宇部マテリアルズ株式会社 スパッタリング用MgOターゲット
CN111792919A (zh) 2013-03-29 2020-10-20 捷客斯金属株式会社 MgO-TiO烧结体靶及其制造方法
EP2884499B1 (en) 2013-12-12 2019-02-20 Samsung Electronics Co., Ltd Electrically conductive thin films and electronic device
JPWO2016088867A1 (ja) 2014-12-05 2017-09-21 宇部マテリアルズ株式会社 スパッタリング用MgOターゲット材及び薄膜
JP7183158B2 (ja) 2017-06-30 2022-12-05 三井金属鉱業株式会社 担体付き触媒及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2020164959A5 (enrdf_load_stackoverflow)
CN105143931B (zh) 光吸收层及含该层层系统、层系统制造方法及适用溅镀靶
CN102482162B (zh) 氧化锆烧结体和氧化锆烧结体的烧结用混合体、烧结前成形体以及烧结前假烧体
JP2022003168A (ja) 改善された熱安定性を示すチタン−アルミニウム−タンタルベースの被覆物
JP2020536174A5 (enrdf_load_stackoverflow)
US10811237B2 (en) Mn—Zn—O sputtering target and production method therefor
KR20170049630A (ko) 산화물 소결체 및 그 제조 방법, 스퍼터 타겟, 그리고 반도체 디바이스
JP2019509399A5 (enrdf_load_stackoverflow)
TWI441204B (zh) Ntc熱阻器用半導體陶瓷組合物
JP6015426B2 (ja) サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
WO2016121367A1 (ja) Mn-Zn-W-O系スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2020002000A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2017057109A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JPWO2004079036A1 (ja) スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2017179416A (ja) 圧電磁器スパッタリングターゲット、非鉛圧電薄膜およびそれを用いた圧電薄膜素子
JP5546143B2 (ja) 透明薄膜形成用の複合酸化物焼結体及び透明薄膜形成用材料
JPWO2014077198A1 (ja) NbO2焼結体及び該焼結体からなるスパッタリングターゲット並びにNbO2焼結体の製造方法
JP5727043B2 (ja) 導電性酸化物焼結体及びその製造方法
JP6355022B2 (ja) サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
JP5673794B2 (ja) 熱電変換材料および熱電変換素子
JP7096113B2 (ja) Mn-Ta-W-Cu-O系スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN112236403B (zh) 靶和用于制造靶的方法
CN101523627A (zh) 热电转换材料、其制造方法以及热电转换元件
TWI839332B (zh) 生產負溫度係數電阻器感應器的方法
JP6034017B2 (ja) 圧電セラミックスおよび積層型圧電素子