JP2020159923A - Circuit board, probe card, and inspection instrument - Google Patents

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Abstract

To provide a circuit board that is used for a probe card for inspection of an image pick-up device, and is excellent in strength.SOLUTION: A circuit board 100 comprises: an insulating substrate 10 that has a first surface 11 and a second surface 12 on an opposite side of the first surface 11, and through holes 13 that penetrate from the first surface 11 to the second surface 12, wherein first openings 13a in the first surface 11 are larger than second openings 13b in the second surface 12; and a circuit conductor 20 that includes connection pads 21 being arranged on a periphery of the first openings 13a on the first surface 11.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、プローブカード用の回路基板、プローブカード、および検査装置に関するものである。 The present disclosure relates to circuit boards for probe cards, probe cards, and inspection devices.

ウエハ上の撮像素子等の受光素子の電気的な検査をするためのプローブカードとして、貫通孔を有する回路基板にプローブピンを設置したものが用いられている。回路基板の貫通孔を通じて、固体撮像素子に対して検査用の光またはパターンを投影し、撮像素子が出力する信号が、検査用の光やパターンに対応したものであるか否かを確認することによって撮像素子の良否を判定している(例えば、特許文献1を参照。)。検査用の光を投影する装置として、光源からの光を平行光にするための複数のレンズおよび光の強度を調整するための絞り装置を備えたものを用いているものもある(例えば、特許文献2を参照。)。 As a probe card for electrically inspecting a light receiving element such as an image sensor on a wafer, a probe card having a probe pin installed on a circuit board having a through hole is used. Project the inspection light or pattern onto the solid-state image sensor through the through hole of the circuit board, and check whether the signal output by the image sensor corresponds to the inspection light or pattern. The quality of the image sensor is determined by (see, for example, Patent Document 1). Some devices that project light for inspection are equipped with a plurality of lenses for making the light from the light source parallel light and a diaphragm device for adjusting the intensity of the light (for example, a patent). See Reference 2).

特開2014−232794号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-232794 特開2007−208253号公報JP-A-2007-208253

しかしながら、検査用の光が平行光であっても、光源から広がるような光であっても、撮像素子(受光素子)の撮像領域(受光領域)に回路基板の影がかからないようにするには、貫通孔の大きさは撮像領域の大きさと同等以上でなければならない。ウエハ上の多数の撮像素子に対応する多数の貫通孔を有する回路基板は、剛性が低下するので、回路基板自体が破壊してしまう可能性が高くなりやすいものであった。破壊しないまでも、剛性が低下することによってウエハに対向する面にひずみが生じると、プローブピンを接続してもその高さがばらついてウエハ上の素子の電極との電気的接続の信頼性が低下してしまう可能性があった。回路基板には剛性の高いセラミック基板が用いられるが、ウエハとの熱膨張差を小さくするためにムライト等の低熱膨張セラミックスを用いると、アルミナ等に比べて強度が小さいため、貫通孔による剛性低下がより問題となる可能性があった。 However, in order to prevent the shadow of the circuit board from being cast on the image pickup region (light receiving region) of the image pickup element (light receiving element) regardless of whether the inspection light is parallel light or light that spreads from the light source. , The size of the through hole must be equal to or larger than the size of the imaging area. Since the rigidity of a circuit board having a large number of through holes corresponding to a large number of image pickup elements on a wafer is lowered, the possibility that the circuit board itself is destroyed is likely to increase. Even if it does not break, if the surface facing the wafer is distorted due to the decrease in rigidity, the height will vary even if the probe pins are connected, and the reliability of the electrical connection with the electrodes of the elements on the wafer will increase. There was a possibility that it would drop. A ceramic substrate with high rigidity is used for the circuit board, but if low thermal expansion ceramics such as mullite are used to reduce the difference in thermal expansion from the wafer, the strength is smaller than that of alumina etc., so the rigidity is reduced due to the through holes. Could be more problematic.

本開示の一つの態様による回路基板は、第1面および該第1面とは反対側の第2面を有し、前記第1面から前記第2面にかけて貫通するとともに前記第1面における第1開口が前記第2面における第2開口より大きい貫通孔を有する絶縁基板と、前記第1面における前記第1開口の周囲に配列された接続パッドを含む回路導体と、を備えている。 The circuit board according to one aspect of the present disclosure has a first surface and a second surface opposite to the first surface, penetrates from the first surface to the second surface, and has a first surface on the first surface. It includes an insulating substrate in which one opening has a through hole larger than the second opening on the second surface, and a circuit conductor including connection pads arranged around the first opening on the first surface.

本開示の一つの態様のプローブカードは、上記構成の回路基板と、前記接続パッドに電気的に接続されたプローブピンとを備えている。 The probe card of one aspect of the present disclosure includes a circuit board having the above configuration and a probe pin electrically connected to the connection pad.

本開示の一つの態様の検査装置は、上記構成のプローブカードと、前記回路基板の前記貫通孔に対応する位置に配置されている光源部とを備えている。 The inspection device of one aspect of the present disclosure includes a probe card having the above configuration and a light source unit arranged at a position corresponding to the through hole of the circuit board.

本開示の一つの態様の回路基板によれば、貫通孔はその全域が検査対象の撮像素子の撮像領域よりも大きいものではないので、貫通孔による剛性低下が抑えられ、歪みや破壊の
生じ難い回路基板となる。
According to the circuit board of one aspect of the present disclosure, since the entire area of the through hole is not larger than the image pickup region of the image pickup device to be inspected, the decrease in rigidity due to the through hole is suppressed, and distortion and destruction are unlikely to occur. It becomes a circuit board.

本開示の一つの態様のプローブカードによれば、上記構成の回路基板が含まれているので、剛性が高く確実に検査が行なえるプローブカードを提供することができる。 According to the probe card of one aspect of the present disclosure, since the circuit board having the above configuration is included, it is possible to provide a probe card having high rigidity and capable of reliable inspection.

本開示の一つの態様の検査装置によれば、上記構成のプローブカードと、回路基板の貫通孔に対応する位置に配置されている光源部とを備えていることから、撮像素子等の受光素子の検査を確実に行なうことのできるものとなる。 According to the inspection device of one aspect of the present disclosure, since the probe card having the above configuration and the light source unit arranged at a position corresponding to the through hole of the circuit board are provided, a light receiving element such as an image sensor is provided. It will be possible to carry out the inspection of.

(a)は回路基板の一例を示す平面図であり、(b)は(a)のB−B線における断面図である。(A) is a plan view showing an example of a circuit board, and (b) is a cross-sectional view taken along the line BB of (a). 図1に示す回路基板を用いたプローブカードの一例および検査装置の要部の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the probe card using the circuit board shown in FIG. 1 and an example of the main part of an inspection apparatus. 図1に示す回路基板の要部を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which shows the main part of the circuit board shown in FIG. 1 in an enlarged manner. 回路基板の他の例の要部を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which shows the main part of another example of a circuit board enlarged. 回路基板の他の例の要部を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which shows the main part of another example of a circuit board enlarged. 回路基板の他の例の要部を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which shows the main part of another example of a circuit board enlarged. 回路基板の他の例の要部を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which shows the main part of another example of a circuit board enlarged. 回路基板の他の例の要部を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which shows the main part of another example of a circuit board enlarged. 回路基板の他の例の要部を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which shows the main part of another example of a circuit board enlarged. 回路基板の他の例の要部を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which shows the main part of another example of a circuit board enlarged. 回路基板の他の例の要部を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which shows the main part of another example of a circuit board enlarged.

本開示の実施形態の回路基板、プローブカードおよび検査装置について図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、上下の区別は説明上の便宜的なものあって実際に回路基板等が使用されるときの上下を規制するものではない。図1(a)は回路基板の一例を示す平面図であり、図1(b)は図1(a)のB−B線における断面図である。図2は図1に示す回路基板を用いたプローブカードの一例および検査装置の要部の一例を示す断面図である。図3は図1に示す回路基板の要部を拡大して示す断面図である。図4〜図11は回路基板の他の例の要部を拡大して示す断面図である。なお、図3〜図11においては、回路基板を含むプローブカードを用いた検査装置でウエハ上の受光素子を検査している状態を示している。 The circuit board, probe card, and inspection device of the embodiments of the present disclosure will be described with reference to the drawings. The figures used in the following description are schematic, and the distinction between the top and bottom is for convenience of explanation and does not regulate the top and bottom when the circuit board or the like is actually used. 1 (a) is a plan view showing an example of a circuit board, and FIG. 1 (b) is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 1 (a). FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a probe card using the circuit board shown in FIG. 1 and an example of a main part of an inspection device. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of the circuit board shown in FIG. 4 to 11 are enlarged cross-sectional views showing a main part of another example of the circuit board. Note that FIGS. 3 to 11 show a state in which the light receiving element on the wafer is inspected by an inspection device using a probe card including a circuit board.

本開示の回路基板100は、絶縁基板10と接続パッド21を含む回路導体20とを備えている。絶縁基板10は、第1面11および第1面11とは反対側の第2面12を有しており、第1面11から第2面12にかけて貫通する貫通孔13を有している。貫通孔13の第1面11における第1開口13aの周囲に接続パッド21が配列されている。そして、貫通孔13の第1面11における第1開口13aが第2面12における第2開口13bより大きい。 The circuit board 100 of the present disclosure includes an insulating substrate 10 and a circuit conductor 20 including a connection pad 21. The insulating substrate 10 has a first surface 11 and a second surface 12 on the opposite side of the first surface 11, and has a through hole 13 penetrating from the first surface 11 to the second surface 12. Connection pads 21 are arranged around the first opening 13a on the first surface 11 of the through hole 13. The first opening 13a on the first surface 11 of the through hole 13 is larger than the second opening 13b on the second surface 12.

貫通孔13の縦断面形状は、図1〜図11に示すように多種多様であるが、いずれの形態であっても貫通孔13の第1開口13aは第2開口13bよりも大きい。開口の形状は特に限定されるものではないが、図1〜図11に示す例では第1開口13aおよび第2開口13bの形状は円形である。そのため、図3〜図11に示す例では、第1開口13aの大きさすなわち径をD1とし、第2開口13bの径をD2として示している。検査装置700の光源部500から発せられた検査用の光Lが、検査対象の受光素子820の受光領域821の全域に照射されるように、受光領域821と対向する第1開口13aは受光領域821の大きさと同程度以上である。受光領域821は発光素子の面積の多くの部分を
占めており、発光素子が多数配置されたウエハ800において受光領域821の占める面積は大きい。そのため、このウエハ800に対向配置される回路基板100において、受光領域821に対向する(重なる)位置にある貫通孔13の占める割合も大きくなる。本開示の回路基板100においては、貫通孔13の第1開口13aは第2開口13bよりも大きい、逆に言えば第2開口13bは第1開口13aよりも小さい。貫通孔13の全域が受光領域821と同程度以上のものではないので、貫通孔13の回路基板100に占める割合が小さくなる。よって、貫通孔13による絶縁基板10の剛性低下が抑えられ、歪みや破壊の生じ難い回路基板100となる。また、検査用の光Lは第2開口13bから第1開口13aに向かって広がるような光を用いることができるので、このような回路基板100を用いると、平行光とするための装置を備えていない、低コストの検査装置700とすることができる。
The vertical cross-sectional shape of the through hole 13 is various as shown in FIGS. 1 to 11, but in any form, the first opening 13a of the through hole 13 is larger than the second opening 13b. The shape of the opening is not particularly limited, but in the examples shown in FIGS. 1 to 11, the shapes of the first opening 13a and the second opening 13b are circular. Therefore, in the examples shown in FIGS. 3 to 11, the size or diameter of the first opening 13a is shown as D1, and the diameter of the second opening 13b is shown as D2. The first opening 13a facing the light receiving area 821 is the light receiving area so that the light L for inspection emitted from the light source unit 500 of the inspection device 700 irradiates the entire area of the light receiving area 821 of the light receiving element 820 to be inspected. It is equal to or larger than the size of 821. The light receiving region 821 occupies a large part of the area of the light emitting element, and the area occupied by the light receiving region 821 is large in the wafer 800 in which a large number of light emitting elements are arranged. Therefore, in the circuit board 100 arranged to face the wafer 800, the proportion of the through hole 13 at the position facing (overlapping) the light receiving region 821 also increases. In the circuit board 100 of the present disclosure, the first opening 13a of the through hole 13 is larger than the second opening 13b, and conversely, the second opening 13b is smaller than the first opening 13a. Since the entire area of the through hole 13 is not equal to or larger than the light receiving region 821, the ratio of the through hole 13 to the circuit board 100 becomes small. Therefore, the decrease in rigidity of the insulating substrate 10 due to the through hole 13 is suppressed, and the circuit board 100 is less likely to be distorted or broken. Further, as the light L for inspection, light that spreads from the second opening 13b toward the first opening 13a can be used. Therefore, when such a circuit board 100 is used, a device for making parallel light is provided. It can be a low-cost inspection device 700.

上述したような第1開口13aの大きさD1に対して、第2開口13bの大きさD2は、例えば、検査装置700における光源部500が当たって損傷しないような大きさにすることができる。光源部500を近くに配置することができると、光源部500を高出力のものにする必要がないのでより低コストの検査装置700とすることができる。 With respect to the size D1 of the first opening 13a as described above, the size D2 of the second opening 13b can be made, for example, a size that is not damaged by the light source portion 500 of the inspection device 700. If the light source unit 500 can be arranged close to each other, the light source unit 500 does not need to have a high output, so that the inspection device 700 can be made at a lower cost.

貫通孔13の第1開口13aの大きさD1が第2開口13bの大きさD2よりも大きい形態は、図3〜図11に示す例のように多種多様である。図11に示す例の回路基板100における貫通孔13は、第2開口13bから第1開口13aにかけて連続的に大きくなっている。このような場合は、貫通孔13の内面が屈曲した部分を有しておらず、応力が集中しやすい箇所がないので、クラックが発生する可能性等が低減されている。 The form in which the size D1 of the first opening 13a of the through hole 13 is larger than the size D2 of the second opening 13b is various as in the examples shown in FIGS. 3 to 11. The through hole 13 in the circuit board 100 of the example shown in FIG. 11 is continuously enlarged from the second opening 13b to the first opening 13a. In such a case, since the inner surface of the through hole 13 does not have a bent portion and there is no portion where stress is likely to be concentrated, the possibility of cracks or the like is reduced.

図3〜図10に示す例の回路基板100における貫通孔13は、第2開口13bから第1開口13aにかけて絶縁基板10の厚み方向の途中で大きさが大きくなっている。図9に示す例の回路基板100における貫通孔13は、絶縁基板10の厚み方向における中央より第2面12側で大きさが大きくなっている。また、図10に示す例の回路基板100における貫通孔13は、絶縁基板10の厚み方向における中央より第1面11側の部分と中央より第2面12側の部分との2か所で大きさが大きくなっている。これらに対して、図3〜図8に示す例の回路基板100における貫通孔13は、絶縁基板10の厚み方向における中央より第1面11側で大きさが大きくなっている。 The through hole 13 in the circuit board 100 of the example shown in FIGS. 3 to 10 has an increased size in the middle of the thickness direction of the insulating substrate 10 from the second opening 13b to the first opening 13a. The through hole 13 in the circuit board 100 of the example shown in FIG. 9 has a larger size on the second surface 12 side than the center in the thickness direction of the insulating substrate 10. Further, the through holes 13 in the circuit board 100 of the example shown in FIG. 10 are large in two places, a portion on the first surface 11 side from the center and a portion on the second surface 12 side from the center in the thickness direction of the insulating substrate 10. Is getting bigger. On the other hand, the through hole 13 in the circuit board 100 of the example shown in FIGS. 3 to 8 has a larger size on the first surface 11 side than the center in the thickness direction of the insulating substrate 10.

このように、貫通孔13が絶縁基板10の厚み方向における中央より第1面11側において第2開口13bより大きくなっている回路基板100とすることができる。このような貫通孔13であると、第2開口13bから第1開口13aにかけて連続的に大きくなっている図11に示す例に比較して、貫通孔13の大きさが小さい部分(D2である部分)の割合が大きくなって貫通孔13全体としてはより小さいものとなる。よって、貫通孔13による絶縁基板10の剛性低下がより抑えられ、歪みや破壊がより生じ難い回路基板100となる。 In this way, the circuit board 100 has a through hole 13 larger than the second opening 13b on the first surface 11 side of the center in the thickness direction of the insulating substrate 10. In the case of such a through hole 13, the size of the through hole 13 is smaller (D2) than in the example shown in FIG. 11, in which the through hole 13 is continuously enlarged from the second opening 13b to the first opening 13a. The ratio of the portion) becomes large, and the through hole 13 as a whole becomes smaller. Therefore, the decrease in rigidity of the insulating substrate 10 due to the through hole 13 is further suppressed, and the circuit board 100 is less likely to be distorted or broken.

図3〜図8に示す例の回路基板100における貫通孔13は、絶縁基板10の厚み方向における中央より第1面11側で大きさが大きくなっているが、形態はそれぞれ異なる。図7および図8に示す例の回路基板100における貫通孔13は、その大きさがD2からD1に連続的して徐々に大きくなっており、この部分における貫通孔13の内面は第1面11および第2面12に対して(絶縁基板10の厚み方向に対して)傾斜している。そのため、貫通孔13の大きさが小さくなり、応力が集中し難い形状となるので、強度の点ではこのような傾斜した内面を有する貫通孔13とすることができる。図3〜図6に示す例の回路基板100における貫通孔13は、径の大きさによらず、貫通孔13の内面は第1面11および第2面12に対して垂直である。このような貫通孔13は、傾斜面を有するものと比較して、光源部500からの光Lに対して位置精度よく、また容易に形成するこ
とができる。
The through holes 13 in the circuit board 100 of the examples shown in FIGS. 3 to 8 are larger in size on the first surface 11 side than the center in the thickness direction of the insulating substrate 10, but the forms are different from each other. The size of the through hole 13 in the circuit board 100 of the example shown in FIGS. 7 and 8 is continuously and gradually increased from D2 to D1, and the inner surface of the through hole 13 in this portion is the first surface 11. And it is inclined with respect to the second surface 12 (with respect to the thickness direction of the insulating substrate 10). Therefore, the size of the through hole 13 becomes small, and the shape becomes such that stress is hard to concentrate. Therefore, in terms of strength, the through hole 13 having such an inclined inner surface can be obtained. The through hole 13 in the circuit board 100 of the example shown in FIGS. 3 to 6 has an inner surface of the through hole 13 perpendicular to the first surface 11 and the second surface 12, regardless of the size of the diameter. Such a through hole 13 can be easily formed with higher positional accuracy with respect to the light L from the light source unit 500 as compared with the one having an inclined surface.

図1〜図3に示す例の回路基板100における絶縁基板10は、厚み方向において同じ材質、例えばセラミックスからなるものである。これに対して、図4〜図11に示す例の回路基板100における絶縁基板10は、第1面11側と第2面12側とで異なる材質からなるものである。第1面11側の樹脂基板部10aと第2面12側のセラミック基板部10bとで絶縁基板10が構成されている。樹脂基板部10aの外表面(上面)が第1面11であり、セラミック基板部10bの外表面(下面)が第2面12である。セラミック基板部10bの上面に樹脂基板部10aが積層されている。貫通孔13は第1面11から第2面12にかけて貫通しているので、樹脂基板部10aは第1開口13aを有し、セラミック基板部10bは第2開口13bを有している。このように、絶縁基板10が、第1開口13aを有する樹脂基板部10aと第2開口13bを有するセラミック基板部10bとの積層構造を有している回路基板100とすることができる。 The insulating substrate 10 in the circuit board 100 of the example shown in FIGS. 1 to 3 is made of the same material, for example, ceramics in the thickness direction. On the other hand, the insulating substrate 10 in the circuit board 100 of the examples shown in FIGS. 4 to 11 is made of different materials on the first surface 11 side and the second surface 12 side. The insulating substrate 10 is composed of a resin substrate portion 10a on the first surface 11 side and a ceramic substrate portion 10b on the second surface 12 side. The outer surface (upper surface) of the resin substrate portion 10a is the first surface 11, and the outer surface (lower surface) of the ceramic substrate portion 10b is the second surface 12. The resin substrate portion 10a is laminated on the upper surface of the ceramic substrate portion 10b. Since the through hole 13 penetrates from the first surface 11 to the second surface 12, the resin substrate portion 10a has the first opening 13a, and the ceramic substrate portion 10b has the second opening 13b. In this way, the insulating substrate 10 can be a circuit board 100 having a laminated structure of a resin substrate portion 10a having a first opening 13a and a ceramic substrate portion 10b having a second opening 13b.

第1開口13aの周囲に配列されている接続パッド21は、回路基板100をプローブカード300として用いる際にプローブピン200が接続される部分である。そのため、接続パッド21は、検査対象のウエハ800上の受光素子820における電極822の大きさおよび配置に対応したものであるので、大きさが小さく高密度に配置される場合が多い。ウエハ800に対向し、接続パッド21が配置されている絶縁基板10の第1面11を含む部分を樹脂基板部10aで構成すると、薄膜等を用いて配線等を形成することができるので、微細で高密度に配置された接続パッド21を含む回路導体20を備える回路基板100となる。一方、第1面11に比較して高密度な回路導体20を必要としない第2面12を含む部分をセラミック基板部10bで構成すると、多数の貫通孔13を有していても剛性の高い回路基板100となる。このように、絶縁基板10が、第1開口13aを有する樹脂基板部10aと第2開口13bを有するセラミック基板部10bとの積層構造を有している回路基板100とすると、高密度な回路導体20を備えるとともに複数の貫通孔13を備える剛性の高い回路基板100となる。 The connection pads 21 arranged around the first opening 13a are portions to which the probe pins 200 are connected when the circuit board 100 is used as the probe card 300. Therefore, since the connection pad 21 corresponds to the size and arrangement of the electrodes 822 in the light receiving element 820 on the wafer 800 to be inspected, the size is small and the connection pads 21 are often arranged at high density. When the portion including the first surface 11 of the insulating substrate 10 facing the wafer 800 and where the connection pad 21 is arranged is composed of the resin substrate portion 10a, wiring or the like can be formed by using a thin film or the like, so that it is fine. The circuit board 100 includes a circuit conductor 20 including connection pads 21 arranged at high density. On the other hand, if the portion including the second surface 12 that does not require a high-density circuit conductor 20 as compared with the first surface 11 is composed of the ceramic substrate portion 10b, the rigidity is high even if a large number of through holes 13 are provided. It becomes the circuit board 100. As described above, assuming that the insulating substrate 10 is a circuit board 100 having a laminated structure of a resin substrate portion 10a having a first opening 13a and a ceramic substrate portion 10b having a second opening 13b, a high-density circuit conductor is used. The circuit board 100 has a high rigidity and includes 20 and a plurality of through holes 13.

上記したように図4に示す例の回路基板100では、貫通孔13は絶縁基板10の厚み方向における中央より第1面11側において第2開口13bより大きくなっている。樹脂基板部10aの厚み方向において貫通孔13の大きさはD1で一定である。セラミック基板部10bの上面における開口の大きさは樹脂基板部10aにおける大きさと同じD1であり、上面と下面との間で貫通孔13の大きさがD2になっている。これに対して、図5に示す例の回路基板100では、貫通孔13の第1開口13aの大きさD1が図4に示す例よりも大きく、樹脂基板部10aにおける貫通孔13の大きさD1はセラミック基板部10bの上面における開口の大きさD1cよりも大きい。樹脂基板部10aにおける開口の大きさは上面と下面とで同じD1であるので、樹脂基板部10aの下面における開口の大きさD1はセラミック基板部10bの上面における開口の大きさD1cよりも大きいということもできる。このように、樹脂基板部10aとセラミック基板部10bとの積層界面において、樹脂基板部10aの開口はセラミック基板部10bの開口より大きい回路基板100とすることができる。このような構成にすることで、樹脂基板部10aにおける貫通孔13の内面が光源部500からの光Lから離れ、光源部500からみると樹脂基板部10aはセラミック基板部10bの陰に隠れることとなる。樹脂基板部10aの樹脂および光源部500からの光Lの種類によっては、樹脂基板部10aの樹脂が光Lによって劣化する場合がある。光Lから樹脂が離れていることでこのような劣化が発生する可能性が低減され、例えば樹脂の劣化による電気特性の変化、セラミック基板部10bからの剥がれというような不具合による信頼性が低下する可能性が低減された回路基板100となる。また、樹脂基板部10aとセラミック基板部10bとをそれぞれ別々に作製して積層する場合には、積層時の位置ずれによって樹脂基板部10aにおける貫通孔13の内面がセラミック基板部10bにおける貫通孔13の内面より内側に位置してしまう可能性が低
減される。図6に示す例の回路基板100においては樹脂基板部10aの下面の開口の大きさは第1開口13aの大きさD1と同じで、セラミック基板部10bの上面の開口の大きさD1cは第2開口13bの大きさD2と同じである。そのため、この例においても樹脂基板部10aとセラミック基板部10bとの積層界面において、樹脂基板部10aの開口はセラミック基板部10bの開口より大きく、図5に示す例と同じの効果を奏する。
As described above, in the circuit board 100 of the example shown in FIG. 4, the through hole 13 is larger than the second opening 13b on the first surface 11 side of the center in the thickness direction of the insulating substrate 10. The size of the through hole 13 is constant at D1 in the thickness direction of the resin substrate portion 10a. The size of the opening on the upper surface of the ceramic substrate portion 10b is D1 which is the same as the size of the resin substrate portion 10a, and the size of the through hole 13 between the upper surface and the lower surface is D2. On the other hand, in the circuit board 100 of the example shown in FIG. 5, the size D1 of the first opening 13a of the through hole 13 is larger than the example shown in FIG. 4, and the size D1 of the through hole 13 in the resin substrate portion 10a. Is larger than the size of the opening D1c on the upper surface of the ceramic substrate portion 10b. Since the size of the opening in the resin substrate portion 10a is the same D1 on the upper surface and the lower surface, the size D1 of the opening on the lower surface of the resin substrate portion 10a is larger than the size D1c of the opening on the upper surface of the ceramic substrate portion 10b. You can also do it. As described above, at the laminated interface between the resin substrate portion 10a and the ceramic substrate portion 10b, the opening of the resin substrate portion 10a can be a circuit board 100 larger than the opening of the ceramic substrate portion 10b. With such a configuration, the inner surface of the through hole 13 in the resin substrate portion 10a is separated from the light L from the light source portion 500, and the resin substrate portion 10a is hidden behind the ceramic substrate portion 10b when viewed from the light source portion 500. It becomes. Depending on the type of the resin of the resin substrate portion 10a and the light L from the light source portion 500, the resin of the resin substrate portion 10a may be deteriorated by the light L. Since the resin is separated from the light L, the possibility of such deterioration is reduced, and the reliability is lowered due to defects such as a change in electrical characteristics due to deterioration of the resin and peeling from the ceramic substrate portion 10b. The circuit board 100 has a reduced possibility. Further, when the resin substrate portion 10a and the ceramic substrate portion 10b are separately manufactured and laminated, the inner surface of the through hole 13 in the resin substrate portion 10a becomes the through hole 13 in the ceramic substrate portion 10b due to the positional deviation during lamination. The possibility of being located inside the inner surface of the is reduced. In the circuit board 100 of the example shown in FIG. 6, the size of the opening on the lower surface of the resin substrate portion 10a is the same as the size D1 of the first opening 13a, and the size D1c of the opening on the upper surface of the ceramic substrate portion 10b is the second. It is the same as the size D2 of the opening 13b. Therefore, also in this example, at the lamination interface between the resin substrate portion 10a and the ceramic substrate portion 10b, the opening of the resin substrate portion 10a is larger than the opening of the ceramic substrate portion 10b, and the same effect as the example shown in FIG. 5 is obtained.

このような回路基板100にプローブピン200を接続することでプローブカード300を作製することができる。すなわち、本開示のプローブカード300は、上記構成の回路基板100と、接続パッド21に電気的に接続されたプローブピン200と、を備えている。上記構成の回路基板100が含まれているので、剛性が高く確実に検査が行なえるプローブカード300となる。 The probe card 300 can be manufactured by connecting the probe pin 200 to such a circuit board 100. That is, the probe card 300 of the present disclosure includes a circuit board 100 having the above configuration and a probe pin 200 electrically connected to the connection pad 21. Since the circuit board 100 having the above configuration is included, the probe card 300 has high rigidity and can be reliably inspected.

また、本開示の検査装置700は、上記プローブカード300と、回路基板100の貫通孔13に対応する位置に配置されている光源部500とを備えている。上記構成の回路基板100を含むプローブカード300を備えていることから、撮像素子等の受光素子820の検査を確実に行なうことのできるものとなる。 Further, the inspection device 700 of the present disclosure includes the probe card 300 and a light source unit 500 arranged at a position corresponding to the through hole 13 of the circuit board 100. Since the probe card 300 including the circuit board 100 having the above configuration is provided, it is possible to reliably inspect the light receiving element 820 such as the image pickup element.

回路基板100は、貫通孔13を有する絶縁基板10と回路導体20とを備えている。絶縁基板10は、回路基板100の基本的な部分であり、複数の接続パッド21等の回路導体20を互いに電気的に絶縁させて配置するための電気絶縁体として機能する。絶縁基板10は、図1〜図3に示す例ではセラミックスからなるものである。図4〜図11に示す例では、絶縁基板10は樹脂基板部10aとセラミック基板部10bとが積層されて構成されている。図1〜図3に示す例の絶縁基板10は、セラミック基板部10bのみで構成されているということもできる。 The circuit board 100 includes an insulating substrate 10 having a through hole 13 and a circuit conductor 20. The insulating substrate 10 is a basic part of the circuit board 100, and functions as an electrical insulator for arranging circuit conductors 20 such as a plurality of connection pads 21 so as to be electrically insulated from each other. The insulating substrate 10 is made of ceramics in the examples shown in FIGS. 1 to 3. In the examples shown in FIGS. 4 to 11, the insulating substrate 10 is configured by laminating a resin substrate portion 10a and a ceramic substrate portion 10b. It can also be said that the insulating substrate 10 of the example shown in FIGS. 1 to 3 is composed of only the ceramic substrate portion 10b.

絶縁基板10は、図1に示す例では八角形板状の平板であるが、四角形等の他の多角形や円形等であってもよい。セラミック基板部10bの平面視における寸法は、例えばプローブカード300として使用されるときの、検査対象物であるウエハ800の平面視における寸法、および検査方法等に応じて適宜設定される。ウエハ800と同等の大きさであってもよいし、異なる大きさであってもよい。例えば、ウエハ800の面積の4分の1程度の領域に配置された受光素子820に対応するプローブピン200を備え、1つのウエハ800を4回に分けて検査するようなプローブカード300に用いられる回路基板100であれば、回路基板100(絶縁基板10)の大きさはウエハ800のより小さくてもよい。ウエハ800の面積の全域に配置された受光素子820に対応するプローブピン200を備えるプローブカード300に用いられる回路基板100であれば、後述する外部端子22の大きさや間隔をおおきくするために、回路基板100(絶縁基板10)の大きさはウエハ800のより大きくすることができる。 The insulating substrate 10 is an octagonal plate-shaped flat plate in the example shown in FIG. 1, but may be another polygon such as a quadrangle or a circle. The dimensions of the ceramic substrate portion 10b in a plan view are appropriately set according to, for example, the dimensions in a plan view of the wafer 800 to be inspected when used as a probe card 300, an inspection method, and the like. It may have the same size as the wafer 800, or may have a different size. For example, it is used for a probe card 300 having a probe pin 200 corresponding to a light receiving element 820 arranged in an area of about a quarter of the area of the wafer 800 and inspecting one wafer 800 in four times. If it is the circuit board 100, the size of the circuit board 100 (insulating substrate 10) may be smaller than that of the wafer 800. If the circuit board 100 is used for the probe card 300 provided with the probe pins 200 corresponding to the light receiving elements 820 arranged over the entire area of the wafer 800, the circuit board 100 is used in order to increase the size and spacing of the external terminals 22 described later. The size of the substrate 100 (insulating substrate 10) can be made larger than that of the wafer 800.

絶縁基板10は、第1面11から第2面12にかけて貫通する貫通孔13を有している。貫通孔13の大きさ、形状および配置は、検査対象のウエハ800上の受光素子820の大きさ、形状および配置に応じて設定することができる。貫通孔13の第1開口13aの大きさは、上述したように受光領域821の大きさと同じかそれ以上である。貫通孔13の縦断面形状は、例えば上述した図3〜図11に示すような形状とすることができる。貫通孔13の平面視の形状は図1に示す例では円形であるが、四角形状等の他の形状であってもよい。四角形等の多角形の場合は、角を丸めた四角形状とすることができる。これにより、貫通孔13の角を起点としたクラック等が発生し難くなり、貫通孔13による絶縁基板10の強度低下を抑えることができる。貫通孔13が円形の場合もこれと同様の効果を奏することができる。貫通孔13の配置は、ウエハ800上の受光素子820と1対1に対応するように配置されていなくてもよい。例えば、図3〜図11に示す例では、ウエハ800上に3つの受光素子820が配列されているのに対して、これに対向する回路
基板100には2つの貫通孔13が設けられている。受光素子820の配列に対して1つおきに貫通孔13が配列されており、貫通孔13の配列ピッチは受光素子820の配列ピッチの2倍である。受光素子820に対して1対1で貫通孔13を設けると、隣り合う貫通孔13同士の間隔が小さくなり、絶縁基板10の剛性および強度が低下するためである。ウエハ800上の受光素子820の間隔が大きく、絶縁基板10の強度を確保できる場合には、受光素子820の配列に1対1で対応する位置に貫通孔13を設けることができる。なお、図1に示す例の回路基板100においては、貫通孔13の横方向の配列ピッチはウエハ800上の受光素子820の配列ピッチの2倍で、縦方向の貫通孔13の配列ピッチは受光素子820の配列ピッチと同じである例を示している。ウエハ800上の受光素子820の検査を2回で行なうことができる。
The insulating substrate 10 has a through hole 13 penetrating from the first surface 11 to the second surface 12. The size, shape, and arrangement of the through hole 13 can be set according to the size, shape, and arrangement of the light receiving element 820 on the wafer 800 to be inspected. The size of the first opening 13a of the through hole 13 is the same as or larger than the size of the light receiving region 821 as described above. The vertical cross-sectional shape of the through hole 13 can be, for example, the shape shown in FIGS. 3 to 11 described above. The shape of the through hole 13 in a plan view is circular in the example shown in FIG. 1, but it may be another shape such as a quadrangular shape. In the case of a polygon such as a quadrangle, it can be a quadrangle with rounded corners. As a result, cracks or the like starting from the corners of the through holes 13 are less likely to occur, and the strength reduction of the insulating substrate 10 due to the through holes 13 can be suppressed. The same effect can be obtained when the through hole 13 is circular. The arrangement of the through holes 13 does not have to be arranged so as to correspond one-to-one with the light receiving element 820 on the wafer 800. For example, in the examples shown in FIGS. 3 to 11, three light receiving elements 820 are arranged on the wafer 800, whereas the circuit board 100 facing the three light receiving elements 820 is provided with two through holes 13. .. Every other through hole 13 is arranged with respect to the arrangement of the light receiving element 820, and the arrangement pitch of the through holes 13 is twice the arrangement pitch of the light receiving element 820. This is because if the through holes 13 are provided one-to-one with respect to the light receiving element 820, the distance between the adjacent through holes 13 becomes small, and the rigidity and strength of the insulating substrate 10 decrease. When the distance between the light receiving elements 820 on the wafer 800 is large and the strength of the insulating substrate 10 can be secured, the through holes 13 can be provided at positions corresponding to the arrangement of the light receiving elements 820 on a one-to-one basis. In the circuit board 100 of the example shown in FIG. 1, the arrangement pitch of the through holes 13 in the horizontal direction is twice the arrangement pitch of the light receiving element 820 on the wafer 800, and the arrangement pitch of the through holes 13 in the vertical direction receives light. An example showing the same arrangement pitch as the element 820 is shown. The inspection of the light receiving element 820 on the wafer 800 can be performed twice.

絶縁基板10の第1面11における貫通孔13の第1開口13aの周囲に接続パッド21が配列されている。絶縁基板10の第2面12には外部端子22が設けられており、接続パッド21と外部端子22とは、絶縁基板10の内部に設けられている内部導体23によって電気的に接続されている。接続パッド21は、回路基板100をプローブカード300として用いる場合にプローブピン200が接続される部分である。接続パッド21は、検査対象の受光素子820の電極822に対応する数および配列で、受光素子820の受光領域821に対応する位置にある貫通孔13の周囲に設けられている。図1に示す例では、2列の接続パッド21で1つの貫通孔13を挟むように配置されているが、受光素子820の電極822の配列に応じて貫通孔13を囲むように配列されていてもよい。外部端子22は、プローブカード300を検査装置700の回路に接続するための電極である。内部導体23は絶縁基板10を厚み方向に貫通する貫通導体と面方向に伸びる配線層とを有している。内部導体23の配線層は、信号を伝送する線状の線路導体および接地導体や電源導体等の大面積のいわゆるベタ状導体を含んでいる。プローブカード300を用いた検査においては、ウエハ800上の受光素子820から、受光素子820の電極822に接触されたプローブピン200、回路基板100の接続パッド21、内部導体23および外部端子22を通して検査装置700の回路へと信号が伝送される。第1面11上の接続パッド21の大きさおよび間隔は受光素子820の電極822に対応しているので微細なものである。絶縁基板10内において内部導体23によって展開されて、第2面12上の外部端子22の大きさおよび間隔は接続パッド21のそれらより大きいものとなる。そのため、プローブカード300(回路基板100)によって受光素子820の微細な電極822を検査装置700の回路に電気的に接続しやすくなる。 The connection pads 21 are arranged around the first opening 13a of the through hole 13 on the first surface 11 of the insulating substrate 10. An external terminal 22 is provided on the second surface 12 of the insulating substrate 10, and the connection pad 21 and the external terminal 22 are electrically connected by an internal conductor 23 provided inside the insulating substrate 10. .. The connection pad 21 is a portion to which the probe pin 200 is connected when the circuit board 100 is used as the probe card 300. The connection pads 21 have a number and arrangement corresponding to the electrodes 822 of the light receiving element 820 to be inspected, and are provided around the through holes 13 at positions corresponding to the light receiving region 821 of the light receiving element 820. In the example shown in FIG. 1, two rows of connection pads 21 are arranged so as to sandwich one through hole 13, but they are arranged so as to surround the through hole 13 according to the arrangement of the electrodes 822 of the light receiving element 820. You may. The external terminal 22 is an electrode for connecting the probe card 300 to the circuit of the inspection device 700. The inner conductor 23 has a through conductor penetrating the insulating substrate 10 in the thickness direction and a wiring layer extending in the surface direction. The wiring layer of the inner conductor 23 includes a linear line conductor for transmitting a signal and a large-area so-called solid conductor such as a ground conductor and a power supply conductor. In the inspection using the probe card 300, the inspection is performed from the light receiving element 820 on the wafer 800 through the probe pin 200 in contact with the electrode 822 of the light receiving element 820, the connection pad 21 of the circuit board 100, the internal conductor 23, and the external terminal 22. The signal is transmitted to the circuit of the device 700. The size and spacing of the connection pads 21 on the first surface 11 are fine because they correspond to the electrodes 822 of the light receiving element 820. Deployed by the internal conductor 23 within the insulating substrate 10, the size and spacing of the external terminals 22 on the second surface 12 are larger than those of the connection pad 21. Therefore, the probe card 300 (circuit board 100) makes it easy to electrically connect the fine electrodes 822 of the light receiving element 820 to the circuit of the inspection device 700.

絶縁基板10である、あるいは絶縁基板10の第2面12側の部分であるセラミック基板部10bは、例えば、互いに積層された複数のセラミック絶縁層を含んでいる。セラミック基板部10bは、例えば回路基板100の全体の剛性を確保する機能を有している。セラミック基板部10bによって回路基板100としての剛性が高められ、例えばプローブカード300として用いられて検査のためにウエハ800に押し付けられるときの変形が抑制されている。 The ceramic substrate portion 10b, which is the insulating substrate 10 or is a portion of the insulating substrate 10 on the second surface 12 side, includes, for example, a plurality of ceramic insulating layers laminated with each other. The ceramic substrate portion 10b has a function of ensuring the overall rigidity of the circuit board 100, for example. The ceramic substrate portion 10b enhances the rigidity of the circuit board 100, and suppresses deformation when it is used as a probe card 300, for example, and pressed against a wafer 800 for inspection.

セラミック基板部10b(セラミック絶縁層)は、例えば酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体、ムライト質焼結体またはガラスセラミックス等のセラミック焼結体からなる。ムライト質焼結体およびガラスセラミックスの一部は上記の他のセラミック焼結体と比較して熱膨張係数が小さく、検査対象のウエハ800の基体810のシリコンの熱膨張係数に近い熱膨張系を有している。そのため、プローブカード300として検査に用いた際に、検査時の環境の温度によってウエハ800上の電極822とプローブピン200との位置ずれが発生し難い。そのため、検査精度に優れたプローブカード300および検査装置700を提供することができる。一方で、ムライト質焼結体およびガラスセラミックスの一部は上記の他のセラミック焼結体と比較して強度が小さい。そのため、絶縁基板10に設ける貫通孔13を上記したような構成にすること
がより有効になる。
The ceramic substrate portion 10b (ceramic insulating layer) is made of, for example, a ceramic sintered body such as an aluminum oxide sintered body, an aluminum nitrided sintered body, a silicon carbide sintered body, a mulite sintered body, or a glass ceramic. Some of the mullite sintered bodies and glass ceramics have a smaller coefficient of thermal expansion than the other ceramic sintered bodies described above, and a thermal expansion system close to the coefficient of thermal expansion of silicon of the substrate 810 of the wafer 800 to be inspected. Have. Therefore, when the probe card 300 is used for inspection, the position of the electrode 822 on the wafer 800 and the probe pin 200 are unlikely to shift due to the temperature of the environment at the time of inspection. Therefore, it is possible to provide the probe card 300 and the inspection device 700 having excellent inspection accuracy. On the other hand, some of the mullite sintered bodies and glass ceramics have lower strength than the other ceramic sintered bodies described above. Therefore, it is more effective to configure the through hole 13 provided in the insulating substrate 10 as described above.

セラミック基板部10bの厚み、セラミック絶縁層の層数は、検査対象の受光素子820の電極822の数、電気特性に応じた回路導体20の数および配置等の電気的な条件、セラミック基板部10bに要求される剛性および経済性等の種々の条件に応じて適宜設定される。 The thickness of the ceramic substrate portion 10b, the number of layers of the ceramic insulating layer, the number of electrodes 822 of the light receiving element 820 to be inspected, the number and arrangement of circuit conductors 20 according to the electrical characteristics, and other electrical conditions, the ceramic substrate portion 10b It is appropriately set according to various conditions such as rigidity and economic efficiency required for the above.

セラミック基板部10bは、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。まず、酸化アルミニウム粉末および焼結助剤成分となる酸化ケイ素等の粉末を主成分とする原料粉末を、有機溶剤、バインダと混練してスラリーとするとともに、このスラリーをドクターブレード法またはリップコータ法等の成形方法でシート状に成形してセラミック絶縁層となるセラミックグリーンシート(以下、グリーンシートともいう)を作製する。次に、複数のグリーンシートを積層して積層体を作製する。その後、この積層体を約1300〜1600℃程度の温度で焼成することによってセラミック基板部10bを製作することができる。 The ceramic substrate portion 10b can be manufactured as follows, for example, when it is made of an aluminum oxide sintered body. First, a raw material powder containing aluminum oxide powder and a powder such as silicon oxide as a sintering aid component as a main component is kneaded with an organic solvent and a binder to form a slurry, and this slurry is used by a doctor blade method, a lip coater method, etc. A ceramic green sheet (hereinafter, also referred to as a green sheet) to be a ceramic insulating layer is produced by molding into a sheet by the molding method of. Next, a plurality of green sheets are laminated to prepare a laminated body. After that, the ceramic substrate portion 10b can be manufactured by firing this laminate at a temperature of about 1300 to 1600 ° C.

セラミック基板部10bにおける回路導体20のうちの内部導体23および外部端子22は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の金属材料、もしくは、これらの金属材料の合金材料を導体成分として含むものである。例えば、これらの金属材料(合金材料)をセラミックグリーンシートの焼成と同時に焼結させて、セラミック基板部10bの表面および内部にメタライズ導体として形成されている。例えば、焼結性を高めるためあるいはセラミックとの接合強度を高めるために、ガラスやセラミックス等の無垢成分を含むものとすることもできる。 The inner conductor 23 and the outer terminal 22 of the circuit conductor 20 in the ceramic substrate portion 10b include, for example, a metal material such as tungsten, molybdenum, manganese or copper, or an alloy material of these metal materials as a conductor component. For example, these metal materials (alloy materials) are sintered at the same time as the ceramic green sheet is fired to form metallized conductors on the surface and inside of the ceramic substrate portion 10b. For example, it may contain a solid component such as glass or ceramics in order to enhance the sinterability or the bonding strength with ceramics.

回路導体20の内部導体23の配線層および外部端子22は、例えば、タングステンのメタライズ層である場合には、タングステンの粉末を有機溶剤および有機バインダと混合して作製した金属ペーストをセラミック絶縁層となる上記グリーンシートの所定位置にスクリーン印刷法等の方法で印刷してグリーンシートとともに焼成する方法で形成することができる。また、内部導体23の貫通導体は、上記の金属ペーストの印刷に先駆けてグリーンシートの所定の位置に貫通孔を設け、上記と同様の金属ペーストをこの貫通孔に充填しておくことで形成することができる。 When the wiring layer and the outer terminal 22 of the inner conductor 23 of the circuit conductor 20 are, for example, a tungsten metallized layer, a metal paste prepared by mixing tungsten powder with an organic solvent and an organic binder is used as a ceramic insulating layer. It can be formed by printing at a predetermined position on the green sheet by a method such as a screen printing method and firing together with the green sheet. Further, the through conductor of the inner conductor 23 is formed by providing a through hole at a predetermined position on the green sheet prior to printing the metal paste and filling the through hole with the same metal paste as described above. be able to.

絶縁基板10がセラミック基板部10bのみからなる場合の接続パッド21は、上記のようなメタライズ導体で形成することもできるが、薄膜導体で形成することもできる。薄膜導体で形成することで上記メタライズ導体に比較して微細な接続パッド21を容易に形成することができる。この場合のセラミックスからなる絶縁基板10の第1面11は研磨によって平坦にしておくことで精度よく形成することができる。 The connection pad 21 in the case where the insulating substrate 10 is composed of only the ceramic substrate portion 10b can be formed of the metallized conductor as described above, but can also be formed of a thin film conductor. By forming with a thin film conductor, it is possible to easily form a fine connection pad 21 as compared with the metallized conductor. In this case, the first surface 11 of the insulating substrate 10 made of ceramics can be formed with high accuracy by flattening it by polishing.

セラミック基板部10b上の接続パッド21は、例えば以下のようにして作製することができる。例えばスパッタ法等の薄膜形成法を用いて、まず、メタライズ導体の外部端子22および内部導体23を有するセラミック基板部10bの上面の全面に0.1〜3μm程度のチタンやクロム等の接合金属層を形成する。次に、この接合金属層の全面に2〜10μm程度の銅等の主導体層を形成して、導電性薄膜層を形成する。必要に応じてバリア層等を形成してもよい。そして、フォトリソグラフィーにより導電性薄膜層をパターン加工することで薄膜の接続パッド21を形成することができる。接続パッド21の表面には、1〜10μm程度のニッケル膜および0.1〜3μm程度の金膜を順に形成して、接続パッド21の表面を保護するとともに、ろう材やはんだ等の接合性を高めることができる。ニッケル膜および金膜は、電解めっきによるめっき膜あるいは薄膜で形成することができる。 The connection pad 21 on the ceramic substrate portion 10b can be manufactured, for example, as follows. For example, using a thin film forming method such as a sputtering method, first, a bonded metal layer of about 0.1 to 3 μm of titanium, chromium, or the like is formed on the entire upper surface of the ceramic substrate portion 10b having the outer terminal 22 and the inner conductor 23 of the metallized conductor. To form. Next, a main conductor layer such as copper having a size of about 2 to 10 μm is formed on the entire surface of the bonded metal layer to form a conductive thin film layer. A barrier layer or the like may be formed if necessary. Then, the thin film connection pad 21 can be formed by patterning the conductive thin film layer by photolithography. A nickel film of about 1 to 10 μm and a gold film of about 0.1 to 3 μm are sequentially formed on the surface of the connection pad 21 to protect the surface of the connection pad 21 and to improve the bondability of brazing material, solder, etc. Can be enhanced. The nickel film and the gold film can be formed of a plating film or a thin film obtained by electrolytic plating.

絶縁基板10が、図4〜図11に示す例のように樹脂基板部10aとセラミック基板部10bとが積層されて構成されている場合は、上記のようなセラミック基板部10bと以下に説明する樹脂基板部10aとを積層して作製することができる。 When the insulating substrate 10 is configured by laminating the resin substrate portion 10a and the ceramic substrate portion 10b as in the examples shown in FIGS. 4 to 11, the ceramic substrate portion 10b as described above and the ceramic substrate portion 10b will be described below. It can be manufactured by laminating the resin substrate portion 10a.

樹脂基板部10aは、受光素子820の電極822に対応した微細な接続パッド21を含む微細で高密度な回路導体20をセラミック基板部10b上に設けるための部分である。セラミック基板部10bの回路導体20は、外部の測定装置等に接続されるのでそのパターンは微細なものではない。接続パッド21とセラミック基板部10bの回路導体20とを接続するために、樹脂基板部10aには薄膜導体による内部導体23が設けられている。樹脂基板部10aのうち接続パッド21が形成されている最上層の樹脂層は、その表面粗さがセラミック基板部10bの表面粗さに比べて小さいため、薄膜形成技術によって微細なパターンで接続パッド21を形成することが容易である。 The resin substrate portion 10a is a portion for providing a fine and high-density circuit conductor 20 including a fine connection pad 21 corresponding to the electrode 822 of the light receiving element 820 on the ceramic substrate portion 10b. Since the circuit conductor 20 of the ceramic substrate portion 10b is connected to an external measuring device or the like, the pattern is not fine. In order to connect the connection pad 21 and the circuit conductor 20 of the ceramic substrate portion 10b, the resin substrate portion 10a is provided with an internal conductor 23 made of a thin film conductor. Since the surface roughness of the uppermost resin layer on which the connection pad 21 is formed in the resin substrate portion 10a is smaller than the surface roughness of the ceramic substrate portion 10b, the connection pad is formed in a fine pattern by the thin film forming technique. It is easy to form 21.

樹脂基板部10aは、平面視でセラミック基板部10bと同形状であり、セラミック基板部10bとその上に設けられた樹脂基板部10aとで一体の平板状の回路基板100が構成される。 The resin substrate portion 10a has the same shape as the ceramic substrate portion 10b in a plan view, and the ceramic substrate portion 10b and the resin substrate portion 10a provided on the ceramic substrate portion 10b form an integral flat circuit board 100.

樹脂基板部10aは、積層された複数の樹脂層を含んでいる。樹脂層の数および厚みは検査対象の受光素子820の電極822の数等によって設定され、セラミック基板部10bの回路導体20に接続できるように展開できるように設定される。 The resin substrate portion 10a includes a plurality of laminated resin layers. The number and thickness of the resin layer are set by the number of electrodes 822 of the light receiving element 820 to be inspected, and are set so that they can be developed so as to be connected to the circuit conductor 20 of the ceramic substrate portion 10b.

樹脂基板部10aの樹脂層は、例えば、ポリイミド樹脂,ポリアミドイミド樹脂,シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂,シロキサン変性ポリイミド樹脂,ポリフェニレンサルファイド樹脂,全芳香族ポリエステル樹脂,BCB(ベンゾシクロブテン)樹脂,エポキシ樹脂,ビスマレイミドトリアジン樹脂,ポリフェニレンエーテル樹脂,ポリキノリン樹脂,フッ素樹脂等の絶縁樹脂から成るものである。 The resin layer of the resin substrate portion 10a includes, for example, a polyimide resin, a polyamideimide resin, a siloxane-modified polyamideimide resin, a siloxane-modified polyimide resin, a polyphenylene sulfide resin, a total aromatic polyester resin, a BCB (benzocyclobutene) resin, and an epoxy resin. It is composed of an insulating resin such as bismaleimide triazine resin, polyimideene ether resin, polyquinoline resin, and fluororesin.

樹脂層は、成形性や熱膨張係数の調整のためにフィラーをふくむものであってもよい。フィラーとしては、例えば、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、アルミナ、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、酸化チタン、マイカ、ノイブルグ珪土、有機ベントナイト、リン酸ジルコニウム等の無機フィラーが挙げられる。これらの1種を単独で、または2種以上を適宜組み合わせて用いることができる。 The resin layer may contain a filler for adjusting the moldability and the coefficient of thermal expansion. Examples of the filler include barium sulfate, barium titanate, amorphous silica, crystalline silica, fused silica, spherical silica, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, silicon nitride, and aluminum nitride. Examples thereof include inorganic fillers such as boron nitride, alumina, magnesium oxide, magnesium hydroxide, titanium oxide, mica, Neuburg silica soil, organic bentonite, and zirconium phosphate. One of these may be used alone, or two or more thereof may be used in combination as appropriate.

樹脂基板部10aは、例えば、複数のフィルム状の樹脂層を積層して接着することで形成する方法、液状の前駆体樹脂を塗布して硬化させて樹脂層を形成し、その上に液状の前駆体液状樹脂で樹脂層を形成する工程を繰り返す方法で作製することができる。フィルム状の樹脂層を積層する方法の方がより効率的である。 The resin substrate portion 10a is formed, for example, by laminating and adhering a plurality of film-shaped resin layers, by applying a liquid precursor resin and curing it to form a resin layer, and then forming a liquid resin layer on the resin substrate portion 10a. It can be produced by a method of repeating the step of forming a resin layer with a precursor liquid resin. The method of laminating a film-like resin layer is more efficient.

樹脂基板部10aの回路導体20は、絶縁基板10の第1面11である樹脂基板部10aの上面に設けられた接続パッド21と樹脂基板部10aの内部に設けられた内部導体23とを有している。この内部導体23は、複数の樹脂層の層間に設けられており、主に平面的に回路を形成する薄膜配線層と、上下の薄膜配線層を電気的に接続する薄膜貫通導体とを有している。樹脂基板部10aの最下層の樹脂層を貫通して樹脂基板部10aの下面に端面が露出する薄膜貫通導体は、セラミック基板部10bの上面の配線層と電気的に接続している。これにより、樹脂基板部10aに設けられた回路導体20(接続パッド21および内部導体23)とセラミック基板部10bに設けられた回路導体20(内部導体23および外部端子22)とが電気的に接続されるようになる。 The circuit conductor 20 of the resin substrate portion 10a includes a connection pad 21 provided on the upper surface of the resin substrate portion 10a, which is the first surface 11 of the insulating substrate 10, and an internal conductor 23 provided inside the resin substrate portion 10a. are doing. The inner conductor 23 is provided between layers of a plurality of resin layers, and has a thin film wiring layer that mainly forms a circuit in a plane and a thin film through conductor that electrically connects the upper and lower thin film wiring layers. ing. The thin film penetrating conductor that penetrates the lowermost resin layer of the resin substrate portion 10a and exposes the end surface to the lower surface of the resin substrate portion 10a is electrically connected to the wiring layer on the upper surface of the ceramic substrate portion 10b. As a result, the circuit conductor 20 (connection pad 21 and internal conductor 23) provided on the resin substrate portion 10a and the circuit conductor 20 (internal conductor 23 and external terminal 22) provided on the ceramic substrate portion 10b are electrically connected. Will be done.

樹脂基板部10aの接続パッド21および内部導体23の形成は、例えば、以下のようにすればよい。まず、薄膜貫通導体および薄膜配線層に対応する開口を有するレジスト膜を樹脂層上に形成するとともに、エッチング加工またはレーザー加工することによって薄膜配線層に対応する凹部、および薄膜貫通導体に対応する貫通孔を形成する。薄膜配線層に対応する凹部は必ずしも必要ではないが、凹部を設けることで薄膜配線と樹脂層との接合信頼性を高めることができる。次に、蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法等の薄膜形成法により、樹脂層の凹部および貫通孔内に、例えばクロム(Cr)−銅(Cu)合金層やチタン(Ti)−銅(Cu)合金層から成る下地導体層を形成する。次に、めっき等で銅や金等の電気抵抗の小さい金属で凹部および貫通孔を埋めてレジストを剥離することで薄膜貫通導体および薄膜配線層を形成することができる。 The connection pad 21 and the internal conductor 23 of the resin substrate portion 10a may be formed, for example, as follows. First, a resist film having openings corresponding to the thin film penetrating conductor and the thin film wiring layer is formed on the resin layer, and a recess corresponding to the thin film wiring layer and a penetration corresponding to the thin film penetrating conductor are formed by etching or laser processing. Form a hole. The recess corresponding to the thin film wiring layer is not always necessary, but by providing the recess, the joining reliability between the thin film wiring and the resin layer can be improved. Next, by a thin film forming method such as a thin film deposition method, a sputtering method, or an ion plating method, for example, a chromium (Cr) -copper (Cu) alloy layer or titanium (Ti) -copper ( Cu) A base conductor layer composed of an alloy layer is formed. Next, the thin film through conductor and the thin film wiring layer can be formed by filling the recesses and through holes with a metal having a small electric resistance such as copper or gold by plating or the like and peeling off the resist.

樹脂基板部10aとセラミック基板部10bとの積層構造にする方法は、例えば、樹脂基板部10aを作製しておいてセラミック基板部10bの上面に接着する方法、あるいはセラミック基板部10bの上面に樹脂層を1層ずつ積層していく方法がある。樹脂層を1層ずつ積層していく方法は、上述したフィルム状の樹脂を用いる方法、液状の前駆体樹脂を用いる方法いずれでもよい。樹脂基板部10aを作製しておいて複数の樹脂層(および回路導体20)を一括してセラミック基板部10bの上面に接着する方法はより効率的である。 The method of forming a laminated structure of the resin substrate portion 10a and the ceramic substrate portion 10b is, for example, a method of producing the resin substrate portion 10a and adhering it to the upper surface of the ceramic substrate portion 10b, or a method of adhering the resin to the upper surface of the ceramic substrate portion 10b. There is a method of stacking layers one by one. The method of laminating the resin layers one by one may be either a method using the film-like resin described above or a method using a liquid precursor resin. It is more efficient to prepare the resin substrate portion 10a and bond the plurality of resin layers (and the circuit conductor 20) to the upper surface of the ceramic substrate portion 10b at once.

このようにして作製された回路基板100の接続パッド21にプローブピン200を取り付けることでプローブカード300となる。プローブピン200は接続パッド21に機械的に接合されるとともに電気的に接続されている。 By attaching the probe pin 200 to the connection pad 21 of the circuit board 100 produced in this manner, the probe card 300 is formed. The probe pin 200 is mechanically and electrically connected to the connection pad 21.

プローブピン200は、例えば、ニッケルやタングステンなどの金属からなるものである。プローブピン200がニッケルからなる場合であれば、例えば、以下のようにして作製される。まず、シリコン基板の1面にエッチングで複数のプローブピンの雌型を形成する。雌型は回路基板100の接続パッド21の配置に対応するように配置されている。次に、シリコン基板の雌型を形成した面にめっき法を用いてニッケルから成る金属を被着させて、さらに雌型をニッケルで埋め込む。この雌型に埋め込まれたニッケル以外の、シリコン基板の上面に被着しているニッケルをエッチング法等の加工を用いて除去して、ニッケル製プローブピンが埋設されたシリコン基板を作製する。このシリコン基板に埋設されたニッケル製プローブピンを回路基板100の接続パッド21にはんだ等の導電性の接合材で接合する。そして、シリコン基板を水酸化カリウム水溶液で除去することによって、回路基板100の接続パッド21にプローブピン200が接合されたプローブカード300が得られる。 The probe pin 200 is made of, for example, a metal such as nickel or tungsten. If the probe pin 200 is made of nickel, it is produced, for example, as follows. First, female molds of a plurality of probe pins are formed on one surface of a silicon substrate by etching. The female mold is arranged so as to correspond to the arrangement of the connection pad 21 of the circuit board 100. Next, a metal made of nickel is adhered to the surface of the silicon substrate on which the female mold is formed by a plating method, and the female mold is further embedded with nickel. Nickel adhered to the upper surface of the silicon substrate other than the nickel embedded in the female mold is removed by processing such as an etching method to prepare a silicon substrate in which nickel probe pins are embedded. The nickel probe pin embedded in the silicon substrate is joined to the connection pad 21 of the circuit board 100 with a conductive bonding material such as solder. Then, by removing the silicon substrate with an aqueous potassium hydroxide solution, a probe card 300 in which the probe pin 200 is bonded to the connection pad 21 of the circuit board 100 can be obtained.

検査装置700は、上記のようなプローブカード300と、回路基板100の貫通孔13に対応する位置に配置されている光源部500とを備えている。図2に示す例の検査装置においては、検査装置700は検査の制御等を行なう制御部(不図示)を備えており、プローブカード300と制御部の回路とを電気的に接続する接続基板400を備えている。接続基板400の配線401に電気的に接続されている接続端子402とプローブカード300(の回路基板100)の外部端子22とが電気的に接続されている。この例における接続端子402はバネ性を有する金属製であり、接続基板400をプローブカード300に近接させることで接続端子402が外部端子22に押し付けられて電気的な接続がなされている。 The inspection device 700 includes a probe card 300 as described above, and a light source unit 500 arranged at a position corresponding to a through hole 13 of the circuit board 100. In the inspection device of the example shown in FIG. 2, the inspection device 700 includes a control unit (not shown) that controls inspection and the like, and a connection board 400 that electrically connects the probe card 300 and the circuit of the control unit. It has. The connection terminal 402 that is electrically connected to the wiring 401 of the connection board 400 and the external terminal 22 of the probe card 300 (the circuit board 100) are electrically connected. The connection terminal 402 in this example is made of metal having a spring property, and by bringing the connection board 400 close to the probe card 300, the connection terminal 402 is pressed against the external terminal 22 to make an electrical connection.

図2に示す例では、検査用の光を照射するための光源部500は接続基板400の接続端子402と同じ面に設けられている。この例における光源部500は発光素子等を備えており、回路基板100の貫通孔13の第2開口13bのそれぞれに対応する位置に設けられている。実際に光を発する部分は他に配置して、光ファイバー等で伝送した光信号を
放射する部分だけを貫通孔13に対応する位置に配置した光源部500とすることもできる。
In the example shown in FIG. 2, the light source unit 500 for irradiating the inspection light is provided on the same surface as the connection terminal 402 of the connection board 400. The light source unit 500 in this example includes a light emitting element or the like, and is provided at a position corresponding to each of the second openings 13b of the through hole 13 of the circuit board 100. A portion that actually emits light may be arranged elsewhere, and only a portion that emits an optical signal transmitted by an optical fiber or the like may be arranged as a light source unit 500 at a position corresponding to the through hole 13.

検査装置700において、光源部500もまた制御部に接続されており、検査時には制御部からの制御によって検査用の光をプローブカード300(回路基板100)の貫通孔13を通して光源部500からウエハ800上の受光素子820(の受光領域821)に照射する。検査用の光が照射され、受光素子820の受光領域821で光が電気信号に変換される。この電気信号は、受光素子820の電極822、プローブピン200、回路基板100の回路導体20、接続基板400の接続端子402および配線401を通して制御部および処理部(不図示)に伝送されて検査結果として処理される。 In the inspection device 700, the light source unit 500 is also connected to the control unit, and at the time of inspection, the light for inspection is transmitted from the light source unit 500 to the wafer 800 through the through hole 13 of the probe card 300 (circuit board 100) under the control of the control unit. The upper light receiving element 820 (light receiving region 821) is irradiated. The light for inspection is irradiated, and the light is converted into an electric signal in the light receiving region 821 of the light receiving element 820. This electric signal is transmitted to the control unit and the processing unit (not shown) through the electrode 822 of the light receiving element 820, the probe pin 200, the circuit conductor 20 of the circuit board 100, the connection terminal 402 of the connection board 400, and the wiring 401, and the inspection result. Is processed as.

このような検査装置700によって検査されるのは、ウエハ800上に形成された複数の受光素子820である。受光素子820は受光領域821で受光した光を電気信号に変換して出力するものであり、例えば、主としてCCD(Charge Coupled Device)あるい
はCMOS(Complementary metal-oxide-semiconductor)等の撮像素子である。
What is inspected by such an inspection device 700 is a plurality of light receiving elements 820 formed on the wafer 800. The light receiving element 820 converts the light received in the light receiving region 821 into an electric signal and outputs the light, and is, for example, an image pickup device such as a CCD (Charge Coupled Device) or a CMOS (Complementary metal-oxide-semiconductor).

本開示の回路基板100、プローブカード300および検査装置700は、上述した具体例に限られるものではなく、発明の主旨を逸脱しない範囲で適宜変更することができる。 The circuit board 100, the probe card 300, and the inspection device 700 of the present disclosure are not limited to the above-mentioned specific examples, and can be appropriately changed without departing from the gist of the invention.

10・・・絶縁基板
10a・・・樹脂基板部
10b・・・セラミック基板部
11・・・・第1面
12・・・・第2面
13・・・・貫通孔
13a・・・・第1開口
13b・・・・第2開口
20・・・回路導体
21・・・・接続パッド
22・・・・外部端子
23・・・・内部導体
100・・・回路基板
200・・・プローブピン
300・・・プローブカード
400・・・接続基板
401・・・・配線
402・・・・接続端子
500・・・・光源部
700・・・検査装置
800・・・ウエハ
810・・・基体
820・・・受光素子
821・・・受光領域
822・・・電極
10 ... Insulation substrate 10a ... Resin substrate portion 10b ... Ceramic substrate portion 11 ... First surface 12 ... Second surface 13 ... Through hole 13a ... First Opening 13b ... Second opening 20 ... Circuit conductor 21 ... Connection pad 22 ... External terminal 23 ... Internal conductor 100 ... Circuit board 200 ... Probe pin 300 ...・ ・ Probe card 400 ・ ・ ・ Connection board 401 ・ ・ ・ ・ Wiring 402 ・ ・ ・ ・ Connection terminal 500 ・ ・ ・ ・ Light source 700 ・ ・ ・ Inspection device 800 ・ ・ ・ Wafer 810 ・ ・ ・ Base 820 ・ ・ ・Light receiving element 821 ... Light receiving area 822 ... Electrode

Claims (6)

第1面および該第1面とは反対側の第2面を有し、前記第1面から前記第2面にかけて貫通するとともに前記第1面における第1開口が前記第2面における第2開口より大きい貫通孔を有する絶縁基板と、
前記第1面における前記第1開口の周囲に配列された接続パッドを含む回路導体と、
を備えている回路基板。
It has a first surface and a second surface opposite to the first surface, penetrates from the first surface to the second surface, and the first opening in the first surface is the second opening in the second surface. Insulated substrates with larger through holes and
A circuit conductor including connection pads arranged around the first opening on the first surface, and
A circuit board that features.
前記貫通孔は前記絶縁基板の厚み方向における中央より前記第1面側において前記第2開口より大きくなっている請求項1に記載の回路基板。 The circuit board according to claim 1, wherein the through hole is larger than the second opening on the first surface side of the center in the thickness direction of the insulating substrate. 前記絶縁基板は、前記第1開口を有する樹脂基板部と前記第2開口を有するセラミック基板部との積層構造を有している請求項1または請求項2に記載の回路基板。 The circuit board according to claim 1 or 2, wherein the insulating substrate has a laminated structure of a resin substrate portion having the first opening and a ceramic substrate portion having the second opening. 前記樹脂基板部と前記セラミック基板部との積層界面において、前記樹脂基板部の開口は前記セラミック基板部の開口より大きい請求項3に記載の回路基板。 The circuit board according to claim 3, wherein the opening of the resin substrate portion is larger than the opening of the ceramic substrate portion at the laminated interface between the resin substrate portion and the ceramic substrate portion. 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の回路基板と、
前記接続パッドに電気的に接続されたプローブピンと、を備えているプローブカード。
The circuit board according to any one of claims 1 to 4.
A probe card comprising a probe pin that is electrically connected to the connection pad.
請求項5に記載のプローブカードと、前記回路基板の前記貫通孔に対応する位置に配置されている光源部とを備えている検査装置。
An inspection device including the probe card according to claim 5 and a light source unit arranged at a position corresponding to the through hole of the circuit board.
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