JP2006270082A - Wiring board and electronic device using it - Google Patents

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Minoru Tomita
穣 冨田
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    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • H01L2924/15172Fan-out arrangement of the internal vias
    • H01L2924/15174Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board having an excellent implementation reliability by firmly joining electrodes of electronic components to a plurality of dummy pads. <P>SOLUTION: The wiring board is formed of: wiring conductors 3 arranged inside an insulating base 1 made up by stacking a plurality of ceramic layers; and a lattice-like arrangement of a plurality of connection pads 2 provided on a major surface of the insulating base 1 and electrically connected to the wiring conductors 3 through via conductors 4, and a plurality of dummy pads 5 electrically connected by way of via conductors 6 to junction layers 7 provided between the ceramic layers of the insulating base 1, independently from the wiring conductors 3. The via conductors 6 in connection with the dummy pads 5 are arranged in the ceramic layer that makes up the major surface of the insulating base 1. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体素子や容量素子等の電子部品を搭載するのに使用される配線基板及びそれを用いた電子装置に関するものである。   The present invention relates to a wiring board used for mounting electronic components such as semiconductor elements and capacitive elements, and an electronic device using the same.

従来、IC、LSI等の半導体集積回路素子、LD(半導体レーザ)、LED(発光ダイオード)、PD(フォトダイオード)、CCD、ラインセンサ、イメージセンサ等の光半導体素子、圧電振動子、水晶振動子等の振動子、その他の種々の電子部品が搭載される配線基板としては、酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体(ガラスセラミックス)等のセラミック材料からなる絶縁層を複数積層して形成され、上面に電子部品の搭載部を有する絶縁基体と、絶縁基体の内部に形成された配線導体と、絶縁基体の主面に配列形成され、配線導体と電気的に接続した複数の接続パッドとを具備した構造のものが知られている。   Conventionally, semiconductor integrated circuit elements such as IC and LSI, LD (semiconductor laser), LED (light emitting diode), PD (photodiode), optical semiconductor elements such as CCD, line sensor, image sensor, piezoelectric vibrator, crystal vibrator As a wiring board on which various vibrators and other electronic components are mounted, a plurality of insulating layers made of ceramic materials such as aluminum oxide sintered bodies and glass ceramic sintered bodies (glass ceramics) are stacked. An insulating base having an electronic component mounting portion on the upper surface, a wiring conductor formed inside the insulating base, and a plurality of connection pads arrayed on the main surface of the insulating base and electrically connected to the wiring conductor. The thing of the structure which comprised was known.

配線導体と接続パッドとの電気的な接続は、通常、接続パッドから配線導体にかけて、絶縁層を厚み方向に貫通するように形成されたビア導体を介して行われる。   The electrical connection between the wiring conductor and the connection pad is usually made via a via conductor formed so as to penetrate the insulating layer in the thickness direction from the connection pad to the wiring conductor.

搭載部に電子部品を搭載し、電子部品の電極を接続パッドに、はんだやボンディングワイヤ等の接続材を介して接続し、必要に応じて電子部品を蓋体や封止用樹脂等で封止することにより電子装置が製作される。   Electronic parts are mounted on the mounting part, and the electrodes of the electronic parts are connected to the connection pads via connecting materials such as solder and bonding wires, and the electronic parts are sealed with a lid or a sealing resin as required. Thus, an electronic device is manufactured.

この電子装置について、配線導体の一部を絶縁基体の側面や下面に露出させ、この露出した部位を外部電気回路基板の電気回路にはんだ等を介して接続することにより、電子部品の電極が接続パッドとビア導体と配線導体とを介して外部の電気回路と電気的に接続される。   For this electronic device, a part of the wiring conductor is exposed on the side surface and lower surface of the insulating base, and the exposed part is connected to the electric circuit of the external electric circuit board via solder etc., so that the electrodes of the electronic component are connected. It is electrically connected to an external electric circuit through the pad, the via conductor, and the wiring conductor.

このような電子装置は、例えば、携帯電話機等の電子機器に実装する部品として用いられており、近年、小型化及び高密度実装の要求が益々高まっている。   Such an electronic device is used as a component that is mounted on an electronic device such as a mobile phone, for example. In recent years, demands for downsizing and high-density mounting are increasing.

そして、このような要求に応えるべく、電子部品をフリップチップ実装することが検討されている。   In order to meet such a demand, flip-chip mounting of electronic components has been studied.

フリップチップ実装は、電子部品の主面に縦横に配列形成された複数の電極に、それぞれはんだバンプを形成し、その電極を絶縁基体の上面に形成された複数の接続パッドに位置合わせした後、はんだバンプを溶かして、電極と接続パッドとを接続する方法である。   In flip chip mounting, solder bumps are respectively formed on a plurality of electrodes arranged vertically and horizontally on the main surface of an electronic component, and the electrodes are aligned with a plurality of connection pads formed on the upper surface of an insulating substrate. In this method, the solder bump is melted to connect the electrode and the connection pad.

そのため、配線基板の接続パッドは、電子部品の主面に格子状に配列形成されている電極と対向するように形成する必要があり、絶縁基板の一方主面の中央部に複数が格子状に配列形成される。   Therefore, it is necessary to form the connection pads of the wiring board so as to face the electrodes arranged in a grid pattern on the main surface of the electronic component, and a plurality of grid pads are formed in the center of one main surface of the insulating substrate. An array is formed.

なお、この場合、電子部品の電極は、基本的には格子状に配列されているが、電子部品の電極の数は、その電子部品の機能や用途等に応じて定まるので、必ずしも、格子状に配列したときの格子点の数と一致するとは限らない。そのため、接続パッドが配置されない格子点が生じる場合がある。   In this case, the electrodes of the electronic component are basically arranged in a grid pattern, but the number of the electrodes of the electronic component is determined according to the function, application, etc. of the electronic component. It does not necessarily match the number of grid points when arranged in the. Therefore, there may be a lattice point where no connection pad is arranged.

このような場合、接続パッドの数(つまり電子部品と配線基板との接続面積)が小さくなり、電子部品の配線基板に対する機械的な接続の強度が低くなるおそれがあるので、接続パッドが形成されない格子点にはダミーパッド(ビア導体や配線導体と接続されない)が配置され、上記接続を補強することが考えられる。
特開2004−153015号公報 特開2002−9444号公報 特開1993−206298号公報
In such a case, since the number of connection pads (that is, the connection area between the electronic component and the wiring board) is reduced and the strength of mechanical connection of the electronic component to the wiring board may be reduced, the connection pads are not formed. It is conceivable that dummy pads (not connected to via conductors or wiring conductors) are arranged at the lattice points to reinforce the connection.
JP 2004-153015 A JP 2002-9444 A Japanese Patent Laid-Open No. 1993-206298

しかしながら、上述した従来の配線基板においては、接続パッドが配線導体やビア導体等と接続し、配線導体等を介して絶縁基体に強固に接合されているのに対し、ダミーパッドは表面に形成されたパターンのみであるために、電子部品の実装時の応力(例えば、電子部品と絶縁基体との熱膨張係数の差に起因する熱応力)により、絶縁基体の主面からダミーパッドが、剥がれてしまうという問題があった。ダミーパッドが剥がれると、接続パッドを介した電子部品と配線基板との間の電気的、機械的な接続を有効に補強することができず、接続信頼性の低下を招く欠点が誘発される。   However, in the conventional wiring board described above, the connection pads are connected to the wiring conductors, via conductors, etc., and are firmly joined to the insulating base via the wiring conductors, etc., whereas the dummy pads are formed on the surface. The dummy pad is peeled off from the main surface of the insulating substrate due to the stress at the time of mounting the electronic component (for example, thermal stress due to the difference in thermal expansion coefficient between the electronic component and the insulating substrate). There was a problem that. When the dummy pad is peeled off, the electrical and mechanical connection between the electronic component and the wiring board through the connection pad cannot be effectively reinforced, and a defect that leads to a decrease in connection reliability is induced.

本発明は、上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、複数のダミーパッドと電子部品の電極とを強固に接合して、実装信頼性の優れた配線基板を提供することにある。   The present invention has been devised in view of the above disadvantages, and an object thereof is to provide a wiring board having excellent mounting reliability by firmly bonding a plurality of dummy pads and electrodes of an electronic component. .

本発明の配線基板は、複数のセラミック層を積層して成る絶縁基体の内部に配線導体を配設するとともに、前記絶縁基体の主面に、前記配線導体に対しビア導体を介して電気的に接続される複数の接続パッドと、前記配線導体とは独立した状態で、前記絶縁基体のセラミック層間に設けた接合層に対しビア導体を介して電気的に接続される複数のダミーパッドとを、格子状に配列して形成したことを特徴とするものである。   In the wiring board of the present invention, a wiring conductor is disposed inside an insulating base formed by laminating a plurality of ceramic layers, and electrically connected to the main surface of the insulating base via a via conductor. A plurality of connection pads to be connected, and a plurality of dummy pads electrically connected via via conductors to a bonding layer provided between the ceramic layers of the insulating base, in a state independent of the wiring conductors, It is characterized by being arranged in a lattice pattern.

また、本発明の配線基板は好ましくは、前記ダミーパッドに接続される前記ビア導体が、前記絶縁基体の主面となるセラミック層のみに設置されることを特徴とするものである。   The wiring board according to the present invention is preferably characterized in that the via conductor connected to the dummy pad is provided only on a ceramic layer which is a main surface of the insulating base.

また、本発明の配線基板は好ましくは、前記ダミーパッドに接続される前記ビア導体が、前記接続パッドに接続される前記ビア導体よりも、前記絶縁基体の厚み方向に対する横断面の面積が小さいことを特徴とするものである。   In the wiring board of the present invention, preferably, the via conductor connected to the dummy pad has a smaller cross-sectional area in the thickness direction of the insulating base than the via conductor connected to the connection pad. It is characterized by.

また、本発明の配線基板は好ましくは、前記ダミーパッドに接続される前記ビア導体を有するセラミック層が、前記絶縁基体を構成する他のセラミック層に対して、比誘電率が低いことを特徴とするものである。   The wiring board of the present invention is preferably characterized in that the ceramic layer having the via conductor connected to the dummy pad has a lower relative dielectric constant than other ceramic layers constituting the insulating base. To do.

また、本発明の配線基板は好ましくは、前記接合層が、前記絶縁基体の主面となるセラミック層と隣接するセラミック層間に配置されることを特徴とするものである。   The wiring board of the present invention is preferably characterized in that the bonding layer is disposed between ceramic layers adjacent to a ceramic layer serving as a main surface of the insulating base.

また、本発明の配線基板は好ましくは、前記接合層は、平面透視において、前記接続パッドと接続されるビア導体の少なくとも1つが貫通して配置されることを特徴とするものである。   The wiring board of the present invention is preferably characterized in that the bonding layer is disposed so that at least one of via conductors connected to the connection pad penetrates in a plan view.

また、本発明の配線基板は好ましくは、前記配線基板上に、前記接続パッド及び前記ダミーパッドにロウ材を介して接続される複数の端子を有した電子部品素子がフリップチップ実装されてなる電子装置である。   The wiring board of the present invention is preferably an electronic device in which an electronic component element having a plurality of terminals connected to the connection pad and the dummy pad via a brazing material is flip-chip mounted on the wiring board. Device.

本発明の配線基板によれば、複数のセラミック層を積層して成る絶縁基体の内部に配線導体を配設するとともに、絶縁基体の主面に、配線導体に対しビア導体を介して電気的に接続される複数の接続パッドと、配線導体とは独立した状態で、絶縁基体のセラミック層間に設けた接合層に対しビア導体を介して電気的に接続される複数のダミーパッドとを、格子状に配列して形成したことから、ダミーパッドは、ビア導体のアンカー効果により絶縁基体に強固に接合されるとともに、そのビア導体を接合層でセラミック層間に強固に固定することができ、熱応力等の応力が作用したとしてもダミーパッドが、絶縁基体の主面から剥がれることを有効に防止することができる。   According to the wiring board of the present invention, the wiring conductor is disposed inside the insulating base formed by laminating a plurality of ceramic layers, and the main surface of the insulating base is electrically connected to the wiring conductor via the via conductor. A plurality of connection pads to be connected and a plurality of dummy pads electrically connected to the bonding layer provided between the ceramic layers of the insulating base via via conductors in a state independent of the wiring conductor. Since the dummy pad is firmly bonded to the insulating base by the anchor effect of the via conductor, the via conductor can be firmly fixed between the ceramic layers with the bonding layer, and the thermal stress etc. Even if this stress is applied, the dummy pad can be effectively prevented from peeling off from the main surface of the insulating base.

例えば、表面に形成されたパターンのみのダミーパッドであれば、実装時に生じる応力の影響を受け、剥がれてしまうこともあったが、一端が、ビア導体と接合しているので、アンカー効果によって剥がれを有効に防止することができる。   For example, if it is a dummy pad with only a pattern formed on the surface, it may be peeled off due to the influence of stress generated during mounting, but it is peeled off by the anchor effect because one end is joined to the via conductor. Can be effectively prevented.

また、ビア導体の他端部が、絶縁基体の内部に設けられた接合層と接続され、ビア導体そのものも絶縁基体により強固に接合することにより、さらに強固なアンカー効果を得ることができる。その結果、ダミーパッドの剥がれがより有効に防止され、配線基板の接続信頼性をより優れたものとすることができる。   Further, the other end portion of the via conductor is connected to a bonding layer provided inside the insulating substrate, and the via conductor itself is firmly bonded to the insulating substrate, thereby obtaining a stronger anchor effect. As a result, peeling of the dummy pad is more effectively prevented, and the connection reliability of the wiring board can be further improved.

また、本発明の配線基板によれば、好ましくは、ダミーパッドに接続されるビア導体が、絶縁基体の主面となるセラミック層のみに設置されたことから、絶縁基体の内部のうち、ダミーパッドに接続されるビア導体が設置される範囲を小さく抑えることができる。そのため、ダミーパッドに接続されるビア導体により、絶縁基体の内部に配設される配線導体の配設場所が受ける影響を、低く抑えることができる。すなわち、絶縁基体の主面となるセラミック層以外のセラミック層において、配線導体の配設場所に対する影響が低いため、絶縁基体を大きな基板サイズとする必要がなく、また余分な配線層が不要であるため、絶縁基体の厚みを大きくする必要もない。したがって、この構成によれば、電子部品の接続信頼性に優れるとともに、大型化の必要がない、ひいては、小型化に有効な配線基板とすることができる。   Further, according to the wiring board of the present invention, preferably, the via conductor connected to the dummy pad is disposed only in the ceramic layer which is the main surface of the insulating base, so that the dummy pad in the inside of the insulating base is provided. The range in which the via conductor connected to is installed can be kept small. For this reason, it is possible to suppress the influence of the via conductor connected to the dummy pad on the location of the wiring conductor provided inside the insulating base. In other words, since the ceramic layer other than the ceramic layer serving as the main surface of the insulating base is less affected by the location of the wiring conductor, the insulating base does not need to have a large substrate size, and an extra wiring layer is unnecessary. Therefore, it is not necessary to increase the thickness of the insulating substrate. Therefore, according to this configuration, it is possible to provide a wiring board that is excellent in connection reliability of electronic components, does not need to be enlarged, and is effective for downsizing.

また、本発明の配線基板は、ダミーパッドに接続されるビア導体が、接続パッドに接続されるビア導体よりも、絶縁基体の厚み方向に対する横断面の面積が小さいことから、ダミーパッドに接続されるビア導体と接続パッドに接続されるビア導体との距離が大きくなり、ダミーパッドに接続されるビア導体と接続パッドに接続されるビア導体との間に生じる浮遊容量を小さくできる。そのため、浮遊容量に起因して、接続パッドに接続されるビア導体における伝送特性の劣化等の不具合が抑制されるので、電気特性に優れた配線基板を提供できる。   The wiring board of the present invention is connected to the dummy pad because the via conductor connected to the dummy pad has a smaller cross-sectional area in the thickness direction of the insulating substrate than the via conductor connected to the connection pad. The distance between the via conductor connected to the connection pad and the via conductor connected to the connection pad is increased, and the stray capacitance generated between the via conductor connected to the dummy pad and the via conductor connected to the connection pad can be reduced. Therefore, problems such as deterioration of transmission characteristics in the via conductor connected to the connection pad due to the stray capacitance are suppressed, so that a wiring board having excellent electrical characteristics can be provided.

また、本発明の配線基板は、ダミーパッドに接続されるビア導体を有するセラミック層が、絶縁基体を構成する他のセラミック層に対して、比誘電率が低いことから、ダミーパッドに接続されるビア導体と接続パッドに接続されるビア導体との間に生じる浮遊容量をより小さくできる。そのため、浮遊容量に起因して、接続パッドに接続されるビア導体における伝送特性の劣化等の不具合が抑制されるので、電気特性により優れた配線基板を提供できる。   The wiring board of the present invention is connected to the dummy pad because the ceramic layer having the via conductor connected to the dummy pad has a lower relative dielectric constant than the other ceramic layers constituting the insulating base. The stray capacitance generated between the via conductor and the via conductor connected to the connection pad can be further reduced. For this reason, problems such as deterioration of transmission characteristics in the via conductor connected to the connection pad due to the stray capacitance are suppressed, so that a wiring board having better electrical characteristics can be provided.

また、本発明の配線基板は、接合層が、絶縁基体の主面となるセラミック層と隣接するセラミック層間に配置されることから、絶縁基体の内部に配設される配線導体の配設場所が受ける影響を、より低く抑えることができる。すなわち、接合層の配置が限定されるため、絶縁基体の主面となるセラミック層以外のセラミック層において、配線導体の配設場所に対する影響が低いため、絶縁基体を大きな基板サイズとする必要がなく、また余分な配線層が不要であるため、絶縁基体の厚みを大きくする必要もない。したがって、この構成によれば、電子部品の接続信頼性に優れるとともに、大型化の必要がない、ひいては、小型化に有効な配線基板とすることができる。   In the wiring board of the present invention, since the bonding layer is disposed between the ceramic layers adjacent to the ceramic layer that is the main surface of the insulating base, the wiring conductor disposed in the insulating base is provided in a location. The influence received can be suppressed lower. In other words, since the arrangement of the bonding layer is limited, the influence of the location of the wiring conductor on the ceramic layer other than the ceramic layer serving as the main surface of the insulating base is low, so there is no need for the insulating base to have a large substrate size. In addition, since an extra wiring layer is unnecessary, it is not necessary to increase the thickness of the insulating base. Therefore, according to this configuration, it is possible to provide a wiring board that is excellent in connection reliability of electronic components, does not need to be enlarged, and is effective for downsizing.

また、複数の接合層が異なる層間に散在して層間の厚さが部分的にバラつき、絶縁基体の主面に傾き(いわゆるコプラナリティの低下)等の不具合を生じることを抑制することもできる。   It is also possible to suppress the occurrence of problems such as inclination (so-called coplanarity degradation) on the main surface of the insulating base due to the plurality of bonding layers scattered between different layers and partially varying the thickness between the layers.

また、本発明の配線基板は、接合層は、平面透視において、接続パッドと接続されるビア導体の少なくとも1つが貫通して配置されることから、ダミーパッドに接合されるビア導体の他端部は、広い面積の接合層に接続されることになり、さらにより強固なアンカー効果を得ることができる。その結果、ダミーパッドの剥がれがより有効に防止され、配線基板の接続信頼性をより優れたものとすることができる。   In the wiring board according to the present invention, since the bonding layer is disposed so that at least one of the via conductors connected to the connection pad penetrates in plan view, the other end of the via conductor bonded to the dummy pad Is connected to a bonding layer having a large area, and an even stronger anchor effect can be obtained. As a result, peeling of the dummy pad is more effectively prevented, and the connection reliability of the wiring board can be further improved.

また、本発明によれば、配線基板上に、接続パッド及びダミーパッドにロウ材を介して接続される複数の端子を有した電子部品素子をフリップチップ実装して電子装置を構成することにより、小型化及び高密度実装が可能となる。   In addition, according to the present invention, on the wiring board, an electronic component element having a plurality of terminals connected to the connection pad and the dummy pad via the brazing material is flip-chip mounted to constitute an electronic device. Miniaturization and high-density mounting are possible.

以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。図1(a)は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、図1(b)は、図1(a)のA−A´部の断面図である。図1において、1は絶縁基体、2は接続パッド、3は配線導体、4はビア導体、5はダミーパッド、6はダミーのビア導体、7は接合層である。これらの絶縁基体1、接続パッド2、配線導体3、ビア導体4、ダミーパッド5、ダミーのビア導体6及び接合層7により、本発明の配線基板9が基本的に構成される。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1A is a plan view showing an example of an embodiment of a wiring board according to the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. In FIG. 1, 1 is an insulating substrate, 2 is a connection pad, 3 is a wiring conductor, 4 is a via conductor, 5 is a dummy pad, 6 is a dummy via conductor, and 7 is a bonding layer. The insulating substrate 1, connection pad 2, wiring conductor 3, via conductor 4, dummy pad 5, dummy via conductor 6 and bonding layer 7 basically constitute the wiring substrate 9 of the present invention.

絶縁基体1は、酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体(ガラスセラミックス)、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体等のセラミック材料からなるセラミック層1aを複数積層して形成されている。   The insulating substrate 1 is formed by laminating a plurality of ceramic layers 1a made of a ceramic material such as an aluminum oxide sintered body, a glass ceramic sintered body (glass ceramic), an aluminum nitride sintered body, and a mullite sintered body. ing.

絶縁基体1は、例えば各セラミック層1aが酸化アルミニウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の原料粉末に適当な有機バインダ、溶剤を添加混合して泥漿状のセラミックスラリーとなすとともに、このセラミックスラリーをドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート成形技術を採用しシート状となすことによって複数のセラミックグリーンシート(セラミック生シート)を得て、しかる後、このセラミックグリーンシートを切断加工や打ち抜き加工により適当な形状とするとともにこれらのセラミックグリーンシートを積層して積層体とし、最後にこの積層体を還元雰囲気中にて約1600℃の温度で焼成することによって絶縁基体1が製作される。   For example, when each ceramic layer 1a is made of an aluminum oxide sintered body, the insulating base 1 is obtained by adding and mixing an appropriate organic binder and solvent to raw material powders such as aluminum oxide, silicon oxide, calcium oxide, and magnesium oxide. A plurality of ceramic green sheets (ceramic raw sheets) are obtained by forming a slurry into a slurry by using a sheet forming technique such as a doctor blade method or a calender roll method. The ceramic green sheet is formed into an appropriate shape by cutting or punching, and the ceramic green sheets are laminated to form a laminated body. Finally, the laminated body is fired at a temperature of about 1600 ° C. in a reducing atmosphere. Thus, the insulating substrate 1 is manufactured.

この絶縁基体1は、例えば上面に、IC、LSI等の半導体集積回路素子、LD(半導体レーザ)、LED(発光ダイオード)、PD(フォトダイオード)、CCD、ラインセンサ、イメージセンサ等の光半導体素子、圧電振動子、水晶振動子等の振動子、その他の種々の電子部品を搭載するための搭載部(図示せず)を有している。   The insulating base 1 has, for example, a semiconductor integrated circuit element such as an IC or LSI, an optical semiconductor element such as an LD (semiconductor laser), an LED (light emitting diode), a PD (photodiode), a CCD, a line sensor, or an image sensor on the upper surface. And a mounting portion (not shown) for mounting a vibrator such as a piezoelectric vibrator and a crystal vibrator and other various electronic components.

また、絶縁基体1の主面(図1の例では上面)には、接続パッド2が形成され、絶縁基体1の内部(絶縁層1aの層間)には配線導体3が形成されている。接続パッド2と配線導体3とは、図1の例では、セラミック層1aを厚み方向に貫通するようにして形成されたビア導体4を介して電気的に接続されている。   A connection pad 2 is formed on the main surface (upper surface in the example of FIG. 1) of the insulating base 1, and a wiring conductor 3 is formed inside the insulating base 1 (interlayer of the insulating layer 1a). In the example of FIG. 1, the connection pad 2 and the wiring conductor 3 are electrically connected via a via conductor 4 formed so as to penetrate the ceramic layer 1a in the thickness direction.

搭載部に搭載される電子部品(図示せず)の主面に縦横に配列形成されている複数の電極を、接続パッド2に対向させて、はんだ等の導電性接続材(図示せず)を介して電気的に接続させ、配線導体3の一部を絶縁基体1の側面や下面等に露出させておくことにより、電子部品の電極が、接続パッド2及び配線導体3等を介して絶縁基体1の側面や下面に導出される。この配線導体3の導出部分を外部の電気回路にはんだ等を介して電気的に接続することにより、電子部品の電極が、接続パッド2及び配線導体3を介して外部の電気回路と電気的に接続される。   A plurality of electrodes arranged vertically and horizontally on the main surface of an electronic component (not shown) mounted on the mounting portion are opposed to the connection pad 2 and a conductive connecting material (not shown) such as solder is provided. The electrode of the electronic component is connected to the insulating base via the connection pad 2 and the wiring conductor 3 by exposing the part of the wiring conductor 3 to the side surface and the lower surface of the insulating base 1. Derived to the side surface and the lower surface of 1. By electrically connecting the lead-out portion of the wiring conductor 3 to an external electric circuit via solder or the like, the electrode of the electronic component is electrically connected to the external electric circuit via the connection pad 2 and the wiring conductor 3. Connected.

また、絶縁基体1は、主面(上面)に、配線導体3と電気的に接続されていないダミーパッド5が形成されている。ダミーパッド5は、例えば接続パッド2と同様の形状、寸法である。   In addition, the insulating base 1 has a dummy pad 5 that is not electrically connected to the wiring conductor 3 on the main surface (upper surface). The dummy pad 5 has, for example, the same shape and dimensions as the connection pad 2.

また、ダミーパッド5の一端には、そのダミーパッド5と接続されるビア導体(以下、ダミーのビア導体という)6が形成されている。   In addition, a via conductor (hereinafter referred to as a dummy via conductor) 6 connected to the dummy pad 5 is formed at one end of the dummy pad 5.

この構成により、ダミーのビア導体6によるアンカー効果により、ダミーパッド5の絶縁基体1に対する接合を強固なものとすることができる。   With this configuration, due to the anchor effect of the dummy via conductor 6, the bonding of the dummy pad 5 to the insulating substrate 1 can be strengthened.

また、ダミーのビア導体6の他端部が、絶縁基体1の内部に設けられた接合層7と接続され、ビア導体6そのものも絶縁基体により強固に接合されることにより、さらにアンカー効果が強固となる。   Further, the other end portion of the dummy via conductor 6 is connected to the bonding layer 7 provided inside the insulating base 1, and the via conductor 6 itself is also strongly bonded by the insulating base, thereby further enhancing the anchor effect. It becomes.

その結果、ダミーパッド5の剥がれを効果的に抑えることができるので、接続パッド2及びダミーパッド5と電子部品の電極が、強固に接合することができ、実装信頼性の優れた配線基板を得ることができる。   As a result, peeling of the dummy pad 5 can be effectively suppressed, so that the connection pad 2 and the dummy pad 5 can be firmly bonded to the electrode of the electronic component, and a wiring board having excellent mounting reliability can be obtained. be able to.

なお、接合層7は、酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体(ガラスセラミックス)、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体等のセラミック材料や、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、金等の金属材料等の、ダミーのビア導体6が同時焼成等の手段で強固に接続される材料により形成される。   The bonding layer 7 is made of a ceramic material such as an aluminum oxide sintered body, a glass ceramic sintered body (glass ceramic), an aluminum nitride sintered body, a mullite sintered body, tungsten, molybdenum, manganese, copper, A dummy via conductor 6 such as a metal material such as silver, palladium, or gold is formed of a material to which the dummy via conductor 6 is firmly connected by means of simultaneous firing or the like.

接合層7は、接合層7自体や、ダミーのビア導体6が絶縁基体1の内部に配設されている配線導体3と電気的に短絡することを防止する上で、セラミック材料等の絶縁材料からなるものであることが好ましい。   The bonding layer 7 is an insulating material such as a ceramic material in order to prevent the bonding layer 7 itself or the dummy via conductor 6 from being electrically short-circuited with the wiring conductor 3 disposed inside the insulating base 1. It is preferable that it consists of.

また、接合層7は、絶縁基体1に対する接合の強度や生産性等の面から、絶縁基体1と同じセラミック焼結体で形成することが好ましい。   Further, the bonding layer 7 is preferably formed of the same ceramic sintered body as that of the insulating substrate 1 from the viewpoint of bonding strength to the insulating substrate 1 and productivity.

なお、接合層7の寸法は、ダミーのビア導体6の外形(直径)寸法より、大きくしておくことが好ましい。   The dimension of the bonding layer 7 is preferably larger than the outer dimension (diameter) dimension of the dummy via conductor 6.

また、接合層7の形状は、応力集中を防止するため、略円形にしておくことが好ましい。この場合、完全な円形でなくても、外縁の一部に凹凸を有する円形状のものでもよい。また、楕円形状等でもよい。   In addition, the shape of the bonding layer 7 is preferably substantially circular in order to prevent stress concentration. In this case, a circular shape having irregularities on a part of the outer edge may be used instead of a perfect circle. Moreover, elliptical shape etc. may be sufficient.

他方、配線導体3、接続パッド2、ビア導体4、ダミーパッド5及びダミーのビア導体6は、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、金等の金属材料からなり、メタライズ導体や蒸着層、金属箔、めっき層等の形態で絶縁基体1の絶縁層1aに形成される。   On the other hand, the wiring conductor 3, the connection pad 2, the via conductor 4, the dummy pad 5, and the dummy via conductor 6 are made of a metal material such as tungsten, molybdenum, manganese, copper, silver, palladium, gold, and the like. The insulating layer 1a of the insulating substrate 1 is formed in the form of a metal foil, a plating layer, or the like.

配線導体3、接続パッド2、貫通導体4、ダミーパッド5及びダミーのビア導体6は、例えば、銅のメタライズ導体からなる場合、銅粉末に有機溶剤、樹脂バインダ等を添加して作製した金属ペーストを、絶縁層1aとなるグリーンシートの表面や、予めグリーンシートに打抜き形成しておいた貫通孔の内部に、印刷塗布、充填することにより形成される。なお、貫通孔は、例えば、金属ピンを用いた機械的な打ち抜き加工や、レーザ光による孔加工等の成形手段により形成される。   When the wiring conductor 3, the connection pad 2, the through conductor 4, the dummy pad 5, and the dummy via conductor 6 are made of, for example, a copper metallized conductor, a metal paste prepared by adding an organic solvent, a resin binder, or the like to copper powder. Is formed by printing, filling and filling the surface of the green sheet to be the insulating layer 1a and the inside of the through holes previously punched and formed in the green sheet. The through hole is formed by a forming means such as a mechanical punching process using a metal pin or a hole process using a laser beam.

また、本発明の配線基板9は、図2に示すように、好ましくはダミーパッド5に接続されるビア導体6が、絶縁基体1の主面となるセラミック層のみに設置されることから、絶縁基体1の内部のうち、ダミーパッド5に接続されるビア導体6が設置される範囲を小さく抑えることができる。そのため、ダミーパッド5に接続されるビア導体6により、絶縁基体1の内部に配設される配線導体3の配設場所の設定への影響を、低く抑えることができる。すなわち、絶縁基体1の主面となるセラミック層以外のセラミック層において、配線導体3の配設場所に対する影響が低いため、絶縁基体1を大きな基板サイズとする必要がなく、また余分な配線層が不要であるため、絶縁基体1の厚みを大きくする必要もない。したがって、この構成によれば、電子部品の接続信頼性に優れるとともに、大型化の必要がない、ひいては、小型化に有効な配線基板9とすることができる。   Further, as shown in FIG. 2, the wiring board 9 of the present invention is preferably insulated because the via conductor 6 connected to the dummy pad 5 is disposed only on the ceramic layer which is the main surface of the insulating base 1. The range in which the via conductor 6 connected to the dummy pad 5 is installed in the inside of the base 1 can be kept small. For this reason, the influence of the via conductor 6 connected to the dummy pad 5 on the setting of the arrangement location of the wiring conductor 3 arranged inside the insulating substrate 1 can be suppressed low. That is, in the ceramic layers other than the ceramic layer which is the main surface of the insulating base 1, the influence on the location of the wiring conductor 3 is low, so that the insulating base 1 does not need to have a large substrate size and an extra wiring layer is provided. Since it is unnecessary, it is not necessary to increase the thickness of the insulating substrate 1. Therefore, according to this configuration, it is possible to obtain a wiring board 9 that is excellent in connection reliability of electronic components, does not need to be enlarged, and is effective for downsizing.

なお、図2(a)は、本発明の配線基板の他の実施形態について、その一例を示す平面図であり、図2(b)は図2(a)の断面図、図3は図2(a)の平面透視図である。図2(a)、(b)において図1(a)、(b)と同じ部位には同じ符号を付している。   2A is a plan view showing an example of another embodiment of the wiring board of the present invention, FIG. 2B is a cross-sectional view of FIG. 2A, and FIG. 3 is FIG. It is a plane perspective view of (a). 2A and 2B, the same parts as those in FIGS. 1A and 1B are denoted by the same reference numerals.

また、本発明の配線基板9は、好ましくはダミーパッド5に接続されるビア導体6が、接続パッド2に接続されるビア導体4よりも、絶縁基体1の厚み方向に対する横断面の面積が小さいことから、ダミーパッド5に接続されるビア導体6と接続パッド2に接続されるビア導体4との距離が大きくなり、ダミーパッド5に接続されるビア導体6と接続パッド2に接続されるビア導体4との間に生じる浮遊容量を小さくできる。そのため、浮遊容量に起因して、接続パッド2に接続されるビア導体6における伝送特性の劣化等の不具合が抑制されるので、電気特性に優れた配線基板9を提供できる。   In the wiring board 9 of the present invention, the via conductor 6 connected to the dummy pad 5 preferably has a smaller cross-sectional area in the thickness direction of the insulating base 1 than the via conductor 4 connected to the connection pad 2. Therefore, the distance between the via conductor 6 connected to the dummy pad 5 and the via conductor 4 connected to the connection pad 2 becomes large, and the via conductor 6 connected to the dummy pad 5 and the via connected to the connection pad 2. The stray capacitance generated between the conductor 4 can be reduced. For this reason, problems such as deterioration of transmission characteristics in the via conductor 6 connected to the connection pad 2 due to stray capacitance are suppressed, so that the wiring board 9 having excellent electrical characteristics can be provided.

ダミーパッド5に接続されるビア導体6を、接続パッド2に接続されるビア導体4より小さくするには、グリーンシートの状態で、打ち抜き加工やレーザ加工法により、各ビア導体4、6となる貫通孔を形成する際に、ダミーパッド5に接続されるビア導体6となる貫通孔を予め打ち抜き面積が小さくなるように形成することにより得ることができる。貫通孔の横断面の面積は、打ち抜き加工に使用する金属ピンのピン径を調整すること等の手段により、所定の面積に調整することができる。   In order to make the via conductor 6 connected to the dummy pad 5 smaller than the via conductor 4 connected to the connection pad 2, the via conductors 4 and 6 are formed by punching or laser processing in a green sheet state. When forming the through hole, the through hole to be the via conductor 6 connected to the dummy pad 5 can be obtained in advance so as to reduce the punching area. The area of the cross section of the through hole can be adjusted to a predetermined area by means such as adjusting the pin diameter of the metal pin used for punching.

また、本発明の配線基板9は、好ましくはダミーパッド5に接続されるビア導体6を有するセラミック層が、絶縁基体1を構成する他のセラミック層に対して、比誘電率が低いことから、ダミーパッド5に接続されるビア導体6と接続パッド2に接続されるビア導体4との間に生じる浮遊容量をより小さくできる。そのため、浮遊容量に起因して、接続パッド2に接続されるビア導体4における伝送特性の劣化等の不具合が抑制されるので、電気特性により優れた配線基板9を提供できる。   In the wiring substrate 9 of the present invention, the ceramic layer having the via conductor 6 connected to the dummy pad 5 preferably has a lower relative dielectric constant than the other ceramic layers constituting the insulating base 1. The stray capacitance generated between the via conductor 6 connected to the dummy pad 5 and the via conductor 4 connected to the connection pad 2 can be further reduced. For this reason, problems such as deterioration of transmission characteristics in the via conductor 4 connected to the connection pad 2 due to the stray capacitance are suppressed, so that the wiring board 9 having better electrical characteristics can be provided.

なお、ダミーパッド5に接続されるビア導体6を有するセラミック層の比誘電率を、絶縁基体1を構成する他のセラミック層に対して低くするには、ダミーパッド5に接続されるビア導体6を有するセラミック層となるグリーンシートを形成する際に、Ag、Al、Si等の金属複合酸化物をセラミックス材料に、他のセラミック層となるグリーンシート用のセラミック材料よりも多く添加することにより得られる。   In order to lower the relative dielectric constant of the ceramic layer having the via conductor 6 connected to the dummy pad 5 with respect to the other ceramic layers constituting the insulating base 1, the via conductor 6 connected to the dummy pad 5 is used. It is obtained by adding a metal composite oxide such as Ag, Al, Si or the like to a ceramic material in a larger amount than a ceramic material for a green sheet that becomes another ceramic layer. It is done.

ダミーパッド5に接続されるビア導体6を有するセラミック層の比誘電率は、絶縁基体1を構成する他のセラミック層の比誘電率に対して、80%以下が好ましい。   The relative dielectric constant of the ceramic layer having the via conductor 6 connected to the dummy pad 5 is preferably 80% or less with respect to the relative dielectric constant of the other ceramic layers constituting the insulating substrate 1.

また、本発明の配線基板9は、好ましくは接合層7が、絶縁基体1の主面となるセラミック層と隣接するセラミック層間に配置されることから、絶縁基体1の内部に配設される配線導体3の配設場所の設定への影響が、より低く抑えることができる。すなわち、接合層7の配置が限定されるため、絶縁基体1の主面となるセラミック層以外のセラミック層において、配線導体3の配設場所に対する影響が低いため、絶縁基体1を大きな基板サイズとする必要がなく、また余分な配線層が不要であるため、絶縁基体1の厚みを大きくする必要もない。したがって、この構成によれば、電子部品の接続信頼性に優れるとともに、大型化の必要がない、ひいては、小型化に有効な配線基板9とすることができる。   In the wiring substrate 9 of the present invention, the bonding layer 7 is preferably disposed between the ceramic layers adjacent to the ceramic layer that is the main surface of the insulating base 1. The influence on the setting of the place where the conductor 3 is disposed can be further reduced. That is, since the arrangement of the bonding layer 7 is limited, the influence of the location of the wiring conductor 3 on the ceramic layer other than the ceramic layer serving as the main surface of the insulating base 1 is low. There is no need to increase the thickness of the insulating substrate 1 because no extra wiring layer is required. Therefore, according to this configuration, it is possible to obtain a wiring board 9 that is excellent in connection reliability of electronic components, does not need to be enlarged, and is effective for downsizing.

また、複数の接合層7が異なる層間に散在して層間の厚さが部分的にバラつき、絶縁基体1の主面に傾き(いわゆるコプラナリティの低下)等の不具合を生じることを抑制することもできる。   It is also possible to suppress the occurrence of problems such as tilting (so-called coplanarity reduction) in the main surface of the insulating base 1 due to the plurality of bonding layers 7 being scattered between different layers and the thickness of the layers partially varying. .

また、本発明の配線基板9は、図3に示すように、好ましくは、接合層7は、平面透視において、接続パッド2と接続されるビア導体4の少なくとも1つが貫通して配置されることから、ダミーパッド5に接合されるビア導体6の他端部は、広い面積の接合層7に接続されることになり、さらにより強固なアンカー効果を得ることができる。その結果、ダミーパッド5の剥がれがより有効に防止され、配線基板9の接続信頼性をより優れたものとすることができる。   In the wiring board 9 of the present invention, as shown in FIG. 3, it is preferable that the bonding layer 7 is disposed so that at least one of the via conductors 4 connected to the connection pad 2 penetrates in a plan view. Therefore, the other end portion of the via conductor 6 bonded to the dummy pad 5 is connected to the bonding layer 7 having a large area, and an even stronger anchor effect can be obtained. As a result, the peeling of the dummy pad 5 is more effectively prevented, and the connection reliability of the wiring board 9 can be further improved.

そして、上述した配線基板9の絶縁基体1上に、電子部品(図示せず)を搭載するとともに、電子部品の電極を接続パッド2に電気的に接続し、必要に応じて電子部品を蓋体(図示せず)や封止用樹脂(図示せず)等で封止することにより電子装置が形成される。   Then, an electronic component (not shown) is mounted on the insulating substrate 1 of the wiring board 9 described above, and the electrodes of the electronic component are electrically connected to the connection pads 2, and the electronic component is attached to the lid as necessary. The electronic device is formed by sealing with (not shown) or a sealing resin (not shown).

電子部品の搭載は、例えば、ろう材やガラス、樹脂等の接着材を介して電子部品を搭載部に接着固定することにより行なわれる。   The electronic component is mounted by, for example, bonding and fixing the electronic component to the mounting portion via an adhesive material such as brazing material, glass, or resin.

また、電子部品を蓋体で封止する場合には、鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料や、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料、ガラス、樹脂等の材料を所定の形状に加工して蓋体を準備し、この蓋体を絶縁基体1に接合して搭載部を塞ぐことにより、蓋体と絶縁基体1とで形成される容器の内部に電子部品が中空状態で気密封止される。   When electronic parts are sealed with a lid, a metal material such as an iron-nickel-cobalt alloy or iron-nickel alloy, a ceramic material such as an aluminum oxide sintered body, a material such as glass or resin is used. A lid is prepared by processing into a predetermined shape, and the lid is joined to the insulating base 1 to close the mounting portion, so that the electronic component is hollow inside the container formed by the lid and the insulating base 1. It is hermetically sealed in the state.

また、電子部品を中空状態で封止する必要が無い場合には、電子部品を覆うようにエポキシ樹脂等から成る封止樹脂で電子部品を被覆することもできる。   Further, when it is not necessary to seal the electronic component in a hollow state, the electronic component can be covered with a sealing resin made of an epoxy resin or the like so as to cover the electronic component.

このような電子装置は、小型で高精度の携帯電話等の電子機器の部品として使用される。   Such an electronic device is used as a part of an electronic device such as a small and high-precision mobile phone.

なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

(a)本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、(b)は(a)の断面図である。(A) It is a top view which shows an example of embodiment of the wiring board of this invention, (b) is sectional drawing of (a). (a)本発明の配線基板の他の実施の形態の一例を示す平面図であり、(b)は(a)の断面図である。(A) It is a top view which shows an example of other embodiment of the wiring board of this invention, (b) is sectional drawing of (a). 図2(a)の平面透視図である。FIG. 3 is a plan perspective view of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・絶縁基体
1a・・・絶縁層
2・・・接続パッド
3・・・配線導体
4・・・ビア導体
5・・・ダミーパッド
6・・・ダミーのビア導体
7・・・接合層
9・・・配線基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Insulating base | substrate 1a ... Insulating layer 2 ... Connection pad 3 ... Wiring conductor 4 ... Via conductor 5 ... Dummy pad 6 ... Dummy via conductor 7 ... Bonding layer 9 ... Wiring board

Claims (7)

複数のセラミック層を積層して成る絶縁基体の内部に配線導体を配設するとともに、前記絶縁基体の主面に、前記配線導体に対しビア導体を介して電気的に接続される複数の接続パッドと、前記配線導体とは独立した状態で、前記絶縁基体のセラミック層間に設けた接合層に対しビア導体を介して接続される複数のダミーパッドとを、格子状に配列して形成したことを特徴とする配線基板。 A plurality of connection pads, wherein a wiring conductor is disposed inside an insulating base formed by laminating a plurality of ceramic layers, and is electrically connected to the main surface of the insulating base via the via conductor to the wiring conductor. And a plurality of dummy pads connected via via conductors to a bonding layer provided between the ceramic layers of the insulating base, in a state independent of the wiring conductor, A characteristic wiring board. 前記ダミーパッドに接続される前記ビア導体が、前記絶縁基体の主面となるセラミック層のみに設置されることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。 2. The wiring board according to claim 1, wherein the via conductor connected to the dummy pad is provided only on a ceramic layer which is a main surface of the insulating base. 前記ダミーパッドに接続される前記ビア導体が、前記接続パッドに接続される前記ビア導体よりも、前記絶縁基体の厚み方向に対する横断面の面積が小さいことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の配線基板。 The area of the cross section with respect to the thickness direction of the said insulation base | substrate is smaller than the said via conductor connected to the said connection pad, The said via conductor connected to the said dummy pad is characterized by the above-mentioned. Wiring board as described in. 前記ダミーパッドに接続される前記ビア導体を有するセラミック層が、前記絶縁基体を構成する他のセラミック層に対して、比誘電率が低いことを特徴とする請求項1に記載の配線基板。 The wiring board according to claim 1, wherein a ceramic layer having the via conductor connected to the dummy pad has a lower relative dielectric constant than other ceramic layers constituting the insulating base. 前記接合層が、前記絶縁基体の主面となるセラミック層と隣接するセラミック層間に配置されることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。 The wiring board according to claim 1, wherein the bonding layer is disposed between ceramic layers adjacent to a ceramic layer serving as a main surface of the insulating base. 前記接合層は、平面透視において、前記接続パッドと接続されるビア導体の少なくとも1つが貫通して配置されることを特徴とする請求項5に記載の配線基板。 The wiring board according to claim 5, wherein the bonding layer has at least one via conductor connected to the connection pad penetrating in a plan view. 請求項1〜請求項6のいずれかに記載の配線基板上に、前記接続パッド及び前記ダミーパッドにロウ材を介して接続される複数の端子を有した電子部品素子がフリップチップ実装されてなる電子装置。 An electronic component element having a plurality of terminals connected to the connection pad and the dummy pad via a brazing material is flip-chip mounted on the wiring board according to any one of claims 1 to 6. Electronic equipment.
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