JP2020145278A - 電磁波吸収シート及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電磁波吸収能が高く、かつ、吸収対象である電磁波の周波数に合わせて電磁波吸収能を高精度に調整できる電磁波吸収シートを提供する。【解決手段】電磁波吸収シートは、１層以上の電磁波吸収層Ａ１と、電磁波遮蔽層３とをこの順に積層して含む。電磁波吸収層は、電磁波遮蔽層側に配置された誘電体層２１と、誘電体層における電磁波遮蔽層の反対側に配置された抵抗皮膜１１とを含む。１層以上の電磁波吸収層のうち少なくとも１層中の抵抗皮膜は、置換又は無置換のポリアニリンを含む。【選択図】図１

Description

本発明は、電磁波吸収シート及びその製造方法に関する。

電磁波吸収シートとして、従来、例えばＳｎ含有Ｉｎ_２Ｏ_３（ＩＴＯ）を抵抗皮膜に用いたλ／４型電磁波吸収シートが知られている。また、特許文献１には、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）との複合体（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を抵抗皮膜に用いたλ／４型電磁波吸収シートが開示されている。

国際公開第２０１８／０８８４９２号

しかしながら、ＩＴＯを抵抗皮膜に用いた場合は、λ／４型電磁波吸収体を曲げたときに抵抗皮膜が割れる等の問題がある。また、特許文献１に記載の技術では、所望される電磁波の周波数に合わせて電磁波吸収能を高精度に調整することが困難であり、また、電磁波吸収能の信頼性も得られにくい。

本発明の目的は、電磁波吸収能が高く、かつ、吸収対象である電磁波の周波数に合わせて電磁波吸収能を高精度に調整できる電磁波吸収シートを提供することである。

本発明によれば、以下の電磁波吸収シート等が提供される。
１．１層以上の電磁波吸収層と、電磁波遮蔽層とをこの順に積層して含み、
前記電磁波吸収層は、前記電磁波遮蔽層側に配置された誘電体層と、前記誘電体層における前記電磁波遮蔽層の反対側に配置された抵抗皮膜とを含み、
前記１層以上の電磁波吸収層のうち少なくとも１層中の前記抵抗皮膜が置換又は無置換のポリアニリンを含む、
電磁波吸収シート。
２．前記電磁波吸収層が１層である前記１に記載の電磁波吸収シート。
３．前記電磁波吸収層が２層以上である前記１に記載の電磁波吸収シート。
４．前記置換又は無置換のポリアニリンが、ドーパントによってドープされたポリアニリン複合体である前記１〜３のいずれかに記載の電磁波吸収シート。
５．前記ドーパントが下記式（III）で表されるスルホコハク酸誘導体から生じる有機酸イオンである、前記４に記載の電磁波吸収シート。

（式（III）中、Ｍは、水素原子、有機遊離基又は無機遊離基である。ｍ’は、Ｍの価数である。Ｒ^１３及びＲ^１４は、それぞれ独立に炭化水素基又は−（Ｒ^１５Ｏ）_ｒ−Ｒ^１６基である。Ｒ^１５は、それぞれ独立に炭化水素基又はシリレン基であり、Ｒ^１６は水素原子、炭化水素基又はＲ^１７ _３Ｓｉ−基であり、ｒは１以上の整数である。Ｒ^１７は、それぞれ独立に炭化水素基である。）
６．前記ドーパントがジ−２−エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウムである、前記４又は５に記載の電磁波吸収シート。
７．前記抵抗皮膜が、置換又は無置換のポリアニリンと、フェノール性水酸基を有する化合物とを含む、前記１〜６のいずれかに記載の電磁波吸収シート。
８．λ／４型電磁波吸収体である、前記１〜７のいずれかに記載の電磁波吸収シート。
９．前記１〜８のいずれかに記載の電磁波吸収シートの製造方法であって、
前記置換又は無置換のポリアニリンを含む前記抵抗被膜を、置換又は無置換のポリアニリンとフェノール性水酸基を有する化合物とを含む組成物を用いた塗布法によって形成する工程を含む、電磁波吸収シートの製造方法。

本発明によれば、電磁波吸収能が高く、かつ、吸収対象である電磁波の周波数に合わせて電磁波吸収能を高精度に調整できる電磁波吸収シートが提供できる。

本発明の第１実施形態に係る電磁波吸収シートの層構成を説明する図である。 本発明の第２実施形態に係る電磁波吸収シートの層構成を説明する図である。 本発明の第２実施形態に係る電磁波吸収シートの等価回路を説明する図である。 本発明の第３実施形態に係る電磁波吸収シートの層構成を説明する図である。 本発明の第３実施形態に係る電磁波吸収シートの等価回路を説明する図である。 実施例１に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例２に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例３に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例４に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例５に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例６に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例７に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例８に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例１０に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例１１に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例１２に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例１３に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例１４に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例１５に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例１６に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例１７に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例１８に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例１９に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例２０に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例２１に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例２２に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例２３に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図 実施例２４に係る電磁波吸収シートの吸収特性を示す図

以下、本発明の一実施形態に係る電磁波吸収シートについて説明する。尚、本明細書において、「ｘ〜ｙ」は「ｘ以上、ｙ以下」の数値範囲を表すものとする。また、好ましいとされている規定は任意に採用することができる。即ち、好ましいとされている一の規定を、好ましいとされている他の一又は複数の規定と組み合わせて採用することができる。好ましいもの同士の組み合わせはより好ましいと言える。

［電磁波吸収シート］
本発明の一実施形態に係る電磁波吸収シートは、１層以上の電磁波吸収層と、電磁波遮蔽層とをこの順に積層して含む。電磁波吸収層は、電磁波遮蔽層側に配置された誘電体層と、誘電体層における電磁波遮蔽層の反対側に配置された抵抗皮膜とを含み、１層以上の電磁波吸収層の少なくとも１層中の抵抗皮膜は置換又は無置換のポリアニリンを含む。
かかる電磁波吸収シートによれば、所望される電磁波の周波数に合わせて電磁波吸収能を高精度に調整でき、また、電磁波吸収能の信頼性に優れる効果が得られる。

［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係る電磁波吸収シートの層構成を説明する図である。図１において、１１は抵抗皮膜、２１は誘電体層、３は電磁波遮蔽層である。Ａ１は、抵抗皮膜１１と誘電体層２１とを含む電磁波吸収層である。

図１に示すように、本実施形態に係る電磁波吸収シートは、１層の電磁波吸収層Ａ１と、電磁波遮蔽層３とをこの順に積層して含む。
電磁波吸収層Ａ１は、電磁波遮蔽層３側に配置された誘電体層２１と、誘電体層２１における電磁波遮蔽層３の反対側に配置された抵抗皮膜１１とを含む。

本実施形態において、電磁波吸収シートは、λ／４型電磁波吸収体である。電磁波である入射波は、抵抗皮膜１１及び誘電体層２１を経て電磁波遮蔽層３によって反射されて反射波になる。電磁波の波長をλとしたとき、誘電体層２１の厚みｄ_１がλ／４であれば、共振点に配置された抵抗皮膜１１が電磁波の電界成分を吸収することができる。ここでは、誘電体層２１が誘電率ε＝１である場合を仮定して説明したが、誘電率が任意の比誘電率ε_ｒである場合には、誘電体層２１の厚みｄ_１をλ／（４（ε_ｒ）^１／２）に設定することができる。

（抵抗皮膜）
本実施形態において、抵抗皮膜１１は置換又は無置換のポリアニリンを含む。置換又は無置換のポリアニリンは、ドーパントによってドープされた置換又は無置換のポリアニリン、即ちポリアニリン複合体として、抵抗皮膜１１に含まれ得る。置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体については後に詳述する。

置換又は無置換のポリアニリンを含む抵抗皮膜は、例えば後述するフェノール性水酸基を有する化合物の添加等によって面抵抗を細かく高精度に調整できるため、吸収対象である電磁波の周波数に合わせて電磁波吸収能を高精度に調整できる。また、置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体は有機溶剤に対する溶解性に優れるため、有機溶剤系塗布液（組成物）を用いた塗布法によって抵抗皮膜１１を均一に成膜できる。これにより、面抵抗の均一性も向上できるため、電磁波吸収能のばらつきがない高性能な電磁波吸収シートを実現できる。さらに、置換又は無置換のポリアニリンを抵抗皮膜に用いた電磁波吸収シートは、屈曲性が高いため、折り曲げた場合等であっても割れを防止できる。

ここで、比較として、抵抗皮膜に置換又は無置換のポリアニリンを用いず、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）との複合体（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を用いる場合について検討する。ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳから得られたフィルムの電気伝導度（面抵抗）は、通常、エチレングリコール等の添加により調整可能であるが、エチレングリコールの濃度に対する面抵抗の変化が急峻であるため、面抵抗を精度高く調整するのは難しい。また、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは、通常、水系塗布液として用いられるが、水系塗布液は有機溶剤系よりも成膜性に劣る傾向があるため、均一な面抵抗、ひいては高性能な電磁波吸収シートを実現することは困難である。良好な成膜性を得るために水系塗布液に界面活性剤を添加する方法も考えられるが、界面活性剤が混入することで抵抗皮膜の導電性が低下してしまい、又は安定せずぶれやすくなるため、面抵抗の調整はさらに困難になる。

（バインダー）
抵抗皮膜は、置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体から選ばれる１種以上に加えて、バインダーを含むことができる。
バインダーとして、例えば、アクリル系、ウレタン系、エポキシ系、スチレン系、ポリアミド系、ビニル系、ポリビニルアセタール系、ポリエステル系、ポリエステルポリオール系、ポリエーテルポリオール系及びポリカーボネート系からなる群から選ばれる１種以上を含むことができる。
また、抵抗皮膜は、末端にアクリレート又はメタクリレート等の反応性官能基を有するモノマー、オリゴマー又はポリマーを紫外線や電子線等で硬化させたバインダーを含むことも可能である。

抵抗皮膜は、置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体から選ばれる１種以上に加えて、後に詳述するフェノール性水酸基を有する化合物を含むことができる。フェノール性水酸基を有する化合物は、後に詳述する塗布法に使用する塗液（組成物）に由来して抵抗皮膜に含まれ得る。他の態様において、フェノール性水酸基を有する化合物は、塗液の乾燥等に伴って減少し、抵抗皮膜にわずかに含まれるだけであるか、又は抵抗皮膜から消失する。

（他の成分）
抵抗皮膜は、ポリアニリン及びポリアニリン複合体、バインダー、並びにフェノール性水酸基を有する化合物以外の他の成分を、本発明の効果を損なわない範囲で含むことができる。他の成分として、例えば、無機材料、硬化剤、可塑剤、有機導電材料等の添加剤等が挙げられる。

無機材料は、例えば、強度、表面硬度、寸法安定性その他の機械的物性の向上、又は導電性等の電気特性を向上する目的で添加される。無機材料の具体例としては、例えば、シリカ（二酸化ケイ素）、チタニア（二酸化チタン）、アルミナ（酸化アルミニウム）、Ｓｎ含有Ｉｎ_２Ｏ_３（ＩＴＯ）、Ｚｎ含有Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３の共置換化合物（４価元素及び２価元素が３価のＩｎに置換した酸化物）、Ｓｂ含有ＳｎＯ_２（ＡＴＯ）、ＺｎＯ、Ａｌ含有ＺｎＯ（ＡＺＯ）、Ｇａ含有ＺｎＯ（ＧＺＯ）等が挙げられる。

硬化剤は、例えば、強度、表面硬度、寸法安定性その他の機械的物性の向上等の目的で添加される。硬化剤の具体例としては、例えば、フェノール樹脂等の熱硬化剤、アクリレート系モノマーと光重合性開始剤による光硬化剤が挙げられる。

可塑剤は、例えば、引張強度や曲げ強度等の機械的特性の向上等の目的で添加される。可塑剤の具体例としては、例えば、フタル酸エステル類やリン酸エステル類が挙げられる。

有機導電材料としては、カーボンブラック、カーボンナノチューブのような炭素材料等が挙げられる。

一実施形態において、抵抗皮膜の、例えば、７０質量％以上、８０質量％以上、９０質量％以上、９８質量％以上、９９質量％以上、９９．５質量％以上、９９．９質量％以上又は１００質量％が、
置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体から選ばれる１種以上、
置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体から選ばれる１種以上及びバインダー、
置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体から選ばれる１種以上、バインダー並びにフェノール性水酸基を有する化合物、又は
置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体から選ばれる１種以上、バインダー、フェノール性水酸基を有する化合物並びに上述した他の成分から任意に選択される１種以上の成分であってもよい。
本発明の一態様に係る樹脂組成物は、
本質的に置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体から選ばれる１種以上、
本質的に置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体から選ばれる１種以上及びバインダー、
置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体から選ばれる１種以上、バインダー並びにフェノール性水酸基を有する化合物、又は
置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体から選ばれる１種以上、バインダー、フェノール性水酸基を有する化合物並びに上述した他の成分から任意に選択される１種以上の成分からなってもよい。
この場合、不可避不純物を含んでもよい。

本実施形態において、抵抗皮膜１１の面抵抗は、２８０Ω／□以上、３００Ω／□以上、又は３２０Ω／□以上とすることができ、また、４６０Ω／□以下、４４０Ω／□以下、又は４２０Ω／□以下とすることができる。一実施形態において、抵抗皮膜１１の面抵抗は、３７７Ω／□とすることができる。

抵抗皮膜１１の厚みは格別限定されず、例えば、０．１μｍ以上、０．５μｍ以上、又は１μｍ以上とすることができ、また、３０μｍ以下、２０μｍ以下、又は１０μｍ以下とすることができる。

（誘電体層）
誘電体層２１の材質には誘電体を用いることができる。誘電体は格別限定されず、例えばポリマー材料等が挙げられ、より具体的には、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリフッ化ビニリデン、ポリエステル、ポリフェニレンスルファイド、シリコーンゴム等が挙げられる。尚、誘電体層２１は、単層体であってもよいし、異なる材質の積層体であってもよい。

本実施形態において、誘電体層２１の厚みｄ_１は、電磁波の波長λに合わせて、λ／（４（ε_ｒ）^１／２）に設定することができる。ここで、ε_ｒは誘電体層２の比誘電率である。一実施形態において、誘電体層２１の厚みｄ_１は、例えば、０．０１ｍｍ以上、０．０５ｍｍ以上、又は０．０９ｍｍ以上とすることができ、また、１０ｍｍ以下、７ｍｍ以下、又は４ｍｍ以下とすることができる。

（電磁波遮蔽層）
電磁波遮蔽層３の材質には導電性材料を用いることができる。導電性材料は格別限定されず、例えば、金属や金属酸化物等が挙げられる。電磁波遮蔽層３は、例えば、銅箔、アルミ箔、金箔等のような金属箔によって形成することができる。また、電磁波遮蔽層３は、例えば金属等の蒸着膜によって形成することもできる。

電磁波遮蔽層３の厚みは格別限定されず、例えば、０．５μｍ以上、１μｍ以上、又は２μｍ以上とすることができ、また、５００μｍ以下、１００μｍ以下、又は５０μｍ以下とすることができる。

［第２実施形態］
図２は、本発明の第２実施形態に係る電磁波吸収シートの層構成を説明する図である。

図２に示すように、本実施形態に係る電磁波吸収シートは、２層の電磁波吸収層（第１電磁波吸収層Ａ１及び第２電磁波吸収層Ａ２）と、電磁波遮蔽層３とをこの順に積層して含む。
第１電磁波吸収層Ａ１は、電磁波遮蔽層３側に配置された第１誘電体層２１と、第１誘電体層２１における電磁波遮蔽層３の反対側に配置された第１抵抗皮膜１１とを含む。
第２電磁波吸収層Ａ２は、電磁波遮蔽層３側に配置された第２誘電体層２２と、第２誘電体層２２における電磁波遮蔽層３の反対側に配置された第２抵抗皮膜１２とを含む。

本実施形態においても、電磁波吸収シートは、λ／４型電磁波吸収体である。
第１抵抗皮膜１１及び第２抵抗皮膜１２については、第１実施形態に関して抵抗皮膜１１についてした説明が適宜援用される。第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２については、第１実施形態に関して誘電体層２１についてした説明が適宜援用される。電磁波遮蔽層３についても、第１実施形態に関してした説明が適宜援用される。
但し、本実施形態において、第１抵抗皮膜１１及び第２抵抗皮膜１２の各々の面抵抗、並びに、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の各々の厚みについては、第１実施形態とは異なるものであり得る。これらの点について以下に説明する。

図３は、第２実施形態に係る電磁波吸収シートの等価回路である。
図３において、ｒ_１は第１抵抗皮膜１１の面抵抗、ｄ_１は第１誘電体層２１の厚み、ｒ_２は第２抵抗皮膜１２の面抵抗、ｄ_２は第２誘電体層２２の厚みである。
かかる等価回路（伝送線路モデル）に基づいて、理論計算あるいは電磁界シミュレーションを行うことによって、第１抵抗皮膜１１及び第２抵抗皮膜１２の各々の面抵抗、並びに、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の各々の厚みについて、最適な設計が可能である。

一実施形態において、第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ１は、５００Ω／□以上、７００Ω／□以上、９００Ω／□以上、又は１０００Ω／□以上とすることができ、また、１１００Ω／□以下、１２００Ω／□以下、１５００Ω／□以下、又は２０００Ω／□以下とすることができる。一実施形態において、第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ１は、１０６０Ω／□とすることができる。

一実施形態において、第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ２は、５０Ω／□以上、１００Ω／□以上、２００Ω／□以上、又は２５０Ω／□以上とすることができ、また、１０００Ω／□以下、５００Ω／□以下、４００Ω／□以下、又は３００Ω／□以下とすることができる。一実施形態において、第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ２は、２９０Ω／□とすることができる。

一実施形態において、第１誘電体層２１の厚みｄ_１は、０．０１ｍｍ以上、０．０５ｍｍ以上、又は０．０９ｍｍ以上とすることができ、また、１０ｍｍ以下、７ｍｍ以下、又は４ｍｍ以下とすることができる。

一実施形態において、第２誘電体層２２の厚みｄ_２は、０．０１ｍｍ以上、０．０５ｍｍ以上、又は０．０９ｍｍ以上とすることができ、また、１０ｍｍ以下、７ｍｍ以下、又は４ｍｍ以下とすることができる。

［第３実施形態］
図４は、本発明の第３実施形態に係る電磁波吸収シートの層構成を説明する図である。

図４に示すように、本実施形態に係る電磁波吸収シートは、３層の電磁波吸収層（第１電磁波吸収層Ａ１、第２電磁波吸収層Ａ２及び第３電磁波吸収層Ａ３）と、電磁波遮蔽層３とをこの順に積層して含む。
第１電磁波吸収層Ａ１は、電磁波遮蔽層３側に配置された第１誘電体層２１と、第１誘電体層２１における電磁波遮蔽層３の反対側に配置された第１抵抗皮膜１１とを含む。
第２電磁波吸収層Ａ２は、電磁波遮蔽層３側に配置された第２誘電体層２２と、第２誘電体層２２における電磁波遮蔽層３の反対側に配置された第２抵抗皮膜１２とを含む。
第３電磁波吸収層Ａ３は、電磁波遮蔽層３側に配置された第３誘電体層２３と、第２誘電体層２３における電磁波遮蔽層３の反対側に配置された第３抵抗皮膜１３とを含む。

本実施形態においても、電磁波吸収シートは、λ／４型電磁波吸収体である。
第１抵抗皮膜１１、第２抵抗皮膜１２及び第３抵抗皮膜１３については、第１実施形態に関して抵抗皮膜１１についてした説明が適宜援用される。第１誘電体層２１、第２誘電体層２２及び第３誘電体層２３については、第１実施形態に関して誘電体層２１についてした説明が適宜援用される。電磁波遮蔽層３についても、第１実施形態に関してした説明が適宜援用される。
但し、本実施形態において、第１抵抗皮膜１１、第２抵抗皮膜１２及び第３抵抗皮膜１３の各々の面抵抗、並びに、第１誘電体層２１、第２誘電体層２２及び第３誘電体層２３の各々の厚みについては、第１実施形態とは異なるものであり得る。これらの点について以下に説明する。

図５は、第３実施形態に係る電磁波吸収シートの等価回路である。
図５において、ｒ_１は第１抵抗皮膜１１の面抵抗、ｄ_１は第１誘電体層２１の厚み、ｒ_２は第２抵抗皮膜１２の面抵抗、ｄ_２は第２誘電体層２２の厚み、ｒ_３は第３抵抗皮膜１３の面抵抗、ｄ_３は第３誘電体層２３の厚みである。
かかる等価回路（伝送線路モデル）に基づいて、理論計算あるいは電磁界シミュレーションを行うことによって、第１抵抗皮膜１１、第２抵抗皮膜１２及び第３抵抗皮膜１３の各々の面抵抗、並びに、第１誘電体層２１、第２誘電体層２２及び第３誘電体層２３の各々の厚みについて、最適な設計が可能である。

一実施形態において、第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１は、１０００Ω／□以上、１２００Ω／□以上、１４００Ω／□以上、又は１６００Ω／□以上とすることができ、また、２５００Ω／□以下、２２００Ω／□以下、２０００Ω／□以下、又は１８００Ω／□以下とすることができる。一実施形態において、第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１は、１７００Ω／□とすることができる。

一実施形態において、第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_２は、１００Ω／□以上、２５０Ω／□以上、４００Ω／□以上、又は５００Ω／□以上とすることができ、また、１１００Ω／□以下、９５０Ω／□以下、８００Ω／□以下、又は７００Ω／□以下とすることができる。一実施形態において、第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_２は、６００Ω／□とすることができる。

一実施形態において、第３抵抗皮膜１３の面抵抗ｒ_３は、２０Ω／□以上、５０Ω／□以上、１００Ω／□以上、又は１５０Ω／□以上とすることができ、また、５００Ω／□以下、４００Ω／□以下、３００Ω／□以下、又は２５０Ω／□以下とすることができる。一実施形態において、第３抵抗皮膜１３の面抵抗ｒ_３は、２００Ω／□とすることができる。

一実施形態において、第１誘電体層２１の厚みｄ_１は、０．０１ｍｍ以上、０．０５ｍｍ以上、又は０．０９ｍｍ以上とすることができ、また、１０ｍｍ以下、７ｍｍ以下、又は４ｍｍ以下とすることができる。

一実施形態において、第２誘電体層２２の厚みｄ_２は、０．０１ｍｍ以上、０．０５ｍｍ以上、又は０．０９ｍｍ以上とすることができ、また、１０ｍｍ以下、７ｍｍ以下、又は４ｍｍ以下とすることができる。

一実施形態において、第３誘電体層２３の厚みｄ_３は、０．０１ｍｍ以上、０．０５ｍｍ以上、又は０．０９ｍｍ以上とすることができ、また、１０ｍｍ以下、７ｍｍ以下、又は４ｍｍ以下とすることができる。

[その他]
（層構成）
以上の説明では、抵抗皮膜及び誘電体層を含む電磁波吸収層を、１層、２層又は３層積層する場合について主に示したが、これに限定されない。例えば、電磁波吸収層を４層以上積層してもよい。積層数の上限は格別限定されないが、例えば１０層以下、８層以下、又は５層以下であり得る。いずれの積層数であっても、電磁波吸収シートは、λ／４型電磁波吸収体であり得、理論計算あるいは電磁界シミュレーションを行うことによって各層に含まれる抵抗皮膜の面抵抗及び誘電体層の厚みを適宜設定できる。
電磁波吸収シートは、２層以上の電磁波吸収層を含むことによって、電磁波の周波数に対する吸収ピークを複数有することができる。これにより、より広い範囲の周波数帯に対して、電磁波吸収能を発揮できる。

以上に説明した各実施形態において、電磁波吸収シートの入射側及び裏側（電磁波遮蔽層３側）の少なくとも一方に、他の層を積層してもよい。他の層は格別限定されず、例えば、保護層、接着層等が挙げられる。入射側に他の層を積層する場合は、該他の層の比誘電率や厚み等を考慮して、抵抗皮膜の面抵抗及び誘電体層の厚みを設定することができる。

以上の説明では、電磁波吸収シートに含まれるすべての抵抗皮膜が置換又は無置換のポリアニリンを含む場合について主に示したが、これに限定されない。電磁波吸収シートに含まれる少なくとも１層の抵抗皮膜が置換又は無置換のポリアニリンを含めばよい。

（ポリアニリン）
以下、抵抗皮膜に含まれる置換又は無置換のポリアニリンについて、詳しく説明する。
置換又は無置換のポリアニリンは、単独（後述する「ポリアニリン複合体」を形成していない状態）で用いてもよいが、置換又は無置換のポリアニリンがドーパントによってドープされているポリアニリン複合体として、抵抗皮膜に含まれることが好ましい。

ポリアニリンの重量平均分子量（以下、分子量という）は、好ましくは２０，０００以上である。分子量は、好ましくは２０，０００〜５００，０００であり、より好ましくは２０，０００〜３００，０００であり、さらに好ましくは２０，０００〜２００，０００である。重量平均分子量はポリアニリン複合体の分子量ではなく、ポリアニリンの分子量である。

分子量分布は、好ましくは１．５以上１０．０以下である。導電率の観点からは分子量分布は小さい方が好ましいが、溶剤への溶解性の観点では、分子量分布が広い方が好ましい場合もある。
分子量と分子量分布は、ゲルパーミェションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）によりポリスチレン換算で測定する。

置換ポリアニリンの置換基としては、例えばメチル基、エチル基、ヘキシル基、オクチル基等の直鎖又は分岐の炭化水素基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基等のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基（−ＣＦ_３基）等のハロゲン化炭化水素等が挙げられる。
ポリアニリンは、汎用性及び経済性の観点から無置換のポリアニリンが好ましい。

置換又は無置換のポリアニリンは、好ましくは塩素原子を含まない酸の存在下で重合して得られるポリアニリンである。塩素原子を含まない酸とは、例えば１族〜１６族及び１８族に属する原子からなる酸である。具体的には、リン酸が挙げられる。塩素原子を含まない酸の存在下で重合して得られるポリアニリンとして、リン酸の存在下で重合して得られるポリアニリンが挙げられる。
塩素原子を含まない酸の存在下で得られたポリアニリンは、ポリアニリン複合体の塩素含有量をより低くすることができる。

ポリアニリン複合体のドーパントとしては、例えばブレンステッド酸又はブレンステッド酸の塩から生じるブレンステッド酸イオンが挙げられ、好ましくは有機酸又は有機酸の塩から生じる有機酸イオンであり、さらに好ましくは下記式（Ｉ）で示される化合物（プロトン供与体）から生じる有機酸イオンである。
本発明において、ドーパントが特定の酸であると表現する場合、及びドーパントが特定の塩であると表現する場合があるが、いずれも特定の酸又は特定の塩から生じる特定の酸イオンが、上述したπ共役ポリマーにドープするものとする。

Ｍ（ＸＡＲｎ）ｍ （Ｉ）
式（Ｉ）のＭは、水素原子、有機遊離基又は無機遊離基である。
有機遊離基としては、例えば、ピリジニウム基、イミダゾリウム基、アニリニウム基等が挙げられる。無機遊離基としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、アンモニウム、カルシウム、マグネシウム、鉄等が挙げられる。
式（Ｉ）のＸは、アニオン基であり、例えば−ＳＯ_３ ⁻基、−ＰＯ_３ ^２−基、−ＰＯ_２（ＯＨ）^―基、−ＯＰＯ_３ ^２−基、−ＯＰＯ_２（ＯＨ）⁻基、−ＣＯＯ⁻基等が挙げられ、好ましくは−ＳＯ_３ ⁻基である。

式（Ｉ）のＡは、置換又は無置換の炭化水素基（炭素数は例えば１〜２０）である。
炭化水素基は、鎖状もしくは環状の飽和脂肪族炭化水素基、鎖状もしくは環状の不飽和脂肪族炭化水素基、又は芳香族炭化水素基である。
鎖状の飽和脂肪族炭化水素基としては、直鎖もしくは分岐状のアルキル基（炭素数は例えば１〜２０）が挙げられる。環状の飽和脂肪族炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基（炭素数は例えば３〜２０）が挙げられる。環状の飽和脂肪族炭化水素基は、複数の環状の飽和脂肪族炭化水素基が縮合していてもよい。例えば、ノルボルニル基、アダマンチル基、縮合したアダマンチル基等が挙げられる。鎖状の不飽和脂肪族炭化水素（炭素数は例えば２〜２０）としては、直鎖又は分岐状のアルケニル基が挙げられる。環状の不飽和脂肪族炭化水素基（炭素数は例えば３〜２０）としては、環状アルケニル基が挙げられる。芳香族炭化水素基（炭素数は例えば６〜２０）としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等が挙げられる。

Ａが置換の炭化水素基である場合の置換基は、アルキル基（炭素数は例えば１〜２０）、シクロアルキル基（炭素数は例えば３〜２０）、ビニル基、アリル基、アリール基（炭素数は例えば６〜２０）、アルコキシ基（炭素数は例えば１〜２０）、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アミノ基、イミノ基、ニトロ基、シリル基又はエステル結合含有基である。

式（Ｉ）のＲは、Ａと結合しており、−Ｈ、−Ｒ^１、−ＯＲ^１、−ＣＯＲ^１、−ＣＯＯＲ^１、−（Ｃ＝Ｏ）−（ＣＯＲ^１）、又は−（Ｃ＝Ｏ）−（ＣＯＯＲ^１）で表わされる置換基あり、Ｒ^１は、置換基を含んでもよい炭化水素基、シリル基、アルキルシリル基、−（Ｒ^２Ｏ）ｘ−Ｒ^３基、又は−（ＯＳｉＲ^３ _２）ｘ−ＯＲ^３基である。Ｒ^２はアルキレン基、Ｒ^３は炭化水素基であり、ｘは１以上の整数である。ｘが２以上の場合、複数のＲ^２はそれぞれ同一でも異なってもよく、複数のＲ^３はそれぞれ同一でも異なってもよい。

Ｒ^１の炭化水素基（炭素数は例えば１〜２０）としては、メチル基、エチル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、エイコサニル基等が挙げられる。炭化水素基は直鎖状であってもよく、また、分岐状であってもよい。
炭化水素基の置換基は、アルキル基（炭素数は例えば１〜２０）、シクロアルキル基（炭素数は例えば３〜２０）、ビニル基、アリル基、アリール基（炭素数は例えば６〜２０）、アルコキシ基（炭素数は例えば１〜２０）、ハロゲン基、ヒドロキシ基、アミノ基、イミノ基、ニトロ基又はエステル結合含有基である。Ｒ^３の炭化水素基もＲ^１と同様である。

Ｒ^２のアルキレン基（炭素数は例えば１〜２０）としては、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。
式（Ｉ）のｎは１以上の整数である。ｎが２以上の場合、複数のＲはそれぞれ同一でも異なってもよい。
式（Ｉ）のｍは、Ｍの価数／Ｘの価数である。

式（Ｉ）で示される化合物としては、ジアルキルベンゼンスルフォン酸、ジアルキルナフタレンスルフォン酸、又はエステル結合を２以上含有する化合物が好ましい。
エステル結合を２以上含有する化合物は、スルホフタール酸エステル、又は下記式（ＩＩ）で表される化合物がより好ましい。

式（ＩＩ）中、Ｍ及びＸは、式（Ｉ）と同様である。Ｘは、−ＳＯ_３ ⁻基が好ましい。
Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれ独立に水素原子、炭化水素基又はＲ^９ _３Ｓｉ−基である。３つのＲ^９はそれぞれ独立に炭化水素基である。
Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、炭素数１〜２４の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、芳香環を含むアリール基（炭素数は例えば６〜２０）、アルキルアリール基（炭素数は例えば７〜２０）等が挙げられる。
Ｒ^９の炭化水素基としては、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６の場合と同様である。

式（ＩＩ）のＲ^７及びＲ^８は、それぞれ独立に、炭化水素基又は−（Ｒ^１０Ｏ）_ｑ−Ｒ^１１基である。Ｒ^１０は炭化水素基又はシリレン基であり、Ｒ^１１は水素原子、炭化水素基又はＲ^１２ _３Ｓｉ−であり、ｑは１以上の整数である。３つのＲ^１２は、それぞれ独立に炭化水素基である。

Ｒ^７及びＲ^８が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、炭素数１〜２４、好ましくは炭素数４以上の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、芳香環を含むアリール基（炭素数は例えば６〜２０）、アルキルアリール基（炭素数は例えば７〜２０）等が挙げられ、具体例としては、例えば、いずれも直鎖又は分岐状の、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基等が挙げられる。

Ｒ^７及びＲ^８における、Ｒ^１０が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、例えば炭素数１〜２４の直鎖もしくは分岐状のアルキレン基、芳香環を含むアリーレン基（炭素数は例えば６〜２０）、アルキルアリーレン基（炭素数は例えば７〜２０）、又はアリールアルキレン基（炭素数は例えば７〜２０）である。また、Ｒ^７及びＲ^８における、Ｒ^１１及びＲ^１２が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６の場合と同様であり、ｑは、１〜１０であることが好ましい。

Ｒ^７及びＲ^８が−（Ｒ^１０Ｏ）_ｑ−Ｒ^１１基である場合の式（ＩＩ）で表わされる化合物の具体例としては、下記式で表わされる２つの化合物である。

（式中、Ｘは式（Ｉ）と同様である。）

上記式（ＩＩ）で表わされる化合物は、下記式（ＩＩＩ）で示されるスルホコハク酸誘導体であることがさらに好ましい。

式（ＩＩＩ）中、Ｍは、式（Ｉ）と同様である。ｍ’は、Ｍの価数である。
Ｒ^１３及びＲ^１４は、それぞれ独立に、炭化水素基又は−（Ｒ^１５Ｏ）_ｒ−Ｒ^１６基である。Ｒ^１５は炭化水素基又はシリレン基であり、Ｒ^１６は水素原子、炭化水素基又はＲ^１７ _３Ｓｉ−基であり、ｒは１以上の整数である。３つのＲ^１７はそれぞれ独立に炭化水素基である。ｒが２以上の場合、複数のＲ^１５はそれぞれ同一でも異なってもよい。

Ｒ^１３及びＲ^１４が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、Ｒ^７及びＲ^８と同様である。
Ｒ^１３及びＲ^１４において、Ｒ^１５が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、上記Ｒ^１０と同様である。また、Ｒ^１３及びＲ^１４において、Ｒ^１６及びＲ^１７が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、上記Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６と同様である。
ｒは、１〜１０であることが好ましい。

Ｒ^１３及びＲ^１４が−（Ｒ^１５Ｏ）_ｒ−Ｒ^１６基である場合の具体例としては、Ｒ^７及びＲ^８における−（Ｒ^１０Ｏ）_ｑ−Ｒ^１１と同様である。
Ｒ^１３及びＲ^１４の炭化水素基としては、Ｒ^７及びＲ^８と同様であり、ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、デシル基が好ましい。

式（Ｉ）で示される化合物としては、ジ−２−エチルヘキシルスルホコハク酸、ジ−２−エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウム（エーロゾルＯＴ）が好ましい。

ポリアニリン複合体のドーパントが置換又は無置換のポリアニリンにドープしていることは、紫外・可視・近赤外分光法やＸ線光電子分光法によって確認することができ、当該ドーパントは、ポリアニリンにキャリアを発生させるに十分な酸性を有していれば、特に化学構造上の制限なく使用できる。

ポリアニリンに対するドーパントのドープ率は、好ましくは０．３５以上０．６５以下であり、より好ましくは０．４２以上０．６０以下であり、さらに好ましくは０．４３以上０．５７以下であり、特に好ましくは０．４４以上０．５５以下である。
ドープ率は（ポリアニリンにドープしているドーパントのモル数）／（ポリアニリンのモノマーユニットのモル数）で定義される。例えば無置換ポリアニリンとドーパントを含むポリアニリン複合体のドープ率が０．５であることは、ポリアニリンのモノマーユニット分子２個に対し、ドーパントが１個ドープしていることを意味する。

ドープ率は、ポリアニリン複合体中のドーパントとポリアニリンのモノマーユニットのモル数が測定できれば算出可能である。例えば、ドーパントが有機スルホン酸の場合、ドーパント由来の硫黄原子のモル数と、ポリアニリンのモノマーユニット由来の窒素原子のモル数を、有機元素分析法により定量し、これらの値の比を取ることでドープ率を算出できる。但し、ドープ率の算出方法は、当該手段に限定されない。

ポリアニリン複合体は、さらにリンを含んでも含まなくてもよい。
ポリアニリン複合体がリンを含む場合、リンの含有量は例えば１０質量ｐｐｍ以上５０００質量ｐｐｍ以下である。
上記リンの含有量は、ＩＣＰ発光分光分析法で測定することができる。
また、ポリアニリン複合体は、不純物として第１２族元素（例えば亜鉛）を含まないことが好ましい。

ポリアニリン複合体は、周知の製造方法で製造することができる。例えば、プロトン供与体、リン酸、及びプロトン供与体とは異なる乳化剤を含み、２つの液相を有する溶液中で、置換又は無置換のアニリンを化学酸化重合することにより製造できる。また、置換又は無置換のアニリン、プロトン供与体、リン酸、及びプロトン供与体とは異なる乳化剤を含み、２つの液相を有する溶液中に、酸化重合剤を加えることにより製造できる。

ここで「２つの液相を有する溶液」とは、溶液中に相溶しない２つの液相が存在する状態を意味する。例えば、溶液中に「高極性溶媒の相」と「低極性溶媒の相」が存在する状態、を意味する。
また、「２つの液相を有する溶液」は、片方の液相が連続相であり、他方の液相が分散相である状態も含む。例えば「高極性溶媒の相」が連続相であり「低極性溶媒の相」が分散相である状態、及び「低極性溶媒の相」が連続相であり「高極性溶媒の相」が分散相である状態が含まれる。
上記ポリアニリン複合体の製造方法に用いる高極性溶媒としては、水が好ましく、低極性溶媒としては、例えばトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素が好ましい。

上記プロトン供与体は、好ましくは上記式（Ｉ）で表される化合物である。

上記乳化剤は、親水性部分がイオン性であるイオン性乳化剤、及び親水性部分が非イオン性である非イオン性乳化剤のどちらでも使用でき、また、１種又は２種以上の乳化剤を混合して使用してもよい。

化学酸化重合に用いる酸化剤としては、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、過酸化水素等の過酸化物；二クロム酸アンモニウム、過塩素酸アンモニウム、硫酸カリウム鉄（ＩＩＩ）、三塩化鉄（ＩＩＩ）、二酸化マンガン、ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム又はパラトルエンスルホン酸鉄等が使用でき、好ましくは過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩である。
これらは単独で使用してもよいし２種以上を併用してもよい。

［電磁波吸収シートの製造方法］
本発明の一実施形態に係る電磁波吸収シートの製造方法は、以上に説明した本発明に係る電磁波吸収シートを製造するために好適に用いることができる。
本発明の一実施形態に係る電磁波吸収シートの製造方法は、電磁波吸収シートに含まれる少なくとも１層の抵抗皮膜を、置換又は無置換のポリアニリンを含む組成物を用いた塗布法によって形成する工程を含む。

［組成物］
一実施形態において、組成物は、置換又は無置換のポリアニリンを含む。組成物は、置換又は無置換のポリアニリンを、上述したポリアニリン複合体として含むことができる。

一実施形態において、組成物は、
置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体から選ばれる１種以上（以下、「成分（１）」ともいう。）と、
フェノール性水酸基を有する化合物（以下、「成分（２）」ともいう。）と、を含む。

（フェノール性水酸基を有する化合物）
フェノール性水酸基を有する化合物とは、フェノール性水酸基を１つ有する化合物、フェノール性水酸基を複数有する化合物、及びフェノール性水酸基を１つ又は複数有する繰り返し単位から構成される高分子化合物である。

フェノール性水酸基を１つ有する化合物としては、好ましくは下記式（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）で表わされる化合物である。

（式（Ａ）中、Ｒ^１０１は、炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルアリール基又はアリールアルキル基である。
ｎ１は１〜５の整数であり、好ましくは１〜３であり、より好ましくは１である。ｎ１が２以上のとき、複数存在するＲ^１０１は、互いに同一でもよいし、異なってもよい。）

式（Ａ）で表されるフェノール性化合物において、−ＯＲ^１０１の置換位置はフェノール性水酸基に対し、メタ位、又はパラ位であることが好ましい。−ＯＲ^１０１の置換位置をメタ位又はパラ位とすることにより、フェノール性水酸基の立体障害が低減され、組成物の導電性をより高めることができる。

式（Ａ）で表わされるフェノール性化合物の具体例としては、メトキシフェノール（例えば４−メトキシフェノール）、エトキシフェノール、プロポキシフェノール、イソプロポキシフェノール、ブチルオキシフェノール、イソブチルオキシフェノール、ターシャルブチルオキシフェノールが挙げられる。

（式（Ｂ）中、Ｒ^１０２は、炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、アルキルチオ基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、アルキルアリール基又はアリールアルキル基である。
ｎ２は０〜７の整数であり、好ましくは０〜３であり、より好ましくは１である。ｎ２が２以上のとき、複数存在するＲ^１０２は、互いに同一でもよいし、異なってもよい。）
式（Ｂ）で表わされるフェノール性化合物の具体例としては、ヒドロキシナフタレンが挙げられる。

（式（Ｃ）中、Ｒ^１０３は、炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、アルキルチオ基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、アルキルアリール基、アリールアルキル基、ハロゲン原子又はカルボキシ基である。
ｎ３は１〜５の整数であり、好ましくは１〜３であり、より好ましくは１である。ｎ３が２以上のとき、複数存在するＲ^１０３は、互いに同一でもよいし、異なってもよい。）

式（Ｃ）で表わされる化合物の具体例としては、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−クレゾール、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−エチルフェノール、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−プロピルフェノール（例えば４−イソプロピルフェノール）、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−ブチルフェノール、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−ペンチルフェノール（例えば、４−ｔｅｒｔ−ペンチルフェノール）、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−クロロフェノール、サリチル酸、ヒドロキシ安息香酸が挙げられる。

式（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）のＲ^１０１〜Ｒ^１０３について、炭素数１〜２０のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ターシャルブチル等が挙げられる。
アルケニル基としては、上述したアルキル基の分子内に不飽和結合を有する基が挙げられる。
シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキサニル基等が挙げられる。
アリール基としては、フェニル、ナフチル等が挙げられる。
アルキルアリール基、及びアリールアルキル基としては、上述したアルキル基とアリール基を組み合わせて得られる基等が挙げられる。

フェノール性水酸基を複数有する化合物の具体例としては、カテコール、レゾルシノール、及び下記式（Ｄ）で表される化合物が挙げられる。

（式（Ｄ）中、Ｒ^１０４は炭化水素基、ヘテロ原子含有炭化水素基、ハロゲン原子、カルボキシ基、アミノ基、−ＳＨ基、スルホン酸基、又は水酸基である。
ｎ４は０〜６の整数である。ｎ４が２以上のとき、複数存在するＲ^１０４は互いに同一でもよいし、異なってもよい。）

式（Ｄ）で表わされるフェノール性水酸基を有する化合物の２つのフェノール性水酸基は、互いに隣接しないナフタレン環上の位置に置換していることが好ましい。
また、式（Ｄ）で表されるフェノール性水酸基を有する化合物の具体例としては、１，６−ナフタレンジオール、２，６−ナフタレンジオール、２，７−ナフタレンジオールが挙げられる。

フェノール性水酸基を１つ又は複数有する繰り返し単位から構成される高分子化合物の具体例としては、フェノール樹脂、ポリフェノール、ポリ（ヒドロキシスチレン）が挙げられる。

組成物における成分（１）の含有量に対する成分（２）の含有量を変化させることによって、該組成物を用いた塗布法によって形成される抵抗皮膜の面抵抗を好適に変化させることができる。
一実施形態において、組成物における成分（１）１００質量部に対して成分（２）の含有量を１〜１００質量部の範囲で変化させることによって、抵抗皮膜の面抵抗を１×１０^１Ω／□〜１×１０^６の範囲で変化させることができる。このとき、成分（１）に対する成分（２）の質量割合を増加させることによって面抵抗を低くすることができ、成分（１）に対する成分（２）の質量割合を減少させることによって面抵抗を高くすることができる。
特に電磁波吸収シートに好適な１００Ω／□〜１０００Ω／□程度の面抵抗帯においては、成分（１）に対する成分（２）の質量割合を変化させたときの面抵抗の変化が穏やかであることが確認されており、この性質を利用して、抵抗皮膜の面抵抗の調整を高精度に行うことができる。
成分（２）は、成分（１）の分子配向等を、組成物中において、あるいは抵抗皮膜の成膜時において、導電性の発揮に適した状態に改善することができる。そのため、一実施形態において、成分（２）が組成物の乾燥等に伴って抵抗皮膜から消失されていても、その効果は持続する。他の実施形態において、抵抗皮膜は、組成物に由来する成分（２）の少なくとも一部を含む。

（耐熱安定化剤）
組成物は耐熱安定化剤を含んでもよい。耐熱安定化剤とは、酸性物質又は酸性物質の塩であり、酸性物質は有機酸（有機化合物の酸）、無機酸（無機化合物の酸）のいずれでもよい。
耐熱安定化剤である酸性物質は、好ましくは有機酸であり、より好ましくはスルホン酸基、カルボキシ基、リン酸基、又はホスホン酸基を１以上有する有機酸であり、さらに好ましくは、スルホン酸基を１以上有する有機酸である。耐熱安定化剤である酸性物質の塩としては、これら酸性物質の塩が挙げられる。

上記スルホン酸基を１以上有する有機酸は、好ましくはスルホン酸基を１以上有する、環状、鎖状若しくは分岐のアルキルスルホン酸、置換若しくは無置換の芳香族スルホン酸、又はポリスルホン酸である。
上記アルキルスルホン酸としては、例えば、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ジ−２−エチルヘキシルスルホコハク酸が挙げられる。ここでのアルキル基は、好ましくは炭素数が１〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基である。
上記芳香族スルホン酸としては、例えば、ベンゼン環を有するスルホン酸、ナフタレン骨格を有するスルホン酸、アントラセン骨格を有するスルホン酸、置換若しくは無置換のベンゼンスルホン酸、置換若しくは無置換のナフタレンスルホン酸及び置換若しくは無置換のアントラセンスルホン酸が挙げられ、好ましくは置換若しくは無置換のナフタレンスルホン酸である。具体例としては、ナフタレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、アントラキノンスルホン酸が挙げられる。
ここで芳香族スルホン酸の置換基は、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、及びアシル基からなる群から選択される基であり、２以上置換していてもよい。
上記ポリスルホン酸は、高分子鎖の主鎖又は側鎖に複数のスルホン酸基が置換した高分子化合物である。例えば、ポリスチレンスルホン酸が挙げられる。

上記カルボキシ基を１以上有する有機酸は、好ましくはカルボキシ基を１以上有する、環状、鎖状若しくは分岐のアルキルカルボン酸、置換若しくは無置換の芳香族カルボン酸、又はポリカルボン酸である。
上記アルキルカルボン酸としては、例えばウンデシレン酸、シクロヘキサンカルボン酸、２−エチルヘキサン酸が挙げられる。ここでアルキル基は好ましくは炭素数が１〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基である。
上記置換若しくは無置換の芳香族カルボン酸としては、例えば、置換若しくは無置換のベンゼンカルボン酸及びナフタレンカルボン酸が挙げられる。ここで置換基は、例えば、スルホン酸基、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、及びアシル基からなる群から選択される基であり、２以上置換していてもよい。具体例としては、安息香酸、ナフトエ酸、トリメシン酸が挙げられる。

上記リン酸基又はホスホン酸基を１以上有する有機酸は、好ましくはリン酸基又はホスホン酸基を１以上有する環状、鎖状若しくは分岐のアルキルリン酸若しくはアルキルホスホン酸；置換若しくは無置換の芳香族リン酸若しくは芳香族ホスホン酸；ポリリン酸若しくはポリホスホン酸である。
上記アルキルリン酸又はアルキルホスホン酸としては、例えば、ドデシルリン酸、及びリン酸水素ビス（２−エチルヘキシル）が挙げられる。ここでアルキル基は好ましくは炭素数が１〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基である。
上記芳香族リン酸及び芳香族ホスホン酸としては、置換若しくは無置換のベンゼンスルホン酸又はホスホン酸、及びナフタレンスルホン酸又はホスホン酸等が挙げられる。ここで置換基は、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、及びアシル基からなる群から選択される基であり、２以上置換していてもよい。例えば、フェニルホスホン酸が挙げられる。

本発明の一態様に係る組成物は、耐熱安定化剤である酸性物質及び／又は酸性物質の塩を２つ以上含んでもよい。具体的には、異なる複数の酸性物質及び／又は異なる複数の酸性物質の塩を含んでいてもよい。

本発明の一態様に係る組成物において、耐熱安定化剤の含有量は、成分（１）１００質量部に対して好ましくは０．０１〜１０質量部である。

（バインダー）
組成物は、抵抗皮膜について説明したバインダーを含むことができる。

（他の成分）
組成物は、抵抗皮膜について説明した他の成分を含むことができる。

（溶媒）
組成物は溶媒を含むことができる。溶媒としては、有機溶媒でも水等の無機溶媒でもよく、また１種のみでも２種以上の混合溶媒でもよい。好ましくは有機溶媒である。また、有機溶媒は、水溶性有機溶媒でもよいし、実質的に水に混和しない有機溶媒（水不混和性有機溶媒）であってもよい。

上記水溶性有機溶媒は、プロトン性極性溶媒でも非プロトン性極性溶媒でもよく、例えば、イソプロピルアルコール、１−ブタノール、２−ブタノール、２−ペンタノール、ベンジルアルコール等のアルコール類；アセトン等のケトン類；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；Ｎメチルピロリドン等の非プロトン性極性溶媒等が挙げられる。

上記水不混和性有機溶媒としては、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、テトラリン等の炭化水素系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン等の含ハロゲン系溶媒；酢酸エチル、酢酸イソブチル、酢酸ｎ−ブチル等のエステル系溶媒；メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類溶媒；シクロペンチルメチルエーテル、１−ブトキシ−２−プロパノール等のエーテル類溶媒等が挙げられる。これらの中では溶解性に優れる点でトルエン、キシレン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、クロロホルム、トリクロロエタン及び酢酸エチルが好ましい。

水溶性有機溶媒と水不混和性有機溶媒を組み合わせて２種以上の混合溶媒としてもよい。例えば、トルエンとイソプロピルアルコールとの混合溶媒とすることができる。

（塗布法）
一実施形態おいて、誘電体層の表面に組成物を塗布し、塗膜を乾燥することによって抵抗皮膜が形成される。また、他の実施形態において、任意の基材の表面に組成物を塗布し、塗膜を乾燥することによって抵抗皮膜を形成し、次いで、基材上の抵抗皮膜を誘電体層の表面に接合してもよい。接合後、基材は、抵抗皮膜から剥離してもよいし、剥離せず保護層として用いてもよい。

組成物の塗布法は格別限定されず、例えば、キャスト法、スプレー法、ディップコート法、ドクターブレード法、バーコート法、スピンコート法、スクリーン印刷、グラビア印刷法等の公知の方法を用いることができる。

塗膜を乾燥する際、溶媒の種類によっては、塗膜を加熱してもよい。例えば、空気気流下２５０℃以下、好ましくは５０以上２００℃以下の温度で加熱し、さらに、必要に応じて、減圧下で加熱する。加熱温度及び加熱時間は、特に制限されず、用いる材料に応じて適宜選択すればよい。

［用途］
以上に説明した電磁波吸収シートの用途は格別限定されず、電磁波吸収が必要とされる種々の用途に広く使用することができる。用途の一例として、例えば、自動車等に搭載されるミリ波レーダー周囲の電磁波吸収体等が挙げられる。

以下に本発明の実施例について説明するが、本発明は係る実施例により限定されるものではない。

（実施例１）
図１に示したものと同様の層構成を有する電磁波吸収シートについて、下記の構成を設定し、吸収特性を求めた。結果を図６に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：３７７Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：３．１２ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０

本実施例１及び後述する実施例２〜８において、面抵抗ｒ_１の３７７Ω／□は、例えば、下記［面抵抗の設定例１］によって第１抵抗皮膜（ポリアニリン層）１１を成膜することにより、再現性良く設定可能である。

［面抵抗の設定例１］
（１）ポリアニリン複合体の製造
１，０００ｍＬセパラブルフラスコにネオコールＳＷＣ（ジ−２−エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウム：第一工業製薬株式会社製）３２．４ｇ、アニリン１３．３ｇ及びソルボンＴ−２０（ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル構造を有する非イオン乳化剤：東邦化学工業株式会社製）０．９ｇを入れ、トルエン３２０．４ｇにて溶解させた。そこに８．４重量％リン酸水溶液４５０ｇを加え、トルエンと水の２つの液相を有する反応液を撹拌し、反応液の内温を５℃まで冷却した。反応液の内温を５℃に到達した時点で撹拌しながら、過硫酸アンモニウム（ＡＰＳ）３９．３ｇを８．４重量％リン酸水溶液９０．２ｇに溶解した溶液を滴下漏斗を用いて１時間かけて滴下した。滴下終了後、溶液内温を５℃に保ったままさらに８時間撹拌した（合計反応時間９時間）。
撹拌停止後、分液漏斗に内容物を移し、水層とトルエン層を静置分離した。分離後、有機層を１Ｍリン酸水溶液１８０．３ｇで１回、イオン交換水３２８．０ｇで５回洗浄することにより、ポリアニリン複合体トルエン溶液を得た。

得られた溶液をＮｏ．２の濾紙にて濾過することで不溶分を除去し、ポリアニリン複合体のトルエン溶液を得た。この溶液を、エバポレーターに移し、６０℃で加温し、減圧することにより、揮発分を蒸発留去し、ポリアニリン複合体（プロトネーションされたポリアニリン）を得た。

（２）塗布用ポリアニリン溶液（抵抗皮膜形成用組成物）の製造
トルエン９２ｇとイソプロピルアルコール３ｇとを混合した溶媒に、上記で得られたポリアニリン複合体５ｇを溶解させた。
別途、２−プロパノール２００ｇに、２−ナフタレンスルホン酸水和物１０ｇ、４−メトキシフェノール２９０ｇを順次添加し混合させた溶液を調製し、当該溶液０．４５ｇを上記のポリアニリン複合体溶液３．２ｇに混合して組成物を得た。

（３）ポリアニリン層の塗工
得られた組成物（塗液）をフィルム上に、バーコーター（テスター産業株式会社製「ＰＩ−１２１０Ｒ」）を用いて塗工した。この際、バーコーターのバーロッドの番手はＮｏ．１００を用いた。塗工後、１１０℃で１５分間乾燥させることで、３７７Ω／□の面抵抗を有する抵抗皮膜（ポリアニリン層）を形成できることを確認した。

［吸収特性の理論計算及びシミュレーション］
本実施例１並びに後述する実施例２〜８及び１０〜２５において、吸収特性は、以下の理論式を用いた伝送線路モデルからの理論計算、及び電磁界シミュレーションソフト（ＣＯＭＳＯＬ社製「ＣＯＭＳＯＬ Ｍｕｌｔｉｐｈｙｓｉｃｓ」）を用いたシミュレーションによって求めた。

（上式において、Γは反射係数、Ｚ_ｉｎは各層の金属板側を見込んだ入力インピーダンス、Ｚ_０は真空の波動インピーダンス、Ｚは各層の波動インピーダンス、γは伝搬定数、ｄは各層の膜厚である）

（実施例２）
実施例１において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図７に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：３７７Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：０．９７ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例３）
実施例１において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図８に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：３７７Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：２．１０ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：２．２（ポリプロピレンに相当）
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例４）
実施例１において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図９に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：３７７Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：０．６６ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：２．２（ポリプロピレンに相当）
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例５）
実施例１において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図９に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：３７７Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：１．８０ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：２．９（ポリエチレンテレフタレート又はポリカーボネートに相当）
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例６）
実施例１において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図１１に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：３７７Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：０．５７ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：２．９（ポリエチレンテレフタレート又はポリカーボネートに相当）
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例７）
実施例１において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図１２に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：３７７Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：１．６７ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：３．５（ポリイミドに相当）
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例８）
実施例１において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図１３に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：３７７Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：０．５２ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：２．９（ポリイミドに相当）
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例９）
図２に示したものと同様の層構成を有する電磁波吸収シートについて、実施例１に示した理論計算を行い、電磁波吸収が最大値を示すときの第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１及び第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_２を求めた。
その結果、電磁波吸収シートの各条件が下記の場合に電磁波吸収が最大値を示すことが確認された。
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：１０６０Ω／□
第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_２：２９０Ω／□

本実施例９及び後述する実施例１０〜２４において、面抵抗ｒ_１の１０６０Ω／□、及び、面抵抗ｒ_２の２９０Ω／□は、例えば、下記［面抵抗の設定例２］によって、第１抵抗皮膜（ポリアニリン層）１１、及び、第２抵抗皮膜（ポリアニリン層）１２を成膜することにより、再現性良く設定可能である。

［面抵抗の設定例２］
（１）第１抵抗皮膜
トルエン９２ｇとイソプロピルアルコール３ｇとを混合した溶媒に、実施例１で得られたポリアニリン複合体５ｇを溶解させた。
別途、２−プロパノール２００ｇに、２−ナフタレンスルホン酸水和物１０ｇ、４−メトキシフェノール２９０ｇを順次添加し混合させた溶液を調製し、当該溶液０．３３ｇを上記のポリアニリン複合体溶液３．２ｇに混合して組成物を得た。
得られた組成物をフィルム上に、バーコーター（テスター産業株式会社製「ＰＩ−１２１０Ｒ」）を用いて塗工した。この際、バーコーターのバーロッドの番手はＮｏ．１００を用いた。塗工後、１１０℃で１５分間乾燥させることで、１０６０Ω／□の面抵抗を有する第１抵抗皮膜（ポリアニリン層）を形成できることを確認した。

（２）第２抵抗皮膜
トルエン９２ｇとイソプロピルアルコール３ｇとを混合した溶媒に、実施例１で得られたポリアニリン複合体５ｇを溶解させた。
別途、２−プロパノール２００ｇに、２−ナフタレンスルホン酸水和物１０ｇ、４−メトキシフェノール２９０ｇを順次添加し混合させた溶液を調製し、当該溶液０．４９ｇを上記のポリアニリン複合体溶液３．２ｇに混合して組成物を得た。
得られた組成物をフィルム上に、バーコーター（テスター産業株式会社製「ＰＩ−１２１０Ｒ」）を用いて塗工した。この際、バーコーターのバーロッドの番手はＮｏ．１００を用いた。塗工後、１１０℃で１５分間乾燥させることで、２９０Ω／□の面抵抗を有する第２抵抗皮膜（ポリアニリン層）を形成できることを確認した。

（実施例１０）
図２に示したものと同様の層構成を有する電磁波吸収シートについて、下記の構成を設定し、実施例１と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図１４に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：１０６０Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：１．５０ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０
第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_１：２９０Ω／□
第２誘電体層２２の厚みｄ_１：１．５０ｍｍ
第２誘電体層１２の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第２誘電体層１２の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例１１）
実施例１０において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１０と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図１５に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：１０６０Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：１．１０ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０
第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_１：２９０Ω／□
第２誘電体層２２の厚みｄ_１：１．１０ｍｍ
第２誘電体層１２の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第２誘電体層１２の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例１２）
実施例１０において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１０と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図１６に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：１０６０Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：１．２０ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０
第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_１：２９０Ω／□
第２誘電体層２２の厚みｄ_１：１．２０ｍｍ
第２誘電体層１２の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第２誘電体層１２の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例１３）
実施例１０において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１０と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図１７に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：１０６０Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：１．３０ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０
第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_１：２９０Ω／□
第２誘電体層２２の厚みｄ_１：１．３０ｍｍ
第２誘電体層１２の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第２誘電体層１２の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例１４）
実施例１０において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１０と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図１８に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：１０６０Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：１．４０ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０
第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_１：２９０Ω／□
第２誘電体層２２の厚みｄ_１：１．４０ｍｍ
第２誘電体層１２の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第２誘電体層１２の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例１５）
実施例１０において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１０と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図１９に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：１０６０Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：１．６０ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０
第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_１：２９０Ω／□
第２誘電体層２２の厚みｄ_１：１．６０ｍｍ
第２誘電体層１２の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第２誘電体層１２の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例１６）
実施例１０において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１０と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図２０に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：１０６０Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：１．７０ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０
第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_１：２９０Ω／□
第２誘電体層２２の厚みｄ_１：１．７０ｍｍ
第２誘電体層１２の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第２誘電体層１２の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例１７）
実施例１０において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１０と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図２１に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：１０６０Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：１．８０ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０
第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_１：２９０Ω／□
第２誘電体層２２の厚みｄ_１：１．８０ｍｍ
第２誘電体層１２の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第２誘電体層１２の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例１８）
実施例１０において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１０と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図２２に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：１０６０Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：１．９０ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０
第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_１：２９０Ω／□
第２誘電体層２２の厚みｄ_１：１．９０ｍｍ
第２誘電体層１２の比誘電率ε_ｒ１：１．０
第２誘電体層１２の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例１９）
実施例１０において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１０と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図２３に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：１０６０Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：１．２０ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：２．２（ポリプロピレンに相当）
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０
第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_１：２９０Ω／□
第２誘電体層２２の厚みｄ_１：１．２０ｍｍ
第２誘電体層１２の比誘電率ε_ｒ１：２．２（ポリプロピレンに相当）
第２誘電体層１２の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例２０）
実施例１０において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１０と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図２４に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：１０６０Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：０．９４ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：２．２（ポリプロピレンに相当）
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０
第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_１：２９０Ω／□
第２誘電体層２２の厚みｄ_１：０．９４ｍｍ
第２誘電体層１２の比誘電率ε_ｒ１：２．２（ポリプロピレンに相当）
第２誘電体層１２の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例２１）
実施例１０において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１０と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図２５に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：１０６０Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：１．００ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：２．９（ポリエチレンテレフタレート又はポリカーボネートに相当）
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０
第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_１：２９０Ω／□
第２誘電体層２２の厚みｄ_１：１．００ｍｍ
第２誘電体層１２の比誘電率ε_ｒ１：２．９（ポリエチレンテレフタレート又はポリカーボネートに相当）
第２誘電体層１２の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例２２）
実施例１０において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１０と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図２６に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：１０６０Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：０．８３ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：２．９（ポリエチレンテレフタレート又はポリカーボネートに相当）
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０
第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_１：２９０Ω／□
第２誘電体層２２の厚みｄ_１：０．８３ｍｍ
第２誘電体層１２の比誘電率ε_ｒ１：２．９（ポリエチレンテレフタレート又はポリカーボネートに相当）
第２誘電体層１２の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例２３）
実施例１０において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１０と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図２７に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：１０６０Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：０．０９ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：３．５（ポリイミドに相当）
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０
第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_１：２９０Ω／□
第２誘電体層２２の厚みｄ_１：０．０９ｍｍ
第２誘電体層１２の比誘電率ε_ｒ１：３．５（ポリイミドに相当）
第２誘電体層１２の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例２４）
実施例１０において、電磁波吸収シートに下記の構成を設定したこと以外は、実施例１０と同様にして、吸収特性を求めた。結果を図２８に示す。
＜電磁波吸収シートの構成＞
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：１０６０Ω／□
第１誘電体層２１の厚みｄ_１：０．７６ｍｍ
第１誘電体層１１の比誘電率ε_ｒ１：３．５（ポリイミドに相当）
第１誘電体層１１の比透磁率μｒ_１：１．０
第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_１：２９０Ω／□
第２誘電体層２２の厚みｄ_１：０．７６ｍｍ
第２誘電体層１２の比誘電率ε_ｒ１：３．５（ポリイミドに相当）
第２誘電体層１２の比透磁率μｒ_１：１．０

（実施例２５）
図４に示したものと同様の層構成を有する電磁波吸収シートについて、実施例１に示した理論計算を行い、電磁波吸収が最大値を示すときの第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１、第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_２及び第３抵抗皮膜１３の面抵抗ｒ_３を求めた。
その結果、電磁波吸収シートの各条件が下記の場合に電磁波吸収が最大値を示すことが確認された。
第１抵抗皮膜１１の面抵抗ｒ_１：１７００Ω／□
第２抵抗皮膜１２の面抵抗ｒ_２：６００Ω／□
第３抵抗皮膜１３の面抵抗ｒ_３：２００Ω／□

ここで、面抵抗ｒ_１の１７００Ω／□、面抵抗ｒ_２の６００Ω／□、及び、面抵抗ｒ_３の２００Ω／□は、例えば、下記［面抵抗の設定例３］によって、第１抵抗皮膜（ポリアニリン層）１１、第２抵抗皮膜（ポリアニリン層）１２、及び、第３抵抗皮膜（ポリアニリン層）１３を成膜することにより、再現性良く設定可能である。

［面抵抗の設定例３］
（１）第１抵抗皮膜
トルエン９２ｇとイソプロピルアルコール３ｇとを混合した溶媒に、実施例１で得られたポリアニリン複合体５ｇを溶解させた。
別途、２−プロパノール２００ｇに、２−ナフタレンスルホン酸水和物１０ｇ、４−メトキシフェノール２９０ｇを順次添加し混合させた溶液を調製し、当該溶液０．２４ｇを上記のポリアニリン複合体溶液３．２ｇに混合して組成物を得た。
得られた組成物をフィルム上に、バーコーター（テスター産業株式会社製「ＰＩ−１２１０Ｒ」）を用いて塗工した。この際、バーコーターのバーロッドの番手はＮｏ．１００を用いた。塗工後、１１０℃で１５分間乾燥させることで、１７００Ω／□の面抵抗を有する第１抵抗皮膜（ポリアニリン層）を形成できることを確認した。

（２）第２抵抗皮膜
トルエン９２ｇとイソプロピルアルコール３ｇとを混合した溶媒に、実施例１で得られたポリアニリン複合体５ｇを溶解させた。
別途、２−プロパノール２００ｇに、２−ナフタレンスルホン酸水和物１０ｇ、４−メトキシフェノール２９０ｇを順次添加し混合させた溶液を調製し、当該溶液０．４ｇを上記のポリアニリン複合体溶液３．２ｇに混合して組成物を得た。
得られた組成物をフィルム上に、バーコーター（テスター産業株式会社製「ＰＩ−１２１０Ｒ」）を用いて塗工した。この際、バーコーターのバーロッドの番手はＮｏ．１００を用いた。塗工後、１１０℃で１５分間乾燥させることで、６００Ω／□の面抵抗を有する第２抵抗皮膜（ポリアニリン層）を形成できることを確認した。

（３）第３抵抗皮膜
トルエン９２ｇとイソプロピルアルコール３ｇとを混合した溶媒に、実施例１で得られたポリアニリン複合体５ｇを溶解させた。
別途、２−プロパノール２００ｇに、２−ナフタレンスルホン酸水和物１０ｇ、４−メトキシフェノール２９０ｇを順次添加し混合させた溶液を調製し、当該溶液０．６ｇを上記のポリアニリン複合体溶液３．２ｇに混合して組成物を得た。
得られた組成物をフィルム上に、バーコーター（テスター産業株式会社製「ＰＩ−１２１０Ｒ」）を用いて塗工した。この際、バーコーターのバーロッドの番手はＮｏ．１００を用いた。塗工後、１１０℃で１５分間乾燥させることで、２００Ω／□の面抵抗を有する第３抵抗皮膜（ポリアニリン層）を形成できることを確認した。

（評価）
実施例１〜２５の結果より、所望される電磁波の波長に合わせて吸収量を任意に調整できることが分かった。また、電磁波吸収層が２層以上であることによって、吸収ピークの数が増え、より広い範囲の波長帯に対して電磁波吸収能を発揮できることがわかった。抵抗皮膜がポリアニリンを含むことによって、電磁波吸収能を高精度に調整できるため、このような効果が良好に発揮される。

Ａ１ （第１）電磁波吸収層
１１ （第１）抵抗皮膜
２１ （第１）誘電体層
Ａ２ 第２電磁波吸収層
１２ 第２抵抗皮膜
２２ 第２誘電体層
Ａ３ 第３電磁波吸収層
１３ 第３抵抗皮膜
２３ 第３誘電体層
３ 電磁波遮蔽層

Claims (9)

1. １層以上の電磁波吸収層と、電磁波遮蔽層とをこの順に積層して含み、
   前記電磁波吸収層は、前記電磁波遮蔽層側に配置された誘電体層と、前記誘電体層における前記電磁波遮蔽層の反対側に配置された抵抗皮膜とを含み、
   前記１層以上の電磁波吸収層のうち少なくとも１層中の前記抵抗皮膜が置換又は無置換のポリアニリンを含む、
   電磁波吸収シート。
2. 前記電磁波吸収層が１層である請求項１に記載の電磁波吸収シート。
3. 前記電磁波吸収層が２層以上である請求項１に記載の電磁波吸収シート。
4. 前記置換又は無置換のポリアニリンが、ドーパントによってドープされたポリアニリン複合体である請求項１〜３のいずれかに記載の電磁波吸収シート。
5. 前記ドーパントが下記式（III）で表されるスルホコハク酸誘導体から生じる有機酸イオンである、請求項４に記載の電磁波吸収シート。
   

   

   （式（III）中、Ｍは、水素原子、有機遊離基又は無機遊離基である。ｍ’は、Ｍの価数である。Ｒ^１３及びＲ^１４は、それぞれ独立に炭化水素基又は−（Ｒ^１５Ｏ）_ｒ−Ｒ^１６基である。Ｒ^１５は、それぞれ独立に炭化水素基又はシリレン基であり、Ｒ^１６は水素原子、炭化水素基又はＲ^１７ _３Ｓｉ−基であり、ｒは１以上の整数である。Ｒ^１７は、それぞれ独立に炭化水素基である。）
6. 前記ドーパントがジ−２−エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウムである、請求項４又は５に記載の電磁波吸収シート。
7. 前記抵抗皮膜が、置換又は無置換のポリアニリンと、フェノール性水酸基を有する化合物とを含む、請求項１〜６のいずれかに記載の電磁波吸収シート。
8. λ／４型電磁波吸収体である、請求項１〜７のいずれかに記載の電磁波吸収シート。
9. 請求項１〜８のいずれかに記載の電磁波吸収シートの製造方法であって、
   前記置換又は無置換のポリアニリンを含む前記抵抗被膜を、置換又は無置換のポリアニリンとフェノール性水酸基を有する化合物とを含む組成物を用いた塗布法によって形成する工程を含む、電磁波吸収シートの製造方法。

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