JP2020144119A - 圧力センサダイの取付け - Google Patents

圧力センサダイの取付け Download PDF

Info

Publication number
JP2020144119A
JP2020144119A JP2020031322A JP2020031322A JP2020144119A JP 2020144119 A JP2020144119 A JP 2020144119A JP 2020031322 A JP2020031322 A JP 2020031322A JP 2020031322 A JP2020031322 A JP 2020031322A JP 2020144119 A JP2020144119 A JP 2020144119A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure sensor
trench
frame
sensor system
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020031322A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7479870B2 (ja
Inventor
ラザヴィディナニ,ケヤノッシュ
Razavidinani Keyanoush
スプラケラール,ゲルチャン ヴァン
Sprakelaar Gertjan Van
スプラケラール,ゲルチャン ヴァン
ワーグナー,クリス
Wagner Chris
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Silicon Microstructures Inc
Original Assignee
Silicon Microstructures Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Silicon Microstructures Inc filed Critical Silicon Microstructures Inc
Publication of JP2020144119A publication Critical patent/JP2020144119A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7479870B2 publication Critical patent/JP7479870B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • G01L9/0048Details about the mounting of the diaphragm to its support or about the diaphragm edges, e.g. notches, round shapes for stress relief
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00Measuring force or stress, in general
    • G01L1/20Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
    • G01L1/22Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
    • G01L1/225Measuring circuits therefor
    • G01L1/2262Measuring circuits therefor involving simple electrical bridges
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00Measuring force or stress, in general
    • G01L1/20Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
    • G01L1/22Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
    • G01L1/2287Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
    • G01L1/2293Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges of the semi-conductor type
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • G01L19/145Housings with stress relieving means
    • G01L19/146Housings with stress relieving means using flexible element between the transducer and the support
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • G01L19/148Details about the circuit board integration, e.g. integrated with the diaphragm surface or encapsulation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0073Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Child & Adolescent Psychology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

【課題】パッケージ内に圧力センサダイを正確に配置する必要性を低減させ、圧力センサシステム内の漏れを低減させ、かつパッケージへの圧力センサダイの一貫した取付けを提供する圧力センサシステムおよび圧力センサシステムを組み立てる方法を提供する。【解決手段】圧力センサシステムパッケージまたは基板100が、トレンチ110を有する。第1の材料(接着剤)400が、トレンチ110に部分的に充填され、硬化させられる。第1の材料400の上に、第2の材料500が追加される。第2の材料(接着剤)500が依然として液体である間に、圧力センサダイ200がトレンチ内に配置され、その結果、フレーム220の底部224が第1の材料400の上に留まる。次いで、第2の材料500を硬化させて、圧力センサダイ200を定位置に固定する。【選択図】図5

Description

圧力センサシステムに関する。
圧力センサシステムは、多くのタイプの製品に浸透するにつれて、過去数年で広く普及してきた。自動車、工業、消費者、および医療の製品で利用されているため、圧力センサシステムに対する需要が急速に高まっており、弱まる兆しを見せていない。
圧力センサシステムは、圧力センサチップまたはダイならびに他の構成要素を含むことができる。圧力センサダイは、典型的に、ダイアフラムまたはメンブレンを含むことができる。このメンブレンは、シリコンウェーハ内にホイートストンブリッジを作製し、次いで反対側の表面からシリコンをエッチング除去して、ホイートストンブリッジの下にシリコンの薄層を形成することによって形成することができる。その結果得られるメンブレンは、より厚いエッチングされていないシリコンウェーハ部分またはフレームによって取り囲むことができ、メンブレンおよびフレームは空洞を形成する。圧力センサシステム内の圧力センサダイが圧力を受けたとき、メンブレンは、形状を変化させることによって応答することができる。この形状の変化により、メンブレン上の電子構成要素の1つまたは複数の特性を変化させることができる。これらの変化する特性を測定することができ、これらの測定から、圧力の大きさを判定することができる。
難題は、圧力センサシステムを製造する際に生じる可能性がある。圧力センサシステムは、圧力センサパッケージ内に圧力センサダイスを取り付けることによって形成することができる。これらのパッケージは、取付けプロセス中に圧力ダイの空洞と位置合わせする必要のある通路を有することがある。この位置合わせは、高価なダイ配置機器の使用を必要とする可能性がある。
圧力センサダイと圧力センサパッケージとの間の取付け領域の変動は、圧力センサシステムによって測定される圧力の読取り値に誤差をもたらす可能性がある。最悪の場合、これらの変動は取付け領域内に漏れを引き起こす可能性がある。取付け領域を通る漏れ経路により、圧力センサシステムが機能しなくなる可能性がある。また、これらの変動は、パッケージに対する圧力センサダイの高さの差をもたらす可能性があり、それによりパッケージングの問題が生じ、性能が一貫しなくなる可能性がある。
解決すべき課題は、パッケージ内に圧力センサダイを正確に配置する必要性を低減させ、圧力センサシステム内の漏れを低減させ、かつパッケージへの圧力センサダイの一貫した取付けを提供する圧力センサシステムおよび圧力センサシステムを組み立てる方法を提供することである。
この課題は、パッケージ内に圧力センサダイを正確に配置する必要性を低減させ、圧力センサシステム内の漏れを低減させ、かつパッケージへの圧力センサダイの一貫した取付けを提供する圧力センサシステムおよび圧力センサシステムを組み立てる方法を提供することによって解決される。
本発明の例示的な実施形態は、高精度の配置システムの使用に依拠しない圧力センサシステムを組み立てる方法を提供することができる。本発明の上記その他の実施形態は、トレンチを有するパッケージまたは他の基板を提供することができる。トレンチ内に、液化状態の第1の量の第1の材料を堆積させることができる。第1の材料は、ゴム状または柔軟な層を形成するように硬化させることができる。トレンチ内では、第1の材料の上に、第2の量の第2の材料を堆積させることができる。第2の材料は、少なくともある程度液化することができる。メンブレンおよびフレームを有する圧力センサダイを、トレンチにフレームが入るように位置決めすることができる。圧力センサダイに圧力を印加して定位置で保持することができるが、本発明の上記その他の実施形態では、このタスクには重力で十分な可能性もある。第2の材料を硬化させて、圧力センサダイを圧力センサパッケージ内で定位置に保持することができる。第1の材料は、トレンチ内でフレームの底部とトレンチの底部との間に位置することができる。第2の材料は、フレームの下部分を取り囲むことができる。
本発明の上記その他の実施形態では、パッケージは、プラスチック、レーザ直接構造化(LDS)材料、アクリル、または他の材料もしくは材料の組合せから形成することができる。パッケージは、インサートの有無にかかわらず、トランスファ成形もしくは射出成形、3D印刷、または他の技法によって形成することができる。本発明の上記その他の実施形態では、パッケージの代わりに、サブアセンブリ、シリコンウェーハ、プリント回路基板、または他の構造を使用することもできる。これらは、セラミック、FR4などのプリント回路基板材料、シリコン、または他の材料もしくは材料の組合せから形成することができる。
第1の材料は、第2の材料と同じにすることができるが、第1の材料および第2の材料を異なる材料にすることもできる。第1の材料および第2の材料は、室温加硫シーラント(RTV)、シリコーン、フルオロシリコーン、ゲル、エポキシ、ウレタン、ポリマー系材料、または他の材料もしくはこれらの組合せとすることができる。第1の材料および第2の材料をトレンチ内に塗布する前に、第1の材料および第2の材料の一方または両方に、様々な添加剤を混合することができる。たとえば、染料または顔料などの着色剤を添加することができる。これらの着色剤は、望ましいレベルの不透明度または他の光学的特性を提供することができる。第1の材料および第2の材料の一方または両方に、硬化剤、促進剤、または溶剤を混合することができる。硬化率、硬化温度、または他の態様を調整するための他の材料を、一方または両方の材料に添加することもできる。たとえば、圧力センサダイのフレームへの遮蔽または接地経路を提供するために、伝導性材料を添加することができる。
本発明の例示的な実施形態は、低減された漏れ、およびパッケージへの圧力センサダイの一貫した取付け、を有する圧力センサシステムを提供することができる。本発明の上記その他の実施形態は、フレームによって支持されたメンブレンを含む圧力センサダイを有する圧力センサシステムを提供することができる。圧力センサシステムはまた、上面および上面内に位置するトレンチを有するパッケージを含むことができる。フレームの下部分は、トレンチ内に位置することができる。第1の材料が、トレンチ内でフレームの底部とトレンチの底面との間に位置することができる。第2の材料が、トレンチ内で第1の材料の上に位置することができる。第2の材料は、フレームの下部分を取り囲むことができる。前述したように、第1の材料は、第2の材料と同じにすることができるが、第1の材料および第2の材料を異なる材料にすることもできる。2重層、特にフレームの下部分を取り囲むことができる第2の層を使用することで、圧力センサシステムを通る漏れを低減させることができる。この配置はまた、第1の材料および第2の材料によってフレームに印加される力を均衡させることができる。第1の材料および第2の材料の量の一貫した塗布により、パッケージへの圧力センサダイの一貫した取付けを実現することができる。
本発明の上記その他の実施形態では、異なるタイプの圧力センサシステムを提供することができる。たとえば、圧力センサパッケージは、ゲージ圧センサシステムまたは差圧センサシステムを形成するために、フレームによって取り囲まれる開口を形成する通路を含むことができる。通路は、絶対圧力センサシステム内でブロックされても、存在しなくてもよい。
本発明の上記その他の実施形態では、パッケージは、様々な方法で形成することができる。たとえば、チューブをオーバーモールドして基板を形成することができ、チューブは、基板を通る通路を形成する。基板の上面に凹部を形成することができ、それによりチューブの上部分が凹部内で露出される。チューブの露出部分が圧力センサダイの空洞内に位置するように、上述した凹部内に圧力センサダイを配置することができる。
本発明について、添付の図面を参照して例として説明する。
本発明の一実施形態による圧力センサシステムの断面を示す図である。 本発明の一実施形態による圧力センサシステムの上面図である。 本発明の一実施形態による圧力センサシステムを製造する方法を示す図である。 本発明の一実施形態による圧力センサシステムを製造する方法を示す図である。 本発明の一実施形態による圧力センサシステムを製造する方法を示す図である。 本発明の一実施形態による圧力センサシステムの一部分を示す図である。
図1は、本発明の一実施形態による圧力センサシステムの断面を示す。この図は、他の含まれている図と同様に、例示的な目的で示されており、本発明の可能な実施形態または特許請求の範囲を限定するものではない。
この圧力センサシステムは、圧力センサパッケージ100を含むことができる。圧力センサパッケージ(または基板)100は、底面112を有するトレンチ110を含むことができる。1つまたは複数の材料の1つまたは複数の層が層300を形成することができ、層300は、トレンチ110内に位置することができる。圧力センサダイ200が、メンブレン210およびフレーム220を含むことができる。抵抗器またはトランジスタなどの1つまたは複数の構成要素(図示せず)が、メンブレン210またはその付近に位置することができる。たとえば、ホイートストンブリッジに対する抵抗器を、メンブレン210またはその付近に形成することができる。1つまたは複数の層300によって、フレーム220の下部分222を取り囲むことができる。1つまたは複数の層300は、フレーム220の底部224とトレンチ110の底面112との間に位置することができる。
本発明の上記その他の実施形態では、圧力センサパッケージ100は、プラスチック、レーザ直接構造化(LDS)材料、アクリル、または他の材料もしくは材料の組合せから形成することができる。圧力センサパッケージ100は、インサートの有無にかかわらず、トランスファ成形もしくは射出成形、3D印刷、または他の技法によって形成することができる。本発明の上記その他の実施形態では、圧力センサパッケージ100の代わりに、サブアセンブリ、シリコンウェーハ、プリント回路基板、または他の構造を使用することもできる。これらは、セラミック、FR4などのプリント回路基板材料、シリコン、または他の材料もしくは材料の組合せから形成することができる。
本発明の上記その他の実施形態を使用して、異なるタイプの圧力センサシステムを形成することもできる。たとえば、ゲージ圧または差圧システムを形成するために、通路120を含むことができる。通路120は、絶対圧力センサを形成するために、ブロックされても、存在しなくてもよい。
図2は、本発明の一実施形態による圧力センサシステムの上面図である。この例では、圧力センサパッケージ100は、トレンチ110を含むことができる。圧力センサダイ200は、トレンチ110内に位置するフレーム220を有することができる。前述したように、1つまたは複数の層300がトレンチ110内に位置することができる。通路120が、圧力センサダイ200のメンブレン210の下に開口を形成することができる。フレーム220は、通路120によって形成された開口を側面から取り囲むことができる。
図3〜図5は、本発明の一実施形態による圧力センサシステムを製造する方法を示す。図3で、圧力センサパッケージ100および圧力センサダイ200を提供することができる。圧力センサパッケージ100は、通路120およびトレンチ110を含むことができる。
図4で、第1の量の第1の材料400をトレンチ110内に堆積、塗布、または他の方法で配置することができる。第1の材料400は、室温加硫シーラント(RTV)、シリコーン、フルオロシリコーン、ゲル、エポキシ、ウレタン、ポリマー系材料、または他の材料もしくはこれらの組合せとすることができる。第1の材料400をトレンチ内に塗布する前に、第1の材料400に様々な添加剤を混合することができる。たとえば、染料または顔料などの着色剤を添加することができる。これらの着色剤は、望ましいレベルの不透明度または他の光学的特性を提供することができる。第1の材料400に、硬化剤、促進剤、または溶剤を混合することができる。硬化率、硬化温度、または他の態様を調整するための他の材料を、第1の材料400に添加することもできる。たとえば、圧力センサダイのフレームへの遮蔽または接地経路を提供するために、伝導性材料を添加することができる。次いで、第1の材料400を硬化させることができる。本発明の上記その他の実施形態では、第1の量の第1の材料400を正確に提供することができ、その結果、圧力センサパッケージ100に対する圧力センサダイ200の高さを一貫したものにすることができる。
図5で、第2の量の第2の材料500を圧力センサパッケージ100のトレンチ110内で第1の材料400の上に堆積、塗布、または他の方法で配置することができる。第2の材料500は、室温加硫シーラント(RTV)、シリコーン、フルオロシリコーン、ゲル、エポキシ、ウレタン、ポリマー系材料、または他の材料もしくはこれらの組合せとすることができる。第2の材料500をトレンチ内に塗布する前に、第2の材料500に様々な添加剤を混合することができる。たとえば、染料または顔料などの着色剤を添加することができる。これらの着色剤は、望ましいレベルの不透明度または他の光学的特性を提供することができる。第2の材料500に、硬化剤、促進剤、または溶剤を混合することができる。硬化率、硬化温度、または他の態様を調整するための他の材料を、第2の材料500に添加することもできる。たとえば、圧力センサダイのフレームへの遮蔽または接地経路を提供するために、伝導性材料を添加することができる。第2の量の第2の材料500が少なくともある程度液化されているとき、圧力センサダイ200をトレンチ110内に配置することができる。具体的には、通路120がメンブレン210の下に開口を有するように、フレーム220をトレンチ110内に配置することができる。圧力センサダイ200に力を加えて、圧力センサダイ200を定位置で保持することができる。本発明の上記その他の実施形態では、このタスクには重力で十分な可能性がある。第2の材料500を硬化させて、それによって圧力センサダイ200を定位置で保持することができる。
この配置では、圧力センサダイ200のフレーム220の下部分222を、第2の材料500によって垂直側で取り囲むことができる。第1の材料400は、フレーム220の底部224とトレンチ110の底面112との間に位置することができる。これにより、圧力センサシステムを通る漏れ経路を低減させるのを助けることができる。
この例では、圧力センサダイ200が距離590だけ位置ずれをおこした場合でも、圧力センサシステムは機能したままとすることができる。これは、X方向およびY方向の両方で誤った位置に配置した場合に当てはまる。この誤差耐性により、高価な配置機器を必要とすることなしに、圧力センサシステムを製造することを可能にすることができる。
本発明の上記その他の実施形態では、パッケージは、様々な方法で形成することができる。一例が以下の図に示されている。
図6は、本発明の一実施形態による圧力センサシステムの一部分を示す。この例では、中心通路610を有するチューブ600を提供することができる。チューブ600の周りに、基板620を形成することができる。基板620は、上面側のトレンチまたは凹部622と、底面側の開口624とを含むことができる。チューブ600の上部分は、トレンチまたは凹部622内に露出させることができる。チューブ600内の中心通路610は、開口624から圧力センサダイ200内の後方空洞230へのガスまたは他の流体のための経路を提供することができる。チューブ600の下部分は、チューブ600を基板620内で定位置にさらに固定するために、位置630にフランジを含むことができる。
圧力センサダイ200は、基板620のトレンチまたは凹部622内に位置することができるフレーム220を含むことができる。圧力センサダイ200は、メンブレン210をさらに含むことができる。メンブレン210およびフレーム220は、圧力センサダイ200内に後方空洞230を画定することができる。
前述したように、第1の材料400および第2の材料500(図4および図5に示す)などの1つまたは複数の材料を接着剤層300として使用して、圧力センサダイ200を基板620のトレンチまたは凹部622内で定位置に固定することができる。
この構成では、圧力センサダイ200は、圧力センサダイ200のメンブレン210の上面と基板620内の開口624との間の差圧を測定することができる。
この例では、オーバーモールドされた基板620は、プラスチック、LDS、または他の材料もしくは材料の組合せから形成することができる。チューブ600は、金属、プラスチック、セラミック、または他の材料もしくは材料の組合せから形成することができる。オーバーモールドされた基板620は、インサートの有無にかかわらず、トランスファ成形もしくは射出成形、3D印刷、または他の技法によって形成することができる。本発明の上記その他の実施形態では、オーバーモールドされた基板620の代わりに、サブアセンブリ、シリコンウェーハ、プリント回路基板、または他の構造を使用することもできる。これらは、セラミック、FR4などのプリント回路基板材料、シリコン、または他の材料もしくは材料の組合せから形成することができる。たとえば、チューブ600は、プリント回路基板内の開口を通って挿入され、はんだ付け、接着材の塗布、または他の方法によって定位置に固定されることができる。
本発明の実施形態の上記の説明は、例示および説明の目的で提示されたものである。網羅的であることまたは記載の厳密な形態に本発明を限定することを意図したものではなく、上記の教示に照らして、多くの修正形態および変形形態が可能である。これらの実施形態は、本発明の原理およびその実際的な応用例について最もよく説明し、それによって当業者であれば、様々な実施形態において、企図される特定の用途に好適な様々な修正によって本発明を最もよく利用することが可能になるように選択および記載されている。したがって、本発明は、以下の特許請求の範囲の範囲内のすべての修正形態および均等物を包含することを意図したものであることを理解されたい。

Claims (10)

  1. フレーム(220)によって支持されたメンブレン(210)を有する圧力センサダイ(200)と、
    上面および前記上面内に位置するトレンチ(110)を有するパッケージ(100)であって、前記フレーム(220)の一部分(222)が前記トレンチ(110)内に位置する、パッケージ(100)と、
    前記トレンチ(110)内に位置する第1の材料(400)であって、前記フレームの底部(224)と前記トレンチの底面(112)との間に位置し、前記フレームの下部分(222)を取り囲む第1の材料(400)と
    を備えている、圧力センサシステム。
  2. 前記パッケージ(100)を通って前記メンブレン(210)の下に開口(624)を形成する通路(120)をさらに備えている、請求項1に記載の圧力センサシステム。
  3. フレーム(220)によって支持されたメンブレン(210)を有する圧力センサダイ(200)と、
    上面および前記上面内に位置するトレンチ(110)を有するパッケージ(100)であって、前記フレーム(220)の一部分が前記トレンチ(110)内に位置する、パッケージ(100)と、
    前記トレンチ(110)内に位置する第1の材料(400)であって、前記フレームの底部(224)と前記トレンチの底面(112)との間に位置する第1の材料(400)と、
    前記トレンチ(110)内で前記第1の材料(400)上に位置する第2の材料(500)であって、前記フレームの下部分(222)を取り囲む第2の材料(500)と
    を備えている、圧力センサシステム。
  4. 前記パッケージ(100)を通って前記メンブレン(210)の下に開口(624)を形成する通路(120)をさらに備えている、請求項3に記載の圧力センサシステム。
  5. 前記第1の材料(400)および前記第2の材料(500)が接着剤である、請求項3に記載の圧力センサシステム。
  6. 前記第1の材料(400)および前記第2の材料(500)が同じ材料を含んでいる、請求項3に記載の圧力センサシステム。
  7. 前記第2の材料(500)がシリコーンである、請求項3に記載の圧力センサシステム。
  8. 中心通路(610)を有するチューブ(600)と、
    前記チューブ(600)の周りに形成された基板(620)であって、上面側にトレンチ(110)を有し、それにより前記チューブ(600)の上部分が前記トレンチ(110)内で露出され、前記チューブ(600)の前記中心通路(610)が、前記基板(620)を通る通路の少なくとも一部分を形成する、基板(620)と、
    フレーム(220)によって支持されたメンブレン(210)を有する圧力センサダイ(200)であって、前記メンブレン(210)および前記フレーム(220)が、前記圧力センサダイ(200)内に後方空洞(230)を画定し、前記チューブ(600)の前記上部分が前記圧力センサダイ(200)の前記後方空洞(230)内に位置するように前記フレーム(220)の一部分が前記トレンチ(110)内に位置する、圧力センサダイ(200)と、
    前記トレンチ(110)内に位置する第1の材料(400)であって、前記フレームの底部(224)と前記トレンチの底面(112)との間に位置する第1の材料(400)と、
    前記トレンチ(110)内で前記第1の材料(400)上に位置する第2の材料(500)であって、前記フレームの下部分(222)を取り囲む第2の材料(500)と
    を備えている、圧力センサシステム。
  9. 前記基板が、射出成形によって形成されている、請求項8に記載の圧力センサシステム。
  10. 前記第1の材料(400)および前記第2の材料(500)が1つまたは複数の接着剤である、請求項8に記載の圧力センサシステム。
JP2020031322A 2019-03-04 2020-02-27 圧力センサダイの取付け Active JP7479870B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962813661P 2019-03-04 2019-03-04
US62/813,661 2019-03-04
US16/724,166 US11060929B2 (en) 2019-03-04 2019-12-20 Pressure sensor die attach
US16/724,166 2019-12-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020144119A true JP2020144119A (ja) 2020-09-10
JP7479870B2 JP7479870B2 (ja) 2024-05-09

Family

ID=69742823

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020031322A Active JP7479870B2 (ja) 2019-03-04 2020-02-27 圧力センサダイの取付け

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11060929B2 (ja)
EP (1) EP3705864B1 (ja)
JP (1) JP7479870B2 (ja)
CN (1) CN111649867A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112857631B (zh) * 2021-04-23 2021-08-20 武汉飞恩微电子有限公司 一种芯体结构及压力传感器

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4943032A (en) * 1986-09-24 1990-07-24 Stanford University Integrated, microminiature electric to fluidic valve and pressure/flow regulator
JP3873454B2 (ja) 1998-05-29 2007-01-24 株式会社デンソー 半導体圧力センサ
US20010001550A1 (en) * 1998-11-12 2001-05-24 Janusz Bryzek Integral stress isolation apparatus and technique for semiconductor devices
US6351996B1 (en) 1998-11-12 2002-03-05 Maxim Integrated Products, Inc. Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors
JP2003083828A (ja) * 2001-06-28 2003-03-19 Matsushita Electric Works Ltd 半導体圧力センサ
DE102004006199B4 (de) 2004-02-09 2015-09-03 Robert Bosch Gmbh Mikromechanischer Drucksensor für hohe Drücke
US7539003B2 (en) * 2005-12-01 2009-05-26 Lv Sensors, Inc. Capacitive micro-electro-mechanical sensors with single crystal silicon electrodes
US8174084B2 (en) * 2006-09-19 2012-05-08 Intel Corporation Stress sensor for in-situ measurement of package-induced stress in semiconductor devices
US8191423B2 (en) * 2010-03-29 2012-06-05 Continental Automotive Systems, Inc. Grooved structure for die-mount and media sealing
CN102486427A (zh) * 2010-12-06 2012-06-06 飞思卡尔半导体公司 压力传感器及其封装方法
US8375799B2 (en) * 2010-12-10 2013-02-19 Honeywell International Inc. Increased sensor die adhesion
US8889451B2 (en) * 2012-02-21 2014-11-18 Freescale Semiconductor, Inc. MEMS pressure transducer assembly and method of packaging same
US8962389B2 (en) * 2013-05-30 2015-02-24 Freescale Semiconductor, Inc. Microelectronic packages including patterned die attach material and methods for the fabrication thereof
ITTO20130540A1 (it) * 2013-06-28 2014-12-29 St Microelectronics Srl Dispositivo mems dotato di membrana sospesa e relativo procedimento di fabbricazione
US9366593B2 (en) * 2013-09-27 2016-06-14 Infineon Technologies Ag Pressure sensor package with integrated sealing
US9586812B2 (en) * 2015-04-09 2017-03-07 Nxp Usa, Inc. Device with vertically integrated sensors and method of fabrication
ITUB20160759A1 (it) * 2016-02-15 2017-08-15 St Microelectronics Srl Sensore di pressione incapsulato in materiale elastomerico, e sistema includente il sensore di pressione
CN107527874B (zh) * 2016-06-20 2023-08-01 恩智浦美国有限公司 腔式压力传感器器件
IT201700035969A1 (it) * 2017-03-31 2018-10-01 St Microelectronics Srl Dispositivo mems includente un sensore di pressione di tipo capacitivo e relativo processo di fabbricazione
US11268839B2 (en) * 2019-03-05 2022-03-08 Measurement Specialties, Inc. Resistive flow sensor

Also Published As

Publication number Publication date
JP7479870B2 (ja) 2024-05-09
EP3705864A1 (en) 2020-09-09
US11060929B2 (en) 2021-07-13
US20200284668A1 (en) 2020-09-10
CN111649867A (zh) 2020-09-11
EP3705864B1 (en) 2021-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5998379B2 (ja) センサデバイスパッケージ及び方法
US6255728B1 (en) Rigid encapsulation package for semiconductor devices
US7954384B2 (en) Pressure sensor and manufacturing method of the same
CN107445133B (zh) 对热机械封装应力具有低灵敏度的小型负荷传感器装置
US4879903A (en) Three part low cost sensor housing
JP4577370B2 (ja) センサ装置およびその製造方法
JP3620185B2 (ja) 半導体センサ装置
CN102980711A (zh) 具有多个传感器元件的封装的传感器
CN104132773A (zh) 压力检测机构
CN104198107A (zh) 一种压力传感器及其制造方法
JP2020144119A (ja) 圧力センサダイの取付け
JP6807486B2 (ja) 圧力センサ構成およびその製造方法
US6951136B2 (en) Semiconductor pressure sensor device to detect micro pressure
EP2910919B1 (en) Pressure sensing device and method for manufacturing such a device
US20140260650A1 (en) Silicon plate in plastic package
EP3456682A1 (en) Sensor system, sensor arrangement, and assembly method using solder for sealing
JP6580079B2 (ja) 圧力センサ、および、圧力センサの製造方法
JP6317956B2 (ja) 圧力センサ、及び圧力センサの製造方法
US11560302B2 (en) Micromechanical pressure sensor with two cavities and diaphragms and corresponding production method
KR102021949B1 (ko) 세라믹 압력센서 및 그 제조방법
US11841283B2 (en) Pressure sensor with improved diaphragm seal
EP3573095B1 (en) A sensor package and a method of manufacturing a sensor package
TWI670475B (zh) 多軸力規與其製造方法
JP2017146163A (ja) 圧力センサおよびその製造方法
KR100625358B1 (ko) 압력 센서 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231107

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240206

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240416

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240424

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7479870

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150